TWI692097B - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種有機發光顯示設備。有機發光顯示設備包含像素電極；像素定義層，其覆蓋至少一部分的像素電極的邊緣；發射層，其在像素電極上；以及第一中間層，其在像素電極以及像素定義層上，第一中間層具有第一通孔對應於至少一部分的像素定義層的上表面。
Description
2015年8月7日提交韓國知識產權局的韓國專利申請號No. 10-2015-0111632，且標題為「有機發光顯示設備及其製造方法」，其全部內容透過引用併入本文。
一或多個實施例有關於有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備的方法。
有機發光顯示設備是可以在顯示區域中包括有機發光二極體（OLED）的顯示設備。OLED可包含彼此面對的像素電極及相反電極，以及設置於像素電極以及相反電極之間且包含發射層的中間層。
實施例可通過提供一種有機發光顯示設備來實現，其包含像素電極；像素定義層，其覆蓋至少一部分的像素電極的一邊緣；在像素電極上的發射層；以及在像素電極以及像素定義層上的第一中間層，第一中間層具有第一通孔對應於至少一部分的像素定義層的上表面。
對應於像素電極的第一中間層的一部分可在像素電極以及發射層之間。
有機發光顯示設備可更進一步包含在像素電極以及像素定義層上的第二中間層，第二中間層具有一部分對應於發射層上的像素電極。
第二中間層應具有第二通孔對應於第一通孔。
第一通孔的內表面以及第二通孔的內表面可形成連續表面。
有機發光顯示設備可進一步包含在第二中間層上的相反電極，相反電極面對像素電極以及像素定義層。
相反電極可具有第三通孔對應於第二通孔。
第一通孔的內表面、第二通孔的內表面以及第三通孔的內表面可形成連續表面。
有機發光顯示設備可進一步包含在相反電極上的薄膜封裝層。至少一部分的薄膜封裝層的下表面可經由第一通孔、第二通孔以及第三通孔直接接觸像素定義層。
薄膜封裝層可包含無機層，且無機層可直接接觸像素定義層。
發射層可在像素電極以及對應於像素電極的第一中間層的一部分之間。
有機發光顯示設備可進一步包含在第一中間層上的相反電極，相反電極面對像素電極以及像素定義層。
相反電極可具有第三通孔對應於第一通孔。
第一通孔的內表面以及第三通孔的內表面可形成連續表面。
實施例可以通過提供一種製造有機發光顯示設備的方法來實現，方法包含形成像素電極；形成像素定義層覆蓋至少一部分的像素電極的一邊緣；形成圖案化犧牲層以對應於至少一部分的像素定義層的上表面；利用圖案化犧牲層作為間隔件，以形成圖案化發射層對應於像素電極；以及移除圖案化犧牲層。
形成圖案化犧牲層可包含形成犧牲層以對應於像素電極以及像素定義層；以及藉由形成光阻層於犧牲層上以及利用光阻層圖案化犧牲層，以形成圖案化犧牲層。
移除圖案化犧牲層可包含藉由移除圖案化犧牲層，以移除保留在圖案化犧牲層上的光阻層的一部分。
方法可進一步包含在形成圖案化犧牲層以及形成圖案化發射層之間，形成第一中間層對應於像素電極以及像素定義層，第一中間層具有第一通孔對應於圖案化犧牲層。
方法可進一步包含形成第二中間層對應於像素電極以及像素定義層，第二中間層具有第二通孔對應於圖案化犧牲層，以覆蓋圖案化發射層。
方法可進一步包含形成相反電極對應於像素電極以及像素定義層，相反電極具有第三通孔對應於圖案化犧牲層，以覆蓋第二中間層。
方法可進一步包含形成薄膜封裝層於相反電極上，至少一部分的薄膜封裝層的下表面經由第一通孔、第二通孔以及第三通孔直接接觸像素定義層。
圖案化犧牲層可包含高度氟化樹脂或氟化聚合物，其含有20wt%至60wt%的氟。
移除圖案化犧牲層可包含利用氫氟醚。
例示性實施例將參照附圖更充分的描述於下文中；然而，其可以各種不同形式實施，而不應理解為限於本文所闡述的實施例。相反的，提供這些例示性實施例使得本揭露徹底及完整，且充分傳達例示性實施方式予本技術領域中具有通常知識者。
本發明之一或多個實施例將參照所附圖式詳述如下。不論圖式編號，相同或對應的那些元件以相同之元件符號表示，且省略重複的說明。
將理解的是，除非另有規定，否則當一元件例如層、膜、區或基板被指為在另一元件「上(on)」時，其能「直接」在其他元件上或亦可存在中間元件。進一步，將理解的是，當層被指為在另一層「下(under) 」時，其可直接在下方，或亦可存在一或多個中間層。此外，亦將理解的是，當層被指為在兩層「之間(between)」時，其可為兩層之間的唯一層，或亦可存在一或多個中間層。
在附圖中，層及區的厚度可能為了表達的方便性被誇大或最小化。換句話說，由於附圖中的元件的尺寸及厚度係為了說明上之方便而任意地顯示，下列實施例不因此受限。
在下列例示中，x軸、y軸以及z軸不限於直角坐標系統的三個軸，且可以更廣泛的意義解釋。例如，x軸、y軸以及z軸可彼此垂直，或可代表彼此不垂直的不同方向。
第1至8圖係描繪根據一實施例的製造有機發光顯示裝置的方法的剖面示意圖。
首先，如第1圖所示，可準備背板。背板可被理解為包含至少一基板100、形成在基板100上的像素電極210R、210G及210B，以及暴露每個像素電極210R、210G及210B的至少一部分的像素定義層180。每個部分可包含每個像素電極210R、210G及210B的中間部分。像素定義層180可覆蓋至少一部分的每個像素電極210R、210G及210B的邊緣。像素定義層180可相對於基板100比像素電極210R、210G及210B突出得更遠(在a+z方向上)。
舉例來說，像素電極210R、210G及210B可形成在平坦化層170上，所述平坦化層170可被認為是下層，而像素定義層180可形成在可為位於像素電極210R、210G及210B下方的下層的平坦化層170上。像素定義層180可形成使得從平坦化層170到像素定義層180的上表面的像素定義層180的高度大於從平坦化層170到像素電極210R、210G及210B的上表面的像素定義層180的高度。
像素電極210R、210G及210B可為(半-)透明電極或反射電極。當像素電極210R、210G及210B為(半-)透明的電極時，像素電極210R、210G及210B可包含，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2
O3
)、銦鎵氧化物(IGO)、或鋁鋅氧化物(AZO)。當像素電極210R、210G及210B為反射電極時，每個像素電極210R、210G及210B可包含，例如包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其組合的反射層，以及包含ITO、IZO、ZnO或In2
O3
的層。在一實施例中，像素電極210R、210G及210B的結構及材料可進行各種修改。
