TW201347258A - 轉印用施體基板及元件製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 375
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 333
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 323
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 281
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 185
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 133
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 37
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 19
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 6
- CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N barium sulfide Chemical compound [S-2].[Ba+2] CJDPJFRMHVXWPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 73
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 42
- 238000013021 overheating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 275
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 42
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 239000002585 base Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 3
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGSKIJWYJBXQFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,5-tetramethylimidazolidin-2-one Chemical compound CC1C(C)N(C)C(=O)N1C GGSKIJWYJBXQFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical group NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical compound ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUYZZTTYATWSRY-UHFFFAOYSA-N N1C=CC=C2N=CC=C12 Chemical class N1C=CC=C2N=CC=C12 QUYZZTTYATWSRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical class C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L calcium bicarbonate Chemical compound [Ca+2].OC([O-])=O.OC([O-])=O NKWPZUCBCARRDP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000020 calcium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011116 calcium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117927 ethylene oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- RAQDACVRFCEPDA-UHFFFAOYSA-L ferrous carbonate Chemical compound [Fe+2].[O-]C([O-])=O RAQDACVRFCEPDA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N perfluorodecane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical class C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical class C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical class C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
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Abstract
本發明提供一種轉印用施體基板，其在藉由雷射轉印方式製造有機EL元件等元件時使用，可抑制因隔壁或絕緣層的過熱引起的雜質的產生等。用以藉由雷射照射將轉印材料轉印至元件基板的轉印用施體基板具備：支持基板10；隔壁11，其設置於該支持基板10上，且形成有將支持基板10上的區域分離成多個區塊的圖案；光熱轉換層12，其覆蓋支持基板10及隔壁11的表面；以及轉印層13，其在多個區塊中配置上述材料而形成。隔壁11藉由具有遮光性的玻璃而形成。
Description
本發明是有關於一種用於有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)元件等元件的功能材料的圖案化的轉印用施體基板、及使用該轉印用施體基板的元件的製造方法。
有機EL元件是藉由以下方式發光的元件：使自陰極注入的電子與自陽極注入的電洞在由兩極夾住的有機發光層(以下簡稱為發光層)內進行再結合。此種有機EL元件由於以下等的優點，即(1)可藉由低驅動電壓實現高亮度發光，(2)由於元件自身發光因而無需背光裝置(backlight)，而可實現薄型化及輕量化，(3)藉由有機發光層使用各種有機材料(發光材料)，而可獲得以紅(R)、綠(G)、藍(B)這三原色為代表的各種發光色等，因而近年來在行動電話、平板終端機、小型電視機等的小型顯示器中的實用化取得進展。另外，面向在大型電視機或大型屏幕等更大型的設備中的應用的研究亦取得進展。
然而，在包含有機EL元件的彩色顯示器中，需要將以
R、G、B的各色發光的發光材料進行微細且高精度地圖案化。先前作為薄膜的微細圖案化技術，已知光微影法或噴墨法等濕式製程，及遮罩蒸鍍法等乾式製程，但在發光材料的圖案化中，實際使用中主要使用遮罩蒸鍍法。其原因是：在濕式製程時，在先形成的基底層上塗佈光阻劑或油墨等的溶液時，會導致基底層的形態變化，或在使溶液乾燥時膜厚變得不均勻，因此難以達成基板內的畫素間均勻性，而有對顯示器的性能造成影響之虞。
然而，在遮罩蒸鍍法中，需要在包含金屬板的遮罩上形成精細的遮罩圖案，因此難以同時滿足遮罩的大型化與精度。另外，若將遮罩大型化，則由於遮罩的撓性，而有作為圖案化對象的基板(以下稱為元件基板)與遮罩的密接性降低的傾向。因此，在遮罩蒸鍍法時，難以應用於大型的有機EL顯示器。
根據上述情況，研究了藉由乾式製程的在大型的元件基板上的圖案化技術。其中之一是提出了雷射轉印方式(例如參照專利文獻1~專利文獻4)。所謂雷射轉印方式，是製作在藉由隔壁而隔開的多個區塊內配置有發光材料的施體基板，使該施體基板與元件基板抵接，對施體基板照射雷射光進行加熱，從而在各區塊內使發光材料蒸發而蒸鍍於元件基板的方式。根據該方式，可形成與隔壁的圖案(區塊圖案)對應而圖案化的發光材料的均勻的薄膜。
專利文獻1：日本專利特開2009-146715號公報
專利文獻2：日本專利特開2009-187810號公報
專利文獻3：日本專利特開2010-80439號公報
專利文獻4：國際公開第2011/125570號
然而，在雷射轉印方式中存在以下問題：藉由雷射照射會導致對施體基板的隔壁亦進行加熱，因此水分或溶劑等的氣體或添加劑成分等雜質自隔壁釋放，而導致附著於元件基板。特別是在隔壁由樹脂材料形成時，雜質的溶出明顯。若此種雜質混入至有機EL元件的發光層，則有對元件的性能造成影響之虞，因此欠佳。
關於該問題點，專利文獻1中揭示，在設置有隔壁的區域以外的區域設置光熱轉換層，在隔壁的下部及光熱轉換層的表面，設置用以保護發光材料不受光熱轉換層污染的保護層(參照專利文獻1的圖5)。然而，此時由於需要光熱轉換層的圖案化，因此製造步驟變得繁雜。另外，由於隔壁與發光材料直接接觸，因此亦有來自隔壁的雜質擴散對發光材料造成影響之虞。特別是在隔壁由樹脂材料形成時，認為雜質擴散的影響變大。
另外，專利文獻1中揭示有如下的施體基板：在支持基板及其上所形成的隔壁的整個表面設置光熱轉換層，並且在隔壁的下部設置將雷射光反射的反射層(參照專利文獻1的圖18)。然
而，此時必需反射層的圖案化，而仍然會導致製造步驟變得繁雜。
專利文獻2中揭示，在光熱轉換層上設置隔壁的施體基板。此時，隔壁的下表面藉由光熱轉換層而加熱，而有自隔壁產生逸氣等雜質、或雜質自隔壁擴散至發光材料之虞。另外，亦認為有可能與光熱轉換層接觸的隔壁的部分容易劣化，而導致隔壁與光熱轉換層剝離。此時，導致施體基板的重複使用變得困難。特別是在隔壁由樹脂材料形成時，認為此種問題變得更明顯。
專利文獻3中亦揭示，在光熱轉換層上設置隔壁(區塊圖案)的施體基板，而有產生同樣的問題之虞。
專利文獻4中揭示，藉由阻隔層覆蓋設置於光熱轉換層上的隔壁(區塊圖案)的施體基板。然而，此種情況下，由於形成阻隔層的步驟增加，因此製造步驟亦會變得繁雜。另外，在隔壁由樹脂材料形成時，由於與光熱轉換層接觸的隔壁的部分容易劣化，因此導致施體用基板的重複使用變得困難。
本發明鑒於上述情況而完成，目的是提供一種轉印用施體基板、及使用該轉印用施體基板的元件的製造方法，上述轉印用施體基板用以藉由雷射轉印方式將轉印材料轉印至元件基板，並且可抑制進行轉印材料的轉印的區塊中的雜質的產生以及隔壁的劣化及剝離，且可無需繁雜的步驟而製造。
為了解決上述課題而達成目的，本發明的轉印用施體基
板用以藉由光照射將轉印材料轉印至元件基板，其特徵在於具備：支持基板；隔壁，其設置於上述支持基板上，且形成有將上述支持基板上的區域分離成多個區塊的圖案；光熱轉換層，其覆蓋上述支持基板及上述隔壁的表面；以及轉印層，其在上述多個區塊中配置上述轉印材料而形成，上述隔壁藉由具有遮光性的玻璃而形成。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述隔壁藉由具有光擴散性或反射性的玻璃而形成。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述隔壁的XYZ色度系統的刺激值Y的值為50以上、90以下。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述隔壁的總光線反射率為50%以上。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於該玻璃基材中的氣泡。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於該玻璃基材中且折射率為2以上的填料。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述填料包含氧化鉍(Bi2O3)、二氧化鈰(CeO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化錫(SnO2)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鐵(Fe2O3)、硫化鋅(ZnS)、
