JP6371094B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ（electro-luminescence）素子を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。

有機エレクトロルミネセンス材料を利用した有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、有機材料を選択することにより、あるいは有機ＥＬ素子の構造を適当なものとすることにより、白色発光はもとより可視光帯域において各色の発光を実現できる。このため有機ＥＬ素子を用いた表示装置や照明器具の開発が進められている。

有機ＥＬ表示装置は、各画素に有機ＥＬ素子を備えており、各画素における有機ＥＬ素子はトランジスタと接続され、該トランジスタを介して発光が制御される。有機ＥＬ素子はトランジスタが形成された素子基板に形成される。有機ＥＬ表示装置は、このような画素がマトリクス状に配列した画素アレイを有して構成され、有機ＥＬ素子から発光した光が、素子基板又は素子基板上に対向配置される対向基板側に出射されることにより、その面に表示画面が形成される。

画素の構造において、有機ＥＬ素子とトランジスタとの間には層間絶縁層が設けられているのが通常である。そして、有機ＥＬ素子は、一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」という。）を備えており、有機ＥＬ素子の一方の電極とトランジスタのソース・ドレイン電極とは、層間絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて電気的に接続される。また、有機ＥＬ素子は、雰囲気中の水分・酸素等に曝されると急速に劣化するため、その表面が、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等からなる封止層によって覆われることがある。

このような構成を備える有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置に対して外力が加わると、有機ＥＬ素子に含まれる有機ＥＬ層と電極等との間の界面、あるいは封止層と有機ＥＬ素子との間の界面において層間剥離を生じることがあった。

そこで、従来の有機ＥＬ表示装置には、このような層間剥離を抑制するために、隣接する画素の電極間に挟まれた領域に、電極と同じ材料を用いて複数の凸状構造物を形成し、この凸状構造物上に有機化合物層から封止層に至る各層を形成することにより、各層の表面に形成された凹凸によって積層方向に隣接する層間の接触面積を増やし、層間の界面における密着力を高めようとするものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３−０７７３８２号公報

上述した従来の有機ＥＬ表示装置は、有機化合物層、電極、及び封止層の各層を凸状構造物の凹凸に倣うように形成することで、積層される各層において隣接する層間の接触面積を増加させ、層間剥離の抑制を図ろうとしている。しかしながら、各層に凹凸面が形成されたところで、積層される薄膜において隣接する層自体に変化はないため、下層に位置する層とその上層に積層される層とでその付着力も変化しないことから、層間剥離を抑制することができない虞がある。

また、上述した従来の有機ＥＬ表示装置は、凸状構造物上に配置される複数層に凹凸面を形成しようとすると、上層に至る程、下層の厚みによって表面の凹凸が小さくなり、凹凸面が平坦化されることによって積層方向に隣接する層間の密着力が弱まり、層間剥離を生じさせる虞がある。

そこで本発明は、有機ＥＬ素子と隣接する層との間の層間剥離を防ぎ、高信頼性を確保することの可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的の一つとする。また、このような構成を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で実現することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１面上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層されて構成される有機ＥＬ素子の発光領域を備える複数の画素を備える第１基板と、前記第１電極上に配置され、前記発光領域に対応する位置に前記有機ＥＬ層と接続される前記第１電極を開口する開口部を備える第１絶縁層と、前記第１絶縁層上の前記開口部の形成されていない領域に所定の高さを有して配置される第２絶縁層と、前記第２電極上に、前記有機ＥＬ素子を覆って配置される封止膜と、を備え、前記有機ＥＬ層は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層上に配置されて前記第２絶縁層の側面上には配置されない領域を含み、前記第２絶縁層の側面上の前記有機ＥＬ層の配置されない領域において、前記第２絶縁層と、前記第２電極または前記封止膜とが接することを特徴とする。

