CN106449696A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：像素电极；像素限定层，覆盖像素电极的边缘的至少一部分；发射层，位于像素电极上；以及第一中间层，位于像素电极和像素限定层上，第一中间层具有与像素限定层的上表面的至少一部分对应的第一通孔。
Description
相关申请的交叉引用
2015年8月7日提交于韩国知识产权局的名称为“有机发光显示装置及其制造方法”的第10-2015-0111632号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是可在显示区域中包括有机发光二极管(OLED)的显示装置。OLED可包括彼此面对的像素电极和相对电极，以及布置在像素电极与相对电极之间并包括发射层的中间层。
发明内容
实施方式可通过提供有机发光显示装置来实现，有机发光显示装置包括像素电极、像素限定层、发射层和第一中间层，其中，像素限定层覆盖像素电极的边缘的至少一部分，发射层位于像素电极上，第一中间层位于像素电极和像素限定层上，第一中间层具有与像素限定层的上表面的至少一部分对应的第一通孔。
第一中间层的与像素电极对应的部分可位于像素电极和发射层之间。
有机发光显示装置还可包括位于像素电极和像素限定层上的第二中间层，第二中间层在发射层上方具有与像素电极对应的部分。
第二中间层可填充第一通孔。
第二中间层可具有与第一通孔对应的第二通孔。
第一通孔的内表面和第二通孔的内表面可形成连续的表面。
有机发光显示装置还可包括位于第二中间层上的相对电极，相对电极面对像素电极和像素限定层。
相对电极可填充第一通孔和第二通孔中的至少一个。
相对电极可具有与第二通孔对应的第三通孔。
第一通孔的内表面、第二通孔的内表面以及第三通孔的内表面可形成连续的表面。
有机发光显示装置还可包括位于相对电极上的薄膜封装层。薄膜封装层的下表面的至少一部分可经由第一通孔、第二通孔和第三通孔直接接触像素限定层。
薄膜封装层可包括无机层，以及无机层可直接接触像素限定层。
发射层可位于像素电极与第一中间层的与像素电极对应的部分之间。
有机发光显示装置还可包括位于第一中间层上的相对电极，相对电极面对像素电极和像素限定层。
相对电极可具有与第一通孔对应的第三通孔。
第一通孔的内表面和第三通孔的内表面可形成连续的表面。
实施方式可通过提供制造有机发光显示装置的方法来实现，该方法包括：形成像素电极；形成覆盖像素电极的边缘的至少一部分的像素限定层；形成与像素限定层的上表面的至少一部分对应的图案化牺牲层；使用图案化牺牲层作为间隔件形成与像素电极对应的图案化发射层；以及去除图案化牺牲层。
形成图案化牺牲层可包括：形成与像素电极和像素限定层对应的牺牲层；以及通过在牺牲层上形成光刻胶层以及通过使用光刻胶层图案化牺牲层来形成图案化牺牲层。
去除图案化牺牲层可包括通过去除图案化牺牲层来去除光刻胶层的保留在图案化牺牲层上的部分。
该方法还可包括在形成图案化牺牲层与形成图案化发射层之间，形成与像素电极和像素限定层对应的第一中间层，第一中间层具有与图案化牺牲层对应的第一通孔。
该方法还可包括形成与像素电极和像素限定层对应的第二中间层以覆盖图案化发射层，第二中间层具有与图案化牺牲层对应的第二通孔。
该方法还可包括形成与像素电极和像素限定层对应的相对电极以覆盖第二中间层，相对电极具有与图案化牺牲层对应的第三通孔。
该方法还可包括在相对电极上形成薄膜封装层，薄膜封装层的下表面的至少一部分经由第一通孔、第二通孔和第三通孔直接接触像素限定层。
图案化牺牲层可包括氟含量为20wt％至60wt％的高氟树脂或氟化聚合物。
去除图案化牺牲层可包括使用氢氟醚。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
图1-图8示出了根据实施方式制造有机发光显示装置的方法的示意性剖视图；
图9示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图10示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图11示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图12示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图13示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及
图14示出了根据实施方式的有机发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施方式；然而，这些示例性实施方式可通过不同形式实施且不应该被理解为受限于本文中所陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将充分地向本领域技术人员表达示例性实现方式。
以下将参照附图更详细地描述一个或多个实施方式。相同或相对应的那些部件用相同的附图标记标注而与图号无关，以及省略了多余的解释。
