CN111095385B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

使形成在显示区域(DA)中的阳极(22)的内部开口的开口(HA)大于使形成在周边显示区域(DB)中的阳极(22)的内部开口的开口(HB)。形成在显示区域(DA)中的发光层(24)具有与形成在周边显示区域(DB)中的发光层(24)相同的形状和相同的大小。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种发光装置，在该发光装置的设有多个具有发光元件的像素的有效区域的外侧，连接至阴极的阴极配线设置为包围有效区域，并且在阴极配线与有效区域之间设有连接至像素电极的第一～第三电源线。
专利文献2中公开了一种电光装置，虚拟功能层的底部到隔壁的顶部的高度高于功能层的底部到隔壁的顶部的高度。
专利文献3中公开了一种有机EL装置，对于相邻的隔壁内区域，一隔壁内区域的端部设置在相对于另一隔壁内区域的端部在长度方向上错开的位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报：特开2015-158572号公报专利文献2：日本公开专利公报：特开2009-081097号公报专利文献3：日本公开专利公报：特开2007-11556号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1～3的配置中，需要在显示区域的周边设置不用于显示的虚拟区域，因此对显示区域的宽度产生一定的制约。
本发明是为了解决所述问题而做出的，其目的在于使显示面上的整个可显示区域更宽。
解决问题的手段
为了解决所述问题，本发明的一个方面涉及的显示装置，包括：第一电极；平坦化膜，其形成在所述第一电极的上层并覆盖所述第一电极的端部；发光层，其形成在所述第一电极的上层；第二电极，其形成在所述发光层的上层，所述显示装置特征在于：所述显示装置由第一显示区域和形成在第一显示区域周边的第二显示区域构成，使形成在所述第一显示区域中的所述第一电极即第一像素电极的内部开口的第一开口大于使形成在所述第二显示区域中的所述第一电极即第二像素电极的内部开口的第二开口，形成在所述第一显示区域中的所述发光层即第一发光层具有与形成在所述第二显示区域中的所述发光层即第二发光层相同的形状和大小。
发明效果
根据本发明的一个方面，能够使显示面上的整个可显示区域更宽。
附图说明
图1是示出了实施方式1涉及的显示装置的结构示例的俯视图。
图2是示出了实施方式1涉及的显示装置的结构示例的剖视图。
图3是示出了实施方式1涉及的子像素的结构的俯视图。
图4是示出了实施方式1涉及的显示装置的其它结构示例的俯视图。
图5是示出了实施方式1涉及的显示装置的更详细的结构示例的俯视图。
图6是示出了布线配置的俯视图。
图7是示出了实施方式1涉及的显示装置的其它结构示例的俯视图。
图8是示出了实施方式1涉及的子像素的细节的俯视图。
图9是示出了实施方式2涉及的周边显示区域的结构的俯视图。
图10是示出了实施方式2涉及的子像素的结构示例的电路图。
具体实施方式
[实施方式1]
(显示装置1的结构示例)
图1是示出了实施方式1涉及的显示装置1的结构示例的俯视图。显示装置1包括配置在其显示面的显示区域DA(第一显示区域)、周边显示区域DB(第二显示区域)、以及边框区域DC。周边显示区域DB以及边框区域DC形成在显示区域DA的周边。在本实施方式中，整个边框区域DC相当于周边显示区域DB。换而言之，周边显示区域DB的大小与边框区域DC的大小相等。
显示装置1包括形成在显示区域DA中的一组子像素SPA(第一像素)和形成在周边显示区域DB中的一组子像素SPB(第二像素)。显示装置1在显示区域DA以及周边显示区域DB显示信息。
(显示装置1的剖面结构示例)
图2是示出了实施方式1涉及的显示装置1的结构示例的剖视图。图2(a)示出了显示装置1的显示区域DA的剖面示例，图2(b)示出了显示装置1的周边显示区域DB的剖面示例。图2中的显示装置1是朝上发光的顶部发射型，从下依次包括基材10、树脂层12、势垒层3(底涂层)、TFT层4、发光元件层5、密封层6、粘接层38以及功能膜39。
