JP2015149231A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外光反射を抑制することができ、且つ簡素な構造で安価に製造することのできる有機ＥＬ表示装置を提供すること。
【解決手段】各々が複数のサブ画素２１、２２、２３を含む複数の画素がマトリクス状に配置される第１基板４０と、複数の画素から出射される光の光出射面側に、第１基板と対向して配置され、複数のサブ画素の各々に対応して透過光スペクトルの異なる複数のカラーフィルタ２１’、２２’、２３’が配置された第２基板６０と、を備え、複数の画素は、複数のサブ画素の各々に対応して、第１の電極３４、有機ＥＬ層３２、及び第２の電極３１が順に積層された構成を備える有機ＥＬ素子を備え、第１の電極は、対応するサブ画素に隣接するサブ画素の方向を向く斜面を有する有機ＥＬ表示装置。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ（electro-luminescence）素子を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。

有機エレクトロルミネセンス材料を利用した有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、有機材料を選択することにより、あるいは有機ＥＬ素子の構造を適当なものとすることにより、白色発光はもとより可視光帯域において各色の発光を実現できる。このため有機ＥＬ素子を用いた表示装置や照明器具の開発が進められている。

有機ＥＬ表示装置は、各画素に有機ＥＬ素子を備えており、各画素における有機ＥＬ素子はトランジスタと接続され、該トランジスタを介して発光が制御されている。有機ＥＬ素子はトランジスタが形成された素子基板に形成されている。画素の構造において、有機ＥＬ素子とトランジスタとの間には層間絶縁層が設けられているのが通常である。そして、有機ＥＬ素子を構成する一方の電極と、トランジスタのソース・ドレイン電極とが当該絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて電気的に接続されている。

有機ＥＬ表示装置は、このような有機ＥＬ素子を備える複数の画素がマトリクス状に配列した画素アレイを備えており、有機ＥＬ素子から発光した光が、素子基板又は素子基板上に対向配置される対向基板側に出射されることにより、その面に表示画面が形成される。

このような有機ＥＬ素子は、陽極と陰極とも呼ばれる一対の電極間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む層（以下「有機エレクトロルミネセンス層」若しくは「有機ＥＬ層」ともいう。）を備えている。有機ＥＬ素子は、表示画面側と反対側の電極に反射型の電極が用いられるため、外光下で有機ＥＬ表示装置を使用する際に、反射型電極の外光反射によるコントラスト低下が問題となることがある。このような外光反射を抑止する手段として、従来、有機ＥＬ表示装置の視認側（表示画面側）に円偏光板を配置する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３−０９２６３２号公報

しかしながら、上述した従来の有機ＥＬ表示装置のように、円偏光板を用いることによって外光反射を抑止しようとする場合には、円偏光板自体のコストやそれを貼り合せるための製造プロセスが必要になるためコストが高くなる。さらに円偏光板の厚み分だけ表示装置全体の厚さが厚くなってしまうという課題がある。

そこで本発明は、有機ＥＬ表示装置において、外光反射を抑制することができ、有機ＥＬ素子から発光した光を各画素における出射光として有効に利用することを目的の一つとする。また、このような各画素からの光取り出し効率及び視認性を向上させる構成を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で実現することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、各々が複数のサブ画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置される第１基板と、前記複数の画素から出射される光の光出射面側に、前記第１基板と対向して配置され、前記複数のサブ画素の各々に対応して透過光スペクトルの異なる複数のカラーフィルタが配置された第２基板と、を備え、前記複数の画素は、前記複数のサブ画素の各々に対応して、第１の電極、有機ＥＬ層、及び第２の電極が順に積層された構成を備える有機ＥＬ素子を備え、前記第１の電極は、前記対応するサブ画素に隣接するサブ画素の方向を向く斜面を有することを特徴とする。

前記第１基板は、前記第１基板上に前記複数のサブ画素の各々に対応して配置されて前記光出射面側に突出した複数の凸部を有する絶縁層をさらに備え、前記絶縁層上には、前記第１の電極が配置され、前記第１の電極の前記斜面は、前記絶縁層の前記凸部の側面上に配置されてもよい。

