CN112002817B - 一种有机发光显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示面板，包括：多个发光像素组成的像素阵列；发光像素包括衬底以及在衬底上依次叠层设置的凸起结构、第一电极层、像素限定层、第一电荷传输层，发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层；像素限定层包括一个开口并在开口处露出部分第一电极；凸起结构在衬底的垂直投影位于开口在衬底的垂直投影内；凸起结构的侧壁被第一电极层覆盖后与开口的侧壁形成沟槽，第一电荷传输层在沟槽处的像素限定层上不连续，从而降低了相邻子像素之间的横向漏电流，提高了有机发光显示面板的显示性能。

Description

一种有机发光显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板领域，尤其涉及一种有机发光显示面板。
背景技术
近年来，有机发光显示面板在移动显示终端屏幕和显示屏上逐渐占据主流。有机发光显示面板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括像素驱动电路以及与该像素驱动电路电连接的发光元件。
现有技术中每个发光元件均包括叠层设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。为了提高子像素密度，或者制备较小尺寸的显示面板，不同颜色的发光元件的空穴传输层、发光层以及电子传输层均为整层膜层，各个发光元件的空穴辅助传输层、发光层以及电子辅助传输层没有中断，不同像素单元之间通过像素限定层隔离。
由于不同颜色的发光元件的空穴传输层、发光层以及电子传输层的薄膜横跨整个像素阵列且无中断，当不同颜色的发光元件的阳极的电位不相同时，不同颜色的发光元件之间的空穴传输层会产生横向的漏电流，进而使得一个像素的阳极电压跨越像素限定层扩散到相邻像素的阳极上，产生的横向漏电流会降低各个子像素之间的信号电压的差异，从而导致有机发光显示面板显示的图像的模糊和混色。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示面板，以降低相邻子像素之间的横向漏电流，提高有机发光显示面板的显示效果。
本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，包括：多个发光像素组成的像素阵列；
所述发光像素包括衬底以及在衬底上依次叠层设置的凸起结构、第一电极层、像素限定层、第一电荷传输层，发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层；
所述像素限定层包括一个开口并在所述开口处露出部分所述第一电极；所述凸起结构在所述衬底的垂直投影位于所述开口在所述衬底的垂直投影内；所述凸起结构的侧壁被所述第一电极层覆盖后与所述开口的侧壁形成沟槽，所述第一电荷传输层在所述沟槽处的像素限定层上不连续。
本发明实施例提供的有机发光显示面板，通过在衬底上依次叠层设置凸起结构第一电极层、像素限定层、第一电荷传输层、发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层，且凸起结构设置在像素像定层的开口区，通过凸起结构的遮挡作用，使得从坩埚或蒸发源蒸发出来的分子一部分被凸起结构遮挡，进而使得形成的第一电荷传输层在沟槽处的像素限定层上不连续，从而阻断相邻发光像素之间的横向漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的现有技术中有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种现有技术中有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；
图4是图3提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图；
图5是图3提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图的部分结构；
图6是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；
