TW201814484A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種抑制觸控感測器形成引起之步驟負荷，並提高檢測精度之顯示裝置。 本發明之顯示裝置具有：複數條掃描線，其於第1絕緣表面上於第1方向延伸，且並列設置於與第1方向交叉之第2方向；複數條信號線，其於第2絕緣表面上於與第1方向交叉之第3方向延伸，且並列設置於與第3方向交叉之第4方向；複數個像素電極，其對應於複數條掃描線與複數條信號線之交點而分別設置；第1觸控配線，其於第1絕緣表面上於第1方向延伸，且並列設置於第2方向；第2觸控配線，其於第2絕緣表面上，於第3方向延伸，且並列設置於第4方向；第1觸控電極，其於第3絕緣表面上，設置於俯視時鄰接之像素電極之間之區域，且與第1觸控配線電性連接；第2觸控電極，其於第3絕緣表面上，設置於鄰接之像素電極之間，且與第2觸控配線電性連接。

Description

顯示裝置
本發明之一實施形態係關於一種顯示裝置。
作為用於電氣器具及電子機器之顯示裝置，開發有利用液晶之光電效應之液晶顯示裝置、或使用有機電致發光(有機EL：Organic Electro- Luminescence)元件之有機電致發光顯示裝置，且其等已商品化。又，作為使觸控感測器搭載於顯示元件上之顯示裝置即觸控面板近年來正快速普及。觸控面板成為智慧型手機等攜帶資訊終端中不可或缺者，且正朝資訊化社會之進一步進步而進行世界性地開發。 上述觸控面板有以與顯示裝置另外之基板製作觸控感測器，並貼合之方式(外掛(out-cell)式)，與組入顯示裝置內部之方式(嵌入(in-cell)式)等。於專利文獻1中揭示顯示裝置之構造。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-212076號公報
[發明所欲解決之問題] 另一方面，於觸控面板製造中，有需要觸控感測器用之新配線、電極，而導致製造步驟增加或產生觸控感測器之檢測下降之課題。 鑒於此種課題，本發明之目的之一在於提供一種抑制觸控感測器形成引起之步驟負荷，且使檢測精度提高之顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之一實施形態，提供一種顯示裝置，其特徵在於具有：複數條掃描線，其於第1絕緣表面上，於第1方向延伸，且並列設置於與第1方向交叉之第2方向；複數條信號線，其於設置於第1絕緣表面上之第2絕緣表面上，於與第1方向交叉之第3方向延伸，且並列設置於與第3方向交叉之第4方向；複數個像素電極，其對應於複數條掃描線與複數條信號線之交點而分別設置；第1觸控配線，其於第1絕緣表面上，於第1方向延伸，且並列設置於第2方向；第2觸控配線，其於第2絕緣表面上，於第2方向延伸，且並列設置於第1方向；第1觸控電極，其於設置於第2絕緣表面上之第3絕緣表面上，設置於俯視時鄰接之像素電極之間之區域，且與第1觸控配線電性連接；第2觸控電極，其於第3絕緣表面上，設置於俯視時鄰接之像素電極之間之區域，且與第2觸控配線電性連接。
以下，一面參照圖式一面對本發明之各實施形態進行說明。另，揭示畢竟僅為一例，對於本領域技術人員可容易想到之保有發明主旨之適當變更者，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式係為使說明更明確，而有與實際態樣相比，模式性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但畢竟僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，於本說明書與各圖中，有時對關於已出現之圖與上述者同樣之要素，標註同一符號(或於數字後標註a、b等符號)，且適當省略詳細說明。再者，對各要素標註「第1」、「第2」之文字係用於區別各要素之方便標識，只要無特別說明則不具有進一步之意義。 進而，於本發明之詳細說明中，於規定某構成物與其他構成物之位置關係時，「上」、「下」不僅包含位於某構成物正上方或正下方之情形，只要無特別說明，則亦包含於其等之間進而介隔其他構成物之情形。 