前記第１基板は、前記複数のサブ画素の各々を区画する境界部分において前記第１の電極上に配置されるバンク層をさらに備え、前記複数のサブ画素は、白色のサブ画素を含み、前記白色のサブ画素の方向を向く前記第１の電極の斜面は、前記バンク層に覆われて配置されてもよい。

前記第１基板と前記第２基板との間隙に、前記複数のサブ画素の各々に対応して前記カラーフィルタが充填されるものであってもよい。

前記絶縁層の前記凸部は、三角形の断面形状を有し、前記凸部の頂部は、前記サブ画素の開口領域の中央部に配置されてもよい。

前記第１の電極は反射電極であり、前記第２の電極は透明電極であってもよい。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の積層構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´線の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´線の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す概略構成図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置に含まれる画素の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´線の断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施することができる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成について、以下、図１乃至図３を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０の中央部には、ガラス等の基板２上に、三つのサブ画素によって構成される１画素２０がマトリクス状に複数配置されている。例えば、各色のサブ画素（赤用サブ画素２１、緑用サブ画素２２、青用サブ画素２３）が三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））をそれぞれ発することにより一つの画素２０を構成する、画素２０は、図１に図示した構成に限定されず、三原色（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））に白色（Ｗ）あるいは黄色（Ｙ）を加えた４色のサブ画素から構成されるものであってもよい。複数の画素２０に含まれる各サブ画素２１〜２３が選択的且つ発光量を調整して駆動されることによって、画像が表示される表示領域９が形成される。また、表示領域９の周辺領域には、表示領域９内の各画素２０を選択的且つ発光量を調整して駆動するための駆動回路（データ線駆動回路１２、走査線駆動回路１３）が配置される。

さらに、基板２上には、各駆動回路１２、１３に導通して各駆動回路１２、１３に対して電源電圧や駆動信号を供給するとともにグランドへの接地を行うための多数の配線パターンが形成される。各配線パターンの端部は、基板２上の金属電極１１にそれぞれ接続される。各金属電極１１は、例えば、外部から駆動電力、駆動信号及びアース電位等を供給するフレキシブルプリント回路基板に接続される端子領域８として構成されてもよい。

図２は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の積層構造を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１０は、図２に示すように、ガラス等の平坦な基板２上に表示領域９の各画素２０を構成する有機ＥＬ発光層１を備える。図２では詳細な図示を省略しているが、有機ＥＬ発光層１は、基板２側から順に、例えば、ＴＦＴ駆動回路層、反射電極、有機ＥＬ層、透明電極が積層されることにより構成される。有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されて構成される。

有機ＥＬ発光層１は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化するため、外気から密閉される必要がある。このため、有機ＥＬ発光層１の表面は、例えば、ＣＶＤ成膜された窒化シリコン膜等からなる透明な封止膜３によって覆われるとともに、ガラス等の透明部材からなる基板６によって覆われる。しかし、有機ＥＬ発光層１を外気から密閉することが可能であれば、封止膜３が省略されてもよい。以下、基板２上に有機ＥＬ発光層１及び封止膜３が形成された構成を「第１基板７」といい、これに合わせて、基板６を「第２基板６」という。第２基板６は、有機ＥＬ層が白色発光の場合にはカラーフィルタを含み、有機ＥＬ表示装置１０の仕様によってはタッチパネル機能を備えた薄膜デバイス等を含むものであってもよい。

図３は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す斜視図である。図２及び図３に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、第１基板７と第２基板６との間隙において、両者間の距離をほぼ一定に保ち、両者の界面における反射や屈折を防止するために、例えば、表示領域９の外周部を樹脂材料からなるシール材４で囲み、その内部にエポキシ樹脂等の透明な樹脂５が充填される。或いは、ガスバリア性の高いシール材、例えばフリントガラス等の公知の材料を用いて表示領域の外周部を密閉し、第１基板７と第２基板６との間隙を維持してもよい。つまり、第１基板７と第２基板６との間隙がシール材等を用いて維持される構成であれば、第１基板７と第２基板６との間に空間を有する構成としてもよい。