作为树脂层12的材料，例如举出聚酰亚胺、环氧树脂、酰胺等。作为基材10的材料，例如举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
势垒层3是在使用显示装置时，防止水分或杂质到达TFT层4或发光元件层5的层，例如可以由通过DVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氧氮化硅膜或它们的叠层膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、形成在半导体膜15的上层的无机绝缘膜16、形成在无机绝缘膜16的上层的栅电极G、形成在栅电极G的上层的无机绝缘膜18、形成在无机绝缘膜18的上层的电容电极C、形成在电容电极C的上层的无机绝缘膜20、形成在无机绝缘膜20的上层的源极S以及漏极D、形成在源极S以及漏极D的上层的平坦化膜21。
薄膜晶体管Tr(发光控制晶体管)被构成为包括半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、栅电极G。源极S连接到半导体膜15的源区，漏极D连接到半导体膜15的漏区。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。图2中，顶栅结构示出了以半导体膜15为沟道的TFT。
无机绝缘膜16、18、20例如可以由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或其叠层膜构成。平坦化膜(层间绝缘膜)21例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂覆的光敏有机材料构成。
栅电极G、源极S、漏极D、以及端子例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个的金属单层膜或叠层膜构成。
发光元件层5(例如，有机发光二极管层)包括形成在平坦化膜21的上层的阳极22(第一电极)、有源区域(与发光元件层5重叠的区域)中的规定子像素SPA或SPB的平坦化膜23、形成在阳极22的上层的发光层24、形成在发光层24的上层的阴极25(第二电极)。发光元件(例如，有机发光二极管：OLED)被配置为包括阳极22、发光层24以及阴极25。在显示装置1中，阳极22和阴极25可以相反地配置。
平坦化膜23包围阳极22的端部。发光层24通过蒸镀法或喷墨法形成在被平坦化膜23包围的区域(发光区域)中。当发光元件层5是有机发光二极管(OLED)层时，在平坦化膜23的底表面(阳极22露出的部分)的上层，例如层叠有空穴注入层、空穴传输层、发光层24、电子传输层、电子注入层。在此，可以将除了发光层24之外的层作为通用层。
阳极22例如由ITO(Indium Tin Oxide)和包含Ag的合金层叠构成，并具有光反射性(稍后详述)。阴极25可以由ITO或IZO(Indium Zinc Oxide)等透光性导电材料构成。
当发光元件层5是OLED层时，空穴和电子通过阳极22以及阴极25之间的驱动电流在发光层24内再次结合，由此所产生的激子降为基态，从而发光。由于阴极25是透光性的，而阳极22是反光性的，所以从发光层24发出的光朝向上方，并变为顶部发射。
发光元件层5不限于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或量子点发光二极管。
密封层6是透光性的，包括覆盖阴极25的无机密封膜26、形成在无机密封膜26的上层的有机密封膜27、以及覆盖有机密封膜27的无机密封膜28。无机密封膜26、28例如可以由通过使用掩模的CVD形成的、氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜或其层叠膜构成。有机密封膜27是比无机密封膜26、28厚的透光有机膜，可以由聚酰亚胺或丙烯酸等可涂覆的光敏有机材料构成。例如，将包含这种有机材料的墨水喷墨涂布在无机密封膜26上，然后通过UV照射使其固化。密封层6覆盖发光元件层5，并防止水、氧气等异物渗透到发光元件层5中。
