JP2024077808A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、第１導電酸化物層を形成し、前記第１導電酸化物層の上に、第１圧力で第１金属層を形成し、前記第１金属層の上に、前記第１圧力とは異なる第２圧力で第２金属層を形成し、前記第２金属層の上に、第２導電酸化物層を形成し、前記第２導電酸化物層の上に、所定の形状のレジストを形成し、前記レジストをマスクとして、前記第２導電酸化物層をエッチングし、前記レジストをマスクとして、前記第２金属層及び前記第１金属層をエッチングして前記第２金属層の端部を前記第２導電酸化物層の端部及び前記第１金属層の下面のエッジよりも後退させ、前記レジストをマスクとして、前記第１導電酸化物層をエッチングし、前記レジストを除去する。【選択図】図１２

Description

本発明の実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書 特開平９－１９７４３５号公報

本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
下電極と、前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に位置する上電極と、を備える表示装置の製造方法であって、前記下電極は、第１導電酸化物層を形成し、前記第１導電酸化物層の上に、第１圧力で第１金属層を形成し、前記第１金属層の上に、前記第１圧力とは異なる第２圧力で第２金属層を形成し、前記第２金属層の上に、第２導電酸化物層を形成し、前記第２導電酸化物層の上に、所定の形状のレジストを形成し、前記レジストをマスクとして、前記第２導電酸化物層をエッチングし、前記レジストをマスクとして、前記第２金属層及び前記第１金属層をエッチングして前記第２金属層の端部を前記第２導電酸化物層の端部及び前記第１金属層の下面のエッジよりも後退させ、前記レジストをマスクとして、前記第１導電酸化物層をエッチングし、前記レジストを除去する、工程を経て形成する。

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層の上に配置された上電極と、を備え、前記下電極は、第１透明電極と、前記第１透明電極の上に配置された金属電極と、前記金属電極の上に配置された第２透明電極と、を備え、前記金属電極の上面のエッジは、前記金属電極の下面のエッジよりも後退し、前記第２透明電極の端部は、前記金属電極の上面のエッジよりも後退している。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、下電極ＬＥ１の構成例を示す断面図である。 図５は、図４に示した下電極ＬＥ１を拡大した断面図である。 図６は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図７は、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２の形成方法を説明するための図である。 図８は、金属層を形成する際の圧力と、金属層をエッチングする際のエッチング速度との関係を示す図である。 図９は、金属層を形成する際のパワー密度と、金属層をエッチングする際のエッチング速度との関係を示す図である。 図１０は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図１１は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図１２は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図１３は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図１４は、下電極ＬＥ１の形成方法を説明するための図である。 図１５は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１６は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１７は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１８は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図１９は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図２０は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図２１は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図２２は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図２３は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。 図２４は、表示装置ＤＳＰの製造方法を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

周辺領域ＳＡは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子領域ＴＡを有している。端子領域ＴＡは、複数のパッド（端子）ＰＤを備えている。複数のパッドＰＤは、ＩＣチップの端子やフレキシブルプリント回路基板の端子と接続される。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。

下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。

図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の詳細については、後述する。

リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。リブ５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々の周縁部は、リブ５で覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。上部６２の両端部は、下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。

有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。

有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。

図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。

封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。

リブ５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機絶縁材料で形成されている。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。

有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。

図４は、下電極ＬＥ１の構成例を示す断面図である。なお、図４では、絶縁層１２よりも下層の図示を省略し、また、キャップ層ＣＰ１よりも上層の図示を省略している。

下電極ＬＥ１は、第１透明電極ＴＥ１と、金属電極ＭＥと、第２透明電極ＴＥ２と、を備えている。
第１透明電極ＴＥ１は、絶縁層１２の上に配置されている。
金属電極ＭＥは、第１透明電極ＴＥ１の上に配置されている。金属電極ＭＥは、第１電極Ｍ１及び第２電極Ｍ２の積層体である。第１電極Ｍ１は、第１透明電極ＴＥ１の上に配置されている。第２電極Ｍ２は、第１電極Ｍ１の上に配置されている。
第２透明電極ＴＥ２は、金属電極ＭＥ（あるいは第２電極Ｍ２）の上に配置されている。第２透明電極ＴＥ２は、リブ５の開口ＡＰ１で露出し、有機層ＯＲ１で覆われている。

