WO2023065206A1 - 显示基板以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板以及显示装置，该显示基板包括驱动电路基板(110)、多个第一电极(150)以及像素界定层(140)，驱动电路基板(110)包括多个像素驱动电路(120)以及保护绝缘层(130)，保护绝缘层(130)包括暴露多个像素驱动电路(120)的输出端(121)的多个第一过孔(131)，多个第一电极(150)分别通过多个第一过孔(131)与多个像素驱动电路(120)的输出端(121)电连接，多个第一电极(150)的每个包括叠层设置的第一子电极层(151)、第二子电极层(152)以及第一子电极层(151)和第二子电极层(152)之间的过渡层(153)，过渡层(153)中具有第一开口(153A)，第一子电极层(151)和第二子电极层(152)通过第一开口(153A)电连接；像素界定层(140)包括分别暴露多个第一电极(150)的多个子像素开口(141)；多个第一电极(150)中的至少一个的过渡层(153)的第一开口(153A)在驱动电路基板(110)上的正投影位于像素界定层(140)在驱动电路基板(110)上的正投影的内部。该显示基板具有更好的出光均匀性，从而具有更好的显示效果。
Description
本公开的实施例涉及一种显示基板以及显示装置。
硅基微显示有机发光显示面板具有微型化和高像素密度(Pixel Per Inch,简称PPI)等优势，逐步成为显示领域的关注焦点。硅基微显示有机发光显示面板例如可以用于虚拟现实(Virtual Reality,简称VR)技术和增强现实(Augmented Reality，简称AR)技术中，可以实现优异的显示效果。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板具有阵列排布的多个子像素，且包括驱动电路基板、多个第一电极以及像素界定层，驱动电路基板包括用于所述多个子像素的多个像素驱动电路以及覆盖所述多个像素驱动电路的保护绝缘层，其中，所述保护绝缘层包括暴露所述多个像素驱动电路的输出端的多个第一过孔，多个第一电极设置在所述驱动电路基板上，分别通过所述多个第一过孔与所述多个像素驱动电路的输出端电连接，其中，所述多个第一电极的每个包括叠层设置的第一子电极层、第二子电极层以及所述第一子电极层和所述第二子电极层之间的过渡层，所述过渡层中具有第一开口，所述第一子电极层和所述第二子电极层通过所述第一开口电连接；像素界定层设置在所述多个第一电极的远离所述驱动电路基板的一侧，包括分别暴露所述多个第一电极的多个子像素开口；其中，所述多个第一电极中的至少一个的过渡层的第一开口在所述驱动电路基板上的正投影位于所述像素界定层在所述驱动电路基板上的正投影的内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，对于对应设置的第一电极和子像素开口，所述第一电极和所述子像素开口的整体在第一方向上对称，在第二方向上非对称，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第一过孔中的至少一个在所述驱动电路基板上的正投影位于所述像素界定层在所述驱动电路基板上的正投影的内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第一过孔在所述驱动电路基板上的正投影分别位于所述多个第一开口在所述驱动电路基板上的正投影内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括多个第一连接电极，其中，所述多个第一连接电极分别设置在所述多个第一过孔中，以使所述多个第一连接电极的第一端分别与所述多个像素驱动电路的输出端电连接，所述多个第一连接电极的第二端分别与所述多个第一电极电连接；所述第一连接电极的第二端突出于所述保护绝缘层的远离所述驱动电路基板的表面。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第一连接电极在所述驱动电路基板上的正投影分别位于所述多个第一开口在所述驱动电路基板上的正投影内部。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个子像素的每个包括两个第一连接电极，在平行于所述驱动电路基板的表面的平面中，所述两个第一连接电极沿第一方向排列。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第一电极的每个还包括第三子电极层，所述第三子电极层设置在所述第二子电极层的靠近所述驱动电路基板的一侧，并与所述第一连接电极连接，所述第一子电极层设置在所述第二子电极层的远离所述驱动电路基板的一侧。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第三子电极的材料包括钛，所述第一连接电极的材料包括钨。