CN111916578B - 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，在移除掩膜版后，通过至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，可以将由于掩膜版与衬底基板贴合过于紧密而压伤的支撑部去除，这样可以使衬底基板上不存在损坏的支撑部，从而在形成后续的封装层后，对封装层的影响较小，进而可以改善封装失效的问题，提高显示面板的封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板具有外观轻薄、功耗低、视角宽等优点，已成为显示领域极具发展潜力的技术。一般OLED包括阳极和阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层。在实际应用中，一般采用真空蒸镀技术制备OLED中的发光层。例如，在制备OLED中的发光层时，先在基板上形成间隔支撑物(Photo Spacer，PS)，之后通过磁场作用将掩膜版贴附在基板一侧，之后采用蒸镀工艺蒸镀发光层。在蒸镀完后，需要去除掩膜版以进行后续制备阴极、封装层等工艺流程。然而，由于磁场作用会使掩膜版与基板紧密贴合，这样可能会由于磁场强度过大，导致掩膜版与基板贴合过于紧密而压伤PS，从而使PS表面出现损伤。这样在制备封装层后，由于PS表面出现损伤，会使封装层出现裂纹，从而导致封装失效，进而使得显示面板出现封装缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法及显示装置，用以改善显示面板封装失效的问题。
本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成阳极层和像素限定层；其中，所述像素限定层用于限定出所述衬底基板中的多个子像素区域，所述阳极层包括位于每个子像素区域内的阳极；
在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个间隔设置的支撑结构；其中，所述支撑结构包括层叠设置的多个支撑部，且所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述支撑结构在所述衬底基板的正投影；
将掩膜版设置于所述支撑结构背离所述衬底基板一侧后，在所述衬底基板上形成发光功能层；
在移除所述掩膜版后，至少去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部；
在所述衬底基板上形成阴极层。
在一些示例中，所述在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个间隔设置的支撑结构，具体包括：
依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层；
在所述多个支撑薄膜层背离所述衬底基板一侧形成光刻胶薄膜层；
对所述光刻胶薄膜层进行图案化；
对所述衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的所述支撑结构。
在一些示例中，所述至少去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部，具体包括：
去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部，保留所述支撑结构中靠近所述衬底基板的一侧的支撑部；
所述在所述衬底基板上形成阴极层，具体包括：
在所述衬底基板上形成所述阴极层，并使所述阴极层与保留的所述支撑部直接接触。
在一些示例中，所述保留的所述支撑部在垂直于所述衬底基板的方向上的截面具有靠近所述衬底基板的第一侧和远离所述衬底基板的第二侧；
所述去除的所述支撑部在垂直于所述衬底基板的方向上的截面具有靠近所述衬底基板的第三侧和远离所述衬底基板的第四侧；
所述第三侧的宽度分别不小于所述第一侧的宽度和所述第二侧的宽度。
在一些示例中，所述支撑结构在垂直于所述衬底基板的方向上的截面呈“T”字形或倒梯形。
在一些示例中，所述支撑结构包括层叠设置的第一支撑部和第二支撑部；
所述依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层，具体包括：依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成第一支撑薄膜层和第二支撑薄膜层；
所述对所述衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的所述支撑结构，具体包括：
采用湿法刻蚀工艺，基于第二刻蚀速率对所述第二支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第二支撑部；其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二支撑部在所述衬底基板的正投影；
采用湿法刻蚀工艺，基于第一刻蚀速率对所述第一支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第一支撑部；其中，一个所述第二支撑部在所述衬底基板的正投影覆盖一个所述第一支撑部在所述衬底基板的正投影，且所述第一刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率；
所述去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部，保留所述支撑结构中靠近所述衬底基板的一侧的支撑部，具体包括：
