CN111969006A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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CN111969006A CN202010401492.0A CN202010401492A CN111969006A CN 111969006 A CN111969006 A CN 111969006A CN 202010401492 A CN202010401492 A CN 202010401492A CN 111969006 A CN111969006 A CN 111969006A
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文重守
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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：在显示区域中，第一晶体管，包括第一栅电极；第二晶体管，电连接到第一晶体管，包括第二栅电极；发光元件；以及在围绕显示区域的外围区域中，电力布线，包括彼此间隔开的第一电力布线图案和第二电力布线图案以及将第一电力布线图案和第二电力布线图案连接的桥接图案；信号布线；以及绝缘层，覆盖电力布线和信号布线，并且绝缘层的部分被去除以形成有机层去除区域，桥接图案与有机层去除区域叠置，电力布线和信号布线在有机层去除区域中彼此叠置，信号布线和桥接图案分别设置在与第一栅电极和第二栅电极相同的层中。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
技术领域
示例性实施例总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置被构造为自身发光。因为有机发光显示装置可以减小其重量和厚度并且具有适合于柔性显示装置的特性，所以有机发光显示装置的使用正在增加。
有机发光显示装置具有显示区域和外围区域。有机发光二极管的阵列设置在显示区域中。信号布线、电力布线等设置在外围区域中用于驱动有机发光二极管。
在有机发光显示装置中，在外围区域中有效地设计布线构造减小了非显示区域，并且保护有机发光显示装置免受湿气的渗透。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施例构造的装置能够提供一种具有改善的可靠性的显示装置。根据发明的示例性实施例的方法能够提供一种制造该显示装置的方法。
发明构思的附加特征将在下面的描述中被阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据发明的一个或更多个示例性实施例，一种显示装置包括：第一晶体管，设置在显示区域中，第一晶体管包括第一有源图案和第一栅电极；第二晶体管，电连接到第一晶体管，第二晶体管包括第二有源图案和第二栅电极；发光元件，电连接到第一晶体管和第二晶体管中的至少一个；电力布线，设置在围绕显示区域的外围区域中，电力布线包括第一电力布线图案、与第一电力布线图案间隔开的第二电力布线图案以及将第一电力布线图案和第二电力布线图案连接的桥接图案；信号布线，设置在外围区域中；以及绝缘层，设置为覆盖电力布线和信号布线，绝缘层包括其中绝缘层的至少一部分被去除的有机层去除区域，其中，桥接图案与有机层去除区域叠置，其中，电力布线和信号布线在有机层去除区域中彼此叠置，并且其中，信号布线与第一栅电极设置在同一层中，桥接图案与第二栅电极设置在同一层中。
显示装置还可以包括设置在第一栅电极上的栅极布线图案。
显示装置还可以包括：第一绝缘层，覆盖第一有源图案；第二绝缘层，覆盖第一栅电极；第三绝缘层，覆盖栅极布线图案；第四绝缘层，覆盖第二栅电极和桥接图案；以及第一源极金属图案，设置在第四绝缘层上，并且包括源电极和漏电极，其中，绝缘层可以包括覆盖第一源极金属图案的第五绝缘层以及设置在第五绝缘层上的像素限定层。
显示装置还可以包括设置在有机层去除区域中的坝结构。
显示装置还可以包括覆盖发光元件的封装层。
显示装置还可以包括栅极绝缘图案和虚设绝缘图案，栅极绝缘图案设置在第二有源图案与第二栅电极之间，虚设绝缘图案设置在桥接图案与第三绝缘层之间。
信号布线可以包括第一扇出线和第二扇出线，第一扇出线与第一栅电极设置在同一层中，第二扇出线与栅极布线图案设置在同一层中。
电力布线被配置为将电力传输到发光元件。
电力布线可以包括第一电力布线和第二电力布线，第一电力布线被配置为将第一电源电压传输到发光元件，第二电力布线被配置为将第二电源电压传输到发光元件。
信号布线可以被配置为将数据信号传输到第一晶体管和第二晶体管中的至少一个。
第一有源图案可以包括硅，并且第二有源图案可以包括氧化物半导体。
桥接图案和第一电力布线图案的接触区域沿着第一电力布线图案延伸。
根据发明的一个或更多个示例性实施例，一种用于制造显示装置的方法包括：在显示区域中形成第一有源图案；形成覆盖第一有源图案的第一绝缘层；形成包括与第一有源图案叠置的第一栅电极的第一栅极金属图案；形成覆盖第一栅极金属图案的第二绝缘层；形成与第一栅极金属图案叠置的第二栅极金属图案；形成覆盖第二栅极金属图案的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第二有源图案；形成第三栅极金属图案，第三栅极金属图案包括与第二有源图案叠置的第二栅电极以及设置在围绕显示区域的外围区域中的桥接图案；形成覆盖第三栅极金属图案的第四绝缘层；以及形成设置在第四绝缘层上的源极金属图案，源极金属图案包括第一电力布线图案以及与第一电力布线图案间隔开的第二电力布线图案，其中，第一电力布线图案和第二电力布线图案与桥接图案接触地设置在外围区域中。
所述方法还可以包括：形成覆盖源极金属图案的第五绝缘层；形成设置在第五绝缘层上的像素限定层；在第五绝缘层和像素限定层上形成发光元件；以及在外围区域中去除第五绝缘层和像素限定层的至少一部分，以形成有机层去除区域。
第五绝缘层和像素限定层在形成有机层去除区域之后的剩余部分可以包括沿着外围区域延伸的坝结构。
有机层去除区域与桥接图案叠置。
第一栅极金属图案还可以包括与桥接图案叠置的第一扇出线。
第二栅极金属图案还可以包括与第一扇出线平行地延伸并且与桥接图案叠置的第二扇出线。
第一有源图案可以包括硅，第二有源图案可以包括氧化物半导体。
桥接图案和第一电力布线图案的接触区域沿着第一电力布线图案延伸。
