JP2016143446A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 有機発光層で発光した光の一部がTFTのチャネル部に入り込んでTFTが誤動作することを効果的に抑えること。【解決手段】 発光装置は、基板1上に形成されたTFT12と、TFT12を覆うように形成された有機絶縁層9と、基板1上のTFT12の側方の部位にある有機絶縁層9の貫通孔9hに形成された有機発光体部21と、その有機発光体部21とTFT12のドレイン電極6bとを導電接続する接続導体層22と、を有しており、有機発光体部21は、基板1の側から接続導体層22に電気的に接続された第1の電極層8、有機発光層10及び第2の電極層11が積層されているとともに、第1の電極層8、有機発光層10及び第2の電極層11が重なる部位から成る発光部20を有している発光装置であって、有機絶縁層9は、発光部20で発光した光を吸収する光吸収部9kが少なくとも発光部20とTFT12との間の部位にある。【選択図】 図1
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence :EL)あるいは有機LED(Organic Light Emitting diode :OLED)等と称される自発光型の有機電界発光性を有する有機発光層を含む発光部を備えた発光装置であって、有機EL表示装置、有機LEDプリンタ(OLEDP)ヘッド等に適用される発光装置に関するものである。
従来の有機発光層を有する発光部を備えた発光装置の1例を図5(a),(b)に示す。図5(a)は、発光装置の発光部及びその周辺の断面図であり、図5(b)のE1−E2線における断面図である。図5(b)は、(a)の発光装置の3つの発光部及びその周辺の平面図である。図5に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板31上に形成された薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)42と、そのTFT42上にアクリル樹脂等から成る第1の絶縁層37を挟んで積層された有機発光体部51と、その有機発光体部51とTFT42のドレイン電極36bとを導電接続するコンタクトホール52と、を含む部位を有しており、有機発光体部51は、TFT42の側からコンタクトホール52に電気的に接続された第1の電極層38、有機発光層40、第2の電極層41が積層されており、第1の有機絶縁層37及び第1の電極層38上に有機発光層40を囲むようにアクリル樹脂等から成る第2の有機絶縁層39が形成されている構成である。
また、図5(a)において、50は第1の電極層38及び第2の電極層41によって有機発光層40に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。また、第1の電極層38が陽極であってインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide :ITO)等の透明電極から成り、第2の電極層41が陰極であってAl−Li合金,Mg−Ag合金等の仕事関数が低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層40で発光した光は基板31側から出射される。即ち、発光方向(図5(a)の白抜き矢印で示す方向)が下方(底部方向)であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第1の電極層38が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第2の電極層41が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方(頂部方向)であるトップエミッション型の発光装置となる。
TFT42は、基板31側から、ゲート電極32、ゲート絶縁膜33、チャネル部としてのポリシリコン膜34及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域34aから成る半導体膜、窒化シリコン(SiNx),酸化シリコン(SiO2)等から成る絶縁膜35、ソース電極36a及びドレイン電極36bが、順次積層された構成を有している。なお、図5(b)において、36aLはソース電極36aにソース信号を伝達するソース信号線であり、32Lはゲート電極32にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線32Lに入力するゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層40の発光強度を制御することができる。また、ソース信号線36aLは電源線として機能する。
しかしながら、図5に示す従来の発光装置においては、発光部50の有機発光層40で発光した光の一部が第2の有機絶縁層39の側に漏れて、TFT42のチャネル部であるポリシリコン膜34に入り込んで光リーク電流が発生しTFT42が誤動作するおそれがあった。このような問題点に対処するために、アクリル系樹脂等から成る画素形成層の上に有機発光層を形成して、その画素形成層に遮光材を含有させた有機EL素子が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。しかし、この特許文献1に開示された構成の有機EL素子においては、平面視で有機発光層に重なる部位に画素形成層があるために、有機発光層で発光した光が画素形成層で遮光されて発光効率が低下する場合があるという問題点があり、さらに有機発光層と平面視で重ならないようにその側方に形成されているTFTの側に光が漏れやすいという問題点があった。