去除所述第二支撑部，保留所述第一支撑部。
在一些示例中，所述保留的所述支撑部采用导电材料制备；和/或，
所述去除的所述支撑部采用绝缘材料制备。
在一些示例中，所述在衬底基板上形成阳极层和像素限定层之前，还包括：
在所述衬底基板上形成像素电路层；其中，所述像素电路层包括多个像素电路，一个所述子像素区域包括一个所述像素电路；
在形成有所述像素电路层的衬底基板上形成平坦化层；其中，所述平坦化层包括多个连接过孔；其中，一个所述子像素区域包括至少一个所述连接过孔，且同一所述子像素区域中，所述像素电路通过所述至少一个连接过孔与所述阳极电连接。
在一些示例中，所述在所述衬底基板上形成阴极层，并使所述阴极层与保留的所述支撑部直接接触之后，还包括：
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成封装层。
本发明实施例还提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的阳极层和像素限定层，位于所述像素限定层背离所述衬底基板一侧的多个间隔设置的支撑结构，位于所述支撑结构背离所述衬底基板一侧的阴极层；
所述像素限定层用于限定出所述衬底基板中的多个子像素区域，所述阳极层包括位于每个子像素区域内的阳极；所述支撑结构包括层叠设置的多个支撑部，且所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述支撑结构在所述衬底基板的正投影；
所述支撑结构包括在所述制备方法中保留的靠近所述衬底基板的一侧的支撑部，且所述阴极层与保留的所述支撑部直接接触。
本发明实施例还提供的一种显示装置，包括上述阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及显示装置，在移除掩膜版后，通过至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，可以将由于掩膜版与衬底基板贴合过于紧密而压伤的支撑部去除，这样可以使衬底基板上不存在损坏的支撑部，从而在形成后续的封装层后，对封装层的影响较小，进而可以改善封装失效的问题，提高显示面板的封装效果。
附图说明
图1为本发明实施例中的制备方法的流程图；
图2为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图；
图3a为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的一些结构示意图；
图3b为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图；
图3c为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图；
图3d为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图；
图3e为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图；
图3f为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图；
图3g为本发明实施例中的阵列基板在制备过程中的又一些结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，如图1所示，可以包括如下步骤：
S100、在衬底基板上形成阳极层和像素限定层；其中，像素限定层用于限定出衬底基板中的多个子像素区域，阳极层包括位于每个子像素区域内的阳极；
S200、在像素限定层背离衬底基板一侧形成多个间隔设置的支撑结构；其中，支撑结构包括层叠设置的多个支撑部，且像素限定层在衬底基板的正投影覆盖支撑结构在衬底基板的正投影；
S300、将掩膜版设置于支撑结构背离衬底基板一侧后，在衬底基板上形成发光功能层；
S400、在移除掩膜版后，至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部；
S500、在衬底基板上形成阴极层。
本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法，在移除掩膜版后，通过至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，可以将由于掩膜版与衬底基板贴合过于紧密而压伤的支撑部去除，这样可以使衬底基板上不存在损坏的支撑部，从而在形成后续的封装层后，对封装层的影响较小，进而可以改善封装失效的问题，提高显示面板的封装效果。
在具体实施时，在本发明实施例中，在衬底基板上形成阴极层，并使阴极层与保留的支撑部直接接触之后，还可以包括：在形成有阴极层的衬底基板上形成封装层。由于在移除掩膜版后，通过至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，可以将由于掩膜版与衬底基板贴合过于紧密而压伤的支撑部去除，这样可以使衬底基板上不存在损坏的支撑部，从而在形成后续的封装层后，对封装层的影响较小，进而可以改善封装失效的问题，提高显示面板的封装效果。