第１透明電極ＴＥ１及び第２透明電極ＴＥ２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成されている。第１透明電極ＴＥ１及び第２透明電極ＴＥ２は、互いに異なる材料で形成されてもよいし、同一材料で形成されてもよい。
金属電極ＭＥの第１電極Ｍ１及び第２電極Ｍ２は、銀または銀合金で形成されている。第１電極Ｍ１及び第２電極Ｍ２は、互いに異なる材料で形成されてもよいし、同一材料で形成されてもよい。

図５は、図４に示した下電極ＬＥ１を拡大した断面図である。

第１電極Ｍ１は、第１透明電極ＴＥ１に接触する下面Ｍａと、第２電極Ｍ２に接触する上面Ｍｂと、下面ＭａのエッジＥ１と上面ＭｂのエッジＥ２との間の端部ＭＳ１と、を有している。下面Ｍａは、金属電極ＭＥの下面に相当する。エッジＥ２は、エッジＥ１よりも後退している。図示した例では、端部ＭＳ１は傾斜面である。なお、端部ＭＳ１は、平面である場合に限らず、曲面（凹面または凸面）であってもよい。端部ＭＳ１（あるいは、エッジＥ１とエッジＥ２とを繋ぐ仮想線）と下面Ｍａとのなす角度θは鋭角である。

第１透明電極ＴＥ１の端部ＴＳ１は、下面ＭａのエッジＥ１よりも後退している。換言すると、第１電極Ｍ１は、第１透明電極ＴＥ１の端部ＴＳ１から突出したオーバーハング状に形成されている。

第２電極Ｍ２は、第２透明電極ＴＥ２に接触する上面Ｍｃと、端部ＭＳ２と、を有している。上面Ｍｃは、金属電極ＭＥの上面に相当する。上面ＭｃのエッジＥ３は、エッジＥ１よりも後退している。端部ＭＳ２は、エッジＥ２の直上に位置しているが、エッジＥ２より後退していてもよい。

第２透明電極ＴＥ２の端部ＴＳ２は、上面ＭｃのエッジＥ３（あるいは第２電極Ｍ２の端部ＭＳ２）よりも後退している。換言すると、第２電極Ｍ２は、第２透明電極ＴＥ２の端部ＴＳ２から突出している。このため、上面Ｍｃの一部、つまり、上面Ｍｃのうち端部ＭＳ２と端部ＴＳ２との間の領域は、第２透明電極ＴＥ２から露出している。

以下、第１透明電極ＴＥ１の厚さＴ１、第１電極Ｍ１の厚さＴ２、第２電極Ｍ２の厚さＴ３、及び、第２透明電極ＴＥ２の厚さＴ４の大小関係について説明する。

第１透明電極ＴＥ１及び第２透明電極ＴＥ２に着目すると、厚さＴ４は、厚さＴ１より大きい（Ｔ１＜Ｔ４）。なお、厚さＴ４は、厚さＴ１と同等であってもよい。
金属電極ＭＥの第１電極Ｍ１及び第２電極Ｍ２に着目すると、厚さＴ３は、厚さＴ２より小さい（Ｔ２＞Ｔ３）。
また、厚さＴ２は、厚さＴ１より大きい（Ｔ１＜Ｔ２）。

一例では、厚さＴ１は５～１０ｎｍであり、厚さＴ４は５～５０ｎｍである。
また、厚さＴ２は９０ｎｍであり、厚さＴ３は１０ｎｍである。金属電極ＭＥの厚さは、厚さＴ２及び厚さＴ３の総和であり、約１００ｎｍである。

このように、本実施形態では、端部ＭＳ１がなす角度θの傾斜面であり、しかも、端部ＴＳ２がエッジＥ３よりも後退したことにより、下電極ＬＥ１の端部は、図５に点線で示すような緩斜面として形成される。つまり、下電極ＬＥ１は、順テーパー形状の断面を有するように形成されている。

ところで、下電極ＬＥ１において、図５に示したなす角度θが鈍角である場合や直角である場合、下電極ＬＥ１の端部を起点としてリブ５にクラックが生じるおそれがある。特に、リブ５が無機絶縁材料で形成された場合に、クラックが生じやすい。

