KR101831346B1 - 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광층 등을 형성할 시의 불량 발생률을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 위하여, 화소전극과, 상기 화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막과, 상기 화소전극에 대응하도록 패터닝되어 상기 화소전극 상에 위치한 발광층과, 상기 화소전극 및 상기 화소정의막에 대응하도록 상기 화소전극 및 상기 화소정의막 상에 위치하며 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 발광층 등을 형성할 시의 불량 발생률을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 디스플레이 장치는 디스플레이 영역에 유기발광 소자를 구비하는 디스플레이 장치로서, 유기발광 소자는 상호 대향된 화소전극 및 대향전극과, 화소전극과 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층을 구비한다.
이러한 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 시 중간층의 적어도 일부를 형성하는 방법으로 다양한 방법을 이용할 수 있는데, 예컨대 파인메탈마스크(FMM; fine metal mask)를 이용한 증착법을 이용할 수 있다.
그러나 이러한 종래의 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법에는, 중간층의 적어도 일부를 형성하는 과정에서 불량이 발생할 수 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 발광층 등을 형성할 시의 불량 발생률을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 화소전극과, 상기 화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막과, 상기 화소전극 상에 위치한 발광층과, 상기 화소전극 및 상기 화소정의막 상에 위치하며 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제1중간층의 상기 화소전극에 대응하는 부분은 상기 화소전극과 상기 발광층 사이에 개재될 수 있다. 이때, 상기 화소전극 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 화소전극에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되는, 제2중간층을 더 구비할 수 있다. 나아가, 상기 제2중간층은 상기 제1관통홀에 대응하는 제2관통홀을 가질 수 있다.
상기 제1관통홀의 내측면과 상기 제2관통홀의 내측면은 연속면을 형성할 수 있다.
한편, 상기 화소전극 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제2중간층 상에 위치하는 대향전극을 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 대향전극은 상기 제2관통홀에 대응하는 제3관통홀을 가질 수 있다. 나아가, 상기 제1관통홀의 내측면, 상기 제2관통홀의 내측면 및 상기 제3관통홀의 내측면은 연속면을 형성할 수 있다.
상기 대향전극 상부에 위치한 박막봉지층을 더 구비하며, 상기 박막봉지층의 하면의 적어도 일부는 상기 제1관통홀, 상기 제2관통홀 및 상기 제3관통홀을 통해 상기 화소정의막에 직접 컨택할 수 있다. 이때, 상기 박막봉지층은 무기막을 포함하여 상기 무기막이 상기 화소정의막에 직접 컨택할 수 있다.
한편, 상기 발광층은 상기 제1중간층의 상기 화소전극에 대응하는 부분과 상기 화소전극 사이에 개재될 수 있다.
이 경우, 상기 화소전극 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제1중간층 상에 위치하는 대향전극을 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 대향전극은 상기 제1관통홀에 대응하는 제3관통홀을 가질 수 있다. 나아가, 상기 제1관통홀의 내측면과 상기 제3관통홀의 내측면은 연속면을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 화소전극을 형성하는 단계와, 화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계와, 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하도록 패터닝된 희생층을 형성하는 단계와, 패터닝된 희생층을 스페이서로 이용하여 화소전극에 대응하도록 패터닝된 발광층을 형성하는 단계와, 패터닝된 희생층을 제거하는 단계를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법이 제공된다.
상기 패터닝된 희생층을 형성하는 단계는, 화소전극 및 화소정의막에 대응하도록 희생층을 형성하는 단계와, 희생층 상에 포토리지스트층을 형성하고 포토리지스트층을 이용해 희생층을 패터닝하여 패터닝된 희생층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 패터닝된 희생층을 제거하는 단계는, 패터닝된 희생층을 제거함으로써 패터닝된 희생층 상에 잔존하는 포토리지스트층을 동시에 제거하는 단계일 수 있다.
한편, 상기 패터닝된 희생층을 형성하는 단계와 상기 패터닝된 발광층을 형성하는 단계 사이에, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 발광층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제2관통홀을 갖는 제2중간층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 나아가, 제2중간층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제3관통홀을 갖는 대향전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
대향전극 상부에, 제1관통홀, 제2관통홀 및 제3관통홀을 통해 하면의 적어도 일부가 화소정의막에 직접 컨택하는 박막봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 패터닝된 희생층은, 불소 함량이 20wt% 내지 60wt%인 고불소계 레진 또는 불소계 고분자 물질을 포함할 수 있다.
상기 패터닝된 희생층을 제거하는 단계는, 수소불화에테르(HFEs: hydrofluoroethers)를 이용하는 단계일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광층 등을 형성할 시의 불량 발생률을 줄일 수 있는 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 제조공정들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
먼저 도 1에 도시된 것과 같이 백플레인을 준비한다. 여기서 백플레인이라 함은 적어도 기판(100)과, 기판(100) 상에 형성된 화소전극들(210R, 210G, 210B)과, 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부를 포함한 적어도 일부를 노출시키도록 형성된 화소정의막(180)을 포함하는 것으로 이해할 수 있다. 즉, 화소정의막(180)은 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는다. 이때 화소정의막(180)은 기판(100)을 중심으로 할 시 화소전극들(210R, 210G, 210B)보다 (+z 방향으로) 돌출된 형상을 가질 수 있다.
예컨대, 하부층이라 할 수 있는 평탄화막(170) 상에 화소전극들(210R, 210G, 210B)을 형성하고, 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 하부에 위치한 하부층인 평탄화막(170) 상에 화소정의막(180)을 형성하는데, 평탄화막(170)으로부터 화소정의막(180)의 상면까지의 높이가 평탄화막(170)으로부터 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 상면까지의 높이보다 높도록 화소정의막(180)을 형성한다.