又，於本說明書中，「導電層」、「電極」、「配線」之術語具有同樣之意義，可根據狀況而加以替換。 (第1實施形態) 圖1係顯示本發明之實施形態之顯示裝置10。圖1A係顯示裝置10之俯視圖。 (1.顯示裝置之構成) 於圖1A中，顯示裝置10具有：基板100、具有像素之顯示區域103、周緣部104、具有作為閘極驅動器之功能之驅動電路105、具有作為源極驅動器之功能之驅動電路106、觸控感測器之驅動電路107及可撓性印刷基板108。 (1-1.觸控感測器之構成) 圖1B係圖1A之顯示區域103之局部顯示區域103a之俯視圖。顯示區域103a具有掃描線(閘極線)145a、信號線(源極線)147a、像素電極155、用於觸控感測器之第1觸控配線146、第2觸控配線148、第1觸控電極156a及第2觸控電極156b。掃描線145a及第1觸控配線146於像素電極155之短邊方向(例如稱為第1方向)延伸，且並列設置於與第1方向交叉之電極155之長邊方向(例如稱為第2方向)。又，信號線147a及第2觸控配線148於與第1方向正交之像素第2方向延伸，且並列設置於第1方向。另，信號線147a及第2觸控配線148並不限定於於第2方向延伸，亦可與第1方向交叉，於與第2方向不同之方向(例如稱為第3方向)延伸。此時，信號線147a及第2觸控配線148並列設置於與第3方向交叉之方向(例如稱為第4方向)。 掃描線145a、第1觸控配線146、信號線147a及第2觸控配線148設置於像素電極155、第1觸控電極156a及第2觸控電極156b之下側。第1觸控電極156a具有作為觸控感測器之發送電極之功能，第2觸控電極156b具有作為觸控感測器之接收電極之功能。 於圖1B之顯示區域103a中，具有像素電極155a之顯示區域103a1之俯視圖顯示於圖2。如圖2所示，第1觸控電極156a及第2觸控電極156b設置於像素電極155a與鄰接之像素電極155之間。又，第1觸控電極156a及第2觸控電極156b以分別包圍像素電極155之方式設置。 又，第1觸控電極156a經由開口部181a與第1觸控配線146電性連接。第1觸控配線146設置於與掃描線145a同一之第1絕緣表面(例如後述之閘極絕緣層143)上。同樣地，第2觸控電極156b經由開口部181b與第2觸控配線148電性連接。第2觸控配線148設置於信號線147a與第2絕緣表面(例如後述之絕緣層149)上。又，第1觸控電極156a及第2觸控電極156b均設置於第3絕緣表面(例如後述之絕緣層154)上。且，於2個第1觸控電極156a與2個第2觸控電極156b接近之四角之部分，具有後述之對向電極160之開口部161。 又，如圖3所示，於顯示裝置10中，第1觸控配線146與第2觸控配線148係分別設置於不同層。第1觸控配線146之延伸方向與第2觸控配線148之延伸方向係以正交之方式設置。另，第1觸控配線146之延伸方向與第2觸控配線148之延伸方向並不限定於正交。第1觸控配線146之延伸方向與第2觸控配線148之延伸方向可配合製造步驟傾斜配置，亦可大致正交配置。大致正交意指具有80°以上且未達90°之傾斜度之情形。 其次，顯示裝置10之剖面構造示於圖4。圖4係顯示顯示區域103a1之A1-A2間之剖視圖。 (1-2電晶體之構成) 於圖4中，電晶體110具有半導體層142、閘極絕緣層143、閘極電極145b及源極/汲極電極147b。電晶體110雖具有頂閘極/頂部接觸構造，但並不限定於此，可設為底閘極構造，亦可設為底部接觸構造。 又，於電容元件120，使用以閘極絕緣層143作為介電質之半導體層142之源極或汲極區域及電容電極145c。又，電容元件121使用以絕緣層154作為介電質之導電層153及像素電極155。 又，於顯示元件130中使用像素電極155、有機EL層159及對向電極160。顯示元件130具有將有機EL層159發出之光放射至對向電極160側之所謂頂部發光型之構造。另，顯示元件130不限定於頂部發光型，亦可設為底部發光型之構造。 基板100及基板101使用玻璃基板或有機樹脂基板。 絕緣層141設置於基板100上，且具有作為基底膜之功能。