KR102457596B1 - 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
일례로, 발광 표시 장치의 제조 방법은 복수의 제1 화소와 복수의 제2 화소를 포함하는 기판 상에 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 별로 제1 전극을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 화소 정의막 상에 상기 복수의 제1 화소의 상기 제1 전극을 노출하는 제1 패턴 개구를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함을 포함한다.

Description

발광 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어, 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 발광층이 발광됨으로써 화상이 표시된다.
유기 발광 표시 장치는 기판에 매트릭스 형태로 배열된 화소 각각에 형성되는 애노드 전극을 노출하도록 개구부를 가지는 화소 정의막을 포함하며, 이 화소 정의막의 개구부를 통해 노출되는 애노드 전극 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 캐소드 전극이 형성된다. 이 중, 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층은 공정이 단순한 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법 등의 용액 도포 방법을 이용하여 용액을 화소 정의막의 개구부 내부에 토출시키고 건조시킴으로써 박막 형태의 패턴층으로 형성될 수 있다.
한편, 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층을 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법을 이용하여 용액을 화소 정의막의 개구부 내부에 토출시키고 건조시켜 형성하는 경우, 화소 정의막의 개구부 내부에 토출된 용액이 인접한 화소 방향으로 흘러, 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층이 원치 않게 인접한 화소의 일부분까지 형성될 수 있다. 이 경우, 인접한 화소들 사이에서 상이한 발광색을 방출하는 발광층들이 서로 겹치는 형태로 형성될 수 있다. 이로 인해, 발광 표시 장치의 구동시 원치 않는 혼색이 표시 될 수 있어 표시 품질이 저하될 수 있다.
또한, 작은 크기의 화소를 가지는 발광 표시 장치의 제조시 화소 정의막의 개구부 내부를 채울 수 있는 용액의 양이 용액의 최소 토출량보다 작기 때문에, 인접한 화소들 사이에서 상이한 발광색을 방출하는 발광층들이 서로 겹치는 형태로 형성되는 것이 클 수 있다. 이로 인해, 고해상도를 가지는 발광 표시 장치의 구현이 어려울 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 품질을 향상시키고 고해상도의 구현을 가능하게 하는 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 복수의 제1 화소와 복수의 제2 화소를 포함하는 기판 상에 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 별로 제1 전극을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계; 상기 화소 정의막 상에 상기 복수의 제1 화소의 상기 제1 전극을 노출하는 제1 패턴 개구를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
상기 제1 포토레지스트 패턴의 제거는 리프트 오프 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 제1 포토레지스트 패턴은 불소 수지를 포함할 수 있다.
상기 발광층은 프린트 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 화소는 상기 제2 화소와 상이한 발광색을 방출하는 화소일 수 있다.
또한, 상기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와 상기 발광층을 형성하는 단계 사이에, 상기 제1 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층 및 상기 정공 수송층 각각은 프린트 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 상에 상기 복수의 제2 화소의 상기 제1 전극을 노출하는 제2 패턴 개구를 가지는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 상기 제1 화소의 상기 발광층과 상이한 컬러를 방출하는 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 전체의 상기 제1 전극 상에 발광 용액을 토출하고 건조시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 발광 용액을 토출하고, 상기 기판을 틸팅시켜 상기 발광 용액을 흐르게 함으로써 상기 제1 화소들 중 다른 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 상기 발광 용액이 도포되게 하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하며, 상기 제2 화소들을 상기 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하고, 상기 제1 화소들의 화소 열들과 상기 제2 화소들의 화소열들이 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 위치하며, 상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들은 상기 제1 화소들의 화소 열들 중 하나의 화소 열일 수 있다.
상기 제1 화소들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하며, 상기 제2 화소들을 상기 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하고, 상기 제1 화소들의 화소 열들과 상기 제2 화소들의 화소열들이 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 위치하며, 상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들은 상기 제1 화소들의 화소 열들 중 상기 발광 용액이 토출되지 않는 적어도 하나 이상의 화소 열을 사이에 둔 복수의 화소 열일 수 있다.
상기 발광 용액의 토출시 상기 기판의 일측과 타측은 동일한 높이에 있으며, 상기 기판의 틸팅은 상기 기판의 상기 일측과 상기 타측이 상이한 높이에 있도록 이루어질 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 기판을 틸팅시켜 상기 발광 용액을 흐르게 할 때 에어 나이프의 에어를 상기 발광 용액으로 제공하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 중 다른 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 상기 발광 용액이 도포된 후 상기 기판의 상기 일측과 상기 타측이 동일한 높이에 있도록 상기 기판을 틸팅시키고, 상기 발광 용액을 건조하는 것을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 표시 품질을 향상시키고 고해상도의 구현을 가능하게 하는 발광 표시 장치의 제조가 가능하다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 5 내지 도 15는 도 2의 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 16 내지 도 26은 도 3의 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 기판(105), 제1 전극(110), 화소 정의막(120), 정공 주입층(130), 정공 수송층(140), 발광층(150), 전자 수송층(160), 전자 주입층(170) 및 제2 전극(180)을 포함할 수 있다. 각 부재들은 도 2의 Z 방향으로 순차 적층된다.
기판(105)은 화상을 표시하는 복수의 화소(P)를 포함하는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 외측에 위치하는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 복수의 화소(P)는 제1 방향(X)과 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 배열되어 매트릭스 형태를 가지며, 제1 화소(P1), 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)를 포함할 수 있다. 제1 화소(P1)는 예를 들어 적색을 방출하는 적색 화소일 수 있으며, 제2 화소(P2)는 예를 들어 녹색을 방출하는 녹색 화소일 수 있고, 제3 화소(P3)는 예를 들어 청색을 방출하는 청색 화소일 수 있다.