应理解的是，除非另有说明，否则当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称作在另一元件“上”时，该元件可“直接”在该另一元件上或者也可存在中间元件。还应理解的是，当层被称作在另一层“下”时，该层可直接位于该另一层下方，以及也可存在一个或者多个中间层。此外，也应理解的是，当层被称作在两层“之间”时，该层可以是这两层之间唯一的层，或也可存在一个或多个中间层。
为了便于解释，图中层和区域的厚度可被夸大或者缩小。换言之，由于为了便于解释而任意示出了图中部件的尺寸和厚度，所以以下实施方式不限于此。
在以下示例中，x-轴、y-轴和z-轴不限于直角坐标系中的三个轴，而可以以更宽泛的含义进行解释。例如，x-轴、y-轴和z-轴可相互垂直，或可代表不相互垂直的不同方向。
图1-图8示出了根据实施方式制造有机发光显示装置的方法的示意性剖视图。
如图1所示，首先可制备底板。可将底板理解为至少包括：衬底100；形成在衬底100上的像素电极210R、210G和210B；以及像素限定层180，其中像素限定层180暴露像素电极210R、210G和210B中的每个的至少一部分。这些部分中的每个可包括像素电极210R、210G和210B中的每个的中部。像素限定层180可覆盖像素电极210R、210G和210B中的每个的边缘的至少一部分。像素限定层180可相对于衬底100(在+z方向上)比像素电极210R、210G和210B突出得更远。
例如，像素电极210R、210G和210B可形成在平坦化层170上，平坦化层170可看作是较低的层，以及像素限定层180可形成在平坦化层170上，其中平坦化层170可以是位于像素电极210R、210G和210B下方的较低的层。像素限定层180可形成为使得像素限定层180的高度(从平坦化层170至像素限定层180的上表面的高度)大于从平坦化层170至像素电极210R、210G和210B的上表面的高度。
像素电极210R、210G和210B可以是(半)透明电极或反射电极。当像素电极210R、210G和210B是(半)透明电极时，像素电极210R、210G和210B可例如包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或者铝锌氧化物(AZO)。当像素电极210R、210G和210B是反射电极时，像素电极210R、210G和210B中的每个可例如包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其组合的反射层以及包含有ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施方式中，像素电极210R、210G和210B的结构和材料可被多样地改变。
像素限定层180可包括与子像素对应的开口，即，经由该开口可暴露像素电极210R、210G和210B的相应中部部分或全部部分以及经由该开口可限定像素。像素限定层180也可增加像素电极210R、210G和210B中的每个的端部与形成在像素电极210R、210G和210B中的每个上的相对电极之间的距离，以及可例如防止在像素电极210R、210G和210B中的每个的端部处产生电弧。像素限定层180可包括多种材料，例如：诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机材料；以及诸如丙烯酰或聚酰亚胺的有机材料。
在实施方式中，底板还可包括其他部件。例如，如图1所示，可在衬底100上形成薄膜晶体管TFT或电容器Cap。底板还可包括例如缓冲层110、栅绝缘层130、层间绝缘层150和平坦化层170，其中：缓冲层110可防止杂质渗入薄膜晶体管TFT的半导体层中；栅绝缘层130可将薄膜晶体管TFT的半导体层与栅电极绝缘；层间绝缘层150可将薄膜晶体管TFT的源电极和漏电极与栅电极绝缘；以及平坦化层170可覆盖薄膜晶体管TFT并且可具有近似平坦的顶面。
随后，如图4所示，可在像素限定层180上形成图案化牺牲层191a，以及图案化牺牲层191a可与像素限定层180的上表面的至少一部分对应。首先，如图2所示，可在像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180上形成牺牲层191，以及可在牺牲层191上形成光刻胶层193。随后，如图3所示，光刻胶层193的一部分可被曝光和显影，以及可在牺牲层191中的可形成图案化牺牲层191a的部分上形成图案化光刻胶层193a。通过使用图案化光刻胶层193a作为掩模来对牺牲层191图案化可形成图案化牺牲层191a。图案化光刻胶层193a可位于图案化牺牲层191a上，以及在该阶段可无需去除图案化光刻胶层193a。将在下文中描述用于形成图案化牺牲层191a的材料。
在形成图案化牺牲层191a后，用于形成第一中间层的材料可涂覆、掺杂或沉积在衬底100上以及可与衬底100的大部分区域对应(例如，重叠)。如图5所示，可形成第一中间层221，第一中间层221与像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180对应(例如，重叠)以及具有与图案化牺牲层191a对应(例如，重叠)的第一通孔221b(参见图9)。如图5所示，用于第一中间层的材料层221a可位于在图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a上。具有第一通孔221b的第一中间层221可具有单层结构或多层结构，以及可包括例如空穴注入层和/或空穴传输层。