硫化鎘(CdS)、硫化鋇(BaS)、鈦酸鍶(SrTiO3)、及鈦酸鉛(PbTiO3)中的至少1種。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於該玻璃基材中的金屬粒子或經金屬塗佈的粒子。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述隔壁藉由具有光吸收性的玻璃而形成。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述隔壁的總光線吸收率為50%以上。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述具有遮光性的玻璃包含玻璃基材、及分散於該玻璃基材中的填料。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述填料包含金屬的氧化物以及含有碳的黑色顏料中的至少1種，上述金屬為釕、錳、鎳、鉻、鐵、鈦、鈷、銀、及銅中的至少1種。
上述轉印用施體基板的特徵在於，上述具有遮光性的玻璃含有5質量%以上的碳。
本發明的元件的製造方法的特徵在於包括：使上述轉印用施體基板與形成有絕緣層的圖案的元件基板對向，使覆蓋上述隔壁的前端區域的光熱轉換層與上述絕緣層抵接的步驟；以及藉由對上述支持基板照射雷射光而將上述轉印材料轉印至上述元件基板的步驟。
根據本發明，由於藉由具有遮光性的玻璃形成隔壁，並且藉由光熱轉換層覆蓋其表面，因此可抑制來自隔壁自身的雜質的產生。另外，在對轉印用施體基板照射光時，入射至隔壁的光藉由該隔壁而遮光，而幾乎不會到達覆蓋隔壁的前端附近的光熱轉換層。因此可抑制隔壁的前端附近的光熱轉換層的溫度上升，並抑制雜質自與光熱轉換層接觸的元件側擴散。另外，根據本發明，由於在支持基板上直接形成使用玻璃的隔壁，因此可提高隔壁的耐久性。而且，根據本發明，由於無需光熱轉換層的圖案化，因此可藉由簡單的步驟製造發揮這些效果的轉印用施體基板。
1~5‧‧‧轉印用施體基板
6‧‧‧元件基板
10‧‧‧支持基板
11、15、21、31、41、51‧‧‧隔壁
11a、21a、31a‧‧‧玻璃基材
11b‧‧‧氣泡
12‧‧‧光熱轉換層
13‧‧‧轉印層
13a~13c‧‧‧轉印材料
14‧‧‧遮光層
21b、31b‧‧‧填料
60‧‧‧TFT基板
61‧‧‧透明電極層
62‧‧‧絕緣層
63‧‧‧發光層
63a~63c‧‧‧發光材料
S1~S3‧‧‧步驟
圖1是表示本發明的實施形態1的轉印用施體基板的結構的剖面圖。
圖2是說明由玻璃形成的隔壁中通常所產生的現象的剖面圖。
圖3是表示圖1所示的轉印用施體基板的製造方法的流程圖。
圖4是用以說明發光材料自圖1所示的轉印用施體基板向元件基板的轉印步驟的剖面圖。
圖5是表示轉印了發光材料的元件基板的剖面圖。
圖6是說明本發明的實施形態1的變形例1的元件的製造方法的剖面圖。
圖7是表示本發明的實施形態2的轉印用施體基板的結構的剖面圖。
圖8是表示本發明的實施形態3的轉印用施體基板的結構的剖面圖。
圖9是用以說明發光材料自圖1所示的轉印用施體基板向元件基板的轉印步驟的剖面圖。
圖10是表示本發明的實施形態4的轉印用施體基板的結構的剖面圖。
圖11是表示本發明的實施形態5的轉印用施體基板的結構的剖面圖。
以下，對於本發明的轉印用施體基板及元件的製造方法的實施形態，一邊參照圖式一邊進行詳細地說明。另外，本發明並不限定於這些實施形態。另外以下的說明中所參照的各圖僅是在可理解本發明的內容的程度上概略性表示形狀、大小及位置關係。即，本發明並非僅限定於各圖中所例示的形狀、大小、及位置關係。另外，本申請案中所謂「遮光性」，是指妨礙光的至少一部分的透過的性質，具體而言，是指具有光散射性或反射性，或具有光吸收性。
圖1是表示實施形態1的轉印用施體基板的結構的剖面
圖。如圖1所示，實施形態1的轉印用施體基板1是用以藉由光照射(雷射照射)將有機EL元件中的成為R、G、B各發光層的有機發光材料(以下簡稱為發光材料或轉印材料)轉印至元件基板者，具備：支持基板10；隔壁11，其設置於該支持基板10上，且將支持基板10上的區域分離成多個區塊；光熱轉換層12，其覆蓋支持基板10及隔壁11的表面；以及藉由隔壁11而區劃的多個區塊內分別配置的至少1種轉印材料13a~轉印材料13c(實施形態1中為3種)。以下，亦將這些轉印材料13a~轉印材料13c總稱為轉印層13。
支持基板10是藉由光的吸收率小(即透明)的材料而形成的平板狀基板。支持基板10的形狀、尺寸、厚度根據作為轉印層13的轉印目標的元件基板而適當確定。
支持基板10的材料若可在其上穩定地形成隔壁11、光熱轉換層12、及轉印層13，且具有特定的耐熱性，則並無特別限定。支持基板10的材料具體可列舉：鈉鈣玻璃、無鹼玻璃、含鉛玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、低膨脹玻璃、石英玻璃等玻璃，或聚酯、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚丙烯(polyacryl)、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺、聚苯并噁唑、聚環氧、聚丙烯(polypropylene)、聚烯烴、芳族聚醯胺樹脂、矽酮樹脂等樹脂材料。其中，就化學穩定性及熱穩定性、尺寸穩定性、機械強度、透明性等的觀點而言，
較佳為使用玻璃板作為支持基板10。另外，如後述般，使用轉印用施體基板1的元件的製造(轉印步驟)大多在真空中實施，因此就氣體自支持基板10釋放少的方面而言，亦特佳為玻璃板。
隔壁11形成與發光層的圖案對應的圖案，該發光層設置於轉印材料13a~轉印材料13c的轉印目標的元件基板上。發光層的圖案並無特別限定，可為矩陣(matrix)狀、蜂窩(honeycomb)狀、條紋(stripe)狀等。藉由在轉印用施體基板1上設置此種隔壁11，而可防止鄰接的區塊中所配置的轉印材料13a~轉印材料13c間的混合，並可根據發光層的圖案將轉印材料13a~轉印材料13c準確地轉印至元件基板。
隔壁11由於在轉印步驟中使蒸發的轉印材料13a~轉印材料13c均勻地堆積於元件基板上，因此較佳為具有隔壁11的基端側(圖1中為下側)的寬度比前端側(圖1中為上側)的寬度更寬的剖面形狀。另外，隔壁11的剖面可為如圖1所示的山形，亦可為隔壁11的上端平坦的楔形(taper)狀。
隔壁11的高度例如根據各區塊中所配置的轉印材料13a~轉印材料13c的量而確定。較佳為轉印材料13a~轉印材料13c可不超過隔壁11的高度。另外，隔壁11的寬度並無特別限定，就對位的容易性等的觀點而言，較佳為比設置於轉印目標的元件基板上的絕緣層(後述)的寬度更寬。典型的是可將隔壁11的寬度設為5 μm~50 μm左右。另外，隔壁11的間距亦無特別限定，
可根據形成於元件基板上的發光層的圖案，而例如設為25 μm~300 μm左右。
隔壁11包含玻璃基材11a、及分散於該玻璃基材11a中的氣泡11b，具有藉由將入射的光擴散、或反射而遮光的特性。具有此種特性的玻璃材料通常呈現白色。作為隔壁11的白色的程度，較佳為XYZ色度系統中的刺激值Y的值為50以上、90以下。本申請案中，較佳為將總光線反射率為50%以上的玻璃稱為具有光擴散性或反射性的玻璃。另外，此處所謂的總光線反射率，是依據JIS-K-7361-1(1997年)，將平行反射光束與擴散反射光束合併的反射光束的比例設為總光線反射率。
此處，光源色的3刺激值X、Y、及Z、以及根據這些求出的色度座標x及y，可藉由JIS Z8722(2009年)(物體色的測定方法)、JIS Z8717(1989年)(螢光物體色的測定方法)、JIS Z8701(1999年)(XYZ色度系統及X10Y10Z10色度系統的色彩的表示方法)所規定的方法而求出。作為測定這些刺激值或色度座標的裝置，通常使用彩色計算機。另外，實施形態1的上述刺激值Y的值是使用須賀試驗機(Suga Test Instruments)(股)製造的彩色計算機-SM-7-CH(光學條件45°照明、0°受光)進行測定而得。
如上所述般，藉由具有遮光性的玻璃形成隔壁11的理由如下所述。本申請案發明者等人為了實現可抑制進行轉印的區
塊中的雜質的產生以及隔壁的劣化及剝離的轉印用施體基板，而反覆進行銳意研究，結果想到：如圖2所示般，在透明的支持基板10上設置包含玻璃的隔壁15，並在其表面形成光熱轉換層12的轉印用施體基板的構成。根據該構成，可藉由簡單的步驟製造可抑制來自隔壁15的雜質的產生或擴散，且隔壁15的劣化亦難以產生的轉印用施體基板。
然而，本申請案發明者等人發現，在圖2所示的構成中，將轉印層13轉印至元件基板6時，透過支持基板10而入射至隔壁15的雷射光到達覆蓋隔壁15的前端附近的光熱轉換層12，而將該區域附近的光熱轉換層12及與該光熱轉換層12抵接的元件基板6側的絕緣層62加熱，而可自絕緣層62產生逸氣等。
因此，本申請案發明者等人進一步反覆進行銳意研究，想到如各實施形態所例示般，可抑制光熱轉換層12的加熱的本申請案發明的構成。即想到：如實施形態1及實施形態2般，藉由提高隔壁11、隔壁21的亦包括光的擴散的反射率，而避免雷射光到達光熱轉換層12，並抑制隔壁11、隔壁21的頂上附近的光熱轉換層12的加熱的構成；或如實施形態3~實施形態5般，藉由將隔壁31、隔壁41、隔壁51(參照圖8、圖10、圖11)的光的吸收率提高至較佳為30%以上、更佳為50%以上，而避免雷射光到達光熱轉換層12，並抑制隔壁31、隔壁41、隔壁51的頂上附近的光熱轉換層12的加熱的構成。
本實施形態1中，為了使入射至隔壁11的光線發生擴散或反射，而使氣泡11b分散於玻璃基材11a中(參照圖1)，藉此對隔壁11賦予遮光性。例如藉由利用如刺激值Y為50以上、90以下的白色玻璃形成隔壁11，而可將隔壁11的總光線反射率提高至較佳為50%以上、更佳為70%、尤佳為80%以上。
玻璃基材11a是玻璃轉移點為450℃~550℃左右、負荷軟化點為500℃~600℃左右的所謂低熔點玻璃。原因是：在玻璃轉移點為450℃以下或負荷軟化點為500℃以下時，有在元件製造時雷射光照射至隔壁11時，將隔壁11加熱而變形之虞。另一方面，在負荷軟化點為600℃以上時，有在後述的隔壁11的形成步驟中玻璃基材11a不熔融而隔壁11的強度降低之虞。
玻璃基材11a的熱膨脹係數較佳為接近支持基板10的熱膨脹係數的值。其原因是：在元件製造時將雷射光照射至支持基板10時，防止因熱膨脹係數的差異而引起隔壁11自支持基板10剝離。
光熱轉換層12在照射光(例如雷射光)時，將其光能轉換為熱能。光熱轉換層12的材料若為高效地吸收光而產生熱、且對所產生的熱穩定的材料，即不會因加熱而引起熔融、軟化、分解、產生氣體等的材料，則並無特別限定。另外，光熱轉換層12可為包含1種材料(金屬或合金)的單層，亦可包含含有彼此不同的材料(金屬或合金)的多層。
作為光熱轉換層12，為了防止溫度急遽上升且防止因向隔壁11的熱擴散所致的局部的溫度降低，較佳為使用熱容(heat capacity)大的材料。藉此，可在轉印步驟中將轉印材料13a~轉印材料13c緩慢地加熱而轉印。另外，熱容是藉由體積與體積比熱的積而獲得，因此較佳為使用體積比熱本身大的材料。具體而言，可使用體積比熱為約2 J/cm3K以上的材料。