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二子电极层的材料包括铝或银。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一子电极层的材料包括透明金属氧化物。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述过渡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括多个第二连接电极，其中，所述多个第二连接电极分别设置在所述多个第一电极的过渡层的第一开口中，以使所述多个第二连接电极的第一端分别与所述多个第一电极的第一子电极层连接，所述多个第二连接电极的第二端分别与所述多个第一电极的第二子电极电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第二连接电极的第一端分别突出于所述多个第一电极的第一子电极层的远离所述驱动电路基板的表面。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二连接电极的厚度大于所述第三子电极层的厚度。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二连接电极覆盖所述第一开口并延伸至所述多渡层的远离所述驱动电路基板的表面。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素界定层在所述第一开口位置处包括凹陷结构。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二连接电极的材料包括钛。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一开口的平面形状呈V字形。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述V字形的开口朝向所述第一电极的中心。
例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个第一电极的平面形状呈多边形，所述多个子像素开口的平面形状呈圆形或者椭圆形。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的显示基板。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种硅基显示基板的截面示意图；
图1B为一种硅基显示基板的另一截面示意图；
图2为另一种硅基显示基板的部分截面示意图；
图3为一种硅基显示基板中一个子像素的阳极的平面示意图；
图4为一种硅基显示基板中一个子像素的阳极与子像素开口的平面示意图；
图5为本公开至少一实施例提供的显示基板的平面示意图；
图6为图5所示的显示基板沿M-M线的部分截面示意图；
图7为本公开至少一实施例提供的显示基板中一个子像素的第一电极与子像素开口的平面示意图；
图8为本公开至少一实施例提供的显示基板的扫描电镜图；
图9为本公开至少一实施例提供的显示基板的另一扫描电镜图；
图10为图5所示的显示基板沿M-M线的另一截面示意图；
图11为图5所示的显示基板沿M-M线的再一截面示意图；
图12为本公开至少一实施例提供的显示基板的再一扫描电镜图；
图13A-图13D为本公开至少一实施例提供的显示基板中第一电极的多个功能层的平面示意图；以及
图13E为本公开至少一实施例提供的显示基板中像素界定层的平面示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他 元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
微型OLED属于一种硅基显示器件。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸，有利于实现高度集成化。例如，图1A示出了一种硅基显示基板的截面示意图，如图1A所示，硅基显示基板包括驱动电路基板10以及多个发光器件50等结构。
例如，硅基显示基板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括发光器件50以及设置在驱动电路基板10中的驱动电路20，驱动电路20配置为驱动发光器件50发光。发光器件50包括阳极51、发光材料层52以及阴极53，阳极21通过绝缘层30中的通孔与驱动电路20连接。阳极51上设置有像素界定层40，像素界定层40具有多个子像素开口，每个子像素开口暴露一个发光器件50的阳极51，从而限定该发光器件50的发光区域。
