KR20170002740A - 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170002740A KR20170002740A KR1020150092088A KR20150092088A KR20170002740A KR 20170002740 A KR20170002740 A KR 20170002740A KR 1020150092088 A KR1020150092088 A KR 1020150092088A KR 20150092088 A KR20150092088 A KR 20150092088A KR 20170002740 A KR20170002740 A KR 20170002740A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- lyophilic
- light emitting
- opening
- Prior art date
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- -1 MTDATA (4 Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OXPNRAOCPVWIJT-IWQZZHSRSA-N C1=CC2=C(C(=C1)CCCCCCCC/C=C\CCCCCCCC(=O)O)C3=C(C=CC=N3)C=C2 Chemical compound C1=CC2=C(C(=C1)CCCCCCCC/C=C\CCCCCCCC(=O)O)C3=C(C=CC=N3)C=C2 OXPNRAOCPVWIJT-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H01L27/3209—
-
- H01L27/3246—
-
- H01L27/3248—
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5088—
-
- H01L51/5203—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
발광 표시 장치 및 그 제조 방법이 제공된다.
일례로, 발광 표시 장치는 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층; 상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴; 상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮다.
일례로, 발광 표시 장치는 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층; 상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴; 상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮다.
Description
본 발명은 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 유기 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 이동되어, 유기 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exiton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 유기 발광층이 발광됨으로써 화상이 표시된다.
유기 발광 표시 장치는 기판에 매트릭스 형태로 배열된 화소 각각에 형성되는 애노드 전극을 노출하도록 개구부를 가지는 화소 정의막을 포함하며, 이 화소 정의막의 개구부를 통해 노출되는 애노드 전극 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 전극이 형성된다. 이 중, 정공 수송층 및 유기 발광층은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법 등을 이용하여 적어도 하나의 노즐을 가지는 토출 장치를 통해 용액을 화소 정의막의 개구부 내부에 토출시켜 박막 형태로 형성될 수 있다. 상기 잉크젯 프린트 방법은 원하는 위치에 프린트 하려는 물질을 잉크 방울 형태로 떨어뜨리는 방법이고, 상기 노즐 프린트 방법은 원하는 위치에 프린트 하려는 물질을 원하는 위치를 포함하는 라인을 따라 용액 형태로 흐르게 하는 방법이다.
한편, 애노드 전극 상에는 정공 수송 용액의 습윤성을 좋게 하기 위해서 친액성을 가지는 친액 패턴이 형성될 수 있다.
그런데, 박막을 균일하게 형성하는데 유리한 노즐 프린트 방법을 이용하여 친액 패턴 상에 정공 수송 용액을 토출시, 토출 장치의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘이 인접한 화소의 친액 패턴에 먼저 토출된 정공 수송 용액을 한쪽 방향으로 쏠리게 할 수 있다. 이 경우, 정공 수송 용액이 쏠린 상태로 건조될 수 있어, 불균일한 형상을 가지는 정공 수송층이 형성될 수 있다. 이로 인해, 유기 발광 표시 장치의 발광 특성이 균일하지 않아 표시 품질이 저하될 수 있다.
또한, 한쪽 방향으로 쏠린 정공 수송 용액이 인접한 다른 화소로 넘어가면, 정공 수송층이 원치 않게 인접한 화소의 일부분에까지 형성될 수 있다. 이 경우, 유기 발광층도 정공 수송층 상에서 인접한 화소의 일부분에까지 형성될 수 있어, 인접한 화소들 사이에서 상이한 발광색을 방출하는 유기 발광층들이 서로 겹치는 형태로 형성될 수 있다. 이로 인해, 발광 표시 장치의 구동시 원치 않는 혼색이 표시 될 수 있어 표시 품질이 저하될 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 특성을 균일하게 하고 혼색이 표시되는 것을 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 특성을 균일하게 하고 혼색이 표시되는 것을 방지하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층; 상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴; 상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮다.
상기 정공 수송층은 정공 수송 용액을 건조시켜 형성되며, 상기 제2 부분의 가장자리에 대한 상기 정공 수송 용액의 제1 접촉각이 상기 제1 부분에 대한 상기 정공 수송 용액의 제2 접촉각보다 클 수 있다.
상기 제1 접촉각과 상기 제2 접촉각의 차이가 2° 이하일 수 있다.
상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며, 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성될 수 있다.
상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며, 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 부분적으로 얇아지도록 계단 형태의 상면을 가지는 계단부로 구성될 수 있다.
상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며, 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향과 수직인 방향으로 연장되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 이격되는 복수의 라인을 포함하며, 상기 복수의 라인의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며, 복수의 도트 패턴을 포함하며, 상기 복수의 도트 패턴의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
상기 친액 패턴은 상기 개구부의 제1 측부와 상기 제1 부분 사이에 배치되는 제3 부분을 더 포함하며, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제3 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮을 수 있다.
상기 정공 수송층은 상기 제2 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제3 측부 및 제4 측부 중 상기 제3 측부와 인접한 일부분과 상기 제4 측부에 인접한 다른 부분을 포함하며, 상기 제1 전극으로부터 상기 일부분의 가장자리까지의 높이가 상기 제1 전극으로부터 상기 다른 부분의 가장자리까지의 높이보다 낮을 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하며, 상기 복수의 화소가 상기 제1 방향을 따라 배열되는 복수의 열그룹을 포함하는 단위 블럭들로 구분되며, 상기 단위 블럭들이 제1 단위 블럭과 제2 단위 블럭을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층; 상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴; 상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 단위 블럭과 상기 제2 단위 블럭 사이에 경계부가 정의되며, 상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 경계부와 마주보는 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹을 제외한 적어도 하나의 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 높이와 동일할 수 있다.
상기 정공 수송층은 정공 수송 용액을 건조시켜 형성되며, 상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분의 가장자리에 대한 상기 정공 수송 용액의 제1 접촉각이 상기 제1 부분에 대한 상기 정공 수송 용액의 제2 접촉각보다 클 수 있다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성될 수 있다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 부분적으로 얇아지도록 계단 형태의 상면을 가지는 계단부로 구성될 수 있다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향과 수직인 방향으로 연장되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 이격되는 복수의 라인을 포함하며, 상기 복수의 라인의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며 복수의 도트 패턴을 포함하며, 상기 복수의 도트 패턴의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴은 상기 개구부의 제1 측부와 상기 제1 부분 사이에 배치되는 제3 부분을 더 포함하며, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제3 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮을 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판 상에 상기 각 화소 별로 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 각 화소를 구획하며 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴을 형성하는 단계; 상기 친액 패턴 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 친액 패턴을 형성하는 단계는 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮게 되도록 상기 친액 패턴을 형성한다.