화소전극들(210R, 210G, 210B)은 (반)투명전극 또는 반사전극일 수 있다. (반)투명전극일 경우, 예컨대 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)로 형성될 수 있다. 반사전극일 경우에는Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 포함할 수 있다. 물론 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
화소정의막(180)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극들(210R, 210G, 210B) 각각의 중앙부 또는 화소전극들(210R, 210G, 210B) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(180)은 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부와 화소전극들(210R, 210G, 210B) 상부의 대향전극(미도시) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극들(210R, 210G, 210B)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(180)은 다양한 재료로 형성할 수 있는데, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물은 물론, 아크릴이나 폴리이미드 등과 같은 유기물로 형성할 수도 있다.
물론 백플레인은 필요에 따라 그 외의 다양한 구성요소를 더 포함할 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 박막트랜지스터(TFT)나 커패시터(Cap)가 형성될 수 있다. 그리고 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층과 게이트전극을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극/드레인전극과 게이트전극을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170) 등이나 다른 구성요소들을 구비할 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 것과 같이 화소정의막(180)의 상면의 적어도 일부에 대응하도록 패터닝된 희생층(191a)을 형성한다. 먼저 도 2에 도시된 것과 같이 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180)에 대응하도록 희생층(191)을 형성하고 이 희생층(191) 상에 포토리지스트층(193)을 형성한 후, 도 3에 도시된 것과 같이 포토리지스트층(193)의 일부분을 노광하고 현상하여 패터닝된 희생층(191a)이 존재할 부분에 패터닝된 포토리지스트층(193a)을 형성한다. 그리고 이 패터닝된 포토리지스트층(193a)을 이용해 희생층(191)을 패터닝하여, 도 4에 도시된 것과 같이 패터닝된 희생층(191a)을 형성할 수 있다. 이때 패터닝된 희생층(191a) 상에 패터닝된 포토리지스트층(193a)이 잔존하게 되는데, 이 패터닝된 포토리지스트층(193a)을 현 단계에서 제거할 필요는 없다. 패터닝된 희생층(191a) 형성용 물질에 대해서는 후술한다.
이와 같이 패터닝된 희생층(191a)을 형성한 후, 기판(100)의 대부분의 영역에 대응하도록 제1중간층 형성용 물질을 도포, 도팅 또는 증착한다. 이에 따라 도 5에 도시된 것과 같이, 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180)에 대응하며 패터닝된 희생층(191a)에 대응하는 제1관통홀(221b, 도 9 참조)을 갖는, 제1중간층(221)이 형성된다. 물론 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a) 상에도, 도 5에 도시된 것과 같이 제1중간층용 물질층(221a)이 존재할 수 있다. 이러한 제1관통홀(221b)을 갖는 제1중간층(221)은 단층 혹은 다층구조를 가질 수 있으며, 예컨대 정공주입층 및/또는 정공수송층을 포함할 수 있다.
참고로 도 5에서는 제1중간층용 물질층(221a)의 두께가 패터닝된 희생층(191a)이나 패터닝된 포토리지스트층(193a)에 비교될 수 있을 정도로 도시되어 있지만, 이는 편의상 그와 같이 도시한 것일 뿐이다. 예컨대 실제로는 제1중간층용 물질층(221a)의 두께는 패터닝된 희생층(191a)이나 패터닝된 포토리지스트층(193a)에 비교할 시 무시할 수 있을 정도의 얇은 두께일 수 있다.
이후, 도 6에 도시된 것과 같이 적색부화소(R), 녹색부화소(G) 및 청색부화소(B)별로 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성한다. 물론 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성할 시 사용하는 물질이 상이하기에, 이들 층들은 각각 별도로 형성해야 한다. 이를 위해 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성할 시 파인메탈마스크(FMM; fine metal mask)를 이용할 수 있다. 즉, 적색발광층(223R)을 형성할 시에는 적색부화소(R)의 화소전극(210R)에 대응하는 개구를 가진 파인메탈마스크를 기판(100) 상부에 배치시키고, 증착을 통해 적색부화소(R)의 화소전극(210R)에 대응하는 적색발광층(223R)이 형성되도록 할 수 있다. 녹색발광층(223G)이나 청색발광층(223B)을 형성할 시에도 마찬가지이다.
물론 복수개의 적색부화소(R)들의 화소전극(210R)들에 있어서 일체(一體)로 적색발광층(223R)이 형성될 수도 있으며, 이 경우 적색발광층(223R)은 복수개의 적색부화소(R)들의 화소전극(210R)들에 대응하게 된다. 이 경우에는 복수개의 적색부화소(R)들의 화소전극(210R)들에 대응하는 스트라이프 형상의 개구를 가진 파인메탈마스크를 기판(100) 상부에 배치시키고, 증착을 통해 적색부화소(R)들의 화소전극(210R)들에 대응하는 일체의 적색발광층(223R)이 형성되도록 할 수 있다. 녹색발광층(223G)이나 청색발광층(223B)을 형성할 시에도 마찬가지이다. 이와 같이 발광층의 패터닝 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 이는 후술하는 실시예들이나 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
이와 같이 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 또는 청색발광층(223B)을 형성하는 과정에서, 파인메탈마스크는 패터닝된 희생층(191a)에, 구체적으로는 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a)이나 제1중간층용 물질층(221a)에 컨택할 수 있다. 특히 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 또는 청색발광층(223B)을 형성할 시 파인메탈마스크와 화소전극들(210R, 210G, 210B) 사이의 간격이 사전설정된 일정한 간격이 되도록 하는 것이 바람직한바, 이를 위해서라도 파인메탈마스크가 패터닝된 희생층(191a)에, 구체적으로는 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a)이나 제1중간층용 물질층(221a)에 컨택하도록 할 필요가 있다.