このようなリブ５のクラックは、絶縁層１２に含まれる水分の発散経路となり得る。すなわち、絶縁層１２は、有機絶縁層であり、無機絶縁層と比較して透水性が高い。このため、下電極ＬＥ１の端部を起点として、リブ５にクラックが生じた場合、絶縁層１２の水分が下電極ＬＥ１の端部を伝わり、クラックを透過するおそれがある。クラックがリブ５を貫通している場合、リブ５の上に位置する有機層ＯＲ１が絶縁層１２から発散された水分によってダメージを受け、有機層ＯＲ１の劣化を招く。場合によっては、上電極ＵＥ１がクラックを通じて下電極ＬＥ１に接触し、不所望な導通不良を起こすおそれがある。

そこで、本実施形態では、下電極ＬＥ１は、順テーパー形状の断面を有するように形成され、下電極ＬＥ１の端部において、なす角度θが鋭角となるように形成されている。このため、下電極ＬＥ１の端部がリブ５で確実に覆われ、リブ５のクラック形成が抑制される。これにより、絶縁層１２に含まれる水分に起因した有機層ＯＲ１の劣化が抑制される。また、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との不所望な導通不良が抑制される。
したがって、信頼性の低下を抑制することができる。

なお、ここでは、図４及び図５を参照して下電極ＬＥ１について説明したが、下電極ＬＥ２、ＬＥ３についても、下電極ＬＥ１と同様に構成されており、表示素子２０２，２０３においても同様の効果が得られる。

次に、下電極ＬＥ１の形成方法について説明する。

まず、図６に示すように、基板１０の上に回路層１１を形成した後に、絶縁層１２を形成する。
その後、絶縁層１２の上に、第１導電酸化物層ＴＬ１を形成する。
その後、第１導電酸化物層ＴＬ１の上に、第１金属層ＭＬ１を形成する。
その後、第１金属層ＭＬ１の上に、第２金属層ＭＬ２を形成する。
その後、第２金属層ＭＬ２の上に、第２導電酸化物層ＴＬ２を形成する。

図５に示した第１透明電極ＴＥ１、第１電極Ｍ１、第２電極Ｍ２、及び、第２透明電極ＴＥ２は、それぞれ図６の第１導電酸化物層ＴＬ１、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、及び、第２導電酸化物層ＴＬ２をパターニングすることで形成される。
第１導電酸化物層ＴＬ１の厚さＴ１、第１金属層ＭＬ１の厚さＴ２、第２金属層ＭＬ２の厚さＴ３、及び、第２導電酸化物層ＴＬ２の厚さＴ４は、それぞれ図５を参照して説明した厚さＴ１乃至Ｔ４に対応する。

第１導電酸化物層ＴＬ１及び第２導電酸化物層ＴＬ２は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成するが、ここでは、いずれもスパッタ法によりＩＴＯで形成している。
第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２は、銀または銀合金で形成するが、ここでは、いずれもスパッタ法により銀で形成している。

ここで、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２の形成方法について、図７を参照しながら説明する。

図７の中央に示すスパッタリング装置１００は、チャンバー１０１と、チャンバー１０１の内部に不活性ガスを導入するガス供給源１０２と、チャンバー１０１の内部のガスを排気する排気機構１０３と、チャンバー１０１の内部に収容されたターゲット１０４と、を備えている。

ガス供給源１０２は、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）などの不活性ガスをチャンバー１０１に導入するように構成されている。チャンバー１０１の内部の圧力は、ガス供給源１０２から供給されるガスの流量と、排気機構１０３による排気量との割合で調整することができる。

まず、図７の左側に示すように、絶縁層１２の上に第１導電酸化物層ＴＬ１を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。

そして、図７の中央に示すように、処理基板ＳＵＢをスパッタリング装置１００のチャンバー１０１の内部に搬入し、処理基板ＳＵＢがターゲット１０４と対向するように設置される。その後、チャンバー１０１の内部に不活性ガスを導入し、チャンバー１０１の内部を第１圧力に設定する。その後、ターゲット１０４と処理基板ＳＵＢとの間に高電圧を印加し、ターゲット１０４から飛散した銀を第１導電酸化物層ＴＬ１の上に付着させ、第１金属層ＭＬ１を形成する。
厚さＴ２の第１金属層ＭＬ１が形成された後に、チャンバー１０１の内部を第２圧力に設定する。第２圧力は、第１圧力とは異なり、第１圧力より大きい。その後、ターゲット１０４と処理基板ＳＵＢとの間に高電圧を印加し、ターゲット１０４から飛散した銀を第１金属層ＭＬ１の上に付着させ、第２金属層ＭＬ２を形成する。