例如，图1B示出了硅基显示基板的另一截面示意图。在一些实施例中，如图1B所示，驱动电路20包括驱动晶体管T1和连接电极70等结构。驱动晶体管T1包括源电极S、漏电极D和半导体层M，半导体层M位于源电极S和漏电极D之间，源电极S和漏电极D之一(此处为漏电极D)通过连接电极70与阳极51电连接。半导体层M例如为源电极S和漏电极D之间形成的沟道区。
例如，如图1B所示，驱动晶体管T1还包括栅电极G，栅电极G、源电极S和漏电极D分别对应三个电极连接部。例如，栅电极G电连接于栅电极连接部10g，源电极S电连接于源电极连接部10s，漏电极D电连接于漏电极连接部10d。例如，驱动晶体管T1的漏电极D通过漏电极连接部10d电连接于连接电极70，栅电极G和源电极S分别通过栅电极连接部10g和源电极连接部10s电连接于扫描线和电源线。在扫描线提供开启信号，驱动晶体管T1处于开启状态，由电源线提供的电信号可经过驱动晶体管T1的漏电极D、漏电极连接部102d和连接电极70传输到阳极51。由于阳极51与阴极53之间形成电压差，在二者之间形成电场，发光材料层52在该电场作用下发光。
例如，如图1A和图1B所示，硅基显示基板还可以包括设置在发光器 件50上的封装层60以及设置在封装层60上的彩色滤光片70。封装层60可以对发光器件50进行封装与保护，例如还可以起到平坦化的作用，以提供一个平坦的表面。例如，每个子像素的发光器件50可以发出白光，此时，每个子像素的发光器件50上设置的彩色滤光片70的颜色不同，例如为红色、绿色和蓝色等，从而实现全彩显示；或者，每个子像素的发光器件50可以分别发出不同颜色的光，例如红色、绿色和蓝色等，此时，每个子像素的发光器件50上设置的彩色滤光片70的颜色与该发光器件50发出的光的颜色相同，从而可以提高该发光器件50的发出的光的色纯度。
例如，在本公开的一些实施例中，由于阳极51具有多层叠层结构，其厚度较大，因此阳极51和像素界定层40整体会呈现如图2所示的结构，如图2所示，阳极51具有多层叠层结构，且在多层叠层结构中存在连接结构51A，用于连接在多层叠层结构中间隔设置的功能层。例如，像素界定层40的子像素开口41处于阳极51的中间部位，使得阳极51的中间部位形成为发光器件50的发光区域，此时，子像素开口41与阳极51的整体呈中心对称。
例如，图3示出了一个子像素的阳极51的平面示意图，图4示出了一个子像素的子像素开口41以及阳极51的平面示意图，如图4所示，像素界定层40的子像素开口41处于阳极51的中间部位，子像素开口41与阳极51的整体呈中心对称。此时，结合图2和图4，在阳极51反射发光材料层52发出的光时，连接结构51A会对光线产生折射作用，被折射的光可以从子像素开口41出射，并且由于被折射的光的传播方向与其他出射光的传播方向不同，因此会导致子像素出光不均匀，进而影响显示基板的显示效果。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板具有阵列排布的多个子像素，且包括驱动电路基板、多个第一电极以及像素界定层，驱动电路基板包括用于多个子像素的多个像素驱动电路以及覆盖多个像素驱动电路的保护绝缘层，保护绝缘层包括暴露多个像素驱动电路的输出端的多个第一过孔，多个第一电极设置在驱动电路基板上，分别通过多个第一过孔与多个像素驱动电路的输出端电连接，多个第一电极的每个包括叠层设置的第一子电极层、第二子电极层以及第一子电极层和第二子电极层之间的过渡层，过渡层中具有第一开口，第一子电极层和第二子电极层通过第一开口电连接；像素界定层设置在多个第一电极的 远离驱动电路基板的一侧，包括分别暴露多个第一电极的多个子像素开口；其中，多个第一电极中的至少一个的过渡层的第一开口在驱动电路基板上的正投影位于像素界定层在驱动电路基板上的正投影的内部。
本公开至少一实施例提供的上述显示基板的多个子像素的出射光更均匀，使得显示基板具有更好的显示效果。
下面，通过几个具体的实施例来详细介绍本公开实施例提供的显示基板。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，图5示出了该显示基板的平面示意图，图6示出了图5中的显示基板沿M-M线的部分截面示意图。
如图5和图6所示，该显示基板具有显示区域AA以及围绕显示区域AA的周边区域NA，显示基板还具有阵列排布的多个子像素P，多个子像素P设置在显示区域AA中。
如图6所示，显示基板包括驱动电路基板110、多个第一电极150以及像素界定层140，驱动电路基板10包括用于多个子像素P的多个像素驱动电路120以及覆盖多个像素驱动电路120的保护绝缘层130，保护绝缘层130包括暴露多个像素驱动电路120的输出端121的多个第一过孔131，多个第一电极150设置在驱动电路基板110上，分别通过多个第一过孔131与多个像素驱动电路120的输出端121电连接。
例如，如图6所示，每个第一电极150包括叠层设置的第一子电极层151、第二子电极层152以及第一子电极层151和第二子电极层152之间的过渡层153，过渡层153中具有第一开口153A，第一子电极层151和第二子电极层152通过第一开口153A电连接。