将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思，其中，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的区域“A”的放大平面图。
图3是显示区域的像素单元的剖视图。
图4是沿着图2的剖面线I-I'截取的剖视图。
图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A和图10B是示出用于制造根据示例性实施例的显示装置的方法的剖视图。
图11是示出根据示例性实施例的显示装置的外围区域的放大平面图。
图12是沿图11的剖面线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻的理解，阐述了许多具体细节。如这里使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词，并且是采用这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其他实例中，为了避免使各种示例性实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但是不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的特定形状、构造和特性。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独或统称为“元件”)可以被另外结合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供附图中的交叉阴影线和/或阴影的使用，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以被不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴和D2轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的涵义来解释。例如，D1轴和D2轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合(诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在这里用来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离公开的教导。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在这里用于描述性目的，从而来描述如附图中所示的一个元件与其他元件的关系。空间相对术语除了包含附图中描绘的方位还旨在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，并且如此相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。除非上下文另外明确指出，否则如这里使用的单数形式“一”、“一个(者/种)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和其它相似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且如此，被用于解释本领域普通技术人员将认可的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
在此参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施例应不必被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图成为限制。
作为领域的惯例，在功能块、单元和/或模块方面，在附图中描述和示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬导线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器或其他相似硬件来实现的情况下，它们可以使用执行这里讨论的各种功能的软件(例如，微代码)来被编程和控制，并且可以可选择地通过固件和/或软件来驱动。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件来实现，或者可以被实现为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和相关电路)的组合。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以物理地被分离为两个或更多个交互且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以被物理地结合成更复杂的块、单元和/或模块。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，而不应该以理想化或者过于形式化的含义来解释它们，除非这里明确如此定义。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。图2是示出图1的区域“A”的放大平面图。图3是显示区域的像素单元的剖视图。图4是沿着图2的剖面线I-I'截取的剖视图。
参照图1，有机发光显示装置可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。包括多个像素PX的像素阵列可以设置在显示区域DA中。
布线可以设置在显示区域DA中，以将驱动信号或电力提供到像素PX。例如，布线可以包括传输数据信号的数据线DL、传输栅极信号(或扫描信号)的栅极线GL、提供电力的电力线PL等。例如，数据线DL和电力线PL可以沿着第一方向D1延伸，栅极线GL可以沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸。像素阵列的像素单元可以包括用于产生光的发光元件和用于驱动发光元件的电路部分。在示例性实施例中，发光元件可以包括有机发光二极管，电路部分可以包括至少两个晶体管。
信号布线、电力布线、垫(pad，或称为“焊盘”)电极等可以设置在外围区域PA中，用于驱动像素PX。例如，信号布线可以包括传输驱动信号以驱动像素PX的开关元件的信号线。例如，驱动信号可以包括数据信号、栅极信号等。电力布线可以通过电力线PL或电极向像素PX的发光元件提供电力。