像素定義層180可包含開口對應於子像素，即像素電極210R、210G及210B各自的中間部分或全部部分可經由開口暴露，且像素可透過開口界定。像素定義層180也可增加在每個像素電極210R、210G及210B的端部以及形成在每個像素電極210R、210G及210B上的相反電極之間的距離，以及例如可防止在像素電極210R、210G及210B的端部出現抗反射(arc)。像素定義層180可包含各種材料，例如無機材料，像是氮化矽、氧化矽或氮氧化矽，以及有機原料，像是壓克力或聚酰亞胺。
在一實施例中，背板可進一步包含其他元件。舉例來說，如第1圖所示，薄膜電晶體TFT或電容Cap可形成在基板100上。背板可進一步包含，例如可防止雜質滲入薄膜電晶體TFT的半導體層的緩衝層110、可將薄膜電晶體TFT的半導體層與閘極電極絕緣的閘極絕緣層130、可將薄膜電晶體TFT的源極及汲極電極與閘極電極絕緣的層間絕緣層150、以及可覆蓋薄膜電晶體TFT且可具有近似平坦的頂面的平坦化層170。
之後，如第4圖所示，圖案化犧牲層191a可形成在像素定義層180上並可對應於至少一部分的像素定義層180的上表面。首先，如第2圖所示，犧牲層191形成於像素電極210R、210G、210B以及像素定義層180上，且光阻層193可形成在犧牲層191上。之後，如第3圖所示，光阻層193的一部分可被曝光及顯影，圖案化光阻層193a可形成在隨後形成圖案化犧牲層191a的犧牲層191的一部分上。利用圖案化光阻層193a作為遮罩以對犧牲層191進行圖案化，可形成圖案化犧牲層191a。圖案化光阻層193a可在圖案化犧牲層191a上，圖案化光阻層193a現階段還不需要移除。用來形成圖案化犧牲層191a的材料將在稍後敘述。
在形成圖案化犧牲層191a之後，用來形成第一中間層的材料可塗佈、摻雜或沉積在基板100上，且可對應於例如重疊基板100的大部分區域。如第5圖所示，第一中間層221可形成對應於例如重疊像素電極210R、210G及210B以及像素定義層180，並具有第一通孔221b(參考第9圖)對應於例如重疊圖案化犧牲層191a。如第5圖所示，用於第一中間層的材料層221a可位於在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a上。具有第一通孔221b的第一中間層221可為單層或多層結構，且可包含例如電洞注入層及/或電洞傳輸層。
作為參考，在一實施例中，在第5圖中為了表達的方便性，用於第一中間層的材料層221a的厚度可相當於圖案化犧牲層191a或圖案化光阻層193a的厚度。在一實施例中，當與圖案化犧牲層191a或圖案化光阻層193a的厚度相比時，用於第一中間層的材料層221a實際上可具有小到可以忽略的厚度。
之後，如第6圖所示，紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B可分別地形成在紅色子像素R、綠色子像素G以及藍色子像素B上。用於形成紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B的材料可以是不同的，而且紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B可能必須分開形成。紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B可利用精細金屬遮罩(FMM)來形成。當形成紅色發射層223R時，具有對應於紅色子像素R之像素電極210R的開口的FMM可設置在基板100上，且對應於紅色子像素R的像素電極210R的紅色發射層223R可透過沉積形成。當形成綠色發射層223G或藍色發射層223B時可採用相同的方法。紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B可被理解為圖案化紅色發射層223R、圖案化綠色發射層223G以及圖案化藍色發射層223B。
作為複數個紅色子像素R的像素電極210R，可形成單一紅色發射層223R。紅色發射層223R可對應於在一行中的複數個紅色子像素R的像素電極210R。具有對應於複數個紅色子像素R的像素電極210R的條形開口的FMM可設置於基板100上，而對應於紅色子像素R的像素電極210R的單一紅色發射層223R可經由沉積形成。當形成綠色發射層223G或藍色發射層223B時可採用相同的方法。因此，發射層的圖案形狀可以改變。此說明可同樣地應用在稍後敘述的實施例或其修改。
當如上述形成紅色發射層223R、綠色發射層223G或藍色發射層223B時，FMM可接觸圖案化犧牲層191a，例如在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a或用於第一中間層的材料層221a。舉例來說，當形成紅色發射層223R、綠色發射層223G或藍色發射層223B時，在FMM以及每個像素電極210R、210G及210B之間的間距可能需為預定的固定距離，而且FMM可能需接觸圖案化犧牲層191a，例如在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a或用於第一中間層的材料層221a。
FMM可能沒有接觸像素定義層180或第一中間層221，舉例來說，當形成紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B時，像素定義層180或第一中間層221可能不會被損壞。在製造有機發光顯示設備的期間可有效防止缺陷的產生，或顯著地降低缺陷產生率。FMM可能接觸圖案化犧牲層191a，舉例來說，如上所述的在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a或用於第一中間層的材料層221a，以及圖案化犧牲層191a、圖案化光阻層193a或用於第一中間層的材料層221a可能被損壞。如稍後所述，圖案化犧牲層191a、圖案化光阻層193a以及用於第一中間層的材料層221a可被移除，圖案化犧牲層191a、圖案化光阻層193a以及用於第一中間層的材料層221a可能不會影響有機發光顯示設備的品質。
在圖案化紅色發射層223R之後，利用圖案化犧牲層191a作為間隔件，以形成圖案化綠色發射層223G或圖案化藍色發射層223B分別對應於像素電極210R、210G及210B，如上所述，用來形成第二中間層的材料可被塗佈、摻雜或沉積以覆蓋紅色發射層223R、綠色發射層223G或藍色發射層223B，並對應於基板100的大部分區域，如第7圖所示。如第7圖所示，第二中間層222可形成對應於像素電極210R、210G及210B以及像素定義層180，並具有第二通孔222b(見第9圖)對應於圖案化犧牲層191a。如第7圖所示，用於第二中間層的材料層222a可在位於圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a及/或用於第一中間層的材料層221a上。具有第二通孔222b的第二中間層222可為單層或多層結構，並可包含例如電子傳輸層及/或電子注入層。
