JP2009158126A - 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009158126A
JP2009158126A JP2007331727A JP2007331727A JP2009158126A JP 2009158126 A JP2009158126 A JP 2009158126A JP 2007331727 A JP2007331727 A JP 2007331727A JP 2007331727 A JP2007331727 A JP 2007331727A JP 2009158126 A JP2009158126 A JP 2009158126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
emitting layer
light emitting
organic
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007331727A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunobu Irie
一伸 入江
Tetsuo Osono
哲郎 大薗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2007331727A priority Critical patent/JP2009158126A/ja
Priority to US12/340,430 priority patent/US7893609B2/en
Publication of JP2009158126A publication Critical patent/JP2009158126A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3577Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing liquids, e.g. polluted water
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70Testing, e.g. accelerated lifetime tests

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】
【0013】有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程途中において、基板上に発光層を形成した後、可能な限り早期に基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施し、発光層のパターン欠陥を検出することでパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する工程で、基板上に有機発光層を形成した後、被検査基板の光学像を取り込んで該被検査基板上の有機発光層のパターン欠陥を検出する装置において、検査基板からの光学像を得るための光源が赤外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下有機エレクトロルミネッセンス素子と略称する場合がある)の製造工程途中において行う欠陥検査に用いる検査装置ならびに、この欠陥検査装置に適応する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子は陽極と陰極との間に有機発光層が挟持された構造をもつ発光素子で、電圧の印加により陽極から正孔、陰極から電子が注入され、この正孔と電子の対が有機発光層表面あるいは内部で再結合することによって発生したエネルギーを光として取り出す素子である。発光層に有機物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は古くから研究されていたが発光効率の問題で実用化が進展しなかった。これに対し、1987年にC.W.Tangにより有機層を発光層と正孔輸送層の2層に分けた積層構造の有機エレクトロルミネッセンス素子が提案され、低電圧で高効率の発光が確認され(非特許文献1等参照)、それ以降有機エレクトロルミネッセンス素子に関する研究が盛んに行われている。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いられる有機材料は、低分子の材料と高分子の材料とに分類されている。発光層の形成方法は材料によって異なり、低分子材料は主に蒸着法で成膜させる方法が用いられ、高分子材料は溶剤に溶解あるいは分散させて基板上に塗布する方法が行われている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子をフルカラー化するために発光層をパターニングする手段としては、低分子系材料を用いる場合は、所望の画素形状に応じたパターンが形成されたマスクを用いて、異なる発光色の発光材料を所望の画素に対応した部分に蒸着し形成する方法が行われている。この方法は所望の形状に薄膜を均一に形成するには優れた方法であるが、マスクの精度の点から蒸着される基板が大型になると、パターンの形成が困難になるという問題点がある。
一方、高分子系材料を用いる場合は、主にインクジェット法によるパターン形成と、印刷によるパターン形成方法が提案されている。例えば、特開平10−12377号公報に開示されているインクジェット法は、インクジェットノズルから溶剤に溶かした発光層材料を基板上に噴出させ、基板上で乾燥させることで所望のパターンを得る方法である。しかしながら、ノズルから噴出されたインク液滴は球状をしている為、基板上に着弾する際にインクが円形状に広がり、形成したパターンの形状が直線性に欠ける、あるいは着弾精度が悪くパターンの直線性が得られないという問題点がある。これに対し、例えば、特開2002−305077号公報では、予め基板上にフォトリソグラフィなどを用いて、撥インク性のある材料でバンクを形成し、そこにインク液滴を着弾させることで、バンク形状に応じてインクがはじき、直線性のパターンが得られるという方法が開示されている。しかし、はじいたインクが画素内に戻るときに画素内部でインクが盛り上がり、画素内の有機発光層の膜厚にばらつきができてしまうという問題が残る。
そこで、低分子有機発光材料にかえて、有機高分子発光材料を溶剤に溶解あるいは分散させてインキ化し、このインキを印刷法によりパターニングする方法が提案され、具体的には凸版印刷による方法、反転印刷による方法、スクリーン印刷による方法などが提案されている。特に凸版印刷はパターン形成精度、膜厚均一性などに優れ、印刷法による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法として適している。
インクジェット法、印刷法といったウェットプロセスによるパターン形成の場合、イン
キを基板上にパターニングして発光層を形成する工程は通常大気下、あるいは窒素雰囲気下で行われ、その後インクの乾燥を行ったあと、蒸着機で陰極を真空蒸着する。また、トップエミッションタイプの素子は蒸着機の代わりにスパッタで電極を形成することもある。電極が形成された基板はさらに封止、断裁工程を経たあと、駆動回路を実装することでパネルを駆動、発光させることが可能になる。
