TWI543342B - 有機ｅｌ顯示裝置 - Google Patents

有機ｅｌ顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI543342B
TWI543342B TW103125587A TW103125587A TWI543342B TW I543342 B TWI543342 B TW I543342B TW 103125587 A TW103125587 A TW 103125587A TW 103125587 A TW103125587 A TW 103125587A TW I543342 B TWI543342 B TW I543342B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
contact
organic
film
contact hole
electrode
Prior art date
Application number
TW103125587A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201508897A (zh
Inventor
古家政光
佐藤敏浩
宮本光秀
Original Assignee
日本顯示器股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本顯示器股份有限公司 filed Critical 日本顯示器股份有限公司
Publication of TW201508897A publication Critical patent/TW201508897A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI543342B publication Critical patent/TWI543342B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

有機EL顯示裝置
本發明係關於一種有機EL顯示裝置。
近年來，實際應用有使用被稱為有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode)之自發光體之圖像顯示裝置(以下稱為「有機EL(Electro-luminescent，電致發光)顯示裝置」)。與先前之液晶顯示裝置相比，該有機EL顯示裝置由於使用自發光體，故而不僅於視認性、應答速度之方面優異，且無需如背光裝置之輔助照明裝置，因此可更薄型化。
作為於此種有機EL顯示裝置中進行彩色顯示之方法，有如下方法，即：發光元件針對各像素分別發出R(紅)G(綠)B(藍)之3色之光之方法、發光元件發出白色之光且各像素之彩色濾光器使RGB該3色之各者之波長區域透過之方法、及將該等進行組合之方法等。
日本專利特開2001-312223號公報揭示有，為了使有機EL材料成膜成均勻之膜厚，利用有機樹脂材料填埋電極孔而形成保護部。日本專利特開2003-091246號公報針對與日本專利特開2001-312223號公報相同之問題揭示有，利用絕緣體層或導電體層覆蓋接觸孔部分而使其平坦，藉此實現有機EL層之膜厚之均勻化。日本專利特開2009-301058號公報鑒於形成有TFT(thin-film transistor，薄膜電晶體)及配線之區域不使光透過之問題而揭示有，將導電體嵌入至接觸孔，使其 與作為電極之金屬膜接觸。
於有機EL顯示裝置中，於各像素形成有用以連接各像素之TFT(Thin Film Transistor)與發光元件之下部電極之接觸孔，但接觸孔階差較大，通常無法形成發光元件。因此，發光區域成為除接觸孔以外之區域，故而使各像素中之發光面積減少。於專利文獻3中對擴大發光面積之例進行了揭示，但由於利用將銀粒子分散於丙烯酸而成之各向異性導電膜作為導通手段，故而有電性連接不充分之虞。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種電性連接充分且擴大了各像素中之發光面積之有機EL顯示裝置。
本發明之有機EL顯示裝置包括：薄膜電晶體，其配置於配置成矩陣狀之顯示區域內之各像素；平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且形成於上述薄膜電晶體上；接觸電極，其包含導電材料，且經由形成於上述平坦化膜內之接觸孔連接於上述薄膜電晶體之汲極或源極之任一者；接觸孔平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且於上述接觸電極上填埋上述接觸孔而配置；下部電極，其電性連接於上述接觸電極上而形成，且形成於上述接觸孔平坦化膜上；有機層，其於上述下部電極上以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含包括發光之發光層在內之複數層有機材料之層；及上部電極，其形成於上述有機層上並以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含導電材料。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，上述接觸孔平坦化膜與位於上述接觸孔之外側之有機材料接觸。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，上述接觸孔平坦化膜與上述有機平坦化膜接觸。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，進而包括像素分離膜，該像素分離膜包含有機絕緣材料，覆蓋上述下部電極之端部且 配置於像素間，且上述接觸孔平坦化膜與上述像素分離膜接觸。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，上述下部電極包括：反射膜，其形成於上述接觸孔平坦化膜上，且反射由上述發光層發出之光；及透明電極膜，其包含透明導電材料，且形成於上述反射板上。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，上述接觸孔與相鄰之像素之接觸孔結合，且上述接觸孔平坦化膜與上述相鄰之像素之接觸孔平坦化膜一體化。