厚さＴ３の第２金属層ＭＬ２が形成された後に、図７の右側に示すように、処理基板ＳＵＢをチャンバー１０１から搬出する。

その後、第２金属層ＭＬ２の上に第２導電酸化物層ＴＬ２を形成することで、図６に示した断面構造が得られる。図６に示したように、厚さＴ３は、厚さＴ２より小さい。厚さＴ４は、厚さＴ１より大きい。厚さＴ２は、厚さＴ１より大きい。厚さＴ３は、厚さＴ４より小さい。

圧力が異なる条件で形成された第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２について、密度を比較すると、高圧力で形成した第２金属層ＭＬ２の密度は、低圧力で形成した第１金属層ＭＬ１の密度より小さい。このため、第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２が同一条件でエッチングされた場合、第２金属層ＭＬ２のエッチング速度は、第１金属層ＭＬ１のエッチング速度よりも速い。第１金属層ＭＬ１及び第２金属層ＭＬ２のエッチング速度に関しては、後に詳述する。

図８は、金属層を形成する際の圧力と、金属層をエッチングする際のエッチング速度との関係を示す図である。

図の横軸はチャンバー１０１の内部の圧力（Ｐａ）であり、図の縦軸はエッチング速度（ｎｍ／ｓｅｃ）である。エッチング速度は、単位時間当たりエッチングによって除去される金属層の厚さに相当する。

図８に示す測定結果は、以下の実験によって得られたものである。
まず、圧力が異なる条件で、基板の上に銀の金属層を形成した複数のサンプルを用意する。金属層を形成する際のパワー密度は、すべてのサンプル形成の際に同一であり、１．０Ｗ／ｃｍ^２である。パワー密度とは、ターゲット１０４の単位面積当たりの放電電力である。
そして、これらの各サンプルについて、金属層をリン酸、硝酸、及び、酢酸を主成分とする混酸でエッチングし、エッチング速度を測定した。

圧力が０．２Ｐａから３．０Ｐａまでの範囲で金属層を形成した各サンプルについて、圧力の増加に伴ってエッチング速度が上昇することが確認された。また、圧力が０．２Ｐａから１．０Ｐａまでの範囲では、エッチング速度の変化量が小さく、圧力が１．０Ｐａを超えると、エッチング速度の変化量が大きくなることも確認された。

図９は、金属層を形成する際のパワー密度と、金属層をエッチングする際のエッチング速度との関係を示す図である。
図の横軸はパワー密度（Ｗ／ｃｍ^２）であり、図の縦軸はエッチング速度（ｎｍ／ｓｅｃ）である。

図９に示す測定結果は、以下の実験によって得られたものである。
まず、パワー密度が異なる条件で、基板の上に銀の金属層を形成した複数のサンプルを用意する。金属層を形成する際のチャンバー１０１の内部の圧力は、すべてのサンプル形成の際に同一であり、０．２Ｐａである。
そして、これらの各サンプルについて、金属層をリン酸、硝酸、及び、酢酸を主成分とする混酸でエッチングし、エッチング速度を測定した。

パワー密度が異なる条件で金属層を形成した各サンプルについて、エッチング速度はほぼ一定であることが確認された。

例えば、特開平９－１９７４３５号公報には、モリブデン－タングステン合金について、放電電力とエッチング速度との関係が開示されている。これによれば、モリブデン－タングステン合金については、放電電力を上げることによりモリブデン－タングステン合金の密度が粗になり、エッチング速度が上昇する、と開示されている。

一方、本実施形態によれば、発明者が検討したところ、銀については、パワー密度を上げてもエッチング速度がほとんど変化しなかったことから、パワー密度が変化しても、銀の密度がほとんど変化しないことが推測される。このように、圧力－エッチング速度の関係、及び、パワー密度－エッチング速度の関係は、すべての金属材料で同様の傾向を示すとは限らない。