상기 친액 패턴을 형성하는 단계는 상기 정공 주입층 상에 친액성 용액을 도포하여 친액성 물질층을 형성하는 과정; 상기 화소 정의막의 상부와 대응되도록 배치되는 차단부와, 상기 친액성 물질층 중 상기 제1 전극과 중첩하며 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 제1 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 투과부와, 상기 친액성 물질층 중 상기 제1 전극과 중첩하며 상기 개구부의 제2 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 반투과부를 포함하는 패턴 마스크를 상기 친액성 물질층의 상부에 배치시키고 광을 조사시키는 과정; 및 현상 공정을 통해 상기 친액성 물질층에서 상기 광에 노출되는 부분을 남겨, 상기 친액성 물질층 중 상기 투과부와 대응되는 부분으로부터 상기 제1 부분을 형성하고 상기 친액성 물질층 중 상기 반투과부와 대응되는 부분으로부터 상기 제2 부분을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 친액성 물질층 중 상기 반투과부와 대응되는 부분의 노광량이 상기 투과부와 대응되는 부분의 노광량보다 작으며, 상기 반투과부와 대응되는 부분의 노광량이 상기 개구부의 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치에 따르면, 발광 특성이 균일하게 되고 혼색이 표시되는 것이 방지되어 표시 품질이 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 4는 도 2의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 정공 수송 용액 토출시 인접한 화소들에서 정공 수송 용액의 상태를 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 11은 친액 패턴의 다양한 실시예들을 보여주는 단면도들 및 평면도들이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 13은 도 12의 III-III' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 14는 도 13의 'B' 부분의 확대 단면도이다.
도 15는 도 13의 'C' 부분의 확대 단면도이다.
도 16 내지 도 30은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들 및 평면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 4는 도 2의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 정공 수송 용액 토출시 인접한 화소들에서 정공 수송 용액의 상태를 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 11은 친액 패턴의 다양한 실시예들을 보여주는 단면도들 및 평면도들이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 13은 도 12의 III-III' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 14는 도 13의 'B' 부분의 확대 단면도이다.
도 15는 도 13의 'C' 부분의 확대 단면도이다.
도 16 내지 도 30은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들 및 평면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이고, 도 3은 도 1의 II-II' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 기판(105), 제1 전극(110), 화소 정의막(120), 정공 주입층(130), 친액 패턴(140), 정공 수송층(150), 발광층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)을 포함한다. 각 부재들은 도 2의 Z 방향으로 순차 적층된다.
기판(105)은 화상을 표시하는 복수의 화소(P)가 정의되는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 외측에 위치하는 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
복수의 화소(P)는 n×m(n, m은 자연수)의 매트릭스 형태, 즉 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 배열될 수 있으며, 적색을 방출하는 적색 화소, 녹색을 방출하는 녹색 화소, 및 청색을 방출하는 청색 화소를 포함할 수 있다. 예시적으로, 제1 방향(X)으로 상이한 발광색을 방출하는 화소들(P)이 교대로 배열되고, 제2 방향(Y)으로 동일한 방향으로 동일한 발광색을 방출하는 화소들(P)이 배열될 수 있으나, 이러한 배열로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
한편, 복수의 화소(P)는 기판(105) 상에 제2 방향(Y)을 따라 배열되는 복수의 행 그룹으로 구분될 수 있다. 복수의 행 그룹은 제1 행 그룹(P11, P12, ..., P1m) 내지 제n번째 행 그룹(Pn1, Pn2, ..., Pnm)을 포함할 수 있다. 또한, 복수의 화소(P)는 기판(105) 상에 제1 방향(X)을 따라 배열되는 복수의 열 그룹으로 구분될 수도 있다. 복수의 열 그룹은 제1 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1) 내지 제n번째 열 그룹(P1m, P2m, ..., Pnm)을 포함할 수 있다.
기판(105)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연 기판은 투명한 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 절연 기판은 불투명 재질로 이루어지거나, 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 더 나아가, 상기 절연 기판은 플렉서블 기판일 수 있다.
도시하지는 않았지만, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 다른 구조물들을 더 포함할 수 있다. 상기 다른 구조물들의 예로는 배선, 전극, 절연막 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 단결정 실리콘 등으로 이루어진 액티브 영역을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체로 형성되는 액티브 영역을 포함할 수 있다.
제1 전극(110)은 기판(105) 상에 각 화소(P) 별로 배치된다. 제1 전극(110)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(160)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다. 본 실시예에서는, 제1 전극(110)이 애노드 전극인 것으로 예시한다.
제1 전극(110)은 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(110)이 투명 전극으로 사용될 때는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 제1 전극(110)이 반사 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(110)이 반투과 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 얇은 두께로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(110)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
제1 전극(110)이 투명 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(160)으로부터 발생되는 광이 제1 전극(110) 방향으로 방출되는 배면 발광형인 경우일 수 있다. 또한, 제1 전극(110)이 반사 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(160)으로부터 발생되는 광이 제2 전극(190) 방향으로 방출되는 전면 발광형인 경우일 수 있다.
화소 정의막(120)은 제1 전극(110)을 노출하는 개구부(OP)를 가지도록 기판(105) 상에 배치되며, 기판(105) 상에 각 화소(P)를 구획한다. 화소 정의막(120)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(120)은 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(polyamaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예로, 화소 정의막(120)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(120)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
정공 주입층(130)은 은 화소 정의막(120)의 개구부(OP)를 통해 노출되는 제1 전극(110) 상에 형성되되, 화소 정의막(120)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 정공 주입층(130)은 제1 전극(110)과 정공 수송층(150) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제1 전극(110)로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(150)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 정공 주입층(130)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene, polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 정공 주입층(130)은 슬릿 코팅을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
친액 패턴(140)은 정공 주입층(130) 상에 각 화소(P) 별로 배치된다. 구체적으로, 친액 패턴(140)은 화소 정의막(120)의 개구부(OP) 내부에서 정공 주입층(130) 상에 배치된다. 친액 패턴(140)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
친액 패턴(140)은 정공 수송 용액(도 5의 150a)에 대해 화소 정의막(120)보다 친액성을 가지도록, 즉 친액 패턴(140)에 대한 정공 수송 용액(도 5의 150a)의 접촉각이 화소 정의막(120)에 대한 정공 수송 용액(도 5의 150a)의 접촉각보다 작게 하는 친액성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 친액 패턴(140)은 친액 패턴(140)에 대한 정공 수송 용액(도 5의 150a)의 접촉각이 약 10° 이하인 도전성 프라이머(primer)로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 화소(P)에 노즐 프린트 방법을 이용하여 정공 수송 용액(도 5의 150a)을 화소 정의막(120)의 개구부(OP) 내부의 친액 패턴(140) 상에 토출할 때 친액 패턴(140)에 대한 정공 수송 용액(도 5의 150a)의 습윤성이 높아, 정공 수송 용액(도 5의 150a)이 화소 정의막(120)의 상면으로 퍼지지 않고 해당 화소 내에 안정적으로 가둬질 수 있으며, 정공 수송층(150)이 친액 패턴(140) 상에 균일하게 형성될 수 있다. 상기 습윤성이 높다는 의미는 액체가 고체 표면에 넓게 퍼져 접촉되는 정도가 높다는 의미일 수 있다.