又，於本發明之有機EL顯示裝置中，亦可為，進而包括控制信號線，該控制信號線沿著形成有上述經結合之上述接觸孔之像素間延伸，且上述控制信號線配置於不與上述平坦化膜接觸之位置。
100‧‧‧有機EL顯示裝置
110‧‧‧上框架
120‧‧‧下框架
200‧‧‧有機EL面板
202‧‧‧顯示區域
220‧‧‧TFT基板
221‧‧‧絕緣基板
222‧‧‧半導體電路層
223‧‧‧汲極電極
224‧‧‧平坦化膜
225‧‧‧接觸電極
226‧‧‧接觸孔平坦化膜
227‧‧‧下部電極
228‧‧‧像素分離膜
229‧‧‧有機層
230‧‧‧上部電極
231‧‧‧密封膜
233‧‧‧反射膜
234‧‧‧透明電極膜
236‧‧‧開口部
237‧‧‧切口部
238‧‧‧接觸部
241‧‧‧透明樹脂
250‧‧‧密封基板
251‧‧‧絕緣基板
252‧‧‧保護層
255‧‧‧彩色濾光器
260‧‧‧驅動IC
280‧‧‧副像素
281‧‧‧接觸孔
282‧‧‧發光區域
283‧‧‧黑矩陣
311‧‧‧掃描線
312‧‧‧第1控制線
313‧‧‧第2控制線
314‧‧‧信號線
315‧‧‧電源線
319‧‧‧層間絕緣膜
326‧‧‧接觸孔平坦化膜
381‧‧‧接觸孔
480‧‧‧副像素
481‧‧‧接觸孔
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
C‧‧‧區域
D‧‧‧接觸部分
圖1係概略性地表示本發明之第1實施形態之有機EL顯示裝置之圖。
圖2係表示圖1之有機EL面板之構成之圖。
圖3係表示圖2所示之各副像素中之接觸孔之位置之圖。
圖4係表示圖2之副像素之一的俯視圖，且係表示發光區域及作為遮光區域之黑矩陣之圖。
圖5係表示圖4之V-V線之剖面之圖，且係表示副像素之構造之圖。
圖6係藉由與圖5相同之視野表示第1實施形態之第1變化例之圖。
圖7係表示圖6之接觸電極之成膜形狀之俯視圖。
圖8係表示圖7之接觸電極之成膜形狀不同之例之俯視圖。
圖9係表示圖7之接觸電極之成膜形狀不同之第2例之俯視圖。
圖10係藉由與圖5相同之視野表示第1實施形態中之第2變化例之 圖。
圖11係表示接觸孔平坦化膜之成膜形狀之俯視圖。
圖12係表示第2實施形態之圖3之像素所包含之4個副像素之圖。
圖13係表示圖12之XIII-XIII線之剖面之圖。
圖14係表示圖12之XIV-XIV線之剖面之圖。
圖15係表示第2實施形態之有機EL顯示裝置之有機EL面板之製造方法之流程圖。
圖16係表示第2實施形態之有機EL顯示裝置之有機EL面板之製造方法之流程圖。
圖17係表示圖1之有機EL面板中之另一像素構成。
圖18係表示圖17所示之各副像素中之接觸孔之位置之圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。再者，於圖式中，對同一或同等之要素標註同一符號，並省略重複之說明。
[第1實施形態]
於圖1中概略性地表示本發明之第1實施形態之有機EL顯示裝置100。如該圖所示，有機EL顯示裝置100包含以夾於上框架110及下框架120之方式固定之有機EL面板200。
於圖2中表示圖1之有機EL面板200之構成。有機EL面板200包括TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)基板220與密封基板250之2片基板，且於該等基板之間填充有透明樹脂241(參照圖5)。TFT基板220包括於顯示區域202配置成矩陣狀之副像素280。又，於TFT基板220載置有作為驅動電路之驅動IC(Integrated Circuit，積體電路)260，該驅動IC260對配置於副像素280之各者之像素電晶體之掃描信號線(未圖示)施加用以使源極/汲極間導通之電位，並且對各像素電晶體之資 料信號線施加與像素之灰階值對應之電壓。又，於本實施形態中，藉由分別被分配有R(紅)G(綠)B(藍)W(白)之四種顏色之4個副像素280之組合構成一像素，各副像素280包括發出白色光之OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)，使用對應於各種顏色之彩色濾光器而出射具有對應於各種顏色之波長區域之光。
圖3係表示圖2所示之各副像素280中之接觸孔281之位置之圖。 接觸孔281係用以電性連接電晶體之源極/汲極電極223(於下文敍述)與連接於像素之發光層之電極之孔，如該圖所示，各副像素280之接觸孔281係於組合4個副像素280而成之像素中配置於靠近各副像素280之交界線之交點之位置。
圖4係表示圖2之副像素280之一的俯視圖，且係表示發光區域282及作為遮光膜之黑矩陣283之圖。沿著確定副像素280之形狀之外形線於其內側形成有發光區域282，且黑矩陣283包圍其周圍。
圖5係表示圖4之V-V線之剖面之圖，且係表示副像素280之構造之圖。如該圖所示，密封基板250與TFT基板220係經由透明樹脂241接著。密封基板250包括：玻璃基板、塑膠基板等透明之絕緣基板251；黑矩陣283，其係遮蔽於相鄰之副像素280間出射之光之遮光膜；彩色濾光器255，其係尤其於RGB色之像素中使對應於各種顏色之波長區域之光透過；及保護層252，其係於彩色濾光器255上以覆蓋密封基板250之顯示區域整體之方式形成之保護膜。
