JP2022149566A - 自発光表示パネル、及び自発光表示パネルの製造方法 - Google Patents

自発光表示パネル、及び自発光表示パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】補助配線を設けたことに伴う表示パネルの面積に対する自発光領域の占める比率である開口率の低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路を低抵抗化する。【解決手段】基板１００ｘと、基板１００ｘに配された補助配線１３と、基板１００ｘの上方に所定の隙間を挟んで行列状に配された複数の画素電極１０と、複数の画素電極１９の上方に配された複数の発光層２３と、複数の発光層２３上方に跨って連続して配された機能層２４と、機能層２４上方に連続して配された共通電極２５とを備え、補助配線１３は、画素電極１９の下方において基板１００ｘの平面方向に延在し、基板１００ｘの上方には、共通電極２５と補助配線１３とが領域内で電気的に接続される、画素電極１９が存在していない接続用領域ＣＡが存在し、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥している。【選択図】図３

Description

本開示は、自発光表示パネル、及び自発光表示パネルの製造方法に関する。
従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、平坦化絶縁層に覆われたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）基板上に、少なくとも、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。
有機ＥＬ素子は、画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、画像表示領域以外の周辺領域に設けられた電極板を介して有機ＥＬ素子に電流を供給するための給電部と電気的に接続されている。
近年、表示パネルの大型化による給電経路の増加に伴って共通電極の電気抵抗が増加し、給電部から遠い部分では電流が十分に供給されず発光効率が低下し、輝度ムラが発生するという問題があった。
これに対し、例えば、特許文献１、２では、基板上の画素電極と画素電極との隙間に補助配線を長尺状に延伸させて配し、補助配線の上方に位置する機能層の一部を除去したのちに画素電極と対向して共通電極を製膜することにより、長尺状の補助配線と共通電極とのコンタクトを確保して電気的な接続を図ることにより、共通電極の電気抵抗を低減して輝度ムラを抑制する技術が開示されている。
特開２００７－１０３０９８号公報 特開２０２０－９６７６号公報
ところが、表示パネルの大型化に伴い必要な補助配線の断面積も増加するため、特許文献１、２に記載された従来の表示パネルの構成では、補助配線の設置に伴って表示パネルの開口率が低下するという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、自発光表示パネルにおいて、表示パネルの面積に対する自発光領域の占める比率である開口率の、補助配線を設けたことに伴う低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する自発光表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板に配された補助配線と、前記基板の上方に所定の隙間を挟んで行列状に配された複数の画素電極と、複数の前記画素電極の上方に配された複数の発光層と、複数の前記発光層上方に跨って連続して配された機能層と、前記機能層上方に連続して配された共通電極と、を備え、前記補助配線は、前記画素電極の下方において前記基板の平面方向に延在し、前記基板の上方には、前記共通電極と前記補助配線とが領域内で電気的に接続される、前記画素電極が存在していない接続用領域が存在し、平面視において、前記接続用領域の外縁と対峙する前記画素電極の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥していることを特徴とする。
本開示の一態様に係る自発光パネルは、表示パネルの面積に対する自発光領域の占める比率である開口率の、補助配線を設けたことに伴う低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することができる。
実施の形態に係る表示パネル１０の平面図である。 表示パネル１０の画像表示面のＡ部を拡大した模式平面図である。 表示パネル１０の複数の画素を拡大した模式平面図である。 表示パネル１０を、図３におけるＢ－Ｂで切断した模式断面図である。 表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。 （ａ）～（ｄ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｇ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ－Ａと同じ位置で切断した模式断面図である。 実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 （ａ）（ｂ）は、変形例１、２に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。 （ａ）は変形例３、（ｂ）は比較例に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。 （ａ）は変形例５、（ｂ）は比較例に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板に配された補助配線と、前記基板の上方に所定の隙間を挟んで行列状に配された複数の画素電極と、複数の前記画素電極の上方に配された複数の発光層と、複数の前記発光層上方に跨って連続して配された機能層と、前記機能層上方に連続して配された共通電極と、を備え、前記補助配線は、前記画素電極の下方において前記基板の平面方向に延在し、前記基板の上方には、前記共通電極と前記補助配線とが領域内で電気的に接続される、前記画素電極が存在していない接続用領域が存在し、平面視において、前記接続用領域の外縁と対峙する前記画素電極の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥していることを特徴とする。
係る構成により、表示パネルでは、補助配線は、画素電極の下方において基板の平面方向に延在する構成としたことにより、従来の表示パネルのように、補助配線の面積の増加がそのまま画像表示領域における自己発光領域の面積の減少につながる関係になく、補助配線１３の面積が増加しても自己発光領域の面積の減少を抑制できる。
また、平面視において、接続用領域の外縁と対峙する画素電極の外縁の部分は、その画素電極の内方向に凹陥している構成を採る。すなわち、接続用領域の周囲の画素電極は、平面視において、接続用領域から所定の距離だけ離間するように凹陥することによって、接続用領域を避けて形成されている構成を採る。これによって、接続用領域によって光らない暗部が発光領域間の境界に分散して配されるために目立ちにくくなる。従来の表示パネルのように、接続用領域を行又は列方向に直線状に配列した場合には、接続用領域が光らない連続した線状の暗部として認識されていた。これに対し、本実施の態様によれば接続用領域によって減少する自己発光領域の面積の割合が減少するとともに、接続用領域によって光らない暗部が発光領域の間に点在するように分散するため、実質的に看者に視認される表示面積の減少の程度も少なくなる。
以上により、表示パネルは、表示パネルの面積に対する自発光領域の占める比率である開口率の、補助配線を設けたことに伴う低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。
また、前記機能層は、前記接続用領域の上方に位置する一部分が欠落して開口しており、前記共通電極は、前記機能層の前記開口から露出している前記補助配線又は前記補助配線と電気的に接続された電極若しくは層と接触している構成としてもよい。
係る構成により、機能層の一部を除去して、共通電極と補助配線の一部、又は補助配線と電気的接続された電極若しくは層の一部とを接触させて、共通電極と補助配線との電気的な接続が可能となり、補助配線を設けたことに伴う開口率の低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化が可能な有機ＥＬ表示パネルの構成を実現できる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、列方向に延伸して並設された複数の列バンクを備え、前記補助配線は、前記基板の平面視において行及び／又は列方向に延伸し、前記発光層は、一対の前記バンクの間隙において、当該間隙内にある複数の前記画素電極の上方に連続して配されており、前記列バンクには、平面視において前記接続用領域を含む拡幅部が形成されており、前記拡幅部には、平面視において前記機能層の前記開口を内包し、高さ方向に貫通する開口が開設された形状を有している構成としてもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、前記行バンクは、前記列バンクの前記拡幅部に接続されている構成としてもよい。
係る構成により、接続用領域を避けるために、接続用領域の外縁と対峙する画素電極の外縁の部分における、画素電極の内方向への凹陥量を浅くすることができる。その結果、副画素における自発光領域の面積を広く採ることができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、前記行バンクは、前記拡幅部との近傍において前記列バンクに接続され、前記行バンクと前記拡幅部とは列方向に接触している構成としてもよい。
係る構成により、接続用領域が存在することによって行バンクの長さが短縮されることを防止でき、発光層の形成工程において、副画素列における副画素の形成において行バンクと接触するインクの行方向の長さを増加して、副画素における発光層の膜厚をより均一化できる。その結果、副画素内の輝度ばらつきを改善することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記列バンクの前記拡幅部は、列方向に前記画素電極のピッチよりも大きなピッチで配されている構成としてもよい。