再び、下電極ＬＥ１の形成方法の説明に戻る。なお、図１０以降では、絶縁層１２よりも下層の図示を省略している。

図６に示した第１導電酸化物層ＴＬ１、第１金属層ＭＬ１、第２金属層ＭＬ２、及び、第２導電酸化物層ＴＬ２を形成した後、図１０に示すように、第２導電酸化物層ＴＬ２の上に、所定の形状のレジストＲ１を形成する。

その後、図１１に示すように、レジストＲ１をマスクとして、第２導電酸化物層ＴＬ２をエッチングする。このエッチングは、例えばシュウ酸を主成分とするエッチング液を用いたウエットエッチングである。

その後、図１２に示すように、レジストＲ１をマスクとして、第２金属層ＭＬ２をエッチングした後に、連続して第１金属層ＭＬ１をエッチングする。このエッチングは、例えば、リン酸、硝酸、及び、酢酸を主成分とする混酸のエッチング液を用いたウエットエッチングである。

このエッチングでは、第２金属層ＭＬ２は、端部ＭＳ２が第２導電酸化物層ＴＬ２の端部ＴＳ２及び第１金属層ＭＬ１の下面ＭａのエッジＥ１よりも後退するように除去される。これにより、第２電極Ｍ２が形成される。
また、このエッチングでは、第１金属層ＭＬ１は、上面ＭｂのエッジＥ２が下面ＭａのエッジＥ１よりも後退するように除去される。これにより、傾斜面である端部ＭＳ１を有する第１電極Ｍ１が形成される。

その後、図１３に示すように、レジストＲ１をマスクとして、第１導電酸化物層ＴＬ１をエッチングする。なお、このとき、第２導電酸化物層ＴＬ２もエッチングされる。このエッチングは、例えばシュウ酸を主成分とするエッチング液を用いたウエットエッチングである。

このエッチングでは、第２導電酸化物層ＴＬ２は、端部ＴＳ２が第２電極Ｍ２の端部ＭＳ２（あるいは上面ＭｃのエッジＥ３）よりも後退するように除去される。これにより、第２透明電極ＴＥ２が形成される。
また、このエッチングでは、第１導電酸化物層ＴＬ１は、端部ＴＳ１が下面ＭａのエッジＥ１よりも後退するように除去される。これにより、第１透明電極ＴＥ１が形成される。
なお、リブ５にクラックが生じることなく下電極ＬＥ１を被覆するには、端部ＴＳ１のエッジＥ１からの後退の長さ（端部ＴＳ１からエッジＥ１までの距離）は短いほうが好ましく、さらには、端部ＴＳ１及びエッジＥ１が互いに重畳していることが望ましい。それには第１導電酸化物層ＴＬ１の厚さＴ１を薄くすることが有効である。例えば厚さＴ１を１０ｎｍ以下とすることで、後退の長さも１０ｎｍ程度や、ほぼゼロにすることができる。

その後、図１４に示すように、レジストＲ１を除去する。これにより、下電極ＬＥ１が形成される。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。

図１５に示すように、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。これらの下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、上記の下電極ＬＥ１の形成方法を適用して形成される。

その後、表示領域ＤＡの全域に亘って無機絶縁材料を堆積して、下電極ＬＥ１、ＬＥ２を覆う絶縁層ＩＬを形成する。絶縁層ＩＬは、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。

続いて、絶縁層ＩＬの上に、導電層を含む第１層Ｌ１を形成した後に、第１層Ｌ１の上に第２層Ｌ２を形成する。第１層Ｌ１の導電層は、アルミニウムなどの導電材料で形成する。第２層Ｌ２は、導電材料で形成してもよいし、絶縁材料で形成してもよい。その後、第２層Ｌ２の上に所定の形状のレジストＲ２を形成する。

続いて、図１６に示すように、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、第２層Ｌ２をパターニングする。これにより、隔壁を構成する上部６２が形成される。

続いて、図１７に示すように、レジストＲ２をマスクとした異方性エッチング及び等方性エッチングにより、第１層Ｌ１をパターニングする。これにより、隔壁６を構成する下部６１が形成される。その後、レジストＲ２を除去する。