在示例性实施例中，扇出布线FL、第一电力布线VDD、第二电力布线VSS、驱动器DR、驱动信号布线GDL可以设置在外围区域PA中。扇出布线FL可以将数据信号传输到数据线DL。第一电力布线VDD可以通过电力线PL将第一电源电压提供到像素。第二电力布线VSS可以将第二电源电压提供到像素PX。驱动器DR可以将栅极信号提供到栅极线GL。驱动信号布线GDL可以将驱动信号提供到驱动器DR。例如，第二电力布线VSS可以电连接到发光二极管的第二电极，以将第二电源电压提供到发光二极管。此外，附加的布线可以设置在外围区域PA中以传输发光信号、触摸感测信号等。
例如，外围区域PA的部分可以弯曲，以设置在有机发光显示装置的侧表面或后表面处。
参照图1和图2，扇出布线FL、第一电力布线VDD、第二电力布线VSS和驱动信号布线GDL可以朝向有机发光显示装置的一侧延伸，并且可以电连接到驱动芯片、印刷电路板等，以从驱动芯片、印刷电路板等接收信号和电力。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以包括设置在外围区域PA中的有机层去除区域OA。有机层在有机层去除区域OA的至少一部分中被去除。因此，可以防止或抑制湿气从有机发光显示装置的边缘通过有机层渗透到显示区域DA中。在示例性实施例中被去除的有机层可以包括设置在有机发光显示装置中的有机发光二极管下方的过孔绝缘层、像素限定层或它们的组合。
在示例性实施例中，有机层去除区域OA可以沿着外围区域PA延伸，以具有围绕显示区域DA的形状。
在外围区域PA中，电力布线和信号布线可以彼此部分地叠置。在示例性实施例中，在有机层去除区域OA中，第一电力布线VDD和第二电力布线VSS中的至少一个可以与扇出布线FL叠置。
在示例性实施例中，第一电力布线VDD和第二电力布线VSS中的至少一个可以在外围区域PA中通过桥接件延伸。
例如，第一电力布线VDD可以包括沿着第一方向D1彼此间隔开的第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2。第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2可以通过第一桥接图案BP1彼此电连接。第二电力布线VSS可以包括沿着第一方向D1彼此间隔开的第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2。第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2可以通过第二桥接图案BP2彼此电连接。
在示例性实施例中，第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2可以设置在同一层中。第一桥接图案BP1可以与第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2设置在不同的层中。第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2可以设置在同一层中。第二桥接图案BP2可以与第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2设置在不同的层中。
扇出布线FL可以在外围区域PA中包括沿着第一方向D1或沿着与第一方向D1交叉的透视方向延伸的多条扇出线。
有机层去除区域OA可以在与电力布线和信号布线叠置的区域中沿着第二方向D2延伸。
在示例性实施例中，第一桥接图案BP1和第二桥接图案BP2的至少一部分与有机层去除区域OA叠置。此外，第一桥接图案BP1和第二桥接图案BP2的至少一部分可以与扇出布线FL叠置。因此，扇出布线FL、桥接图案和电力布线可以设置在不同的层中，并且可以与有机层去除区域OA叠置。
图3和图4分别示出了像素单元和设置有桥接图案的有机层去除区域的剖面。
参照图3，设置在显示区域DA中的像素单元包括以基体基底100为基础的驱动晶体管、用于控制驱动晶体管的开关晶体管、电连接到驱动晶体管的有机发光二极管200以及覆盖有机发光二极管200的封装层300。
缓冲层110可以设置在基体基底100上。第一有源图案AP1可以设置在缓冲层110上。第一栅电极GE1可以设置在第一有源图案AP1上。第一绝缘层120可以设置在第一有源图案AP1与第一栅电极GE1之间。
栅极布线图案GP可以设置在第一栅电极GE1上。栅极布线图案GP可以包括用于形成电容器的电容器电极、用于传输信号的布线等。第二绝缘层130可以设置在第一栅电极GE1与栅极布线图案GP之间。
第三绝缘层140可以设置在栅极布线图案GP上。第二有源图案AP2可以设置在第三绝缘层140上。第二栅电极GE2可以设置在第二有源图案AP2上。栅极绝缘图案152可以设置在第二有源图案AP2与第二栅电极GE2之间。
第四绝缘层160可以设置在第二栅电极GE2上。第一源极金属图案可以设置在第四绝缘层160上。第一源极金属图案可以包括电接触第一有源图案AP1的第一源电极SE1、电接触第一有源图案AP1的第一漏电极DE1、电接触第二有源图案AP2的第二源电极SE2和电接触第二有源图案AP2的第二漏电极DE2。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以分别穿过设置在其下方的绝缘层，以接触有源图案。
第五绝缘层170可以设置在第一源极金属图案上。第二源极金属图案可以设置在第五绝缘层170上。第二源极金属图案可以包括将第一漏电极DE1电连接到有机发光二极管200的连接电极CE。在示例性实施例中，第二源极金属图案还可包括网状布线，以防止或抑制提供到有机发光二极管200的电力的电压降低。
第六绝缘层180可以设置在第二源极金属图案上。有机发光二极管200可以设置在第六绝缘层180上。有机发光二极管200可以包括第一电极210、发光层220和第二电极230。第一电极210电接触连接电极CE。发光层220设置在第一电极210上。第二电极230设置在发光层220上。发光层220的至少一部分可以设置在第六绝缘层180上设置的像素限定层190的开口中。
封装层300可以全部地设置在显示区域DA中，以覆盖有机发光二极管200。
