JP6942602B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の一実施形態は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
フレキシブルプリント基板を貼り付けた表示装置において、基板側の接続電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）によって形成されることがある（例えば、特許文献１）。フレキシブルプリント基板には、信号伝送のための配線が形成されている。
特開２０１３−２１４０８５号公報
ところで、封止層上にセンサ電極を形成するオンセル方式のタッチセンサを採用した表示装置は、当該表示装置の薄型化、低コスト化に寄与することが期待できる。かかる表示装置では、タッチセンサに用いる電極（以下「センサ電極」という。）から延ばした配線が基板の上に配置されて、所定の端子と電気的に接続される場合がある。この場合に、基板上の表面形状に起因して、当該配線が破断しやすくなる場合がある。
本発明は、上記問題に鑑み、基板上の端子の損傷の発生を抑えつつ、センサ電極と当該端子とを電気的に接続するための技術を提供することを目的の一つとする。
本発明の一態様は、複数の画素を含む表示領域を有する基板と、前記基板の上に設けられた第１配線と、前記第１配線の一部と重なる絶縁層と、前記第１配線の上に設けられ、前記第１配線と電気的に接続する酸化物導電層と、前記表示領域及び前記酸化物導電層の少なくとも一部の端部と重なり、前記複数の画素を封止する封止層と、前記封止層の上に設けられ、前記表示領域と重なるセンサ電極と、前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記酸化物導電層とを電気的に接続させる第２配線と、を備える、表示装置である。
本発明の一態様は、基板の上に第１配線を形成し、前記第１配線の一部と重なる絶縁層を形成し、前記第１配線の上に、前記第１配線と電気的に接続する酸化物導電層を形成し、前記表示領域及び前記酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように、前記複数の画素を封止する封止層を形成し、前記封止層の上に、前記基板上の複数の画素を含む表示領域と重なるセンサ電極を形成し、前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記酸化物導電層とを電気的に接続させる第２配線を形成する、表示装置の製造方法である。
本発明の実施形態１に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の実施形態１に係るタッチセンサを示す上面図である。 本発明の実施形態１に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。 本発明の実施形態１に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態１に係る比較例を示す断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の実施形態２に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態４に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第１工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第２工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第３工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第４工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第５工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第６工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第７工程を説明する断面図である。 本発明の一変形例に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板に対して表示素子が配置される側を「上」又は「上面」といい、その逆を「下」又は「下面」として説明する。
また、本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
［実施形態１］