하지만 파인메탈마스크는 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)에는 컨택하지 않기에, 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 또는 청색발광층(223B)을 형성하는 과정에서 화소정의막(180)이나 제1중간층(221) 등이 손상되지 않도록 할 수 있다. 따라서 유기발광 디스플레이 장치의 제조 과정에서 불량이 발생하는 것을 효과적으로 방지하거나 불량 발생률을 획기적으로 줄일 수 있다. 물론 파인메탈마스크가 패터닝된 희생층(191a)에, 구체적으로는 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a)이나 제1중간층용 물질층(221a)에 컨택하기에, 패터닝된 희생층(191a), 패터닝된 포토리지스트층(193a)이나 제1중간층용 물질층(221a)이 손상될 수도 있다. 하지만 후술하는 것과 같이 패터닝된 희생층(191a), 패터닝된 포토리지스트층(193a) 및 제1중간층용 물질층(221a)은 제거되는 것이기에, 유기발광 디스플레이 장치의 품질에는 아무런 영향을 미치지 못하게 된다.
이와 같이 패터닝된 희생층(191a)을 스페이서로 이용하여 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하도록 패터닝된 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 또는 청색발광층(223B)을 형성한 후, 도 7에 도시된 것과 같이 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 또는 청색발광층(223B)을 덮으며 기판(100)의 대부분의 영역에 대응하도록 제2중간층 형성용 물질을 도포, 도팅 또는 증착한다. 이에 따라 도 7에 도시된 것과 같이, 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180)에 대응하며 패터닝된 희생층(191a)에 대응하는 제2관통홀(222b, 도 9 참조)을 갖는, 제2중간층(222)이 형성된다. 물론 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a) 및/또는 제1중간층용 물질층(221a) 상에도, 도 7에 도시된 것과 같이 제2중간층용 물질층(222a)이 존재할 수 있다. 이러한 제2관통홀(222b)을 갖는 제2중간층(222)은 단층 혹은 다층구조를 가질 수 있으며, 예컨대 전자수송층 및/또는 전자주입층을 포함할 수 있다.
참고로 도 7에서는 제2중간층용 물질층(222a)의 두께가 패터닝된 희생층(191a)이나 패터닝된 포토리지스트층(193a)에 비교될 수 있을 정도로 도시되어 있지만, 이는 편의상 그와 같이 도시한 것일 뿐이다. 예컨대 실제로는 제2중간층용 물질층(222a)의 두께는 패터닝된 희생층(191a)이나 패터닝된 포토리지스트층(193a)에 비교할 시 무시할 수 있을 정도의 얇은 두께일 수 있다.
이후, 제2중간층(222)을 덮으며 기판(100)의 대부분의 영역에 대응하도록 대향전극 형성용 물질을 도포, 도팅 또는 증착한다. 이에 따라 도 8에 도시된 것과 같이, 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180)에 대응하며 패터닝된 희생층(191a)에 대응하는 제3관통홀(230b, 도 9 참조)을 갖는, 대향전극(230)이 형성된다. 물론 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a), 제1중간층용 물질층(221a) 및/또는 제2중간층용 물질층(222a) 상에도, 도 8에 도시된 것과 같이 대향전극 형성용 물질층(230a)이 존재할 수 있다.
이러한 제3관통홀(230b)을 갖는 대향전극(230)은 디스플레이 영역 외측의 전극전원공급라인에 접촉하여 전극전원공급라인으로부터 전기적 신호를 전달받는다. 대향전극(230)은 (반)투명전극 또는 반사전극으로 형성될 수 있다. (반)투명전극으로 형성될 경우에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물이 발광층들(223R, 223G, 223B)을 향하도록 증착된 막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명물질로 형성된 보조 전극이나 버스 전극 라인을 포함할 수 있다. 반사전극으로 형성될 경우에는 예컨대 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag 및 Mg 중 하나 이상의 물질을 포함하는 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
이후 패터닝된 희생층(191a)을 제거하여, 도 9에 도시된 것과 같은 유기발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. 희생층(191a)을 제거함에 따라, 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a), 제1중간층용 물질층(221a), 제2중간층용 물질층(222a) 및/또는 대향전극 물질층(230a)도 함께 제거되도록 할 수 있다. 물론 필요에 따라 이후 대향전극(230)을 덮는 박막봉지층(TFE; thin film encapsulation, 240, 도 10 참조)을 형성하거나, 기판(100)에 직간접적으로 연결된 봉지기판을 위치시켜 대향전극(230) 등이 기판(100)과 봉지기판 사이에 개재되도록 하는 등의 과정을 더 거칠 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
이와 같은 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 적색부화소(R), 녹색부화소(G) 및 청색부화소(B)별로 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성할 시 사용하는 파인메탈마스크가 패터닝된 희생층(191a)에, 구체적으로는 패터닝된 희생층(191a) 상의 패터닝된 포토리지스트층(193a)이나 제1중간층용 물질층(221a)에 컨택하도록 하여, 파인메탈마스크와 기판(100) 사이의 간격을 사전설정된 일정한 간격으로 유지한 상태에서 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성할 수 있다. 하지만 이 과정에서 파인메탈마스크는 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)에는 컨택하지 않기에, 이미 형성되어 있는 화소정의막(180)이나 제1중간층(221) 등이 손상되지 않도록 할 수 있다. 따라서 유기발광 디스플레이 장치의 제조 과정에서 불량이 발생하는 것을 효과적으로 방지하거나 불량 발생률을 획기적으로 줄일 수 있다.