도 1에서는, 복수의 화소(P)가 서로 다른 3개의 색을 방출하는 제1 화소(P1), 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)을 포함하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 복수의 화소는 서로 다른 2개의 색을 방출하는 제1 화소 및 제2 화소를 포함할 수 있다. 또한, 도 1에서는, 제2 방향(Y)으로 동일한 발광색을 방출하는 화소들(P)이 일렬로 배열되고, 제1 방향(X)으로 상이한 발광색을 방출하는 화소들(P)이 교대로 배열되는 것으로 도시되었으나, 이러한 배열로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
한편, 제1 화소들(P1)은 제2 방향(Y)을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열 복수의 열을 형성하며, 제2 화소들(P2)은 제2 방향(Y)을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열 복수의 열을 형성하고, 제3 화소들(P3)은 제2 방향(Y)을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하며, 제1 화소들(P1)의 화소 열들과 제2 화소들(P2)의 화소 열들과 제3 화소들(P3)의 화소 열들이 교번적으로 위치할 수 있다. 도 1에서는, 제1 화소들(P1)의 화소 열 들이 제1 방향(X)을 따라 위치하는 제1 화소 열(PG1) 내지 제4 화소 열(PG1)을 포함하는 것이 예시되었다. 도시되진 않았지만, 제2 화소들(P2)의 화소 열들 및 제3 화소들(P3)의 화소 열들도 제1 화소들(P1)의 화소 열들과 같은 방식으로 구성될 수 있다.
기판(105)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연 기판은 투명한 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 절연 기판은 불투명 재질로 이루어지거나, 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 더 나아가, 상기 절연 기판은 플렉서블 기판일 수 있다.
도시하진 않았지만, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 다른 구조물들을 더 포함할 수 있다. 상기 다른 구조물들의 예로는 배선, 전극, 절연막 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 기판(105)은 절연 기판 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 복수의 박막 트랜지스터 중 적어도 일부의 드레인 전극은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 단결정 실리콘 등으로 이루어진 액티브 영역을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체로 형성되는 액티브 영역을 포함할 수 있다.
제1 전극(110)은 기판(105) 상에 각 화소(P) 별로 배치된다. 제1 전극(110)은 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 인가된 신호를 받아 발광층(150)으로 정공을 제공하는 애노드 전극 또는 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다.
제1 전극(110)은 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제1 전극(110)이 투명 전극으로 사용될 때는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 제1 전극(110)이 반사 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(110)이 반투과 전극으로 사용될 때는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 얇은 두께로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 를 형성하여 구성될 수 있다. 제1 전극(110)은 포토리소그래피 방법을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
제1 전극(110)이 투명 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제1 전극(110) 방향으로 방출되는 배면 발광형인 경우일 수 있다. 또한, 제1 전극(110)이 반사 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제2 전극(180) 방향으로 방출되는 전면 발광형인 경우일 수 있다. 또한, 제1 전극(110)이 반투과 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제1 전극(110) 방향으로 방출되는 배면 발광형이며 공진 구조를 가지는 경우일 수 있다.
화소 정의막(120)은 제1 전극(110)을 노출하는 개구부(121)를 가지도록 기판(105) 상에 배치되며, 기판(105) 상에 각 화소(P)를 구획한다. 화소 정의막(120)은 개구부(121)를 통해 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)이 형성되게 한다. 화소 정의막(120)은 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(120)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아미드(polyamide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또, 다른 예로, 화소 정의막(120)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다.
정공 주입층(130)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)과 화소 정의막(120)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 정공 주입층(130)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법과 같이 제조 공정이 단순한 프린트 방법을 이용하여 정공 주입 물질을 포함하는 정공 주입 용액을 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출시키고 건조시켜 형성될 수 있다. 정공 주입층(130)은 정공 주입 용액의 건조시 커피 링(coffee ring) 효과에 의해 가장자리로 갈수록 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
정공 주입층(130)은 제1 전극(110)과 정공 수송층(140) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써 제1 전극(110)로부터 제공되는 정공이 정공 수송층(140)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 정공 주입층(130)은 유기 화합물, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있다.
정공 수송층(140)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 정공 주입층(130) 상에 배치될 수 있다. 정공 수송층(140)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법과 같이 제조 공정이 단순한 프린트 방법을 이용하여 정공 수송 물질을 포함하는 정공 수송 용액을 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출시키고 건조시켜 형성될 수 있다.
정공 수송층(140)은 정공 주입층(130)을 통해 제공받는 정공을 발광층(150)으로 전달하는 역할을 한다. 정공 수송층(140)은 정공 주입층(130)보다 낮은 전기 전도성을 가지는 정공 수송 물질로 형성될 수 있다. 정공 수송층(140))은 유기 화합물, 예를 들어 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
발광층(150)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 정공 수송층(140) 상에 배치될 수 있다. 발광층(150)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법과 같이 제조 공정이 단순한 프린트 방법을 이용하여 발광 물질을 포함하는 발광 용액을 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출시켜 형성될 수 있다.
발광층(150)은 제1 전극(110)에서 제공되는 정공과 제2 전극(180)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 광을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(150)은 에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화면서 광을 방출시킨다. 이러한 발광층(150)은 적색을 방출하는 적색 발광층, 녹색을 방출하는 녹색 발광층, 및 청색을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있다.
