JP6555965B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:EL)素子ある
いは有機LED(Organic Light Emitting diode:OLED)素子等の発光素子を備えた発光装置に関するものである。
従来の発光装置の1例を図8に示す。図8(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のB部及びIC,LSI等から成る駆動素子24を拡大して示す回路図である。この発光装置は、有機LEDプリンタ(OLEDP)ヘッドに適用されるものであり、ガラス基板等から成る長板状の基板21の一面に、複数の発光素子23の発光(点灯)をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック22と、基板1の長手方向に沿って2列(2行または2段)に並べられて配置された複数の発光素子23と、駆動回路ブロック22を構成する配線及び駆動回路ブロック22と発光素子23を接続する配線とが、CVD(Chemical
Vapor Deposition)法等の薄膜形成法によって形成されている。複数の駆動回路ブロ
ック22は、複数の発光素子23の列に沿って列状に並べられており、例えば1つの駆動回路ブロック22が400個の発光素子23を駆動するものであり、その駆動回路ブロック22が20個並べられている。従って、発光素子23は合計で8000個ある。また、基板21の一面の一端部には駆動回路ブロック22及び発光素子23を駆動し発光素子23の発光を制御する駆動素子24が、チップオングラス(Chip On Glass:COG)方式等の実装方法によって、設置されている。また、基板21の一面における駆動素子24設置部の近傍の縁部に、フレキシブル回路基板(Flexible Printed Circuit:FPC)25が設置されている。このFPC25は、駆動素子24との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。
図8(b)に示すように、2列を成す2個の発光素子23a,23bに対して1組の駆動回路
が形成されており、1組の駆動回路は、シフトレジスタ30、論理和否定(NOR)回路31、インバータ32、CMOSトランスファゲート素子33a,33b、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)34a,34bを有している。TFT34a,34bの各ドレイン電極部に有機LED素子等から成る発光素子23a,23bがそれぞれ接続されている。
1組の駆動回路は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ30は、クロック端子(CLK)にハイ(「1」)のクロック信号(CLK)が入力されるとともに入力端子(in)にハイの同期信号(Vsync)が入力されたときに、出力端子(Q)からハイの信号が出力されるとともに反転出力端子(XQ)からロー(「0」)の信号が出力される。次に、NOR回路31は、反転出力端子(XQ)からローの信号が入力されるとともに反転イネーブル信号(XENB)であるローの信号が入力されて、ハイの信号を出力する。次に、インバータ32はローの信号を出力する。次に、CMOSトランスファゲート素子33aは、n型MOSトランジスタのゲート電極部にNOR回路31からのハイの信号が入力されるとともにp型MOSトランジスタのゲート電極部にインバータ32からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号(DATA11)を出力する。次に、データ信号(DATA11)がTFT34aのゲート電極部に入力されてTFT34aがオン状態となり、データ信号(DATA11)に応じた電源電圧(VDD)による電源電流が発光素子23aに供給される。同時に、CMOSトランスファゲート素子33bは、n型MOSトランジスタのゲート電極部にNOR回路31からのハイの信号が入力されるとともにp型MOSトランジスタのゲート電極部にインバータ32からローの信号が入力されてオン状態となり、データ信号(DATA12)を出力する。次に、データ信号(DATA12)がTFT34bのゲート電極部に入力されてTFT34bがオン状態となり、データ信号(DATA12)に応じた電源電圧(VDD)による電源電流が発光素子23bに供給される。以上の一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子23が順次発光していく。