화소정의막(180) 상에 스페이서를 형성한 후 이 스페이서를 잔존시키는 것도 고려할 수 있다. 하지만 이 경우 스페이서의 상면이나 그 상면 상에 존재하게 되는 물질층 등이 파인메탈마스크와 접촉하면서 손상될 수 있고, 이는 박막봉지(240, 도 10 참조) 등의 과정에서 봉지 불량을 유발하는 등의 문제점을 야기할 수 있다. 또한 스페이서의 존재로 인해, 추후 박막봉지층(240)을 형성할시 박막봉지층의 하부의 적층체의 높이차가 커져 불량이 없는 박막봉지층을 형성하는 것이 용이하지 않거나 박막봉지층의 두께가 과도하게 두꺼워질 수밖에 없다는 문제점을 야기할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 경우에는 그러한 문제점을 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
한편, 패터닝된 희생층(191a)을 형성하지 않고 이와 동일/유사한 형태의 패터닝된 포토리지스트층만을 형성하는 것을 고려할 수도 있다. 그러나 이 경우 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B) 등을 형성한 후 패터닝된 포토리지스트층을 제거해야 하는바, 포토리지스트층을 제거할 시 사용하는 물질이 이미 형성된 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B) 등을 심각하게 손상시킬 수 있다.
그러나 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법의 경우, 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B)을 형성한 후 패터닝된 포토리지스트층(193a)만을 별도로 제거할 필요가 없이, 패터닝된 희생층(191a)을 제거하면 그 상부의 패터닝된 포토리지스트층(193a) 등도 동시에 제거되기에, 그 과정에서의 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및 청색발광층(223B) 등의 손상을 방지하거나 최소화할 수 있다. 물론 희생층(191)을 형성한 후 도 3에 도시된 것과 같이 그 상면에 패터닝된 포토리지스트층(193a)을 형성할 시에는, 희생층(191)이 그 하부의 구조물들을 모두 감싸고 있기에 그 하부의 구조물들이 손상되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
도 9에 도시된 것과 같은 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대 z축 방향에서 바라보는 xy평면에서의 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)의 형상이 도트 형상일 수도 있다. 이 경우, 제1관통홀(221b)을 갖는 제1중간층(221)은 도 9에 도시된 것과 같이 복수개의 제1관통홀(221b)들을 갖지만, 관통홀(221b)들이 도트 형상이기에 제1중간층(221) 자체는 일체(一體)일 수 있다. 마찬가지로 제2관통홀(222b)을 갖는 제2중간층(222)이나 제3관통홀(230b)을 갖는 대향전극(230)도 그 자체는 일체일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 대향전극(230)을 형성하고 이후 패터닝된 희생층(191a)을 제거한 후, 도 10에 도시된 것과 같이 박막봉지층(240)을 형성할 수 있다. 이에 따라 제조된 유기발광 디스플레이 장치는, 도 10에 도시된 것과 같이 제1중간층(221)이 제1관통홀(221b)을 갖고, 제2중간층(222)이 제2관통홀(222b)을 가지며, 대향전극(230)이 제3관통홀(230b)을 갖는다. 이에 따라 화소정의막(180)의 상면의 적어도 일부가 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)에 의해 덮이지 않고 노출된다. 그 결과 박막봉지층(240)의 하면의 적어도 일부가 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)을 통해 화소정의막(180)과 컨택하게 된다.
이와 같이 박막봉지층(240)이 화소정의막(180)과 컨택하여 접합력이 높아지게 됨에 따라, 박막봉지층(240)이 대향전극(230) 등으로부터 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 예컨대 화소정의막(180)을 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물로 형성하고, 다층구조의 박막봉지층(240)의 최하부층 역시 무기물로 형성함으로써, 박막봉지층(240)이 화소정의막(180)과 컨택하여 접합력이 높아지도록 할 수도 있다. 물론 박막봉지층(240)이 무기막 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 박막봉지층(240)의 하부구조에 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(340b)이 존재함에 따라 박막봉지층(240)의 하면이 박막봉지층(240)의 하부구조물과 접촉하는 면적을 넓힘으로써, 박막봉지층(240)이 대향전극(230) 등으로부터 박리되는 것을 방지하는 효과를 갖도록 할 수도 있다. 상술한 것과 같은 효과를 얻기 위해 화소정의막(180)이 상술한 것과 같이 무기물로 형성될 수 있지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 화소정의막(180)은 유기물로 형성될 수도 있다.
한편, 제조과정에서 패터닝된 희생층(191a)이 제1중간층(221), 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B)과 컨택하게 된다. 따라서 패터닝된 희생층(191a) 자체가 제1중간층(221), 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B)을 손상시키지 않거나 손상시키더라도 그 정도가 최소화되도록 할 필요가 있다. 아울러 도 8에 도시된 것과 같이 대향전극(230)을 형성한 후 패터닝된 희생층(191a)을 제거하는 과정에서, 제1중간층(221), 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B) 등이 손상되는 것을 최소화할 필요가 있다. 따라서 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 사용하는 물질이 제1중간층(221), 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B)에 큰 영향을 주지 않도록 할 필요가 있다.
이를 위해, 희생층(191) 형성 시 사용하는 물질이 불소 함량이 20wt% 내지 60wt%인 고불소계 레진(highly fluorinated resin) 또는 불소계 고분자(fluorinated polymer 또는 fluoropolymer) 물질을 포함하도록 할 수 있다. 이와 같은 물질은 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및/또는 발광층들(223R, 223G, 223B)의 물질과 물리/화학적으로 반응하지 않는 상당량의 불화탄소(fluorinated carbon)를 갖기에, 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및/또는 발광층들(223R, 223G, 223B)을 손상시키지 않거나 손상시키더라도 손상되는 정도가 최소화되도록 할 수 있다.