作为参考，在实施方式中，为便于说明，图5中用于第一中间层的材料层221a的厚度可与图案化牺牲层191a或图案化光刻胶层193a的厚度相当。在实施方式中，用于第一中间层的材料层221a实际可具有相较于图案化牺牲层191a或图案化光刻胶层193a的厚度而言小到可以忽略的厚度。
此后，如图6所示，可在红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B上分别形成红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B。可用于形成红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B的材料可不同，以及红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B可能需要单独形成。可使用精细金属掩模(FMM)形成红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B。当形成红色发射层223R时，可在衬底100上布置具有与红色子像素R的像素电极210R对应的开口的FMM，以及与红色子像素R的像素电极210R对应的红色发射层223R可通过沉积形成。当形成绿色发射层223G或蓝色发射层223B时可使用相同的方法。可将红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B理解为图案化红色发射层、图案化绿色发射层和图案化蓝色发射层。
对于多个红色子像素R的像素电极210R而言，可形成单个红色发射层223R。红色发射层223R可与共线的多个红色子像素R的像素电极210R对应。可在衬底100上布置具有条形开口的FMM，该条形开口与多个红色子像素R的像素电极210R对应，以及与红色子像素R的像素电极210R对应的单个红色发射层223R可通过沉积形成。当形成绿色发射层223G或蓝色发射层223B时，可使用相同的方法。在这种情况下，发射层的图案化形状可以改变。这种解释可等同地适用于稍后描述的实施方式或其修改。
当如上所述地来形成红色发射层223R、绿色发射层223G或蓝色发射层223B时，FMM可接触图案化牺牲层191a，例如位于图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a。例如，当形成红色发射层223R、绿色发射层223G或蓝色发射层223B时，FMM与像素电极210R、210G和210B中的每个之间的间隔可能需要是预设的恒定间隔，以及FMM可能需要接触图案化牺牲层191a，例如位于图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a。
在形成红色发射层223R、绿色发射层223G或蓝色发射层223B时，FMM可不接触像素限定层180或第一中间层221，以及例如像素限定层180或第一中间层221可不受损伤。可有效防止在制造有机发光显示装置期间产生缺陷，或者可显著降低缺陷产生率。FMM可接触图案化牺牲层191a，例如如上所述位于图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a，以及图案化牺牲层191a、图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a可被损伤。如将在下文中描述的，可去除图案化牺牲层191a、图案化光刻胶层193a以及用于第一中间层的材料层221a，以及图案化牺牲层191a、图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a可不影响有机发光显示装置的品质。
在通过使用图案化牺牲层191a作为间隔件形成分别与像素电极210R、210G或210B对应的图案化红色发射层223R、图案化绿色发射层223G或图案化蓝色发射层223B后，如上所述，可涂覆、掺杂或沉积用于形成第二中间层的材料以覆盖红色发射层223R、绿色发射层223G或蓝色发射层223B，以及与衬底100的大部分区域对应，如图7所示。如图7所示，可形成第二中间层222，第二中间层222与像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180对应，以及该第二中间层222具有与图案化牺牲层191a对应的第二通孔222b(参见图9)。如图7所示，用于第二中间层的材料层222a可位于在图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a和/或用于第一中间层的材料层221a上。具有第二通孔222b的第二中间层222可具有单层结构或多层结构，以及可包括例如电子传输层和/或电子注入层。
作为参考，在实施方式中，为便于说明，图7中用于第二中间层的材料层222a的厚度可与图案化牺牲层191a或图案化光刻胶层193a的厚度相当。在实施方式中，用于第二中间层的材料层222a可实际具有相较于图案化牺牲层191a或图案化光刻胶层193a的厚度而言小到可以忽略的厚度。