係る構成により、副画素列において、接続用領域が存在することによって行バンクの長さが短縮される副画素の数を減少することができ、発光層の形成工程において、副画素列ＣＢにおける副画素間の発光層の膜厚の均一性を相対的に向上できる。
また、係る構成において、行方向に隣り合った２つの列バンクにおいて、前記拡幅部の列方向の位置は異なる構成としてもよい。さらに、行方向に１つの列バンクを挟む２つの列バンクにおいて、前記拡幅部の列方向の位置は同じである構成としてもよい。
係る構成により、接続用領域が存在する列方向の位置が行方向の位置によって交互に異なる千鳥配置となるために、画像表示領域における接続用領域による輝度低下が分散してスジとして認識されるにくくなる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、前記基板の接続用領域は、平面視において、前記行バンクと重なり、行方向に隣り合った一対の前記列バンクの何れからも所定距離以上、離間している構成としてもよい。
係る構成により、発光層の形成工程において、副画素列ＣＢにおける副画素の形成においてインクが接続用領域の両側で行バンクと接触させることにより、副画素列における列方向へのインクの流動性を向上し、副画素列における副画素間の発光層の膜厚の均一性を相対的に向上できる。これにより、副画素列における副画素間の輝度ばらつきを改善することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方に、前記隙間を覆う遮光膜を備え、前記遮光膜は、前記接続用領域を覆う拡幅膜部を有している構成としてもよい。
係る構成により、遮光層に設けられた拡幅部によって接続用領域が覆われているので、接続電極による外交反射が上方に出射されることを抑止でき、表示パネルにおける外交反射によるギラツキを改善することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、平面視において、前記接続用領域の周囲の前記画素電極の外縁は、前記接続用領域の外縁と行方向及び列方向に対峙している構成としてもよい。
また、本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、平面方向に延伸する補助配線が配された基板を準備する工程と、前記基板の上方に所定の隙間を挟んで行列状に複数の画素電極を、前記画素電極の一部が前記補助配線の上方に位置し、かつ、前記補助配線の上方に前記画素電極が存在しない所定の領域が残るように形成する工程と、複数の前記画素電極の上方に複数の発光層を形成する工程と、複数の前記発光層上方に跨って連続して機能層を形成する工程と、前記機能層に、前記所定の領域の上方の前記機能層の一部を除去して、前記補助配線、又は前記補助配線と電気的に接続された電極若しくは層の一部を露出させる工程と、前記機能層上方に共通電極を連続して形成して、前記共通電極と前記補助配線の一部、又は前記電極若しくは層の一部とを接触させる工程とを有し、前記画素電極を形成する工程では、前記画素電極は、平面視において、前記所定の領域の外縁と対峙する前記画素電極の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥するように形成される構成としてもよい。
係る構成により、機能層の一部を除去して、共通電極と補助配線の一部、又は補助配線と電気的に接続された電極若しくは層の一部とを接触させて、共通電極と補助配線との電気的な接続が可能となり、補助配線を設けたことに伴う開口率の低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネルの製造方法を実現することができる。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、列方向に延伸して複数の列バンクを並設する工程を有し、前記発光層を形成する工程では、一対の前記バンクの間隙において、当該間隙内にある複数の前記画素電極の上方に連続して前記発光層を形成し、複数の前記列バンクを並設する工程では、前記列バンクには、平面視において、前記基板の前記所定の領域が開口した拡幅部が形成され、前記機能層の一部を除去する工程では、前記開口内において前記機能層の一部が除去される構成としてもよい。
≪実施の形態≫
以下、本開示の一態様に係る自発光パネル、及びその製造方法として、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル、その製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
＜表示パネル１０の全体構成＞
有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする場合がある）は、本実施の形態では、トップエミッション型の表示パネルであり、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子２が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。
（Ａ）平面構成
図１は、実施の形態１に係る表示パネル１０の平面図である。図２は、表示パネル１０の画像表示面のＡ部を拡大した模式平面図である。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）上に配された平坦化層１６の上面に、複数の画素１００が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。同図に示すように表示パネル１０は、平面視したとき、基板１００ｘ面の中央Ｏを含む所定の範囲に相当し画像表示領域１０ａと、基板１００ｘ面内の画像表示領域１０ａの面外方に位置する周辺領域１０ｂとに区分される。
表示パネル１０では、一例として、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）（以下、単にＲ、Ｇ、Ｂともいう）にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（まとめて「副画素１００ｓｅ」と記す場合がある）が行列状に配列されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、Ｘ方向に交互に並び、Ｘ方向に並ぶ一組の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、一つの画素１００を構成している。画素１００では、階調制御された副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
また、Ｙ方向においては、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列ＣＲ、副画素列ＣＧ、副画素列ＣＢが構成されている。これにより、表示パネル１０全体として画素Ｐが、Ｘ方向及びＹ方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素１００の発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。
また、本実施の形態に係る表示パネル１０では、いわゆるラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを１列ごとに仕切る列バンク２２ＹがＸ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、有機発光層を共有している。
ただし、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する行バンク２ＸがＹ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、独立して発光することができるようになっている。
図３は、表示パネル１０の複数の画素１００を拡大した模式平面図であって、後述する列バンク２２Ｙより下方を視した透視図である。
図３は、表示パネル１０の複数の画素１００を拡大した模式平面図である。図３に示すように、表示パネル１０の画素１００はカラー表示における単位画素であって、列バンク２２Ｙと行バンク２２Ｘによってマトリックス状に区画された領域に、赤色、緑色、青色に発光する自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢ（以後、まとめて「１００ａ」と記す場合がある）を有する有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）（図２参照、まとめて「有機ＥＬ素子２」と表記する場合がある）に対応する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂをひとまとまりとして構成されている。
隣り合う一対の列バンク２２Ｙ間を間隙２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する間隙を間隙２２ｚＲ、２２ｚＧ、２２ｚＢとすると、間隙２２ｚＲ、２２ｚＧ、２２ｚＢには、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢにおいてそれぞれＲＧＢ色に発光する発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂが列方向に連続して形成されている。
表示パネル１０には、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応して、光反射材料からなる画素電極１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。
画素電極１９の形状は、平面視において、矩形形状、又は外縁の一部が内方に凹陥した略矩形形状であり、本例では、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのうち、副画素１００Ｂに対応する画素電極１９の行方向の幅が、副画素１００Ｒ、１００Ｇに対応する画素電極１９の行方向の幅よりも大きく、自己発光領域１００Ｂが、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧよりも広く構成されている。
また、画素電極１９の行バンク２２Ｘに覆われた部分には、平坦化層１６のコンタクトホール１６ａに画素電極１９とＴＦＴのソースＳ1とを電気的に接続する接続電極凹部１４が設けられている。
また、図３に示すように、表示パネル１０には、複数の補助配線１３が基板１００ｘにおけるＴＦＴ層１２に列方向に基板１００ｘの画像表示領域１０ａを横断するように連続して延在している。