图8是图7提供的有机发光显示面板沿BB'的剖面结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种凸起结构中豁口的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种凸起结构中豁口的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图12是图11提供的有机发光显示面板沿CC'的剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
图14是图13提供的有机发光显示面板沿DD'的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
现有技术中有机发光显示面板包括多个发光像素组成的像素阵列，发光像素包括在衬底上依次叠层设置的第一电极层、第一电荷传输层、发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层，且相邻两发光像素之间设置有像素限定层，像素限定层包括一个开口并在开口处露出第一电极。由于不同颜色的发光像素的第一电荷传输层、发光功能层和第二电荷传输层的薄膜横跨整个像素阵列且无中断，当相邻两发光像素的第一电极的电位不相同时，相邻两发光像素之间的第一电荷传输层会产生横向的漏电流，从一个发光像素的第一电极跨越像素限定层扩散到相邻的发光像素的第一电极上，且第一电荷传输层产生的漏电流会降低各发光像素之间的信号电压的差异，从而导致有机发光显示面板显示图像的模糊和混色的现象。为了避免相邻两发光像素的因第一电极电位不同而造成第一电荷传输层产生漏电流对显示面板显示效果的影响，现有技术中一般通过在相邻两发光像素之间的像素限定层侧壁设置凹陷结构或增大像素限定层侧壁的倾斜角和高度，使得第一电荷传输层在像素限定层的侧壁上断裂或者变薄，从而降低第一电荷传输层的横向漏电流。然而由于相邻两像素限定层之间设置的像素限定层的距离很窄，因此在像素限定层的侧壁设置凹陷结构或增大侧壁的倾斜角的工艺复杂，且重复性和再现性较低。
图1是一个典型的OLED的像素结构的剖面结构示意图，如图1所示，显示面板包括驱动子像素的薄膜晶体管100’，相邻两子像素之间的像素限定层40'，以及阳极电极10'、发光层20'和阴极电极30'，其中薄膜晶体光的源极连接到OLED发光薄膜的阳极电极10'上，负责给子像素内的OLED发光薄膜提供对应的彩色信号电压。假设当前子像素需要的信号电压是1V，其相邻子像素的信号电压是0V。在多层薄膜叠加而成的OLED复合膜层内，包括具有高空穴迁移率的空穴注入层和传输层，合并在一起称作空穴导电层HCL，还包括具有高电子迁移率的电子注入层和电子传输层，合并在一起称作电子导电层ECL。HCL层和ECL层的中间夹着发光层20'，由于在ECL层的上面是连接所有子像素OLED发光膜的阴极电极30'。发光层20'所发出的光线是各向同性的，也就是所有方向上都有的。通过在TFT基板一侧或者OLED薄膜的顶部一侧覆盖反射层，可以决定OLED的光线出射方向为向上发射(顶发射)或者向下发射(底发射)的模式和结构，覆盖在阴极上的还有保护层和彩色滤光片。彩色滤光片的作用是将有机发光层EML发出的白光过滤成红，绿，蓝，三种颜色。图1所示的显示面板的结构适用于较高像素密度，或者像素尺寸较小的显示器，RGB三个子像素的OLED膜层横跨整个显示器平面没有中断，从而避免了使用三张掩膜来分别蒸发RGB三色OLED发光薄膜的方式。由于OLED薄膜横跨整个像素阵列且OLED薄膜是连续而不断开的，当相邻的像素电极也就是相邻子像素的阳极电极10'的电位如果不一样，通过有一定导电性能的空穴导电层HCL就会产生横向的漏电流，如图1所示，从一个像素的阳极跨越像素限定层扩散到相邻像素的阳极上，产生的漏电流将抹杀或降低各个子像素之间的信号电压的差异，从而导致图像的模糊和混色。
为了解决这个难题，现有技术中使用特殊刻蚀工艺制造出如图1和图2所示的在像素限定层40'的侧面上有底切(under cut)或者底部掏空区域，使得OLED的空穴导电层在像素限定层40'的侧壁上断裂或者至少变薄，从而降低横向电阻的方法。然而现有技术中采用的这种方法的最大缺点就是要在本来就很狭窄的像素限定层40'的侧壁掏出凹陷，使得工艺变得很复杂而且重复性和再现性较低。且由于在OLED各层薄膜的蒸发镀膜过程中，从坩埚或者蒸发源中蒸发出来的分子的发射方向呈现某种类似余弦分布，如图2所示。垂直于有限蒸发源的方向上分子的空间分布密度最高，随着方向角的增大，分子的空间分布密度逐渐降低。蒸发出来的分子在碰撞到基板后有一定几率被散射回来并重新向着四周扩散。其结果，像素限定层的侧壁上，甚至像素限定层40'的底部空洞区域内也会有部分分子逐渐沉积，从而在像素限定层40'侧壁表面的垂直方向上会形成连续性的薄膜。而为了让空穴导电层完全断裂，就需要提高像素限定层40'的高度，或者增大其侧壁的坡度，或者加深底切的深度。使用过高的像素限定层40'会导致OLED的阴极电极30'金属膜的断裂，且对于像素限定层40'的侧壁坡度和底切的深度的控制，都需要对像素限定层的成膜和刻蚀工艺在较大基板面积上做精准的控制。
进一步的，为了达成上述目的，还要对OLED薄膜的蒸镀工艺做精确的控制和优化，比如基板的中心和边缘对于蒸发坩埚的角度不同带来厚度和密度的差异，这些薄膜的厚度和密度的差异必然会直接影响到在PDL侧壁上薄膜的覆盖形态和连续性。
而且上述的几种实现方法，都会导致在OLED膜层在基板各个像素的像素限定层侧壁的结构的多变性，以及较差的OLED薄膜特性的重复性和再现性。这里所谓的重复性，指的是在同一个基板上各个子像素OLED的特性的重复概率；这里所谓的再现性，指的是在不同的时间段或批次制作的OLED薄膜，出现同样特性的概率。为了解决上述矛盾，需要提供一种结构，不仅能够有效地在像素的边缘断开OLED的空穴导电层等底层薄膜，大幅降低横向漏电流，而且能够显著提高工艺的包括重复性和再现性的水准，这就成为本发明要达成的目的。
基于上述技术问题的分析，本发明通过若干实施例揭示了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：一个由多个发光像素组成的像素阵列；所述发光像素包括一个衬底以及在衬底上依次叠层设置的凸起结构、第一电极层、像素限定层、第一电荷传输层，发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层。所述像素限定层拥有一个开口并在开口处露出部分第一电极。所述凸起结构在衬底的垂直投影位于所述开口在衬底的垂直投影内，并且凸起结构的侧壁被第一电极层覆盖后与开口的侧壁之间形成一沟槽，而第一电荷传输层在沟槽处的像素限定层上发生断裂。当在第一电极层上采用蒸镀工艺形成第一电荷传输层和后续的连续蒸镀的有机发光层和第二电荷传输层时，从坩埚或者蒸发源中蒸发出来的分子的数量沿着空间角度呈现某种类似余弦分布，即在垂直于有坩埚或蒸发源的方向上分子的空间分布密度最高，随着方向角的增大，分子的空间分布密度逐渐降低。由于凸起结构的遮挡作用，从坩埚或蒸发源蒸发出来的以较大角度飞行的分子则被凸起结构所遮挡，使得在沟槽处的像素限定层的侧壁上，尤其是在所述侧壁的底部，到达的第一电荷传输层，甚至包括后续连续蒸发的有机发光层和第二电荷传输层的分子数量很少而无法保持薄膜的连续性，进而避免因相邻两发光像素的第一电极的电位不相同时，相邻两发光像素之间的第一电荷传输层会产生横向的漏电流而造成有机发光显示面板显示混色的现象。可见，只要上述沟槽足够深和足够狭窄，不用刻意对像素限定层的侧壁做特别的加工或处理，就可以达成隔离相邻发光像素的信号的目的。
根据以上本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。应该指出的是，基于本发明的核心思想，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图3是本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图，图4是图3提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图，图5是3提供的有机发光显示面板沿AA'的剖面结构示意图中的部分结构，结合图3、图4和图5，有机发光显示面板包括：多个发光像素100组成的像素阵列200，发光像素100包括衬底10以及在衬底10上依次叠层设置的凸起结构20、第一电极层30、像素限定层40、第一电荷传输层50，发光功能层60、第二电荷传输层70和第二电极层80，像素限定层40包括一个开口410并在开口410处露出部分第一电极层30，凸起结构20在衬底10的垂直投影位于开口410在衬底10的垂直投影内，凸起结构20的侧壁被第一电极层30覆盖后与开口410的侧壁形成沟槽90，第一电荷传输层50在沟槽90处的像素限定层40上不连续。
