TWI678829B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents
發光元件及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI678829B TWI678829B TW107128834A TW107128834A TWI678829B TW I678829 B TWI678829 B TW I678829B TW 107128834 A TW107128834 A TW 107128834A TW 107128834 A TW107128834 A TW 107128834A TW I678829 B TWI678829 B TW I678829B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light emitting
- electrode
- transport layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 64
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009049 secondary transport Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本揭露係關於一種發光元件的製造方法，包括提供一基板並形成複數光敏凸塊於該基板上。該方法亦包括形成一光敏層於該複數光敏凸塊上並圖案化該光敏層，以形成通過該光敏層之一凹槽，進而暴露一表面。該方法亦包括設置一有機發射層於該表面上並移除該經圖案化光敏層。
Description
本揭露係關於一種發光元件，特別係關於一種有機發光元件及其製造方法。
有機發光顯示器(Organic light emitting display，OLED)已經廣泛用於最高端的電子裝置中。然而，由於現有技術的限制，經由遮罩在基板上塗覆發光材料以實現像素定義，並且通常遮罩的臨界尺寸(critical dimension)無法小於100微米。因此，對於OLED製造者而言，800 ppi或更高的像素密度係艱鉅的任務。
在本揭露中，發光單元係由光敏材料形成。該光敏材料毋需經由遮罩即直接設置於基板上。像素定義是藉由一光微影製程來實現。
本揭露的一些實施例提供一種發光元件的製造方法，包括提供一基板並形成複數光敏凸塊於該基板上。該方法亦包括形成一光敏層於該複數光敏凸塊上並圖案化該光敏層，以形成通過該光敏層之一凹槽，進而暴露一表面。該方法亦包括設置一有機發射層於該表面上並移除該經圖案化光敏層。
在一些實施例中，該方法更包括形成一緩衝層於該光敏層及該複數光敏凸塊之間。
在一些實施例中，該緩衝層為有機的，且包含氟。
在一些實施例中，該方法更包括移除該緩衝層之一部分，以局部地暴露該複數光敏凸塊。
在一些實施例中，該方法更包括形成第一電極於該基板及該複數光敏凸塊之間。
在一些實施例中，該第一電極由該複數光敏凸塊局部地覆蓋。
在一些實施例中，該方法更包括形成第一型載體注入層於該第一電極及該光敏層之間。
在一些實施例中，該方法更包括形成一載體運輸層於該有機發射層上。
本揭露的一些實施例提供一種發光元件，包括一基板；複數凸塊，位於該基板上；及複數發光單元，位於該複數凸塊之間，且位於該基板上。該發光單元之各者包括:第一電極；及一有機發射層，位於該第一電極上。該元件更包括一共同第一型載體注入層，位於該第一電極及該有機發射層之間，該複數發光單元共用該共同第一型載體注入層。
在一些實施例中，該元件更包括第一型載體運輸層，位於該共同第一型載體注入層及該有機發射層之間。
在一些實施例中，該複數發光單元共用該第一型載體運輸層。
在一些實施例中，該元件更包括第二型載體運輸層，位於該有機發射層上，其中該第二型載體與該第一型載體相反。
在一些實施例中，該複數發光單元共用該第二型載體運輸層。
在一些實施例中，該元件更包括第二電極，位於該有機發射層上。
在一些實施例中，該複數發光單元共用該第二電極。
在一些實施例中，該複數凸塊係使用黑體材料而製成，該黑體材料吸收90%以上的可見光。
在一些實施例中，該複數發光單元經配置以發射至少兩種不同的顏色。
本揭露的一些實施例提供一種發光元件，包括一基板；複數凸塊，位於該基板上；及複數發光單元，位於該複數凸塊之間，且位於該基板上。該發光單元之各者包括: 一有機發射層；及一電極，位於該有機發射層上。該元件更包括一載體運輸層，介於該電極及該有機發射層之間，該載體運輸層包括第一次級載體運輸層及第二次級載體運輸層。
在一些實施例中，該複數發光單元共用該第一次級載體運輸層。
在一些實施例中，該第二次級載體運輸層位於該第一次級載體運輸層及該電極之間。
[相關引證案之交互參照] 本揭露主張美國專利申請案第15/695,853號之優先權，前述申請案之發明名稱為「LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF」，申請日為2017年9月5號。 本揭露並主張前述申請案之部分接續案，美國專利申請案第15/995,838號之優先權，發明名稱為「LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF」，申請日為2018年6月1號。