このような構成を有する本発明の第１乃至第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０について、以下、図４乃至図９を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置１０に含まれる画素２０ａの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´線の断面図である。

図４（ａ）は、ＲＧＢ３色のサブ画素２１〜２３から構成される有機ＥＬ表示装置１０の１画素２０ａの構成を示す平面図である。図４（ｂ）には、図４（ａ）に示すＡ−Ａ´線の断面構成を図示しているが、有機ＥＬ表示装置１０の１画素２０ａにおける断面構成は、図４（ａ）に示すサブ画素２１〜２３をサブ画素の２１〜２３の短辺方向に延びて横断する切断線であれば、Ａ−Ａ´線の断面構成と同様の断面構成を有するものとする。

ここで、図４（ｂ）を参照し、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造工程について説明する。なお、図４（ｂ）等に示す基板４０は、図２に示す基板２上に有機ＥＬ発光層１のうちＴＦＴ駆動回路層が形成された構成を備えるものであり、以下、「ＴＦＴ基板４０」という。

図４（ｂ）に示すように、まず、金属配線３５を有するＴＦＴ基板４０上に、各サブ画素２１〜２３ごとに、断面形状が表示画面側に凸の略三角形状となるように、ホトリソグラフィ或いはナノインプリント等の方法を用いて、絶縁層３６を形成する。絶縁層３６の材料には、例えば、有機材料として、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂材料を用いることができる。この際、樹脂材料自体に感光性を付与した材料、或いは熱硬化性の材料を用いると工程を簡略化できる。或いは、絶縁層３６の材料として酸化シリコン、窒化シリコン等の無機材料を用いてもよい。この場合は、ホトリソグラフィ工程によってパターニングすれば良い。

絶縁層３６は、図４（ａ）に示す各サブ画素２１〜２３の矩形状の開口領域の概略中央部にそれぞれ長辺方向に延びる点線の位置に、略三角形の凸構造の頂部が位置するように形成されてもよい。これにより、図４（ｂ）に示す絶縁層３６は、各サブ画素２１〜２３の開口の略中央部に長辺方向に延びる山型の形状を有して形成され、側面には、短辺方向に隣接するサブ画素２１〜２３の方向を向く斜面を有して形成される。

このように、絶縁層３６は、表示画面側に突出する凸部と、凸部の側面に形成された斜面とを有する形状に形成される。このとき、絶縁層３６の斜面は、隣接するサブ画素２１〜２３の方向を向く斜面を含むように形成される。このように、絶縁層３６の形状は、表示画面側に突出する凸部と、凸部の側面に形成されて、隣接するサブ画素２１〜２３の方向を向く斜面を有する形状であれば、図４（ｂ）に示す三角形の断面形状を有する形状に限らない。このような構成を備える絶縁層３６は、上述したように、ナノインプリント法やハーフトーンマスク等を用いた既存のパターニング法を用いて形成することができる。従って、既存の製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で安価に製造することができる。

次に、金属配線３５上の絶縁層３６にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを備える絶縁層３６上に、絶縁層３６を覆う反射電極（陽極）３４を形成し、金属配線３５と反射電極３４との電気的コンタクトをとる。これにより、反射電極３４は、絶縁層３６の形状に沿って、隣接するサブ画素２１〜２３の方向を向く斜面を含むように形成される。

次に、各サブ画素２１〜２３の境界部分であって、金属配線３５と上述したコンタクトホールによって電気的コンタクトをとる反射電極３４の端部上に、図４（ｂ）に示すように、絶縁層３６の頂上部よりも高い高さを有するバンク層３３を形成する。バンク層３３は、絶縁性の材料を用いて形成され、隣接するサブ画素２１〜２３の境界部分に形成されて各画素２１〜２３を区画する。

反射電極３４及びバンク層３３を形成した後、有機ＥＬ層３２及び透明電極（陰極）３１を、画素２０ａの領域全面上に順に成膜する。その後、サブ画素２１〜２３の各々に対応して透過光スペクトルの異なるカラーフィルタ２１´〜２３´と、ブラックマトリクス（ＢＭ）２５とを備えるカラーフィルタ基板６０を、バンク層３３上の透明電極３１に近接させて、ＴＦＴ基板４０に貼り合わせる。つまり、この例では有機ＥＬ層３２の発光色は白色であり、各サブ画素の表示色はカラーフィルタの分光特性で決まる。