図9は、図8(a)に示す発光装置について、封止基板26と、基板21の発光素子23側の面の周縁部と封止基板26の発光素子23側の面の周縁部とを接合し封止(シール)するシール部28と、を備えた構成を示す図であり、(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のD1−D2線における断面図、(c)は(b)のE部の拡大断面図である。図9(b)に示すように、発光装置を製造する際に、封止基板26を基板21に対して押圧し、シール部28に内包された多数の球状スペーサ29によって基板21と封止基板26との間の隙間を規定するようにしている。基板21上には、発光素子23に電気的に接続される配線27、及びそれを被覆する窒化珪素(SiNx)等から成るパッシベーション層27aが形成されており、多数の球状スペーサ29のなかには配線27に重なって配置されるものがある(例えば、特許文献1を参照)。
また、他の従来例として、複数の柱状のスペーサを被覆するシール部を形成するシール部形成工程を有する有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法が提案されている(例えば、特許文献2を参照)。
特開2008−77951号公報 特開2011−233341号公報
しかしながら、図9に示す上記従来の発光装置においては、発光装置を製造する際に封止基板26を基板21に対して押圧すると、図9(c)に示すように配線27に重なっている球状スペーサ29がパッシベーション層27aに点接触することとなる。その結果、パ
ッシベーション層27aに亀裂等の損傷が生じ、その損傷部から水分が浸入して配線27に
腐食が発生し、さらには配線27が断線する場合があるという問題点があった。また、パッシベーション層27aがない場合、球状スペーサ29が配線27を損傷させ断線させることがあった。さらに、球状スペーサ29がアクリル樹脂等の吸水性を有する樹脂から成る場合、上記問題点が生じやすくなっていた。
また、特許文献2には柱状のスペーサについて開示されているが、上記問題点を解消する構成については何等開示されていない。
本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、配線に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することを抑えることができるとともに十分な高さを確保できるスペーサを有する発光装置とすることである。
本発明の発光装置は、発光素子基板と、前記発光素子基板上に配置された発光素子を囲むように形成されているシール部と、前記発光素子基板上のシール部位に配置されているとともに前記発光素子に電気的に接続されている配線と、前記シール部位に点在している複数の柱状スペーサと、前記シール部によって取り付けられた封止基板と、を有する発光装置であって、
前記柱状スペーサは、前記発光素子基板側から第1の樹脂層及び第2の樹脂層の少なくとも2層が重なって成るとともに、前記第1の樹脂層における前記発光素子基板側の第1の面と、前記第1の樹脂層における前記第2の樹脂層側の第2の面と、前記第2の樹脂層における前記第1の樹脂層側の第3の面と、前記第2の樹脂層における前記封止基板側の第4の面と、を有しており、前記第1の面が前記第4の面よりも大きい構成であり、
前記柱状スペーサと前記配線は重なって成り、前記柱状スペーサの前記第1の面における前記配線の幅方向の長さが前記配線の幅よりも長い構成である。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、前記第2の面が前記第3の面よりも大きい。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、複数の前記配線にまたがっている。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層との間、および/または前記第2の樹脂層の上に、増厚部材が配されている。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記増厚部材は、金属層および/または無機絶縁層である。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記シール部は、前記柱状スペーサよりも吸水性が低い材料から成る。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、前記シール部の幅方向において、前記発光素子側の前記柱状スペーサが外側の前記柱状スペーサよりも密に配されている。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、前記発光素子を構成する樹脂層と同じ材質の樹脂層から成る。
また本発明の発光装置は、好ましくは、前記柱状スペーサは、前記第1の樹脂層が、前記発光素子を構成する層間樹脂層と同じ材質の樹脂層であり、前記第2の樹脂層が、前記発光素子を構成する被覆樹脂層と同じ材質の樹脂層である。