如图4和图5所示，一个开口410对应位置为一个发光像素100，该区域上的第一电极层30、第一电荷传输层50、发光功能层60、第二电荷传输层70以及第二电极层80形成一发光元件。而为了防止或减轻相邻发光像素100之间的第一电荷传输层50电荷的横向扩散或者横向串扰，通过在相邻两发光像素100之间的开口410区内设置凸起结构20，且凸起结构20与开口410的侧壁之间形成沟槽90，通过凸起结构20的遮挡作用，使得从坩埚或蒸发源300蒸发出来的分子在形成第一电荷传输层50的时候，部分分子被凸起结构20遮挡，进而使得形成的第一电荷传输层50在沟槽90处的像素限定层40上不连续，从而便阻断相邻发光像素100之间的横向漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
本发明实施例提供的有机发光显示面板，通过在像素限定层的开口区设置凸起结构，且凸起结构与开口的侧壁之间形成沟槽，通过凸起结构的遮挡作用，使得从坩埚或蒸发源蒸发出来的分子一部分被凸起结构遮挡，进而使得形成的第一电荷传输层在沟槽处的像素限定层上不连续，从而阻断相邻发光像素之间的横向漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
可选的，继续参见图5，沟槽90的宽度为Tw，沟槽90在凸起结构20一侧的高度为Th1，Th1与Tw的比例满足：
Figure BDA0002649556060000091
当采用蒸镀工艺在第一电极层30上蒸镀形成第一电荷传输层50时，由于发光像素100的宽度远远大于像素限定层40的宽度，因此从坩埚或蒸发源300蒸发出来的分子总能有一部分附着在像素限定层40的侧壁上。图5中示例性表示从坩埚或蒸发光蒸发出来的分子的发射方向，如图5所示，从坩埚或蒸发源300蒸发出来的分子近似呈余弦分布，且垂直于坩埚或蒸发源300的方向上分子的空间分布密度最高，随着方向角的增大，分子的空间分布密度逐渐降低，且蒸发出来的分子在碰撞到基板后有一定几率被散射回来并重新向着四周扩散。本申请中通过在像素限定层40的开口410区设置凸起结构20，且凸起结构20的侧壁与开口410的侧壁之间形成沟槽90，利用凸起结构20的遮挡作用，从坩埚或蒸镀源蒸发出来的分子在平行于第一电极层30的方向上容易被凸起结构20遮挡，因此能够跨越凸起结构20附着在像素限定层40的侧壁的分子显著减少。进一步的，通过控制沟槽90的宽度为Tw以及沟槽90在凸起结构20一侧的高度为Th1，可以比较精确的控制沉积在像素限定层40侧壁的第一电荷传输层50的厚度。发明人通过实验发现，当设置沟槽90的宽度为Tw与沟槽90在凸起结构20一侧的高度的比例满足
Figure BDA0002649556060000092
时，此时沉积的第一电荷传输层50在像素限定层40的侧壁处于断裂状态，从而阻断了相邻发光像素之间的横向漏电流，进而提升显示面板的显示效果。
本发明实施例中，通过改变沟槽90在凸起结构20一侧的高度以及沟槽90的宽度的比例关系，可以实现准确控制在沉积的第一电荷传输层在像素限定层40的侧壁处于断裂状态，相比现有技术中通过控制像素限定层40的高度或者底切的凹槽深度来说，本发明实施例中沟槽90的宽度和高度的控制更容易实现。也就是说，采用本发明实施例的结构，或者基于本实施例所揭示的原理的其它各种变形的结构，就可以较高的工艺重复性和再现性，切断第一电荷传输层的横向连接，从而去除或者大幅降低相邻发光像素之间的横向漏电流。
可选的，如图5所示，像素限定层40在开口410一侧的侧壁和第一电极层30之间的夹角为第一夹角β1，并满足70°≤β1≤110°。
继续参见图5，设置像素限定层40在开口410一侧的侧壁与第一电极层30之间的第一夹角β1满足70°＜β1≤110°时，当采用蒸镀工艺在第一电极层30上形成第一电荷传输层50时，此时可保证第一电荷传输层50在像素限定层40靠近沟槽90一侧的侧壁断裂，切断了第一电荷传输层50的横向连接，降低了相邻发光像素之间的横向漏电流，提高了有机发光显示面板的显示效果。
可选的，结合图4和图5，沟槽90在凸起结构20一侧的高度为Th1，沟槽在像素限定层40一侧的高度为Th2，在沟槽90底部的第一电极层30和第二电极层80之间的厚度为Th3，Th1、Th2和Th3满足关系式：Th1>Th3，Th2>Th3，Th2>Th1。
通过设置沟槽90在凸起结构20一侧的高度Th1大于在沟槽90底部的第一电极层30和第二电极层80之间的厚度Th3，可通过凸起结构20的遮挡作用保证在蒸镀形成第一电荷传输层50时，第一电荷传输层50在像素限定层40靠近沟槽90一侧的侧壁为断裂状态。
进一步的，通过设置沟槽90在凸起结构20一侧的高度Th1小于沟槽90在像素限定层40一侧的高度Th2，可避免因凸起结构20的高度过高进而大部分蒸镀分子无法通过凸起结构20而造成沟槽90内无第一电荷传输层50的附着，降低了发光像素的发光面积，影响有机发光显示面板的显示效果。
可选的，继续参见图5，凸起结构20的侧壁与凸起结构20的底壁的夹角为第二夹角β2，并满足0＜β2≤80°。
进一步的，为了保证在凸起结构20以及沟槽90内形成的第二电极层80的连续性，通过设置凸起结构20的侧壁与凸起结构20的底壁之间的夹角第二夹角满足0＜β2≤80°，避免因凸起结构20的侧壁凸起结构20的底壁之间的夹角过大进而在蒸镀形成第二电极层80时部分分子无法通过凸起结构20而在凸起结构20上断裂或在沟槽90内断裂而影响发光像素的发光亮度。
可选的，凸起结构20的材料中包括导电材料。
通过设置凸起结构20的材料为导电材料，可以避免在凸起结构20的侧壁上形成的第一电极层30断裂而造成发光像素亮度降低，进而影响显示面板的显示效果。
需要说明的是，导电材料包括金属铬或金属银，也可以为其它具有导电性能的材料，本发明实施例不对导电材料的类型进行具体限定。
可选的，在上述实施例的基础上，图6是本发明实施例提供另一种有机发光显示面板的剖面结构示意图，如图6所示，凸起结构20包括至少一个在衬底10上垂直投影呈环状的凸起挡墙210，用意在于将其附近的像素限定层的侧壁完全遮挡住。
在采用坩埚或蒸镀源进行蒸镀形成第一电荷传输层50时，由于坩埚或蒸镀源蒸发出来的分子向着空间各个角度飞行，因此在不同方向上均会存在有机物分子，因此通过设置凸起结构20为呈环状的凸起挡墙210，可避免在蒸镀第一电荷传输层50时，有些方向上的蒸镀分子会漏过凸起结构20的间隙而沉积在像素限定层40的侧壁进而使得相邻发光像素之间的第一电荷传输层50之间存在横向的漏电流，影响有机发光显示面板的显示效果。
可选的，在上述实施例的基础上，图7是本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图，图8是图7提供的有机发光显示面板沿BB'的剖面结构示意图，如图7和图8所示，凸起挡墙210包括至少一个豁口220，凸起挡墙210在豁口220处的高度低于凸起挡墙210在非豁口处的高度的75％。
这种结构是为了避免第一电荷传输层50在形成的环状的凸起挡墙210在远离沟槽一侧的侧壁断裂，导致环状的凸起挡墙210围绕的发光像素无法发光，使得有机发光显示面板的整体亮度降低。通过在凸起挡墙210上设置至少一个豁口220，且凸起挡墙210在豁口220处的高度低于凸起挡墙210在非豁口处的高度的75％，使得第一电荷传输层50通过豁口220确保将凸起挡墙210围绕的内部和凸起挡墙210外部沟槽90部分的第一电荷传输层50连接在一起。
需要说明的是，图7和图8示例性设置凸起挡墙210的豁口220为一个，也可以设置凸起豁口220的个数为多个，本发明实施例不对凸起挡墙210上豁口220的个数进行具体限定。
可选的，如图9所示，豁口220的通道的方向与开口410的侧壁的法线L1成一非零的锐角使得侧壁的法线无法穿越豁口220。
如图9所示，通过设置豁口220的延伸方向与开口410的侧壁的法线L1的夹角小于90度，当使用坩埚或蒸发源在第一电极层上蒸发形成第一电荷传输层时，不仅使得凸起挡墙能够遮挡大角度分子附着在像素限定层的侧壁，并且依然可以让环状的凸形挡墙内外的OLED薄膜保持连续性。
可选的，如图10所示，豁口220的通道存在至少一道折线或一条曲折路径使得来自开口410的侧壁的任何直线均无法穿越豁口220。
通过豁口220的通道存在至少一道折线或一条曲折路径，进而保证凸起挡墙能够遮挡任何角度飞来的有机分子附着在像素限定层的侧壁。
需要说明的是，图10示例性表示豁口220的通道存在两道折线，也可以设置豁口220的通道包括多道折线或曲线路径，本发明实施例不对豁口的具体结构进行限定。
可选的，在上述实施例的基础上，图11是本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，图12是图11提供的有机发光显示面板沿CC'的剖面结构示意图，如图11和图12所示，凸起结构20包括一个平台结构230，平台结构230与像素限定层40之间形成沟槽90，沟槽90的间隙相等。
另外，可以设置凸起结构20为一个平台结构230，即凸起结构20设置在像素限定层的开口410区且位于第一电极层30与衬底10之间，进而通过平台结构230的阻挡作用，避免不同方向上的蒸镀分子跨越凸起结构20蒸镀在像素限定层40的侧壁进而使得相邻发光像素之间的第一电荷传输层50之间存在横向的漏电流，影响有机发光显示面板的显示效果。
可选的，在上述实施例的基础上，图13是本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图，图14是图13提供的有机发光显示面板沿DD'的剖面结构示意图，如图13和图14所示，平台结构230包括至少一个豁口240，平台结构230在豁口240处的高度低于平台结构230的非豁口处的高度的75％。
进一步的，当凸起结构20为平台结构230时，通过在平台结构230上设置至少一个豁口240，且平台结构230在豁口240处的高度低于平台结构230在非豁口处的高度的75％，进而提高了第一电荷传输层50，发光功能层60、第二电荷传输层70和第二电极层80在凸起结构20侧壁上薄膜层的连续性。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种有机发光显示面板，包括：
多个发光像素组成的像素阵列；
所述发光像素包括衬底以及在衬底上依次叠层设置的凸起结构、第一电极层、像素限定层、第一电荷传输层、发光功能层、第二电荷传输层和第二电极层；
所述像素限定层包括一个开口并在所述开口处露出部分所述第一电极层；所述凸起结构在所述衬底的垂直投影位于所述开口在所述衬底的垂直投影内；所述凸起结构的侧壁被所述第一电极层覆盖后与所述开口的侧壁形成沟槽，所述第一电荷传输层在所述沟槽处的像素限定层上不连续。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述沟槽的宽度为Tw，所述沟槽在凸起结构一侧的高度为Th1，Th1与Tw的比例满足：
Figure FDA0003600594330000011
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述开口的侧壁和第一电极层之间的夹角为第一夹角β1，并满足70°≤β1≤110°。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述沟槽在所述凸起结构一侧的高度为Th1，所述沟槽在所述像素限定层一侧的高度为Th2，在所述沟槽底部的所述第一电极层和第二电极层之间的厚度为Th3，Th1、Th2和Th3满足关系式：Th1>Th3，Th2>Th3，Th2>Th1。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凸起结构的侧壁与凸起结构的底壁的夹角为第二夹角β2，并满足0＜β2≤80°。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凸起结构的材料中包括导电材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凸起结构包括至少一个在所述衬底上垂直投影呈环状的凸起挡墙。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凸起挡墙包括至少一个豁口；所述凸起挡墙在所述豁口处的高度低于所述凸起挡墙在非豁口处的高度的75％。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述豁口的通道的方向与所述开口的侧壁的法线成一非零的锐角使得所述开口的侧壁的法线无法穿越所述豁口。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述豁口的通道存在至少一道折线或一条曲折路径使得来自所述开口侧壁的任何直线均无法穿越所述豁口。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述凸起结构包括一个平台结构；所述平台结构与所述像素限定层之间形成所述沟槽，所述沟槽的间隙相等。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述平台结构包括至少一个豁口；所述平台结构在所述豁口处的高度低于所述平台结构的非豁口处的高度的75％。
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