しかしながら発光層形成工程において何らかの不具合が発生し、パターンに欠陥が生じた場合、駆動回路を取り付けて発光を確認するまで、その不具合を認知することが出来ない。しかも不具合の内容によっては形成した発光層のパターン全てに連続して不具合が発生する場合があり、この場合、パネルの欠陥を認知した段階では欠陥の発生を確認した基板の後に有機発光層パターン形成工程を通過した全ての基板で不具合が発生してしまっていることになり、これらの基板のロスは大きな問題になる。
この問題への対応として、特許文献1では基板に有機層及び電極を蒸着する工程と封止工程の間で真空中又は乾燥雰囲気中で検査を行うことで不良を早期に発見し工程ロスを削減する製造方法が開示されている。また、特許文献2では連続シート状基板を使用し、ロールツーロール方式で形成工程完了後の欠陥情報より前工程を制御することにより、欠陥発生部分に対する追加の処理を省くことでロスを減少させる製造方法が開示されている。
連続して発生する不具合の例として、インクジェット法ではノズルの詰まり、汚れが挙げられ、印刷法では版やアニロックスロール、ドクターブレードの汚れが挙げられる。そのため、基板上に発光層を形成した後、可能な限り早期に基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施し、不良基板の連続発生を防止することが好ましい。
基板上に形成されたパターンの欠陥を検査する方法としては光学検査が広く行われている。光学検査は基板上のパターン画像をカメラあるいはラインセンサで取り込み、画像処理、欠陥判定を行ってパターン形成の合否を判定する。欠陥を抽出する方法としてはダイツーダイ比較と呼ばれる検査方法や輪郭抽出を行う方法、あるいは隣接パターンとの比較を行う方法がある。このうち、隣接パターンとの比較を行う方法は同じパターンが規則的に並んでいる基板の検査に適しており、フラットパネルディスプレイの画素欠陥検査方法として広く用いられている。
特許文献3では、画像を得るために検査対象の中間品の有機EL層に照射される紫外線の光量を必要最小限に制限することで、検査の際における紫外線の累積照射量による有機EL層の劣化を防止する検査方法ならびに検査方法が開示されている。しかしながら、有機発光層に用いられている材料は酸素存在下において紫外光あるいは可視光に極めて弱く、光の照射によって材料が劣化し、有機エレクトロルミネッセンス素子を作成しても、効率や寿命の低下が発生する。そのため、上記のような方法での光学欠陥検査は好ましくない。
また、発光層パターン形成後の電極(陰極)形成工程は上述のように真空プロセスで行われるため、大気下での光照射を避けるために基板を真空チャンバに投入した後で光学検査を行うことも可能であるが、一般に光学欠陥検査装置は検査時間短縮のため1回のスキャン、あるいは1往復のスキャンで基板全面の画像を取り込むことが可能になるように、基板サイズおよび、解像度、カメラ視野に応じた台数のカメラが並置されており、装置は大掛かりなものになっている。そのため、この欠陥検査装置を真空チャンバ内に設置するためには、チャンバの容積を大きくする必要があり、真空排気を含めると装置全体でコストがかさむため好ましくない。
特開2001−291585号公報 特開2007−12357号公報 特開2006−329819号公報 C.W.Tang、S.A.VanSlyke、Applied Physics Letters、51巻、913頁、1987年
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程途中において、基板上に発光層を形成した後、可能な限り早期に基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施し、発光層のパターン欠陥を検出することでパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査装置を提供することであり、また、この欠陥検査装置に適応する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
本発明者は前記の課題を克服するために鋭意検討を行った結果、本発明を得るに至った。本発明の請求項1に係る発明は、基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する工程で、基板上に有機発光層を形成した後、被検査基板の光学像を取り込んで該被検査基板上の有機発光層のパターン欠陥を検出する装置であって、検査基板からの光学像を得るための光源が赤外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置である。
また、本発明の請求項2に係る発明は、前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を可視光から遮光する手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置である。
また、本発明の請求項3に係る発明は、前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を不活性気体でパージする手段を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置である。
また、本発明の請求項4に係る発明は、前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分の被検査基板を不活性液体で浸漬する手段を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置である。
次に、本発明の請求項5に係る発明は、基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、該素子は基板上に形成された駆動回路配線を覆う隔壁を有しており、該隔壁は請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の光源の波長の光を吸収することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
次に、本発明の請求項6に係る発明は、基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する工程で、基板上に有機発光層を形成した後に、被検査基板の光学像を取り込んで該被検査基板上の有機発光層のパターン欠陥を検出する検査方法であって、被検査基板からの光学像を得るための光源が赤