本発明の発光装置は、発光素子基板と、発光素子基板上に配置された発光素子を囲むように形成されているシール部と、発光素子基板上のシール部位に配置されているとともに発光素子に電気的に接続されている配線と、シール部位に点在している複数の柱状スペーサと、シール部によって取り付けられた封止基板と、を有する発光装置であって、柱状スペーサは、発光素子基板側から第1の樹脂層及び第2の樹脂層の少なくとも2層が重なって成るとともに、第1の樹脂層における発光素子基板側の第1の面と、第1の樹脂層における第2の樹脂層側の第2の面と、第2の樹脂層における第1の樹脂層側の第3の面と、
第2の樹脂層における封止基板側の第4の面と、を有しており、第1の面が第4の面よりも大きい構成であり、柱状スペーサと配線は重なって成り、柱状スペーサの第1の面における配線の幅方向の長さが前記配線の幅よりも長い構成であることから、以下のような効果を奏する。すなわち、柱状スペーサは、配線に点接触せずに面接触するので、配線に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することを抑えることができる。また、柱状スペーサは、第1の樹脂層及び第2の樹脂層の少なくとも2層が重なって成るので、その高さを十分なものとすることが容易になる。また第1の面が第4の面よりも大きいことから、柱状スペーサが配線に面接触しやすくなるので、配線に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをより抑えることができる。また、柱状スペーサの体積が小さくなるので、柱状スペーサが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、柱状スペーサが発光素子及び配線に対する水分の浸入経路となることを抑えることができる。また柱状スペーサは、第1の面における配線の幅方向の長さが配線の幅よりも長いことから、配線により面接触しやすくなるので、配線に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをさらに抑えることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、第2の面が第3の面よりも大きい場合、柱状スペーサの体積が確実に小さくなるので、柱状スペーサが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、柱状スペーサが発光素子及び配線に対する水分の浸入経路となることをより抑えることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、複数の配線にまたがっている場合、配線に対する押圧の圧力を分散させることができる。その結果、配線に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをより抑えることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、第1の樹脂層と第2の樹脂層との間、および/または第2の樹脂層の上に、増厚部材が配されている場合、柱状スペーサの高さを十分なものとすることがより容易になる。従って、柱状スペーサの材質、製造方法上の制約のために柱状スペーサの高さが十分にとれない場合であっても、発光素子基板と封止基板との間の十分な隙間を確保することができる。
また本発明の発光装置は、増厚部材は、金属層および/または無機絶縁層である場合、発光素子を構成する金属層、無機絶縁層と同じ材質の金属層、無機絶縁層を用いることができる。その結果、発光装置の製造コストを削減することができる。また、発光素子の製造工程において柱状スペーサを一緒に形成することもできる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されるので、その点においても製造の手間及びコストを削減することができる。
また本発明の発光装置は、シール部は、柱状スペーサよりも吸水性が低い材料から成る場合、柱状スペーサが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、発光素子及び配線に水分が浸入することを抑えることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、シール部の幅方向において、発光素子側の柱状スペーサが外側の柱状スペーサよりも密に配されている場合、柱状スペーサが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、シール部の外側すなわち外部環境側から、水分が浸入することをより抑えることができる。また、発光装置を製造する際に封止基板を発光素子基板に対して押圧したときに、未硬化のシール材が発光素子側に入り込むことを抑えて外側にはみ出すようにすることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、発光素子を構成する樹脂層と同じ材質の樹脂層から成る場合、発光素子の製造に用いる樹脂材料と同じ樹脂材料を用いて柱状スペー