本揭露提供一種發光元件，特別係一種有機發光元件(organic light emitting device，OLED)及其製造方法。在本揭露中，藉由光微影技術在OLED中形成有機發光層。在一些實施例中，有機發光層為聚合物發光層。在一些實施例中，有機發光層包含複數發光像素。
圖1繪示電子元件10之一實施例。電子元件10可為硬式(rigid)或可撓式(flexible)顯示器。電子元件10可具有至少四個不同的層，實質上沿一厚度方向X堆疊。層12為基板，配置以作為平台，而具有發光層14位於其上。層16為位於發光層14上的覆蓋層，以及層18係經配置作為光射入電子元件10或自電子元件10射出的窗口(window)。在一些實施例中，層16為封裝層。層18亦可經配置作為使用者的觸控介面，因此，表面硬度可高至足以符合設計需求。在一些實施例中，層16與層18整合為一層。
層12可由聚合物基質材料形成。層12的彎曲半徑不大於約3 mm。在一些實施例中，層12的最小彎曲半徑為不大於10 mm。最小彎曲半徑係以內部曲率測定，係層12可被彎曲的最小半徑，而不會扭曲、損壞或縮短其壽命。在一些實施例中，複數傳導跡線可位於層12中並且形成電路以提供電流至發光層14。在一些實施例中，層12包含石墨烯(graphene)。
如圖2所示，發光層14可經配置成一陣列，包含許多發光單元。沿線AA之剖面圖繪示於圖3。在一些實施例中，層14具有基板140。在一些實施例中，基板經配置而可提供電流至該等發光單元。在一些實施例中，發光單元141經配置於基板140上作為台面(mesa)。在一些實施例中，發光單元經配置位於基板140的凹部中。發光單元的厚度「h」範圍可自約-100 um至約100 um。該厚度h是從基板140的表面140a量測的。負值表示發光單元141位於凹部中。正值表示發光單元141如圖3所示的台面(mesa)般突出。發光單元141可配置於陣列中。每一個獨立的發光單元141係與其他相鄰的發光單元141彼此分隔。間隙d代表兩個相鄰發光單元141之間的分隔距離。在一些實施例中，間隙d係介於約2 nm與約100 um之間。在一些實施例中，間隙d係經控制為至少不大於約50 um，因而該等單元的密度可經設計為至少大於700 ppi或1200 ppi。
在一些實施例中，發光單元141的寬度w係介於約2 nm與約500 um之間。發光單元141為聚合物材料。在一些實施例中，發光單元141為光敏感性。在一些實施例中，寬度w不大於約2 um。
圖4係以剖面圖示發光層中的發光像素24之一實施例。發光像素24包含發光單元243，如圖3所示的發光單元。再者，發光像素24包含第一型載體運輸層241與第二型載體運輸層242。第一型係與第二型相反。在一些實施例中，第一型運輸層241為電洞運輸層(hole transportation layer，HTL)，且第二型載體運輸層242為電子運輸層(electron transportation layer，ETL)。在一些實施例中，第一型運輸層241為電子運輸層(ETL)，且第二型載體運輸層242為電洞運輸層(HTL)。
在一些實施例中，在第一型載體運輸層241或第二型載體運輸層242中有金屬跡線。再者，金屬元素可存在於第一型載體運輸層241或第二型載體運輸層242中。金屬元素包括過渡金屬。在一些實施例中，金屬元素包含Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os中之一者。
在一些實施例中，發光單元243接觸第一型運輸層241。在一些實施例中，發光單元243接觸第二型運輸層242。在一些實施例中，一中間層位於發光單元243與第一型運輸層241之間。在一些實施例中，一中間層位於發光單元243與第二型運輸層242之間。
圖5為放大圖，根據實施例繪示圖4中的發光單元243。發光單元243具有基腳243a，從發光單元243的側壁240橫向地延伸。基腳243a接觸第一型運輸層241。基腳243a的橫向延伸具有寬度e，其係自基腳243a的側壁240量測至尖端。尖端為基腳243a可延伸最遠的點。尖端亦為基腳與第一型運輸層241相會的端點。
圖6係例示圖4中的發光單元243之另一實施例。發光單元的側壁240係錐形的並且具有兩個不同的斜度(slope)。第一斜度係自基腳243a的尖端F1量測至轉折點F2。第二斜度係自轉折點F2量測至發光單元243的頂角F3。在一些實施例中，第二斜度係大於第一斜度。
基腳243a自發光單元243的底部延伸的目的之一係增加發光單元243與第一型運輸層241之間的附著。由於發光單元243與第一型運輸層241可由不同材料形成，因而發光單元243與第一型運輸層241之間的表面張力可能造成不想要的剝離。藉由基腳243a，發光單元243與第一型運輸層241之間的接觸表面增加，以穩固發光單元243座落於第一型運輸層241上。
在一些實施例中，兩個相鄰的發光單元243之間有一些次級發光單元243b。次級發光單元243b的高度小於發光單元243的高度h。次級發光單元243b係自發光單元243中隔離出。在一些實施例中，次級發光單元243b的高度為發光單元243之高度的約1/5至約1/15。
在一些實施例中，發光單元243與相鄰的次級發光單元243b發出相同波長的光。在一些實施例中，一些發光單元經設計發出第一波長的光。一些發光單元經設計發出第二波長的光，第二波長不同於第一波長。一些發光單元經設計發出第三波長的光，第三波長不同於第一波長與第二波長。一發光單元可經指定具有與該發光單元相鄰的次級發光單元，並且該經指定的次級發光單元所發出的光與相應的發光單元所發出的光具有相同波長。
