JP6727844B2

JP6727844B2 - 表示装置

Info

Publication number: JP6727844B2
Application number: JP2016034587A
Authority: JP
Inventors: 安川　浩司; 浩司安川
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2016-02-25
Filing date: 2016-02-25
Publication date: 2020-07-22
Anticipated expiration: 2036-02-25
Also published as: JP2017151315A; US10026922B2; US20170250367A1

Description

本発明は表示装置に関する。

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）等の自発光体を用いた表示装置が実用化されている。ＯＬＥＤを用いた有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置といった、自発光体を用いる表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視認性、応答速度が優れている。また、自発光体を用いる表示装置はバックライトのような補助照明を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。また、従来の表示装置より薄いまたは曲げることが可能なシートディスプレイの開発も進んでいる（特許文献１）。

特開２０１１−２２７３６９号公報

有機ＥＬ表示装置に含まれる基板に対して、その基板を曲げるための力等がかかった場合に、ＯＬＥＤのような自発光体の剥離が起きて表示領域内に非発光の部分が生じることがある。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、表示装置に力などの物理的な刺激が生じた場合に生じる自発光体の剥離を軽減する技術を提供することにある。

本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。

本発明にかかる表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有して前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、少なくとも前記複数の画素電極に積層する自発光素子層と、前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層する共通電極と、前記共通電極の上で前記自発光素子層を封止する封止層と、対向基板と、前記対向基板を前記封止層に接着する接着層と、を含む。前記絶縁層は、上面に第１領域を有し、前記自発光素子層は、前記絶縁層の前記第１領域を少なくとも避けて設けられ、前記接着層は、前記絶縁層の前記第１領域の上方に少なくとも設けられる。

本発明によれば、表示装置に力などの物理的な刺激が生じた場合に生じる自発光体の剥離を軽減することができる。

第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の一例を示す斜視図である。図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す部分平面図である。図２に示す有機ＥＬ表示装置のIII−III切断線における断面図である。有機ＥＬ表示装置の他の一例を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置の他の一例を示す断面図である。第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の表示領域内の構成を示す部分平面図である。図６に示す有機ＥＬ表示装置のVII−VII切断線における断面図である。有機ＥＬ表示装置の他の一例を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置の他の一例を示す断面図である。

以下では、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。また、説明を容易にするため、図面に示される態様は、実際の態様と比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。以下では、自発光素子の一種であるＯＬＥＤ（organic light-emitting diode）を用いた有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置、特にシートディスプレイを構成する有機ＥＬ表示装置について説明する。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の一例を示す斜視図である。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、アレイ基板１２０及び対向基板１５０の２枚の基板を有している。対向基板１５０はアレイ基板１２０に対向している。

アレイ基板１２０や対向基板１５０は、例えばシート状の樹脂からなる基板であり、絶縁表面を有する。アレイ基板１２０の上にはマトリクス状に画素回路が配置されている。画素回路のそれぞれは画素２１０に対応し、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を含む。アレイ基板１２０には、駆動集積回路１８２と、外部から画像信号等を入力するためのフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuits）１８１とが取付けられている。駆動集積回路１８２は、画素回路のそれぞれに含まれる画素トランジスタに向けてそのソース・ドレイン間を導通させるための走査信号を出力するとともに、画素２１０の表示階調に応じた信号をその副画素に向けて出力する駆動回路が設けられている。また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、図の矢印に示されるように、アレイ基板１２０の発光層が形成された側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。

有機ＥＬ表示装置１００のアレイ基板１２０及び対向基板１５０には、マトリクス状に配置された画素２１０からなる表示領域２０５が形成されている。表示領域２０５にはｘ列ｙ行の画素２１０が配置されている。画素２１０のそれぞれは、３色または４色のうちいずれかの色を出力し、副画素とも呼ばれる。例えば互いに隣接し色の異なる複数の画素２１０により、表示される画像に含まれる１つの点が表現される。