藉此，可抑制來自基板100之不純物代表性為鹼金屬、水、氫等之朝半導體層142之擴散。 半導體層142設置於絕緣層141上，且使用矽、氧化物半導體或有機物半導體等。 閘極絕緣層143設置於絕緣層141及半導體層142上。閘極絕緣層143可使用氧化矽、氮氧化矽、氮化矽或其他高介電常數之無機材料。 閘極電極145b設置於閘極絕緣層143上，與圖1B所示之掃描線145a連接。另，閘極電極145b與電容電極145c設置於相同之閘極絕緣層143上。閘極電極145b與電容電極145c均由自鉭、鎢、鈦、鉬、鋁等選出之導電材料形成。閘極電極145b與電容電極145c可為上述之導電材料之單層構造，亦可為積層構造。 絕緣層149使用與閘極絕緣層143同樣之材料，且設置於閘極絕緣層143、閘極電極145b及電容電極145c上。另，絕緣層149可設為單層，亦可設為上述材料之積層構造。 源極/汲極電極147b設置於絕緣層149上，且與圖1B所示之信號線147a連接。於源極/汲極電極147b，使用與作為閘極電極145b之材料例舉例者同樣之材料。可使用與閘極電極145b相同之材料，亦可使用不同之材料。除源極/汲極電極147b外，由於其他配線亦使用該導電層而形成，因此要求低電阻且與半導體層142之接合性良好等。 絕緣層150具有作為平坦化膜之功能，且設置於絕緣層149及源極/汲極電極147b上。絕緣層150主要使用丙烯酸樹脂等有機絕緣材料形成。雖未特別圖示，但例如亦可形成為有機絕緣材料與無機絕緣材料之積層。 導電層153設置於絕緣層150上。導電層153可使用與閘極電極145b相同之材料，亦可使用不同之材料。除導電層153外，雖未特別圖示，但由於上述之與源極/汲極電極接合之其他配線亦使用該導電層而形成，因此要求低電阻且與構成源極/汲極電極147b之導電材料之接合性良好等。 絕緣層154設置於絕緣層150及導電層153上，且使用與閘極絕緣層143同樣之材料。 像素電極155具有作為顯示元件130之陽極之功能，較佳為進而具有使光反射之性質。作為前者之功能較佳為ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)等氧化物導電材料，作為後者之功能較佳可列舉鋁或銀等表面反射性高之導電材料。為了使該等之功能並存，而採用於上述材料之積層上，具體而言，於鋁或銀等表面反射性高之導電層上，積層ITO或IZO等氧化物導電層之構造。 有機EL層159設置於像素電極155上，且具有有機電致發光材料等發光材料。 對向電極160具有作為顯示元件130之陰極之功能，且跨及複數個像素元件155，以連續地覆蓋像素電極155之方式設置。為了使於有機EL層159發出之光透過，而設置具有透光性且導電性之材料。又，於對向電極160，設置有開口部161。 對於對向電極160要求透光性，同時要求用以於與像素電極155之反射面之間形成微空腔之反射性。因此，對向電極160形成為半透過膜。具體而言，以光透過之程度之膜厚形成以銀、鎂或該等之合金形成之層。 對於觸排層157，為了覆蓋像素電極155之周緣部，並且於像素電極155之端部形成平滑的階差，而使用有機樹脂材料。又，對於觸排層157，為了提高顯示圖像之對比度，亦可使用包含黑色顏料之有機樹脂材料。 無機絕緣層162、有機絕緣層164及無機絕緣層166係依序積層，且具有作為密封層之功能。無機絕緣層162及無機絕緣層166使用與閘極絕緣層143同樣之材料。有機絕緣層164使用與絕緣層150或觸排層157同樣之材料。 對於接著層174，可使用無機材料、有機材料或有機材料與無機材料之複合材料。 另，如圖4所示，閘極電極145b及第1觸控配線146均設置於閘極絕緣層143上。又，源極/汲極電極147b與第2觸控配線148均設置於絕緣層149上。且，第1觸控電極156a及第2觸控電極156b與像素電極155一起設置於絕緣層154上。 (觸控感測器之驅動) 其次，對觸控感測器之驅動使用圖3及圖4進行說明。 如圖3所示，第1觸控配線146及第2觸控配線148與驅動電路107連接。藉由自驅動電路107經由第1觸控配線146供給至第1觸控電極156a之電壓，於第1觸控電極156a與第2觸控電極156b之間產生電場200(參照圖4)。