在一實施例中，作為參考，在第7圖中為了表達的方便性，用於第二中間層的材料層222a的厚度可以相當於圖案化犧牲層191a以及圖案化光阻層193a的厚度。在一實施例中，當與圖案化犧牲層191a以及圖案化光阻層193a的厚度相比時，用於第二中間層的材料層222a實際上可為小到可以忽略的厚度。
之後，用來形成相反電極的材料可被塗佈、摻雜或沉積以覆蓋第二中間層222，並對應於基板100的大部分區域。如第8圖所示，相反電極230可形成對應於像素電極210R、210G、210B以及像素定義層180，並具有對應於圖案化犧牲層191a的第三通孔230b(見第9圖)。如第8圖所示，用於形成相反電極的材料層230a可在位於圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a、用於第一中間層的材料層221a及/或用於第二中間層的材料層222a上。
具有第三通孔230b的相反電極230可接觸在顯示區域外的電極電源供應線，並可從電極電源供應線接收電訊號。相反電極230可包含透明(或半透明)電極或反射電極。當相反電極230包含透明(或半透明)電極時，相反電極230可包含例如藉由朝向紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂或其化合物而形成的層，以及由透明(或半透明)材料例如ITO、IZO、ZnO或In2
O3
形成的輔助電極或匯流排電極線(bus electrode line)。當相反電極230包含反射電極時，相反電極230可包含例如包含鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀及鎂中的至少一個的層。在一實施例中，相反電極230的配置以及可用於形成相反電極230的材料可進行各種修改。
接著，圖案化犧牲層191a可被移除，而可製造如第9圖所示的有機發光顯示設備。當圖案化犧牲層191a被移除時，在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a、用於第一中間層的材料層221a、用於第二中間層的材料層222a、及/或用於形成相反電極的材料層230a也可被移除。覆蓋相反電極230的薄膜封裝(TFE)層240(見第10圖)可接著形成，或封裝基板可設置為直接地或間接地連接基板100，使得例如相反電極230介於基板100以及封裝基板之間。此製程可進行各種修改。
在根據本實施例製造有機發光顯示設備的方法中，FMM可使用於當紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B分別形成在紅色子像素R中時，綠色子像素G以及藍色子像素B可例如與圖案化犧牲層191a接觸，舉例來說，在圖案化犧牲層191a上可形成圖案化光阻層193a或用於第一中間層的材料層221a，以及紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B，同時在FMM以及基板100之間的間距可維持在預定的固定距離。在此製程期間，FMM可能沒有接觸像素定義層180或第一中間層221，舉例來說，像素定義層180或第一中間層221可能已經形成且可能不會被損壞。因此，在製造有機發光顯示設備的期間可有效防止缺陷的產生，或顯著地降低缺陷產生率。
在間隔件形成在像素定義層180上之後，間隔件可保留。間隔件的上表面或存在於間隔件的上表面的材料層可接觸FMM且可能被損壞。舉例來說，這可能造成在形成TFE層240(見第10圖)期間產生有缺陷的封裝。由於例如間隔件的存在，當稍後形成TFE層240時，可能會增加在TFE層240下方的一堆疊的高度差，而可能不易形成無缺陷的TFE層，或TFE層的厚度可能會過度增加。在根據本實施例的製造有機發光顯示設備的方法中，可避免或最小化這類有缺陷的封裝的產生。
在不形成圖案化犧牲層191a的情況下，可僅形成具有與圖案化犧牲層191a相同或相似形狀的圖案化光阻層。在形成紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B之後，可能必須移除圖案化光阻層，而可用於移除圖案化光阻層的材料可能會嚴重地損壞已經形成的紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B。
在根據本實施例製造有機發光顯示設備的方法中，在形成紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B之後不需分別移除圖案化光阻層193a的情況下，當移除圖案化犧牲層191a時，形成在圖案化犧牲層191a上的圖案化光阻層193a也可同時被移除，而可以避免或最小化紅色發射層223R、綠色發射層223G以及藍色發射層223B的損害。當形成圖案化犧牲層191並接著如第3圖所示形成圖案化光阻層193a時，圖案化犧牲層191可圍繞在圖案化犧牲層191下方的所有結構，而可防止在圖案化犧牲層191下方的結構被損壞，或最小化在圖案化犧牲層191下方的結構的損壞。
如第9圖所示的第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可具有各種形狀。舉例來說，當在z軸方向上觀看時，在xy平面上的第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可各自具有點狀或條狀。在一實施例中，當在z軸方向上觀看時，在xy平面上的第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可分別具有分別圍繞像素電極210R、210G及210B的形狀。
在根據本實施例製造有機發光顯示設備的方法中，在形成相反電極230並接著移除圖案化犧牲層191a之後，可移除TFE層240，如第10圖所示。在用這個方法製造的有機發光顯示設備中，如第10圖所示，第一中間層221可具有第一通孔221b，第二中間層222可具有第二通孔222b，而相反電極230可具有第三通孔230b。至少一部分的像素定義層180的上表面可被暴露，而沒有被第一中間層221、第二中間層222以及相反電極230覆蓋。至少一部分的TFE層240的下表面可經由第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b接觸像素定義層180。
如上所述，TFE層240可能接觸像素定義層180，因而TFE層240的接合力可能增加，並且TFE層240可有效地避免與例如相反電極230分離。舉例來說，像素定義層180可包含無機材料例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽，具有多層結構的TFE層240的下層也可由無機材料形成，因而在TFE層240以及像素定義層180之間的接合力可能增加。TFE層240可包含單一無機層。當第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可能存在於TFE層240的下部結構，可以增加TFE層240的下表面可接觸像素定義層180的區域，並可避免TFE層240與相反電極230分離。為了要得到上述的效果，舉例來說，像素定義層180可包含例如上所述的無機材料，在一實施例中，像素定義層180可包含有機材料。
