CN112640580A - 显示设备及显示设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

具备：有机绝缘膜(PF)，其具有形成有倾斜面(15r)的接触孔(Hr)；像素电极(PEr)，其沿着接触孔(Hr)的倾斜面(15r)和有机绝缘膜(PF)形成；像素内布线(SHr)，其在接触孔(Hr)内将像素电极(PEr)与TFT(11r)接合；发光层(EMr)，其以覆盖像素电极(PEr)的方式形成于有机绝缘膜(PF)上；发光层(EMB)，其至少在接触孔(Hr)的倾斜面(15r)上以与发光层(EMr)重叠的方式形成；公共电极(E)，其与像素电极(PEr)对应地形成于发光层(EMr)上。

Description

显示设备及显示设备的制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示设备及显示设备的制造方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种显示设备的结构，在有机绝缘膜形成具有倾斜面的接触孔，沿着该有机绝缘膜及接触孔的倾斜面形成像素电极，以覆盖该像素电极的方式在有机绝缘膜上形成发光层，与该像素电极对应地在所述发光层上形成公共电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国“特许第5519537号说明书”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，若涂布形成上述发光层，则为了形成上述发光层而涂布的溶液由于重力的影响，朝向接触孔的底面在倾斜面流动，从而接触孔的倾斜面的上部附近的发光层的膜厚变薄。如果此处的发光层的膜厚变薄，则像素电极与公共电极之间的距离变短，通电时在接触孔的倾斜面的上部附近产生电场集中，流过过电流，成为显示设备的发光不均的原因。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方式的一种显示设备，具备：以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；第一像素电极，在所述第一接触孔及所述有机绝缘膜上形成；第一像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第一接触孔与所述第一像素电极电连接，所述第一像素内布线与所述第一TFT电连接；第一发光层，以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上；第二发光层，对应于与所述第一像素电极相邻的第二像素电极，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；公共电极，以覆盖所述第一像素电极的方式形成于所述第一发光层上。
本发明的一方式的显示设备的制造方法，所述显示设备具备：以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；形成在所述第一接触孔和所述有机绝缘膜上的第一像素电极；以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上的第一发光层；与邻接于所述第一像素电极的第二像素电极对应的第二发光层，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；以及以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述第一发光层上的公共电极，所述有机绝缘膜具有以覆盖第二TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第二倾斜面的第二接触孔，所述显示装置还具备：形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上的第二像素电极，在所述第一像素电极和所述第二接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第一发光层，在所述第二像素电极和所述第一接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第二发光层。
有益效果
根据本发明的一方式，在通电时，接触孔的倾斜面的上部附近的电场集中被缓和，能够减少由于过电流流动而引起的显示设备的发光不均。
附图说明
图1的(a)是示出显示设备的制造方法的一个例子的流程图，(b)是示出显示设备的截面构成的示意图。
图2是第一实施例的显示设备的截面-平面对应图。
图3的(a)是表示第一实施例中的效果的截面示意图，(b)是表示比较例的截面示意图。
图4的(a)～(d)是第一实施例的EL层及公共电极层的形成步骤的截面-平面对应图。
图5的(a)～(e)是表示EL层的图案化工序的截面示意图。
图6是示出第一实施例的变形例的截面-平面对应图。
图7是示出第二实施例的显示设备的截面-平面对应图。
图8的(a)～(d)是表示第二实施例中的EL层及公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。
图9是示出第二实施例的变形例的截面-平面对应图。
图10是示出第二实施例的另一变形例的截面-平面对应图。
图11是示出第三实施例的显示设备的截面图。
图12的(a)是沿着图11所示的面B1-B1的截面图，(b)是沿着面B2-B2的截面图，(c)是沿着面B3-B3的截面图。
图13的(a)是第三实施例的另一显示设备的平面图，(b)是沿着(a)所示的面B4-B4的截面图。
图14的(a)～(c)是表示EL层的其他图案化工序的剖面示意图。
图15的(a)～(e)是表示第三实施例中的EL层及公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。
图16的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的结构的截面-平面对应图。
图17的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的其他结构的截面-平面对应图。
图18的(a)～(e)是表示第三实施例中的EL层及共用电极层的另一形成工序的截面-平面对应图。
图19的(a)～(e)是表示上述其它的形成工序的截面图。
图20的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的又一结构的截面-平面对应图。
图21的(a)是第三实施例的又一显示设备的平面图，(b)是沿着(a)所示的面B7-B7的截面图。
图22的(a)为实施例4的显示设备的平面图，(b)为实施例4的变形例的平面图。
具体实施方式
在下文中，“同层”指的是在同一工序(成膜工序)中由同一材料形成的，“下层”指的是在比比较对象层更前面的工序中形成的层，“上层”指的是在比比较对象层更后面的工序中形成的。
图1的(a)是示出显示设备2的制造方法的一个例子的流程图，图1的(b)是示出显示设备2的截面构成的示意图。如图1所示，在显示设备2的制造中，首先，在基材3上形成TFT(Thin Film Transistor、薄膜晶体管)层4(步骤S1)。接着，形成像素电极层5(步骤S2)。接着，形成EL(电致发光)层8(步骤S3)。EL层8可以使用例如光刻法形成，也可以使用使用了FMM(精细金属掩膜)的蒸镀法形成。接着，形成公共电极层9(步骤S4)。接着，形成密封层10(步骤S5)。步骤S1～S4由显示设备制造装置(包括进行步骤S3的成膜装置)进行。
基材3可以使用玻璃、聚酰亚胺等树脂。也可以在玻璃或树脂中成膜氮化硅等势垒膜而作为基材3。
在TFT层4设置有半导体层、多个金属层以及多个绝缘层，形成多个TFT(薄膜晶体管)。在TFT层4形成有由像素电极层5、EL层8以及公共电极层9构成的发光元件(例如，发光二极管)的控制电路。
像素电极层5包括具有光反射性的多个像素电极，EL层8包括多个发光层(例如量子点层、有机发光层)，公共电极层9包括具有透光性的公共电极。
像素电极层5例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)与Ag(银)或包含Ag的合金的层叠构成。公共电极层9例如由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium zinc Oxide)构成。在像素电极层5与公共电极层9中，功函数不同。可以将像素电极层5作为阳极侧(高电压侧)、将公共电极层9作为阴极侧(低电压侧)，也可以将像素电极层5作为阴极侧(低电压侧)、将公共电极层9作为阳极侧(高电压侧)。
在显示设备2的显示区域设有多个由像素电极层5、EL层8以及公共电极层9构成的发光元件，在显示区域的外侧(边框区域)设有驱动TFT层4等的驱动器。
在发光元件ES为QLED(量子点发光二极管)的情况下，通过像素电极以及公共电极之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内复合，由此产生的激子从量子点的导带能级(conduction band)向价带能级(valence band)迁移的过程中放出光(荧光)。公共电极是透光性的，像素电极是光反射性的，因此从EL层8放出的光朝向上方，成为顶部发光。
在发光元件ES为OLED(有机发光二极管)的情况下，通过像素电极以及公共电极之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内复合，由此产生的激子向基态迁移的过程中放出光。发光元件不限于QLED、OLED，也可以是无机发光二极管等。
透光性的密封层10包括氮化硅等无机绝缘膜，防止水、氧等异物向发光元件渗透。
(第一实施例)
图2为第一实施例的显示设备2的截面-平面对应图。图3的(a)是表示第一实施例中的效果的截面示意图，图3的(b)是表示比较例的截面示意图。
在图2中，发红色光的子像素SPr、发绿色光的子像素SPg以及发蓝色光的子像素SPb依次沿行方向(左右方向)排列。子像素SPg(第二子像素)包括矩形的像素电极PEg(第二像素电极)。包括矩形的像素电极PEr(第二像素电极)的子像素SPr(第一子像素)、包括矩形的像素电极PEb(第三像素电极)的子像素SPb(第三子像素)与子像素SPg邻接。像素电极PEr、PEg、PEb分别形成于作为TFT层4的最上层的有机绝缘膜PF(聚酰亚胺等的平坦化膜)上，与形成于TFT层4的TFT11r、11g、11b(图12)连接。