또한 이러한 물질로 형성된 패터닝된 희생층(191a)의 경우, 패터닝된 희생층(191a)과 실리콘옥사이드 및/또는 실리콘나이트라이드 등을 포함하는 화소정의막(180) 사이의 접합력이 낮은 상태가 된다. 따라서 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 사용하는 물질이 제1중간층(221), 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B)에 큰 영향을 주지 않도록 할 수 있다.
그와 같은 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 사용할 수 있는 물질로는 예컨대 수소불화에테르(HFEs: hydrofluoroethers)를 들 수 있다. 이러한 수소불화 에테르를 포함하기에 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에서 사용할 수 있는 것으로, 미국의 3M사가 Novec 시리즈라는 상표명으로 시판하고 있는 제품을 이용할 수 있다. 예컨대 미국의 3M사가 Novec-7100, Novec-7200, Novec-7500, Novec-71IPA, Novec-72DE 또는 Novec-72DA라는 상표명으로 시판하고 있는 제품 및 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있다. 참고로 Novec-7100, Novec-7200, Novec-7500의 화학식은 다음과 같다.
Figure 112015076776014-pat00001
아울러 Novec-71IPA는 Novec-7100 95.5wt%와 이소프로판올(IPA; isopropanol) 4.5wt%의 조성을 가질 수 있고, Novec-72DE는 Novec-7100 10wt%, Novec-7200 20wt% 및 트랜스-1,2-디클로로에틸렌(trans-1,2-dichloroethylene) 70wt%의 조성을 가질 수 있으며, Novec-72DA는 Novec-7100 10wt%, Novec-7200 20wt%, 트랜스-1,2-디클로로에틸렌(trans-1,2-dichloroethylene) 68wt% 및 이소프로판올(IPA) 2wt%의 조성을 가질 수 있다.
도 4 내지 도 8에서는 패터닝된 희생층(191a)이 모든 부화소들 사이에 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 유기발광 디스플레이 장치의 부화소들에 있어서, 일부 부화소들 사이에만 패터닝된 희생층(191a)이 존재하도록 할 수도 있다. 패터닝된 희생층(191a)은 제2중간층(222), 적색발광층(223R), 녹색발광층(223G) 및/또는 청색발광층(223B)을 형성하는 과정에서 파인메탈마스크와 기판(100) 사이의 간격을 일정하게 하는 스페이서 역할을 하기 때문에, 모든 부화소들 사이에 존재해야만 하는 것은 아니다. 따라서 도 9에서는 모든 부화소들 사이에 패터닝된 희생층(191a)에 대응하는 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및/또는 제3관통홀(230b)이 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이와 달리 일부 부화소들 사이에만 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및/또는 제3관통홀(230b)이 형성될 수도 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
또한, 패터닝된 희생층(191a)의 형상은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대 기판(100)에 수직인 방향(-z 방향)으로 바라볼 시, 패터닝된 희생층(191a)은 원형 형상을 가질 수도 있고 다각형 형상을 가질 수도 있다. 또는, 기판(100)에 수직인 방향(-z 방향)으로 바라볼 시, 패터닝된 희생층(191a)은 복수개의 화소들 사이에서 예컨대 y축 방향으로 연장된 일체(一體)의 길쭉한 형상을 가질 수도 있다. 이 경우 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및/또는 제3관통홀(230b)은 예컨대 y축 방향으로 복수개의 화소들 사이를 따라 연장된 형상을 가질 수도 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
이와 같이 제조된 도 9에 도시된 것과 같은 유기발광 디스플레이 장치 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 화소전극들(210R, 210G, 210B), 상술한 것과 같은 형상의 화소정의막(180), 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하도록 패터닝되어 화소전극들(210R, 210G, 210B) 상에 위치한 발광층들(223R, 223G, 223B), 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)을 구비한다.
제1중간층(221), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)은 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180)에 대응하도록 화소전극들(210R, 210G, 210B) 및 화소정의막(180) 상에 위치할 수 있다. 그리고 제1중간층(221)의 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하는 부분은 화소전극들(210R, 210G, 210B)과 발광층들(223R, 223G, 223B) 사이에 개재되도록 할 수 있으며, 제2중간층(222)의 화소전극들(210R, 210G, 210B)에 대응하는 부분은 발광층들(223R, 223G, 223B) 상에 위치하도록 할 수 있다.