又，TFT基板220包括：玻璃基板、塑膠基板等透明之絕緣基板221；半導體電路層222，其係控制形成於絕緣基板221上之各副像素280之發光之電路，且藉由LTPS(Low-Temperature Poly Silicon，低溫多晶矽)半導體、非晶質半導體、氧化物半導體等公知之半導體形成有電晶體等；源極/汲極電極223，其係電晶體之一電極；平坦化膜224，其係藉由有機絕緣材料形成；接觸電極225，其經由形成於平坦 化膜224之開口即接觸孔281連接於電晶體之源極/汲極電極223；接觸孔平坦化膜226，其以填埋接觸孔281之方式形成於接觸孔281之接觸電極225上；下部電極227，其形成於接觸電極225及接觸孔平坦化膜226上；像素分離膜228，其覆蓋下部電極之端部，且藉由有機絕緣材料形成於像素間；有機層229，其以覆蓋顯示區域整體之方式形成於下部電極227及像素分離膜228上，且包含發出白色光之發光層及電子注入層、電洞傳輸層等；上部電極230，其以覆蓋有機層229之方式形成，且包含ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等透明導電材料；及密封膜231，其形成於上部電極230上，且包含SiO、SiN等無機絕緣材料。
此處，下部電極227包括：反射膜233，其藉由Ag等反射金屬形成；及透明電極膜234，其形成於反射膜233上，且包含ITO、IZO或Ag等透明或使光透過之導電體；透明電極膜234與接觸電極225之一部分直接接觸，而提高導電性。又，發光區域282定義為下部電極227與有機層229接觸之區域。
如上所述，於接觸孔281內形成有接觸孔平坦化膜226，下部電極227以充分之面積與接觸電極225接觸，並且亦形成於接觸孔281上，因此如圖4所示，可將發光區域282亦形成於接觸孔281上。藉此，可製成電性連接充分且擴大了各像素中之發光面積之有機EL顯示裝置100。
圖6係藉由與圖5相同之視野表示本實施形態之第1變化例之圖。與圖5之不同點在於，接觸電極225於接觸孔281之斜面具有開口部236，且於該開口部236，接觸孔平坦化膜226與平坦化膜224接觸。圖7係表示圖6之接觸電極225之成膜形狀之俯視圖。如該圖所示，接觸電極225以於接觸孔281上設置有開口部236之方式形成，且於該部分之區域A中，接觸孔平坦化膜226與平坦化膜224接觸。
一般而言，有機絕緣材料含有水分，該水分成為促進發光層等之劣化之原因，故而於成膜作為發光層之有機層229之前，設置有包括接觸孔平坦化膜226在內而將有機絕緣材料所含有之水分去除之烘烤步驟。然而，於接觸孔平坦化膜226被為無機材料之下部電極227等密封之狀態下，水分之出口消失，因此有因於烘烤步驟中欲向外部流出之水分導致下部電極227等剝落之虞。因此，藉由設置如圖6及7所示之開口部236，可於烘烤步驟中將接觸孔平坦化膜226所含有之水分自開口部236釋出。又，藉由去除水分，可提高對抗發光層之劣化之可靠性，且接觸電極225及下部電極227相互利用導電材料接觸，因此可製成電性連接充分且擴大了各像素中之發光面積之有機EL顯示裝置100。
圖8係表示圖7之接觸電極225之成膜形狀不同之例之俯視圖。於圖7中，以於接觸電極225之一部分設置開口部236之方式成膜，但於該例中，接觸電極225成為具有將重疊於接觸孔281之一部分切開之切口部237之形狀。於該情形時，接觸電極225之切口部237之中重疊於接觸孔之區域B成為接觸孔平坦化膜226與平坦化膜224接觸之部分。
圖9係表示圖7之接觸電極225之成膜形狀不同之第2例之俯視圖。於該例中，接觸電極225成為具有將與接觸孔281重疊之一部分中之角部分切開之切口部237之形狀。於該情形時，接觸電極225之切口部237中之重疊於接觸孔之區域C成為接觸孔平坦化膜226與平坦化膜224接觸之部分。即便為如上所述般之情形時，亦可獲得與圖6及7相同之效果。
圖10係藉由與圖5相同之視野表示本實施形態中之第2變化例之圖。與圖5之不同點在於，接觸孔平坦化膜226以不僅填埋接觸孔281、而且亦接觸形成於接觸孔281以外之接觸電極225上之方式形成得較厚，藉此具有與像素分離膜228接觸之接觸部分D。再者，接觸 電極225為了與下部電極227接觸而具有未形成有接觸孔平坦化膜226之接觸部238。
圖11係表示接觸孔平坦化膜226之成膜形狀之俯視圖。如該圖所示，接觸孔平坦化膜226係形成為不僅覆蓋接觸孔281，亦將接觸電極225用以與下部電極227接觸之接觸部238除外地覆蓋接觸電極225。藉由如此般形成，可形成接觸電極225與下部電極227電性連接且與像素分離膜228之接觸部分D。因此，於第2變化例中亦可獲得與第1變化例相同之效果。
[第2實施形態]
繼而，對本發明之第2實施形態之有機EL顯示裝置進行說明。第2實施形態之有機EL顯示裝置及有機EL面板之整體構成由於與圖1至3所示之第1實施形態之有機EL顯示裝置100及有機EL面板200相同，故而省略重複之說明。
圖12表示第2實施形態之構成圖3之像素之4個副像素280，且係用以說明本實施形態之接觸孔381之圖。如該圖所示，副像素280之發光區域282由沿橫向延伸之掃描線311、第1控制線312及第2控制線313、沿縱向延伸之信號線314及電源線315所包圍。接觸孔381係於沿縱向相鄰之像素橫穿掃描線311、第1控制線312及第2控制線313而結合。