發光單元243的長寬比(aspect ratio)係定義為發光單元243的高度h除以兩個相鄰發光單元之間的間隙d。如圖8所示，當次級發光單元243b與發光單元243之間的高度比(height ratio)達到1/15時，長寬比開始進入飽和區，直到高度比達到1/5。對於超高PPI(＞1200 ppi)顯示器而言，設計者可調整次級發光單元243b與發光單元243之間的高度比，以符合長寬比的需求。
圖9為俯視圖，例示本揭露實施例之位於第一型運輸層241上的發光單元243之陣列。次級發光單元243b可形成為四邊形、圓形或條形。
在一些實施例中，次級發光單元243b形成為僅對應於一對發光單元243。次級發光單元243b經設計以改良該對發光單元243之間的間隙的長寬比。在一些實施例中，圓形的次級發光單元243b可將最大長寬比(圖8的最大值)增加至比四邊形高10%至15%。
在一些實施例中，次級發光單元243b形成為對應於數對發光單元。如左側的條形圖案，條形的次級發光單元243b經設計對應於至少三對不同的發光單元243。
在一些實施例中，至少兩個分離的次級發光單元243b形成為對應於數對發光單元243。如在右側的兩個條形發光單元，有兩個平行的次級發光條(secondary light emitting strip)。
為了將相鄰發光單元243之間的干擾最小化，可使用吸收材料145填充發光單元243之間的間隙，如圖10所示。吸收材料145可吸收發光單元243發出的光以及自周圍環境進入元件中的任何可見光。
在一些實施例中，第一型載體運輸層241為複合結構，並且包含至少一主要層241a與次級運輸層241b，如圖11所示。第一型載體運輸層241的任何一次層(sub-layer)中存在金屬跡線。金屬元素包含過渡金屬。在一些實施例中，金屬元素包含Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os其中之一。
同樣地，在一些實施例中，第二型載體運輸層242係複合結構，並且包含至少一主要層與次級運輸層。第二型載體運輸層242的任何一次層(sub-layer)中，存在金屬跡線。金屬元素包含過渡金屬。在一些實施例中，金屬元素包含Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os其中之一。在一些實施例中，層242可包含Cs、Rb、K、Na、Li、Yb、Lu、Tm等。
在一些實施例中，有第一型載體注入層與第一型載體運輸層相鄰。如圖12所示，第一型載體注入層230與第一型載體運輸層241相鄰。同樣地，有第二型載體注入層與第二型載體運輸層相鄰。
圖13A至13C說明製造發光元件的一些操作。在圖13A中，提供包含第一型載體注入層230與複合第一型載體運輸層的基板。
在圖13B中，金屬或金屬複合層220位於複合物第一型載體運輸層上。可藉由各種沉積製程形成金屬複合層，例如氣相沉積、濺鍍、原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)、熱蒸鍍、塗覆或噴鍍(jetting)。在一些實施例中，層220的厚度約30 Å或更小。層220可包含氧、氮、氬、氟、碳等。
處理程序如圖13C所述。可藉由加熱、微波、電漿處理，進行處理程序。直接於層220上施加處理。在處理期間，層220被分解，使得層220中的過渡金屬元素222可以滲透到第一類型載體傳輸層241中。在一些實施例中，過渡金屬元素222的分佈可具有梯度(gradient)。在一些實施例中，在第一型載體運輸層241之頂表面上的過渡金屬元素222之密度係高於接近第一型載體運輸層241與第一型載體注入層230之間介面之位置的密度。同樣地，可對於第二型載體運輸層施加上述金屬擴散操作。
在處理之後，層220可消失或是可自第一型載體運輸層241之表面被移除。在處理或移除程序之後，光敏有機發光層204係位於第一型載體運輸層241上方，如圖13D所示。
在圖13E中，進行圖案化程序，例如光微影，以移除過多的部分並且形成發光單元243。
圖14A至圖14D說明在基板250上形成發光單元243的另一實施例。在一些實施例中，基板250包含載體運輸層。在一些實施例中，基板250包含薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)陣列。在圖14A中，在基板250上，形成圖案化光敏層251。在一些實施例中，圖案化光敏層251為吸光材料，如圖10中的吸光材料145。在一些實施例中，圖案化光敏層251係作為圖案定義層。區域251a係由兩個相鄰的圖案化光敏台面定義，以及區域251a經配置以容納有機發光單元。在一些實施例中，圖案化光敏層251無氟，亦即實質未包含氟。
在圖14B中，光阻層253位於光敏層251上方且位於區域251a中。在一些實施例中，光阻層253包含氟。在圖14C中，光阻層253經圖案化以具有開口。在一些實施例中，每一個開口253a的寬度小於約10 um。在圖14D中，有機發光單元243形成於開口253a中。在一些實施例中，有機發光單元243的高度小於光敏層251的高度。在另一步驟(未繪示於圖式)中，可移除光阻層253。
在圖15A中，提供基板250，基板250可包括薄膜電晶體(TFT)陣列。在基板250上設置複數第一電極215。各個第一電極215經配置成，一側連接至嵌入基板250中的電路、且另一側接觸發光材料。考量像素的安排而設計第一電極之陣列圖案。在第一電極215與基板250上設置光敏層254。在一 些實施例中，塗佈光敏層254於第一電極215與基板250上。