상기 적색 발광층은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 적색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층의 호스트의 예로는 Alq3(Tris(8-quinolinorate)aluminum), CBP(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), PVK(ploy(n-vinylcarbazole)), ADN(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthrace), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene), E3(ter-fluorene), DSA(distyrylarylene) 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 적색 도펀트로서, PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 녹색 발광층은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 녹색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 청색 발광층은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나, 호스트와 청색 도펀트를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층의 호스트로는 상기 적색 발광층의 호스트가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene, DPAVBi(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl) biphenyl), TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butyl pherylene) 등을 이용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(160)은 발광층(150) 상에 배치될 수 있다. 전자 수송층(160)은 제2 전극(180)으로부터 전자 주입층(170)을 통해 제공받은 전자를 발광층(150)으로 전달하는 역할을 한다. 전자 수송층(160)은 유기 화합물, 예를 들어 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate), Alq3 (Tris(8-quinolinorate)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene) 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층(160)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층(170)은 전자 수송층(160) 상에 배치될 수 있다. 전자 주입층(170)은 전자 수송층(160)과 제2 전극(180) 사이의 에너지 장벽을 낮추는 완충층으로써, 제2 전극(180)로부터 제공되는 전자가 전자 수송층(160)으로 용이하게 주입되게 하는 역할을 한다. 전자 주입층(170)은 예를 들어, LiF 또는 CsF 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(170)은 증착방법 등을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(180)은 전자 주입층(170) 상에 배치되며, 발광층(150)으로 전자를 제공하는 캐소드 전극 또는 정공을 제공하는 애노드 전극일 수 있다. 제2 전극(180)도 제1 전극(110)과 마찬가지로 투명 전극, 반사 전극 또는 반투과 전극으로 사용될 수 있다. 제2 전극(180)이 투명 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제2 전극(180) 방향으로 방출되는 전면 발광형인 경우일 수 있다. 또한, 제2 전극(180)이 반사 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제1 전극(110) 방향으로 방출되는 배면 발광형인 경우일 수 있다. 또한, 제2 전극(180)이 반투과 전극으로 사용될 때는 발광 표시 장치(100)가 발광층(150)으로부터 발생되는 광이 제2 전극(180) 방향으로 방출되는 전면 발광형이며 공진 구조를 가지는 경우일 수 있다. 제2 전극(180)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
도시하진 않았지만, 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(180)의 상부에 배치되는 봉지 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판은 절연 기판으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(120) 상의 제2 전극(180)과 봉지 기판 사이에는 스페이서가 배치될 수도 있다. 본 발명의 다른 몇몇 실시예에서, 상기 봉지 기판은 생략될 수도 있다. 이 경우, 절연 물질로 이루어진 봉지막이 전체 구조물을 덮어 보호할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 제조 공정이 단순한 프린트 방법을 통해 형성되는 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 포함하여, 전체 제조 공정이 단순화된 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 4는 도 3의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 도 2의 발광 표시 장치(100)와 비교하여, 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)만 다르며 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)에서는 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)에 대해 중점적으로 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 기판(105), 제1 전극(110), 화소 정의막(120), 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)을 포함할 수 있다. 각 부재들은 도 3의 Z 방향으로 순차 적층된다.
정공 주입층(230)은 도 2의 정공 주입층(130)과 유사하다. 다만, 정공 주입층(230)은 화소 정의막(120)의 개구부(121)에서 비대칭 형상을 가진다. 예를 들어, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 정공 주입층(230) 중 화소 정의막(120)의 일측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제1 높이(H1)와, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 정공 주입층(230) 중 화소 정의막(120)의 타측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제2 높이(H2)가 상이할 수 있다. 이는 정공 주입층(230)의 형성시 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 정공 주입 용액(도 16의 230a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121) 내부에 채워지게 하는 공정을 포함함에 따른 것이다(도 17 참조). 이와 같이 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 정공 주입 용액(도 16의 230a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121) 내부에 채움에 따라, 제조 공정 시간이 단축될 수 있다. 도 3에서는, 제2 높이(H2)가 제1 높이(H1)보다 큰 것으로 도시되었지만, 기판(105)의 틸팅 방향을 변경함에 따라 제1 높이(H1)가 제2 높이(H2)보다 클 수 있다.
정공 수송층(240)은 도 2의 정공 수송층(140)과 유사하다. 다만, 정공 수송층(240)은 화소 정의막(120)의 개구부(121)에서 비대칭 형상을 가진다. 예를 들어, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 정공 수송층(240) 중 화소 정의막(120)의 일측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제1 높이(H11)와, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 정공 수송층(240) 중 화소 정의막(120)의 타측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제2 높이(H12)가 상이할 수 있다. 이는 정공 수송층(240)의 형성시 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 정공 수송 용액(도 19의 240a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121)에 채워지게 하는 공정을 포함함에 따른 것이다(도 20 참조). 이와 같이 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 정공 수송 용액(도 19의 240a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121)에 채움에 따라, 제조 공정 시간이 단축될 수 있다. 도 3에서는, 제2 높이(H12)가 제1 높이(H11)보다 큰 것으로 도시되었지만, 기판(105)의 틸팅 방향을 변경함에 따라 제1 높이(H11)가 제2 높이(H12)보다 클 수 있다.