サを形成することができる。その結果、発光装置の製造コストを削減することができる。また、発光素子の製造工程において柱状スペーサを一緒に形成することもできる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されるので、その点においても製造の手間及びコストを削減することができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサは、第1の樹脂層が、発光素子を構成する層間樹脂層と同じ材質の樹脂層であり、第2の樹脂層が、発光素子を構成する被覆樹脂層と同じ材質の樹脂層である場合、発光素子の製造工程において柱状スペーサを一緒に形成することができる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されるので、製造の手間及びコストを削減することができる。
図1(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の1例を示す図であり、(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のA1−A2線における断面図である。 図2(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、(a),(b)は柱状スペーサの各種例を示す断面図である。 図3(a)〜(c)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、(a)〜(c)は柱状スペーサの各種例を示す断面図である。 図4(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、(a),(b)は柱状スペーサの各種例を示す断面図である。 図5(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、(a)は配線上に重なって配置されている複数の柱状スペーサを示す平面図、(b)は発光素子側の柱状スペーサが外側の柱状スペーサよりも密に配されている構成を示す平面図である。 図6は、本発明の発光装置について実施の形態の他例を示す図であり、発光装置の3つの有機EL素子から成る発光素子及びその周辺部の平面図である。 図7は、発光素子及び周辺部の図6のD1−D2線における断面図である。 図8(a),(b)は、従来の発光装置の1例を示す図であり、(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のB部及び駆動素子の回路図である。 図9(a)〜(c)は、図8に示す従来の発光装置について、封止基板とシール部を備えた構成を示す図であり、(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のD1−D2線における断面図、(c)は(b)のE部の拡大断面図である。
以下、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の発光装置の実施の形態における構成部材のうち、本発明の発光装置を説明するための主要部を示している。従って、本発明の発光装置は、図に示されていない回路基板、配線導体、制御IC,LSI等の周知の構成部材を備えていてもよい。
図1〜図5は本発明の発光装置を示すものであり、図1(a),(b)は、本発明の発光装置について実施の形態の1例を示す図であり、(a)は発光装置の全体の平面図、(b)は(a)のA1−A2線における断面図である。図1に示すように、本発明の発光装置は、ガラス基板、プラスチック基板等から成る発光素子基板1と、発光素子基板1上に配置された発光素子3を囲むように形成されているシール部8と、発光素子基板1上のシール部位1sに配置されているとともに発光素子3に電気的に接続されている配線7と、シール部位1sに点在している複数の柱状スペーサ9と、発光素子基板1と対向して発光素子3を封止された内側空間に配置した状態となるようにシール部8によって取り付けられた、ガラス基板、プラスチック基板等から成る封止基板6と、を有する発光装置であって、柱状スペーサ9は、発光素子基板1側から第1の樹脂層91及び第2の樹脂層92の少なくとも2層が重なって成り、柱状スペーサ9と配線7は重なって成る構成である。この構成により、以下のような効果を奏する。すなわち、柱状スペーサ9は、配線7に点接触せずに面接触するので、配線7に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することを抑えることができる。また、柱状スペーサ9は、第1の樹脂層91及び第2の樹脂層92の少なくとも2層が重なって成るので、その高さを十分なものとすることが容易になる。なお、配線7は、窒化珪素(SiNx)等から成るパッシベーション層によって被覆されていてもよい。
