JP6711667B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6711667B2 JP6711667B2 JP2016068037A JP2016068037A JP6711667B2 JP 6711667 B2 JP6711667 B2 JP 6711667B2 JP 2016068037 A JP2016068037 A JP 2016068037A JP 2016068037 A JP2016068037 A JP 2016068037A JP 6711667 B2 JP6711667 B2 JP 6711667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- insulating layer
- layer
- region
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 177
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019086 Mg-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O Chemical compound [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229920001109 fluorescent polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- RZTDESRVPFKCBH-UHFFFAOYSA-N p-Tol-Tol-p Natural products C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=C(C)C=C1 RZTDESRVPFKCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical class C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
Description
ロック32は、複数の発光素子33の列に沿って列状に並べられており、例えば1つの駆動回路ブロック32が400個の発光素子33を駆動するものであり、その駆動回路ブロック32が20個並べられている。従って、発光素子33は合計で8000個ある。また、基板31の一面の一端部には駆動回路ブロック32及び発光素子33を駆動し発光素子33の発光を制御する駆動素子34が、チップオングラス(Chip On Glass:COG)
方式等の実装方法によって、設置されている。また、基板31の一面における駆動素子34設置部の近傍の縁部に、フレキシブル回路基板(Flexible Printed Circuit:FPC)35が設置されている。このFPC35は、駆動素子34との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。なお、図6、図7において、符号37で示す部位は、駆動素子34と駆動回路ブロック32を接続するデータ配線等の配線である。
が形成されており、1組の駆動回路は、シフトレジスタ40、論理和否定(NOR)回路41、インバータ42、CMOSトランスファゲート素子43a,43b、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)44a,44bを有している。TFT44a,44bの各ドレイン電
極部に有機LED素子等から成る発光素子33a,33bがそれぞれ接続されている。
入力されるとともにp型MOSトランジスタのゲート電極部にインバータ42からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号(DATA11)を出力する。次に、データ信号(DATA11)がTFT44aのゲート電極部に入力されてTFT44aがオン状態となり、データ信号(DATA11)に応じた電源電圧(VDD)による電源電流が発光素子33aに供給される。同時に、CMOSトランスファゲート素子43bは、n型MOSトランジスタのゲート電極部にNOR回路41からのハイの信号が入力されるとともにp型MOSトランジスタのゲート電極部にインバータ42からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号(DATA12)を出力する。次に、データ信号(DATA12)がTFT44bのゲート電極部に入力されてTFT44bがオン状態となり、データ信号(DATA12)に応じた電源電圧(VDD)による電源電流が発光素子33bに供給される。以上の
一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子33が順次発光していく。
部71とTFT62のドレイン電極56bとを導電接続するコンタクトホール72を含んで
いる。有機発光体部71は、TFT62の側からコンタクトホール72に電気的に接続された第1の電極層58、有機発光層60、第2の電極層61が積層されており、絶縁層57及び第1の電極層58上に有機発光層60を囲むようにアクリル樹脂等から成る他の絶縁層59(図6、図7に示す絶縁層39に相当する)が形成されている。
構成を有している。なお、図8において、符号56aLで示す部位はソース電極56aにソース
信号(電源電流)を伝達するソース信号線(電源線)であり、符号52Lで示す部位はゲー
ト電極52にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線52Lに入力する
ゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層60の発光強度を制御することができる。すなわち、ソース信号線56aLは電源線として機能する。
を通して外部環境から浸入した水分が、発光部の有機発光層に到達することを効果的に抑えることができる。その結果、有機発光層の輝度が経時的に低下することを抑えることができる。
成するシール領域15Sと、シール領域15Sの内側であって発光領域16L以外の部位にあると
ともに、有機発光層22に駆動電流を供給するための配線37dが配置された非発光領域16Nと、を有する発光装置であって、シール領域15Sから非発光領域16Nにかけて配置された、配線37dを覆う有機絶縁層39を有しており、発光領域16Lは、有機絶縁層39の非配置部とされている構成である。この構成により、以下の効果を奏する。すなわち、発光領域16Lは有機絶縁層39の非配置部とされているので、有機絶縁層39に含まれていた水分、
また有機絶縁層39を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層22
に到達することを効果的に抑えることができる。その結果、有機発光層22の輝度が経時的に低下することを抑えることができる。
層(図2の例では陽極(アノード))21とを電気的に接続するアノード接続配線2、その上に窒化珪素(SiNx),酸化珪素(SiO2)等から成る第1の層間絶縁膜3が形成されている。第1の層間絶縁膜3上には、有機発光層22に駆動電流を供給するデータ配線等の配線37d、接地配線7が形成されており、それらを覆って窒化珪素(SiNx),酸化珪素(SiO2)等から成る第2の層間絶縁膜5が形成されている。第2の層間絶縁膜
5の上には、接地配線7、配線37d、TFT44の部位を覆うように有機絶縁層39が形
成されている。有機絶縁層39の上には、接地配線7に平面視で重なる部位に電源配線8が形成され、TFT44に平面視で重なる部位にTFT44のソース電極にアノード電流を流すアノード配線9が形成されている。電源配線8、アノード配線9を覆うように、窒化珪素(SiNx),酸化珪素(SiO2)等から成る保護絶縁層6が形成されている。なお、符号32で示される部位は駆動回路ブロックであり、符号40で示される部位はシフトレジスタである。