발광층(250)은 도 2의 발광층(150)과 유사하다. 다만, 발광층(250)은 화소 정의막(120)의 개구부(121)에서 비대칭 형상을 가진다. 예를 들어, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 발광층(250) 중 화소 정의막(120)의 일측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제1 높이(H21)와, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 제1 전극(110)의 표면으로부터 발광층(250) 중 화소 정의막(120)의 타측과 접하는 가장자리부의 표면까지의 제2 높이(H22)가 상이할 수 있다. 이는 발광층(250)의 형성시 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 발광 용액(도 22의 250a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121)에 채워지게 하는 공정을 포함함에 따른 것이다(도 23 참조). 이와 같이 화소 정의막(120)의 일부 개구부들(121) 내부에 토출된 발광 용액(도 22의 250a)을 기판(105)을 틸팅시켜 화소 정의막(120)의 다른 개구부들(121)에 채움에 따라, 제조 공정 시간이 단축될 수 있다. 도 3에서는, 제2 높이(H22)가 제1 높이(H21)보다 큰 것으로 도시되었지만, 기판(105)의 틸팅 방향을 변경함에 따라 제1 높이(H21)가 제2 높이(H22)보다 클 수 있다.
전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)은 도 2의 전자 수송층(160), 전자 주입층(170) 및 제2 전극(180)과 비교하여 비대칭 형상의 발광층(250) 상에 배치되는 점만 다르며, 동일하다. 이에 따라, 중복된 설명은 생략한다.
상기와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 제조 공정이 단순한 프린트 방법을 통해 형성되는 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 포함하여, 전체 제조 공정이 단순화되고 제조 시간이 단축되는 표시 장치를 구현할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 5 내지 도 15는 도 2의 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 5를 참조하면, 복수의 화소(도 1의 P)를 포함하는 기판(105) 상에 각 화소(P1, P2, P3) 별로 제1 전극(110)을 형성하고, 기판(105) 상에 각 화소(P1, P2, P3)를 구획하며 제1 전극(110)을 노출하는 개구부(121)를 갖는 화소 정의막(120)을 형성한다.
제1 전극(110)은 기판(105) 상에 투명 전극 물질, 반사 전극 물질, 및 반투과 전극 물질 중 적어도 어느 하나를 증착하고 패터닝하여 형성될 수 있다. 복수의 화소(도 1의 P)는 제1 화소(P1), 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)를 포함할 수 있다. 제1 화소(P1)는 예를 들어 적색을 방출하는 적색 화소일 수 있으며, 제2 화소(P2)는 예를 들어 녹색을 방출하는 녹색 화소일 수 있고, 제3 화소(P3)는 예를 들어 청색을 방출하는 청색 화소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 정의막(120)은 제1 전극(110)을 덮도록 기판(105)의 전면(全面)에 증착 방법을 이용하여 절연 물질을 증착하고, 증착된 절연 물질을 패터닝하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 6 및 도 7을 참조하면, 화소 정의막(120) 상에 제1 화소(P1)의 제1 전극(110)을 노출하는 제1 패턴 개구(11)를 가지는 제1 포토레지스트 패턴(10)을 형성한다.
구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 전극(110)을 덮도록 화소 정의막(120)의 전면(全面)에 증착 방법을 이용하여 포토레지스트 물질(10a)을 증착한다.
포토레지스트 물질(10a)은 정공 주입 용액(도 8의 130a), 정공 수송 용액(도 10의 140a) 및 발광 용액(도 12의 150a)과 반응하지 않는 불소 수지를 포함할 수 있다.
이후, 증착된 포토레지스트 물질(10a)을 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하면, 도 7과 같은 제1 포토레지스 패턴(10)이 형성된다.
제1 포토레지스트 패턴(10)은 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 토출되는 정공 주입 용액(도 8의 130a), 정공 수송 용액(도 10의 140a) 및 발광 용액(도 12의 150a)이 흘러 원치 않게 제2 화소(P2)의 제1 전극(110) 및 제3 화소(P3)의 제1 전극(130) 상에 위치하는 것을 방지하는데 이용될 수 있다. 여기서, 정공 주입 용액(도 8의 130a), 정공 수송 용액(도 10의 140a) 및 발광 용액(도 12의 150a)은 잉크젯 프린트 방법 또는 노즐 프린트 방법과 같은 프린트 방법을 이용하여 토출될 수 있다. 프린트 방법을 이용하여 토출되는 정공 주입 용액(도 8의 130a), 정공 수송 용액(도 10의 140a) 및 발광 용액(도 12의 150a)의 토출량은 화소의 크기에 달라질 수 있지만, 토출에 대한 안정성을 확보하기 위해 최소 토출량 이하로 줄어들지 않는다.
이에 따라, 제1 포토레지스트 패턴(10)은 화소의 크기가 작아 제1 화소의 제1 전극 상에 토출된 정공 주입 용액, 정공 수송 용액 및 발광 용액이 넘쳐 흘러 제2 화소의 제1 전극 및 제3 화소의 전극 상에 도포되는 것을 방지하여, 상이한 발광색을 방출하는 화소들 간 혼색을 방지하여 표시 품질을 향상시키면서 고해상를 가지는 발광 표시 장치의 구현을 가능하게 할 수 있다.
이어서, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130)을 형성한다.
구체적으로, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 토출 장치(20)를 이용하여 정공 주입 용액(130a)을 토출한다. 여기서, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 정공 주입 용액(130a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우, 정공 주입 용액(130a)의 일부가 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10) 상으로 흘러 위치할 수 있다.
