WO2024065616A1 - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例涉及一种显示面板和显示装置。该显示面板包括:背板,所述背板包括多个像素区和被配置为将所述多个像素区彼此分离的多个凹槽;以及位于所述背板上的多个第一电极,其中,所述多个第一电极在所述背板上的正投影分别与所述多个像素区部分重叠,并且所述多个第一电极中的至少一个的至少一部分延伸到与所述第一电极相邻的所述凹槽的底面上。
Description
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和一种显示装置。
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器件又称为有机电致发光显示器件,是一种与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)不同的显示器件。这种显示技术具有结构简单、自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于柔性面板等优点,因此已经成为新一代显示装置的重要发展方向之一,并且受到越来越多的关注。
但是,由于制造工艺等的原因,OLED显示器件的性能仍有待提高。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示面板和一种显示装置。
在本公开的一个方面,提供一种显示面板包括:背板,所述背板包括多个像素区和被配置为将所述多个像素区彼此分离的多个凹槽;以及位于所述背板上的多个第一电极,其中,所述多个第一电极在所述背板上的正投影分别与所述多个像素区部分重叠,并且所述多个第一电极中的至少一个的至少一部分延伸到与所述第一电极相邻的所述凹槽的底面上一定宽度。
在涉及显示面板的实施例中,所述多个第一电极中的至少一个包括:位于所述背板的所述像素区上的第一导电部,以及覆盖所述第一导电部的并延伸到与所述第一导电部相邻的所述凹槽的底面上一定宽度的第二导电部。
在涉及显示面板的实施例中,所述第二导电部包括位于所述第一导电部上的中间部、位于所述凹槽的底面上的延伸部以及连接所述中间部和所 述延伸部的连接部。
在涉及显示面板的实施例中,所述延伸部的宽度等于所述延伸部所位于的所述凹槽的底面的宽度的1/6~1/3。
在涉及显示面板的实施例中,所述凹槽的两个侧壁的延伸面相交,并且所述两个侧壁的所述延伸面的交线位于所述凹槽的底面的背离所述凹槽的开口的一侧或位于所述凹槽的底面的面向所述凹槽的开口的一侧。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的侧面的斜率和与所述侧面相邻的凹槽的侧壁的斜率相同。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的侧面和与所述侧面相邻的所述凹槽的侧壁共面。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的侧面的斜率小于与所述侧面相邻的凹槽的侧壁的斜率。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的侧面为非平面,所述第一导电部的侧面包括邻近所述凹槽的第一斜面和与所述第一斜面相交并远离所述凹槽的第二斜面,其中,所述第一斜面的斜率小于所述第二斜面的斜率,所述第一斜面与所述第二斜面之间的夹角为钝角,并且所述第一斜面与所述第一导电部所位于的所述背板的表面的夹角为锐角。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部包括位于所述背板上的第一层、位于所述第一层上的第二层、以及位于所述第二层上的第三层。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一斜面为所述第一层的侧面,并且所述第二斜面为所述第二层和所述第三层的侧面。
在涉及显示面板的实施例中,所述凹槽的侧壁包括朝向所述背板内部凹陷的内凹结构,所述内凹结构位于所述凹槽的侧壁的靠近所述第一导电部的位置。
在涉及显示面板的实施例中,所述内凹结构的深度小于所述第一斜面在所述背板上的正投影的宽度。
在涉及显示面板的实施例中,所述凹槽的底面包括子凹槽,所述子凹槽的宽度基本上等于相邻第二导电部的延伸部之间的距离。
在涉及显示面板的实施例中,所述子凹槽的深度不大于所述凹槽的最小深度的1/3。
在涉及显示面板的实施例中,所述连接部保形地覆盖于所述第一导电部的侧面和所述凹槽的侧壁。
在涉及显示面板的实施例中,所述显示面板还包括像素定义层,所述像素定义层具有暴露所述第二导电部的所述中间部的一部分的开口,所述像素定义层包括多个像素定义单元,每个所述像素定义单元包括位于所述凹槽中的第一凹陷部和位于所述第一凹陷部两侧并覆盖所述中间部的未被暴露的另一部分的第一平坦部,其中,所述第一凹陷部包括覆盖所述连接部的侧壁部以及位于所述凹槽的底面和所述第二导电部的所述延伸部上的底部。
在涉及显示面板的实施例中,所述第二导电部的所述连接部相对于所述延伸部的倾角小于或等于所述第一凹陷部的所述侧壁部相对于所述底部的倾角。
在涉及显示面板的实施例中,所述第二导电部的所述连接部的所述倾角为80°~120°,且所述第一凹陷部的所述侧壁部的所述倾角为85°~125°。
在涉及显示面板的实施例中,所述像素定义层的所述第一平坦部的宽度等于所述中间部的宽度的1/20~1/10。
在涉及显示面板的实施例中,所述像素定义层的厚度等于所述一导电部的厚度的1/4至1/2。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的在垂直于所述背板的厚度等于所述凹槽的最小深度的1.5倍至2.5倍。
在涉及显示面板的实施例中,所述第一导电部的厚度等于所述第二导电部的厚度的6倍至8倍。
在涉及显示面板的实施例中,所述显示面板还包括:位于所述像素定义层的远离所述背板的一侧的发光功能层;以及位于所述发光功能层的远离所述背板的一侧的第二电极。
在涉及显示面板的实施例中,所述发光功能层包括:位于所述像素定 义层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第一颜色光的第一发光功能子层;位于所述第一发光功能子层的远离所述背板的一侧的电荷产生层;位于所述电荷产生层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第二颜色的光的第二发光功能子层;以及位于所述第二发光功能子层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第三颜色的光的第三发光功能子层。