例如，人手指接觸到顯示裝置10時，藉由第1觸控電極156a與第2觸控電極156b間之電場變化，使配線間電容產生變化，且自第2觸控電極156b經由第2觸控配線148輸入特定資訊至驅動電路107，可檢測位置資訊。另，於上述中，雖顯示了人手指接觸到顯示裝置10之情形，但並不限定於此。例如，於人手指接近顯示裝置10之情形時亦可有同樣之效果。 另，於本實施形態之構成中，因第1觸控電極156a與第2觸控電極156b設置於同一層上，故可檢測較小之電容變化，因而提高檢測精度。 又，如圖4所示，對向電極160於與第1觸控電極156a之端部與第2觸控電極156b之端部鄰接之區域之一部分重疊之區域中，設置有開口部161。藉此，可容易地檢測電容變化，進而使作為觸控感測器之功能提高。 又，於本實施形態之構成中，由於第1觸控配線146與第2觸控配線148設置於不同層，故可減少電路設計上之限制。 (2.顯示裝置之製造方法) 以下，關於顯示裝置10之製造方法，使用圖5至圖11進行說明。 (2-1.電晶體之形成) 首先，如圖5所示，於基板100之第1面(自剖面方向觀察之情形之上表面)，形成絕緣層141、半導體層142及閘極絕緣層143後，於閘極絕緣層143上形成閘極電極145b。各層適當使用光微影法、奈米壓印法、噴墨法及蝕刻法等可設為特定之形狀。 例如，於使用有機樹脂基板作為基板100之情形時，使用聚醯亞胺基板。有機樹脂基板可將板厚設為數微米至數十微米，且可實現具有可撓性之薄片顯示器。基板100為了將來自後述之顯示元件之出射光取出至外部，有時要求透明性。於不將來自顯示元件之出射光取出之側之基板因無需透明，故除了上述之材料外，亦可使用於金屬基板之表面形成絕緣層者。 絕緣層141係使用氧化矽、氮氧化矽、氮化矽等材料形成。絕緣層141可為單層，亦可為積層。絕緣層141可藉由CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法、旋塗法、印刷法等形成。 於使用矽材料作為半導體層142之情形時，例如使用非晶矽、多晶矽等。又，於使用氧化物半導體作為半導體層142之情形時，例如可使用銦、鎵、鋅、鈦、鋁、錫、鈰等金屬材料。例如，可使用具有銦、鎵、鋅之氧化物半導體(IGZO：Indium Gallium Zinc Oxide：銦鎵鋅氧化物)。半導體層142可藉由濺鍍法、蒸鍍法、電鍍法、CVD法等形成。 於閘極絕緣層143，可使用包含氧化矽、氮氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鉿等一種以上之絕緣膜。閘極絕緣層143可由與絕緣層141相同之方法形成。 閘極電極145b係使用自鎢、鋁、鉻、銅、鈦、鉭、鉬、鎳、鐵、鈷、鎢、銦、鋅中選出之金屬元素，或以上述金屬元素為成分之合金，或組合上述金屬元素之合金等材料形成。又，閘極電極145b亦可使用於上述材料含有氮、氧、氫等者。例如，作為閘極電極145b，可使用藉由濺鍍法形成之鋁層(Al)、鈦層(Ti)之積層膜。另，此時，與閘極電極145b亦同時形成掃描線145a、第1觸控配線146及電容電極145c。 其次，於閘極絕緣層143、閘極電極145b上形成絕緣層149。絕緣層149可使用與閘極絕緣層143同樣之材料、方法。例如，作為絕緣層149，可使用藉由電漿CVD法形成之氧化矽膜。 其次，於絕緣層149上形成源極/汲極電極147b(參照圖6)。源極/汲極電極147b可使用與閘極電極145b同樣之材料、方法。源極/汲極電極147b係於絕緣層149形成開口部後形成，且與半導體層142之源極/汲極區域連接。另，此時，與源極/汲極電極147b亦同時形成信號線147a及第2觸控配線148。 其次，於絕緣層149、源極/汲極電極147b上形成絕緣層150。絕緣層150使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺等有機絕緣材料。絕緣層150可藉由旋塗法、印刷法、噴墨法等形成。例如，作為絕緣層150，可使用藉由旋塗法形成之丙烯酸樹脂。此時，絕緣層150形成至上表面為平坦之程度。