CN117222258A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示设备，包括：基板；薄膜晶体管(TFT)，设置在基板的第一发射区域上；多个虚设图案，设置在基板的与第一发射区域相邻的第二发射区上；平面化层，设置在TFT和多个虚设图案上；以及发光器件，包括设置在平面化层上的第一电极、设置在第一电极上的发射层和设置在发射层上的第二电极。此外，TFT的漏极电极从第一发射区域延伸至第二发射区域，并与发光器件的第一电极电连接。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求提交于2022年6月10日的韩国专利申请No.10-2022-0070898的优先权权益，通过引用将其并入本文，就像在本文当中对其做出了完整的阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种显示设备。
背景技术
随着信息取向型社会的进步，对用于显示图像的显示设备的各种要求也不断增多。因此，近来人们正在采用各种显示设备，诸如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示(ELD)设备。而且，ELD设备可以包括诸如有机发光显示设备和量子点发光显示(QLED)设备的显示设备。
在显示设备中，ELD设备是自发射显示设备，并且不需要单独的背光。因此，与LCD设备相比，有机发光显示设备可以被实施成轻薄显示设备并且具有低功耗。而且，ELD设备是采用直流(DC)低压驱动的，并且具有快速响应时间和低制造成本。
在相关技术中，为了提高发射区域的开口率，采用一种结构，在该结构中薄膜晶体管的漏极电极和发光器件的阳极电极在发射区域中相互接触。在这种情况下，可以在平面化层中形成位于该漏极电极和该阳极电极之间的接触孔，从而实现该漏极电极和该阳极电极之间的接触。然而，由于形成于漏极电极和阳极电极之间的平面化层的厚度大，因而接触孔的侧表面和下表面之间的角度可以增大。因此，基于该接触孔的深度和角度，形成于该接触孔中的发射层的厚度可能下降或者阴极电极可能在接触孔中发生短路。
发明内容
相应地，本公开涉及提供一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的显示设备。
本公开的一个方面涉及提供一种显示设备，在该显示设备中降低了形成于发射区域中的接触孔的阶跃高度。
本公开额外的优点和特征将部分地在后面的描述中被阐述，部分地在由本领域普通技术人员研究下文时变得显而易见或者可以通过实践本公开而习知。本公开的目的和其他优点可以通过本文的书面描述和权利要求以及附图中特别指出的结构实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，提供了一种显示设备，其包括：包括发射区域和非发射区域的基板；设置在该基板上的薄膜晶体管(TFT)和多个虚设图案；设置在所述TFT和所述多个虚设图案上的平面化层；以及设置在该平面化层上的发光器件，其中，发射区域包括设置该TFT的第一发射区域和设置所述多个虚设图案的第二发射区域，该TFT的漏极电极延伸至第二发射区域，并且该漏极电极和该发光器件在第二发射区域中相互电连接。
根据本公开，在发射区域中，可以在使发光器件和漏极电极发生连接的接触孔之下形成多个虚设图案，因而发射区域的开口率可以增大并且发光器件可以被稳固地形成。
附图说明
所包括的用于提供对本公开的进一步理解并且被包含到本申请当中并构成了本申请的部分的附图示出了本公开的各种实施例，所述附图与文字描述一起起着说明本公开的原理的作用。在附图中：
图1是相关技术的显示设备的截面图；
图2是根据本公开的第一实施例的显示设备的截面图；
图3是根据本公开的第二实施例的显示设备的截面图；并且
图4是根据本公开的第三实施例的显示设备的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开的示例性实施例，这些实施例的示例在附图中示出。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记来指示相同或相似部分。
通过参考附图描述的下述实施例将使本公开的优点和特征及其实施方法变得清楚易懂。然而，本公开可以通过不同的形式体现，并且不应被理解为局限于文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开透彻并且完整，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅受权利要求的范围限定。
