CN111149431B - 显示设备、显示设备的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明以减少和端子部连接的布线与像素电极短路的可能性作为目的而提供显示设备(2)，具备：第一引绕布线(45)，其与平坦化膜(21)的端部交叉，并从显示区域(DA)向边框区域(NA)延伸；第二引绕布线(44)，其与比上述第一引绕布线(45)靠上层的形成于第二电极(25)的周围的第一堤(23a)接触，并与上述第一堤(23a)交叉而向端子部延伸；以及第一布线接触部(42)，其在上述平坦化膜(21)的端部与上述第一堤(23a)之间，将上述第一引绕布线(45)与上述第二引绕布线(44)连接。

Description

显示设备、显示设备的制造方法

技术领域

本发明涉及具备发光元件的显示设备。

背景技术

专利文献1公开一种有机EL发光装置，其具有由多个有机EL元件构成的发光区域和与该发光区域的周围邻接的非发光区域，在非发光区域具备包围发光区域并限制树脂的润湿扩展的凹凸构造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本公开专利公报“日本特开2011-146323号(2011年7月28日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在与进行显示的区域邻接的周围的边框区域中，设置限制树脂的润湿扩展的凹凸构造等构造的情况下，需要在比该构造靠周围侧形成端子部。若在被引绕至端子部的布线的正上方形成构造、接着进行发光区域中的电极的形成，则有时在高度变化大的该构造的周围产生电极的图案残留。由于电极的图案残留与和端子部相连的布线接触而产生意外的短路，导致成品率的降低。

解决问题的方案

为了解决上述课题，本申请的显示设备具备：包括多个TFT的TFT层、包括分别与上述TFT连接的像素电极和比上述像素电极靠上层的覆盖膜且比上述TFT层靠上层的发光元件层、以及比该发光元件层靠上层的密封层，在上述显示设备中，在与发光区域的周围邻接的边框区域中，具备：对上述密封层的润湿扩展进行限制并包围上述发光区域的堤、比该堤靠周围侧的端子部、以及与该端子部连接的布线，上述堤与上述覆盖膜同层，与上述布线接触，上述端子部和上述布线的至少一部分与上述TFT层的源极布线同层。

另外，为了解决上述课题，本申请的显示设备的制造方法从下层依次形成：包括多个TFT的TFT层、包括分别与上述TFT连接的像素电极和比上述像素电极靠上层的覆盖膜且比上述TFT层靠上层的发光元件层、以及比该发光元件层靠上层的密封层，在上述显示设备的制造方法中，具备：端子部形成工序，将与发光区域的周围邻接的边框区域中的端子部和与该端子部连接的布线的至少一部分与上述TFT的源极布线一起形成；和堤形成工序，将上述边框区域中的与上述布线接触并对上述密封层的润湿扩展进行限制且包围上述发光区域的堤与上述覆盖膜一起形成。

另外，为了解决上述课题，本申请的显示设备的制造装置具备成膜装置，上述成膜装置使包括多个TFT的TFT层、包括分别与上述TFT连接的像素电极和比上述像素电极靠上层的覆盖膜且比上述TFT层靠上层的发光元件层、以及比该发光元件层靠上层的密封层成膜，在上述显示设备的制造装置中，上述成膜装置在与发光区域的周围邻接的边框区域中使对上述密封层的润湿扩展进行限制并包围上述发光区域的堤、比该堤靠周围侧的端子部、以及与该端子部连接的布线成膜，上述堤与上述覆盖膜同层，与上述布线接触，上述端子部和上述布线的至少一部分与上述TFT层的源极布线同层。

发明效果

根据上述结构，可提供能够减少和端子部连接的布线与像素电极短路的可能性的显示设备。

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的显示设备的边框区域中的第一堤以及第二堤的周围的剖视图。

