WO2019026131A1 - 表示デバイス - Google Patents

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WO2019026131A1
WO2019026131A1 PCT/JP2017/027696 JP2017027696W WO2019026131A1 WO 2019026131 A1 WO2019026131 A1 WO 2019026131A1 JP 2017027696 W JP2017027696 W JP 2017027696W WO 2019026131 A1 WO2019026131 A1 WO 2019026131A1
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sub
pixel
pixels
light emitting
display device
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PCT/JP2017/027696
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Inventor
中村　浩三
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to PCT/JP2017/027696 priority patent/WO2019026131A1/ja
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    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • Patent Document 1 data lines are provided for sub-pixel columns in which red sub-pixels and green sub-pixels are alternately arranged in the column direction, and red sub-pixels and green sub-pixels are connected to the data lines, respectively.
  • the configuration is disclosed.
  • Patent Document 1 has a problem that the charging rate to the sub-pixels is low.
  • a display device includes first and second sub-pixels adjacent in a row direction, a third sub-pixel, and fourth and fifth sub-pixels adjacent in the row direction.
  • Each of the first sub-pixel and the four sub-pixels arranged in the column direction has a light emitting layer of the first color
  • each of the second sub-pixel and the five sub-pixels arranged in the column direction emits light of the second color
  • the third sub-pixel having the light-emitting layer of the third color is oblique to at least two of the first sub-pixel, the second sub-pixel, the fourth sub-pixel, and the fifth sub-pixel. Adjacent in direction or adjacent in column direction.
  • the row direction and the column direction are two directions orthogonal to each other, and the oblique direction is based on the two directions.
  • the charging rate to the sub-pixels is increased.
  • FIG. 6 is a schematic view showing the merit of the first embodiment. It is a schematic diagram which shows the modification of FIG. (A) is a schematic diagram which shows the arrangement
  • (b) is a schematic diagram which shows the connection relation of a sub pixel, a scanning line, and a data line.
  • FIG. It is a schematic diagram which shows the modification of FIG.
  • (A) is a schematic diagram which shows the arrangement
  • (b) is a schematic diagram which shows the connection relation of a sub pixel, a scanning line, and a data line.
  • (A) is a schematic diagram which shows the arrangement
  • (b) is a schematic diagram which shows the connection relation of a sub pixel, a scanning line, and a data line.
  • It is a schematic diagram which shows the modification of FIG. It is a schematic diagram which shows the further modification of FIG.
  • (A) is a schematic diagram which shows the arrangement
  • (b) is a schematic diagram which shows the connection relation of a sub pixel, a scanning line, and a data line. It is a schematic diagram which shows the modification of FIG. It is a schematic diagram which shows the further modification of FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a display device.
  • the display device 2 of FIG. 1 is a top emission type that emits light upward, and in order from the lower side, the base 10, the resin layer 12, the barrier layer 3 (undercoat layer), the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, A sealing layer 6, an adhesive layer 38 and a functional film 39 are provided.
  • Examples of the material of the resin layer 12 include polyimide, epoxy, polyamide and the like.
  • Examples of the material of the substrate 10 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device is used, and is, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, formed by CVD. Alternatively, it can be formed of a silicon oxynitride film or a laminated film of these.
  • the TFT layer 4 is formed over the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 formed over the semiconductor film 15, the gate electrode G formed over the inorganic insulating film 16, and the gate electrode G. Formed above the inorganic insulating film 20, the capacitive wiring C formed over the inorganic insulating film 18, the inorganic insulating film 20 formed over the capacitive wiring C, and the inorganic insulating film 20. Source electrode S and drain electrode D, and planarizing film 21 formed on the upper layer of source electrode S and drain electrode D.
  • a thin film transistor Td emission control transistor is configured to include the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film), and the gate electrode G.
  • the source electrode S is connected to the source region of the semiconductor film 15, and the drain electrode D is connected to the drain region of the semiconductor film 15.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • FIG. 2 shows a TFT in which the semiconductor film 15 is a channel in a top gate structure, it may have a bottom gate structure (for example, when the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • the inorganic insulating films 16, 18 and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 21 can be made of, for example, a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the gate electrode G, the source electrode S, the drain electrode D, and the terminals are made of, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper It is comprised by the single layer film or laminated film of the metal containing at least one of Cu).
  • a terminal portion 44 is provided at an end of the TFT layer 4 (inactive area NA not overlapping with the light emitting element layer 5).
  • the terminal portion 44 includes a terminal TM used for connection with the electronic circuit board 60 such as an IC chip or FPC, and a terminal wiring TW connected to the terminal TM.
  • the terminal wire TW is electrically connected to various wires of the TFT layer 4 through the relay wire LW and the lead wire DW.
  • the terminal TM, the terminal wiring TW, and the lead wiring DW are formed, for example, in the same step as the source electrode S, so the same material (for example, two titanium films) is formed in the same layer (on the inorganic insulating film 20) And an aluminum film (sand) sandwiched therebetween.
  • the relay wiring LW is formed, for example, in the same process as the capacitive electrode C.
  • the end surfaces (edges) of the terminal TM, the terminal wiring TW, and the lead wiring DW are covered with a planarization film 21.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) is a bank that defines an anode electrode 22 formed in the upper layer than the planarization film 21 and sub pixels of an active area DA (an area overlapping with the light emitting element layer 5). , The light emitting layer 24 formed on the upper layer than the anode electrode 22, and the cathode electrode 25 formed on the upper layer than the EL layer 24, and include the anode electrode 22, the light emitting layer 24, and the cathode electrode 25.
  • Light emitting elements for example, organic light emitting diodes: OLEDs).
  • the bank 23 covers the edge of the anode electrode 22, and the light emitting layer 24 is formed in a region (light emitting region) surrounded by the bank 23 by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer 24, and an electron transport are formed on the bottom of the bank (a portion where the anode electrode 22 is exposed).
  • Layer and electron injection layer are stacked.
  • the layers other than the light emitting layer 24 can be used as the common layer.
  • the anode electrode (anode) 22 is formed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity (described in detail later).
  • the cathode electrode 25 can be made of a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24 by the drive current between the anode electrode 22 and the cathode electrode 25, and the exciton generated thereby falls to the ground state, Light is emitted.
  • the cathode electrode 25 is translucent and the anode electrode 22 is light reflective, light emitted from the light emitting layer 24 is directed upward to be top emission.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to forming an OLED element, and may form an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • a convex body Ta and a convex body Tb which define the edge of the organic sealing film 27 are formed.
  • the convex body Ta functions as a liquid stopper at the time of applying the organic sealing film 27 by inkjet coating
  • the convex body Tb functions as a preliminary liquid stopper.
  • the lower part of the convex body Tb is formed of the flattening film 21 and functions as a protective film of the end face of the lead wiring DW.
  • the upper portions of the bank 23, the convex body Ta, and the convex body Tb can be formed, for example, in the same process using a coatable photosensitive organic material such as polyimide, epoxy, or acrylic.
  • the sealing layer 6 is translucent, and the inorganic sealing film 26 covering the cathode electrode 25, the organic sealing film 27 formed above the inorganic sealing film 26, and the inorganic covering the organic sealing film 27. And a sealing film 28.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD using a mask.
  • the organic sealing film 27 is a translucent organic film that is thicker than the inorganic sealing films 26 and 28, and can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • an ink containing such an organic material is inkjet-coated on the inorganic sealing film 26, and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents the penetration of foreign matter such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the functional film 39 has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the electronic circuit board 60 is, for example, an IC chip or a flexible printed circuit (FPC) mounted on the terminal TM via the anisotropic conductive material 51.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the sub-pixel.
  • the TFT layer 4 is provided with a plurality of data lines DL extending in the column direction and a plurality of scan lines SC (n) and a plurality of light emission control lines EM (n) extending in the row direction. It is connected to data line DL and scan line SC (n).
  • the high level power supply VDD and the low level power supply VSS for driving the organic EL element and the initialization voltage Vini are supplied to each sub-pixel SP.
  • a potential signal corresponding to display gradation data is supplied from the data line DL to each sub-pixel connected thereto.
  • the sub-pixel SP is formed in the TFT layer 4 of FIG. 2, and includes a drive transistor Ta, a switch transistor Tb, a power supply control transistor Tc, a light emission control transistor Td, a threshold voltage compensation transistor Te, an initialization transistor Tf, and a capacitance Cp. And a light emitting element ES (for example, an organic light emitting diode) which is formed in the light emitting element layer 5 of FIG. 2 and includes the light emitting layer 24.
  • a light emitting element ES for example, an organic light emitting diode
  • the gate electrode is connected to the source electrode of the threshold voltage compensation transistor Te, the drain electrode of the initialization transistor Tf, and one electrode of the capacitor Cp, and the drain electrode is the source electrode of the switch transistor Tb and the power supply control transistor
  • the source electrode is connected to the source electrode of Tc, and the source electrode is connected to the drain electrode of the light emission control transistor Td and the drain electrode of the threshold voltage compensation transistor Te.
  • the gate electrode is connected to scan line SC (n) in the nth row, the drain electrode is connected to data line DL, and the source electrode is the drain electrode of drive transistor Ta and the source of power supply control transistor Tc. It is connected to the electrode.
  • the gate electrode is connected to the light emission control line EM (n) in the nth row, the drain electrode is connected to the supply line of the high level power supply VDD and the other electrode of the capacitor Cp, and the source electrode is The drain electrode of the drive transistor Ta and the source electrode of the switch transistor Tb are connected.
  • the anode electrode 22 of the light emitting element ES is connected to the drain electrode of the light emission control transistor Td, and the cathode electrode 25 of the light emitting element ES is connected to the supply line of the low level power supply VSS.
  • Embodiment 1 the horizontal direction in the drawing is taken as the row direction, and the oblique direction is based on the row direction and the column direction (vertical direction in the drawing).
  • the row direction may be in a parallel relationship with one edge (one side) of the display device, may be in an orthogonal relationship, or may be in an oblique relationship.
  • the sub-pixels are the smallest display configuration driven independently.
  • FIG. 3 (a) and 3 (b) are schematic views showing the arrangement of sub-pixels according to the first embodiment
  • FIG. 3 (c) is a schematic view showing the connection relationship between the sub-pixels and scanning lines and data lines.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the merit of the first embodiment.
  • five sub-pixels are included in the two-pixel area, and the SPR ratio, which is the input / output ratio of the sub-pixels, is 5/6.
  • the area PA1 (broken line frame) in FIG. 3 corresponds to a one-pixel area, and the area PA2 corresponds to a two-pixel area. Further, it is assumed that each sub-pixel has the configuration of FIG. 2, for example.
  • FIG. 3 four sub-pixels SP 1, SP 4, SP 6, SP 9 of the same shape having a red (R) light emitting layer are arranged in the column direction (longitudinal direction, extending direction of data line) and connected to data line DLr. , And four subpixels SP2, SP5, SP7, SP10 of the same shape having a light emitting layer of green (G) are arranged in the column direction and connected to the data line DLg, and have the same shape of having a light emitting layer of blue (B).
  • the two sub-pixels SP3 and SP8 are arranged in the column direction and connected to the data line DLb.
  • the sub-pixels SP1 and SP2 are adjacent in the row direction (horizontal direction, extending direction of the scanning line), the sub-pixels SP4 and SP5 are adjacent in the row direction, and the sub-pixels SP6 and SP7 are adjacent in the row direction.
  • SP10 is adjacent in the row direction
  • the sub-pixel SP3 is diagonally adjacent to the sub-pixels SP1, SP2, SP4 and SP5
  • the sub-pixel SP8 is diagonally adjacent to the sub-pixels SP6, SP7, SP9 and SP10.
  • the light-emitting area of the sub-pixel SP3 is a vertically long rhombus (one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is parallel to the column direction)
  • the light emitting area of each of the sub pixel SP2, the sub pixel SP4 and the sub pixel SP5 includes a diagonal side along the light emitting area of the sub pixel SP3 (see FIG. 3A) or a triangle (FIG. 3B) See).
  • the sub-pixels SP1 SP3 SP2 are connected to the scan line SC1 (first scan line)
  • the sub-pixels SP4 SP5 are connected to the scan line SC2 (second scan line)
  • the sub-pixels SP6 SP8 SP7 Are connected to the scan line SC3
  • the sub-pixels SP9 and SP10 are connected to the scan line SC4.
  • the frequency of the potential signal supplied to the data lines (DLr, DLb, DLg) is suppressed low, the charging rate to the capacitance Cp of each sub-pixel is increased.
  • the signal potential of the data line becomes constant (VL) as shown in FIG. 4 (a).
  • Patent Document 1 shown in FIG. 4B (two red subpixels SPR face each other diagonally across the blue subpixel SPB, and two green subpixels SPG face each other diagonally across the blue subpixel SPB.
  • the configuration for example, there is a problem that the signal potential of the data line changes at high frequency even in solid display, and the charging rate to the capacitance Cp of the sub-pixel becomes low.
  • the size ratio in the row direction (horizontal direction) and the column direction (longitudinal direction) of the light emitting area PA2 (for two pixels) configured by the sub-pixels SP1 to SP5 is substantially 1: 2 (horizontal direction is 1 with the horizontal direction being 1 Since the values are 1.9 to 2.1), the vertical lines (pixel rows) are thinner compared to the configuration of FIG. 4B, and the display quality in the vertical direction is enhanced. Furthermore, since the repetition period of the oblique lines is short, the display quality in the oblique direction is enhanced.
  • the total number of data lines can be 5/6 of that in the case of SPR ratio 1.0 (real display). This is because the number of data lines (DLb etc.) connected to the blue sub-pixel can be halved.
  • FIG. 5 is a schematic view showing a modification of FIG.
  • the blue sub-pixel of FIG. 3 is divided into two sub-pixels aligned in the column direction, and a light emitting layer common to these two sub-pixels is provided.
  • the configuration may be such that signals are input separately. That is, the anodes of two sub-pixels (signals are separately input to these anodes) are exposed below two adjacent openings formed in the insulating film of the light emitting element layer, and the gap between these two openings is formed.
  • a common light emitting layer is provided to straddle the bank (edge cover). By so doing, it is possible to lower the resolution of the mask used at the time of vapor deposition while maintaining high definition display quality, and the mask can be easily manufactured.
  • the light emission of one sub-pixel SP3 x including the anode 22 x and one sub-pixel SP 3 y including the anode 22 y is adjacent to the bottom of the isosceles triangular anode 22 x and the bottom of the isosceles triangular anode 22 y in the column direction.
  • Layer 24 (blue) is shared, and each of the sub-pixels SP3x and SP3y has, for example, the configuration of FIG.
  • the light emitting area of the sub pixel SP3 y includes the oblique side along the light emitting area of the sub pixel SP3 x), and the sub pixel SP3 y is adjacent to the sub pixel SP4 and the sub pixel SP5 in the oblique direction (the light emitting area of each of the sub pixels SP4 and SP5 is , And includes oblique sides along the light emitting region of the sub-pixel SP3y.
  • the sub-pixel SP3x is connected to the data line DLb and the scan line SC1
  • the sub-pixel SP3y is connected to the data line DLb and the scan line SC2.
  • the sub-pixel SP1 has a blue light-emitting layer
  • the sub-pixel SP2 has a green light-emitting layer
  • the sub-pixels SP3x and 3y have a red common light-emitting layer. May be.
  • the sub-pixel SP1 blue
  • the light emitting layer 24r red
  • the light emitting layer 24g green
  • the anode 22a of the sub-pixel SP4 and the anode 22b of the sub-pixel SP6 are separated by a bank (partition), and the light emitting layer 24r is provided so as to straddle the bank.
  • the anode 22A of the sub-pixel SP5 and the anode 22B of the sub-pixel SP7 are separated by a bank (partition wall), and a light emitting layer 24g is provided so as to straddle the bank.
  • the light emitting layer 24r is formed by one mask opening
  • the light emitting layer 24g is formed by one mask opening.
  • FIG. 6 (a) is a schematic view showing an arrangement of sub-pixels in the second embodiment
  • FIG. 6 (b) is a schematic view showing a connection relationship between the sub-pixels and scanning lines and data lines.
  • five subpixels are included in the two-pixel area, and the SPR ratio, which is the input / output ratio of the subpixels, is 5/6.
  • region PA1 (broken line frame) of FIG. 6 is corresponded to 1 pixel area
  • FIG. 6 four sub-pixels SP1, SP4, SP6 and SP9 of the same shape having a red light emitting layer are arranged in the column direction (longitudinal direction, extending direction of data line) and connected to the data line DLr.
  • Four subpixels SP2 ⁇ SP5 ⁇ SP7 ⁇ SP10 of the same shape having a light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLg, and two subpixels SP3 ⁇ SP8 of the same shape having a blue light emitting layer are columns It is arranged in the direction and connected to the data line DLb.
  • the subpixel SP23 adjacent to the subpixel SP3 in the row direction and the subpixel SP28 adjacent to the subpixel SP8 in the row direction are also connected to the data line DLb.
  • the sub-pixels SP1 and SP2 are adjacent in the row direction (horizontal direction, extending direction of the scanning line), the sub-pixels SP4 and SP5 are adjacent in the row direction, and the sub-pixels SP6 and SP7 are adjacent in the row direction.
  • SP10 is adjacent to the row direction
  • the sub-pixel SP3 is adjacent to each of the sub-pixels SP1, SP2, SP4 and SP5 in the column direction
  • the sub-pixel SP8 is adjacent to each of the sub-pixels SP6, SP7, SP9 and SP10 in the column direction.
  • the light emitting area of the sub-pixel SP3 is a horizontally long rectangle (the long side is parallel to the row direction and the short side is parallel to the column direction)
  • Each of the light emitting areas of the sub pixel SP2, the sub pixel SP4, and the sub pixel SP5 is a vertically long rectangle including a side along the light emitting area of the sub pixel SP3, and is smaller than the light emitting area of the sub pixel SP3.
  • the size ratio in the row direction and in the column direction of the light emitting region (for two pixels) formed by the sub-pixels SP1 to SP5 may be 1: 2.
  • sub-pixels SP1, SP3, and SP2 are connected to the scan line SC1
  • sub-pixels SP4, SP23, and SP5 are connected to the scan line SC2
  • sub-pixels SP6, SP8, and SP7 are connected to the scan line SC3.
  • SP9, SP28, and SP10 are connected to the scan line SC4.
  • the gap area between the sub pixels is minimized, and the aperture ratio can be maximized.
  • FIG. 7 is a schematic view showing a modification of FIG.
  • the blue sub-pixel in FIG. 6 may be divided into two sub-pixels aligned in the row direction, and a common light emitting layer may be provided to these two sub-pixels.
  • the rectangular anode 22x and the rectangular anode 22y are adjacent in the row direction, and the sub-pixel SP3x including the anode 22x and the sub-pixel SP3y including the anode 22y share one light emitting layer 24 (blue).
