JP2016054085A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子を用いた表示装置において、隣接画素に光が漏洩するのを抑制すること、または、発光素子へ供給する電流の量を抑制すること
【解決手段】本発明の一態様における表示装置は、それぞれが凹部を有する複数の画素電極と、前記画素電極の端部を覆い、凹部を露出させる開口部を有するバンク層と、バンク層によって露出された画素電極に沿って配置された発光層と、発光層の表面に沿って配置された光透過性電極と、光透過性電極の表面に沿って配置された第1封止層と、第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように配置され、発光層からの光を受けて、画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層と、隣接する凹部間において第1封止層と接触して、色提示層を覆うように配置された第2封止層と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の一態様における表示装置は、それぞれが凹部を有する複数の画素電極と、前記画素電極の端部を覆い、凹部を露出させる開口部を有するバンク層と、バンク層によって露出された画素電極に沿って配置された発光層と、発光層の表面に沿って配置された光透過性電極と、光透過性電極の表面に沿って配置された第1封止層と、第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように配置され、発光層からの光を受けて、画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層と、隣接する凹部間において第1封止層と接触して、色提示層を覆うように配置された第2封止層と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示装置に関する。
OLED(Organic Light Emitting Diode)等の自発光の素子を用いた表示装置において、カラー画像を表示する方法には、主に以下の2種類がある。第1の方法として、R(赤色)を発光する素子、G(緑色)を発光する素子、B(青色)を発光する素子を組み合わせて画像を表示する方法がある。また、第2の方法として、白色を発光する素子と、R、G、B各色に対応した顔料を含むカラーフィルタとを用いて、画像を表示する方法がある。
第1の方法では3色の発光素子をそれぞれの画素に対応して形成しなくてはならないため、表示装置の高精細化が進むことにより製造が困難になってくる。一方、第2の方法では、発光素子をそれぞれの画素に対応して形成しなくてもよく、表示領域全体に一括して形成することができるという点で、発光素子を容易に製造することができる(例えば、特許文献1)。
第2の方法では、一般に、OLEDが形成された基板とは別の基板(対向基板)にカラーフィルタを配置することが多く、表示装置の高精細化が進むに伴い、1画素で発生した光が横方向および斜め方向に伝搬することで、隣接画素に光が漏洩する、いわゆる混色問題が顕著となってくる。この結果、視野角特性が悪化したり、色純度が悪化したりして、画質の低品質化を招いてしまう。特許文献1においては、このような問題を解決する一つの手段が開示されている。
また、高精細化に伴い発光領域の画素全体に対する割合が小さくなり、発光輝度および効率が低下することになる。表示装置の輝度を向上させるために、狭い面積の発光素子により多くの電流を供給する必要があるため、消費電力が増加し、また、発光素子の劣化を加速させる要因ともなっていた。
本発明の目的は、発光素子を用いた表示装置において、隣接画素に光が漏洩するのを抑制すること、または、発光素子へ供給する電流の量を抑制することにある。
本発明の一態様は、それぞれが凹部を有する複数の画素電極と、前記画素電極の端部を覆い、前記凹部を露出させる開口部を有するバンク層と、前記バンク層によって露出された前記画素電極に沿って配置された発光層と、前記発光層の表面に沿って配置された光透過性電極と、前記光透過性電極の表面に沿って配置された第1封止層と、前記第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように、かつ前記発光層の発光領域を覆うように配置され、前記発光層からの光を受けて、前記画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層と、隣接する前記凹部間において前記第1封止層と接触して、前記色提示層を覆うように配置された第2封止層と、を備えることを特徴とする表示装置を提供する。
また、本発明の一態様は、基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタを覆い、凹部を含む絶縁層を形成し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極を前記凹部に沿って形成し、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の凹部を露出させる開口部を有するバンク層を形成し、少なくとも前記画素電極の前記バンク層によって露出された前記画素電極に沿って発光層を形成し、前記発光層の表面に沿って光透過性電極を形成し、前記光透過性電極の表面に沿って第1封止層を形成し、記発光層からの光を受けて、前記画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層を、前記第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように、かつ前記発光層の発光領域を覆うように形成し、隣接する前記凹部間において前記第1封止層と接触して、前記色提示層を覆うように第2封止層を形成すること、を含む表示装置の製造方法を提供する。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