基板１００ｘの上方（本例では平坦化層１２の上面）には、補助配線１３の上方に、共通電極２５と補助配線１３とを電気的に接続するための画素電極１９が存在しない接続用領域ＣＡが存在し、接続用領域ＣＡには、補助配線１３と共通電極２５との電気的接続を確保するための接続電極１７（以後、単に「電極」と記す場合がある）が配されている。そして、接続電極１７には、平坦化層１６のコンタクトホール１６ｂに接続電極１７と補助配線１３とを電気的に接続する接続電極凹部１５が設けられている。接続電極１７のサイズは、例えば、直径２０μｍの円を含む範囲であって、副画素１００ｓｅに応じて定めてもよい。
本実施の形態では、図３に示すように、列方向に隣り合った副画素１００Ｇと副画素１００Ｇとの境界であって、間隙２２ｚＢの両側の一対の列バンク２２Ｙの一方（本例では間隙２２ｚＢと間隙２２ｚＲを区分けする列バンク２２Ｙ）の近傍に、接続用領域ＣＡが形成されている。自己発光領域１００ａＢが他の副画素よりも相対的に大きい副画素１００Ｂに接続用領域ＣＡを設けることにより、他の副画素１００Ｒ、１００Ｇと比べて接続用領域ＣＡを設けたことによる自己発光領域１００ａの面積減少率を少なくできる。
接続用領域ＣＡの周囲の画素電極１９は、平面視において、接続用領域ＣＡから所定の距離だけ離間するように接続用領域ＣＡを避けて形成されており、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、その画素電極１９の内方向に凹陥している。あるいは、接続用領域ＣＡの周囲の画素電極１９の外縁は、接続用領域ＣＡの外縁と行方向及び列方向に対峙するように配されている。
列バンク２２Ｙには、基板１００ｘの上方に平面視において接続用領域ＣＡを含む拡幅部２２ａが形成されており、拡幅部２２ａには、高さ方向に貫通する開口２２ｂが開設された形状を有しており、接続電極１７は開口２２ｂ内とは平面方向に重なっている。
本例では、上述のとおり、列方向に隣り合った副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する行バンク２ＸがＹ方向に間隔をおいて複数配置されているので、行バンク２２Ｘは、副画素列ＣＢにおいて、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａに接続される。係る構成により、接続用領域ＣＡを避けるために、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分における、画素電極１９の内方向への凹陥量を浅くすることができ、副画素１００Ｂにおける自発光領域の１００ａＢの面積を広く採ることができる。
後述するように、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内には、塗布法によって選択的に形成されるホール輸送層２１、発光層２３は形成されず、開口２２ｂ内の接続電極１７の上面には、ホール輸送層２１、電子注入輸送層２４と共通電極２５とが当該順に積層された層構成となっている。
そして、電子注入輸送層２４には、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内において、電子注入輸送層２４の一部が欠落している開口が形成されている。本明細書では、電子注入輸送層２４の欠落している部分を開口２４ａとしている。言い換えると、列バンク２２Ｙは拡幅部２２ａに、電子注入輸送層２４の開口２４ａを平面方向に内包し、高さ方向に貫通する開口２２ｂが開設された形状を有している。また、同様に、ホール注入層２０には、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内において、ホール注入層２０の一部が欠落している開口を形成してもよい。開口２４ａのサイズは、例えば、直径６μｍ以上としてもよい。また、開口２４ａは、１つの開口２２ｂ内にそれぞれ複数設けてもよい。
かかる構成により、共通電極２５は、電子注入輸送層２４の一部が欠落している開口２４ａから露出している接続電極１７又はホール注入層２０の表面と接触し、接続電極１７と共通電極２５との電気的な接続が可能となる。そして、接続用領域をＣＡに設けられた接続電極１７及びホール注入層２０を介して共通電極２５と補助配線１３とが電気的に接続される。
（Ｂ）断面構成
図３は、図２のＢ－Ｂ線に沿った表示パネル１０の模式断面図である。表示パネル１０において、一つの画素は、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ発光する３つの副画素からなり、各副画素は、対応する色を発光する有機ＥＬ素子２（Ｒ）、２（Ｇ）、２（Ｂ）で構成される。
図３に示すように、有機ＥＬ素子２は、基板１００ｘ、平坦化層１６、画素電極（陽極）１９、接続電極１７、行バンク２２Ｘ、列バンク２２Ｙ、ホール注入層２０、１７、ホール輸送層２１、発光層２３、電子注入輸送層２４、共通電極（陰極）２５、および、封止層２６とからなる。このうち、相対する一対の画素電極１９及び共通電極２５に挟まれた、発光層２３以外の層、すなわち、ホール注入層２０、ホール輸送層２１、電子注入輸送層２４が、有機ＥＬ素子２の機能層を構成するものとする。
また、画素電極１９は、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に、ホール注入層２０、ホール輸送層２１は、間隙２２ｚ内に連続して延伸して配され、電子注入輸送層２４、共通電極２５、および、封止層２６は、画素１００を跨ぎ、画像表示領域１０ａを覆って連続して配されている。
（基板）
基板１００ｘは、絶縁材料である基材１１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１２とを含む。ＴＦＴ層１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルを製造するためには、基板はプラスチック材料であることが望ましい。
ＴＦＴ層１２は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ1と、対応する画素電極１９を接続する）を含む複数の配線を含む。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続し、ＴＦＴ層１２の上面には画素電極１９の下方にパッド１２ａが形成されている。
また、基板１００ｘの上方（本例では平坦化層１２の上面）には、平面視において行及び／又は列方向に延伸する補助配線１３が配されている。補助配線１３は、例えば、ＴＦＴ層１２の上面に配されていてもよい。補助配線１３は、電子注入輸送層２４に設けられた開口２４ａを通して共通電極２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。
補助配線１３は、基板１００ｘの画像表示領域１０ａを横断するように延伸して配されていてもよい。また、厚み方向においては、補助配線１３は、例えば、図４に示すように、ＴＦＴ層１２の上面に配設されていてもよい。あるいは、補助配線１３がＴＦＴ層１２中に内装され、ＴＦＴ層１２の上面の接続電極１７の下方にパッドが形成されている構成であってもよい。
補助配線１３は、シート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０ｎΩｍ）と小さく、さらに、コスト面から補助配線１３の材料として好適である。ＴＦＴ層１２中の配線と同一の材料で構成してもよい。
（平坦化層）
平坦化層１６は、基板１００ｘ上に形成されている。平坦化層１６は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。また、平坦化層１６には、画素電極１９ごとにコンタクトホール１６ａ（図６（ｂ）参照）が、平坦化層１６を貫通するように開設され、画素電極１９下方のコンタクトホール１６ａの中には接続電極凹部１４が形成されている。さらに、平坦化層１６には、接続電極１７ごとにコンタクトホール１６ｂ（図６（ｂ）参照）が、平坦化層１６を貫通するように開設され、接続電極１７下方のコンタクトホール１６ｂの中には接続電極凹部１５が形成されている。
コンタクトホール１６ｂは、平面視において、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａに開設された開口２２ｂ内、または、列バンク２２Ｙの下方における開口２２ｂの内壁よりも外側に存在していてもよく、あるいは、開口２２ｂの内外に跨って配されていてもよい。また、コンタクトホール１６ｂは、平面視において、行バンク２２Ｘの下方に存在していてもよい。
（画素電極）
基板１００ｘにおける平坦化層１６上には、図４に示すように、副画素単位で画素電極１９が設けられている。画素電極１９は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、平坦化層１６上に形成されている。画素電極１９は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホールの内部に形成された接続電極凹部１４を通してＴＦＴ層１２と電気的に接続されている。本実施の形態においては、画素電極１９は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）などが挙げられる。画素電極１９は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
（接続電極）
接続電極１７は、金属材料からなる金属層を含み、平坦化層１６上に形成されている。接続電極１７は、共通電極２５と補助配線１３との電気的に接続するための中継手段である。接続電極１７又は接続電極１７に上設されたホール注入層２０は、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内おいて、電子注入輸送層２４に設けられた開口２４ａを通して共通電極２５に接触するとともに、平坦化層１６に開設されたコンタクトホールの内部に形成された接続電極凹部１５を通して補助配線１３と電気的に接続されている。接続電極１７は画素電極１９と同じ材料を用いてもよい。
（ホール注入層）
画素電極１９及上には、図４に示すように、ホール注入層２０（以後、単に「層」と記す場合がある）が積層されている。ホール注入層２０は、画素電極１９から発光層２３へのホールの注入を促進させる目的で、画素電極１９上に設けられている。