此后，可涂覆、掺杂或沉积用于形成相对电极的材料以覆盖第二中间层222并与衬底100的大部分区域对应。如图8所示，可形成相对电极230，相对电极230与像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180对应并且具有与图案化牺牲层191a对应的第三通孔230b(见图9)。如图8所示，用于形成相对电极230的材料层230a可位于在图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a、用于第一中间层的材料层221a和/或用于第二中间层的材料层222a上。
具有第三通孔230b的相对电极230可在显示区外接触电极供电线，以及可从电极供电线接收电信号。相对电极230可包括透明(或半透明)电极或反射电极。当相对电极230包括透明(或半透明)电极时，相对电极230可例如包括通过朝发射层223R、223G和223B沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物而形成的层；以及可例如包括由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明(或半透明)材料形成的辅助电极或总线电极线。当相对电极230包括反射电极时，相对电极230可例如包括包含有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中的至少一种的层。在实施方式中，可对相对电极230的配置以及可用于形成相对电极230的材料作出多种修改。
随后，可去除图案化牺牲层191a，以及可制造如图9所示的有机发光显示装置。随着去除图案化牺牲层191a，也可去除位于图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a、用于第一中间层的材料层221a、用于第二中间层的材料层222a和/或用于相对电极的材料层230a。可随后形成覆盖相对电极230的薄膜封装(TFE)层240(参见图10)；或者可布置与衬底100直接或间接连接的封装衬底，使得例如相对电极230介于衬底100与封装衬底之间。可对该过程作出多种修改。
在根据本实施方式的有机发光显示装置制造方法中，当红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B分别形成在红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中时可使用的FMM可与图案化牺牲层191a(例如，位于图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a或用于第一中间层的材料层221a)接触(例如，可接触图案化牺牲层191a)，以及在FMM与衬底100之间的间隔可维持为预设的恒定间隔的同时可形成红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B。在该过程中，FMM可不接触像素限定层180或第一中间层221，以及例如可不损伤可能已经形成的像素限定层180或第一中间层221。相应地，可有效防止在制造有机发光显示装置期间产生缺陷，或可显著降低缺陷产生率。
当在像素限定层180上形成间隔件之后，可保留间隔件。间隔件的上表面或存在于间隔件的上表面上的材料层可接触FMM并且可能会受到损伤。这可例如导致在形成TFE层240(参见图10)期间产生缺陷封装。由于例如间隔件的存在，当稍后形成TFE层240时，在TFE层240下方的堆叠的高度差异可增加，以及可能不容易形成无缺陷的TFE层，或者可能过度增加TFE层的厚度。在根据本实施方式的有机发光显示装置制造方法中，可防止或最小化这种缺陷封装的产生。
在不形成图案化牺牲层191a的情况下，可仅形成图案化光刻胶层，其中图案化光刻胶层具有可与图案化牺牲层191a相同或相似的形状。当红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B形成后，可能需要去除图案化光刻胶层，以及可用于去除光刻胶层的材料可能会严重损伤可能已经形成的红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B。
在根据本实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B后，无需单独去除图案化光刻胶层193a，当去除图案化牺牲层191a时，也可同时去除形成在图案化牺牲层191a上的图案化光刻胶层193a，以及可防止或最小化对红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B的损伤。当形成牺牲层191以及随后如图3所示形成图案化光刻胶层193a时，牺牲层191可围绕牺牲层191下方的所有结构，以及可防止牺牲层191下方的结构受到损伤，或者可最小化牺牲层191下方的结构的损伤。
图9所示的第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可具有多种形状。例如，当在z-轴方向上观察时，xy平面中的第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可均具有点的形状或条形形状。在实施方式中，当在z-轴方向上观察时，xy平面中的第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可分别具有分别围绕像素电极210R、210G和210B的形状。