<第1実施形態>
[概略構成]
本発明の一実施形態における表示装置は、OLEDを用いた有機EL(Electro−Luminescence)表示装置である。なお、本実施形態における表示装置は、有機EL表示装置に限らず、白色QD(量子ドット)など、自発光型の素子を用いた表示装置であれば、他の表示装置であってもよい。
[概略構成]
本発明の一実施形態における表示装置は、OLEDを用いた有機EL(Electro−Luminescence)表示装置である。なお、本実施形態における表示装置は、有機EL表示装置に限らず、白色QD(量子ドット)など、自発光型の素子を用いた表示装置であれば、他の表示装置であってもよい。
また、この例での有機EL表示装置は、白色光を放出するOLEDを用いる。このOLEDからの白色光を、カラーフィルタに通過させてカラー表示を得る。なお、青色光または紫外光を放出するOLEDを自発光素子として用いてもよい。この場合、色変換材料またはこれとカラーフィルタとを併用して、いわゆるCCM(Color Conversion Materials)方式で、カラー表示を得ればよい。
色変換材料は、OLEDからの光を吸収して、この光とは異なる波長を含む光に変換して放出する材料である。すなわち、OLEDから紫外光が放出されるのであれば、紫外光を吸収して青色光を放出する色変換層、紫外光を吸収して緑色光を放出する色変換層、紫外光を吸収して赤色光を放出する色変換層を用いればよい。すなわち、OLED(発光層)からの光を受けて、所定の色を提示する色提示層を用いればよい。色変換層およびカラーフィルタは色提示層の一例である。以下の各実施形態では色提示層にカラーフィルタを用いた例について説明する。
なお、以下に説明する例に対して、CCM方式を適用する場合には、カラーフィルタの位置に色変換材料を形成すればよい。また、色変換材料とカラーフィルタとを併用する場合には、カラーフィルタと発光層(OLED)との間に色変換材料を設けるようにすればよい。
表示装置の基板には、フレキシブル性を有する有機樹脂膜を用いている。このフレキシブル性を有する基板(以下、フレキシブル基板という場合がある)上には、OLEDの発光状態を制御するための薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)等の駆動素子が配置されている。
また、本発明の表示装置では、OLEDの光は、薄膜トランジスタが形成された基板とは反対側に放出され、カラーフィルタを通してユーザに視認されるトップエミッション方式が用いられている。したがって、上述したカラーフィルタは、OLEDに対して薄膜トランジスタが配置された基板とは反対側に配置される。特に、本発明のカラーフィルタは、OLEDが配置された基板に配置されている。
[表示装置1の外観構成]
図1は、本発明の一実施形態における表示装置1の概略構成を示す平面図である。表示装置1は、表示領域D1、走査線駆動回路103、ドライバIC104、およびFPC(Flexible printed circuits)106を備える。これらは、フレキシブル基板10に形成されている。
図1は、本発明の一実施形態における表示装置1の概略構成を示す平面図である。表示装置1は、表示領域D1、走査線駆動回路103、ドライバIC104、およびFPC(Flexible printed circuits)106を備える。これらは、フレキシブル基板10に形成されている。
表示領域D1には、走査線101、および走査線101と垂直に交わるデータ信号線102が配置されている。走査線101とデータ信号線102との交差部に対応する位置には、画素105が配置されている。画素105は、マトリクス状に配置されている。なお、図1においては、1つの画素105につき、走査線101またはデータ信号線102に沿った方向に延びる信号線が1本であるが、複数であってもよい。また、表示領域D1には電源線等の所定の電圧を供給する配線が配置されてもよい。
走査線駆動回路103は、走査線101に制御信号を供給する。ドライバIC104はデータ信号線102にデータ電圧を供給し、また、走査線駆動回路103を制御する。なお、表示領域D1の周囲に、その他の駆動回路がさらに設けられていてもよい。
各画素105には、制御信号およびデータ電圧に基づいて発光を制御するための画素回路と、画素回路によって発光が制御される発光素子(OLED)とを含む表示素子が配置されている。画素回路は、例えば、薄膜トランジスタおよびコンデンサを含み、制御信号およびデータ電圧によって薄膜トランジスタを駆動して、発光素子の発光を制御する。この発光の制御によって、表示領域D1に画像が表示される。
また、この例においては、フレキシブル基板10に、各画素105の画素回路を覆う対向基板が貼り合わされていないものを説明する。なお、上記各構成を封止するようにフレキシブル性を有する有機樹脂層などの対向基板がフレキシブル基板10に貼り合わされてもよい。この場合、これら対向基板に相当する基板が、偏光板やタッチパネルセンサ等の機能を有していてもよい。
続いて、画素105にの構造ついて、図2、図3を用いて説明する。
図2は、本発明の第1実施形態における各画素の配置を説明する図である。なお、図2は、画素105を構成する要素のうち、画素電極300と、バンク層400と、画素電極300が他の層の配線と接続するコンタクトホール250との位置関係をわかりやすくするため、他の要素については、記載を省略している。
図2に示すように、画素電極300は、バンク層400に一部が覆われている。バンク層400は、画素電極300の端部を覆い、画素電極300の中央部を露出する開口部410r、410g、401bが形成された有機樹脂層である。開口部410r、410g、401bは、それぞれR(赤色)、G(緑色)、B(青色)の画素に対応して形成された開口である。この例では、隣接する画素間においてもバンク層400が存在するようになっている。