外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法である。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程途中において、基板上に発光層を形成した後、早期に基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施し、発光層のパターン欠陥を検出することでパターン形成不良基板を早期に発見し、プロセス異常を早期に発見することで、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査装置が提供できる。本発明の請求項1に記載する発明によれば、検査基板からの光学像を得るための光源が赤外線であるため、検査の際における紫外線の累積照射量により有機エレクトロルミネッセンス素子を劣化させる不具合が防止される。
また、本発明の請求項2〜4に記載する有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置によれば、検査装置が、(イ)被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を可視光から遮光する手段、(ロ)被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を不活性気体でパージする手段、(ハ)被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分の被検査基板を不活性液体で浸漬する手段、の各手段の少なく共1つ以上を備えているために、検査工程中に、酸素存在下において紫外光あるいは可視光の照射によって発光効率や寿命の低下が発生する有機エレクトロルミネッセンス素子を劣化させる不具合が防止される。
つぎに、本発明の請求項5に記載する有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に形成された駆動回路配線を覆う隔壁を有しており、該隔壁は上記した本発明の請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の光源の波長の光、すなわち赤外光を吸収する機能を有しているため、駆動信号あるいは制御電流を素子に送るためのメタル配線によるハレーションを防止し、検査精度を向上させることが可能になり、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置に適応する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
さらに、本発明の請求項6に記載する有機エレクトロルミネッセンス素子検査方法によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造工程途中において、基板上に発光層を形成した後、次の工程に移る前に早期に基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施することで、発光層のパターン欠陥を検出することでパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能となる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置を一実施形態に基づいて、図面を参照して以下に詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の概略図である。図1では、有機発光層の形成を行った被検査基板1を駆動機構3に制御されたステージ2に供給して赤外線光源4の透過照明あるいは赤外線光源7の反射光源からの赤外光をミラー6あるいはハーフミラー9を介して被検査基板1に照射し、その光学像はレンズ10を通して赤外線イメージセンサ11に取り込まれる。イメージセンサ11で取り込まれた画像は画像処理装置12で処理され、基板上の欠陥の有無を判定し、基板の合否を検査する。
光源は、赤外線を用いていれば透過、反射光源のいずれでも用いることが可能であるが、形成された有機発光層は膜厚が非常にうすく、光学的な吸収が小さいため、膜を光線が1回通過する透過光源よりも基板表面で反射する光が2回通過する反射光源のほうがよりコントラストを得やすいため好ましい。また、用いる赤外線はイメージセンサに感度を有する波長領域であれば特に制限はないが、波長が長すぎると画像の解像度が悪くなるため検査光の波長は700〜1500nmが好適である。また、イメージセンサはエリアセンサ、ラインセンサのいずれでも用いることが可能である。なお、図1中ではイメージセンサは1台のみ図示されているが、検査時間短縮のため、複数台のイメージセンサを並置して処理してもよい。
また、有機発光層薄膜は可視光によって劣化する可能性があるため、本発明の第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置では検査装置全体を遮光筺体13で遮光することで有機発光層の劣化を防いでいる。
さらに有機発光層薄膜は空気中の酸素や水分で劣化を起こしやすいため、なるべく空気に触れる時間を短縮することが求められる。有機発光層を空気から遮断するためには、不活性ガスによるパージすることが有効であり、印刷やインクジェットなど、有機発光層を形成する工程を大気下で行った場合、工程検査のために不活性ガスでパージする必要がある。そこで筺体13中に不活性ガス導入口14から不活性ガスを導入して筺体内の空気をパージしている。不活性ガスは有機発光層にダメージを与えないものであれば特に制限は無く、コストや安全性の観点から窒素が好ましく用いられる。
図2は本発明の第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の概略図である。図2では、有機発光層の形成を行った被検査基板1を駆動機構3に制御された基板保持ステージ20に供給して、被検査基板1を不活性液体22中に浸漬して空気から遮断した状態で、赤外線光源7の反射光源からの赤外光をハーフミラー9を介して被検査基板1に照射し、その光学像はレンズ10を通して赤外線イメージセンサ11に取り込まれる。イメージセンサ11で取り込まれた画像は画像処理装置12で処理され、基板上の欠陥の有無を判定し、基板の合否を検査する。
図2に示す本発明の第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置のように、被検査基板を不活性液体中に浸漬して空気から遮断した状態で検査する場合は、前述した不活性ガスによるパージに比べて時間的なロスが少ない。ここで、不活性液体22に用いることができる材料としては、有機発光層にダメージを与えない、あるいは溶かさない液体であれば用いることが可能でアルカン、エーテル、エステルなどの疎水性溶媒、フルオロエーテル、フルオロアルカンなどの含フッ素化合物の液体を例示することができる。特に含フッ素化合物は有機発光層を溶かすなどのダメージがない上に、蒸気圧が比較的高く、検査終了後すぐに乾燥するため、より好ましく用いることができる。
一方、有機発光層が印刷法等で形成される基板上には、パターニングされた有機発光層に接続されたTFT(Thin Film Transistor)などのスイッチング素子に駆動信号を送るためのメタル配線や、スイッチング素子によって制御された電流をEL素子に送るためのメタル配線が配設されている。さらにこれらの配線上に隣接画素とのショート防止および印刷時のパターニング精度を良くするための隔壁が設けられている。このため、反射照明像によって欠陥検査を行う場合、上述したメタル配線が検査光を強く反射するため、得られる反射照明画像上でメタル配線部分がハレーションを起こしてしまい、画素部分の輝度コントラストがうまく得られないことがある。そこで本発明の請求項5に記載したように、前記隔壁が検査光の波長を吸収する機能を有する有機エレクトロルミネッセンス素子としたことでハレーションを防止し、検査精度を向上させることが可能になる。