在涉及显示面板的实施例中,所述第二电极包括:多个第二平坦部,所述多个第二平坦部与所述多个第一电极相对应,并且每个第二平坦部在所述背板上的正投影位于所对应的第一电极在所述背板上的正投影内;以及多个第二凹陷部,所述多个第二凹陷部与所述多个凹槽相对应,并且每个第二凹陷部在所述背板上的正投影覆盖所对应的凹槽在所述背板上的正投影。
在本公开的又一方面,还提供一种显示装置,包括本公开的一个或多个实施例中的任一个实施例所述的显示面板。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解,本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解,本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的,并不是所有可能的实施方式,并且不旨在限制本申请的范围,其中:
图1示意性示出一种示例的硅基OLED显示面板;
图2示意性示出一种示例的硅基OLED显示面板的俯视图;
图3示意性示出一种示例的硅基OLED显示面板的截面图;
图4A示意性示出一种示例的WOLED显示面板;
图4B示意性示出WOLED显示面板中串扰的产生;
图5示意性示出在公开的一个或多个实施例中的示例的显示面板的截面图;
图6示意性示出本公开的一个或多个实施例中的显示面板的另一截面图;
图7A示出相关技术中的显示面板中的串扰产生的示意图;
图7B示出根据本公开的实施例的显示面板的串扰抑制的示意图;
图8A示出相关技术中具有叠层布置的发光功能层的显示面板中的串扰产生的示意图;
图8B示出根据本公开的实施例的具有叠层布置的发光功能层的显示面板的串扰抑制的示意图;
图9示意性示出本公开的一个或多个实施例中的另一显示面板的截面图;
图10示意性示出本公开的一个或多个实施例中的又一显示面板的截面图;
图11示意性示出了根据本公开的一个或多个实施例的显示装置;
图12示意性示出在本公开的一个或多个实施例中的用于制备显示面板的方法的流程图;
图13(a)至13(e)示意性示出在本公开的一个或多个实施例中的用于制备显示面板的方法的过程;
图14示意性示出了在本公开的一个或多个实施例中的具有非平面的侧面的第一导电部及与其对应的凹槽;以及
图15示意性示出了在本公开的一个或多个实施例中的具有子凹槽的凹槽及相应的第一导电部和第二导电部。
贯穿这些附图的各个视图,相应的参考编号指示相应的部件或特征。
现将参考附图详细描述各种实施例,其作为本公开的示例性示例而提供,以使得本领域技术人员能够实现本公开。值得注意的是,以下附图和示例并不意味着限制本公开的范围。在使用已知的组件可以部分或全部实现本公开的特定元件的情况下,将仅描述对理解本公开所需要的这种已知 组件的那些部分,并且这种已知组件的其它部分的详细描述将被省略以便不会混淆本公开。进一步地,各种实施例通过说明的方式包含与在此涉及的组件等同的现在和未来已知的等同物。
如本文所使用的,术语“具有(have)”、“包括(comprise)”和“包含(contain)”以及其语法变型以非排它的方式使用。因此,表述“A具有B”以及表达“A包括B”或“A包含B”可以指:除了B之外A包含一个或多个其它组件和/或构件的事实,以及除了B之外没有其他组件、构件或元素呈现在A中的情况。用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。
然而,如在此所使用的,术语“位于在……上”并不是指显示面板或者显示装置中的最终堆叠相对于重力方向的特定几何取向,而是指示制造堆叠的方式,在制造之后该堆叠通常可以以任何几何取向放置,也诸如倒置过来。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。
如在本文所使用的,以简写的形式使用各范围,以便避免详细地展开并描述所述范围中的每个数值。当适合时,可以选择在所述范围内的任何合适的数值作为范围的较高值、较低值或范围的端值。
OLED显示面板通常由背板、阳极、像素定义层、空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、有机发光层(EL)、阴极等部分构成。通过像素定义层可以限定出多个发光器件。在阳极和阴极之间的电场的作用下,阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动,分别向空穴传输层和电子传输层注入,迁移到发光层。当二者在发光层相遇时,产生能量激子,从而激发发光分子最终产生可见光。然而,在OLED显示面板中,由于发光功能层为整层连续的膜层,使得子像素之间相互连接,发光功能层中的至少一部分膜层(包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层)具有较高的载流子迁移速率。这些层中的空穴和电子在传输过程中容易产生横向偏移而传输到相邻像素,由此发生串扰现象。
在OLED显示技术中,硅基OLED具有体积小、分辨率高的优点。硅基OLED采用成熟的集成电路CMOS工艺制程,实现了像素的有源寻址,具有TCON、OCP等多种电路,有利于轻量化。硅基OLED被广泛应用于近眼显示与虚拟现实、增强现实领域中,特别是AR/VR头戴显示装置中。然而,上述串扰现象在硅基OLED显示面板,特别是具有叠层结构的白光OLED(WOLED)显示面板中更加明显。叠层结构的WOLED显示面板的相邻发光功能层之间通过电荷产生层串联。但是,电荷产生层具有良好电荷传导特性,会使相邻的子像素之间产生串扰,影响发光效果。
图1示意性示出一种示例的硅基OLED显示面板。如图1所示,硅基OLED显示面板可以采用柔性电路板FPC类型的模组结构。该硅基OLED显示面板可以包括盖板11,和位于盖板下方的硅基背板12,该硅基背板12的有效发光区上制作有OLED发光器件,实现彩色发光功能。该盖板11为至少部分透光的盖板。该盖板11的尺寸可以大于硅基背板12的有效发光区的尺寸,并且小于硅基背板12的尺寸,以便保护硅基背板12上的器件免受损坏,同时有利于硅基OLED显示面板的定位与固定。在硅基背板12中还集成有像素驱动电路,以实现发光像素的电压输入驱动。OLED显示面板还可以包括与硅基背板12连接的柔性电路板13,以允许外部信号的传输。