附图中为了描绘本公开的实施例而公开的形状、尺寸、比例、角度和数量只是示例性的，因而本公开不限于所示的细节。通篇中类似的附图标记指示类似的元件。在下文的描述当中，在确定对相关已知功能或配置的详细描述会对本公开的要点造成不必要的模糊时，将省略这样的详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以增加其他部分，除非用的是“仅……”。单数形式的词语可以包含复数形式，除非做出了相反的指示。
在解释要素时，该要素将被解释为包含一定的误差范围，尽管可能没有明确的描述。
在描述位置关系时，例如，在将两个部分之间的位置关系描述为“在……上”、“在……之上”、“在……之下”和“挨着……”时，可以在两个部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用“刚好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，在将时间次序描述为“在……之后”、“继……之后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“刚好”或“直接”。
应当理解，尽管“第一”、“第二”等词语可以在本文中用于描述各种要素，但这些要素不应受到这些词语的限制。这些词语仅用于将一个要素与另一要素区分开。例如，第一要素可以被称为第二要素，并且类似地，第二要素可被称为第一要素，而不脱离本发明的范围。
本公开的各种实施例的特征可以部分或者完全相互耦合或结合，并且可以相互进行各种互操作并且受到技术驱动，这是本领域技术人员所能充分理解的。本公开的实施例可以是相互独立实施的，或者可以是按照相互依赖的关系一起实施的。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。
图2是根据本公开的第一实施例的显示设备10的截面图。
参考图2，根据本公开的第一实施例的显示设备10可以包括发射区域EA和非发射区域NEA。而且，发射区域EA可以包括设置驱动薄膜晶体管(TFT)400的第一区域EA1和设置多个虚设图案500的第二区域EA2。
可以在发射区域EA的第一区域EA1中设置基板100、阻挡层200、缓冲层300、驱动TFT 400、层间绝缘层600、钝化层650、平面化层700、堤部750和发光器件800。
基板100可以包括玻璃或塑料，但是本公开的实施例不限于此，并且基板100可以包括半导体材料，例如，硅晶圆。
根据本公开的第一实施例的电致发光显示设备可以被实施成顶部发射类型，其中，所发射的光朝上射出，因而基板100的材料可以采用不透明材料以及透明材料。
阻挡层200可以形成于基板100上并且可以包括用于阻挡光的导电材料。阻挡层200可以包括金属材料，诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铬(Cr)或者它们的合金。而且，阻挡层200被例示为单个层，但是不限于此，其可以由多层形成。例如，阻挡层200可以由双层形成，并且该双层可以包括具有不同材料的下层和上层。在这种情况下，下层可以包括Mo-Ti合金(MoTi)，并且上层可以包括Cu，但是本公开的实施例不限于此。
缓冲层300可以在基板100上被形成为覆盖阻挡层200。缓冲层300可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。而且，缓冲层300被例示为单个层，但是不限于此，其可以由多层形成。缓冲层300可以使阻挡层200绝缘并且可以增强基板100和形成于缓冲层300上的层之间的粘附力。
驱动TFT400可以形成于缓冲层300上。而且，驱动TFT 400可以设置在与阻挡层200重叠的位置上。相应地，阻挡层200可以设置在驱动TFT 400之下，并因而可以防止外部光影响驱动TFT 400，由此增强驱动TFT 400的可靠性。
驱动TFT 400可以包括半导体层410、栅极绝缘层420、栅极电极430、源极电极441和漏极电极442。
驱动TFT 400的半导体层410可以形成于缓冲层300上。半导体层410可以包括多晶硅半导体或者氧化物半导体。而且，在半导体层410包括氧化物半导体时，半导体层410可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)和铟镓氧化物(IGO)中的至少一种氧化物。
驱动TFT 400的栅极绝缘层420可以形成于半导体层410上，并且可以使栅极电极430与半导体层410绝缘。驱动TFT 400的栅极绝缘层420可以包括SiNx或SiOx。而且，栅极绝缘层420被例示为单个层，但是不限于此，其可以由多层形成。
驱动TFT 400的栅极电极430可以形成于栅极绝缘层420上。栅极电极430可以在栅极绝缘层420上被形成为与半导体层410的沟道区域重叠。