前記封止膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンからなるものであってもよい。

前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、樹脂からなるものであってもよい。

前記第１基板と対向して配置される第２基板を有し、前記第１基板及び第２基板は、樹脂からなるものであってもよい。

また、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１面上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層されて構成される有機ＥＬ素子の発光領域を備える複数の画素を備える第１基板と、前記第１電極上に配置され、前記発光領域に対応する位置に前記有機ＥＬ層と接続される前記第１電極を開口する第１開口部を備える第１絶縁層と、前記第２電極上に、前記有機ＥＬ素子を覆って配置される封止膜と、を備え、前記有機ＥＬ層は、前記第１絶縁層上に配置されて、前記発光領域以外の領域に前記第１絶縁層を開口する第２開口部を備え、前記有機ＥＬ層の前記第２開口部を介して、前記第１絶縁層と、前記第２電極または前記封止膜とが接することを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の積層構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´線の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素の平面図であり、（ｂ）は画素の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の他の例を示す図であり、（ａ）は画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´線の断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の他の例を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´線の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施することができる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略構成について、以下、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００の中央部には、基板２上に、例えば、三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））及び白色（Ｗ）をそれぞれ発することにより一つの画素１０を構成する、４つ一組のサブ画素１０ａがマトリクス状に複数配置されて構成される。複数の画素１０に含まれる各サブ画素１０ａが選択的且つ発光量を調整して駆動されることによって、画像が表示される表示領域５０が形成される。また、表示領域５０の周辺領域には、表示領域５０内の各画素１０を選択的且つ発光量を調整して駆動するための駆動回路（Ｘドライバ、Ｙドライバ、シフトレジスタ等）３０、４０が配置される。

基板２上の表示領域５０には、各駆動回路３０、４０に導通した複数の制御信号線と複数のデータ信号線とが互いに交差して配置され、制御信号線とデータ信号線との交差部に対応する位置には、複数の画素１０がマトリクス状に配置される。各画素１０には、制御信号線から供給される制御信号に応じて画素１０に供給されるデータ電圧の書き込みを制御することにより画素１０の発光を制御する薄膜トランジスタと、データ信号線から供給されるデータ電圧を保持する容量素子等を備える画素回路が配置される。

また、基板２上には、各駆動回路３０、４０に導通して各駆動回路３０、４０に対して電源電圧や駆動信号を供給するともにグラウンドへの接地を行うための多数の配線パターンが形成される。各配線パターンの端部は、基板２上の金属電極６０ａにそれぞれ接続される。各金属電極６０ａは、例えば、外部から駆動電力、駆動信号及びアース電位等を供給するフレキシブルプリント回路基板（図示せず）に接続される端子領域６０として構成されてもよい。

次に、図２を参照し、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の積層構造について説明する。図２は、有機ＥＬ表示装置１００の積層構造を示す縦断面図である。

図２は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の積層構造を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、図２に示すように、基板２上に、表示領域５０において各画素１０を構成する有機ＥＬ素子層１を備える。有機ＥＬ素子層１は、基板２側から順に、例えば、第１電極（アノード）、有機ＥＬ層、第２電極（カソード）が積層されることにより構成される。第１電極は、例えば、反射電極であり、第２電極は、例えば、透明電極であってもよい。有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されて構成される。

有機ＥＬ素子層１は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化するため、外気から密閉される必要がある。このため、有機ＥＬ素子層１の表面は、例えば、ＣＶＤ成膜された窒化シリコン膜または酸化シリコン膜等の透明な無機膜からなる封止膜３によって覆われるとともに、透明部材からなる基板６によって覆われる。以下、基板２上に有機ＥＬ素子層１及び封止膜３が形成された構成を「第１基板７」といい、これに合わせて基板６を「第２基板６」という。第２基板６は、カラーフィルタを含み、有機ＥＬ表示装置１００の仕様によってはタッチパネル機能を備えた薄膜デバイス等を含むものであってもよい。また、第１基板７及び第２基板６は、樹脂からなる基板を含んで構成され、フレキシブルな表示装置１００が構成されるものであってもよい。