在製造過程中，圖案化犧牲層191a可能接觸第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B。圖案化犧牲層191a可能必須不損壞第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B，或即使圖案化犧牲層191a損壞第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B，可能必須使損壞的程度最小化。當如第8圖所示在形成相反電極230之後移除圖案化犧牲層191a時，對可能接觸第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B的圖案化犧牲層191a的損壞可能必須最小化。因此，可用於移除圖案化犧牲層191a的材料可能必須不能極大地影響第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B。
用於形成犧牲層191的材料可包含高度氟化樹脂或氟化聚合物(或含氟聚合物)，其含有20wt%至60wt%的氟。這個材料包含大量的氟化碳，其不會與第一中間層221、第二中間層222及/或紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B產生化學/物理反應，而且該材料可能不會損壞第一中間層221、第二中間層222及/或紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B，或者即使發生損壞，損壞的程度可以最小化。
當圖案化犧牲層191a由此材料形成，在圖案化犧牲層191a以及包含氧化矽及/或氮化矽的像素定義層180之間的接合力可能會降低。因此，可用於移除圖案化犧牲層191a的材料可能不會極大地影響第一中間層221、第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B。
用於移除圖案化犧牲層191a的材料的示例可包含氫氟醚(HFEs)。在根據本實施例的製造有機發光顯示設備的方法中，作為可用於移除圖案化犧牲層191a的材料，因為該材料可包含HFEs，可以使用NovecTM系列產品(由美國3MTM製造)。舉例來說，可使用Novec-7100、Novec-7200、Novec-7500、Novec-71IPA、Novec-72DE或Novec-72DA、或其組合。作為參考，Novec-7100、Novec-7200以及Novec-7500的化學式如下所示。
Novec-71IPA可具有95.5wt%的Novec-7100以及4.5wt%的異丙醇(IPA)的組合物，Novec-72DE可具有10wt%的Novec-7100、20wt%的Novec-7200以及70wt%的反式12-二氯乙烯的組合物，Novec-72DA可具有10wt%的Novec-7100、20wt%的Novec-7200、68wt%的反式12-二氯乙烯以及2wt%的IPA的組合物。
在一實施例中，圖案化犧牲層191a可形成在第4至8圖中的每兩個子像素之間。在一實施例中，圖案化犧牲層191a可僅在有機發光顯示設備的某些子像素之間。圖案化犧牲層191a可用作為間隔件，其在形成第二中間層222、紅色發射層223R、綠色發射層223G及/或藍色發射層223B的期間可使FMM以及基板100之間的間距固定，而且圖案化犧牲層191a可不必存在於所有子像素之間。因此，雖然對應於圖案化犧牲層191a的第一通孔221b、第二通孔222b及/或第三通孔230b可形成在第9圖中的每兩個子像素之間，但第一通孔221b、第二通孔222b及/或第三通孔230b可僅形成在某些子像素之間。這同樣適用於稍後描述的實施例及其修改。
圖案化犧牲層191a可具有各種形狀中的任一種。舉例來說，當在垂直於基板100的方向(-z方向)上觀看時，圖案化犧牲層191a可具有圓形形狀或多邊形形狀。在一實施例中，當在垂直於基板100的方向(-z方向)上觀看時，圖案化犧牲層191a可具有在y方向上延伸的長單體形狀，例如在複數個像素之間。第一通孔221b、第二通孔222b及/或第三通孔230b可具有在y方向上延伸的形狀，例如在複數個像素之間。這同樣適用於稍後描述的實施例及其修改。
用此方法製造的有機發光顯示設備如第9圖所示。根據一實施例的有機發光顯示設備可包含像素電極210R、210G及210B、具有上述形狀的像素定義層180、分別圖案化以對應於像素電極210R、210G及210B且位於像素電極210R、210G及210B上的紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B、第一中間層221、第二中間層222以及相反電極230。
第一中間層221、第二中間層222以及相反電極230可位於像素電極210R、210G及210B以及像素定義層180上方，以面對像素電極210R、210G及210B以及像素定義層180。第一中間層221對應於像素電極210R、210G及210B的部分可介於像素電極210R、210G及210B以及紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B之間，而第二中間層222對應於像素電極210R、210G及210B的部分可位於紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B上。
第一中間層221、第二中間層222以及相反電極230可分別具有第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b，其對應於至少一部分的像素定義層180的上表面。第一中間層221、第二中間層222以及相反電極230可由上述的圖案化犧牲層191a形成。因此，第二通孔222b以及第三通孔230b可各自具有對應於第一通孔221b的形狀，而且第一通孔221b的內表面、第二通孔222b的內表面以及第三通孔230b的內表面之間的邊界可為連續的，而可形成如第9圖所示的連續的表面。這同樣適用於稍後描述的實施例及其修改。
在一實施例中，第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可具有相同尺寸，如第9圖所示。在一實施例中，第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b的尺寸可逐漸變大或逐漸變小，第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔的內表面之間的邊界可以不是非連續的，而可形成連續的表面。這同樣適用於稍後描述的實施例及其修改。