圖13係表示圖12之XIII-XIII線之剖面之圖。與第1實施形態中之圖5之不同點在於接觸孔381係於相鄰之副像素280結合，且形成於接觸孔381內之接觸孔平坦化膜326亦被結合。藉由如此般於鄰接之副像素280結合而形成接觸孔381，而使接觸孔平坦化膜326與像素分離膜228接觸。藉此，可於烘烤步驟中釋出接觸孔平坦化膜326之水分。又，於本實施形態中亦可獲得與第1實施形態及第1實施形態之變化例相同之效果。此處，沿橫向延伸之掃描線311、第1控制線312及第2控 制線313形成於較平坦化膜224下層之層間絕緣膜319之下。因此，即便於平坦化膜224上結合接觸孔平坦化膜326，亦不會對該等配線產生影響。
圖14係表示圖12之XIV-XIV線之剖面之圖。於該剖面中，接觸孔381由於未在鄰接之副像素280結合，故而成為與圖5中之剖面相同之形狀。此處，未結合接觸孔381之原因在於，於鄰接之像素間延伸之電源線315係於平坦化膜224之下以接觸於平坦化膜224之方式形成，故而若於該方向上亦與圖13同樣地結合接觸孔381，則有接觸電極225及電源線315成為接觸或過度接近之狀態而短路之虞。因此，不進行如橫穿於平坦化膜224之下接觸之配線即電源線315延伸之方向之接觸孔381之結合。然而，於無短路之虞之情形等時，3個以上之像素之接觸孔亦可結合。
圖15及16係表示第2實施形態之有機EL顯示裝置之有機EL面板之製造方法之流程圖。如圖15所示，首先，於透明之玻璃或塑膠之絕緣基板221上形成TFT電路，而形成半導體電路層222(S101)。TFT電路可使用LTPS半導體、非晶質半導體，氧化物半導體等公知之半導體而形成。其次，塗佈包含有機絕緣材料之平坦化膜224(S102)，橫跨鄰接之像素以源極/汲極電極223露出之方式形成接觸孔381(S103)。繼而，以於各副像素280分別覆蓋露出之源極/汲極電極223之方式，藉由光微影步驟形成接觸電極225(S104)。
其後，以覆蓋整體之方式塗佈包含有機絕緣材料之接觸孔平坦化膜326(S105)，將接觸孔平坦化膜326以露出接觸電極225且與接觸電極225構成同一面之方式進行蝕刻(S106)。繼而，於接觸電極225及接觸孔平坦化膜326上，以針對各副像素280獨立之方式形成包含Ag等之反射膜233(S107)，於反射膜233上以與一部分接觸電極225接觸之方式形成包含ITO等透明導電材料之透明電極膜234(S108)。此處， 反射膜233及透明電極膜234構成下部電極227。
繼而，利用有機絕緣材料形成像素分離膜228(S109)，利用烘烤處理去除水分及氣體(S110)。此時，平坦化膜224及接觸孔平坦化膜326所含有之水分及氣體分別經由所接觸之像素分離膜228釋出。繼而，依序成膜包含發出白色光之發光層及電子注入層、電洞傳輸層等之有機層229、包含ITO等透明導電材料之上部電極230、包含SiO、SiN等無機絕緣材料之密封膜231，藉此完成TFT基板220(S111)。最後，藉由於TFT基板220上經由透明樹脂241接著密封基板250而製成有機EL面板200(S112)。藉由以上說明之製造步驟，可製造第2實施形態之有機EL顯示裝置100之有機EL面板200。
圖17係表示圖1之有機EL面板200中之另一像素構成。圖17之像素構成與圖2中所示之像素構成不同，出射R之波長區域之副像素480之行、出射G之波長區域之副像素480之行、出射B之波長區域之副像素480之行沿橫向依序排列，並將沿橫向排列之RGB之3個副像素480構成為一個像素。各副像素480可具有發出白色光之OLED並使用彩色濾光器出射RGB之各種顏色，亦可使用發出RGB等2色以上之色之光之OLED。於該情形時，亦可為不使用彩色濾光器之態樣。
圖18係表示圖17所示之各副像素480中之接觸孔481之位置之圖。如該圖所示，各副像素480之接觸孔481係設置於靠近沿縱向相鄰之相同顏色之像素之相互之交界之位置。即便為此種配置，亦可使用第1實施形態之接觸孔281及接觸孔平坦化膜226之構成。又，藉由結合相鄰之接觸孔481，可使用第2實施形態之接觸孔381及接觸孔平坦化膜326之構成。因此，即便為如圖17及18之像素構成，亦可使用第1實施形態及第2實施形態之副像素構成，因此可獲得與第1實施形態、第1實施形態之變化例及第2實施形態相同之效果。
已對本發明之若干實施例進行了說明，但應當理解可對該等實 施例進行各種變更，且意欲使隨附之申請專利範圍涵蓋全部之此種變更，使其不脫離本發明之主旨及範疇。
220‧‧‧TFT基板
221‧‧‧絕緣基板
222‧‧‧半導體電路層
223‧‧‧汲極電極
224‧‧‧平坦化膜
225‧‧‧接觸電極
226‧‧‧接觸孔平坦化膜
227‧‧‧下部電極
228‧‧‧像素分離膜
229‧‧‧有機層
230‧‧‧上部電極
231‧‧‧密封膜
233‧‧‧反射膜
234‧‧‧透明電極膜
241‧‧‧透明樹脂
250‧‧‧密封基板
251‧‧‧絕緣基板
252‧‧‧保護層
255‧‧‧彩色濾光器
280‧‧‧副像素
281‧‧‧接觸孔
282‧‧‧發光區域
283‧‧‧黑矩陣

Claims (10)

  1. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於包括：薄膜電晶體，其配置於配置成矩陣狀之顯示區域內之各像素；平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且形成於上述薄膜電晶體上；接觸電極，其包含導電材料，且經由形成於上述平坦化膜內之接觸孔連接於上述薄膜電晶體之汲極或源極之任一者；接觸孔平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且於上述接觸電極上填埋上述接觸孔而配置；下部電極，其電性連接於上述接觸電極上而形成，且形成於上述接觸孔平坦化膜上；有機層，其於上述下部電極上以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含包括發光之發光層之複數層有機材料之層；及上部電極，其形成於上述有機層上並以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含導電材料；其中上述接觸孔包含在上述平坦化膜形成之側面；上述接觸孔平坦化膜係與上述側面接觸。