尽管未示出，但是驱动TFT 400的栅极电极430可以与阻挡层200电连接。相应地，可以使包括导电材料的阻挡层200电稳定，并且可以防止阻挡层200妨碍半导体层410的正常操作。
此外，阻挡层200可以与驱动TFT 400的栅极电极430电连接；因而，根据本公开的驱动TFT400可以实施双重栅极电极结构。相应地，可以改善驱动TFT 400的电流特性并且可以增强可靠性。
层间绝缘层600可以形成于驱动TFT 400的栅极绝缘层420和栅极电极430上。层间绝缘层600可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂。
用于露出驱动TFT 400的半导体层410的接触孔可以形成于驱动TFT 400的栅极绝缘层420以及层间绝缘层600中。
驱动TFT 400的源极电极441和漏极电极442可以相互面对，并且可以形成于层间绝缘层600上。而且，驱动TFT 400的源极电极441和漏极电极442中的每者可以通过形成于栅极绝缘层420和层间绝缘层600中的接触孔与半导体层410连接。
钝化层650可以形成于驱动TFT 400上并且可以保护驱动TFT 400。而且，钝化层650可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx或SiNx，但是本公开的实施例不限于此。
平面化层700可以形成于钝化层650上，并且可以补偿由驱动TFT 400和接触孔导致的阶跃高度。平面化层700可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx或SiNx。替代性地，平面化层700可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂。
发光器件800可以形成于平面化层700上。发光器件800可以包括第一电极810、发射层820和第二电极830。
第一电极810可以形成于平面化层700上并且可以起着显示设备的阳极的作用。第一电极810可以与驱动TFT 400的漏极电极442电连接。
第一电极810可以包括透明导电材料，诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。替代性地，第一电极810可以包括金属材料，诸如Al、Ag、Cu、Mo、Ti、W或Cr或者它们的合金。而且，第一电极810被例示为单个层，但是不限于此，其可以由多层形成。
堤部750可以形成于平面化层700和第一电极810上。堤部750可以限定发射区域EA和非发射区域NEA。也就是说，不形成堤部750的区域可以是发射区域EA，并且形成堤部750的区域可以是非发射区域NEA。
堤部750可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或者聚酰亚胺树脂。替代性地，堤部750可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氧化硅、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛。而且，堤部750可以包括黑色染料，从而吸收从外部入射的光。
发射层820可以形成于第一电极810上。发射层820也可以形成于堤部750上。也就是说，发射层820可以形成于发射区域EA和非发射区域NEA中。
发射层820可以包括空穴传输层、有机发射层和电子传输层。在这种情况下，在向第一电极810和第二电极830施加电压时，空穴和电子可以通过空穴传输层和电子传输层朝有机发射层移动，并且可以在有机发射层中复合，以发射光。
发射层820可以发射白光。为此，发射层820可以包括发射不同颜色的光的多个堆叠体。
第二电极830可以形成于发射层820上。第二电极830可以起着显示设备的阴极的作用。与发光器件820一样，第二电极830可以被设置于发射区域EA和非发射区域NEA中。
由于根据本公开的第一实施例的显示设备被实施成顶部发射型，因而第二电极830可以包括透明导电材料，诸如ITO或IZO，从而朝上辐射由发射层820发射的光。
可以在发射区域EA的第二区域EA2中形成多个虚设图案500。所述多个虚设图案500可以包括第一到第三虚设图案510到530。
第一虚设图案510可以形成于基板100上。第一虚设图案510可以通过与阻挡层200相同的过程而与之同时形成并且可以包括与阻挡层200相同的材料。
缓冲层300可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。缓冲层300可以在基板100上被形成为覆盖第一虚设图案510。
