CN113921573A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示装置,显示基板包括依次叠设于衬底上的驱动结构层和发光结构层,发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层;第一电极层包括设置在驱动结构层上的多个第一电极,像素界定层设于多个第一电极的远离衬底一侧并设有多个像素开口,像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,隔离槽结构包括多个网格单元,隔离槽结构的每个网格单元将一个像素开口包围;发光功能层包括至少一个共有层,共有层设置在多个第一电极和像素界定层的远离衬底一侧,至少一个共有层被隔离槽结构隔断;第二电极层设置在发光功能层的远离衬底一侧。本公开实施例的显示基板有利于改善相邻子像素的串色问题。
Description
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
一些微型有机发光二极管(micro OLED)显示装置为了提升亮度,将发光器件设置为串联式结构,但是,对于此种结构,由于相邻子像素之间的距离比较近,因此易发生串色问题。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,有利于改善相邻子像素的串色问题。
本公开实施例提供一种显示基板,包括依次叠设于衬底上的驱动结构层和发光结构层,所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层;
所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极,所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述衬底一侧并设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述衬底的表面暴露出;所述像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,所述隔离槽结构的每个网格单元将一个所述像素开口包围,所述隔离槽结构贯穿或不贯穿所述像素界定层;
所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构隔断;
所述第二电极层设置在所述发光功能层的远离所述衬底一侧,每个所述第一电极、所述第二电极层,以及位于所述第一电极和所述第二电极层之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括所述的显示基板。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底上形成驱动结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;
在所述驱动结构层的远离所述衬底一侧形成多个第一电极,每个所述第一电极与一个所述像素驱动电路连接;
在所述多个第一电极的远离所述衬底一侧形成像素界定层;其中,所述像素界定层设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述衬底的表面暴露出;所述像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,所述隔离槽结构的每个网格单元将一个所述像素开口包围,所述隔离槽结构贯穿或不贯穿所述像素界定层;
在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧形成发光功能层;其中,所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构隔断;
在所述发光功能层的远离所述衬底一侧形成第二电极层;其中,每个所述第一电极、所述第二电极层,以及位于所述第一电极和所述第二电极层之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
本公开实施例的显示基板,像素界定层设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,且隔离槽结构的每个网格单元将像素界定层的一个像素开口包围,且发光功能层的至少一个共有层被所述隔离槽结构隔断。一些示例中,当被所述隔离槽结构隔断的共有层为串联式发光器件中的电荷产生层时,可以避免由于电荷产生层在相邻子像素之间连续而产生的串色现象。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。
图1为一些技术的显示基板的结构示意图;
图2为一些示例性实施例的显示基板的结构示意图;
图3为一些示例性实施例的发光器件的膜层结构示意图;
图4为一些示例性实施中像素界定层的平面结构示意图;
图5为另一些示例性实施中像素界定层的平面结构示意图;
图6为另一些示例性实施例的显示基板的结构示意图;
图7为另一些示例性实施中像素界定层的平面结构示意图;
图8为另一些示例性实施例的显示基板的结构示意图;
图9为在一些示例性实施例中在驱动结构层上形成多个金属薄膜后的结构示意图;