在根据实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成相对电极230和随后去除图案化牺牲层191a后，可如图10所示形成TFE层240。如图10所示，在以这种方式制造的有机发光显示装置中，第一中间层221可具有第一通孔221b，第二中间层222可具有第二通孔222b，以及相对电极230可具有第三通孔230b。像素限定层180上表面的至少一部分可被暴露而不被第一中间层221、第二中间层222和相对电极230覆盖。TFE层240下表面的至少一部分可经由第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b接触像素限定层180。
如上所述，TFE层240可接触像素限定层180，TFE层240的粘附力可增加，以及可有效防止TFE层240与例如相对电极230分离。例如，像素限定层180可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，以及具有多层结构的TFE层240的最下层也可由无机材料形成，以及TFE层240与像素限定层180之间的粘附力可增加。TFE层240可包括单个无机层。由于第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可存在于TFE层240的下方结构中，所以可增加TFE层240的下表面可接触TFE层240的下方结构的面积，以及可防止TFE层240与相对电极230分离。为获得如上所述的效果，像素限定层180可包括例如如上所述的无机材料。在实施方式中，像素限定层180可包括有机材料。
制造过程中，图案化牺牲层191a可接触第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B。图案化牺牲层191a可能需要不损伤第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B，或者，即使图案化牺牲层191a损伤第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B，也可能需要使得损伤程度最小化。在如图8所示形成相对电极230后去除图案化牺牲层191a时，可需要最小化对可接触第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B的图案化牺牲层191a的损伤。相应地，可能需要可用于去除图案化牺牲层191a的材料不显著地影响第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B。
可用于形成牺牲层191的材料可包括氟含量为20wt％～60wt％的高氟树脂或氟化的聚合物(氟化聚合物)。这种材料包括大量氟化碳，氟化碳不与第一中间层221、第二中间层222、和/或红色发射层223R、绿色发射层223G和蓝色发射层223B的材料发生物理/化学反应，以及该材料可不损伤第一中间层221、第二中间层222和/或发射层223R、223G和223B，或者即使产生损伤，损伤程度可最小化。
当图案化牺牲层191a由这种材料形成时，图案化牺牲层191a与包括氧化硅和/或氮化硅的像素限定层180之间的粘附力可以是低的。相应地，可用于去除图案化牺牲层191a的材料可不显著地影响第一中间层221、第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B。
可用于去除图案化牺牲层191a的材料的示例可包括氢氟醚(HFE)。作为在根据本实施方式的有机发光显示装置制造方法中可用于去除图案化牺牲层191a的材料，因为该材料可包括氢氟醚，所以可使用NovecTM系列产品(由美国3MTM出售)。例如，可使用Novec-7100、Novec-7200、Novec-7500、Novec-71IPA、Novec-72DE或Novec-72DA、或其组合。作为参考，Novec-7100、Novec-7200和Novec-7500的化学式如下所示。
Novec-71IPA可由95.5wt％的Novec-7100和4.5wt％的异丙醇(IPA)组成，Novec-72DE可由10wt％的Novec-7100、20wt％的Novec-7200和70wt％的反-1,2-二氯乙烯组成，以及Novec-72DA可由10wt％的Novec-7100、20wt％的Novec-7200、68wt％的反-1,2-二氯乙烯和2wt％的IPA组成。
在实施方式中，在图4至图8中，图案化牺牲层191a可形成在每两个子像素之间。在实施方式中，图案化牺牲层191a可仅位于有机发光显示装置的部分子像素之间。图案化牺牲层191a可用作间隔件，在形成第二中间层222、红色发射层223R、绿色发射层223G和/或蓝色发射层223B期间，该间隔件可使FMM与衬底100之间的间隔恒定，以及图案化牺牲层191a可不必存在于所有子像素之间。因此，虽然图9中与图案化牺牲层191a对应的第一通孔221b、第二通孔222b和/或第三通孔230b可形成在每两个子像素之间，但第一通孔221b、第二通孔222b和/或第三通孔230b可仅形成在部分子像素之间。这等同地适用于稍后描述的实施方式及其修改。