이에 따라, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 토출된 정공 주입 용액(130a)을 건조시켜 도 9에 도시된 바와 같이 정공 주입층(130)을 형성시, 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 주입 용액(130a)의 일부가 건조되어 잔여물층(131)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 10 및 도 11을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 주입층(130) 상에 정공 수송층(140)을 형성한다.
구체적으로, 도 10에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 주입층(130) 상에 토출 장치(30)를 이용하여 정공 수송 용액(140a)을 토출한다. 여기서, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 정공 수송 용액(140a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우, 정공 수송 용액(140a)의 일부가 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10) 상으로 흘러 위치할 수 있다.
이에 따라, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 주입층(130) 상에 토출된 정공 수송 용액(140a)을 건조시켜 도 11에 도시된 바와 같이 정공 수송층(140)을 형성시, 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 수송 용액(140a)의 일부가 건조되어 잔여물층(141)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 12 및 도 13을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 수송층(140) 상에 발광층(150)을 형성한다. 발광층(150)은 적색 발광층일 수 있다.
구체적으로, 도 12에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 수송층(140) 상에 토출 장치(40)를 이용하여 발광 용액(150a)을 토출한다. 여기서, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 발광 용액(150a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우, 발광 용액(150a)의 일부가 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10) 상으로 흘러 위치할 수 있다.
이에 따라, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 수송층(140) 상에 토출된 발광 용액(150a)을 건조시켜 도 13에 도시된 바와 같이 발광층(150)을 형성시, 인접한 화소 부분(예를 들어, 제2 화소(P2) 부분)의 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 발광 용액(150a)의 일부가 건조되어 잔여물층(151)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 14를 참조하면, 잔여물층(131, 141, 151)과 함께 제1 포토레지스트 패턴(10)을 제거한다. 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제거는 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)의 물질의 손상을 최소화하는 스트리퍼를 이용한 리프트 오프 공정으로 진행될 수 있다. 한편, 리프트 오프 공정에 의해 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)의 표면이 손상되는 경우, 별도의 표면 처리 공정이 진행될 수 있다.
도시되진 않았지만, 이후 제2 화소(P2)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 공정과, 제3 화소(P3)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 공정이, 위에서 설명한 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 공정과 동일한 방식으로 이루어질 수 있다.
즉, 제2 화소(P2)의 제1 전극(110)을 노출하기 위한 제3 패턴 개구를 가지는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정, 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 과정, 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정이 이루어질 수 있다. 제2 화소(P2)의 발광층(150)은 녹색 발광층일 수 있다.
또한, 제3 화소(P3)의 제1 전극(110)을 노출하기 위한 제2 패턴 개구를 가지는 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정, 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 과정, 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정이 이루어질 수 있다. 제3 화소(P3)의 발광층(150)은 청색 발광층일 수 있다.
이어서, 도 15를 참조하면, 발광층(150) 상에 전자 수송층(160), 전자 주입층(170) 및 제2 전극(180)을 형성한다. 전자 수송층(160), 전자 주입층(170) 및 제2 전극(180)은 증착 방법을 통해 연속적으로 형성될 수 있다.
도시하진 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(180)의 상부에 봉지 기판을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(180)과 봉지 기판 사이에 스페이서를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판을 배치하는 것과 스페이서를 배치하는 다양한 방법들이 당업계에 널리 공지되어 있으므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은 제1 포토레지스트 패턴(10)을 이용해 원치 않는 화소의 제1 전극(110)을 덮은 상태에서 원하는 화소의 제1 전극(110) 상에 프린트 방법을 이용하여 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성시킨 후, 제1 포토레지스트 패턴(10)을 리프트 오프 방법으로 제거함으로써, 인접한 화소들 사이에서 상이한 발광색을 방출하는 발광층들이 서로 겹치는 형태로 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 발광 표시 장치의 구동시 원치 않는 혼색이 표시 될 수 있고, 고해상도를 가지는 발광 표시 장치의 구현이 가능할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 16 내지 도 25는 도 3의 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 복수의 화소(도 1의 P)를 포함하는 기판(105) 상에 각 화소(P1, P2, P3) 별로 제1 전극(110)을 형성하고, 기판(105) 상에 각 화소(P1, P2, P3)를 구획하며 제1 전극(110)을 노출하는 개구부(121)를 갖는 화소 정의막(120)을 형성한다. 이에 대해서는, 도 5에서 상세히 설명하였으므로, 중복된 설명은 생략한다.
이어서, 화소 정의막(120) 상에 제1 화소(P1)의 제1 전극(110)을 노출하는 제1 패턴 개구(11)를 가지는 제1 포토레지스트 패턴(10)을 형성한다. 이에 대해서는, 도 6 및 도 7에서 상세히 설명하였으므로, 중복된 설명은 생략한다.
이어서, 도 16 내지 도 18을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(230)을 형성한다.
구체적으로, 도 16에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 중 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 토출 장치(20)를 이용하여 정공 주입 용액(230a)을 토출한다. 일례로, 정공 주입 용액(230a)은 도 1에서 제1 화소들(P1)의 하나의 화소 열, 예를 들어 제1 화소 열(PG1)의 제1 전극들(110) 상에 토출될 수 있다. 또다른 예로, 정공 주입 용액(230a)은 도 1에서 제1 화소들(P)의 복수의 화소 열의 제1 전극들(110) 상에 토출될 수 있다. 이 때, 상기 복수의 화소 열들 사이에는 정공 주입 용액(230a)이 토출되지 않는 적어도 하나 이상의 화소 열이 있을 수 있다. 예를 들어, 정공 주입 용액(230a)은 도 1에서 제1 화소들(P)의 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3)의 제1 전극들(110) 상에 토출될 수 있으며, 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3) 사이에는 정공 주입 용액(230a)이 토출되지 않는 제2 화소 열(PG2)이 있을 수 있다.