通常、有機エレクトロルミネッセンス素子の隔壁はノボラック系やアクリル系、ポリイ
ミド系の感光性樹脂を用いて画素配線形状にフォトリソを行うことで形成される。検査光の波長を吸収するためにはこれらの感光性樹脂にあらかじめ赤外吸収色素などの光吸収材を添加しておく必要がある。赤外吸収色素としてはアントラキノン系、アゾ系、アミニウム系、シアニン系、スクアリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系など公知のものを用いることが出来る。また隔壁による検査光の吸収は完全に行われる必要はなく、検査画像上でハレーションが起きない程度であればよい。
以下に本発明の具体的実施例について説明する。
<欠陥検査装置>
TFTやカラーフィルタなどのフラットパネルディスプレイ用欠陥検査装置として用いられる隣接画素比較検査方式の基板欠陥検査装置の光源のハロゲンランプの出射部分に,熱線カットフィルタの代わりに赤外線のバンドパスフィルタを配置した。得られた検査光は900〜1100nm近辺の波長を主成分とする赤外光であった。
<有機発光層の作成>
目的の画素形状を形成したTFT基板を準備し、中性洗剤でよく洗浄した後、洗剤溶液中で5分間超音波洗浄をおこなった。次に、純水でよくすすいだ後、純水で10分間超音波洗浄を行った。洗浄後、IPA(イソプロピルアルコール)飽和蒸気下において基板上の水分を十分に乾燥させた。この基板上に正孔輸送層としてポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の1.5wt%水溶液(スタルク社製CH8000)をスピンコート法によって塗布、ベークし、膜厚40nmの薄膜を形成して、被印刷基板を作製した。
別途、鉄とニッケルの合金でニッケル含有率36%であり厚みが0.2mmである金属基材上に、ポリアミド系感光性樹脂層を0.3mm有する版材を用意した。この版材に対し、フォトマスクを介して露光し、水現像することで、ストライプ状の凸部パターンを有する印刷用凸版を得た。得られた印刷用凸版の凸部のライン幅は100μm、ピッチは350μmであった。
次に、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の3色からなる以下の有機発光インキを調製した。
赤色発光インキ(R):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製赤色発光材料・・・商品名Red1100)
緑色発光インキ(G):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製緑色発光材料・・・商品名Green1300)
青色発光インキ(B):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製青色発光材料・・・商品名Blue1100)
前述した印刷用凸版を枚葉式の凸版印刷装置に固定し、これと上記の有機発光インキを用いて、前述した被印刷基板に対し、印刷を各色についておこなった。有機発光層は、赤色有機発光層、緑色有機発光層、青色有機発光層がストライプ状に並ぶように印刷した。
<画像検査>
以上のようにして得られた、有機発光層パターンが形成されたTFT基板を、前述した赤外線欠陥検査装置により画像検査を行ったところ、落斜照明画像で膜の有無によってコントラストが得られ、検査判定用に処理された画像中で隣接画素同士での輝度値比較によって欠陥検査を行うことが出来た。
欠陥検査を実施した基板は、次いで、イナートオーブン内で130℃/1時間の乾燥を
おこなった。乾燥の後、印刷により形成した有機発光層上にカルシウム(Ca)を10nm成膜し、さらにその上に銀(Ag)を300nm成膜した。Ca、Agからなる陰極は、真空蒸着法により形成した。最後にガラスキャップで封止を行い本発明のフルカラーの有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
この有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動ドライバに接続して発光特性を確認したところ、画素印加電圧5Vでパネル輝度90cd/m2の均一な発光が見られた。比較例1として、欠陥検査を行わなかった有機エレクトロルミネッセンス素子を作成して素子特性を比較したが、欠陥の無い素子であれば検査による赤外線照射の有無による差異は見られなかった。
また比較例2として、有機エレクトロルミネッセンス素子を実施例同様に作成した。実施例1との差異は欠陥検査を実施する際の光源を本発明の実施例の赤外線光源ではなく、通常のハロゲンランプの光源を用いたことである。ハロゲンランプの可視光で検査用画像を撮像したところ、落射画像、透過画像いずれも実施例の赤外線検査画像と比較して検査画像上の有機発光層パターンはコントラストが少なく欠陥を確認しづらかった。また、検査光を照射した基板で作成した有機エレクトロルミネッセンス素子を作成して駆動ドライバに接続し、発光特性を確認したところ、5Vでパネル輝度25cd/m2の発光しか得られず、性能が劣化していた。
本発明の第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の概略図。 本発明の第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の概略図。
符号の説明
1・・・被検査基板 2・・・ステージ 3・・・ステージ駆動機構
4・・・赤外線光源(透過照明) 5・・・検査光(透過光)〜図示せず
6・・・ミラー 7・・・赤外線光源(反射照明)
8・・・検査光(反射光)〜図示せず 9・・・ハーフミラー
10・・・レンズ 11・・・イメージセンサ 12・・・画像処理装置 13・・・遮光筐体 14・・・不活性ガス導入口
20・・・基板保持ステージ 21・・・不活性液体槽 22・・・不活性液体

Claims (6)

  1. 基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する工程で、基板上に有機発光層を形成した後に、被検査基板の光学像を取り込んで該被検査基板上の有機発光層のパターン欠陥を検出する装置であって
    被検査基板からの光学像を得るための光源が赤外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置。
  2. 前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を可視光から遮光する手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置。