第二虚设图案520可以形成于缓冲层300上。第二虚设图案520可以通过与驱动TFT400的半导体层410相同的过程而与之同时形成并且可以包括与半导体层410相同的材料。
栅极绝缘层420可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。栅极绝缘层420可以在缓冲层300上被形成为覆盖第二虚设图案520。
第三虚设图案530可以形成于栅极绝缘层420上。第三虚设图案530可以通过与驱动TFT 400的栅极电极430相同的过程而与之同时形成并且可以包括与栅极电极430相同的材料。
第一到第三虚设图案510到530中的每者可以是电切断的，并且可以不与信号线或电极连接。因此，第一到第三虚设图案510到530中的每者可以不向其他元件传递电信号或电压。而且，第一到第三虚设图案510到530可以被形成为相互重叠。
层间绝缘层600可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。层间绝缘层600可以在栅极绝缘层420上被形成为覆盖第三虚设图案530。
驱动TFT 400的漏极电极442可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。漏极电极442可以在层间绝缘层600上被形成为与第一到第三虚设图案510到530重叠。
钝化层650可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。钝化层650可以被形成为覆盖驱动TFT 400的漏极电极442。
平面化层700可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。平面化层700可以被形成为覆盖钝化层650。
发光器件800可以从第一区域EA1一直延伸至第二区域EA2。第一电极810可以通过接触孔H与漏极电极442电连接。也就是说，在第二区域EA2中，可以形成穿过钝化层650和平面化层700的接触孔H，从而露出驱动TFT 400的漏极电极442。在这种情况下，可以将接触孔H形成为与第一到第三虚设图案510到530重叠。
图1是相关技术的显示设备的截面图。参考图1，为了提高发射区域EA的开口率，公开了使漏极电极442与发射区域EA中的发光器件800电连接的结构。
参考图1，发射区域EA可以包括形成驱动TFT 400的第一区域EA1和不形成驱动TFT400的第二区域EA2。在这种情况下，驱动TFT 400的漏极电极442可以从半导体层410一直延伸至第二发射区域EA2。在第二区域EA2中，可以在漏极电极442之下仅设置基板100、缓冲层300和多个绝缘层(例如，栅极绝缘层420)。也就是说，形成于漏极电极422之下的多个材料层的厚度在第二区域EA2中可以比在第一区域EA1中小。
平面化层700可以形成于第一区域EA1和第二区域EA2中，并且可以将其上表面形成为是平直的，从而实现发光器件800的稳固沉积。因此，可以将平面化层700的厚度形成为在第二区域EA2中比在第一区域EA1中大。在这种情况下，为了使漏极电极442与发光器件800电连接，可以在第二区域EA2的平面化层700中形成接触孔H。然而，接触孔H的深度以及接触孔H的侧表面的每者与下表面之间的角度可以基于平面化层700的厚度而增大，并且由于这一原因，可能发生发光器件800得不到稳固沉积的问题。例如，随着发射层820的厚度在接触孔H中下降，发射效率可能下降或者可能发生电流在其上集中的现象。或者，第二电极830可能在接触孔H中短路。
然而，在本公开中，可以形成在接触孔H之下堆叠设置多个虚设图案500的结构，并且因此与图1中所示的相关技术的结构相比，可以降低在第二区域EA2中形成的平面化层700的厚度。也就是说，与图1中所示的相关技术的结构相比，本公开可以降低与接触孔H相邻的区域的平面化层700的厚度。因此，可以降低接触孔H的深度以及接触孔H的侧表面的每者与下表面之间的角度，并因而可以上文解决参考图1描述的问题。也就是说，可以在接触孔H中稳固地形成发射层820和第二电极830。而且，可以在形成驱动TFT 400的过程中同时形成多个虚设图案500，并因而可以省略额外的过程。
图3是根据本公开的第二实施例的显示设备的截面图。
在图2中，公开了一种结构，其中，所述多个虚设图案500中的每者被切断，并因而不与信号线或电极连接。然而，所述多个虚设图案500中的至少一者可以与信号线或电极连接。
图3的显示设备可以公开一种除了阻挡层200和第一虚设图案510中的每者的结构之外与图1的显示设备的结构基本相同的结构。相应地，可以通过类似的附图标记表示与图2中所示的显示设备的元件相同的元件，并且将省略重复的描述。