雖然對應於圖案化犧牲層191a的第一通孔221b、第二通孔222b及/或第三通孔230b可形成在第9圖中的每兩個子像素之間，但第一通孔221b、第二通孔222b及/或第三通孔230b可僅形成在某些子像素之間。這同樣適用於稍後描述的實施例及其修改。
根據一實施例的有機發光顯示設備可進一步包含如第10圖所示的TFE層240，至少一部分的TFE層240的下表面可經由第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b接觸像素定義層180。當TFE層240可接觸像素定義層180時，TFE層240的接合力可增加，TFE層240可有效地避免與相反電極230分離。舉例來說，像素定義層180可包含無機材料例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽，而且具有多層結構的TFE層240的最低層也可由無機材料形成。因此，TFE層240以及像素定義層180之間的接合力可增加。當第一通孔221b、第二通孔222b以及第三通孔230b可存在於TFE層240的下部結構中時，可增加TFE層240的下表面可接觸像素定義層180的區域，並可避免TFE層240與相反電極230分離。
根據參照第1至8圖描述如上的實施例的製造有機發光顯示設備的方法中，在形成圖案化犧牲層191a之後，例如可形成第一中間層221、紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B、第二中間層222以及相反電極230，並接著移除圖案化犧牲層191a。
在根據一實施例製造有機發光顯示設備的方法中，在形成圖案化犧牲層191a之後，可形成第一中間層221、紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B、可接著移除圖案化犧牲層191a，並可接著形成第二中間層222以及相反電極230。根據一實施例用此方法製造有機發光顯示設備可具有如第11圖所示的結構。只有第一中間層221可以具有第一通孔221b，而第二中間層222以及相反電極230可以沒有通孔。由於例如在形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的期間接觸FMM所造成的像素定義層180或第一中間層221的損害可有效地避免或最小化，而在移除圖案化犧牲層191a的期間所造成的第一中間層221以及紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的損害可有效地避免或最小化。
在根據一實施例的製造有機發光顯示設備的方法中，在形成圖案化犧牲層191a之後，可形成第一中間層221、紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B以及第二中間層222，接著可移除圖案化犧牲層191a，並可接著形成相反電極230。根據一實施例用此方法製造有機發光顯示設備可具有如第12圖所示的結構。只有第一中間層221以及第二中間層222可以分別具有第一通孔221b以及第二通孔222b，而相反電極230可以沒有通孔。由於例如在形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的期間接觸FMM所造成的像素定義層180或第一中間層221的損害可有效地避免或最小化，而在移除圖案化犧牲層191a的期間所造成第一中間層221、第二中間層222以及紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的損害可有效地避免或最小化。在根據如上述的本實施例的有機發光顯示設備中，第一中間層221以及第二中間層222的個別內表面可形成連續表面。
在根據一實施例的製造有機發光顯示設備的方法中，在形成第一中間層221之後，可形成圖案化犧牲層191a。圖案化犧牲層191a可能沒有接觸像素定義層180的上表面，而可能接觸第一中間層221的一部分，該部分可能位於像素定義層180的上表面上，且第一中間層221可能不具有第一通孔221b。在圖案化犧牲層191a形成在第一中間層221上之後，可形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B以及第二中間層222，接著可移除圖案化犧牲層191a，並可接著形成相反電極230。根據一實施例用此方法製造有機發光顯示設備可具有如第13圖所示的結構。第一中間層221以及相反電極230可能分別不具有第一通孔221b以及第三通孔230b，而只有第二中間層222可能具有第二通孔222b。由於例如在形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的期間接觸FMM所造成的像素定義層180或第一中間層221的損害可有效地避免或最小化，而在移除圖案化犧牲層191a的期間所造成的第一中間層221、第二中間層222以及紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的損害可有效地避免或最小化。
在根據一實施例製造有機發光顯示設備的方法中，在形成第一中間層221之後，可形成圖案化犧牲層191a，接著可形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B、第二中間層222以及相反電極230，並可接著移除圖案化犧牲層191a。根據一實施例用此方法製造有機發光顯示設備可具有如第14圖所示的結構。第一中間層221可能不具有第一通孔221b、只有第二中間層222以及相反電極230可能分別具有第二通孔222b以及第三通孔230b。由於例如在形成紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B的期間接觸FMM所造成的像素定義層180或第一中間層221的損害可有效地避免或最小化，而在移除圖案化犧牲層191a的期間所造成的第一中間層221、第二中間層222以及紅色、綠色及藍色發射層223R、223G及223B以及相反電極230的損害可有效地避免或最小化。第二通孔222b以及第三通孔230b的內表面可形成連續表面。
如第14圖所示，在根據本實施例的有機發光顯示設備中，第二中間層222可具有第二通孔222b，而相反電極230可具有第三通孔230b。因此，稍後形成TFE層時，由於第二通孔222b以及第三通孔230b可存在於TFE層的下部結構中，可增加TFE層的下表面與像素定義層180接觸的區域，並可避免TFE層與相反電極230分離。
透過總結和回顧，在製造有機發光顯示設備的期間，至少一部分的中間層可利用各種方法形成，例如使用FMM的沉積方法。然而，在這種製造有機發光顯示設備的方法中，在形成至少一部分的中間層的同時可能產生缺陷。
如上所述，根據一或多個上述實施例的有機發光顯示裝置及其製造方法，可降低例如形成發射層時的缺陷產生率。