図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１００の表示領域２０５内の構成を示す部分平面図である。図２に示す有機ＥＬ表示装置１００において、表示領域２０５は、図の左から右に向かう方向に、１つの点を構成する赤色の画素２１０ｒ、緑色の画素２１０ｇ、青色の画素２１０ｂが並ぶストライプ配列を有する。各画素２１０は長方形である。また、赤の画素２１０ｒ、緑の画素２１０ｇ、青の画素２１０ｂを構成する有機ＥＬ膜１３５は、その画素２１０ｒ，２１０ｇ，２１０ｂの位置に形成される貫通孔１３８の内側に配置されている。対向基板１５０のアレイ基板１２０側には、平面視で貫通孔１３８を避けるようにストライプ状のスペーサ１４３が設けられている。スペーサ１４３の詳細については後述する。なお、１つの点が４つの正方形の副画素（赤、緑、青、白）により構成され、例えばその４つの副画素が２×２の正方形状に配列してもよい。

図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１００のIII−III切断線における断面図である。アレイ基板１２０の上には、半導体膜１２１を含む半導体層と、層間絶縁層１２２と、ゲート電極１２３を含む第１電極層と、層間絶縁層１２４と、ソース電極およびドレイン電極１２５、１２６を含む第２電極層と、層間絶縁層１２７と、配線１２８を含む第３電極層と、コンタクトホール１３２が形成される平坦化膜１３１と、画素電極１３３を含む第４電極層と、絶縁バンク１３４と、有機ＥＬ膜１３５を含む有機ＥＬ層と、共通電極１３６と、封止膜１３７とが順に積層されている。層間絶縁層１２２，１２４，１２７は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを含む絶縁層である。また第１電極層から第３電極層までの電極層は、特に低抵抗性が求められ、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等から選ばれた金属層、又はそれらの積層により構成されている。第４電極層は、有機ＥＬ膜１３５の駆動のための仕事関数等を鑑みて決定され、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）等から選ばれた酸化物導電材料等により構成されている。また、第４電極層は、トップエミッション型の場合には、光を反射する反射層であってよく、銀（Ａｇ）、Ａｌ等の層を有していても良い。絶縁バンク１３４には、画素２１０ごとに貫通孔１３８が形成されている。なお、半導体層とアレイ基板１２０との間に無機絶縁体からなる下地膜が設けられていてもよい。

対向基板１５０のアレイ基板１２０側の面には、スペーサ１４３が設けられている。対向基板１５０およびスペーサ１４３と、アレイ基板１２０上に積層された封止膜１３７との間には、充填材１４２が設けられている。言い方を変えると、充填材１４２は、絶縁バンク１３４の上面の全体の上方に設けられている。この充填材１４２を接着材とすることで、アレイ基板１２０と対向基板１５０とが貼り合わせられている。ここで、スペーサ１４３が平面視でストライプ状になっていることにより、アレイ基板１２０と対向基板１５０とを貼り合わせる際に空気がストライプの向きに逃げることを可能にし、充填剤１４２の中に気泡が生じることを防ぐことができる。さらに、アレイ基板１２０と対向基板１５０との間のうち外周部分には、シール材１４１が設けられている。シール材１４１は、半導体層から封止膜１３７までの層、充填材１４２やスペーサ１４３等が外気に触れることを防いでいる。

なお、本実施形態では表示領域２０５内の複数の有機ＥＬ素子はそれぞれ赤、青、緑を発光するグループに分けられるが、白色を発光する有機ＥＬ素子とカラーフィルタの組合せによってフルカラー表示を実現してもよい。この場合、対向基板１５０とスペーサ１４３との間にカラーフィルタが設けられてよい。

アレイ基板１２０上には、それぞれ複数の画素２１０に対応し、マトリクス状に配置された複数の画素回路が設けられる。半導体層から配線１２８までの層には、画素回路のうち有機ＥＬ素子を除く部分が形成されている。複数の画素回路のそれぞれは、薄膜トランジスタと、画素電極１３３と、有機ＥＬ膜１３５と、共通電極１３６とを含む。共通電極１３６は表示領域２０５内で画素回路の間にも設けられており、平面視で表示領域２０５の領域に重なる１枚の膜である。