  • Each of the subpixels SP3x and SP3y has, for example, the configuration shown in FIG.
  • the subpixel SP3x is adjacent to the subpixel SP1 and the subpixel SP4 in the column direction (the light emitting region of each of the subpixels SP1 and SP4 is the subpixel SP3x
  • the sub-pixel SP3y is adjacent to the sub-pixel SP2 and the sub-pixel SP5 in the column direction (the light-emitting area of each of the sub-pixels SP2 and SP5 is the light-emitting area of the sub-pixel SP3 y) (Including the side in the row direction).
  • the sub-pixel SP3x is connected to the data line DLb and the scan line SC1
  • the sub-pixel SP3y is connected to the data line DLb and the scan line SC2.
  • the rectangular anode 22x and the rectangular anode 22y are adjacent in the column direction, and the sub pixel SP3x including the anode 22x and the sub pixel SP3y including the anode 22y are one.
  • the light emitting layer 24 (blue) is shared, and each of the sub-pixels SP3x and SP3y has, for example, the configuration of FIG.
  • sub-pixel SP3x is adjacent to the sub-pixel SP1 and the sub-pixel SP2 in the column direction (sub-pixels SP1 and SP2
  • Each light emitting area includes the side in the row direction along the light emitting area of sub pixel SP3x)
  • sub pixel SP3 y is adjacent to sub pixel SP4 and sub pixel SP5 in the column direction (light emission of each of sub pixels SP4 and SP5
  • the region may include the side in the row direction along the light emitting region of the sub-pixel SP3y.
  • FIG. 8A is a schematic view showing the arrangement of sub-pixels in the third embodiment
  • FIG. 8B is a schematic view showing a connection relationship between the sub-pixels, scanning lines and data lines.
  • the SPR ratio 1, which is the input / output ratio of the subpixels.
  • the area PA1 (dotted line frame) in FIG. 8 corresponds to a one-pixel area.
  • FIG. 8 four subpixels SP1, SP4, and SP7 of the same shape having the red light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLr, and four subpixels SP3 of the same shape having the blue light emitting layer.
  • SP6 and SP9 are arranged in the column direction and connected to the data line DLb
  • two sub-pixels SP2, SP5 and SP8 of the same shape having a green light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLg
  • Four subpixels SP10, SP13, SP16 of the same shape having a red light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLR.
  • Sub-pixels SP1 and SP2 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP3 and SP10 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP4 and SP5 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP6 and SP13 are adjacent in the row direction
  • SP7 and SP8 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP9 and SP16 are adjacent in the row direction
  • sub-pixel SP3 is diagonally adjacent to sub-pixels SP1, SP2, SP4 and SP5
  • sub-pixel SP6 is sub-pixel SP4 Adjacent to each of SP5, SP7, and SP8 in the column direction.
  • the sub-pixels SP1, SP3, SP4, SP6, SP7, and SP9 are arranged in a staggered arrangement in this order
  • the sub-pixels SP2, SP10, SP5, SP13, SP8, and SP16 are arranged in a staggered arrangement in this order.
  • the light emitting region of the sub-pixel SP3 is a rhombus (one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is a square parallel to the column direction)
  • the light emitting area of each of the sub pixel SP2, the sub pixel SP4 and the sub pixel SP5 includes a side including a side along the light emitting area of the sub pixel SP3 (a square of which one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is the parallel to the column direction) And smaller than the light emitting area of the sub-pixel SP3.
  • the light emitting area of each of the sub-pixels SP1 to SP3 may be either circular or elliptical.
  • sub-pixels SP1, SP3, SP2, SP10, SP12, and SP11 are connected to the scan line SC1
  • sub-pixels SP4, SP6, SP5, SP13, SP15, and SP14 are connected to the scan line SC2
  • the sub-pixels SP7 and SP9 SP8 SP16 SP18 SP17 is connected to the scan line SC3.
  • the frequency of the potential signal supplied to the data lines (DLr, DLb, DLg, etc.) can be suppressed to a low level, so that the charging rate to the capacitance Cp of the sub-pixel can be increased.
  • FIG. 9A is a schematic view showing an arrangement of sub-pixels according to the fourth embodiment
  • FIG. 9B is a schematic view showing a connection relationship between sub-pixels, scanning lines and data lines.
  • SPR 2/3.
  • the area PA1 (dotted line frame) in FIG. 9 corresponds to a one-pixel area.
  • FIG. 9 four subpixels SP1, SP4, and SP7 of the same shape having the red light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLr, and four subpixels SP3 of the same shape having the green light emitting layer.
  • SP6 and SP9 are arranged in the column direction and connected to the data line DLg
  • two sub-pixels SP2, SP5 and SP8 of the same shape having a blue light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLb
  • Four subpixels SP10, SP12, SP14 of the same shape having a green light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLG.
  • the subpixels SP1 and SP2 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP3 and SP10 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP4 and SP5 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP6 and SP12 are adjacent in the row direction
  • the subpixel SP7 and SP8 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP9 and SP14 are adjacent in the row direction
  • sub-pixel SP3 is diagonally adjacent to sub-pixels SP1, SP2, SP4 and SP5
  • sub-pixel SP6 is sub-pixel SP4 ⁇ SP5 ⁇ SP7 ⁇ SP8 diagonally adjacent to each other.
  • the sub-pixels SP1, SP3, SP4, SP6, SP7, and SP9 are arranged in a staggered arrangement in this order
  • the sub-pixels SP2, SP10, SP5, SP12, SP8, and SP14 are arranged in a staggered arrangement in this order.
  • the light emitting region of the sub-pixel SP3 is a rhombus (one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is a square parallel to the column direction)
  • the light emitting area of each of the sub pixel SP2, the sub pixel SP4 and the sub pixel SP5 includes a side including a side along the light emitting area of the sub pixel SP3 (a square of which one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is the parallel to the column direction) And is larger than the light emitting area of the sub-pixel SP3.
  • a square area (sub-pixel SP3 in the area obtained by connecting the centers of gravity of the light-emitting areas of the sub-pixel SP1, sub-pixel SP2, sub-pixel SP4 and sub-pixel SP5 (intersections z1 ⁇ z2 ⁇ z4 ⁇ z5 of two diagonal lines) ) Corresponds to one pixel area PA1.
  • the light emitting area of each of the sub-pixels SP1 to SP3 may be either circular or elliptical.
  • the center of gravity of the square area (one pixel area) may overlap with the center of gravity of the light emitting area of the sub-pixel SP3.
  • sub-pixels SP1, SP3, SP2, SP10, SP11 are connected to the scan line SC1
  • sub-pixels SP4, SP6, SP5, SP12, SP13 are connected to the scan line SC2
  • sub-pixels SP7, SP9, SP8, SP14 SP15 is connected to the scan line SC3.
  • FIG. 10 is a schematic view showing a modification of FIG.
  • the red sub-pixel and the blue sub-pixel in FIG. 9 are divided into two sub-pixels aligned in the row direction, and a common light emitting layer is provided for these two sub-pixels.
  • the light emission of one sub-pixel SP1x including the anode 22x and one sub-pixel SP1y including the anode 22y includes the base of the isosceles triangular anode 22x and the base of the isosceles triangular anode 22y adjacent in the column direction.
  • the layer 24 (red) is shared, and each of the sub-pixels SP1x and SP1y has, for example, the configuration shown in FIG.
  • the sub-pixel SP1y is diagonally adjacent to the sub-pixel SP3 (the light emitting region of the sub-pixel SP1y is the sub-pixel And the oblique side along the light emitting region of SP3).
  • Each of the sub-pixels SP4y, SP2x, and SP5x is adjacent to the sub-pixel SP3 in a diagonal direction.
  • the sub-pixel SP1x is connected to the data line DLr1 and the scanning line SC1
  • the sub-pixel SP1y is connected to the data line DLr2 and the scanning line SC1
  • the sub-pixel SP4x is connected to the data line DLr1.
  • the sub-pixel SP4y is connected to the data line DLr2 and the scan line SC2
  • the sub-pixel SP2x is connected to the data line DLb1 and the scan line SC1
  • the sub-pixel SP2y is connected to the data line DLb2 and the scan line SC1.
  • the red sub-pixel and the blue sub-pixel in FIG. 9 may be divided into two sub-pixels aligned in the column direction, as shown in FIG. In FIG. 11, each of the sub-pixels SP1y, SP4x, SP2y, and SP5x is adjacent to the sub-pixel SP3 in a diagonal direction.
  • FIG. 12 (a) is a schematic view showing the arrangement of sub-pixels according to the fifth embodiment
  • FIG. 12 (b) is a schematic view showing the connection relationship between the sub-pixels and scanning lines and data lines.
  • the area PA1 (broken line frame) in FIG. 12 corresponds to a one-pixel area.
  • FIG. 12 four subpixels SP1, SP4, and SP7 of the same shape having the red light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLr, and four subpixels SP3 of the same shape having the green light emitting layer.
  • SP6 and SP9 are arranged in the column direction and connected to the data line DLg
  • two sub-pixels SP2, SP5 and SP8 of the same shape having a blue light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLb
  • Three subpixels SP10, SP11, SP12 of the same shape having a green light emitting layer are arranged in the column direction and connected to the data line DLG.
