WO2022137342A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2022137342A1
WO2022137342A1 PCT/JP2020/047937 JP2020047937W WO2022137342A1 WO 2022137342 A1 WO2022137342 A1 WO 2022137342A1 JP 2020047937 W JP2020047937 W JP 2020047937W WO 2022137342 A1 WO2022137342 A1 WO 2022137342A1
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light emitting
layer
display device
edge
emitting layer
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PCT/JP2020/047937
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康 浅岡
扇太郎 喜田
考洋 安達
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シャープ株式会社
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    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Definitions

  • This disclosure relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Document 1 relates to a method for manufacturing an organic EL display device (paragraph 0036).
  • a base layer having a step is formed (paragraph 0038).
  • partition walls are formed to separate each pixel (paragraphs 0025 and 0038).
  • the effective portion of the base layer exposed from the partition wall is formed with a central portion and a recess recessed from the central portion due to a step (paragraph 0039).
  • the surface of the partition wall has liquid repellency against a polymer-based material for forming an organic active layer (paragraphs 0025 and 0038).
  • a liquid material is applied toward the effective portion of the base layer to form a coating layer (paragraphs 0027 and 0040).
  • the coating layer is heated and dried to form an organic active layer including a light emitting layer (paragraphs 0023 and 0040).
  • the liquid material that runs on the partition wall and the liquid material that reaches the center of the effective part of the base layer are effective for the base layer. It becomes easy to flow down toward the concave portion of the portion (paragraph 0027). Therefore, it is possible to suppress the thinning of the peripheral portion of the organic active layer (paragraph 0027). This can prevent a short circuit from occurring between the two electrodes (paragraph 0028). In addition, it is possible to suppress a decrease in life due to current concentration on the thinned portion of the organic active layer (paragraph 0028).
  • the manufacturing method it is possible to suppress the thinning of the peripheral portion of the organic active layer to some extent.
  • the thickness of the edge portion of the portion formed on the central portion of the effective portion of the base layer constituting the light emitting layer uniform the current is concentrated on the portion and the light emitting layer is formed. The whole cannot be made to emit light uniformly.
  • This problem also occurs in display devices other than organic EL display devices.
  • This disclosure was made in view of this issue. It is an object of the present disclosure to provide a display device and a method for manufacturing a display device capable of making the light emission intensity in a light emitting region uniform.
  • the display device of one embodiment of the present disclosure includes a substrate, a first portion arranged on the substrate and a second portion arranged outside the first portion, and the first portion.
  • Part of the pixel electrode projects from the second part to the second side opposite to the first side closer to the substrate, and the second side of the first part and the second part of the second part.
  • the light emitting layer is arranged so as to straddle the second side, and the light emitting layer is arranged so as to straddle the second side of the edge portion of the first portion and the second side of the second portion.
  • An opening is formed on the second side of the central portion of the portion, and the first edge cover covering the edge of the first portion and the first edge cover are arranged on the second side of the first edge cover.
  • a portion is provided, and a counter electrode facing the pixel electrode with the light emitting layer interposed therebetween is provided.
  • Another method of manufacturing the display device of the present disclosure includes a) a step of preparing a substrate and b) being arranged on the substrate and arranged on a first portion and outside the first portion.
  • the step of forming the light emitting material layer across the sides and e) the peeling layer and the portion formed on the second side of the peeling layer constituting the light emitting material layer are lifted off to obtain the above.
  • the pixel electrode having an opening arranged on the second side of the central portion of the first portion, straddling the second side of the edge portion and the second side of the second portion. It comprises a step of forming an edge cover covering an edge.
  • FIGS. 22A and 22B schematically show a state in which the liquid repellent bank 92 and the light emitting layer 94 are formed on the substrate 91 in the display device. It is a figure.
  • FIG. 22A shows a case where the amount of the coating liquid applied to form the light emitting layer 94 is small.
  • FIG. 22B shows a case where the amount of the coating liquid applied to form the light emitting layer 94 is large.
  • the light emitting layer 94 As shown in FIG. 22A, when the liquid repellent bank 92 and the light emitting layer 94 are formed on the substrate 91 and the amount of the coating liquid applied to form the light emitting layer 94 is small, the light emitting layer 94 The thickness of the central portion of the light emitting layer 94 becomes thicker, and the thickness of the peripheral portion of the light emitting layer 94 becomes thinner.
  • the liquid repellent bank 92 and the light emitting layer 94 are formed on the substrate 91 and the amount of the coating liquid applied to form the light emitting layer 94 is large, the light emitting layer 94 is formed. The thickness of the central portion of the light emitting layer 94 is reduced, and the thickness of the peripheral portion of the light emitting layer 94 is increased. Further, an deposit 95 made of the same material as the material constituting the light emitting layer 94 is formed on the liquid repellent bank 92. The deposit 95 has a large contact angle with respect to the liquid repellent bank 92.
  • FIG. 23 is a cross-section scanning transmission electron microscope (STEM) image of an electroluminescence (EL) device produced by a lift-off process. The horizontal size of the STEM image is compressed to 1/3.
  • FIG. 24 is a plan view showing a state in which the EL element emits EL light.
  • the thickness of the functional layer becomes non-uniform in the light emitting region in this way, the current density becomes non-uniform in the light emitting region, and the light emitting intensity becomes non-uniform in the light emitting region as shown in FIG. 24. Therefore, the deterioration of the portion having a high current density progresses. Specifically, the thickness of the functional layer is reduced, the current density in the central portion of the pixel is increased, the emission intensity in the central portion of the pixel is increased, and the deterioration of the central portion of the pixel is advanced.
  • the plurality of pixels P are arranged in a matrix.
  • a plurality of pixels P may be arranged in a non-matrix manner.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing each pixel P provided in the display device 1 of the first embodiment.
  • 3 and 4 are cross-sectional views schematically illustrating each pixel P provided in the display device 1 of the first embodiment.
  • FIG. 3 illustrates a cross section at the position of the cutting lines III-III drawn in FIG.
  • FIG. 4 illustrates a cross section at the position of the cutting line IV-IV drawn in FIG.
  • the display device 1 includes pixels R, G and B. Pixels R, G, and B are sub-pixels provided in each pixel P included in the plurality of pixels P. Therefore, each pixel P includes three sub-pixels that emit red, green, and blue light, respectively. The number of sub-pixels provided in each pixel P may be increased or decreased from three. In this case, each pixel P may include sub-pixels that emit light of colors other than red, green, and blue, or may include a plurality of sub-pixels that emit light of the same color.
  • Pixels R, G and B emit red, green and blue light, respectively. Pixels R, G and B may emit light of a color different from red, green and blue, respectively.
  • the two pixels R and G provided in each pixel P are adjacent to each other.
  • the two pixels G and B provided in each pixel P are adjacent to each other.
  • the two pixels B and R provided in the two adjacent pixels P, respectively, are adjacent to each other.
  • the display device 1 includes a substrate 11, wirings 12R, 12G and 12B, inorganic material structures 13R, 13G and 13B, an interlayer insulating film 14, and connecting conductors 15R and 15G. And 15B, pixel electrodes 16R, 16G and 16B, light emitting layers 18R, 18G and 18B, and a common electrode 20 are provided.
  • the substrate 11, the wiring 12R, 12G and 12B, the inorganic material structures 13R, 13G and 13B, the interlayer insulating film 14, and the connecting conductors 15R, 15G and 15B constitute the array substrate 25.
  • the substrate 11, the interlayer insulating film 14, and the common electrode 20 are arranged so as to straddle a plurality of pixels P.
  • Wiring 12R, 12G and 12B, inorganic material structures 13R, 13G and 13B, connecting conductors 15R, 15G and 15B, pixel electrodes 16R, 16G and 16B and light emitting layers 18R, 18G and 18B are arranged in each pixel P.
  • the display device 1 includes edge covers 21RG, 21GB and 21BR.
  • the edge cover 21RG separates the pixel R and the pixel G.
  • the edge cover 21GB separates the pixel G and the pixel B.
  • the edge cover 21BR separates the pixel B and the pixel R.
  • the first side of the element arranged on the substrate 11 near the substrate 11 is referred to as the lower side of the element.
  • the second side of the element opposite to the first side of the element is referred to as the upper side of the element.
  • the wirings 12R, 12G and 12B and the inorganic material structures 13R, 13G and 13B are arranged on the upper side of the substrate 11.
  • the interlayer insulating film 14 is arranged on the upper side of the substrate 11 so as to be superimposed on the wirings 12R, 12G and 12B and the inorganic material structures 13R, 13G and 13B.
  • Contact holes 14R, 14G and 14B are formed in the interlayer insulating film 14.
  • the connecting conductors 15R, 15G and 15B are arranged inside the contact holes 14R, 14G and 14B, respectively.
  • the pixel electrodes 16R, 16G and 16B are arranged above the interlayer insulating film 14.
  • the inorganic material structures 13R, 13G and 13B are switching elements.
  • the switching element is a thin film transistor (TFT) or the like.
  • the pixel electrode 16R is electrically connected to the switching element 13R via the connecting conductor 15R and the wiring 12R.
  • the pixel electrode 16G is electrically connected to the switching element 13G via the connecting conductor 15G and the wiring 12G.
  • the pixel electrode 16B is electrically connected to the switching element 13B via the connecting conductor 15B and the wiring 12B.
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B are arranged above the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, respectively.
  • the edge cover 21RG is arranged so as to straddle the upper side of the edge 16RE of the pixel electrode 16R, the upper side of the edge 18RE of the light emitting layer 18R, the upper side of the edge 16GE of the pixel electrode 16G, and the upper side of the edge 18GE of the light emitting layer 18G.
  • the edge cover 21GB is arranged so as to straddle the upper side of the edge 16GE of the pixel electrode 16G, the upper side of the edge 18GE of the light emitting layer 18G, the upper side of the edge 16BE of the pixel electrode 16B, and the upper side of the edge 18BE of the light emitting layer 18B.
  • the edge cover 21BR is arranged so as to straddle the upper side of the edge 16BE of the pixel electrode 16B, the upper side of the edge 18BE of the light emitting layer 18B, the upper side of the edge 16RE of the pixel electrode 16R, and the upper side of the edge 18RE of the light emitting layer 18R.
  • the common electrode 20 is arranged so as to straddle the upper side of the light emitting layers 18R, 18G and 18B and the upper side of the edge covers 21RG, 21GB and 21BR. Therefore, the common electrode 20 includes a portion arranged on the upper side of the light emitting layers 18R, 18G and 18B, and serves as a counter electrode facing the pixel electrodes 16R, 16G and 16B with the light emitting layers 18R, 18G and 18B interposed therebetween. .. Further, the common electrode 20 includes a portion arranged on the upper side of the edge covers 21RG, 21GB and 21BR. Therefore, the edge covers 21RG, 21GB and 21BR include a portion arranged between the light emitting layers 18R, 18G and 18B and the common electrode 20.
  • the light emitting pixel electrodes 16R, 16G and 16B of the light emitting element are electrically connected to the light emitting layers 18R, 18G and 18B, respectively. Thereby, the first charge can be injected into the light emitting layers 18R, 18G and 18B from the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, respectively.
  • the first charge is injected from the pixel electrode 16R into the light emitting layer 18R. Further, a second charge is injected from the common electrode 20 into the light emitting layer 18R. As a result, the first charge and the second charge are recombined in the light emitting layer 18R. Therefore, the light emitting layer 18R emits red light.
  • the first charge is injected from the pixel electrode 16G into the light emitting layer 18G. Further, a second charge is injected from the common electrode 20 into the light emitting layer 18G.