また、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内において、接続電極１７上にもホール注入層２０が形成されている。
ホール注入層２０は、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの酸化物、あるいは、低分子量の有機化合物や、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子材料が挙げられる。
また、ホール注入層２０は、金属酸化物又は低分子量の有機化合物から構成されるために、主に有機化合物からなる後述するホール輸送層２１、電子注入輸送層２４よりも電気抵抗が低く、また、電子注入輸送層２４に比べて薄層であるため、接続電極１７に上設されたホール注入層２０を介して、接続電極１７と共通電極２５とを低い電気抵抗よって電気的に接続することができ、補助配線１３と共通電極２５との電気的な接続が可能となる。
なお、ホール注入層２０には、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内において、ホール注入層２０の一部がトリミングされ、ホール注入層２０に開口（不図示）が開設されていてもよい。この開口（不図示）を通して共通電極２５と補助配線１３との電気的な接続を図ることができる。
また、本実施の形態では、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内には、ホール注入層２０は接続電極１７上に形成されている構成としたが、接続電極１７上にホール注入層２０が載設されていない構成としてもよい。
（バンク）
図４に示すように、画素電極１９、ホール注入層２０の端縁を被覆するように絶縁物からなる列バンク２２Ｙ、行バンク２２Ｘが形成されている。
列バンク２２Ｙは、基板１００ｘの上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１９を、Ｘ方向（図３、４参照）において列毎に仕切るものであって、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。列バンク２２Ｙには、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）が用いられる。
列バンク２２Ｙは、発光層２３を塗布法で形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の観点から感光性を有することが好ましい。列バンク２２Ｙは、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、列バンク２２Ｙの表面は所定の撥液性を有することが好ましい。
また、平坦化層１６上には、補助配線１３の上方に、共通電極２５と補助配線１３とを電気的に接続するための画素電極１９が存在しない接続用領域ＣＡが存在し、接続用領域ＣＡには、補助配線１３と共通電極２５との電気的接続を確保するための中継手段として接続電極１７が配されている。
行バンク２２Ｘは、電気絶縁性材料からなり、各副画素列においてＹ方向（図２）に隣接する画素電極１９の端部を覆い、当該Ｙ方向に隣接する画素電極１９同士を仕切っており、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける発光層２３の段切れ抑制、画素電極１９と共通電極２５との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
行バンク２２Ｘの膜厚は、インク状態の発光層２３の上面までの厚みよりは小さいが、乾燥後の発光層２３の上面の厚みよりは大きく設定される。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける発光層２３は、行バンク２２Ｘによっては仕切られず、発光層２３を形成する際のインクの流動が妨げられない。そのため、各副画素列における発光層２３の厚みを均一に揃えることを容易にする。行バンク２２Ｘには、列バンク２２Ｙよりも撥液性が低い電気絶縁性材料を用いてもよい。
（ホール輸送層）
図４に示すように、間隙２２ｚＲ、２２ｚＧ、２２ｚＢ内におけるホール注入層２０上には、ホール輸送層２１が積層されている。ホール輸送層２１は、ホール注入層２０から注入されたホールを発光層２３へ輸送する機能を有する。また、ホール輸送層２１は、後述する発光層２３に対する下地層として機能し、有機化合物を含む構成を採る。ホール輸送層２１は、有機化合物誘導体、金属錯体などが挙げられ、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよく、高分子化合物および／または低分子化合物を溶媒に溶解したインクを用いて塗布法などのウェットプロセスにより形成される。
列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内には、塗布法によって選択的に形成されるホール輸送層２１は形成されていない。
（発光層）
図４に示すように、ホール輸送層２１上には、発光層２３が積層されている。発光層２３（Ｒ）、２３（Ｇ）、２３（Ｂ）（まとめて「発光層２３」と記す場合がある）は、間隙２２ｚ内に形成されており、ホールと電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を発光する機能を有する。発光層２３は、下地層に有機発光材料と所定の溶媒とを含むインクを塗布した後に乾燥させて成膜される塗布膜からなる構成を採る。発光層２３に用いられる有機発光材料としては、例えば、有機化合物、有機化合物誘導体、有機化合物の金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質や、燐光を発光する金属錯体等の燐光物質を用いることができる。
また、誘導体等の高分子化合物等、もしくは低分子化合物と高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。
列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内には、塗布法によって選択的に形成される発光層２３は形成されず、開口２２ｂ内の接続電極１７の上面には、ホール輸送層２１、電子注入輸送層２４と共通電極２５とが当該順に積層された層構成となっている。
（電子注入輸送層）
図４に示すように、間隙２２ｚ内の発光層２３及び列バンク２２Ｙの表面２２Ｙｂを被覆するように電子注入輸送層２４が積層して形成されている。電子注入輸送層２４は、表示パネル１０の少なくとも画像表示領域１０ａ全体に連続した状態で形成されている。電子注入輸送層２４は、共通電極２５からの電子を発光層２３へ輸送する機能を有する。
電子注入輸送層２４は、電子輸送性が高い有機材料、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入輸送層２４は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属やアルカリ土類金属から選択された金属がドープされた層を含んで形成されていてもよい。
電子注入輸送層２４には、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内おいて、電子注入輸送層２４の一部がトリミングされ、電子注入輸送層２４に開口２４ａが開設されている。この開口２４ａを通して共通電極２５と補助配線１３との電気的な接続が図られている。
（共通電極）
図４に示すように、電子注入輸送層２４上に、共通電極２５が形成されている。共通電極２５は、各発光層２３に共通の電極となっており、表示パネル１０の少なくとも画像表示領域１０ａ全体に連続した状態で形成されている。共通電極２５は、透光性の導電性材料からなり、電子注入輸送層２４上に形成されている。共通電極２５は、陰極として機能する。
共通電極２５は、画素電極１９と対になって発光層２３を挟むことで通電経路を作り、発光層２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層２３へ電子を供給する。
共通電極２５には、金属層、金属酸化物層、あるいはそれらの積層体を用いてもよい。金属層としては、例えば、金属薄膜を用いることができる。
光共振器構造をより効果的に得るためには、共通電極２５の材料として、アルミニウム、マグネシウム、銀、アルミニウム－リチウム合金、マグネシウム－銀合金等のうち少なくとも１つの材料からなる金属薄膜を形成するのが望ましい。この場合において、金属薄膜の膜厚は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが望ましい。これにより、共通電極２５が半透光性となり、画素電極１９と共通電極２５の各反射面との間で光共振器構造を構築することができるため、発光効率をさらに向上できる。
また、金属酸化物層としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電膜を用いてもよい。
なお、光共振器構造の光路長を確保するために、電子注入輸送層２４と共通電極２５の間にＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を所望の膜厚で形成して、発光層２３と共通電極２５間の光学的距離を適切な大きさに調整してもよい。
共通電極２５は、列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内おいて、電子注入輸送層２４に設けられた開口２４ａを通して接続電極１７又は接続電極１７に上設されたホール注入層２０と接触し、接続電極１７は接続電極凹部１５によって補助配線１３と接続されている。これにより、共通電極２５と補助配線１３との電気的な接続が図られている。
（封止層）
共通電極２５を被覆するように、封止層２６が積層形成されている。封止層２６は、ホール輸送層２１、発光層２３、電子注入輸送層２４などの有機層が外部の水分に晒されたり、空気に晒されたりして劣化するのを防止するために設けられるものである。
封止層２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用いて形成される。
（接合層）
封止層２６のＺ軸方向上方には、上部基板３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層３２が形成されたカラーフィルタ基板３１が配されており、接合層２７により接合されている。接合層２７は、基板１００ｘから封止層２６までの層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層２７の材料は、例えば、透光性樹脂接着剤等からなる。