  • the subpixels SP1 and SP2 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP3 and SP10 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP4 and SP5 are adjacent in the row direction
  • the subpixels SP6 and SP11 are adjacent in the row direction
  • the subpixel SP7 and SP8 are adjacent in the row direction
  • sub-pixels SP9 and SP12 are adjacent in the row direction
  • sub-pixel SP3 is adjacent to sub-pixels SP1, SP2, SP4 and SP5 in a diagonal direction
  • sub-pixel SP6 is sub-pixel SP4 ⁇ SP5 ⁇ SP7 ⁇ SP8 diagonally adjacent to each other.
  • the sub-pixels SP1, SP3, SP4, SP6, SP7, and SP9 are arranged in a staggered arrangement in this order
  • the sub-pixels SP2, SP10, SP5, SP11, SP8, and SP12 are arranged in a staggered arrangement in this order.
  • the light emitting region of the sub-pixel SP3 is a rhombus (one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is a square parallel to the column direction)
  • the light emitting area of each of the sub pixel SP2, the sub pixel SP4 and the sub pixel SP5 includes a side including a side along the light emitting area of the sub pixel SP3 (a square of which one of the diagonals is parallel to the row direction and the other is the parallel to the column direction) It is.
  • a square area (sub-pixel SP3 in the area obtained by connecting the centers of gravity of the light-emitting areas of the sub-pixel SP1, sub-pixel SP2, sub-pixel SP4 and sub-pixel SP5 (intersections z1 ⁇ z2 ⁇ z4 ⁇ z5 of two diagonal lines) ) Corresponds to one pixel area PA1.
  • the light emitting area of each of the sub-pixels SP1 to SP3 may be either circular or elliptical.
  • the center of gravity of the square area (one pixel area) may overlap with the center of gravity of the light emitting area of the sub-pixel SP3.
  • sub-pixels SP1, SP3, SP2, SP10 are connected to the scan line SC1
  • sub-pixels SP4, SP6, SP5, SP11 are connected to the scan line SC2
  • sub-pixels SP7, SP9, SP8, SP12 are scan line SC3.
  • red sub-pixels (SP1 etc.), blue sub-pixels (SP2 etc.) and green sub-pixels (SP3 etc.) have similar shapes (diamonds), red sub-pixels (SP1 etc.) and green sub-pixels (SP1 etc.) Since SP3 and the like have the same shape and are smaller than the blue sub-pixels (SP2 and the like), the definition can be enhanced while securing the pitch between the sub-pixels.
  • FIG. 13 is a schematic view showing a modification of FIG.
  • the blue sub-pixels in FIG. 12 may be divided into two sub-pixels aligned in the row direction, and a common light emitting layer may be provided to these two sub-pixels.
  • the light emission of one sub-pixel SP2x including the anode 22x and one sub-pixel SP2y including the anode 22y includes a base of the isosceles triangular anode 22x and a base of the isosceles triangular anode 22y adjacent in the row direction.
  • the sub-pixels SP2x and SP2y share the layer 24 (blue), for example, each having the configuration of FIG. 2, and the sub-pixel SP2x diagonally adjoins the sub-pixel SP3 (the light emitting region of the sub-pixel SP2x is the sub-pixel And the oblique side along the light emitting region of SP3).
  • sub-pixel SP2x is connected to data line DLb1 and scan line SC1
  • sub-pixel SP2y is connected to data line DLb2 and scan line SC1
  • sub-pixel SP5x is data line DLb1.
  • the sub-pixel SP5y is connected to the data line DLb2 and the scan line SC2.
  • each of the sub-pixels SP1, SP4, SP2 y, and SP5 x is adjacent to the sub-pixel SP3 in the diagonal direction.
  • the electro-optical elements included in the display device according to the present embodiment are not particularly limited.
  • the display device according to the present embodiment includes, for example, an organic EL (Electro Luminescence) display provided with an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light emitting diode as an electro-optical element Inorganic EL display, a QLED display provided with a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and the like.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining the technical means respectively disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
  • the present embodiment includes a range (a range which can be said to substantially match) in which the purpose, function, effect, etc. are achieved.
  • Each of the first sub-pixel and the four sub-pixels arranged in the column direction has a light emitting layer of a first color
  • Each of the second sub-pixel and the five sub-pixels aligned in the column direction has a light emitting layer of a second color, Whether the third sub-pixel having the light emitting layer of the third color is diagonally adjacent to at least two of the first sub-pixel, the second sub-pixel, the fourth sub-pixel and the fifth sub-pixel Or adjacent display devices in the column direction.
  • a first data line, a second data line, and a third data line extending in the column direction The first sub-pixel and the four sub-pixels are connected to the first data line, the second sub-pixel and the five sub-pixels are connected to the second data line, and the third sub-pixel is the third data.
  • the light emitting area of the third sub pixel is a diamond shape, and the first sub pixel, the second sub pixel, the fourth sub pixel, and the fifth sub pixel are adjacent to the third sub pixel in a diagonal direction.
  • the display device according to any one of aspects 1 to 3.
  • each of the first sub-pixel, the second sub-pixel, the fourth sub-pixel and the fifth sub-pixel is a pentagon or triangle (including the case where it can be said to be substantially a pentagon or triangle) Display device described.
  • Aspect 7 The light emitting area of the third sub pixel is rectangular, and the first sub pixel, the second sub pixel, the fourth sub pixel, and the fifth sub pixel are adjacent to the third sub pixel in the column direction.
  • the display device according to any one of aspects 1 to 3.
  • the light emitting area of each of the first sub-pixel to the fifth sub-pixel is any of rhombic, triangular, circular, and elliptical (substantially, it can be said that it is any of rhombic, triangular, circular, or elliptical)
  • a display device according to any one of aspects 1 to 3, for example.
  • Aspect 11 The display device according to any one of aspects 1 to 10, wherein five equivalent sub-pixels are included in the two-pixel area.
  • the third sub-pixel and sub-pixels other than the first to fifth sub-pixels share a light emitting layer and have anodes electrically separated, and signals are separately transmitted to these anodes
  • the display device according to aspect 11 For example, the display device according to aspect 11.
  • a display device according to any one of aspects 1 to 10, wherein six sub pixels corresponding to six pixels are included in the two pixel region.
  • Aspect 11 The display device according to any one of aspects 1 to 10, wherein four sub-pixels equivalent to two in the pixel area are included.
  • Aspect 15 The display device according to the aspect 14, for example, wherein the third sub-pixel has a smaller light emitting area than at least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
  • Aspect 16 The display device according to Aspect 15, for example, wherein the first sub-pixel and the third sub-pixel have the same shape and a smaller light emitting area than the second sub-pixel.
  • Aspect 17 At least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel and sub-pixels other than the first to fifth sub-pixels share a light emitting layer and have an anode electrically separated.
  • the display device according to any one of aspects 14 to 16, wherein signals are separately input to the anodes.
  • Aspect 19 The display device according to any one of aspects 14 to 17, for example, wherein the first color is red, the second color is blue, and the third color is green.
  • Aspect 21 The display device according to Aspect 20, wherein a center of gravity of the rectangular area overlaps a center of gravity of a light emitting area of the third sub-pixel.
  • a display device according to any one of aspects 1-21, for example, wherein the light emitting layer is a quantum dot layer.