  • the first charge is a hole.
  • the second charge is an electron.
  • the pixel electrodes 16R, 16G and 16B are anodes.
  • the common electrode 20 is a cathode.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the vicinity of the functional layer provided in the display device 1 m of the modified example of the first embodiment.
  • the display device 1 m includes functional layers 17 and 19.
  • the functional layer 17 is arranged between the pixel electrode 16R and the light emitting layer 18R, between the pixel electrode 16G and the light emitting layer 18G, and between the pixel electrode 16B and the light emitting layer 18B, and transports the first charge.
  • the functional layer 19 is arranged between the light emitting layer 18R and the common electrode 20, between the light emitting layer 18G and the common electrode 20, and between the light emitting layer 18B and the common electrode 20, and transports a second charge.
  • the functional layer 17 includes at least one selected from the group consisting of the charge injection layer 171 and the charge transport layer 172 and the charge blocking layer 173.
  • the functional layer 19 includes at least one selected from the group consisting of the charge injection layer 191 and the charge transport layer 192 and the charge blocking layer 193.
  • the charge injection layer 171 and the charge transport layer 172 and the charge blocking layer 173 are an electron injection layer, an electron transport layer, and an electron blocking layer, respectively.
  • the charge injection layer 191 and the charge transport layer 192 and the charge blocking layer 193 are a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole blocking layer, respectively.
  • the charge injection layer 171 and the charge transport layer 172 and the charge blocking layer 173 are a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole blocking layer, respectively.
  • the charge injection layer 191 and the charge transport layer 192 and the charge blocking layer 193 are an electron injection layer, an electron transport layer, and an electron blocking layer, respectively.
  • the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the common electrode 20 are made of a conductive material.
  • the conductive material includes, for example, at least one selected from the group consisting of metals and transparent conductive oxides.
  • the metal comprises, for example, at least one selected from the group consisting of Al, Cu, Au and Ag.
  • the transparent conductive oxide is composed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO) and boron zinc oxide (BZO). Includes at least one selected.
  • Each of the pixels of the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the common electrode 20 may be one layer composed of one kind of conductive material, or two or more made of two or more kinds of conductive materials different from each other. It may be a laminated body of layers. The two or more layers may include both a layer made of metal and a layer made of transparent conductive oxide.
  • the electron transport layer is composed of an electron transport material.
  • the electron transporting material includes, for example, at least one selected from the group consisting of zinc oxide, magnesium oxide, titanium oxide and strontium oxide.
  • the zinc oxide is, for example, ZnO.
  • the titanium oxide is, for example, TiO 2 .
  • the strontium oxide titanium is, for example, SrTIO 3 .
  • the electron transporting material may be an electron transporting material composed of one kind of substance, or may be an electron transporting material consisting of a mixture of two or more kinds of substances.
  • the hole transport layer is composed of a hole transport material.
  • the hole-transporting material includes, for example, at least one selected from the group consisting of a hole-transporting inorganic material and a hole-transporting organic material.
  • the hole-transporting inorganic material comprises, for example, at least one selected from the group consisting of metal oxides, nitrides and carbides.
  • the metal contains at least one selected from the group consisting of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, Sr and Mo.
  • the hole-transporting organic materials are 4,4', 4'-tris (9-carbazoyl) triphenylamine (TCTA), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino.
  • NPB zinc phthalocyanine
  • ZnPC zinc phthalocyanine
  • CBP 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl
  • HTCN 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl
  • HTCN 3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylene
  • PVK Poly (N-vinylcarbazole) (PVK)
  • PVK Poly (2,7- (2,7- ( 9,9-di-n-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-second butylphenyl) imino) -1,4-phenylene
  • TPD TPD
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B are composed of a red light emitting material, a green light emitting material and a blue light emitting material.
  • Each light emitting material of red light emitting material, green light emitting material and blue light emitting material contains quantum dots.
  • the quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle size of 100 nm or less.
  • the semiconductor fine particles include, for example, at least one selected from the group consisting of a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV compound and a compound having a perovskite structure.
  • the II-VI group compounds include, for example, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgS and HgS. Includes at least one selected from the group consisting of.
  • Group III-V compounds include, for example, at least one selected from the group consisting of GaAs, GaP, InN, InAs, InP and InSb.
  • Group IV compounds include, for example, at least one selected from the group consisting of Si and Ge.
  • the compound having the perovskite structure is, for example, a composite halide perovskite.
  • the composite halide perovskite comprises, for example, at least one selected from the group consisting of Cl, Br and I.
  • the semiconductor fine particles may be semiconductor fine particles made of the crystal, or a semiconductor having a core / shell structure, a core made of the crystal, and a shell material having a wide bandgap, and having a shell overcoating the core. It may be fine particles.
  • each light emitting material includes a polymer organic light emitting material.
  • the edge covers 21RG, 21GB and 21BR are made of an insulator.
  • the first portions 161R, 161G and 161B are present in the central portion of the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, respectively.
  • the second portions 162R, 162G and 162B are present at the edges of the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, respectively. Therefore, the second portions 162R, 162G and 162B are arranged outside the first portions 161R, 161G and 161B, respectively.
  • the first portions 161R, 161G and 161B project upward from the second portions 162R, 162G and 162B, respectively.
  • the step between the first portion 161R and the second portion 162R is formed by the inorganic material structure 13R.
  • the steps of the first portion 161G and the second portion 162G are formed by the inorganic material structure 13G.
  • the steps of the first portion 161B and the second portion 162B are formed by the inorganic material structure 13B.
  • the inorganic material structures 13R, 13G and 13B are arranged below the pixel electrodes 16R, 16G and 16 respectively.
  • the inorganic material structures 13R, 13G and 13B have a first height below the first portions 161R, 161G and 161B, respectively, and a first under the second portions 162R, 162G and 162B. Each has a second height lower than the height.
  • the interlayer insulating film 14 is placed under the first film portions 141R, 141G and 141B and the second portions 162R, 162G and 162B respectively arranged under the first portions 161R, 161G and 161B.
  • the second film portions 142R, 142G and 142B which are arranged respectively, are provided, and the first portions 161R, 161G and 161B project upward from the second portions 162R, 162G and 162B, respectively.
  • the second height may be zero. That is, the inorganic material structures 13R, 13G and 13B may be integrated and arranged under the first portions 161R, 161G and 161B, respectively.
  • the step may be formed by another method.
  • the thickness of the interlayer insulating film 14 becomes thicker on the lower side of the first portions 161R, 161G and 161B, and the thickness of the interlayer insulating film 14 becomes thinner on the lower side of the second portions 162R, 162G and 162B.
  • the interlayer insulating film 14 may be formed by photolithography.
  • the central portion arranged above the first portion 161R constituting the light emitting layer 18R is a convex portion overlapping the first portion 161R.
  • the edge portion arranged on the upper side of the second portion 162R constituting the light emitting layer 18R is a concave portion overlapping the second portion 162R.
  • the concave portion is continuous from the convex portion.
  • the recess is along the entire outer circumference of the light emitting layer 18R.
  • the central portion arranged above the first portion 161G constituting the light emitting layer 18G is a convex portion overlapping with the first portion 161G.
  • the edge portion arranged above the second portion 162G constituting the light emitting layer 18G is a recess that overlaps with the second portion 162G.
  • the concave portion is continuous from the convex portion.
  • the recess is along the entire outer circumference of the light emitting layer 18G.
  • the central portion arranged above the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B is a convex portion overlapping with the first portion 161B.
  • the edge portion arranged on the upper side of the second portion 162B constituting the light emitting layer 18B is a recess that overlaps with the second portion 162B.
  • the concave portion is continuous from the convex portion.
  • the recess is along the entire outer circumference of the light emitting layer 18B.
  • FIG. 6A is an image of the upper surface of the light emitting layer 18R formed so as to straddle the upper side of the convex portion of the base and the upper side of the concave portion of the base.
  • 6B and 6C are cross-sectional views schematically showing a light emitting layer 18R formed so as to continuously straddle the upper side of the convex portion of the base and the upper side of the concave portion of the base.
  • FIG. 6B illustrates a cross section at the position of the cutting line BB drawn in FIG. 6A.
  • FIG. 6C illustrates a cross section at the position of the cutting line CC drawn in FIG. 6A.
  • the light emitting layer 18R when the light emitting layer 18R is formed so as to straddle the upper side of the convex portion of the base and the upper side of the concave portion of the base, the light emitting layer 18R is the central portion of the convex portion. It has a uniform thickness on the upper side, but has a non-uniform thickness on the upper side of the edge portion of the convex portion. Therefore, when the entire portion formed on the upper side of the convex portion constituting the light emitting layer 18R is made to emit light and the entire upper portion of the convex portion is included in the light emitting region 33R that emits red light, the light is emitted. The emission intensity in the region 33R becomes non-uniform. This problem can also occur in the light emitting layers 18G and 18B.
  • the portion having a uniform thickness arranged above the central portion of the first portion 161R constituting the light emitting layer 18R is not covered by the edge covers 21BR and 21RG. Therefore, the light emitting region 33R that emits red light is limited to the portion having the uniform thickness. As a result, it is suppressed that the current is concentrated on the portion having a thin thickness arranged above the edge portion of the first portion 161R constituting the light emitting layer 18R, and the emission intensity in the light emitting region 33R is uniform. Can be.
  • the edge covers 21RG and 21GB are arranged so as to straddle the upper side of the edge portion of the first portion 161G and the upper side of the second portion 162G.
  • an opening 21G is formed on the upper side of the central portion of the first portion 161G.
  • the opening 21G does not overlap with the second portion 162G.
  • the portion having a non-uniform thickness arranged above the edge portion of the first portion 161G constituting the light emitting layer 18G is covered with the edge covers 21RG and 21GB.
  • the portion having a uniform thickness arranged above the central portion of the first portion 161G constituting the light emitting layer 18G is not covered by the edge covers 21RG and 21GB.
  • the light emitting region 33G that emits green light is limited to the portion having the uniform thickness. As a result, it is suppressed that the current is concentrated on the portion having a thin thickness arranged above the edge portion of the first portion 161G constituting the light emitting layer 18G, and the emission intensity in the light emitting region 33G is uniform. Can be.
  • the edge covers 21GB and 21BR are arranged so as to straddle the upper side of the edge portion of the first portion 161B and the upper side of the second portion 162B.
  • an opening 21B is formed on the upper side of the central portion of the first portion 161B.
  • the opening 21B does not overlap with the second portion 162B.
  • the portion having a non-uniform thickness arranged above the edge portion of the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B is covered with the edge covers 21GB and 21BR.
  • the portion having a uniform thickness arranged above the central portion of the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B is not covered by the edge covers 21GB and 21BR.
  • the light emitting region 33B that emits blue light is limited to the portion having the uniform thickness. As a result, it is suppressed that the current is concentrated on the portion having a thin thickness arranged above the edge portion of the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B, and the light emitting intensity in the light emitting region 33B is uniform. Can be.
  • the edge covers 21BR and 21RG cover the edge 161RE of the first portion 161R forming the boundary between the first portion 161R and the second portion 162R.
  • the edge 161RE of the first portion 161R which is easily deteriorated, is separated from the common electrode 20.
  • the edge covers 21RG and 21GB cover the edge 161GE of the first portion 161G forming the boundary between the first portion 161G and the second portion 162G.
  • the edge 161GE of the first portion 161G which is easily deteriorated, is separated from the common electrode 20. This makes it possible to prevent the pixel electrode 16G from deteriorating.