在EL层8设置有与像素电极PEg整体重叠的发光层EMg(第二发光层)、与像素电极PEr整体重叠的发光层EMr(第二发光层)以及与像素电极PEb整体重叠的发光层EMb(第三发光层)。在图1的步骤S3中，按照发蓝色光的发光层EMb、EMB、发绿色光的发光层EMg、发红色光的发光层EMr、EMR的顺序形成，发光层EMg比发光层EMb、EMB更上层，且比发光层EMr、EMR更下层。在图1的公共电极层9中，形成覆盖发光层EMr、EMR、EMg、EMb、EMB的公共电极KE。另外，发光层的参照符号中包含的例如EMr和EMR的r(小写字母)和R(大写字母)在图2中用以区别在多个列中分离出现的相同颜色的发光层，即在分离的相邻列中的相同颜色的发光层。具体而言，发光层EMr和发光层EMR不相邻地配置，分离地配置，隔着其他颜色的发光层而配置。发光层EMg和发光层EMG不相邻地配置，分离地配置，隔着其他颜色的发光层而配置。发光层EMb和发光层EMB不相邻地配置，分离地配置，隔着其他颜色的发光层而配置。
发光层EMr为量子点层，含有发红色光的量子点、配体及感光性树脂。发光层EMg为量子点层，含有发绿色光的量子点、配体及感光性树脂。发光层EMb为量子点层，含有发蓝色光的量子点、配体及感光性树脂。
在各子像素中，可以使像素电极作为阳极、使公共电极作为阴极发挥功能，也可以使像素电极作为阴极、使公共电极作为阳极发挥功能。
在第一实施例中，像素电极PEg的周端部EDg的整周与发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMb中的至少一个重叠。即，由于像素电极PEg的周端部EDg由与发光层EMg及发光层EMr重叠的部分、与发光层EMg及发光层EMb重叠的部分以及与发光层EMg及发光层EMr及发光层EMb重叠的部分构成，因此在周端部EDg不流动电流(无助于发绿色光)。在像素电极PEg中位于比周端部EDg靠内侧的有效部NEg仅与发光层EMg重叠，不与发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发绿色光)。
另外，像素电极PEr的周端部EDr的整周与发光层EMg、发光层EMr以及发光层EMb中的至少一个重叠。即，由于像素电极PEr的周端部EDr由与发光层EMr及发光层EMB重叠的部分、与发光层EMr及发光层EMg重叠的部分以及与发光层EMr及发光层EMB及发光层EMg重叠的部分构成，因此在周端部EDr不流动电流(无助于发红色光)。在像素电极PEr中位于比周端部EDr靠内侧的有效部NEr仅与发光层EMr重叠，不与发光层EMg及发光层EMB重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发红色光)。
另外，像素电极PEb的周端部EDb的整周与发光层EMb和发光层EMg及发光层EMR的至少一个重叠。即，由于像素电极PEb的周端部EDb由与发光层EMb以及发光层EMg重叠的部分、与发光层EMb以及发光层EMR重叠的部分以及与发光层EMb以及发光层EMg以及发光层EMR重叠的部分构成，因此不流动电流(无助于发蓝色光)。在像素电极PEb中位于周端部EDb的内侧的有效部NEb与发光层EMb仅重叠，不与发光层EMg及发光层EMR重叠，因此，在有效部NEb中电流流动(有助于发蓝色光)。
在第一实施例中，与像素电极PEr、PEg、PEb的周端部重叠的多个发光层(多重发光层)作为边缘罩(覆盖像素电极的边缘的绝缘膜)发挥功能，因此能够抑制像素电极的边缘劣化的现象(所谓的子像素收缩)。由于不需要边缘罩的形成，因此工序数被削减，不会使像素电极的有效部NEr、NEg、NEb劣化。
在图2中，像素电极PEg的有效部NEg的面积＜像素电极PEr的有效部NEr的面积＜像素电极PEb的有效部NEb的面积，子像素SPg(绿色)的发光区域EAg的面积＜子像素SPr(红色)的发光区域EAr的面积＜子像素SPb(蓝色)的发光区域EAb的面积。这样，能够减小像素电极PEb的有效部NEb的电流密度，能够延长一般容易劣化的蓝色的子像素SPb的寿命。
像素电极PEg、PEr的间隙至少与发光层EMg、EMr重叠，该间隙的宽度d1大于该间隙中的有机绝缘膜PF与公共电极KE间的距离h1。这样，能够消除像素电极PEg、PEr间的泄漏电流。
进而，将h1＞作为像素电极PEg的厚度T，如图3的(a)所示，将公共电极KE在像素电极PEg上形成为向下凸的形状。如果这样设置，则到公共电极KE的距离在边缘Gx上比像素电极PEg的有效部NEg长，因此，电场不会集中在有效部NEg的端部(不会流过过剩电流)，能够防止发光区域EAg的收缩。此外，如图3的(b)所示，如果到公共电极KE的距离在边缘比像素电极PEg的有效部短，则电场集中在有效部的端部(流过过剩电流)，发光区域有可能收缩。
另外，在平面时，通过使从像素电极PEg的边缘Gx到子像素SPg的发光区域EAg的距离(非发光宽度)小于发光区域EAg的宽度(行方向的长度)，扩大发光区域EAg，确保子像素SPg的亮度。
在图2中，像素电极PEr、PEb的间隙与发光层EMB、EMr重叠，该间隙的宽度d2大于该间隙中的有机绝缘膜PF以及公共电极KE间的距离h2，h2＞像素电极PEr的厚度T。公共电极KE在像素电极PEr上形成为向下凸的形状。另外，在平面时，使从像素电极PEr的边缘Rx到子像素SPr的发光区域EAr的距离(非发光宽度)小于发光区域EAr的宽度。
另外，像素电极PEg、PEb的间隙与发光层EMb、EMg重叠，该间隙的宽度d3大于该间隙中的有机绝缘膜PF以及公共电极KE间的距离h3，h3＞像素电极PEb的厚度T。公共电极KE在像素电极PEb上形成为向下凸的形状。另外，在平面时，使从像素电极PEb的边缘Bx到子像素SPb的发光区域EAb的距离(非发光宽度)小于发光区域EAb的宽度。
图4是示出第一实施例的EL层和公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。图5是示出EL层的图案化工序的截面示意图。
在EL层8的形成中，首先，如图4的(a)那样与像素电极PEb整体重叠的蓝色发光层EMb和从发光层EMb分离的多个蓝色发光层(包括发光层EMB)形成图案。接着，如图4的(b)那样与像素电极PEg整体重叠的绿色发光层EMg和从发光层EMg分离的多个绿色发光层(未图示)形成图案。接着，如图4的(c)那样与像素电极PEr整体重叠的发光层EMr和从发光层EMr分离的多个红色发光层(未图示)形成图案。接着，如图4的(d)所示，形成覆盖发光层EMb、EMg、EMr的公共电极KE。如图4所示，蓝色发光层EMb、绿色发光层EMg及红色发光层EMr的平面形状不同。
发光波长的大小的顺序由于与量子点的粒径的大小的顺序一致，因此通过以蓝色发光层→绿色发光层→红色发光层的顺序形成，对于与像素电极的周端部重叠的多个发光层，如图4所示，发光波长大的(量子点的粒径大的)发光层位于比发光波长小的(量子点的粒径小的)发光层更靠上层的位置。由此，能够解决上层的发光层的量子点落入下层的发光层的量子点的间隙这样的问题。
发光层(EMb、EMg、EMr)能够以如下方式形成图案。首先，如图5的(a)那样，将含有量子点及配体的感光性树脂(抗蚀剂)RS涂布在有机绝缘膜PF上(涂布厚度例如为20～100nm)。接着，如图5的(b)那样，将涂布的抗蚀剂RS在80～120℃下预烘烤，使溶剂蒸发，使涂膜干燥。接着，如图5的(c)那样，对经干燥的抗蚀剂RS隔着掩膜MK进行UV曝光(曝光强度例如为10～1000〔mJ/cm2〕)。接着，如图5的(d)所示，使用碱溶液、有机溶剂、水等进行显影(在正型抗蚀剂中UV照射部溶解，在负型抗蚀剂中UV非照射部溶解)，得到图案化的发光层EM。其后根据需要，如图5的(e)那样，例如在100～200℃下进行正式烧制。通过正式烧制，抑制从感光性树脂的气体释放。
图6是示出第一实施例的变形例的截面-平面对应图。如图6所示，也可以在EL层8中设置作为多个子像素间的公共层的下层功能层FLa以及上层功能层FLb。在该情况下，在像素电极PEg的有效部NEg上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMg、上层功能层FLb以及公共电极KE，在像素电极PEr的有效部NEr上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMr、上层功能层FLb以及公共电极KE，在像素电极PEb的有效部NEb上依次层叠有下层功能层FLa、发光层EMb、上层功能层FLb以及公共电极KE。在像素电极作为阳极、公共电极作为阴极发挥功能的普通结构中，下层功能层FLa也可以包含空穴注入层和空穴输送层，上层功能层FLb也可以包含电子注入层和电子输送层。在像素电极作为阴极、公共电极作为阳极发挥作用的倒置结构中，下层功能层FLa可以包括电子注入层及电子传输层，上层功能层FLb可以包括空穴注入层及空穴传输层。
在图6中，下层功能层FLa以与像素电极PEg的整体、像素电极PEr的整体以及像素电极PEb的整体接触的方式形成为整面状，相邻的像素电极的间隙被下层功能层FLa填埋。
〔第二实施例〕
图7是第二实施例的显示设备的截面-平面对应图。在第二实施例中，从下层侧开始依次形成与整个像素电极PEb重叠的(蓝色)发光层EMb、与整个像素电极PEg重叠的(绿色)发光层EMg、以及与整个像素电极PEr重叠的(红色)发光层EMr。发光层EMb、EMg、EMr为遍及整个显示区域的整面状，在发光层EMb设置有与像素电极PEg重叠的开口bk和与像素电极PEr重叠的开口Bk，在发光层EMg设置有与像素电极PEr重叠的开口gk和与像素电极PEb重叠的开口Gk，在发光层EMr设置有与像素电极PEg重叠的开口rk和与像素电极PEb重叠的开口Rk。
在图7中，开口bk与开口rk的整体重叠，像素电极PEg与开口rk的整体以及开口bk的整体重叠，像素电极PEg的周端部EDg的整周与发光层EMg以及发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此在周端部EDg电流不流动(无助于发绿色光)。在像素电极PEg中位于比周端部EDg靠内侧的有效部NEg仅与发光层EMg重叠，不与发光层EMr以及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEg中电流流动(有助于发绿色光)。