薄膜トランジスタは、半導体膜１２１と、ゲート電極１２３と、ドレイン電極およびソース電極１２５，１２６とを含み、有機ＥＬ素子に直接的に接続されている。この薄膜トランジスタは、この薄膜トランジスタを含む画素回路に対応する画素２１０の発光を制御する。平面視で、半導体膜１２１とゲート電極１２３とは重なっている。半導体膜１２１のゲート電極１２３と重なる領域が、薄膜トランジスタのチャネル領域となり、その領域を挟む２つの領域が、層間絶縁層１２２，１２４を貫くソース電極およびドレイン電極１２５，１２６にそれぞれ接している。

平坦化膜１３１は例えばアクリル樹脂の膜であり、薄膜トランジスタや配線１２８を覆うように設けられている。層間絶縁層１２７および平坦化膜１３１にはコンタクトホール１３２が形成されており、コンタクトホール１３２の底面でソース電極またはドレイン電極１２６の上面が層間絶縁層１２７から露出している。また、画素電極１３３は、コンタクトホール１３２の内周および底に接し、さらに平坦化膜１３１の上に延びている。

絶縁バンク１３４は、例えばアクリル樹脂からなり、複数の貫通孔１３８を有している。複数の貫通孔１３８、画素電極１３３および有機ＥＬ膜１３５は画素回路ごとに設けられている。貫通孔１３８の底は、画素電極１３３に達している。また、絶縁バンク１３４は、画素電極１３３の周縁部を覆っている。有機ＥＬ膜１３５は、貫通孔１３８の内側かつ、絶縁バンク１３４の上面の全体を避けるように設けられている。また有機ＥＬ膜１３５は、少なくとも、画素電極１３３のうち平坦化膜１３１上にある部分のうち一部の上に積層されている。有機ＥＬ膜１３５は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。画素電極１３３がアノードの場合、有機ＥＬ膜１３５には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層がファインメタルマスクを用いた蒸着により順に積層されている。なお、画素電極１３３がカソードの場合には、有機ＥＬ膜１３５に含まれるこれらの層が反対の順で積層されてもよい。

共通電極１３６は、有機ＥＬ膜１３５と、絶縁バンク１３４との上に積層している。共通電極１３６は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜である。ボトムエミッション型の場合には、反射性のある金属の層を含んでもよい。共通電極１３６の下面は、貫通孔１３８の中の有機ＥＬ膜１３５の上面と、平面視で有機ＥＬ膜１３５の周囲にある絶縁バンク１３４の上面とに接している。また、封止膜１３７は、共通電極１３６の上に設けられ、有機ＥＬ素子を封止し、有機ＥＬ膜１３５への水分の侵入等を防いでいる。なお、有機ＥＬ素子は、画素電極１３３、有機ＥＬ膜１３５、共通電極１３６により構成されている。

また、スペーサ１４３は平面視で複数の貫通孔１３８を避け、また絶縁バンク１３４の上面のうち一部である第１領域１６１と対向するように設けられている。スペーサ１４３の材料は絶縁バンク１３４と同一であるが、類似の樹脂であってもよい。平面視で、複数のスペーサ１４３は第１の方向に延びており、第１の方向と交差する第２の方向に並んで配置される。平面視で、隣り合うスペーサ１４３の間に１つの貫通孔１３８が配置され、またスペーサ１４３は有機ＥＬ膜１３５と重ならない。スペーサ１４３は、対向基板１５０の下側（アレイ基板１２０側）に凸部を形成している。スペーサ１４３の層と封止膜１３７との間には、接着性を有する充填材１４２が充填されている。

一般的な有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ膜１３５の発光層を画素２１０の発光色（ＲＧＢ）に応じて異なるものにする場合であっても、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層はファインメタルマスクを用いずに表示領域２０５内の全面に蒸着される。一方、有機ＥＬ膜１３５に含まれる各層は他の層に比べて剥離しやすい。特にその各層が蒸着により形成された場合にこの問題は顕著となる。

一方、本実施形態では、平面視で有機ＥＬ膜１３５がない第１領域１６１があるため、第１領域１６１において、アレイ基板１２０上の絶縁バンク１３４は有機ＥＬ膜１３５を介さずに（共通電極１３６、封止膜１３７、充填材１４２、スペーサ１４３を介して）対向基板１５０と接着される。さらに、スペーサ１４３と封止膜１３７との間は狭くなっており、これにより、封止膜１３７とスペーサ１４３とは、有機ＥＬ膜１３５上の封止膜１３７と対向基板１５０とよりも強く接着されている。すると、有機ＥＬ表示装置１００の曲げなどに伴う力が主に第１領域１６１にある絶縁バンク１３４等にかかり、有機ＥＬ膜１３５にかかる力が大幅に減少する。これにより、有機ＥＬ膜１３５の剥離を軽減することができる。