第１基板７と第２基板６との間隙には、図２に示すように、両者間の距離を一定に保つことにより有機ＥＬ素子層１の表面と第２基板６の表面とを平行に保つとともに、両者の界面における反射や屈折を防止するために、例えば、エポキシ樹脂等の透明な樹脂４、５が充填されてもよい。また、樹脂４、５以外にも、シール材等の公知の材料を用いて第１基板７と第２基板６との間隙を維持してもよく、第１基板７と第２基板６との間隙がシール材等を用いて維持される構成であれば、第１基板７と第２基板６との間に空間を有する構成としてもよい。

このような構成を有する本発明の第１及び第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について、以下、図３乃至図７を参照して説明する。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について、図３乃至図４Ｂを参照して述べる。

図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素１０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´線の断面図である。図４Ａは、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素１０の平面図であり、（ｂ）は画素１０の断面図である。図４Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の概略構成を示す断面図であり、図３Ａ（ｂ）に示す点線３ａで囲まれた部分の拡大断面図である。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０は、図３（ａ）に示すように、略Ｌ字型の発光領域を有する４つのサブ画素１０ａが、それぞれ矩形状の画素１０の角部に、発光領域の略Ｌ字型の角部が合わされて配置されてもよい。図３（ａ）に示す各サブ画素１０ａの発光領域は、有機ＥＬ素子層１の第１電極１１と有機ＥＬ層１２と第２電極１２とが積層されて構成される。第１電極１１上には第１絶縁層１４が配置され、第１絶縁層１４の第１電極１１を開口する開口部を介して第１電極１１と有機ＥＬ層１２とが接続される。また、第１絶縁層１４上の、第１電極１１を開口する開口部の形成されていない領域には、所定の高さ（例えば１μｍ以上の高さ）を有して第２絶縁層１５が配置される。第２絶縁層１５は、各サブ画素１０ａの発光領域の形成されない領域に配置され、図３（ａ）に示すように、画素１０の略中央部に配置されてもよい。

図３（ｂ）を参照して、有機ＥＬ表示装置１００の構成をより詳細に述べる。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す画素１０のＡ−Ａ´線の断面図である。図３（ｂ）に示すように、基板２は、ガラス基板２０上に、樹脂層２１、第１絶縁膜２２、配線層２３、第２絶縁膜２４、及び平坦化膜２５が積層されて構成されてもよい。

樹脂層２１は、ポリイミドやポリエステル等の樹脂を用いてガラス基板２０の全面上に形成される。第１絶縁膜２２は、無機絶縁膜であり、樹脂層２１上に、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、または窒化シリコンと酸化シリコンとの積層膜を用いて形成される。配線層２３には、チタン及びアルミニウム等を用いて形成された複数の金属配線が配置される。第２絶縁膜２４は、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜であり、配線層２３を覆って形成される。第２絶縁膜２４上には、ポリイミドやアクリル等の樹脂を用いて平坦化膜２５が形成される。

ガラス基板２０は、製造工程上、樹脂層２１の支持基板として利用され、最終的にガラス基板２０が樹脂層２１から剥離されることにより、有機ＥＬ表示装置１００が形成されてもよい。このように、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、硬質なガラス基板２０を用いて形成されることなく、第１基板７及び第２基板６が柔軟性を有する樹脂層２１を用いて形成されることにより、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置１００を構成するものであってもよい。一方、樹脂層２１を備えることなく、ガラス基板２０上に樹脂層２１を除く基板２の各構成２２〜２５を形成することにより、有機ＥＬ表示装置１００が形成されてもよい。

図３（ｂ）に示すように、基板２上には、有機ＥＬ素子層１の第１電極１１がＩＴＯ等の透明な導電膜を用いて形成される。有機ＥＬ素子層１の第１電極１１は、第２絶縁膜２４及び平坦化膜２５に形成されたコンタクトホールを介して、配線層２３の配線に接続される。これにより、有機ＥＬ素子層１の第１電極１１と、各画素１０に対応して形成されたトランジスタのソース・ドレイン電極とが、電気的に接続される。