另外，开口Bk与开口gk的整体重叠，像素电极PEr与开口gk的整体以及开口Bk的整体重叠，像素电极PEr的周端部EDr的整周与发光层EMr以及发光层EMg以及发光层EMb重叠，因此在周端部EDr不流动电流(无助于发红色光)。在像素电极PEr中位于比周端部EDr靠内侧的有效部NEr仅与发光层EMr重叠，不与发光层EMg及发光层EMb重叠，因此，在有效部NEr电流流动(有助于发红色光)。
另外，开口Gk与开口Rk的整体重叠，像素电极PEb与开口Rk的整体以及开口Gk的整体重叠，像素电极PEb的周端部EDb的整周与发光层EMb以及发光层EMg以及发光层EMr重叠，因此在周端部EDb不流动电流(无助于发蓝色光)。在像素电极PEb中位于周端部EDb的内侧的有效部NEb与发光层EMb仅重叠，不与发光层EMg及发光层EMr重叠，因此，在有效部NEb中电流流动(有助于发蓝色光)。
在第二实施例中，与像素电极的周端部重叠的三个发光层的层叠顺序(从下层侧开始依次为，发光层EMb、发光层EMg、发光层EMr)在周端部的整周上相同，对于接触的两个发光层，上层侧的发光层覆盖下层侧的发光层的边缘。即，发光层EMg覆盖发光层EMb的边缘(包括开口Bk、bk周围)，发光层EMr覆盖发光层EMg的边缘(包括开口Gk、gk周围)。
发光层EMb的开口bk和开口BK的形状不同，发光层EMg的开口gk和开口GK的形状不同，发光层EMr的开口RK的形状与开口rk不同，像素电极PEg的有效部NEg的面积＜像素电极PEr的有效部NEr的面积＜像素电极PEb的有效部NEb的面积。
在第二实施例中，由于像素电极的周端与三个发光层重叠，因此能够更可靠地抑制周端部的劣化。
发光层EMb、EMg、EMr分别在整个显示区域上以整面状(连续)形成，在发光层EMb、发光层EMg及发光层EMr上分别设置有形状不同的两种开口。因此，发光层与基底的接地面积大(发光层的粘接强度高)，发光层难以剥离。另外，在岛状的孤立图案中，拐角的外围270°暴露于加工工序中，但在具有开口的实心状的连续图案中，开口的拐角的内围90°暴露于加工工序中，因此能够抑制发光层在拐角处的剥离。
图8的(a)～(d)是示出第二实施例中的EL层和公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。在EL层8的形成中，首先，如图8的(a)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEb整体重叠的(蓝色)发光层EMb，形成开口Bk、bk。接着，如图8的(b)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEg整体重叠(绿色)的发光层EMg，形成开口Gk、gk。接着，如图8的(c)所示，在显示区域整体成膜与像素电极PEr整体重叠的(红色)发光层EMr，形成开口Rk、rk。接着，如图8的(d)所示，形成覆盖发光层EMr的公共电极KE。
图9是示出第二实施例的变形例的截面-平面对应图。如图9所示，可以在发光层EMb的下层设置覆盖像素电极PEg、PEr、PEb的下层功能层FLa，在公共电极KE的下层设置覆盖发光层EMr、EMg、EMb的上层功能层FLb。
图10为示出第二实施例的另一变形例的截面-平面对应图。图10的(d)所示，Pentile方式的显示设备在两个像素区域中包括一个红色的子像素(包含像素电极PEr)、两个绿色的子像素(包含像素电极PEg)、一个蓝色的子像素(包含像素电极PEb)。遍及显示区域整体的蓝色发光层EMb(参照图10的(a))形成与像素电极PEg重叠的开口bk以及与像素电极PEr重叠的开口BK。遍及显示区域整体的绿色发光层EMg(参照图10的(b))形成与像素电极PEr重叠的开口gk以及与像素电极PEb重叠的开口GK。遍及显示区域整体的红色发光层EMr(参照图10的(c))形成与像素电极PEg重叠的开口rk以及与像素电极PEb重叠的开口RK。蓝色发光层EMb、绿色发光层EMg和红色发光层EMr依次层叠而形成。在图10的情况下，在像素电极PEr、PEg、PEb各自的周端部，三个发光层EMb、EMg、EMr依次重叠，这三个发光层作为边缘罩而发挥作用。
〔第三实施方式〕
图11为第三实施例的显示设备2A的平面图。图12的(a)是沿着图11所示的面B1-B1的截面图，(b)是沿着面B2-B2的截面图，(c)是沿着面B3-B3的截面图。
在该第三实施方式中，发光层EMr、EMg、EMb中的至少两个至少在有机绝缘膜PF的接触孔Hr、Hg、Hb的倾斜面15r、15g、15b重叠。
如图12的(a)及图11所示，在覆盖红色像素驱动用的TFT11r(第一TFT)的有机绝缘膜PF上形成具有倾斜面15r(第一倾斜面)的接触孔Hr(第一接触孔)。并且，沿接触孔Hr的倾斜面15r及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEr(第一像素电极)。与TFT11r结合的像素内布线SHr(第一像素内布线)在接触孔Hr内与像素电极PEr电连接。以覆盖像素电极PEr的方式在有机绝缘膜PF上形成红色的发光层EMr(第一发光层)。
并且，至少在接触孔Hr的倾斜面15r，在红色的发光层EMr与有机绝缘膜PF之间，以与红色的发光层EMr重叠的方式形成蓝色的发光层EMB(第二发光层)。
如图12的(b)及图11所示，在覆盖绿色像素驱动用的TT11g(第一TFT)的有机绝缘膜PF上形成具有倾斜面15g(第一倾斜面)的接触孔Hg(第一接触孔)。并且，沿接触孔Hg的倾斜面15g及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEg(第一像素电极)。与TFT11g结合的像素内布线SHg(第一像素内布线)在接触孔Hg内与像素电极PEg电连接。以覆盖像素电极PEg的方式在有机绝缘膜PF上形成绿色的发光层EMg(第一发光层)。
并且，至少在接触孔Hg的倾斜面15g上，在绿色的发光层EMg与公共电极KE之间，以与绿色的发光层EMg重叠的方式形成红色的发光层EMR(第二发光层)。
如图12的(c)及图11所示，在覆盖蓝色像素驱动用的TT11b(第一TFT)的有机绝缘膜PF上形成具有倾斜面15b(第一倾斜面)的接触孔Hb(第一接触孔)。并且，沿接触孔Hb的倾斜面15b及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEb(第一像素电极)。与TFT11b结合的像素内布线SHb(第一像素内布线)在接触孔Hb内与像素电极PEb电连接。以覆盖像素电极PEb的方式在有机绝缘膜PF上形成蓝色的发光层EMb(第一发光层)。
并且，至少在接触孔Hb的倾斜面15b，在蓝色的发光层EMb与公共电极KE之间，以与蓝色的发光层EMb重叠的方式形成绿色的发光层EMG(第二发光层)。
有机绝缘膜PF(平坦化膜)以覆盖像素驱动用的TFT11r、11g、11b的方式形成，除了接触孔Hr、Hg、Hb的区域以外的有机绝缘膜PF的表面的凹凸小于像素驱动用的TFT11r、11g、11b的最大高低差。有机绝缘膜PF由绝缘体形成，使像素电极PEr、PRg、PEb与像素内布线SHr、SHg、SHb之间的寄生电容减少。在有机绝缘膜PF形成有与各像素对应的接触孔Hr、Hg、Hb。
在各接触孔Hr、Hg、Hb的底部，像素电极PEr、PRg、PEb和与各像素驱动用的TFT11r、11g、11b分别结合的像素内布线SHr、SHg、SHb分别电连接。
这样，以覆盖接触孔Hr的方式，发光颜色不同的两种发光层EMB、EMr相互接触地层叠。并且，以覆盖接触孔Hg的方式，发光颜色不同的两种发光层EMg、EMR相互接触地层叠。并且，以覆盖接触孔Hb的方式，发光颜色不同的两种发光层EMb、EMG相互接触地层叠。
像素电极PEr、PRg、PEb在有机绝缘膜PF的表面按每个像素分割而形成。像素电极PEr覆盖对应的接触孔Hr，经由像素内布线SHr与驱动用的TFT11r电连接。像素电极PEg覆盖对应的接触孔Hg，经由像素内布线SHg与驱动用的TFT11g电连接。像素电极PEb覆盖对应的接触孔Hb，经由像素内布线SHb与驱动用的TFT11b电连接。
公共电极KE以跨越多个像素的方式形成。
发光层EMr、EMg、EMb和发光层EMR、EMG、EMB包含量子点，在施加电流时发光。如图11所示，发光层EMr的边缘位于像素电极PEr的边缘的外侧，发光层EMg的边缘位于像素电极PEg的边缘的外侧，发光层EMb的边缘位于像素电极PEb的边缘的外侧。
像素电极PEr、PEg、PRb和公共电极KE中的任一个具有可见光透过性。像素电极PEr、PEg、PRb的功函数和公共电极KE的功函数也可以不同。在发光层EMr.EMg.EMb的上方或下方也可以设置电荷输送层、电荷注入层。电荷输送层、电荷注入层连续地覆盖多个像素、发光层层叠部。在显示设备2A中相邻地配置有多个种类的发光颜色的像素。像素电极与相邻的像素电极之间的距离远比公共电极与像素电极之间的最短距离长。
图13的(a)是第三实施例的显示设备2B的平面图，(b)是沿着(a)所示的面B4-B4的截面图。对与所述的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，不重复这些构成要素的详细说明。
如图13的(a)、(b)所示，在有机绝缘膜PF形成有具有倾斜面15r、15g、15b的接触孔Hr、Hg、Hb。并且，如图13的(a)、(b)所示，沿接触孔Hr的倾斜面15r及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEr。像素内布线SHr在接触孔Hr内与像素电极PEr连接。如图13的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEr的方式在有机绝缘膜PF上形成红色的发光层EMr。
并且，以至少在接触孔Hr的倾斜面15r与红色的发光层EMr重叠的方式在发光层EMr的上层依次形成绿色的发光层EMG以及蓝色的发光层EMB。