参考图3，第一虚设图案510可以从第二区域EA2朝第一区域EA1延伸，并且可以与阻挡层200连接。替代性地，阻挡层200可以从第一区域EA1朝第二区域EA2延伸，并且可以与第一虚设图案510连接。而且，如上文所述，阻挡层200和第一虚设图案510可以通过相同过程由相同材料形成，并且因而可能看不到阻挡层200和第一虚设图案510之间的边界区域。也就是说，阻挡层200和第一虚设图案510可以是作为一体提供的。
因此，与第一实施例相比，可以省略形成阻挡层200和第一虚设图案510的过程中的将阻挡层200与第一虚设图案510分开的蚀刻过程，并且因而可以进一步简化工艺。而且，可以在第一区域EA1和第二区域EA2两者当中形成阻挡层200，并因而可以更加有效地阻挡从外部入射的光。
在图3中，公开了使阻挡层200与第一虚设图案510连接的结构，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一虚设图案510可以被形成为与相邻信号线或电极连接而非与阻挡层200连接。替代性地，第二虚设图案520或第三虚设图案530可以被形成为与相邻信号线或电极连接。
图4是根据本公开的第三实施例的显示设备的截面图。
图4的显示设备可以公开一种除了包覆层900的配置之外与图1的显示设备的结构基本相同的结构。相应地，可以通过类似的附图标记表示与图3中所示的显示设备的元件相同的元件，并且将省略重复的描述。
尽管未示出，但是根据本公开的显示设备可以包括用于从外部电源向驱动TFT400施加源电压的焊盘电极。而且，可以形成覆盖该焊盘电极的包覆层，以防止焊盘电极的腐蚀和损坏。在这种情况下，参考图4，可以通过相同过程在第二区域EA2中的钝化层650上形成包覆层900。
包覆层900可以包括金属材料，诸如Al、Ag、Mo、Ti、W或Cr或者它们的合金。而且，包覆层900被例示为单个层，但是不限于此，其可以由多层形成。
包覆层900可以在形成接触孔H的方向上延伸，并且可以通过接触孔H与漏极电极442电连接。而且，包覆层900可以被形成为覆盖漏极电极442的通过接触孔H露出的正表面的全部。
可以在钝化层650和包覆层900上形成平面化层700，并且可以在平面化层700上形成发光器件800。在这种情况下，第一电极810可以通过接触孔H与包封层900电连接。由于包覆层900通过接触孔H与漏极电极442电连接，可以使第一电极810与漏极电极442电连接。
因此，与第一实施例相比，可以额外在接触孔H之下形成包覆层900，并因而可以进一步降低覆盖漏极电极442的平面化层700的厚度。相应地，接触孔H的深度以及接触孔H的侧表面的每者与下表面之间的角度可以进一步下降，并因而可以更稳固地形成发光器件800。
此外，可以将包覆层900形成为覆盖漏极电极442的通过接触孔H露出的正表面的全部，因而可以通过包覆层900使漏极电极442不在外部露出。相应地，在穿过平面化层700形成接触孔H的过程中可以防止由用于蚀刻平面化层700的蚀刻剂对漏极电极442造成的腐蚀或损坏。而且，由于包覆层900是在用于形成焊盘电极上的包覆层的常规过程中同时形成的，因而可以省略额外过程。
本公开的上述特征、结构和效果包含在本公开的至少一个实施例中，但不限于仅一个实施例。此外，在本公开的至少一个实施例中描述的特征、结构和效果可以由本领域技术人员通过其他实施例的组合或修改实施。因此，与所述组合和修改相关联的内容应当被解释为落在本公开的范围内。
对本领域技术人员而言将显而易见的是，可以对本公开做出各种修改和变化而不脱离本公开的实质或范围。因此，本公开意在涵盖对本公开所做的修改和变化，只要其落在所附权利要求及其等价方案的范围内。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板；
设置在所述基板的第一发射区域上的薄膜晶体管(TFT)；
设置在所述基板的与所述第一发射区域相邻的第二发射区域上的多个虚设图案；
设置在所述TFT和所述多个虚设图案上的平面化层；以及
发光器件，其包括设置在所述平面化层上的第一电极、设置在所述第一电极上的发射层以及设置在所述发射层上的第二电极，
其中，所述TFT的漏极电极从所述第一发射区域延伸至所述第二发射区域，并且与所述发光器件的所述第一电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
在所述第一发射区域中设置在所述基板上的阻挡层，
其中，所述TFT与所述阻挡层重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述TFT进一步包括：
设置在所述阻挡层上的半导体层；
设置在所述半导体层上的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；以及
连接到所述半导体层的第一侧的源极电极，并且