（上部基板）
接合層２７の上に、上部基板３０にカラーフィルタ層３２が形成されたカラーフィルタ基板３１が設置・接合されている。上部基板３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、ガラス基板、石英基板からなるカバーガラス、プラスチック基板、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。上部基板３０により、剛性向上、ホール輸送層２１、発光層２３、電子注入輸送層２４などを外部の水分や空気などの侵入から保護することができる。上部基板３０に、防眩用の偏光板を貼り合せてもよい。
（カラーフィルタ層）
上部基板３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層３２が形成されている。カラーフィルタ層３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、発光される光の色度を補正する機能を有する。例えば、本例では、間隙２２ｚＲ、間隙２２ｚＧ、間隙２２ｚＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層３２としては、公知の樹脂材料を採用することができる。
（遮光層３３）
上部基板３０には、各副画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層３３が形成されている。遮光層３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。遮光層３３としては、紫外線硬化樹脂材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料からなる黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図５～１０を用いて説明する。図５は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図６～１０における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＢ－Ｂと同じ位置で切断した模式断面図である。
［背面パネルの形成］
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図５におけるステップＳ１、図６（ａ））。基板１００ｘには、平面方向に延伸する補助配線１３が配されており、基板１００ｘの上面には、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上のパッド１２ａ、補助配線１３が設けられている。
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１６の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１６を形成する（図５におけるステップＳ２、図６（ｂ））。
平坦化層１６における、パッド１２ａ、補助配線１３の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール１６ａ、１６ｂを形成し、その後、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極凹部１４、１５を形成する。接続電極凹部１４、１５の形成は、例えば、スパッタリング法を用いて金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
次に、画素電極１９、接続電極１７、ホール注入層２０の形成を行う（図５：ステップＳ３）。画素電極１９を、画素電極１９の一部が補助配線１３の上方に位置し、かつ、補助配線１３の上方に画素電極が存在しない接続用領域ＣＡが残るように形成し、接続電極１７を接続用領域ＣＡに形成する。画素電極１９を形成する工程では画素電極１９は、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、画素電極１９の内方向に凹陥するように形成される。
本工程では、先ず、画素電極１９、接続電極１７を形成するための電極用の金属膜１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる（図６（ｃ））。
具体的には、平坦化層１６の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１９、接続電極１７を形成するための画素電極用の金属膜１９ｘ気相成長法により平坦化層１６の表面に製膜する（図４（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
さらに、金属膜１９ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層２０を形成するためのホール注入層２０用の金属層２０Ａ’を気相成長法により金属膜１９ｘの表面に製膜する（図６（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から光照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属層２０Ａ’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層２０を形成する。
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層２０を介して、金属膜１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、画素電極１９、接続電極１７、を形成する。
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、外形が同一形状にパターニングされた画素電極１９及びホール注入層２０の積層体と、接続電極１７及びホール注入層２０の積層体、を形成する（図７（ａ））。
ホール注入層２０を形成した後、ホール注入層２０を覆うようにバンク２２を形成する。バンク２２の形成では、先ず行バンク２２Ｘを形成し、その後、間隙２２ｚ、開口２２ｂを形成するように列バンク２２Ｙを形成する（図５：ステップＳ４、図７（ｂ））。
行バンク２２Ｘの形成は、先ず、ホール注入層２０上に、スピンコート法などを用い、行バンク２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク２２Ｘを形成する。
行バンク２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
次に、列バンク２２Ｙの形成工程では、ホール注入層２０上及び行バンク２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙２２ｚ、開口２２ｂの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙２２ｚ、開口２２ｂを開設して列バンク２２Ｙを形成する。
具体的には、列バンク２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。
次に、感光性樹脂を現像によって列バンク２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。
列バンク２２Ｙの形成工程では、列バンク２２Ｙには、平面視において、基板１００ｘの接続用領域ＣＡ上方に位置する部分が開口した拡幅部２２ａが形成される。
次に、行バンク２２Ｘ上を含む列バンク２２Ｙにより規定される間隙２２ｚ内に形成されたホール注入層２０上に対して、ホール輸送層２１、発光層２３を順に積層形成する（図５：ステップＳ５、６、図７（ｃ）、図８（ａ））。
ホール輸送層２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク２２Ｙにより規定される間隙２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる（図７（ｃ））。開口２２ｂには、ホール輸送層２１は設けられていない。
発光層２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク２２Ｙにより規定される間隙２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図８（ａ））。具体的には、基板１００ｘは、列バンク２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク２２Ｙ同士の間隙２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。ここでも、開口２２ｂには、発光層２３は形成されない。
また、この工程では、副画素形成領域となる間隙２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク２３Ｉをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを形成する。このとき、発光層２３のインク２３Ｉの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層２３の形成するための溶液の塗布を行う。
なお、ホール輸送層２１、発光層２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
発光層２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子注入輸送層２４を形成する（図５：ステップＳ７、図８（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子注入輸送層２４は、発光層２３の上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚で製膜する。なお、電子注入輸送層２４の膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
次に、開口２２ｂ内にある電子注入輸送層２４の一部にレーザー光ＬＤを照射して、列バンク２２Ｙの拡幅部２２Ｙａにおける開口２２ｂ内において、電子注入輸送層２４の一部を除去する（図５：ステップＳ８、図８（ｃ））。レーザー加工は、被削材料のレーザー光の照射を受けた部分の温度が上昇して、その部分が固相から液相さらには気相に変化することにより除去される加工である。これにより、少なくとも開口２２ｂ内において電子注入輸送層２４の一部をトリミングして開口２４ａを開設し、開口２４ａを通して接続電極１７の一部を露出させる（図９（ａ））。