如图13的(a)、(b)所示，沿接触孔Hg的倾斜面15g及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEg。像素内布线SHg在接触孔Hg内与像素电极PEg连接。如图13的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEg的方式在有机绝缘膜PF上形成绿色的发光层EMg。
并且，以至少在接触孔Hg的倾斜面15g中与绿色的发光层EMg重叠的方式形成红色的发光层EMR以及蓝色的发光层EMB。红色发光层EMR形成在绿色发光层EMg的下层，蓝色发光层EMB形成在绿色发光层EMg的上层。
如图13的(a)、(b)所示，沿接触孔Hb的倾斜面15b以及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEb。像素内布线SHb在接触孔Hb内与像素电极PEb连接。如图13的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEb的方式在有机绝缘膜PF上形成蓝色的发光层EMb。
并且，以至少在接触孔Hg的倾斜面15b中与蓝色的发光层EMb重叠的方式形成红色的发光层EMR以及绿色的发光层EMG。红色发光层EMR形成在绿色发光层EMG的下层，蓝色发光层EMb形成在绿色发光层EMG的上层。
在像素电极PEr和像素电极PEg之间以及发光层EMr和发光层EMg之间形成像素间绝缘层12。该像素间绝缘层12也形成在像素电极PEg和像素电极PEb之间以及发光层EMg和发光层EMb之间。
这样，在接触孔Hr、Hg、Hb的任一个中均按照红色、绿色以及蓝色的顺序层叠有发光层。即，发光层的发光波长在接触孔Hr、Hg、Hb的任一个中都随着从下层向上层行进而按红色的发光层、绿色的发光层及蓝色的发光层的顺序变化。
在接触孔Hr、Hg、Hb的中央部，形成于最下层的发光层的厚度最厚，随着成为上层，发光层的厚度变薄。
比起在有机绝缘膜PF上的像素电极PEr的表面与接触孔Hr的底部的像素电极PEr的表面之间的高度，在有机绝缘膜PF上的发光层EMr的表面和接触孔Hr的底部的发光层EMr的表面之间的高度小。这是因为像素电极PEr通过蒸镀、溅射而形成，发光层EMr通过涂布的方法而形成。由于通过涂布形成的膜的膜厚在凹部更厚。像素电极PEg以及发光层EMg也是同样的，像素电极PEb以及发光层EMb也是同样的。
各接触孔Hr、Hg、Hb的最下部的靠近像素电极的一侧的发光层的发光波长最长，靠近公共电极一侧的发光层的发光波长最短。例如，在接触孔Hr的最下部，发光层EMr的发光波长比发光层EMG的发光波长长，发光层EMB的发光波长比发光层EMG的发光波长短。同样地，在接触孔Hg的最下部，发光层EMR的发光波长比发光层EMg的发光波长长，发光层EMB的发光波长比发光层EMg的发光波长短。在接触孔Hb的最下部，发光层EMR的发光波长比发光层EMG的发光波长长，发光层EMb的发光波长比发光层EMG的发光波长短。
这样，当在各接触孔Hr、Hg、Hb的最下部配置红色层时，红色层最容易形成得厚。发光层能够吸收比发光波长短的波长的外部光。因此，能够吸收最广的波长范围的外部光的红色发光层变得最厚，能够抑制在接触孔Hr、Hg、Hb附近的不需要的外部光的反射。
在比像素电极的边缘更靠外侧处形成有发光层的边缘。即，在比像素电极PEr的边缘更靠外侧处形成有发光层EMr的边缘，在比像素电极PEg的边缘更靠外侧处形成有发光层EMg的边缘，在比像素电极PEb的边缘更靠外侧处形成有发光层EMb的边缘。因此，能够利用至像素电极PEb的边缘，能够扩大各发光层的发光面积。
但是，为了抑制相邻像素电极之间的泄露电流，如图13的(b)所示，也可以形成为使比覆盖相邻像素电极的边缘的有机绝缘膜PF薄、厚度500nm以下的像素间绝缘层12与邻接的像素电极接触。
图14的(a)～(c)是表示EL层8的其他图案化工序的截面示意图。发光层EMb、EMg、EMr除了在图5中利用上述感光性树脂的图案化方法以外，还能够通过以下说明的剥离法来形成图案。
首先，通过狭缝涂布、喷墨、旋涂、凹版印刷等将正型抗蚀剂RSX涂布于有机绝缘膜PF上(涂布厚度例如为20～500nm)。接着，将涂布的抗蚀剂RSX用热板、烘箱预烘烤，使溶剂蒸发，使涂膜干燥。接着，对经过干燥的抗蚀剂RSX隔着掩模进行UV曝光(曝光强度例如为10～1000〔mJ/cm2〕)。接着，如图14的(a)那样，使用碱溶液、有机溶剂、水等进行显影。
而且，如图14的(b)所示，通过狭缝涂布、喷墨、旋涂、雾化涂布、凹版印刷等涂布包含量子点QD的量子点溶液LQ(涂布厚度例如为20～100nm)。接着，在80～120℃下通过热板、烘箱使所涂布的量子点溶液LQ干燥，使溶剂蒸发，使涂膜干燥。然后，使用碱溶液、有机溶剂、水等将层叠在抗蚀剂RSX上的量子点溶液LQ连同抗蚀剂RSX一起剥离，得到图案化的发光层EM。所形成的发光层EM中含有量子点、配体。
图15的(a)～(e)是表示第三实施例中的EL层及公共电极层的形成工序的截面-平面对应图。
某一颜色的像素的发光层和覆盖其它颜色的像素中的接触孔的发光层同时形成。例如，同时形成红色像素的发光层EMr和覆盖绿色、蓝色像素中的接触孔Hg、Hb的发光层EMR。并且，同时形成绿色的像素的发光层EMg和覆盖蓝色、红色的像素中的接触孔Hb、Hr的发光层EMG。同样地，同时形成蓝色像素的发光层EMb和覆盖红色、绿色的像素中的接触孔Hr、Hg的发光层EMB。
首先，如图15的(a)所示，在形成有接触孔Hr、Hg、Hb的有机绝缘层PF上形成像素电极PEr、PEg、PEb。然后，如图15的(b)所示，将与像素电极PEr整体重叠的红色发光层EMr和覆盖绿色像素中的接触孔Hg以及蓝色像素中的接触孔Hb的发光层EMR同时形成图案。接着，如图15的(c)所示，将覆盖与像素电极PEg整体重叠的绿色的发光层EMg和蓝色的像素中的接触孔Hb以及红色的像素中的接触孔Hr的发光层EMG同时形成图案。之后，如图15的(d)所示，将覆盖与整个像素电极PEb重叠的蓝色的发光层EMb和覆盖红色像素中的接触孔Hr以及绿色像素中的接触孔Hg的发光层EMB同时形成图案。
接着，如图15的(e)所示，形成覆盖发光层EMb、EMg、EMr的公共电极KE。
根据该形成工序，不需要与某一颜色的像素的发光层的形成分开地、仅在其他颜色的像素中的接触孔形成发光层的步骤，所以制造过程变得简单。
在各接触孔中不同颜色的发光层重叠而形成。例如，在图15所示的例子中，在接触孔Hr依次重叠形成有发光层EMr、发光层EMG以及发光层EMB。在接触孔Hg上，发光层EMR、发光层EMg及发光层EMB按该顺序重叠而形成。在接触孔Hb上依次重叠发光层EMR、发光层EMG及发光层EMb而形成。
而且，不仅是触孔，各像素电极之间也可以重叠形成不同颜色的发光层。此时，接触孔的各颜色的发光层的层叠顺序与各像素电极间的各颜色的发光层的层叠顺序相同。但是，也可以在各发光层之间插入其它发光层。在下述(表1)中示出一例。
在下述(表1)的例1～例4的任一个中，在绿色的发光层层叠在红色的发光层的上层、蓝色的发光层层叠在绿色的发光层或红色的发光层的上层的方面，层叠顺序均共通。
[表1]
Figure BDA0002958085480000211
图16的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的结构的截面-平面对应图。
发光层EMr隔着像素电极PEr形成在接触孔Hr以及有机绝缘层PF上。并且，发光层EMB隔着像素电极PEr形成于接触孔Hr。图16是前述图12的(a)的主要部分放大图。发光层EMB在接触孔Hr内的最大膜厚2b小于发光层EMr在接触孔Hr内的最大膜厚1b。即，2b＜1b。
另外，发光层EMr在有机绝缘层PF上的平均膜厚1t小于发光层EMr在接触孔Hr内的最大膜厚1b。发光层EMB在有机绝缘层PF上的平均膜厚2t小于发光层EMB在接触孔Hr内的最大膜厚2b。即，1t是1b＜2t＜2b。由此，可抑制电场向接触孔Hr的底部的集中。
有机绝缘膜PF上的像素电极PEr与公共电极KE之间的平均间隔e1比接触孔Hr的倾斜面15r上的发光层EMr的膜厚最薄的部位的像素电极PEr与公共电极KE之间的最小间隔e2小。该最小间隔e2比上述平均膜厚1t与上述平均膜厚2t之和小。而且，该平均膜厚1t与上述平均膜厚2t之和小于上述最大膜厚1b与上述最大膜厚2b之和。即，e1＜e2＜2t+1t＜1b+2b。由此，可抑制电场向接触孔Hr的边缘的集中。
接触孔Hr中的公共电极KE的高低差D小于从像素电极PEr与像素内布线SHr接触的位置到有机绝缘层PF的最上部的有机绝缘层PF的厚度L。即，D＜L。结果，防止了公共电极KE在接触孔Hr的台阶处的台阶断开。
由像素电极PEr与像素内布线SHr接触的区域的最外缘包围的最外缘部c1被由有机绝缘层PF的厚度在接触孔Hr附近变化的区域的最外缘包围的最外缘部c2包含。该最外缘部c2被由发光层EMr的厚度在接触孔Hr附近变化的区域的最外缘包围的最外缘部c3包含。该最外缘部c3被由多个发光层(发光层EMr和发光层ENB)重叠的区域的最外缘包围的最外缘部c4包含。该最外缘部c4的内侧成为多个发光层(例如发光层EMr和发光层ENB)重叠的多层区域，最外缘部c4的外侧成为发光层仅形成有一层(例如发光层EMr)的单层区域。
此外，下述成立。
30°≤arctan(L/(C2-C1))＜60°
在此，C1、C2表示从内包像素内布线SHr与像素电极PEr接触的区域的最小的圆的中心到朝向同一方向的最外缘部c1、最外缘部c2的距离。
当上述arctan(L/(C2-C1))小于30°时，像素电极PEr的接触孔Hr的底部的平坦部分变少，发光面积变窄。当上述arctan(L/(C2-C1))变为60°以上时，像素电极PEr难以形成，容易发生接触孔Hr的台阶处的台阶切断。
图17的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的其它结构的截面-平面对应图。
在图16中，在上述的例子中，在接触孔Hr的底部的靠近像素电极PEr的一侧形成有红色的发光层(发光层EMr)，在靠近公共电极KE的一侧形成有蓝色的发光层(发光层EMB)。与此相对，在该图17所示的例子中，在接触孔Hr的底部的靠近像素电极PEr的一侧，形成蓝色的发光层(发光层EMB)。并且，在靠近公共电极KE的一侧形成红色的发光层(发光层EMr)。
蓝色的发光层在红色、绿色、蓝色的发光层中发光波长最短。红色的发光层在上述发光层中发光波长最长。
将发光波长长的发光层配置于上层(显示设备的观察者侧)时，发光层吸收比发光波长短的波长，因此，能够减少外部光到达下层的到达量。另外，在最下层的发光波长短的发光层中，能够利用上层的发光波长长的发光层来吸收通过外光吸收而发出的光，因此能够抑制接触孔附近的基于外部光吸收的PL发光，视觉辨认性提高。例如，如图17的(b)所示，在上层形成红色的发光层EMr，在下层形成蓝色的发光层EMB时，发光层EMr吸收外部光Al中波长比红色短的光。并且，上层的发光层EMr吸收在下层的发光层EMB发出的波长比红色短的光。
图18的(a)～(e)是表示第三实施例中的EL层及公共电极层的其它形成工序的截面-平面对应图。图19的(a)～(e)是表示上述其它的形成工序的截面图。
与在图15中上述的形成工序不同的方面是，首先形成蓝色的发光层，接着形成绿色的发光层，最后形成红色的发光层。在该情况下，某一颜色的像素的发光层和覆盖其它颜色的像素中的接触孔的发光层同时形成。
首先，在形成有接触孔Hr、接触孔Hg(第二接触孔)和接触孔Hb(第一接触孔)的有机绝缘层PF上，如图18的(a)和图19的(a)所示那样形成像素电极PEr(第三像素电极)、像素电极PEg(第二像素电极)和像素电极PEb(第一像素电极)。然后，如图18的(b)及图19的(b)所示，与像素电极PEb整体重叠的蓝色的发光层EMb(第一发光层)以及覆盖红色像素中的接触孔Hr及绿色像素中的接触孔Hg的发光层EMB同时形成图案。接着，如图18的(c)及图19的(c)所示，与像素电极PEg整体重叠的绿色发光层EMg(第二发光层)以及覆盖蓝色像素中的接触孔Hb以及红色像素中的接触孔Hr的发光层EMG(第二发光层)同时形成图案。之后，如图18的(d)及图19的(d)所示，与像素电极PEr整体重叠的红色发光层EMr以及覆盖蓝色像素中的接触孔Hb以及绿色像素中的接触孔Hg的发光层EMR(第三发光层)同时形成图案。
接着，如图18的(e)及图19的(e)所示，形成覆盖发光层EMb、EMg、EMr的公共电极KE。
根据该形成工序，不需要与某一颜色的像素的发光层的形成分开地、仅覆盖的其他颜色的像素中的接触孔形成发光层的步骤，所以制造过程变得简单。
与图15中上述的形成工序同样，接触孔的各颜色的发光层的层叠顺序与各像素电极间的各颜色的发光层的层叠顺序相同。在下述(表2)中示出一例。
在下述(表2)的例1～例4的任一个中，在绿色的发光层层叠在蓝色的发光层的上层、红色有的发光层层叠在绿色的发光层或蓝色的发光层的上层的方面，层叠顺序均共通。
[表2]
Figure BDA0002958085480000251
Figure BDA0002958085480000261
图20的(a)、(b)是表示第三实施例的显示设备的接触孔附近的又一结构的截面-平面对应图。
与图16、图17的不同点在于，在接触孔Hr的底部，在像素电极Per与公共电极KE之间仅形成有一种发光层EMr，在接触孔Hr的倾斜面15r，在像素电极Per与公共电极KE之间重叠形成有多种发光层EMr、EMB。
由此，在接触孔Hr的底部周边，发光层为单层，因此，如果施加高电压，则能够发光，因此，发光层EMr的发光面积扩大，能够提高显示设备的发光亮度。
由像素电极PEr与像素内布线SHr接触的区域的最外缘包围的最外缘部c1被多种发光层EMr、EMB重叠的区域的最内缘包围的最内缘部c5包含。该最内缘部c5由有机绝缘层PF的厚度在接触孔Hr附近变化的区域的最外缘包围的最外缘部c2包含。该最外缘部c2被由发光层EMr的厚度在接触孔Hr附近变化的区域的最外缘包围的最外缘部c3包含。该最外缘部c3被由多个发光层(发光层EMr和发光层ENB)重叠的区域的最外缘包围的最外缘部c4包含。
有机绝缘膜PF上的像素电极PEr与公共电极KE之间的平均间隔e1为发光层EMr在接触孔Hr内的最大膜厚1b以下。该最大膜厚1b小于接触孔Hr的倾斜面15r上的发光层EMr的膜厚最薄的位置处的像素电极PEr与公共电极KE之间的最小间隔e2。该最小间隔e2小于发光层EMr在有机绝缘层PF上的平均膜厚1t和发光层EMB在有机绝缘层PF上的平均膜厚2t之和。即，e1≤1b＜e2＜1t+2t。
图21的(a)是第三实施例的又一显示设备2C的平面图，(b)是沿着(a)所示的面B7-B7的截面图。对与所述的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，不重复这些构成要素的详细说明。
如图21的(a)、(b)所示，在有机绝缘膜PF形成有具有倾斜面15r、15g、15b的接触孔Hr、Hg、Hb。并且，如图21的(a)、(b)所示，沿接触孔Hr的倾斜面15r及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEr。像素内布线SHr在接触孔Hr内与像素电极PEr电连接。另外，如图21的(a)、(b)所示，沿接触孔Hg的倾斜面15g及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEg。像素内布线SHg在接触孔Hg内与像素电极PEg电连接。如图21的(a)、(b)所示，沿接触孔Hb的倾斜面15b以及有机绝缘膜PF的表面形成像素电极PEb。像素内布线SHb在接触孔Hb内与像素电极PEb电连接。
并且，如图21的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEr、像素电极PEg的周端部、接触孔Hg、像素电极PEb的周端部以及接触孔Hb的方式，在有机绝缘膜PF上形成红色的发光层EMr。此外，如图21的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEg、像素电极PEr的周端部、接触孔Hr、像素电极PEb的周端部以及接触孔Hb的方式，在有机绝缘膜PF上形成绿色的发光层EMg。进一步地，如图21的(a)、(b)所示，以覆盖像素电极PEb、像素电极PEr的周端部、接触孔Hb、像素电极PEg的周端部以及接触孔Hg的方式，在有机绝缘膜PF上形成蓝色的发光层EMb。
在一层区域13r中，发光层仅形成一层发光层EMr。在一层区域13g中，发光层仅形成一层发光层EMg，在一层区域13b中，发光层仅形成发光层EMb的一层。并且，在一层区域13r、13g、13b以外的区域的三层区域14中，发光层以发光层EMr、EMg、EMb的三层重叠的方式形成。
在一层区域13r从发光层EMr发出红色光，在一层区域13g从发光层EMg发出绿色光，在一层区域13b从发光层EMb发出蓝色光。
这样，层叠有多层发光层的三层区域14以不间断地覆盖各接触孔Hr、Hg、Hb、各像素电极PEr的周端部、各像素电极PEg的周端部以及各像素电极PEb的周端部的方式配置。由此，通过在因电场集中而容易引起劣化的区域层叠多个发光层，能够缓和电场集中，抑制发光元件的劣化。
在第三实施例中，至少在接触孔Hr、Hg、Hb的倾斜面15r、15g、15b，发光层EMr、EMg、EMb中的至少两个重叠即可，因此，既可以存在边缘罩(覆盖像素电极的边缘的绝缘膜)，也可以不存在。如果存在边缘罩，则能够进一步缓和像素边缘处的电场集中，能够进一步抑制发光元件的劣化。后述的第四实施例也同样。
〔第四实施例〕
图22的(a)为实施例4的显示设备的平面图，(b)为实施例4的变形例的平面图。对与所述的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，不重复这些构成要素的详细说明。
图22的(a)所示，像素电极PEr具有朝向相邻的像素电极PEg突出的支部电极Exr。在与支部电极Exr对应的位置形成有接触孔Hr。上述像素电极PEg具有朝向上述像素电极PEr以与支部电极Exr相对的方式突出的支部电极Exg。在与支部电极Exg对应的位置形成接触孔Hg。
像素电极PEb相对于像素电极PEg配置在像素电极PEr的相反侧。并且，相对于该像素电极PEb，在像素电极PEg的相反侧配置其他像素电极PEr。
像素电极PEb具有朝向相邻的其它像素电极PEr突出的支部电极Exb。在与支部电极Exb对应的位置形成接触孔Hb。上述其他的像素电极PEr具有朝向上述像素电极PEb以与支部电极Exb相对的方式突出的支部电极Exr。其它在与支部电极Exr对应的位置形成有其它接触孔Hr。
这样，相邻的像素电极PEr、PEg之间接触孔Hr、Hg相互面对。并且，像素电极PEg和像素电极PEb的接触孔Hg和接触孔Hb不相对。像素电极PEb和其它像素电极PEr之间的接触孔Hb与其它接触孔Hr相对。该结构如图22的(a)所示重复连续。
如图22的(a)所示，以覆盖包含支部电极EXr的像素电极PEr和支部电极EXg的方式形成发光层EMr。并且，如图22的(a)所示，以覆盖包含支部电极EXg的像素电极PEg和支部电极EXr的方式形成发光层EMg。因此，在接触孔Hr、Hg中，发光层EMr和发光层EMg重叠地形成。
同样地，发光层EMb以覆盖包括支部电极EXb的像素电极PEb和其他的支部电极EXr的方式，如图22的(a)所示那样形成。并且，如图22的(a)所示，以覆盖包含其他的支部电极EXr的其他像素电极PEr和支部电极EXg的方式形成其他的发光层EMr。因此，在接触孔Hb和其它接触孔Hr中，发光层EMb和其它发光层EMr重叠地形成。
并且，接触孔相对的像素电极PEr与像素电极PEg之间的距离Lc比接触孔不相对的像素电极PEb与其它像素电极PEg之间的距离L长。在此，如图22的(a)所示，像素电极PEr与像素电极PEg之间的距离Lc是指除支部电极EXr之外的像素电极PEr与除支部电极EXg之外的像素电极PEg之间的距离。
图22的(a)所示的例子中，发光层EMr对于每一个像素电极PEr形成，但对呈列状排列的多个像素电极PEr共用的一个发光层EMr也可以形成为列状。发光层EMg、发光层EMb也同样。
图22的(b)所示的变形例中，在接触孔Hr中，发光层EMg仅形成于倾斜面，未形成于底部。因此，在接触孔Hr的倾斜面15r形成发光层EMr和发光层EMg这两层，在接触孔Hr的底部，发光层仅形成发光层EMr的一层。因此，接触孔Hr的底部发出红色光。
同样地，在接触孔Hg中，发光层EMr仅形成于倾斜面15g，未形成于底部。因此，在接触孔Hg中，发光层形成发光层EMr和发光层EMg这两层，在接触孔Hg的底部，发光层仅形成发光层EMg的一层。因此，接触孔Hr的底部发出绿色光。
〔总结〕