图2和图3示意性示出一种示例的硅基OLED显示面板的俯视图和截面图。如图2和图3所示,该硅基OLED显示面板可以包括硅基背板12、位于硅基背板12上的阳极24、位于阳极24的远离硅基背板12的一侧的发光功能层25、位于发光功能层25的远离硅基背板12的一侧的阴极26、位于阴极26的远离硅基背板12的一侧的第一封装层27、位于第一封装层27的远离硅基背板12的一侧的彩膜层28、位于彩膜层88的远离硅基背板12的一侧的第二封装层29、以及位于第二封装层29的远离硅基背板12的一侧的盖板11。硅基背板12上可以集成有像素驱动电路,以用于驱动发光功能层发光。该像素驱动电路可以例如通过180nm或者110nm的半导体工艺制作。
在硅基OLED显示器件中,通常采用多层结构的叠层来实现硅基显示面板对高亮度、高寿命的需求。例如,采用发红光的发光功能层、发绿光的发光功能层和发蓝光的发光功能层的叠层并结合彩膜层来实现白光OLED(WOLED)显示面板的彩色显示。
在WOLED显示面板中,通常在不同颜色的发光功能层之间(例如,在发蓝光的发光功能层与发绿光的发光功能层之间)设置中间层,例如电荷产生层,来为其两侧的发光功能层提供载流子。然而,由于中间层,例如电荷产生层,通常为高导电材料,具有较高的载流子迁移速率,因此,容易导致邻近像素之间的漏电,从而产生串扰现象。另外,位于中间层上侧空穴注入层和空穴传输层也具有较高的载流子迁移速率,同样容易造成像素间的串扰。
图4A示意性示出一种示例的WOLED显示面板;图4B示意性示出WOLED显示面板中串扰的产生。如图4A所示,WOLED显示面板包括蓝色发光功能层41、绿色发光功能层42和红色发光功能层43。为了提供足够的载流子,在蓝色发光功能层41和绿色发光功能层42之间设置中间层44,例如电荷产生层。对于蓝色子像素而言,在阳极24和阴极26之间的电场作用下,来自阳极24的空穴和来自电荷产生层的电子迁移到蓝色发光功能层41,并在蓝色发光功能层41相遇而发出蓝光。类似地,绿色发光功能层42可以发出绿光,红色发光功能层43可以发出红光。蓝光、绿光、红光混合后形成白色光,白色光通过上面的蓝色滤光层B的滤光后变成出射的蓝光。
然而,如图4B所示,由于蓝色发光功能层41和绿色发光功能层42之间的中间层44具有较高的导电性,中间层44的位于蓝色像素区域内的载流子可能横向偏移朝向相邻的红色像素和绿色像素,如图4B中的虚线箭头所指示的。这造成各个像素中红、绿、蓝光的比例失调,因而产生串扰现象。
本公开提供一种显示面板,通过将第一电极(阳极)的至少一部分延伸到设置于背板中的凹槽的底面上来改善串扰。
在本公开的一些实施例中,公开一种显示面板,包括:背板,该背板包括多个像素区和被配置为将所述多个像素区彼此分离的多个凹槽;以及位于所述背板上的多个第一电极,其中,所述多个第一电极在所述背板上的正投影分别与所述多个像素区部分重叠,并且所述多个第一电极中的至少一个的至少一部分延伸到与所述第一电极相邻的所述凹槽的底面上一定宽度。
第一电极(特别是阳极)的至少一部分延伸到凹槽的底面上,可以改变凹槽的位置处的电场,使得意图横向偏移的载流子在凹槽所对应的位置处在电场作用下向上或向下偏转,而不再横向偏移到相邻像素。由于凹槽所对应的位置处不是有效发光区域,因此载流子在该位置的向上向下偏转不会影响相邻像素,从而可以改善串扰。另外,背板中的凹槽可以延长载流子在电荷产生层中的路径,这在一定程度上能够增加电荷产生层的电阻,因此也能够改善串扰。
如本文所使用的,术语“所述多个第一电极的至少一个”包括多个第一电极中的每一个的情况和多个第一电极中的一个或多个的情况。下面描述的具体实施例中,以多个第一电极中的每一个的至少一部分都延伸到凹槽的底面的情况进行详细说明。但是应当理解,多个第一电极中的仅一些第一电极延伸到凹槽的底面而另一些第一电极不包括延伸到凹槽的底面的部分的实施例也包含在本公开内。
如本文所使用的,术语“宽度”是广义的术语,并且应对其赋予对本领域普通技术人员而言普通和惯用的含义,而不限于特殊或定制的含义。该术语具体地可以指显示面板的组件或其一部分在垂直于凹槽的延伸方向的第一方向上的宽度。术语“厚度”是广义的术语,并且应对其赋予对本领域普通技术人员而言普通和惯用的含义,而不限于特殊或定制的含义。该术语具体地可以指显示面板的组件或其一部分在垂直于其所位于的部件(例如,背板)的表面的第二方向上的厚度。
图5示意性示出在公开的一个或多个实施例中的示例的显示面板的截面图。如图5所示,显示面板可以包括背板52和位于背板52上的多个第 一电极54。该背板52可以包括多个像素区521和被配置为将多个像素区521彼此分离的凹槽522。该多个第一电极54在背板52上的正投影分别与该多个像素区521部分重叠,并且每个第一电极54的至少一部分延伸到与该第一电极54相邻的凹槽522的底面5221上一定宽度。在一个或多个实施例中,每个第一电极54可以包括位于背板21的像素区211上的第一导电部541和覆盖该第一导电部541并延伸到与该第一导电部541相邻的凹槽522的底面5221上一定宽度的第二导电部542。
在本公开的实施例中,术语“像素区”是指可以发光以显示图像的区域。每个像素上可以具有一个像素,也可以具有多个像素。
显示面板还可以包括与多个第一电极54电隔离的第二电极56,该第二电极56与第一电极54形成能够激发发光功能层55中的发光材料发光的电场。在本公开的一个或多个实施例中,第一电极54可以为阳极,第二电56可以为阴极。通过第二导电部542延伸到凹槽522的底面5221上一定宽度,除了第一电极54和第二电极56可以在像素区521形成的电场之外,第二导电部542的在凹槽522的底面5411上的延伸部分和第二电极56之间也可以形成电场,该电场能够使横向偏移的载流子向上或向下偏转,从而阻止载流子移动到相邻像素,因而可以改善串扰现象。
图6示意性示出本公开的一个或多个实施例中的显示面板的另一截面图。如图6所示,显示面板可以包括具有多个像素区521和将多个像素区521彼此分离的多个凹槽522的背板52、位于背板52上的多个第一电极54、位于多个第一电极54的远离背板52的一侧的像素定义层61、位于像素定义层61的远离背板52的一侧的发光功能层55、位于发光功能层55的远离背板52的一侧的第二电极56。在本公开的一个或多个实施例中,每个第一电极54的至少一部分可以延伸到凹槽522的底面5221上。像素定义层61可以将发光功能层55划分成与多个第一电极54一一对应的子区域,每个子区域和相应的第一电极54以及第二电极56的与该子区域相对应的部分形成发光器件。这样,可以通过像素定义层61限定出多个发光器件。
根据本公开的实施例,在第一电极54的在凹槽522的底面5221上延 伸的部分与第二电极56之间可以产生电场,该电场能够使发光功能层55中横向偏移的载流子向上或向下偏转,从而防止载流子偏移到相邻像素,因此可以改善串扰。