한편, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 정공 주입 용액(230a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우일 수 있다. 또한, 정공 주입 용액(230a)의 토출시, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이에 있을 수 있다.
이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 기판(105)을 틸팅시켜 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 중 정공 주입 용액(230a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 정공 주입 용액(230a)이 도포되게 한다.
기판(105)의 틸팅은 기판(105)의 일측이 타측보다 높게 위치하도록 이루어질 수 있으며, 기판(105)의 틸팅 각도는 약 50° 이내일 수 있다. 기판(105)의 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 중 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 토출된 정공 주입 용액(230a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러, 정공 주입 용액(230a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110)을 노출시키는 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워진다. 이에 따라, 제1 화소(P1)에서 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 1회 최소 토출량으로 토출되는 정공 주입 용액(230a)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도시되진 않았지만, 기판(105)의 틸팅시 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 중 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 토출된 정공 주입 용액(230a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흐르는 효율을 높이기 위해, 에어 나이프의 에어를 정공 주입 용액(230a)으로 제공하여 정공 주입 용액(230a)의 이동 효율을 높일 수 있다.
한편, 기판(105)의 틸팅에 의해, 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 위치하는 정공 주입 용액(도 17의 230a)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 상이한 높이로 화소 정의막(120)의 일측 및 타측과 접촉할 수 있다.
또한, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 중 일부 제1 화소들(P1)의 제1 전극들(110) 상에 토출된 정공 주입 용액(230a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러가는 경우, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부 중 정공 주입 용액(230a)이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워지는 제1 화소(P1)와 인접한 부분에 정공 주입 용액(230a)의 일부가 위치할 수 있다.
이어서, 도 18을 참조하면, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시키고, 정공 주입 용액(230a)을 건조시킨다.
기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 주입 용액(도 17의 230a)의 일부가 인접한 제1 화소(P1)의 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부로 흐를 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 정공 주입 용액(도 17의 230a)이 화소 정의막(120)의 일측과 접촉하는 부분의 높이와, 화소 정의막(120)의 타측과 접촉하는 부분의 높이의 차이가 다소 줄어들 수 있다.
상기와 같이 화소 정의막(120)의 일측 및 타측에서 높이 차이가 있는 정공 주입 용액(230a)의 건조시, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 화소 정의막(120)의 일측과 타측에서 높이 차이가 있는 정공 주입층(230)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 주입 용액(230a)의 일부는 건조되어 잔여물층(231)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 19 내지 도 21을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 주입층(230) 상에 정공 수송층(240)을 형성한다.
구체적으로, 도 19에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 토출 장치(30)를 이용하여 정공 수송 용액(240a)을 토출한다. 일례로, 정공 수송 용액(240a)은 도 1에서 제1 화소들(P1) 중 제1 화소 열(PG1)의 정공 주입층들(230) 상에 토출될 수 있다. 또다른 예로, 정공 수송 용액(240a)은 도 1에서 제1 화소들(P) 중 복수의 화소 열의 정공 주입층들(230) 상에 토출될 수 있다. 이 때, 상기 화소 열들 (PG1 및 PG3) 사이에는 정공 수송 용액(240a)이 토출되지 않은 화소 열이 적어도 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 용액(240a)은 도 1에서 제1 화소들(P) 중 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3)의 정공 주입층들(230) 상에 토출될 수 있으며, 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3) 사이에는 정공 수송 용액(240a)이 토출되지 않는 제2 화소 열(PG2)이 있을 수 있다.
한편, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 정공 수송 용액(240a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우일 수 있다. 또한, 정공 수송 용액(240a)의 토출시, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이에 있을 수 있다.
이후, 도 20에 도시된 바와 같이, 기판(105)을 틸팅시켜 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 중 정공 수송 용액(240a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 정공 수송 용액(240a)이 도포되게 한다.
기판(105)의 틸팅은 기판(105)의 일측이 타측보다 높게 위치하도록 이루어질 수 있으며, 기판(105)의 틸팅 각도는 약 50° 이내일 수 있다. 기판(105)의 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 토출된 정공 수송 용액(240a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러, 정공 수송 용액(240a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230)을 노출시키는 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워진다. 이에 따라, 제1 화소(P1)에서 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 1회 최소 토출량으로 토출되는 정공 수송 용액(240a)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도시되진 않았지만, 기판(105)의 틸팅시 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 토출된 정공 수송 용액(240a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흐르는 효율을 높이기 위해, 에어 나이프의 에어를 정공 수송 용액(240a)으로 제공하여 정공 수송 용액(240a)의 이동 효율을 높일 수 있다.
한편, 기판(105)의 틸팅에 의해, 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 위치하는 정공 수송 용액(도 20의 240a)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 상이한 높이로 화소 정의막(120)의 일측 및 타측과 접촉할 수 있다.
또한, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 주입층들(230) 상에 토출된 정공 수송 용액(240a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러가는 경우, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부 중 정공 수송 용액(240a)이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워지는 제1 화소(P1)와 인접한 부분에 정공 수송 용액(240a)의 일부가 위치할 수 있다.