絕緣層150較佳為以1 μm以上之厚度形成。 (2-2.顯示元件之形成) 其次，如圖7及8所示，於絕緣層150上形成電容元件121(由導電層153、絕緣層154、像素電極155形成)、顯示元件130(由像素電極155、有機EL層159、對向電極160形成)及觸排層157。各層可使用適當光微影法、奈米壓印法、噴墨法及蝕刻法等設為特定之形狀。 首先，於絕緣膜150上形成導電層153。導電層153可藉由與閘極電極145b同樣之材料及方法形成。例如，作為導電層153，可使用藉由濺鍍法形成之鉬、鋁、鉬之積層膜。 其次，於導電層153上形成絕緣層154。絕緣層154可藉由與閘極絕緣層143同樣之材料及方法形成。例如，作為絕緣層154，可使用藉由電漿CVD法形成之氮化矽膜。 其次，於絕緣層154上，形成像素電極155(參照圖7)。例如，導電層153亦可使用鋁(A1)、銀(Ag)等之光反射性之金屬材料，亦可具有由電洞注入性優異之ITO或IZO形成之透明導電層與光反射性之金屬層積層之構造。像素電極155可藉由與閘極電極145b同樣之方法形成。例如，作為像素電極155，可使用藉由濺鍍法形成之ITO、銀、ITO之積層膜。 另，此時，與像素電極155形成之同時亦形成第1觸控電極156a、第2觸控電極156b。第1觸控電極156a經由設置於絕緣層149及絕緣層150之開口部與第1觸控配線146電性連接。同樣地，第2觸控電極156b經由設置於絕緣層150之開口部與第2觸控配線148電性連接。 其次，於絕緣層154及像素電極155上，形成觸排層157。觸排層157以露出像素電極155之上表面之方式形成開口部。觸排層157之開口部之端部較佳為平滑之錐形狀。例如，作為觸排層157，可使用藉由旋塗法形成之聚醯亞胺膜。 其次，於像素電極155、觸排層157上形成有機EL層159。有機EL層159使用低分子系或高分子系之有機材料形成。於使用低分子系之有機材料之情形時，有機EL層159可構成為：除了包含發光性有機材料之發光層以外，亦以隔著該發光層之方式包含電洞注入層或電子注入層，進而包含電洞輸送層或電子輸送層等。 又，有機EL層159以至少與像素電極155重疊之方式形成。有機EL層159藉由真空蒸鍍法、印刷法、旋塗法等形成。於藉由真空蒸鍍法形成有機EL層159之情形時，亦可適當使用屏蔽遮罩，邊設置未成膜區域而形成。有機EL層159可使用與鄰接之像素不同之材料形成，亦可於所有像素中使用相同之有機EL層159。 其次，如圖8所示，以跨及像素電極155及有機EL層159之方式形成對向電極160。對向電極160可使用ITO(添加氧化錫之氧化銦)或IZO(氧化銦·氧化鋅)等之透明導電膜，或銀(Ag)與鎂之合金。又，對向電極160可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法形成。例如，作為對向電極160，可使用藉由濺鍍法成膜之IZO膜。 其次，如圖9所示，於對向電極160形成開口部161。於第1觸控電極156a及第2觸控電極156b之上表面重疊之區域中形成開口部161之情形時，可藉由使用金屬遮罩形成非成膜區域而進行，亦可使用噴墨法，預先將對向電極160形成為具有開口部161之形狀。 (2-3.密封層之形成) 其次，如圖10所示，於對向電極160、觸排層157上依序形成成為密封層之無機絕緣層162、有機絕緣層164及無機絕緣層166。 無機絕緣層162及無機絕緣層166可使用包含氧化鋁、氧化矽、氮化矽等之一種以上之絕緣膜。此時，顯示區域103較佳為藉由無機絕緣層162覆蓋。無機絕緣層162及無機絕緣層166可使用電漿CVD法、熱CVD法、蒸鍍法、旋塗法、噴霧法或印刷法形成。例如，無機絕緣層162及無機絕緣層166可使用以電漿CVD法形成之氮化矽膜與氧化矽膜之積層膜。無機絕緣層162及無機絕緣層166之膜厚可設為數十 nm至數 μm。 有機絕緣層164可使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等之材料。又，有機絕緣層164可使用旋塗法、蒸鍍法、噴霧法、噴墨法、印刷法等形成數 μm至數十 μm左右之厚度。 (2-4.與對向基板之貼合) 其次，如圖11所示，使用接著層174將成為對向基板之基板101與基板100貼合。作為接著層174，例如，可使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。 藉由使用上述製造方法，可製造顯示裝置10。於本實施形態之構成中，將掃描線145a、閘極電極145b及第1觸控配線146設置於同一層上。又，亦將信號線147a、源極/汲極電極147b及第2觸控配線148設置於同一層上。進而亦將像素電極155、第1觸控電極156a及第2觸控電極156b設置於同一層。藉此，無需設置用於觸控感測器形成之新的步驟。因此，可抑制顯示裝置製造之步驟負荷，且提高檢測精度。 另，於本實施形態中，雖對藉由將配線形成於絕緣層143、絕緣層149上實現發明之例加以敘述，但並不限於該例。例如，亦可設置於其他絕緣層上。又，亦可組合使用。 又，於本實施形態中，雖對藉由使對向電極160具有開口部161而實現發明之例加以敘述、但並不限於該例。例如對向電極160亦可不設置開口部161。 又，於本實施形態中，雖對第1方向與第2方向正交者實現發明之例加以敘述，但並不限於該例。例如，亦可第1方向與第2方向交叉。 又，於本實施形態中，雖對作為將像素電極155與第1觸控電極156a及第2觸控電極156b設置於同一絕緣層154上者，實現發明之例加以敘述，但並不限於該例。例如，亦可將第1觸控電極156a及第2觸控電極156b設置於與像素電極155不同之絕緣層上。 (第2實施形態) 以下，對搭載具有不同形狀之觸控感測器之顯示裝置，使用圖式進行說明。另，對與第1實施形態所示之構造、方法同樣之部分，引用該說明。 於圖12顯示顯示區域103之放大圖，及於圖13顯示圖12之B1-B2間之剖視圖。於圖12中，第1觸控電極256a及第2觸控電極256b亦可以包圍像素電極155b、像素電極155c、像素電極155d之3個像素電極之方式設置。 又，第1觸控電極256a及第2觸控電極256b亦可以進而包圍複數個像素電極155之方式遍及較廣之區域而設置。例如，如圖14所示，於第1方向上，將像素電極155之中間至鄰接之像素電極155之中間之距離定義為第1像素電極間距1550a。又，於第2方向上，將像素電極155之中間至鄰接之像素電極155之中間之距離定義為第2像素電極間距1550b。此時，第1觸控電極1156a以於第1方向上具有等倍之第1像素電極間距1550a之長度之區域與於第2方向上具有等倍之第2像素電極間距1550b之長度之區域交錯地連接之形式延伸。藉此，第1觸控電極1156a成為包圍多個像素電極155之形狀。又，第2觸控電極1156b亦具有同樣之形狀並延伸。於上述形狀中，第1觸控電極1156a與第2觸控電極1156b於第1方向上，設置有具有等倍之第1像素電極間距1550a之長度隔開之區域，與具有2倍之第1像素電極間距1550a之長度隔開之區域。於第2方向上，亦設置有具有等倍之第2像素電極間距1550b隔開之區域，與具有2倍之第2像素電極間距1550b隔開之區域。於上述隔開區域中，像素電極155可配置於第1觸控電極1156a與第2觸控電極1156b之間。又，像素電極155可配置於與第1觸控電極1156a及第2觸控電極1156b俯視時不重疊之區域。 又，如圖15所示，第1觸控電極2156a或第2觸控電極2156b亦可將於第1方向上具有2倍之第1像素電極間距1550a之長度之區域，與於第2方向上具有第2像素電極間距1550b之長度之區域、及於第1方向上具有第1像素電極間距1550a之區域組合而使用。於上述形狀之情形時，第1觸控電極1156a與第2觸控電極1156b於第1方向上，設置有具有等倍、2倍、或3倍之第1像素電極間距1550a之長度隔開之區域。又，於第2方向上，設置有具有等倍或2倍之第1像素電極間距1550a之長度隔開之區域。 又，如圖16所示，第1觸控電極3156a、第2觸控電極3156b亦可分別逐個包圍像素電極155，且同時設外周部之形狀為與圖15相同。 