具体的には、レーザー加工装置は、レーザーヘッド部（不図示）を、加工対象となる薄膜のみを選択的に除去できるようなレーザー出力と走査速度で、内部の記憶メモリ等に予め記憶されたプログラムに基づいて、薄膜付基板上にレーザー光を照射してトリミングを実行する。
このとき、レーザー加工機には公知の固体式レーザー加工機などを用いることができる。レーザー光には、例えば、波長２００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の範囲から選択される半導体レーザーとして、ＹＡＧレーザー、ＵＶレーザーなどを用いることができる。
また、電子注入輸送層２４へのレーザー光の照射は、発光素子を構成する各種の有機材料が、大気中の酸素や水分の影響により特性が劣化することを抑制するために、真空ポンプにより基板を挿入したチャンバー内を減圧して真空雰囲気中で行うことが好ましい。
また、接続電極１７は、電子注入輸送層２４のレーザートリミング際に下地層となるため、レーザー照射により損傷を受けることは好ましくない。接続電極１７の材料に、照射されるレーザー光の波長に対して電子注入輸送層２４よりも光吸収率が低い材料を選択することにより、接続電極１７にレーザー照射に対する高い耐加工性を持たせ、電子注入輸送層２４のレーザートリミングの際に下地層である接続電極１７がレーザー照射により損傷を受けることを防止できる。
また、接続電極１７にはホール注入層２０が上設されており、ホール注入層２０は照射されるレーザー光の波長に対して比較的光吸収率が低い材料から構成されている。
電子注入輸送層２４を形成した後、電子注入輸送層２４を被覆するように、共通電極２５を形成する（図５：ステップＳ９、図９（ｂ））。共通電極２５は、金属を主成分とする層と、金属酸化物からなる層とを含んでもよい。
このうち、先ず、共通電極２５は、電子注入輸送層２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する図９（ｂ））。例えば、共通電極２５を真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。あるいは、共通電極２５は、スパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としてもよい。
共通電極２５を形成することにより、列バンク２２Ｙの拡幅部２２Ｙａにおける開口２２ｂ内において列方向に延伸する電子注入輸送層２４の一部がトリミングされてできた開口２４ａを通して、補助配線１３に接続された接続電極１７の一部と共通電極２５とを確実にコンタクトさせることができ、補助配線１３と共通電極２５とを電気的な接続を確保することができる。
共通電極２５を被覆するように、封止層２６を形成する（図５：ステップＳ１０、図９（ｃ））。封止層２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
［カラーフィルタ基板３１の形成］
次に、カラーフィルタ基板３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層の材料を透明な上部基板３０の一方の面に塗布する（図１０（ａ））。
塗布した遮光層の材料の膜３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１０（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層３３が完成する（図１０（ｃ））。
次に、遮光層３３を形成した上部基板３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層３２（例えば、Ｇ）の材料３２Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層３２Ｇが形成される（図１０（ｆ））。
この工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層３２Ｒ、３２Ｂを形成する（図１０（ｇ））。以上でカラーフィルタ基板３１が形成される。
［カラーフィルタ基板３１と背面パネルの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ））。
＜効 果＞
（１）補助配線を設けたことに伴う表示パネルの開口率の低下を抑制する効果
以上、説明したように、実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１００ｘと、基板１００ｘに配された補助配線１３と、基板１００ｘの上方に所定の隙間を挟んで行列状に配された複数の画素電極１９と、複数の画素電極１９の上方に配された複数の発光層２３と、複数の発光層２３上方に跨って連続して配された機能層２４と、機能層２４上方に連続して配された共通電極２５とを備え、補助配線１３は、画素電極１９の下方において、少なくとも平坦化層１６の厚み方向の一部を挟んだ状態で、基板１００ｘの平面方向に延在し、基板１００ｘの上方、例えば、平坦化層１２の上面には、共通電極２５と補助配線１３とが領域内で電気的に接続される、画素電極１９が存在していない接続用領域ＣＡが存在し、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥していることを特徴とする。
また、機能層２４は、接続用領ＣＡ域の上方に位置する一部分が欠落して開口２４ａしており、共通電極２５は、機能層２４の開口２４ａから露出している補助配線１３、又は補助配線１３と接続された接続電極１７若しくは接続電極１７に上設されたホール注入層２０と接触している構成としてもよい。
以上のとおり、表示パネル１０では、補助配線１３は、画素電極１９の下方において基板１００ｘの平面方向に延在する構成としたことにより、従来の表示パネルのように、補助配線１３の面積の増加がそのまま画像表示領域１０ａにおける自己発光領域１００ａの面積の減少につながる関係になく、補助配線１３の面積が増加しても自己発光領域１００ａの面積の減少を抑制できる。
また、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、その画素電極１９の内方向に凹陥している構成を採る。すなわち、接続用領域ＣＡの周囲の画素電極１９は、平面視において、接続用領域ＣＡから所定の距離だけ離間するように凹陥させることによって、接続用領域ＣＡを避けて形成されている構成を採ることによって、接続用領域ＣＡによって光らない暗部が自己発光領域１００ａ間の境界に分散して配されるため目立ちにくくなる。従来の表示パネルのように、接続用領域ＣＡを行又は列方向に直線状に配列した場合には、接続用領域ＣＡが光らない連続した線状の暗部として認識されていた。この場合に比べて、本実施の態様によれば接続用領域ＣＡによって減少する自己発光領域１００ａの面積の割合が減少するとともに、接続用領域ＣＡによって光らない暗部が自己発光領域１００ａの間に点在するように分散するため、実質的に看者に視認される表示面積の減少の程度も少なくなる。
係る構成により、表示パネル１０は、表示パネルの面積に対する自発光領域１００ａの占める比率である開口率の、補助配線を設けたことに伴う低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。
また、実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、平面方向に延伸する補助配線１３が配された基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘの上方に所定の隙間を挟んで行列状に複数の画素電極１９を、画素電極１９の一部が補助配線１３の上方に位置し、かつ、補助配線１３の上方に画素電極１９が存在しない接続用領域ＣＡが残るように形成する工程と、複数の画素電極１９の上方に複数の発光層２３を形成する工程と、複数の発光層２３上方に跨って連続して機能層２４を形成する工程と、機能層２４に、接続用領域ＣＡの上方の機能層の一部を除去して、補助配線、又は補助配線と電気的に接続された接続電極１７又は接続電極１７に上設されたホール注入層２０の一部を露出させる工程と、機能層２４上方に共通電極２５を連続して形成して、共通電極２５と補助配線１３の一部、又は補助配線１３と電気的に接続された接続電極１７若しくは接続電極１７に上設されたホール注入層２０の一部とを接触させる工程とを有し、画素電極１９を形成する工程では、画素電極１９は、平面視において、接続用領域ＣＡの外縁と対峙する画素電極１９の外縁の部分は、当該画素電極１９の内方向に凹陥するように形成されることを特徴とする。
かかる構成により、機能層の一部を除去して、共通電極２５と補助配線１３の一部、又は補助配線１３と接続された接続電極１７若しくは接続電極１７に上設されたホール注入層２０の一部とを接触させて、共通電極２５と補助配線１３との電気的な接続が可能となり、補助配線を設けたことに伴う開口率の低下を抑制するとともに、発光素子への給電経路の低抵抗化を図り、電圧降下に起因する面内の輝度ばらつきを改善する有機ＥＬ表示パネルの製造方法を実現することができる。
（２）接続用領域ＣＡに設けられた接続電極１７が列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａによって囲まれていることの効果
表示パネル１０の製造方法では、発光層２３の形成においては、印刷法を用いて画素電極１９にのみ発光層２３を選択的に形成し、接続電極１７の上方には発光層２３は形成されない構成としている。
表示パネル１０の製造方法では、各色の発光層２３Ｒ、Ｇ、Ｂは印刷法によりそれぞれの副画素に対応する間隙２２ｚＲ、Ｇ、Ｂのみに選択的に形成される構成を採る。
さらに、間隙２２ｚＢ内の接続用領域ＣＡに設けられた接続電極１７は列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａによって周囲を囲まれているので、間隙２２ｚＢ内に塗布された発光層２３のインク２３Ｉが拡幅部２２ａの開口２２ｂ内に流れ込むことはなく、接続電極１７の上方には発光層２３は形成されない。
発光層２３以外に機能層であるホール輸送層２１についても、同様にる間隙２２ｚＲ、Ｇ、Ｂのみに選択的に形成されるとともに、拡幅部２２ａの開口２２ｂ内に位置する接続電極１７上には形成されない構成となる。