친액 패턴(140)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 방향(X)에서 개구부(OP)의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 제1 측부와 인접한 제1 부분(141)과, 제2 측부와 인접한 제2 부분(142)을 포함할 수 있다. 이러한 친액 패턴(140)의 구조에 대한 더욱 상세한 설명은 후술된다.
정공 수송층(150)은 친액 패턴(140) 상에 형성된다. 정공 수송층(150)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 방향(Y)에서 개구부(OP)의 마주보는 제3 측부 및 제4 측부 중 제3 측부에 인접한 일부분(151)과 제4 측부와 인접한 다른 부분(152)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 전극(110)으로부터 일부분(161)의 가장자리까지의 높이(H1)는 제1 전극(110)으로부터 다른 부분(162)의 가장자리까지의 높이(H2)보다 낮을 수 있다. 이는 복수의 화소(P)에 노즐 프린트 방법을 이용하여 정공 수송 용액(도 5의 150a)을 화소 정의막(120)의 개구부(OP) 내부의 친액 패턴(140) 상에 토출시 토출 장치(도 1의 10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘이 제2 방향(Y)에서 토출 장치(10)가 이동하는 방향쪽으로 크게 작용하여 정공 수송 용액(도 5의 150a)이 개구부(OP)의 제4 측부의 높은 위치까지 접촉하여 건조되기 때문이다. 한편, 제1 전극(110)으로부터 정공 수송층(150)의 일부분(151)의 가장자리까지의 높이(H1)와 제1 전극(110)으로부터 정공 수송층(150)의 다른 부분(152)의 가장자리까지의 높이(H2)의 차이는 크지 않으며, 이에 따라 발광 표시 장치(100)의 발광 특성을 저하시키는 데 큰 영향이 없다.
정공 수송층(150)은 정공 주입층(130)으로부터 친액 패턴(140)을 통해 정공을 제공받는다. 정공 수송층(150)은 정공 주입층(130)으로부터 친액 패턴(140)을 통해 제공받는 정공을 발광층(160)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 정공 수송층(150)은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 정공 수송층(150)은 박막을 균일하게 형성하는데 유리한 노즐 프린트 방법을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
발광층(160)은 정공 수송층(150) 상에 형성된다. 발광층(160)은 제1 전극(110)에서 제공되는 정공과 제2 전극(190)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(160)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다. 이러한 발광층(160)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다. 발광층(160)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene), TCTA, TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), E3, DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-di-p tolylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(170)은 발광층(160) 상에 배치되며, 제2 전극(190)으로부터 전자 주입층(180)을 통해 전자를 제공받는다. 전자 수송층(170)은 제2 전극(190)으로부터 전자 주입층(180)을 통해 제공받은 전자를 발광층(160)으로 전달하는 역할을 한다. 이러한 전자 수송층(170)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BAlq, Alq3 (Tris(8-quinolinolato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI 등의 재료를 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층(170)은 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(180)은 전자 수송층(170) 상에 형성되며, 제2 전극(190)으로부터 전자를 제공받는다. 전자 주입층(180)은 전자 수송층(170)과 제2 전극(190) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제2 전극(190)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(170)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 이러한 전자 주입층(180)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(180)은 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(190)은 전자 주입층(180) 상에 형성되며, 발광층(160)으로 전자를 전자를 제공하는 캐소드 전극 또는 정공을 제공하는 애노드 전극일 수 있다. 본 실시예에서는, 제2 전극(190)이 캐소드 전극인 것으로 예시한다. 제2 전극(190)도 제1 전극(110)과 마찬가지로 투명 전극 또는 반사 전극으로 사용될 수 있다. 제2 전극(190)은 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도시하진 않았지만, 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(190)의 상부에 배치되는 봉지 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판은 절연 기판으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(120) 상의 제2 전극(190)과 봉지 기판 사이에는 스페이서가 배치될 수도 있다. 본 발명의 다른 몇몇 실시예에서, 상기 봉지 기판은 생략될 수도 있다. 이 경우, 절연 물질로 이루어진 봉지막이 전체 구조물을 덮어 보호할 수 있다.
다음은 친액 패턴(140)의 구조에 대해 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 도 2의 'A' 부분의 확대 단면도이고, 도 5는 정공 수송 용액 토출시 인접한 화소들에서 정공 수송 용액의 상태를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 친액 패턴(140)은 제1 방향(X)에서 개구부(OP)의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 제1 측부와 인접한 제1 부분(141)과, 제2 측부와 인접한 제2 부분(142)을 포함할 수 있다.
제1 부분(141)은 평평한 상면을 가지는 평평부로 구성될 수 있다. 제2 부분(142)은 제1 부분(141)과 연결되며, 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성될 수 있다. 이 경우, 제1 부분(141)의 평균 두께와 제2 부분(14)의 평균 두께는 다를 수 있으며, 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제2 부분(142)의 가장자리 상면까지의 높이(H3)가 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(141)의 상면까지의 최소 높이(H4)보다 낮을 수 있다. 여기서, 제1 부분(141)의 상면이 평평하므로, 제1 부분(141)의 어느 위치든 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(141)의 상면까지의 높이가 모두 동일할 수 있다.
이에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 화소(P11)의 친액 패턴(140)에서 경사부로 구성된 제2 부분(142)에 의해 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향(즉, 개구부(OP)의 제1 측부)으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 그 결과, 화소(P11)의 친액 패턴(140) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 화소(P11)의 친액 패턴(140) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 화소(P11)의 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다. 상기 노즐 프린트 방법을 이용하여 정공 수송 용액(150a)을 토출하는 토출 장치(10)는 하나의 노즐(도 1의 10a)을 포함할 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 화소(P11)에서 화소(P21)를 지나 화소(P12) 방향으로 이동할 수 있다(도 1의 점선 참조).
한편, 도 4에서 정공 수송층(150)의 두께가 균일하지 않은 것으로 도시되어 발광 표시 장치(100)의 발광 특성에 영향을 줄 수 있는 것으로 이해될 수 있지만, 친액 패턴(140)의 두께가 실질적으로 매우 얇으므로 평평부로 구성되는 제1 부분(141)과 경사부로 구성되는 제2 부분(142)을 포함하는 친액 패턴(140)의 형상에 크게 영향받지 않고 정공 수송층(150)의 두께가 거의 균일할 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140)은 친액성 물질을 정공 주입층(130) 상에 도포한 후 패턴 마스크를 이용하여 노광시키고 노광된 부분을 현상 공정에 의해 정공 주입층(130) 상에 남기는 네가티브형 포토리소그래피 방법에 의해 형성될 수 있다. 물론, 정공 주입층(130) 상에 남는 친액성 물질로부터 형성되는 친액 패턴(140)의 두께는 노광량에 의해 조절될 수 있다. 즉, 친액성 물질의 노광량이 클수록 친액 패턴(140)의 두께가 두꺼울 수 있다. 이러한 원리를 이용하여, 친액 패턴(140)에서 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성된 제2 부분(142)을 형성하는 친액성 물질, 즉 개구부(OP)의 제2 측부와 인접한 친액성 물질의 노광량이 개구부(OP)의 제1 측부와 인접한 친액성 물질의 노광량보다 작으며, 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부로 갈수록 작아질 수 있다.