在具体实施时，在本发明实施例中，阵列基板可以包括：位于显示区中阵列排布的多个像素单元。每个像素单元包括多个子像素区域。示例性地，像素单元可以包括红色子像素区域，绿色子像素区域以及蓝色子像素区域，这样可以通过红绿蓝进行混色，以实现彩色显示。或者，像素单元也可以包括红色子像素区域，绿色子像素区域、蓝色子像素区域以及白色子像素区域，这样可以通过红绿蓝白进行混色，以实现彩色显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素区域的发光颜色可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，如图2所示，子像素区域spx可以包括有机发光二极管110以及用于驱动有机发光二极管110发光的像素电路120(图2以一个晶体管为例)。其中，有机发光二极管110包括层叠设置的阳极111、发光功能层112以及阴极层113。发光功能层112可以包括：位于阳极111与阴极层113之间的空穴注入层、位于空穴注入层与阴极层113之间的空穴传输层、位于空穴传输层与阴极层113之间的有机发光层、位于有机发光层与阴极层113之间的空穴阻挡层、以及位于空穴阻挡层与阴极层113之间的电子传输层。并且，像素电路120可以包括驱动晶体管、开关晶体管等多个晶体管以及存储电容，其具体结构和工作原理可以与现有技术中的相同，在此不作赘述。
示例性地，如图2所示，阳极111与发光功能层112之间设置有像素限定层140，该像素限定层限定出了衬底基板中的多个子像素区域spx。阳极111与像素电路120(图2以一个晶体管为例)之间还设置有平坦化层130，一个子像素区域spx还可以包括至少一个贯穿平坦化层130的连接过孔121，且同一子像素区域spx中，像素电路120(图2以一个晶体管为例)通过至少一个连接过孔121与阳极111电连接。示例性地，各子像素区域spx中可以设置一个连接过孔121。
在本发明实施例中，在步骤S100：在衬底基板上形成阳极层和像素限定层之前，还可以包括：
在衬底基板上形成像素电路层；其中，像素电路层包括多个像素电路，一个子像素区域包括一个像素电路；
在形成有像素电路层的衬底基板上形成平坦化层；其中，平坦化层包括多个连接过孔；其中，一个子像素区域包括至少一个连接过孔，且同一子像素区域中，像素电路通过至少一个连接过孔与阳极电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，在衬底基板上形成阳极层和像素限定层，具体可以包括：先采用构图工艺在平坦化层上形成位于每个子像素区域中的阳极，并使每个子像素区域中的阳极通过连接过孔与像素电路电连接。之后采用构图工艺形成像素限定层。
在具体实施时，在本发明实施例中，在像素限定层背离衬底基板一侧形成多个间隔设置的支撑结构，具体可以包括：
依次在像素限定层背离衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层；
在多个支撑薄膜层背离衬底基板一侧形成光刻胶薄膜层；
对光刻胶薄膜层进行图案化；
对衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的支撑结构。
在具体实施时，在本发明实施例中，至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，具体可以包括：去除所有支撑结构中的支撑部。这样可以将所有的支撑部进行去除，可以最大程度的减小支撑部对后续制备的封装层的影响，降低封装层出现裂纹的风险，提高封装层的封装效果。
或者，在具体实施时，至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，具体可以包括：去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，保留支撑结构中靠近衬底基板的一侧的支撑部；在本发明实施例中，在衬底基板上形成阴极层，具体可以包括：在衬底基板上形成阴极层，并使阴极层与保留的支撑部直接接触。示例性地，阴极层一般采用导电材料制备，并且，可以使保留的支撑部采用导电材料制备。这样在将阴极层与保留的支撑部直接接触后，可以使阴极层和保留的支撑部相当于并联形式，从而可以减小阴极层的电阻，降低阴极层上出现的压降(IR Drop)问题，提高显示均一性。
示例性地，形成保留的支撑部的导电材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等；也可以为金属材料，例如金、银、铝、钼等，在此不作限定。
示例性地，形成阴极层的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等，在此不作限定。
示例性地，可以使去除的支撑部采用绝缘材料制备。示例性地，绝缘材料可以为有机材料，例如树脂材料；也可以为无机材料，例如氮化硅，在此不作限定。
在具体实施时，保留的支撑部在垂直于衬底基板的方向上的截面具有靠近衬底基板的第一侧和远离衬底基板的第二侧；
去除的支撑部在垂直于衬底基板的方向上的截面具有靠近衬底基板的第三侧和远离衬底基板的第四侧；
第三侧的宽度分别不小于第一侧的宽度和第二侧的宽度。
示例性地，支撑结构在垂直于衬底基板的方向上的截面呈“T”字形或倒梯形。
示例性地，在具体实施时，支撑结构可以包括层叠设置的第一支撑部和第二支撑部。其中，第一支撑部可以为保留的支撑部，第二支撑部可以为去除的支撑部。在本发明实施例中，依次在像素限定层背离衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层，具体可以包括：依次在像素限定层背离衬底基板一侧形成第一支撑薄膜层和第二支撑薄膜层。并且，对衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的支撑结构，具体可以包括：采用湿法刻蚀工艺，基于第二刻蚀速率对第二支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第二支撑部；其中，像素限定层在衬底基板的正投影覆盖第二支撑部在衬底基板的正投影；以及，采用湿法刻蚀工艺，基于第一刻蚀速率对第一支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第一支撑部；其中，一个第二支撑部在衬底基板的正投影覆盖一个第一支撑部在衬底基板的正投影，且第一刻蚀速率大于第二刻蚀速率。并且，去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，保留支撑结构中靠近衬底基板的一侧的支撑部，具体可以包括：去除第二支撑部，保留第一支撑部。如图2所示，保留了第一支撑部151，这样可以使第一支撑部151采用导电材料制备而成，从而可以使阴极层与第一支撑部151进行电连接，降低阴极层的电阻。