例如，在一些实施例中，每个子像素P包括像素驱动电路120和发光器件，像素驱动电路120配置为驱动发光器件发光。像素驱动电路120可以包括驱动晶体管以及连接电极等结构，具体可以参见图1B及其相关描述，这里不再赘述。发光器件可以包括阳极、阴极以及二者之间的发光材料层。例如，第一电极150可以作为发光器件的阳极，此时，第二子电极层152可以作为反射电极，用于反射其上形成的发光材料层发出的光，以提高发光器件的出光率。
例如，第二子电极层152的材料可以包括铝或银等具有高反射率的 金属材料或者合金材料。例如，第一子电极层151具有较高的功函数以及光透过率，第一子电极层151的材料可以包括透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)等。由此，被第二子电极层152反射的光可以几乎无损失地穿过第一子电极层151，以提高发光器件的出光效率和出光亮度。
本公开的实施例中，过渡层153可以提高第一子电极层151和第二子电极层152之间的粘结力，避免第一子电极层151和第二子电极层152直接连接导致二者容易分离，进而提高第一电极的结构稳定性。例如，在一些示例中，过渡层153的材料可以包括绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
例如，像素界定层140设置在多个第一电极150的远离驱动电路基板110的一侧，包括分别暴露多个第一电极150的多个子像素开口141。例如，像素界定层140可以采用聚酰亚胺等有机绝缘材料。
例如，多个第一电极150中的至少一个的过渡层153的第一开口153A在驱动电路基板10上的正投影位于像素界定层140在驱动电路基板110上的正投影的内部。例如，每个第一电极150的过渡层153的第一开口153A在驱动电路基板10上的正投影均位于像素界定层140在驱动电路基板110上的正投影的内部。
由此，像素界定层140可以遮挡住第一开口153A，避免第二子电极层152反射的发光材料层发出的光被第一开口153A中填充的材料折射后从子像素开口141中出射而影响发光器件的出光均匀性。例如，如图6所示，通过上述设计，第二子电极层152反射的发光材料层发出的光可以从均匀地从子像素开口141中出射，从而提高了显示器件的出光均匀性，进而提高整个显示面板的出光均匀性，提高显示面板的显示效果。
例如，图7示出了一个子像素的第一电极和子像素开口的平面示意图，如图7所示，对于一个子像素中对应设置的第一电极150和子像素开口141，第一电极150和子像素开口141的整体在第一方向(例如图7中的水平方向)上对称，在第二方向(例如图7中的竖直方向)上非对称，第一方向垂直于第二方向。由此，子像素开口141不会暴露出第一开口153A，也即像素界定层140可以充分遮挡住第一开口153A。
例如，在一些实施例中，多个第一过孔131中的至少一个在驱动电路基板110上的正投影位于像素界定层140在驱动电路基板110上的正投影的内部。例如，每个第一过孔131在驱动电路基板110上的正投影均位于像素界定层140在驱动电路基板110上的正投影的内部。
例如，在一些实施例中，如图6所示，显示基板还包括多个第一连接电极160，多个第一连接电极160分别设置在多个第一过孔131中，以使多个第一连接电极160的第一端161分别与多个像素驱动电路120的输出端121电连接，多个第一连接电极160的第二端162分别与多个第一电极150电连接。例如，第一连接电极160的第二端162突出于保护绝缘层130的远离驱动电路基板110的表面(即图中保护绝缘层130的上表面)，由此利于第一连接电极160与第一电极150的稳固连接。
由于第一连接电极160的第二端162突出于保护绝缘层130的远离驱动电路基板110的表面，使得其上形成的第一电极150也会相应地具有形状变化，例如第一电极150的第二子电极层152的靠近驱动电路基板110的表面具有凹陷部，因此在该凹陷部反射发光材料层发出的光时，也可能会出现反射光不均匀的现象，影响显示基板的显示效果。
本公开的实施例中，像素界定层140还可以遮挡住第一过孔131，也即遮挡第一连接电极160，从而可以遮挡被第二子电极层152的凹陷部反射的光，避免由于第一连接电极160的突出导致第二子电极层152反射光不均匀性的现象。
例如，在一些实施例中，多个第一连接电极160在驱动电路基板110上的正投影分别位于多个第一开口153A在驱动电路基板110上的正投影内部。由此，第一电极150中影响发光器件出光均匀性的结构均集中在基本相同的位置，从而减小第一电极150中影响发光器件出光均匀性的结构所占据的空间，以保证子像素开口141还可以具有足够的大小，以形成发光器件的发光区域。