図４は、有機ＥＬ表示装置１００の他の一例を示す断面図である。図４の例は、図３の例と異なり、スペーサ１４３が存在しない。しかしながら、第１領域１６１において、アレイ基板１２０上の絶縁バンク１３４は有機ＥＬ膜１３５を介さずに対向基板１５０と接着される点は同じである。図４の例では図３の例に比べると第１領域１６１と有機ＥＬ膜１３５のある領域との間で接着力の差が小さいため、有機ＥＬ表示装置１００の曲げなどに伴う力が有機ＥＬ膜１３５によりかかりやすい。しかし、この接着される部分が有機ＥＬ表示装置１００の曲げなどに伴う有機ＥＬ膜１３５の変形を抑制するため、有機ＥＬ膜１３５の剥離の発生が抑えられる。

図５は、有機ＥＬ表示装置１００の他の一例を示す断面図である。図５の例は、図３の例と異なり、スペーサ１４３の代わりに透明層１４４が設けられている。透明層１４４は、対向基板１５０と充填材１４２との間に配置され、光を透過する性質を有する板状の層である。スペーサ１４３と異なり、平面視で有機ＥＬ膜１３５の中央部にも重なるように配置されている。図５の例における第１領域１６１と有機ＥＬ膜１３５のある領域との間で接着力の差は、図３の例より小さいものの、従来に比べて有機ＥＬ膜１３５の剥離の発生が抑えられる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１の実施形態と異なり、絶縁バンク１３４の上面のうち一部を有機ＥＬ膜１３５が覆っている。以下では主に第１の実施形態との相違点について説明する。

図６は、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の表示領域２０５内の構成を示す部分平面図である。図７は、図６に示す有機ＥＬ表示装置１００のVII−VII切断線における断面図である。図６において、表示領域２０５は、図の左から右に向かう方向に、赤色の画素２１０ｒ、緑色の画素２１０ｇ、青色の画素２１０ｂが順に並ぶストライプ配列を有する。各画素２１０は長方形である。また、赤の画素２１０ｒ、緑の画素２１０ｇ、青の画素２１０ｂを構成する有機ＥＬ膜１３５は、少なくともその画素２１０ｒ，２１０ｇ，２１０ｂの位置に形成される貫通孔１３８の内側に配置されている。また、有機ＥＬ膜１３５は、隣接方向（図６の例では横方向）に連続して隣り合う２つの画素２１０（例えば図６の左側の画素２１０ｒ，２１０ｇ）の位置にある２つの貫通孔１３８の間であって絶縁バンク１３４の上面の上にも設けられている。その複数の貫通孔１３８は連続して隣り合っており、以下ではこの連続して隣り合う貫通孔１３８を「複数の連続孔」と記載し、その位置に対応する連続する画素２１０を「複数の連続画素」と記載する。なお、有機ＥＬ膜１３５は、その隣接方向に連続して隣り合う３以上の画素２１０（連続画素）の位置にある複数の貫通孔１３８（連続孔）の間であって絶縁バンク１３４の上面の上に設けられていてもよい。なお、１つの点が４つの副画素（赤、緑、青、白）により構成されてもよい。

対向基板１５０のアレイ基板１２０側には、平面視で貫通孔１３８を避けるようにストライプ状のスペーサ１４５とスペーサ１４６とが設けられている。スペーサ１４５，１４６は隣接方向に直交する方向に延びている。また、スペーサ１４５，１４６は、それぞれ対向基板１５０のアレイ基板１２０側に凸部を形成している。スペーサ１４５は、平面視でその複数の連続孔を挟むように設けられている。また、複数の連続孔を両側で挟む位置にありかつ絶縁バンク１３４の上面の領域を第１領域１６１と呼ぶと、スペーサ１４５は、第１領域に対向するように設けられている。第１領域１６１の上には有機ＥＬ膜１３５は設けられていない。