  2. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述接觸孔平坦化膜與位於上述接觸孔之外側之有機材料接觸。
  3. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其係進而包括像素分離膜，該像素分離膜包含有機絕緣材料，覆蓋上述下部電極之端部且配置於像素間，且 上述接觸孔平坦化膜與上述像素分離膜接觸。
  4. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述下部電極包括：反射膜，其形成於上述接觸孔平坦化膜上，且反射由上述發光層發出之光；及透明電極膜，其包含透明導電材料且形成於上述反射板上。
  5. 如請求項4之有機EL顯示裝置，其中上述透明電極膜之一部份係與上述接觸電極直接相接。
  6. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述接觸電極包含露出上述側面之開口部，且上述接觸孔平坦化膜係經由上述開口部與上述側面接觸。
  7. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於包括：薄膜電晶體，其配置於配置成矩陣狀之顯示區域內之各像素；平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且形成於上述薄膜電晶體上；接觸電極，其包含導電材料，且經由形成於上述平坦化膜內之接觸孔連接於上述薄膜電晶體之汲極或源極之任一者；接觸孔平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且於上述接觸電極上填埋上述接觸孔而配置；下部電極，其電性連接於上述接觸電極上而形成，且形成於上述接觸孔平坦化膜上；有機層，其於上述下部電極上以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含包括發光之發光層之複數層有機材料之層；上部電極，其形成於上述有機層上並以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含導電材料；及像素分離膜，其包含有機絕緣材料，配置於像素間；其中 上述像素分離膜係露出上述下部電極之一部份，且覆蓋上述下部電極之端部；上述接觸孔平坦化膜係與上述像素分離膜接觸。
  8. 如請求項7之有機EL顯示裝置，其中上述接觸孔平坦化膜包括：第1面，其與上述下部電極接觸；及第2面，其與上述第1面交差，而位於上述下部電極與上述接觸電極之間；其中上述第2面係與上述像素分離膜接觸。
  9. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於包括：薄膜電晶體，其配置於配置成矩陣狀之顯示區域內之各像素；平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且形成於上述薄膜電晶體上；接觸電極，其包含導電材料，且經由形成於上述平坦化膜內之接觸孔連接於上述薄膜電晶體之汲極或源極之任一者；接觸孔平坦化膜，其包含有機絕緣材料，且於上述接觸電極上填埋上述接觸孔而配置；下部電極，其電性連接於上述接觸電極上而形成，且形成於上述接觸孔平坦化膜上；有機層，其於上述下部電極上以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含包括發光之發光層之複數層有機材料之層；及上部電極，其形成於上述有機層上並以覆蓋上述顯示區域之整體之方式配置，且包含導電材料；其中上述接觸孔與相鄰之像素之接觸孔結合，且上述接觸孔平坦化膜與上述相鄰之像素之接觸孔平坦化膜一體化。
  10. 如請求項9之有機EL顯示裝置，其係進而包括控制信號線，該控制信號線係沿著形成有上述經結合之上述接觸孔之像素間延伸，且上述控制信號線配置於不與上述平坦化膜相接之位置。
TW103125587A 2013-08-21 2014-07-25 有機ｅｌ顯示裝置 TWI543342B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013171765A JP6104099B2 (ja) 2013-08-21 2013-08-21 有機ｅｌ表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508897A TW201508897A (zh) 2015-03-01
TWI543342B true TWI543342B (zh) 2016-07-21

Family

ID=52479552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103125587A TWI543342B (zh) 2013-08-21 2014-07-25 有機ｅｌ顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9147717B2 (zh)
JP (1) JP6104099B2 (zh)