另外，光熱轉換層12較佳為使用導熱率大的材料。原因是：藉此可將轉印材料13a~轉印材料13c均勻地加熱，並可減輕局部的溫度降低。具體而言，可使用導熱率為50 W/mK以上的材料。
此處，在光熱轉換層12包含含有彼此不同的材料的多層時，導熱率及體積比熱是指光熱轉換層12整體的值。此時，光熱轉換層12的導熱率及體積比熱，例如可藉由將各層的導熱率及體積比熱的值進行層厚的加權平均而算出。或者，可藉由雷射閃光法或掃描雷射交流電(Alternating Current，AC)加熱法、示差法、3ω法等公知的方法，測定光熱轉換層12整體的導熱率及體積比熱。
此種光熱轉換層12具體而言，由將碳黑、石墨、鈦黑(Black Titanium)、有機顏料、金屬粒子等分散於樹脂中而成的材料等而形成。光熱轉換層12由於存在藉由雷射照射而加熱至300℃左右的情況，因此較佳為可使用具有該程度的耐熱性的無機
材料。而且，就光吸收效率或成膜的容易性的觀點而言，較佳為使用金屬材料。作為光熱轉換層12的材料，具體可列舉：鎢、鉭、鉬、鈦、鉻、金、銀、銅、鉑、鐵、鋅、鋁、鈷、鎳、鎂、釩、鋯、矽、碳等金屬，或包含這些金屬的合金。
上述金屬中，較佳為至少在光熱轉換層12的最表面使用化學性及物理性穩定的金屬。其原因是：若使用具有反應性的金屬，則有在轉印至元件基板的發光層中混入雜質之虞。另外原因是：藉由將光熱轉換層12的最表面的輻射率抑制在低水平，而可降低因輻射熱所引起的元件基板側的損傷。
作為化學性及物理性穩定的金屬，可列舉：藉由自然氧化而形成穩定的薄的鈍態層(passive layer)的五族金屬(即釩、鈮、及鉭)，或表面不氧化的貴金屬(即金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨)等。
五族金屬中，由於鉭及鈮具有50 W/mK以上的導熱率，因此可減輕局部的溫度降低而較佳。特別是鉭的表面的鈍態層極穩定，不會被氫氟酸以外的酸及鹼侵蝕。因此，在藉由雷射照射而光熱轉換層12變為高溫時，表面亦難以氧化，而適於表面的穩定化。另外，鉭由於耐酸及耐鹼亦優異，因此在對使用過的轉印用施體基板1實施包括有機清洗步驟、鹼清洗步驟、及酸清洗步驟的清洗步驟而重複利用時，由於具有充分的耐久性，因此就回收再利用性的觀點而言，亦適於光熱轉換層12。
另外，在光熱轉換層12的最表面使用上述穩定的金屬時，光熱轉換層12的內側或支持基板10側的材料並無特別限定。例如在光熱變換層12的內側或支持基板10側，使用容易吸收雷射、高效地產生熱的金屬材料(例如鉻或鉬)或樹脂材料，而可在光熱轉換層12的最表面形成上述穩定的金屬作為保護層。或者，就成膜容易性或圖案化性、成本等的觀點而言，亦可選擇光熱轉換層12的內側或支持基板10側的材料。
另外，在光熱轉換層12的轉印層13側，根據需要可設置轉印輔助層。作為轉印輔助層的功能的一例，可列舉：防止因經加熱的光熱轉換層12的觸媒效果所致的轉印材料13a~轉印材料13c的劣化的功能。作為發揮此種功能的轉印輔助層的材料，可列舉：鎢、鉭、鉬、矽等金屬，或這些金屬的氧化物或氮化物等惰性的無機材料。
作為轉印輔助層的其他例子，可設置具有容易將轉印材料13a~轉印材料13c附著於光熱轉換層12的表面改質功能的層。此時，可將上述惰性的無機材料的粗表面薄膜或金屬氧化物的多孔質膜等用作轉印輔助層。
作為轉印輔助層的進一步其他例子，為了將轉印材料13a~轉印材料13c均勻地加熱，可設置具有藉由熱導性優異的金屬等形成的尖鋒(spike)狀或多孔質狀結構的層。在此種結構中，由於尖鋒或多孔質的間隙中進入轉印材料13a~轉印材料13c，因
此可增加轉印輔助層與轉印材料13a~轉印材料13c的接觸面積。另外，在由1種材料形成光熱轉換層12時，藉由將其最表面製成尖鋒狀或多孔質狀，而可賦予同樣的功能。
另外，光熱轉換層12較佳為吸收所照射的光的90%以上、更佳為95%以上，因此較佳為以滿足此種條件的方式確定光熱轉換層12的厚度。因此在設置轉印輔助層時，較佳為以不妨礙在光熱轉換層12中所產生的熱向轉印層13高效地傳導的方式，在滿足所要求的功能的範圍內使轉印輔助層變薄。
轉印材料13a~轉印材料13c藉由轉印至元件基板，而形成以R、G、B的各色發光的發光層。轉印材料13a~轉印材料13c可為發揮出作為發光層的功能的最終物質，亦可為前驅物。為後者時，轉印材料13a~轉印材料13c在轉印步驟或轉印步驟之前或之後的步驟中轉換為最終物質。
作為發光層，例如可列舉：蒽衍生物、并四苯(naphthacene)衍生物、芘衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等羥基喹啉錯合物，或苯并噻唑基苯酚鋅錯合物等各種金屬錯合物，雙苯乙烯基蒽衍生物、四苯基丁二烯衍生物、噁二唑衍生物、苯并噁唑衍生物、咔唑衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、吡咯并吡啶衍生物、環戊二烯衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、紅螢烯(rubrene)、喹吖啶酮(quinacridone)衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)衍生物、紫環酮(perinone)衍生物、苝衍
生物、香豆素衍生物、(chrysene)衍生物、吡咯甲川(pyrromethene)衍生物、被稱為磷光材料的銥錯合物系材料等低分子材料，或聚苯乙炔(polyphenylene vinylene)衍生物、聚對苯衍生物、聚噻吩衍生物等高分子材料。特別是作為發光性能優異、適合於本發明的圖案化方法的材料，例如可列舉：蒽衍生物、并四苯衍生物、芘衍生物、衍生物、吡咯甲川衍生物、各種磷光材料等。
另外，轉印材料13a~轉印材料13c根據轉印目標的元件基板的用途等而亦不同，但就發光效率、色純度、耐久性的觀點而言，較佳為主體材料與摻雜材料的混合物。
另外，在實施形態1中，以在鄰接的區塊中不重複的方式配置3種轉印材料13a~轉印材料13c，轉印材料為1種以上即可，轉印材料的種類及配置可根據轉印目標的元件基板進行適當確定即可。
接著，對轉印用施體基板1的各層的厚度的關係進行說明。
首先，關於支持基板10與光熱轉換層12的關係，在轉印步驟中，即便光熱轉換層12變為高溫，亦需要使支持基板10自身的溫度上升及熱膨脹收斂於容許範圍內。因此，較佳為使支持基板10的熱容充分地大於光熱轉換層12的熱容。為此，例如可使支持基板10的厚度為光熱轉換層12的厚度的10倍以上。熱
膨脹的容許範圍依存於各區塊的大小或圖案化的要求精度等，因此無法一概表示，例如在光熱轉換層12自室溫上升300℃時，為了將支持基板10的溫度上升抑制為1/100(即3℃)以下，較佳為使支持基板10的厚度為光熱轉換層12的厚度的100倍以上。另外，為了相對於光熱轉換層12的溫度上升(300℃)而將支持基板10的溫度上升抑制在1/300(即1℃)以下，較佳為使支持基板10的厚度為光熱轉換層12的厚度的300倍以上。藉此，即便在元件基板及轉印用施體基板大型化時，亦可抑制因熱膨脹引起的尺寸位移量而進行高精度的圖案化。
另外，關於光熱轉換層12與轉印層13的厚度的關係，光熱轉換層12在轉印步驟中使轉印層13蒸發時需要對轉印層13提供充分的熱，因此較佳為使光熱轉換層12的熱容大於轉印層13的熱容。為此，可使光熱轉換層12的厚度大於轉印層13的厚度(例如為5倍以上)。
此處，轉印層13的厚度根據連續使用轉印用施體基板1的次數等進行適當確定。例如作為1次轉印，較佳為配置10 nm~100 nm左右的轉印材料13a~轉印材料13c，更佳為配置20 nm~50 nm左右。因此這些情況下，若將光熱轉換層12的厚度設為20 nm~2 μm左右，則較佳，更佳為0.1 μm~1 μm左右。另外，為了避免溫度急遽上升或隔壁11附近的溫度下降，可將光熱轉換層12的厚度設為0.2 μm以上。
接著，對轉印用施體基板1的製造方法進行說明。圖3是表示轉印用施體基板1的製造方法的流程圖。
首先，在步驟S1中，在將板狀玻璃或具有耐熱性的透明樹脂材料成形為特定的形狀的支持基板10上，形成隔壁11。
隔壁11的形成方法並無特別限定，可使用公知的各種方法。本實施形態1中使用如下方法：在支持基板10上在一面上塗佈玻璃膏並乾燥，將由其形成的膏塗佈膜圖案化為區塊圖案狀後，進行煅燒。此處，所謂玻璃膏，是將玻璃粉末等與發揮出作為黏合劑的功能的有機物混合而成的膏。實施形態1中，將具有玻璃基材11a的組成的玻璃粉末與有機物混合。
將玻璃膏塗佈於支持基板10上的方法並無特別限定，可使用旋塗、狹縫塗佈、浸塗等公知的塗佈技術。
另外，將膏塗佈膜圖案化的方法亦無特別限定，可利用各種公知的圖案化技術。例如可進行使用光阻的蝕刻(或剝離)，亦可藉由在膏塗佈膜上使用具有感光性的有機成分直接進行曝光及顯影而圖案化。而且，亦可利用將區塊圖案的模具擠壓於膏塗佈膜的模壓(stamp)法、壓印法(imprint method)、將玻璃膏直接圖案化形成的噴墨法或噴嘴噴射法等各種印刷法。
以下，以一例來說明藉由使用具有感光性的玻璃膏(以下稱為感光性膏)的光微影而進行的圖案化方法。
首先，將上述具有玻璃基材11a的組成的玻璃粉末，及
產生氣泡11b的氫氧化鹽或碳酸鹽或碳酸氫鹽等化合物，例如氫氧化鎂、氫氧化鋇、氫氧化鋁、氫氧化鈣，碳酸銨、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸鈣、碳酸鋇、碳酸鎂、碳酸銅或碳酸鐵等碳酸鹽，碳酸氫銨、碳酸氫鉀、碳酸氫鈣、碳酸氫鈉中列舉的一種以上物質，與感光性有機成分混合並攪拌，藉此製備感光性膏。此時，為了使曝光之光充分地透過至膏塗佈膜深部，並防止膏塗佈膜內的曝光之光的擴散，較佳為調整感光性膏中的各成分的平均折射率。
因此，作為玻璃粉末，可使用玻璃轉移點為400℃~550℃、負荷軟化點為450℃~600℃、且平均折射率為1.5~1.65、更佳為1.5~1.6的低熔點玻璃。其原因是：通常的有機成分的折射率為1.45~1.65左右。作為一例，較佳的玻璃粉末的組成如以下所述。
可列舉含有如下組成者等：氧化鋰3質量%~20質量%
氧化矽1質量%~15質量%
氧化硼10質量%~30質量%
氧化鋅10質量%~30質量%
氧化鋯1質量%~20質量%
氧化鋁1質量%~20質量%。
另外，玻璃粉末的組成並不限定於此。
藉由添加氧化鋰，不僅容易控制玻璃的軟化點、熱膨脹
係數，而且可降低玻璃的平均折射率，因此容易減小與有機物的折射率差。為了提高膏的穩定性，包括氧化鋰之鹼金屬的氧化物的添加量，較佳為18質量%以下，更佳為15質量%以下。
氧化矽藉由設為1質量%以上，而可提高玻璃層的緻密性、強度、及穩定性，並且可使熱膨脹係數與支持基板10接近；藉由設為15質量%以下，而可降低負荷軟化點並且容易形成區塊圖案。
氧化硼藉由設為10質量%以上，而可提高玻璃層的強度及穩定性；藉由設為30質量%以下，而可保持玻璃的穩定性。
氧化鉍藉由設為10質量%以上，而可進行玻璃的低熔點化；藉由設為70質量%以下，而可保持隔壁11的穩定性及緻密性。
氧化鋅藉由設為10質量%以上，而可輔助玻璃的白色化；藉由設為30質量%以下，而可保持隔壁11的穩定性及緻密性。
氧化鋯由於為高折射，因此可藉由玻璃的白色化而遮斷光線擴散。
另外，為了使玻璃基材11a容易熔融並控制熱膨脹係數，而可進一步添加氧化鈣(較佳為2質量%~10質量%)或氧化鎂(較佳為1質量%~10質量%)。在氧化鈣少於2質量%時，應變點變得過低而欠佳。
另外，可使用氧化鉍代替氧化硼。
作為感光性有機成分，較佳為使用藉由吸收曝光之光
(例如紫外線)而產生的聚合及/或交聯反應等而光硬化，從而不溶於溶劑的類型的感光性成分。更詳細而言，較佳為以感光性單體、感光性或非感光性寡聚物或聚合物為主成分、並含有光聚合起始劑者。而且，在感光性有機成分中，根據需要可添加紫外線吸收劑、聚合抑制劑、增感劑、塑化劑、增黏劑、抗氧化劑、分散劑、其他添加劑。