又，如圖17所示，第1觸控電極4156a亦可逐個包圍像素電極155，且外周部具有於第1方向上具有5倍之第1像素電極間距1550a之長度之區域與於第2方向上具有3倍之第2像素電極間距1550b之長度之區域，並具有矩形作為外形。又，第2觸控電極4156b亦可於第1觸控電極4156a、第2方向上具有等倍之第2像素電極間距1550b之長度隔開，且於第1方向上具有2倍之第1像素電極間距1550a之長度並線狀設置。 藉由具有上述構造，可提高檢測感度，且設置各種形狀之觸控感測器。 於本實施形態中，作為揭示例，例示有機EL顯示裝置之情形、但作為其他適用例，可列舉液晶顯示裝置、其他自發光型顯示裝置、或具有電泳顯示元件等之電子紙型顯示裝置等、所有平板型之顯示裝置。又，當然可無特別限定而應用於中小型至大型。 另，若為本領域技術人員，當可於本發明之思想之範疇內想到各種變更例及修正例，但應理解為，該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。例如，針對上述之各實施形態，本領域技術人員適當進行構成要件之追加、刪除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者只要具備本發明之主旨，則仍包含於本發明之範圍內。
10‧‧‧顯示裝置
100‧‧‧基板
101‧‧‧基板
103‧‧‧顯示區域
103a‧‧‧顯示區域
103a1‧‧‧顯示區域
104‧‧‧周緣部
105‧‧‧驅動電路
106‧‧‧驅動電路
107‧‧‧驅動電路
108‧‧‧可撓性印刷基板
110‧‧‧電晶體
120‧‧‧電容元件
121‧‧‧電容元件
130‧‧‧顯示元件
141‧‧‧絕緣層
142‧‧‧半導體層
143‧‧‧閘極絕緣層
145a‧‧‧掃描線(閘極線)
145b‧‧‧閘極電極
145c‧‧‧電容電極
146‧‧‧第1觸控配線
147a‧‧‧信號線(源極線)
147b‧‧‧源極/汲極電極
148‧‧‧第2觸控配線
149‧‧‧絕緣層
150‧‧‧絕緣層
153‧‧‧導電層
154‧‧‧絕緣層
155‧‧‧像素電極
155a‧‧‧像素電極
155b‧‧‧像素電極
155c‧‧‧像素電極
155d‧‧‧像素電極
156a‧‧‧第1觸控電極
156b‧‧‧第2觸控電極
157‧‧‧觸排層
159‧‧‧有機EL層
160‧‧‧對向電極
161‧‧‧開口部
162‧‧‧無機絕緣層
164‧‧‧有機絕緣層
166‧‧‧無機絕緣層
174‧‧‧接著層
181a‧‧‧開口部
181b‧‧‧開口部
200‧‧‧電場
256a‧‧‧第1觸控電極
256b‧‧‧第2觸控電極
1156a‧‧‧第1觸控電極
1156b‧‧‧第2觸控電極
1550a‧‧‧第1像素電極間距
1550b‧‧‧第2像素電極間距
2156a‧‧‧第1觸控電極
2156b‧‧‧第2觸控電極
3156a‧‧‧第1觸控電極
3156b‧‧‧第2觸控電極
4156a‧‧‧第1觸控電極
4156b‧‧‧第2觸控電極
圖1A係顯示本發明一實施形態之顯示裝置之構成之俯視圖。 圖1B係顯示本發明一實施形態之顯示裝置中之顯示區域之一部分的俯視圖。 圖2係顯示本發明一實施形態之顯示裝置中之顯示區域之一部分的俯視圖。 圖3係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之立體圖。 圖4係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之剖視圖。 圖5係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖6係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖7係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖8係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖9係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖10係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖11係說明本發明之一實施形態之顯示裝置之製造方法之剖視圖。 