图10为在一些示例性实施例中形成第一电极图案后的结构示意图;
图11为在一些示例性实施例中形成第一电极和防护层后的结构示意图;
图12为在一些示例性实施例中形成像素界定薄膜后的结构示意图;
图13为在一些示例性实施例中形成掩膜薄膜后的结构示意图;
图14为在一些示例性实施例中形成掩膜层后的结构示意图;
图15为在一些示例性实施例中形成像素界定层后的结构示意图;
图16为在一些示例性实施例中去除掩膜层后的结构示意图。
附图标记为:
10、衬底,20、驱动结构层,21、绝缘层,30、发光结构层,31、第一电极,33、第二电极层,34、像素界定层,35、防护层;
211、凹槽;
321、第一空穴注入层,322、第一空穴传输层,323、第一发光层,324、第三发光层,325、第一电子传输层,326、电荷产生层,327、第二空穴注入层,328、第二空穴传输层,329、第三空穴传输层,3210、第二发光层,3211、空穴阻挡层,3212、第二电子传输层,3213、第二电子注入层;
3201、第一发光单元,3202、第二发光单元;
341、像素开口,342、隔离槽结构,3421、网格单元,3422、环形槽,3421a、第一种网格单元,3421b、第二种网格单元;
41、第一金属薄膜,42、第二金属薄膜,43、第三金属薄膜;
400、第一电极图案,401、第一金属层,402、第二金属层,403、第三金属层,404、第四金属层;
51、像素界定薄膜,52、掩膜薄膜,502、掩膜层,5021、掩膜图案。
具体实施方式
本领域的普通技术人员应当理解,可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围,均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。
如图1所示,图1为一些技术的显示基板的结构示意图,显示基板包括依次叠设于衬底10上的驱动结构层20和发光结构层30,所述发光结构层30包括第一电极31层、像素界定层34、发光功能层和第二电极层33,第一电极31层包括多个第一电极31,每个所述第一电极31、所述第二电极层33,以及位于所述第一电极31和所述第二电极层33之间的所述发光功能层形成一个发光器件。图1中的发光器件为串联式发光器件,串联式发光器件的发光功能层包括串联的至少两个发光单元,两个发光单元之间设有电荷产生层326,电荷产生层326在所述第一电极31和所述第二电极层33的电压作用下可以产生空穴和电子。一些技术中电荷产生层326在形成时是采用开放式掩膜板同时形成在多个第一电极31的远离衬底10一侧,因此电荷产生层326在相邻的子像素之间是连续的,且电荷产生层326的横向导电率较大,从而容易导致出现像素串色问题。
为了改善由于电荷产生层326产生的像素串色问题,图1的示例中在驱动结构层20的远离衬底10的绝缘层21上设置凹槽211,该凹槽211位于相邻的第一电极31之间,以期望后续形成的电荷产生层326在所述凹槽211处能断开。但是,图1示例的所述凹槽211结构并不能有效地将电荷产生层326隔断,并且所述第二电极层33的与所述凹槽211结构正对的区域及附近区域会产生凹陷形成凹陷区,由于位于凹陷区的一部分第二电极层33在衬底10上的正投影与像素界定层34的像素开口341在衬底10上的正投影存在交叠,因此,被像素开口341暴露出的第一电极31到第二电极层33的垂直距离不同,即位于凹陷区的一部分第二电极层33到被像素开口341暴露出的第一电极31的垂直距离相较于远离所述凹陷区的一部分第二电极层33到被像素开口341暴露出的第一电极31的垂直距离小得多,因此导致两个位置处的电流差异较大,从而容易造成显示基板在所述凹槽211的周围区域产生亮度不均的现象,影响显示基板的寿命。
本公开实施例提供一种显示基板,在一些示例性实施例中,如图2所示,图2为一些示例性实施例的显示基板的结构示意图,所述显示基板包括依次叠设于衬底10上的驱动结构层20和发光结构层30,所述发光结构层30包括第一电极31层、像素界定层34、发光功能层和第二电极层33。
所述第一电极31层包括设置在所述驱动结构层20上的多个第一电极31,所述像素界定层34设于所述多个第一电极31的远离所述衬底10一侧并设有多个像素开口341,每个所述像素开口341将对应的一个所述第一电极31的远离所述衬底10的表面暴露出;所述像素界定层34还设有呈网格状的隔离槽结构342,所述隔离槽结构342包括多个网格单元3421,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421将一个所述像素开口341包围,所述隔离槽结构342贯穿或不贯穿所述像素界定层34。
所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极31和所述像素界定层34的远离所述衬底10一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构342隔断。
所述第二电极层33设置在所述发光功能层的远离所述衬底10一侧,每个所述第一电极31、所述第二电极层33,以及位于所述第一电极31和所述第二电极层33之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