在本公开的一些实施例中,如图6所示,背板52上可以集成有用于驱动各个发光器件发光的多个驱动晶体管523。作为示例,背板52可以包括衬底524、设置在衬底524上的多个驱动晶体管523,以及位于驱动晶体管523和第一电极54之间的绝缘层525。在本公开的一些实施例中,衬底524的材料可以为单晶硅或多晶硅等半导体材料。在替代的实施例中,衬底524也可以由玻璃、塑料等其他硬质或软质材料制成。驱动晶体管523可以通过设置于绝缘层中的一个或多个过孔526与第一电极54直接或间接电连接。
在本公开的一些实施例中,绝缘层525的材料可以包括例如氮化硅和氧化硅中的至少一种。可以将多个凹槽522设置在背板52的绝缘层525中。凹槽522的深度可以小于绝缘层525的深度。通过凹槽522可以将背板52划分为彼此分离的多个像素区521,该多个像素区521可以与由像素定义层61限定的多个发光器件一一对应。
在本公开的一些实施例中,每个凹槽522可以包括两个侧壁5222和连接两个侧壁5222的底面5221。两个侧壁5222可以具有一定角度,即,其延伸面可以相交。在示例的实施例中,两个侧壁5222的延伸面的交线可以位于凹槽522的底面5221的背离凹槽522的开口的一侧,也即在图中所示出的取向的情况下位于凹槽522的底面5221的下方,以使得凹槽522的沿垂直于凹槽522的延伸方向的截面为正梯形,特别是正等腰梯形。在图6所示的实施例中,凹槽522的底面5221在平行于衬底的平面内基本上平坦。可以理解,凹槽522的底面5221也可以是弯曲的表面,例如,朝向背离衬底524的方向突起的曲面。
在本公开的一些实施例中,多个凹槽522中的一些可以沿第一方向间隔布置并沿与第一方向垂直的第二方向延伸,并且多个凹槽522中的另一些可以沿第二方向间隔布置并沿第一方向延伸。通过这种配置,该多个凹 槽522可以将背板52分割成阵列分布的多个像素区521,以用于后续在各个像素区521上形成各个发光器件。在替代的实施例中,多个凹槽522中的所有凹槽522可以仅沿第一方向或第二方向间隔布置,以形成长条形状的像素区。
在一些实施例中,取决于凹槽522的不同延伸方向,像素区521在衬底524上的正投影的形状可以是矩形、五边形、六边形或其它多边形。当然,也可以是圆形或其它形状,在此不作特殊限定。同时,不同像素区的形状和尺寸可以不同。
继续参考图6,在本公开的一些实施例中,每个第一电极54可以包括位于背板52的像素区521上的第一导电部541,以及覆盖第一导电部541并延伸到与该第一导电部541相邻的凹槽522的底面5221上一定宽度L的第二导电部542。每个第二导电部542可以包括位于第一导电部541上的中间部5421、位于凹槽522的底面5221上的延伸部5422以及连接该中间部5421和该延伸部5422的连接部5423。在本公开的一些实施例中,延伸部5421在平行于凹槽522的底面5221并与凹槽522的延伸方向垂直的第一方向上的宽度等于该延伸部所位于的凹槽的底面在第一方向上的宽度的1/6~1/3。特别地,延伸部5422的宽度L可以等于凹槽522的底面5221的宽度D的1/6、1/5、1/4、1/3或者它们中的任意两个数值之间的中间值。通过延伸部5422的特定宽度的配置,可以在延伸部5422和第二电极56之间产生足够宽的电场使载流子在凹槽522所对应的竖直空间内偏转,以阻止载流子偏移到邻近像素,同时可以避免相邻第二导电部542之间短路的发生。另一方面,第二导电部542延伸到凹槽内,能够将第一导电部541完全包围,因此,第二导电部542可以对第一导电部541起到保护作用,以免受外界环境或后续层制作的对其造成的不利影响。第二导电部542还可以对第一导电部541起到屏蔽作用,以防止第一导电部541对电场的影响。
举例而言,凹槽522(具体是凹槽522的底面5221)在垂直于凹槽522的延伸方向的第一方向上可以具有0.4~0.6μm的宽度,第二导电部542的延伸部5422可以具有例如0.05~0.15μm的宽度。例如,凹槽522的宽度可以为0.5μm,延伸部5422的宽度可以为0.1μm。
继续参考图6,第一导电部541的侧面的斜率可以与和该侧面相邻的凹槽的侧壁5222的斜率相同,并且第一导电部541的侧面和与该侧面相邻的凹槽侧壁5222共面。在该实施例中,第二导电部542的连接部5423可以保形地覆盖于第一导电部541的侧面和凹槽522的侧壁5222。在该实施例中,第二导电部542的连接部5423相对于第二导电部542的延伸部5422的倾角可以基本上等于该连接部5423所位于的凹槽522的侧壁5222相对于底壁5221的倾角。然而,在实际操作中,由于工艺条件等因素限制,连接部5423可能具有不均匀的厚度,例如,连接部5423的厚度可能从靠近中间部5421的一侧朝向靠近延伸部5422的一侧逐渐变厚。在该情况下,连接部5423相对于延伸部5422的倾角可以表示为连接部5423的外表面(即,面向凹槽的表面)相对于延伸部5422的倾角。在本公开的一些实施例中,连接部5423相对于延伸部5422的倾角可以为80°~120°,例如,80°、90°、95°、100°、110°、120°或者它们中的任意两个数值之间的中间值。
如本文所使用的,术语“第一导电部的侧面”是指第一导电部的与凹槽的底面不平行的面。术语“保形地”是指上层保持与其所位于的下层基本相同的形状。
继续参考图6,第一导电部541可以包括位于背板52的像素区541内的第一层5411、位于第一层5411上的第二层5412以及位于第二层5412上的第三层5413。在示例的实施例中,第一层5411可以包括钛(Ti),第二层5412可以包括铝(Al),并且第三层5413可以包括钛(Ti)或氮化钛(TiNx)。使用Ti作为第一导电部541的第一层5411可以增加第一导电部541与背板52之间的粘合力。替代地,第一导电部541也可以仅包括两个层,例如,由Ti材料形成的第一层和由Ag材料形成的第二层。在一些实施例中,第二导电部542的材料可以包括透光材料,例如,氧化铟锡(ITO)。
在本公开的一个或多个实施例中,第一导电部541在垂直于背板52的第二方向上的厚度可以基本上等于凹槽522在第二方向上的最小深度的1.5倍至2.5倍,例如2倍。在其他实施例中,第一导电部541的厚度可以基本上等于第二导电部542的厚度的6倍至8倍。第一导电部541的第二层5412的厚度基本上等于第一层5411的厚度和第三层5411的厚度之和的2至4倍,特别地,3倍。第一导电部541的第一层5411的厚度基本上等 于第二导电部542在第二方向上的厚度的0.5至1.5倍,特别地,3倍。