図1の発光装置は、例えば有機LEDプリンタ(OLEDP)ヘッドに適用されるものであり、長板状の発光素子基板1の一面に、複数の発光素子3の発光(点灯)をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック2と、発光素子基板1の長手方向に沿って2列(2行または2段)に並べられて配置された複数の発光素子3と、駆動回路ブロック2を構成する配線及び駆動回路ブロック2と発光素子3を接続する配線7とが、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法によって形成されている。複数の駆動回路ブロック2は、複数の発光素子3の列に沿って列状に並べられており、例えば1つの駆動回路ブロック2が400個の発光素子3を駆動するものであり、その駆動回路ブロック2が20個並べられている。従って、発光素子3は合計で8000個ある。また、発光素子基板1の一面の一端部には駆動回路ブロック2及び発光素子3を駆動し発光素子3の発光を制御する駆動素子4が、COG方式等の実装方法によって、設置されている。また、発光素子基板1の一面における駆動素子4設置部の近傍の縁部に、FPC5が設置されている。このFPC5は、駆動素子4との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。
本発明の発光装置におけるシール部8は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、合成ゴム等の樹脂材料から成るが、接着力に優れていること、液状(ペースト状)から硬化した後に十分な硬度が得られること、吸水性が小さいことから、エポキシ樹脂から成ることが好ましい。またシール部8は、幅が0.5mm〜2mm程度、好ましくは1mm〜2mm程度であり、発光素子基板1と封止基板6との間の隙間(ギャップ)に相当する厚みが5μm〜15μm程度である。
また、柱状スペーサ9は、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体(PFA樹脂)、ポリシロキサン、ポリシラザン等の樹脂材料、またこれら樹脂材料の感光性のものを用いて形成することができる。ポリシロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合によって骨格構造が形成されたものである。またポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。さらに柱状スペーサ9は、感光性の樹脂材料から成る場合、耐久性が良いという理由等から、感光性のアクリル樹脂、感光性のポリイミド、感光性のポリシロキサンから成ることがよい。さらに柱状スペーサ9は、耐久性に優れること、光透過率が93%程度と高いこと、加工性が高いこと、安価であることから、アクリル樹脂、特には感光性のアクリル樹脂から成ることが好ましい。ただし、アクリル樹脂はエポキシ樹脂に比べて吸水性が高いという特性を有する。従って、シール部8は、アクリル樹脂等から成る柱状スペーサ9よりも吸水性が低いエポキシ樹脂等の材料から成ることが好ましい。この場合、柱状スペーサ9が吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、発光素子3及び配線7に水分が浸入することを抑えることができる。
また柱状スペーサ9は、円柱状、楕円柱状、長円柱状、三角柱状、四角柱状、多角柱状
等の種々の形状とすることができる。柱状スペーサ9の配線7に対する圧力、損傷を抑えるためには、柱状スペーサ9は円柱状、楕円柱状、長円柱状等の、配線7側の端面に角を有していない形状がよい。なお、柱状スペーサ9は、スリットコート法、スピンコート法等のコーティング法、及びフォトリソグラフィ法等によって形成される。
また柱状スペーサ9は、高さが5μm〜15μm程度、径もしくは高さ方向に直交する方向の幅が100μm〜300μm程度であることが好ましい。柱状スペーサ9の径もしくは幅が100μm未満である場合、2層目以上の部位の高さが不十分になる傾向がある。すなわち、1層目をフォトリソグラフィ法によって形成し、次に2層目となる樹脂ペースト層を1層目を覆うように形成すると、樹脂ペースト層が全体として平坦化されてしまうので、1層目の上に十分な高さの2層目を形成することがむつかしくなる傾向があるからである。柱状スペーサ9の径もしくは幅が300μmを超える場合、シール部8から外側に部分的にはみ出すものが存在することとなる傾向がある。そうすると、柱状スペーサ9が吸水性の高いアクリル樹脂から成る場合に、発光素子3及び配線7に水分が浸入しやすくなる。柱状スペーサ9の径もしくは幅は、円柱状以外の形状の場合、横断面(高さ方向に直交する面における断面)における平均値とすることができる。