例如，在一些实施例中，每个第一电极150可以对应一个或多个第一过孔131，从而也具有一个或多个第一连接电极160，图6和图7中示出两个第一过孔131和两个第一连接电极160作为示例。如图6和图7所示，每个第一过孔131在驱动电路基板110上的正投影分别位于多个第一开口153A在驱动电路基板110上的正投影内部，此时，每个第 一过孔131中的第一连接电极160在驱动电路基板110上的正投影也分别位于多个第一开口153A在驱动电路基板110上的正投影内部。由此，像素界定层140可以在基本相同的位置充分遮挡第一过孔131以及第一连接电极160。
例如，在平行于驱动电路基板110的表面的平面中，如图7所示，两个第一连接电极160沿第一方向(图中的竖直方向)排列。例如，第一方向为显示基板中子像素的列方向或者行方向。
例如，在一些实施例中，如图6所示，子像素开口141与第一开口153A的最小距离L可以为0.1μm-0.3μm，例如0.15μm、0.2μm或者0.25μm等，以保证不均匀的光被充分遮挡，避免被大角度折射的光从子像素开口141中通过。
例如，在一些实施例中，如图6所示，每个第一电极150还可以包括第三子电极层155，第三子电极层155设置在第二子电极层152的靠近驱动电路基板110的一侧，并与第一连接电极160连接，第一子电极层151设置在第二子电极层152的远离驱动电路基板110的一侧。
例如，第三子电极155可以作为连接电极，用于实现第一电极150与第一连接电极160的有效连接，并且可以降低第一电极150与第一连接电极160的接触电阻。例如，在一些示例中，第三子电极155的材料包括钛，第一连接电极160的材料包括钨。钛与钨之间接触电阻较小，因此采用上述材料形成第三子电极155和第一连接电极160可以整体提高第一电极150与像素驱动电路120的电连接效果以及信号传输效果。
例如，在一些实施例中，如图6所示，显示基板还可以包括多个第二连接电极154，多个第二连接电极154分别设置在多个第一电极150的过渡层153的第一开口153A中，以使多个第二连接电极154的第一端154A分别与多个第一电极的第一子电极层151连接，多个第二连接电极154的第二端154B分别与多个第一电极的第二子电极152电连接。由此，第一子电极层151和第二子电极152通过第二连接电极154实现电连接。
例如，如图6所示，第二连接电极154的第一端154A突出于第一子电极层151的远离驱动电路基板110的表面，从而利于第二连接电极154与第一子电极层151的稳固连接。
例如，在一些实施例中，第二连接电极154的材料可以包括钛等金属材料。此时，第二连接电极154与第一子电极层151和第二子电极152之间的接触电阻较小，有利于提高电连接效果以及信号传输效果。
例如，在一些实施例中，如图7所示，第一开口153A的平面形状可以呈V字形。例如，V字形的开口朝向第一电极150的中心。由此，第一开口153A可以在保持具有较大的开口面积的同时，为子像素开口141的设置避让空间。
例如，在一些实施例中，如图7所示，多个第一电极150的平面形状可以呈多边形，例如五边或者六边形(图中示出的情况)等，多个子像素开口141的平面形状可以呈圆形(图中示出的情况)或者椭圆形等。例如，在一些示例中，如图7所示，V字形的开口角度a可以为110度-160度，例如120度、150度等，从而第一开口153A可以充分占据子像素开口141的周边空间，提高空间利用率。
例如，图8和图9分别示出了多个第一电极150与多个子像素开口141的扫描电镜示意图，如图8和图9所示，在该示例中，多个第一电极150呈六边形，并且相邻的两行第一电极150错位排列，使得相邻的两行第一电极150的形状互补，以充分利用排布空间，以使相同的排布空间内，第一电极150的数量更多，因此使形成的显示基板的分辨率更大。
例如，如图9所示，由于第二连接电极154的第一端154A突出于第一子电极层151的远离驱动电路基板110的表面，像素界定层140遮挡住第二连接电极154，此时，像素界定层140的表面也相应地具有突出部140A，但是由于子像素开口141不会暴露第二连接电极154，因此发光器件在子像素开口141中出射的光依然可以具有较高的均匀性。
例如，在一些实施例中，第二连接电极154的厚度大于第三子电极层155的厚度。
例如，在一些示例中，第三子电极层155的厚度可以为5nm-15nm，例如10nm，第二子电极层152的厚度可以为90nm-110nm，例如100nm，过渡层153的厚度可以为25nm-35nm，例如30nm，第二连接电极154的厚度可以为15nm-30nm，例如20nm，此时，第二连接电极154的厚度大于过渡层153的厚度，由此第一电极150在第二连接电极154的位 置处体现为突出的形式。
例如，在另一些示例中，如图11所示，第二连接电极154覆盖第一开口153A并延伸至过渡层153的远离驱动电路基板110的表面。例如，像素界定层140在第一开口153A的位置处包括凹陷结构。
例如，图12示出了图11所示的显示基板的扫描电镜图，如图12所示，第二连接电极154的第一端154A相对于第一子电极层151的远离驱动电路基板110的表面凹陷，由此形成凹坑的形式。