その上に有機発光層22が形成され、有機発光層22を覆って第2の電極層(図2の例では陰極(カソード))23が形成されている。第2の電極層23の一端部は、カソード配線13に接している。
つの発光部33Lの平面視における最大寸法以上であることが好ましい。この場合、有機絶
縁層39に含まれていた水分、また有機絶縁層39を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層22に到達することをより効果的に抑えることができる。発光
部33Lの平面視形状は、円形、楕円形、四角形、六角形、六角形以上の多角形等の形状で
あり、1つの発光部33Lの平面視における最大寸法は、例えば20μm乃至50μm程度
である。より好ましくは、間隔kは100μm乃至1000μm程度がよい。
シール領域15Sの内側に位置していることが好ましい。この場合、外部環境から有機絶縁
層39を通して水分が浸入することを防ぐことができる。その結果、水分が、発光部33L
の有機発光層22に到達することをさらに効果的に抑えることができる。
しい。例えば、有機発光層22の輝度を制御するTFTは、ゲート電極が配線37dに電気
的に接続され、一方の電極(ソース電極)がアノード配線9に接続され、他方の電極(ドレイン電極)が発光部33Lの有機発光層22に接続される。この場合、有機絶縁層39が
TFT44を覆っていたとしても、TFT44の部位で平坦化層としての有機絶縁層39の厚みを薄くすることができる。その結果、有機絶縁層39に含まれていた水分、また有機絶縁層39を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層22に到達
することをさらに効果的に抑えることができる。
と接続される端子領域31tが配置されていることが好ましい。この場合、シール領域15Sの内側の空間の容積延いては有機絶縁層39の体積が小さくなる。その結果、発光部33Lの
有機発光層22に対する水分の影響を小さくすることができる。
号配線、すなわち駆動電流を発生させるためのものである。電源配線8は、電源電圧(VDD)の強化配線であり、例えば図6に示す電源電圧(VDD)を供給する電源線から分岐した電源枝線等から成る。アノード配線9は、例えば図6に示す電源電圧(VDD)を供給する電源線である。なお、この電源線は、TFT44のソース電極に接続されるソース信号線であり、TFT44のゲート電極に入力されるゲート信号(データ信号でもある)の電圧を制御することにより、ソース信号線を流れる駆動電流を制御して有機発光層22の発光強度を制御する。配線37d、接地配線7、電源配線8、アノード配線9は、アル
ミニウム(Al),チタン(Ti),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),タングステン(W),クロム(Cr),銀(Ag),銅(Cu),ネオジウム(Nd)等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料などを用いて形成される。また配線37d、接地配線7、電源配線8、アノード配線9は、これらの材料から成る
単層構造の導電層、または複数層を積層した積層構造の導電層とすることができる。積層構造とすることにより、低抵抗化を実現することもできる。また配線37d、接地配線7、
電源配線8、アノード配線9は、透光性が必要な場合、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)等の導電性材料であって、透光性を有する材料を用いて形成することができる。また、配線37dの幅は5μm〜10μm程度、接地配線7、電源配線8、ア
ノード配線9の各幅は100μm〜500μm程度である。
シエチレン共重合体(PFA樹脂)、ポリシロキサン、ポリシラザン等の樹脂材料、またこれら樹脂材料の感光性のものを用いて形成することができる。ポリシロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合によって骨格構造が形成されたものである。またポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。さらに有機絶縁層39は、感光性の樹脂材料から成る場合、耐久性が良いという理由等から、感光性のアクリル樹脂、感光性のポリイミド、感光性のポリシロキサンから成ることがよい。さらに有機絶縁層39は、耐久性に優れること、光透過率が93%程度と高いこと、加工性が高いこと、安価であることから、アクリル樹脂、特には感光性のアクリル樹脂から成ることが好ましい。ただし、アクリル樹脂はエポキシ樹脂に比べて透湿性が高いという特性を有する。従って、シール部15は、アクリル樹脂等から成る有機絶縁層39よりも透湿性が低いエポキシ樹脂等の材料から成ることが好ましい。
の場合、外部環境から浸入しようとする水分をより効果的に阻止することができる。溝39aは、スリットコート法、スピンコート法等のコーティング法、及びフォトリソグラフィ
法等によって形成される。溝39aは、上記の幅が10μm〜100μm程度である。
れる。
あるが、発光部33Lは、第1の電極層21、有機発光層22、第2の電極層23が積層さ
れて構成される。第1の電極層21または第2の電極層23が陽極である場合、その陽極に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物(ITO)、インイジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、リン,ボロンを含むシリコン(Si)等の導電性材料であって透光性を有する材料から成る。第1の電極層21または第2の電極層23が陰極である場合、その陰極は、Al,Al−Li合金,Mg−Ag合金(Agを5〜10重量%程度含む),Mg−Cu合金(Cuを5〜10重量%程度含む)等の仕事関数が約4.0V以下と低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る。
,酸化シリコン(SiO2)等から成る絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極が、順次積
層された構成を有している。TFT44を構成する半導体は低温ポリシリコン(Low-Temperature Poly Silicon:LTPS)、アモルファスシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物(Indium Gallium Zinc Oxide:IGZO)等の酸化物半導体などから成っていてもよい。またTFT44は、ゲート電極がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のTFTであるか、またはゲート電極がチャネル部の上方にあるトップゲート型のTFTであってもよく、さらにゲート電極がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のTFTであってもよい。トップゲート型のTFT、ダブルゲート型のTFTは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。
Phen))、ジトルイルビニルビフェニル(DTVBi)などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高
分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス(4-ジ-p-アミノフェニル)シクロヘキサン、トリフ
ェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。
インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
15S シール領域
16L 発光領域
16N 非発光領域
21 第1の電極層
22 有機発光層
23 第2の電極層
31 基板
36 封止基板
37d 配線
39 有機絶縁層
44 薄膜トランジスタ
Claims (4)
- 有機発光層を含む発光部を複数有する発光領域と、
2枚の基板を接合する樹脂材料から構成されたシール部を形成するシール領域と、
前記シール領域の内側であって前記発光領域以外の部位にあるとともに、前記有機発光層に駆動電流を供給するための配線が配置された非発光領域と、を有する発光装置であって、
前記シール領域から前記非発光領域にかけて配置された、前記配線を覆う有機絶縁層を有しており、
前記発光領域は、前記有機絶縁層の非配置部とされており、
前記有機絶縁層の下に層間絶縁膜が配置され、前記有機絶縁層の上に前記有機絶縁層を覆う保護絶縁層が配置されており、
前記有機絶縁層の外側端縁が前記層間絶縁膜と前記保護絶縁層が合わさることによって閉じられているとともに、前記外側端縁が前記シール部と重なる位置または前記シール部よりも外側の位置にある発光装置。 - 前記有機絶縁層は、前記発光部との間の平面視での間隔が、1つの前記発光部の平面視における最大寸法以上である請求項1に記載の発光装置。
- 前記非発光領域は、薄膜トランジスタが配置されている請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記シール領域の外側に外部駆動制御部と接続される端子領域が配置されている請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068037A JP6711667B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016068037A JP6711667B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183065A JP2017183065A (ja) | 2017-10-05 |
JP6711667B2 true JP6711667B2 (ja) | 2020-06-17 |
Family
ID=60006384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016068037A Active JP6711667B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6711667B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6792577B2 (ja) * | 2018-01-23 | 2020-11-25 | 双葉電子工業株式会社 | 発光装置 |
JP7310470B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2023-07-19 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 光学装置、画像形成装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5733502B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-10 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置および電子機器 |
JP6659094B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
-
2016
- 2016-03-30 JP JP2016068037A patent/JP6711667B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017183065A (ja) | 2017-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11342518B2 (en) | Flexible electroluminescent display apparatus | |
KR100959106B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20220110683A (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
KR102601004B1 (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
JP6711667B2 (ja) | 発光装置 | |
CN111276628B (zh) | 电致发光显示设备 | |
JP6737637B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20190051504A (ko) | 전계발광 표시장치 | |
JP6506103B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6612601B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6791654B2 (ja) | 光プリンタヘッド | |
KR20190060275A (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
JP6747847B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6585498B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102450068B1 (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
JP2017084698A (ja) | 発光装置 | |
JP6787849B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102340920B1 (ko) | 플렉시블 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR102261213B1 (ko) | 플렉시블 유기발광 표시장치 | |
JP6888954B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6691023B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6825989B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20190042899A (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
JP6555965B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2016143446A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20181017 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200401 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6711667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |