JP6942602B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の一実施形態は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
フレキシブルプリント基板を貼り付けた表示装置において、基板側の接続電極が、ITO(Indium Tin Oxide)によって形成されることがある(例えば、特許文献1)。フレキシブルプリント基板には、信号伝送のための配線が形成されている。
特開2013−214085号公報
ところで、封止層上にセンサ電極を形成するオンセル方式のタッチセンサを採用した表示装置は、当該表示装置の薄型化、低コスト化に寄与することが期待できる。かかる表示装置では、タッチセンサに用いる電極(以下「センサ電極」という。)から延ばした配線が基板の上に配置されて、所定の端子と電気的に接続される場合がある。この場合に、基板上の表面形状に起因して、当該配線が破断しやすくなる場合がある。
本発明は、上記問題に鑑み、基板上の端子の損傷の発生を抑えつつ、センサ電極と当該端子とを電気的に接続するための技術を提供することを目的の一つとする。
本発明の一態様は、複数の画素を含む表示領域を有する基板と、前記基板の上に設けられた第1配線と、前記第1配線の一部と重なる絶縁層と、前記第1配線の上に設けられ、前記第1配線と電気的に接続する酸化物導電層と、前記表示領域及び前記酸化物導電層の少なくとも一部の端部と重なり、前記複数の画素を封止する封止層と、前記封止層の上に設けられ、前記表示領域と重なるセンサ電極と、前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記酸化物導電層とを電気的に接続させる第2配線と、を備える、表示装置である。
本発明の一態様は、基板の上に第1配線を形成し、前記第1配線の一部と重なる絶縁層を形成し、前記第1配線の上に、前記第1配線と電気的に接続する酸化物導電層を形成し、前記表示領域及び前記酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように、前記複数の画素を封止する封止層を形成し、前記封止層の上に、前記基板上の複数の画素を含む表示領域と重なるセンサ電極を形成し、前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記酸化物導電層とを電気的に接続させる第2配線を形成する、表示装置の製造方法である。
本発明の実施形態1に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチセンサを示す上面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。 本発明の実施形態1に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態1に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態1に係る比較例を示す断面図である。 本発明の実施形態2に係る表示装置の構成を示す上面図である。 本発明の実施形態2に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態2に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態3に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の実施形態4に係る表示装置の端子配線が設けられた領域の周辺の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第1工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第2工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第3工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第4工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第5工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第6工程を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法の第7工程を説明する断面図である。 本発明の一変形例に係るタッチセンサの一部を示す上面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板に対して表示素子が配置される側を「上」又は「上面」といい、その逆を「下」又は「下面」として説明する。
また、本明細書において「αはA、B又はCを含む」、「αはA,B及びCのいずれかを含む」、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはA〜Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
[実施形態1]
<1.表示装置の構成>
図1は、本発明の実施形態に係る表示装置10の上面図を示す。