このように、カラーフィルタ基板６０は、ＴＦＴ基板４０に対向して配置され、複数の画素２０ａから出射される光の光出射面側に配置される。ＴＦＴ基板４０とカラーフィルタ基板６０との貼り合わせには、図２及び図３を参照して上述した透明な樹脂５を用いて貼り合わせてもよく、また、シール材４のみで貼り合わせてもよい。換言すると、２つの基板４０、６０の間隙には、透明なフィル材を充填してもよく、また、中空状態としてもよい。また、以下、カラーフィルタ基板６０のカラーフィルタ２１´〜２３´を、各色に対応させて、それぞれ赤色レジスト２１´、緑色レジスト２２´、及び青色レジスト２３´ともいう。

有機ＥＬ表示装置１０は、このような構成を備えることにより、図４（ｂ）に示すように、表示パネルに向かって斜め方向に入射した外光５１が赤色レジスト２１´を透過し、赤色レジスト２１´直下の絶縁層３６によって形成された斜面上の反射電極３４に斜めに入射して反射すると、バンク層３３を透過して緑色レジスト２２´直下の斜面上の反射電極３４で再度反射し、緑色レジスト２２´に入射する。このとき、緑色レジスト２２´に入射する光は、赤色レジスト２１´を透過して赤色光になっているため、緑色レジスト２２´を透過することはない。従って、有機ＥＬ表示装置１０内に入射した外光５１が、表示パネルの外側に向かって出射されることを防ぐことができる。

また、表示パネルに向かって垂直に入射した外光５２は、緑色レジスト２２´を透過した後、緑色レジスト２２´直下の斜面上の反射電極３４で反射する。その後、バンク層３３を透過してブラックマトリクス２５へ入射して減衰する。従って、有機ＥＬ表示装置１０内に入射した外光５２が、表示パネルの外側に反射することを防ぐことができる。

このように、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、絶縁層３６によって形成された斜面上に反射電極３４が斜面を有して形成されることにより、各サブ画素２１〜２３に対応するカラーフィルタ２１´〜２３´を透過して反射電極３４に入射した外光５１、５２を、隣接するサブ画素２１〜２３に向かって反射させて他色レジストまたはブラックマトリクス２５に入射させることができるため、表示パネルの外へ反射光が出射する現象を抑制することができる。これにより、外光反射及び映り込みを抑制することができるため、視認性を向上させた有機ＥＬ表示装置１０を実現することができる。

また、凸構造を有する絶縁層３６上に有機ＥＬ層３２を形成することにより、限られた表示領域９内であっても、発光に寄与する有機ＥＬ層３２の面積を大きくとることが可能となる。従って、絶縁層３６を上述したような凸構造を有するものに形成することにより、各画素２０ａの発光面積を増大させることができるため、これにより、一画素当たりから出射する光の量を向上させることができる。換言すると、一画素当たりから出射する光量が同じ場合には、有機ＥＬ層の単位面積当たりの発光量を小さくできる。一般に有機ＥＬ素子の発光効率は発光量が小さい程、高くなる。従って、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、有機ＥＬ層３２から発光した光を各画素における出射光として有効に利用しつつ、発光効率を向上させることができる。

（第２の実施形態）
以下、図５及び図６を参照し、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０について説明する。

図５は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置１０に含まれる画素２０ｂの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´線の断面図である。図６は、図５に示す有機ＥＬ表示装置１０の画素２０ｂの比較例を示す断面図である。

図５（ａ）は、ＲＧＢＷの４色のサブ画素２１〜２４から構成される有機ＥＬ表示装置１０の1画素２０ｂの概略構成を示す平面図である。また、図５（ｂ）に示す構成は、その断面図である。図５に示す有機ＥＬ表示装置１０は、図４に示して上述した第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法と同様の製造方法で製造されるため、以下、同様の構成についてはその詳細な説明を省略する。