한편, 친액성 물질의 노광량이 작을수록 친액 패턴(140)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 접촉각이 클 수 있다. 즉, 제2 부분(142)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 접촉각이 제1 부분(141)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 접촉각보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 부분(142)의 가장자리에 대한 정공 수송 용액(150a)의 제1 접촉각이 약 5° 이하일 수 있으며, 제1 부분(141)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 제2 접촉각은 약 4°이하일 수 있고, 상기 제1 접촉각과 상기 제2 접촉각의 차이는 약 2° 이하일 수 있다. 정공 수송 용액(150a)의 접촉각이 큰 부분에서 정공 수송 용액(150a)의 퍼짐이 줄어들어 정공 수송 용액(150a)이 고정되려는 특성이 있다.
이러한 특성에 의해, 도 5에 도시된 바와 같이 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 상기 제2 접촉각보다 큰 상기 제1 접촉각에 의해 더욱 증가될 수 있다. 한편, 상기 제1 접촉각이 상기 제2 접촉각보다 크기 때문에 개구부(OP) 내부 전체적으로 정공 수송 용액(150a)의 퍼짐성이 좋지 않은 것으로 이해될 수 있지만, 상기 제1 접촉각과 상기 제2 접촉각의 차이가 크지 않기 때문에 개구부(OP) 내부 전체적으로 정공 수송 용액(150a)의 퍼짐성에 대해 크게 영향이 없다.
도 6 내지 도 11은 친액 패턴의 다양한 실시예들을 보여주는 단면도들 및 평면도들이다.
도 6은 친액 패턴(140a)이 경사부로 구성된 제1 부분(141a)과 경사부로 구성된 제2 부분(142a)을 포함하는 것을 예시한다. 구체적으로, 제1 부분(141a)은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성될 수 있으며, 제2 부분(142a)은 도 4의 제2 부분(142)과 동일하다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140a)이 도 5의 화소(P11) 및 화소(P12)의 정공 주입층(130) 상에 적용되는 경우, 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140a) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 화소(P11)의 친액 패턴(140a)에서 경사부로 구성된 제2 부분(142a)과 경사부로 구성된 제1 부분(141a)에 의해 더욱 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140a) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 그 결과, 화소(P11)의 친액 패턴(140a) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 화소(P11)의 친액 패턴(140a) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 화소(P11)의 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
도 7은 친액 패턴(140b)이 평평부로 구성된 제1 부분(141b)과 계단부로 구성된 제2 부분(142b)을 포함하는 것을 예시한다. 구체적으로, 제1 부분(141b)은 도 4의 제1 부분(141)과 동일하며, 제2 부분(142b)은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 부분적으로 얇아지도록 계단 형태의 상면을 가지는 계단부로 구성될 수 있다. 상기 계단부는 외력에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력을 크게할 수 있으며, 친액 패턴(140b)을 형성하기 위한 친액성 물질에 대한 노광량을 조절함에 의해 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140b)이 도 5의 화소(P11) 및 화소(P12)의 정공 주입층(130) 상에 적용되는 경우, 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140b) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 화소(P11)의 친액 패턴(140b)에서 계단부로 구성된 제2 부분(142b)에 의해 더욱 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140b) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 그 결과, 화소(P11)의 친액 패턴(140b) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 화소(P11)의 친액 패턴(140b) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 화소(P11)의 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9는 친액 패턴(140c)이 평평부로 구성된 제1 부분(141c)과 복수의 라인(L1, L2, L3, L4)으로 구성된 제2 부분(142c)을 포함하는 것을 예시한다. 구체적으로, 제1 부분(141c)은 도 4의 제1 부분(141)과 동일하며, 제2 부분(142c)은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향과 수직인 방향(즉, Y 방향)으로 연장되며 제1 측부에서 제2 측부 방향(즉, X 방향)으로 이격되는 복수의 라인(L1, L2, L3, L4)으로 구성된다. 복수의 라인(L1, L2, L3, L4)의 두께는 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지며, 라인들(L1, L2, L3, L4) 사이에 정의되는 복수의 홈(g1)의 폭은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
복수의 라인(L1, L2, L3, L4)과 그들 사이에 정의된 복수의 홈(g1)은 외력에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력을 크게할 수 있으며, 친액 패턴(140c)을 형성하기 위한 친액성 물질에 대한 노광량을 조절함에 의해 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140c)이 도 5의 화소(P11) 및 화소(P12)의 정공 주입층(130) 상에 적용되는 경우, 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140c) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 화소(P11)의 친액 패턴(140c)에서 복수의 라인(L1, L2, L3, L4)과 그들 사이에 정의된 복수의 홈(g1)로 구성된 제2 부분(142c)에 의해 더욱 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140c) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 그 결과, 화소(P11)의 친액 패턴(140c) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 화소(P11)의 친액 패턴(140c) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 화소(P11)의 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
도 10은 친액 패턴(140d)이 평평부로 구성된 제1 부분(141d)과 복수의 도트 패턴(D1, D2, D3, D4)으로 구성된 제2 부분(142d)을 포함하는 것을 예시한다. 구체적으로, 제1 부분(141d)은 도 4의 제1 부분(141)과 동일하며, 제2 부분(142d)은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향(즉, X 방향)으로 갈수록 두께가 얇아지는 복수의 도트 패턴(D1, D2, D3, D4)으로 구성된다. 복수의 도트 패턴(D1, D2, D3, D4) 사이에는 서로 교차하는 제1 홈들(g2)과 제2 홈들(g3)이 정의된다. 제1 홈들(g2)의 폭은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향(즉, X 방향)으로 갈수록 작아질 수 있다. 제2 홈들(g3)의 폭은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향과 수직인 방향(즉, Y 방향)에서 동일할 수 있다.