下面结合具体实施例，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本发明，但不限制本发明。
本发明实施提供的阵列基板的制备方法，可以包括如下步骤：
(1)采用构图工艺在衬底基板100上形成像素电路层，如图2所示。示例性地，在衬底基板上依次形成像素电路120中的晶体管的有源层、栅极、源极和漏极。
(2)采用构图工艺在形成有像素电路层的衬底基板100上形成平坦化层130，如图2所示。示例性地，平坦化层130可以具有多个贯穿平坦化层130的连接过孔121。
(3)采用构图工艺在平坦化层130上形成位于每个子像素区域spx中的阳极111，并使每个子像素区域spx中的阳极111通过连接过孔121与像素电路120电连接；如图2与图3a所示。
(4)采用构图工艺，在阳极111背离衬底基板100一侧形成像素限定层140；如图2与图3b所示。
(5)依次在像素限定层背离衬底基板100一侧形成第一支撑薄膜层1511和第二支撑薄膜层1512；如图3c所示。
示例性地，可以采用磁控溅射工艺，形成厚度为0.5～1.5微米的第一支撑薄膜层1511。其中，第一支撑薄膜层1511的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等；也可以为金属材料，例如金、银、铝、钼等，在此不作限定。
以及，可以采用旋涂工艺，形成厚度为0.5～1.5微米的第二支撑薄膜层1512。其中，第二支撑薄膜层1512的材料可以为有机材料。
(6)在多个支撑薄膜层背离衬底基板一侧形成光刻胶薄膜层200；如图3d所示。示例性地，可以采用旋涂工艺，形成厚度为0.5～1.5微米的光刻胶薄膜层200。
(7)采用PS掩膜版，对光刻胶薄膜层200进行曝光、显影后，采用湿法刻蚀，基于第二刻蚀速率对第二支撑薄膜层1512进行刻蚀，形成多个间隔设置的第二支撑部152；如图3e所示。
(8)采用湿法刻蚀工艺，基于第一刻蚀速率对第一支撑薄膜层1511进行刻蚀，形成多个间隔设置的第一支撑部151；如图3f所示。
由于第一刻蚀速率大于第二刻蚀速率，可以使刻蚀第一支撑薄膜层1511的程度大于刻蚀第二支撑薄膜层1512的程度，从而可以使第一支撑部151和第二支撑部152的截面形成“T”字型。
(9)将掩膜版设置于支撑结构背离衬底基板一侧后，在衬底基板100上形成发光功能层；如图2所示。
(10)在移除掩膜版后，去除第二支撑部152，保留第一支撑部151；如图3g所示。
(11)在衬底基板100上形成阴极层113，并使阴极层113与第一支撑部151直接接触；如图2所示。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括：衬底基板100，位于衬底基板100上的阳极层和像素限定层140，位于像素限定层140背离衬底基板100一侧的多个间隔设置的支撑结构150，位于支撑结构150背离衬底基板100一侧的阴极层113；像素限定层140用于限定出衬底基板100中的多个子像素区域spx，阳极层包括位于每个子像素spx内的阳极111；支撑结构150包括层叠设置的多个支撑部，且像素限定层140在衬底基板100的正投影覆盖支撑结构150在衬底基板100的正投影；支撑结构150包括在制备方法中保留的靠近衬底基板100的一侧的支撑部(例如第一支撑部151)，且阴极层113与保留的支撑部(例如第一支撑部151)直接接触。需要说明的是，阵列基板的结构可以参见上述描述，在此不作赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及显示装置，在移除掩膜版后，通过至少去除支撑结构中远离衬底基板的一侧的支撑部，可以将由于掩膜版与衬底基板贴合过于紧密而压伤的支撑部去除，这样可以使衬底基板上不存在损坏的支撑部，从而在形成后续的封装层后，对封装层的影响较小，进而可以改善封装失效的问题，提高显示面板的封装效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成阳极层和像素限定层；其中，所述像素限定层用于限定出所述衬底基板中的多个子像素区域，所述阳极层包括位于每个子像素区域内的阳极；
在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个间隔设置的支撑结构，包括：依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层，在所述多个支撑薄膜层背离所述衬底基板一侧形成光刻胶薄膜层，对所述光刻胶薄膜层进行图案化，对所述衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的所述支撑结构，所述支撑结构在垂直于所述衬底基板的方向上的截面呈“T”字形或倒梯形；其中，所述支撑结构包括层叠设置的多个支撑部，且所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述支撑结构在所述衬底基板的正投影；