Abstract

行方向に隣接する第１サブ画素および第２サブ画素（ＳＰ１・ＳＰ２）と、第３サブ画素（ＳＰ３）と、前記行方向に隣接する第４サブ画素および第５サブ画素（ＳＰ４・ＳＰ５）とを備え、列方向に並ぶ前記第１サブ画素および前記４サブ画素それぞれが第１色の発光層を有し、前記列方向に並ぶ前記第２サブ画素および前記５サブ画素それぞれが第２色の発光層を有し、第３色の発光層を有する前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素のうち少なくとも２つと、斜め方向に隣接するか、あるいは列方向に隣接する。

Description

表示デバイス
　本発明は、表示デバイスに関する。
　特許文献１には、赤のサブ画素および緑のサブ画素が列方向に交互に並ぶサブ画素列に対してデータ線を設け、このデータ線に赤のサブ画素および緑のサブ画素それぞれを接続する構成が開示されている。
米国特許第７６４６３９８号
　特許文献１の構成では、サブ画素への充電率が低いという問題がある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、行方向に隣接する第１サブ画素および第２サブ画素と、第３サブ画素と、前記行方向に隣接する第４サブ画素および第５サブ画素とを備え、列方向に並ぶ前記第１サブ画素および前記４サブ画素それぞれが第１色の発光層を有し、前記列方向に並ぶ前記第２サブ画素および前記５サブ画素それぞれが第２色の発光層を有し、第３色の発光層を有する前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素のうち少なくとも２つと、斜め方向に隣接するか、あるいは列方向に隣接する。なお、前記行方向および前記列方向は、互いに直交する２方向であり、前記斜め方向は前記２方向を基準とする。
　本発明の一態様によれば、サブ画素への充電率が高められる。
表示デバイスの構成例を示す断面図である。 サブ画素の構成例を示す回路図である。 （ａ）（ｂ）は実施形態１のサブ画素の配列を示す模式図、（ｃ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。 実施形態１のメリットを示す模式図である。 図３の変形例を示す模式図である。 （ａ）は実施形態２のサブ画素の配列を示す模式図、（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。 図６の変形例を示す模式図である。 （ａ）は実施形態３のサブ画素の配列を示す模式図、（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。 （ａ）は実施形態４のサブ画素の配列を示す模式図、（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。 図９の変形例を示す模式図である。 図９のさらなる変形例を示す模式図である。 （ａ）は実施形態５のサブ画素の配列を示す模式図、（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。 図１２の変形例を示す模式図である。 図１２のさらなる変形例を示す模式図である。
　図１は、表示デバイスの構成例を示す断面図である。図１の表示デバイス２は上方に向けて発光するトップエミッション型であり、下側から順に、基材１０、樹脂層１２、バリア層３（アンダーコート層）、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６、接着層３８および機能フィルム３９を備える。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。基材１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層に形成される無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１６よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成される無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層に形成される容量配線Ｃと、容量配線Ｃよりも上層に形成される無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層に形成される、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄよりも上層に形成される平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極Ｇを含むように薄膜トランジスタＴｄ（発光制御トランジスタ）が構成される。ソース電極Ｓは半導体膜１５のソース領域に接続され、ドレイン電極Ｄは半導体膜１５のドレイン領域に接続される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　ＴＦＴ層４の端部（発光素子層５と重ならない非アクティブ領域ＮＡ）には端子部４４が設けられる。端子部４４は、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板６０との接続に用いられる端子ＴＭと、これに接続される端子配線ＴＷとを含む。端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷおよび引き出し配線ＤＷを介してＴＦＴ層４の各種配線と電気的に接続される。
　端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷは、例えばソース電極Ｓと同一工程で形成されるため、ソース電極Ｓと同層（無機絶縁膜２０上）にかつ同材料（例えば、２枚のチタン膜およびこれらにサンドされたアルミニウム膜）で形成される。中継配線ＬＷは例えば容量電極Ｃと同一工程で形成される。端子ＴＭ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷの端面（エッジ）は平坦化膜２１で覆われている。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層に形成されるアノード電極２２と、アクティブ領域ＤＡ（（発光素子層５と重なる領域）のサブ画素を規定するバンク２３と、アノード電極２２よりも上層に形成される発光層２４と、ＥＬ層２４よりも上層に形成されるカソード電極２５とを含み、アノード電極２２、発光層２４、およびカソード電極２５を含むように発光素子（例えば、有機発光ダイオード：ＯＬＥＤ）が構成される。
　バンク２３はアノード電極２２のエッジを覆っており、発光層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、バンク２３で囲まれた領域（発光領域）に形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、バンクの底面（アノード電極２２が露出した部分）上には、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層２４、電子輸送層、電子注入層が積層される。ここでは、発光層２４以外を共通層とすることができる。
　アノード電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２５が透光性であり、アノード電極２２が光反射性であるため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　非アクティブ領域ＮＡには、有機封止膜２７のエッジを規定する凸体Ｔａと凸体Ｔｂとが形成される。凸体Ｔａは、有機封止膜２７をインクジェット塗付する際の液止めとして機能し、凸体Ｔｂは予備の液止めとして機能する。なお、凸体Ｔｂの下部は平坦化膜２１で構成され、引き出し配線ＤＷの端面の保護膜として機能する。バンク２３、凸体Ｔａおよび凸体Ｔｂの上部は、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。
　封止層６は透光性であり、カソード電極２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う無機封止膜２８とを含む。無機封止膜２６・２８は、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、無機封止膜２６・２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板６０は、例えば、異方性導電材５１を介して端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。
　図２は、サブ画素の構成例を示す回路図である。ＴＦＴ層４には、列方向に伸びる、複数のデータ線ＤＬと、行方向に伸びる、複数の走査線ＳＣ（ｎ）および複数の発光制御線ＥＭ（ｎ）とが設けられ、サブ画素ＳＰはデータ線ＤＬおよび走査線ＳＣ（ｎ）に接続する。なお、各サブ画素ＳＰには、有機ＥＬ素子を駆動するためのハイレベル電源ＶＤＤおよびローレベル電源ＶＳＳと、初期化電圧Ｖｉｎｉとが供給される。走査線ＳＣ（ｎ）がアクティブとなる期間に、データ線ＤＬからこれに接続する各サブ画素に、表示階調データに応じた電位信号が供給される。
　サブ画素ＳＰは、図２のＴＦＴ層４に形成される、駆動トランジスタＴａ、スイッチトランジスタＴｂ、電源供給制御トランジスタＴｃ、発光制御トランジスタＴｄ、閾値電圧補償トランジスタＴｅ、初期化トランジスタＴｆ、および容量Ｃｐと、図２の発光素子層５に形成され、発光層２４を含む発光素子ＥＳ（例えば、有機発光ダイオード）とを備える。
　駆動トランジスタＴａについては、ゲート電極は閾値電圧補償トランジスタＴｅのソース電極と初期化トランジスタＴｆのドレイン電極とコンデンサＣｐの一方電極とに接続され、ドレイン電極はスイッチトランジスタＴｂのソース電極と電源供給制御トランジスタＴｃのソース電極とに接続され、ソース電極は発光制御トランジスタＴｄのドレイン電極と閾値電圧補償トランジスタＴｅのドレイン電極とに接続されている。
　スイッチトランジスタＴｂについては、ゲート電極はｎ行目の走査線ＳＣ（ｎ）に接続され、ドレイン電極はデータ線ＤＬに接続され、ソース電極は駆動トランジスタＴａのドレイン電極と電源供給制御トランジスタＴｃのソース電極とに接続されている。電源供給制御トランジスタＴｃについては、ゲート電極はｎ行目の発光制御線ＥＭ（ｎ）に接続され、ドレイン電極はハイレベル電源ＶＤＤの供給線とコンデンサＣｐの他方電極とに接続され、ソース電極は駆動トランジスタＴａのドレイン電極とスイッチトランジスタＴｂのソース電極とに接続されている。
　発光制御トランジスタＴｄのドレイン電極には発光素子ＥＳのアノード電極２２が接続され、発光素子ＥＳのカソード電極２５がローレベル電源ＶＳＳの供給線に接続される。
　〔実施形態１〕
　以下では、説明便宜のために、図面上の横方向を行方向とし、斜め方向は行方向および列方向（図面上の縦方向）を基準とする。なお、例えば行方向は、表示デバイスの１つのエッジ（１辺）と平行の関係にあってもよいし、直交の関係にあってもよいし、斜めの関係にあってもよい。サブ画素とは、独立に駆動される最小の表示構成である。画素（ピクセル）とは、一組の入力信号（Ｒ信号・Ｇ信号・Ｂ信号）に対応するサブ画素群であり、１画素あたりのサブ画素数÷３＝ＳＰＲ比である。
　図３（ａ）（ｂ）は実施形態１のサブ画素の配列を示す模式図、図３（ｃ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。図４は、実施形態１のメリットを示す模式図である。図３では、２画素領域に５つ相当のサブ画素が含まれ、サブ画素の入出力比であるＳＰＲ比が５／６である。図３の領域ＰＡ１（破線枠）は１画素領域に相当し、領域ＰＡ２は２画素領域に相当する。また、各サブ画素が例えば図２の構成を有するものとする。
　図３では、赤（Ｒ）の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ９が列方向（縦方向、データ線の延伸方向）に並べられてデータ線ＤＬｒに接続され、緑（Ｇ）の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ２・ＳＰ５・ＳＰ７・ＳＰ１０が列方向に並べられてデータ線ＤＬｇに接続され、青（Ｂ）の発光層を有する同形状の２つのサブ画素ＳＰ３・ＳＰ８は列方向に並べられてデータ線ＤＬｂに接続される。
　サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２が行方向（横方向、走査線の延伸方向）に隣接し、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ７が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１０が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３がサブ画素ＳＰ１・ＳＰ２・ＳＰ４・ＳＰ５それぞれと斜め方向に隣接し、サブ画素ＳＰ８がサブ画素ＳＰ６・ＳＰ７・ＳＰ９・ＳＰ１０それぞれと斜め方向に隣接する。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５（第１～第５サブ画素）については、サブ画素ＳＰ３の発光領域が縦長の菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行）であり、サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った斜めの辺を含む、五角形（図３（ａ）参照）または三角形（図３（ｂ）参照）である。