  • the edge covers 21BR and 21RG cover the boundary between the convex portion of the light emitting layer 18R and the concave portion of the light emitting layer 18R and the concave portion of the light emitting layer 18R.
  • the edge covers 21RG and 21GB cover the boundary between the convex portion of the light emitting layer 18G and the concave portion of the light emitting layer 18G and the concave portion of the light emitting layer 18G.
  • the edge covers 21GB and 21BR cover the boundary between the convex portion of the light emitting layer 18B and the concave portion of the light emitting layer 18B and the concave portion of the light emitting layer 18B.
  • the contact holes 14R, 14G and 14B are arranged outside the second portions 162R, 162G and 162B, respectively. As a result, it is possible to prevent the contact holes 14R, 14G and 14B from interfering with the light emitting layers 18R, 18G and 18B, respectively.
  • the edge covers 21RG, 21GB and 21BR may not have liquid repellency and may have liquor property. Further, the second portions 162R, 162G and 162B may not be flattened by the light emitting layers 18R, 18G and 18B.
  • the two light emitting layers arranged in two pixels adjacent to each other are separated from each other.
  • the light emitting layers 18R and 18G arranged in the pixels R and G, respectively are separated from each other.
  • the light emitting layers 18G and 18B arranged in the pixels G and B, respectively are separated from each other.
  • the light emitting layers 18B and 18R arranged in the pixels B and R, respectively are separated from each other. This makes it possible to suppress crosstalk between the two pixels via the two light emitting layers.
  • the edge portions of the two light emitting layers arranged in the two pixels adjacent to each other overlap each other.
  • the edge portions of the light emitting layers 18R and 18G arranged in the pixels R and G, respectively overlap each other.
  • the edge portions of the light emitting layers 18G and 18B arranged in the pixels G and B, respectively overlap each other.
  • the edge portions of the light emitting layers 18B and 18R arranged in the pixels B and R, respectively overlap each other.
  • the planar shapes of the light emitting layers 18R, 18G and 18B can be increased. Thereby, even when the display device 1 has a high resolution, the light emitting layers 18R, 18G and 18B can be formed by patterning.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a pixel R provided in the display device 1p of the modification of the first embodiment.
  • the inorganic material structure 13R is arranged below the first element 131R and the second portion 162R arranged below the first portion 161R.
  • a second element 132R is provided.
  • the number of the second element 132R is smaller than the number of the first element 131R.
  • the first element 131R includes at least one selected from the group consisting of a first switching element, a first capacitor, and a first wiring.
  • the second element 132R includes at least one selected from the group consisting of a second switching element, a second capacitor and a second wiring.
  • the first portion 161G is second due to the inorganic material structure 13G, just as the first portion 161R is projected upward from the second portion 162R by the inorganic material structure 13R. It is projected upward from the portion 162G. Further, the inorganic material structure 13B causes the first portion 161B to project upward from the second portion 162B.
  • the manufacturing method of the display device 1 includes steps S101 to S116.
  • step S101 the array substrate 25 shown in FIG. 11 is prepared.
  • the array substrate 25 serves as a base substrate.
  • the photoresist film 41R shown in FIG. 11 is formed.
  • the photoresist film 41R is formed on the array substrate 25 so as to be superimposed on the pixel electrodes 16R, 16G and 16B.
  • the photoresist film 41R is made of a positive resist.
  • the positive resist becomes soluble in a developer when irradiated with photosensitive rays.
  • the photosensitive line is an ultraviolet ray, an electron beam, or the like.
  • the developer is an alkaline solution or the like.
  • the developer may contain a surfactant.
  • the positive resist is made of a material that is insoluble in the solvent contained in the coating liquid applied to form the light emitting material layer 44R described below.
  • the photoresist film 41R is formed by applying a coating liquid containing a positive resist and a solvent to a surface to be coated to form a coating film, and evaporating the solvent from the formed coating film by heating.
  • the coating liquid is TFR1000 or the like manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.
  • the coating liquid is applied by die coating, inkjet, spin coating or the like.
  • the photoresist film 41R is exposed via the mask 42R shown in FIG. Further, the exposed photoresist film 41R is developed. At that time, the photosensitive line is irradiated to the portion formed on the upper side of the pixel electrode 16R constituting the photoresist film 41R. Further, the portion irradiated with the photosensitive line is dissolved in the developing solution.
  • the light emitting material layer 44R shown in FIG. 12 is formed.
  • the light emitting material layer 44R is formed on the array substrate 25 so as to be superimposed on the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the release layer 43R.
  • the light emitting material layer 44R is formed so as to straddle the upper side of the first portion 161R, the upper side of the second portion 162R, and the upper side of the release layer 43R.
  • the light emitting material layer 44R is formed by applying a coating liquid containing a red light emitting material and a solvent to a surface to be coated to form a coating film, and evaporating the solvent from the formed coating film by heating.
  • the solvent is octane or the like.
  • the light emitting material layer 44R is an aggregate of nanoparticles. Therefore, when the red light emitting material is mainly composed of quantum dots, the light emitting material layer 44R can transmit the photosensitive line and the developing solution. Therefore, when the red light emitting material is mainly composed of quantum dots, the photosensitive line transmitted through the light emitting material layer 44R can be irradiated to the peeling layer 43R, and the peeling layer 43R is formed by the developing solution transmitted through the light emitting material layer 44R. Can be dissolved. Therefore, when the red light emitting material is mainly composed of quantum dots, the light emitting material layer 44R does not inhibit the peeling of the peeling layer 43R.
  • the light emitting material layer 44R is torn at the side wall portion of the opening, and the torn portion is formed. Is formed, the developing solution is infiltrated from the torn portion, and the peeling layer 43R can be dissolved by the developing solution. Therefore, the light emitting material layer 44R does not inhibit the peeling of the peeling layer 43R.
  • the photoresist film 41G shown in FIG. 14 is formed.
  • the photoresist film 41G is formed on the array substrate 25 so as to be superimposed on the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the light emitting layer 18R.
  • the photoresist film 41G can be made of the same material as the material constituting the photoresist film 41R, and can be formed by the same method as the method for forming the photoresist film 41R.
  • the release layer 43G shown in FIG. 15 is formed by steps S107 and S108.
  • the release layer 43G is formed on the outside of the second portion 162G.
  • An opening is formed in the release layer 43G, which serves as a template for lift-off.
  • a second portion 162G is arranged inside the opening.
  • the edge 16GE of the pixel electrode 16G may be arranged inside the opening.
  • the light emitting material layer 44G shown in FIG. 15 is formed.
  • the light emitting material layer 44G is formed on the array substrate 25 by being superposed on the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, the light emitting layer 18R and the peeling layer 43G.
  • the light emitting material layer 44G is formed so as to straddle the upper side of the first portion 161G, the upper side of the second portion 162G, and the upper side of the release layer 43G.
  • the light emitting material layer 44G is formed by the same method as the method for forming the light emitting material layer 44R.
  • the portion formed on the upper side of the release layer 43G constituting the release layer 43G and the light emitting material layer 44G is lifted off.
  • the release layer 43G is irradiated with a photosensitive ray.
  • the peeling layer 43G irradiated with the photosensitive line is dissolved in the developing solution.
  • the light emitting layer 18G shown in FIG. 16 is formed from the light emitting material layer 44G.
  • the light emitting layer 18G is formed so as to straddle the upper side of the first portion 161G and the second portion 162G.
  • the light emitting material layer 44G does not inhibit the peeling of the peeling layer 43G.
  • the cross-sectional shape of the opening formed in the release layer 43G by dissolving a part of the photoresist film 41G into a reverse taper shape, the light emitting material layer 44G is torn at the side wall portion of the opening, and the torn portion is formed. Is formed, the developing solution is infiltrated from the torn portion, and the peeling layer 43G can be dissolved by the developing solution. Therefore, the light emitting material layer 44G does not inhibit the peeling of the peeling layer 43G.
  • the light emitting material layer 44G is patterned by the lift-off process to form the light emitting layer 18G.
  • the photoresist film 41B shown in FIG. 17 is formed.
  • the photoresist film 41B is formed on the array substrate 25 by superimposing the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the light emitting layers 18R and 18G.
  • the photoresist film 41B can be made of the same material as the material constituting the photoresist film 41R, and can be formed by the same method as the method for forming the photoresist film 41R.
  • the photoresist film 41B is exposed via the mask 42B shown in FIG. Further, the exposed photoresist film 41B is developed. At that time, the photosensitive line is irradiated to the portion formed on the upper side of the pixel electrode 16B constituting the photoresist film 41B. Further, the portion irradiated with the photosensitive line is dissolved in the developing solution.
  • the release layer 43B shown in FIG. 18 is formed by the steps S111 and S112.
  • the release layer 43B is formed on the outside of the second portion 162B.
  • An opening is formed in the release layer 43B, which serves as a template for lift-off.
  • a second portion 162B is arranged inside the opening.
  • the edge 16BE of the pixel electrode 16B may be arranged inside the opening.
  • the light emitting material layer 44B shown in FIG. 18 is formed.
  • the light emitting material layer 44B is formed on the array substrate 25 by being superposed on the pixel electrodes 16R, 16G and 16B, the light emitting layers 18R and 18G, and the peeling layer 43B.
  • the light emitting material layer 44B is formed so as to straddle the upper side of the first portion 161B, the upper side of the second portion 162B, and the upper side of the release layer 43B.
  • the light emitting material layer 44B is formed by the same method as the method for forming the light emitting material layer 44R.
  • the portion formed on the upper side of the release layer 43B constituting the release layer 43B and the light emitting material layer 44B is lifted off.
  • the release layer 43B is irradiated with a photosensitive ray.
  • the peeling layer 43B irradiated with the photosensitive line is dissolved in the developing solution.
  • the light emitting layer 18B shown in FIG. 19 is formed from the light emitting material layer 44B.
  • the light emitting layer 18B is formed so as to straddle the upper side of the first portion 161B and the upper side of the second portion 162B.
  • the light emitting material layer 44B does not inhibit the peeling of the peeling layer 43B.
  • the light emitting material layer 44B is torn at the side wall portion of the opening, and the torn portion is formed. Is formed, the developing solution is infiltrated from the torn portion, and the peeling layer 43B can be dissolved by the developing solution. Therefore, the light emitting material layer 44B does not inhibit the peeling of the peeling layer 43B.
  • the edge covers 21RG, 21GB and 21BR shown in FIGS. 3 and 4 are formed.
  • the edge covers 21RG, 21GB and 21BR are formed on the array substrate 25 by superimposing the pixel electrodes 16R, 16G and 16B and the light emitting layers 18R, 18G and 18B.
  • the edge covers 21RG, 21GB and 21BR are formed by photolithography.
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B may be formed by a process other than the lift-off process.
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B may be formed by a mixed material (QD-PR) of quantum dots and photoresist.
  • QD-PR mixed material
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B can be directly formed by patterning by photolithography.
  • the display device 2 includes a first edge cover 21RG, 21GB and 21BR and a second edge cover 22RG, 22GB and 22BR.
  • the first edge covers 21RG, 21GB and 21BR provided in the display device 2 have the same roles as the roles of the edge covers 21RG, 21GB and 21BR provided in the display device 1, respectively.
  • the first edge covers 21BR and 21RG are arranged so as to straddle the upper side of the edge portion of the first portion 161R and the upper side of the second portion 162R. Further, in the first edge covers 21BR and 21RG, an opening 21R is formed on the upper side of the central portion of the first portion 161R. Further, the first edge covers 21BR and 21RG cover the edge 161RE of the first portion 161R. As a result, the portion having a non-uniform thickness arranged above the edge portion of the first portion 161R constituting the light emitting layer 18R is covered with the first edge covers 21BR and 21RG.