KR (1) KR101625288B1 (zh)
CN (1) CN104425555B (zh)
TW (1) TWI543342B (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6160499B2 (ja) 2014-02-06 2017-07-12 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器
CN107535033B (zh) * 2015-04-16 2019-08-16 夏普株式会社 有机电致发光装置
JP6560530B2 (ja) * 2015-04-30 2019-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102452198B1 (ko) * 2015-05-28 2022-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102545253B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102483434B1 (ko) * 2015-05-28 2022-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102515033B1 (ko) * 2015-05-29 2023-03-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108780619A (zh) * 2016-03-04 2018-11-09 夏普株式会社 薄膜晶体管基板和显示面板
JP6673731B2 (ja) 2016-03-23 2020-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20180002471A (ko) * 2016-06-29 2018-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
US10069098B2 (en) * 2016-06-29 2018-09-04 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device, method of manufacturing the same, and head mounted display including the same
KR20180068549A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR20180068552A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
US10847744B2 (en) * 2017-03-21 2020-11-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light emitting element, display device, and electronic apparatus
US11063095B2 (en) 2017-06-01 2021-07-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel having the same, and method of fabricating array substrate
KR102248875B1 (ko) * 2017-06-30 2021-05-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR102503745B1 (ko) * 2017-12-14 2023-02-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
WO2019142360A1 (ja) * 2018-01-22 2019-07-25 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN111971731B (zh) * 2018-03-28 2022-04-12 夏普株式会社 显示设备及显示设备的制造方法
WO2019215530A1 (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法
KR102634180B1 (ko) * 2018-09-18 2024-02-06 엘지디스플레이 주식회사 오버 코트층 상에 위치하는 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102666532B1 (ko) * 2018-09-27 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200083700A (ko) 2018-12-28 2020-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110504293B (zh) * 2019-08-28 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US20220208913A1 (en) * 2020-12-30 2022-06-30 Lg Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3332773B2 (ja) * 1996-03-15 2002-10-07 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP3420675B2 (ja) * 1996-12-26 2003-06-30 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4014710B2 (ja) * 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4831873B2 (ja) * 2000-02-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置及びその作製方法