本発明の発光装置は、図2(a),(b)に示すように、柱状スペーサ9a,9bは、第1の樹脂層91a,91bにおける発光素子基板1側の第1の面9a1,9b1と、第1の樹脂層91a,91bにおける第2の樹脂層92a,92b側の第2の面9a2,9b2と、第2の樹脂層92a,92bにおける第1の樹脂層91a,91b側の第3の面9a3,9b3と、第2の樹脂層92a,92bにおける封止基板6側の第4の面9a4,9b4と、を有しており、第1の面9a1,9b1が第4の面9a4,9b4よりも大きい。これにより、柱状スペーサ9a,9bが配線7に面接触しやすくなるので、配線7に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをより抑えることができる。また、柱状スペーサ9a,9bの体積が小さくなるので、柱状スペーサ9a,9bが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、柱状スペーサ9a,9bが発光素子3及び配線7に対する水分の浸入経路となることを抑えることができる。
さらに、図2(b)に示すように、柱状スペーサ9bは、第2の面9b2が第3の面9b3よりも大きいことが好ましい。この場合、柱状スペーサ9bの体積が確実に小さくなるので、柱状スペーサ9bが吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、柱状スペーサ9bが発光素子3及び配線7に対する水分の浸入経路となることをより抑えることができる。この構成において、発光素子基板1側の第1の樹脂層91bの径あるいは幅を100μm〜300μm程度とし、封止基板6側の第2の樹脂層92bの径あるいは幅を10μm〜50μm程度ときわめて小さくすることができる。その結果、柱状スペーサ9bの体積をより小さくすることができる。第1の樹脂層91bの高さは2μm〜10μm程度、第2の樹脂層92bの高さは2μm〜10μm程度とすることができる。なお、図2(a)に示す柱状スペーサ9aは、全体として錐台状の構成である。この場合、発光装置を製造する際に封止基板6を発光素子基板1に対して押圧したときに、未硬化の液状(ペースト状)のシール材が流動することを妨げにくくする。その結果、シール部8中に気泡が残存しにくいものとなる。
本発明の発光装置は、図3(a)〜(c)に示すように、柱状スペーサ9c,9d,9eは、第1の樹脂層91c,91d,91eと第2の樹脂層92c,92d,92eとの間、および/または第2の樹脂層92c,92d,92eの上に、増厚部材が配されていることが好ましい。この場合、柱状
スペーサ9c,9d,9eの高さを十分なものとすることがより容易になる。従って、柱状スペーサ9c,9d,9eの材質、製造方法上の制約のために柱状スペーサ9c,9d,9eの高さが十分にとれない場合であっても、発光素子基板1と封止基板6との間の十分な隙間を確保することができる。なお、図3(a)〜(c)に示す例は、柱状スペーサ9c,9d,9eの層間に、金属層10および/または無機絶縁層11から成る増厚部材が配されている構成である。図3(a)に示す柱状スペーサ9cは、その層間に金属層10が配されている構成である。金属層10は、発光素子3を構成するTFTのソース電極及びドレイン電極に適用される金属層と同じ材質のものであってもよい。その場合、金属層10は、アルミニウム(Al),チタン(Ti),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),タングステン(W),クロム(Cr),銀(Ag),銅(Cu),ネオジウム(Nd)等から選ばれた元素から成る金属材料、これらの元素を主成分とする合金材料から成る。図3(c)に示す無機絶縁層11は、発光素子3を構成するTFTに含まれる絶縁膜と同じ材質のものであってもよい。その場合、無機絶縁層11は、窒化シリコン(SiNx),酸化シリコン(SiO2)等から成る。このように、金属層10、無機絶縁層11を、発光素子3を構成する部位と同じ材質のものとすることにより、発光素子3の形成工程において一緒に金属層10、無機絶縁層11を形成することができる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されて、製造の手間及びコストが削減される。