  • the portion having a uniform thickness arranged above the central portion of the first portion 161R constituting the light emitting layer 18R is not covered by the first edge covers 21BR and 21RG. Therefore, the light emitting region 33R is limited to the portion having the uniform thickness. As a result, the emission intensity in the emission region 33R can be made uniform.
  • the first edge covers 21RG and 21GB are arranged so as to straddle the upper side of the edge portion of the first portion 161G and the upper side of the second portion 162G. Further, in the first edge covers 21RG and 21GB, an opening 21G is formed on the upper side of the central portion of the first portion 161G. Further, the first edge covers 21RG and 21GB cover the edge 161GE of the first portion 161G. As a result, the portion having a non-uniform thickness arranged above the edge portion of the first portion 161G constituting the light emitting layer 18G is covered with the first edge covers 21RG and 21GB.
  • the first edge covers 21GB and 21BR are arranged so as to straddle the upper side of the edge portion of the first portion 161B and the upper side of the second portion 162B. Further, in the first edge covers 21GB and 21BR, an opening 21B is formed on the upper side of the central portion of the first portion 161B. Further, the first edge covers 21GB and 21BR cover the edge 161BE of the first portion 161B. As a result, the portion having a non-uniform thickness arranged above the edge portion of the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B is covered with the first edge covers 21GB and 21BR.
  • the portion having a uniform thickness arranged above the central portion of the first portion 161B constituting the light emitting layer 18B is not covered by the first edge covers 21GB and 21BR. Therefore, the light emitting region 33B is limited to the portion having the uniform thickness. As a result, the emission intensity in the emission region 33B can be made uniform.
  • the edge 18RE of the light emitting layer 18R rides on the second edge covers 22BR and 22RG. Therefore, the second edge covers 22BR and 22RG are arranged below the edge 18RE of the light emitting layer 18R. Further, the second edge covers 22BR and 22RG cover the edge 16RE of the pixel electrode 16R.
  • the edge 18GE of the light emitting layer 18G rides on the second edge covers 22RG and 22GB. Therefore, the second edge covers 22RG and 22GB are arranged below the edge 18GE of the light emitting layer 18G. Further, the second edge covers 22RG and 22GB cover the edge 16GE of the pixel electrode 16G.
  • the edge 18BE of the light emitting layer 18B rides on the second edge covers 22GB and 22BR. Therefore, the second edge covers 22GB and 22BR are arranged below the edge 18BE of the light emitting layer 18B. Further, the second edge covers 22GB and 22BR cover the edge 16BE of the pixel electrode 16B.
  • the upper surfaces of the second edge covers 22BR and 22RG are flat. Further, as described above, the edge 18RE of the light emitting layer 18R rides on the upper surfaces of the second edge covers 22BR and 22RG. Thereby, the light emitting layer 18R can be formed by patterning in which the edge 18RE of the light emitting layer 18R is arranged on the upper surfaces of the second edge covers 22BR and 22RG which are flat. Therefore, it is easy to form the light emitting layer 18R by patterning.
  • the upper surfaces of the second edge covers 22RG and 22GB are flat.
  • the edge 18GE of the light emitting layer 18G rides on the upper surfaces of the second edge covers 22RG and 22GB.
  • the light emitting layer 18G can be formed by patterning in which the edge 18GE of the light emitting layer 18G is arranged on the upper surfaces of the second edge covers 22RG and 22GB which are flat. Therefore, it is easy to form the light emitting layer 18G by patterning.
  • the light emitting layers 18R, 18G and 18B can be separately painted by the inkjet method.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 3 of the third embodiment.
  • the light emitting layer 18B having a color different from the colors of the light emitting layers 18R and 18G is arranged so as to straddle the upper side of the pixel electrode 16B, the upper side of the edge cover 21RG, the upper side of the edge cover 21GB, and the upper side of the edge cover 21BR. Will be done.
  • the thickness of the light emitting layer 18B can be made uniform by forming the light emitting material layer 44B by thin film deposition.
  • a solution containing an organic compound is used as a vapor deposition source when the light emitting material layer 44B is formed by vapor deposition
  • the light emitting material layer 44B can be formed by mist deposition.
  • the quantum dot solution is atomized to form a mist containing the quantum dots, and the formed mist is adhered to the formed surface to form the formed surface.
  • a film containing quantum dots is formed in.
  • the present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and is substantially the same as the configuration shown in the above-described embodiment, a configuration having the same action and effect, or a configuration capable of achieving the same purpose. May be replaced with.

Landscapes

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Abstract

表示装置は、基板と、前記基板の上に配置され、第１の部分と、前記第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を備え、前記第１の部分が前記第２の部分より前記基板寄りの第１の側と反対の第２の側に突出する画素電極と、前記第１の部分の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置される発光層と、前記第１の部分の辺縁部の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置され、前記第１の部分の中心部の前記第２の側に開口が形成され、前記第１の部分のエッジを覆う第１のエッジカバーと、前記第１のエッジカバーよりも前記第２の側に配置される部分を備え、前記発光層を挟んで前記画素電極に対向する対向電極と、を備える。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法
　本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
　特許文献１に記載された技術は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する（段落００３６）。
　当該製造方法においては、段差が形成された下地層が形成される（段落００３８）。
　続いて、各画素を分離する隔壁が形成される（段落００２５及び００３８）。隔壁から露出した下地層の有効部には、段差により、中央部及び中央部より窪んだ凹部が形成されている（段落００３９）。隔壁の表面は、有機活性層を形成するための高分子系材料に対して撥液性を有する（段落００２５及び００３８）。
　続いて、下地層の有効部に向けて液状材料が塗布されて塗布層が形成される（段落００２７及び００４０）。
　続いて、塗布層が加熱乾燥させられて発光層を含む有機活性層が形成される（段落００２３及び００４０）。
　当該製造方法によれば、下地層の有効部に向けて液状材料が塗布される際に、隔壁に乗り上げた液状材料及び下地層の有効部の中央部に到達した液状材料が、下地層の有効部の凹部に向かって流れ落ちやすくなる（段落００２７）。このため、有機活性層の周辺部の薄膜化を抑制することができる（段落００２７）。これにより、ふたつの電極の間にショートが発生することを防止することができる（段落００２８）。また、有機活性層の薄膜化した部分への電流集中による寿命の低下を抑制することができる（段落００２８）。
特開２００８－２３４９３２号公報
　上述した製造方法によれば、有機活性層の周辺部の薄膜化をある程度は抑制することができる。しかし、発光層を構成する、下地層の有効部の中央部の上に形成された部分の辺縁部の厚さを均一化することができないため、当該部分に電流が集中し、発光層の全体を均一に発光させることができない。
　この問題は、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置においても生じる。
　本開示は、この問題に鑑みてなされた。本開示は、発光領域内の発光強度を均一にすることができる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一形態の表示装置は、基板と、前記基板の上に配置され、第１の部分と、前記第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を備え、前記第１の部分が前記第２の部分より前記基板寄りの第１の側と反対の第２の側に突出する画素電極と、前記第１の部分の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置される発光層と、前記第１の部分の辺縁部の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置され、前記第１の部分の中心部の前記第２の側に開口が形成され、前記第１の部分のエッジを覆う第１のエッジカバーと、前記第１のエッジカバーよりも前記第２の側に配置される部分を備え、前記発光層を挟んで前記画素電極に対向する対向電極と、を備える。
　本開示の他の一形態の表示装置の製造方法は、a) 基板を準備する工程と、b) 前記基板の上に配置され、第１の部分と、前記第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を備え、前記第１の部分が前記第２の部分より前記基板寄りの第１の側と反対の第２の側に突出する画素電極を形成する工程と、c) 前記第２の部分の外側に剥離層を形成する工程と、d) 前記第１の部分の前記第２の側、前記第２の部分の前記第２の側及び前記剥離層の前記第２の側に跨って発光材料層を形成する工程と、e) 前記剥離層と、前記発光材料層を構成する、前記剥離層の前記第２の側に形成された部分と、をリフトオフして、前記発光材料層から前記第１の部分の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置される発光層を形成する工程と、f) 前記第１の部分の辺縁部の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って、前記第１の部分の中心部の前記第２の側に配置される開口を有し前記画素電極のエッジを覆うエッジカバーを形成する工程と、を備える。