例如，封装层300可以具有有机薄膜和无机薄膜的堆叠结构。例如，如图3中所示，封装层300可以包括第一无机薄膜310、设置在第一无机薄膜310上的有机薄膜320和设置在有机薄膜320上的第二无机薄膜330。然而，示例性实施例不限于此。例如，封装层300可以具有包括至少两个有机薄膜和至少三个无机薄膜的结构。
参照图4，扇出布线FL、第一桥接图案BP1和坝结构DM可以设置在有机层去除区域OA中。
扇出布线FL可以包括设置在不同层中的第一扇出线FL1和第二扇出线FL2。
例如，第一扇出线FL1可以由与第一栅电极GE1的层相同的层形成，以设置在第一绝缘层120上。第二扇出线FL2可以由与栅极布线图案GP的层相同的层形成，以设置在第二绝缘层130上。
在示例性实施例中，第一桥接图案BP1可以由设置在显示区域DA中的第二栅电极GE2形成。因此，第一桥接图案BP1可以设置在第三绝缘层140与第四绝缘层160之间。在示例性实施例中，虚设绝缘图案154可以设置在第一桥接图案BP1与第三绝缘层140之间。在示例性实施例中，第二桥接图案BP2可以由与第一桥接图案BP1的层相同的层形成。
坝结构DM可以设置在第四绝缘层160上。坝结构DM可以在形成封装层300的有机薄膜320的工艺中防止或抑制单体溢出到外围区域PA中。坝结构DM可以由与第五绝缘层170、第六绝缘层180、像素限定层190或它们的组合的层相同的层形成。
坝结构DM可以设置在有机层去除区域OA中。坝结构DM可以沿着有机层去除区域OA延伸，以具有围绕显示区域DA的形状。坝结构DM与从外围区域PA的其他部分或显示区域DA延伸的第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190分开。因此，可以保持有机层的断开。
在示例性实施例中，有机薄膜320的部分可以设置在有机层去除区域OA中。然而，有机薄膜320可以从通过示例性实施例意图的有机层去除区域OA的“有机层”中被排除。此外，有机薄膜320可以不延伸到显示装置的远端，并且可以通过第一无机薄膜310与有机发光二极管200分离。因此，可以防止或抑制湿气渗透有机薄膜320。
在示例性实施例中，坝结构DM可以包括多个结构。例如，第一坝结构和与第一坝结构间隔开的第二坝结构可以设置在有机层去除区域OA中。然而，示例性实施例不限于此。例如，单个坝结构或至少三个坝结构可以根据需要设置在有机层去除区域OA中。
第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2可以设置在第四绝缘层160上。第一电力布线图案VDD1可以沿着第一方向D1与第二电力布线图案VDD2间隔开。
例如，第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2中的每个可以穿过第四绝缘层160，以接触第一桥接图案BP1。因此，通过印刷电路板或驱动芯片被施加到第二电力布线图案VDD2的驱动信号可以通过第一桥接图案BP1传输到第一电力布线图案VDD1。
在示例性实施例中，第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2可以由与设置在显示区域DA中的源电极和漏电极的层相同的层形成。因此，第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2可以与设置在显示区域DA中的源电极和漏电极设置在同一层中，并且可以被包括在第一源极金属图案中。
当电力布线在外围区域PA中没有第一桥接图案BP1而由第一源极金属图案连续形成时，电力布线会在形成有机发光二极管200的第一电极210的工艺中在有机层去除区域OA中被暴露。因此，电力线PL可能会损坏或有底切。因此，可能在有机层去除区域OA中产生形成在电力布线上的封装层300的无机层的裂纹。
根据示例性实施例，有机发光显示装置的电力线PL在有机层去除区域OA中通过桥接图案而延续。桥接图案可以由设置在显示区域DA中的第二栅电极GE2形成。因此，即使第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190在有机层去除区域OA中被去除，桥接图案也可以通过第四绝缘层160来保护。因此，可以防止或抑制有机层去除区域OA中无机层的裂纹的产生。
图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A和图10B是示出制造根据示例性实施例的显示装置的方法的剖视图。图5A、图6A、图7A、图8A、图9A和图10A示出了显示区域中的像素单元，图5B、图6B、图7B、图8B、图9B和图10B示出了有机层去除区域。
参照图5A，在基体基底100上形成半导体图案112。
基体基底100可以包括玻璃、石英、硅、聚合物等。例如，聚合物可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺或它们的组合。
可以在半导体图案112与基体基底100之间设置缓冲层110。因此，可以在缓冲层110上形成半导体图案112。缓冲层110可以防止或减少杂质、湿气或外部气体从基体基底100下方的渗透，并且可以使基体基底100的上表面平坦化。例如，缓冲层110可以包括无机材料(诸如氧化物、氮化物等)。在示例性实施例中，缓冲层110可以具有包括包含氮化硅的下层和包含氧化硅的上层的多层结构。
例如，半导体图案112可以包括多晶硅。为了形成半导体图案112，可以在基体基底100上形成非晶硅层，然后使非晶硅层结晶以形成多晶硅层。
例如，可以通过溅射、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等形成非晶硅层。可以通过准分子激光退火(ELA)、顺序横向固化(SLS)等来使非晶硅层结晶。
例如，可以通过化学机械抛光(CMP)等对多晶硅层进行抛光以使多晶硅层的表面平坦化。此后，可以通过光刻等对多晶硅层进行图案化以形成半导体图案。半导体图案可以根据需要而掺杂有n型杂质或p型杂质。
此后，形成第一绝缘层120以覆盖半导体图案112。第一绝缘层120可以使由半导体图案112形成的沟道与形成在第一绝缘层120上的栅电极绝缘。
例如，第一绝缘层120可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外，第一绝缘层120可以包括绝缘金属氧化物(诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等)。例如，第一绝缘层120可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