복수의 도트 패턴(D1, D2, D3, D4)과 그들 사이에 정의된 홈들(g2, g3)은 외력에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력을 크게할 수 있으며, 친액 패턴(140d)을 형성하기 위한 친액성 물질에 대한 노광량을 조절함에 의해 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140d)이 도 5의 화소(P11) 및 화소(P12)의 정공 주입층(130) 상에 적용되는 경우, 노즐 프린트 방법을 이용하여 화소(P12)의 친액 패턴(140d) 상에 정공 수송 용액(150a)을 토출 장치(10)로부터 토출시킬 때, 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 화소(P11)의 친액 패턴(140d)에서 복수의 도트 패턴(D1, D2, D3, D4)과 그들 사이에 정의된 홈들(g2, g3)로 구성된 제2 부분(142d)에 의해 더욱 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140d) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 그 결과, 화소(P11)의 친액 패턴(140d) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 화소(P11)의 친액 패턴(140d) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 화소(P11)의 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
도 11은 친액 패턴(140e)이 제1 부분(141e), 제2 부분(142e) 및 제3 부분(143e)을 포함하는 것을 예시한다. 구체적으로, 제1 부분(141e)과 제2 부분(142e)은 도 4의 제1 부분(141)과 제2 부분(142)과 동일하며, 제3 부분(143e)은 개구부(OP)의 제1 측부와 제1 부분(141e) 사이에 배치되며 개구부(OP)의 제2 측부에서 제1 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성될 수 있다. 이 경우, 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제3 부분(143e)의 가장자리 상면까지의 높이가 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(140e)의 상면까지의 최소 높이보다 낮을 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 친액 패턴(140e)은 도 1의 토출 장치(10)가 화소(P11)에서 화소(P21)를 지나 화소(P12) 방향으로 이동하여 프린팅을 진행하는 경우와 화소(P12)에서 화소(P21)을 지나 화소(P11) 방향으로 이동하여 프린팅을 진행하는 경우 모두에서 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)이 화소(P11)의 친액 패턴(140e) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(도 5의 150a) 또는 화소(P12)의 친액 패턴(140e) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(도 5의 150a)을 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향으로 쏠리게 하거나 또다른 화소로 넘어가게 하는 것을 줄이거나 방지하게 할 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 제1 부분(141)과 제2 부분(142)을 포함하며 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제2 부분(142)의 가장자리 상면까지의 높이(H3)가 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(142)의 상면까지의 최소 높이(H4)보다 낮도록 구성된 친액 패턴(140)을 구비함으로써, 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치(10)를 이용하여 정공 수송 용액(150a)을 친액 패턴(140)에 토출시킬 때 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)이 인접한 화소의 친액 패턴(140)에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)을 개구부(OP) 내부에서 한쪽 방향으로 쏠리게 하거나 다른 화소로 넘어가게 하는 것을 줄이거나 방지하게 할 수 있다.
이에 따라, 친액 패턴(140) 상에 토출된 정공 수송 용액(150a)이 건조되어 형성되는 정공 수송층(150)의 형상이 균일할 수 있으며, 친액 패턴(140) 상에 토출된 정공 수송 용액이 개구부(OP) 내부에 가둬진 상태로 건조되어 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
따라서, 발광 표시 장치(100)의 발광 특성이 균일하게 되고 발광 표시 장치(100)에 혼색이 표시되는 것이 방지되어, 발광 표시 장치(100)의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이고, 도 13은 도 12의 III-III' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이고, 도 14는 도 13의 'B' 부분의 확대 단면도이고, 도 15는 도 13의 'C' 부분의 확대 단면도이다.
도 12 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 도 2의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 기판(205) 및 친액 패턴(240)만 다를 뿐 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)에서는 기판(205) 및 친액 패턴(240)에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 기판(205), 제1 전극(110), 화소 정의막(120), 정공 주입층(130), 친액 패턴(240), 정공 수송층(150), 발광층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)을 포함한다. 각 부재들은 도 13의 Z 방향으로 순차 적층된다.
기판(205)은 도 1 및 도 2의 기판(105)과 유사하다. 다만, 기판(205)에 정의되는 복수의 화소(P)가 복수의 화소 열 그룹을 포함하는 복수의 단위 하소 블럭으로 구분될 수 있다. 복수의 단위 화소 블럭은 제1 단위 화소 블럭(UB1) 내지 제t번째 단위 화소 블럭(UBt; t는 2 이상의 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 단위 화소 블럭 각각에 포함되는 복수 화소 열 그룹의 개수는 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 단위 화소 블럭(UB1)에는 제1 화소 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1), 제2 열 그룹(P12, P22, ..., Pn2) 및 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)을 포함할 수 있다. 제2 단위 화소 블럭(UB2)에는 제4 화소 열 그룹(P14 P24, ..., Pn4), 제5 화소 열 그룹(P15, P25, ..., Pn5) 및 제6 화소 열 그룹(P16, P26, ..., Pn6)을 포함할 수 있다
각 단위 화소 블럭에 3개의 화소 열 그룹이 포함되는 것은 토출 장치(20)의 노즐(20a, 20b, 20c)의 개수가 3개임에 따라 구분되는 것이며, 예를 들어 노즐 프린트 방법에 의해 제1 노즐(20a)로부터 제1 단위 블럭(UB1)의 제1 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1)에 해당하는 화소에 용액이 토출될 수 있으며, 제2 노즐(20b)로부터 제1 단위 블럭(UB1)의 제2 열 그룹(P12, P22, ..., Pn2)에 해당하는 화소에 용액이 토출될 수 있고, 제3 노즐(20c)로부터 제1 단위 블럭(UB1)의 제3 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소에 용액이 토출될 수 있다.
이와 같이, 각 단위 화소 블럭에 포함되는 화소 열 그룹의 개수는 하나의 토출 장치에 포함된 노즐의 개수와 동일할 수 있다.
친액 패턴(240)은 도 2의 친액 패턴(140)과 유사하다. 다만, 친액 패턴(240)은 하나의 단위 화소 블럭에서 하나의 화소 열 그룹이 다른 화소 열 그룹들과 다른 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제1 화소 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1)에 해당하는 화소(P11)의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)은 평평부로 구성되는 제1 부분(241)과 평평부로 구성되는 제2 부분(242)을 포함할 수 있다. 이 경우, 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(241)의 상면까지의 높이와 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제2 부분(241)의 상면까지의 높이가 'H13'으로 동일할 수 있다. 도시하진 않았지만, 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제2 화소 열 그룹(P12, P22, ..., Pn2)에 해당하는 화소(P12)의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)도 제1 화소 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1)에 해당하는 화소(P11)의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)과 동일한 구조를 가진다. 이러한 구조는 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제1 화소 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1)에 해당하는 화소들과 제2 화소 열 그룹(P12, P22, ..., Pn2)에 해당하는 화소들 모두에 적용된다.
반면, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소(P13)의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)은 평평부로 구성되는 제1 부분(243)과 경사부로 구성되는 제3 부분(244)을 포함할 수 있다. 이 경우, 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제2 부분(244)의 가장자리 상면까지의 높이(H23)가 정공 주입층(130)의 상면으로부터 제1 부분(243)의 상면까지의 최소 높이(H24)보다 낮을 수 있다. 이러한 구조는 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소들 모두에 적용된다.