例如，在图11和图12所示的示例中，第三子电极层155的厚度可以为5nm-15nm，例如10nm，第二子电极层152的厚度可以为90nm-110nm，例如100nm，过渡层153的厚度可以为25nm-35nm，例如30nm，第二连接电极154的厚度可以为5nm-15nm，例如10nm，此时，第二连接电极154的厚度小于过渡层153的厚度，由此第一电极150在第二连接电极154的位置处体现为凹坑的形式。
例如，图13A-图13D示出了第一电极的多个功能层的平面示意图；图13E示出了像素界定层的平面示意图。例如，图13A示出了第二子电极层和第三子电极层的平面示意图，例如，如图13A所示，第二子电极层152和第三子电极层155的平面形状相同，均为六边形。例如，相邻的子像素的第二子电极层152(或第三子电极层155)的间距为0.9微米。例如，图13B示出了过渡层的平面示意图，例如，如图13B所示，过渡层153具有第一开口153A，第一开口153A呈V字形，例如，在V字形的直线部分，第一开口153A的宽度约为0.4252微米，在V字形的顶端，第一开口153A的宽度约为0.402微米。例如，图13C示出了第二连接电极的平面示意图，例如，如图13C所示，第二连接电极154相应地呈V字形，例如，在V字形的直线部分，第二连接电极154的宽度约为0.6265微米，在V字形的顶端，第二连接电极154的宽度约为0.722微米。此时，第二连接电极154覆盖第一开口153A且延伸至过渡层153的远离驱动电路基板110的表面。例如，图13D示出了第一子电极层的平面示意图，例如，如图13D所示，第一子电极层151的平面形状为六边形。例如，相邻的子像素的第一子电极层151的间距为0.7微米。
例如，图13E示出了像素界定层的平面示意图，例如，如图13E所示，像素界定层140具有子像素开口141，子像素开口141的形状为圆 形。例如，相邻的子像素的子像素开口141的间距为1.1微米。
例如，图10示出了图5中的显示基板沿M-M线的另一截面示意图。如图10所示，第一电极150上还形成有发光材料层170以及第二电极层180等结构，第一电极150、发光材料层170和第二电极层180共同组成发光器件，第二电极层可以作为发光器件的阴极，例如可以采用锂、铝、镁、银等金属材料或者合金材料。发光材料层170可以包括发光层以及辅助发光层发光的辅助发光层，例如，辅助发光层可以为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的一种或多种，本公开的实施例对发光材料层170的具体形式不做限定。
例如，第二电极层上还可以形成封装层190，封装层190可以采用有机封装层和无机封装层叠层的复合封装层，有机封装层可以采用聚酰亚胺、树脂等有机材料，无机封装层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机材料。
例如，在一些实施例中，封装层190上还可以形成彩色滤光片层200、透镜层210等其他功能层。例如，彩色滤光片层200可以包括多个彩色滤光片，每个彩色滤光片对应于子像素开口141设置，以过滤从子像素开口141出射的光。例如，透镜层210可以包括多个透镜211，每个透镜211可以对应于子像素开口141设置，例如，透镜211可以为凸透镜，平面形状为圆形或者正方形等，此时，子像素开口141的平面形状(例如圆形)可与透镜211向匹配，以提高子像素的出光亮度。
例如，透镜层210上还可以包括粘结层、盖板等其他结构，具体可以参考相关技术，本公开的实施例对显示基板的其他结构不做具体限定。
例如，本公开的实施例中，驱动电路基板10可以采用硅基基板以及半导体制造技术形成，例如可以在晶圆厂制作完成，因此，本公开实施例提供的显示基板可以通过直接在该驱动电路基板10上形成第一电极、发光材料层、第二电极层以及封装层等结构而形成，制备工艺简单。并且，由于硅基驱动电路基板的制作工艺成熟，性能稳定，适于制作高集成度的微型显示器件。因此，本公开实施例提供的显示基板可以为硅基微型有机发光二极管显示基板。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的显示基板。例如，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电 视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、VR显示设备等任何具有显示功能的产品或部件。
还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例的附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (22)