圖12係說明本發明之一實施形態之顯示裝置中顯示區域之一部分的俯視圖。 圖13係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之剖視圖。 圖14係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之俯視圖。 圖15係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之俯視圖。 圖16係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之俯視圖。 圖17係顯示本發明之一實施形態之顯示裝置之構成之俯視圖。

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，其具有： 複數條掃描線，其於第1絕緣表面上，於第1方向延伸，且並列設置於與上述第1方向交叉之第2方向； 複數條信號線，其於設置於上述第1絕緣表面上之第2絕緣表面上，於與上述第1方向交叉之第3方向延伸，且並列設置於與上述第3方向交叉之第4方向； 複數個像素電極，其對應於上述複數條掃描線與上述複數條信號線之交點而分別設置； 第1觸控配線，其於上述第1絕緣表面上，於上述第1方向延伸，且並列設置於上述第2方向； 第2觸控配線，其於上述第2絕緣表面上，於上述第3方向延伸，且並列設置於上述第4方向； 第1觸控電極，其於設置於上述第2絕緣表面上之第3絕緣表面上，設置於俯視時鄰接之上述像素電極之間之區域，且與上述第1觸控配線電性連接；及 第2觸控電極，其於上述第3絕緣表面上，設置於俯視時鄰接之上述像素電極之間之區域，且與上述第2觸控配線電性連接。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述像素電極設置於上述第3絕緣表面上。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述第1觸控電極及上述第2觸控電極分別包圍上述像素電極之至少1者而配置。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述第2絕緣表面設置於上述掃描線及上述第1觸控配線上； 上述第3絕緣表面設置於上述信號線及上述第2觸控配線上。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其進而具有： 對向電極，其跨及上述複數個像素電極，以覆蓋上述複數個像素電極之方式設置；及 有機層，其設置於上述複數個像素電極之一與上述對向電極之間，且包含發光層。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中 上述對向電極於與俯視時鄰接之上述第1觸控電極與上述第2觸控電極間之區域之一部分重疊之區域具有開口部。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中 於與上述第1觸控電極及上述第2觸控電極俯視時不重疊之區域，配置有上述像素電極。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述掃描線與上述第1觸控配線均形成於同一表面上； 上述信號線與上述第2觸控配線均形成於同一表面上。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述第1方向與上述第2方向正交； 上述第3方向與上述第4方向正交。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其進而具有： 觸排層，其覆蓋上述複數個像素電極之各者之端部同時具有露出上述複數個像素電極之各者之上表面之開口部；且 上述觸排層覆蓋上述第1觸控電極及上述第2觸控電極。
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