이와 같이 제1 단위 화소 블럭(UB1)에 포함된 제1 화소 열 그룹(P11, P21, ..., Pn1) 내지 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3) 중 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소들의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)의 제2 부분(244)만 경사부로 구성될 수 있다.
이는 3개의 노즐(20a, 20b, 20c)을 가지는 토출 장치(20)가 노즐 프린트 방법을 이용하여 단위 화소 블럭 단위로 이동, 예를 들어 제1 단위 화소 블럭(UB1)과 제2 단위 화소 블럭(UB2)을 순차적으로 이동(도 12의 점선으로 표시됨)하면서 정공 수송 용액(도 5의 150a)을 화소 정의막(120)의 개구부(OP) 내부의 친액 패턴(240) 상에 토출할 때, 토출 장치(20)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘이 인접한 제1 단위 블럭(UB1)과 제2 단위 블럭(UB2) 사이에 정의되는 경계부(CP)와 마주보는 제1 단위 블럭(UB1)의 제3 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소들에 먼저 토출된 정공 수송 용액(도 5의 150a)에 영향을 줄 수 있기 때문이다. 이에 따라, 상기 힘에 대해 영향을 받는 제1 단위 블럭(UB1)의 제3 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소들에 토출된 정공 수송 용액(도 5의 150a)의 저항력을 증가시키 위해, 제3 화소 열 그룹(P13, P23, ..., Pn3)에 해당하는 화소들의 정공 주입층(130) 상에 배치되는 친액 패턴(240)의 제2 부분(244)만 경사부로 구성될 수 있다.
이와 같이 하나의 토출 장치에 포함된 노즐 개수에 따라 경사부를 포함하는 친액 패턴의 위치가 결정될 수 있다.
한편, 도시하진 않았지만 경사부로 구성된 제2 부분(244)은 도 6 내지 도 11에 도시된 제2 부분의 구성으로 대체될 수도 있다.
상기와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 하나의 토출 장치에 포함된 노즐의 개수에 따라 하나의 단위 화소 블럭에서 어느 하나의 열화소 그룹에 해당하는 화소들의 정공 주입층(130)에 배치되는 친액 패턴(240)의 제2 부분(244)만 경사부로 구성되기 때문에 친액 패턴(240)의 패터닝을 용이하게 할 수 있다.
이하, 상술한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 발광 표시 장치를 제조하기 위한 예시적인 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 16 내지 도 30은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들 및 평면도들이다. 도 16 내지 도 30에서는, 화소(P11)과 화소(P12) 부분이 예시적으로 도시되었다.
먼저, 도 16을 참조하면, 복수의 화소(도 1의 P)가 정의되는 기판(105) 상에 각 화소 별로 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)은 기판(105) 상에 투명 전극 물질 또는 반사 물질을 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 17을 참조하면, 기판 상에 각 화소(도 1의 P)를 구획하며 제1 전극(110)을 노출하는 개구부(OP)를 갖는 화소 정의막(120)을 형성한다. 화소 정의막(120)은 제1 전극(110)을 덮도록 기판(105)의 전면(全面)에 증착 방법을 이용하여 절연 물질을 증착하고, 증착된 절연 물질을 패터닝하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 18을 참조하면, 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)을 형성한다. 정공 주입층(130)은 슬릿 코팅 등을 이용해 제1 전극(110)뿐 아니라 화소 정의막(120)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
이어서, 도 19 내지 도 21을 참조하면, 패턴 마스크(30)를 이용하여 정공 주입층(130) 상에 친액 패턴(140)을 형성한다.
구체적으로 도 19에 도시된 바와 같이, 친액성 용액을 슬릿 코팅 등을 이용해 정공 주입층(130) 상에 도포하여 친액성 물질층(140L)을 형성하고, 친액성 물질층(140L)과 대향하도록 친액성 물질층(140L)의 상부에 패턴 마스크(30)를 배치시키고 친액성 물질층(140L)에 광을 조사한다.
패턴 마스크(30)는 광을 차단하며 화소 정의막(120)의 상면와 대응되도록 배치되는 차단부(BR)와, 광을 통과시키며 친액성 물질층(140L)에서 제1 전극(110)과 중첩하며 제1 방향(X)에서 개구부(OP)의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 제1 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 투과부(TR)와, 광의 투과율을 조절하며 친액성 물질층(140L)에서 제1 전극(110)과 중첩하며 개구부(OP)의 제2 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 반투과부(STR)를 포함할 수 있다.
패턴 마스크(30)는 도 20에 도시된 바와 같이 투명 기판(31)과, 투명 기판(31) 상에서 차단부(BR)와 대응되는 영역에 배치되는 차광막(32)과, 차광막(31) 상에 차단부(BR)와 반투과부(STR)와 대응되는 영역에 배치되는 반투명막(33)을 포함하여 구성될 수 있다. 투명 기판(31)은 예를 들어 석영 기판일 수 있으며, 차광막(32)은 예를 들어 크롬, 몰리브덴실리사이드, 탄탈, 알루미늄, 규소, 산화규소, 산화질화규소 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 반투명막(33)은 산화크롬막 또는 산호질화크롬막으로 형성될 수 있다. 여기서, 반투과부(STR)에서 광의 투과율은 반투명막(33)의 두께가 조절되어 조절될 수 있다. 즉, 반투과부(STR)에서 광의 투과율을 높이고자 하는 부분에 배치되는 반투명막(STR)의 두께가 반투과부(STR)에서 광의 투과율을 낮추고자 하는 부분에 배치되는 반투명막(STR)의 두께보다 얇을 수 있다.
본 실시예에서는 네가티브형 포토리소그래피 방법을 이용하느 경우에서 친액 패턴(140)의 제2 부분(도 2의 142)의 가장자리의 두께를 얇게하기 위해, 친액성 물질층(140L) 중 친액 패턴(140)의 제2 부분(도 2의 142)의 가장자리가 형성될 영역과 대응되는 영역의 노광량이 작아야 한다. 이에 따라, 반투명막(STR) 중 친액 패턴(140)의 제2 부분(도 2의 142)의 가장자리가 형성될 영역과 대응되는 영역에 배치되는 부분의 두께가 다른 부분보다 두꺼울 수 있다.
이러한 패턴 마스크(30)를 친액성 물질층(140L)의 상부에 배치시키고 광을 친액성 물질층(140L)에 조사하면, 현상 공정에서 친액성 물질층(140L) 중 노광된 부분만이 남아 도 21에 도시된 바와 같은 친액 패턴(140)이 형성된다. 상기 노광된 부분은 노광량에 따라 다른 두께를 가질 수 있다.
한편, 도 20에 도시된 패턴 마스크(30)는 기판(31), 차광막(32) 및 반투명막(33)을 포함하여 구성되었으나, 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이 반투명막 없이 기판과 차광막을 포함하여 구성될 수 있다.