画素電極300は、開口部410r、410g、410bによって露出された部分に凹部350を備えている。凹部350は、底部311、底部311から延在する傾斜部321を備える。また画素電極300の開口部410r、410g、410bによって露出された部分には、凹部350の周囲に周囲平坦部331を備えている。なお、開口部410r、410g、410bの端部が傾斜部321に位置してもよく、その場合には周囲平坦部331はバンク層400に覆われて露出されないことになる。なお、図2に示す例では、底部311の形状は長方形であるが、長方形のような直線で囲まれた形状に限らず、楕円等の曲線で囲まれた形状、または直線と曲線とで囲まれた形状であってもよい。
[表示装置1の断面構成]
図3は、本発明の第1実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。
また、図3は、図2における断面線A−A’に対応する端面図を示している。以下の断面構成を示す模式図についても、それぞれ端面図として示している。
図3は、本発明の第1実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。
また、図3は、図2における断面線A−A’に対応する端面図を示している。以下の断面構成を示す模式図についても、それぞれ端面図として示している。
フレキシブル基板10には、薄膜トランジスタ110が配置されている。薄膜トランジスタ110を覆う層間絶縁層200が配置されている。層間絶縁層200上には画素電極300が配置されている。画素電極300は、層間絶縁層200に設けられたコンタクトホール250を介して薄膜トランジスタ110に接続されている。なお、図3において、層間絶縁層200は、単層で表しているが、複数の絶縁膜の積層であってもよい。この場合、複数の絶縁膜の間に配線が設けられていてもよい。層間絶縁層200は、画素電極300の凹部350を形成するように、凹部が形成されている。
画素電極300は、層間絶縁層200の形状に沿って形成された凹部350を有する。凹部350は、上述したように、底部311、底部311から延在する傾斜部321を備える。また、画素電極300は、凹部350の周囲に周囲平坦部331を備えている。表示装置1は、トップエミッション方式で画像を表示するため、画素電極300は光透過性を有しなくてもよい。したがって、画素電極300は、OLEDが放出した光を反射する層を含んでいてもよい。
バンク層400は、上述したように、画素電極300の端部および隣接する画素間を覆っている。バンク層400は、画素電極300の凹部350に対応する部分に開口部410r、410g、401bが形成されている。
発光層500は、OLEDであり、画素電極300とバンク層400とを覆う。発光層500は、凹部350に沿って配置されている。光透過性電極600は、OLEDからの光を透過する電極であり、発光層500を覆う。光透過性電極600は、凹部350に沿って配置されている。画素電極300と光透過性電極600とを介して発光層500に電流が供給されると、画像を表示させる光が光透過性電極600を通して放出される。
画素電極300が有する凹部350に沿って、発光層500および光透過性電極600が形成されているため、開口部410r、410g、410bにおいて、画素電極300の傾斜部321に対応する部分の発光層500からも発光される。そのため、凹部350が形成されていない場合(画素電極のバンク層から露出している部分が平面のみである場合)に比べて発光面積を大きくすることができる。したがって、発光層500に供給する電流の量を大きくしすぎなくても、所望の輝度を得ることができる。また、傾斜部321に対応する発光領域は、斜め方向に傾いた面から光を放射するため、視野角を広くすることができる。
第1封止層710は、発光層500への水分、ガス等の発光層を劣化させる成分の到達を抑制するための層であり、光透過性電極600を覆う無機絶縁層である。第1封止層710は、凹部350に沿って配置されている。
カラーフィルタ800(Rカラーフィルタ800r、Gカラーフィルタ800g、Bカラーフィルタ800b)は、各画素の凹部350に対応して第1封止層710上に配置されている。カラーフィルタ800は、凹部350を埋めるように配置され、さらには、バンク層400で形成されている開口部410r、410g、410bを埋めるように配置されている。すなわち、第1封止層710の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように、そして、発光層500が発光する領域(画素電極300と光透過性電極600とで挟まれた領域)を覆うようにカラーフィルタ800が配置されている。
第2封止層720は、発光層500への水分、ガス等の発光層を劣化させる成分の到達を抑制するための層であり、光透過性電極600を覆う無機絶縁層である。第2封止層720は、カラーフィルタ800を覆い、隣接する画素間においては、第1封止層710と接触している。そのため、カラーフィルタ800は、第1封止層710および第2封止層720に囲まれている。
第1封止層710および第2封止層720を用いて封止層を積層するすることにより、発光層500の劣化を抑制する効果が向上する。また、第1封止層710と第2封止層720との間に有機樹脂層であるカラーフィルタ800が存在することにより、有機樹脂層の平坦化効果により、ピンホール、異物等による影響を低減することができる。その結果、封止層が単層の場合に比べて、また、封止層が積層されるだけの場合に比べて、さらに発光層500の劣化を抑制する効果が得られる。