表示装置10は、有機EL表示装置である。表示装置10は、基板100、フレキシブルプリント基板106、複数の端子部107、駆動回路108、複数の端子部109、及びタッチセンサ20を備える。
基板100の上面は、表示領域102と、周縁領域104とを含む。表示領域102は、画像(静止画又は動画)を表示する領域である。表示領域102は、複数の画素130を含む。複数の画素130は、例えば、マトリクス状に配置されている。周縁領域104は、表示領域102の周縁の領域で、画像を表示しない非表示領域である。
複数の端子部107は、基板100の上の周縁領域104に設けられている。フレキシブルプリント基板106は、周縁領域104において基板100の上に貼り付けられ、複数の端子部107の各々と電気的に接続する。駆動回路108は、フレキシブルプリント基板106の上に設けられている。フレキシブルプリント基板106は、複数の画素130及びタッチセンサ20を駆動する。具体的には、駆動回路108は、複数の画素130を駆動する信号(例えば、各種映像信号及び制御信号)、及びタッチセンサ20を駆動する信号(例えば、センサ電極に検出用の電圧の供給を指示する信号)を供給する。図1には示していないが、基板100上に、ゲートドライバ及びソースドライバが設けられてもよい。ゲートドライバ及びソースドライバは、駆動回路108からの信号に応じて、複数の画素130を駆動する。
タッチセンサ20は、表示領域102に重ねられている。タッチセンサ20は、ここではオンセル方式のタッチセンサである。オンセル方式は、表示装置の内部にタッチセンサを組み込む方式である。複数の端子部109は、基板100上の周縁領域104に設けられている。複数の端子部109の各々は、いずれか一の端子部107を介して、フレキシブルプリント基板106と電気的に接続する。
<2.タッチセンサ20の構成>
図2は、タッチセンサ20を示す上面図である。タッチセンサ20は、ここでは、相互容量方式のタッチセンサである。タッチセンサ20は、複数の第1センサ電極210A、及び複数の第2センサ電極210Bを含む。複数の第1センサ電極210A、及び複数の第2センサ電極210Bの各々は、表示領域102と重なる。複数の第1センサ電極210Aと複数の第2センサ電極210Bとは互いに絶縁されている。
第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、ここでは、D1方向及びD2方向に対角線を有する菱形の電極である。第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、例えば、酸化インジウム亜鉛(IZO)を用いた透明導電膜であるが、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、又は酸化インジウム錫亜鉛(ITZO)などが用いられてもよい。
第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、それぞれ複数配置されている。表示領域102の短辺方向(以下「D1方向」という。)に隣り合う2つの第1センサ電極210Aは互いに接続されている。表示領域102の長辺方向(以下「D2方向」という。)に隣り合う2つの第1センサ電極210Aは互いに離間している。D1方向に配置延在する複数の第1センサ電極210Aを含む配線を、以下、「第1タッチセンサ配線212A」という。D2方向に隣り合う2つの第2センサ電極210Bは互いに接続されている。D1方向に隣り合う2つの第2センサ電極210Bは互いに離間している。D2方向に延在する複数の第2センサ電極210Bを含む配線を、以下「第2タッチセンサ配線212B」という。D1方向とD2方向とは交差する。第1センサ電極210Aは、タッチセンサ20における送信電極である。第2センサ電極210Bは、タッチセンサ20における受信電極である。これに代えて、第2センサ電極210Bがタッチセンサ20における送信電極、第1センサ電極210Aがタッチセンサ20における受信電極であってもよい。
図3は、タッチセンサ20の一部である領域20Rを拡大した上面図である。D1方向に隣り合う2つの第1センサ電極210Aは、ブリッジ部214Aを介して電気的に接続されている。ブリッジ部214Aは、第1センサ電極210Aと同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。図2に示した第1タッチセンサ配線212Aは、複数の第1センサ電極210A、複数のブリッジ部214A、及び引出配線216によって構成されている。D2方向に隣り合う2つの第2センサ電極210Bは、ブリッジ部214Bを介して電気的に接続されている。ブリッジ部214Aは、ブリッジ部214Bの上に設けられている。ブリッジ部214Aとブリッジ部214Bとが交差する箇所は、絶縁層を介して上下に絶縁されている。図2に示した第2タッチセンサ配線212Bは、複数の第2センサ電極210B、複数のブリッジ部214B、及び引出配線216によって構成されている。
以下、第1センサ電極210Aと、第2センサ電極210Bの各々を区別しないときは、これらを「センサ電極210」と総称する。複数のセンサ電極210のうち、表示領域102の各辺に隣接するセンサ電極210は、引出配線216を介して、いずれか一の端子部109と電気的に接続されている。引出配線216は、水分遮断領域T及び封止層180の上に設けられている。
