CN112349755A - 显示装置及用于制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了显示装置及用于制造显示装置的方法。显示装置包括设置在显示区域中的发光元件。连接焊盘设置在非显示区域的接合区域中。连接焊盘包括下导电层、设置在下导电层上的中间导电层和设置在中间导电层上的上导电层。上导电层的下表面直接接触中间导电层的上表面，其间未设置中间构件。

Description

显示装置及用于制造显示装置的方法
技术领域
多个示例性实施例涉及一种显示装置。更具体地，多个示例性实施例涉及一种显示装置以及用于制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置无需背光或单独的光源而发射光。因此，与其它显示装置相比，有机发光显示装置可以具有减小的重量和厚度。由于这些特性，已增加用于诸如柔性显示装置的显示装置的有机发光显示装置的使用。
有机发光显示装置包括发光元件阵列和用于向发光元件提供驱动信号的驱动部。驱动部的驱动电路可以设置在驱动芯片中。驱动芯片(或与驱动芯片结合的电路板)可以与有机发光显示装置的衬底结合。
可以通过热压或类似方式将驱动芯片接合到衬底。然而，接合工艺可能导致接合缺陷，接合缺陷降低了显示装置的可靠性。
发明内容
多个示例性实施例提供了一种带有改善的可靠性的显示装置。
多个示例性实施例提供了一种用于制造显示装置的方法。
根据示例性实施例，显示装置包括设置在显示区域中的发光元件。连接焊盘设置在非显示区域的接合区域中。连接焊盘包括下导电层、设置在下导电层上的中间导电层和设置在中间导电层上的上导电层。上导电层的下表面直接接触中间导电层的上表面，上导电层和中间导电层之间未设置中间构件。
在示例性实施例中，显示装置还包括：驱动元件，电连接到发光元件；封装层，覆盖发光元件；以及触摸感测部，设置在封装层上，触摸感测部包括：感测导电图案。驱动元件包括：栅极金属图案以及源极金属图案，栅极金属图案包括栅电极，源极金属图案包括漏电极或将漏电极电连接到发光元件的连接电极。
在示例性实施例中，下导电层与栅极金属图案设置在相同的层中，中间导电层与源极金属图案设置在相同的层中，上导电层与感测导电图案设置在相同的层中。
在示例性实施例中，源极金属图案包括第一源极金属图案和第二源极金属图案，第一源极金属图案包括漏电极，第二源极金属图案包括连接电极。中间导电层包括第一中间导电层和第二中间导电层，第一中间导电层与第一源极金属图案设置在相同的层中，第二中间导电层与第二源极金属图案设置在相同的层中。
在示例性实施例中，显示装置还包括：封装层和触摸感测部，封装层覆盖发光元件，触摸感测部设置在封装层上。触摸感测部包括第一感测导电图案、触摸中间绝缘层以及第二感测导电图案，触摸中间绝缘层覆盖第一感测导电图案，第二感测导电图案设置在触摸中间绝缘层上。上导电层与第二感测导电图案设置在相同的层中。
在示例性实施例中，上导电层覆盖中间导电层的上表面和侧表面。
在示例性实施例中，上导电层的整个下表面与中间导电层接触。
在示例性实施例中，中间导电层包括铝层和钛层，钛层设置在铝层上。
在示例性实施例中，发光元件的第一电极包括银。
在示例性实施例中，连接焊盘通过导电接合构件电连接到驱动部。
根据示例性实施例，用于制造显示装置的方法包括：形成设置在显示区域中的发光元件、电连接到发光元件的驱动元件以及覆盖发光元件的封装层。在非显示区域的接合区域中形成连接焊盘的下导电层。形成连接焊盘的中间导电层。中间导电层电连接到下导电层。形成包覆层，包覆层覆盖中间导电层的侧表面并暴露中间导电层的上表面。在形成发光元件和封装层之后，去除包覆层。
根据示例性实施例，显示装置包括设置在显示区域中的发光元件。连接焊盘设置在非显示区域的接合区域中。连接焊盘包括下导电层、设置在下导电层上的第一中间导电层、设置在第一中间导电层上的第二中间导电层以及设置在第二中间导电层上的上导电层。第二中间导电层的下表面直接接触并覆盖第一中间导电层的上表面和侧表面。上导电层的下表面直接接触并覆盖第二中间导电层的上表面和侧表面。
根据示例性实施例，包覆层形成在接合区域中，以防止包括铝的导电层暴露。因此，可以防止由于金属离子的还原而导致的粒子。此外，包括有机材料的包覆层在接合工艺之前的形成触摸感测部的工艺中被去除，而该有机材料对热和湿气敏感。因此，可以防止接合故障，并且可以改善显示装置的可靠性。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的一个或多个示例性实施例的各个方面。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的俯视图。
图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的区A的放大俯视图。
图3、图5、图7、图10、图12和图15是示出通过根据本发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置的方法所形成的显示装置的显示区域的剖面视图。
图4、图6、图8、图11、图13、图14、图16和图17是示出通过根据本发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置的方法所形成的沿图2的线I-I'截取的显示装置的接合区域的剖面视图。
图9是示出根据本发明构思的示例实施例的图7的区B的放大剖面视图。
图18至图20是示出通过根据本发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置的方法所形成的沿图2的线I-I'截取的显示装置的接合区域的剖面视图。
具体实施方式
在下文中将结合附图对根据本发明构思的示例性实施例的显示装置以及用于制造显示装置的方法进行描述，而附图中示出了一些示例性实施例。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置1的俯视图。图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的区A的放大平面视图。
参照图1，显示装置1包括显示区域DA和非显示区域PA。
发射光以显示图像的多个像素PX的阵列可以设置在显示区域DA中。为了解释的便利，图1的示例性实施例仅示出单个具体像素PX。然而，多个像素PX的阵列包括多个像素PX，多个像素可以以各种不同的布置构造。在示例性实施例中，显示装置1可以是有机发光显示装置。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。多个像素PX中的每个可以包括有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动元件。驱动元件可以包括至少一个薄膜晶体管。显示装置1还可以包括保护有机发光二极管的封装层和设置在封装层上的触摸感测部。