　ここでは、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ２が走査線ＳＣ１（第１走査線）に接続され、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が走査線ＳＣ２（第２走査線）に接続され、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ８・ＳＰ７が走査線ＳＣ３に接続され、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１０が走査線ＳＣ４に接続される。
　図３の構成によれば、データ線（ＤＬｒ・ＤＬｂ・ＤＬｇ）に供給される電位信号の周波数が低く抑えられるため、各サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が高められる。例えば、ベタ表示する際には、図４（ａ）のようにデータ線の信号電位が一定（ＶＬ）となる。
　なお、図４（ｂ）に示す特許文献１の構成（２つの赤サブ画素ＳＰＲが青サブ画素ＳＰＢを挟んで斜めに向かい合い、２つの緑サブ画素ＳＰＧが青サブ画素ＳＰＢを挟んで斜めに向かい合う構成）では、例えば、ベタ表示でもデータ線の信号電位が高周波で変化し、サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が低くなるという問題がある。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５で構成される発光領域ＰＡ２（２画素分）の行方向（横方向）および列方向（縦方向）のサイズ比が実質的に１：２（横方向を１として縦方向が１．９～２．１）であるため、図４（ｂ）の構成と比較して縦ライン（画素列）が細く、縦方向の表示品位が高められる。さらに、斜めラインの繰り返し周期が短いため、斜め方向の表示品位が高められる。
　実施形態１によれば、図３（ｃ）および図４（ａ）に示すように、データ線の総数を、ＳＰＲ比１．０（リアル表示）の場合の５／６とすることができる。青サブ画素に接続するデータ線（ＤＬｂ等）の数を半分にできるためである。
　図５は図３の変形例を示す模式図である。図５（ａ）に示すように、図３の青サブ画素を、列方向に並ぶ２つのサブ画素に分割し、これら２つのサブ画素に共通の発光層を設け、これらサブ画素の陽極には別々に信号が入力される構成でもよい。すなわち、発光素子層の絶縁膜に形成された隣り合う２つの開口下に２つのサブ画素の陽極（これら陽極には別々に信号が入力される）が露出し、これら２つの開口の間隙となるバンク（エッジカバー）を跨ぐように共通の発光層が設けられる。こうすれば、高精細の表示品位を保ちながら、蒸着時に用いるマスクの解像度を下げることができ、マスクの製造が容易になる。
　例えば、二等辺三角形状の陽極２２ｘの底辺と二等辺三角形状の陽極２２ｙの底辺とが列方向に隣り合い、陽極２２ｘを含むサブ画素ＳＰ３ｘと、陽極２２ｙを含むサブ画素ＳＰ３ｙとが１つの発光層２４（青）を共有し、サブ画素ＳＰ３ｘ・ＳＰ３ｙそれぞれが例えば図２の構成を有し、サブ画素ＳＰ３ｘは、サブ画素ＳＰ１およびサブ画素ＳＰ２と斜め方向に隣接し（サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｘの発光領域に沿った斜めの辺を含む）、サブ画素ＳＰ３ｙは、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５と斜め方向に隣接する（サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｙの発光領域に沿った斜めの辺を含む）構成とする。
　この場合、図５（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＰ３ｘは、データ線ＤＬｂおよび走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ３ｙは、データ線ＤＬｂおよび走査線ＳＣ２に接続する。こうすれば、実質的にリアル表示（ＳＰＲ比＝１）が可能となる。
　なお、図５（ｃ）のように、サブ画素ＳＰ１が青色の発光層を有し、サブ画素ＳＰ２が緑色の発光層を有し、サブ画素ＳＰ３ｘ・３ｙが赤色の共通の発光層を有する構成でもよい。このように、サブ画素ＳＰ１（青）の発光領域を大きくすることで、赤および緑のサブ画素よりも短いとされる青のサブ画素の寿命を延ばすことができる。
　なお、図５（ｄ）のように、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ６に共通の発光層２４ｒ（赤）を設け、サブ画素ＳＰ５・ＳＰ７に共通の発光層２４ｇ（緑）を設けることもできる。具体的には、サブ画素ＳＰ４の陽極２２ａとサブ画素ＳＰ６の陽極２２ｂとをバンク（隔壁）で分離し、このバンクを跨ぐように発光層２４ｒを設ける。また、サブ画素ＳＰ５の陽極２２Ａとサブ画素ＳＰ７の陽極２２Ｂとをバンク（隔壁）で分離し、このバンクを跨ぐように発光層２４ｇを設ける。蒸着時には、１つのマスク開口によって発光層２４ｒが形成され、１つのマスク開口によって発光層２４ｇが形成される。
　〔実施形態２〕
　図６（ａ）は実施形態２のサブ画素の配列を示す模式図、図６（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。図６では、２画素領域に５つ相当のサブ画素が含まれ、サブ画素の入出力比であるＳＰＲ比＝５／６である。なお、図６の領域ＰＡ１（破線枠）は１画素領域に相当する。
　図６では、赤の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ９が列方向（縦方向、データ線の延伸方向）に並べられてデータ線ＤＬｒに接続され、緑の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ２・ＳＰ５・ＳＰ７・ＳＰ１０が列方向に並べられてデータ線ＤＬｇに接続され、青の発光層を有する同形状の２つのサブ画素ＳＰ３・ＳＰ８は列方向に並べられてデータ線ＤＬｂに接続される。サブ画素ＳＰ３と行方向に隣接するサブ画素ＳＰ２３、およびサブ画素ＳＰ８と行方向に隣接するサブ画素ＳＰ２８もデータ線ＤＬｂに接続される。
　サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２が行方向（横方向、走査線の延伸方向）に隣接し、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ７が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１０が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３がサブ画素ＳＰ１・ＳＰ２・ＳＰ４・ＳＰ５それぞれと列方向に隣接し、サブ画素ＳＰ８がサブ画素ＳＰ６・ＳＰ７・ＳＰ９・ＳＰ１０それぞれと列方向に隣接する。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５（第１～第５サブ画素）については、サブ画素ＳＰ３の発光領域が横長の長方形（長辺が行方向に平行で短辺が列方向に平行）であり、サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った辺を含む縦長の長方形であり、サブ画素ＳＰ３の発光領域よりも小さい。なお、サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５で構成される発光領域（２画素分）の行方向および列方向のサイズ比が１：２であってもよい。
　ここでは、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ２が走査線ＳＣ１に接続され、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ２３・ＳＰ５が走査線ＳＣ２に接続され、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ８・ＳＰ７が走査線ＳＣ３に接続され、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ２８・ＳＰ１０が走査線ＳＣ４に接続される。
　図６の構成によれば、データ線（ＤＬｒ・ＤＬｂ・ＤＬｇ）に供給される電位信号の周波数が低く抑えられるため、サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が高められる。
　また、矩形の発光領域ＰＡ２を５つのサブ画素に分割する場合に、サブ画素間の隙間面積が最小となり、開口率を最大とすることができる。
　図７は図６の変形例を示す模式図である。図７（ａ）に示すように、図６の青サブ画素を、行方向に並ぶ２つのサブ画素に分割し、これら２つのサブ画素に共通の発光層を設けてもよい。例えば、長方形状の陽極２２ｘと長方形状の陽極２２ｙとが行方向に隣り合い、陽極２２ｘを含むサブ画素ＳＰ３ｘと、陽極２２ｙを含むサブ画素ＳＰ３ｙとが１つの発光層２４（青）を共有し、サブ画素ＳＰ３ｘ・ＳＰ３ｙそれぞれが例えば図２の構成を有し、サブ画素ＳＰ３ｘは、サブ画素ＳＰ１およびサブ画素ＳＰ４と列方向に隣接し（サブ画素ＳＰ１・ＳＰ４それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｘの発光領域に沿った行方向の辺を含む）、サブ画素ＳＰ３ｙは、サブ画素ＳＰ２およびサブ画素ＳＰ５と列方向に隣接する（サブ画素ＳＰ２・ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｙの発光領域に沿った行方向の辺を含む）構成とする。
　この場合、図７（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＰ３ｘは、データ線ＤＬｂおよび走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ３ｙは、データ線ＤＬｂおよび走査線ＳＣ２に接続する。こうすれば、実質的にリアル表示（ＳＰＲ比＝１）が可能となる。
　なお、図７（ｃ）のように、長方形状の陽極２２ｘと長方形状の陽極２２ｙとが列方向に隣り合い、陽極２２ｘを含むサブ画素ＳＰ３ｘと、陽極２２ｙを含むサブ画素ＳＰ３ｙとが１つの発光層２４（青）を共有し、サブ画素ＳＰ３ｘ・ＳＰ３ｙそれぞれが例えば図２の構成を有し、サブ画素ＳＰ３ｘは、サブ画素ＳＰ１およびサブ画素ＳＰ２と列方向に隣接し（サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｘの発光領域に沿った行方向の辺を含む）、サブ画素ＳＰ３ｙは、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５と列方向に隣接する（サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３ｙの発光領域に沿った行方向の辺を含む）構成でもよい。
　〔実施形態３〕
　図８（ａ）は実施形態３のサブ画素の配列を示す模式図、図８（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。図８では、２画素領域に６つ相当のサブ画素が含まれ、サブ画素の入出力比であるＳＰＲ比＝１である。なお、図８の領域ＰＡ１（破線枠）は１画素領域に相当する。
　図８では、赤の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ７が列方向に並べられてデータ線ＤＬｒに接続され、青の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ３・ＳＰ６・ＳＰ９が列方向に並べられてデータ線ＤＬｂに接続され、緑の発光層を有する同形状の２つのサブ画素ＳＰ２・ＳＰ５・ＳＰ８は列方向に並べられてデータ線ＤＬｇに接続され、赤の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１０・ＳＰ１３・ＳＰ１６が列方向に並べられてデータ線ＤＬＲに接続されている。
　サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３・ＳＰ１０が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ１３が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ８が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１６が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３がサブ画素ＳＰ１・ＳＰ２・ＳＰ４・ＳＰ５それぞれと斜め方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６がサブ画素ＳＰ４・ＳＰ５・ＳＰ７・ＳＰ８それぞれと列方向に隣接する。換言すれば、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ７・ＳＰ９がこの順に千鳥配置とされ、サブ画素ＳＰ２・ＳＰ１０・ＳＰ５・ＳＰ１３・ＳＰ８・ＳＰ１６がこの順に千鳥配置とされている。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５（第１～第５サブ画素）については、サブ画素ＳＰ３の発光領域が菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）であり、サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った辺を含む菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）であり、サブ画素ＳＰ３の発光領域よりも小さい。なお、サブ画素ＳＰ１～ＳＰ３それぞれの発光領域が、円形、楕円形のいずれかであってもよい。
