JP6711667B2

JP6711667B2 - 発光装置

Info

Publication number: JP6711667B2
Application number: JP2016068037A
Authority: JP
Inventors: 照彦市村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2016-03-30
Filing date: 2016-03-30
Publication date: 2020-06-17
Anticipated expiration: 2036-03-30
Also published as: JP2017183065A

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescence：ＯＥＬ）素子あるいは有機ＬＥＤ（Organic Light Emitting diode：ＯＬＥＤ)素子等の発光素子を備えた発光装置に関するものである。

従来の発光装置の１例を図６に示す。図６（ａ）は発光装置の全体の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部及びＩＣ，ＬＳＩ等から成る駆動素子３４を拡大して示す回路図である。この発光装置は、有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドに適用されるものであり、ガラス基板等から成る長板状の基板３１の一面に、複数の発光素子３３の発光（点灯）をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック３２と、基板３１の長手方向に沿って２列（２行または２段）に並べられて配置された複数の発光素子３３と、駆動回路ブロック３２を構成する配線及び駆動回路ブロック３２と発光素子３３を接続する配線とが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって形成されている。複数の駆動回路ブ
ロック３２は、複数の発光素子３３の列に沿って列状に並べられており、例えば１つの駆動回路ブロック３２が４００個の発光素子３３を駆動するものであり、その駆動回路ブロック３２が２０個並べられている。従って、発光素子３３は合計で８０００個ある。また、基板３１の一面の一端部には駆動回路ブロック３２及び発光素子３３を駆動し発光素子３３の発光を制御する駆動素子３４が、チップオングラス（Chip On Glass：ＣＯＧ）
方式等の実装方法によって、設置されている。また、基板３１の一面における駆動素子３４設置部の近傍の縁部に、フレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）３５が設置されている。このＦＰＣ３５は、駆動素子３４との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。なお、図６、図７において、符号３７で示す部位は、駆動素子３４と駆動回路ブロック３２を接続するデータ配線等の配線である。

図６（ｂ）に示すように、２列を成す２個の発光素子33a,33bに対して１組の駆動回路
が形成されており、１組の駆動回路は、シフトレジスタ４０、論理和否定（ＮＯＲ）回路４１、インバータ４２、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43a,43b、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）44a,44bを有している。ＴＦＴ44a,44bの各ドレイン電
極部に有機ＬＥＤ素子等から成る発光素子33a,33bがそれぞれ接続されている。

１組の駆動回路は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ４０は、クロック端子（ＣＬＫ）にハイ（「１」）のクロック信号（ＣＬＫ）が入力されるとともに入力端子（ｉｎ）にハイの同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が入力されたときに、出力端子（Ｑ）からハイの信号が出力されるとともに反転出力端子（ＸＱ）からロー（「０」）の信号が出力される。次に、ＮＯＲ回路４１は、反転出力端子（ＸＱ）からローの信号が入力されるとともに反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ）であるローの信号が入力されて、ハイの信号を出力する。次に、インバータ４２はローの信号を出力する。次に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43aは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が
入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１１）がＴＦＴ44aのゲート電極部に入力されてＴＦＴ44aがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33aに供給される。同時に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子43bは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイの信号が入力されるとともにｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１２）がＴＦＴ44bのゲート電極部に入力されてＴＦＴ44bがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子33bに供給される。以上の
一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子３３が順次発光していく。

また図７は、他の従来例を示す図であり、基板３１の長手方向に沿って４列（４行または４段）に並べられて配置された複数の発光素子３３を有する構成を示す。この場合、上側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する上側の駆動回路ブロック３２群と、下側２列の発光素子３３群に電源電流を供給する下側の駆動回路ブロック３２群と、を有している。

また、図６、図７に示すように、基板３１の発光素子搭載面の周縁部と、封止基板３６の基板３１に対向する面の周縁部とが、シール部３８によって接着され封止されている。そして、シール部３８の内側の空間には、アクリル樹脂等から成る絶縁層３９が、駆動回路ブロック３２、発光素子３３、配線３７等のほとんどを覆うように配置されている。