示例性實施例已經揭露於此，而儘管使用特定的術語，其僅以一般且描述性的意義使用及解釋，而非用於限制之目的。於部分示例中，除非有明確的表示，否則對於提出之本申請案之所屬技術領域中具有通常知識者而言為顯而易知的是，與特定實施例結合之特性、特徵及/或元件可被單獨使用，或結合其他實施例中的特性、特徵及/或元件使用。據此，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在未脫離如下的申請專利範圍所述之本發明之精神與範疇下，可進行各種細節與形式上之修改。
100‧‧‧基板110‧‧‧緩衝層130‧‧‧閘極絕緣層150‧‧‧層間絕緣層170‧‧‧平坦化層180‧‧‧像素定義層191‧‧‧犧牲層191a‧‧‧圖案化犧牲層193‧‧‧光阻層193a‧‧‧圖案化光阻層210R、210G、210B‧‧‧像素電極221‧‧‧第一中間層221a‧‧‧用於第一中間層的材料層221b‧‧‧第一通孔222‧‧‧第二中間層222a‧‧‧用於第二中間層的材料層222b‧‧‧第二通孔223R‧‧‧紅色發射層223G‧‧‧綠色發射層223B‧‧‧藍色發射層230‧‧‧相反電極230a‧‧‧用於形成相反電極的材料層230b‧‧‧第三通孔240‧‧‧薄膜封裝層、TFE層R‧‧‧紅色子像素G‧‧‧綠色子像素B‧‧‧藍色子像素Cap‧‧‧電容TFT‧‧‧薄膜電晶體
藉由參照附圖詳細說明例示性實施例，將使特徵對於所屬技術領域中具有通常知識者而言變得顯而易見，其中：
第1至8圖係描繪根據一實施例的製造有機發光顯示裝置的方法之剖面示意圖；
第9圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；
第10圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；
第11圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；
第12圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；
第13圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；以及
第14圖係描繪根據一實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
130‧‧‧閘極絕緣層
150‧‧‧層間絕緣層
170‧‧‧平坦化層
180‧‧‧像素定義層
210R、210G、210B‧‧‧像素電極
221‧‧‧第一中間層
221b‧‧‧第一通孔
222‧‧‧第二中間層
222b‧‧‧第二通孔
223R‧‧‧紅色發射層
223G‧‧‧綠色發射層
223B‧‧‧藍色發射層
230‧‧‧相反電極
230b‧‧‧第三通孔
240‧‧‧薄膜封裝層、TFE層
R‧‧‧紅色子像素
G‧‧‧綠色子像素
B‧‧‧藍色子像素
Cap‧‧‧電容
TFT‧‧‧薄膜電晶體
Claims (21)
- 一種有機發光顯示設備，其包含：一像素電極；一像素定義層，其覆蓋至少一部分的該像素電極的一邊緣；一發射層，其在該像素電極上；一第一中間層，其在像素電極以及像素定義層上，該發射層及該第一中間層之其中之一層疊在其另一上；一相反電極，該相反電極面對該像素電極及該像素定義層，使得該發射層及該第一中間層位於該像素電極及該相反電極之間；以及一薄膜層，設置於該相反電極上方，其中該第一中間層具有一第一通孔，其對應於該像素定義層的一上表面的一第一部分，而該第一中間層覆蓋該像素定義層的該上表面的一第二部分；以及其中該薄膜層的一下表面的一部分通過該第一通孔直接接觸該像素定義層的該上表面的該第一部分的全部。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中對應於該像素電極的該第一中間層的一部分係在該像素電極以及該發射層之間。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含在該像素電極以及該像素定義層上的一第二中間層，該第二中間層具有一部分對應於在該發射層上的該像素電極，該第二 中間層係夾置於該像素電極和該相反電極之間。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示設備，其中該第二中間層具有一第二通孔對應於該第一通孔。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該第一通孔的一內表面以及該第二通孔的一內表面形成一連續表面。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該相反電極具有一第三通孔對應於該第二通孔。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其中該第一通孔的一內表面、該第二通孔的一內表面以及該第三通孔的一內表面形成一連續表面。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其中該薄膜層的該下表面的該部分經由該第一通孔、該第二通孔以及該第三通孔直接接觸該像素定義層的該第一部分的全部。
- 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示設備，其中：該薄膜層包含一無機層，以及該無機層直接接觸該像素定義層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該發射層在該像素電極以及對應於該像素電極的該第一中間層的一部分之間。
- 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該相反電極具有一第三通孔對應於該第一通孔。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示設備，其中該第一通孔的一內表面以及該第三通孔的一內表面形成一連續表面。