此后，在第一绝缘层120上形成第一栅极金属层，并且在第一栅极金属层上形成第一光致抗蚀剂图案。
例如，第一栅极金属层可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第一栅极金属层可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
参照图5A和图5B，第一光致抗蚀剂图案可以包括与半导体图案112部分地叠置的第一栅极光致抗蚀剂图案GPR1和设置在外围区域PA中的第一扇出光致抗蚀剂图案FPR1。
例如，可以涂覆包括粘合剂树脂(诸如酚醛树脂、丙烯酸树脂等)的光致抗蚀剂组合物，将其暴露于光并显影以形成第一光致抗蚀剂图案。
此后，通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第一栅极金属层，以形成包括第一栅电极GE1和第一扇出线FL1的第一栅极金属图案。例如，可以通过使用等离子体等的干蚀刻方法来蚀刻第一栅极金属层。
参照图6A，将杂质提供到半导体图案112以形成第一有源图案AP1。
在示例性实施例中，杂质可以包括p型杂质(诸如硼等)。然而，示例性实施例不限于此。例如，杂质可以包括n型杂质(诸如磷、砷等)。例如，不同区域可以掺杂有具有高浓度和低浓度的n型杂质。
结果，半导体图案112的不与第一栅电极GE1叠置的外围部分掺杂有杂质，以形成第一掺杂区PD1和第二掺杂区PD2。在半导体图案112中，与第一栅电极GE1叠置的部分保留而不被掺杂，以限定沟道区CH1。
因此，可以在同一层中连续地设置第一掺杂区PD1、第二掺杂区PD2和沟道区CH1。包括第一掺杂区PD1、第二掺杂区PD2和沟道区CH1的图案可以限定第一有源图案AP1。
可以在掺杂工艺之前或之后去除包括第一栅极光致抗蚀剂图案GPR1的第一光致抗蚀剂图案。
此后，形成覆盖包括第一栅电极GE1的第一栅极金属图案的第二绝缘层130。在第二绝缘层130上形成第二栅极金属层。在第二栅极金属层上形成第二光致抗蚀剂图案。
例如，第二绝缘层130可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外，第二绝缘层130可以包括绝缘金属氧化物(诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等)。例如，第二绝缘层130可以包括氮化硅。
在示例性实施例中，第二栅极金属层可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第二栅极金属层可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
参照图6A和图6B，第二光致抗蚀剂图案可以包括设置在显示区域DA中的第二栅极光致抗蚀剂图案GPR2和设置在外围区域PA中的第二扇出光致抗蚀剂图案FPR2。
此后，通过使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第二栅极金属层，以形成包括栅极布线图案GP和第二扇出线FL2的第二栅极金属图案。例如，可以通过使用等离子体等的干蚀刻方法来蚀刻第二栅极金属层。
例如，栅极布线图案GP可以包括电容器电极、提供初始化信号的初始化信号布线、提供发光信号的发光信号布线等。在示例性实施例中，栅极布线图案GP的至少一部分可以与第一栅极金属图案叠置。
在示例性实施例中，第二扇出线FL2可以沿着水平方向与第一扇出线FL1间隔开，以不与第一扇出线FL1叠置。
在示例性实施例中，图2中示出的驱动信号布线GDL可以由第一栅极金属层、第二栅极金属层或它们的组合形成。
参照图7A和图7B，形成第三绝缘层140以覆盖包括栅极布线图案GP的第二栅极金属图案。在第三绝缘层140上形成第二有源图案AP2。
例如，第三绝缘层140可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外，第三绝缘层140可以包括绝缘金属氧化物(诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等)。例如，第三绝缘层140可以包括氧化硅。
第二有源图案AP2包括氧化物半导体。例如，第二有源图案AP2可以包括包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)的二组分化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四组分化合物(ABxCyDz)。例如，第二有源图案AP2可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZnZrxOy)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)、氧化铟镓锡(IGTO)等。
此后，形成覆盖第二有源图案AP2的初始绝缘层150。在初始绝缘层150上形成第三栅极金属层GL3。在第三栅极金属层GL3上形成第三光致抗蚀剂图案。
例如，初始绝缘层150可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外，初始绝缘层150可以包括绝缘金属氧化物(诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等)。例如，初始绝缘层150可以包括氧化硅。
例如，第三栅极金属层GL3可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第三栅极金属层GL3可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
第三光致抗蚀剂图案可以包括设置在显示区域DA中的第三栅极光致抗蚀剂图案GPR3和设置在外围区域PA中的桥接光致抗蚀剂图案BPR。
参照图8A和图8B，通过使用第三光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻第三栅极金属层GL3，以形成包括第二栅电极GE2和第一桥接图案BP1的第三栅极金属图案。例如，可以通过使用等离子体等的干蚀刻方法来蚀刻第三栅极金属层GL3。第三栅极金属图案还可以包括图2中示出的第二桥接图案BP2。
通过使用第三栅极金属图案作为掩模来蚀刻初始绝缘层150，以形成设置在第二栅电极GE2与第二有源图案AP2之间的栅极绝缘图案152。因此，栅极绝缘图案152可以在平面图中具有与第二栅电极GE2基本上相同的形状。