- 一种显示基板，具有阵列排布的多个子像素，且包括：驱动电路基板，包括用于所述多个子像素的多个像素驱动电路以及覆盖所述多个像素驱动电路的保护绝缘层，其中，所述保护绝缘层包括暴露所述多个像素驱动电路的输出端的多个第一过孔，多个第一电极，设置在所述驱动电路基板上，分别通过所述多个第一过孔与所述多个像素驱动电路的输出端电连接，其中，所述多个第一电极的每个包括叠层设置的第一子电极层、第二子电极层以及所述第一子电极层和所述第二子电极层之间的过渡层，所述过渡层中具有第一开口，所述第一子电极层和所述第二子电极层通过所述第一开口电连接；以及像素界定层，设置在所述多个第一电极的远离所述驱动电路基板的一侧，包括分别暴露所述多个第一电极的多个子像素开口；其中，所述多个第一电极中的至少一个的过渡层的第一开口在所述驱动电路基板上的正投影位于所述像素界定层在所述驱动电路基板上的正投影的内部。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，对于对应设置的第一电极和子像素开口，所述第一电极和所述子像素开口的整体在第一方向上对称，在第二方向上非对称，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。
- 根据权利要求1或2所述的显示基板，其中，所述多个第一过孔中的至少一个在所述驱动电路基板上的正投影位于所述像素界定层在所述驱动电路基板上的正投影的内部。
- 根据权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，所述多个第一过孔在所述驱动电路基板上的正投影分别位于所述多个第一开口在所述驱动电路基板上的正投影内部。
- 根据权利要求1-4任一所述的显示基板，还包括多个第一连接电极，其中，所述多个第一连接电极分别设置在所述多个第一过孔中，以使所述多个第一连接电极的第一端分别与所述多个像素驱动电路的输出端电连接，所述多个第一连接电极的第二端分别与所述多个第一电极电连接；所述第一连接电极的第二端突出于所述保护绝缘层的远离所述驱动电路基板的表面。
- 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述多个第一连接电极在所述驱动电路基板上的正投影分别位于所述多个第一开口在所述驱动电路基板上的正投影内部。
- 根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述多个子像素的每个包括两个第一连接电极，在平行于所述驱动电路基板的表面的平面中，所述两个第一连接电极沿第一方向排列。
- 根据权利要求1-7任一所述的显示基板，其中，所述多个第一电极的每个还包括第三子电极层，所述第三子电极层设置在所述第二子电极层的靠近所述驱动电路基板的一侧，并与所述第一连接电极连接，所述第一子电极层设置在所述第二子电极层的远离所述驱动电路基板的一侧。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第三子电极的材料包括钛，所述第一连接电极的材料包括钨。
- 根据权利要求1-9任一所述的显示基板，其中，所述第二子电极层的材料包括铝或银。
- 根据权利要求1-10任一所述的显示基板，其中，所述第一子电极层的材料包括透明金属氧化物。
- 根据权利要求1-11任一所述的显示基板，其中，所述过渡层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
- 根据权利要求8所述的显示基板，还包括多个第二连接电极，其中，所述多个第二连接电极分别设置在所述多个第一电极的过渡层的第一开口中，以使所述多个第二连接电极的第一端分别与所述多个第一电极的第一子电极层连接，所述多个第二连接电极的第二端分别与所述多个第一电极的第二子电极电连接。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述多个第二连接电极的第一端分别突出于所述多个第一电极的第一子电极层的远离所述驱动电路基板的表面。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二连接电极的厚度大于所述第三子电极层的厚度。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二连接电极覆盖所述第一开口并延伸至所述多渡层的远离所述驱动电路基板的表面。
- 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述像素界定层在所述第一开口位置处包括凹陷结构。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二连接电极的材料包括钛。
- 根据权利要求1-18任一所述的显示基板，其中，所述第一开口的平面形状呈V字形。
- 根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述V字形的开口朝向所述第一电极的中心。