そして、カラーフィルタ800が層間絶縁層200に形成した凹部を埋めるように形成されることで、上述のとおり発光層500の劣化を抑制する効果の他にも、以下の通り、様々な効果が得られる。まず、第1に、各画素の発光層500からの発光が隣接画素のカラーフィルタ800へ到達することはほとんどなく、すなわち隣接画素への漏洩を抑制することができるため、混色問題を解決することができる。第2に、凹部350に対応してカラーフィルタ800を厚く配置することができるため、色純度を向上させることができる。この際、色純度を向上させるためにカラーフィルタ800を厚くしても、凹部350を埋め込むように配置されているため、表示装置1の全体の厚さを抑えることができる。
保護層900は、表示装置1の表面を保護する有機樹脂層である。上述したとおり、この例における表示装置1は、対向基板を設けずに保護層900によって、表面が保護される。対向基板を設けなくてもよいことは、フレキシブル性を有する表示装置にとっては、大きな利点となる。なお、対向基板を設ける場合には、対向基板と第2封止層720との間に充填材等を配置してもよい。
[表示装置1の製造方法]
続いて、上記の表示装置1の製造方法について、図4から図13を用いて説明する。
続いて、上記の表示装置1の製造方法について、図4から図13を用いて説明する。
図4は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法を説明する図である。ガラス基板30上にフレキシブル基板10を形成する。このフレキシブル基板10は有機樹脂層であり、この例では、ポリイミドで形成される。ガラス基板30は、フレキシブル基板10に表示素子等を形成するときに、フレキシブル基板10を支持する支持基板として用いられる。なお、ガラス基板30は用いなくてもよい。
フレキシブル基板10に、薄膜トランジスタ110を形成する。具体的には、フレキシブル基板10上に酸化シリコン、窒化シリコン等の下地絶縁層111が形成し、続いて、半導体層112、ゲート絶縁層113、ゲート電極114、層間絶縁層115およびソースドレイン電極116が形成される。この例では、配線117は、ソースドレイン電極116と同じ層で形成されているが、他の絶縁層および導電層を形成して、その導電層で形成されてもよい。
半導体層112は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン、酸化物半導体等である。層間絶縁層115は、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層で形成されてもよいし、有機樹脂を用いた絶縁層で形成されてもよい。層間絶縁層115に形成されたコンタクトホールを介して、半導体層112の一部(ソース、ドレイン)とソースドレイン電極116とが接続される。このようにして、薄膜トランジスタ110が形成される。なお、ゲート電極114、ソースドレイン電極116、配線117は、上述した走査線101、データ信号線102等の導電層としても用いられる。この導電層は、例えば、アルミニウム、チタン等の金属を積層して形成される。
図5は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図4に続く工程を説明する図である。薄膜トランジスタ110を形成した後、層間絶縁層200を形成する。この際、層間絶縁層200は、薄膜トランジスタ110に到達するコンタクトホール250および凹部210r、210g、210bが形成される。この例では、層間絶縁層200は、感光性のアクリル樹脂を塗布し、露光、現像、および焼成を経て、所望のパターンが形成される。
凹部210r、210g、210bにおいて底部211およびその周囲に傾斜部221が形成されるように、例えば、ハーフトーン露光、グレイトーン露光等の多階調(透過率の異なる複数の領域を有する)マスクを用いた露光を利用してパターンが形成される。なお、図5に示す傾斜部221の形状は平面であるが、凸または凹に沿った曲面で形成されていてもよい。
なお、凹部210r、210g、210bの底部211が層間絶縁層200によって形成されるのではなく、層間絶縁層115の表面によって形成されていてもよい。この場合、凹部210r、210g、210bの底部211が、層間絶縁層200から層間絶縁層115を露出させた部分となる。
このようにして形成される場合、予め層間絶縁層115の表面にナノインプリント等で微細な凹凸を形成しておいてもよい。その凹凸形状が、層間絶縁層115に接触する画素電極300の底部311に転写されることにより、外光反射を抑制してコントラストを向上させたり、実効的な発光面積を増やして効率を向上させたりすることができる。
図6は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図5に続く工程を説明する図である。上記のようにパターンが形成された層間絶縁層200上に画素電極300が形成される。この例では、この画素電極300は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)などの金属酸化物およびその下層に光を反射する電極(Al、Ag等)含み、OLEDのアノード電極を形成する。例えばITO/Ag/ITOといった3層構造を用いることもできる。
この際、層間絶縁層200に形成された凹部(図5の凹部210r、210g、210b)に沿って、画素電極300のうち、底部311および傾斜部321を有する凹部350が形成される。凹部350の周囲には、周囲平坦部331が形成されている。また、画素電極300は、コンタクトホール250を介して薄膜トランジスタ110と接続される。
図7は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図6に続く工程を説明する図である。上記のようにパターンが形成された画素電極300の端部を覆うように、バンク層400を形成する。この際、凹部350に対応した領域を開口する開口部410r、410g、410bが形成される。バンク層400は、感光性のアクリル樹脂を塗布し、露光、現像、および焼成を経て、所望のパターンが形成される。なお、バンク層400は、SiNなどの無機材料に対し、フォトリソグラフィによるパターニングを施して形成されてもよい。