光敏層254填入相鄰的第一電極215之間的間隙中。將光敏層254加熱至一預定的溫度，然後將之暴露在指定的波長之下。光敏層254可吸收90%以上的可見光，且在本揭露中亦被稱為黑體材料。在暴露之後，在一溶液中潤濕光敏層254以進行顯影。如圖15B所示，光敏層254之一部分被移除，而留下的部分實質上覆蓋相鄰的第一電極215之間的間隙。在此剖面圖中，留下的光敏層254形成複數凸塊251，各個凸塊251填入相鄰的第一電極215之間的間隙中。凸塊251局部地覆蓋各個第一電極215。經圖案化的凸塊251又稱為像素定義層(pixel defined layer，PDL)。
凸塊251可經形成為不同的形狀。在圖15B中，凸塊251具有彎曲的表面。在一些實施例中，凸塊251的形狀為梯型。在形成凸塊251後，執行清潔操作以清潔凸塊251及第一電極215之暴露表面。在一實施例中，在清潔操作期間，將去離子水加熱至介於30℃及80℃之間的一溫度。在去離子水的溫度昇高至一預定溫度後，將去離子水引導至凸塊251及第一電極215之暴露表面。
在一些實施例中，在清潔操作期間使用超聲波。將超聲波導入清潔劑(例如水或異丙醇(IPA)等)中。在一些實施例中，將二氧化碳導入清潔劑中。在清潔操作之後，經由加熱操作將清潔劑從暴露表面移除。在加熱操作期間，可將基板250及凸塊251加熱至介於80℃及110℃之間的一溫度。在一些例子中，將壓縮空氣引導至暴露表面，以在加熱的同時幫助移除清潔劑之殘餘物。
在加熱操作之後，可使用O2
、N2
、或Ar電漿來處理暴露表面。電漿係用以使暴露表面粗糙化。在一些實施例中，使用臭氧以調節暴露表面之表面狀態。
如圖15C所示，在凸塊251及第一電極215之暴露表面上設置載體注入層261。載體注入層261沿著暴露表面連續地加襯(lining)。更具體而言，各個第一電極215之暴露表面經配置作為一發光單元的有效發光面積。在此實施例中，所有發光單元使用共同的載體注入層261。在一些實施例中，載體注入層261係用於電洞注入。在一些實施例中，載體注入層261係用於電子注入。載體注入層261連續地覆蓋在複數PDL凸塊251及第一電極215之上。可選地，載體注入層261與PDL凸塊251接觸。在一實施例中，載體注入層261與第一電極215接觸。在一些實施例中，載體注入層261為有機的。
如圖15D所示，在凸塊251及第一電極215之暴露表面上設置載體傳輸層262(或稱第一型載體傳輸層)。載體注入層261設置在載體傳輸層262之下。載體傳輸層262沿著載體注入層261連續地加襯。在此實施例中，所有的發光單元使用共同的載體傳輸層262。在一些實施例中，載體傳輸層262係用於電洞注入。在一些實施例中，載體傳輸層262係用於電子注入。載體傳輸層262連續地覆蓋在複數PDL凸塊251及第一電極215之上。可選地，載體傳輸層262與載體注入層261接觸。在一些實施例中，載體傳輸層262為有機的。
在一些實施例中，如圖15E所示，載體傳輸層262經配置成片段，而載體注入層261沿著暴露的PDL凸塊251及第一電極215連續地加襯。各個片段垂直地相對於一個第一電極215而排列。換句話說，載體傳輸層262未沿著載體注入層261連續地加襯。各個發光單元具有個別的載體傳輸層262設置於其上。
在一些實施例中，如圖15F所示，載體注入層261經配置成片段，而載體傳輸層262沿著暴露的PDL凸塊251及第一電極215連續地加襯。各個片段垂直地相對於一個第一電極215而排列。換句話說，載體注入層261未沿著暴露的凸塊251及第一電極215連續地加襯。各個發光單元具有個別的載體注入層261設置於其上。
如圖16A所示，緩衝層301設置在PDL凸塊251上並且亦覆蓋載體注入層261及載體傳輸層262。緩衝層301用以阻擋水氣穿透進入PDL凸塊251、載體注入層261、及載體傳輸層262。在一實施例中，經由旋轉塗覆的方式來設置緩衝層301。可進一步將緩衝層301加熱至溫度T1
。在一些實施例中，T1
約為5℃至10℃，低於載體注入層261及載體傳輸層262之玻璃轉化溫度。此加熱操作約為1到10分鐘。在一些實施例中，緩衝層301包括氟。
在16B中，在加熱操作後，在緩衝層301上設置光敏層302。可進一步透過微影製程將光敏層302圖案化，以使緩衝層301之一部分透過凹槽312而暴露。在圖16C中，移除緩衝層301之一部分，以具有凹槽313，而暴露載體傳輸層262。在一些實施例中，介由濕蝕刻執行圖16C之移除操作。
針對一些實施例，移除操作包括至少兩個步驟。第一步驟為垂直向移除，大致上依照凹槽312之開口寬度的尺寸而切出緩衝層301，如圖16C所示。在形成凹槽313後，進行第二步驟以執行側向移除，如圖16D所示。形成切槽314，使凹槽313進一步沿伸進入緩衝層301，以朝向PDL凸塊251之最高點暴露更多表面。
有機發射(emissive，EM)層263設置在凹槽313中並覆蓋載體傳輸層262及光敏層302。在圖16E中，EM層263完全地覆蓋暴露的載體傳輸層262。EM層263經配置以發射第一顏色。
如圖16F所示，在EM層263上設置有機載體傳輸層264(或稱第二型載體傳輸層)。有機載體傳輸層264可為電洞或電子傳輸層264。在一些實施例中，有機載體傳輸層264及載體傳輸層262各自配置成相反的價態。