<3.タッチセンサ20の駆動>
駆動回路108は、複数の第1タッチセンサ配線212Aを介して、第1センサ電極210Aに電圧を供給する。第1センサ電極210Aと第2センサ電極210Bとの間には、この供給した電圧に応じた電界が発生する。例えば、人の指が表示装置10に触れたとき、第1センサ電極210Aと第2センサ電極210Bとの間の電界が変化する。これにより、第1タッチセンサ配線212Aと第2タッチセンサ配線212Bとの間の容量が変化する。駆動回路108は、複数の第2タッチセンサ配線212Bを介して、第2センサ電極210Bからの信号の入力を受け付ける。表示装置10は、この信号に基づいて、人の指が触れた位置を検知する。この場合は、駆動回路108は、第1センサ電極210Aを駆動して、第2センサ電極210Bを介して容量値の変化を読み取っている。駆動回路108は、逆に、第2センサ電極210Bを駆動して、第1センサ電極210Aを介して容量値の変化を読み取ってもよい。
<4.断面構造>
図4は、表示装置10の断面図を示す。図4は、図3における切断線X1−X2に沿った断面図である。切断線X1−X2は、センサ電極210、ブリッジ部214A、引出配線216、端子部107,109を通過する切断線を示す。
基板100は、例えば可撓性を有する基板である。基板100は、基材、ベースフィルム、又はシート基材と呼ばれることがある。基板100は、例えば有機樹脂基板である。この場合、基板100を構成する有機樹脂材料は、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリエチレンテレフタレートである。基板100の厚みは、例えば、10μmから数百μmの間である。
トランジスタ140が、下地膜101を介した基板100の上に設けられている。トランジスタ140は、半導体膜142、ゲート絶縁膜144、ゲート電極146、及びソース/ドレイン電極148を含む。ゲート電極146は、ゲート絶縁膜144を介して半導体膜142と重なる。半導体膜142のチャネル領域142aは、ゲート電極146と重なる領域である。半導体膜142は、チャネル領域142aを挟むソース/ドレイン領域142bを有する。
層間膜103がゲート電極146上に設けられている。層間膜103は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸窒化膜等の無機絶縁膜を含む。ソース/ドレイン電極148は、層間膜103及びゲート絶縁膜144に設けられた開口において、ソース/ドレイン領域142bと接続されている。
トランジスタ140は、ここではトップゲート型のトランジスタであるが、これ以外のトランジスタであってもよい。トランジスタ140は、例えば、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極146を複数有するマルチゲート型トランジスタ、又は半導体膜142の上下を二つのゲート電極146で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。
端子配線220は、基板100の上に設けられた第1配線である。端子配線220は、周縁領域104に設けられている。端子配線220は、層間膜103、ゲート絶縁膜144、及び下地膜101が除去された領域158において、基板100と接している。この部分において表示装置10は折り曲げ可能になっている。無機絶縁膜は靱性が低く、折り曲げの力を加えたときにクラックを生じやすいため、折り曲げ箇所周辺では図4のように除去されることが好ましい。端子配線220は、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステンを主成分とする材料で形成されるが、これら以外の材料で形成されてもよい。
平坦化膜114が、端子配線220の一部に重ねて設けられている。具体的には、平坦化膜114は、端子配線220の一部のほか、層間膜103、及びトランジスタ140に重なる。平坦化膜114の上面は平坦である。平坦化膜114は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。すなわち、平坦化膜114は、有機物を含む絶縁層(第1絶縁層)である。無機絶縁膜150が、平坦化膜114の上に設けられている。無機絶縁膜150は、トランジスタ140などの半導体素子を保護する。平坦化膜114、及び無機絶縁膜150には、コンタクトホール152が設けられている。コンタクトホール152は、後述する発光素子160の第1電極162とソース/ドレイン電極148とを電気的に接続させるための開口である。
発光素子160が、無機絶縁膜150の上に設けられている。発光素子160は、第1電極(画素電極)162、発光層164、及び第2電極(対向電極)166を含む。第1電極162は、コンタクトホール152を覆っている。第1電極162は、ソース/ドレイン電極148と電気的に接続される。隔壁(バンク)168は、第1電極162の端部を覆っている。隔壁168が、第1電極162の端部を覆っている。これにより、その上に設けられる発光層164及び第2電極166の断線が防止される。画素130は、発光素子160及びトランジスタ140を含んで構成される。
発光層164は、隔壁168から露出した第1電極162を覆っている。図4では、発光層164は隔壁168の開口部のみに形成されているが、発光層164の一部が隔壁168上まで延びるように形成されてもよいし、複数の画素に共通の層として一様に形成されてもよい。第2電極166は、発光層164の上に設けられている。発光層164は、ここでは、低分子系又は高分子系の有機EL材料を用いて作製される。発光層164は、第1電極162及び第2電極166に供給される電圧に応じて発光する。具体的には、第1電極162及び第2電極166から、発光層164へキャリアが注入される。発光層164内で、キャリアが再結合する。発光層164は、発光性分子が励起状態となり、当該励起状態が基底状態へ緩和するプロセスを経ることにより、発光する。第1電極162と発光層164とが接する領域が、画素130の発光領域である。発光層164は、例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、及び励起子阻止層などを含む。すなわち、発光素子160は、有機EL素子である。
酸化物導電層230が、端子配線220の上に設けられている。具体的には、酸化物導電層230は、平坦化膜114及び無機絶縁膜150に設けられたコンタクトホールにおいて、端子配線220の直上に設けられている。端子部109は、当該コンタクトホールにおいて端子配線220に酸化物導電層230を積層させた電極である。酸化物導電層230は、例えば酸化インジウム錫(ITO)で形成されているが、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)、又は酸化インジウム錫亜鉛(ITZO)などの導電性の酸化物で形成されてもよい。
封止層180は、表示領域102、及び周縁領域104の一部に設けられ、複数の画素130を封止する。封止層180は、周縁領域104のうち、少なくとも、端子部109における酸化物導電層230の一部の端部に設けられている。封止層180は、外部から発光素子160及びトランジスタ140に不純物(水、酸素など)が侵入することを防ぐ。封止層180は、具体的には、第1無機膜182、有機膜184、及び第2無機膜186を含む。第1無機膜182及び第2無機膜186は、例えば、無機化合物を含む膜である。第1無機膜182及び第2無機膜186は、例えば、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁材料を含む。有機膜184は、第1無機膜182と第2無機膜186との間に設けられ、例えば有機化合物を含む膜である。有機膜184は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
センサ電極210(第1センサ電極210A及び第2センサ電極210B)は、表示領域102において、封止層180(より具体的には、第2無機膜186の上に設けられている。
層間絶縁膜190は、センサ電極210、及び封止層180の上に設けられた第2絶縁層である。層間絶縁膜190は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
ブリッジ部214A及び引出配線216が、層間絶縁膜190の上に設けられている。ブリッジ部214Aは、発光素子160に重ならない位置、より具体的には、隔壁168に重なる位置に設けられている。層間絶縁膜190には、コンタクトホール192が設けられている。コンタクトホール192は、センサ電極210と引出配線216とを電気的に接続させるための開口である。
引出配線216の下方において、平坦化膜114には、コンタクトホールが設けられている。これにより、無機絶縁膜150、第1無機膜182及び有機膜184が積層している。この積層構造は、発光層164への水分の浸入を防ぐことから、水分遮断領域Tを構成する。
引出配線216は、層間絶縁膜190の上に設けられて、表示領域102から端子部109の方向に延在する。具体的には、引出配線216は、封止層180が設けられた酸化物導電層230の端部の上を通過して、センサ電極210と酸化物導電層230とを電気的に接続させる第2配線である。引出配線216は、端子配線220とは直接は接触せずに、酸化物導電層230を介して、端子配線220と電気的に接続する。引出配線216は、端子配線220と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
平坦化膜114上の領域のうち、領域158よりもフレキシブルプリント基板106側の領域には、端子部107が設けられている。端子部107は、平坦化膜114及び無機絶縁膜150に設けられたコンタクトホールにおいて、端子配線220に酸化物導電層250(第2酸化物導電層)を積層させた電極である。すなわち、フレキシブルプリント基板106は、端子配線220とは直接は接触しない。酸化物導電層250は、例えば、異方性導電部材252によりフレキシブルプリント基板106と電気的に接続される。フレキシブルプリント基板106からの信号は、酸化物導電層250、端子配線220、及び酸化物導電層230を介して引出配線216に供給される。
図5は、端子部109の付近を拡大した断面図である。図5に示すように、酸化物導電層230の表示領域102側の一部の端部P1の上には、封止層180の第1無機膜182が設けられている。一方、酸化物導電層230のうち、端部P1の反対側の端部P2の上には、封止層180が設けられていない。なお、センサ電極210、ブリッジ部214A、引出配線216、端子部107,109を通過する他の切断線で表示装置10を切断した場合も、断面構造は図4及び図5で説明した構造と大略同じである。
表示装置10において、封止層180は、発光素子160を水分等から保護するために、数μm〜数十μmの膜厚で形成される。そのため、エッチング(例えば、ドライエッチング)により端子配線220を露出させる場合、エッチング不足による開口不足を避けるため、十分にエッチングを行う必要がある。従って、一部の領域ではオーバーエッチングとなる場合がある。このオーバーエッチングにより、露出した端子配線220が損傷し、歩留まり、信頼性の低下の問題が生じる可能性がある。そこで、エッチング耐性の高い酸化物導電層230,250が、端子配線220に設けられることで、オーバーエッチングが行われた場合の端子配線220の表面が損傷しにくくなる。酸化物導電層は一般に、有機層や配線のエッチングに対して選択比が低いため、端子配線220の損傷を抑えるのに適している。なお、本実施形態では、端子部107に酸化物導電層250が含まれているが、酸化物導電層250が含まれていなくてもよい。
また、図5に示すように、端部P1は、封止層180の第1無機膜182よって覆われている。一方、酸化物導電層230のうち、端部P1の反対側の端部P2は、封止層180によって覆われていない。端部P2においては、前述のオーバーエッチングによって、平坦化膜114の一部が除去されてしまい、平坦化膜114の上面に段差K1が存在する。一方、端部P1においては、封止層180の存在により平坦化膜114が除去されないから、このような段差は生じない。
図6に示すように、端部P1が封止層180によって覆われていない場合、前述のオーバーエッチングによって、平坦化膜114の一部が除去され、平坦化膜114の上面に段差K2が存在する。これにより、引出配線216は、段差K2において下に凸の形状となる。その結果、破断位置Bで示すように、引出配線216が破断してしまう可能性がある。一方、本実施形態の表示装置10においては、段差K2が存在しないから、引出配線216が破断されてしまう可能性は低くなる。
また、本実施形態では、第1センサ電極210Aと第2センサ電極210Bとが同一の絶縁表面である層間絶縁膜190の上面に設けられている。よって、第1センサ電極210Aと第2センサ電極210Bとの反射差が視認されにくい。
[実施形態2]
図7は、実施形態2に係る表示装置10のタッチセンサ20の一部である領域20Rを拡大した上面図である。図8は、図7における切断線X3−X4に沿った断面図である。切断線X3−X4は、センサ電極210、ブリッジ部214A、引出配線216、端子部107,109を通過する切断線を示す。図9は、端子部109の付近を拡大した断面図である。この実施形態では、封止層180は、複数の端子部109の各々に対応した開口部300を有する。封止層180が、端子部109のすべての端部の上に設けられているように、開口部300が形成されている。また、図8に示すように、封止層180は、酸化物導電層250の少なくとも一部の端部の上に設けられている。そして、フレキシブルプリント基板106は、封止層180が設けられた酸化物導電層250の端部の上に設けられ、酸化物導電層250と電気的に接続する。これにより、端子部107においても端子配線220の損傷を抑える効果が期待できる。
[実施形態3]
図10は、実施形態3に係る端子部109の付近を拡大した断面図である。実施例3では、層間絶縁膜190が、酸化物導電層230に重なる領域P3,P4に設けられている。また、引出配線216は、直下に層間絶縁膜190が存在するように、層間絶縁膜190の上に設けられている。よって、引出配線216が形成される部分の下地が均一化され、引出配線216と下地との密着力が均一化されやすくなる。その結果、配線形成でのCD(Critical Dimension)のばらつきが軽減される。また、酸化物導電層230を露出させる層間絶縁膜190の開口部400は、封止層180の開口部500よりも小さい。これにより、周縁領域104の縮小化が可能となる。
[実施形態4]
図11は、実施形態4に係る端子部109の付近を拡大した断面図である。この実施形態では、酸化物導電層230と引出配線216との間に配線層260(第3配線)を備える。配線層260は、端子配線220、第1無機膜182及び第2無機膜186の上に設けられている。配線層260は、センサ電極210と同じ材料で形成されてもよいし、別の材料で形成されてもよい。引出配線216は、配線層260及び酸化物導電層230を介して、端子配線220と電気的に接続する。配線層260の存在により端子配線220の損傷の可能性は、より低くなる。
<5.表示装置10の製造方法>
表示装置10の製造方法の一例を説明する。図12〜図18は、実施形態1に係る表示装置10の製造方法を説明する図である。
図12は、表示装置10の製造方法の第1工程を説明する図である。第1工程は、基板100上に端子配線220を形成する。本実施形態では、第1工程は、基板100の上に、下地膜101、半導体膜132、ゲート絶縁膜144、ゲート電極146、及び層間膜103が形成され、さらに層間膜103に領域158が形成された後、当該領域158に位置するように、端子配線220を形成する。各種配線、電極の形成は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法などが用いられる。
図13は、表示装置10の製造方法の第2工程を説明する図である。第2工程は、基板100上に、端子配線220の一部に重ねて平坦化膜114を形成する。本実施形態では、第2工程は、ソース/ドレイン電極148が形成された後、平坦化膜114を形成する。平坦化膜114には、コンタクトホール152、及び酸化物導電層230,250を形成するためのコンタクトホールが設けられている。第2工程は、例えば、樹脂材料を含む溶液塗布などの湿式成膜法、感光による形成などを用いる。
図14は、表示装置10の製造方法の第3工程を説明する図である。第3工程は、平坦化膜114及び端子配線220上に、端子配線220と電気的に接続する酸化物導電層230,250を形成する。本実施形態では、第3工程は、平坦化膜114の上に無機絶縁膜150が形成された後、所定のコンタクトホールに酸化物導電層230,250を形成する。無機絶縁膜150には、コンタクトホール152、水分遮断領域T及び酸化物導電層230,250を形成するためのコンタクトホールが開けられている。
図15は、表示装置10の製造方法の第4工程を説明する図である。第4工程は、表示領域102及び酸化物導電層230,250の少なくとも一部の端部と重なり、複数の画素130を封止する封止層180を形成する。本実施形態では、第3工程は、無機絶縁膜150の上に、各々が発光素子160を含む複数の画素130が形成された後に、封止層180を形成する。第5工程は、例えば、スパッタリング法やCVD法などを用いる。
図16は、表示装置10の製造方法の第5工程を説明する図である。第5工程は、表示領域102において、封止層180の上に表示領域102と重なるセンサ電極210を形成する。
図17は、表示装置10の製造方法の第6工程を説明する図である。第6工程は、センサ電極210の上に層間絶縁膜190を形成する。層間絶縁膜190は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等の無機絶縁膜で形成される。第6工程は、例えば、スパッタリング法やCVD法などが用いられる。
図18は、表示装置10の製造方法の第7工程を説明する図である。第7工程は、層間絶縁膜190の上に、引出配線216及びブリッジ部214Aを形成する。引出配線216は、層間絶縁膜190にコンタクトホール192を形成した後に形成される。引出配線216は、封止層180が設けられた酸化物導電層230の端部の上を通過して、センサ電極210と酸化物導電層230とを電気的に接続させる。その後、端子部109と電気的に接続するように、フレキシブルプリント基板106が、基板100の周縁領域104に貼り付けられる。
以上の表示装置10の製造方法においては、端子配線220が基板100に形成された後、エッチング(例えば、ドライエッチング)が複数回にわたって行われる。この場合でも、端子配線220上には酸化物導電層230,250が設けられているため、端子配線220が露出した状態でエッチングは行われない。よって、オーバーエッチングに起因した端子配線220の損傷は生じにくい。また、引出配線216は、封止層180の上を通過して酸化物導電層230の上に引き延ばされている。よって、引出配線216は破断しにくい。
<6.変形例>
上述した実施形態は、互いに組み合わせたり、置換したりして適用することが可能である。また、上述した実施形態では、以下の通り変形して実施することも可能である。
(変形例1)
第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、透光性の電極でなくてもよい。図19は、この変形例に係るタッチセンサ20の一部を示す上面図である。具体的には、第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、非透光性の材料を用いて形成されている。非透光性の材料は、ここでは低抵抗の金属材料である。この場合、第1センサ電極210Aは金属膜である。第1センサ電極210Aは、メッシュ状に形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウム(Al)である。金属材料は、アルミニウム(Al)に限定されず、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、タングステン(W)又はチタン(Ti)であってもよい。
第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、表示装置10の上面から見たとき、隣り合う2つの画素130間の領域と重なる。図19の例では、第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、それぞれと2つの画素130の間の領域に重なり、且つ当該2つの画素130と重なる開口部を有する。これにより、第1センサ電極210A及び第2センサ電極210Bは、画素130から出射した光が表示装置10の外部(視認側)へ透過するのを妨げにくくなる。第1センサ電極210Aの配線の線幅は、例えば数μmである。