第１実施形態の表示装置を模式的に図示する平面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する平面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の変形例の表示装置に備えられる機能層の付近を模式的に図示する拡大断面図である。 下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に跨って形成された発光層の上面の画像である。 下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に跨って形成された発光層を模式的に図示する断面図である。 下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に跨って形成された発光層を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の変形例の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の変形例の表示装置に備えられる画素を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態の表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第３実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 表示装置において基板の上に撥液性バンク及び発光層が形成された状態を模式的に図示する断面図である。 表示装置において基板の上に撥液性バンク及び発光層が形成された状態を模式的に図示する断面図である。 表示装置において基板の上に親液性バンク及び発光層が形成された状態を模式的に図示する断面図である。 リフトオフプロセスにより作製されたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の断面走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）像である。 リフトオフプロセスにより作製されたＥＬ素子がＥＬ発光を行っている状態を示す平面像である。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　１　バンクの特性による塗布液の濡れ方についての一般論
　図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置において基板９１の上に撥液性バンク９２及び発光層９４が形成された状態を模式的に図示する断面図である。図２２Ａは、発光層９４を形成するために塗布される塗布液の量が少ない場合を示す。図２２Ｂは、発光層９４を形成するために塗布される塗布液の量が多い場合を示す。
　図２２Ａに図示されるように、基板９１の上に撥液性バンク９２及び発光層９４が形成され、発光層９４を形成するために塗布される塗布液の量が少ない場合は、発光層９４の中心部の厚さが厚くなり、発光層９４の辺縁部の厚さが薄くなる。
　図２２Ｂに図示されるように、基板９１の上に撥液性バンク９２及び発光層９４が形成され、発光層９４を形成するために塗布される塗布液の量が多い場合は、発光層９４の中心部の厚さが薄くなり、発光層９４の辺縁部の厚さが厚くなる。また、発光層９４を構成する材料と同じ材料により構成される付着物９５が撥液性バンク９２の上に形成される。付着物９５は、撥液性バンク９２に対して大きな接触角を有する。
　多層塗が行われて撥液性バンク９２の上に発光層９４以外の層が形成される場合は、撥液性バンク９２が撥液性を有しても発光層９４の下地が撥液性を有するとは限らない。また、撥液性バンク９２が高い撥液性を有する場合は、発光層９４の撥液性バンク９２に対する密着性が低下する。また、表示装置が高い解像度を有する場合は、発光層９４を形成するために塗布される塗布液が撥液性バンク９２にはじかれて発光層９４を撥液性バンク９２の開口の内部に形成することが困難になる。
　図２２Ｃは、表示装置において基板９１の上に親液性バンク９３及び発光層９４が形成された状態を模式的に図示する断面図である。
　図２２Ｃに図示されるように、基板９１の上に親液性バンク９３及び発光層９４が形成された場合は、発光層９４の中心部の厚さが薄くなり、発光層９４の辺縁部の厚さが厚くなる。また、発光層９４を構成する材料と同じ材料により構成される付着物９５が親液性バンク９３の上に形成される。付着物９５は、親液性バンク９３に対して小さな接触角しか有しない。このため、付着物９５は、親液性バンク９３により形成される凸部のコーナーまで広がる。
　図２３は、リフトオフプロセスにより作製されたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の断面走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）像である。当該ＳＴＥＭ像は、横方向のサイズが１／３に圧縮されている。図２４は、当該ＥＬ素子がＥＬ発光を行っている状態を示す平面像である。
　図２３に図示されるように、当該ＥＬ素子は、基板９０１、画素電極９０２、ホール注入層９０３、ホール輸送層９０４、発光層９０５、電子輸送層９０６、共通電極９０７及び親水性バンク９０８を備える。
　当該ＥＬ素子は、ホール注入層９０３、ホール輸送層９０４、発光層９０５及び電子輸送層９０６からなる機能層の厚さが１２０ｎｍとなるように設計されている。しかし、当該ＥＬ素子においては、発光領域内において機能層の厚さが不均一となっている。具体的には、画素中央部において機能層の厚さが薄くなっており、画素エッジ部において機能層の厚さが厚くなっている。その結果として、画素中央部における機能層の厚さと画素エッジ部における機能層の厚さとの間に約５０ｎｍの差が生じている。このように発光領域内において機能層の厚さが不均一となった場合は、発光領域内において電流密度が不均一になり、図２４に示されるように発光領域内において発光強度が不均一になり、高い電流密度を有する部分の劣化が進む。具体的には、機能層の厚さが薄くなる画素中央部の電流密度が高くなり、当該画素中央部の発光強度が強くなり、当該画素中央部の劣化が進む。
　２　第１実施形態
　２．１　表示装置の平面構造
　図１は、第１実施形態の表示装置１を模式的に図示する平面図である。
　表示装置１は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示装置等である。以下では、表示装置１がＱＬＥＤ表示装置であるとする。
　図１に図示されるように、表示装置１は、複数の画素Ｐを備える。
　複数の画素Ｐは、マトリクス状に配列される。複数の画素Ｐが非マトリクス状に配列されてもよい。
　２．２　画素の平面構造及び断面構造
　図２は、第１実施形態の表示装置１に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する平面図である。図３及び図４は、第１実施形態の表示装置１に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。図３は、図２に描かれた切断線ＩＩＩ－ＩＩＩの位置における断面を図示する。図４は、図２に描かれた切断線ＩＶ－ＩＶの位置における断面を図示する。
　図２、図３及び図４に図示されるように、表示装置１は、画素Ｒ，Ｇ及びＢを備える。画素Ｒ，Ｇ及びＢは、複数の画素Ｐに含まれる各画素Ｐに備えられるサブ画素である。このため、各画素Ｐは、赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する３個のサブ画素を備える。各画素Ｐに備えられるサブ画素の数が３個から増減されてもよい。この場合は、各画素Ｐが、赤色、緑色及び青色以外の色の光を発するサブ画素を備えてもよく、同じ色の光を発する複数のサブ画素を備えてもよい。
　画素Ｒ，Ｇ及びＢは、赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する。画素Ｒ，Ｇ及びＢが、赤色、緑色及び青色と異なる色の光をそれぞれ発してもよい。
　各画素Ｐに備えられるふたつの画素Ｒ及びＧは、互いに隣接する。各画素Ｐに備えられるふたつの画素Ｇ及びＢは、互いに隣接する。隣接するふたつの画素Ｐにそれぞれ備えられるふたつの画素Ｂ及びＲは、互いに隣接する。
　図２、図３及び図４に図示されるように、表示装置１は、基板１１、配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂ、層間絶縁膜１４、接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂ、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂ並びに共通電極２０を備える。基板１１、配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂ、層間絶縁膜１４並びに接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂは、アレイ基板２５を構成する。
　基板１１、層間絶縁膜１４及び共通電極２０は、複数の画素Ｐに跨って配置される。配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂ、接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂ、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂは、各画素Ｐに配置される。
　基板１１、層間絶縁膜１４及び共通電極２０は、画素Ｒ，Ｇ及びＢに跨って配置される。配線１２Ｒ、無機材料構造物１３Ｒ、接続導体１５Ｒ、画素電極１６Ｒ及び発光層１８Ｒは、画素Ｒに配置される。配線１２Ｇ、無機材料構造物１３Ｇ、接続導体１５Ｇ、画素電極１６Ｇ及び発光層１８Ｇは、画素Ｇに配置される。配線１２Ｂ、無機材料構造物１３Ｂ、接続導体１５Ｂ、画素電極１６Ｂ及び発光層１８Ｂは、画素Ｂに配置される。
　図３及び図４に図示されるように、表示装置１は、エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲを備える。
　エッジカバー２１ＲＧは、画素Ｒと画素Ｇとを区画する。エッジカバー２１ＧＢは、画素Ｇと画素Ｂとを区画する。エッジカバー２１ＢＲは、画素Ｂと画素Ｒとを区画する。
　基板１１、配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂ、層間絶縁膜１４、接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂ、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂ並びに共通電極２０は、基板１１の上に配置される。
　以下では、基板１１の上に配置される要素の基板１１寄りの第１の側を当該要素の下側という。また、当該要素の第１の側と反対の当該要素の第２の側を当該要素の上側という。
　配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ並びに無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂは、基板１１の上側に配置される。層間絶縁膜１４は、配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂ並びに無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂに重ねて基板１１の上側に配置される。層間絶縁膜１４には、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂが形成される。接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂは、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂの内部にそれぞれ配置される。画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、層間絶縁膜１４の上側に配置される。配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂは、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂの下側に配置される部分をそれぞれ備える。接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂは、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂの下側の端部の付近において配線１２Ｒ，１２Ｇ及び１２Ｂにそれぞれ接続される。これにより、接続導体１５Ｒは、画素電極１６Ｒと配線１２Ｒとを互いに電気的に接続する。接続導体１５Ｇは、画素電極１６Ｇと配線１２Ｇとを互いに電気的に接続する。接続導体１５Ｂは、画素電極１６Ｂと配線１２Ｂとを互いに電気的に接続する。
　表示装置１においては、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂは、スイッチング素子である。スイッチング素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等である。画素電極１６Ｒは、接続導体１５Ｒ及び配線１２Ｒを介してスイッチング素子１３Ｒに電気的に接続される。画素電極１６Ｇは、接続導体１５Ｇ及び配線１２Ｇを介してスイッチング素子１３Ｇに電気的に接続される。画素電極１６Ｂは、接続導体１５Ｂ及び配線１２Ｂを介してスイッチング素子１３Ｂに電気的に接続される。
　発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂの上側にそれぞれ配置される。エッジカバー２１ＲＧは、画素電極１６Ｒのエッジ１６ＲＥの上側、発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥの上側、画素電極１６Ｇのエッジ１６ＧＥの上側及び発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥの上側に跨って配置される。エッジカバー２１ＧＢは、画素電極１６Ｇのエッジ１６ＧＥの上側、発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥの上側、画素電極１６Ｂのエッジ１６ＢＥの上側及び発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥの上側に跨って配置される。エッジカバー２１ＢＲは、画素電極１６Ｂのエッジ１６ＢＥの上側、発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥの上側、画素電極１６Ｒのエッジ１６ＲＥの上側及び発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥの上側に跨って配置される。共通電極２０は、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂの上側並びにエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲの上側に跨って配置される。このため、共通電極２０は、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂの上側に配置される部分を備え、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂを挟んで画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂにそれぞれ対向する対向電極となる。また、共通電極２０は、エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲの上側に配置される部分を備える。このため、エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂと共通電極２０との間に配置される部分を備える。
　２．３　発光素子の発光
　画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂにそれぞれ電気的に接続される。これにより、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂから発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂに第１電荷をそれぞれ注入することができる。
　共通電極２０は、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂに電気的に接続される。これにより、共通電極２０から発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂに第２電荷を注入することができる。
　画素電極１６Ｒと共通電極２０との間に電位差が与えられた場合は、画素電極１６Ｒから発光層１８Ｒに第１電荷が注入される。また、共通電極２０から発光層１８Ｒに第２電荷が注入される。その結果、発光層１８Ｒにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合する。このため、発光層１８Ｒが赤色の光を発する。画素電極１６Ｇと共通電極２０との間に電位差が与えられた場合は、画素電極１６Ｇから発光層１８Ｇに第１電荷が注入される。また、共通電極２０から発光層１８Ｇに第２電荷が注入される。その結果、発光層１８Ｇにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合する。このため、発光層１８Ｇが緑色の光を発する。画素電極１６Ｂと共通電極２０との間に電位差が与えられた場合は、画素電極１６Ｂから発光層１８Ｂに第１電荷が注入される。また、共通電極２０から発光層１８Ｂに第２電荷が注入される。その結果、発光層１８Ｂにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合する。このため、発光層１８Ｂが青色の光を発する。
　２．４　インバート構造及びコンベンショナル構造
　表示装置１は、インバート構造又はコンベンショナル構造を有する。
　表示装置１がインバート構造を有する場合は、第１電荷は、電子である。また、第２電荷は、正孔である。また、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、陰極である。また、共通電極２０は、陽極である。