이어서, 도 21을 참조하면, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시키고, 정공 수송 용액(240a)을 건조시킨다.
기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 수송 용액(도 20의 240a)의 일부가 인접한 제1 화소(P1)의 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부로 흐를 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 정공 수송 용액(도 20의 240a)이 화소 정의막(120)의 일측과 접촉하는 부분의 높이와, 화소 정의막(120)의 타측과 접촉하는 부분의 높이의 차이가 다소 줄어들 수 있다.
상기와 같이 화소 정의막(120)의 일측 및 타측에서 높이 차이가 있는 정공 수송 용액(240a)의 건조시 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 화소 정의막(120)의 일측과 타측에서 높이 차이가 있는 정공 수송층(240)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 정공 수송 용액(240a)의 일부는 건조되어 잔여물층(241)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 22 내지 도 24를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소(P1)의 정공 수송층(240) 상에 발광층(250)을 형성한다. 발광층(250)은 적색 발광층일 수 있다.
구체적으로, 도 22에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 토출 장치(40)를 이용하여 발광 용액(250a)을 토출한다. 일례로, 발광 용액(250a)은 도 1에서 제1 화소들(P1) 중 제1 화소 열(PG1)의 정공 수송층들(240) 상에 토출될 수 있다. 또다른 예로, 발광 용액(250a)은 도 1에서 제1 화소들(P) 중 복수의 화소 열의 정공 수송층들(240) 상에 토출될 수 있다. 이 때, 상기 화소 열들 (PG1 및 PG3) 사이에는 발광 용액(250a)이 토출되지 않은 화소 열이 적어도 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 발광 용액(250a)은 도 1에서 제1 화소들(P) 중 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3)의 정공 수송층들(240) 상에 토출될 수 있으며, 제1 화소 열(PG1) 및 제3 화소 열(PG3) 사이에는 발광 용액(250a)이 토출되지 않는 제2 화소 열(PG2)이 있을 수 있다.
한편, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 토출되는 발광 용액(250a)의 1회 최소 토출량이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 경우일 수 있다. 또한, 발광 용액(250a)의 토출시, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이에 있을 수 있다.
이후, 도 23에 도시된 바와 같이, 기판(105)을 틸팅시켜 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 중 발광 용액(250a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 발광 용액(250a)이 도포되게 한다.
기판(105)의 틸팅은 기판(105)의 일측이 타측보다 높게 위치하도록 이루어질 수 있으며, 기판(105)의 틸팅 각도는 약 50° 이내일 수 있다. 기판(105)의 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 토출된 발광 용액(250a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러, 발광 용액(250a)이 토출되지 않은 다른 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240)을 노출시키는 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워진다. 이에 따라, 제1 화소(P1)에서 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부를 채우는 양보다 큰 1회 최소 토출량으로 토출되는 발광 용액(250a)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도시되진 않았지만, 기판(105)의 틸팅시 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 토출된 발광 용액(250a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흐르는 효율을 높이기 위해, 에어 나이프의 에어를 발광 용액(250a)으로 제공하여 발광 용액(250a)의 이동 효율을 높일 수 있다.
한편, 기판(105)의 틸팅에 의해, 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 위치하는 발광 용액(도 20의 250a)은 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 상이한 높이로 화소 정의막(120)의 일측 및 타측과 접촉할 수 있다.
또한, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제1 패턴 개구(11)를 통해 노출되는 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 중 일부 제1 화소들(P1)의 정공 수송층들(240) 상에 토출된 발광 용액(250a)의 일부가 기판(105)의 일측에서 타측 방향으로 흘러가는 경우, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부 중 발광 용액(250a)이 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에 채워지는 제1 화소(P1)와 인접한 부분에 발광 용액(250a)이 위치할 수 있다.
이어서, 도 24를 참조하면, 기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시키고, 발광 용액(250a)을 건조시킨다.
기판(105)의 일측과 타측이 동일한 높이를 가지도록 기판(105)을 틸팅시, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 발광 용액(도 23의 250a)의 일부가 인접한 제1 화소(P1)의 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부로 흐를 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 발광 용액(도 23의 250a)이 화소 정의막(120)의 일측과 접촉하는 부분의 높이와, 화소 정의막(120)의 타측과 접촉하는 부분의 높이의 차이가 다소 줄어들 수 있다.
상기와 같이 화소 정의막(120)의 일측 및 타측에서 높이 차이가 있는 발광 용액(250a)의 건조시 화소 정의막(120)의 개구부(121) 내부에서 화소 정의막(120)의 일측과 타측에서 높이 차이가 있는 발광층(250)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 포토레지스트 패턴(10)의 상부에 위치하는 발광 용액(250a)의 일부는 건조되어 잔여물층(251)으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 25를 참조하면, 잔여물층(231, 241, 251)과 함께 제1 포토레지스트 패턴(10)을 제거한다. 제1 포토레지스트 패턴(10)의 제거는 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)의 물질을 손상을 최소화하는 스트리퍼를 이용한 리프트 오프 공정으로 진행될 수 있다. 한편, 리프트 오프 공정에 의해 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)의 표면이 손상되는 경우, 별도의 표면 처리 공정이 진행될 수 있다.
도시되진 않았지만, 이후 제2 화소(P2)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성하는 공정과, 제3 화소(P3)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성하는 공정이, 위에서 설명한 제1 화소(P1)의 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성하는 공정과 동일한 방식으로 이루어질 수 있다.