続いて、図１８に示すように、絶縁層ＩＬをパターニングすることにより、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３に重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。
一例では、隔壁６の上部６２をマスクとして利用した異方性ドライエッチングにより、絶縁層ＩＬの一部が除去され、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成される。

なお、他の例として、隔壁６を個別に覆うレジストを形成した後に、異方性ドライエッチングを行い、絶縁層ＩＬのうちレジストから露出した部分が除去され、その後、レジストを除去することで、開口ＡＰ１等を有するリブ５が形成されてもよい。
また、リブ５の開口ＡＰ１等が形成された後に、隔壁６が形成されてもよい。

続いて、表示素子２０１を形成する。

まず、図１９に示すように、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１の側面に接触している。
その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。

続いて、図２０に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状のレジストＲ３を形成する。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重畳している。

続いて、図２１に示すように、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、レジストＲ３から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。

続いて、図２２に示すように、レジストＲ３を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。

続いて、図２３に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。

続いて、図２４に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。

その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１，２０２，２０３の形成順はこの例に限られない。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＴＥ１…第１透明電極 ＴＥ２…第２透明電極
ＭＥ…金属電極 Ｍ１…第１電極 Ｍ２…第２電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層 ＥＭ１，ＥＭ２，ＥＭ３…発光層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＤＡ…表示領域

Claims (20)

1. 下電極と、
   前記下電極の上に位置し、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に位置する上電極と、を備える表示装置の製造方法であって、
   前記下電極は、
   第１導電酸化物層を形成し、
   前記第１導電酸化物層の上に、第１圧力で第１金属層を形成し、
   前記第１金属層の上に、前記第１圧力とは異なる第２圧力で第２金属層を形成し、
   前記第２金属層の上に、第２導電酸化物層を形成し、
   前記第２導電酸化物層の上に、所定の形状のレジストを形成し、
   前記レジストをマスクとして、前記第２導電酸化物層をエッチングし、
   前記レジストをマスクとして、前記第２金属層及び前記第１金属層をエッチングして前記第２金属層の端部を前記第２導電酸化物層の端部及び前記第１金属層の下面のエッジよりも後退させ、
   前記レジストをマスクとして、前記第１導電酸化物層をエッチングし、
   前記レジストを除去する、工程を経て形成する、表示装置の製造方法。
2. 前記第１導電酸化物層及び前記第２導電酸化物層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１金属層及び前記第２金属層は、銀または銀合金で形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第２圧力は、前記第１圧力より大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第２金属層の厚さは、前記第１金属層の厚さより小さい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記第２導電酸化物層の厚さは、前記第１導電酸化物層の厚さより大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記第１金属層の厚さは、前記第１導電酸化物層の厚さより大きい、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第１導電酸化物層をエッチングするに際して、前記第２導電酸化物層の端部を前記第２金属層の端部よりも後退させる、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
9. さらに、前記下電極を形成した後に、前記下電極の周縁部を覆うリブを形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記リブは、無機絶縁材料で形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. さらに、前記リブの上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. さらに、前記下電極の上に、前記有機層を形成し、
    前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する前記上電極を形成する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 基板と、
    前記基板の上方に配置された下電極と、
    前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
    前記有機層の上に配置された上電極と、を備え、
    前記下電極は、
    第１透明電極と、
    前記第１透明電極の上に配置された金属電極と、
    前記金属電極の上に配置された第２透明電極と、を備え、
    前記金属電極の上面のエッジは、前記金属電極の下面のエッジよりも後退し、
    前記第２透明電極の端部は、前記金属電極の上面のエッジよりも後退している、表示装置。
14. 前記第１透明電極及び前記第２透明電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）で形成されている、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記金属電極は、銀または銀合金で形成されている、請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記第１透明電極の端部は、前記金属電極の下面のエッジよりも後退している、請求項１３に記載の表示装置。
17. さらに、前記下電極の周縁部を覆うリブを備える、請求項１３記載の表示装置。
18. 前記リブは、無機絶縁材料で形成されている、請求項１７に記載の表示装置。
19. さらに、前記リブの上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を備える、請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記有機層及び前記上電極は、前記隔壁で囲まれ、
    前記有機層の周縁部は、前記リブの上に配置され、
    前記上電極は、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触している、請求項１９に記載の表示装置。

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