功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。
(子像素SPA以及SPB的结构示例)
图3是示出了实施方式1涉及的子像素SPA以及SPB的结构示例的俯视图。如图2(a)以及图3(a)所示，子像素SPA至少包括具有开口HA(第一开口)的平坦化膜23(第一平坦化膜)、配置在平坦化膜23的上层的发光层24(第一发光层)。在子像素SPA中，平坦化膜23包围开口HA的整个外围。发光层24形成为至少完全填充开口HA。发光层24的面积大于开口HA的面积。发光层24中与开口HA重叠的范围有助于显示区域DA中的信息显示。
如图2(b)以及图3(b)所示，子像素SPB至少包括具有开口HB(第二开口)的平坦化膜23、配置在平坦化膜23的上层且具有与子像素SPA的发光层24相同的形状和相同的大小的发光层(第二发光层)。在子像素SPB中，平坦化膜23包围开口HA的整个外围。发光层24形成为至少完全填充开口HB。发光层24的面积大于开口HB的面积。发光层24中与开口HB重叠的范围有助于周边显示区域DB中的信息显示。
上述“相同形状和相同大小”是指在使用具有相同形状和相同大小的掩模图案的掩模将发光层24的发光材料分别蒸镀在显示区域DA以及周边显示区域DB上时，相同形状和相同大小的发光层24最终形成在显示区域DA和周边显示区域DB中。因此，子像素SPA的发光层24和子像素SPB的发光层24不必完全是相同形状和相同的大小。
如图3所示，使形成在显示区域DA中的阳极(22)的内部开口的开口(HA)大于使形成在周边显示区域DB中的阳极22的内部开口的开口HB。并且，形成在显示区域DA中的发光层24具有与形成在周边显示区域DB中的发光层(24)相同的形状和相同的大小。在制造显示装置1时，对于显示区域DA以及周边显示区域DB两者，通过相同大小的掩模开口蒸镀发光层24，该掩模开口形成在用于蒸镀发光材料的精细金属掩模(未图示)上。换而言之，精细金属掩模中的与显示区域DA对应的范围内形成的掩模开口的大小与精细金属掩模中的与周边显示区域DB对应的范围内形成的掩模开口的大小相同。
由于开口HB小于开口HA，因此即使在周边显示区域DB上蒸镀发光材料时的蒸镀图案的精度低，发光层24也被形成为在周边显示区域DB中完全覆盖开口HB。因此，可以在周边显示区域DB中形成正常作用的子像素SPB。在周边显示区域DB中配置这种子像素SPB，从而显示装置1除了显示区域DA还可以使用周边显示区域DB显示信息。这样，在显示装置1中，可以将常规显示装置上什么都不显示的显示区域DA的周边部分(虚拟区域)用作可显示信息的周边显示区域DB。因此，相比现有技术，显示装置1可以使显示面上的整个可显示区域的面积更大。
由于形成在周边显示区域DB中的平坦化膜23的开口HB小于形成在显示区域DA中的平坦化膜23的开口HA，所以在显示精度，周边显示区域DB低于显示区域DA。换而言之，显示区域DA适合显示高分辨率图像，并且周边显示区域DB适合显示低分辨率图像。
在显示区域DA中，为了使发光层24充分发光，不能设置接触孔，以与发光层24中填充在开口HA的部分重叠。因此，在显示区域DA中，如图2(a)所示，薄膜晶体管Tr的接触孔形成在不与开口HA重叠的位置。同样，电容电极C的接触孔也形成在不与开口HA重叠的位置。
在周边显示区域DB中，发光层24中不与开口HB重叠的部分不用作有效的发光层24。因此，在周边显示区域DB中，如图2(b)所示，可以在发光层24中不与开口HB重叠的部分(在显示区域DA中与开口HA重叠的部分)中形成薄膜晶体管Tr的接触孔。同样，电容电极C的接触孔也可以形成在发光层24中不与开口HB重叠的部分。由此，在周边显示区域DB中，可以将薄膜晶体管Tr和电容电极C两者都设置得更靠近开口HB。结果，由于在周边显示区域DB中产生了空白空间41，因此可以在该空白空间41中设置附加的薄膜晶体管。另外，可以在周边显示区域DB中形成具有附加的薄膜晶体管的单片栅极驱动器或单片源极驱动器等各种显示控制电路。因此，可以实现显示装置1，其具有形成在周边显示区域DB的显示控制电路。
(显示装置1的另一结构示例)
图4是示出了实施方式1涉及的显示装置1的另一结构示例的俯视图。在图4(a)中，显示装置1包括显示区域DA、周边显示区域DB、边框区域DC以及剪切部51。周边显示区域DB相当于边框区域DC的一部分。换而言之，在边框区域DC的一部分中形成有多个子像素SPB。在显示区域DA的内部，形成有剪切了显示区域DA的一部分的剪切部51。周边显示区域DB形成在显示区域DA的周边且形成在剪切部51的周边。更详细而言，周边显示区域DB在显示装置1的平面方向的显示区域DA与剪切部51之间，并以包围剪切部51的方式形成。
在图4(b)中，显示装置1包括显示区域DA、周边显示区域DB、边框区域DC以及切口部52。边框区域DC以包围显示区域DA的方式形成。在显示装置1的端部形成有剪切了显示区域DA的一部分以及边框区域DC的一部分的切口部52。周边显示区域DB相当于边框区域DC的一部分。换而言之，在边框区域DC的一部分中形成有多个子像素SPB。周边显示区域DB形成在显示区域DA的周边且形成在切口部52的周边。更详细而言，周边显示区域DB在显示装置1的平面方向的显示区域DA与切口部52之间，并以与切口部52相接的方式形成。
(单片栅极驱动器53的配置)
图5是示出了实施方式1涉及的显示装置1的更详细的结构示例的俯视图。图5所示的显示装置1包括显示区域DA、周边显示区域DB、边框区域DC、单片栅极驱动器53、端子部53、以及多个布线55。周边显示区域DB相当于边框区域DC的一部分。换而言之，边框区域DC中的一部分形成有多个子像素SPB。在图5中，周边显示区域DB形成在显示区域DA的下边侧的周边。单片栅极驱动器53形成在周边显示区域DB中。端子部54形成在边框区域DC中。布线55形成在周边显示区域DB以及边框区域DC中，以重叠边框区域DC。
单片栅极驱动器53是控制显示区域DA以及周边显示区域DB中的显示的显示控制电路的一种。端子部54是安装有用于将显示装置1与外部装置电连接的线缆的一端的部件。多个布线55是电连接显示区域DA和端子部54并且将外部信号传输到显示区域DA的布线。
图6是示出了布线55的俯视图。如该图所示，多个布线55在周边显示区域DB中与发光层24重叠。
(变形例)
图7是示出了实施方式1涉及的显示装置1的其它结构示例的俯视图。在图7中，显示装置1包括显示区域DA、周边显示区域DB、边框区域DC以及认证传感器61。认证传感器61配置在与显示装置1的显示面相对的背面的与外围显示区域DB相对的区域内。认证传感器61例如是使用光或超声波读取用户指纹的指纹传感器。
图8是示出了实施方式1的变形例涉及的子像素SPA以及子像素SPB的细节的俯视图。如该图所示，在子像素SPA中，阳极22(第一像素电极)比发光层24小，且平坦化膜23的开口HA比阳极22小。在子像素SPB中，阳极22(第二像素电极)比发光层24小，且平坦化膜23的开口HB比阳极22小。子像素SPB的发光层24与子像素SPA的发光层24具有相同的形状和相同的大小。子像素SPB的阳极22小于子像素SPA的阳极22。子像素SPB中的平坦化膜23的开口HB小于子像素SPA中的平坦化膜23的开口HA。
总之，图8的显示装置1包括针对多个子像素SPA中的每一个设置的阳极22，以及针对多个子像素SPB中的每一个设置的、比开口HB大且比子像素SPA的阳极22小的阳极22。
如图8所示，认证传感器61配置在与显示装置1的显示面相对的背面。认证传感器61还与周边显示区域DB中的形成有较小的阳极22的部分重叠。由于每个阳极22用作反射电极，所以形成在周边显示区域DB中的每个阳极22的面积越小，周边显示区域DB对光和超声波的透射率就越大。因此，由于与认证传感器61重叠的周边显示区域DB中的每个阳极22的面积小于显示区域DA中每个阳极22的面积，所以周边显示区域中与认证传感器61重叠的部分的光和超声波的透射率高于显示区域DA。此外，由于周边显示区域DB的布线密度和薄膜晶体管的密度小于显示区域DA，所以光和超声波可以容易地穿过周边显示区域DB。从而足够量的光或超声波到达与周边显示区域DB重叠而形成的认证传感器中，因此可以提高认证传感器61的认证精度。
[实施方式2]
图9是示出了实施方式2涉及的周边显示区域DB的结构的俯视图。图9示出了配置在周边显示区域DB中的所有子像素SPB中3行×6的子像素SPB。这3行在图9中从上到下依次称为行R1、R2和R3，而这6列在图9中从左到右依次称为列C1、C2、...，C6。在9中，将某行Rn与某列Cn交叉的位置称为位置(Rn，Cn)。例如，行R1以及列C1交叉的位置为位置(R1，C1)。
图9中，配置在周边显示区域DB中的多个子像素SPBS包括表示红色的子像素SPB、表示绿色的子像素SPB、表示蓝色的子像素SPB。沿各行的行方向，红色子像素SPB、绿色子像素SPB以及蓝色子像素SPB以该顺序重复配置。在各位置处，表示相同颜色的2个子像素SPB沿列方向排列配置。详细而言，配置在位置(R1，C1)处的2个子像素SPB和配置在位置(R4，C1)处的2个子像素SPB均为红色子像素SPB。配置在位置(R2，C1)处的2个子像素SPB和配置在位置(R5，C1)处的2个子像素SPB均为绿色子像素SPB。配置在位置(R3，C1)处的2个子像素SPB和配置在位置(R6，C1)处的2个子像素SPB均为蓝色子像素SPB。
在本实施方式中，在周边显示区域DB中，表示相同颜色的多个子像素SPB可以在列方向上排列配置。在这种情况下，在列方向上排列配置的多个子像素SPA由通用的视频信号驱动。另外，在列方向上排列配置的多个子像素SPB电连接只通用的一个阳极22。
如图9所示，周边显示区域DB还包括多个发光控制晶体管(有源元件)TdR、TdG以及TdB。发光控制晶体管TdR控制红色子像素SPB发光，发光控制晶体管TdG控制绿色子像素SPB发光，发光控制晶体管TdB控制蓝色子像素SPB发光。图9中，配置在周边显示区域DB中的多个子像素SPB中的每一个由对应于其显示色种类的每一个视频信号驱动。具体而言，红色子像素SPB由发光控制晶体管TdR提供的视频信号驱动。绿色子像素SPB由发光控制晶体管TdG提供的视频信号驱动。蓝色子像素SPB由发光控制晶体管TdB提供的视频信号驱动。
图9中，在各位置处，在列方向相邻的2个子像素SPB电连接至通用的阳极22。形成在周边显示区域DB中的通用的阳极22大于电连接至形成在显示区域DA中的每个子像素SPA的单个阳极22，并且通用于2个子像素。在周边显示区域DB中，每个阳极22连接至任一发光控制晶体管Td的漏极。例如，配置在位置(C1，R1)处的通用的阳极22连接至发光控制晶体管Td的漏极。因此，配置在各位置(Rn，Cn)处的2个子像素SPB必定同时驱动。换而言之，显示装置1不能单独驱动电连接至通用的阳极22的2个子像素SPB。
在周边显示区域DB中，连接配置在各位置(Rn，Cn)处的2个子像素SPB和对应的发光控制晶体管Td的布线一根即可。换而言之，不需要在周边显示区域DB中设置布线，所述布线用于将2个子像素SPB中的一个连接至对应的其它发光控制晶体管Td。由此，可以减少周边显示区域DB所需的布线的数量，因此可以更容易地设计周边显示区域DB的子像素结构。此外，在周边显示区域DB中，不需要使不同的阳极22之间导通的布线，因此可以自由地布置周边显示区域中阳极22的下一层的区域。由此，例如可以在周边显示区域DB中形成单片栅极驱动器等。
在周边显示区域DB中，一组子像素SPB中配置在不同位置处的多个子像素SPB电连接至多个发光控制晶体管TdR、TdG以及TdB中的任一通用的发光控制晶体管Td。例如，配置在位置(R1，C1)处的2个子像素SPB与配置在其右边三个相邻位置(R4，C1)处的2个子像素SPB电连接至通用的发光控制晶体管TdR的漏极。换而言之，对于一个发光控制晶体管TdR，4个红色字像素SPB电连接。
图9中，这种发光控制晶体管Td：子像素SPB＝1:4的关系在周边显示区域DB中成立。例如，配置在位置(R2，C1)处的2个绿色子像素SPB与配置在位置(R5，C1)处的2个绿色子像素SPB电连接至通用的发光控制晶体管TdG。此外，配置在位置(R3，C1)处的2个蓝色子像素SPB与配置在位置(R6，C1)处的2个蓝色子像素SPB电连接至通用的发光控制晶体管TdB。
由此，形成在周边显示区域DB中的所有发光控制晶体管Td中的四分之一连接至任一子像素SPB。剩余的四分之三不需要连接至子像素SPB。因此，可以将周边显示区域DB中这些剩余的形成有子像素SPB的部分并入栅极驱动器中，或者将其用作用于时分切换驱动的TFT的一部分。
(子像素SPB的结构)
图10是示出了实施方式2涉及的子像素SPB的结构示例的电路图。在周边显示区域DB中，TFT层4设有在列方向延伸的多个数据线DL、在行方向延伸的多个扫描线SC(n)以及多个发光控制线EM(n)，子像素SPB与数据线DL以及扫描线SC(n)连接。另外，各子像素SPB被提供有用于驱动有机EL元件的高电平电源以及低电平电源VSS、初始化电压Vini。在扫描线SC(n)有效期间，由数据线DL向与其连接的各子像素提供与显示灰度数据对应的电位信号。
子像素SPB包括:形成在图2的TFT层4上的、驱动晶体管Ta、开关晶体管Tb、电源控制晶体管Tc、发光控制晶体管Td、阈值电压补偿晶体管Te、初始化晶体管Tf以及静电电容Cp，和形成在图2的发光元件层5上，且具有发光层24的发光元件ESA(例如有机发光二极管)。每个晶体管Ta～Tf均为薄膜晶体管Tr的一个示例。
对于驱动晶体管Ta，栅电极连接到阈值电压补偿晶体管Te的源极、初始化晶体管Tf的漏极和形成静电电容CP的一个电容电极，而漏极连接至开关晶体管Tb的源极和电源供给控制晶体管Tc的源极，源极连接至发光控制晶体管Td的漏极和阈值电压补偿晶体管Te的漏极。
对于开关晶体管Tb，栅电极连接至第n行的扫描线SC(n)，漏极连接至数据线DL，源极是驱动晶体管Ta的漏极和电源供给控制晶体管Tc的源极。对于电源控制晶体管Tc，栅电极连接至第n行的发光控制线EM(n)，漏极连接至高电平电源VDD的供给线和形成静电电容Cp的另一个电容电极，源极连接至驱动晶体管Ta的漏极和开关晶体管Tb的源极。
发光控制晶体管Td的漏极上连接有子像素SPB的发光元件ESA的阳极22。发光元件ESA的阴极25连接至低电平电源VSS的供给线。发光控制晶体管Td的漏极还并列连接有发出与子像素SPB显示的颜色相同颜色的光且最接近子像素SPB配置的其它子像素SPB的发光元件ESB的阳极。发光元件ESB的阴极25连接至低电平电源VSS的供给线。例如，当图10所示的子像素SPB是配置在图9中位置(R1，C1)处的红色子像素SPB时，图10所示的发光控制晶体管Td是发光控制晶体管TdR。此外，图10所示的发光元件ESA是包括在构成配置在位置(R1，C1)处的红色子像素SPB的发光层24中的发光元件，图10所示的发光元件ESB是包括在构成配置在位置(R1，C4)处的色子像素SPB的发光层24中的发光元件。
另外，在周边显示区域DB中，页可以形成与各个子像素SPB单独连接的各个阳极22。在这种情况下，可以使形成在周边显示区域DB中的阳极22的大小与形成在显示区域DA中的阳极22相同或者更小。在该配置中，可以将多个单独的阳极22电连接到通用的发光控制晶体管Td。具体而言，它们由形成在周边显示区域DB中的引线电连接，并且，将多个电连接的阳极22中的任一个连接至通用的发光控制晶体管Td。
(变形例)
在实施方式1或2中，配置在周边显示区域DB的四个角处的子像素SPB中形成的开口HB的面积优选小于配置在周边显示区域DB的四个角处以外的位置的子像素SPB中形成的开口HB的面积。由此，在发光材料的蒸镀精度可最大程度降低的周边显示区域DB的四个角处，也可以容易地形成正常作用的子像素SPB。
本实施方式涉及的显示装置所具备的电光元件(亮度或透射率由电流控制的电光元件)没有特别限制。作为本实施方式涉及的显示装置，举出：具有OLED(Organic LightEmitting Diode：有机发光二极管)作为电光元件的有机(Electro Luminescence：电致发光)显示器、具有无机发光二极管作为电光元件的无机EL显示器、具有QLED(Quantum dotLight Emitting Diode：量子电发光二极管)作为电光元件的QLED显示器等。