従って、本発明は上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、有機発光層で発光した光の一部がTFTのチャネル部に入り込んでTFTが誤動作することを効果的に抑えることである。
本発明の発光装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うように形成された有機絶縁層と、前記基板上の前記薄膜トランジスタの側方の部位にある前記有機絶縁層の貫通孔に形成された有機発光体部と、その有機発光体部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続する接続導体層と、を有しており、前記有機発光体部は、前記基板の側から前記接続導体層に電気的に接続された第1の電極層、有機発光層及び第2の電極層が積層されているとともに、前記第1の電極層、前記有機発光層及び前記第2の電極層が重なる部位から成る発光部を有している発光装置であって、前記有機絶縁層は、前記発光部で発光した光を吸収する光吸収部が少なくとも前記発光部と前記薄膜トランジスタとの間の部位にある構成である。
本発明の発光装置は、好ましくは、前記光吸収部が平面視で前記薄膜トランジスタのチャネル部に重なる部位にある。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記基板は、前記薄膜トランジスタの下方の前記薄膜トランジスタのチャネル部に重なる部位に遮光部を有している。
本発明の発光装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆うように形成された有機絶縁層と、基板上の薄膜トランジスタの側方の部位にある有機絶縁層の貫通孔に形成された有機発光体部と、その有機発光体部と薄膜トランジスタの電極とを導電接続する接続導体層と、を有しており、有機発光体部は、基板の側から接続導体層に電気的に接続された第1の電極層、有機発光層及び第2の電極層が積層されているとともに、第1の電極層、有機発光層及び第2の電極層が重なる部位から成る発光部を有している発光装置であって、有機絶縁層は、発光部で発光した光を吸収する光吸収部が少なくとも発光部と薄膜トランジスタとの間の部位にあることから、有機発光層で発光した光が有機発光層の側方にある薄膜トランジスタのチャネル部に入り込んで薄膜トランジスタが誤動作することを効果的に抑えることができる。
本発明の発光装置は、好ましくは、光吸収部が平面視で薄膜トランジスタのチャネル部に重なる部位にあることから、有機発光層で発光した光を効率的に吸収して薄膜トランジスタが誤動作することをより効果的に抑えることができる。
また本発明の発光装置は、好ましくは、基板は、薄膜トランジスタの下方の薄膜トランジスタのチャネル部に重なる部位に遮光部を有していることから、光が照射される被照射体からの反射光等が薄膜トランジスタのチャネル部に入り込むことを抑えて、薄膜トランジスタが誤動作することをより効果的に抑えることができる。
以下、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置の主要な構成部材等を示している。従って、本発明の発光装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御IC,LSI等の周知の構成部材を備えていてもよい。
図1〜図4は、本発明の発光装置について実施の形態の各種例を示すものである。本発明の発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板1上に形成されたTFT12と、TFT12を覆うように形成されたアクリル樹脂等から成る有機絶縁層9と、基板1上のTFT12の側方の部位にある有機絶縁層9の貫通孔9hに形成された有機発光体部21と、その有機発光体部21とTFT12のドレイン電極6bとを導電接続する接続導体層22と、を有しており、有機発光体部21は、基板1の側から接続導体層22に電気的に接続された第1の電極層8、有機発光層10及び第2の電極層11が積層されているとともに、第1の電極層8、有機発光層10及び第2の電極層11が重なる部位から成る発光部20を有している発光装置であって、有機絶縁層9は、発光部20で発光した光を吸収する光吸収部9kが少なくとも発光部20とTFT12との間の部位にある構成である。この構成により、発光部20で発光した光が有機発光層10の側方にあるTFT12のチャネル部であるポリシリコン膜4に入り込んでTFT12が誤動作することを効果的に抑えることができる。なお、本発明の発光装置において、基板1上のTFT12の側方とは、基板1からの高さがTFT12と同程度の高さ位置である側方である。
有機絶縁層9の光吸収部9kは、発光部20とTFT12との間の部位(部位sとする)以外の部位であって、部位sよりも有機発光体部21側の部位には必ずしも存在しなくてもよい。すなわち、有機発光体部21とTFT12は、基板1の主面に直交する方向である高さ方向においてほぼ同じ位置にあり、有機絶縁層9における有機発光体部21のTFT12側の側面に接する部位である部位sに光吸収部9kがあれば、有機発光体部21からTFT12側に向かう光をほぼ吸収し遮光できるからである。