예를 들어, 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이 패턴 마스크(30a)는 투명 기판(31)과, 투명 기판(31) 상에서 차단부(BR)와 반투과부(STR)과 대응되는 영역에 배치되는 차광막(32a)을 포함하여 구성될 수 있다. 차광막(32a)은 도 20의 차광막(32)과 유사하다. 다만, 차광막(32a)은 차단부(BR)에서 연속적인 형태를 가지는 연속부(32aa)와, 반투과부(STR)에서 복수의 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)으로 구성된 패턴부(32ab)를 포함할 수 있다. 라인들(BL1, BL2, BL3, BL4) 사이에 정의되는 홈들(pg1)의 폭은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향(즉, X 방향)으로 갈수록 작아질 수 있다. 홈들(pg1)은 패턴 마스크(30a)의 반투과부(TR)를 통과하는 광의 투과율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 홈(pg1)의 폭이 작을수록 광의 투과율이 작을 수 있다.
또다른 예로, 도 24에 도시된바와 같이 패턴 마스크(30b)는 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이 패턴 마스크(30a)에서 복수의 라인(BL1, BL2, BL3, BL4)으로 구성된 패턴부(32ab)만 복수의 도트 패턴(BLD1, BLD2, BLD3, BLD4)으로 구성된 패턴부(32bb)로 대체하여 구성될 수 있다. 도트 패턴(BLD1, BLD2, BLD3, BLD4) 사이에 정의되는 홈들(pg2)의 폭은 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향(즉, X 방향)으로 갈수록 작아질 수 있다. 홈들(pg2)은 패턴 마스크(30b)의 반투과부(TR)를 통과하는 광의 투과율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 홈(pg2)의 폭이 작을수록 광의 투과율이 작을 수 있다. 개구부(OP)의 제1 측부에서 제2 측부 방향과 수직인 방향(즉, Y 방향)을 따라 배열되는 홈들(pg3)의 폭은 동일할 수 있다.
이어서, 도 25 내지 도 27을 참조하면, 친액 패턴(140) 상에 정공 수송층(150)을 형성한다.
도 25를 참조하면, 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치(10)로부터 정공 수송 용액(150a)을 토출시켜 화소(P11)의 친액 패턴(140) 상에 제공한다. 이후, 토출 장치(10)를 화소(도 1의 P21)를 지나 화소(P12) 방향으로 이동시키면서 정공 수송 용액(150a)을 화소(P12)의 친액 패턴(140) 상에 제공한다.
이때, 도 26에 도시된 바와 같이 화소(P12)의 친액 패턴(140) 상에 정공 수송 용액(150a)이 제공될 때 토출 장치(10)의 빠른 이동 속도에 의한 기류로부터 발생하는 힘(F)이 발생되지만, 화소(P11)의 친액 패턴(140)이 경사진 제2 부분(142)을 통해 상기 힘(F)에 대한 정공 수송 용액(150a)의 저항력이 증가되어 화소(P11)의 친액 패턴(140) 상에 먼저 토출된 정공 수송 용액(150a)이 개구부(OP)의 내부에서 한쪽 방향(즉, 개구부(OP)의 제1 측부)으로 쏠린 상태로 고정되거나 또는 또다른 화소로 넘어가는 것이 줄어들거나 방지될 수 있다. 이러한 상태로 정공 수송 용액(150a)에 건조 공정이 수행되면, 도 27과 같이 형상이 균일하고 화소(P11, P12)에 가둬진 상태로 정공 수송층(150)이 형성될 수 있다.
이어서, 28 및 도 29를 참조하면, 정공 수송층(150) 상에 발광층(160)을 형성한다.
도 28을 참조하면, 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법에 의해 토출 장치(40)으로부터 발광 용액(160a)을 토출하여 화소 정의막(120)의 개구부(OP) 내측으로 제공한다. 이 때, 발광층 용액(160a)은 도 25의 정공 수송 용액(150a)과 동일한 용매를 포함할 수 있다. 이 경우, 정공 수송층(150)이 발광 용액(160a)에 대해 친액성을 갖을 수 있다.
도 29를 참조하면, 발광 용액(160a)을 건조시켜 정공 수송층(150) 상에 발광층(160)을 형성한다.
이어서, 도 30을 참조하면, 발광층(160) 상에 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)을 형성한다. 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 제2 전극(190)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도시하진 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(190)의 상부에 봉지 기판을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(190)과 봉지 기판 사이에 스페이서를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판을 배치하는 것과 스페이서를 배치하는 다양한 방법들이 당업계에 널리 공지되어 있으므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200: 발광 표시 장치
105, 205: 기판
110: 제1 전극
120: 화소 정의막
130: 정공 주입층
140, 140a, 140b, 140c, 140d, 140e: 친액 패턴
150: 정공 수송층
160: 발광층
170: 전자 수송층
180: 전자 주입층
190: 제2 전극
105, 205: 기판
110: 제1 전극
120: 화소 정의막
130: 정공 주입층
140, 140a, 140b, 140c, 140d, 140e: 친액 패턴
150: 정공 수송층
160: 발광층
170: 전자 수송층
180: 전자 주입층
190: 제2 전극
Claims (20)
- 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층;
상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴;
상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며,
상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮은 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 수송층은 정공 수송 용액을 건조시켜 형성되며,
상기 제2 부분의 가장자리에 대한 상기 정공 수송 용액의 제1 접촉각이 상기 제1 부분에 대한 상기 정공 수송 용액의 제2 접촉각보다 큰 발광 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 접촉각과 상기 제2 접촉각의 차이가 2° 이하인 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며, 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며, 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 부분적으로 얇아지도록 계단 형태의 상면을 가지는 계단부로 구성되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며, 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향과 수직인 방향으로 연장되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 이격되는 복수의 라인을 포함하며,
상기 복수의 라인의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아지는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며, 복수의 도트 패턴을 포함하며,
상기 복수의 도트 패턴의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아지는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 친액 패턴은 상기 개구부의 제1 측부와 상기 제1 부분 사이에 배치되는 제3 부분을 더 포함하며,
상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제3 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮은 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 수송층은 상기 제2 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제3 측부 및 제4 측부 중 상기 제3 측부와 인접한 일부분과 상기 제4 측부에 인접한 다른 부분을 포함하며,
상기 제1 전극으로부터 상기 일부분의 가장자리까지의 높이가 상기 제1 전극으로부터 상기 다른 부분의 가장자리까지의 높이보다 낮은 발광 표시 장치. - 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하며, 상기 복수의 화소가 상기 제1 방향을 따라 배열되는 복수의 열그룹을 포함하는 단위 블럭들로 구분되며, 상기 단위 블럭들이 제1 단위 블럭과 제2 단위 블럭을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 상기 각 화소 별로 배치되는 제1 전극;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층;
상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에 배치되며, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴;
상기 친액 패턴 상에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하며,
상기 제1 단위 블럭과 상기 제2 단위 블럭 사이에 경계부가 정의되며, 상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 경계부와 마주보는 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮은 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹을 제외한 적어도 하나의 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 높이와 동일한 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 정공 수송층은 정공 수송 용액을 건조시켜 형성되며,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분의 가장자리에 대한 상기 정공 수송 용액의 제1 접촉각이 상기 제1 부분에 대한 상기 정공 수송 용액의 제2 접촉각보다 큰 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 얇아지도록 경사진 상면을 가지는 경사부로 구성되는 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 연결되며 상기 개구부의 제1 측부에서 제2 측부 방향으로 갈수록 부분적으로 얇아지도록 계단 형태의 상면을 가지는 계단부로 구성되는 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향과 수직인 방향으로 연장되며 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 이격되는 복수의 라인을 포함하며, 상기 복수의 라인의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아지는 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴에서, 상기 제2 부분은 제1 부분과 이격되며 복수의 도트 패턴을 포함하며, 상기 복수의 도트 패턴의 두께는 상기 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아지는 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 단위 블럭 중 상기 경계부와 마주보는 열 그룹에 포함된 화소들의 친액 패턴은 상기 개구부의 제1 측부와 상기 제1 부분 사이에 배치되는 제3 부분을 더 포함하며,
상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제3 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮은 발광 표시 장치. - 제1 방향과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 화소를 포함하는 기판 상에 상기 각 화소 별로 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 각 화소를 구획하며 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 개구부 내부에서 상기 정공 주입층 상에, 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 마주보는 제1 측부 및 제2 측부 중 상기 제1 측부와 인접한 제1 부분과, 상기 제2 측부와 인접한 제2 부분을 포함하는 친액 패턴을 형성하는 단계;