在图1中所示的示例性实施例中，显示区域DA被示为具有矩形形状，该矩形带有在第一方向D1上延伸的相对长的边和在第二方向D2上延伸的相对短的边。然而，在其它示例性实施例中，显示区域DA可以具有各种不同的形状。非显示区域PA可以包括外围区域PA1和接合区域PA2，外围区域PA1与显示区域DA相邻或围绕显示区域DA。在图1中所示的示例性实施例中，外围区域PA1可以围绕显示区域DA的四个边(例如，在第一方向D1和第二方向D2上)。然而，在其它示例性实施例中，外围区域PA1可以围绕显示区域DA的三个边或者更少的边。如图1的示例性实施例中所示，接合区域PA2可以设置在外围区域PA1下方(例如，在第一方向D1上)。
驱动部DC可以向显示区域DA中的多个像素PX的阵列提供诸如数据信号的驱动信号。在示例性实施例中，驱动部DC可以包括驱动芯片，驱动芯片包括集成电路。由驱动部DC产生的驱动信号可以通过传输线TL提供给显示区域DA中的多个像素PX的阵列，传输线TL从驱动部DC延伸到显示区域DA。例如，传输线TL可以沿着第一方向D1延伸。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，显示装置1可以具有折叠形状或弯折形状。例如，如图1的示例性实施例中所示，显示装置1可以包括在外围区域PA1和接合区域PA2之间的弯折区域PA3(例如，在第一方向D1上)。弯折区域PA3可以弯折成具有允许接合区域PA2设置在显示区域DA下面的曲率。
电连接到驱动部DC的连接焊盘设置在接合区域PA2中。例如，在示例性实施例中，多个连接焊盘可以沿着与第一方向D1相交的第二方向D2用锯齿形构造布置。例如，如图2的示例性实施例中所示，电连接到多个第一传输线TL1的多个第一连接焊盘CP1可以在第一行中在第二方向D2上间隔开，并且电连接到多个第二传输线TL2的多个第二连接焊盘CP2可以在第二行中在第二方向D2上间隔开。第二行在第一方向D1上与第一行间隔开。
在示例性实施例中，第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2可以各自具有包括多个导电层的多层结构。例如，第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2可以包括多个导电层的组合，而多个导电层由与驱动元件的栅极金属图案、驱动元件的源极金属图案和触摸感测部的感测导电图案中的至少两个相同的层形成。
图3至图17是示出通过根据本发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置1的方法所形成的结构的剖面视图。图3、图5、图7、图10、图12和图15可以示出显示区域DA，并且图4、图6、图8、图11、图13、图14、图16和图17可以示出沿图2的线I-I'截取的接合区域PA2。图9可以示出图8的放大区“B”。
参照图3，在显示区域DA中的基底110上形成缓冲层120。例如，如图3的示例性实施例中所示，缓冲层120的底表面可以直接设置在基底110的顶表面上。
在示例性实施例中，基底110可以包括玻璃、石英、硅、聚合物材料等。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，基底110可以是包括聚合物材料的柔性衬底。在示例性实施例中，聚合物材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺或它们的组合。
缓冲层120可以防止或减少杂质、湿气或外部气体从基底110的下表面的渗透，并且可以使基底110的上表面平坦化。例如，缓冲层120可以包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅或类似物或者它们的组合。
在缓冲层120上形成有源图案AP。例如，如图3的示例性实施例中所示，有源图案AP的底表面可以直接形成在缓冲层120的顶表面上。
在示例性实施例中，有源图案AP可以包括半导体材料，诸如非晶硅、多晶硅、金属氧化物等。在有源图案AP可以包括多晶硅的实施例中，有源图案AP的至少一部分可以掺杂有诸如n型杂质或p型杂质的杂质。
在另一示例性实施例中，有源图案AP可以包括金属氧化物半导体。例如，有源图案AP可以包括二组分化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四组分化合物(ABxCyDz)，而二组分化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四组分化合物(ABxCyDz)包括选自铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)的化合物。例如，有源图案AP可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)、锌镓氧化物(GZO)、锌镁氧化物(ZMO)、锌锡氧化物(ZTO)、锌锆氧化物(ZnZrxOy)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓铪氧化物(IGHO)、锡铝锌氧化物(TAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)等。
在有源图案AP上形成第一绝缘层130。例如，如图3的示例性实施例中所示，第一绝缘层130可以直接设置在有源图案AP的顶表面和侧表面上。包括栅电极GE的第一栅极金属图案形成在第一绝缘层130上。栅电极GE的底表面可以直接形成在第一绝缘层130的顶表面上。栅电极GE与有源图案AP重叠(例如，在基底110的厚度方向上)。形成第二绝缘层140，以覆盖第一栅极金属图案。例如，如图3的示例性实施例中所示，第二绝缘层140可以直接设置在栅电极GE的顶表面和侧表面以及第一绝缘层130的顶表面上。在第二绝缘层140上形成包括栅极布线图案GP的第二栅极金属图案。例如，如图3的示例性实施例中所示，栅极布线图案GP的底表面可以直接形成在第二绝缘层140的顶表面上。在示例性实施例中，栅极布线图案GP可以包括电容器电极以及用于传输驱动信号的信号线等。
在示例性实施例中，第一绝缘层130和第二绝缘层140可以各自包括选自氧化硅、氮化硅和碳化硅的至少一种化合物或它们的组合。此外，第一绝缘层130和第二绝缘层140可以包括绝缘金属氧化物，诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。例如，第一绝缘层130和第二绝缘层140可以各自具有单层结构或多层结构，而单层结构或多层结构可以由氮化硅和/或氧化硅形成。
例如，第一栅极金属图案和第二栅极金属图案可以各自包括选自金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)的至少一种或它们的合金，并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
参照图4，示出了接合区域PA2中的连接焊盘的下导电层。
在示例性实施例中，第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a可以由与栅电极GE相同的层形成，并且第二连接焊盘CP2的下导电层CP2a可以由与栅极布线图案GP相同的层形成。例如，如图4的示例性实施例中所示，第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a的底表面可以直接设置在第一绝缘层130的顶表面上。第二绝缘层140可以直接设置在第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a的顶表面和侧表面上以及在第一绝缘层130的顶表面上。第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a设置在第一绝缘层130和第二绝缘层140之间。第二连接焊盘CP2的下导电层CP2a可以设置在第二绝缘层140上。例如，如图4的示例性实施例中所示，第二连接焊盘CP2的下导电层CP2a的底表面可以直接形成在第二绝缘层140的顶表面上。
此外，图2中所示的第一传输线TL1和第二传输线TL2可以分别由与栅电极GE和栅极布线图案GP相同的层形成，并且可以连续地连接到对应的下导电层CP1a和下导电层CP2a。然而，在示例性实施例中，第一传输线TL1和第二传输线TL2的至少一部分可以由与栅电极GE和栅极布线图案GP不同的层形成。例如，第一传输线TL1和第二传输线TL2可以包括由与源极金属图案相同的层形成的桥。
参照图5，在显示区域DA中形成第三绝缘层150，以覆盖第二栅极金属图案，诸如，栅极布线图案GP。如图5的示例性实施例中所示，第三绝缘层150的底表面可以直接接触栅极布线图案GP的顶表面和侧表面以及第二绝缘层140的顶表面。此后，在第三绝缘层150上形成第一源极金属图案。如图5的示例性实施例中所示，第一源极金属图案可以包括源电极SE和漏电极DE，源电极SE和漏电极DE分别电连接到有源图案AP。例如，源电极SE和漏电极DE可以直接形成在第三绝缘层150的顶表面上。源电极SE和漏电极DE可以分别穿过第三绝缘层150、第二绝缘层140和第一绝缘层130以与用于与其电连接的有源图案AP接触。
参照图6，在接合区域PA2中形成第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b。
在示例性实施例中，第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以由与源电极SE以及漏电极DE相同的层形成。因此，第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以设置在第三绝缘层150上。例如，第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以直接设置在第三绝缘层150的顶表面上。第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b可以穿过第三绝缘层150和第二绝缘层140，以与用于与其电连接的下导电层CP1a接触。第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以穿过第三绝缘层150，以与用于与其电连接的下导电层CP2a接触。
参照图7，形成第四绝缘层160，以覆盖第一源极金属图案。在示例性实施例中，第四绝缘层160可以包括无机层162和有机层164，无机层162与第一源极金属图案直接接触，有机层164设置在无机层162上。
在第四绝缘层160上形成第二源极金属图案。第二源极金属图案可以包括电连接到漏电极DE的连接电极CE。例如，如图7的示例性实施例中所示，连接电极CE可以直接形成在第四绝缘层160的有机层164的顶表面上。连接电极CE可以穿过第四绝缘层160，以与用于与其电连接的漏电极DE接触。第二源极金属图案还可以包括网状电源线，以补偿施加到有机发光二极管的电流的电压降。
形成第五绝缘层170，以覆盖第二源极金属图案。例如，如图7的示例性实施例中所示，第五绝缘层170可以直接形成在连接电极CE的顶表面和侧表面上以及在第四绝缘层160的顶表面(例如，有机层164的顶表面)上。第五绝缘层170可以包括暴露连接电极CE的上表面的至少一部分的开口。
在示例性实施例中，第一源极金属图案和第二源极金属图案可以包括选自金(Au)、银(Ag)、铝(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)的至少一种或它们的合金，并且可以具有单层结构或包括不同的金属层的多层结构。在示例性实施例中，第一源极金属图案和第二源极金属图案可以包括至少一层，该至少一层包括铝或者铝合金。例如，第一源极金属图案和第二源极金属图案可以各自具有钛/铝的双层结构或钛/铝/钛的三层结构。
例如，第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162可以各自包括选自氧化硅、氮化硅和碳化硅的至少一种化合物或它们的组合。此外，第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162可以包括绝缘金属氧化物，诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。例如，第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162可以各自具有单层结构或多层结构，而该单层结构或多层结构可以由氮化硅和/或氧化硅形成。
在示例性实施例中，第五绝缘层170和第四绝缘层160的有机层164可以包括有机绝缘材料，诸如酚树脂、丙烯醛基树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、苯并环丁烯等。
参照图8，在接合区域PA2中形成第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c。
在示例性实施例中，形成在第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b上的第四绝缘层160可以包括无机层162，但不具有有机层164。例如，在示例性实施例中，第四绝缘层160的有机层164可以最初形成在接合区域PA2中，并且可以在对显示区域DA中的有机层164进行图案化的工艺期间被完全去除。
第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c可以形成在无机层162上，并可以穿过无机层162以分别电接触第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b。在示例性实施例中，第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c可以由与连接电极CE相同的层形成。
包覆层172形成在接合区域PA2中，以覆盖第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c的至少一部分。在示例性实施例中，包覆层172可以由与形成在显示区域DA中的第五绝缘层170相同的层形成。
参照图9，第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c可以各自包括上层UL、中间层ML以及下层LL。如图9的示例性实施例中所示，中间层ML的底表面可以直接设置在下层LL的顶表面上。上层UL的底表面可以直接设置在中间层ML的顶表面上。在示例性实施例中，上层UL和下层LL可以包括具有相对小的电离趋势的金属，诸如钛等。在示例性实施例中，中间层ML可以包括具有相对大的电离趋势的金属，例如铝。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
包覆层172至少覆盖第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c的侧表面和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c的侧表面。例如，如图9的示例性实施例中所示，包覆层172覆盖上层UL、中间层ML以及下层LL的横向侧表面以及上层UL的上表面的一部分。因此，上层UL的上表面的至少一部分被暴露而不被包覆层172覆盖。然而，中间层ML被包覆层172、上层UL和下层LL覆盖，并且没有被暴露。下层LL被包覆层172和中间层ML覆盖，并且没有被暴露。在其它示例性实施例中，包覆层172可以不覆盖上层UL的上表面。
在示例性实施例中，包覆层172的厚度T2可以小于第五绝缘层170的厚度T1。因此，可以通过诸如灰化或类似方式的工艺以相对短的时间来去除具有相对小的厚度的包覆层172。相应地，可以最小化或防止对其它元件的损坏。在示例性实施例中，包覆层172的厚度T2可以等于或小于1μm。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，包覆层172的厚度T2可以在约0.70μm至约1μm的范围内。
在示例性实施例中，第五绝缘层170和包覆层172可以通过使用半色调曝光的光刻工艺来形成。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
例如，光致抗蚀剂合成物涂覆在显示区域DA中和在接合区域PA2中，并且以一种方式曝光，从而使得对应于第五绝缘层170的区域的曝光量与对应于包覆层172的区域的曝光量不同。因此，可以在相同工艺中形成具有彼此不同厚度的第五绝缘层170和包覆层172。
参照图10和图11，在第五绝缘层170和包覆层172上形成下电极层211，并对下电极层211进行图案化，以在显示区域DA中形成发光二极管的第一电极212。如图10的示例性实施例中所示，第一电极212可以直接设置在第五绝缘层170的顶表面上，并可以穿过第五绝缘层170，以与用于与其电连接的连接电极CE接触。如图11的示例性实施例中所示，如图11中表示被去除的下电极层211的虚线所指示的，可以在接合区域PA2中完全去除下电极层211。
在示例性实施例中，下电极层211可以具有包括金属氧化物层和金属层的多层结构。金属氧化物层可以包括选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡的至少一种化合物或它们的组合。金属层可以包括选自金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)和钛(Ti)的至少一种或它们的组合。
在下电极层211包括银的示例性实施例中，在蚀刻下电极层211的过程中，银离子可以溶解在蚀刻剂中。当包含银离子的蚀刻剂接触具有相对大的电离倾向的铝时，银粒子可以通过电还原来形成。银粒子可能会转移到第一电极212，可能污染剥离设备，或者可能导致在后续工艺中形成的触摸感测电极之间的短路。因此，由于银粒子的形成，显示装置的可靠性可能劣化。
根据示例性实施例，包覆层172覆盖第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的铝层。因此，可以防止银粒子的形成以及由此引起的问题。因此，可以改善显示装置的可靠性。
参照图12，在显示区域DA中形成像素定义层180。例如，如图12的示例性实施例中所示，像素定义层180可以直接形成在第一电极212以及第五绝缘层170的顶部上。像素定义层180可以具有暴露第一电极212的至少一部分(例如，第一电极212的上表面的一部分)的开口。例如，像素定义层180可以包括有机绝缘材料。
在第一电极212上形成有机发光层214。例如，有机发光层214可以形成在像素定义层180的开口中。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其它示例性实施例中，有机发光层214可以在像素定义层180的上表面上方延伸，或者可以形成为在显示区域DA中的多个像素PX上方延伸的公共层。
有机发光层214可以至少包括发光层。在示例性实施例中，有机发光层214还可以包括空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transporting Layer，HTL)、电子传输层(Electron Transporting Layer，ETL)和电子注入层(ElectronInjection Layer，EIL)中的至少一个。例如，有机发光层214可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
在示例性实施例中，有机发光层214可以发射红色光、绿色光或蓝色光。在另一示例性实施例中，有机发光层214可以发射白色光。在有机发光层214发射白色光的实施例中，有机发光层214可以具有包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的多层结构，或者包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的混合物的单层结构。
第二电极216形成在有机发光层214上。在示例性实施例中，第二电极216可以形成为在显示区域DA中在多个像素PX上方延伸的公共层。
在示例性实施例中，第二电极216可以用作阴极。例如，根据显示装置的发射类型，第二电极216可以形成为透射电极或反射电极。例如，当第二电极216是透射电极时，第二电极216可以包括选自锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡的至少一种化合物或它们的组合。
封装层220可以设置在第二电极216上。例如，封装层220可以具有包括有机薄膜和无机薄膜的堆叠结构。例如，如图12的示例性实施例中所示，封装层220可以包括第一无机薄膜222、设置在第一无机薄膜222上的有机薄膜224和设置在有机薄膜224上的第二无机薄膜226。例如，第一无机薄膜222的底表面可以直接设置在第二电极216的顶表面上。有机薄膜224的底表面可以直接设置在第一无机薄膜222的顶表面上。第二无机薄膜226的底表面可以直接设置在有机薄膜224的顶表面上。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，无机薄膜和有机薄膜的数量可以变化。例如，封装层220可以包括至少两个有机薄膜和至少三个无机薄膜。
在示例性实施例中，有机薄膜224可以包括固化的树脂，诸如聚丙烯酸酯等。例如，固化的树脂可以通过单体的交联反应形成。例如，第一无机薄膜222和第二无机薄膜226可以包括无机材料，诸如，选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化铬、氧化钛等的至少一种化合物。
像素定义层180、有机发光层214、第二电极216和封装层220可以不形成在接合区域PA2中，或者可以最初形成在接合区域PA2中，并且随后被去除。
在示例性实施例中，触摸感测部可以形成在封装层220上。例如，触摸感测部可以通过检测电容的变化来感测外部输入，从而获得外部输入的坐标信息。
例如，下触摸绝缘层310可以形成在封装层220上。如图12的示例性实施例中所示，下触摸绝缘层310的底表面可以直接形成在第二无机薄膜226的顶表面上。第一感测导电图案可以形成在下触摸绝缘层310上。第一感测导电图案可以包括桥图案320。触摸中间绝缘层330可以形成在第一感测导电图案上。例如，如图12的示例性实施例中所示，触摸中间绝缘层330可以直接设置在桥图案320的顶表面和侧表面上以及在下触摸绝缘层310的顶表面上。可以穿过触摸中间绝缘层330形成至少一个过孔，以暴露桥图案320。例如，在图12中所示的示例性实施例中，穿过触摸中间绝缘层330形成两个过孔，以暴露桥图案320。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，在接合区域PA2中可以不形成下触摸绝缘层310、用于形成第一感测导电图案的第一触摸导电层322以及触摸中间绝缘层330，或者，在接合区域PA2中可以形成下触摸绝缘层310、用于形成第一感测导电图案的第一触摸导电层322以及触摸中间绝缘层330，并且然后被去除。
参照图14，在接合区域PA2中去除包覆层172，如图14中表示被去除的包覆层172的虚线所指示的。在示例性实施例中，可以通过使用氧气和类似物的灰化工艺来去除包覆层172。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。因此，第二中间导电层CP1c的侧表面和第二中间导电层CP2c的侧表面可以被暴露。
参照图15，在显示区域DA中的触摸中间绝缘层330上可以形成第二感测导电图案。
第二感测导电图案可以包括第一触摸电极和第二触摸电极。第一触摸电极可以与第二触摸电极电绝缘。例如，第一触摸电极可以包括沿着第一方向D1布置的多个电极图案的阵列。第二触摸电极可以包括沿着第二方向D2布置的多个电极图案的阵列，第二方向D2与第一方向D1相交。
例如，第一触摸电极可以包括第一电极图案342a和第二电极图案342b，第一电极图案342a和第二电极图案342b沿着平行于基底110的上表面的方向彼此间隔开。第一电极图案342a和第二电极图案342b可以通过触摸中间绝缘层330的过孔电接触桥图案320。因此，第一电极图案342a和第二电极图案342b可以彼此电连接。
第二触摸电极可以包括多个电极图案和连接部分344，连接部分344与多个电极图案设置在相同的层中并且连续地连接到电极图案。
触摸保护层350可以形成在第二感测导电图案上。例如，如图15的示例性实施例中所示，触摸保护层350的底表面可以直接设置在第一电极图案342a和第二电极图案342b的顶表面上。
参照图16，第一连接焊盘CP1的上导电层CP1d和第二连接焊盘CP2的上导电层CP2d分别形成在接合区域PA2中的第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c上。
在示例性实施例中，第一连接焊盘CP1的上导电层CP1d和第二连接焊盘CP2的上导电层CP2d可以由与第二感测导电图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1的上导电层CP1d和第二连接焊盘CP2的上导电层CP2d可以分别直接接触第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c的上表面和侧表面的部分和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c的上表面和侧表面的部分，其间没有介入中间构件(例如，绝缘层等)。例如，如图16的示例性实施例中所示，上导电层CP1d和上导电层CP2d可以分别直接接触和覆盖第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c的上表面和横向侧表面的整体和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c的上表面和横向侧表面的整体。