JP5303818B2 (ja) 2001-09-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3705282B2 (ja) * 2002-10-03 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US7893438B2 (en) * 2003-10-16 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same
TWI253870B (en) * 2003-10-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof
JP2006004907A (ja) * 2004-05-18 2006-01-05 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
KR100768191B1 (ko) 2005-11-12 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 유기 발광 표시장치
KR101297804B1 (ko) * 2006-07-25 2013-08-20 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
JP5376287B2 (ja) * 2008-08-06 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN104425555A (zh) 2015-03-18
TW201508897A (zh) 2015-03-01
KR101625288B1 (ko) 2016-05-27
JP6104099B2 (ja) 2017-03-29
US9147717B2 (en) 2015-09-29
CN104425555B (zh) 2017-08-04
KR20150021890A (ko) 2015-03-03
JP2015041489A (ja) 2015-03-02
US20150053955A1 (en) 2015-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI543342B (zh) 有機ｅｌ顯示裝置
US11711939B2 (en) Thin film transistor substrate
US9741775B2 (en) Display device
US9997589B2 (en) Display device
KR101661015B1 (ko) 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
TWI553853B (zh) 有機電致發光顯示裝置
KR102297075B1 (ko) 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
US9024525B2 (en) Organic luminescent display device and method of manufacturing at organic luminescent display device
TWI536557B (zh) 有機電致發光顯示裝置
JP6391917B2 (ja) 発光素子表示装置及びその製造方法
US10892437B2 (en) Display device including a sealant
KR101890469B1 (ko) 표시장치 및 그 제조 방법
KR102237802B1 (ko) 터치 센서 내장 표시 장치
KR102495122B1 (ko) 표시 장치
KR101678745B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
JP6223070B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2015037065A (ja) 有機ｅｌ表示装置
US10345943B2 (en) Display device
JP7493577B2 (ja) 発光表示装置およびその製造方法
US9419068B2 (en) Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device
US20230207734A1 (en) Light Emitting Display Device
JP2015008095A (ja) 有機ｅｌ表示装置
CN117202711A (zh) 显示面板及显示装置
JP2018055920A (ja) 表示装置及びその製造方法、並びに多面取り用基板