図６には、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の他の構成として、ＲＧＢＷの４色の各サブ画素２１〜２４の開口領域の略中央部に、略三角形の断面形状の頂部が位置する絶縁層３６を備える構成を図示している。図６に示す有機ＥＬ表示装置１０の場合、白色のサブ画素２４に隣接する赤色のサブ画素２１および緑色のサブ画素２２に入射して反射した外光５３、５４の一部が、白色レジスト２４´を透過しないように絶縁膜３６の傾斜角度を調整する必要がある。この場合、反射した光が各カラーフィルタの間に配置されたブラックマトリクス２５に向かうように調整される。反射した光はブラックマトリクス２５で吸収され、有機ＥＬ表示装置１０の外にでることはない。本構成によれは、白色のサブ画素２４を有していても、白色のサブ画素２４を有さない図４（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１０と同等の外光反射光を抑制する効果がある。

図５（ｂ）に示す本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０においては、白色のサブ画素２４に隣接する赤色のサブ画素２１および緑色のサブ画素２２における反射電極３４の斜面が、白色のサブ画素２４方向に向かないように絶縁層３６を形成する。すなわち、白色のサブ画素２４に隣接する赤色のサブ画素２１および緑色のサブ画素２２においては、白色のサブ画素２４の方向を向く絶縁層３６の斜面がバンク層３３で覆われるように形成する。このような構造にすることで一部の画素では絶縁層３６の斜面上に形成される反射電極３４の斜面はバンク層３３で覆われる。

図５（ｂ）に示すように、白色のサブ画素２４の方向を向く絶縁層３６の斜面が、各サブ画素２１〜２４の境界部分に位置してバンク層３３によって覆われるように絶縁層３６を形成することにより、白色のサブ画素２４に隣接する赤色のサブ画素２１および緑色のサブ画素２２においては、反射電極３４は、隣接する青色のサブ画素２３の方向を向く斜面のみが開口領域において発光及び反射に利用されるように形成される。これにより、反射電極３４の斜面を、隣接する白色のサブ画素２４の方向に向かないように形成することができるため、白色レジスト２４´に向かって反射する外光をなくし、外光反射を抑制することができる。

このように、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、白色のサブ画素２４に隣接して配置されるサブ画素２１、２２について、白色のサブ画素２４の方向を向く反射電極３４の斜面をバンク層３３下に配置し、反射電極３４の斜面が、白色のサブ画素２４以外の他色のサブ画素２３方向を向くように絶縁層３６を形成する。これにより、各カラーフィルタ２１´〜２４´を透過して反射電極３４に入射する外光５１、５２を、反射電極３４の斜面で反射させ、白色を除く他色のレジスト２１´〜２３´またはブラックマトリクス２５に入射させるように構成することができる。従って、表示パネルの外へ反射光が出射する現象を抑制することが可能となる。

従って、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様に、外光反射を抑制する効果及び有機ＥＬ素子から発光した光を各画素１０ｂにおける出射光として有効に利用する効果を奏することができる。また、外光下における視認性を向上させる構成を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造で実現することができる。

（第３の実施形態）
以下、図７乃至図９を参照し、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０について説明する。

図７は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の概略構成を示す図であり、（ａ）は有機ＥＬ表示装置１０に含まれる画素２０ｃの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ´線の断面図である。図８及び図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す断面図である。

図７（ａ）は、ＲＧＢＷの４色のサブ画素２１〜２４から構成される有機ＥＬ表示装置１０の1画素２０ｃの概略構成を示す平面図である。また、図７（ｂ）及び図８に示す構成は、その断面図である。図７に示す有機ＥＬ表示装置１０は、図４に示して上述した第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法と同様の製造方法で製造されるため、以下、同様の構成についてはその詳細な説明を省略する。

図７（ａ）に示すように、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の絶縁層３６の構成と同様に、絶縁層３６の頂部が、各サブ画素２１〜２４のＬ字型の開口領域の概略中央部に位置する図７（ａ）に示す点線に沿うように形成される。このとき、図７（ａ）に示す各サブ画素２１〜２４は、絶縁層３６の斜面が、画素２０ｃの外側又は画素２０ｃの中央部を向くように形成される。