下触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以各自包括无机绝缘材料。例如，在示例性实施例中，下触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以各自包括选自氧化硅、氮化硅和碳化硅的至少一种化合物或它们的组合。此外，下触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以包括绝缘金属氧化物，诸如选自氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等的至少一种化合物。在示例性实施例中，下触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以包括氮化硅。
第一感测导电图案和第二感测导电图案包括导电材料。例如，第一感测导电图案和第二感测导电图案可以各自包括金属、导电金属氧化物、导电聚合物、石墨烯、碳纳米管或它们的组合。在示例性实施例中，金属可以包括选自钼、银、钛、铜和铝的至少一种或它们的合金。例如，金属可以设置为具有连续的薄膜或纳米线的形状。在示例性实施例中，导电金属氧化物可以是选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、氧化铟、氧化锌和氧化锡的至少一种化合物或它们的组合。第一感测导电图案和第二感测导电图案可以各自具有单层结构或者包括不同材料的多层结构。
在示例性实施例中，上导电层CP1d和上导电层CP2d可以由与第二感测导电图案相同的层形成。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，上导电层CP1d和上导电层CP2d可以由与第一感测导电图案相同的层形成，或者，可以具有多层结构，在该多层结构中，它们由与第一感测导电图案和第二感测导电图案这两者相同的层形成。在另一示例性实施例中，第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2可以不包括由第一触摸导电层322形成的上导电层CP1d和上导电层CP2d。因此，第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c可以用作连接到导电接合构件的上导电层。
参照图17，可以在接合区域PA2中接合包括驱动芯片的驱动部DC。在示例性实施例中，驱动部DC可以通过多个导电接合构件BP1和BP2接合并电连接到第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2。如图17的示例性实施例中所示，多个导电接合构件BP1和BP2的多个底表面可以分别直接接触第一连接焊盘CP1的上导电层CP1d的顶表面和第二连接焊盘CP2的上导电层CP2d的顶表面。多个导电接合构件BP1和BP2的多个顶表面可以分别接触第一连接焊盘CP1的连接端子CT1的底表面和第二连接焊盘CP2的连接端子CT2的底表面。第一连接焊盘CP1的连接端子CT1的顶表面和第二连接焊盘CP2的连接端子CT2的顶表面直接接触驱动部DC的底表面。在示例性实施例中，多个导电接合构件BP1和BP2可以是金属凸块。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。在另一示例性实施例中，包括导电球或类似物的各向异性导电膜可以用作导电接合构件。多个导电接合构件BP1和BP2可以通过第一连接焊盘CP1的连接端子CT1和第二连接焊盘CP2的连接端子CT2电连接到驱动部DC以将驱动信号从驱动部DC传递到第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2。
在示例性实施例中，在接合区域PA2中形成包覆层172，以防止包括铝的导电层暴露。因此，可以防止由于金属离子的还原而导致的颗粒。此外，包覆层172包括对热和湿气敏感的有机材料，但是包覆层172在接合工艺之前的形成触摸感测部的工艺中被去除。因此，可以防止接合故障，并且可以增大接合接触表面的尺寸。因此，可以改善显示装置的可靠性。
图18至图20是示出根据示例性实施例的显示装置的接合区域PA2的剖面视图。
参照图18，设置在接合区域PA2中的第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2分别包括下导电层CP1a和下导电层CP2a、第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b、第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c以及上导电层CP1d和上导电层CP2d。第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a和第二连接焊盘CP2的下导电层CP2a可以由与形成在显示区域DA中的第一栅极金属图案或第二栅极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以由与设置在显示区域DA中的第一源极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c可以由与设置在显示区域DA中的第二源极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1的上导电层CP1d和第二连接焊盘CP2的上导电层CP2d可以由与设置在显示区域DA中的触摸感测部的感测导电图案相同的层形成。
在示例性实施例中，在第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b与第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c之间未设置绝缘层。第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c分别直接接触并覆盖第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b的侧表面以及上表面。例如，如图17的示例性实施例中所示的第四绝缘层160的无机层162或任何其它层可以不设置在第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c与第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b之间。因此，即使没有覆盖第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b的绝缘层，也可以防止第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b与蚀刻剂中的银离子的接触。因此，可以防止银离子的电还原以及由此而产生的银粒子。