作為感光性單體，較佳為具有活性的碳-碳雙鍵的化合物，可使用具有乙烯基、烯丙基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、丙烯醯胺基等的單官能及多官能化合物。特別是較佳為使用：在有機成分中含有10質量%~80質量%的多官能丙烯酸酯化合物及/或多官能甲基丙烯酸酯化合物者。多官能丙烯酸酯化合物及/或多官能甲基丙烯酸酯化合物已開發出各種種類的化合物，因此可自這些中考慮反應性、折射率等而選擇。
作為控制感光性有機成分的折射率的方法，作為一例，選擇具有折射率1.55~1.70的感光性單體，使感光性有機成分的平均折射率與玻璃粉體的平均折射率接近的方法為簡便的。此種具有高折射率的感光性單體可自含有苯環、萘環等芳香環或硫原子的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體中選擇。
另外，在感光性有機成分中，可添加用以提高藉由光反應而形成的硬化物的物性、或進行膏的黏度的調整等的寡聚物或聚合物。作為此種寡聚物或聚合物，可使用含有碳鏈骨架者，該
碳鏈骨架藉由選自具有碳-碳雙鍵的化合物的成分的聚合或共聚合而得。較佳為使用在分子側鏈具有羧基與不飽和雙鍵的質量平均分子量為2000~60000、更佳為質量平均分子量為3000~40000的寡聚物或聚合物。此種寡聚物或聚合物由於在側鏈具有羧基，因此可製備能在感光後藉由鹼性水溶液將未曝光部分顯影的感光性膏。側鏈具有羧基等酸基的寡聚物或聚合物，較佳為以酸值為50~140、較佳為70~120的範圍的方式進行控制。
為了獲得感光性寡聚物或聚合物，而在導入不飽和雙鍵時，可使側鏈具有羧基的寡聚物或聚合物，與具有縮水甘油基或異氰酸酯基的乙烯性不飽和化合物或丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯或烯丙基氯進行加成反應。另外，如上所述般，在側鏈具有羧基的寡聚物或聚合物中導入不飽和雙鍵而賦予感光性時，可採用在羧基與胺系化合物之間形成鹽鍵的方法。例如可使二烷基胺基丙烯酸酯或二烷基胺基甲基丙烯酸酯反應形成鹽鍵，而使丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基成為感光性基。乙烯性不飽和基數可根據反應條件進行適當選擇。
為了吸收活性光線的能量而開始光反應，較佳為使感光性有機成分中進一步含有光聚合起始劑。根據情況，為了輔助光聚合起始劑的效果，亦可添加增感劑。光聚合起始劑有：1分子系直接裂解型、離子對間電子轉移型、奪氫型、2分子複合系等結構不同的種類，可自這些中進行適當選擇而使用。
感光性膏通常藉由以下方式製作：以無機微粒子(玻璃粉末等)、感光性單體、寡聚物或聚合物、光聚合起始劑作為基本成分，根據需要以成為特定組成的方式調合其他添加劑及溶劑等各種成分後，藉由三輥或混練機進行均質地混合，而使各種成分分散。感光性膏的黏度藉由有機溶劑調整為1萬~20萬cps(厘泊)左右而使用。作為用以調整黏度的有機溶劑，可列舉：甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基乙基酮、二噁烷、丙酮、環己酮、環戊酮、異丁醇、異丙醇、四氫呋喃、二甲基亞碸、γ-丁內酯等，或含有這些中的1種以上的有機溶劑混合物。
如此製備的感光性膏，藉由網版印刷法、棒塗法、輥塗法、刮刀法等公知的方法塗佈於支持基板10上，並使其乾燥。塗佈厚度考慮所期望的隔壁的高度與膏的煅燒收縮率而確定即可。
另外，在將感光性膏塗佈於支持基板10之前，進行塗佈面的表面處理，而可提高與感光性膏的黏接性。此種表面處理例如使用矽烷系偶合劑或金屬烷氧基化合物等。
接著，對形成於支持基材10上的感光性膏(膏塗佈膜)，經由光罩進行曝光。此時，可使用：使膏塗佈膜與光罩密接進行曝光的方法、與將兩者僅隔開固定間隔進行曝光的方法(接近式曝光(proximity exposure))中的任一種方法。作為曝光用光源，使用水銀燈或鹵素燈等，較佳為使用超高壓水銀燈。另外，在將超高壓水銀燈作為光源時，通常進行接近式曝光。曝光條件根據
膏的塗佈膜厚度而不同，典型的是可使用5 mW/cm2~30 mW/cm2的功率的超高壓水銀燈進行20秒~5分鐘曝光。
接著，利用對膏塗佈膜照射曝光之光的曝光部分與未曝光部分的對顯影液的溶解度差來進行顯影。此時，使用浸漬法、噴霧法、毛刷法等公知的方法。實施形態1中可較佳地使用的感光性膏，由於側鏈具有羧基，因此可藉由鹼性水溶液進行顯影。作為鹼，若使用有機鹼性水溶液，則可在煅燒時容易地將鹼成分除去，因此較佳。作為有機鹼，例如可使用胺化合物。具體可列舉：氫氧化四甲基銨、氫氧化三甲基苄基銨、單乙醇胺、二乙醇胺等。鹼性水溶液的濃度通常為0.05質量%~1質量%、更佳為0.1質量%~0.5質量%。另外，若鹼濃度過低，則無法將可溶部分完全除去；若鹼濃度過高，則有將曝光部分的圖案自支持基材10剝離、或發生侵蝕之虞。另外，顯影時的溫度就步驟管理上而言，較佳為在20℃~50℃下進行。
接著，將經圖案化的膏塗佈膜在煅燒爐中進行煅燒。藉此膏塗佈膜所含的有機成分發生熱分解而被除去，並且玻璃粉末熔融而形成無機質的隔壁11。另外，煅燒環境氣體或溫度根據膏塗佈膜或支持基板10的特性而不同，通常在空氣中進行煅燒。作為煅燒爐，可使用批次式煅燒爐或帶式連續型煅燒爐。
在接下來的步驟S2中，在支持基板10及隔壁11的表面形成光熱轉換層12。光熱轉換層12的形成方法並無特別限定，
可根據光熱轉換層12的材料，例如使用：真空蒸鍍、電子束(Electron Beam，EB)蒸鍍、濺鍍、離子電鍍(ion plating)、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)、雷射燒蝕(laser ablation)、旋塗、狹縫塗佈、浸塗等公知的成膜技術。另外，在由材料彼此不同的多層構成光熱轉換層12時、或在光熱轉換層12上進一步設置轉印輔助層時，改變材料反覆進行成膜即可。
另外，在後續步驟中，為使在形成轉印層13時所塗佈的溶液於光熱轉換層12的表面不被排斥，可在光熱轉換層12的表面設置凹凸。例如，在由表面極穩定的鉭形成光熱轉換層12時，可藉由利用氫氟酸、氟化銨等的藥液的濕式蝕刻法，或利用CF4電漿等的乾式蝕刻法等設置凹凸。
另外，在後續步驟中，為使在形成轉印層13時所塗佈的溶液置於隔壁11表面的光熱轉換層12上而不浸入其他區塊，可在覆蓋隔壁11的前端附近的光熱轉換層12上實施撥液處理(表面能量控制)。具體而言，在隔壁11的前端附近的光熱轉換層12的表面，塗佈氟系材料等撥液性材料即可。
在後續的步驟S3中，在藉由隔壁11而隔開的各區塊內配置轉印材料13a~轉印材料13c。
轉印層13的形成方法並無特別限定，可使用：真空蒸鍍或濺鍍等乾式製程，或塗佈包含轉印材料及溶劑的溶液(以下稱為轉印溶液)進行乾燥的濕式製程的任一種。其中，在應對轉
印用施體基板1的大型化時，更佳為使用後者。作為轉印溶液的塗佈法，具體而言，除了噴墨法、噴嘴塗佈法、電場聚合法或電鍍法外，可列舉：套版、柔版、平版、凸版、凹版、網版等各種印刷法。
此處，在塗佈轉印溶液時，通常多數情況是藉由添加界面活性劑或分散劑等，而調整溶液的黏度、表面張力、分散性等而進行油墨化。然而，若這些添加物殘留於轉印層13內，則在將轉印層13轉印至元件基板時導致添加物亦摻入，而擔心對元件的性能造成影響。因此，添加於轉印溶液的添加劑(雜質)少為佳。因此，較佳為以乾燥後的轉印層13中的各轉印材料的純度為95%以上、更佳為98%以上的方式製備轉印溶液。
作為轉印溶液的溶劑，可使用水、醇、烴、芳香族化合物、雜環化合物、酯、醚、酮等公知的材料。在使用例如噴墨法作為塗佈法時，就相對較高的沸點(較佳為100℃以上、更佳為150℃以上)、及有機EL材料的溶解性優異的觀點而言，可使用N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、二甲基咪唑啉酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone，DMI)、γ-丁內酯(γ-BL)、苯甲酸乙酯、四氫化萘(tetrahydronaphthalene，THN)、環己酮等作為較佳的溶劑。
另外，在各區塊內配置轉印材料時，轉印材料與溶劑可不均勻地混合，而在轉印時將兩者均勻地混合即可。另外，轉印
時利用轉印材料與溶劑的蒸發溫度的差異，亦可使轉印目標的元件基板的發光層中的摻雜材料的濃度朝膜厚方向變化。
在轉印材料全部滿足溶解性、轉印耐性、及轉印後的元件性能時，較佳為使轉印材料的原型溶解於溶劑。在轉印材料缺乏溶解性時，可藉由在轉印材料中導入烷基等可溶解於溶劑的可溶性基，而改良可溶性。另外，在元件性能優異的轉印材料的原型中導入可溶性基時，有元件性能降低的情況。此時，例如亦可藉由轉印時所施加的熱使該可溶性基脫離，而使轉印材料的原型堆積於元件基板上。
在轉印材料中導入可溶性基時，為了防止轉印時產生氣體或在元件側混入脫離物，較佳為在將轉印材料塗佈於各區塊內後、且在轉印步驟前藉由熱或光使可溶性基轉換或脫離。例如為具有苯環的材料時，可藉由對具有乙醯基作為可溶性基的材料照射光而轉換為甲基。另外，亦可藉由將作為可溶性基的乙烯基或二酮基等分子內交聯結構導入至轉印材料而使乙烯或一氧化碳自其中脫離的製程，而將轉印材料恢復成原型。
可溶性基的轉換或脫離可為乾燥前的溶液狀態，亦可為乾燥後的固體狀態，若考慮到製程穩定性，則較佳為在乾燥後的固體狀態下實施。另外，由於轉印材料的原型分子多數為非極性，因此為了在固體狀態下使可溶性基脫離時不使脫離物殘留於轉印材料內，較佳為脫離物的分子量小、且為極性(對非極性原型分
子排斥)。而且，為了將轉印材料內所吸附的氧氣或水與脫離物一起除去，較佳為脫離物與這些分子容易反應。就這些觀點而言，特佳為在使一氧化碳脫離的製程中，使可溶性基轉換或脫離。
作為具有苯環的材料，可列舉苯及縮合多環化合物。作為縮合多環化合物，可列舉：萘、蒽、并四苯、芘、苝等縮合多環烴化合物，及縮合多環雜化合物。這些可經取代亦可未經取代。可對這些化合物所具有的1個或2個以上的苯環，進行上述轉換或脫離。
接著，對於使用轉印用施體基板1的元件的製造方法，一邊參照圖4及圖5一邊進行說明。圖4是用以說明發光材料自轉印用施體基板向元件基板的轉印步驟的剖面圖。另外，圖5是表示轉印了發光材料的元件基板的剖面圖。
此處，本實施形態1中，作為轉印目標的元件基板6，使用包含以下構件的底部發光方式的有機EL元件用基板：薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)基板60，設置於該TFT基板60上、由氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)形成的透明電極層61，以及以自透明電極層61突出的方式圖案化的絕緣層62。另外，雖未圖示，但為在TFT基板60上形成有驅動電路者。另外，雖未圖示，但為在透明電極層61上設置電洞注入層及電洞傳輸層者。
首先，在真空腔室內，如圖4所示般，使轉印用施體基
板1的隔壁11形成面與元件基板6的發光層形成面對向，使隔壁11與絕緣層62抵接。另外，隔壁11藉由與絕緣層62對應的圖案進行設置，因此藉由隔壁11及絕緣層62而隔開的各區塊形成密閉的空間。
接著，將真空腔室內減壓，向轉印用施體基板1照射雷射光。藉此透過支持基板10的雷射光到達光熱轉換層12，而將光熱轉換層12加熱。隨之，各區塊內轉印材料13a~轉印材料13c蒸發，而堆積於元件基板6的透明電極層61上。其結果如圖5所示般，在元件基板6上一次性形成發光材料63a~發光材料63c的薄膜圖案(發光層63)。在這些發光層63上，進一步設置電子傳輸層及電極層，藉此完成有機EL元件。