第１電極１１上には、第１絶縁層１４が、第１電極１１を覆って形成された後、第１絶縁層１４には、各サブ画素１０ａの発光領域に対応させて第１電極１１の一部を露出させる開口部が形成される。この開口部によって第１電極１１の一部が露出された領域上に、後述する製造工程において、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３が積層されて接続される。このように、第１絶縁層１４は、各サブ画素１０ａにおいて第１電極１１、有機ＥＬ層１２、及び第２電極１３が積層されて構成される発光領域をそれぞれ区画するバンク層として機能する層であってもよい。

第１絶縁層１４上には、画素１０の略中央部であって各サブ画素１０ａの発光領域が形成されない領域に、所定の高さを有する第２絶縁層１５が形成される。第１絶縁層１４及び第２絶縁層１５は、アクリル、ポリイミド等の樹脂を用いて形成される。

以下、さらに図４Ａ及び図４Ｂを参照し、第１絶縁層１４及び第２絶縁層１５の構成及び製造工程を詳細に述べる。

第２絶縁層１５は、図３（ｂ）には、画素１０の略中央部のみに配置された構成を図示しているが、図４Ａ（ｂ）に示すように、第２絶縁層１５が第１絶縁層１４の全面上に配置された後、パターニングにより画素１０の略中央部においてのみ、他の領域に配置された第２絶縁層１５よりも高い高さを有して形成されてもよい。

図３（ｂ）及び図４Ａ（ｂ）に示すように、画素１０の略中央部の第１絶縁層１４上に配置された第２絶縁層１５は、基板２の水平面に対して垂直に近い角度の側面を有する柱状の形状を有していてもよい。また、図４Ｂに示すように、第２絶縁層１５は、側面に滑らかな斜面を有する山型の形状を有していてもよい。このように、第２絶縁層１５は、所定の高さを有し、基板２の水平面から突出した凸形状を有するものであれば、図３乃至図４Ｂに図示した構成に限定されない。このような第２絶縁層１５は、水平面に対して４５度以上の角度の側面を有するテーパ又は逆テーパの形状を有していることが望ましい。

このような形状を有する第２絶縁層１５は、感光性の樹脂をパターニングして形成する。感光性の樹脂としては、例えば、アクリル、ポリイミド等の樹脂を用いてもよい。また、第１絶縁層１４についても、第２絶縁層１５と同じ材料を用いてパターニングにより形成してもよい。このような第１絶縁層１４及び第２絶縁層１５を成膜した後、各サブ画素１０ａの発光領域に対応させて第１電極１１の一部を露出させるコンタクトホールをパターニングにより形成してもよい。

第２絶縁層１５上に、有機ＥＬ層１２を、メタルマスクを用いた真空蒸着法により形成する。有機ＥＬ層１２を蒸着法により形成すると、蒸着の特性上、図４Ｂに示すように、第２絶縁層１５の側壁には有機ＥＬ層１２が形成されない領域３ｂができる。

有機ＥＬ層１２上には、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて第２電極１３を形成する。第２電極１３は、ＩＺＯ等の透明な導電膜を成膜して形成する。真空蒸着法を用いて第２電極１３を形成した場合、図４Ｂに図示するように、第２絶縁層１５の側面の領域３ｂ上に第２電極１３を形成しないようにすることができる。

また、第２電極１３は、スパッタ法を用いて形成してもよく、この場合には、第２絶縁層１５の側面の領域３ｂ上に第２電極１３が形成される。なお、図４Ａ及び図４Ｂには、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３を一層のものとして図示しており、第２電極１３が有機ＥＬ層１２と同様に第２絶縁層１５の側面上に形成されない構成を図示しているが、第２電極１３は、スパッタ法を用いて形成されることにより領域３ｂを覆って形成されてもよい。