図８は、図７のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図、図９は、図８のＣ１−Ｃ２線における断面図である。これらの図に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板５１上に形成されたＴＦＴ６２と、ＴＦＴ６２上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等から成る絶縁層５７を挟んで積層された有機発光体部７１、及び有機発光体
部７１とＴＦＴ６２のドレイン電極56bとを導電接続するコンタクトホール７２を含んで
いる。有機発光体部７１は、ＴＦＴ６２の側からコンタクトホール７２に電気的に接続された第１の電極層５８、有機発光層６０、第２の電極層６１が積層されており、絶縁層５７及び第１の電極層５８上に有機発光層６０を囲むようにアクリル樹脂等から成る他の絶縁層５９（図６、図７に示す絶縁層３９に相当する）が形成されている。

また、図８、図９において、符号７０で示す部位は第１の電極層５８及び第２の電極層６１によって有機発光層６０に直接的に電界が印加されて発光する発光部である。発光素子３３は、平面視で、発光部７０、その周囲の第１の電極層５８及び有機発光層６０を含む部位である。また、第１の電極層５８が陽極であってインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide ：ＩＴＯ）等の透明電極から成り、第２の電極層６１が陰極であってＡｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数が約４．０Ｖ以下と低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層６０で発光した光は基板５１側から出射される。即ち、発光方向（図８の白抜き矢印で示す方向）が下方（底部方向）であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第１の電極層５８が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第２の電極層６１が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方（頂部方向）であるトップエミッション型の発光装置となる。

ＴＦＴ６２は、基板５１側から、ゲート電極５２、ゲート絶縁膜５３、チャネル部としてのポリシリコン膜５４及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域54aから成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮ_x），酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る絶縁膜５５、ソース電極56a及びドレイン電極56bが、順次積層された
構成を有している。なお、図８において、符号56aLで示す部位はソース電極56aにソース
信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源線）であり、符号52Lで示す部位はゲー
ト電極５２にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線52Lに入力する
ゲート信号の電圧を制御することにより、各有機発光層６０の発光強度を制御することができる。すなわち、ソース信号線56aLは電源線として機能する。

また、絶縁層５９は、発光部７０を除いて、発光素子３３、駆動回路ブロック３２のほぼ全体を覆うように形成されているが、第１の電極層５８に接する部位、有機発光層６０に接する部位、第２の電極層６１に接する部位がある。

特開２００２−３２４６６２号公報

しかしながら、図５〜図９に示す上記従来の発光装置においては、以下の問題点があった。すなわち、アクリル樹脂等から成る絶縁層３９，５９は、また場合によっては絶縁層５７も、水分を元々含んでいたり、透湿性を有している。そのため、絶縁層３９，５９（５７）に含まれていた水分、また絶縁層３９，５９（５７）を通して外部環境から浸入した水分が、有機発光層６０に到達し、水分によって劣化しやすい有機発光層６０の輝度が経時的に低下するという問題点があった（例えば、特許文献１を参照）。

本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、発光素子の有機発光層に対する水分の影響を抑えて有機発光層の輝度が経時的に低下することを抑えることができる発光装置とすることである。

本発明の発光装置は、有機発光層を含む発光部を複数有する発光領域と、２枚の基板を接合する樹脂材料から構成されたシール部を形成するシール領域と、前記シール領域の内側であって前記発光領域以外の部位にあるとともに、前記有機発光層に駆動電流を供給するための配線が配置された非発光領域と、を有する発光装置であって、前記シール領域から前記非発光領域にかけて配置された、前記配線を覆う有機絶縁層を有しており、前記発光領域は、前記有機絶縁層の非配置部とされており、前記有機絶縁層の下に層間絶縁膜が配置され、前記有機絶縁層の上に前記有機絶縁層を覆う保護絶縁層が配置されており、前記有機絶縁層の外側端縁が前記層間絶縁膜と前記保護絶縁層が合わさることによって閉じられているとともに、前記外側端縁が前記シール部と重なる位置または前記シール部よりも外側の位置にある構成である。