　ここでは、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ２・ＳＰ１０・ＳＰ１２・ＳＰ１１が走査線ＳＣ１に接続され、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ５・ＳＰ１３・ＳＰ１５・ＳＰ１４が走査線ＳＣ２に接続され、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ９・ＳＰ８・ＳＰ１６・ＳＰ１８・ＳＰ１７が走査線ＳＣ３に接続される。
　図８の構成によれば、データ線（ＤＬｒ・ＤＬｂ・ＤＬｇ等）に供給される電位信号の周波数が低く抑えられるため、サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が高められる。
　また、赤のサブ画素（ＳＰ１等）、緑のサブ画素（ＳＰ２等）および青のサブ画素（ＳＰ３等）を相似形状（菱形）とし、赤のサブ画素（ＳＰ１等）および緑のサブ画素（ＳＰ２等）を同形状としつつこれらを青のサブ画素（ＳＰ３等）よりも小さくしているため、サブ画素間のピッチを確保しながら精細度を高めることができ、図８（ａ）に示すような、Δ配列のリアル表示（ＳＰＲ比＝１）が可能となる。
　〔実施形態４〕
　図９（ａ）は実施形態４のサブ画素の配列を示す模式図、図９（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。図９では、２画素領域に４つ相当のサブ画素が含まれ、サブ画素の入出力比であるＳＰＲ比＝２／３である。なお、図９の領域ＰＡ１（破線枠）は１画素領域に相当する。
　図９では、赤の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ７が列方向に並べられてデータ線ＤＬｒに接続され、緑の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ３・ＳＰ６・ＳＰ９が列方向に並べられてデータ線ＤＬｇに接続され、青の発光層を有する同形状の２つのサブ画素ＳＰ２・ＳＰ５・ＳＰ８は列方向に並べられてデータ線ＤＬｂに接続され、緑の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１０・ＳＰ１２・ＳＰ１４が列方向に並べられてデータ線ＤＬＧに接続されている。
　サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３・ＳＰ１０が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ１２が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ８が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１４が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３がサブ画素ＳＰ１・ＳＰ２・ＳＰ４・ＳＰ５それぞれと斜め方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６がサブ画素ＳＰ４・ＳＰ５・ＳＰ７・ＳＰ８それぞれと斜め方向に隣接する。換言すれば、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ７・ＳＰ９がこの順に千鳥配置とされ、サブ画素ＳＰ２・ＳＰ１０・ＳＰ５・ＳＰ１２・ＳＰ８・ＳＰ１４がこの順に千鳥配置とされている。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５（第１～第５サブ画素）については、サブ画素ＳＰ３の発光領域が菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）であり、サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った辺を含む菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）であり、サブ画素ＳＰ３の発光領域よりも大きい。サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域の重心（２つの対角線の交点ｚ１・ｚ２・ｚ４・ｚ５）を結んで得られる正方形の領域（領域内にサブ画素ＳＰ３が含まれる）が１画素領域ＰＡ１に相当する。なお、サブ画素ＳＰ１～ＳＰ３それぞれの発光領域が、円形、楕円形のいずれかであってもよい。前記正方形の領域（１画素領域）の重心が、サブ画素ＳＰ３の発光領域の重心に重なる構成でもよい。
　ここでは、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ２・ＳＰ１０・ＳＰ１１が走査線ＳＣ１に接続され、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ５・ＳＰ１２・ＳＰ１３が走査線ＳＣ２に接続され、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ９・ＳＰ８・ＳＰ１４・ＳＰ１５が走査線ＳＣ３に接続される。
　図９の構成によれば、データ線（ＤＬｒ・ＤＬｂ・ＤＬｇ等）に供給される電位信号の周波数が低く抑えられるため、サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が高められる。
　図１０は図９の変形例を示す模式図である。図１０（ａ）に示すように、図９の赤のサブ画素および青のサブ画素を、行方向に並ぶ２つのサブ画素に分割し、これら２つのサブ画素に共通の発光層を設けてもよい。例えば、二等辺三角形状の陽極２２ｘの底辺と二等辺三角形状の陽極２２ｙの底辺とが列方向に隣り合い、陽極２２ｘを含むサブ画素ＳＰ１ｘと、陽極２２ｙを含むサブ画素ＳＰ１ｙとが１つの発光層２４（赤）を共有し、サブ画素ＳＰ１ｘ・ＳＰ１ｙそれぞれが例えば図２の構成を有し、サブ画素ＳＰ１ｙは、サブ画素ＳＰ３と斜め方向に隣接する（サブ画素ＳＰ１ｙの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った斜めの辺を含む）構成とする。なお、サブ画素ＳＰ４ｙ・ＳＰ２ｘ・ＳＰ５ｘそれぞれがサブ画素ＳＰ３と斜め方向に隣接する。
　この場合、図１０（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＰ１ｘはデータ線ＤＬｒ１および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ１ｙはデータ線ＤＬｒ２および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ４ｘはデータ線ＤＬｒ１および走査線ＳＣ２に接続し、サブ画素ＳＰ４ｙはデータ線ＤＬｒ２および走査線ＳＣ２に接続し、サブ画素ＳＰ２ｘはデータ線ＤＬｂ１および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ２ｙはデータ線ＤＬｂ２および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ５ｘはデータ線ＤＬｂ１および走査線ＳＣ２に接続し、サブ画素ＳＰ５ｙはデータ線ＤＬｂ２および走査線ＳＣ２に接続する。こうすれば、実質的にリアル表示（ＳＰＲ比＝１）が可能となる。
　なお、図９の赤のサブ画素および青のサブ画素を、列方向に並ぶ２つのサブ画素に分割して図１１のように構成することも可能である。図１１では、サブ画素ＳＰ１ｙ・ＳＰ４ｘ・ＳＰ２ｙ・ＳＰ５ｘそれぞれがサブ画素ＳＰ３と斜め方向に隣接する。
　〔実施形態５〕
　図１２（ａ）は実施形態５のサブ画素の配列を示す模式図、図１２（ｂ）はサブ画素と走査線およびデータ線との接続関係を示す模式図である。図１２では、２画素領域に４つ相当のサブ画素が含まれ、サブ画素の入出力比であるＳＰＲ比＝２／３である。なお、図１２の領域ＰＡ１（破線枠）は１画素領域に相当する。
　図１２では、赤の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ７が列方向に並べられてデータ線ＤＬｒに接続され、緑の発光層を有する同形状の４つのサブ画素ＳＰ３・ＳＰ６・ＳＰ９が列方向に並べられてデータ線ＤＬｇに接続され、青の発光層を有する同形状の２つのサブ画素ＳＰ２・ＳＰ５・ＳＰ８は列方向に並べられてデータ線ＤＬｂに接続され、緑の発光層を有する同形状の３つのサブ画素ＳＰ１０・ＳＰ１１・ＳＰ１２が列方向に並べられてデータ線ＤＬＧに接続されている。
　サブ画素ＳＰ１・ＳＰ２が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３・ＳＰ１０が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ５が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６・ＳＰ１１が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ８が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ９・ＳＰ１２が行方向に隣接し、サブ画素ＳＰ３がサブ画素ＳＰ１・ＳＰ２・ＳＰ４・ＳＰ５それぞれと斜め方向に隣接し、サブ画素ＳＰ６がサブ画素ＳＰ４・ＳＰ５・ＳＰ７・ＳＰ８それぞれと斜め方向に隣接する。換言すれば、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ７・ＳＰ９がこの順に千鳥配置とされ、サブ画素ＳＰ２・ＳＰ１０・ＳＰ５・ＳＰ１１・ＳＰ８・ＳＰ１２がこの順に千鳥配置とされている。
　サブ画素ＳＰ１～ＳＰ５（第１～第５サブ画素）については、サブ画素ＳＰ３の発光領域が菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）であり、サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った辺を含む菱形（対角線の一方が行方向に平行で他方が列方向に平行な正方形）である。サブ画素ＳＰ１、サブ画素ＳＰ２、サブ画素ＳＰ４およびサブ画素ＳＰ５それぞれの発光領域の重心（２つの対角線の交点ｚ１・ｚ２・ｚ４・ｚ５）を結んで得られる正方形の領域（領域内にサブ画素ＳＰ３が含まれる）が１画素領域ＰＡ１に相当する。なお、サブ画素ＳＰ１～ＳＰ３それぞれの発光領域が、円形、楕円形のいずれかであってもよい。前記正方形の領域（１画素領域）の重心が、サブ画素ＳＰ３の発光領域の重心に重なる構成でもよい。
　ここでは、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ３・ＳＰ２・ＳＰ１０が走査線ＳＣ１に接続され、サブ画素ＳＰ４・ＳＰ６・ＳＰ５・ＳＰ１１が走査線ＳＣ２に接続され、サブ画素ＳＰ７・ＳＰ９・ＳＰ８・ＳＰ１２が走査線ＳＣ３に接続される。
　図１２の構成によれば、データ線（ＤＬｒ・ＤＬｂ・ＤＬｇ等）に供給される電位信号の周波数が低く抑えられるため、サブ画素の容量Ｃｐへの充電率が高められる。
　また、赤のサブ画素（ＳＰ１等）、青のサブ画素（ＳＰ２等）および緑のサブ画素（ＳＰ３等）を相似形状（菱形）とし、赤のサブ画素（ＳＰ１等）および緑のサブ画素（ＳＰ３等）を同形状としつつこれらを青のサブ画素（ＳＰ２等）よりも小さくしているため、サブ画素間のピッチを確保しながら精細度を高めることができる。
　図１３は図１２の変形例を示す模式図である。図１３（ａ）に示すように、図１２の青のサブ画素を、行方向に並ぶ２つのサブ画素に分割し、これら２つのサブ画素に共通の発光層を設けてもよい。例えば、二等辺三角形状の陽極２２ｘの底辺と二等辺三角形状の陽極２２ｙの底辺とが行方向に隣り合い、陽極２２ｘを含むサブ画素ＳＰ２ｘと、陽極２２ｙを含むサブ画素ＳＰ２ｙとが１つの発光層２４（青）を共有し、サブ画素ＳＰ２ｘ・ＳＰ２ｙそれぞれが例えば図２の構成を有し、サブ画素ＳＰ２ｘは、サブ画素ＳＰ３と斜め方向に隣接する（サブ画素ＳＰ２ｘの発光領域が、サブ画素ＳＰ３の発光領域に沿った斜めの辺を含む）構成とする。
　この場合、図１３（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＰ２ｘはデータ線ＤＬｂ１および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ２ｙはデータ線ＤＬｂ２および走査線ＳＣ１に接続し、サブ画素ＳＰ５ｘはデータ線ＤＬｂ１および走査線ＳＣ２に接続し、サブ画素ＳＰ５ｙはデータ線ＤＬｂ２および走査線ＳＣ２に接続する。こうすれば、ＳＰＲ比を５／６に高めることが可能となる。