このように形成された第２電極１３上に、封止膜３を形成する。封止膜３は、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機絶縁膜を用いて、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法やＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)法等により、有機ＥＬ素子層１の形成された基板２の全面上を覆うように形成する。これにより、第２絶縁層１５によって凹凸の形成された基板２上であっても付きまわりの良いＣＶＤ法やＡＬＤ法等の成膜方法を用いることにより、図４Ｂに示すように、第２絶縁層１５の側面の領域３ｂに封止膜３を形成することができる。

このように、有機ＥＬ素子層１の形成された基板２の全面上を覆って形成される封止膜３は、図４Ｂに示すように第２絶縁層１５の側面上の有機ＥＬ層１２及び第２電極１３が形成されない領域３ｂにおいて、第２絶縁層１５に接して形成されることとなる。このような無機膜と有機膜からなる封止膜３と第２絶縁層１５との間の界面の密着性は、互いに有機膜からなる有機ＥＬ層１２と第２絶縁層１５との間の界面と比べてその密着性を高いものとすることができる。従って、第２絶縁層１５に対する密着性が有機ＥＬ層１２よりも高い封止膜３を、領域３ｂにおいては第２絶縁層１５に密着させつつ、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の全面上を覆うものに形成することができる。これにより、一層の封止膜３によって有機ＥＬ素子層１を封止しつつ、封止膜３と第２絶縁層１５とが密着する部分の高い密着性によって、封止膜３による有機ＥＬ素子層１の固定をより強固なものとすることができるため、有機ＥＬ素子層１の剥離を抑制することが可能となる。

また、上述したように、第２電極１３が、第２絶縁層１５の側面上の領域３ｂに形成される場合にも、導電膜と有機膜からなる第２電極１３と第２絶縁層１５との間の界面の密着性は、互いに有機膜からなる有機ＥＬ層１２と第２絶縁層１５との間の界面の密着性よりも高いものとすることができる。従って、領域３ｂに第２電極１３が形成された場合にも、封止膜３が第２絶縁層１５の側面上の領域３ｂに形成される場合と同様に、第２電極１３と第２絶縁層１５とが密着する部分の高い密着性によって有機ＥＬ層１２の剥離を抑制することが可能となる。

このように、有機ＥＬ層１２を、画素１０の略中央部に配置された第２絶縁層１５上に、蒸着法を用いて形成することにより、第２絶縁層１５の側面上には有機ＥＬ層１２の形成されない領域３ｂを形成することができる。すなわち、有機ＥＬ層１２は蒸着法により形成するため、合わせずれや回り込みが大きく、緻密なパターンを形成することができない。そこで、パターニングが容易で合わせずれも１μm程度とすることのできるアクリル等の樹脂を用いて第２絶縁層１５を形成すれば、所望のテーパ形状に容易に形成することができ、この第２絶縁層１５上に有機ＥＬ層１２を蒸着することにより、蒸着の特性上、第２絶縁層１５の側壁上の一部の領域３ｂに有機ＥＬ層１２を形成しないようにすることができる。このような有機ＥＬ層１２を形成した後にＣＶＤ法やＡＬＤ法などの付き周りの良い成膜手法で、封止膜３又は第２電極１３を形成すると、第２絶縁層１５の側壁に第２絶縁層１５と封止膜３又は第２電極１３とが直接接する領域３ｂができる。従って、この領域３ｂは、有機ＥＬ層１２を介する他の領域よりも密着性が高いため、有機ＥＬ層１２の剥離の発生を抑制することが可能となる。

以上のとおり、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００及びその製造方法によれば、有機ＥＬ層１２と隣接する層との間の層間剥離を防ぎ、高信頼性を確保することの可能な有機ＥＬ表示装置１００を提供することができる。また、このような有機ＥＬ表示装置１００を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で実現することができる。

また、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、図３乃至図４Ｂを参照して上述した画素１０の構成に限らず、他の画素１０の構成についても適用可能である。以下、図５及び図６を参照し、画素１０の他の構成例について説明する。

図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の他の例を示す図であり、（ａ）は画素１０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´線の断面図である。図６は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の他の例を示す平面図である。