举例而言,第一导电部541的厚度可以为约800A,其中,第一层5411的厚度为约120A,第二层5412的厚度为约600A,第三层5413的厚度为约80A;第二导电部542的厚度为约120A;凹槽522的深度为约400A。、如上已经描述的,第一导电部541的侧面和凹槽522的侧壁5222可以共面。但是,可以理解,第一导电部541的侧面可以相对于与该侧面相邻的凹槽522的侧壁5222偏移一定距离。也就是说,第一导电部541的侧面到与该侧面最近的凹槽522的侧壁5222所在的平面的距离可以不为0。作为示例,第一导电部541的侧面到与该侧面最近的凹槽522的侧壁5222所在的平面的距离可以大于0且小于第一导电部541的厚度。第一导电部541的侧面到与该侧面最近的凹槽522的侧壁5222所在的平面的距离可以小于第一导电部541的厚度L1的1/5、1/2或4/5。在该实施例中,由于第一导电部541的侧面距凹槽522侧壁5222的距离比较小,因此可以使得第一电极54占有较大的面积,从而可以提高显示面板的开口率。
在另一些实施例中,第一导电部541的侧面的斜率和凹槽522的侧壁5222的斜率可以不同。在另外的实施例中,第一导电部541的侧面可以不是平面,而是例如由至少两个具有不同斜率的平面形成的弯折面。
图14示意性示出了在本公开的一个或多个实施例中的具有非平面的侧面的第一导电部及与其对应的凹槽。如图14所示,第一导电部541的侧面可以为非平面。具体地,第一导电部541的侧面可以包括邻近凹槽522的第一斜面5401和与该第一斜面5401相交并远离凹槽522的第二斜面5402,该第一斜面5401的斜率小于第二斜面5402的斜率,以使得该第一斜面5401与该第二斜面5402之间的夹角α为钝角,并且第一斜面5402与该第一导电部541所位于的背板52的表面的夹角β为锐角。
在本公开的一些实施例中,第一斜面5401可以为第一导电部541的第一层5411的侧面,并且第二斜面5402可以为第一导电部的第二层5412和第三层5413的侧面。
需要说明的是,第一斜面和第二斜面在图14中被示出为平面的,但是 可以理解,第一斜面和第二斜面也可以是曲面。在这种情况下,第一斜面和第二斜面的斜率可以指第一斜面和第二斜面的最小斜率。
第一导电部541通常通过首先使用第一导电部的材料形成第一导电层,然后采用蚀刻工艺(例如干刻)来构图第一导电层。在干刻时,由于工艺条件的限制,很难对第一导电部的不同层形成具有相同斜率且彼此对准的侧面,因此会造成第一导电部的非平面的侧面结构。图14所示的实施例中的第一导电部的侧面形貌能够降低在形成第一导电部时的工艺要求,有利于提高显示面板的制备效率。
在制备显示面板期间,通常在一次构图(例如,蚀刻)中同时形成第一导电部541和背板52上的凹槽522。然而,由于形成第一导电部541的材料与形成背板52(尤其是背板上的绝缘层)的材料不同,在蚀刻完由第一导电部的材料形成的第一导电层之后继续蚀刻背板的绝缘材料时,会在第一导电部541和背板52之间的界面附近形成内凹结构。
如图14所示,凹槽522的侧壁5222上具有朝向背板52的内部凹陷的内凹结构52221,该内凹结构52221位于凹槽522的侧壁5222的靠近第一导电部541的位置。在一些实施例中,该内凹结构52221的深度小于第一斜面5401在背板52上的正投影的宽度。通过该配置,能够降低在形成第一导电部541和凹槽522时的工艺要求,有利于提高显示面板的制备效率。
第二导电部542通常通过首先使用第二导电部的材料形成第二导电层,然后采用蚀刻工艺(例如干刻)来构图第二导电层。在本公开的一些实施例中,为了避免不期望的第二导电层的材料残留在凹槽的底部造成第二导电部短路,可以对第二导电层进行过蚀刻,也即,蚀刻深度延伸到背板的材料中,以在凹槽的底面形成子凹槽。
在本公开的实施例中,第二导电部542的连接部5423可以保形地覆盖于第一导电部541的侧面。也就是说,第二导电部542的连接部5423可以不是平面的,其可以具有与由第一导电部的侧面和凹槽的侧面共同形成的表面一致的形状。具体地,第二导电部542的连接部5423可以包括与第一斜面5401对应的第一部分和与第二斜面5402对应的第二部分,并且连接 部5423在凹槽522的内凹结构52221的位置处也具有朝向内凹结构52221的凹陷。为了不造成混淆,在图14中没有示出第二导电部541,该第二导电部542的可选结构可以参考图15。
需要说明的是,内凹结构在图14中被示出为具有三角形截面,但是可以理解内凹结构的截面形状不限于此,其可以具有其他规则或不规则形状。例如,内凹结构的截面形状可以为圆弧形。图15示意性示出了在本公开的一个或多个实施例中的具有子凹槽的凹槽及相应的第一导电部和第二导电部。如图15所示,凹槽522的底面5221具有子凹槽52211。在一些实施例中,该子凹槽52211的宽度基本上等于相邻第二导电部542的延伸部5422之间的距离,也即,该子凹槽52211的宽度基本上等于凹槽522的底面5221的被第二导电部542的延伸部5422暴露的部分的宽度。在一些实施例中,子凹槽52211的深度不大于凹槽522的最小深度的1/3,特别是1/5,更特别是1/10。通过子凹槽的配置,能够降低在形成第二导电部542时的工艺要求,有利于提高显示面板的制备效率。
返回参考图6,像素定义层61具有用于定义像素的开口610,以暴露第二导电部542的中间部5421的一部分。第二导电部542的中间部5421的被像素定义层61暴露的部分可以与相应的发光功能层55和第二电极56构成发光器件。像素定义层61可以包括多个像素定义单元611,这些像素定义单元可以彼此连接以限定出用于定义像素的开口610。每个像素定义单元611包括位于凹槽522中的第一凹陷部6111和位于第一凹陷部6111两侧并覆盖中间部5421的未被开口暴露的另外的部分的第一平坦部6112。第一凹陷部6111可以包括覆盖连接部5423的侧壁部61112以及位于凹槽522的底面5221和第二导电部542的延伸部5422上的底部61111。
在凹槽522具有位于底面5221上的子凹槽52211的实施例中,像素定义层61可以填充子凹槽52211并且像素定义层61的与子凹槽52211对应的部分的厚度大于子凹槽52211的深度和第二导电部542的延伸部5422的厚度。作为示例,像素定义层61的与子凹槽52211对应的部分的厚度等于子凹槽52211的深度、第二导电部542的延伸部5422的厚度以及像素定义层61的第一平坦部6112的厚度之和。