图案化牺牲层191a可具有多种形状中的任一种。例如，当在垂直于衬底100的方向(-z方向)上观察时，图案化牺牲层191a可具有圆形形状或多边形形状。在实施方式中，当在垂直于衬底100的方向(-z方向)观察时，图案化牺牲层191a可例如在多个子像素之间具有在y方向上延伸的长单体形状。第一通孔221b、第一通孔222b和/或第三通孔230b可例如在多个子像素之间具有在y方向上延伸的形状。这等同地适用于稍后描述的实施方式及其修改。
图9示出了以这种方式制造的有机发光显示装置。根据实施方式的有机发光显示装置可包括：像素电极210R、210G和210B；具有如上所描述的形状的像素限定层180；分别图案化成与像素电极210R、210G和210B对应并且位于像素电极210R、210G和210B上的发射层223R、223G和223B；第一中间层221；第二中间层222；以及相对电极230。
第一中间层221、第二中间层222和相对电极230可位于像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180上方以面对像素电极210R、210G和210B以及像素限定层180。第一中间层221的与像素电极210R、210G和210B对应的部分可介于像素电极210R、210G和210B与发射层223R、223G和223B之间，以及第二中间层222的与像素电极210R、210G和210B对应的部分可位于发射层223R、223G和223B上方。
第一中间层221、第二中间层222和相对电极230可分别具有与像素限定层180的上表面的至少一部分对应的第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b。第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可通过如上所述的图案化牺牲层191a形成。相应地，第二通孔222b和第三通孔230b可均具有与第一通孔221b对应的形状，以及第一通孔221b的内表面、第二通孔222b的内表面和第三通孔230b的内表面可在它们之间的边界处连续，以及可形成如图9所示的连续表面。这等同地适用于稍后描述的实施方式及其修改。
在实施方式中，第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可具有相同的尺寸，如图9所示。在实施方式中，第一通孔221b的尺寸、第二通孔222b的尺寸和第三通孔230b的尺寸可逐渐增加或逐渐减小。然而，即使在后者的情况下，第一通孔221b的内表面、第二通孔222b的内表面和第三通孔230b的内表面在它们的边界处可不连续，以及可形成连续的表面。这等同地适用于稍后描述的实施方式及其修改。
虽然图9中与图案化牺牲层191a对应的第一通孔221b、第二通孔222b和/或第三通孔230b可形成在每两个子像素之间，但是第一通孔221b、第二通孔222b和/或第三通孔230b可仅形成在部分子像素之间。这等同地适用于稍后描述的实施方式及其修改。
根据实施方式的有机发光显示装置还可包括如图10所示的TFE层240，以及TFE层240的下表面的至少一部分可经由第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b接触像素限定层180。由于TFE层240可接触像素限定层180以及TFE层240的粘附力可增加，因此可有效防止TFE层240与相对电极230分离。例如，像素限定层180可包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，以及具有多层结构的TFE层240的最下层也可由无机材料形成。因此，TFE层240与像素限定层180之间的粘附力可增加。由于第一通孔221b、第二通孔222b和第三通孔230b可存在于TFE层240的下方结构中，所以可增加TFE层240的下表面可接触TFE层的240下方结构的面积，以及可防止TFE层240与相对电极230分离。
在根据如上参照图1至图8描述的实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成图案化牺牲层191a后，可形成例如第一中间层221、发射层223R、223G和223B、第二中间层222和相对电极230，以及随后可去除图案化牺牲层191a。
在根据实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成图案化牺牲层191a后，可形成第一中间层221以及发射层223R、223G和223B，可随后去除图案化牺牲层191a，以及可随后形成第二中间层222和相对电极230。以这种方式制造的根据实施方式的有机发光显示装置可具有如图11所示的结构。只有第一中间层221可具有第一通孔221b，而第二中间层222和相对电极230可不具有通孔。在这种情况下，第二中间层222可填充第一通孔221b。可有效地防止或最小化例如由于在形成发射层223R、223G和223B期间与FMM接触而对像素限定层180或第一中间层221造成的损伤，以及可有效地防止或最小化在去除图案化牺牲层191a期间对第一中间层221以及发射层223R、223G和223B的损伤。
