JP4995361B1 - 有機elパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図7
Description
[1]前記TFTパネルを準備する工程と、前記TFTパネルの表面上に画素電極をパターニングする工程と、前記TFTパネルの表面が露出した前記画素電極の欠損部を検出する工程と、前記画素電極の欠損部から露出した部分を含む前記TFTパネルの表面の一部分にレーザ光を照射し、前記TFTパネルの表面の一部分を粗面化する工程と、前記画素電極上および前記TFTパネルの粗面化された部分の表面上に有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に対向電極を形成する工程と、を有する有機ELパネルの製造方法。
[2]前記レーザ光の波長は、400nm以下である、[1]に記載の有機ELパネルの製造方法。
[3]前記欠損部を選択する基準を決定する工程と、検出された前記欠損部から前記基準に適合した欠損部を選択する工程と、をさらに有し、前記レーザ光は、前記選択された欠損部から露出した前記TFTパネルの表面に照射される、[1]または[2]に記載の有機ELパネルの製造方法。
[4]TFTパネルと、前記TFTパネルの表面上にマトリクス状に配置され、かつ前記TFTパネルの表面上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機機能層および前記有機機能層上に配置された対向電極を有する有機EL素子と、を有する有機ELパネルであって、少なくとも1つの前記有機EL素子の画素電極は、前記TFTパネルの表面が露出した欠損部を有し、前記欠損部から露出した前記TFTパネルの表面は、粗面化されており、前記有機機能層は、前記TFTパネルの粗面化された部分上に配置される、有機ELパネル。
[5]前記粗面化された前記TFTパネルの表面の算術平均粗さは、0.25μm以上である、[4]に記載の有機ELパネル。
[6]前記TFTパネルは、基板と、前記基板上にマトリクス状に配置されたTFTと、前記TFTを覆うように前記基板上に配置された平坦化膜と、を有し、前記平坦化膜は、前記TFTパネルの表面を構成する、[4]または[5]に記載の有機ELパネル。
[7]前記平坦化膜は、感光性樹脂の硬化物からなる、[6]に記載の有機ELパネル。
本発明は、特に大画面の有機ELパネルを製造する場合に効果を発揮する。大画面の有機ELディスプレイを製造する場合、画素電極に欠損が生じるおそれが高いことから、欠損部による輝度の低下を防止する必要が高いからである。以下、図1のフローチャートを参照しながら、本発明の有機ELパネルの製造方法について説明する。
本発明の有機ELパネルは、上述した本発明の有機ELパネルの製造方法によって製造された有機ELパネルである。本発明の有機ELパネルは、トップエミッション型かつアクティブマトリクス型であり、TFTパネルと、TFTパネルの表面上にマトリクス状に配置された有機EL素子とを有する。
図3に示されるように、TFTパネルの表面を粗面化した場合、例えば波長が500nm〜800nmの光の透過率を約10%抑制することができた。このように、樹脂表面が粗面化されたTFTパネルの光透過率が低下したことは、その分樹脂表面が粗面化されたTFTパネルの反射率が上昇したことを示唆する。
110 TFTパネル
111 欠損部から露出したTFTパネルの表面
113 基板
115 平坦化膜
120 画素電極
121 欠損部
130 有機機能層
140 対向電極
150 封止膜
170 レーザ光
Claims (7)
- TFTパネルを準備する工程と、
前記TFTパネルの表面上に画素電極をパターニングする工程と、
前記TFTパネルの表面が露出した前記画素電極の欠損部を検出する工程と、
前記画素電極の欠損部から露出した部分を含む前記TFTパネルの表面の一部分にレーザ光を照射し、前記TFTパネルの表面の一部分を粗面化する工程と、
前記画素電極上および前記TFTパネルの粗面化された部分の表面上に有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に対向電極を形成する工程と、を有する有機ELパネルの製造方法。 - 前記レーザ光の波長は、400nm以下である、請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。
- 前記欠損部を選択する基準を決定する工程と、
検出された前記欠損部から前記基準に適合した欠損部を選択する工程と、をさらに有し、
前記レーザ光は、前記選択された欠損部から露出した前記TFTパネルの表面に照射される、請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。 - TFTパネルと、前記TFTパネルの表面上にマトリクス状に配置され、かつ前記TFTパネルの表面上に配置された画素電極、前記画素電極上に配置された有機機能層および前記有機機能層上に配置された対向電極を有する有機EL素子と、を有する有機ELパネルであって、
少なくとも1つの前記有機EL素子の画素電極は、前記TFTパネルの表面が露出した欠損部を有し、
前記欠損部から露出した前記TFTパネルの表面は、粗面化されており、
前記有機機能層は、前記TFTパネルの粗面化された部分上に配置される、有機ELパネル。 - 前記粗面化された前記TFTパネルの表面の算術平均粗さは、0.25μm以上である、請求項4に記載の有機ELパネル。
- 前記TFTパネルは、基板と、前記基板上にマトリクス状に配置されたTFTと、前記TFTを覆うように前記基板上に配置された平坦化膜と、を有し、
前記平坦化膜は、前記TFTパネルの表面を構成する、請求項4に記載の有機ELパネル。 - 前記平坦化膜は、感光性樹脂の硬化物からなる、請求項6に記載の有機ELパネル。
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