＜１．表示装置の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１０の上面図を示す。
表示装置１０は、有機ＥＬ表示装置である。表示装置１０は、基板１００、フレキシブルプリント基板１０６、複数の端子部１０７、駆動回路１０８、複数の端子部１０９、及びタッチセンサ２０を備える。
基板１００の上面は、表示領域１０２と、周縁領域１０４とを含む。表示領域１０２は、画像（静止画又は動画）を表示する領域である。表示領域１０２は、複数の画素１３０を含む。複数の画素１３０は、例えば、マトリクス状に配置されている。周縁領域１０４は、表示領域１０２の周縁の領域で、画像を表示しない非表示領域である。
複数の端子部１０７は、基板１００の上の周縁領域１０４に設けられている。フレキシブルプリント基板１０６は、周縁領域１０４において基板１００の上に貼り付けられ、複数の端子部１０７の各々と電気的に接続する。駆動回路１０８は、フレキシブルプリント基板１０６の上に設けられている。フレキシブルプリント基板１０６は、複数の画素１３０及びタッチセンサ２０を駆動する。具体的には、駆動回路１０８は、複数の画素１３０を駆動する信号（例えば、各種映像信号及び制御信号）、及びタッチセンサ２０を駆動する信号（例えば、センサ電極に検出用の電圧の供給を指示する信号）を供給する。図１には示していないが、基板１００上に、ゲートドライバ及びソースドライバが設けられてもよい。ゲートドライバ及びソースドライバは、駆動回路１０８からの信号に応じて、複数の画素１３０を駆動する。
タッチセンサ２０は、表示領域１０２に重ねられている。タッチセンサ２０は、ここではオンセル方式のタッチセンサである。オンセル方式は、表示装置の内部にタッチセンサを組み込む方式である。複数の端子部１０９は、基板１００上の周縁領域１０４に設けられている。複数の端子部１０９の各々は、いずれか一の端子部１０７を介して、フレキシブルプリント基板１０６と電気的に接続する。
＜２．タッチセンサ２０の構成＞
図２は、タッチセンサ２０を示す上面図である。タッチセンサ２０は、ここでは、相互容量方式のタッチセンサである。タッチセンサ２０は、複数の第１センサ電極２１０Ａ、及び複数の第２センサ電極２１０Ｂを含む。複数の第１センサ電極２１０Ａ、及び複数の第２センサ電極２１０Ｂの各々は、表示領域１０２と重なる。複数の第１センサ電極２１０Ａと複数の第２センサ電極２１０Ｂとは互いに絶縁されている。
第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、ここでは、Ｄ１方向及びＤ２方向に対角線を有する菱形の電極である。第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いた透明導電膜であるが、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又は酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などが用いられてもよい。
第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、それぞれ複数配置されている。表示領域１０２の短辺方向（以下「Ｄ１方向」という。）に隣り合う２つの第１センサ電極２１０Ａは互いに接続されている。表示領域１０２の長辺方向（以下「Ｄ２方向」という。）に隣り合う２つの第１センサ電極２１０Ａは互いに離間している。Ｄ１方向に配置延在する複数の第１センサ電極２１０Ａを含む配線を、以下、「第１タッチセンサ配線２１２Ａ」という。Ｄ２方向に隣り合う２つの第２センサ電極２１０Ｂは互いに接続されている。Ｄ１方向に隣り合う２つの第２センサ電極２１０Ｂは互いに離間している。Ｄ２方向に延在する複数の第２センサ電極２１０Ｂを含む配線を、以下「第２タッチセンサ配線２１２Ｂ」という。Ｄ１方向とＤ２方向とは交差する。第１センサ電極２１０Ａは、タッチセンサ２０における送信電極である。第２センサ電極２１０Ｂは、タッチセンサ２０における受信電極である。これに代えて、第２センサ電極２１０Ｂがタッチセンサ２０における送信電極、第１センサ電極２１０Ａがタッチセンサ２０における受信電極であってもよい。
図３は、タッチセンサ２０の一部である領域２０Ｒを拡大した上面図である。Ｄ１方向に隣り合う２つの第１センサ電極２１０Ａは、ブリッジ部２１４Ａを介して電気的に接続されている。ブリッジ部２１４Ａは、第１センサ電極２１０Ａと同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。図２に示した第１タッチセンサ配線２１２Ａは、複数の第１センサ電極２１０Ａ、複数のブリッジ部２１４Ａ、及び引出配線２１６によって構成されている。Ｄ２方向に隣り合う２つの第２センサ電極２１０Ｂは、ブリッジ部２１４Ｂを介して電気的に接続されている。ブリッジ部２１４Ａは、ブリッジ部２１４Ｂの上に設けられている。ブリッジ部２１４Ａとブリッジ部２１４Ｂとが交差する箇所は、絶縁層を介して上下に絶縁されている。図２に示した第２タッチセンサ配線２１２Ｂは、複数の第２センサ電極２１０Ｂ、複数のブリッジ部２１４Ｂ、及び引出配線２１６によって構成されている。
以下、第１センサ電極２１０Ａと、第２センサ電極２１０Ｂの各々を区別しないときは、これらを「センサ電極２１０」と総称する。複数のセンサ電極２１０のうち、表示領域１０２の各辺に隣接するセンサ電極２１０は、引出配線２１６を介して、いずれか一の端子部１０９と電気的に接続されている。引出配線２１６は、水分遮断領域Ｔ及び封止層１８０の上に設けられている。
＜３．タッチセンサ２０の駆動＞
駆動回路１０８は、複数の第１タッチセンサ配線２１２Ａを介して、第１センサ電極２１０Ａに電圧を供給する。第１センサ電極２１０Ａと第２センサ電極２１０Ｂとの間には、この供給した電圧に応じた電界が発生する。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１センサ電極２１０Ａと第２センサ電極２１０Ｂとの間の電界が変化する。これにより、第１タッチセンサ配線２１２Ａと第２タッチセンサ配線２１２Ｂとの間の容量が変化する。駆動回路１０８は、複数の第２タッチセンサ配線２１２Ｂを介して、第２センサ電極２１０Ｂからの信号の入力を受け付ける。表示装置１０は、この信号に基づいて、人の指が触れた位置を検知する。この場合は、駆動回路１０８は、第１センサ電極２１０Ａを駆動して、第２センサ電極２１０Ｂを介して容量値の変化を読み取っている。駆動回路１０８は、逆に、第２センサ電極２１０Ｂを駆動して、第１センサ電極２１０Ａを介して容量値の変化を読み取ってもよい。
＜４．断面構造＞
図４は、表示装置１０の断面図を示す。図４は、図３における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図である。切断線Ｘ１−Ｘ２は、センサ電極２１０、ブリッジ部２１４Ａ、引出配線２１６、端子部１０７，１０９を通過する切断線を示す。
基板１００は、例えば可撓性を有する基板である。基板１００は、基材、ベースフィルム、又はシート基材と呼ばれることがある。基板１００は、例えば有機樹脂基板である。この場合、基板１００を構成する有機樹脂材料は、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリエチレンテレフタレートである。基板１００の厚みは、例えば、１０μｍから数百μｍの間である。
トランジスタ１４０が、下地膜１０１を介した基板１００の上に設けられている。トランジスタ１４０は、半導体膜１４２、ゲート絶縁膜１４４、ゲート電極１４６、及びソース／ドレイン電極１４８を含む。ゲート電極１４６は、ゲート絶縁膜１４４を介して半導体膜１４２と重なる。半導体膜１４２のチャネル領域１４２ａは、ゲート電極１４６と重なる領域である。半導体膜１４２は、チャネル領域１４２ａを挟むソース／ドレイン領域１４２ｂを有する。
層間膜１０３がゲート電極１４６上に設けられている。層間膜１０３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸窒化膜等の無機絶縁膜を含む。ソース／ドレイン電極１４８は、層間膜１０３及びゲート絶縁膜１４４に設けられた開口において、ソース／ドレイン領域１４２ｂと接続されている。
トランジスタ１４０は、ここではトップゲート型のトランジスタであるが、これ以外のトランジスタであってもよい。トランジスタ１４０は、例えば、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１４６を複数有するマルチゲート型トランジスタ、又は半導体膜１４２の上下を二つのゲート電極１４６で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。
端子配線２２０は、基板１００の上に設けられた第１配線である。端子配線２２０は、周縁領域１０４に設けられている。端子配線２２０は、層間膜１０３、ゲート絶縁膜１４４、及び下地膜１０１が除去された領域１５８において、基板１００と接している。この部分において表示装置１０は折り曲げ可能になっている。無機絶縁膜は靱性が低く、折り曲げの力を加えたときにクラックを生じやすいため、折り曲げ箇所周辺では図４のように除去されることが好ましい。端子配線２２０は、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステンを主成分とする材料で形成されるが、これら以外の材料で形成されてもよい。
平坦化膜１１４が、端子配線２２０の一部に重ねて設けられている。具体的には、平坦化膜１１４は、端子配線２２０の一部のほか、層間膜１０３、及びトランジスタ１４０に重なる。平坦化膜１１４の上面は平坦である。平坦化膜１１４は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。すなわち、平坦化膜１１４は、有機物を含む絶縁層（第１絶縁層）である。無機絶縁膜１５０が、平坦化膜１１４の上に設けられている。無機絶縁膜１５０は、トランジスタ１４０などの半導体素子を保護する。平坦化膜１１４、及び無機絶縁膜１５０には、コンタクトホール１５２が設けられている。コンタクトホール１５２は、後述する発光素子１６０の第１電極１６２とソース／ドレイン電極１４８とを電気的に接続させるための開口である。
発光素子１６０が、無機絶縁膜１５０の上に設けられている。発光素子１６０は、第１電極（画素電極）１６２、発光層１６４、及び第２電極（対向電極）１６６を含む。第１電極１６２は、コンタクトホール１５２を覆っている。第１電極１６２は、ソース／ドレイン電極１４８と電気的に接続される。隔壁（バンク）１６８は、第１電極１６２の端部を覆っている。隔壁１６８が、第１電極１６２の端部を覆っている。これにより、その上に設けられる発光層１６４及び第２電極１６６の断線が防止される。画素１３０は、発光素子１６０及びトランジスタ１４０を含んで構成される。
発光層１６４は、隔壁１６８から露出した第１電極１６２を覆っている。図４では、発光層１６４は隔壁１６８の開口部のみに形成されているが、発光層１６４の一部が隔壁１６８上まで延びるように形成されてもよいし、複数の画素に共通の層として一様に形成されてもよい。第２電極１６６は、発光層１６４の上に設けられている。発光層１６４は、ここでは、低分子系又は高分子系の有機ＥＬ材料を用いて作製される。発光層１６４は、第１電極１６２及び第２電極１６６に供給される電圧に応じて発光する。具体的には、第１電極１６２及び第２電極１６６から、発光層１６４へキャリアが注入される。発光層１６４内で、キャリアが再結合する。発光層１６４は、発光性分子が励起状態となり、当該励起状態が基底状態へ緩和するプロセスを経ることにより、発光する。第１電極１６２と発光層１６４とが接する領域が、画素１３０の発光領域である。発光層１６４は、例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、及び励起子阻止層などを含む。すなわち、発光素子１６０は、有機ＥＬ素子である。
酸化物導電層２３０が、端子配線２２０の上に設けられている。具体的には、酸化物導電層２３０は、平坦化膜１１４及び無機絶縁膜１５０に設けられたコンタクトホールにおいて、端子配線２２０の直上に設けられている。端子部１０９は、当該コンタクトホールにおいて端子配線２２０に酸化物導電層２３０を積層させた電極である。酸化物導電層２３０は、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）で形成されているが、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又は酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などの導電性の酸化物で形成されてもよい。
封止層１８０は、表示領域１０２、及び周縁領域１０４の一部に設けられ、複数の画素１３０を封止する。封止層１８０は、周縁領域１０４のうち、少なくとも、端子部１０９における酸化物導電層２３０の一部の端部に設けられている。封止層１８０は、外部から発光素子１６０及びトランジスタ１４０に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ。封止層１８０は、具体的には、第１無機膜１８２、有機膜１８４、及び第２無機膜１８６を含む。第１無機膜１８２及び第２無機膜１８６は、例えば、無機化合物を含む膜である。第１無機膜１８２及び第２無機膜１８６は、例えば、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁材料を含む。有機膜１８４は、第１無機膜１８２と第２無機膜１８６との間に設けられ、例えば有機化合物を含む膜である。有機膜１８４は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
センサ電極２１０（第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂ）は、表示領域１０２において、封止層１８０（より具体的には、第２無機膜１８６の上に設けられている。
層間絶縁膜１９０は、センサ電極２１０、及び封止層１８０の上に設けられた第２絶縁層である。層間絶縁膜１９０は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
ブリッジ部２１４Ａ及び引出配線２１６が、層間絶縁膜１９０の上に設けられている。ブリッジ部２１４Ａは、発光素子１６０に重ならない位置、より具体的には、隔壁１６８に重なる位置に設けられている。層間絶縁膜１９０には、コンタクトホール１９２が設けられている。コンタクトホール１９２は、センサ電極２１０と引出配線２１６とを電気的に接続させるための開口である。
引出配線２１６の下方において、平坦化膜１１４には、コンタクトホールが設けられている。これにより、無機絶縁膜１５０、第１無機膜１８２及び有機膜１８４が積層している。この積層構造は、発光層１６４への水分の浸入を防ぐことから、水分遮断領域Ｔを構成する。
引出配線２１６は、層間絶縁膜１９０の上に設けられて、表示領域１０２から端子部１０９の方向に延在する。具体的には、引出配線２１６は、封止層１８０が設けられた酸化物導電層２３０の端部の上を通過して、センサ電極２１０と酸化物導電層２３０とを電気的に接続させる第２配線である。引出配線２１６は、端子配線２２０とは直接は接触せずに、酸化物導電層２３０を介して、端子配線２２０と電気的に接続する。引出配線２１６は、端子配線２２０と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
平坦化膜１１４上の領域のうち、領域１５８よりもフレキシブルプリント基板１０６側の領域には、端子部１０７が設けられている。端子部１０７は、平坦化膜１１４及び無機絶縁膜１５０に設けられたコンタクトホールにおいて、端子配線２２０に酸化物導電層２５０（第２酸化物導電層）を積層させた電極である。すなわち、フレキシブルプリント基板１０６は、端子配線２２０とは直接は接触しない。酸化物導電層２５０は、例えば、異方性導電部材２５２によりフレキシブルプリント基板１０６と電気的に接続される。フレキシブルプリント基板１０６からの信号は、酸化物導電層２５０、端子配線２２０、及び酸化物導電層２３０を介して引出配線２１６に供給される。
図５は、端子部１０９の付近を拡大した断面図である。図５に示すように、酸化物導電層２３０の表示領域１０２側の一部の端部Ｐ１の上には、封止層１８０の第１無機膜１８２が設けられている。一方、酸化物導電層２３０のうち、端部Ｐ１の反対側の端部Ｐ２の上には、封止層１８０が設けられていない。なお、センサ電極２１０、ブリッジ部２１４Ａ、引出配線２１６、端子部１０７，１０９を通過する他の切断線で表示装置１０を切断した場合も、断面構造は図４及び図５で説明した構造と大略同じである。
表示装置１０において、封止層１８０は、発光素子１６０を水分等から保護するために、数μｍ〜数十μｍの膜厚で形成される。そのため、エッチング（例えば、ドライエッチング）により端子配線２２０を露出させる場合、エッチング不足による開口不足を避けるため、十分にエッチングを行う必要がある。従って、一部の領域ではオーバーエッチングとなる場合がある。このオーバーエッチングにより、露出した端子配線２２０が損傷し、歩留まり、信頼性の低下の問題が生じる可能性がある。そこで、エッチング耐性の高い酸化物導電層２３０，２５０が、端子配線２２０に設けられることで、オーバーエッチングが行われた場合の端子配線２２０の表面が損傷しにくくなる。酸化物導電層は一般に、有機層や配線のエッチングに対して選択比が低いため、端子配線２２０の損傷を抑えるのに適している。なお、本実施形態では、端子部１０７に酸化物導電層２５０が含まれているが、酸化物導電層２５０が含まれていなくてもよい。
また、図５に示すように、端部Ｐ１は、封止層１８０の第１無機膜１８２よって覆われている。一方、酸化物導電層２３０のうち、端部Ｐ１の反対側の端部Ｐ２は、封止層１８０によって覆われていない。端部Ｐ２においては、前述のオーバーエッチングによって、平坦化膜１１４の一部が除去されてしまい、平坦化膜１１４の上面に段差Ｋ１が存在する。一方、端部Ｐ１においては、封止層１８０の存在により平坦化膜１１４が除去されないから、このような段差は生じない。
図６に示すように、端部Ｐ１が封止層１８０によって覆われていない場合、前述のオーバーエッチングによって、平坦化膜１１４の一部が除去され、平坦化膜１１４の上面に段差Ｋ２が存在する。これにより、引出配線２１６は、段差Ｋ２において下に凸の形状となる。その結果、破断位置Ｂで示すように、引出配線２１６が破断してしまう可能性がある。一方、本実施形態の表示装置１０においては、段差Ｋ２が存在しないから、引出配線２１６が破断されてしまう可能性は低くなる。
また、本実施形態では、第１センサ電極２１０Ａと第２センサ電極２１０Ｂとが同一の絶縁表面である層間絶縁膜１９０の上面に設けられている。よって、第１センサ電極２１０Ａと第２センサ電極２１０Ｂとの反射差が視認されにくい。
［実施形態２］
図７は、実施形態２に係る表示装置１０のタッチセンサ２０の一部である領域２０Ｒを拡大した上面図である。図８は、図７における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った断面図である。切断線Ｘ３−Ｘ４は、センサ電極２１０、ブリッジ部２１４Ａ、引出配線２１６、端子部１０７，１０９を通過する切断線を示す。図９は、端子部１０９の付近を拡大した断面図である。この実施形態では、封止層１８０は、複数の端子部１０９の各々に対応した開口部３００を有する。封止層１８０が、端子部１０９のすべての端部の上に設けられているように、開口部３００が形成されている。また、図８に示すように、封止層１８０は、酸化物導電層２５０の少なくとも一部の端部の上に設けられている。そして、フレキシブルプリント基板１０６は、封止層１８０が設けられた酸化物導電層２５０の端部の上に設けられ、酸化物導電層２５０と電気的に接続する。これにより、端子部１０７においても端子配線２２０の損傷を抑える効果が期待できる。
［実施形態３］
図１０は、実施形態３に係る端子部１０９の付近を拡大した断面図である。実施例３では、層間絶縁膜１９０が、酸化物導電層２３０に重なる領域Ｐ３，Ｐ４に設けられている。また、引出配線２１６は、直下に層間絶縁膜１９０が存在するように、層間絶縁膜１９０の上に設けられている。よって、引出配線２１６が形成される部分の下地が均一化され、引出配線２１６と下地との密着力が均一化されやすくなる。その結果、配線形成でのＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）のばらつきが軽減される。また、酸化物導電層２３０を露出させる層間絶縁膜１９０の開口部４００は、封止層１８０の開口部５００よりも小さい。これにより、周縁領域１０４の縮小化が可能となる。
［実施形態４］
図１１は、実施形態４に係る端子部１０９の付近を拡大した断面図である。この実施形態では、酸化物導電層２３０と引出配線２１６との間に配線層２６０（第３配線）を備える。配線層２６０は、端子配線２２０、第１無機膜１８２及び第２無機膜１８６の上に設けられている。配線層２６０は、センサ電極２１０と同じ材料で形成されてもよいし、別の材料で形成されてもよい。引出配線２１６は、配線層２６０及び酸化物導電層２３０を介して、端子配線２２０と電気的に接続する。配線層２６０の存在により端子配線２２０の損傷の可能性は、より低くなる。
＜５．表示装置１０の製造方法＞
表示装置１０の製造方法の一例を説明する。図１２〜図１８は、実施形態１に係る表示装置１０の製造方法を説明する図である。
図１２は、表示装置１０の製造方法の第１工程を説明する図である。第１工程は、基板１００上に端子配線２２０を形成する。本実施形態では、第１工程は、基板１００の上に、下地膜１０１、半導体膜１３２、ゲート絶縁膜１４４、ゲート電極１４６、及び層間膜１０３が形成され、さらに層間膜１０３に領域１５８が形成された後、当該領域１５８に位置するように、端子配線２２０を形成する。各種配線、電極の形成は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法などが用いられる。
図１３は、表示装置１０の製造方法の第２工程を説明する図である。第２工程は、基板１００上に、端子配線２２０の一部に重ねて平坦化膜１１４を形成する。本実施形態では、第２工程は、ソース／ドレイン電極１４８が形成された後、平坦化膜１１４を形成する。平坦化膜１１４には、コンタクトホール１５２、及び酸化物導電層２３０，２５０を形成するためのコンタクトホールが設けられている。第２工程は、例えば、樹脂材料を含む溶液塗布などの湿式成膜法、感光による形成などを用いる。
図１４は、表示装置１０の製造方法の第３工程を説明する図である。第３工程は、平坦化膜１１４及び端子配線２２０上に、端子配線２２０と電気的に接続する酸化物導電層２３０，２５０を形成する。本実施形態では、第３工程は、平坦化膜１１４の上に無機絶縁膜１５０が形成された後、所定のコンタクトホールに酸化物導電層２３０，２５０を形成する。無機絶縁膜１５０には、コンタクトホール１５２、水分遮断領域Ｔ及び酸化物導電層２３０，２５０を形成するためのコンタクトホールが開けられている。
図１５は、表示装置１０の製造方法の第４工程を説明する図である。第４工程は、表示領域１０２及び酸化物導電層２３０，２５０の少なくとも一部の端部と重なり、複数の画素１３０を封止する封止層１８０を形成する。本実施形態では、第３工程は、無機絶縁膜１５０の上に、各々が発光素子１６０を含む複数の画素１３０が形成された後に、封止層１８０を形成する。第５工程は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などを用いる。
図１６は、表示装置１０の製造方法の第５工程を説明する図である。第５工程は、表示領域１０２において、封止層１８０の上に表示領域１０２と重なるセンサ電極２１０を形成する。
図１７は、表示装置１０の製造方法の第６工程を説明する図である。第６工程は、センサ電極２１０の上に層間絶縁膜１９０を形成する。層間絶縁膜１９０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等の無機絶縁膜で形成される。第６工程は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などが用いられる。
図１８は、表示装置１０の製造方法の第７工程を説明する図である。第７工程は、層間絶縁膜１９０の上に、引出配線２１６及びブリッジ部２１４Ａを形成する。引出配線２１６は、層間絶縁膜１９０にコンタクトホール１９２を形成した後に形成される。引出配線２１６は、封止層１８０が設けられた酸化物導電層２３０の端部の上を通過して、センサ電極２１０と酸化物導電層２３０とを電気的に接続させる。その後、端子部１０９と電気的に接続するように、フレキシブルプリント基板１０６が、基板１００の周縁領域１０４に貼り付けられる。
以上の表示装置１０の製造方法においては、端子配線２２０が基板１００に形成された後、エッチング（例えば、ドライエッチング）が複数回にわたって行われる。この場合でも、端子配線２２０上には酸化物導電層２３０，２５０が設けられているため、端子配線２２０が露出した状態でエッチングは行われない。よって、オーバーエッチングに起因した端子配線２２０の損傷は生じにくい。また、引出配線２１６は、封止層１８０の上を通過して酸化物導電層２３０の上に引き延ばされている。よって、引出配線２１６は破断しにくい。
＜６．変形例＞
上述した実施形態は、互いに組み合わせたり、置換したりして適用することが可能である。また、上述した実施形態では、以下の通り変形して実施することも可能である。
（変形例１）
第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、透光性の電極でなくてもよい。図１９は、この変形例に係るタッチセンサ２０の一部を示す上面図である。具体的には、第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、非透光性の材料を用いて形成されている。非透光性の材料は、ここでは低抵抗の金属材料である。この場合、第１センサ電極２１０Ａは金属膜である。第１センサ電極２１０Ａは、メッシュ状に形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）に限定されず、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はチタン（Ｔｉ）であってもよい。
第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、表示装置１０の上面から見たとき、隣り合う２つの画素１３０間の領域と重なる。図１９の例では、第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、それぞれと２つの画素１３０の間の領域に重なり、且つ当該２つの画素１３０と重なる開口部を有する。これにより、第１センサ電極２１０Ａ及び第２センサ電極２１０Ｂは、画素１３０から出射した光が表示装置１０の外部（視認側）へ透過するのを妨げにくくなる。第１センサ電極２１０Ａの配線の線幅は、例えば数μｍである。
Ｄ１方向に隣り合う２つの第２センサ電極２１０Ｂは、ブリッジ部２１４Ｂを介して電気的に接続されている。ブリッジ部２１４Ｂは、第２センサ電極２１０Ｂと同じ材料で形成されている。第２センサ電極２１０Ｂとブリッジ部２１４Ｂとは物理的に一体に形成されてもよいし、別体として形成されてもよい。図１７の例では、ブリッジ部２１４Ｂは、ここでは、Ｄ１方向に延在する３本の配線で構成されるが、２本以下又は４本以上の配線で構成されてもよい。
（変形例２）
上述した実施形態で説明した構成の一部が省略又は変更されてもよい。例えば、各図で説明した表示装置１０の断面構造から、一部の層が除外されてもよいし、別の層が設けられてもよい。また、複数の画素１３０を駆動するフレキシブルプリント基板と、タッチセンサ２０を駆動するフレキシブルプリント基板とが、別個に設けられてもよい。
（変形例３）
上述した実施形態では、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１０：表示装置、２０：タッチセンサ、２０Ｒ：領域、１００：基板、１０１：下地膜、１０２：表示領域、１０３：層間膜、１０４：周縁領域、１０６：フレキシブルプリント基板、１０７：端子部、１０８：駆動回路、１０９：端子部、１１４：平坦化膜、１３０：画素、１３２：半導体膜、１４０：トランジスタ、１４２：半導体膜、１４２ａ：チャネル領域、１４２ｂ：ドレイン領域、１４４：ゲート絶縁膜、１４６：ゲート電極、１４８：ドレイン電極、１５０：無機絶縁膜、１５２：コンタクトホール、１６０：発光素子、１６２：第１電極、１６４：発光層、１６６：第２電極、１６８：隔壁、１８０：封止層、１８２：第１無機膜、１８４：有機膜、１８６：第２無機膜、１９０：層間絶縁膜、１９２：コンタクトホール、２１０：センサ電極、２１０Ａ：第１センサ電極、２１０Ｂ：第２センサ電極、２１２Ａ：第１タッチセンサ配線、２１２Ｂ：第２タッチセンサ配線、２１４Ａ：ブリッジ部、２１４Ｂ：ブリッジ部、２１６：引出配線、２２０：端子配線、２３０：酸化物導電層、２５０：酸化物導電層、２５２：異方性導電部材、２６０：配線層、３００：開口部、４００：開口部、５００：開口部

Claims (9)

  1. 基板の上に設けられた複数の画素を含む表示領域を囲む周縁領域に第１配線を形成し、
    前記第１配線の一部と重なる第１絶縁層を形成し、
    前記第１配線の上に、前記第１配線と電気的に接続する第１酸化物導電層を形成し、
    前記表示領域及び前記周縁領域と重なり、前記複数の画素を封止する、封止層を形成し、
    前記第１酸化物導電層の一部を露出させ、前記第１酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように前記封止層をエッチングし、
    前記封止層の上に、前記基板上の前記複数の画素を含む表示領域と重なるセンサ電極を形成し、
    前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記第１酸化物導電層とを電気的に接続させる第２配線を形成する、
    表示装置の製造方法。
  2. 前記封止層は、前記第１酸化物導電層のすべての端部の上に設けられている、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記封止層をエッチングした後に、前記封止層の上に第２絶縁層を形成することを含む、請求項１又は請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記第１酸化物導電層を露出させる前記第２絶縁層の開口部を含み、前記封止層の端部は、前記開口部の端部と前記表示領域との間に設けられる、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記封止層をエッチングした後に、前記第１酸化物導電層の上に前記封止層の少なくとも一部の端部に重なるように、第３配線を形成することを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記第２配線を形成した後に、前記第１配線と電気的に接続し、前記複数の画素及び前記センサ電極を含むタッチセンサを駆動するフレキシブルプリント基板を前記基板に接続することを含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記第１絶縁層の上に、前記第１配線と電気的に接続する第２酸化物導電層を前記第１酸化物導電層とともに形成し、
    前記封止層を形成した後に、前記第２酸化物導電層の一部を露出させ、前記第２酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように前記封止層をエッチングし、
    前記第２配線を形成した後に、前記センサ電極を含むタッチセンサを駆動するフレキシブルプリント基板を、前記第２酸化物導電層と電気的に接続する、
    請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記センサ電極は、第１センサ電極及び第２センサ電極を備え、前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極は互いに絶縁され、かつ同一の絶縁表面に設けられている、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記第１絶縁層は、有機物を含む層である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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