　なお、図１２の青のサブ画素を、列方向に並ぶ２つのサブ画素に分割して図１４のように構成することも可能である。図１４では、サブ画素ＳＰ１・ＳＰ４・ＳＰ２ｙ・ＳＰ５ｘそれぞれがサブ画素ＳＰ３と斜め方向に隣接する。
　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　各実施形態で形状、状態、サイズ等を規定している場合、これら形状、状態、サイズ等との厳密な一致を求めるものではない。厳密に一致しなくても、目的、機能、効果等を達成する範囲（実質的に一致するといえる範囲）までを本実施形態に含めるものとする。
　〔態様１〕
　行方向に隣接する第１サブ画素および第２サブ画素と、第３サブ画素と、前記行方向に隣接する第４サブ画素および第５サブ画素とを備え、
　列方向に並ぶ前記第１サブ画素および前記４サブ画素それぞれが第１色の発光層を有し、
　前記列方向に並ぶ前記第２サブ画素および前記５サブ画素それぞれが第２色の発光層を有し、
　第３色の発光層を有する前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素のうち少なくとも２つと、斜め方向に隣接するか、あるいは列方向に隣接する表示デバイス。
　〔態様２〕
　前記列方向に伸びる、第１データ線、第２データ線および第３データ線を備え、
　前記第１サブ画素および前記４サブ画素が前記第１データ線に接続され、前記第２サブ画素および前記５サブ画素が前記第２データ線に接続され、前記第３サブ画素が前記第３データ線に接続されている例えば態様１記載の表示デバイス。
　〔態様３〕
　前記行方向に伸びる、第１走査線および第２走査線を備え、
　前記第１サブ画素および前記２サブ画素が前記第１走査線に接続され、前記第３サブ画素が前記第１走査線あるいは前記第２走査線に接続されている例えば態様２記載の表示デバイス。
　〔態様４〕
　前記第３サブ画素の発光領域は菱形であり、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれが、前記第３サブ画素と斜め方向に隣接する例えば態様１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様５〕
　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域が五角形または三角形である（実質的に五角形または三角形といえる場合を含む）例えば態様４に記載の表示デバイス。
　〔態様６〕
　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域が菱形である（実質的に菱形といえる場合を含む）例えば態様４に記載の表示デバイス。
　〔態様７〕
　前記第３サブ画素の発光領域は長方形であり、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれが、前記第３サブ画素と列方向に隣接する例えば態様１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様８〕
　前記第１サブ画素～前記第５サブ画素で構成される発光領域の前記行方向および前記列方向のサイズ比が１：２である（実質的に１：２といえる場合を含む）例えば態様５または７に記載の表示デバイス。
　〔態様９〕
　前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素よりも発光領域が大きい例えば態様１～８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１０〕
　前記第１サブ画素～前記第５サブ画素それぞれの発光領域は、菱形、三角形、円形、楕円形のいずれかである（実質的に、菱形、三角形、円形、楕円形のいずれかであるといえる場合を含む）例えば態様１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１１〕
　２画素領域に５つ相当のサブ画素が含まれる例えば態様１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１２〕
　前記第３サブ画素と、前記第１サブ画素～前記第５サブ画素以外のサブ画素とが、発光層を共有し、かつ電気的に分離された陽極を有し、これら陽極には別々に信号が入力される例えば態様１１に記載の表示デバイス。
　〔態様１３〕
　２画素領域に６つ相当のサブ画素が含まれる例えば態様１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１４〕
　２画素領域に４つ相当のサブ画素が含まれる例えば態様１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１５〕
　前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の少なくとも一方よりも発光領域が小さい例えば態様１４に記載の表示デバイス。
　〔態様１６〕
　前記第１サブ画素および前記第３サブ画素は、同一形状であって前記第２サブ画素よりも発光領域が小さい例えば態様１５に記載の表示デバイス。
　〔態様１７〕
　前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の少なくとも一方と、前記第１サブ画素～前記第５サブ画素以外のサブ画素とが、発光層を共有し、かつ電気的に分離された陽極を有し、これら陽極には別々に信号が入力される例えば態様１４～１６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１８〕
　前記第１色が赤色、前記第２色が緑色、前記第３色が青色である例えば態様１１～１３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様１９〕
　前記第１色が赤色、前記第２色が青色、前記第３色が緑色である例えば態様１４～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様２０〕
　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域の重心を結んでできる矩形領域が１画素領域に相当する例えば態様１４に記載の表示デバイス。
　〔態様２１〕
　前記矩形の領域の重心が、前記第３サブ画素の発光領域の重心に重なる例えば態様２０に記載の表示デバイス。
　〔態様２２〕
　前記発光層が有機ＥＬ層である例えば態様１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　〔態様２３〕
　前記発光層が量子ドット層である例えば態様１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　２　　表示デバイス
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　基材
　１２　樹脂層
　２１　平坦化膜
　２２　アノード電極
　２３　バンク
　２４　発光層
　２５　カソード電極
　ＮＡ　非アクティブ領域
　ＤＡ　アクティブ領域
　ＳＰ１～ＳＰ５　サブ画素（第１～第５サブ画素）
　ＤＬｒ・ＤＬｇ・ＤＬｂ　データ線　

Claims (23)

  1. 　行方向に隣接する第１サブ画素および第２サブ画素と、第３サブ画素と、前記行方向に隣接する第４サブ画素および第５サブ画素とを備え、
    　列方向に並ぶ前記第１サブ画素および前記４サブ画素それぞれが第１色の発光層を有し、
    　前記列方向に並ぶ前記第２サブ画素および前記５サブ画素それぞれが第２色の発光層を有し、
    　第３色の発光層を有する前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素のうち少なくとも２つと、斜め方向に隣接するか、あるいは列方向に隣接する表示デバイス。
  2. 　前記列方向に伸びる、第１データ線、第２データ線および第３データ線を備え、
    　前記第１サブ画素および前記４サブ画素が前記第１データ線に接続され、前記第２サブ画素および前記５サブ画素が前記第２データ線に接続され、前記第３サブ画素が前記第３データ線に接続されている請求項１記載の表示デバイス。
  3. 　前記行方向に伸びる、第１走査線および第２走査線を備え、
    　前記第１サブ画素および前記２サブ画素が前記第１走査線に接続され、前記第３サブ画素が前記第１走査線あるいは前記第２走査線に接続されている請求項２記載の表示デバイス。
  4. 　前記第３サブ画素の発光領域は菱形であり、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれが、前記第３サブ画素と斜め方向に隣接する請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  5. 　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域が五角形または三角形である請求項４に記載の表示デバイス。
  6. 　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域が菱形である請求項４に記載の表示デバイス。
  7. 　前記第３サブ画素の発光領域は長方形であり、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれが、前記第３サブ画素と列方向に隣接する請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記第１サブ画素～前記第５サブ画素で構成される発光領域の前記行方向および前記列方向のサイズ比が１：２である請求項５または７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素よりも発光領域が大きい請求項１～８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  10. 　前記第１サブ画素～前記第５サブ画素それぞれの発光領域は、菱形、三角形、円形、楕円形のいずれかである請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　２画素領域に５つ相当のサブ画素が含まれる請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　前記第３サブ画素と、前記第１サブ画素～前記第５サブ画素以外のサブ画素とが、発光層を共有し、かつ電気的に分離された陽極を有し、これら陽極には別々に信号が入力される請求項１１に記載の表示デバイス。
  13. 　２画素領域に６つ相当のサブ画素が含まれる請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  14. 　２画素領域に４つ相当のサブ画素が含まれる請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  15. 　前記第３サブ画素は、前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の少なくとも一方よりも発光領域が小さい請求項１４に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第１サブ画素および前記第３サブ画素は、同一形状であって前記第２サブ画素よりも発光領域が小さい請求項１５に記載の表示デバイス。
  17. 　前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の少なくとも一方と、前記第１サブ画素～前記第５サブ画素以外のサブ画素とが、発光層を共有し、かつ電気的に分離された陽極を有し、これら陽極には別々に信号が入力される請求項１４～１６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  18. 　前記第１色が赤色、前記第２色が緑色、前記第３色が青色である請求項１１～１３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  19. 　前記第１色が赤色、前記第２色が青色、前記第３色が緑色である請求項１４～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  20. 　前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第４サブ画素および前記第５サブ画素それぞれの発光領域の重心を結んでできる矩形領域が１画素領域に相当する請求項１４に記載の表示デバイス。
  21. 　前記矩形領域の重心が、前記第３サブ画素の発光領域の重心に重なる請求項２０に記載の表示デバイス。
  22. 　前記発光層が有機ＥＬ層である請求項１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  23. 　前記発光層が量子ドット層である請求項１～２１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
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