즉, 제2 화소(P2)의 제1 전극(110)을 노출하기 위한 제2 패턴 개구를 가지는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정, 기판(105)을 틸팅시키는 것을 이용하여 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(130), 정공 수송층(140) 및 발광층(150)을 형성하는 과정, 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정이 이루어질 수 있다. 제2 화소(P2)의 발광층(250)은 녹색 발광층일 수 있다.
또한, 제3 화소(P3)의 제1 전극(110)을 노출하기 위한 제3 패턴 개구를 가지는 제3 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정, 기판(105)을 틸팅시키는 것을 이용하여 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성하는 과정, 및 상기 제3 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정이 이루어질 수 있다. 제3 화소(P3)의 발광층(250)은 청색 발광층일 수 있다.
이어서, 도 26을 참조하면, 발광층(250) 상에 전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)을 형성한다. 전자 수송층(260), 전자 주입층(270) 및 제2 전극(280)은 증착 방법을 통해 연속적으로 형성될 수 있다.
도시하진 않았지만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(280)의 상부에 봉지 기판을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 전극(280)과 봉지 기판 사이에 스페이서를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판을 배치하는 것과 스페이서를 배치하는 다양한 방법들이 당업계에 널리 공지되어 있으므로, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)의 제조 방법은 제1 포토레지스트 패턴(10)을 이용해 원치 않는 화소의 제1 전극(110)을 덮은 상태에서 원하는 화소의 제1 전극(110) 상에 프린트 방법을 이용하여 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성시킨 후, 제1 포토레지스트 패턴(10)을 리프트 오프 방법으로 제거함으로써, 인접한 화소들 사이에서 상이한 발광색을 방출하는 발광층들이 서로 겹치는 형태로 형성되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 발광 표시 장치의 구동시 원치 않는 혼색이 표시 될 수 있고, 고해상도를 가지는 발광 표시 장치의 구현이 가능할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)의 제조 방법은 제1 포토레지스트 패턴(10)을 이용해 원치 않는 화소의 제1 전극(110)을 덮은 상태에서 원하는 화소의 제1 전극(110) 상에 프린트 방법을 이용하여 정공 주입층(230), 정공 수송층(240) 및 발광층(250)을 형성시, 프린트 공정에서 기판(105)을 틸팅하여 동일한 발광색을 방출하는 화소에 용액을 퍼지게 함으로써 용액의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 제1 포토레지스트 패턴 20, 30, 40: 토출 장치
100, 200: 발광 표시 장치 105: 기판
110: 제1 전극 120: 화소 정의막
130, 230: 정공 주입층 140, 240: 정공 수송층
150, 250: 발광층 160, 260: 전자 수송층
170, 270: 전자 주입층 180, 280: 제2 전극

Claims (15)

  1. 복수의 제1 화소와 복수의 제2 화소를 포함하는 기판 상에 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 별로 제1 전극을 형성하고, 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 노출하는 개구부를 가지는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막 상에 상기 복수의 제1 화소의 상기 제1 전극을 노출하는 제1 패턴 개구를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하되,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 발광 용액을 토출하고, 상기 기판을 틸팅시켜 상기 발광 용액을 흐르게 함으로써 상기 제1 화소들 중 다른 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 상기 발광 용액이 도포되게 하는 것을 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴의 제거는 리프트 오프 공정을 이용하여 수행되는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴은 불소 수지를 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 발광층은 프린트 방법을 이용하여 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소는 상기 제2 화소와 상이한 발광색을 방출하는 화소인 발광 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와 상기 발광층을 형성하는 단계 사이에, 상기 제1 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 정공 주입층 및 상기 정공 수송층 각각은 프린트 방법을 이용하여 형성되는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 이후,
    상기 화소 정의막 상에 상기 복수의 제2 화소의 상기 제1 전극을 노출하는 제2 패턴 개구를 가지는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 패턴 개구를 통해 노출된 상기 제1 전극 상에 상기 제1 화소의 상기 발광층과 상이한 컬러를 방출하는 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 전체의 상기 제1 전극 상에 발광 용액을 토출하고 건조시키는 것을 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하며, 상기 제2 화소들을 상기 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하고, 상기 제1 화소들의 화소 열들과 상기 제2 화소들의 화소열들이 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 위치하며,
    상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들은 상기 제1 화소들의 화소 열들 중 하나의 화소 열인 발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 화소들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하며, 상기 제2 화소들을 상기 제2 방향을 따라 일렬로 위치하는 복수의 화소 열을 형성하고, 상기 제1 화소들의 화소 열들과 상기 제2 화소들의 화소열들이 상기 제1 방향을 따라 교번적으로 위치하며,
    상기 제1 화소들 중 일부 제1 화소들은 상기 제1 화소들의 화소 열들 중 상기 발광 용액이 토출되지 않는 적어도 하나 이상의 화소 열을 사이에 둔 복수의 화소 열인 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 용액의 토출시 상기 기판의 일측과 타측은 동일한 높이에 있으며,
    상기 기판의 틸팅은 상기 기판의 상기 일측과 상기 타측이 상이한 높이에 있도록 이루어지는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 기판을 틸팅시켜 상기 발광 용액을 흐르게 할 때 에어 나이프의 에어를 상기 발광 용액으로 제공하는 것을 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 화소들 중 다른 일부 제1 화소들의 제1 전극 상에 상기 발광 용액이 도포된 후 상기 기판의 일측과 타측이 동일한 높이에 있도록 상기 기판을 틸팅시키고, 상기 발광 용액을 건조하는 것을 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
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