在本公开的实施例的,第一凹陷部6111的侧壁部61112可以与第二导电部542的连接部5423具有相同的倾角。然后,由于制造工艺等限制,在制备像素定义层61时,由于例如材料的流动性等原因,产生的侧壁部61112可能具有不均匀的厚度,例如侧壁部61112的靠近底部61111的位置的厚度可能大于远离底部61111的位置的厚度。在该情况下,侧壁部61112相对于底部61111的倾角可能大于第二导电部541的连接部5423相对于延伸部5422的倾角。在示例的实施例中,侧壁部61112相对于底部61111的倾角可以为85°~125°,而连接部5423相对于延伸部5422的倾角可以为80°~120°。在具体的实施例中,侧壁部61112相对于底部61111的倾角可以为105°,而连接部5423相对于延伸部5422的倾角可以为100°。
在本公开的一些实施例中,像素定义层61的位于中间部5421上的第一平坦部6112的宽度可以不大于中间部5421的宽度的1/10,以便具有足够高的开口率。在特定的实施例中,像素定义层61的位于中间部5421上的第一平坦部6112的宽度可以等于中间部5421的宽度的1/20~1/10。举例而言,像素定义层61的第一平坦部6112的宽度可以为约0.15μm。在本公开的一些实施例中,像素定义层61的厚度(具体是指像素定义层61的位于第二导电部542上的部分的厚度)可以等于第一导电部541的厚度的1/4至1/2。举例而言,像素定义层61的厚度可以在70nm至140nm之间。在本公开的一些实施例中,像素定义层61的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种。
继续参考图6,发光功能层55可以位于像素定义层61的远离背板52的一侧,第二电极56可以位于发光功能层55的远离背板52的一侧。发光功能层55可以为连续的膜层,其可以通过蒸镀等工艺形成。
在本公开的一些实施例中,发光功能层55可以包括位于第一电极54和第二电极56之间的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EL、电子传输层ETL、电子注入层EIL。如上已经描述的,由于空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL通常具有较高的载流子迁移率,这些层中的空穴和电子在传输过程中容易产生横向偏移而传输到相邻像素,由此发生串扰现象。
图7A示出相关技术中的显示面板中的串扰产生的示意图。如图7A所 示,由于高的载流子迁移率,空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的一部分空穴72以及电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一部分电子71可能挣脱第一电极541和第二电极542之间的电场的束缚而横向偏移到相邻像素,因此产生串扰。
图7B示出根据本公开的实施例的显示面板的串扰抑制的示意图。如图7B所示,凹槽522所在的区域通常是显示面板的非显示区域,在彩膜层57中与该凹槽对应的位置通常设置黑矩阵58。根据本公开的实施例提供的显示面板,第一电极54、特别是第二导电部542延伸到凹槽522的底面上,使得第二导电部542的延伸部5422和第二电极56在凹槽522所对应的区域(该区域对应于显示面板的非发光区域)内产生电场,该电场可以使意图横向偏移的载流子向上或向下偏转,从而可以避免横向偏移到邻近像素,因此可以改善串扰现象。
在本公开的另一些实施例中,发光功能层可以包括叠层布置的多个发光功能层,每个发光功能子层中都可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层EL、电子传输层ETL、电子注入层EIL。图8A示出相关技术中具有叠层布置的发光功能层的显示面板中的串扰产生的示意图。如图8所示,发光功能层55可以包括以叠层布置的第一发光功能子层551、第二发光功能子层552和第三发光功能子层553。其中,第一发光功能子层551被配置为发射第一颜色(蓝色)的光,第二发光功能子层552被配置为发射第二颜色(绿色)的光,和第三发光功能子层553被配置为发射第三颜色(红色)的光。为了改善显示面板的性能,还可以在这些发光功能子层中的至少两个发光功能子层(例如,蓝色发光功能子层和绿色发光功能子层)之间设置电荷产生层CGL。电荷产生层CGL可以产生电子71和空穴72,所产成的电子71和空穴72分别与从第一电极54注入的空穴72和从第二电极56注入的电子71在有机发光层EL结合而发光。
如图8A所示,对于具有叠层布置的发光功能层55的显示面板,除了一部分电荷载流子可能在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL中横向偏移之外,电荷产生层CGL产生的载流子也可能横向偏移到相邻像素而造成串扰。因此,具有叠层布置的发光功能层55的显示面板的串扰现象可能更明显。
图8B示出根据本公开的实施例的具有叠层布置的发光功能层的显示面板的串扰抑制的示意图。如图8B所示,根据本公开的实施例提供的显示面板,第一电,54、特别是第二导电部542延伸到凹槽522的底面5221上,使得第二导电部542的延伸部5422和第二电极56在凹槽522所对应的区域(该区域对应于显示面板的非发光区域)内产生电场,该电场不仅可以使意图在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL中横向偏移的电子71和空穴72偏转,也可以使在电荷产生层CGL中横向偏移的电子71和空穴72偏转,从而可以避免载流子横向偏移到邻近像素,因此可以改善串扰现象。
返回参考图6,第二电极56可以在平行于衬底52的平面内基本上是平坦的。第二电极56可以由金属或金属合金制成。作为示例,第二电极56可以由Mg、Ag、Al、和Li中的任一种或多种的合金制成。可以理解,第二电极56还可以采用其他合金或单质金属。
在本公开的一些实施例中,如图6所示,可选地,显示面板还可以包括第一封装层62、彩膜层57、第二封装层63和透明盖板64。
第一封装层62位于第二电极56上,并覆盖第二电极56。第一封装层62可以包括多个第一子封装层。作为示例,第一封装层62可以包括两个无机层和位于两个无机层之间的有机层。
彩膜层57设置在第一封装层62的背离第二电极56的一侧。彩膜层57可以包括与多个第一电极54相对应的阵列分布的多个彩色滤光区,例如红色滤光区571、绿色滤光区572和蓝色滤光区573.这些彩色滤光区可以通过黑矩阵58间隔开。
第二封装层63可覆盖彩膜层57。第二封装层63可以包括多个第二子封装层。作为示例,第二封装层63可以包括无机层和有机层。
透明盖板64可覆盖第二封装层63。透明盖板64可以包括玻璃或透明聚合物材料。