- 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包含：形成一像素電極；形成一像素定義層覆蓋至少一部分的該像素電極的一邊緣；形成一圖案化犧牲層，以對應於至少一部分的該像素定義層的一上表面；利用該圖案化犧牲層作為一間隔件，以形成一圖案化發射層對應於該像素電極；以及移除該圖案化犧牲層。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中形成該圖案化犧牲層包含：形成一犧牲層以對應於該像素電極以及該像素定義層；以及藉由在該犧牲層上形成一光阻層以及利用該光阻層圖案化該犧牲層，以形成一圖案化犧牲層。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中移除該圖案化犧牲層包含藉由移除該圖案化犧牲層，以移除保留在該圖案化犧牲層上的該光阻層的一部分。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其進一步包含在形成該圖案化犧牲層以及形成該圖案化發射層之間，形成一第一中間層對應於該像素電極以及該像素定義層，該第一中間層具有一第一通孔對應於該圖案化犧牲層。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含形成一第二中間層對應於該像素電極以及該像素定義層，該第二中間層具有一第二通孔對應於該圖案化犧牲層，以覆蓋該圖案化發射層。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法，其進一步包含形成一相反電極對應於該像素電極以及該像素定義層，該相反電極具有一第三通孔對應於該圖案化犧牲層，以覆蓋該第二中間層。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法，其進一步包含形成一薄膜層於該像素電極上，至少一部分的該薄膜層的一下表面經由該第一通孔、該第二通孔以及該第三通孔直接接觸該像素定義層。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該圖案化犧牲層包含高度氟化樹脂或氟化聚合物，其含有20wt%至60wt%的氟。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中移除該圖案化犧牲層包含利用氫氟醚。
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| KR102577043B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| KR102461360B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN108376749B (zh) | 2018-02-26 | 2020-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的封装方法、显示面板及显示装置 |
| CN109065758B (zh) * | 2018-08-10 | 2021-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN109301078B (zh) * | 2018-10-17 | 2022-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| KR102625413B1 (ko) | 2018-10-29 | 2024-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20210105911A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-08-27 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 기재로부터의 전계발광 재료의 제거 |
| CN110112182A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
| CN111430430A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN111916578B (zh) * | 2020-07-15 | 2023-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
| CN112002817B (zh) | 2020-08-25 | 2022-09-09 | 视涯科技股份有限公司 | 一种有机发光显示面板 |
| CN116234373B (zh) * | 2023-05-10 | 2023-07-07 | 惠科股份有限公司 | 像素结构、显示面板及显示面板制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130248867A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Mu-gyeom Kim | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS471971Y1 (zh) | 1969-05-27 | 1972-01-24 | ||
| KR100303360B1 (ko) | 1999-06-25 | 2001-11-01 | 박종섭 | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 |
| JP4170138B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2008-10-22 | 三菱電機株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP4534054B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルとその製法 |
| JP4701971B2 (ja) | 2005-09-30 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器、表示装置の製造方法 |
| JP2007165215A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| KR101256673B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 광 발생 소자 및 이의 제조 방법 |
| GB2450675A (en) * | 2007-04-04 | 2009-01-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Active matrix organic displays |
| KR100838086B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR101383474B1 (ko) | 2007-09-21 | 2014-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 |