スペーサ１４６は、平面視で、２つの第１領域１６１に挟まれる複数の連続孔の間に設けられている。また、２つの第１領域１６１に挟まれる複数の連続孔に含まれる貫通孔１３８の間であって絶縁バンク１３４の上面の領域を第２領域１６２と呼ぶと、スペーサ１４６は、第２領域１６２に対向するように設けられている。第２領域１６２の上には有機ＥＬ膜１３５が設けられている。なお、スペーサ１４５の厚みとスペーサ１４６の厚みは同じである。

図７の例においても、第１領域１６１では、アレイ基板１２０上の絶縁バンク１３４は有機ＥＬ膜１３５を介さずに対向基板１５０と接着されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１００に曲げる力がかかっても、有機ＥＬ膜１３５を剥離させる力を抑えることができ、有機ＥＬ膜１３５の剥離を抑えることが可能になる。また、有機ＥＬ膜１３５に含まれる各層の蒸着に用いられるファインメタルマスクの形状の選択も可能になる。

図８は、有機ＥＬ表示装置１００の他の一例を示す断面図である。図８の例と図７の例との主な違いは、スペーサ１４５の厚みとスペーサ１４６の厚みとが異なる点である。以下では図８の例と図７の例との相違点を中心に説明する。図８の例では、第１領域１６１に対向するスペーサ１４５より、第２領域１６２に対向するスペーサ１４６の方が厚い。また充填材１４２はスペーサ１４５と封止膜１３７との間に介在するが、充填材１４２はスペーサ１４６との間には存在せず、スペーサ１４６と封止膜１３７とは直接的に接している。充填材１４２が第２領域１６２の上方を避けて設けられ、かつ第２領域１６２においてスペーサ１４６と封止膜１３７とが接着されない。したがって、貫通孔１３８の内部にある有機ＥＬ膜１３５のみならず、第２領域１６２上にある有機ＥＬ膜１３５にも直接的に上下方向の力がかかることを防ぐことができ、図７の例よりさらに有機ＥＬ膜１３５の剥離を軽減することが可能になる。

図９は、有機ＥＬ表示装置１００の他の一例を示す断面図である。図９の例と図８の例との主な違いは、スペーサ１４５，１４６の代わりに、溝１４７が設けられた透明層１４４が存在する点である。溝１４７は、第１領域１６１の上方に設けられており、図８におけるスペーサ１４５の代わりとなっている。また、第２領域１６２の上方には溝１４７は設けられていない。封止膜１３７のうち第１領域１６１の上方の部分と透明層１４４との間には、充填材１４２が介在する。充填材１４２は、溝１４７の内部を含む空間に充填されている。一方、透明層１４４のうち溝１４７のない領域と封止膜１３７とは直接的に接している。充填材１４２は第２領域１６２の上方を避けて設けられ、封止膜１３７のうち第２領域１６２の上方の部分は透明層１４４と接着されていない。これにより、貫通孔１３８の内部にある有機ＥＬ膜１３５のみならず、第２領域１６２上にある有機ＥＬ膜１３５にも直接的に上下方向の力がかかることを防ぐことができ、図７の例より有機ＥＬ膜１３５の剥離を軽減することが可能になる。

１００有機ＥＬ表示装置、１２０アレイ基板、１５０対向基板、１８１フレキシブルプリント基板、１８２駆動集積回路、２０５表示領域、２１０，２１０ｒ，２１０ｇ，２１０ｂ画素、１２１半導体膜、１２２，１２４，１２７層間絶縁層、１２３ゲート電極、１２５，１２６ソース電極またはドレイン電極、１２８配線、１３１平坦化膜、１３２コンタクトホール、１３３画素電極、１３４絶縁バンク、１３５有機ＥＬ膜、１３６共通電極、１３７封止膜、１３８貫通孔、１４１シール材、１４２充填材、１４３，１４５，１４６スペーサ、１４４透明層、１４７溝、１６１第１領域、１６２第２領域。