此處，將雷射光照射至轉印用施體基板1時，透過支持基板10而入射至隔壁11的雷射光被分散於隔壁11內的氣泡11b散射或反射，而無法到達隔壁11的前端附近。因此，隔壁11的前端附近的光熱轉換層12、及與光熱轉換層12接觸的絕緣層62的溫度不會上升，而可抑制來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生。
如以上所說明般，根據本發明的實施形態1，可藉由簡單的步驟製造轉印用施體基板，該轉印用施體基板在將發光材料轉印至元件基板上時，可抑制轉印發光材料的各區塊中的雜質的產生或隔壁的劣化及剝離。
詳細而言，在實施形態1中，由於使用玻璃形成隔壁11，
因此與使用樹脂材料的情形相比，可抑制雜質的產生或隔壁11的劣化。另外，在實施形態1中，由於藉由光熱轉換層12覆蓋隔壁11，因此即便暫時自隔壁11產生雜質，進行發光材料的轉印的區塊內雜質亦不會擴散。
另外，在實施形態1中，藉由在玻璃基材31a中分散氣泡11b而對隔壁11賦予遮光性，因此在元件製造時對轉印用施體基板1照射雷射光時，雷射光在隔壁11中發生散射或反射，而無法到達覆蓋隔壁11的前端附近的光熱轉換層12。因此，可抑制與隔壁11的前端附近的光熱轉換層12抵接的絕緣層62的加熱，並可抑制來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生。
另外，在隔壁11以外的支持基板10上的區域中，藉由透過支持基板10的雷射光而將光熱轉換層12加熱，因此將轉印材料13a~轉印材料13c充分地加熱而使其高效地蒸發，而可不會導致雜質混入地均勻地堆積於元件基板6側。因此，藉由使用此種元件基板6，而可製造能抑制發光性能或耐久性等性能劣化的發光元件。
另外，根據實施形態1，不經由光熱轉換層12等而在支持基板10上直接形成隔壁11，因此可防止因加熱所致的隔壁11自支持基板10的剝離或劣化，並可提高轉印用施體基板1的耐久性。
而且，根據實施形態1，由於無需光熱轉換層12的圖案
化，因此可藉由簡單的步驟製造發揮上述效果的轉印用施體基板1。
因此。藉由使用實施形態1的轉印用施體基板1，而可製造在發光層63中雜質的混入少、具有良好的元件特性、且實施了高精度的微細圖案化的大型的有機EL元件。
接著，對實施形態1的變形例1進行說明。圖6是說明變形例1中的元件的製造方法的剖面圖。
實施形態1中所形成的隔壁11亦可用以對元件基板形成非轉印區域。即，如圖6所示般，亦可僅在元件基板6的一部分形成將轉印層13轉印的轉印區域。其在欲增大元件基板6中的非轉印區域時、或並非元件基板6的整面而是部分地進行轉印時等，可藉由僅轉印與光線可到達的光熱轉換層12接觸的轉印層13而實現。
例如，在製造非常高精細的元件基板時，由於轉印用施體基板上應形成的轉印層13的圖案亦為高精細，因此難以藉由隔壁11將轉印層13分離而形成。此種情況下，利用轉印用施體基板的圖案形成精度高，自轉印用施體基板將單一種類的轉印層13轉印至元件基板6的一部分，從而形成轉印區域。此時，在非轉印區域，光線因隔壁11而散射或反射，而未將隔壁11的頂部的光熱轉換層12加熱，因此設置於非轉印區域的轉印層13並未轉
印至元件基板6。藉由變更轉印區域的位置及轉印材料的種類(色彩)，並反覆多次轉印此種單一種類的轉印層13的步驟，而可在元件基板6上形成高精細的轉印層13的圖案。
接著，對本發明的實施形態2進行說明。
圖7是表示實施形態2的轉印用施體基板的結構的剖面圖。如圖7所示般，實施形態2的轉印用施體基板2具備隔壁21代替圖1所示的隔壁11。隔壁21與實施形態1同樣，是形成配置有轉印材料13a~轉印材料13c的多個區塊者，隔壁21的內部構成與實施形態1不同。另外，關於隔壁21以外的轉印用施體基板2的結構及材料以及隔壁21的圖案、高度、及寬度等外形，與實施形態1中所說明者相同。
隔壁21由具有光擴散性或反射性的玻璃形成。更詳細而言，在隔壁21中，XYZ色度系統的刺激值Y的值為50以上、90以下，包含光的擴散成分的總光線反射率，較佳為50%以上、更佳為70%以上、尤佳為80%以上。在本實施形態2中，藉由在玻璃基材21a中分散填料21b，而實現此種具有光擴散性或反射性的玻璃。另外，關於玻璃基材21a的較佳的特性及組成，與實施形態1中的玻璃基材11a相同。
填料21b藉由具有與玻璃基材21a不同的折射率，而將入射至隔壁21的光反射。此處，玻璃的折射率通常為1.45~1.65
左右，因此作為填料21b，較佳為使用具有大於玻璃的折射率的材料、更佳為折射率為2以上的材料。具體而言，可使用：包含氧化鉍(Bi2O3、折射率：2.45)、二氧化鈰(CeO2、折射率：2.1)、二氧化鈦(TiO2、折射率：2.5~2.8)、氧化鋯(ZrO2、折射率：2.1)、氧化錫(SnO2、折射率：1.96~2.1)、氧化鉻(Cr2O3、折射率：2.5)、氧化鐵(Fe2O3、折射率：3.01)等氧化物的粒子，或包含硫化鋅(ZnS、折射率：2.1)、硫化鎘(CdS、折射率：2.5)、硫化鋇(BaS、折射率：2.5)等硫化物的粒子，包含鈦酸鍶(SrTiO3、折射率：2.4)、鈦酸鉛(PbTiO3、折射率：2.7)等鈦酸鹽的粒子，或者金屬粒子或經金屬塗佈的粒子等。這些粒子可僅使用1種，亦可組合使用多種。
填料21b的平均粒徑較佳為0.1 μm~2 μm左右。另外，該數值是藉由作為利用雷射繞射散射法的粒度分布計的Microtrac HRA粒度分布計(MODEL No.9320-X100)而測定的值。作為填料21b，可使用具有單一粒度分布的粒子，亦可混合使用具有多種粒度分布的粒子。為後者時，例如亦可混合平均粒徑為0.5 μm~2 μm的第1填料、與平均粒徑為0.005 μm~0.1 μm的第2填料等。另外，為使用組成不同的多種粒子時，可對每種粒子的組成改變粒度分布，亦可使用相同粒度分布的粒子。
隔壁21的反射率可藉由調節填料21b的組成或比率而進行控制。例如為了使反射率為50%以上，而可將隔壁21(玻璃
基材21a及填料21b)中的填料21b的比率設為5質量%~30質量%左右(即，將玻璃基材設為70質量%~95質量左右)。在填料21b少於5質量%時，有在隔壁21中無法獲得所期望的反射率，而導致雷射光透過隔壁21而到達光熱轉換層12之虞。另一方面，在填料21b多於30質量%時，有在隔壁21中無法獲得充分的強度之虞。
轉印用施體基板2的製造方法整體上與實施形態1中所說明者相同(參照圖3)，僅步驟S1中在支持基板10上形成膏塗佈膜時所用的材料與實施形態1不同。即，在製造轉印用施體基板2時，將於有機物(黏合劑)中混合玻璃基材21a的粉末及填料21b而得的玻璃膏塗佈於支持基板10上。另外，關於膏塗佈膜的圖案化方法及煅燒處理，與實施形態1中所說明者相同。另外，實施形態2中，藉由在玻璃基材21a中分散填料21b，而亦可獲得以下次要的效果：在煅燒圖案塗佈膜的步驟中減小煅燒收縮率，抑制隔壁21的剝離或變形並提高隔壁21的形狀及強度保持性。
另外，與實施形態1同樣，在藉由使用感光性膏的光微影進行圖案化時，作為控制感光性有機成分的折射率的方法，作為一例，選擇具有折射率1.55~1.70的感光性單體、使感光性有機成分的平均折射率與填料21b的平均折射率接近的方法為簡便。此種具有高折射率的感光性單體可自含有苯環、萘環等芳香環或硫原子的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體中選擇。
另外，為實施形態2時，藉由將經圖案化的膏塗佈膜在煅燒爐中煅燒，而膏塗佈膜所含的有機成分發生熱分解而被除去，並且玻璃粉末熔融而形成與填料21b黏合的無機質的隔壁21。
另外，關於使用轉印用施體基板2的元件的製造方法，與實施形態1相同。
如以上所說明般，根據實施形態2，藉由在玻璃基材21a中分散填料21b而對隔壁21賦予遮光性(光散射性或反射性)，因此在元件製造時對轉印用施體基板2照射雷射光時，雷射光在隔壁21中散射或反射，而無法到達覆蓋隔壁21的前端附近的光熱轉換層12。因此，可抑制與隔壁21的前端附近的光熱轉換層12抵接的絕緣層62的加熱，並可抑制來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生。藉此，可提高轉印用施體基板2的耐久性。
另外，在隔壁21以外的支持基板10上的區域，藉由透過支持基板10的雷射光將光熱轉換層12加熱，因此將轉印材料13a~轉印材料13c充分地加熱而使其高效地蒸發，可不會導致雜質混入地均勻地堆積於元件基板6側。因此，藉由使用此種元件基板6，而可製造能抑制發光性能或耐久性等性能劣化的發光元件。
另外，實施形態2中，與上述變形例1同樣，亦可使用隔壁21對元件基板6形成非轉印區域。
接著，對本發明的實施形態3進行說明。
圖8是表示實施形態3的轉印用施體基板的結構的剖面圖。如圖8所示般，實施形態3的轉印用施體基板3具備隔壁31代替圖1所示的隔壁11。隔壁31與實施形態1同樣，是形成配置有轉印材料13a~轉印材料13c的多個區塊者，隔壁31的內部構成與實施形態1不同。另外，關於隔壁31以外的轉印用施體基板3的結構及材料、以及隔壁31的圖案、高度、及寬度等外形，與實施形態1中所說明者相同。
隔壁31由具有光吸收性的玻璃(以下亦稱為光吸收玻璃)形成。光吸收玻璃通常光的吸收率越高，則越接近黑色。在實施形態3中，作為其程度，較佳為XYZ色度系統的刺激值Y的值為15以下、或光線吸收率為50%以上。另外，本申請案中，將JIS-K-7361-1(1997年)所記載的總光線吸收率為30%以上的玻璃設為光吸收玻璃。
本實施形態3中，藉由在玻璃基材31a中分散填料31b而實現此種光吸收玻璃。另外，關於玻璃基材31a的較佳的特性及組成，與實施形態1中的玻璃基材11a相同。
接著，對轉印用施體基板3的製造方法進行說明。轉印用施體基板3的製造方法整體上與實施形態1中所說明者相同(參照圖3)，步驟S1中在支持基板10上形成隔壁31的步驟的詳細內容與實施形態1不同。作為隔壁31的形成方法，以下以一例來說
明藉由使用具有感光性的玻璃膏(以下稱為感光性膏)的光微影而進行的圖案化方法。
首先，藉由將具有玻璃基材31a的組成的玻璃粉末及填料31b、與感光性有機成分混合並攪拌，而製備感光性膏。此時，為了使曝光之光充分地透過膏塗佈膜的深部、並防止膏塗佈膜內的曝光之光的擴散，較佳為調整感光性膏中的各成分的平均折射率。
作為填料31b，可使用：釕、錳、鎳、鉻、鐵、鈦、鈷、銀、及銅中的至少1種金屬的氧化物的粉末，或包含石墨或碳黑等碳的黑色顏料的粉末。這些粉末可單獨使用1種，亦可混合2種以上。另外，可僅混合上述玻璃粉末與填料31b，亦可使用將上述玻璃粉末與填料31b預先熔融混合者。另外，對於將上述玻璃粉末與填料31b預先熔融混合者，可進一步混合填料31b。填料31b相對於50質量%~90質量%左右的玻璃基材31a，而混合10質量%~50質量%左右。
此處，用作填料31b的上述金屬的氧化物在熔融混合於玻璃粉末的狀態下不會出現黑色化，而保留灰白色程度。因此，曝光時的曝光之光的吸收不太高，使曝光之光充分地透過，而可良好地圖案化地形成感光性膏的塗佈膜。
填料31b的平均粒徑較佳為0.05 μm~10 μm左右，更佳為0.1 μm~2 μm左右。另外，填料31b的平均粒徑小於0.05 μm
時，粒子變得過於微細而容易凝聚，從而難以均勻地分散於感光性膏中。藉此，有曝光之光難以到達膏塗佈膜的深部，而圖案的形成性降低之虞。另一方面，若填料31b的平均粒徑超過10 μm，則粒子變得過大，相反地產生圖案形成性降低之虞。填料31b的上述較佳的平均粒徑的範圍亦小於曝光之光的波長(例如320 nm~460 nm的紫外線)。因此，即便填料31b分散存在於膏塗佈膜中，亦可使曝光之光透過至膏塗佈膜的深部，並且不會妨礙曝光處理。
另外，此時考慮到填料11b的曝光之光吸收，藉由自支持基材10的兩面(感光性膏的塗佈面及背面)以對稱性圖案進行曝光，而可彌補因光線吸收所致的曝光不足。
然後，藉由對曝光後的膏塗佈膜進行顯影而進行圖案化，接著進行煅燒，而形成隔壁31。關於顯影及煅燒的步驟，與實施形態1相同。