图9示意性示出本公开的一个或多个实施例中的另一显示面板的截面图。图9中所示的显示面板与图6所图示的显示面板共享一些相似性,并且相对于图6提供的描述酌情适用于图9中所图示的显示面板。因此,在 以下的描述中,仅描述与图6所示的实施例的不同部分,而省略与图6所示的实施例的相同部分。
如图9所示,与图6中示出的第二电极是基本上平坦的实施例不同,该实施例中的第二电极在与多个凹槽相对应的位置可以朝向衬底的方向凹陷。第二电极56可以包括多个第二凹陷部561和与多个第二凹陷部561交替布置的多个第二平坦部562。在示例的实施例中,多个第二凹陷部561与多个凹槽522相对应,并且每个第二凹陷部561在衬底524上的正投影至少覆盖所对应的凹槽522在衬底524上的正投影;多个第二平坦部562与多个第一电极54相对应并且每个第二平坦部562在衬底524上的正投影位于所对应的第一电极54在衬底524上的正投影内。在示例的实施例中,每个的第二凹陷部561在衬底524上的正投影的宽度大于所对应的凹槽522在衬底524上的正投影的宽度但小于像素定义层61的每个像素定义单元611在衬底524上的正投影的宽度;并且每个第二平坦部562在衬底524上的正投影的宽度小于所对应的第一电极54(具体是第一电极54的第二导电部542)在衬底524上的正投影的宽度。通过此配置,可以在第二电极56与第一电极54的延伸部542之间产生更强的电场,使得横向偏移的载流子更容易向上或向下偏转。
图10示意性示出本公开的一个或多个实施例中的又一显示面板的截面图。图10中所示的显示面板与图6所图示的显示面板共享一些相似性,并且相对于图6提供的描述酌情适用于图9中所图示的显示面板。因此,在以下的描述中,仅描述与图6所示的实施例的不同部分,而省略与图6所示的实施例的相同部分。
如图10所示,与图6中示出的凹槽522沿垂直于凹槽的延伸方向的截面为正梯形的实施例不同,该实施例中,凹槽522的沿垂直于凹槽的延伸方向的截面为可以为倒梯形,特别是,等腰倒梯形。具体而言,凹槽522的两个侧壁5222的延伸面的交线可以位于凹槽522的底面5221的朝向凹槽522的开口的一侧,也即在图中所示出的取向的情况下位于凹槽522的底面5221的上方,以使得凹槽522的沿垂直于凹槽522的延伸方向的截面 为倒梯形截面。
可以理解,凹槽522的截面形状不限于附图中所示出的截面形状,也可以为其他的形状。在示例的实施例中,凹槽522的两个侧壁5222可以彼此平行设置,以形成具有矩形横截面的凹槽522。在又一示例的实施例中,凹槽522的截面形状可以为直角梯形。可以理解,像素定义层61的第一凹陷部6111的截面形状可以具有与凹槽522截面形状基本相同的截面形状。
本公开的实施例还提供一种显示装置,包括根据本公开的一个或多个实施例中的显示面板,诸如上面详细公开的一个或多个实施例的至少一种显示面板。因此,对于该显示面板的可选实施例,可以参考显示装置的实施例。图11示意性示出了根据本公开的一个或多个实施例的显示装置。如图11所示,该显示装置110可以包括显示面板111以及提供驱动信号以用于驱动该显示面板的驱动电路112。
在本公开的又一方面,还公开一种用于制备显示面板的方法。该方法可以制备根据本公开的至少一个显示面板,诸如根据上面详细公开的一个或多个实施例的至少一个显示面板。因此,对于该方法的可选实施例,可以参考显示面板的实施例。该方法可以包括下面的步骤,其可以以给定的顺序或以不同的顺序执行。此外,可以提供未列出的附加方法步骤。此外,可以至少部分地同时执行两个或更多个或甚至所有的方法步骤。此外,方法步骤可以重复执行两次或甚至多于两次。
图12示意性示出在本公开的一个或多个实施例中的用于制备显示面板的方法的流程图。图13(a)至13(e)示意性示出在本公开的一个或多个实施例中的用于制备显示面板的方法的过程。如图12所示,该方法可以包括步骤S122、S124、S126、S128、S130。
在步骤S122,提供背板52(如图13(a)所示)。该背板52可以包括衬底524、设置在衬底524上的多个驱动晶体管523,以及位于驱动晶体管523和第一电极54之间的绝缘层525。衬底524的材料可以为单晶硅或多晶硅等半导体材料。绝缘层525的材料可以包括例如氮化硅和氧化硅中的至少一种。
在步骤S124,在所述背板52上形成第一导电层(如图13(b)所示)。该第一导电层可以包括第一层、第二层和第三层。第一层可以包括钛(Ti),第二层可以包括铝(Al),并且第三层可以包括钛(Ti)或氮化钛(TiNx)。
在步骤S126,构图所述第一导电层和所述背板52,以形成多个第一导电部541和多个凹槽522(如图13(c)所示)。每个第一导电部包括第一层、第二层和第三层。所述多个凹槽522将所述背板52分离成多个像素区521,且所述多个第一导电部541分别位于所述多个像素区521上。在本公开的一些实施例中,凹槽522可以位于背板52的绝缘层中,并且凹槽522的深度可以小于绝缘层的深度。
在步骤S128,在多个第一导电部541上和所述凹槽522内形成第二导电层(如图13(d)所示)。第二导电层的材料可以包括例如氧化铟锡(ITO)。
在步骤S130,构图所述第二导电层,以形成所述多个第二导电部542(如图13(e)所示),其中,所述多个第二导电部542中的每一个覆盖所述第一导电部541的并延伸到与所述第一导电部541相邻的所述凹槽522的底面5221上一定宽度。
通过使第二导电部542延伸到凹槽522的底面5221上一定宽度,除了第一电极54和第二电极56在像素区形成的电场之外,第二导电部542的在凹槽522的底面5221上的延伸部分5422和第二电极56之间也可以形成电场,该电场能够使横向偏移的载流子向上或向下偏转,从而阻止载流子在像素之间的移动,因而可以改善串扰现象。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例,但是,在合适的情况下,这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中,即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请,并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。
存在与本公开的上述方面相关的已注意的特征的各种细化。进一步的特征也可被并入本公开的上述方面中。这些细化和附加的特征可单独或以 任何组合的方式存在。例如,在上面讨论的与本公开的任何说明性实施例相关的各种特征可单独或者以任何组合的方式被并入本公开的任何上述方面中。
Claims (27)
- 一种显示面板,包括:背板,所述背板包括多个像素区和被配置为将所述多个像素区彼此分离的多个凹槽;以及位于所述背板上的多个第一电极,其中,所述多个第一电极在所述背板上的正投影分别与所述多个像素区部分重叠,并且所述多个第一电极中的至少一个的至少一部分延伸到与所述第一电极相邻的所述凹槽的底面上一定宽度。