이때, 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)은 각각 화소정의막(180)의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)을 가질 수 있다. 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)은 전술한 것과 같이 패터닝된 희생층(191a)에 의해 형성된다. 이에 따라 제2관통홀(222b)과 제3관통홀(230b)은 제1관통홀(221b)에 대응하는 형상을 갖게 되며, 제1관통홀(221b)의 내측면, 제2관통홀(222b)의 내측면 및 제3관통홀(230b)의 내측면은 그들의 경계에서 불연속적이지 않아, 도 9에 도시된 것과 같이 연속면을 형성할 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
도 9에서는 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b) 각각의 크기가 동일한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)의 크기는 점진적으로 커지거나 점진적으로 작아질 수 있다. 그렇다 하더라도 제1관통홀(221b)의 내측면, 제2관통홀(222b)의 내측면 및 제3관통홀(230b)의 내측면은 그들의 경계에서 불연속적이지 않아, 연속면을 형성할 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
한편, 도 9에서는 모든 부화소들 사이에 패터닝된 희생층(191a)에 대응하는 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및/또는 제3관통홀(230b)이 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이와 달리 일부 부화소들 사이에만 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및/또는 제3관통홀(230b)이 형성될 수도 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 도 10에 도시된 것과 같이 박막봉지층(240)을 더 구비하며, 이 박막봉지층(240)의 하면의 적어도 일부가 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(230b)을 통해 화소정의막(180)과 컨택하도록 할 수 있다. 박막봉지층(240)이 화소정의막(180)과 컨택하여 접합력이 높아지게 됨에 따라, 박막봉지층(240)이 대향전극(230) 등으로부터 박리되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 예컨대 화소정의막(180)을 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물로 형성하고, 다층구조의 박막봉지층(240)의 최하부층 역시 무기물로 형성함으로써, 박막봉지층(240)이 화소정의막(180)과 컨택하여 접합력이 높아지도록 할 수도 있다. 물론 박막봉지층(240)의 하부구조에 제1관통홀(221b), 제2관통홀(222b) 및 제3관통홀(340b)이 존재함에 따라 박막봉지층(240)의 하면이 박막봉지층(240)의 하부구조물과 접촉하는 면적을 넓힘으로써, 박막봉지층(240)이 대향전극(230) 등으로부터 박리되는 것을 방지하는 효과를 갖도록 할 수도 있다.
도 1 내지 도 8을 참조하여 전술한 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에서는, 패터닝된 희생층(191a)을 형성한 후 제1중간층(221), 발광층들(223R, 223G, 223B), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)을 형성하고, 이후 패터닝된 희생층(191a)을 제거하는 것으로 설명하였다. 하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 패터닝된 희생층(191a)을 형성한 후 제1중간층(221)과 발광층들(223R, 223G, 223B)을 형성하고, 이어 패터닝된 희생층(191a)을 제거한 후, 제2중간층(222) 및 대향전극(230)을 형성할 수도 있다. 이에 따라 제조된 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 도 11에 도시된 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 즉 제1중간층(221)에만 제1관통홀(221b)이 형성되고, 제2중간층(222)과 대향전극(230)은 관통홀을 갖지 않을 수 있다. 이 경우에도 발광층들(223R, 223G, 223B)을 형성하는 과정에서 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)이 파인메탈마스크와 접촉함으로써 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있고, 아울러 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 제1중간층(221)과 발광층들(223R, 223G, 223B)이 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 패터닝된 희생층(191a)을 형성한 후 제1중간층(221), 발광층들(223R, 223G, 223B) 및 제2중간층(222)을 형성하고, 이어 패터닝된 희생층(191a)을 제거한 후, 대향전극(230)을 형성할 수도 있다. 이에 따라 제조된 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 도 12에 도시된 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 즉 제1중간층(221)과 제2중간층(222)에만 제1관통홀(221b)과 제2관통홀(222b)이 형성되고, 대향전극(230)은 관통홀을 갖지 않을 수 있다. 이 경우에도 발광층들(223R, 223G, 223B)을 형성하는 과정에서 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)이 파인메탈마스크와 접촉함으로써 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있고, 아울러 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및/또는 발광층들(223R, 223G, 223B)이 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있다. 물론 이와 같은 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치의 경우, 제1관통홀(221b)과 제2관통홀(222b)의 내측면은 연속면을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 제1중간층(221)을 형성한 후 패터닝된 희생층(191a)을 형성할 수도 있다. 이 경우 패터닝된 희생층(191a)은 화소정의막(180)의 상면에 컨택하는 것이 아니라, 제1중간층(221)의 화소정의막(180) 상면의 부분에 컨택하게 된다. 이에 따라 제1중간층(221)은 제1관통홀(221b)을 갖지 않게 된다. 제1중간층(221) 상에 패터닝된 희생층(191a)을 형성하고, 이후 발광층들(223R, 223G, 223B) 및 제2중간층(222)을 형성하며, 이어 패터닝된 희생층(191a)을 제거한 후, 대향전극(230)을 형성할 수도 있다. 이에 따라 제조된 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 도 13에 도시된 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 즉 제1중간층(221)과 대향전극(230)은 제1관통홀(221b)과 제3관통홀(230b)을 갖지 않고, 제2중간층(222)에만 제2관통홀(222b)이 형성될 수 있다. 이 경우에도 발광층들(223R, 223G, 223B)을 형성하는 과정에서 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)이 파인메탈마스크와 접촉함으로써 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있고, 아울러 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및/또는 발광층들(223R, 223G, 223B)이 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치 제조방법에 따르면, 제1중간층(221)을 형성한 후 패터닝된 희생층(191a)을 형성하고, 이후 발광층들(223R, 223G, 223B), 제2중간층(222) 및 대향전극(230)을 형성하며, 이어 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 수도 있다. 이에 따라 제조된 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는 도 14에 도시된 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 즉 제1중간층(221)은 제1관통홀(221b)을 갖지 않고, 제2중간층(222)과 대향전극(230)에만 제2관통홀(222b)과 제3관통홀(230b)이 형성될 수 있다. 이 경우에도 발광층들(223R, 223G, 223B)을 형성하는 과정에서 화소정의막(180)이나 제1중간층(221)이 파인메탈마스크와 접촉함으로써 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있고, 아울러 패터닝된 희생층(191a)을 제거할 시 제1중간층(221), 제2중간층(222) 및/또는 발광층들(223R, 223G, 223B)이 손상되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있다. 이때, 제2관통홀(222b)과 제3관통홀(230b)의 내측면은 연속면을 형성할 수 있다.