接著，對使用轉印用施體基板3的元件的製造方法，一邊參照圖9一邊進行說明。圖9是用以說明發光材料自轉印用施體基板3向元件基板6的轉印步驟的剖面圖。自轉印用施體基板3的支持基板10入射的雷射光，被隔壁31內部的填料31b吸收。因此，隔壁31的前端附近的光熱轉換層12、及與光熱轉換層12接觸的絕緣層62的溫度不會上升，不會出現來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生，而可將發光材料轉印至元件基板6。
如以上所說明般，根據實施形態3，藉由在玻璃基材31a中分散填料31b，而對隔壁31賦予遮光性(光吸收性)，因此在元件製造時對轉印用施體基板3照射雷射光時，雷射光在隔壁31中被吸收，而無法到達覆蓋隔壁31的前端附近的光熱轉換層12。因此可抑制與隔壁31的前端附近的光熱轉換層12抵接的絕緣層62的加熱，並可抑制來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生。藉此，可提高轉印用施體基板3的耐久性。
另外，在隔壁31以外的支持基板10上的區域，藉由透過支持基板10的雷射光將光熱轉換層12加熱，因此會將轉印材料13a~轉印材料13c充分地加熱而使其高效地蒸發，不會導致雜質混入，而可均勻地堆積於元件基板6側。因此，藉由使用此種元件基板6，而可製造能抑制發光性能或耐久性等性能劣化的發光元件。
另外，在實施形態3中，與上述的變形例1同樣，亦可使用隔壁31對元件基板6形成非轉印區域。
接著，對本發明的實施形態4進行說明。
圖10是表示實施形態4的轉印用施體基板4的結構的剖面圖。實施形態4的特徵在於：藉由含有特定量的碳的玻璃而形成具有遮光性的隔壁41。
具體而言，藉由含有5質量%以上的碳的玻璃材料形成
隔壁41，而對隔壁41賦予遮光性。藉此，在元件製造時對轉印用施體基板4照射雷射光時，入射至隔壁41的雷射光被碳成分吸收，而無法到達隔壁41的前端附近。因此，可防止覆蓋隔壁41的前端附近的光熱轉換層12、及與其接觸的元件基板6的絕緣層62的加熱，並可抑制逸氣或雜質的產生。
作為實施形態4中的隔壁的組成，例如可列舉以下的組成。
氧化鋰：3質量%~20質量%
氧化矽：1質量%~15質量%
氧化硼：10質量%~30質量%
二氧化鈦：5質量%~20質量%
氧化鉍：15質量%~40質量%
氧化鋁：1質量%~20質量%
碳黑：1質量%~15質量%
作為本實施形態4中的隔壁41的一例，可列舉含有上述成分者，但並不限定於此。
如以上所說明般，根據實施形態4，藉由含有碳的玻璃材料形成隔壁41，因此與實施形態3同樣，照射至轉印用施體基板4的雷射光在隔壁41中被吸收，而無法到達隔壁41的前端附近的光熱轉換層12。因此，可抑制來自絕緣層62的逸氣或雜質的產生。另外，藉此可提高轉印用施體基板4的耐久性。
另一方面，在隔壁41以外的支持基板10上的區域，藉由透過支持基板10的雷射光將光熱轉換層12加熱，因此不會導致雜質混入，而可將轉印材料13a~轉印材料13c均勻地堆積於元件基板6側。因此，藉由使用此種元件基板6，而可製造能抑制發光性能或耐久性等性能劣化的發光元件。
另外，關於實施形態4中的隔壁的形成方法(圖案化方法)，與實施形態1中所說明者相同。
另外，在實施形態4中，與上述的變形例1同樣，亦可使用隔壁41對元件基板6形成非轉印區域。
接著，對本發明的實施形態5進行說明。
圖11是表示實施形態5的轉印用施體基板的結構的剖面圖。如圖11所示般，實施形態5的轉印用施體基板5相對於圖1所示的轉印用施體基板1，是在支持基板10與包含玻璃基材11a的隔壁部之間設置遮光層14來代替在玻璃基材11a中混入填料11b，藉由這些玻璃基材11a及遮光層14構成隔壁51者。另外，關於支持基板10及玻璃基材11a的組成，與實施形態1相同。
遮光層14為鉻、鐵、鎳、銅等金屬，包含這些金屬的合金，或金屬氧化物，或包含碳的薄膜，根據隔壁(玻璃基板11a)的圖案而形成。遮光層14在元件製造時將所照射的雷射光遮光，而防止雷射光入射至包含玻璃基材11a的隔壁部。
此種遮光層14例如藉由以下方式形成：在支持基板10上形成金屬、合金、金屬氧化物、或碳的薄膜，在其上藉由玻璃基材11a形成隔壁51的圖案後，將隔壁51以外的部分蝕刻。
如以上所說明般，根據實施形態5，在元件製造時對照射至轉印用施體基板5的雷射光，可有效地僅將隔壁51的部分遮光。因此，可抑制來自與隔壁51的前端附近的光熱轉換層12接觸的絕緣層62的逸氣或雜質的產生。另外，藉此可提高轉印用施體基板5的耐久性。
另一方面，在隔壁51以外的支持基板10上的區域，藉由透過支持基板10的雷射光將光熱轉換層12加熱，因此不會導致雜質混入，而可將轉印材料13a~轉印材料13c均勻地堆積於元件基板6側。因此藉由使用此種元件基板6，而可製造能抑制發光性能或耐久性等性能劣化的發光元件。
另外，在實施形態5中，與上述的變形例1同樣，亦可藉由隔壁51對元件基板6形成非轉印區域。
如以上所說明般，根據本發明的實施形態1~實施形態5，可藉由簡單的步驟製造轉印用施體基板，該轉印用施體基板在將發光材料轉印至元件基板時，可抑制轉印發光材料的各區塊中的雜質的產生或隔壁的劣化及剝離。
詳細而言，實施形態1~實施形態5中，由於使用玻璃形成隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51，因此與使用
樹脂材料的情形相比，可抑制雜質的產生或隔壁11、隔壁21的劣化。另外在實施形態1~實施形態5中，由於藉由光熱轉換層12覆蓋隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51，因此即便暫時自隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51產生雜質，進行發光材料的轉印的區塊內雜質亦不會擴散，。
另外，在實施形態1及實施形態2中，藉由在玻璃基材11a、玻璃基材21a中分散氣泡11b或填料21b，而對隔壁11、隔壁21賦予遮光性。因此，在元件製造時對轉印用施體基板1、轉印用施體基板2照射雷射光時，雷射光在隔壁11、隔壁21中被散射或反射，而無法到達覆蓋隔壁11、隔壁21的前端附近的光熱轉換層12。因此，可抑制隔壁11、隔壁21的前端附近的光熱轉換層12、及與其抵接的元件基板6的絕緣層62的加熟，並可抑制來自絕緣層62的雜質的產生。
另外，在實施形態3~實施形態5中，藉由在玻璃基材31a中分散填料31b，或利用含有碳的玻璃形成隔壁41，或在支持基板10與玻璃基材11a之間設置遮光層14，而對隔壁31、隔壁41、隔壁51賦予遮光性。因此，在元件製造時對轉印用施體基板3~轉印用施體基板5照射雷射光時，雷射光在隔壁31、隔壁41、隔壁51中被吸收，而無法到達覆蓋隔壁31、隔壁41、隔壁51的前端附近的光熱轉換層12。因此，可抑制隔壁31、隔壁41、隔壁51的前端附近的光熱轉換層12、及與其接觸的元件基板6的絕緣
層62的加熱，並可抑制來自絕緣層62的雜質的產生。
另外，在隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51以外的支持基板10上的區域，藉由透過支持基板10的雷射光將光熱轉換層12加熱，因此可將轉印材料13a~轉印材料13c充分地加熱而使其高效地蒸發，並均勻地堆積於元件基板6側。
另外，根據實施形態1~實施形態5，不經由光熱轉換層12等，而在支持基板10上直接形成隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51，因此可防止因加熱所致的隔壁11、隔壁21、隔壁31、隔壁41、隔壁51自支持基板10剝離或劣化，並可提高轉印用施體基板1~轉印用施體基板5的耐久性。
而且，根據實施形態1~實施形態5，由於無需光熱轉換層12的圖案化，因此可藉由簡單的步驟製造發揮上述效果的轉印用施體基板。
因此，藉由使用實施形態1~實施形態5的轉印用施體基板1~轉印用施體基板5，而可製造在發光層中雜質的混入少、具有良好的元件特性、實施了高精度的微細圖案化的大型的有機EL元件。
以上，對將形成有機EL元件中的發光層的材料圖案化的情形進行了說明，但本實施形態1~實施形態5亦可應用於將構成有機TFT、光電轉換元件、各種感測器等元件的各種功能材料的薄膜進行圖案化的情形。這些情況下，將可藉由加熱而蒸發或
昇華的有機材料或無機材料(包括金屬)作為轉印材料而製作轉印用施體基板即可。
以下，對本發明的具體的實施例及比較例進行說明。另外，本發明並不限定於以下所說明的實施例。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼32質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化鈣8質量%、氧化鎂6質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為495℃、軟化點為528℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平均粒徑為2.3 μm、折射率為1.59。
在將0.08質量份的偶氮系有機染料蘇丹(Sudan)IV溶解於丙酮、添加分散劑且藉由均質器(homogenizer)均質地攪拌而製備的溶液中，添加具有上述組成的玻璃粉末100質量份，並均質地分散、混合。然後，使用旋轉蒸發器(rotatoryevaporator)，以150℃~200℃的溫度進行乾燥，使丙酮蒸發。
另一方面，以成為40%溶液的方式混合溶劑(γ-丁內酯)及感光性聚合物，一邊攪拌一邊加熱至60℃，而將全部聚合物均質地溶解。作為感光性聚合物，使用質量平均分子量43,000、酸值95的感光性聚合物，該感光性聚合物是相對於包含40%的甲基丙烯酸、30%的甲基丙烯酸甲酯及30%的苯乙烯的共聚物的羧基，
而將0.4當量的甲基丙烯酸縮水甘油酯加成反應而得。接著，將溶液冷卻至室溫，添加感光性單體(MGP400)、光聚合起始劑(IC-369)及增感劑(2,4-二乙基噻噸酮)使其溶解。然後，使用400篩孔的過濾器將該溶液過濾，而製作有機媒劑(vehicle)。
藉由三輥將玻璃粉末、作為填料的氧化鈦(石原產業公司製造、商品名TIPAQUE R550、平均粒徑0.24 μm)及有機媒劑混合、分散，而製備感光性膏。感光性膏所含的各成分的量(質量份)如下所述。玻璃粉末63、氧化鈦7、感光性聚合物37.5、感光性單體15、光聚合起始劑4.8、增感劑4.8。
在100 mm見方的玻璃基板上，藉由使用325篩孔的網版的網版印刷，均勻地塗佈上述感光性膏。此時，為了避免塗佈膜上的針孔等的產生而反覆進行多次塗佈、乾燥，並進行膜厚的調整。另外，中途的乾燥是在80℃下進行10分鐘。然後，在80℃下保持1小時而將塗佈膜乾燥。乾燥後的塗佈膜的厚度為160 μm。
接著，使用150 μm間距、線寬20 μm的負型鉻遮罩，自塗佈膜的上表面藉由20 mW/cm2功率的超高壓水銀燈進行接近式曝光。曝光量為1 J/cm2。
接著，藉由簇射(shower)對曝光後的塗佈膜施加300秒的保持為35℃的單乙醇胺的0.2%的水溶液而進行顯影。然後使用簇射噴霧(shower spray)進行水洗，將未進行光硬化的空間部分除去，藉此在玻璃基板上形成條紋狀隔壁圖案。將如此而得的
隔壁圖案在空氣中、490℃下煅燒30分鐘，藉此獲得白色隔壁。
藉由電子顯微鏡觀察所形成的隔壁的剖面形狀，結果高度為20 μm、隔壁中央部的線寬(半寬值)為20 μm、間距為150 μm。另外，該隔壁的XYZ色度系統的刺激值Y(以下簡稱為Y值)為46、色座標值(x,y)分別為(0.45,0.34)、總光線反射率為10%。另外，亦無圖案的剝離或斷線而良好。