在根据实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成图案化牺牲层191a后，可形成第一中间层221、发射层223R、223G和223B以及第二中间层222，可随后去除图案化牺牲层191a，以及可随后形成相对电极230。以这种方式制造的根据实施方式的有机发光显示装置可具有如图12所示的结构。只有第一中间层221和第二中间层222可分别具有第一通孔221b和第二通孔222b，而相对电极230可不具有通孔。在这种情况下，相对电极230可填充第一通孔221b和/或第二通孔222b。可有效地防止或最小化例如由于在形成发射层223R、223G和223B期间与FMM接触而对像素限定层180或第一中间层221造成的损伤，以及可有效地防止或最小化在去除图案化牺牲层191a期间对第一中间层221、第二中间层222以及发射层223R、223G和223B的损伤。在根据如上所述的本实施方式的有机发光显示装置中，第一通孔221b和第二通孔222b的相应内表面可形成连续的表面。
在根据实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成第一中间层221后，可形成图案化牺牲层191a。图案化牺牲层191a可不接触像素限定层180的上表面，而可接触位于像素限定层180的上表面上方的第一中间层221的一部分，以及第一中间层221可不具有第一通孔221b。当图案化牺牲层191a形成在第一中间层221上之后，可形成发射层223R、223G和223B以及第二中间层222，可随后去除图案化牺牲层191a，以及可随后形成相对电极230。以这种方式制造的根据实施方式的有机发光显示装置可具有如图13所示的结构。第一中间层221和相对电极230可分别不具有第一通孔221b和第三通孔230b，而只有第二中间层222可具有第二通孔222b。可有效地防止或最小化例如由于在形成发射层223R、223G和223B期间与FMM接触而对像素限定层180或第一中间层221造成的损伤，以及可有效地防止或最小化在去除图案化牺牲层191a期间对第一中间层221、第二中间层222以及发射层223R、223G和223B的损伤。
在根据实施方式的有机发光显示装置制造方法中，在形成第一中间层221后，可形成图案化牺牲层191a，可随后形成发射层223R、223G和223B、第二中间层222以及相对电极230，以及可随后去除图案化牺牲层191a。以这种方式制造的根据实施方式的有机发光显示装置可具有如图14所示的结构。第一中间层221可不具有第一通孔221b，而只有第二中间层222和相对电极230可分别具有第二通孔222b和第三通孔230b。可有效地防止或最小化例如由于在形成发射层223R、223G和223B期间与FMM接触而对像素限定层180或第一中间层221造成的损伤，以及可有效地防止或最小化在去除图案化牺牲层191a期间对第一中间层221、第二中间层222以及发射层223R、223G和223B的损伤。第二通孔222b的内表面和第三通孔230b的内表面可形成连续的表面。
在根据本实施方式的有机发光显示装置中，如图14所示，第二中间层222可具有第二通孔222b，以及相对电极230可具有第三通孔230b。相应地，当稍后形成TFE层时，由于第二通孔222b和第三通孔230b可存在于TFE层的下方结构中，所以可增加TFE层的下表面可接触TFE层的下方结构的面积，以及可防止TFE层与相对电极230分离。
通过总结和回顾，在制造有机发光显示装置期间，中间层的至少一部分可使用多种方法形成，例如，使用FMM的沉积方法。然而，在制造有机发光显示装置的这种方法中，在形成中间层的至少一部分时可产生缺陷。
如上所述，根据基于上述实施方式中的一个或多个的有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法，可降低当形成例如发射层时的缺陷的产生率。
本文中已经公开了示例性实施方式，以及虽然使用了特定的术语，但是这些术语仅用于且将仅解释为一般且描述性的含义而并非出于限制的目的。例如，为了方便起见，在与图13和图14相关描述中，第一中间层221可看作附加的中间层，而第二中间层222可看做第一中间层。在一些情况下，如随着本申请的递交而对本领域技术人员所显而易见的，除非另有特定地表示，否则结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独地使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。相应地，本领域技术人员将理解，在不背离如以下权利要求所陈述的本发明的精神和范围的前提下，可在形式和细节方面作出多种变化。
Claims (25)
1.有机发光显示装置，包括：
像素电极；
像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘的至少一部分；
发射层，位于所述像素电极上；以及