また、有機発光体部21は、基板1上に、ゲート絶縁膜3、第1の絶縁膜5及び第2の絶縁膜7を介在させずに直接的に形成されている。すなわち、有機発光体部21と基板1との間にゲート絶縁膜3、第1の絶縁膜5及び第2の絶縁膜7から成る積層構造体が介在している場合、その積層構造体によって光の干渉が発生し、有機発光体部21の発光部20から基板1を通過して下方へ照射される光の透過率が低下しやすくなる。従って、有機発光体部21が基板1上に上記積層構造体を介在させずに直接的に形成されているので、光の透過率の低下を抑えることができる。
また、図1において、20は第1の電極層8及び第2の電極層11によって有機発光層10に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。即ち発光部20は、有機発光層10が第1の電極層8上に直接的に積層されている部位に相当する。また、第1の電極層8が陽極であってインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide :ITO)等の透明電極から成り、第2の電極層11が陰極であってAl,Al−Li合金,Mg,Mg−Ag合金(Agを5〜10重量%程度含む),Mg−Cu合金(Cuを5〜10重量%程度含む)等の仕事関数(約4.0V以下)が低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層10で発光した光は基板1側から出射される。即ち、発光方向(図1の白抜き矢印で示す方向)が下方(底部方向)であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第1の電極層8が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第2の電極層11が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方(頂部方向)であるトップエミッション型の発光装置となる。
第1の電極層8または第2の電極層11に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物(ITO)、インイジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、リン,ボロンを含むシリコン(Si)等の透光性を有する導電性材料から成る。また有機絶縁層9は、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体(PFA樹脂)、ポリシロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合によって骨格構造が形成されたものである。ポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。有機絶縁層9として上記の有機材料から成るものを用いると、表面の平坦性を高めることができ、平坦化層とすることが容易である。
TFT12は、基板1側から、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、チャネル部としてのポリシリコン膜4及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域4aから成る半導体膜、窒化シリコン(SiNx),酸化シリコン(SiO2)等から成る第1の絶縁膜5、ソース電極6a及びドレイン電極6b、SiNx,SiO2等から成る第2の絶縁膜7が、順次積層された構成を有している。TFT12を構成する半導体は低温ポリシリコン(Low-Temperature Poly Silicon :LTPS)、アモルファスシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物(Indium Gallium Zinc Oxide :IGZO)等の酸化物半導体などから成っていてもよい。図1に示すTFT12はゲート電極2がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のTFTであるが、ゲート電極2がチャネル部の上方にあるトップゲート型のTFTであってもよく、ゲート電極2がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のTFTであってもよい。トップゲート型のTFT、ダブルゲート型のTFTは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極2がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。
また、接続導体層22は、一端側がドレイン電極6bに電気的に接続され、他端側が第1の電極層8に電気的に接続されているが、他端側が延長されて第1の電極層8と成っていてもよい。従って、接続導体層22は、ソース電極6a及びドレイン電極6bと同様の材料から成っていてもよい。例えば、接続導体層22、ソース電極6a及びドレイン電極6bに適用される導電層は、アルミニウム(Al),チタン(Ti),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),タングステン(W),クロム(Cr),銀(Ag),銅(Cu),ネオジウム(Nd)等から選ばれた元素から成る金属材料、これら元素を主成分とする合金材料、または窒化チタン,窒化タンタル,窒化モリブデン等の金属窒化物等の導電性を有する材料を用いて形成され得る。この導電層は、これらの材料から成る層の1層から成る単層構造のもの、またはこれらの材料から成る層を複数層積層した積層構造のものとすることができる。積層構造とすることにより、低抵抗化を成すことができる。