在上述隔壁的表面，在整面上以0.4 μm的厚度濺鍍製作鉭的金屬層作為光熱轉換層。接著，在濺鍍製膜層的表面塗佈正型感光性抗蝕劑(東京應化工業股份有限公司製造：PMER-P300RH)，將隔壁上的抗蝕劑膜進行曝光及顯影，藉此而除去。在抗蝕劑的開口部旋塗塗佈全氟矽烷偶合劑的氟撥液處理劑(氟化物科技(Fluoro Technology)公司製造：FG-5010)，以120℃乾燥5分鐘後，將不需要的藥劑水洗，將光阻剝離。在該基板上，噴墨塗佈包含1 wt%的Alq3的二甲苯溶液，藉此在區塊圖案內(開口部)形成包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)的平均厚度為25 nm的轉印材料。藉此獲得轉印用施體基板。
另一方面，元件基板如以下所述方式製作。將堆積140 nm的ITO透明導電膜的無鹼玻璃基板(吉奧馬(Geomatec)股份有限公司製造、濺鍍成膜品)切割為38 mm×46 mm，藉由光微影法將ITO蝕刻為所期望的形狀。接著，以與轉印用施體基板同樣的方式，將經圖案化的聚醯亞胺前驅物膜在300℃下烘烤10分
鐘，而形成聚醯亞胺系絕緣層。該絕緣層的高度為1.8 μm，剖面為正楔形狀，其寬度為30 μm。在絕緣層的圖案內部露出寬度120 μm、長度120 μm的ITO的開環部，分別以150 μm的間距配置。將該基板進行紫外線(ultraviolet，UV)臭氧處理，並設置於真空蒸鍍裝置內，進行排氣直至裝置內的真空度為3×10-4 Pa以下。藉由電阻加熱法，在發光區域整個面上，藉由蒸鍍積層20 nm的銅酞菁(CuPc)、40 nm的作為電洞傳輸材料的下述HTL-1(NPD)，作為電洞傳輸層。
接著，使轉印用施體基板的區塊圖案與元件基板的絕緣層的位置一致而對向，在3×10-4 Pa以下的真空中保持後，取出至大氣中。在減壓狀態下保持藉由絕緣層與區塊圖案劃分的轉印空間。在該狀態下，以將轉印材料的一部分與區塊圖案的一部分同時加熱的方式，自轉印用施體基板的玻璃基板側照射中心波長800 nm的雷射(光源：半導體雷射二極體)。此時，雷射強度為約300 W/mm2、掃描速度為1.25 m/s，以轉印至發光區域整個面的方式，
藉由使雷射交疊(overlap)的方式反覆實施掃描。藉此，將轉印材料的Alq3轉印至作為元件基板的基底層的電洞傳輸層上。
將Alq3的轉印後的元件基板再次設置於真空蒸鍍裝置內，並排氣直至裝置內的真空度為3×10-4 Pa以下。藉由電阻加熱法，以25 nm的厚度在發光區域整個面上蒸鍍具有下述所示的結構E-1的成分作為電子傳輸層。接著，以0.5 nm的厚度蒸鍍氟化鋰作為施體材料(電子注入層)，接著以100 nm的厚度蒸鍍鋁作為第二電極，而製作具有5 mm見方的發光區域的有機EL元件。
測定該有機EL元件的初始亮度，結果為5.0 cd/A，168小時後的亮度保持率(耐久性)為62%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、二氧化鈦11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為498℃、軟化點為532℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、
平均粒徑為2.3 μm、折射率為1.61。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為在空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。另外，在所形成的隔壁中，Y值為75，色座標值(x,y)分別為(0.32,0.33)，總光線反射率為59%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為95%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化鋯11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為499℃、軟化點為530℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平均粒徑為2.2 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。在所形成的隔壁中，Y值為72，色座標值(x,y)分別為(0.32,0.33)，總光線反射率為60%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL
元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.1 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為92%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、二氧化鈰11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為498℃、軟化點為532℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平均粒徑為2.3 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。在所形成的隔壁中，Y值為75，色座標值(x,y)分別為(0.32,0.33)，總光線反射率為53%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為92%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化鉍11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為498℃、軟化點為532℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平
均粒徑為2.3 μm、折射率為1.60。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。在所形成的隔壁中，Y值為75，色座標值(x,y)分別為(0.32,0.33)，總光線反射率為54%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為94%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化錫11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為498℃、軟化點為532℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平均粒徑為2.3 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。在所形成的隔壁中，Y值為75，色座標值(x,y)分別為(0.32,0.33)，總光線反射宰為50%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL
元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為90%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、碳酸鎂11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為502℃、軟化點為538℃、熱膨脹係數為78×10-7/K、平均粒徑為2.1 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。可確認到在玻璃隔壁的內部產生氣泡，而成為白色。另外，在所形成的隔壁中，Y值為80，色座標值(x,y)分別為(0.30,0.31)，總光線反射率為65%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.2 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為96%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽20質量%、氧化硼32質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁15質量%、碳酸鎂11質量%、二氧化鈦9質量%的玻璃材料。該玻璃
材料的特性是玻璃轉移點為502℃、軟化點為538℃、熱膨脹係數為78×10-7/K、平均粒徑為2.1 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光擴散性或反射性的白色隔壁。另外，可確認到在玻璃隔壁的內部產生氣泡，而成為白色。在所形成的隔壁中，Y值為83，色座標值(x,y)分別為(0.31,0.32)，總光線反射率為70%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.2 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為97%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化銅11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為493℃、軟化點為527℃、熱膨脹係數為70×10-7/K、平均粒徑為2.4 μm、折射率為1.61。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔壁。該隔壁的總光線吸收率為59%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形
成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為91%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化鎳11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為498℃、軟化點為529℃、熱膨脹係數為71×10-7/K、平均粒徑為2.2 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔壁。該隔壁的總光線吸收率為52%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.1 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為92%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化鉻11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為510℃、軟化點為547℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平