図8は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図7に続く工程を説明する図である。上記のようにパターンが形成されたバンク層400および画素電極300を覆うように、凹部350に沿って発光層500および光透過性電極600を形成する。発光層500は、OLEDである。光透過性電極600は、ITO、IZOなどの金属酸化物、または光が透過する程度に薄い金属層等を含み、OLEDのカソード電極を形成する。なお、画素電極300をカソード電極とし、光透過性電極600をアノード電極としてもよい。
図9は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図8に続く工程を説明する図である。上記のように形成された光透過性電極600を覆うように、凹部350に沿って第1封止層710が形成される。第1封止層710は、例えば、窒化シリコンである。樹脂などの有機材料が、窒化シリコン層の下部または中間部に位置した多層構造としてもよい。
図10は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図9に続く工程を説明する図である。開口部410rの部分の第1封止層710上にカラーフィルタ800rを形成する。カラーフィルタ800rは、例えば、印刷方式、インクジェット方式を用いて形成される。なお、発光層500にOLEDを用いている場合には、カラーフィルタをフォトリソグラフィによるパターニングで形成することは、OLEDに与える影響を考慮すると製造上の困難性を有する。一方、発光層500の素子構造、その他の構造等によって、発光層500に与える影響が少なければ、フォトリソグラフィによるパターニングを含め、他の製造方法によってカラーフィルタを形成してもよい。
カラーフィルタ800rは、凹部350を埋めるように形成され、さらには、バンク層400で形成されている開口部410rを埋めるように形成される。このバンク層400および凹部350がカラーフィルタ800rの位置を決めるガイドとしても機能する。そのため、この部分にカラーフィルタ800rを形成することが容易となる。
図11は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図10に続く工程を説明する図である。カラーフィルタ800rと同様に、カラーフィルタ800gが、開口部410gに対応した位置に形成され、続いて、カラーフィルタ800bが、開口部410bに対応した位置に形成される。なお、カラーフィルタ800r、800g、800bが形成される順番は、この順に限られない。
図12は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図11に続く工程を説明する図である。上記のように形成されたカラーフィルタ800(カラーフィルタ800r、800g、800b)を覆い、各画素間に露出している第1封止層710を覆うように、第2封止層720が形成される。第2封止層720は、例えば、窒化シリコン等であり、第1封止層710と同様である。
図13は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法の図12に続く工程を説明する図である。上述のように形成された第2封止層720を覆うように、保護層900が形成される。保護層900は、アクリル樹脂等によって形成される。表面を平坦化することで、その後の工程で表面に偏光板やタッチパネルセンサ等を配置する際の接着等が容易となる。また、内部応力の緩和も図ることができるので各積層膜が剥がれにくくなり、高信頼性のフレキシブル・パネルが実現出来る。
その後、ガラス基板30側からフレキシブル基板10に向けてレーザ等の光を照射して、フレキシブル基板10からガラス基板30を剥離する。ガラス基板30側からレーザ光を照射すると、フレキシブル基板10とガラス基板30との界面において有機樹脂層にレーザ光が吸収されて加熱される。これによって、有機樹脂層の分解が生じ、ガラス基板30とフレキシブル基板10との密着力が弱まって、剥離可能となる。これによって、図3に示す画素105を備えた表示装置1が製造される。
<第2実施形態>
第2実施形態では、第1実施形態のカラーフィルタ800よりも光の出射側に突出したカラーフィルタを備えている画素105Aを含む表示装置について説明する。
第2実施形態では、第1実施形態のカラーフィルタ800よりも光の出射側に突出したカラーフィルタを備えている画素105Aを含む表示装置について説明する。
図14は、本発明の第2実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。第2実施形態におけるカラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abは、凹部350の周辺部(バンク層400に近い部分)よりも中心部において、光の出射側(保護層900A側)により突出し、凸型に形成されている。第2封止層720Aは、カラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abの突出している部分を覆い、第1封止層710と接触している部分よりも保護層900A側に拡がっている。
図14に示すとおり、この例では、カラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abは、バンク層400よりも光の出射側に突出するように形成されているが、バンク層400よりも光の出射側に突出しない(バンク層400が形成する開口部内に収まる)ように形成されていてもよい。このようにカラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abを凸型に形成すると、カラーフィルタを厚くして色純度を向上させることがでできる。