在形成栅极绝缘图案152的工艺中，可以蚀刻初始绝缘层150的与第一桥接图案BP1相邻的部分，并且可以保留初始绝缘层150的设置在第一桥接图案BP1下方的部分，从而形成设置在第一桥接图案BP1与第三绝缘层140之间的虚设绝缘图案154。
在形成栅极绝缘图案152的工艺中或通过附加工艺，可以在第二有源图案AP2的被暴露部分中将金属元素还原为金属，从而增加第二有源图案AP2的导电性。因此，第二有源图案AP2的被暴露部分可以用作欧姆接触件或导体。
参照图9A和图9B，形成覆盖第三栅极金属图案的第四绝缘层160。对第四绝缘层160进行图案化，以形成使第一桥接图案BP1、第二有源图案AP2以及第一有源图案AP1的掺杂区PD1和PD2暴露的接触孔。在示例性实施例中，可以在与使第二有源图案AP2暴露的接触孔不同的工艺中形成使第一有源图案AP1暴露的接触孔。可以在与使第二有源图案AP2暴露的接触孔相同的工艺中形成使第一桥接图案BP1暴露的接触孔。
此后，形成填充接触孔的第一源极金属层。对第一源极金属层进行图案化以形成第一源极金属图案，第一源极金属图案包括与第一有源图案AP1的第一掺杂区PD1接触的第一源电极SE1、与第二掺杂区PD2接触并与第一源电极SE1间隔开的第一漏电极DE1、与第二有源图案AP2接触的第二源电极SE2、与第二有源图案AP2接触并与第二源电极SE2间隔开的第二漏电极DE2、与第一桥接图案BP1接触的第一电力布线图案VDD1以及与第一桥接图案BP1接触并与第一电力布线图案VDD1间隔开的第二电力布线图案VDD2。第一源极金属图案还可以包括如图2中所示的第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2。
例如，第四绝缘层160可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外，第四绝缘层160可以包括绝缘金属氧化物(诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等)。例如，第四绝缘层160可以具有包括包含氧化硅的下层和包含氮化硅的上层的多层结构。
例如，第一源极金属层可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。例如，第一源极金属层可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或其合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
参照图10A和图10B，形成覆盖第一源极金属图案的第五绝缘层170。对第五绝缘层170进行图案化，以形成使第一漏电极DE1暴露的接触孔。在示例性实施例中，第五绝缘层170可以覆盖第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2。
此后，形成填充接触孔的第二源极金属层，然后对第二源极金属层进行图案化，以形成包括与第一漏电极DE1接触的连接电极CE的第二源极金属图案。
此后，形成覆盖连接电极CE的第六绝缘层180。对第六绝缘层180进行图案化以形成使连接电极CE暴露的接触孔。
此后，形成填充接触孔的第一电极层，然后对第一电极层进行图案化，以形成有机发光二极管200的第一电极210。
例如，第五绝缘层170和第六绝缘层180可以包括有机绝缘材料(诸如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等)。第五绝缘层170和第六绝缘层180可以具有平坦的上表面，以使基体基底100的上表面平坦化。
在示例性实施例中，第一电极210可以用作阳极。例如，可以根据显示装置的发射类型将第一电极210形成为透射电极或反射电极。当第一电极210是透射电极时，第一电极210可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡等。当第一电极210是反射电极时，第一电极210可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)或它们的组合，并且可以具有还包括可以用于透射电极的材料的堆叠结构。
可以在第六绝缘层180上形成像素限定层190。像素限定层190可以包括使第一电极210的至少一部分暴露的开口。例如，像素限定层190可以包括有机绝缘材料。
在另一示例性实施例中，可以省略第六绝缘层180和包括连接电极CE的第二源极金属图案。因此，可以使第一电极210接触第一漏电极DE1，并且可以在第五绝缘层170上设置像素限定层190。
在示例性实施例中，在外围区域PA的部分中去除包括有机材料的第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190，以形成有机层去除区域OA。因此，第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190可以包括与有机层去除区域OA对应的开口。
有机层去除区域OA可以与第一桥接图案BP1、第二桥接图案BP2和扇出布线FL中的每个的至少一部分叠置。
在示例性实施例中，可以保留第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190中的至少一个的部分，以形成坝结构DM。为了有机层的断开，坝结构DM与第五绝缘层170、第六绝缘层180和像素限定层190间隔开。
在第一电极210上形成发光层220。发光层220可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个层。例如，发光层220可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
在示例性实施例中，发光层220可以发射红光、绿光或蓝光。在另一示例性实施例中，发光层220可以发射白光。发射白光的发光层220可以具有包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的多层结构，或者可以具有包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的混合物的单层结构。
例如，可以通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法、沉积方法等来形成发光层220。