图2是第一实施方式所涉及的显示设备的发光区域的剖视图。

图3是第一实施方式所涉及的显示设备的俯视图。

图4是表示第一实施方式所涉及的显示设备的制造方法的流程图。

图5是更详细地示出第一实施方式所涉及的显示设备的制造方法中的TFT层的形成和发光元件层的形成的流程图。

图6是用于对第一实施方式所涉及的显示设备的制造方法进行说明的工序剖视图。

图7是用于对第一实施方式所涉及的显示设备的制造方法进行说明的其他工序剖视图。

图8是变形例所涉及的显示设备的俯视图。

图9是变形例所涉及的显示设备的俯视图、以及表示边框区域的第一堤以及第二堤的周围的剖视图。

图10是表示第二实施方式所涉及的显示设备的边框区域的第一堤以及第二堤的周围的剖视图。

图11是用于对第二实施方式所涉及的显示设备的堤的宽度与烧制前后的堤的高度的变化之间的关系进行说明的坐标图。

图12是表示比较方式所涉及的显示设备的边框区域的第一堤以及第二堤的周围的剖视图。

图13是其他比较方式所涉及的显示设备的俯视图。

图14是表示各实施方式所涉及的显示设备的制造装置的框图。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下，“同层”是指在相同工序中通过相同材料形成。另外，“下层”是指在比较对象的层之前的工序中形成，“上层”是指在比较对象的层之后的工序中形成。另外，本说明书中，将从显示设备的下层朝向上层的方向作为上方。

图3是本实施方式所涉及的显示设备2的俯视图。图1是图3的AA线向视剖视图，图2是图3的BB线向视剖视图。

如图3所示，本实施方式所涉及的显示设备2具有显示区域DA和与该显示区域DA的周围邻接的边框区域NA。参照图2，对本实施方式所涉及的显示设备2详细地进行说明。

如图2所示，本实施方式所涉及的显示设备2从下层依次具备支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6以及上表面薄膜39。

支承基板10也可以是例如玻璃基板。作为树脂层12的材料，例如可举出聚酰亚胺。

阻挡层3是防止在使用显示设备时水、氧气等异物浸透于TFT层4、发光元件层5的层。阻挡层3能够通过例如由CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜构成。

TFT层4从下层依次包括半导体层15、第一无机层16(栅极绝缘膜)、栅电极GE(第一布线)、第二无机层18、电容布线CE、第三无机层20、源极布线SH(第二布线)以及平坦化膜21(层间绝缘膜)。以包括半导体层15、第一无机层16和栅电极GE的方式构成薄层晶体管(TFT)Tr。

半导体层15由例如低温多晶硅(LTPS)或者氧化物半导体构成。此外，在图2中，以半导体层15作为沟道的TFT通过顶栅构造示出，但也可以是底栅构造(例如在TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。

栅电极GE、电容电极CE或者源极布线SH也可以包括例如铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)的至少一个。另外，栅电极GE、电容电极CE或者源极布线SH通过上述的金属的单层膜或者层叠膜构成。特别是在本实施方式中，栅电极GE包括Mo，源极布线SH包括Al。

第一无机层16、第二无机层18以及第三无机层20能够通过例如由CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或者它们的层叠膜而构成。平坦化膜21能够通过例如聚酰亚胺、丙烯酸等可涂覆的感光性有机材料而构成。

发光元件层5(例如有机发光二极管层)从下层依次包括像素电极22(第一电极，例如阳极)、覆盖像素电极22的边缘的覆盖膜23、发光层24、以及上部电极(第二电极，例如阴极)25。发光元件层5按每个子像素SP设置有包括岛状的像素电极22、岛状的发光层24以及上部电极25的发光元件(例如OLED：有机发光二极管)、和驱动该发光元件的子像素电路。

覆盖膜23是有机绝缘膜，通过在涂覆了例如聚酰亚胺、丙烯酸等感光性有机材料后利用光刻法刻画图案而形成。覆盖膜23按每多个子像素SP具备开口。

发光层24例如通过从下层侧依次层叠空穴输送层、发光层、电子输送层而构成。发光层通过蒸镀法或者喷墨法按每个子像素SP以岛状形成。空穴输送层以及电子输送层也可以按每个子像素SP以岛状形成，也可以作为多个子像素SP的共用层以实体状形成。

像素电极22按每多个子像素SP以岛状形成，并通过例如ITO(Indium Tin Oxide)和包括Ag的合金的层叠而构成，并具有光反射性。上部电极25作为多个子像素SP的共用层而以实体状形成，能够通过ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zincum Oxide)等透光性的导电材料而构成。

在发光元件层5为OLED层的情况下，通过像素电极22以及上部电极25之间的驱动电流使空穴和电子在发光层24内再结合，由此产生的激子落到基态，从而放出光。上部电极25具有透光性，像素电极22具有光反射性，因此从发光层24放出的光朝向上方，成为顶部发光。

密封层6包括比上部电极25靠上层的无机密封膜26、比无机密封膜26靠上层的有机密封膜27、以及比有机密封膜27靠上层的无机密封膜28，防止水、氧气等异物向发光元件层5浸透。无机密封膜26、28能够通过例如由CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜而构成。有机密封膜27能够通过聚酰亚胺、丙烯酸等可涂覆的感光性有机材料而构成。