<第3実施形態>
第3実施形態では、第2実施形態のように凸型に形成されたカラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abにおいて、突出部分が曲面で形成され、レンズ形状になっているカラーフィルタを備えている画素105Bを含む表示装置について説明する。
第3実施形態では、第2実施形態のように凸型に形成されたカラーフィルタ800Ar、800Ag、800Abにおいて、突出部分が曲面で形成され、レンズ形状になっているカラーフィルタを備えている画素105Bを含む表示装置について説明する。
図15は、本発明の第3実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。第3実施形態におけるカラーフィルタ800Br、800Bg、800Bbは、図15に示すように、凹部350の中心部において厚く、周辺部において薄くなるように形成され、その表面は凸レンズ状の曲面で形成されている。このように曲面で形成されることにより、凸レンズのような効果が得られる。したがって、カラーフィルタを厚くすることによる色純度を向上させることに加えて、マイクロレンズを用いた場合と同様な効果により、発光層500からの光の取出効率を向上させることができる。
第2封止層720Bは、カラーフィルタ800Br、800Bg、800Bbの突出している部分を覆い、第1封止層710と接触している部分よりも保護層900B側に拡がっている。カラーフィルタの集光特性をさらに向上させるため、カラーフィルタ800Br、800Bg、800Bbと、第2封止層720Bおよび保護層900Bとの屈折率の関係を調整するように、それぞれの材料が選択されるようにしてもよい。
<第4実施形態>
第4実施形態では、画素電極300の底部311を利用した画素容量を備えている画素105Cを含む表示装置について説明する。
第4実施形態では、画素電極300の底部311を利用した画素容量を備えている画素105Cを含む表示装置について説明する。
図16は、本発明の第4実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。この例では、図16に示すように、薄膜トランジスタ110と層間絶縁層200との間に、アクリル、ポリイミド等の有機樹脂膜で形成された平坦化絶縁層130と、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁層で形成された容量絶縁層170と、容量電極150とが配置されている。画素電極300の底部311と容量電極150とで容量絶縁層170を挟んだ画素容量C1が形成される。なお、傾斜部321は、有機樹脂層である層間絶縁層200と接触している。
画素電極300に凹部350が形成されるため、底部311の下層の層間絶縁層200を除去しておくことができ、図16に示す例のように、容量絶縁層170と底部311とを接触させることもできる。この構成によれば、画素容量を効率的に大きくすることができる。また、底部311と容量電極150とを光を透過しない金属材料で形成したとしても、トップエミッション構造であるため、問題が生じない。
なお、上述したようなナノインプリントによる微小な凹凸を容量電極150の表面または容量絶縁層170の表面に形成しておき、画素電極300の底部311まで、その凹凸形状が転写されるようにしてもよい。このようにすると、外光反射の抑制の他にも、画素容量を増加させることができる。
<第5実施形態>
第5実施形態では、画素電極300の凹部350に対応した部分に配置された画素容量を備えている画素105Dを含む表示装置について説明する。
第5実施形態では、画素電極300の凹部350に対応した部分に配置された画素容量を備えている画素105Dを含む表示装置について説明する。
図17は、本発明の第5実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。図17に示すように、薄膜トランジスタ110の半導体層112とソースドレイン電極116とが画素電極の凹部350に対応する領域まで延在している。この領域において、半導体層112と容量電極118とでゲート絶縁層113を挟んだ容量、およびソースドレイン電極116と容量電極118とで層間絶縁層115を挟んだ容量で、画素容量C2が形成される。この構成によれば、画素容量を効率的に大きくすることができる。また、ソースドレイン電極116と容量電極118とを光を透過しない金属材料で形成したとしても、トップエミッション構造であるため、問題が生じない。
なお、第5実施形態の構成において、第4実施形態で説明した画素容量C1をさらに設けるようにしてもよい。この場合、第4実施形態における容量電極150と、第5実施形態における容量電極118とが同電位になるように電気的に接続されていてもよい。
<第6実施形態>
第6実施形態では、さらに画素電極300の凹部350の底部311をさらにフレキシブル基板10側に近づけた画素105Eを含む表示装置について説明する。
第6実施形態では、さらに画素電極300の凹部350の底部311をさらにフレキシブル基板10側に近づけた画素105Eを含む表示装置について説明する。
図18は、本発明の第6実施形態における表示装置の断面構成を示す模式図である。この例では、凹部350Eにおいて、層間絶縁層200が除去された部分、さらに下層の層間絶縁層115、ゲート絶縁層113および下地絶縁層111についても除去されて、底部311Eがフレキシブル基板10に接触する。すなわち、底部311Eは、薄膜トランジスタ110よりもフレキシブル基板10側に配置される。この際、図18に示す例のように、それぞれ底部311Eからの距離および傾斜角度が異なる傾斜部321E−1、321E−2が形成されてもよい。ここでの傾斜角度とは、フレキシブル基板10の表面とのなす角である。図18に示す例では、傾斜部321E−1の傾斜角度が、傾斜部321E−2の傾斜角度よりも大きい。