したがって、接続電極１７が存在する開口２２ｂには発光層２３が形成されない構成を採ることに対し、マスキング等特段の製造設備や工程を要しない。そのため、表示パネル１０の製造方法では、特段の製造コスト等を要することなくホール輸送層２１、発光層２３を接続電極１７の上方には形成しない構成を実現できる。
これにより、表示パネル１０の製造方法では、レーザートリミングにおいて除去すべき有機機能層の層厚を減少することができるので、レーザー照射に伴い発生するデブリの量を低減でき、デブリによって後工程での封止に欠陥が生じることを抑止できる。
＜表示装置１の回路構成＞
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１２を用い説明する。
図１２に示すように、表示装置１は、表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部４０は、４つの駆動回路４１～４４と制御回路４５とにより構成されている。
＜表示パネル１０の回路構成＞
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図１３を用い説明する。
図１３は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図１３に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部か
ら接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）変形例１
変形例１に係る表示パネルについて説明する。実施の形態に係る表示パネル１０では、図３に示すように、行バンク２２Ｘは、副画素列ＣＢにおいて列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａに接続される構成とした。しかしながら、行バンク２２Ｘが列バンク２２Ｙに接続される位置は上記に限られず、適宜変更してもよい。
図１４（ａ）は、変形例１に係る表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。変形例１に係る表示パネルでは、行バンク２２Ｘは、図１４（ａ）に示すように、副画素列ＣＢにおいて、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａとの近傍において列バンク２２Ｙに接続され、行バンク２２Ｘと列バンク２２Ｙとは列方向に接触している構成とする点で実施の形態と相違する。
係る構成により、接続用領域ＣＡが存在することによって行バンク２２Ｘの長さが短縮されることを防止でき、発光層の形成工程において、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂの形成において行バンク２２Ｘと接触するインク２３Ｉの行方向の長さを増加して、副画素１００Ｂにおける発光層２３Ｂの膜厚をより均一化できる。これにより、副画素１００Ｂ内の輝度ばらつきを改善することができる。
（２）変形例２、３
変形例２に係る表示パネルについて説明する。実施の形態に係る表示パネル１０では、図３に示すように、副画素列ＣＢにおいて、すべての行バンク２２Ｘは、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａに接続される構成とした。しかしながら、行バンク２２Ｘが列バンク２２Ｙに接続される位置は上記に限られず、適宜変更してもよい。
図１４（ｂ）は、変形例２に係る表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。変形例２に係る表示パネルでは、副画素列ＣＢにおいて、行バンク２２Ｘは複数画素に１回の割合で、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａに接続される構成とする点で実施の形態と相違する。すなわち、列バンク２２Ｙの拡幅部２２ａは、列方向に画素電極１９のピッチよりも大きなピッチで配されている。ここで、ピッチとは、隣り合った画素電極１９上の同一位置間の距離をさす。本例では、図１４（ｂ）に示すように、行バンク２２Ｘは２画素に１回の頻度で列バンク２２Ｙに接続される構成とした。
係る構成により、副画素列ＣＢにおいて、接続用領域ＣＡが存在することによって行バンク２２Ｘの長さが短縮される副画素１００Ｂの数を減少することができ、発光層の形成工程において、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂ間の発光層２３Ｂの膜厚の均一性を相対的に向上できる。これにより、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂ間の輝度ばらつきを改善することができる。
図１５（ａ）は変形例３、（ｂ）は比較例に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。
変形例３に係る表示パネルでは、変形例２に係る表示パネルの構成に加え、さらに、接続用領域ＣＡが存在する列方向の位置を、副画素１００Ｂの行方向の位置によって異ならせた点で変形例２と相違する。具体的には、図１５（ａ）に示すように、行方向に隣り合った２つの列バンク２２Ｙにおいて、拡幅部２２ａの列方向の位置が異なる構成としもよく、さらに、行方向に１つの列バンク２２Ｙを挟む２つの列バンク２２Ｙにおいて、拡幅部２２ａの列方向の位置は同じである構成としてもよい。
係る構成により、図１５（ｂ）に示した副画素１００Ｂの行方向の位置にかかわらず、列方向の同じ位置に接続用領域ＣＡが存在する比較例の態様と比較すると、変形例３に係る表示パネルでは、接続用領域ＣＡが存在する列方向の位置が行方向の位置によって交互に異なる千鳥配置となるために、画像表示領域１０ａにおける接続用領域ＣＡによる輝度低下が分散してスジとして認識されるにくくなる。
（３）変形例４
変形例４に係る表示パネルについて説明する。実施の形態に係る表示パネル１０では、図３に示すように、間隙２２ｚＢの両側の一対の列バンク２２Ｙの一方の近傍に、接続用領域ＣＡが形成されている構成とした。しかしながら、間隙２２ｚＢにおいて、接続用領域ＣＡが配される行方向の位置は上記に限られず、適宜変更してもよい。
図１６は、変形例４に係る表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。変形例４に係る表示パネルでは、図１６に示すように、変形例４に係る表示パネルでは、接続用領域ＣＡは、平面視において、行バンク２２Ｘと重なり、行方向に隣り合った一対の列バンク２２Ｙの何れからも所定距離以上、離間している構成とする点で実施の形態と相違する。本例では、図１６に示すように、接続用領域ＣＡは、平面視において、行バンク２２Ｘと重なり、行方向に隣り合った一対の列バンク２２Ｙの中央に位置し、列バンク２２ＹからδＸだけ離間している構成とした。δＸは、例えば、５μｍ以上としてもよい。
係る構成により、発光層の形成工程において、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂの形成においてインク２３Ｉが接続用領域ＣＡの両側で行バンク２２Ｘと接触させることにより、副画素列ＣＢにおける列方向へのインク２３Ｉの流動性を向上し、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂ間の発光層２３Ｂの膜厚の均一性を相対的に向上できる。これにより、副画素列ＣＢにおける副画素１００Ｂ間の輝度ばらつきを改善することができる。
（４）変形例５
図１７（ａ）は変形例５、（ｂ）は比較例に係る有機ＥＬ表示パネルの複数の画素を拡大した模式平面図である。
変形例５に係る表示パネルでは、実施の形態に係る表示パネル１０の構成に加え、さらに、副画素の自発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層３３のうち、平面視において、接続用領域ＣＡの上方に位置する部分に、接続用領域ＣＡを覆う拡幅膜部３３ａを設けた点で実施の形態と相違する。すなわち、複数の画素電極１９と画素電極１９との隙間の上方に、隙間を覆う遮光膜３３を備え、遮光膜３３は、接続用領域ＣＡの上方に拡幅部３３ａが設けられており、拡幅部３３ａによって接続用領域ＣＡを覆っている構成としてもよい。接続用領域ＣＡに設けられた接続電極１７は、画素電極１９と同様に、光反射性の金属材料からなる金属層からなるために、外光反射によって表示パネルのギラツキの要因となる。
変形例５に係る表示パネルでは、上記した構成により、図１７（ｂ）に示した接続用領域ＣＡにおける接続電極１７の一部分が平面視において遮光層３３からはみ出している比較例の態様と比較すると、変形例５に係る表示パネルでは、遮光層３３に設けられた拡幅部３３ａによって接続電極１７が覆われているので、接続用領域ＣＡを拡大した場合でも接続電極１７による外交反射が上方に出射されることを抑止でき、表示パネル１０における外交反射によるギラツキを改善することができる。なお、接続用領域ＣＡからは自発光は出射されないために、接続用領域ＣＡの上方における遮光層３３の拡幅に伴う輝度の低下は生じない。
＜その他の変形例＞
（１）実施の形態に係る表示パネル１０では、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのうち、副画素１００Ｂに対応する画素電極１９の行方向の幅が、副画素１００Ｒ、１００Ｇに対応する画素電極１９の行方向の幅よりも大きく、自己発光領域１００ａＢが、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧよりも広く構成されている構成としたが、複数の副画素１００における画素電極１９の行方向の相対幅、自己発光領域１００ａの相対面積はこれに限定されない。
（２）また、表示パネル１０では、自己発光領域１００ａＢが大きい副画素１００Ｂに接続用領域ＣＡを設ける構成としたが、他の副画素１００ａに接続用領域ＣＡを設ける構成としてもよい。
（３）実施の形態に係る表示パネル１０では、共通電極２５は、電子注入輸送層２４の一部が欠落している開口２４ａから露出している接続電極１７又はホール注入層２０の表面と接触し、さらに、接続電極１７が平坦化層１６のコンタクトホールの内部に形成された接続電極凹部１５を通して補助配線１３と電気的に接続される構成としたが、共通電極２５と補助配線１３とを電気的に接続するための構成はこれに限定されない。
例えば、共通電極２５が列バンク２２Ｙの開口２２ｂ内に解説された平坦化層１６のコンタクトホールを介して直接補助配線１３の上面に接触する構成としてもよい。これにより、接続電極１７を介さず製造工程における工程数を削減できる。