図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、各サブ画素２１〜２４の開口領域の形状がＬ字型である場合にも、上記実施形態と同様に、外部から入射した光が、反射電極で反射すると、入射したときと同じ経路はたどらずに、その一部がブラックマトリクス２５で吸収される、或いは、異なる色のカラーフィルタに至り吸収されるため、外光の反射を抑制することができる。

図９は図７（ｂ）の変形例を示す図である。サブ画素２１、２２における反射電極３４の斜面は、画素２０ｃの中央部に形成されるバンク層３３を間に挟んで離隔させて配置してある。反射電極３４の斜面で反射した外光は、画素の中央方向に集まる。画素中央部はブラックマトリクス２５が広い領域を占めており、反射した光はブラックマトリクス２５に吸収される構成となっている。このような構成とすることで、隣接する画素への反射光の侵入を抑制できる。

また、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、図８に示すように、図７（ｂ）に示すカラーフィルタ基板６０とＴＦＴ基板４０との間隙に、各サブ画素２１〜２３に対応する領域毎に、カラーフィルタ２１´〜２４´のレジスト２１ａ〜２４ｂが充填された構成を備えるものであってもよい。このような構成を備えることにより、反射電極３４によって反射された外光が他色のレジスト２１ａ〜２４ｂを透過する割合が増えるため、より効果的に外交反射を防止することが可能となる。

従って、図７乃至図９に示して上述した本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０によると、第１及び第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様に、表示パネルの外へ反射光が出射する現象を抑制することができるため、視認性を向上させた有機ＥＬ表示装置１０を実現することができる。

以上のとおり、本発明の第１乃至第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０によれば、円偏光板を用いることなく外光反射を抑制することができ、有機ＥＬ素子から発光した光を各画素における出射光として有効に利用することが可能となる。また、各画素１０ｂからの実効的な発光効率及び視認性を向上させる構成を、製造工程を大幅に変更することなく、簡素な構造により製造コストを低減させて実現することができる。

１…有機ＥＬ発光層、２…基板、３…封止膜、４…シール材、５…樹脂（封止材）、６…第２基板、７…第１基板、２１〜２４…サブ画素、２１´〜２４´…カラーフィルタ、２５…ブラックマトリクス、６０…カラーフィルタ基板、４０…ＴＦＴ基板、３１…透明電極（陰極）、３２…有機ＥＬ層、３３…バンク層、３４…反射電極（陽極）、３５…金属配線、３６…絶縁層、１１…金属電極、１２、１３…駆動回路、９…表示領域、８…端子領域、１０…有機ＥＬ表示装置。

Claims (6)

1. 各々が複数のサブ画素を含む複数の画素がマトリクス状に配置される第１基板と、
   前記複数の画素から出射される光の光出射面側に、前記第１基板と対向して配置され、前記複数のサブ画素の各々に対応して透過光スペクトルの異なる複数のカラーフィルタが配置された第２基板と、を備え、
   前記複数の画素は、前記複数のサブ画素の各々に対応して、第１の電極、有機ＥＬ層、及び第２の電極が順に積層された構成を備える有機ＥＬ素子を備え、
   前記第１の電極は、前記対応するサブ画素に隣接するサブ画素の方向を向く斜面を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１基板は、前記第１基板上に前記複数のサブ画素の各々に対応して配置されて前記光出射面側に突出した複数の凸部を有する絶縁層をさらに備え、
   前記絶縁層上には、前記第１の電極が配置され、
   前記第１の電極の前記斜面は、前記絶縁層の前記凸部の側面上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１基板は、前記複数のサブ画素の各々を区画する境界部分において前記第１の電極上に配置されるバンク層をさらに備え、
   前記複数のサブ画素は、白色のサブ画素を含み、
   前記白色のサブ画素の方向を向く前記第１の電極の斜面は、前記バンク層に覆われて配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１基板と前記第２基板との間隙に、前記複数のサブ画素の各々に対応して前記カラーフィルタが充填されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記絶縁層の前記凸部は、三角形の断面形状を有し、
   前記凸部の頂部は、前記サブ画素の開口領域の中央部に配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第１の電極は反射電極であり、前記第２の電極は透明電極であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
   

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