第一中间层，位于所述像素电极和所述像素限定层上，所述第一中间层具有与所述像素限定层的上表面的至少一部分对应的第一通孔。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一中间层的与所述像素电极对应的部分位于所述像素电极与所述发射层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，还包括位于所述像素电极和所述像素限定层上的第二中间层，所述第二中间层在所述发射层上具有与所述像素电极对应的部分。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第二中间层填充所述第一通孔。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第二中间层具有与所述第一通孔对应的第二通孔。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第一通孔的内表面和所述第二通孔的内表面形成连续的表面。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，还包括位于所述第二中间层上的相对电极，所述相对电极面对所述像素电极和所述像素限定层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述相对电极填充所述第一通孔和所述第二通孔中的至少一个。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述相对电极具有与所述第二通孔对应的第三通孔。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第一通孔的内表面、所述第二通孔的内表面以及所述第三通孔的内表面形成连续的表面。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，还包括位于所述相对电极上的薄膜封装层，其中，所述薄膜封装层的下表面的至少一部分经由所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔直接接触所述像素限定层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中：
所述薄膜封装层包括无机层，以及
所述无机层直接接触所述像素限定层。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述发射层位于所述像素电极与所述第一中间层的与所述像素电极对应的部分之间。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，还包括位于所述第一中间层上的相对电极，所述相对电极面对所述像素电极和所述像素限定层。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述相对电极具有与所述第一通孔对应的第三通孔。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述第一通孔的内表面和所述第三通孔的内表面形成连续的表面。
17.制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
形成像素电极；
形成覆盖所述像素电极的边缘的至少一部分的像素限定层；
形成与所述像素限定层的上表面的至少一部分对应的图案化牺牲层；
使用所述图案化牺牲层作为间隔件形成与所述像素电极对应的图案化发射层；以及
去除所述图案化牺牲层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述图案化牺牲层包括：
形成与所述像素电极和所述像素限定层对应的牺牲层；以及
通过在所述牺牲层上形成光刻胶层以及通过使用所述光胶层图案化所述牺牲层来形成所述图案化牺牲层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，去除所述图案化牺牲层包括：
通过去除所述图案化牺牲层来去除所述光刻胶层的保留在所述图案化牺牲层上的部分。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在形成所述图案化牺牲层与形成所述图案化发射层之间，形成与所述像素电极和所述像素限定层对应的第一中间层，所述第一中间层具有与所述图案化牺牲层对应的第一通孔。
21.根据权利要求20所述的方法，还包括：
形成与所述像素电极和所述像素限定层对应的第二中间层以覆盖所述图案化发射层，所述第二中间层具有与所述图案化牺牲层对应的第二通孔。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括：
形成与所述像素电极和所述像素限定层对应的相对电极以覆盖所述第二中间层，所述相对电极具有与所述图案化牺牲层对应的第三通孔。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括在所述相对电极上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层的下表面的至少一部分经由所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔直接接触所述像素限定层。
24.根据权利要求17所述的方法，其中，所述图案化牺牲层包括氟含量为20wt％～60wt％的高氟树脂或氟化聚合物。
25.根据权利要求17所述的方法，其中，去除所述图案化牺牲层包括使用氢氟醚。
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