図５（ａ）に示すように、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０は、６つのサブ画素１０ａが一組となって構成されるものであってもよく、このとき、画素１０の略中央部であって、対向する３つのサブ画素１０ａと３つのサブ画素１０ａとの間に、第２絶縁層１５が配置されてもよい。

また、図６（ａ）に示すように、画素１０の非発光領域において、４つのサブ画素１０ａを囲む額縁状に第２絶縁層１５が配置されてもよい。また、図６（ｂ）に示すように、６つのサブ画素１０ａを囲む額縁状に第２絶縁層１５が配置されてもよい。

このように、第２絶縁層１５は、画素１０の非発光領域であれば、多様な位置に配置され得る。また、画素１０の備えるサブ画素１０ａの数についても、図示した構成に限定されず、例えば、ＲＧＢの３原色のサブ画素１０ａを備える画素１０であってもよい。図５及び図６に例示した画素１０の構成についても、図３乃至図４Ｂに図示した画素１０の構成と同様に、有機ＥＬ層１２を覆って形成される封止膜３又は第２電極１３と、第２絶縁層１５の側壁とが密着する部分を形成することができる。このような構成を備えることにより、有機ＥＬ層１２と隣接する層との間の層間剥離を防ぎ、高信頼性を確保することの可能な有機ＥＬ表示装置１００を提供できる。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について、図７を参照して述べる。

図７は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は画素１０の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´線の断面図である。

図７（ａ）に示すように、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０と同様に、略Ｌ字型の発光領域を有する４つのサブ画素１０ａが、それぞれ矩形状の画素１０の角部に、発光領域の略Ｌ字型の角部が合わされて配置された構成を備えるものであってもよい。また、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０とは、第２絶縁層１５を備えない点において、その構成が異なるものである。以下、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００に含まれる画素１０と同様の構成については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図７（ｂ）に示すように、各サブ画素１０ａの発光領域を区画して第１電極１１を露出させる第１絶縁層１４上に有機ＥＬ層１２及び第２電極１３を形成した後、画素１０の略中央部であって、各サブ画素１０ａの発光領域の形成されない非発光領域の有機ＥＬ層１２及び第２電極１３を、レーザ光の照射などの既存の方法を用いて除去する。これにより、図７（ｂ）に点線１６ｂで囲んだ範囲に示すように、第１絶縁層１４が有機ＥＬ層１２及び第２電極１３から露出される開口部が形成される。このような開口部を備える有機ＥＬ素子層１上に、封止膜３が有機ＥＬ素子層１を覆って形成されることにより、封止膜３と第１絶縁層１４とが直接接する領域１６ａが形成される。

このように形成された封止膜３と第１絶縁層１４とが直接接する領域１６ａは、互いに有機膜からなる有機ＥＬ層１２と第１絶縁層１４との間の界面の密着性に比べて、その密着性を高いものとすることができる。従って、第１絶縁層１４に対する密着性が有機ＥＬ層１２よりも高い封止膜３を、領域１６ａにおいては第１絶縁層１４に密着させつつ、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の全面上を覆うものに形成することができる。これにより、一層の封止膜３によって有機ＥＬ素子層１を封止しつつ、封止膜３と第２絶縁層１５とが密着する部分の高い密着性によって、封止膜３による有機ＥＬ素子層１の固定をより強固なものとすることができるため、有機ＥＬ素子層１の剥離を抑制することができる。

このように、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００によると、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、有機ＥＬ素子層１の剥離を防ぐことが可能な構成を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で実現することができる。

また、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の画素１０の構成も、図７に示す画素１０の構成に限らず、例えば、図５及び図６に示して上述した画素１０の構成において、第２絶縁層１５が配置される位置に、封止膜３と第１絶縁層１４とが接する領域１６ａを備えるものであってもよい。また、有機ＥＬ層１２を形成した後、レーザ光の照射等により有機ＥＬ層１２を一部除去して第１絶縁層１４を露出させ、領域１６ａにおいて有機ＥＬ層１２上に形成される第２電極１３と第１絶縁層１４とが直接接する構成を備えるものであってもよい。このように、封止膜３又は第２電極１３と、第１絶縁層１４とが直接接する領域１６ａを備えることにより、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００によれば、有機ＥＬ層１２の剥離の発生を抑制することが可能となる。