　表示装置１がコンベンショナル構造を有する場合は、第１電荷は、正孔である。また、第２電荷は、電子である。また、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、陽極である。また、共通電極２０は、陰極である。
　２．５　機能層
　図５は、第１実施形態の変形例の表示装置１ｍに備えられる機能層の付近を模式的に図示する拡大断面図である。
　図５に図示されるように、表示装置１ｍは、機能層１７及び１９を備える。
　機能層１７は、画素電極１６Ｒと発光層１８Ｒとの間、画素電極１６Ｇと発光層１８Ｇとの間及び画素電極１６Ｂと発光層１８Ｂとの間に跨って配置され、第１電荷を輸送する。機能層１９は、発光層１８Ｒと共通電極２０との間、発光層１８Ｇと共通電極２０との間及び発光層１８Ｂと共通電極２０との間に跨って配置され、第２電荷を輸送する。
　図５に図示されるように、機能層１７は、電荷注入層１７１、電荷輸送層１７２及び電荷ブロッキング層１７３からなる群より選択される少なくとも１種を含む。機能層１９は、電荷注入層１９１、電荷輸送層１９２及び電荷ブロッキング層１９３からなる群より選択される少なくとも１種を含む。
　表示装置１ｍがインバート構造を有する場合は、電荷注入層１７１、電荷輸送層１７２及び電荷ブロッキング層１７３は、それぞれ電子注入層、電子輸送層及び電子ブロッキング層である。また、電荷注入層１９１、電荷輸送層１９２及び電荷ブロッキング層１９３は、それぞれ正孔注入層、正孔輸送層及び正孔ブロッキング層である。
　表示装置１ｍがコンベンショナル構造を有する場合は、電荷注入層１７１、電荷輸送層１７２及び電荷ブロッキング層１７３は、それぞれ正孔注入層、正孔輸送層及び正孔ブロッキング層である。また、電荷注入層１９１、電荷輸送層１９２及び電荷ブロッキング層１９３は、それぞれ電子注入層、電子輸送層及び電子ブロッキング層である。
　機能層１７及び１９は、パターニングされていない。これにより、機能層１７は、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂの下側の全体に渡って配置され、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂの下地となる。これにより、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂが配置される範囲の全体において、下述する発光材料層４４Ｒ，４４Ｇ及び４４Ｂの下地に対する濡れ性が均一になる。これにより、発光材料層４４Ｒ，４４Ｇ及び４４Ｂを塗布により形成し、発光材料層４４Ｒ，４４Ｇ及び４４Ｂをパターニングすることにより発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂを形成することが、容易になる。
　２．６　各層を構成する材料
　画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに共通電極２０は、導電性材料により構成される。導電性材料は、例えば、金属及び透明導電性酸化物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。金属は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも１種を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）及びホウ素亜鉛酸化物（ＢＺＯ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む。画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに共通電極２０の各電極は、１種の導電性材料により構成されるひとつの層であってもよいし、互いに異なる２種以上の導電性材料からなるふたつ以上の層の積層体であってもよい。ふたつ以上の層が、金属からなる層及び透明導電性酸化物からなる層の両方を含んでもよい。
　電子輸送層は、電子輸送性材料により構成される。電子輸送性材料は、例えば、酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化チタン及び酸化ストロンチウムチタンからなる群より選択される少なくとも１種を含む。酸化亜鉛は、例えば、ＺｎＯである。酸化チタンは、例えば、ＴｉＯ２である。酸化ストロンチウムチタンは、例えば、ＳｒＴｉＯ３である。電子輸送性材料は、１種の物質からなる電子輸送性材料であってもよいし、２種以上の物質の混合物からなる電子輸送性材料であってもよい。
　正孔輸送層は、正孔輸送性材料により構成される。正孔輸送性材料は、例えば、正孔輸送性無機材料及び正孔輸送性有機材料からなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性無機材料は、例えば、金属の酸化物、窒化物及び炭化物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。金属は、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒ及びＭｏからなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性有機材料は、４,４´，４´´－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４´－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４´－ビス（カルバゾル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン）－（１，４－フェニレン－（（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸)（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性材料は、１種の物質からなる正孔輸送性材料であってもよいし、２種以上の物質の混合物からなる正孔輸送性材料であってもよい。
　発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂは、赤色発光材料、緑色発光材料及び青色発光材料により構成される。赤色発光材料、緑色発光材料及び青色発光材料の各発光材料は、量子ドットを含む。当該量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子径を有する半導体微粒子である。当該半導体微粒子は、例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ族化合物及びペロブスカイト構造を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＩ－ＶＩ族化合物は、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅからなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＳｂからなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＶ族化合物は、例えば、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選択される少なくとも１種を含む。当該半導体微粒子がペロブスカイト構造を有する化合物からなる場合は、当該ペロブスカイト構造を有する化合物は、例えば、複合ハロゲン化物ペロブスカイトである。当該複合ハロゲン化物ペロブスカイトは、例えば、Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも１種を含む。当該半導体微粒子は、当該結晶からなる半導体微粒子であってもよいし、コア／シェル構造を有し当該結晶からなるコア及び広いバンドギャップを有するシェル材料からなり当該コアをオーバーコートするシェルを備える半導体微粒子であってもよい。表示装置１がＯＬＥＤ表示装置である場合は、各発光材料は、高分子有機発光材料を含む。
　エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、絶縁体からなる。
　２．７　発光強度の均一化
　図２、図３及び図４に図示されるように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、凸状の第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂをそれぞれ備える。また、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、凹状の第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂをそれぞれ備える。
　第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂの中央部にそれぞれ存在する。第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂの縁辺部にそれぞれ存在する。このため、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂは、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂの外側にそれぞれ配置される。第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂは、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂより上側にそれぞれ突出する。
　第１の部分１６１Ｒ及び第２の部分１６２Ｒの段差は、無機材料構造物１３Ｒにより形成される。第１の部分１６１Ｇ及び第２の部分１６２Ｇの段差は、無機材料構造物１３Ｇにより形成される。第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂの段差は、無機材料構造物１３Ｂにより形成される。無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６の下側にそれぞれ配置される。無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂは、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂの下側において第１の高さをそれぞれ有し、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂの下側において第１の高さより低い第２の高さをそれぞれ有する。これにより、層間絶縁膜１４は、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂの下側にそれぞれ配置される第１の膜部分１４１Ｒ，１４１Ｇ及び１４１Ｂ並びに第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂの下側にそれぞれ配置される第２の膜部分１４２Ｒ，１４２Ｇ及び１４２Ｂを備えるようになり、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂは、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂより上側にそれぞれ突出するようになる。第２の高さは、０であってもよい。すなわち、無機材料構造物１３Ｒ，１３Ｇ及び１３Ｂは、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂの下側に集積されてそれぞれ配置されてもよい。段差が他の方法により形成されてもよい。例えば、第１の部分１６１Ｒ，１６１Ｇ及び１６１Ｂの下側において層間絶縁膜１４の厚さが厚くなり、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂの下側において層間絶縁膜１４の厚さが薄くなるように、層間絶縁膜１４がフォトリソグラフィーにより形成されてもよい。
　発光層１８Ｒは、第１の部分１６１Ｒの上側及び第２の部分１６２Ｒの上側に跨って配置される。発光層１８Ｇは、第１の部分１６１Ｇの上側及び第２の部分１６２Ｇの上側に跨って配置される。発光層１８Ｂは、第１の部分１６１Ｂの上側及び第２の部分１６２Ｂの上側に跨って配置される。
　発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの上側に配置される中央部分は、第１の部分１６１Ｒに重なる凸部である。また、発光層１８Ｒを構成する、第２の部分１６２Ｒの上側に配置される縁辺部分は、第２の部分１６２Ｒに重なる凹部である。当該凹部は、当該凸部から連続する。当該凹部は、発光層１８Ｒの外周の全体に沿う。また、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの上側に配置される中央部分は、第１の部分１６１Ｇと重なる凸部である。また、発光層１８Ｇを構成する、第２の部分１６２Ｇの上側に配置される縁辺部分は、第２の部分１６２Ｇと重なる凹部である。当該凹部は、当該凸部から連続する。当該凹部は、発光層１８Ｇの外周の全体に沿う。また、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの上側に配置される中央部分は、第１の部分１６１Ｂと重なる凸部である。また、発光層１８Ｂを構成する、第２の部分１６２Ｂの上側に配置される縁辺部分は、第２の部分１６２Ｂと重なる凹部である。当該凹部は、当該凸部から連続する。当該凹部は、発光層１８Ｂの外周の全体に沿う。
　図６Ａは、下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に跨って形成された発光層１８Ｒの上面の画像である。図６Ｂ及び図６Ｃは、下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に連続して跨って形成された発光層１８Ｒを模式的に図示する断面図である。図６Ｂは、図６Ａに描かれた切断線Ｂ－Ｂの位置における断面を図示する。図６Ｃは、図６Ａに描かれた切断線ＣーＣの位置における断面を図示する。
　図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、発光層１８Ｒが下地の凸部の上側及び下地の凹部の上側に跨って形成された場合は、発光層１８Ｒは、凸部の中心部の上側においては均一な厚さを有するが、凸部の辺縁部の上側においては不均一な厚さを有する。このため、発光層１８Ｒを構成する、凸部の上側に形成された部分の全体が発光させられ、凸部の上側の全体が赤色の光を発光する発光領域３３Ｒに含められた場合は、発光領域３３Ｒ内の発光強度が不均一になる。この問題は、発光層１８Ｇ及び１８Ｂにも生じうる。
　図３及び図４に図示されるように、エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧは、第１の部分１６１Ｒの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｒの上側に跨って配置される。エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧには、第１の部分１６１Ｒの中心部の上側に開口２１Ｒが形成される。開口２１Ｒは、第２の部分１６２Ｒとは重ならない。これにより、発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧにより覆われる。また、発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧにより覆われない。このため、赤色の光を発する発光領域３３Ｒが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの辺縁部の上側に配置されて薄い厚さを有する部分に電流が集中することが抑制され、発光領域３３Ｒ内の発光強度を均一にすることができる。
　同様にして、エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢは、第１の部分１６１Ｇの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｇの上側に跨って配置される。エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢには、第１の部分１６１Ｇの中心部の上側に開口２１Ｇが形成される。開口２１Ｇは、第２の部分１６２Ｇとは重ならない。これにより、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢにより覆われる。また、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢにより覆われない。このため、緑色の光を発光する発光領域３３Ｇが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの辺縁部の上側に配置されて薄い厚さを有する部分に電流が集中することが抑制され、発光領域３３Ｇ内の発光強度を均一にすることができる。
　同様にして、エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲは、第１の部分１６１Ｂの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｂの上側に跨って配置される。エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲには、第１の部分１６１Ｂの中心部の上側に開口２１Ｂが形成される。開口２１Ｂは、第２の部分１６２Ｂとは重ならない。これにより、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲにより覆われる。また、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲにより覆われない。このため、青色の光を発光する発光領域３３Ｂが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの辺縁部の上側に配置されて薄い厚さを有する部分に電流が集中することが抑制され、発光領域３３Ｂ内の発光強度を均一にすることができる。
　エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧは、第１の部分１６１Ｒと第２の部分１６２Ｒとの境界をなす第１の部分１６１Ｒのエッジ１６１ＲＥを覆う。これにより、劣化しやすい第１の部分１６１Ｒのエッジ１６１ＲＥが共通電極２０から離される。これにより、画素電極１６Ｒが劣化することを抑制することができる。
　同様にして、エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢは、第１の部分１６１Ｇと第２の部分１６２Ｇとの境界をなす第１の部分１６１Ｇのエッジ１６１ＧＥを覆う。これにより、劣化しやすい第１の部分１６１Ｇのエッジ１６１ＧＥが共通電極２０から離される。これにより、画素電極１６Ｇが劣化することを抑制することができる。
　同様にして、エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲは、第１の部分１６１Ｂと第２の部分１６２Ｂとの境界をなす第１の部分１６１Ｂのエッジ１６１ＢＥを覆う。これにより、劣化しやすい第１の部分１６１Ｂのエッジ１６１ＢＥが共通電極２０から離される。これにより、画素電極１６Ｂが劣化することを抑制することができる。
　エッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧは、発光層１８Ｒの凸部と発光層１８Ｒの凹部との境界並びに発光層１８Ｒの凹部を覆う。エッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢは、発光層１８Ｇの凸部と発光層１８Ｇの凹部との境界並びに発光層１８Ｇの凹部を覆う。エッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲは、発光層１８Ｂの凸部と発光層１８Ｂの凹部との境界並びに発光層１８Ｂの凹部を覆う。
　コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂは、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂの外側にそれぞれ配置される。これにより、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂが発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂにそれぞれ干渉することを抑制することができる。
　エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、撥液性を有しなくてもよく、親液性を有してもよい。また、第２の部分１６２Ｒ，１６２Ｇ及び１６２Ｂは、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂにより平坦化されていなくてもよい。
　２．８　発光層の重なり
　図３及び図４に図示されるように、互いに隣接するふたつの画素にそれぞれ配置されるふたつの発光層は、互いに離れている。例えば、画素Ｒ及びＧにそれぞれ配置される発光層１８Ｒ及び１８Ｇは、互いに離れている。また、画素Ｇ及びＢにそれぞれ配置される発光層１８Ｇ及び１８Ｂは、互いに離れている。また、画素Ｂ及びＲにそれぞれ配置される発光層１８Ｂ及び１８Ｒは、互いに離れている。これにより、当該ふたつの発光層を介した当該ふたつの画素の間のクロストークを抑制することができる。
　図７は、第１実施形態の変形例の表示装置１ｎに備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図７に図示されるように、表示装置１ｎにおいては、互いに隣接するふたつの画素にそれぞれ配置されるふたつの発光層の辺縁部は、互いに重なっている。例えば、画素Ｒ及びＧにそれぞれ配置される発光層１８Ｒ及び１８Ｇの辺縁部は、互いに重なっている。また、画素Ｇ及びＢにそれぞれ配置される発光層１８Ｇ及び１８Ｂの辺縁部は、互いに重なっている。また、画素Ｂ及びＲにそれぞれ配置される発光層１８Ｂ及び１８Ｒの辺縁部は、互いに重なっている。これにより、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂの平面形状を大きくすることができる。これにより、表示装置１が高い解像度を有する場合であっても、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂをパターニングにより形成することができる。
　２．９　無機材料構造物の変形例
　図８は、第１実施形態の変形例の表示装置１ｐに備えられる画素Ｒを模式的に図示する断面図である。
　図８に図示されるように、表示装置１ｐにおいては、無機材料構造物１３Ｒは、第１の部分１６１Ｒの下側に配置される第１の素子１３１Ｒ及び第２の部分１６２Ｒの下側に配置される第２の素子１３２Ｒを備える。第２の素子１３２Ｒの数は、第１の素子１３１Ｒの数より少ない。これにより、第１の部分１６１Ｒの下側において層間絶縁膜１４を構成する材料が押し上げられる量が、第２の部分１６２Ｒの下側において層間絶縁膜１４を構成する材料が押し上げられる量より多くなる。このため、第１の部分１６１Ｒが第２の部分１６２Ｒより上側に突出させられる。
　第１の素子１３１Ｒは、第１のスイッチング素子、第１のキャパシター及び第１の配線からなる群より選択される少なくとも１種を含む。第２の素子１３２Ｒは、第２のスイッチング素子、第２のキャパシター及び第２の配線からなる群より選択される少なくとも１種を含む。
　表示装置１ｐにおいては、無機材料構造物１３Ｒにより第１の部分１６１Ｒが第２の部分１６２Ｒより上側に突出させられるのと同じように、無機材料構造物１３Ｇにより第１の部分１６１Ｇが第２の部分１６２Ｇより上側に突出させられる。また、無機材料構造物１３Ｂにより第１の部分１６１Ｂが第２の部分１６２Ｂより上側に突出させられる。
　２．１０　表示装置の製造方法
　図９及び図１０は、第１実施形態の表示装置１の製造方法を示すフローチャートである。図１１から図１９までは、第１実施形態の表示装置１の製造方法において得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　図９及び図１０に図示されるように、表示装置１の製造方法は、工程Ｓ１０１からＳ１１６までを備える。
　工程Ｓ１０１においては、図１１に図示されるアレイ基板２５が準備される。アレイ基板２５は、下地基板となる。
　続く工程Ｓ１０２においては、図１１に図示される接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂ並びに画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂが形成される。接続導体１５Ｒ，１５Ｇ及び１５Ｂは、コンタクトホール１４Ｒ，１４Ｇ及び１４Ｂの内部にそれぞれ形成される。画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂは、アレイ基板２５の上に形成される。
　続く工程Ｓ１０３においては、図１１に図示されるフォトレジスト膜４１Ｒが形成される。フォトレジスト膜４１Ｒは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。フォトレジスト膜４１Ｒは、ポジレジストからなる。ポジレジストは、感光線が照射された場合に現像液に対して可溶性を有するようになる。感光線は、紫外線、電子線等である。現像液は、アルカリ溶液等である。現像液が界面活性剤を含んでもよい。ポジレジストは、下述する発光材料層４４Ｒを形成するために塗布される塗布液に含まれる溶媒に溶解しない材料からなる。フォトレジスト膜４１Ｒは、ポジレジスト及び溶媒を含む塗布液を被塗布面に塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜から加温により溶媒を蒸発させることにより形成される。当該塗布液は、東京応化株式会社製のＴＦＲ１０００等である。塗布液は、ダイコート、インクジェット、スピンコート等により塗布される。
　続く工程Ｓ１０４においては、フォトレジスト膜４１Ｒが図１１に図示されるマスク４２Ｒを介して露光させられる。また、露光させられたフォトレジスト膜４１Ｒが現像される。その際には、フォトレジスト膜４１Ｒを構成する、画素電極１６Ｒの上側に形成された部分に感光線が照射される。また、感光線が照射された部分が現像液に溶解させられる。
　工程Ｓ１０３及びＳ１０４により、図１２に図示される剥離層４３Ｒが形成される。剥離層４３Ｒは、第２の部分１６２Ｒの外側に形成される。剥離層４３Ｒには、開口が形成されており、リフトオフ用のテンプレートとなる。当該開口の内部には、第２の部分１６２Ｒが配置される。当該開口の内部に、画素電極１６Ｒのエッジ１６ＲＥが配置されてもよい。
　続く工程Ｓ１０５においては、図１２に図示される発光材料層４４Ｒが形成される。発光材料層４４Ｒは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに剥離層４３Ｒに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。発光材料層４４Ｒは、第１の部分１６１Ｒの上側、第２の部分１６２Ｒの上側及び剥離層４３Ｒの上側に跨って形成される。発光材料層４４Ｒは、赤色発光材料及び溶媒を含む塗布液を被塗布面に塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜から加温により溶媒を蒸発させることにより形成される。溶媒は、オクタン等である。
　続く工程Ｓ１０６においては、剥離層４３Ｒ、及び発光材料層４４Ｒを構成する、剥離層４３Ｒの上側に形成された部分がリフトオフされる。その際には、剥離層４３Ｒに感光線が照射される。また、感光線が照射された剥離層４３Ｒが現像液に溶解させられる。これにより、発光材料層４４Ｒから図１３に図示される発光層１８Ｒが形成される。発光層１８Ｒは、第１の部分１６１Ｒの上側及び第２の部分１６２Ｒの上側に跨って形成される。
　赤色発光材料が主に量子ドットからなる場合は、発光材料層４４Ｒはナノ粒子の集合体である。このため、赤色発光材料が主に量子ドットからなる場合は、発光材料層４４Ｒは感光線及び現像液を透過させることができる。このため、赤色発光材料が主に量子ドットからなる場合は、発光材料層４４Ｒを透過した感光線を剥離層４３Ｒに照射することができ、発光材料層４４Ｒを透過した現像液により剥離層４３Ｒを溶解させることができる。したがって、赤色発光材料が主に量子ドットからなる場合は、発光材料層４４Ｒは、剥離層４３Ｒの剥離を阻害しない。又は、フォトレジスト膜４１Ｒの一部を溶解させることにより剥離層４３Ｒに形成される開口の断面形状を逆テーパー形状とすることにより、発光材料層４４Ｒを当該開口の側壁部で断裂させて断裂部を形成し、当該断裂部より現像液を浸透させ、当該現像液により剥離層４３Ｒを溶解させることができる。したがって、発光材料層４４Ｒは、剥離層４３Ｒの剥離を阻害しない。
　工程Ｓ１０３からＳ１０６までにより、リフトオフプロセスにより発光材料層４４Ｒのパターニングが行われて発光層１８Ｒが形成される。
　続く工程Ｓ１０７においては、図１４に図示されるフォトレジスト膜４１Ｇが形成される。フォトレジスト膜４１Ｇは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに発光層１８Ｒに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。フォトレジスト膜４１Ｇは、フォトレジスト膜４１Ｒを構成する材料と同様の材料により構成することができ、フォトレジスト膜４１Ｒを形成する方法と同様の方法により形成することができる。
　続く工程Ｓ１０８においては、フォトレジスト膜４１Ｇが図１４に図示されるマスク４２Ｇを介して露光させられる。また、露光させられたフォトレジスト膜４１Ｇが現像される。その際には、フォトレジスト膜４１Ｇを構成する、画素電極１６Ｇの上側に形成された部分に感光線が照射される。また、感光線が照射された部分が現像液に溶解させられる。
　工程Ｓ１０７及びＳ１０８により、図１５に図示される剥離層４３Ｇが形成される。剥離層４３Ｇは、第２の部分１６２Ｇの外側に形成される。剥離層４３Ｇには、開口が形成されており、リフトオフ用のテンプレートとなる。当該開口の内部には、第２の部分１６２Ｇが配置される。当該開口の内部に、画素電極１６Ｇのエッジ１６ＧＥが配置されてもよい。
　続く工程Ｓ１０９においては、図１５に図示される発光材料層４４Ｇが形成される。発光材料層４４Ｇは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ、発光層１８Ｒ並びに剥離層４３Ｇに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。発光材料層４４Ｇは、第１の部分１６１Ｇの上側、第２の部分１６２Ｇの上側及び剥離層４３Ｇの上側に跨って形成される。発光材料層４４Ｇは、発光材料層４４Ｒを形成する方法と同様の方法により形成される。
　続く工程Ｓ１１０においては、剥離層４３Ｇ、及び発光材料層４４Ｇを構成する、剥離層４３Ｇの上側に形成された部分がリフトオフされる。その際には、剥離層４３Ｇに感光線が照射される。また、感光線が照射された剥離層４３Ｇが現像液に溶解させられる。これにより、発光材料層４４Ｇから図１６に図示される発光層１８Ｇが形成される。発光層１８Ｇは、第１の部分１６１Ｇ及び第２の部分１６２Ｇの上側に跨って形成される。
　緑色発光材料が主に量子ドットからなる場合も、発光材料層４４Ｇは、剥離層４３Ｇの剥離を阻害しない。又は、フォトレジスト膜４１Ｇの一部を溶解させることにより剥離層４３Ｇに形成される開口の断面形状を逆テーパー形状とすることにより、発光材料層４４Ｇを当該開口の側壁部で断裂させて断裂部を形成し、当該断裂部より現像液を浸透させ、当該現像液により剥離層４３Ｇを溶解させることができる。したがって、発光材料層４４Ｇは、剥離層４３Ｇの剥離を阻害しない。
　工程Ｓ１０７からＳ１１０までにより、リフトオフプロセスにより発光材料層４４Ｇのパターニングが行われて発光層１８Ｇが形成される。
　続く工程Ｓ１１１においては、図１７に図示されるフォトレジスト膜４１Ｂが形成される。フォトレジスト膜４１Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに発光層１８Ｒ及び１８Ｇに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。フォトレジスト膜４１Ｂは、フォトレジスト膜４１Ｒを構成する材料と同様の材料により構成することができ、フォトレジスト膜４１Ｒを形成する方法と同様の方法により形成することができる。
　続く工程Ｓ１１２においては、フォトレジスト膜４１Ｂが図１７に図示されるマスク４２Ｂを介して露光させられる。また、露光させられたフォトレジスト膜４１Ｂが現像される。その際には、フォトレジスト膜４１Ｂを構成する、画素電極１６Ｂの上側に形成された部分に感光線が照射される。また、感光線が照射された部分が現像液に溶解させられる。
　工程Ｓ１１１及びＳ１１２により、図１８に図示される剥離層４３Ｂが形成される。剥離層４３Ｂは、第２の部分１６２Ｂの外側に形成される。剥離層４３Ｂには、開口が形成されており、リフトオフ用のテンプレートとなる。当該開口の内部には、第２の部分１６２Ｂが配置される。当該開口の内部に、画素電極１６Ｂのエッジ１６ＢＥが配置されてもよい。
　続く工程Ｓ１１３においては、図１８に図示される発光材料層４４Ｂが形成される。発光材料層４４Ｂは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ、発光層１８Ｒ及び１８Ｇ並びに剥離層４３Ｂに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。発光材料層４４Ｂは、第１の部分１６１Ｂの上側、第２の部分１６２Ｂの上側及び剥離層４３Ｂの上側に跨って形成される。発光材料層４４Ｂは、発光材料層４４Ｒを形成する方法と同様の方法により形成される。
　続く工程Ｓ１１４においては、剥離層４３Ｂ、及び発光材料層４４Ｂを構成する、剥離層４３Ｂの上側に形成された部分がリフトオフされる。その際には、剥離層４３Ｂに感光線が照射される。また、感光線が照射された剥離層４３Ｂが現像液に溶解させられる。これにより、発光材料層４４Ｂから図１９に図示される発光層１８Ｂが形成される。発光層１８Ｂは、第１の部分１６１Ｂの上側及び第２の部分１６２Ｂの上側に跨って形成される。
　青色発光材料が主に量子ドットからなる場合も、発光材料層４４Ｂは、剥離層４３Ｂの剥離を阻害しない。又は、フォトレジスト膜４１Ｂの一部を溶解させることにより剥離層４３Ｂに形成される開口の断面形状を逆テーパー形状とすることにより、発光材料層４４Ｂを当該開口の側壁部で断裂させて断裂部を形成し、当該断裂部より現像液を浸透させ、当該現像液により剥離層４３Ｂを溶解させることができる。したがって、発光材料層４４Ｂは、剥離層４３Ｂの剥離を阻害しない。
　続く工程Ｓ１１５においては、図３及び図４に図示されるエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲが形成される。エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ並びに発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。エッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、フォトリソグラフィーにより形成される。
　続く工程Ｓ１１６においては、図３及び図４に図示される共通電極２０が形成される。共通電極２０は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ及び１６Ｂ、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂ並びにエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲに重ねてアレイ基板２５の上に形成される。
　リフトオフプロセス以外のプロセスにより発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂが形成されてもよい。例えば、量子ドット及びフォトレジストの混合材料（ＱＤ－ＰＲ）により発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂが形成されてもよい。この場合は、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂを、フォトリソグラフィーによるパターニングにより直接的に形成することができる。
　３　第２実施形態
　以下では、第２実施形態が第１実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第１実施形態において採用される構成と同様の構成が第２実施形態においても採用される。
　図２０は、第２実施形態の表示装置２に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図２０に図示されるように、表示装置２は、第１のエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲ並びに第２のエッジカバー２２ＲＧ，２２ＧＢ及び２２ＢＲを備える。
　表示装置２に備えられる第１のエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲは、表示装置１に備えられるエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲの役割と同様の役割をそれぞれ有する。
　このため、第１のエッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧは、第１の部分１６１Ｒの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｒの上側に跨って配置される。また、第１のエッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧには、第１の部分１６１Ｒの中心部の上側に開口２１Ｒが形成される。また、第１のエッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧは、第１の部分１６１Ｒのエッジ１６１ＲＥを覆う。これにより、発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧにより覆われる。また、発光層１８Ｒを構成する、第１の部分１６１Ｒの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＢＲ及び２１ＲＧにより覆われない。このため、発光領域３３Ｒが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光領域３３Ｒ内の発光強度を均一にすることができる。
　同様にして、第１のエッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢは、第１の部分１６１Ｇの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｇの上側に跨って配置される。また、第１のエッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢには、第１の部分１６１Ｇの中心部の上側に開口２１Ｇが形成される。また、第１のエッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢは、第１の部分１６１Ｇのエッジ１６１ＧＥを覆う。これにより、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢにより覆われる。また、発光層１８Ｇを構成する、第１の部分１６１Ｇの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＲＧ及び２１ＧＢにより覆われない。このため、発光領域３３Ｇが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光領域３３Ｇ内の発光強度を均一にすることができる。
　同様にして、第１のエッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲは、第１の部分１６１Ｂの縁辺部の上側及び第２の部分１６２Ｂの上側に跨って配置される。また、第１のエッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲには、第１の部分１６１Ｂの中心部の上側に開口２１Ｂが形成される。また、第１のエッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲは、第１の部分１６１Ｂのエッジ１６１ＢＥを覆う。これにより、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの辺縁部の上側に配置されて不均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲにより覆われる。また、発光層１８Ｂを構成する、第１の部分１６１Ｂの中心部の上側に配置されて均一な厚さを有する部分が、第１のエッジカバー２１ＧＢ及び２１ＢＲにより覆われない。このため、発光領域３３Ｂが、当該均一な厚さを有する部分に制限される。これにより、発光領域３３Ｂ内の発光強度を均一にすることができる。
　第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧには、発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥが乗り上げている。したがって、第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧは、発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥの下側に配置される。また、第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧは、画素電極１６Ｒのエッジ１６ＲＥを覆う。
　同様にして、第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢには、発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥが乗り上げている。したがって、第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢは、発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥの下側に配置される。また、第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢは、画素電極１６Ｇのエッジ１６ＧＥを覆う。
　同様にして、第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲには、発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥが乗り上げている。したがって、第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲは、発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥの下側に配置される。また、第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲは、画素電極１６Ｂのエッジ１６ＢＥを覆う。
　第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧの上面は、平坦である。また、第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧの上面には、上述したように、発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥが乗り上げている。これにより、発光層１８Ｒは、平坦である第２のエッジカバー２２ＢＲ及び２２ＲＧの上面に発光層１８Ｒのエッジ１８ＲＥを配置するパターニングにより形成することができる。したがって、発光層１８Ｒをパターニングにより形成することは、容易である。
　同様にして、第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢの上面は、平坦である。また、第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢの上面には、上述したように、発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥが乗り上げている。これにより、発光層１８Ｇは、平坦である第２のエッジカバー２２ＲＧ及び２２ＧＢの上面に発光層１８Ｇのエッジ１８ＧＥを配置するパターニングにより形成することができる。したがって、発光層１８Ｇをパターニングにより形成することは、容易である。
　同様にして、第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲの上面は、平坦である。また、第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲの上面には、上述したように、発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥが乗り上げている。これにより、発光層１８Ｂは、平坦である第２のエッジカバー２２ＧＢ及び２２ＢＲの上面に発光層１８Ｂのエッジ１８ＢＥを配置するパターニングにより形成することができる。したがって、発光層１８Ｂをパターニングにより形成することは、容易である。
　表示装置２においては、第２のエッジカバー２２ＲＧ，２２ＧＢ及び２２ＢＧを隔壁として用いることにより、発光層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂをインクジェット法により塗り分けすることもできる。
　４　第３実施形態
　以下では、第３実施形態が第１実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第１実施形態において採用される構成と同様の構成が第３実施形態においても採用される。
　図２１は、第３実施形態の表示装置３に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　表示装置３においては、発光層１８Ｒ及び１８Ｇの色と異なる色を有する発光層１８Ｂが、画素電極１６Ｂの上側、エッジカバー２１ＲＧの上側、エッジカバー２１ＧＢの上側及びエッジカバー２１ＢＲの上側に跨って配置される。
　表示装置３は、フォトレジスト膜４１Ｂの一部をエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲとして残すことにより、製造することができる。表示装置３をこのように製造することにより、発光層１８Ｂ並びにエッジカバー２１ＲＧ，２１ＧＢ及び２１ＢＲを同時に形成することができ、表示装置３を製造するプロセスを短縮することができる。
　表示装置３においては、発光材料層４４Ｂを蒸着により形成することにより、発光層１８Ｂの厚さを均一にすることができる。蒸着により発光材料層４４Ｂが形成される場合に有機化合物を含む溶液が蒸着源とされるときは、ミストデポジションにより発光材料層４４Ｂを形成することができる。ミストデポジションにより発光材料層４４Ｂが形成される場合は、例えば、量子ドット溶液が霧化されて量子ドットを含む霧が形成され、形成された霧が被形成面に付着させられて被形成面に量子ドットを含む膜が形成される。
　本開示は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

Claims (13)

  1. 　基板と、
    　前記基板の上に配置され、第１の部分と、前記第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を備え、前記第１の部分が前記第２の部分より前記基板寄りの第１の側と反対の第２の側に突出する画素電極と、
    　前記第１の部分の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置される発光層と、
    　前記第１の部分の辺縁部の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置され、前記第１の部分の中心部の前記第２の側に開口が形成され、前記第１の部分のエッジを覆う第１のエッジカバーと、
    　前記第１のエッジカバーよりも前記第２の側に配置される部分を備え、前記発光層を挟んで前記画素電極に対向する対向電極と、
    を備える表示装置。
  2. 　前記第２の部分の外側に配置されるコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、
    　前記コンタクトホールの前記第１の側に配置される部分を備える配線と、
    　前記コンタクトホールの内部に配置され、前記画素電極及び前記配線を互いに電気的に接続する接続導体と、
    を備える請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記層間絶縁膜は、前記第１の部分の前記第１の側に配置される第１の膜部分と、前記第２の部分の前記第１の側に配置される第２の膜部分と、を備え、
    　前記第１の膜部分は、前記第２の膜部分より前記第２の側に突出する
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記発光層のエッジの前記第１の側に配置され、前記画素電極のエッジを覆う第２のエッジカバーを備える
    請求項１から３までのいずれかに記載の表示装置。
  5. 　前記画素電極の前記第１の側に配置され、前記第１の部分の前記第１の側において第１の高さを有し、前記第２の部分の前記第１の側において前記第１の高さより低い第２の高さを有する無機材料構造物を備える
    請求項１から４までのいずれかに記載の表示装置。
  6. 　前記無機材料構造物は、
    　前記第１の部分の前記第１の側に配置される第１の素子と、
    　前記第２の部分の前記第１の側に配置される、前記第１の素子の数より少ない数の第２の素子と、
    を備える請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記第１の素子は、第１のスイッチング素子、第１のキャパシター及び第１の配線からなる群より選択される少なくとも１種を含み、
    　前記第２の素子は、第２のスイッチング素子、第２のキャパシター及び第２の配線からなる群より選択される少なくとも１種を含む
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記発光層の前記第１の側の全体に渡って配置される機能層を備える
    請求項１から７までのいずれかに記載の表示装置。
  9. 　前記機能層は、電荷輸送層、電荷注入層及び電荷ブロッキング層からなる群より選択される少なくとも１種を含む
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 　互いに隣接するふたつの画素を備え、
    　前記互いに隣接するふたつの画素の各々は、前記発光層を備え、
    　前記互いに隣接するふたつの画素にそれぞれ備えられるふたつの発光層は、互いに離れている
    請求項１から９までのいずれかに記載の表示装置。
  11. 　互いに隣接するふたつの画素を備え、
    　前記互いに隣接するふたつの画素の各々は、前記発光層を備え、
    　前記互いに隣接するふたつの画素にそれぞれ備えられるふたつの発光層の辺縁部は、互いに重なっている
    請求項１から１０までのいずれかに記載の表示装置。
  12. 　前記第１のエッジカバーの上に配置され、前記発光層の色と異なる色を有する他の発光層を備える
    請求項１から１１までのいずれかに記載の表示装置。
  13. 　a) 基板を準備する工程と、
    　b) 前記基板の上に配置され、第１の部分と、前記第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を備え、前記第１の部分が前記第２の部分より前記基板寄りの第１の側と反対の第２の側に突出する画素電極を形成する工程と、
    　c) 前記第２の部分の外側に剥離層を形成する工程と、
    　d) 前記第１の部分の前記第２の側、前記第２の部分の前記第２の側及び前記剥離層の前記第２の側に跨って発光材料層を形成する工程と、
    　e) 前記剥離層と、前記発光材料層を構成する、前記剥離層の前記第２の側に形成された部分と、をリフトオフして、前記発光材料層から前記第１の部分の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って配置される発光層を形成する工程と、
    　f) 前記第１の部分の辺縁部の前記第２の側及び前記第２の部分の前記第２の側に跨って、前記第１の部分の中心部の前記第２の側に配置される開口を有し前記画素電極のエッジを覆うエッジカバーを形成する工程と、
    を備える表示装置の製造方法。
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