- 根据权利要求1-20任一所述的显示基板，其中，所述多个第一电极的平面形状呈多边形，所述多个子像素开口的平面形状呈圆形或者椭圆形。
- 一种显示装置，包括权利要求1-21任一所述的显示基板。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220149334A1 (en) * | 2020-11-10 | 2022-05-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display Panel and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040217697A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Kwan-Hee Lee | High efficiency organic electroluminescent display and method for fabricating the same |
| US20080111484A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Kwon Do-Hyun | Organic light emitting display apparatus employing anode having multi-layer structure |
| CN107749419A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种电致发光显示面板及显示装置 |
| CN112820763A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示面板及显示装置 |
| US20210273196A1 (en) * | 2018-07-17 | 2021-09-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Oled display panel |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040217697A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Kwan-Hee Lee | High efficiency organic electroluminescent display and method for fabricating the same |
| US20080111484A1 (en) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Kwon Do-Hyun | Organic light emitting display apparatus employing anode having multi-layer structure |
| CN107749419A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种电致发光显示面板及显示装置 |
| US20210273196A1 (en) * | 2018-07-17 | 2021-09-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Oled display panel |
| CN112820763A (zh) * | 2019-07-31 | 2021-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示面板及显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220149334A1 (en) * | 2020-11-10 | 2022-05-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display Panel and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus |
| US11864415B2 (en) * | 2020-11-10 | 2024-01-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and preparation method thereof, and display apparatus |
Also Published As
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