以上のとおり、本発明の第１及び第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００及びその製造方法によれば、有機ＥＬ層１２と隣接する層との間の層間剥離を防ぎ、高信頼性を確保することの可能な有機ＥＬ表示装置１００を提供することができる。また、このような有機ＥＬ表示装置１００を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造により製造コストを低減させて実現することができる。

１…有機ＥＬ素子層、２…基板、３…封止膜、４、５…樹脂、６…第２基板、７…第１基板、１０ａ…サブ画素、１１…第１電極、１２…有機ＥＬ層、１３…第２電極、１４…第１絶縁層、１５…第２絶縁層、２０…ガラス基板、２１…樹脂層、２２…第１絶縁膜、２３…配線層、２４…第２絶縁膜、２５…平坦化膜、１００…有機ＥＬ表示装置。

Claims (12)

1. 第１面上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層されて構成される有機ＥＬ素子の発光領域を備える複数の画素を備える第１基板と、
   前記第１電極上に配置され、前記発光領域に対応する位置に前記有機ＥＬ層と接続される前記第１電極を開口する開口部を備える第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の前記開口部の形成されていない領域に所定の高さを有して配置される第２絶縁層と、
   前記第２電極上に、前記有機ＥＬ素子を覆って配置される封止膜と、を備え、
   前記有機ＥＬ層は、前記開口部上、前記第１絶縁層上、及び前記第２絶縁層上に配置されて前記第２絶縁層の側面上には配置されない領域を含み、
   前記開口部は、平面的に見て、前記第２絶縁層の隣り合う２辺に沿うＬ字形状を有し、
   前記第２電極は、前記開口部に重畳する領域、前記第２絶縁層の側面に重畳する領域、及び前記第２絶縁層の上面に重畳する領域に亘って連続的に設けられ、
   前記第２絶縁層の側面上の前記有機ＥＬ層の配置されない領域において、前記第２絶縁層と、前記第２電極または前記封止膜とが接することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記封止膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１基板と対向して配置される第２基板を有し、
   前記第１基板及び第２基板は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記発光領域は、前記第１基板上に複数設けられ、
   前記第２絶縁層は、複数の前記発光領域に囲まれた領域に設けられることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第２絶縁層は、平面的に見て矩形形状を有することを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 第１面上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層されて構成される有機ＥＬ素子の発光領域を備える複数の画素を備える第１基板と、
   前記第１電極上に配置され、前記発光領域に対応する位置に前記有機ＥＬ層と接続される前記第１電極を開口する第１開口部を備える第１絶縁層と、
   前記第２電極上に、前記有機ＥＬ素子を覆って配置される封止膜と、を備え、
   前記有機ＥＬ層は、前記第１開口部上及び前記第１絶縁層上に配置されて、前記発光領域以外の領域に前記第１絶縁層を開口する第２開口部を備え、
   前記第１開口部は、平面的に見て、前記第２開口部の隣り合う２辺に沿うＬ字形状を有し、
   前記第２電極は、前記第１開口部に重畳する領域、及び前記第２開口部に亘って連続的に設けられ、
   前記有機ＥＬ層の前記第２開口部を介して、前記第１絶縁層と、前記第２電極または前記封止膜とが接することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
8. 前記封止膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記第１絶縁層は、樹脂を含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記第１基板と対向して配置される第２基板を有し、
    前記第１基板及び第２基板は、樹脂を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記発光領域は、前記第１基板上に複数設けられ、
    前記第２開口部は、複数の前記発光領域に囲まれた領域に設けられることを特徴とする、請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 前記第２開口部は、平面的に見て矩形形状を有することを特徴とする、請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
    
    

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