아울러 본 실시예에 따른 유기발광 디스플레이 장치는, 도 14에 도시된 것과 같이 제2중간층(222)이 제2관통홀(222b)을 갖고 대향전극(230)이 제3관통홀(230b)을 갖는다. 이에 따라 추후 박막봉지층을 형성하게 되면, 박막봉지층의 하부구조에 제2관통홀(222b)과 제3관통홀(340b)이 존재함에 따라 박막봉지층의 하면이 박막봉지층의 하부구조물과 접촉하는 면적을 넓힘으로써, 박막봉지층이 대향전극(230) 등으로부터 박리되는 것을 방지하는 효과를 갖도록 할 수도 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판 110: 버퍼층
130: 게이트절연막 150: 층간절연막
170: 평탄화막 180: 화소정의막
191: 희생층 191a: 패터닝된 희생층
193: 포토리지스트층 193a: 패터닝된 포토리지스트층
210R, 210G, 210B: 화소전극 221: 제1중간층
222: 제2중간층 223R, 223G, 223B: 발광층
230: 대향전극

Claims (23)

  1. 복수개의 화소전극들;
    상기 복수개의 화소전극들 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막;
    상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 패터닝되어 상기 복수개의 화소전극들 상에 위치한 발광층;
    상기 복수개의 화소전극들과 상기 발광층 사이에 개재되도록 상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제1중간층; 및
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되고, 상기 화소정의막의 상면 중 상기 제1관통홀에 의해 노출된 부분의 전면(全面)에 컨택하는, 제2중간층;
    을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 복수개의 화소전극들;
    상기 복수개의 화소전극들 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막;
    상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 패터닝되어 상기 복수개의 화소전극들 상에 위치한 발광층;
    상기 복수개의 화소전극들과 상기 발광층 사이에 개재되도록 상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제1중간층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되고, 상기 제1관통홀에 대응하는 제2관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제2중간층; 및
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제2중간층 상에 위치하고, 상기 화소정의막의 상면 중 상기 제1관통홀과 상기 제2관통홀에 의해 노출된 부분의 전면(全面)에 컨택하는, 대향전극;
    을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 복수개의 화소전극들;
    상기 복수개의 화소전극들 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막;
    상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 패터닝되어 상기 복수개의 화소전극들 상에 위치한 발광층;
    상기 복수개의 화소전극들과 상기 발광층 사이에 개재되도록 상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제1관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제1중간층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되고, 상기 제1관통홀에 대응하는 제2관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제2중간층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제2중간층 상에 위치하고, 상기 제2관통홀에 대응하는 제3관통홀을 갖되 일체(一體)인, 대향전극; 및
    상기 대향전극 상부에 위치하며, 상기 화소정의막의 상면 중 상기 제1관통홀, 상기 제2관통홀 및 상기 제3관통홀에 의해 노출된 부분의 전면(全面)에 컨택하는, 박막봉지층;
    을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 박막봉지층은 무기막을 포함하여 상기 무기막이 상기 화소정의막에 직접 컨택하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  11. 삭제
  12. 복수개의 화소전극들;
    상기 복수개의 화소전극들 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하는 제1중간층;
    상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 패터닝되어, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 상기 제1중간층 상에 위치한, 발광층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되고, 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제2관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제2중간층; 및
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제2중간층 상에 위치하고, 상기 제1중간층의 상면 중 상기 제2관통홀에 의해 노출된 부분의 전면(全面)에 컨택하는, 대향전극;
    을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  13. 복수개의 화소전극들;
    상기 복수개의 화소전극들 각각의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하는 제1중간층;
    상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 패터닝되어, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하도록 상기 제1중간층 상에 위치한, 발광층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막 상에 위치하며, 상기 복수개의 화소전극들에 대응하는 부분이 상기 발광층 상에 위치하도록 배치되고, 상기 화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하는 제2관통홀을 갖되 일체(一體)인, 제2중간층;
    상기 복수개의 화소전극들 및 상기 화소정의막에 대응하며 상기 제2중간층 상에 위치하고, 상기 제2관통홀에 대응하는 제3관통홀을 갖되 일체(一體)인, 대향전극; 및
    상기 대향전극 상부에 위치하며, 상기 제1중간층의 상면 중 상기 제2관통홀 및 상기 제3관통홀에 의해 노출된 부분의 전면(全面)에 컨택하는, 박막봉지층;
    을 구비하는, 유기발광 디스플레이 장치.