将掩膜版设置于所述支撑结构背离所述衬底基板一侧后，在所述衬底基板上形成发光功能层；
在移除所述掩膜版后，至少去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部，包括：去除所述支撑结构中远离所述衬底基板一侧的支撑部，保留所述支撑结构中靠近所述衬底基板一侧的支撑部；
在所述衬底基板上形成阴极层，包括：在所述衬底基板上形成所述阴极层，所述靠近所述衬底基板一侧的支撑部采用导电材料制备，与所述阴极层直接接触形成辅助电极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保留的所述支撑部在垂直于所述衬底基板的方向上的截面具有靠近所述衬底基板的第一侧和远离所述衬底基板的第二侧；
所述去除的所述支撑部在垂直于所述衬底基板的方向上的截面具有靠近所述衬底基板的第三侧和远离所述衬底基板的第四侧；
所述第三侧的宽度分别不小于所述第一侧的宽度和所述第二侧的宽度。
3.如权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述支撑结构包括层叠设置的第一支撑部和第二支撑部；
所述依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成多个支撑薄膜层，具体包括：依次在所述像素限定层背离所述衬底基板一侧形成第一支撑薄膜层和第二支撑薄膜层；
所述对所述衬底基板进行刻蚀，形成多个间隔设置的所述支撑结构，具体包括：
采用湿法刻蚀工艺，基于第二刻蚀速率对所述第二支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第二支撑部；其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二支撑部在所述衬底基板的正投影；
采用湿法刻蚀工艺，基于第一刻蚀速率对所述第一支撑薄膜层进行刻蚀，形成多个间隔设置的第一支撑部；其中，一个所述第二支撑部在所述衬底基板的正投影覆盖一个所述第一支撑部在所述衬底基板的正投影，且所述第一刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率；
所述去除所述支撑结构中远离所述衬底基板的一侧的支撑部，保留所述支撑结构中靠近所述衬底基板的一侧的支撑部，具体包括：
去除所述第二支撑部，保留所述第一支撑部。
4.如权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述保留的所述支撑部采用导电材料制备；和/或，
所述去除的所述支撑部采用绝缘材料制备。
5.如权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阳极层和像素限定层之前，还包括：
在所述衬底基板上形成像素电路层；其中，所述像素电路层包括多个像素电路，一个所述子像素区域包括一个所述像素电路；
在形成有所述像素电路层的衬底基板上形成平坦化层；其中，所述平坦化层包括多个连接过孔；其中，一个所述子像素区域包括至少一个所述连接过孔，且同一所述子像素区域中，所述像素电路通过所述至少一个连接过孔与所述阳极电连接。
6.如权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成阴极层，并使所述阴极层与保留的所述支撑部直接接触之后，还包括：
在形成有所述阴极层的衬底基板上形成封装层。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的阳极层和像素限定层，位于所述像素限定层背离所述衬底基板一侧的多个间隔设置的支撑结构，位于所述支撑结构背离所述衬底基板一侧的阴极层；
所述像素限定层用于限定出所述衬底基板中的多个子像素区域，所述阳极层包括位于每个子像素区域内的阳极；所述支撑结构包括层叠设置的多个支撑部，且所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述支撑结构在所述衬底基板的正投影；
所述支撑结构包括如权利要求1所述的制备方法中保留的靠近所述衬底基板的一侧的支撑部，且所述阴极层与保留的所述支撑部直接接触。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010679848.7A CN111916578B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010679848.7A CN111916578B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111916578A CN111916578A (zh) | 2020-11-10 |
| CN111916578B true CN111916578B (zh) | 2023-12-19 |
Family
ID=73281613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010679848.7A Active CN111916578B (zh) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111916578B (zh) |
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| CN111916578A (zh) | 2020-11-10 |
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