本発明の発光装置は、好ましくは、前記有機絶縁層は、前記発光部との間の平面視での間隔が、１つの前記発光部の平面視における最大寸法以上である。

また本発明の発光装置は、好ましくは、前記非発光領域は、薄膜トランジスタが配置されている。

また本発明の発光装置は、好ましくは、前記シール領域の外側に外部駆動制御部と接続される端子領域が配置されている。

本発明の発光装置は、有機発光層を含む発光部を複数有する発光領域と、２枚の基板を接合する樹脂材料から構成されたシール部を形成するシール領域と、前記シール領域の内側であって前記発光領域以外の部位にあるとともに、前記有機発光層に駆動電流を供給するための配線が配置された非発光領域と、を有する発光装置であって、前記シール領域から前記非発光領域にかけて配置された、前記配線を覆う有機絶縁層を有しており、前記発光領域は、前記有機絶縁層の非配置部とされており、前記有機絶縁層の下に層間絶縁膜が配置され、前記有機絶縁層の上に前記有機絶縁層を覆う保護絶縁層が配置されており、前記有機絶縁層の外側端縁が前記層間絶縁膜と前記保護絶縁層が合わさることによって閉じられているとともに、前記外側端縁が前記シール部と重なる位置または前記シール部よりも外側の位置にある構成であることから、以下の効果を奏する。すなわち、発光領域は有機絶縁層の非配置部とされているので、有機絶縁層に含まれていた水分、また有機絶縁層
を通して外部環境から浸入した水分が、発光部の有機発光層に到達することを効果的に抑えることができる。その結果、有機発光層の輝度が経時的に低下することを抑えることができる。

本発明の発光装置は、前記有機絶縁層は、前記発光部との間の平面視での間隔が、１つの前記発光部の平面視における最大寸法以上である場合、有機絶縁層に含まれていた水分、また有機絶縁層を通して外部環境から浸入した水分が、発光部の有機発光層に到達することをより効果的に抑えることができる。

また本発明の発光装置は、前記非発光領域は、薄膜トランジスタが配置されている場合、有機絶縁層が薄膜トランジスタを覆っていたとしても、薄膜トランジスタの部位で有機絶縁層の厚みが薄くなるので、有機絶縁層に含まれていた水分、また有機絶縁層を通して外部環境から浸入した水分が、発光部の有機発光層に到達することをさらに効果的に抑えることができる。

また本発明の発光装置は、前記シール領域の外側に外部駆動制御部と接続される端子領域が配置されている場合、シール領域の内側の空間の容積延いては有機絶縁層の体積が小さくなる。その結果、発光部の有機発光層に対する水分の影響を小さくすることができる。

図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の平面図である。図２は、図１のＤ１−Ｄ２線における断面図である。図３は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、図２と同様の断面図である。図４は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、図２と同様の断面図である。図５は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、図２と同様の断面図である。図６（ａ），（ｂ）は、従来の発光装置の１例を示すものであり、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部および駆動素子を拡大して示す回路図である。図７は、従来の発光装置の他例を示すものであり、発光装置の平面図である。図８は、図７のＢ部を拡大して示す部分拡大平面図である。図９は、図８のＣ１−Ｃ２線における断面図である。

以下、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の発光装置を説明するための主要な構成部材を示している。従って、本発明の発光装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。

図１〜図５は本発明の発光装置を示すものであり、図１は、本発明の発光装置について実施の形態の１例を示す図であり、発光装置の平面図である。図２は、図１のＤ１−Ｄ２線における断面図である。図３〜図５はそれぞれ、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、図２と同様の断面図である。これらの図に示すように、本発明の発光装置は、有機発光層２２を含む発光部33Lの複数を有する発光領域16Lと、ガラス基板、プラスチック基板等から成る２枚の基板31及び封止基板36を接合するシール部１５を形
成するシール領域15Sと、シール領域15Sの内側であって発光領域16L以外の部位にあると
ともに、有機発光層２２に駆動電流を供給するための配線37dが配置された非発光領域16Nと、を有する発光装置であって、シール領域15Sから非発光領域16Nにかけて配置された、配線37dを覆う有機絶縁層３９を有しており、発光領域16Lは、有機絶縁層３９の非配置部とされている構成である。この構成により、以下の効果を奏する。すなわち、発光領域16Lは有機絶縁層３９の非配置部とされているので、有機絶縁層３９に含まれていた水分、
また有機絶縁層３９を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層２２
に到達することを効果的に抑えることができる。その結果、有機発光層２２の輝度が経時的に低下することを抑えることができる。

本発明の発光装置は、例えば図２に示すような断面構造を有している。基板１の発光素子３３が配置される面には、順に、ＴＦＴ４４のドレイン電極と発光部33Lの第１の電極
層（図２の例では陽極（アノード））２１とを電気的に接続するアノード接続配線２、その上に窒化珪素（ＳｉＮ_x），酸化珪素（ＳｉＯ₂）等から成る第１の層間絶縁膜３が形成されている。第１の層間絶縁膜３上には、有機発光層２２に駆動電流を供給するデータ配線等の配線37d、接地配線７が形成されており、それらを覆って窒化珪素（ＳｉＮ_x），酸化珪素（ＳｉＯ₂）等から成る第２の層間絶縁膜５が形成されている。第２の層間絶縁膜
５の上には、接地配線７、配線37d、ＴＦＴ４４の部位を覆うように有機絶縁層３９が形
成されている。有機絶縁層３９の上には、接地配線７に平面視で重なる部位に電源配線８が形成され、ＴＦＴ４４に平面視で重なる部位にＴＦＴ４４のソース電極にアノード電流を流すアノード配線９が形成されている。電源配線８、アノード配線９を覆うように、窒化珪素（ＳｉＮ_x），酸化珪素（ＳｉＯ₂）等から成る保護絶縁層６が形成されている。なお、符号３２で示される部位は駆動回路ブロックであり、符号４０で示される部位はシフトレジスタである。

保護絶縁層６上の電源配線８に平面視で重なる部位に、シール部１５が形成されており、シール部１５は基板１と封止基板３６を気密に封止する。

第２の層間絶縁膜５上のアノード接続配線２に重なる部位にカソード配線１３が形成されており、発光素子３３側にはアノード接続配線２と第１の電極層２１とを接続するための層間金属層１２が形成されている。アノード接続配線２のＴＦＴ４４側の端部には、ＴＦＴ４４のドレイン電極に接続される第１のコンタクトホール１０が配置されており、発光素子３３側の端部には、層間金属層１２に接続される第２のコンタクトホール１１が配置されている。

保護絶縁層６上の発光部33L側の端部を覆って、第１の電極層２１が形成されており、
その上に有機発光層２２が形成され、有機発光層２２を覆って第２の電極層（図２の例では陰極（カソード））２３が形成されている。第２の電極層２３の一端部は、カソード配線１３に接している。

本発明の発光装置は、有機絶縁層３９は、発光部33Lとの間の平面視での間隔ｋが、１
つの発光部33Lの平面視における最大寸法以上であることが好ましい。この場合、有機絶
縁層３９に含まれていた水分、また有機絶縁層３９を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層２２に到達することをより効果的に抑えることができる。発光
部33Lの平面視形状は、円形、楕円形、四角形、六角形、六角形以上の多角形等の形状で
あり、１つの発光部33Lの平面視における最大寸法は、例えば２０μｍ乃至５０μｍ程度
である。より好ましくは、間隔ｋは１００μｍ乃至１０００μｍ程度がよい。

また本発明の発光装置は、図３に示すように、有機絶縁層３９は、その外側端縁39tが
シール領域15Sの内側に位置していることが好ましい。この場合、外部環境から有機絶縁
層３９を通して水分が浸入することを防ぐことができる。その結果、水分が、発光部33L
の有機発光層２２に到達することをさらに効果的に抑えることができる。

また本発明の発光装置は、非発光領域16Nは、ＴＦＴ４４が配置されていることが好ま
しい。例えば、有機発光層２２の輝度を制御するＴＦＴは、ゲート電極が配線37dに電気
的に接続され、一方の電極（ソース電極）がアノード配線９に接続され、他方の電極（ドレイン電極）が発光部33Lの有機発光層２２に接続される。この場合、有機絶縁層３９が
ＴＦＴ４４を覆っていたとしても、ＴＦＴ４４の部位で平坦化層としての有機絶縁層３９の厚みを薄くすることができる。その結果、有機絶縁層３９に含まれていた水分、また有機絶縁層３９を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層２２に到達
することをさらに効果的に抑えることができる。

また本発明の発光装置は、図１に示すように、シール領域15Sの外側に外部駆動制御部
と接続される端子領域31tが配置されていることが好ましい。この場合、シール領域15Sの内側の空間の容積延いては有機絶縁層３９の体積が小さくなる。その結果、発光部33Lの
有機発光層２２に対する水分の影響を小さくすることができる。

図１〜図５に示す本発明の発光装置は、例えば有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドに適用されるものであり、その全体構成、駆動制御、発光素子等の構成は、図６〜図９に示す従来例と同様であるので、詳細な説明は省略する。

本発明の発光装置におけるシール部１５は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、合成ゴム等の樹脂材料から成るが、接着力に優れていること、液状（ペースト状）から硬化した後に十分な硬度が得られること等から、エポキシ樹脂から成ることが好ましい。またシール部１５は、幅が０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度、好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍ程度であり、基板３１と封止基板３６との間の隙間（ギャップ）に相当する厚みが５μｍ〜１５μｍ程度である。