本公开实施例的显示基板,像素界定层34设有呈网格状的隔离槽结构342,所述隔离槽结构342包括多个网格单元3421,且隔离槽结构342的每个网格单元3421将像素界定层34的一个像素开口341包围,且发光功能层的至少一个共有层被所述隔离槽结构342隔断。一些示例中,当被所述隔离槽结构342隔断的共有层为串联式发光器件中的电荷产生层326时,可以避免由于电荷产生层326在相邻子像素(本文中,一个发光器件所在的区域称为一个子像素区域)之间连续而产生的串色现象。
在一些示例性实施例中,所述共有层可以是所述发光功能层中的设置在全部的所述第一电极的远离所述衬底一侧的膜层,所述共有层可以采用蒸镀等工艺形成,在形成所述共有层时可以采用开放式掩膜板。
在一些示例性实施例中,如图2所示,所述发光器件可以为串联式发光器件。串联式发光器件的发光功能层包括至少两个发光单元,以及设置在相邻的两个发光单元之间的电荷产生层326。每个发光单元包括发光层,还可以包括位于发光层一侧的空穴传输层和空穴注入层,以及位于发光层另一侧的电子传输层和电子注入层。所述电荷产生层326设置为在所述第一电极31和所述第二电极层33的电压作用下能够产生空穴和电子,所述电荷产生层326为所述共有层且被所述隔离槽结构342隔断。
示例性地,所述第一电极31为阳极,所述第二电极层33为阴极,所述电荷产生层326可以包括沿远离所述第一电极31的方向依次叠设的N型电荷产生层和P型电荷产生层,N型电荷产生层和P型电荷产生层直接接触并形成NP结,NP结能够在N型电荷产生层和P型电荷产生层中同时产生电子和空穴,产生的电子可通过N型电荷产生层向第一电极31所在侧传输,产生的空穴可通过P型电荷产生层向第二电极层33所在侧传输。N型电荷产生层可以通过将N型材料掺杂到有机材料中形成,P型电荷产生层可以通过将P型材料掺杂到有机材料中形成。
示例性地,如图3所示,图3为一些示例性实施例的发光器件的膜层结构示意图,串联式发光器件的发光功能层可以包括两个发光单元,分别是位于第一电极31和电荷产生层326之间的第一发光单元3201,以及位于电荷产生层326和第二电极层33之间的第二发光单元3202。所述发光功能层包括沿远离所述衬底10的方向依次叠设的第一发光层、电荷产生层326和第二发光层。第一发光单元3201包括第一发光层,第一发光单元3201还可以包括设置在所述第一电极31和所述第一发光层之间的以下任一个或多个膜层:第一空穴注入层、第一空穴传输层和电子阻挡层;以及,设置在所述第一发光层和所述电荷产生层326之间的以下任一个或多个膜层:第一电子注入层、第一电子传输层。第二发光单元3202包括第二发光层,第二发光单元3202还可以包括设置在所述电荷产生层326和所述第二发光层之间的以下任一个或多个膜层:第二空穴注入层、第二空穴传输层;以及,设置在所述第二发光层和所述第二电极层33之间的以下任一个或多个膜层:空穴阻挡层、第二电子传输层、第二电子注入层。其中,所述第一发光单元3201或者所述第二发光单元3202还可以包括第三发光层,即,所述第三发光层可以设置在所述第一电极31和所述电荷产生层326之间并可以与第一发光层层叠接触设置,或者所述第三发光层可以设置在所述第二电极层33和所述电荷产生层326之间并可以与第二发光层层叠接触设置。
示例性地,如图3所示,所述串联式发光器件包括沿远离所述衬底10的方向依次叠设的第一电极(阳极)31、第一空穴注入层321、第一空穴传输层322、第一发光层323、第三发光层324、第一电子传输层325、电荷产生层326、第二空穴注入层327、第二空穴传输层328、第三空穴传输层329、第二发光层3210、空穴阻挡层3211、第二电子传输层3212、第二电子注入层3213和第二电极(阴极)层33;所述第一发光层323为可以红光发光层,所述第二发光层3210可以为蓝光发光层,所述第三发光层324可以为绿光发光层,所述串联式发光器件可以发射白光。
在一些示例中,如图2所示,所述显示基板上每个所述发光器件可以设置为均发射白光,所述发光功能层的每个膜层可以均为所述共有层,即所述发光功能层的每个膜层可以均设置在所述多个第一电极31和所述像素界定层34的远离所述衬底10一侧。所述电荷产生层326为所述共有层且被所述隔离槽结构342隔断,所述发光功能层中的其他的共有层可以被所述隔离槽结构342隔断或者不隔断。所述第二电极层33不被所述隔离槽结构342隔断。每个发光器件的膜层结构可以采用图3示例的膜层结构。
在一些示例性实施例中,如图2所示,所述像素界定层34的远离所述衬底10的表面可以为平坦表面,这样,有利于使后续形成的第二电极层33的形貌较为平缓,减小第二电极层33的与两个第一电极31之间的区域相对的部分的凹陷程度,进而有利于减小像素开口341区的第二电极层33的凹陷程度,降低像素开口341区内第一电极31到第二电极层33的距离差异,改善显示基板的亮度不均现象。
在一些示例性实施例中,所述隔离槽结构的每个网格单元可以包括一个呈闭合状的环形槽,或者,所述隔离槽结构的每个网格单元可以包括两个及以上数目的呈闭合状的环形槽。示例性地,每个网格单元的环形槽的形状可以与被该环形槽包围的像素开口的形状大致相同。
示例性地,如图2、图4和图5所示,图4为一些示例性实施中像素界定层34的平面结构示意图,图5为另一些示例性实施中像素界定层34的平面结构示意图,所述像素界定层34设有多个像素开口341和呈网格状的隔离槽结构342,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421包括一个呈闭合状的环形槽3422,每个网格单元3421的环形槽3422将一个像素开口341包围。每个像素开口341将一个第一电极31的背离衬底10的表面的中间区域暴露出,每个第一电极31的背离衬底10的表面的周向边缘区域被像素界定层34覆盖。每个像素开口341的形状可以与被其暴露的一个第一电极31的形状大致相同,比如像素开口341的形状可以为矩形、菱形、五边形、六边形等,相应地,所述网格单元3421的所述环形槽3422的形状可以为矩形、菱形、五边形、六边形等。不同子像素的第一电极31的形状和大小可以不同,相应地,不同子像素的像素开口341的形状、大小可以相同或不同,不同网格单元3421的所述环形槽3422的形状、大小可以相同或不同。图4的示例中,每个像素开口341的形状和大小大致相同,均为大致同样大小的矩形,每个网格单元3421的环形槽3422为大致同样大小的矩形。图5的示例中,一些像素开口341为横向延伸的长方形,一些像素开口341为纵向延伸的长方形,且两种像素开口341的大小不同,相应地,所述隔离槽结构342的网格单元3421包括形状和大小不同的第一种网格单元3421a和第二种网格单元3421b,第一种网格单元3421a将横向延伸的长方形的像素开口341包围,第二种网格单元3421b将纵向延伸的长方形的像素开口341包围。此外,显示基板上多个第一电极31的排布方式(可理解为显示基板上的子像素的排布方式)可以不受限制,像素界定层34上多个像素开口341的排布方式与多个第一电极31的排布方式可以相同,比如可以为图4示例的矩阵式排布,或者为图5示例的“品”字型排布等。
示例性地,如图6和图7所示,图6为另一些示例性实施例的显示基板的结构示意图,图7为另一些示例性实施中像素界定层34的平面结构示意图,所述像素界定层34设有多个像素开口341和呈网格状的隔离槽结构342,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421可以包括两个呈闭合状的环形槽3422。每个网格单元3421的两个环形槽3422的形状可以与被该两个环形槽3422包围的像素开口341的形状可以大致相同。图7的示例中,像素界定层34的多个像素开口341为大小和形状大致相同的矩形,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421的两个环形槽3422的形状相应地为矩形,两个环形槽3422中的一个将另一个包围。
示例性地,如图8所示,图8为另一些示例性实施例的显示基板的结构示意图,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421可以包括三个呈闭合状的环形槽3422,图8示意性地示出了所述隔离槽结构342的一个网格单元3421的三个环形槽3422在两个第一电极31之间的剖面结构。所述隔离槽结构342的每个网格单元3421的三个环形槽3422包围一个像素开口341,三个环形槽3422的其中一个位于另外两个环形槽3422之间。
本实施例中,所述隔离槽结构342的每个网格单元3421包括两个及以上数目的呈闭合状的环形槽3422,相较于每个网格单元3421包括一个环形槽3422而言,可以有效地将所期望的所述共有层(比如电荷产生层326)隔断,还可以使得后续形成的第二电极层33的与所述隔离槽结构342对应的部分的凹陷程度变小(即形貌变得平缓),进而使得像素开口341区的第二电极层33的靠近所述隔离槽结构342的部分的凹陷程度相应地变小,从而有利于降低像素开口341区内第一电极31到第二电极层33的距离差异,避免显示基板在所述隔离槽结构342周围的亮度差异较大的问题。图6和图8示例的显示基板相较于图2示例的显示基板,第二电极层33的与所述隔离槽结构342对应的部分的凹陷程度变小,图8示例的显示基板相较于图6示例的显示基板,第二电极层33的与所述隔离槽结构342对应的部分的凹陷程度进一步变小,形貌更加平缓。
在一些示例性实施例中,所述隔离槽结构的深度可以大于等于所述隔离槽结构的宽度可以为0.08um至0.15um。在一些示例中即所述环形槽的深度可以大于等于所述环形槽的宽度可以为0.08um至0.15um。像素界定层的厚度可以大于或等于所述隔离槽结构的深度。
在所述隔离槽结构的每个网格单元包括两个及以上数目的呈闭合状的环形槽的情况下,相邻的两个所述环形槽的间距可以为0.08um至0.15um,这样不会对显示基板的开口率造成影响。
在一些示例性实施例中,如图2所示,所述发光结构层30还可以包括设置在所述驱动结构层20上的呈网格状的防护层35,所述防护层35的每个网格单元将一个所述第一电极31包围;所述像素界定层34还设置在所述防护层35的远离所述衬底10一侧,所述防护层35在所述衬底10上的正投影包含所述隔离槽结构342在所述衬底10上的正投影。本实施例中,设置所述防护层35可以防止后续在像素界定层34上刻蚀形成所述隔离槽结构342时由于过刻蚀而对驱动结构层20造成损害。
本实施例的一个示例中,所述第一电极可以为单膜层结构,所述防护层和所述第一电极可以通过同一次构图工艺形成,防护层的材料与第一电极的材料相同。或者,如图2所示,所述第一电极31可以包括多个叠设的膜层,所述防护层35和所述第一电极31的至少一个膜层可以通过同一次构图工艺形成。
示例性地,如图2所示,所述第一电极31可以包括沿远离所述衬底10的方向依次叠设的第一钛金属层、铝或银金属层、第二钛金属层和氧化铟锡(ITO)层。所述防护层35可以与所述ITO层通过同一次构图工艺形成,防护层35的材料与所述ITO层的材料相同。
在一些示例性实施例中,所述显示基板还可以包括设置在所述发光结构层的远离所述衬底一侧的封装结构层。所述发光结构层的所述多个发光器件发射白光的情况下,所述显示基板还可以包括设置在所述封装结构层的远离所述衬底一侧的彩色滤光层、黑矩阵等结构,所述彩色滤光层可以包括多个可以透射设定颜色光的滤光单元,比如,包括透射红光的红色滤光单元、透射绿光的绿色滤光单元和透射蓝光的蓝色滤光单元。每个发光器件发射的白光可以照射到一个滤光单元并出射相应颜色的光。所述黑矩阵设有多个开口,每个开口内设有一个所述滤光单元。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底上形成驱动结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;
在所述驱动结构层的远离所述衬底一侧形成多个第一电极,每个所述第一电极与一个所述像素驱动电路连接;
在所述多个第一电极的远离所述衬底一侧形成像素界定层;其中,所述像素界定层设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述衬底的表面暴露出;所述像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,所述隔离槽结构的每个网格单元将一个所述像素开口包围,所述隔离槽结构贯穿或不贯穿所述像素界定层;
在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧形成发光功能层;其中,所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构隔断;
在所述发光功能层的远离所述衬底一侧形成第二电极层;其中,每个所述第一电极、所述第二电极层,以及位于所述第一电极和所述第二电极层之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
下面以图6示例的显示基板示例性地说明本公开显示基板的制备方法。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种,涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种,刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本文中所说的“A和B同层设置”是指,A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指,B的正投影落入A的正投影范围内,或者A的正投影覆盖B的正投影。
图6示例的显示基板的制备方法可以包括如下步骤:
(1)在衬底10上形成驱动结构层20,所述驱动结构层20包括像素驱动电路。
示例性地,所述显示基板可以为micro OLED显示基板。如图9所示,图9为在一些示例性实施例中在驱动结构层20上形成多个金属薄膜后的结构示意图,所述衬底10可以是硅衬底,所述像素驱动电路可以为CMOS(互补金属氧化物半导体)像素驱动电路,所述驱动结构层20中远离所述衬底10的膜层可以为二氧化硅绝缘层。
(2)在所述驱动结构层20的远离所述衬底10一侧形成多个第一电极31,每个所述第一电极31与一个所述像素驱动电路连接。
示例性地,在所述驱动结构层20的远离所述衬底10一侧依次形成叠设的第一金属薄膜41、第二金属薄膜42和第三金属薄膜43,如图9所示。采用构图工艺对叠设的第一金属薄膜41、第二金属薄膜42和第三金属薄膜43进行图案化处理,形成第一电极图案400,第一电极图案400包括叠设的第一金属层401、第二金属层402和第三金属层403,如图10所示,图10为在一些示例性实施例中形成第一电极图案400后的结构示意图。随后,在第一电极图案400的远离衬底10一侧形成第四金属薄膜,采用构图工艺对第四金属薄膜进行图案化处理后,形成叠设在第一电极图案400上的第四金属层404和设置在驱动结构层20上的防护层35,其中,叠设的第一电极图案400和第四金属层404形成第一电极31,如图11所示,图11为在一些示例性实施例中形成第一电极31和防护层35后的结构示意图。所述第一金属薄膜41、第二金属薄膜42、第三金属薄膜43和第四金属薄膜的材质可以依次分别是:钛、铝、钛、ITO。
(3)在所述多个第一电极31和所述防护层35的远离所述衬底10一侧形成像素界定层34。
示例性地,可采用旋涂工艺先在所述多个第一电极31和所述防护层35的远离所述衬底10一侧形成像素界定薄膜51,像素界定薄膜51的远离衬底10的表面可以为平坦表面,如图12所示,图12为在一些示例性实施例中形成像素界定薄膜51后的结构示意图。所述像素界定薄膜51的材料可以为氮化硅(Si3N4)。随后,在像素界定薄膜51的远离衬底10的表面形成掩膜薄膜52(纳米压印胶或光刻胶),如图13所示,图13为在一些示例性实施例中形成掩膜薄膜52后的结构示意图。采用纳米压印工艺或者光刻工艺使掩膜薄膜52形成具有掩膜图案5021的掩膜层502,如图14所示,图14为在一些示例性实施例中形成掩膜层502后的结构示意图。在所述掩膜层502的掩护下对像素界定薄膜51进行刻蚀(比如干刻),形成包括有所述隔离槽结构342和所述多个像素开口341(图15未示出)的像素界定层34,如图15所示,图15为在一些示例性实施例中形成像素界定层34后的结构示意图,其中,像素界定层34的远离衬底10的表面为平坦表面。所述隔离槽结构342可以暴露出或不暴露出所述防护层35的远离衬底10的表面。示例性地,所述干刻工艺可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术。之后,将所述掩膜层502去除,露出所述像素界定层34,如图16所示,图16为在一些示例性实施例中去除掩膜层502后的结构示意图。
(4)在所述多个第一电极31和所述像素界定层34的远离所述衬底10一侧形成发光功能层和第二电极层33。
示例性地,可以采用蒸镀、喷墨打印、溅射、化学气相沉积等工艺依次形成所述发光功能层的各个膜层以及第二电极层33,如图6所示。由于像素界定层34上设置的隔离槽结构342,在形成发光功能层的电荷产生层326过程中,电荷产生层326在所述隔离槽结构342位置处自然断开。第二电极层33在所述隔离槽结构342位置处不会断开。
随后,可以在第二电极层33的远离衬底10一侧依次形成覆盖层(CPL)、薄膜封装层等。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括前文任一实施例所述的显示基板。
示例性地,在所述显示基板出射白光的情况下,所述显示装置还可以包括设置在所述显示基板的出光面上的彩膜基板,所述彩膜基板可以包括设置在基底上的彩色滤光层和黑矩阵等结构,所述彩色滤光层可以包括多个可以透射设定颜色光的滤光单元,比如,包括透射红光的红色滤光单元、透射绿光的绿色滤光单元和透射蓝光的蓝色滤光单元。显示基板的每个发光器件发射的白光可以照射到一个滤光单元上并出射相应颜色的光。所述黑矩阵设有多个开口,每个开口内设有一个所述滤光单元。
所述显示装置可以为近眼显示装置,比如,头盔显示器、增强现实(AR)眼镜、虚拟现实(VR)一体机等。或者,所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在附图中,有时为了明确起见,夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此,本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸,附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外,附图示意性地示出了一些例子,本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
在本文描述中,“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态,因此,包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外,“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态,因此,包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文描述中,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述,而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
在本文描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解,例如,可以是固定连接,或是可拆卸连接,或一体地连接;术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连,或通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。
Claims (15)
1.一种显示基板,其特征在于:包括依次叠设于衬底上的驱动结构层和发光结构层,所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层;
所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极,所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述衬底一侧并设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述衬底的表面暴露出;所述像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,所述隔离槽结构的每个网格单元将一个所述像素开口包围,所述隔离槽结构贯穿或不贯穿所述像素界定层;
所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构隔断;
所述第二电极层设置在所述发光功能层的远离所述衬底一侧,每个所述第一电极、所述第二电极层,以及位于所述第一电极和所述第二电极层之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述发光器件为串联式发光器件,所述发光功能层包括沿远离所述衬底的方向依次叠设的第一发光层、电荷产生层和第二发光层,所述电荷产生层设置为在所述第一电极和所述第二电极层的电压作用下产生空穴和电子,所述电荷产生层为所述共有层且被所述隔离槽结构隔断。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于:所述隔离槽结构的每个网格单元包括一个呈闭合状的环形槽,或者,所述隔离槽结构的每个网格单元包括两个及以上数目的呈闭合状的环形槽。
5.如权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于:所述隔离槽结构的宽度为0.08um至0.15um。
6.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于:所述隔离槽结构的每个网格单元包括两个及以上数目的呈闭合状的环形槽,相邻的两个所述环形槽的间距为0.08um至0.15um。
7.如权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于:所述发光结构层还包括设置在所述驱动结构层上的呈网格状的防护层,所述防护层的每个网格单元将一个所述第一电极包围;
所述像素界定层还设置在所述防护层的远离所述衬底一侧,所述防护层在所述衬底上的正投影包含所述隔离槽结构在所述衬底上的正投影。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于:所述第一电极包括多个叠设的膜层,所述防护层和所述第一电极的至少一个膜层通过同一次构图工艺形成;或者,所述防护层和所述第一电极通过同一次构图工艺形成。
9.如权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于:所述像素界定层的远离所述衬底的表面为平坦表面。
10.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:每个所述发光器件设置为发射白光,所述发光功能层的每个膜层均为所述共有层,所述发光功能层还包括第三发光层,所述第三发光层设置在所述多个第一电极和所述电荷产生层之间或者设置在所述第二电极层和所述电荷产生层之间。
11.如权利要求10所述的显示基板,其特征在于:所述第三发光层设置在所述多个第一电极和所述电荷产生层之间,所述第一发光层为红光发光层,所述第二发光层为蓝光发光层,所述第三发光层为绿光发光层。
12.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:所述发光功能层还包括设置在所述多个第一电极和所述第一发光层之间的以下任一个或多个膜层:第一空穴注入层、第一空穴传输层和电子阻挡层;
或/和,所述发光功能层还包括设置在所述第一发光层和所述电荷产生层之间的以下任一个或多个膜层:第一电子注入层、第一电子传输层。
13.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于:所述发光功能层还包括设置在所述电荷产生层和所述第二发光层之间的以下任一个或多个膜层:第二空穴注入层、第二空穴传输层;
或/和,所述发光功能层还包括设置在所述第二发光层和所述第二电极层之间的以下任一个或多个膜层:空穴阻挡层、第二电子传输层、第二电子注入层。
14.一种显示装置,其特征在于:包括权利要求1至13任一项所述的显示基板。
15.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成驱动结构层,所述驱动结构层包括像素驱动电路;
在所述驱动结构层的远离所述衬底一侧形成多个第一电极,每个所述第一电极与一个所述像素驱动电路连接;
在所述多个第一电极的远离所述衬底一侧形成像素界定层;其中,所述像素界定层设有多个像素开口,每个所述像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述衬底的表面暴露出;所述像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构,所述隔离槽结构包括多个网格单元,所述隔离槽结构的每个网格单元将一个所述像素开口包围,所述隔离槽结构贯穿或不贯穿所述像素界定层;
在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧形成发光功能层;其中,所述发光功能层包括至少一个共有层,所述共有层设置在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述衬底一侧,至少一个所述共有层被所述隔离槽结构隔断;
在所述发光功能层的远离所述衬底一侧形成第二电极层;其中,每个所述第一电极、所述第二电极层,以及位于所述第一电极和所述第二电极层之间的所述发光功能层形成一个发光器件。
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