方式1的显示设备，具备：以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；第一像素电极，在所述第一接触孔及所述有机绝缘膜上形成；第一像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第一接触孔与所述第一像素电极电连接，所述第一像素内布线与所述第一TFT电连接；第一发光层，以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上；第二发光层，对应于与所述第一像素电极相邻的第二像素电极，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；公共电极，以覆盖所述第一像素电极的方式形成于所述第一发光层上。
在方式2中，所述第一以及第二发光层包含量子点。
在方式3中，所述第一发光层的发光颜色与所述第二发光层的发光颜色不同。
在方式4中，所述第二发光层在所述第一接触孔的第一倾斜面上，相对于所述第一发光层形成于所述公共电极侧，所述第二发光层的发光颜色的波长比所述第一发光层的发光颜色的波长长。
在方式5中，所述第二发光层在所述第一接触孔的第一倾斜面上，相对于所述第一发光层形成于所述公共电极侧，所述第二发光层的发光颜色的波长比所述第一发光层的发光颜色的波长短。
在方式6中，所述第一发光层形成在所述第一接触孔的底部及第一倾斜面，所述第二发光层不形成于所述第一接触孔的底部，形成于所述第一接触孔的第一倾斜面。
在方式7中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，该第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面；与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，还具备第二像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第二接触孔与所述第二像素电极电连接，所述第二像素内布线与所述第二TFT电连接，所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，所述第一发光层为蓝色发光层，所述第二发光层为绿色发光层，所述第三发光层为红色发光层，所述第一像素电极和第二像素电极为阴极和阳极中的一个，所述公共电极是所述阴极及所述阳极的另一方，所述阴极和所述阳极中的一个、所述蓝色发光层、所述绿色发光层、所述红色发光层以及所述阴极和所述阳极中的另一个依次形成。
在方式8中，在所述第一接触孔的第一斜面上，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层该三层彼此重叠地形成。
在方式9中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，与所述第一像素电极相邻的第二像素电极形成在所述第二接触孔以及所述有机绝缘膜上，所述第一发光层及所述第二发光层发出互不相同的颜色的光，所述第一像素电极具有朝向所述第二像素电极突出的第一支部电极，所述第二像素电极具有朝向所述第一像素电极以与所述第一支部电极对置的方式突出的第二支部电极，所述第一接触孔形成在与所述第一支部电极对应的位置，所述第二接触孔形成在与所述第二支部电极对应的位置。
在方式10中，还具备第三像素电极，相对于所述第二像素电极配置在所述第一像素电极的相反侧；以及第四像素电极，相对于所述第三像素电极配置在所述第二像素电极的相反侧，所述第三像素电极对应于发出与所述第一发光层及所述第二发光层不同的光的第三发光层，所述第四像素电极对应于发出与所述第一发光层相同颜色的光的第四发光层，所述第三像素电极具有朝向所述第四像素电极突出的第三支部电极，所述第四像素电极具有朝向所述第三像素电极以与所述第三支部电极对置的方式突出的第四支部电极，除所述第一支部电极以外的所述第一像素电极和除所述第二支部电极以外的所述第二像素电极之间的距离，比所述第二像素电极和所述第三像素电极之间的距离长。
在方式11中，所述第一以及第二发光层还包含感光性树脂。
在方式12中，所述第一发光层及所述第二发光层的从与所述有机绝缘膜垂直的方向观察的形状相互不同。
在方式13中，还包括在所述有机绝缘膜与所述公共电极之间形成的功能层，所述功能层包括电荷注入层和电荷输送层。
在方式14中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，还具备：第二像素电极，沿着所述第二接触孔的第二倾斜面及所述有机绝缘膜形成；以及功能层，形成于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间，所述功能层包括电荷注入层和电荷输送层。
在方式15中，所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b大于所述第二发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚2b。
在方式16中，所述第一发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚1t小于所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b，所述第二发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚2t比所述第二发光层的在所述第一接触孔内的最大膜厚2b小。
在方式17中，所述有机绝缘膜上的所述第一像素电极和所述公共电极之间的平均间隔e1比在所述第一接触孔的第一倾斜面中所述第一发光层的膜厚最薄的部位处的所述第一像素电极和所述公共电极之间的最小间隔e2小，所述第一像素电极和所述公共电极之间的最小间隔e2比所述第一发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚1t与所述第二发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚2t之和(1t+2t)小，所述和(1t+2t)比所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b与所述第二发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚2b的和(1b+2b)小。
在方式18中，所述第一接触孔中的所述公共电极的高低差D比从所述第一像素电极与所述第一像素内布线接触的位置到所述有机绝缘膜的最上部为止的所述有机绝缘膜的厚度L小。
在方式19中，表示所述第一像素电极与所述第一像素内布线接触的区域的第一最外缘部c1包含在所述第一接触孔附近所述有机绝缘膜的厚度变化的第二最外缘部c2中，所述第二最外缘部c2包含在所述第一接触孔附近所述第一发光层的膜厚变薄的第三最外缘部c3中，所述第三最外缘部c3包含在表示所述第一发光层和所述第二发光层重合的区域的第四最外缘部c4中。
在方式20中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，第一像素电极的厚度比从所述第一和第二像素电极间的所述第一和第二像素电极的下表面到所述公共电极下表面的厚度小，从所述第一和第二像素电极下表面到所述公共电极下表面的厚度比所述第一和第二像素电极间的距离小。
在方式21中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，还具备第二像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第二接触孔与所述第二像素电极电连接，所述第二像素内布线与所述第二TFT电连接，所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，所述第一发光层为蓝色发光层，所述第二发光层为绿色发光层，所述第三发光层为红色发光层，所述第一至第三发光层的发光面积彼此不同。
在方式22中，所述蓝色发光层的发光面积比所述红色发光层的发光面积大，所述红色发光层的发光面积比所述绿色发光层的发光面积大。
在方式23中，所述第一发光层在所述第二发光层和所述第一像素电极的周端部重叠。
在方式24中，所述第二发光层具有位于所述第一像素电极上的开口部，所述第二发光层的开口部在所述第一像素电极侧或所述公共电极侧被所述第一发光层覆盖。
在方式25中，还具备沿着所述有机绝缘膜形成的第三像素电极，所述第一至第三像素电极的尺寸彼此不同，所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，所述第二发光层具有位于所述第三像素电极上的其它开口部，所述开口部的尺寸与所述其他开口部的尺寸相互不同。
在方式26中，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，该第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，所述第一发光层为蓝色发光层，所述第二发光层为绿色发光层，所述第三发光层为红色发光层，在所述蓝色发光层、所述绿色发光层及所述红色发光层中的至少两个的重叠的部分，所述蓝色发光层形成在所述绿色发光层的下层或所述红色发光层的下层，所述红色发光层形成在所述蓝色发光层的上层或所述绿色发光层的上层。
方式27的显示设备的制造方法，所述显示设备具备：以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；形成在所述第一接触孔和所述有机绝缘膜上的第一像素电极；以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上的第一发光层；与邻接于所述第一像素电极的第二像素电极对应的第二发光层，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；以及以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述第一发光层上的公共电极，所述有机绝缘膜具有以覆盖第二TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第二倾斜面的第二接触孔，所述显示装置还具备：形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上的第二像素电极，在所述第一像素电极和所述第二接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第一发光层，在所述第二像素电极和所述第一接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第二发光层。
本发明不限于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围中能够进行各种变更，将分别公开在不同的实施方式中的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。而且，通过将各实施方式中分别公开的技术手段组合能够形成新的技术特征。
附图标记说明
2 显示设备
4 TFT层
8 EL层
11r TFT(第一TFT)
11g TFT(第一TFT)
11b TFT(第一TFT)
15r 倾斜面(第一倾斜面)
15g 倾斜面(第一倾斜面)
15b 倾斜面(第一倾斜面)
SPr、SPg、SPb 子像素
Per 像素电极(第一像素电极、第三像素电极)
Peg 像素电极(第一像素电极、第二像素电极)
Peb 像素电极(第一像素电极)
EMr 发光层(第一发光层)
EMg 发光层(第一发光层、第二发光层)
EMb 发光层(第一发光层)
EMR 发光层(第二发光层、第三发光层)
EMG 发光层(第二发光层)
EMB 发光层(第二发光层)
EDr、EDg、Edb (像素电极的)周端部
Exr、Exg、Exb 支部电极
KE 公共电极
Hr 接触孔(第一接触孔)
Hg 接触孔(第一接触孔、第二接触孔)
Hb 接触孔(第一接触孔)
PF 有机绝缘膜
SHr 像素内布线(第一像素内布线)
SHg 像素内布线(第一像素内布线)
SHb 像素内布线(第一像素内布线)
Fla 下层功能层
FLb 上层功能层

Claims (27)

1.一种显示设备，其特征在于，具备：
以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；
第一像素电极，在所述第一接触孔及所述有机绝缘膜上形成；
第一像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第一接触孔与所述第一像素电极电连接，所述第一像素内布线与所述第一TFT电连接；
第一发光层，以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上；
第二发光层，对应于与所述第一像素电极相邻的第二像素电极，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；
公共电极，以覆盖所述第一像素电极的方式形成于所述第一发光层上。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一以及第二发光层包含量子点。
3.如权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层的发光颜色与所述第二发光层的发光颜色不同。
4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第二发光层在所述第一接触孔的第一倾斜面上，相对于所述第一发光层形成于所述公共电极侧，
所述第二发光层的发光颜色的波长比所述第一发光层的发光颜色的波长长。
5.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第二发光层在所述第一接触孔的第一倾斜面上，相对于所述第一发光层形成于所述公共电极侧，
所述第二发光层的发光颜色的波长比所述第一发光层的发光颜色的波长短。
6.如权利要求1-5中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层形成在所述第一接触孔的底部及第一倾斜面，
所述第二发光层不形成于所述第一接触孔的底部，形成于所述第一接触孔的第一倾斜面。
7.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，该第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面；
与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，
还具备第二像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第二接触孔与所述第二像素电极电连接，所述第二像素内布线与所述第二TFT电连接，
所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，
还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，
所述第一发光层为蓝色发光层，
所述第二发光层为绿色发光层，
所述第三发光层为红色发光层，
所述第一像素电极和所述第二像素电极为阴极和阳极中的一个，
所述公共电极是所述阴极及所述阳极的另一方，
依次形成所述阴极和所述阳极中的一个、所述蓝色发光层、所述绿色发光层、所述红色发光层以及所述阴极和所述阳极中的另一方。
8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，在所述第一接触孔的第一斜面上，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层该三层彼此重叠地形成。
9.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，
与所述第一像素电极相邻的第二像素电极形成在所述第二接触孔以及所述有机绝缘膜上，
所述第一发光层及所述第二发光层发出互不相同的颜色的光，
所述第一像素电极具有朝向所述第二像素电极突出的第一支部电极，
所述第二像素电极具有朝向所述第一像素电极以与所述第一支部电极对置的方式突出的第二支部电极，
所述第一接触孔形成在与所述第一支部电极对应的位置，所述第二接触孔形成在与所述第二支部电极对应的位置。
10.如权利要求9所述的显示设备，其特征在于，还具备第三像素电极，相对于所述第二像素电极配置在所述第一像素电极的相反侧；
以及第四像素电极，相对于所述第三像素电极配置在所述第二像素电极的相反侧，
所述第三像素电极对应于发出与所述第一发光层及所述第二发光层不同的光的第三发光层，
所述第四像素电极对应于发出与所述第一发光层相同颜色的光的第四发光层，
所述第三像素电极具有朝向所述第四像素电极突出的第三支部电极，
所述第四像素电极具有朝向所述第三像素电极以与所述第三支部电极对置的方式突出的第四支部电极，
除所述第一支部电极以外的所述第一像素电极和除所述第二支部电极以外的所述第二像素电极之间的距离，比所述第二像素电极和所述第三像素电极之间的距离长。
11.如权利要求1-10中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一以及第二发光层还包含感光性树脂。
12.如权利要求1-11中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的从与所述有机绝缘膜垂直的方向观察的形状相互不同。
13.如权利要求1-12中任一项所述的显示设备，其特征在于，还包括在所述有机绝缘膜与所述公共电极之间形成的功能层，
所述功能层包括电荷注入层和电荷输送层。
14.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，
还具备：第二像素电极，沿着所述第二接触孔的第二倾斜面及所述有机绝缘膜形成；
以及功能层，形成于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间，
所述功能层包括电荷注入层和电荷输送层。
15.如权利要求1-14中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b大于所述第二发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚2b。
16.如权利要求1-15中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚1t小于所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b，
所述第二发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚2t比所述第二发光层的在所述第一接触孔内的最大膜厚2b小。
17.如权利要求1-16中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜上的所述第一像素电极和所述公共电极之间的平均间隔e1比在所述第一接触孔的第一倾斜面中所述第一发光层的膜厚最薄的部位处的所述第一像素电极和所述公共电极之间的最小间隔e2小，
所述第一像素电极和所述公共电极之间的最小间隔e2比所述第一发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚1t与所述第二发光层的所述有机绝缘膜上的平均膜厚2t之和1t+2t小，
所述和1t+2t比所述第一发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚1b与所述第二发光层在所述第一接触孔内的最大膜厚2b的和1b+2b小。
18.如权利要求1-17中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一接触孔中的所述公共电极的高低差D比从所述第一像素电极与所述第一像素内布线接触的位置到所述有机绝缘膜的最上部为止的所述有机绝缘膜的厚度L小。
19.如权利要求1-18中任一项所述的显示设备，其特征在于，表示所述第一像素电极与所述第一像素内布线接触的区域的第一最外缘部c1包含在所述第一接触孔附近所述有机绝缘膜的厚度变化的第二最外缘部c2中，
所述第二最外缘部c2包含在所述第一接触孔附近所述第一发光层的膜厚变薄的第三最外缘部c3中，
所述第三最外缘部c3包含在表示所述第一发光层和所述第二发光层重合的区域的第四最外缘部c4中。
20.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，
与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，
第一像素电极的厚度比从所述第一和第二像素电极间的所述第一和第二像素电极的下表面到所述公共电极下表面的厚度小，
从所述第一和第二像素电极下表面到所述公共电极下表面的厚度比所述第一和第二像素电极间的距离小。
21.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，所述第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，
与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，
还具备第二像素内布线，形成于所述有机绝缘膜之下，通过所述第二接触孔与所述第二像素电极电连接，所述第二像素内布线与所述第二TFT电连接，
所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，
还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，
所述第一发光层为蓝色发光层，
所述第二发光层为绿色发光层，
所述第三发光层为红色发光层，
所述第一至第三发光层的发光面积彼此不同。
22.如权利要求21所述的显示设备，其特征在于，所述蓝色发光层的发光面积比所述红色发光层的发光面积大，
所述红色发光层的发光面积比所述绿色发光层的发光面积大。
23.如权利要求1-22中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一发光层在所述第二发光层和所述第一像素电极的周端部重叠。
24.如权利要求1-23中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第二发光层具有位于所述第一像素电极上的开口部，
所述第二发光层的开口部在所述第一像素电极侧或所述公共电极侧被所述第一发光层覆盖。
25.如权利要求24所述的显示设备，其特征在于，
还具备沿着所述有机绝缘膜形成的第三像素电极，
所述第一至第三像素电极的尺寸彼此不同，
所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，
所述第二发光层具有位于所述第三像素电极上的其它开口部，
所述开口部的尺寸与所述其他开口部的尺寸相互不同。
26.如权利要求1-6中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述有机绝缘膜具有第二接触孔，该第二接触孔形成为覆盖第二TFT，且形成有第二倾斜面，
与所述第一像素电极相邻的所述第二像素电极形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上，
所述第二发光层以覆盖所述第二像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上，
还具备第三发光层，其与邻接于所述第二像素电极的第三像素电极对应，所述第三发光层以至少在所述第二接触孔的第二倾斜面与所述第二发光层重叠的方式形成，
所述第一发光层为蓝色发光层，
所述第二发光层为绿色发光层，
所述第三发光层为红色发光层，
在所述蓝色发光层、所述绿色发光层及所述红色发光层中的至少两个的重叠的部分，所述蓝色发光层形成在所述绿色发光层的下层或所述红色发光层的下层，所述红色发光层形成在所述蓝色发光层的上层或所述绿色发光层的上层。
27.一种显示设备的制造方法，其特征在于，所述显示设备具备：以覆盖第一TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第一倾斜面的第一接触孔；形成在所述第一接触孔和所述有机绝缘膜上的第一像素电极；以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述有机绝缘膜上的第一发光层；与邻接于所述第一像素电极的第二像素电极对应的第二发光层，所述第二发光层以至少在所述第一接触孔的第一倾斜面与所述第一发光层重叠的方式形成；以及以覆盖所述第一像素电极的方式形成在所述第一发光层上的公共电极，所述有机绝缘膜具有以覆盖第二TFT的方式形成的有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有形成有第二倾斜面的第二接触孔，所述显示装置还具备：形成在所述第二接触孔和所述有机绝缘膜上的第二像素电极，
在所述第一像素电极和所述第二接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第一发光层，
在所述第二像素电极和所述第一接触孔使用量子点光致抗蚀剂形成所述第二发光层。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022137342A1 (ja) * 2020-12-22 2022-06-30 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070046185A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Kim Byung H Organic light emitting display and method for fabricating the same
US20100295898A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Seiko Epson Corporation Droplet discharge device
WO2011138817A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
JP2013114773A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Canon Inc 表示装置
US20160187751A1 (en) * 2014-12-25 2016-06-30 Japan Display Inc. Display device
US20170250362A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Japan Display Inc. Display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP2009058897A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5478954B2 (ja) * 2008-07-11 2014-04-23 キヤノン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2012025961A1 (ja) * 2010-08-25 2012-03-01 パナソニック株式会社 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置
WO2013093974A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル
JP2016143446A (ja) * 2015-01-29 2016-08-08 京セラディスプレイ株式会社 発光装置
CN105552241B (zh) * 2016-01-13 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
JP6856367B2 (ja) 2016-11-30 2021-04-07 東京応化工業株式会社 感光性組成物、硬化膜、発光表示素子用の発光層、発光表示素子、及び発光層の形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070046185A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Kim Byung H Organic light emitting display and method for fabricating the same
US20100295898A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Seiko Epson Corporation Droplet discharge device
WO2011138817A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法
US20110272677A1 (en) * 2010-05-07 2011-11-10 Panasonic Corporation Organic el display panel and manufacturing method thereof
CN102405539A (zh) * 2010-05-07 2012-04-04 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示面板及其制造方法
JP2013114773A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Canon Inc 表示装置
US20160187751A1 (en) * 2014-12-25 2016-06-30 Japan Display Inc. Display device
US20170250362A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Japan Display Inc. Display device

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