配線37dは、例えば図６に示すデータ信号（ＤＡＴＡ１１〜ｎ２）を伝達するデータ信
号配線、すなわち駆動電流を発生させるためのものである。電源配線８は、電源電圧（ＶＤＤ）の強化配線であり、例えば図６に示す電源電圧（ＶＤＤ）を供給する電源線から分岐した電源枝線等から成る。アノード配線９は、例えば図６に示す電源電圧（ＶＤＤ）を供給する電源線である。なお、この電源線は、ＴＦＴ４４のソース電極に接続されるソース信号線であり、ＴＦＴ４４のゲート電極に入力されるゲート信号（データ信号でもある）の電圧を制御することにより、ソース信号線を流れる駆動電流を制御して有機発光層２２の発光強度を制御する。配線37d、接地配線７、電源配線８、アノード配線９は、アル
ミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ネオジウム（Ｎｄ）等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料などを用いて形成される。また配線37d、接地配線７、電源配線８、アノード配線９は、これらの材料から成る
単層構造の導電層、または複数層を積層した積層構造の導電層とすることができる。積層構造とすることにより、低抵抗化を実現することもできる。また配線37d、接地配線７、
電源配線８、アノード配線９は、透光性が必要な場合、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性材料であって、透光性を有する材料を用いて形成することができる。また、配線37dの幅は５μｍ〜１０μｍ程度、接地配線７、電源配線８、ア
ノード配線９の各幅は１００μｍ〜５００μｍ程度である。

また、有機絶縁層３９は、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキ
シエチレン共重合体（ＰＦＡ樹脂）、ポリシロキサン、ポリシラザン等の樹脂材料、またこれら樹脂材料の感光性のものを用いて形成することができる。ポリシロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合によって骨格構造が形成されたものである。またポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。さらに有機絶縁層３９は、感光性の樹脂材料から成る場合、耐久性が良いという理由等から、感光性のアクリル樹脂、感光性のポリイミド、感光性のポリシロキサンから成ることがよい。さらに有機絶縁層３９は、耐久性に優れること、光透過率が９３％程度と高いこと、加工性が高いこと、安価であることから、アクリル樹脂、特には感光性のアクリル樹脂から成ることが好ましい。ただし、アクリル樹脂はエポキシ樹脂に比べて透湿性が高いという特性を有する。従って、シール部１５は、アクリル樹脂等から成る有機絶縁層３９よりも透湿性が低いエポキシ樹脂等の材料から成ることが好ましい。

図４に示すように、有機絶縁層３９は、シール領域15Sにおいて、発光部33Lを囲むように配置された溝39aによって分離されていることがよい。溝39aは１つあってもよいが、複数あってもよい。溝39aが複数ある場合、シール領域15Sの長手方向に直交する方向の溝39aの幅について、最外側の溝39aの幅が残余の溝39aの幅よりも大きいことが好ましい。こ
の場合、外部環境から浸入しようとする水分をより効果的に阻止することができる。溝39aは、スリットコート法、スピンコート法等のコーティング法、及びフォトリソグラフィ
法等によって形成される。溝39aは、上記の幅が１０μｍ〜１００μｍ程度である。

また図５に示すように、有機絶縁層３９は、外側端縁39tがシール領域15Sの外側端に達していないことがよい。この場合、有機絶縁層３９を通して外部環境から浸入した水分が、発光部33Lの有機発光層２２に到達することを効果的に抑えることができる。

第１の層間絶縁膜３、第２の層間絶縁膜５、保護絶縁層６は、例えば窒化珪素（ＳｉＮ_x），酸化珪素（ＳｉＯ₂）等から成る。第１の層間絶縁膜３、第２の層間絶縁膜５、保護絶縁層６は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって形成さ
れる。

図１〜図５の構成において、有機絶縁層３９は多孔質シリカ粒子等の吸湿材を含んでいることが好ましい。この場合、外部環境から水分が浸入することをより抑えることができる。

本発明の発光装置は、その発光素子３３の発光部33Lが有機発光層２２を有するもので
あるが、発光部33Lは、第１の電極層２１、有機発光層２２、第２の電極層２３が積層さ
れて構成される。第１の電極層２１または第２の電極層２３が陽極である場合、その陽極に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インイジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、リン，ボロンを含むシリコン（Ｓｉ）等の導電性材料であって透光性を有する材料から成る。第１の電極層２１または第２の電極層２３が陰極である場合、その陰極は、Ａｌ，Ａｌ−Ｌｉ合金，Ｍｇ−Ａｇ合金（Ａｇを５〜１０重量％程度含む），Ｍｇ−Ｃｕ合金（Ｃｕを５〜１０重量％程度含む）等の仕事関数が約４．０Ｖ以下と低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る。