상기 친액 패턴 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 친액 패턴을 형성하는 단계는 상기 정공 주입층의 상면으로부터 상기 제2 부분의 가장자리 상면까지의 높이가 상기 정공주입층의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 최소 높이보다 낮게 되도록 상기 친액 패턴을 형성하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 친액 패턴을 형성하는 단계는
상기 정공 주입층 상에 친액성 용액을 도포하여 친액성 물질층을 형성하는 과정;
상기 화소 정의막의 상면과 대응되도록 배치되는 차단부와, 상기 친액성 물질층 중 상기 제1 전극과 중첩하며 상기 제1 방향에서 상기 개구부의 제1 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 투과부와, 상기 친액성 물질층 중 상기 제1 전극과 중첩하며 상기 개구부의 제2 측부와 인접한 부분과 대응되도록 배치되는 반투과부를 포함하는 패턴 마스크를 상기 친액성 물질층의 상부에 배치시키고 광을 조사시키는 과정; 및
현상 공정을 통해 상기 친액성 물질층에서 상기 광에 노출되는 부분을 남겨, 상기 친액성 물질층 중 상기 투과부와 대응되는 부분으로부터 상기 제1 부분을 형성하고 상기 친액성 물질층 중 상기 반투과부와 대응되는 부분으로부터 상기 제2 부분을 형성하는 과정을 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 친액성 물질층 중 상기 반투과부와 대응되는 부분의 노광량이 상기 투과부와 대응되는 부분의 노광량보다 작으며, 상기 반투과부와 대응되는 부분의 노광량이 상기 개구부의 제1 측부에서 상기 제2 측부 방향으로 갈수록 작아지는 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150092088A KR102502202B1 (ko) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US15/008,551 US10424624B2 (en) | 2015-06-29 | 2016-01-28 | Light-emitting display device and method of fabricating the same |
| CN201610352990.4A CN106298845B (zh) | 2015-06-29 | 2016-05-25 | 发光显示装置及其制造方法 |
| US16/560,413 US11164922B2 (en) | 2015-06-29 | 2019-09-04 | Method of fabricating light-emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150092088A KR102502202B1 (ko) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170002740A true KR20170002740A (ko) | 2017-01-09 |
| KR102502202B1 KR102502202B1 (ko) | 2023-02-21 |
Family
ID=57605206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150092088A KR102502202B1 (ko) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10424624B2 (ko) |
| KR (1) | KR102502202B1 (ko) |
| CN (1) | CN106298845B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111095385A (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-01 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102431626B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2022-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN106129265B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
| CN108346677B (zh) * | 2017-07-17 | 2019-03-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制作方法 |
| JP6957294B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
| CN109065762A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled装置的制作方法及oled装置 |
| US10845934B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel |
| CN110098246A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及光罩 |
| CN117693231A (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-12 | 台州观宇科技有限公司 | 发光组件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313652A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
| KR20070038789A (ko) * | 2005-10-06 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20070112007A (ko) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 디바이스, 막 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법 |
| KR20120061812A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-06-13 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층용 디바이스 재료, 정공 주입 수송층 형성용 잉크, 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933084B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Photronics, Inc. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
| US7273773B2 (en) * | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
| TW200717176A (en) | 2005-09-21 | 2007-05-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Photo mask having gradation sequence and method for manufacturing the same |
| JP4811292B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2011-11-09 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP5618524B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-11-05 | 公益財団法人九州先端科学技術研究所 | デバイス、薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5677432B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子、表示装置および発光装置 |
| JP5612692B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
| KR20140033671A (ko) | 2012-09-10 | 2014-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101927848B1 (ko) | 2012-09-17 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101997571B1 (ko) | 2012-10-08 | 2019-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101970539B1 (ko) | 2012-11-13 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
-
2015
- 2015-06-29 KR KR1020150092088A patent/KR102502202B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-28 US US15/008,551 patent/US10424624B2/en active Active
- 2016-05-25 CN CN201610352990.4A patent/CN106298845B/zh active Active
-
2019
- 2019-09-04 US US16/560,413 patent/US11164922B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313652A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
| KR20070038789A (ko) * | 2005-10-06 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20070112007A (ko) * | 2006-05-19 | 2007-11-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 디바이스, 막 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법 |
| KR20120061812A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-06-13 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 정공 주입 수송층용 디바이스 재료, 정공 주입 수송층 형성용 잉크, 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111095385A (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-01 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| CN111095385B (zh) * | 2017-09-21 | 2021-06-22 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190393287A1 (en) | 2019-12-26 |
| US11164922B2 (en) | 2021-11-02 |
| CN106298845A (zh) | 2017-01-04 |
| US10424624B2 (en) | 2019-09-24 |
| US20160380224A1 (en) | 2016-12-29 |
| KR102502202B1 (ko) | 2023-02-21 |
| CN106298845B (zh) | 2021-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102502202B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP6691764B2 (ja) | 発光表示装置及びその製造方法 | |
| US8987717B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same | |
| KR102413938B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US10756309B2 (en) | Light-emitting display device | |
| US20160248035A1 (en) | Light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR102457596B1 (ko) | 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2014154550A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| KR102181978B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102431626B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20140319478A1 (en) | Light emitting display device and method for fabricating the same | |
| KR102304198B1 (ko) | 발광 표시 장치 | |
| KR102337319B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |