JP6982975B2 - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
以下、図3を用いて、本実施形態における実施例1について説明する。図3は図2に示すIII−III線に沿った位置での表示パネル40の模式的な垂直断面図である。表示パネル40は、樹脂フィルム等からなる絶縁性基材70の上にTFT72などからなる回路層、第1の有機発光ダイオード6A、第2の有機発光ダイオード6Bなどを含む複数の有機発光ダイオード6、及び有機発光ダイオード6を封止する封止層としての第1無機絶縁層107、第2無機絶縁層109などが積層された構造を有する。絶縁性基材70として例えば、ガラスや、ポリイミド膜といった可撓性材料を用いることができる。第1無機絶縁層107、第2無機絶縁層109の間には充填層114を形成することができる。第2無機絶縁層109の上面には第1の凹部108が形成され、この第1の凹部108の内部には、第2屈折率層120が形成されている。この第2屈折率層120の屈折率は、第1無機絶縁層107、及び第2無機絶縁層109よりも低い屈折率を有している。更に、本実施形態においては、第2無機絶縁層109の上面に対向基板122を設けている。対向基板122は例えば、樹脂フィルムやガラス基板などの透明な基材を用いることができる。また、対向基板122は更に、カラーフィルタが積層された構成や、円偏光板が積層された構成としてもよい。
以下、図12を用いて、本実施形態における実施例2について説明する。なお、実施例1と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図12は図2に示すIII−III線に沿った位置での表示パネル40の模式的な垂直断面図である。
以下、図13を用いて、本実施形態における実施例3について説明する。なお、実施例1、又は実施例2と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図13は図2に示すIII−III線に沿った位置での表示パネル40の模式的な垂直断面図である。
以下、図14を用いて、本実施形態における実施例4について説明する。なお、実施例1、実施例2、又は実施例3と共通の構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する。図14は図2に示すIII−III線に沿った位置での表示パネル40の模式的な垂直断面図である。
Claims (14)
- 基板と、
前記基板に対向する対向基板と、
前記基板上に画素毎に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた第1有機層と、前記第1有機層上に設けられた第2電極と、を含む有機発光ダイオードと、
前記画素の境界に沿って形成され、前記画素の発光領域に開口部を有する絶縁層と、
第1屈折率層と、
第2屈折率層を有し、
前記第1屈折率層は、前記絶縁層及び前記有機発光ダイオード上に配置され、第1の屈折率を有する材料からなり、前記絶縁層の形成領域に平面視において重畳する第1の凹部を有し、
前記第2屈折率層は、前記第1の凹部内に配置され、前記第1の屈折率よりも低い第2の屈折率を有する材料からなり、
前記第1の凹部は、平面視において1又は複数の前記発光領域を囲うように格子状に設けられ、
前記対向基板は、前記発光領域と重なる領域において前記第1屈折率層に接触し、
前記第2屈折率層は、平面視において1又は複数の前記発光領域を囲うように格子状に前記第1の凹部内に配置され、前記対向基板によって封止されている、
表示装置。 - 前記第1屈折率層は、第1無機絶縁層と、前記第1無機絶縁層よりも上方に設けられた第2無機絶縁層とを含み、
前記発光領域における前記第1無機絶縁層と前記第2無機絶縁層との間に第2有機層が設けられ、
前記対向基板は、前記発光領域と重なる前記領域において、前記第2無機絶縁層と接触し、
前記第2屈折率層は、前記第1の凹部を形成する前記第2無機絶縁層と前記対向基板の間に充填されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2有機層は、前記絶縁層の形成領域において、第2の凹部を有し、
前記第2無機絶縁層は、前記第2有機層の上面形状に沿って設けられ、前記第2の凹部に沿った形状の前記第1の凹部を有し、前記第1無機絶縁層と、前記第2無機絶縁層は、前記第2の凹部で接する、
請求項2に記載の表示装置。 - 基板と、
前記基板上に画素毎に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた第1有機層と、前記第1有機層上に設けられた第2電極と、を含む有機発光ダイオードと、
前記画素の境界に沿って形成され、前記画素の発光領域に開口部を有する絶縁層と、
第1屈折率層と、
第2屈折率層を有し、
前記第1屈折率層は、前記絶縁層及び前記有機発光ダイオード上に配置され、第1の屈折率を有する材料からなり、前記絶縁層の形成領域に平面視において重畳する第1の凹部を有し、
前記第2屈折率層は、前記第1の凹部内に配置され、前記第1の屈折率よりも低い第2の屈折率を有する材料からなり、
前記絶縁層が、その上面に第3の凹部を有し、
前記絶縁層の形成領域において、前記第1屈折率層が、前記絶縁層の上面形状に沿った形状を有し、
前記第1の凹部が、平面視において前記第3の凹部と重畳する、
表示装置。 - 前記第1の凹部は、前記第1の凹部の開口側に湾曲する内側面を含む、
請求項1乃至4のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第1屈折率層は、Siを含む、
請求項1乃至5のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第2屈折率層は、構成材料として、空気、窒素ガス、及び透明性を有する有機材料の内のいずれか一つを含む、
請求項1乃至6のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第1の凹部は、平面視において1又は複数の前記発光領域を囲うように設けられた、
請求項4に記載の表示装置。 - 前記第1の凹部は、平面視において略長方形状の領域に形成され、
前記略長方形状は、長辺の長さが短辺の長さの2倍以上である、
請求項8に記載の表示装置。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に画素毎に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた第1有機層と、前記第1有機層上に設けられた第2電極と、を含む有機発光ダイオードを設ける工程と、
前記画素の境界に沿って形成され、前記画素の発光領域に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層及び前記有機発光ダイオード上に配置され、第1の屈折率を有する材料からなり、前記絶縁層の形成領域に平面視において重畳する第1の凹部を有する第1屈折率層を形成する工程と、
前記第1の凹部内に配置され、前記第1の屈折率よりも低い第2の屈折率を有する材料からなる第2屈折率層を形成する工程と、
を含み、
前記絶縁層を形成した後に、前記絶縁層の上面に第3の凹部を形成し、
前記絶縁層の上方に蒸着又はスパッタにより第1無機絶縁層を形成することにより、前記第3の凹部に沿った形状の第1の凹部を有する前記第1屈折率層を形成する、
表示装置の製造方法。 - 前記第1屈折率層を形成する工程は、第1無機絶縁層を形成する工程と、前記第1無機絶縁層よりも上方に設けられた第2無機絶縁層を形成する工程とを含み、
前記第1無機絶縁層を形成した後、前記第2無機絶縁層を形成する前に、前記第1無機絶縁層の上方に第2有機層を形成する工程を含む、
請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第2有機層を形成する工程において、前記絶縁層の形成領域における前記第2有機層の上面においては第2の凹部を形成し、
前記第2無機絶縁層を形成する工程においては、スパッタ又は蒸着により前記第2有機層の上面形状に沿って前記第2無機絶縁層を形成し、前記第2無機絶縁層に、前記第2の凹部に沿った形状の第1の凹部を形成する、
請求項11に記載の表示装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板と対向する対向基板と、
前記基板上に画素毎に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた発光層と、を含む発光ダイオードと、
前記画素の境界に沿って形成された溝部を有する充填層と、
第1屈折率層と、
第2屈折率層を有し、
前記第1屈折率層は、前記充填層及び前記発光ダイオード上に配置され、第1の屈折率を有する材料からなり、前記溝部を覆い、
前記第2屈折率層は、前記溝部内の前記第1屈折率層上に配置され、前記第1の屈折率よりも低い第2の屈折率を有する材料からなり、
前記溝部は、平面視において1又は複数の前記画素を囲うように格子状に設けられ、
前記対向基板は、前記溝部の外側の前記画素と重なる領域において、前記第1屈折率層に接触し、
前記第2屈折率層は、前記溝部内の前記第1屈折率層と前記対向基板の間に充填され、平面視において、前記1又は複数の前記画素を囲うように格子状に設けられている、
表示装置。 - 前記第1屈折率層は無機絶縁膜であり、
前記第2屈折率層は空気、窒素ガス、又はアクリル系樹脂である、
請求項13に記載の表示装置。
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JP7467794B2 (ja) * | 2020-11-16 | 2024-04-16 | 関西ペイント株式会社 | 塗料組成物及び塗膜形成方法 |
US11616214B2 (en) * | 2020-05-22 | 2023-03-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN112133734B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-08-30 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114267775B (zh) * | 2021-12-14 | 2024-09-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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