| KR100959108B1 (ko) * | 2008-08-28 | 2010-05-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101094290B1 (ko) * | 2010-01-18 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2014515178A (ja) | 2011-03-03 | 2014-06-26 | オーソゴナル，インコーポレイテッド | 薄膜装置の材料をパターン化するプロセス |
| KR101980233B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2019-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9508788B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-29 | Infineon Technologies Ag | Capacitors in integrated circuits and methods of fabrication thereof |
| KR102028680B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2019-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101548304B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20140140870A (ko) | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 제조방법 |
| CN104218182B (zh) * | 2013-05-31 | 2016-12-28 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光装置及其制造方法、以及包含其的影像显示系统 |
| KR20140143631A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20150005264A (ko) | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102080008B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20150011235A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20150019392A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102067966B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-01-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102081317B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이중 뱅크 구조를 갖는 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR102227455B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2021-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102248641B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2021-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| KR102154070B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2020-09-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US9478591B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
| CN104752461B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-09-04 | 昆山国显光电有限公司 | 一种双面显示装置及其制备方法 |
| JP6371094B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| US9508778B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| KR102365778B1 (ko) * | 2015-02-24 | 2022-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102444177B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2022-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102366571B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| KR102300028B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2021-09-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
-
2015
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-
2016
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- 2016-08-08 EP EP16183263.9A patent/EP3128557B1/en active Active
-
2018
- 2018-09-12 US US16/128,700 patent/US10644088B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130248867A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Mu-gyeom Kim | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
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