在圖16G中，在有機載體傳輸層264上設置第二電極265。光敏層302的頂部表面亦被第二電極265所覆蓋。在形成第二電極265後，可將光敏層302移除。第二電極265可為金屬材料，例如Ag、Mg等。在一些實施例中，第二電極265包括ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)。在一些實施例中，從剖視圖觀看，各個發光單元具有獨立的第二電極265，而複數發光單元共用一共同的載體傳輸層264。
可重複執行如圖16A-16G中所示之操作以形成不同顏色的發光單元。圖17A繪示另一個發光單元，其發射不同於第一顏色的第二顏色。第一發光單元21與第二發光單元22的第二電極265是連續的。各個發光單元具有獨立的載體傳輸層264。獨立的載體傳輸層264分段成複數片段，而各個片段設置於一個發光單元上。在一些實施例中，複數發光單元共用一共同的載體傳輸層264。
如圖17B所示，在一些實施例中，各個發光單元具有獨立的載體傳輸層262(相較於載體傳輸層264更靠近第一電極215)。載體傳輸層262分段成複數片段，而各個片段設置於一個發光單元上。在一些實施例中，複數發光單元共用一共同的載體傳輸層262。各個發光單元具有獨立的載體注入層261。獨立的載體注入層261分段成複數片段，而各個片段設置於一個發光單元上。在一些實施例中，複數發光單元共用一共同的載體注入層261。
在一些實施例中，第二載體傳輸層264具有至少兩個次級層。第一次級層介於第二次級層與EM層264之間。在一些實施例中，第二次級層介於第一次級層與第二電極265之間。在一些實施例中，兩個次級層均為連續的，而發光單元21及22使用共同的第一次級層及第二次級層。在一些實施例中，一個次級層為分段的而另一個次級層為連續的。在一些實施例中，第一次級層為連續的，第二次級層為分段的。各個發光單元具有獨立的第二次級層。在一些實施例中，第二次級層為連續的，第一次級層為分段的。各個發光單元具有獨立的第一次級層。
前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本揭露作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施例具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露揭示內容的精神與範圍，並且熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本揭露之精神與範圍。
10‧‧‧電子元件
12‧‧‧層
14‧‧‧發光層
16‧‧‧層
18‧‧‧層
21‧‧‧發光單元
22‧‧‧發光單元
24‧‧‧發光像素
140‧‧‧基板
140a‧‧‧表面
141‧‧‧發光單元
145‧‧‧吸收材料
204‧‧‧光敏有機發光層
215‧‧‧第一電極
220‧‧‧金屬複合層
222‧‧‧過渡金屬元素
230‧‧‧第一型載體注入層
240‧‧‧側壁
241‧‧‧第一型載體運輸層
241a‧‧‧主要層
241b‧‧‧次級運輸層
242‧‧‧第二型載體運輸層
243‧‧‧發光單元
243a‧‧‧基腳
243b‧‧‧次級發光單元
250‧‧‧基板
251‧‧‧圖案化光敏層/凸塊
251a‧‧‧區域
253‧‧‧光阻層
253a‧‧‧開口
254‧‧‧光敏層
261‧‧‧載體注入層
262‧‧‧載體傳輸層
263‧‧‧發射層/EM層
264‧‧‧載體傳輸層
265‧‧‧第二電極
301‧‧‧緩衝層
302‧‧‧光敏層
312‧‧‧凹槽
313‧‧‧凹槽
314‧‧‧切槽
AA‧‧‧線
d‧‧‧間隙
e‧‧‧寬度
F1‧‧‧尖端
F2‧‧‧轉折點
F3‧‧‧頂角
h‧‧‧高度
w‧‧‧寬度
X‧‧‧厚度方向
圖1為可撓式發光元件。 圖2為俯視圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖3為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖4為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖5為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖6為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖7為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖8繪示長寬比(aspect ratio)與高度比(height ratio)之間的相關性。 圖9為俯視圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖10為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖11為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖12為剖面圖，例示根據一實施例之可撓式發光元件的一部分。 圖13A至圖13E繪示根據一實施例之製造可撓式發光元件的操作。 圖14A至圖14D繪示根據一實施例之製造發光元件的一方法。 圖15A至圖15F繪示根據一實施例之製造發光元件的一方法。 圖16A至圖16G繪示根據一實施例之製造發光元件的一方法。 圖17A為剖面圖，例示根據一實施例之發光元件的一部分。 圖17B為剖面圖，例示根據一實施例之發光元件的一部分。