- 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个第一电极中的至少一个包括:位于所述背板的所述像素区上的第一导电部,以及覆盖所述第一导电部的并延伸到与所述第一导电部相邻的所述凹槽的底面上一定宽度的第二导电部。
- 根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第二导电部包括位于所述第一导电部上的中间部、位于所述凹槽的底面上的延伸部以及连接所述中间部和所述延伸部的连接部。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述延伸部的宽度等于所述延伸部所位于的所述凹槽的底面的宽度的1/6~1/3。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述凹槽的两个侧壁的延伸面相交,并且所述两个侧壁的所述延伸面的交线位于所述凹槽的底面的背离所述凹槽的开口的一侧或位于所述凹槽的底面的面向所述凹槽的开口的一侧。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第一导电部的侧面的斜率和与所述侧面相邻的凹槽的侧壁的斜率相同。
- 根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一导电部的侧面和与所述侧面相邻的所述凹槽的侧壁共面。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第一导电部的侧面的斜率小于与所述侧面相邻的凹槽的侧壁的斜率。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第一导电部的侧面为非平面,所述第一导电部的侧面包括邻近所述凹槽的第一斜面和与所述第一斜面相交并远离所述凹槽的第二斜面,其中,所述第一斜面的斜率小于所述第二斜面的斜率,所述第一斜面与所述第二斜面之间的夹角为钝角,并且所述第一斜面与所述第一导电部所位于的所述背板的表面的夹角为锐角。
- 根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第一导电部包括位于所述背板上的第一层、位于所述第一层上的第二层、以及位于所述第二层上的第三层。
- 根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述第一斜面为所述第一层的侧面,并且所述第二斜面为所述第二层和所述第三层的侧面。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述凹槽的侧壁包括朝向所述背板内部凹陷的内凹结构,所述内凹结构位于所述凹槽的侧壁的靠近所述第一导电部的位置。
- 根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述内凹结构的深度小于所述第一斜面在所述背板上的正投影的宽度。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述凹槽的底面包括子凹槽,所述子凹槽的宽度基本上等于相邻第二导电部的延伸部之间的距离。
- 根据权利要求14所述的显示面板,其中,所述子凹槽的深度不大于所述凹槽的最小深度的1/3。
- 根据权利要求3至15中任一项所述的显示面板,其中,所述连接部覆盖于所述第一导电部的侧面和所述凹槽的侧壁。
- 根据权利要求16所述的显示面板,还包括:像素定义层,所述像素定义层具有暴露所述第二导电部的所述中间部的一部分的开口,所述像素定义层包括多个像素定义单元,每个所述像素定义单元包括位于所述凹槽中的第一凹陷部和位于所述第一凹陷部两侧并覆盖所述中间部的未被暴露的另一部分的第一平坦部,其中,所述第一凹陷部包括覆盖所述连接部的侧壁部以及位于所述凹槽的底面和所述第二导电部的所述延伸部上的底 部。
- 根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述第二导电部的所述连接部相对于所述延伸部的倾角小于或等于所述第一凹陷部的所述侧壁部相对于所述底部的倾角。
- 根据权利要求18所述的显示面板,其中,所述第二导电部的所述连接部的所述倾角为80°~120°,且所述第一凹陷部的所述侧壁部的所述倾角为85°~125°。
- 根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述像素定义层的所述第一平坦部的宽度等于所述中间部的宽度的1/20~1/10。
- 根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述像素定义层的厚度等于所述第一导电部的厚度的1/4至1/2。
- 根据权利要求1至15和17至21中任一项所述的显示面板,其中,所述第一导电部的厚度等于所述凹槽的最小深度的1.5倍至2.5倍。
- 根据权利要求22所述的显示面板,其中,所述第一导电部的厚度等于所述第二导电部的厚度的6倍至8倍。
- 根据权利要求17所述的显示面板,还包括:位于所述像素定义层的远离所述背板的一侧的发光功能层;以及位于所述发光功能层的远离所述背板的一侧的第二电极。
- 根据权利要求24所述的显示面板,其中,所述发光功能层包括:位于所述像素定义层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第一颜色光的第一发光功能子层;位于所述第一发光功能子层的远离所述背板的一侧的电荷产生层;位于所述电荷产生层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第二颜色的光的第二发光功能子层;以及位于所述第二发光功能子层的远离所述背板的一侧的被配置为发射第三颜色的光的第三发光功能子层。
- 根据权利要求24所述的显示面板,其中,所述第二电极包括:多个第二平坦部,所述多个第二平坦部与所述多个第一电极相对应, 并且每个第二平坦部在所述背板上的正投影位于所对应的第一电极在所述背板上的正投影内;以及多个第二凹陷部,所述多个第二凹陷部与所述多个凹槽相对应,并且每个第二凹陷部在所述背板上的正投影覆盖所对应的凹槽在所述背板上的正投影。
- 一种显示装置,包括根据权利要求1至26中任一项所述的显示面板。
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