在发光层220上形成第二电极230。在示例性实施例中，第二电极230可以用作阴极。例如，可以根据显示装置的发射类型将第二电极230形成为透射电极或反射电极。例如，第二电极230可以包括金属、金属合金、金属氮化物、金属氟化物、导电金属氧化物或它们的组合。
例如，第二电极230可以跨过显示区域DA中的多个像素连续地延伸。在示例性实施例中，可以在第二电极230上形成覆盖层和阻挡层。
此后，如图3和图4中所示，可以在有机发光二极管200上形成封装层300。封装层300可以具有第一无机薄膜310和第二无机薄膜330以及有机薄膜320的堆叠结构。例如，有机薄膜320可以包括固化的聚合物树脂(诸如聚(甲基)丙烯酸酯等)。例如，固化的聚合物树脂可以通过单体的交联反应来形成。在外围区域PA中，可以通过坝结构DM来控制有机薄膜320的溢出。
例如，无机薄膜310和330可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。
如在上面说明的，在有机层去除区域OA中去除了除坝结构DM之外的有机层。因此，封装层300的第一无机薄膜310可以接触第四绝缘层160。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以具有其中光穿过第二电极230出射的前发射型。然而，示例性实施例不限于此。例如，有机发光显示装置可以具有其中光在相反的方向上出射的后发射型。
在示例性实施例中，有机发光显示装置包括氧化物基半导体元件和硅基半导体元件。在示例性实施例中，硅基半导体元件可以用作将电流提供到有机发光二极管200的驱动晶体管。
在示例性实施例中，硅基半导体元件可以包括第一有源图案AP1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
在示例性实施例中，氧化物基半导体元件可以用作开关晶体管，以控制驱动晶体管。例如，氧化物基半导体元件的漏电极可以电连接到硅基半导体元件的栅电极。
在示例性实施例中，氧化物基半导体元件可以具有顶栅构造。例如，氧化物基半导体元件可以包括第二栅电极GE2、设置在第二栅电极GE2下方的第二有源图案AP2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
示例性实施例不限于示出的构造。例如，根据示例性实施例的有机发光显示装置的像素单元可以包括至少三个晶体管。
此外，在另一示例性实施例中，氧化物基半导体元件可以用作驱动晶体管，硅基半导体元件可以用作开关晶体管。
在示例性实施例中，形成桥接图案的金属层不限于用于形成氧化物基半导体元件的栅电极的栅极金属层。例如，当信号线由与氧化物基半导体元件的栅电极的层相同的层形成时，桥接图案可以由与硅基半导体元件的栅电极的层相同的层形成。
图11是示出根据示例性实施例的显示装置的外围区域的放大平面图。图12是沿着图11的剖面线II-II'截取的剖视图。
图11和图12中示出的有机发光显示装置除了桥接图案的形状以及桥接图案和电力布线的接触区域的形状之外可以具有与图3和图4中示出的有机发光显示装置基本上相同的构造。因此，可以省略任何重复的说明。
参照图11和图12，电力布线和扇出布线FL可以设置在外围区域PA中。
电力布线和扇出布线FL可以与有机层去除区域OA部分地叠置。坝结构DM可以设置在有机层去除区域OA中。
在示例性实施例中，电力布线可以包括第一电力布线VDD和第二电力布线VSS。在示例性实施例中，第一电力布线VDD可以包括沿着第一方向D1彼此间隔开并且通过第一桥接图案BP1彼此电连接的第一电力布线图案VDD1和第二电力布线图案VDD2。第二电力布线VSS可以包括沿着第一方向D1彼此间隔开并且通过第二桥接图案BP2彼此电连接的第三电力布线图案VSS1和第四电力布线图案VSS2。
在示例性实施例中，有机层去除区域OA可以沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸，并且可以与第一桥接图案BP1和第二桥接图案BP2叠置。
扇出布线FL可以包括设置在不同层中的第一扇出线FL1和第二扇出线FL2。
在示例性实施例中，第一桥接图案BP1和第二桥接图案BP2可以具有沿着电力布线延伸的形状。例如，第一桥接图案BP1可以在外围区域PA中沿着第一电力布线VDD在第二方向D2上延伸。第二桥接图案BP2可以在外围区域PA中沿着第二电力布线VSS在第二方向D2上延伸，或者可以具有围绕显示区域DA的形状。
在示例性实施例中，桥接图案BP1和BP2与电力布线图案的接触区域可以沿着桥接图案BP1和BP2与电力布线图案彼此叠置的区域延伸。例如，第一桥接图案BP1和第一电力布线图案VDD1的接触区域CN1可以在外围区域PA中沿着第一电力布线VDD在第二方向D2上延伸。第二桥接图案BP2和第三电力布线图案VSS1的接触区域CN2可以在外围区域PA中沿着第二电力布线VSS在第二方向D2上延伸，或者可以具有围绕显示区域DA的形状。
因此，可以通过桥接图案和电力布线图案的双布线将电力传输到显示区域中的像素阵列。由于电力布线的整体电阻减小，所以可以减小显示装置的功耗，并且可以改善驱动效率。
根据示例性实施例，电力布线在有机层去除区域中通过桥接图案延伸。因此，由于信号布线和电力布线彼此叠置，所以可以减小非显示区域的宽度。
此外，桥接图案可以延伸，使得电力线可以具有双布线结构。因此，可以减小电力线的电阻。
示例性实施例可以应用于各种显示装置。例如，示例性实施例可以应用于车辆显示装置、轮船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示器或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
根据示例性实施例，显示装置的电力线在有机层去除区域中通过桥接图案延伸。桥接图案可以由设置在显示区域中的第二栅电极形成。因此，即使在有机层去除区域中去除了位于桥接图案上的有机绝缘层，桥接图案也可以被无机绝缘层保护。因此，可以防止或减少有机层去除区域中无机层的裂纹的产生。
此外，可以延伸桥接图案，使得电力线可以具有双布线结构。因此，可以减小电力线的电阻，并且可以改善显示装置的可靠性。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其他实施例和修改通过本描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于权利要求以及对本领域普通技术人员明显的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一晶体管，设置在显示区域中，所述第一晶体管包括第一有源图案和第一栅电极；