Claims (18)
- 一種發光元件的製造方法，包含：提供一基板；形成複數光敏凸塊於該基板上；形成一光敏層於該複數光敏凸塊上；圖案化該光敏層，以形成通過該光敏層之一凹槽，進而暴露一表面；設置一有機發射層於該表面上；並移除該經圖案化光敏層；及形成一緩衝層於該光敏層及該複數光敏凸塊之間。
- 如請求項1所述之發光元件的製造方法，其中該緩衝層為有機的，且包含氟。
- 如請求項1所述之發光元件的製造方法，更包含移除該緩衝層之一部分，以局部地暴露該複數光敏凸塊。
- 如請求項1所述之發光元件的製造方法，更包含形成第一電極於該基板及該複數光敏凸塊之間。
- 如請求項4所述之發光元件的製造方法，其中該第一電極由該複數光敏凸塊局部地覆蓋。
- 如請求項5所述之發光元件的製造方法，更包含形成第一型載體注入層於該第一電極及該光敏層之間。
- 如請求項1所述之發光元件的製造方法，更包含形成一載體運輸層於該有機發射層上。
- 一種發光元件，包含：一基板；複數凸塊，位於該基板上；複數發光單元，位於該複數凸塊之間，且位於該基板上，其中該發光單元之各者包括：第一電極；及一有機發射層，位於該第一電極上；及一共同第一型載體注入層，位於該第一電極及該有機發射層之間，該複數發光單元共用該共同第一型載體注入層。
- 如請求項8所述之發光元件，更包含第一型載體運輸層，位於該共同第一型載體注入層及該有機發射層之間。
- 如請求項9所述之發光元件，其中該複數發光單元共用該第一型載體運輸層。
- 如請求項10所述之發光元件，更包含第二型載體運輸層，位於該有機發射層上，其中該第二型載體與該第一型載體相反。
- 如請求項11所之發光元件，其中該複數發光單元共用該第二型載體運輸層。
- 如請求項8所述之發光元件，更包含第二電極，位於該有機發射層上。
- 如請求項13所述之發光元件，其中該複數發光單元共用該第二電極。
- 如請求項8所述之發光元件，其中該複數凸塊係使用黑體材料而製成，該黑體材料吸收90%以上的可見光。
- 如請求項8所述之發光元件，其中該複數發光單元經配置以發射至少兩種不同的顏色。
- 一種發光元件，包含：一基板；複數凸塊，位於該基板上；複數發光單元，位於該複數凸塊之間，且位於該基板上，其中該發光單元之各者包括：一有機發射層；及一電極，位於該有機發射層上；及一載體運輸層，介於該電極及該有機發射層之間，該載體運輸層包括第一次級載體運輸層及第二次級載體運輸層；其中，該複數發光單元共用該第一次級載體運輸層。
- 如請求項17所述之發光元件，其中該第二次級載體運輸層位於該第一次級載體運輸層及該電極之間。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/695,853 | 2017-09-05 | ||
| US15/695,853 US10811636B2 (en) | 2016-11-10 | 2017-09-05 | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
| US15/995,838 | 2018-06-01 | ||
| US15/995,838 US10193098B2 (en) | 2016-11-10 | 2018-06-01 | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201914083A TW201914083A (zh) | 2019-04-01 |
| TWI678829B true TWI678829B (zh) | 2019-12-01 |
Family
ID=65236788
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107128834A TWI678829B (zh) | 2017-09-05 | 2018-08-17 | 發光元件及其製造方法 |
| TW107131151A TWI677122B (zh) | 2017-09-05 | 2018-09-05 | 發光元件及其製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107131151A TWI677122B (zh) | 2017-09-05 | 2018-09-05 | 發光元件及其製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP3451406A3 (zh) |
| KR (2) | KR102130130B1 (zh) |
| CN (2) | CN109428011B (zh) |
| TW (2) | TWI678829B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112542489A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 创王光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN116981304A (zh) * | 2022-04-13 | 2023-10-31 | 台州观宇科技有限公司 | 发光元件 |