(总结)
方面1：一种显示装置，其特征在于，包括：第一电极；平坦化膜，其形成在所述第一电极的上层并覆盖所述第一电极的端部；发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及第二电极，形成在所述发光层的上层，所述显示装置特征在于：所述显示装置由第一显示区域和形成在第一显示区域周边的第二显示区域构成，使形成在所述第一显示区域中的所述第一电极即第一像素电极的内部开口的第一开口大于使形成在所述第二显示区域中的所述第一电极即第二像素电极的内部开口的第二开口，形成在所述第一显示区域中的所述发光层即第一发光层具有与形成在所述第二显示区域中的所述发光层即第二发光层相同的形状和相同的大小。
方面2：方面1的显示装置，其特征在于，所述第二像素电极小于所述第一像素电极。
方面3：方面2的显示装置，其特征在于，还包括认证传感器，其设置在与所述第二显示区域中的显示面相对的背面，并且，与所述第二显示区域中的形成有所述第二像素电极的部分重叠。
方面4：方面1的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层，所述多个第二像素中的每一个由每个视频信号单独驱动。
方面5：方面1的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层，所述多个第二像素电连接至通用的所述第二像素电极。
方面6：方面1的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在第二显示区域中，并具有所述第二发光层，所述第二像素电极大于所述第一像素电极，并且通用于所述多个第二像素。
方面7：方面5或6的显示装置，其特征在于，所述多个第二像素发出相同颜色的光。
方面8：方面7的显示装置，所述多个第二像素在所述第二显示区域中的行方向或列方向上排列配置，并且，由通用的视频信号驱动。
方面9：方面1的显示装置，其特征在于，还包括：多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层；以及多个有源元件，其形成在所述第二显示区域中，其中，所述多个第二像素连接至所述多个有源元件中的任一个通用的有源元件。
方面10：方面1～9中的任一方面的显示装置，其特征在于，还包括形成在所述第二显示区域的显示控制电路。
方面11：方面10的显示装置，其特征在于，所述显示控制电路是单片栅极驱动器。
方面12：方面1的显示装置，其特征在于，还包括将外部信号传递到所述第一显示区域的布线，所述布线在所述第二显示区域中与所述第二发光层重叠。
方面13：方面1～12中的任一方面的显示装置，其特征在于，在所述第一显示区域的内部，形成有剪切了所述第一显示区域的一部分的剪切部，所述第二显示区域在所述剪切部与所述第一显示区域之间，并以包围所述剪切部的方式形成。
方面14：方面1～12中任一方面的显示装置，其特征在于，所述显示装置由所述第一显示区域、所述第二显示区域以及以包围所述第一显示区域的方式形成的边框区域构成，在所述显示装置的端部，形成有剪切了所述第一显示区域的一部分以及所述边框区域的一部分的切口部，所述第二显示区域在所述切口部与所述第一显示区域之间，并以与所述切口部相接的方式形成。
本发明不限于上述各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种修改。通过适当地组合不同实施方式中分别公开的技术手段而获得的实施方式也包括在本发明的技术范围内。通过组合各实施方式中分别公开的技术手段，也可以形成新的技术特征。
附图标记说明
1显示装置、DA显示区域(第一显示区域)、DB周边显示区域(第二显示区域)、DC边框区域、SPA子像素(第一像素)、SPB子像素(第二像素)、22阳极(第一电极、第一像素电极、第二像素电极)、23平坦化膜、HA开口(第一开口)、HB开口(第二开口)、24发光层(第一发光层、第二发光层)、TdR发光控制晶体管(驱动元件)、TdB发光控制晶体管(驱动元件)、TdG发光控制晶体管(驱动元件)