このようにして、凹部350Eがさらに深く形成されると、カラーフィルタ800Er、800Eg、800Ebをさらに厚くでき、また、画素電極300Eと光透過性電極600Eとに挟まれた発光層500Eの面積(発光領域の面積)を増やすことができる。この際、底部311Eの面積より傾斜部321E−1、321E−2の面積が大きくなってもよい。傾斜部の面積を大きくすることで、より発光層500Eの発光領域の面積を増やすことができる。
なお、傾斜部321E−1、321E−2の傾斜角度の大小関係は、図18に示す例とは逆であってもよいし、傾斜角度が互いに等しくてもよい。底部311Eがフレキシブル基板10に接触する場合に限らず、下地絶縁層111、ゲート絶縁層113、層間絶縁層115等、他の絶縁層と接触するようにしてもよい。また、図18に示す例では、傾斜部321E−1と傾斜部321E−2とは連続していたが、これらの間に底部311Eと平行な領域が存在してもよい。この場合は、例えば、層間絶縁層200の開口を図18に示す例よりも大きくして、層間絶縁層115の表面部分で平坦な領域を露出させ、その領域に対応した平坦部が凹部350Eに含まれるようにしてもよい。
また、第1封止層710E、または光透過性電極600Eと第1封止層710Eとによって、層間絶縁層115に形成された開口部が埋められる程度に、底部311Eの面積を狭くしてもよい。この場合、カラーフィルタ800Er、800Eg、800Ebは、層間絶縁層115よりも上層(光の出射側)において形成される。このような構成であっても、底部311E、傾斜部321E−1の領域の発光層500Eからの光が表示装置1から放出される際には、ほとんどの光がカラーフィルタ800Er、800Eg、800Ebのいずれかを通り、隣接するカラーフィルタを通らない。したがって、混色による画質劣化を抑えつつ発光面積を向上させることができる。
<第7実施形態>
第1実施形態では、凹部350は、底部311の周囲全体に形成された傾斜部321を有し、いわゆるバスタブ状に形成されていた。第7実施形態では、凹部が溝状に形成された画素105Fを含む表示装置について説明する。
第1実施形態では、凹部350は、底部311の周囲全体に形成された傾斜部321を有し、いわゆるバスタブ状に形成されていた。第7実施形態では、凹部が溝状に形成された画素105Fを含む表示装置について説明する。
図19は、本発明の第7実施形態における画素領域の各画素の配置を説明する図である。この例では、各画素105Fにおいては、溝状に形成された凹部350Fを備える。この例では、図の左右方向には画像の表示色が異なる画素が並び、上下方向には画像の表示色が同じ画素が並んでいる。
凹部350Fにおいて、画素電極300Fは底部311Fと傾斜部321Fとを備える。傾斜部321Fは、底部311Fの周囲のうち、画像の表示色が異なる隣接画素側(図の左右方向)において形成されている。一方、底部311Fの周囲のうち、画像の表示色が同じ隣接画素側(図の上下方向)においては傾斜部321Fが形成されていない。すなわち、凹部350Fは、図の上下方向に延びた溝状のパターンを形成している。コンタクトホール250は、溝の底に対応する領域に形成されている。
このように、画像の表示色が同じ隣接画素側は、傾斜部321Fが形成されていなくても、混色問題が生じることはないから、凹部が溝状に形成されていてもよい。ただし、上下方向の隣接画素間はバンク層400によって分離されているため、バンク層400の側面(傾斜面)に沿って発光層500、光透過性電極600および第1封止層710が形成される。したがって、この領域においては、画素電極300Fは発光層500に接触しないため発光領域とはならない。
<第8実施形態>
第8実施形態では、画像の表示色がR、G、Bの3色に加えてW(白色)が存在する場合の画素105Gを含む表示装置について説明する。
第8実施形態では、画像の表示色がR、G、Bの3色に加えてW(白色)が存在する場合の画素105Gを含む表示装置について説明する。
図20は、本発明の第8実施形態における画素領域の各画素の配置を説明する図である。画像の表示色がR、G、B、Wの4種類である場合の各画素105Gの配置例として、図20に示すような配置がある。各画素105Gに注目すると、第1実施形態における画素105とは、形状が異なるだけであり、その他の構造は同じである。ここでは各画素の発光領域を長方形として図示したが、コンタクトホール部分を避けたL字型などの任意の形状としてもよい。
一方、表示色がWの画素105Gについては、カラーフィルタ800r、800g、800bと同様にして、Wの表示色に対応した顔料を含むカラーフィルタが形成されてもよい。このカラーフィルタは、バンク層400Gの開口部410Gwに形成され、凹部350Gを埋めるように形成される。
なお、カラーフィルタに代えて顔料を含まないアクリル樹脂等の有機樹脂層が形成されてもよい。また、有機樹脂層が形成されずに、第1封止層710と第2封止層720とが積層された構成を除外するものではないが、異物などの影響による発光層500の劣化抑制のためには、第1封止層710と第2封止層720との間に、これらに囲まれた有機樹脂層が存在するようにすることが望ましい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