| CN115332307A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-11-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN117693231A (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-12 | 台州观宇科技有限公司 | 发光组件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170077188A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| US20170125745A1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting display device |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
| US6905784B2 (en) * | 2000-08-22 | 2005-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2006074062A2 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Encapsulation tool and methods |
| JP2009087760A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| WO2013008765A1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module |
| KR101854133B1 (ko) * | 2011-10-28 | 2018-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 구조물의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| WO2015001757A1 (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-08 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| KR20150028554A (ko) * | 2013-09-06 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TW201523359A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-16 | Wintek Corp | 面板結構 |
| US9887250B2 (en) * | 2014-03-20 | 2018-02-06 | Joled Inc. | Organic el display panel with second blue emitter, display device provided therewith, and method for manufacturing organic el display panel |
| KR102465503B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102387145B1 (ko) * | 2015-05-22 | 2022-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치 |
| KR101831346B1 (ko) * | 2015-08-07 | 2018-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP2017091946A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| CN105514116B (zh) * | 2015-12-03 | 2018-08-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft背板结构及其制作方法 |
| KR102366571B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
-
2018
- 2018-08-17 TW TW107128834A patent/TWI678829B/zh active
- 2018-08-27 KR KR1020180100398A patent/KR102130130B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-29 CN CN201810993891.3A patent/CN109428011B/zh active Active
- 2018-09-05 EP EP18192741.9A patent/EP3451406A3/en active Pending
- 2018-09-05 CN CN201811033827.7A patent/CN109427600B/zh active Active
- 2018-09-05 TW TW107131151A patent/TWI677122B/zh active
- 2018-09-05 EP EP18192725.2A patent/EP3451405A1/en active Pending
- 2018-09-05 KR KR1020180106021A patent/KR102130117B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170077188A1 (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| US20170125745A1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109428011B (zh) | 2021-08-31 |
| TW201914077A (zh) | 2019-04-01 |
| KR102130130B1 (ko) | 2020-07-06 |
| TW201914083A (zh) | 2019-04-01 |
| KR20190026577A (ko) | 2019-03-13 |
| KR20190026631A (ko) | 2019-03-13 |
| EP3451405A1 (en) | 2019-03-06 |
| KR102130117B1 (ko) | 2020-07-06 |
| EP3451406A3 (en) | 2019-05-22 |
| CN109427600B (zh) | 2023-09-15 |
| CN109427600A (zh) | 2019-03-05 |
| TWI677122B (zh) | 2019-11-11 |
| CN109428011A (zh) | 2019-03-05 |
| EP3451406A2 (en) | 2019-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI678829B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| US10461139B2 (en) | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof | |
| TWI557896B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
| US9478592B2 (en) | Thin film transistor array substrate | |
| JP3948082B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP6670286B2 (ja) | 電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| US20060024855A1 (en) | Method for manufacturing display device and display device | |
| JP3900675B2 (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
| US20200058891A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US10193098B2 (en) | Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof | |
| US10720594B2 (en) | Light emitting device | |
| CN112542489A (zh) | 发光元件 | |
| TWI653773B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| JP4995361B1 (ja) | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 | |
| JP2012064387A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| JP2012204254A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR20180076825A (ko) | 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20240023386A1 (en) | Light-emitting element | |
| TWI847660B (zh) | 發光元件 | |
| EP4418836A1 (en) | Light-emitting element | |
| US20240032330A1 (en) | Light-emitting element | |
| JP2007035330A (ja) | 有機発光素子の製造方法 | |
| JP2024077808A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| JP2024062964A (ja) | 有機発光素子 |