D1方向に隣り合う2つの第2センサ電極210Bは、ブリッジ部214Bを介して電気的に接続されている。ブリッジ部214Bは、第2センサ電極210Bと同じ材料で形成されている。第2センサ電極210Bとブリッジ部214Bとは物理的に一体に形成されてもよいし、別体として形成されてもよい。図17の例では、ブリッジ部214Bは、ここでは、D1方向に延在する3本の配線で構成されるが、2本以下又は4本以上の配線で構成されてもよい。
(変形例2)
上述した実施形態で説明した構成の一部が省略又は変更されてもよい。例えば、各図で説明した表示装置10の断面構造から、一部の層が除外されてもよいし、別の層が設けられてもよい。また、複数の画素130を駆動するフレキシブルプリント基板と、タッチセンサ20を駆動するフレキシブルプリント基板とが、別個に設けられてもよい。
(変形例3)
上述した実施形態では、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
10:表示装置、20:タッチセンサ、20R:領域、100:基板、101:下地膜、102:表示領域、103:層間膜、104:周縁領域、106:フレキシブルプリント基板、107:端子部、108:駆動回路、109:端子部、114:平坦化膜、130:画素、132:半導体膜、140:トランジスタ、142:半導体膜、142a:チャネル領域、142b:ドレイン領域、144:ゲート絶縁膜、146:ゲート電極、148:ドレイン電極、150:無機絶縁膜、152:コンタクトホール、160:発光素子、162:第1電極、164:発光層、166:第2電極、168:隔壁、180:封止層、182:第1無機膜、184:有機膜、186:第2無機膜、190:層間絶縁膜、192:コンタクトホール、210:センサ電極、210A:第1センサ電極、210B:第2センサ電極、212A:第1タッチセンサ配線、212B:第2タッチセンサ配線、214A:ブリッジ部、214B:ブリッジ部、216:引出配線、220:端子配線、230:酸化物導電層、250:酸化物導電層、252:異方性導電部材、260:配線層、300:開口部、400:開口部、500:開口部

Claims (9)

  1. 基板の上に設けられた複数の画素を含む表示領域を囲む周縁領域に第1配線を形成し、
    前記第1配線の一部と重なる第1絶縁層を形成し、
    前記第1配線の上に、前記第1配線と電気的に接続する第1酸化物導電層を形成し、
    前記表示領域及び前記周縁領域と重なり、前記複数の画素を封止する、封止層を形成し、
    前記第1酸化物導電層の一部を露出させ、前記第1酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように前記封止層をエッチングし、
    前記封止層の上に、前記基板上の前記複数の画素を含む表示領域と重なるセンサ電極を形成し、
    前記封止層が設けられた前記端部の上を通過して、前記センサ電極と前記第1酸化物導電層とを電気的に接続させる第2配線を形成する、
    表示装置の製造方法。
  2. 前記封止層は、前記第1酸化物導電層のすべての端部の上に設けられている、請求項1に記載の表示装置の製造方法
  3. 前記封止層をエッチングした後に、前記封止層の上に第2絶縁層を形成することを含む、請求項1又は請求項2に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記第1酸化物導電層を露出させる前記第2絶縁層の開口部を含み、前記封止層の端部は、前記開口部の端部と前記表示領域との間に設けられる、請求項3に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記封止層をエッチングした後に、前記第1酸化物導電層の上に前記封止層の少なくとも一部の端部に重なるように、第3配線を形成することを含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記第2配線を形成した後に、前記第1配線と電気的に接続し、前記複数の画素及び前記センサ電極を含むタッチセンサを駆動するフレキシブルプリント基板を前記基板に接続することを含む、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記第1絶縁層の上に、前記第1配線と電気的に接続する第2酸化物導電層を前記第1酸化物導電層とともに形成し、
    前記封止層を形成した後に、前記第2酸化物導電層の一部を露出させ、前記第2酸化物導電層の少なくとも一部の端部に重なるように前記封止層をエッチングし、
    前記第2配線を形成した後に、前記センサ電極を含むタッチセンサを駆動するフレキシブルプリント基板を、前記第2酸化物導電層と電気的に接続する、
    請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記センサ電極は、第1センサ電極及び第2センサ電極を備え、前記第1センサ電極及び前記第2センサ電極は互いに絶縁され、かつ同一の絶縁表面に設けられている、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記第1絶縁層は、有機物を含む層である、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
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