上表面薄膜39例如也可以是具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等的功能薄膜。

图1示出图3的AA线向视剖视图，且示出本实施方式所涉及的显示设备2的显示区域DA的周围所邻接的边框区域NA的堤的周边。

如图1以及图3所示，显示设备2在边框区域NA中具备第一堤23a、第二堤23b以及端子部40。

第一堤23a在包围上部电极25的周围的位置以框状形成。第二堤23b在第一堤23a的周围以框状形成。第一堤23a和第二堤23b与覆盖膜23同层。第一堤23a和第二堤23b对由于上层的密封层6的有机密封膜27的涂覆而产生的有机密封膜27的润湿扩展进行限制。

端子部40形成于第二堤23b的周围。端子部40与延长至边框区域NA而形成的和源极布线SH同层的引绕布线44(第二引绕布线)连接，并将来自端外部的信号向显示区域DA输入。引绕布线44在第三无机层20上沿显示区域DA的方向延伸至平坦化膜21的近前。因此，引绕布线44与第一堤23a和第二堤23b接触，并且与第一堤23a以及第二堤23b交叉。

另外，在边框区域NA形成有与栅电极DE同层的引绕布线45(第一引绕布线)，在第一布线接触部41中与引绕布线44连接。第一布线接触部41形成于比平坦化膜21靠周围侧并且比第一堤23a靠内部侧。与端子40连接的引绕布线在第一布线接触部41中从引绕布线44向引绕布线45迂回。因此，引绕布线44、45与平坦化膜21分离，不接触。

另外，平坦化膜21在显示区域DA的外缘处形成与上部电极25电连接的TFT的导电层。如图1所示，该导电层也可以与源极布线SH同层。上部电极25和导电层经由形成于平坦化膜21以及覆盖膜23的狭缝47而电连接。

并且，引绕布线45从第一布线接触部41与平坦化膜21的端部以及导电层交叉而向显示区域延伸。而且，引绕布线45经由第二布线接触部46而与引绕布线44连接。第二布线接触部46形成于显示区域DA与导电层之间。显示区域DA的引绕布线44与各TFT连接。

另外，与第二堤23b交叉而延伸至端子部40的引绕布线44形成于在与端子部40连接时再次与第一堤23a和第二堤23b的至少一方重叠的位置。例如，如图3所示，形成于比第二堤23b靠周围侧的引绕布线44在显示区域DA的角部附近处与端子部40连接时，与第一堤23a和第二堤23b的至少一方交叉并接触。

参照图4以及图5的流程图，对本实施方式所涉及的显示设备2的制造方法详细地进行说明。

首先，在透光性的支承基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，在树脂层12的上层形成阻挡层3(步骤S2)。

接着，在阻挡层3的上层形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发光型的发光元件层(例如OLED元件层)5(步骤S4)。针对步骤S3以及S4，与图6以及图7的工序剖视图一并进一步详细地进行说明。此外，图6以及图7是表示步骤S3以及步骤S4中的与图1对应的位置的结构的图。

在步骤S3中，首先，在阻挡层3的上层从下层依次形成半导体层15和第一无机层16(步骤S3-1)。接着，形成栅电极GE(步骤S3-2)。此时，如图6的(a)所示，将和端子部连接的引绕布线45形成在与栅电极GE同层。

接着，从下层依次形成第二无机层18、电容布线CE以及第三无机层20(步骤S3-3)。因此，如图6的(b)所示，在边框区域NA的栅电极GE的上层形成有第二无机层18和第三无机层20。

接着，如图6的(c)所示，在边框区域NA的栅电极GE的上层中，在第二无机层18和第三无机层20形成开口，形成第一接触孔42和第二接触孔48(步骤S3-4)。第一接触孔42和第二接触孔48也可以与用于形成半导体层15和源极布线SH的接触、以及电容布线CE和源极布线SH的接触的接触孔一并形成。

接着，形成源极布线SH(步骤S3-5)。此时，如图6的(d)所示，将引绕布线44形成在与源极布线SH同层。另外，引绕布线44也在第一接触孔42和第二接触孔48中形成。由此，如图6的(d)所示，在边框区域NA中，引绕布线44和引绕布线45在第一布线接触部41以及第二布线接触部46处连接。此外，在步骤S3-5中，也可以将TFT的导电层形成在与源极布线SH同层。

接着，形成平坦化膜21(步骤S3-6)，结束TFT层4的形成。此外，如图7的(a)所示，以使平坦化膜21的最端部位于边框区域NA侧的、导电层与引绕布线44之间的方式形成平坦化膜21，使平坦化膜21形成为离开边框区域NA的引绕布线44。

接着，移至步骤S4，形成像素电极22(步骤S4-1)。此时，像素电极22也暂时形成于边框区域NA的引绕布线44上，但通过使用了溅射的刻画图案，从引绕布线44上被除去。

接着，形成覆盖膜23(步骤S4-2)。此时，如图7的(b)所示，将第一堤23a和第二堤23b与覆盖膜23的形成一并形成于包括与端子部40连接的引绕布线44的正上方在内的位置。接着，从下层依次形成发光层24和上部电极25(步骤S4-3)，结束发光元件层5的形成。也可以是，在上部电极25形成时，在平坦化膜21的端部中的平坦化膜21和覆盖膜23形成狭缝47，将上部电极25和TFT的导电层连接。

接着，形成密封层6(步骤S5)。此时，在密封层6的有机密封膜27的形成中，由第一堤23a和第二堤23b限制有机密封膜27的润湿扩展。在步骤S5中，边框区域NA中的露出的源极布线SH形成端子部40，端子部形成工序结束。

接着，在密封层6上粘贴上表面薄膜(步骤S6)。接着，将包括支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6以及上表面薄膜39的层叠体切断，获得多个片(步骤S7)。接着，在端子部40安装电子电路基板(例如IC芯片)，成为显示设备2(步骤S8)。

此外，在本实施方式中，对具备硬质的支承基板10的显示设备2的制造方法进行了说明。但是，也能够通过追加一部分工序来制造柔性的显示设备2。例如，步骤S6之后，隔着支承基板10对树脂层12的下表面照射激光，使支承基板10以及树脂层12之间的结合力降低，使支承基板10从树脂层12剥离。接着，在树脂层12的下表面粘贴下表面薄膜。其后，移至步骤S7，由此获得柔性的显示设备2。

如图8所示，也可以是，柔性的显示设备2在边框区域NA中具备折弯部F。图8所示的显示设备2在折弯部F中将上层折弯为山状，由此能够从端子部40将周围侧向显示设备2的内侧折回。由此，能够减少显示设备2的上表面的边框区域NA，因此实现窄边框化。与折弯部F交叉的布线也可以与引绕布线44同层。

本实施方式所涉及的显示设备2在形成第一堤23a和第二堤23b前形成有像素电极22。因此，在边框区域NA的引绕布线44上，在没有第一堤23a以及第二堤23b那样的具有较大的凹凸形状的构造的状态下，进行像素电极22的形成。由此，可减少在第一堤23a和第二堤23b产生像素电极22的图案残留。因此，可减少像素电极22的图案残留与引绕布线44短路的可能性，显示设备2的成品率提高。

另外，通常，平坦化膜21的膜厚为1.5～2.5μm，因此存在平坦化膜21的端部产生像素电极22的图案残留的可能性。但是，在本实施方式中，边框区域NA的引绕布线44、45没有与在像素电极22之前形成的平坦化膜21接触。因此，即便在平坦化膜21产生像素电极22的图案残留，也不会与引绕布线44、45接触，因此进一步减少像素电极22与引绕布线44、45短路的可能性。

在形成有平坦化膜21的位置处，与端子部40连接的布线经由第一布线接触部41从引绕布线44向引绕布线45迂回。但是，在与端子部40连接的布线中，使用和栅电极GE同层的引绕布线45的仅为一部分。因此，能够使与比源极布线SH电阻高的栅电极GE同层的布线更少。因此，能够降低端子部40以及与端子部40连接的布线的电阻。

并且，不需要在显示区域DA的角部附近处，为了防止引绕布线44与第一堤23a或者第二堤23b接触而使布线迂回。因此，边框区域NA的引绕布线44的设计的自由度提高，在显示区域DA的角部附近处，防止引绕布线44的密集，能够减少彼此短路的可能性。

参照图9对本实施方式所涉及的显示设备2的变形例进行说明。此外，图9的(a)和图9的(b)分别是表示本变形例所涉及的显示设备2的与图1和图3对应的位置的结构的图。

在变形例的显示设备2中，如图9的(a)所示，还具备覆盖平坦化膜21的端部的覆盖膜23e。如图9的(b)所示，覆盖膜23e形成于包围上部电极25的位置。覆盖膜23e也可以与覆盖膜23的形成一起形成。

〔第二实施方式〕

图10是表示本实施方式所涉及的显示设备2的剖视图。本实施方式所涉及的显示设备2仅在取代第一堤23a和第二堤23b而形成第一堤23c和第二堤23d这点上，结构与前实施方式所涉及的显示设备2不同。此外，图10是表示本实施方式所涉及的显示设备2的与图1对应的位置的结构的图。

与前实施方式中的第一堤23a和第二堤23b不同，第一堤23c和第二堤23d具有不同形状。具体而言，如图10所示，第二堤23d的堤宽比第一堤23c的堤宽大。并且，第二堤23d的高度比第一堤23c的高度高。此处，堤宽是指所形成的堤的下表面的最大宽度，高度是指从堤的下表面至上表面为止的最大距离。

本实施方式所涉及的显示设备2的制造方法也可以除去步骤S4-2之外而与前实施方式所涉及的显示设备2的制造方法相同。在本实施方式中，在步骤S4-2中，形成第一堤23c和第二堤23d。

在步骤S4-2中，首先，将作为覆盖膜23的材料的有机材料涂覆为使有机材料的高度大致均匀。接着，以使第二堤23d的堤宽比第一堤23c的堤宽大的方式进行有机材料的刻画图案。接着，进行有机材料的焙烧，形成覆盖膜23、第一堤23c以及第二堤23d。

此处，通过上述的焙烧，使第一堤23c和第二堤23d的高度通过因加热产生的有机材料的变形而变化。图11是表示因焙烧而产生的第一堤23c和第二堤23d的高度的变化、与第一堤23c和第二堤23d的堤宽之间的关系的坐标图。

图11中，虚线所示的高度是在步骤S4-2中涂覆的有机材料的膜厚。另外，实线所示的高度按各焙烧前的堤宽示出焙烧后的堤的高度。如图11所示，在堤的堤宽大致为7～40μm的情况下，焙烧后的高度比有机材料的涂覆紧后的高度高。

此处，例如，第一堤23c和第二堤23d的堤宽分别由图10所示的第一堤和第二堤的堤宽而形成。在这种情况下，第一堤23c与第二堤23d的焙烧前后的高度的变化分别不同。

例如，在本实施方式中，将第一堤23c的堤宽设为10μm，将第二堤23d的堤宽设为15μm。在这种情况下，如图10所示，通过焙烧处理，第一堤23c和第二堤23d的高度向更高的方向变化，第二堤23d的高度比第一堤23c的高度高。由此，分别获得图9所示的第一堤23c和第二堤23d。

对于本实施方式所涉及的显示设备2而言，第二堤23d的堤宽比第一堤23c的堤宽宽。并且，第二堤23d的高度比第一堤23c的高度高。因此，第二堤23d可更有效地限制越过第一堤23c而润湿扩展的密封层6的有机密封膜27。

并且，在本实施方式中，通过光刻后的焙烧处理，使第一堤23c和第二堤23d的高度不同。另外，通过利用由于焙烧处理而产生的变形，能够将第一堤23c与第二堤23d的高度之差设为0.5～1.5μm左右。

因此，不需要为了使第一堤23c与第二堤23d的高度不同而进行多次光刻、或使用灰色调掩模进行光刻。因此，可更简单地进行堤形成。另外，在本实施方式中，与进行多次光刻、或使用灰色调掩模进行光刻相比，可减少使用的有机材料而进行堤形成工序。

第一堤23c和第二堤23d为了起到减少密封层6的润湿扩展的效果而为2.5μm以上的高度即可。为了通过一次涂覆和刻画图案形成这样的堤，需要比较厚地涂覆材料。因此，若为了使堤的高度变高而使涂覆的材料的膜厚变厚，则形成于同层的覆盖膜23也变厚。因此，产生覆盖膜23的接触孔径变小等不良状况，存在无法制成显示区域DA的结构的可能性。

在本实施方式中，通过利用因焙烧处理而产生的变形，能够使堤的高度成为涂覆膜厚的1.5倍左右。因此，能够以一定程度抑制显示区域DA的覆盖膜23的膜厚，并且使第一堤23c和第二堤23d的膜厚变厚。

图12是分别表示比较方式所涉及的显示设备的图。图12所示的比较方式所涉及的显示设备在第一布线接触部41形成于覆盖膜23的内侧这点上结构与前述的实施方式所涉及的显示设备2不同。另外，比较方式所涉及的显示设备在第二堤23b的下层具备与平坦化膜21同层的第二堤21b这点上结构与前述的实施方式所涉及的显示设备2不同。此外，图12是表示比较方式所涉及的显示设备的与图1对应的位置的结构的图。

在比较方式所涉及的显示设备中，第一布线接触部41形成于覆盖膜23的内侧，因此引绕布线44与平坦化膜21接触。平坦化膜21在形成像素电极22前形成。因此，存在平坦化膜21产生像素电极22的图案残留22e的可能性。

另外，在比较方式中，在第二堤23b的下层形成有与平坦化膜21同层的第二堤21b。因此，由于在形成像素电极22前形成第二堤21b，从而存在第二堤21b产生像素电极22的图案残留22e的可能性。

因此，存在图案残留22e与引绕布线44接触的可能性。由于图案残留22e与引绕布线44接触，而产生像素电极22与端子部40的意外的短路，造成成品率的降低。

作为其他比较方式所涉及的显示设备，可举出图13所示的显示设备。与图12所示的显示设备比较，图13所示的显示设备在第一布线接触部41形成于比第二堤21b、23b靠周围侧这点不同。

在这种情况下，可减少引绕布线44与图案残留22e接触的可能性，但第一布线接触部41与第二布线接触部46的距离变长，引绕布线45的长度变长。因此，引绕布线45比引绕布线44电阻高，因此与端子部40连接的布线的电阻变高。

并且，由于不得不防止向比堤靠外周被引出的引绕布线44与堤接触，所以需要在显示区域DA的角部附近处使引绕布线44以回避堤的方式迂回。因此，布线的设计的自由度变小，在显示区域DA的角部附近处，引绕布线44密集，彼此短路的可能性高。

图14是表示在上述的各实施方式的显示设备2的制造工序中使用的显示设备的制造装置50的框图。

显示设备的制造装置50具备控制器52和成膜装置54。控制器52也可以控制成膜装置54。成膜装置54也可以执行显示设备2的各层的成膜。

〔总结〕

方式1的显示设备是从下层依次具备第一布线、无机层、第二布线、平坦化膜、第一电极、覆盖膜、发光层、第二电极以及密封层的显示设备，具备显示区域、和包围该显示区域的边框区域，在上述边框区域中，在端部具备将来自端外部的信号向上述显示区域输入的端子部，在上述显示区域中，具备多个像素，在多个像素分别具备上述第一电极，上述覆盖膜在各个上述第一电极中具备开口，在多个上述像素中具备共用的上述第二电极，与上述覆盖膜同层的第一堤包围上述第二电极，从上述显示区域向上述端子部电连接的引绕布线具备：与上述第一布线同层的第一引绕布线、和与上述第二布线同层的第二引绕布线，上述第一引绕布线与上述平坦化膜的端部交叉，从上述显示区域向上述边框区域延伸，并在上述平坦化膜的端部与上述第一堤之间经由第一布线接触部而与上述第二引绕布线连接，该第二引绕布线与上述第一堤接触，并与上述第一堤交叉而向上述端子部延伸。

在方式2中，具备与上述覆盖膜同层的第二堤，该第二堤包围上述第一堤，上述第二引绕布线与第二堤接触，并与第二堤交叉而向上述端子部延伸。

在方式3中，上述第二堤的高度比上述第一堤的高度高。

在方式4中，上述第二堤的堤宽比上述第一堤的堤宽宽。

在方式5中，与上述第二堤交叉而向上述端子部延伸的上述第二引绕布线在与上述端子部连接时与上述第一堤和上述第二堤的至少一方重叠。

在方式6中，在上述显示区域的外缘具备形成于上述平坦化膜以及上述覆盖膜的狭缝，上述第二电极经由上述狭缝和与上述第二布线同层的导电层电连接，上述第一引绕布线与导电层交叉而向上述显示区域延伸，并在上述显示区域与上述导电层之间经由第二布线接触部而与上述第二引绕布线连接。

在方式7中，在上述边框区域中，在上述显示区域与上述端子部之间还具备折弯部，与上述折弯部交叉的布线与上述第二引绕布线同层。

对于方式8的显示设备的制造方法而言，上述显示设备从下层依次具备第一布线、无机层、第二布线、平坦化膜、第一电极、覆盖膜、发光层、第二电极以及密封层，上述显示设备的制造方法具备：第一布线形成工序，形成第一布线和第一引绕布线；接触孔形成工序，将第一接触孔形成于上述无机层；第二布线形成工序，形成上述第二布线和第二引绕布线；第一电极形成工序，在显示区域中，在多个像素分别形成上述第一电极；覆盖膜形成工序，形成在多个上述像素分别具备开口的上述覆盖膜、和第一堤；以及第二电极形成工序，在多个上述像素共用地形成上述第二电极，将上述第一接触孔形成于上述平坦化膜的端部与上述第一堤之间，在上述第一接触孔处，将上述第一引绕布线与上述第二引绕布线连接，上述第一堤包围上述第二电极，上述第一引绕布线与上述平坦化膜的端部交叉，并从上述显示区域向包围该显示区域的边框区域延伸，上述第二引绕布线与上述第一堤接触，与上述第一堤交叉，并在上述边框区域的端部处，与将来自端外部的信号向上述显示区域输入的端子部连接。

在方式9中，在上述覆盖膜形成工序中，还形成第二堤，该第二堤包围上述第一堤，上述第二引绕布线与第二堤接触，与第二堤交叉而向上述端子部延伸。

在方式10中，在上述覆盖膜形成工序中，将上述第二堤形成为比上述第一堤靠周围侧、且高度比上述第一堤高。

在方式11中，在上述覆盖膜形成工序中，通过光刻后的焙烧处理，使上述第一堤与上述第二堤的高度不同。

在方式12中，在上述覆盖膜形成工序中，将上述第二堤形成为堤宽比上述第一堤宽。

在方式13中，在上述第二布线形成工序中，将与上述第二堤交叉而向上述端子部延伸的上述第二引绕布线形成于在与上述端子部连接时与上述第一堤和上述第二堤的至少一方重叠的位置。

在方式14中，在上述覆盖膜形成工序中，在上述显示区域的外缘形成狭缝，上述狭缝形成于上述平坦化膜以及上述覆盖膜，在上述第二电极形成工序中，使上述第二电极经由上述狭缝而与和上述第二布线同层的导电层电连接，在上述接触孔形成工序中，在上述显示区域与上述导电层之间，将第二接触孔形成于上述无机层，上述第一引绕布线与导电层交叉而向上述显示区域延伸，在第二接触孔中，上述第一引绕布线与上述第二引绕布线连接。

在方式15中，具备折弯部形成工序，在该工序中，在上述边框区域中，在上述显示区域与上述端子部之间还形成折弯部，在上述第二布线形成工序中，将与上述折弯部交叉的布线形成在与上述第二引绕布线同层。

方式16的显示设备的制造装置具备成膜装置，上述成膜装置从下层依次形成第一布线、无机层、第二布线、平坦化膜、第一电极、覆盖膜、发光层、第二电极以及密封层，在上述显示设备的制造装置中，上述显示设备具备：显示区域、和包围该显示区域的边框区域，上述边框区域在端部具备将来自端外部的信号向上述显示区域输入的端子部，上述显示区域具备多个像素，在多个像素分别形成有上述第一电极，上述覆盖膜在各个上述第一电极中具备开口，上述第二电极形成为在多个上述像素中共用，与上述覆盖膜同层的第一堤包围上述第二电极，从上述显示区域向上述端子部电连接的引绕布线具备：与上述第一布线同层的第一引绕布线、和与上述第二布线同层的第二引绕布线，上述第一引绕布线与上述平坦化膜的端部交叉，从上述显示区域向上述边框区域延伸，并在上述平坦化膜的端部与上述第一堤之间经由第一布线接触部而与上述第二引绕布线连接，该第二引绕布线与上述第一堤接触，并与上述第一堤交叉而向上述端子部延伸。

本发明不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，针对将不同实施方式所分别公开的技术方案适当地组合而得到的实施方式，也包含于本发明的技术范围。并且，通过将各实施方式所分别公开的技术方案组合，能够形成新的技术特征。

附图标记说明

2 显示设备

6 密封层

16、18、20 无机层

21 平坦化膜

22 像素电极(第一电极)

23 覆盖膜

23a、23c 第一堤

23b、23d 第二堤

24 发光层

25 上部电极(第二电极)

40 端子部

41、46 布线接触部

42、48 第一接触孔

44、45 引绕布线

47 狭缝

50 显示设备的制造装置

DA 显示区域

NA 边框区域

SH 源极布线(第二布线)

GE 栅电极(第一布线)

F 折弯部

Claims (15)

1.一种显示设备，从下层依次具备第一布线、无机层、第二布线、平坦化膜、第一电极、覆盖膜、发光层、第二电极以及密封层，所述显示设备的特征在于，

具备显示区域、和包围该显示区域的边框区域，

在所述边框区域中，在端部具备将来自外部的信号向所述显示区域输入的端子部，

在所述显示区域中，具备多个像素，在多个像素的每一个中具备所述第一电极，所述覆盖膜在每一个所述第一电极处具备开口，在多个所述像素中具备共用的所述第二电极，

与所述覆盖膜同层的第一堤包围所述第二电极，

从所述显示区域向所述端子部电连接的引绕布线具备：与所述第一布线同层的第一引绕布线、和与所述第二布线同层的第二引绕布线，

所述第一引绕布线与所述平坦化膜的端部交叉，从所述显示区域向所述边框区域延伸，并在所述平坦化膜的端部与所述第一堤之间经由第一布线接触部而与所述第二引绕布线连接，该第二引绕布线与所述第一堤接触，并与所述第一堤交叉而向所述端子部延伸。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

具备与所述覆盖膜同层的第二堤，该第二堤包围所述第一堤，所述第二引绕布线与所述第二堤接触，并与所述第二堤交叉而向所述端子部延伸。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，

所述第二堤的高度比所述第一堤的高度高。

4.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，

所述第二堤的堤宽比所述第一堤的堤宽宽。

5.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，

与所述第二堤交叉而向所述端子部延伸的所述第二引绕布线在与所述端子部连接时与所述第一堤和所述第二堤的至少一方重叠。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

在所述显示区域的外缘具备形成于所述平坦化膜以及所述覆盖膜的狭缝，所述第二电极经由所述狭缝和与所述第二布线同层的导电层电连接，

所述第一引绕布线与所述导电层交叉而向所述显示区域延伸，并在所述显示区域与所述导电层之间经由第二布线接触部而与所述第二引绕布线连接。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示设备，其特征在于，

在所述边框区域中，在所述显示区域与所述端子部之间还具备折弯部，与所述折弯部交叉的布线与所述第二引绕布线同层。

8.一种显示设备的制造方法，所述显示设备从下层依次具备第一布线、无机层、第二布线、平坦化膜、第一电极、覆盖膜、发光层、第二电极以及密封层，所述显示设备的制造方法的特征在于，具备：

第一布线形成工序，形成第一布线和第一引绕布线；

接触孔形成工序，将第一接触孔形成于所述无机层；

第二布线形成工序，形成所述第二布线和第二引绕布线；

第一电极形成工序，在显示区域中，在多个像素的每一个中形成所述第一电极；

覆盖膜形成工序，形成在多个所述像素的每一个中具备开口的所述覆盖膜、和第一堤；以及

第二电极形成工序，在多个所述像素共用地形成所述第二电极，

将所述第一接触孔形成于所述平坦化膜的端部与所述第一堤之间，在所述第一接触孔处，将所述第一引绕布线与所述第二引绕布线连接，

所述第一堤包围所述第二电极，

所述第一引绕布线与所述平坦化膜的端部交叉，并从所述显示区域向包围该显示区域的边框区域延伸，

所述第二引绕布线与所述第一堤接触，与所述第一堤交叉，并在所述边框区域的端部处，与将来自端外部的信号向所述显示区域输入的端子部连接。

9.根据权利要求8所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述覆盖膜形成工序中，还形成第二堤，该第二堤包围所述第一堤，所述第二引绕布线与所述第二堤接触，与所述第二堤交叉而向所述端子部延伸。

10.根据权利要求9所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述覆盖膜形成工序中，将所述第二堤形成为比所述第一堤靠周围侧、且高度比所述第一堤高。

11.根据权利要求10所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述覆盖膜形成工序中，通过光刻后的焙烧处理，使所述第一堤与所述第二堤的高度不同。

12.根据权利要求9所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述覆盖膜形成工序中，将所述第二堤形成为堤宽比所述第一堤宽。

13.根据权利要求9所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述第二布线形成工序中，将与所述第二堤交叉而向所述端子部延伸的所述第二引绕布线形成于在与所述端子部连接时与所述第一堤和所述第二堤的至少一方重叠的位置。

14.根据权利要求8所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

在所述覆盖膜形成工序中，在所述显示区域的外缘形成狭缝，所述狭缝形成于所述平坦化膜以及所述覆盖膜，

在所述第二电极形成工序中，使所述第二电极经由所述狭缝而与和所述第二布线同层的导电层电连接，

在所述接触孔形成工序中，在所述显示区域与所述导电层之间，将第二接触孔形成于所述无机层

所述第一引绕布线与所述导电层交叉而向所述显示区域延伸，

在第二接触孔中，所述第一引绕布线与所述第二引绕布线连接。

15.根据权利要求8～14中任一项所述的显示设备的制造方法，其特征在于，

具备折弯部形成工序，在该折弯部形成工序中，在所述边框区域中，在所述显示区域与所述端子部之间还形成折弯部，在所述第二布线形成工序中，将与所述折弯部交叉的布线形成在与所述第二引绕布线同层。

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