  14. 삭제
  15. 화소전극을 형성하는 단계;
    화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계;
    화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하도록 패터닝된 희생층을 형성하는 단계;
    화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 형성하는 단계;패터닝된 희생층을 스페이서로 이용하여, 화소전극에 대응하도록 제1중간층 상에 패터닝된 발광층을 형성하는 단계;
    패터닝된 희생층을 제거하는 단계; 및
    발광층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 제1관통홀을 통해 하면의 적어도 일부가 화소정의막에 직접 컨택하는 제2중간층을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 화소전극을 형성하는 단계;
    화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계;
    화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하도록 패터닝된 희생층을 형성하는 단계;
    화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 형성하는 단계;
    패터닝된 희생층을 스페이서로 이용하여, 화소전극에 대응하도록 제1중간층 상에 패터닝된 발광층을 형성하는 단계;
    발광층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제2관통홀을 갖는 제2중간층을 형성하는 단계;
    패터닝된 희생층을 제거하는 단계; 및
    제2중간층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 제1관통홀 및 제2관통홀을 통해 하면의 적어도 일부가 화소정의막에 직접 컨택하는 대향전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
  20. 삭제
  21. 화소전극을 형성하는 단계;
    화소전극의 가장자리의 적어도 일부를 덮는 화소정의막을 형성하는 단계;
    화소정의막의 상면의 적어도 일부에 대응하도록 패터닝된 희생층을 형성하는 단계;
    화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제1관통홀을 갖는 제1중간층을 형성하는 단계;
    패터닝된 희생층을 스페이서로 이용하여, 화소전극에 대응하도록 제1중간층 상에 패터닝된 발광층을 형성하는 단계;
    발광층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제2관통홀을 갖는 제2중간층을 형성하는 단계;
    제2중간층을 덮도록, 화소전극 및 화소정의막에 대응하며 패터닝된 희생층에 대응하는 제3관통홀을 갖는 대향전극을 형성하는 단계;
    패터닝된 희생층을 제거하는 단계; 및
    대향전극 상부에, 제1관통홀, 제2관통홀 및 제3관통홀을 통해 하면의 적어도 일부가 화소정의막에 직접 컨택하는 박막봉지층을 형성하는 단계;
    를 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
  22. 제15항, 제19항 및 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    패터닝된 희생층은, 불소 함량이 20wt% 내지 60wt%인 고불소계 레진 또는 불소계 고분자 물질을 포함하는, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
  23. 제15항, 제19항 및 제21항 중 어느 한 항 에 있어서,
    상기 패터닝된 희생층을 제거하는 단계는, 수소불화에테르(HFEs: hydrofluoroethers)를 이용하는 단계인, 유기발광 디스플레이 장치 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10916723B2 (en) 2018-10-29 2021-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including discharging hole

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10461139B2 (en) 2016-11-10 2019-10-29 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
US10811636B2 (en) 2016-11-10 2020-10-20 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
KR102300028B1 (ko) 2017-06-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
TWI613488B (zh) * 2017-06-19 2018-02-01 友達光電股份有限公司 顯示面板與形成微組件支架的方法
TWI678829B (zh) * 2017-09-05 2019-12-01 創王光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR102577043B1 (ko) * 2017-12-11 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102461360B1 (ko) * 2017-12-15 2022-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN108376749B (zh) 2018-02-26 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的封装方法、显示面板及显示装置
CN109065758B (zh) * 2018-08-10 2021-09-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN109301078B (zh) * 2018-10-17 2022-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
WO2020136562A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 3M Innovative Properties Company Removal of electroluminescenct materials from substrates
CN110112182A (zh) * 2019-04-10 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及制备方法
CN111430430A (zh) * 2020-04-14 2020-07-17 昆山国显光电有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN111916578B (zh) * 2020-07-15 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN112002817B (zh) * 2020-08-25 2022-09-09 视涯科技股份有限公司 一种有机发光显示面板
CN116234373B (zh) * 2023-05-10 2023-07-07 惠科股份有限公司 像素结构、显示面板及显示面板制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165215A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4701971B2 (ja) 2005-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器、表示装置の製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS471971Y1 (ko) 1969-05-27 1972-01-24
KR100303360B1 (ko) 1999-06-25 2001-11-01 박종섭 유기 전계발광 표시소자의 제조방법
JP4170138B2 (ja) * 2003-04-28 2008-10-22 三菱電機株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP4534054B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製法
KR101256673B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법
GB2450675A (en) * 2007-04-04 2009-01-07 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix organic displays
KR100838086B1 (ko) * 2007-05-22 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101383474B1 (ko) 2007-09-21 2014-04-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
KR100959108B1 (ko) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101094290B1 (ko) * 2010-01-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103348503A (zh) 2011-03-03 2013-10-09 正交公司 薄膜器件的材料图案化工艺
KR101801913B1 (ko) * 2012-03-23 2017-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR101980233B1 (ko) * 2012-09-04 2019-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9508788B2 (en) 2013-03-13 2016-11-29 Infineon Technologies Ag Capacitors in integrated circuits and methods of fabrication thereof
KR102028680B1 (ko) * 2013-03-20 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101548304B1 (ko) * 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20140140870A (ko) 2013-05-30 2014-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 제조방법
CN104218182B (zh) * 2013-05-31 2016-12-28 群创光电股份有限公司 有机发光装置及其制造方法、以及包含其的影像显示系统
KR20140143631A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150005264A (ko) 2013-07-05 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150011235A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20150019392A (ko) * 2013-08-13 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102067966B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102081317B1 (ko) * 2013-08-30 2020-02-25 엘지디스플레이 주식회사 이중 뱅크 구조를 갖는 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102248641B1 (ko) * 2013-11-22 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR102154070B1 (ko) * 2013-12-20 2020-09-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US9478591B2 (en) * 2013-12-23 2016-10-25 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and repair method thereof
CN104752461B (zh) * 2013-12-25 2018-09-04 昆山国显光电有限公司 一种双面显示装置及其制备方法
JP6371094B2 (ja) 2014-03-31 2018-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US9508778B2 (en) * 2014-04-25 2016-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR102365778B1 (ko) * 2015-02-24 2022-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102444177B1 (ko) * 2015-12-28 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102366571B1 (ko) * 2016-01-05 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102300028B1 (ko) * 2017-06-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4701971B2 (ja) 2005-09-30 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置および電子機器、表示装置の製造方法
JP2007165215A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10916723B2 (en) 2018-10-29 2021-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including discharging hole

Also Published As

Publication number Publication date
TW201721857A (zh) 2017-06-16
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US20170040397A1 (en) 2017-02-09
KR20170018235A (ko) 2017-02-16
US10644088B2 (en) 2020-05-05
EP3128557A1 (en) 2017-02-08
EP3128557B1 (en) 2022-04-13
US10079274B2 (en) 2018-09-18

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