Claims (14)

1.一种显示装置，其包括第一电极；平坦化膜，其形成在所述第一电极的上层，并且覆盖所述第一电极的端部；发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及第二电极，其形成在所述发光层的上层，所述显示装置特征在于：
所述显示装置由第一显示区域和形成在所述第一显示区域周边的第二显示区域构成，
使形成在所述第一显示区域中的所述第一电极即第一像素电极的内部开口的第一开口大于使形成在所述第二显示区域中的所述第一电极即第二像素电极的内部开口的第二开口，
形成在所述第一显示区域中的所述发光层即第一发光层具有与形成在所述第二显示区域中的所述发光层即第二发光层相同的形状及相同的大小。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二像素电极小于所述第一像素电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括认证传感器，其设置在与所述第二显示区域中的显示面相对的背面上，并且与所述第二显示区域中的形成有所述第二像素电极的部分重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层，
所述多个第二像素中的每一个由每个视频信号单独驱动。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层，
所述多个第二像素电连接至通用的所述第二像素电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层，
所述第二像素电极大于所述第一像素电极，且所述第二像素电极通用于所述多个第二像素。
7.根据权利要求5或6所述的显示装置，其特征在于，所述多个第二像素发出相同颜色的光。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述多个第二像素在所述第二显示区域中的行方向或列方向上排列配置，并且由通用的视频信号驱动。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
多个第二像素，其形成在所述第二显示区域中，并具有所述第二发光层；以及
多个有源元件，其形成在所述第二显示区域中，
其中，所述多个第二像素连接至所述多个有源元件中任意一个通用的有源元件。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括显示控制电路，其形成在所述第二显示区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示控制电路是单片栅极驱动器。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括布线，其将外部信号传递到所述第一显示区域，
所述布线在所述第二显示区域中与所述第二发光层重叠。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置，其特征在于，在所述第一显示区域的内部，形成有剪切了显示区域DA的一部分的剪切部，
所述第二显示区域在所述剪切部与所述第一显示区域之间，并以包围所述剪切部的方式形成。
14.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置由所述第一显示区域、第二显示区域以及以包围所述第一显示区域方式形成的边框区域构成，
在所述显示装置的端部形成有剪切了所述第一显示区域的一部分以及所述边框区域DC的一部分的切口部，
所述第二显示区域在所述切口部与所述第一显示区域之间，并以与所述切口部相接的方式形成。
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