此外，第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c的侧表面和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c的侧表面由包覆层172覆盖，以防止银离子的电还原。在形成上导电层CP1d和上导电层CP2d之前，可以去除包覆层172。
参照图19，设置在接合区域PA2中的第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2分别包括下导电层CP1a和下导电层CP2a、第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b以及上导电层CP1d和上导电层CP2d。图19的示例性实施例可以不包括如图18的示例性实施例中所示的第一连接焊盘CP1的第二中间导电层CP1c和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP2c。第一连接焊盘CP1的下导电层CP1a和第二连接焊盘CP2的下导电层CP2a可以由与设置在显示区域DA中的第一栅极金属图案或第二栅极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP2b可以由与设置在显示区域DA中的第一源极金属图案相同的层形成。上导电层CP1d和上导电层CP2d可以由与设置在显示区域DA中的触摸感测部的感测导电图案相同的层形成。
在形成设置在显示区域DA中的有机发光二极管的第一电极212的过程中，第一中间导电层CP1b的侧表面和第一中间导电层CP2b的侧表面由包覆层172覆盖，以防止银离子的电还原。在其上形成上导电层CP1d和上导电层CP2d之前，可以去除包覆层172。
参照图20，设置在接合区域PA2中的第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2分别包括下导电层CP1a和下导电层CP2a、第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b、第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c以及上导电层CP1d和上导电层CP2d。第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的下导电层CP1a和下导电层CP2a可以由与设置在显示区域DA中的第一栅极金属图案或第二栅极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第一中间导电层CP1b和第一中间导电层CP2b可以由与设置在显示区域DA中的第一源极金属图案相同的层形成。第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c可以由与设置在显示区域DA中的第二源极金属图案相同的层形成。上导电层CP1d和上导电层CP2d可以由与设置在显示区域DA中的触摸感测部的感测导电图案相同的层形成。
在示例性实施例中，在形成上导电层CP1d和上导电层CP2d之后，可以去除覆盖第二中间导电层CP1c的侧表面和第二中间导电层CP2c的侧表面的包覆层172。
因此，上导电层CP1d和上导电层CP2d可以不形成在包覆层172上。因此，第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的上导电层CP1d和上导电层CP2d(例如，在平行于基底110的上表面的方向上)的宽度可以等于或小于第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c的宽度。因此，第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的上导电层CP1d和上导电层CP2d的整个下表面可以接触第一连接焊盘CP1和第二连接焊盘CP2的第二中间导电层CP1c和第二中间导电层CP2c的上表面。
如图18至图20所示，示例性实施例可以包括具有各种构造的连接焊盘。应当理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应由这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区、层或部分。
此外，本发明构思的示例性实施例不限于包括包含铝层的连接焊盘的显示装置。连接焊盘可以包括各种金属或它们的合金。
本发明构思的示例性实施例可以应用于各种显示装置。例如，示例性实施例可以应用于车辆显示装置、轮船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息转移的显示装置、医疗显示装置等。
前述是本发明构思的示例性实施例的说明，并且不应解释为对其的限制。尽管已经描述了示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和各个方面的情况下，许多修改在示例性实施例中是可能的。因此，所有这样的修改旨在被包括在本发明构思的范围内。因此，将理解，前述内容是各种示例性实施例的说明，并且将不解释为限于所公开的特定示例性实施例，并且对所公开的示例性实施例以及其它示例性实施例的那样的修改旨在被包括在本发明构思的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
发光元件，设置在显示区域中；
驱动元件，电连接到所述发光元件；
封装层，覆盖所述发光元件；以及
连接焊盘，设置在非显示区域的接合区域中，所述连接焊盘包括下导电层、中间导电层以及上导电层，所述中间导电层设置在所述下导电层上，所述上导电层设置在所述中间导电层上，其中，所述上导电层的下表面与所述中间导电层的上表面直接接触，所述上导电层和所述中间导电层之间未设置中间构件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
触摸感测部，设置在所述封装层上，所述触摸感测部包括感测导电图案；
其中，所述驱动元件包括：
栅极金属图案，包括栅电极；以及