Claims

複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有して前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、
少なくとも前記複数の画素電極に積層する自発光素子層と、
前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層する共通電極と、
前記共通電極の上で前記自発光素子層を封止する封止層と、
対向基板と、
前記対向基板を前記封止層に接着する接着層と、
を有し、
前記絶縁層は、上面に第１領域を有し、
前記自発光素子層は、前記絶縁層の前記第１領域を少なくとも避けて設けられ、
前記接着層は、前記絶縁層の前記第１領域の上方に少なくとも設けられ、
前記絶縁層は、上面に前記第１領域と異なる第２領域を有し、
前記自発光素子層は、前記複数の貫通穴の内側及び前記第２領域の上に設けられ、
前記接着層は、前記絶縁層の前記第２領域の上方を避けて設けられることを特徴とする表示装置。
請求項１に記載された表示装置において、
前記絶縁層は、連続して隣り合う２つ又はそれ以上の前記貫通穴の両側を挟むように前記第１領域を有し、前記第１領域に挟まれて隣り合う前記貫通穴の間に前記第２領域を有することを特徴とする表示装置。
請求項１または２に記載された表示装置において、
前記対向基板は、前記複数の貫通穴との対向を避けて前記第１領域に対向する第１凸部を有することを特徴とする表示装置。
請求項３に記載された表示装置において、
前記第１凸部は、ストライプ状に形成されていることを特徴とする表示装置。
請求項１または２に記載された表示装置において、
前記対向基板は、前記複数の貫通穴との対向を避けて前記第１領域に対向する第１凸部と、前記複数の貫通穴との対向を避けて前記第２領域に対向する第２凸部を有することを特徴とする表示装置。
請求項５に記載された表示装置において、
前記第１領域の上方で、前記第１凸部と前記封止層の間に前記接着層が介在し、
前記第２領域の上方で、前記第２凸部と前記封止層は接触することを特徴とする表示装置。
請求項１または２に記載された表示装置において、
前記対向基板と前記接着層の間に配置された光透過性層をさらに有することを特徴とする表示装置。
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有して前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、
少なくとも前記複数の画素電極に積層する自発光素子層と、
前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層する共通電極と、
前記共通電極の上で前記自発光素子層を封止する封止層と、
対向基板と、
前記対向基板を前記封止層に接着する接着層と、
を有し、
前記絶縁層は、上面に第１領域を有し、
前記自発光素子層は、前記絶縁層の前記第１領域を少なくとも避けて設けられ、
前記接着層は、前記絶縁層の前記第１領域の上方に少なくとも設けられ、
前記対向基板は、前記複数の貫通穴との対向を避けて前記第１領域に対向する第１凸部を有し、
前記第１凸部は、前記絶縁層と同じ材料で前記対向基板に形成されたスペーサであることを特徴とする表示装置。
請求項８に記載された表示装置において、
前記第１凸部は、ストライプ状に形成されていることを特徴とする表示装置。
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の貫通穴を有して前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部を覆う絶縁層と、
少なくとも前記複数の画素電極に積層する自発光素子層と、
前記絶縁層及び前記自発光素子層に積層する共通電極と、
前記共通電極の上で前記自発光素子層を封止する封止層と、
対向基板と、
前記対向基板を前記封止層に接着する接着層と、
を有し、
前記絶縁層は、上面に第１領域を有し、
前記自発光素子層は、前記絶縁層の前記第１領域を少なくとも避けて設けられ、
前記接着層は、前記絶縁層の前記第１領域の上方に少なくとも設けられ、
前記絶縁層は、上面に前記第１領域と異なる第２領域を有し、
前記自発光素子層は、前記複数の貫通穴の内側及び前記第２領域の上に設けられ、
前記第１領域の上方で、前記第１凸部と前記封止層の間に前記接着層が介在し、
前記第２領域の上方で、前記第２凸部と前記封止層は接触することを特徴とする表示装置。
請求項１０に記載された表示装置において、
前記接着層は、前記絶縁層の前記第２領域の上方を避けて設けられることを特徴とする表示装置。
請求項１０または１１に記載された表示装置において、
前記絶縁層は、連続して隣り合う２つ又はそれ以上の前記貫通穴の両側を挟むように前記第１領域を有し、前記第１領域に挟まれて隣り合う前記貫通穴の間に前記第２領域を有することを特徴とする表示装置。