  3. 前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分を不活性気体でパージする手段を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置。
  4. 前記被検査基板の光学像を取り込むための検査ステージ部分の被検査基板を不活性液体で浸漬する手段を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置。
  5. 基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、該素子は基板上に形成された駆動回路配線を覆う隔壁を有しており、該隔壁は請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置の光源の波長の光を吸収することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 基板上に少なくとも、発光領域を有する1層以上の有機発光層と、該有機発光層に正孔を注入する陽極と、該有機発光層に電子を注入する陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する工程で、基板上に有機発光層を形成した後に、被検査基板の光学像を取り込んで該被検査基板上の有機発光層のパターン欠陥を検出する検査方法であって、
    被検査基板からの光学像を得るための光源が赤外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法。
JP2007331727A 2007-12-25 2007-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法 Pending JP2009158126A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007331727A JP2009158126A (ja) 2007-12-25 2007-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法
US12/340,430 US7893609B2 (en) 2007-12-25 2008-12-19 Organic electroluminescence element defect inspection apparatus, organic electroluminescence element and organic electroluminescence element defect inspection method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007331727A JP2009158126A (ja) 2007-12-25 2007-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009158126A true JP2009158126A (ja) 2009-07-16

Family

ID=40787488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007331727A Pending JP2009158126A (ja) 2007-12-25 2007-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7893609B2 (ja)
JP (1) JP2009158126A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011070920A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 有機elディスプレイパネルの検査方法及び修正方法と、検査装置及び修正装置と、有機elディスプレイパネル
WO2011136339A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 有機膜の焼成装置及び該装置によって焼成された有機膜を有する有機素子
WO2012117656A1 (ja) 2011-03-02 2012-09-07 パナソニック株式会社 有機elパネルおよびその製造方法
JP2013196896A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
JP2013251224A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
KR101356372B1 (ko) 2011-11-01 2014-01-27 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 향상된 결함 스캐닝
JP2014232689A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 東京エレクトロン株式会社 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
WO2015186311A1 (ja) * 2014-06-02 2015-12-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置、電子機器および検査方法
WO2020065866A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102120892B1 (ko) * 2013-04-25 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지의 유기막 손상 측정방법 및 측정장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4372957B2 (ja) 2000-04-07 2009-11-25 東北パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法及び製造装置
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
JP4720290B2 (ja) 2005-05-26 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス層検査装置
JP2007012357A (ja) 2005-06-29 2007-01-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
KR100688795B1 (ko) * 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100722118B1 (ko) * 2006-09-04 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011070920A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 有機elディスプレイパネルの検査方法及び修正方法と、検査装置及び修正装置と、有機elディスプレイパネル