其中，所述漏极电极连接到所述半导体层的第二侧。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述多个虚设图案包括：
设置在所述基板上的第一虚设图案；
设置在所述第一虚设图案上的第二虚设图案；以及
设置在所述第二虚设图案上的第三虚设图案，并且
其中，所述TFT的所述漏极电极从所述第一发射区域延伸到所述第二发射区域中的所述第三虚设图案。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述漏极电极与所述第一虚设图案到所述第三虚设图案重叠。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，在所述第二发射区域中，所述发光器件通过形成于所述平面化层中的接触孔与所述漏极电极电连接，并且
其中，所述接触孔与所述第一虚设图案到所述第三虚设图案重叠。
7.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：
在所述第二发射区域中设置于所述漏极电极与所述平面化层之间的包覆层，
其中，所述接触孔露出所述包覆层的部分区域，并且所述漏极电极和所述发光器件通过所述包覆层相互电连接。
8.根据权利要求4所述的显示设备，其中，使所述第一虚设图案到所述第三虚设图案中的每者绝缘。
9.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一虚设图案与所述阻挡层设置在同一层上，
其中，所述第二虚设图案与所述半导体层设置在同一层上，并且
其中，所述第三虚设图案与所述栅极电极设置在同一层上。
10.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一虚设图案到所述第三虚设图案中的至少一者与相邻的电极连接。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一虚设图案与所述阻挡层连接。
12.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括:
在所述第一发射区域中设置在所述基板上的阻挡层，
其中，所述多个虚设图案包括在所述第二发射区域中设置在所述基板上的第一虚设图案，并且包括与所述阻挡层相同的材料。
13.根据权利要求12所述的显示设备，进一步包括:
覆盖所述第一虚设图案和所述阻挡层的缓冲层。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述多个虚设图案包括在所述第二发射区域中设置在所述缓冲层上并且与所述第一虚设图案重叠的第二虚设图案。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述TFT进一步包括：
设置在所述缓冲层上并且与所述阻挡层重叠的半导体层；
设置在所述半导体层上并且延伸以覆盖所述第二虚设图案的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；以及
连接到所述半导体层的第一侧的源极电极，并且
其中，所述漏极电极与所述半导体层的第二侧相连。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二虚设图案包括与所述TFT的所述半导体层相同的材料。
17.根据权利要求16的显示设备，其中，所述多个虚设图案包括设置在所述栅极绝缘层上并且与所述第二虚设图案重叠的第三虚设图案，并且
其中，所述第三虚设图案包括与所述TFT的所述栅极电极相同的材料。
18.根据权利要求17所述的显示设备，进一步包括：
覆盖所述第三虚设图案和所述TFT的所述栅极电极的层间绝缘层，
其中，所述TFT的所述漏极电极被设置在所述层间绝缘层上并且与所述第二发射区域中的所述第三虚设图案重叠。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述第一虚设图案具有第一宽度，所述第二虚设图案具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第三虚设图案具有小于所述第二宽度的第三宽度，并且
其中，所述第一虚设图案、所述第二虚设图案和所述第三虚设图案相互重叠。
20.根据权利要求19所述的显示设备，进一步包括：
设置在所述TFT的所述漏极电极上的钝化层，
其中，所述钝化层包括接触孔并且与所述第三缓冲层重叠，并且
其中，所述发光器件的所述第一电极通过所述平面化层中的所述接触孔与所述漏极电极电连接。
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