1…表示装置、10…フレキシブル基板、30…ガラス基板、101…走査線、102…データ信号線、103…走査線駆動回路、104…ドライバIC、105,105A,105B,105C,105D,105E,105F,105G…画素、106…FPC、110…薄膜トランジスタ、111…下地絶縁層、112…半導体層、113…ゲート絶縁層、114…ゲート電極、115…層間絶縁層、116…ソースドレイン電極、117…配線、118…容量電極、130…層間絶縁層、150…容量電極、170…容量絶縁層、200…層間絶縁層、210r,210g,210b…開口部、211…底部、221…傾斜部、250,250G…コンタクトホール、300,300E,300F,300G…画素電極、311,311E,311F,311G…底部、321,321E,321E−1,321E−2,321F,321G…傾斜部、331,331F,331G…周囲平坦部、350,350E,350F,350G…凹部、400,400G…バンク層、410r,410g,410b,410Gr,410Gg,410Gb,410Gw…開口部、500,500E…発光層、600,600E…光透過性電極、710,710E…第1封止層、720,720A…第2封止層、800,800r,800g,800b,800Ar,800Ag,800Ab,800Br,800Bg,800Bb,800Er,800Eg,800Eb…カラーフィルタ、900,900A,900B…保護層
Claims (13)
- それぞれが凹部を有する複数の画素電極と、
前記画素電極の端部を覆い、前記凹部を露出させる開口部を有するバンク層と、
前記バンク層によって露出された前記画素電極に沿って配置された発光層と、
前記発光層の表面に沿って配置された光透過性電極と、
前記光透過性電極の表面に沿って配置された第1封止層と、
前記第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように、かつ前記発光層の発光領域を覆うように配置され、前記発光層からの光を受けて、前記画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層と、
隣接する前記凹部間において前記第1封止層と接触して、前記色提示層を覆うように配置された第2封止層と、
を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記色提示層は、その一部が前記バンク層よりも突出するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記色提示層のの表面は、凸レンズ状の曲面を備えることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記画素電極の前記凹部は、底部と当該底部から延在する傾斜部とを含み、
前記画素電極の前記傾斜部は、第1傾斜部および第2傾斜部を含み、
前記第1傾斜部と前記第2傾斜部とは、前記底部からの距離および傾斜角度が異なることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極へ供給される電流量を制御するトランジスタをさらに備え、
前記底部が前記トランジスタよりも基板側に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。 - 前記画素電極の前記凹部は、底部と当該底部から延在する傾斜部とを含み、
前記傾斜部の面積は、前記底部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極の前記凹部は、底部と当該底部の外周全体から延在する傾斜部を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記画素電極の前記凹部は、底部と当該底部の両側から延在する傾斜部を含み、
同一色の色提示層が配列される第1の方向に隣接する前記画素電極の凹部との間には、前記傾斜部は存在せず、
前記第1の方向とは異なる第2の方向に隣接する前記画素電極の凹部との間に、前記傾斜部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極のうち前記凹部の底部において接する無機絶縁層を介して前記画素電極と画素容量を形成するように配置された電極をさらに備え、
前記画素電極のうち前記底部以外の部分において、有機絶縁層と接していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極のうち前記凹部の底部において接する絶縁層表面に凹凸構造が形成され、
前記凹凸構造が、前記画素電極の表面形状に転写されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記色提示層は、カラーフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記色提示層は、前記発光層からの光を吸収し、当該光とは異なる波長を含む光に変換して放出することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆い、凹部を含む絶縁層を形成し、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極を前記凹部に沿って形成し、
前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の凹部を露出させる開口部を有するバンク層を形成し、
少なくとも前記画素電極の前記バンク層によって露出された前記画素電極に沿って発光層を形成し、
前記発光層の表面に沿って光透過性電極を形成し、
前記光透過性電極の表面に沿って第1封止層を形成し、
記発光層からの光を受けて、前記画素電極毎に定められた所定の色を提示する色提示層を、前記第1封止層の表面形状として形成された凹部の少なくとも一部を埋めるように、かつ前記発光層の発光領域を覆うように形成し、
隣接する前記凹部間において前記第1封止層と接触して、前記色提示層を覆うように第2封止層を形成すること、
を含む表示装置の製造方法。
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