なお、図1(b)において、6aLはソース電極6aにソース信号を伝達するソース信号線であり、2Lはゲート電極2にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線2Lに入力するゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層10の発光強度を制御することができる。また、ソース信号線6aLは電源線として機能する。
有機発光層10は、バックライトが不要な自発光型の有機電界発光性を有するものである。例えば有機発光層10は数100nm程度の厚みを有する積層構造体であり、陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を積層したものである。電極層間の各層の厚みは数nm〜数100nm程度である。電極層を含む厚みは1μm程度である。有機発光層10の発光層の発光材料としては、低分子蛍光色素材料、蛍光性の高分子材料、金属錯体材料等が採用し得る。
発光層に正孔を注入しやすくするためには発光層のイオン化エネルギーが6.0eV以下であることがよく、発光層に電子を注入しやすくするためには発光層の電子親和力が2.5eV以上であることがよい。発光層の発光材料としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体(BeBq)、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体(Eu(DBM)3(Phen))、ジトルイルビニルビフェニル(DTVBi)などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス(4-ジ-p-アミノフェニル)シクロヘキサン、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。
第1の電極層8、有機発光層10、第2の電極層11は、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法等によって形成され得る。例えば、第1の電極層8はスパッタリング法等によって形成でき、有機発光層10は真空蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等によって形成でき、第2の電極層11は電子ビーム(Electron Beam :EB)蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。
また図2(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示すものであり、(a)は発光装置における有機発光体部21及びTFT12を含んで構成される発光部及びその周辺の断面図であって(b)のB1−B2線における断面図、(b)は(a)の発光装置の3つの発光部及びその周辺の平面図である。図2に示すように、光吸収部9kが平面視でTFT12のチャネル部であるポリシリコン膜4に重なる部位にあることが好ましい。この場合、有機発光層10で発光した光を効率的に吸収してTFT12が誤動作することをより効果的に抑えることができる。
また図3(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示すものであり、(a)は発光装置の発光部及びその周辺の断面図であって(b)のC1−C2線における断面図、(b)は(a)の発光装置の3つの発光部及びその周辺の平面図である。図3に示すように、光吸収部9kは、有機絶縁層9のすべての部位にあってもよい。この場合、有機発光層10で発光した光を光吸収部9kでより効率的に吸収することができる。
また図4(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示すものであり、(a)は発光装置の発光部及びその周辺の断面図であって(b)のD1−D2線における断面図、(b)は(a)の発光装置の3つの発光部及びその周辺の平面図である。図4に示すように、基板1は、TFT12の下方、例えばTFT12が形成されている面と対向する対向面のTFT12のチャネル部であるポリシリコン膜4に平面視で重なる部位に遮光部1kを有していることが好ましい。この場合、光が照射される被照射体からの反射光等がTFT12のチャネル部に入り込むことを抑えて、TFT12が誤動作することをより効果的に抑えることができる。すなわち、ボトムエミション型の発光装置である場合、有機発光体部21が基板1の面に直接的に設けられているので、有機発光層10の発光部20で発光した光が減衰しにくくなり、光度レベルの高い光が被照射体に照射されるために、被照射体からの反射光も強くなる。また、基板1の内部を多重反射等して、TFT12側に伝搬しチャネル部に入り込む光の光量が増大することも考えられる。これらの理由から、図4の構成がTFT12の誤動作をより効果的に抑える点で有利といえる。
また光吸収部1kは、TFT12のチャネル部から有機発光体部21側の長さがTFT12のチャネル部から有機発光体部21と反対側の長さよりも長いことがよい。この場合、被照射体からの反射光、基板1の内部を多重反射等してTFT12側に伝搬しチャネル部に入り込む光を吸収または反射して遮光するのに有利であり、TFT12の誤動作をより効果的に抑えることができる。また遮光部1kは、基板1のTFT12形成面にゲート電極2との間に絶縁膜を介在させて設けられていてもよく、あるいは基板1中にあってもよい。