第二晶体管，电连接到所述第一晶体管，所述第二晶体管包括第二有源图案和第二栅电极；
发光元件，电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个；
电力布线，设置在围绕所述显示区域的外围区域中，所述电力布线包括：第一电力布线图案；第二电力布线图案，与所述第一电力布线图案间隔开；以及桥接图案，将所述第一电力布线图案和所述第二电力布线图案连接；
信号布线，设置在所述外围区域中；以及
绝缘层，设置为覆盖所述电力布线和所述信号布线，所述绝缘层包括有机层去除区域，所述绝缘层的至少一部分在所述有机层去除区域中被去除，
其中，所述桥接图案与所述有机层去除区域叠置，
其中，所述电力布线和所述信号布线在所述有机层去除区域中彼此叠置，并且
其中，所述信号布线与所述第一栅电极设置在同一层中，并且所述桥接图案与所述第二栅电极设置在同一层中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：栅极布线图案，设置在所述第一栅电极上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第一有源图案；
第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极；
第三绝缘层，覆盖所述栅极布线图案；
第四绝缘层，覆盖所述第二栅电极和所述桥接图案；以及
第一源极金属图案，设置在所述第四绝缘层上，并且包括源电极和漏电极，
其中，所述绝缘层包括：第五绝缘层，覆盖所述第一源极金属图案；以及像素限定层，设置在所述第五绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：坝结构，设置在所述有机层去除区域中。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述发光元件的封装层。
6.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
栅极绝缘图案，设置在所述第二有源图案与所述第二栅电极之间；以及
虚设绝缘图案，设置在所述桥接图案与所述第三绝缘层之间。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述信号布线包括第一扇出线和第二扇出线，所述第一扇出线与所述第一栅电极设置在同一层中，所述第二扇出线与所述栅极布线图案设置在同一层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电力布线被配置为将电力传输到所述发光元件。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电力布线包括：
第一电力布线，被配置为将第一电源电压传输到所述发光元件；以及
第二电力布线，被配置为将第二电源电压传输到所述发光元件。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述信号布线被配置为将数据信号传输到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源图案包括硅，并且其中，所述第二有源图案包括氧化物半导体。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥接图案和所述第一电力布线图案的接触区域沿着所述第一电力布线图案延伸。
13.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在显示区域中形成第一有源图案；
形成覆盖所述第一有源图案的第一绝缘层；
形成第一栅极金属图案，所述第一栅极金属图案包括与所述第一有源图案叠置的第一栅电极；
形成覆盖所述第一栅极金属图案的第二绝缘层；
形成与所述第一栅极金属图案叠置的第二栅极金属图案；
形成覆盖所述第二栅极金属图案的第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成第二有源图案；
形成第三栅极金属图案，所述第三栅极金属图案包括：第二栅电极，与所述第二有源图案叠置；以及桥接图案，所述桥接图案设置在围绕所述显示区域的外围区域中；
形成覆盖所述第三栅极金属图案的第四绝缘层；以及
形成设置在所述第四绝缘层上的源极金属图案，所述源极金属图案包括：第一电力布线图案；以及第二电力布线图案，与所述第一电力布线图案间隔开，
其中，所述第一电力布线图案和所述第二电力布线图案与所述桥接图案接触地设置在所述外围区域中。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
形成覆盖所述源极金属图案的第五绝缘层；
形成设置在所述第五绝缘层上的像素限定层；
在所述第五绝缘层和所述像素限定层上形成发光元件；以及
在所述外围区域中去除所述第五绝缘层和所述像素限定层的至少一部分，以形成有机层去除区域。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第五绝缘层和所述像素限定层在形成所述有机层去除区域之后的剩余部分包括沿着所述外围区域延伸的坝结构。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述有机层去除区域与所述桥接图案叠置。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一栅极金属图案还包括与所述桥接图案叠置的第一扇出线。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二栅极金属图案还包括第二扇出线，所述第二扇出线与所述第一扇出线平行地延伸并且与所述桥接图案叠置。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一有源图案包括硅，并且
其中，所述第二有源图案包括氧化物半导体。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述桥接图案和所述第一电力布线图案的接触区域沿着所述第一电力布线图案延伸。
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