源极金属图案，包括漏电极，所述漏电极通过连接电极连接到所述发光元件。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述下导电层与所述栅极金属图案设置在相同的层中，所述中间导电层与所述源极金属图案设置在相同的层中，并且所述上导电层与所述感测导电图案设置在相同的层中。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述源极金属图案包括第一源极金属图案和第二源极金属图案，所述第一源极金属图案包括所述漏电极，所述第二源极金属图案包括所述连接电极；以及
其中，所述中间导电层包括第一中间导电层和第二中间导电层，所述第一中间导电层与所述第一源极金属图案设置在相同的层中，所述第二中间导电层与所述第二源极金属图案设置在相同的层中。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
触摸感测部，设置在所述封装层上；
其中，所述触摸感测部包括第一感测导电图案、触摸中间绝缘层以及第二感测导电图案，所述触摸中间绝缘层覆盖所述第一感测导电图案，所述第二感测导电图案设置在所述触摸中间绝缘层上；并且
其中，所述上导电层与所述第二感测导电图案设置在相同的层中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上导电层直接接触并覆盖所述中间导电层的上表面和侧表面的整体。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上导电层的整个下表面与所述中间导电层接触。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述中间导电层包括铝层和钛层，所述钛层设置在所述铝层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述发光元件的第一电极包括银。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括接合到所述连接焊盘的驱动部，其中，所述连接焊盘通过至少一个导电接合构件电连接到所述驱动部。
11.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成发光元件、驱动元件以及封装层，所述发光元件设置在显示区域中，所述驱动元件电连接到所述发光元件，所述封装层覆盖所述发光元件；
在非显示区域的接合区域中形成连接焊盘的下导电层；
形成所述连接焊盘的中间导电层，所述中间导电层电连接到所述下导电层；
形成包覆层，所述包覆层覆盖所述中间导电层的侧表面并且暴露所述中间导电层的上表面；以及
在形成所述发光元件和所述封装层之后，去除所述包覆层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，
所述下导电层由与所述驱动元件的栅电极相同的层形成；并且
所述中间导电层由与所述驱动元件的漏电极或连接电极相同的层形成，所述连接电极构造为将所述漏电极电连接到所述发光元件。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在所述封装层上形成触摸感测部，所述触摸感测部包括感测导电图案；以及
由与所述感测导电图案相同的层形成所述连接焊盘的上导电层，其中，所述上导电层直接接触所述中间导电层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述触摸感测部包括第一感测导电图案、触摸中间绝缘层以及第二感测导电图案，所述触摸中间绝缘层覆盖所述第一感测导电图案，所述第二感测导电图案设置在所述触摸中间绝缘层上，并且
其中，所述上导电层由与所述第二感测导电图案相同的层形成。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述上导电层之前去除所述包覆层。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述上导电层之后去除所述包覆层。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述中间导电层包括由与所述漏电极相同的层形成第一中间导电层以及由与所述连接电极相同的层形成第二中间导电层。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述中间导电层包括铝层和钛层，所述钛层设置在所述铝层上，其中，所述发光元件的第一电极包括银。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述包覆层包括有机绝缘层。
20.根据权利要求11所述的方法，还包括：通过导电接合构件将所述连接焊盘接合到驱动部。
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KR20240020765A (ko) * 2022-08-08 2024-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100730151B1 (ko) * 2005-09-30 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
KR102515033B1 (ko) * 2015-05-29 2023-03-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101879180B1 (ko) * 2015-11-16 2018-07-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102532973B1 (ko) 2015-12-31 2023-05-16 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
KR101859484B1 (ko) * 2016-05-30 2018-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US10510821B2 (en) * 2016-06-10 2019-12-17 Innovation Counsel Llp Display device
KR102438256B1 (ko) * 2017-06-07 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

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