光吸収部9kは、厚み1μm程度の有機絶縁層9をスピンコート法等で形成する際に、予め樹脂ペーストに顔料、染料、金属粒子等を混入させておくことによって形成することができる。光吸収部9kは有機発光層10で発光する光を吸収可能なものであればよく、黒色、褐色、紺色、暗赤色、暗緑色等の暗色系の色調、色合を有しているか、または例えば赤色等の発光スペクトルを大部分吸収し打ち消すことが可能な材料を含んでいればよい。また、図1、図2のように光吸収部9kを有機絶縁層9中に部分的に形成する場合、スピンコート法によって有機絶縁層9を形成する際に、複数のコーティング工程毎に樹脂レジスト層を区分けするように形成することによって、有機絶縁層9中に光吸収部9kとそれ以外の透光性を有する部位とを区分けして形成することができる。
また光吸収部9kは、有機絶縁層9のTFT12側、即ち図1〜図3において下層側が上層側よりも光吸収性が高くなるようにしてもよい。あるいは、有機発光層10に近い部位ほど光吸収性が高くなるようにしてもよい。これらの場合、TFT12側へ漏れる光をより効果的に抑えることができる。
また遮光部1kは、光吸収部9kと同様の材料を用いて、塗布法、スピンコート法等によって形成できる。また遮光部1kは、光反射性あるいは光吸収性を有する金属層、合金層から構成されていてもよく、例えばモリブデン(Mo),アルミニウム(Al),チタン(Ti),タンタル(Ta),タングステン(W),クロム(Cr),銀(Ag),銅(Cu),ネオジウム(Nd)等から選ばれた元素から成る金属層、あるいはこれら元素を主成分とする合金層から構成されていてもよい。この場合、遮光部1kは、基板1のTFT12形成面にゲート電極2との間に絶縁膜を介在させて、スパッタリング法等の薄膜形成方法によって形成し得る。
なお、本発明の発光装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良を含んでいてもよい。
本発明の発光装置は、例えば図1(b)の主にx方向に発光部が行状に並ぶように形成することによって有機LEDプリンタ(OLEDP)ヘッドとして構成し得る。また、図1(b)のx方向及びy方向に発光部が2次元的(平面的にあるいは行列的に)並ぶように形成することによって有機EL表示装置として構成し得る。さらに本発明の発光装置及び発光装置を用いた有機EL表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム(カーナビゲーションシステム)、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンタ装置、コピー機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計などがある。
1 基板
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 ポリシリコン膜
4a 高濃度不純物領域
5 第1の絶縁膜
6a ソース電極
6b ドレイン電極
7 第2の絶縁膜
8 第1の電極層
9 有機絶縁層
9h 貫通孔
9k 光吸収部
10 有機発光層
11 第2の電極
20 発光部
21 有機発光体部
22 接続導体層
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 ポリシリコン膜
4a 高濃度不純物領域
5 第1の絶縁膜
6a ソース電極
6b ドレイン電極
7 第2の絶縁膜
8 第1の電極層
9 有機絶縁層
9h 貫通孔
9k 光吸収部
10 有機発光層
11 第2の電極
20 発光部
21 有機発光体部
22 接続導体層
Claims (3)
- 基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うように形成された有機絶縁層と、前記基板上の前記薄膜トランジスタの側方の部位にある前記有機絶縁層の貫通孔に形成された有機発光体部と、その有機発光体部と前記薄膜トランジスタの電極とを導電接続する接続導体層と、を有しており、前記有機発光体部は、前記基板の側から前記接続導体層に電気的に接続された第1の電極層、有機発光層及び第2の電極層が積層されているとともに、前記第1の電極層、前記有機発光層及び前記第2の電極層が重なる部位から成る発光部を有している発光装置であって、前記有機絶縁層は、前記発光部で発光した光を吸収する光吸収部が少なくとも前記発光部と前記薄膜トランジスタとの間の部位にある発光装置。
- 前記光吸収部が平面視で前記薄膜トランジスタのチャネル部に重なる部位にある請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板は、前記薄膜トランジスタの下方の前記薄膜トランジスタのチャネル部に平面視で重なる部位に遮光部を有している請求項1または請求項2に記載の発光装置。
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Cited By (1)
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WO2020049742A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | シャープ株式会社 | 表示デバイス及び表示デバイスの製造方法 |
-
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- 2015-01-29 JP JP2015015819A patent/JP2016143446A/ja active Pending
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