均粒徑為2.5 μm、折射率為1.62。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔壁。該隔壁的總光線吸收率為65%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為94%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、氧化銀11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為495℃、軟化點為526℃、熱膨脹係數為71×10-7/K、平均粒徑為2.1 μm、折射率為1.60。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔壁。該隔壁的總光線吸收率為54%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.0 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為92%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、碳黑11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為502℃、軟化點為535℃、熱膨脹係數為75×10-7/K、平均粒徑為2.3 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔壁。該隔壁的總光線吸收率為72%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.2 dd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為96%。
作為隔壁的材料，使用組成分析量為氧化鋰7質量%、氧化矽23質量%、氧化硼35質量%、氧化鋇6質量%、氧化鋁18質量%、鈦黑11質量%的玻璃材料。該玻璃材料的特性是玻璃轉移點為501℃、軟化點為537℃、熱膨脹係數為73×10-7/K、平均粒徑為2.1 μm、折射率為1.59。
使用上述玻璃材料，將煅燒溫度設為空氣中560℃，除此以外，以與比較例1相同的方式，形成具有光吸收性的黑色隔
壁。該隔壁的總光線反射率為68%。
對此種附隔壁的基板，使用以與比較例1相同的方式形成轉印材料層的施體基板，以與比較例1相同的方法製作有機EL元件。所得的有機EL元件的初始亮度為6.2 cd/A，經過168小時後的亮度保持率(耐久性)為95%。
根據上述實施例1~實施例7的結果可知，藉由使隔壁的玻璃材料具有光擴散性或反射性，而在轉印了發光層(轉印材料層)的目標元件中，大大地提高亮度或耐久性等元件特性。其原因認為：即便自支持基板(玻璃基板)側對施體基板照射雷射，亦不會將隔壁的頂上部附近的光熱轉換層加熱，而隔壁上的撥液成分、或來自對向的元件基板的絕緣層的逸氣等雜質不會混入元件內，因此提高元件性能。
另外，根據上述實施例8~實施例13的結果可知，藉由對包含玻璃材料的隔壁賦予因光吸收帶來的遮光性，而在轉印發光層(轉印材料層)的目標元件中，大大地提高亮度或耐久性等元件特性。其原因認為：即便自支持基板側對轉印用施體基板照射雷射，亦不會將隔壁的頂上部附近的光熱轉換層加熱，因此與在使用光擴散性或反射性的玻璃材料時同樣地提高元件性能。
另一方面，在比較例中，在轉印了發光層(轉印材料層)的目標元件中，見到了特性的降低。其原因認為：照射至轉印用施體基板的支持基板側的雷射通過隔壁，而到達隔壁的頂上部附
近的光熱轉換層，藉由光熱轉換層的加熱而撥液成分或逸氣等雜質擴散至周圍，結果元件的耐久性等特性降低。
1‧‧‧轉印用施體基板
10‧‧‧支持基板
11‧‧‧隔壁
11a‧‧‧玻璃基材
11b‧‧‧氣泡
12‧‧‧光熱轉換層
13‧‧‧轉印層
13a~13c‧‧‧轉印材料
Claims (14)
- 一種轉印用施體基板，其用以藉由光照射將轉印材料轉印至元件基板，其特徵在於包括：支持基板；隔壁，其設置於上述支持基板上，且形成有將上述支持基板上的區域分離成多個區塊的圖案；光熱轉換層，其覆蓋上述支持基板及上述隔壁的表面；以及轉印層，其在上述多個區塊中配置上述轉印材料而形成，且上述隔壁藉由具有遮光性的玻璃而形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉印用施體基板，其中上述隔壁藉由具有光擴散性或反射性的玻璃而形成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印用施體基板，其中上述隔壁的XYZ色度系統中的刺激值Y的值為50以上、90以下。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印用施體基板，其中上述隔壁的總光線反射率為50%以上。
- 如申請專利範圍第2項所述的轉印用施體基板，其中上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於上述玻璃基材中的氣泡。
- 如申請專利範圍第2項所述的轉印用施體基板，其中上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於上述玻璃基材中且折射率為2以上的填料。
- 如申請專利範圍第6項所述的轉印用施體基板，其中上述填料包含氧化鉍(Bi2O3)、二氧化鈰(CeO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化錫(SnO2)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鐵(Fe2O3)、硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鋇(BaS)、鈦酸鍶(SrTiO3)、及鈦酸鉛(PbTiO3)中的至少1種。
- 如申請專利範圍第2項所述的轉印用施體基板，其中上述具有光擴散性或反射性的玻璃包含玻璃基材、及分散於上述玻璃基材中的金屬粒子或經金屬塗佈的粒子。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉印用施體基板，其中上述隔壁藉由具有光吸收性的玻璃而形成。
- 如申請專利範圍第1項或第9項所述的轉印用施體基板，其中上述隔壁的總光線吸收率為50%以上。
- 如申請專利範圍第1項或第9項所述的轉印用施體基板，其中上述具有遮光性的玻璃包含玻璃基材、及分散於上述玻璃基材中的填料。
- 如申請專利範圍第11項所述的轉印用施體基板，其中上述填料包含：金屬的氧化物以及含有碳的黑色顏料中的至少1種，上述金屬為釕、錳、鎳、鉻、鐵、鈦、鈷、銀、及銅中的至少1種。
- 如申請專利範圍第1項或第9項所述的轉印用施體基板，其中上述具有遮光性的玻璃含有5質量%以上的碳。
- 一種元件的製造方法，其特徵在於包括：使如申請專利範圍第1項所述的轉印用施體基板與形成有絕緣層的圖案的元件基板對向，使覆蓋上述隔壁的前端區域的光熱轉換層與上述絕緣層抵接的步驟；以及藉由對上述支持基板照射光，而將上述轉印材料轉印至上述元件基板的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012040708 | 2012-02-27 | ||
| JP2012040713 | 2012-02-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201347258A true TW201347258A (zh) | 2013-11-16 |
Family
ID=49082622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102107062A TW201347258A (zh) | 2012-02-27 | 2013-02-27 | 轉印用施體基板及元件製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW201347258A (zh) |
| WO (1) | WO2013129425A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI620001B (zh) * | 2013-11-19 | 2018-04-01 | Hoya Corp | Photomask and color filter manufacturing method |
| TWI703749B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-09-01 | 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 | 超微細圖案沉積裝置、超微細圖案沉積方法及發光二極體顯示裝置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110198780A (zh) * | 2016-12-21 | 2019-09-03 | Ncc纳诺责任有限公司 | 在基底上沉积功能材料的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001302280A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | ガラスペースト配合用無機粉末およびそれを用いるガラスペースト |
| JP3861758B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2006-12-20 | 株式会社豊田自動織機 | 照明装置及び表示装置 |
| JP2005025950A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材 |
| JP2007141514A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子の基板の改良 |
| CN102668704A (zh) * | 2009-12-03 | 2012-09-12 | 东丽株式会社 | 供体基板、图案化方法和器件的制造方法 |
-
2013
- 2013-02-26 WO PCT/JP2013/055015 patent/WO2013129425A1/ja active Application Filing
- 2013-02-27 TW TW102107062A patent/TW201347258A/zh unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI620001B (zh) * | 2013-11-19 | 2018-04-01 | Hoya Corp | Photomask and color filter manufacturing method |
| TWI703749B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-09-01 | 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 | 超微細圖案沉積裝置、超微細圖案沉積方法及發光二極體顯示裝置 |
| US10916701B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-02-09 | Lg Display Co., Ltd. | Ultra-fine pattern deposition apparatus, ultra-fine pattern deposition method using the same, and light-emitting display device manufactured by ultra-fine pattern deposition method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013129425A1 (ja) | 2013-09-06 |
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