発光素子３３をスイッチング制御するＴＦＴ４４は、基板１側から、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル部としてのポリシリコン膜及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域から成る半導体膜、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）
，酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等から成る絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極が、順次積
層された構成を有している。ＴＦＴ４４を構成する半導体は低温ポリシリコン（Low-Temperature Poly Silicon：ＬＴＰＳ）、アモルファスシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Indium Gallium Zinc Oxide：ＩＧＺＯ）等の酸化物半導体などから成っていてもよい。またＴＦＴ４４は、ゲート電極がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のＴＦＴであるか、またはゲート電極がチャネル部の上方にあるトップゲート型のＴＦＴであってもよく、さらにゲート電極がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のＴＦＴであってもよい。トップゲート型のＴＦＴ、ダブルゲート型のＴＦＴは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。

有機発光層２２は、バックライトが不要な自発光型の有機電界発光性を有するものである。例えば有機発光層２２は数１００ｎｍ程度の厚みを有する積層構造体であり、陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を積層したものである。電極層間の各層の厚みは数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度である。電極層を含む厚みは１μｍ程度である。有機発光層２２の発光層の発光材料としては、低分子蛍光色素材料、蛍光性の高分子材料、金属錯体材料等が採用し得る。

発光層に正孔を注入しやすくするためには発光層のイオン化エネルギーが６．０ｅＶ以下であることがよく、発光層に電子を注入しやすくするためには発光層の電子親和力が２．５ｅＶ以上であることがよい。発光層の発光材料としては、トリス（8-キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）₃（
Ｐｈｅｎ））、ジトルイルビニルビフェニル（ＤＴＶＢｉ）などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ（p−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高
分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス（4-ジ-p-アミノフェニル）シクロヘキサン、トリフ
ェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。

第１の電極層２１、有機発光層２２、第２の電極層２３は、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法等によって形成され得る。例えば、第１の電極層２１はスパッタリング法等によって形成でき、有機発光層２２は真空蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等によって形成でき、第２の電極層２３は電子ビーム（Electron Beam：ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。

なお、本発明の発光装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良が施されていてもよい。

本発明の発光装置は、例えば、長板状の基板３１の長手方向に複数の発光素子３３を列状に並ぶように形成することによって、有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドとして構成し得る。また、基板３１が矩形状等の形状であり、複数の発光素子３３を２次元的（平面的に）並ぶように形成することによって有機ＥＬ表示装置として構成し得る。さらに本発明の発光装置及び発光装置を用いた有機ＥＬ表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用
インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。

１５シール部
１５Ｓシール領域
１６Ｌ発光領域
１６Ｎ非発光領域
２１第１の電極層
２２有機発光層
２３第２の電極層
３１基板
３６封止基板
３７ｄ配線
３９有機絶縁層
４４薄膜トランジスタ

Claims

有機発光層を含む発光部を複数有する発光領域と、
２枚の基板を接合する樹脂材料から構成されたシール部を形成するシール領域と、
前記シール領域の内側であって前記発光領域以外の部位にあるとともに、前記有機発光層に駆動電流を供給するための配線が配置された非発光領域と、を有する発光装置であって、
前記シール領域から前記非発光領域にかけて配置された、前記配線を覆う有機絶縁層を有しており、
前記発光領域は、前記有機絶縁層の非配置部とされており、
前記有機絶縁層の下に層間絶縁膜が配置され、前記有機絶縁層の上に前記有機絶縁層を覆う保護絶縁層が配置されており、
前記有機絶縁層の外側端縁が前記層間絶縁膜と前記保護絶縁層が合わさることによって閉じられているとともに、前記外側端縁が前記シール部と重なる位置または前記シール部よりも外側の位置にある発光装置。
前記有機絶縁層は、前記発光部との間の平面視での間隔が、１つの前記発光部の平面視における最大寸法以上である請求項１に記載の発光装置。
前記非発光領域は、薄膜トランジスタが配置されている請求項１または請求項２に記載の発光装置。
前記シール領域の外側に外部駆動制御部と接続される端子領域が配置されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。