WO2011136339A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 有機膜の焼成装置及び該装置によって焼成された有機膜を有する有機素子
JP2011233426A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Tazmo Co Ltd 有機膜の焼成装置及び該装置によって焼成された有機膜を有する有機素子
WO2012117656A1 (ja) 2011-03-02 2012-09-07 パナソニック株式会社 有機elパネルおよびその製造方法
US8587002B2 (en) 2011-03-02 2013-11-19 Panasonic Corporation Organic EL panel and method of manufacturing the same
KR101356372B1 (ko) 2011-11-01 2014-01-27 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 향상된 결함 스캐닝
JP2013196896A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
TWI583940B (zh) * 2012-06-04 2017-05-21 Joled Inc A manufacturing method of a display panel, an inspection apparatus, and a inspection method thereof
JP2013251224A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
JP2014232689A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 東京エレクトロン株式会社 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
KR20140142152A (ko) * 2013-05-30 2014-12-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법
KR102266925B1 (ko) * 2013-05-30 2021-06-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 결함 검사 장치, 결함 검사 방법 및 기판 처리 시스템
WO2015186311A1 (ja) * 2014-06-02 2015-12-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置、電子機器および検査方法
JP2015228460A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、電子機器および検査方法
US10367148B2 (en) 2014-06-02 2019-07-30 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic apparatus, and inspection method
WO2020065866A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7893609B2 (en) 2011-02-22
US20090159817A1 (en) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009158126A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査装置および有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子欠陥検査方法
JP6214019B2 (ja) バンクの補修方法、有機el表示装置およびその製造方法
US8221553B2 (en) Method for producing organic light-emitting device
JP5096648B1 (ja) 有機elディスプレイパネル及びその製造方法
KR101288687B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 컬러 필터 기판
US20120252150A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
US20120252149A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence display device
JP2006286309A (ja) 有機el表示装置とその製造方法
JP2007095606A (ja) 有機el装置、その製造方法、及び電子機器
JP2008098106A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7977866B2 (en) Organic electroluminescence element having partition wall covered by insulating layer
US20080032039A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence device
JP2010218814A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置及び製造方法
KR100874487B1 (ko) 전자 발광 소자의 제조 방법
JP4578026B2 (ja) エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2020042955A (ja) 表示パネル、表示パネルの検査方法、及び表示パネルの製造方法
JP2013191483A (ja) デバイスの製造方法、有機el素子の製造方法
JP4265230B2 (ja) 電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2004253214A (ja) 有機elデバイスの製造方法および有機elデバイス
TW201347258A (zh) 轉印用施體基板及元件製造方法
JP5430070B2 (ja) 機能性膜の製造方法
JP2008198518A (ja) 凸版、及びその検査方法、並びにそれを用いた有機電子デバイスの製造方法並びにそれを用いた有機電子デバイス並びに表示装置
JP4193170B2 (ja) 表示素子の欠陥修復方法
JP2010080269A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2003059659A (ja) 高分子el素子およびその製造方法