あるいは、接続電極１７にホール注入層２０を上設しない構成としてもよい。具体的には、共通電極２５が、電子注入輸送層２４の一部が欠落している開口２４ａから露出している接続電極１７の表面と接触し、さらに、接続電極１７が平坦化層１６のコンタクトホールの内部に形成された接続電極凹部１５を通して補助配線１３と電気的に接続される構成としてもよい。
（４）実施の形態に係る表示パネル１０では、補助配線１３は、基板１００ｘにおいて、ＴＦＴ層１２の上面に位置する構成としたが、補助配線１３が配される位置はこれに限定されない。例えば、補助配線１３は、ＴＦＴ層１２の層中に内装されてもよい。あるいは、補助配線１３と画素電極１９との間に、少なくとも平坦化層１６の厚み方向の一部分が介在していれば、平坦化層１６の層中に内装されてもよい。
（５）実施の形態に係る表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク２２Ｙ間の間隙２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
表示パネル１０では、画素１００には、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限らない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
（６）上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限らない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
（７）上記実施の形態では、画素電極１９と共通電極２５の間に、ホール注入層２０、ホール輸送層２１、発光層２３及び電子注入輸送層２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限らない。例えば、ホール注入層２０、ホール輸送層２１及び電子注入輸送層２４を用いずに、画素電極１９と共通電極２５との間に発光層２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
また、上記実施の形態では、発光層２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限らない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
（８）上記の形態では、有機ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線に画素電極１９を接続する構成を採用したが、有機ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
（９）上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
（１０）上記実施の形態では、自発光素子として有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、その他、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum dot Light Emitting Diode）を使用した量子ドット表示パネル（例えば、特開２０１０－１９９０６７号公報参照）などの表示パネルについても、発光層の構造や種類が異なるだけで、画素電極と共通電極との間に発光層やその他の機能層を介在させるという構成において有機ＥＬ表示パネルと同じであり、本発明を適用することができる。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
２ 有機ＥＬ素子
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 画素
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１ 基材
１２ ＴＦＴ層
１３ 補助配線
１４ 接続電極凹部
１５ 接続電極凹部
１６ 平坦化層
１７ 接続電極（電極）
１９ 画素電極
２０ ホール注入層（層）
２１ ホール輸送層
２２ バンク
２２ａ 拡幅部
２２ｂ 開口
２２Ｘ 行バンク
２２Ｙ 列バンク
２２ｚ（２２ｚＲ、２２ｚＧ、２２ｚＢ） 間隙
２３（２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ） 発光層
２４ 電子注入輸送層
２５ 共通電極
２６ 封止層
２７ 接合層
３０ 上部基板
３１ カラーフィルタ基板
３２ カラーフィルタ層
３３ 遮光層
４０ 駆動回路部
４１～４４ 駆動回路
４５ 制御回路
ＣＡ 接続用領域

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板に配された補助配線と、
    前記基板の上方に所定の隙間を挟んで行列状に配された複数の画素電極と、
    複数の前記画素電極の上方に配された複数の発光層と、
    複数の前記発光層上方に跨って連続して配された機能層と、
    前記機能層上方に連続して配された共通電極と、を備え、
    前記補助配線は、前記画素電極の下方において前記基板の平面方向に延在し、
    前記基板の上方には、前記共通電極と前記補助配線とが領域内で電気的に接続される、前記画素電極が存在していない接続用領域が存在し、
    平面視において、前記接続用領域の外縁と対峙する前記画素電極の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥している
    自発光パネル。
  2. 前記機能層は、前記接続用領域の上方に位置する一部分が欠落して開口しており、
    前記共通電極は、前記機能層の前記開口から露出している前記補助配線又は前記補助配線と電気的に接続された電極若しくは層と接触している
    請求項１又は２に記載の自発光パネル。
  3. さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、列方向に延伸して並設された複数の列バンクを備え、
    前記補助配線は、前記基板の平面視において行及び／又は列方向に延伸し、
    前記発光層は、一対の前記列バンクの間隙において、当該間隙内にある複数の前記画素電極の上方に連続して配されており、
    前記列バンクには、平面視において前記接続用領域を含む拡幅部が形成されており、
    前記拡幅部には、平面視において前記機能層の前記開口を内包し、高さ方向に貫通する開口が開設された形状を有している
    請求項１又は２に記載の自発光パネル。
  4. さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、
    前記行バンクは、前記列バンクの前記拡幅部に接続されている
    請求項３に記載の自発光パネル。
  5. さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、
    前記行バンクは、前記拡幅部との近傍において前記列バンクに接続され、前記行バンクと前記拡幅部とは列方向に接触している
    請求項３に記載の自発光パネル。
  6. 前記列バンクの前記拡幅部は、列方向に前記画素電極のピッチよりも大きなピッチで配されている
    請求項３に記載の自発光パネル。
  7. 行方向に隣り合った２つの列バンクにおいて、前記拡幅部の列方向の位置は異なる
    請求項６に記載の自発光パネル。
  8. 行方向に１つの列バンクを挟む２つの列バンクにおいて、前記拡幅部の列方向の位置は同じである
    請求項７に記載の自発光パネル。
  9. さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、行方向に延伸して並設され、前記列バンクに接続される複数の行バンクを備え、
    前記基板の接続用領域は、平面視において、前記行バンクと重なり、行方向に隣り合った一対の前記列バンクの何れからも所定距離以上、離間している
    請求項３に記載の自発光パネル。
  10. さらに、複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方に、前記隙間を覆う遮光膜を備え、
    前記遮光膜は、前記接続用領域を覆う拡幅膜部を有している
    請求項１～９の何れか１項に記載の自発光パネル。
  11. 平面視において、前記接続用領域の周囲の前記画素電極の外縁は、前記接続用領域の外縁と行方向及び列方向に対峙している
    請求項１～１０の何れか１項に記載の自発光パネル。
  12. 平面方向に延伸する補助配線が配された基板を準備する工程と、
    前記基板の上方に所定の隙間を挟んで行列状に複数の画素電極を、前記画素電極の一部が前記補助配線の上方に位置し、かつ、前記補助配線の上方に前記画素電極が存在しない所定の領域が残るように形成する工程と、
    複数の前記画素電極の上方に複数の発光層を形成する工程と、
    複数の前記発光層上方に跨って連続して機能層を形成する工程と、
    前記機能層に、前記所定の領域の上方の前記機能層の一部を除去して、前記補助配線、又は前記補助配線と電気的に接続された電極若しくは層の一部を露出させる工程と、
    前記機能層上方に共通電極を連続して形成して、前記共通電極と前記補助配線の一部、又は前記電極若しくは層の一部とを接触させる工程と、を有し、
    前記画素電極を形成する工程では、前記画素電極は、平面視において、前記所定の領域の外縁と対峙する前記画素電極の外縁の部分は、当該画素電極の内方向に凹陥するように形成される
    自発光パネルの製造方法。
  13. さらに、前記基板の複数の前記画素電極と前記画素電極との隙間の上方において、列方向に延伸して複数の列バンクを並設する工程を有し、
    前記発光層を形成する工程では、一対の前記列バンクの間隙において、当該間隙内にある複数の前記画素電極の上方に連続して前記発光層を形成し、
    複数の前記列バンクを並設する工程では、前記列バンクには、平面視において、前記基板の前記所定の領域が開口した拡幅部が形成され、
    前記機能層の一部を除去する工程では、前記開口内において前記機能層の一部が除去される
    請求項１２に記載の自発光パネルの製造方法。
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