図3(b)に示す柱状スペーサ9dは、図2(a)の柱状スペーサ9aと同様の全体構成であって、その層間に金属層10が配されている構成である。この場合、柱状スペーサ9dの高さを十分なものとするとともに体積をより小さくすることができる。図3(c)に示す柱状スペーサ9eは、図2(a)の柱状スペーサ9aと同様の全体構成であって、その層間に金属層10及び無機絶縁層11が配されている構成である。この場合、柱状スペーサ9eの高さをより十分なものとするとともに体積をより小さくすることができる。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサ9は、第2の樹脂層92の上に(例えば、第4の面に)、柱状スペーサ9の厚み(高さ)を増大させる増厚部材が重なっていてもよい。この場合、柱状スペーサ9の材質、製造方法上の制約のために柱状スペーサ9の高さが十分にとれない場合であっても、発光素子基板1と封止基板6との間の十分な隙間を確保することができる。増厚部材は、柱状スペーサ9と同様の樹脂から成るもの、その他セラミック等の無機物、金属から成るものであってもよい。増厚部材の形状は、球体状、楕円体状、立方体状、直方体状、円柱状、角柱状、円筒状等の筒状等の種々の形状とすることができる。
増厚部材の厚み(高さ)は、柱状スペーサ9の層間に、金属層10および/または無機絶縁層11から成る増厚部材が配されている場合、柱状スペーサ9の厚み(高さ)の10%〜30%程度であることがよい。10%未満では、発光素子基板1と封止基板6との間の十分な隙間を確保することがむつかしくなる傾向がある。30%を超えると、金属層10および/または無機絶縁層11を覆う第2の樹脂層92をスピンコート法、スリットコート法等で形成しようとすると、第2の樹脂層92となる樹脂ペースト層から金属層10および/または無機絶縁層11が上側(封止基板6側)に飛び出す傾向がある。増厚部材の厚み(高さ)は、第2の樹脂層92の上に増厚部材が重なっていている場合、柱状スペーサ9の厚みの30%〜50%程度であることがよい。30%未満では、発光素子基板1と封止基板6との間の十分な隙間を確保することがむつかしくなる傾向がある。50%を超えると、発光素子基板1と封止基板6との間の隙間が大きくなりすぎる傾向がある。
また、図4(a),(b)に示すように、柱状スペーサ9f,9gは、第1の樹脂層91f,91gの上面(第2の面)及び側面を覆うように第2の樹脂層92f,92gが第1の樹脂層91f,91gに重なっていてもよい。この場合、第1の樹脂層91f,91gの第2の面と第2の樹脂層92f,92gの第3の面とを高い精度で位置合わせする必要がないので、柱状スペーサ9f,9gを形成することが容易になる。その結果、所望の形状の柱状スペーサを形成することが容易になる。図4(b)は、第1の樹脂層91fの第2の面に金属層10が形成されており、さらに金属層10及び第1の樹脂層91fの第2の面、側面を覆うように無機絶縁層11が形成されている構成である。
また本発明の発光装置は、図5(a)に示すように、柱状スペーサ9は、発光素子基板1面に対向する第1の面における配線7の幅方向の長さw2が配線7の幅w1よりも長い。これにより、柱状スペーサ9の第1の面が配線7により面接触しやすくなるので、配線7に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをさらに抑えることができる。例えば、配線7の幅w1は1μm〜5μm程度であり、柱状スペーサ9の長さw2は100μm〜300μm程度である。
また本発明の発光装置は、図5(a)に示すように、柱状スペーサ9は、複数の配線7にまたがっていることが好ましい。この場合、配線7に対する柱状スペーサ9の押圧の圧力を分散させることができる。その結果、配線7に損傷、腐食及び断線等の不具合が発生することをより抑えることができる。
また本発明の発光装置は、図5(b)に示すように、柱状スペーサ9は、シール部8の幅方向において、発光素子3側の柱状スペーサ9が外側(反発光素子3側)の柱状スペーサ9よりも密に配されていることが好ましい。この場合、柱状スペーサ9が吸水性を有する樹脂から成る場合であっても、シール部8の外側すなわち外部環境側から、水分が浸入することをより抑えることができる。また、発光装置を製造する際に封止基板6を発光素子基板1に対して押圧したときに、未硬化のシール材が発光素子3側に入り込むことを抑えて外側にはみ出すようにすることができる。この構成について、発光素子3側の柱状スペーサ9のシール部8に占める体積の比率(例えば、単位体積当りの比率)が、外側の柱状スペーサ9のシール部8に占める体積の比率(例えば、単位体積当りの比率)よりも高い、ということもできる。シール部8の発光素子3側と、シール部8の外側とは、例えば、シール部8の幅方向に直交する長手方向に平行な中心線Osを境界として区分することができる。そして、例えば、シール部8の発光素子3側における柱状スペーサ9のシール部8に占める単位面積(1mm2)当りの個数を10個/mm2〜30個/mm2程度とし、シール部8の外側における柱状スペーサ9のシール部8に占める単位面積(1mm2)当りの個数を5個/mm2〜15個/mm2程度とすることがよい。この場合、各柱状スペーサ9のサイズは同程度であるものとする。
また本発明の発光装置は、柱状スペーサ9は、発光素子3を構成する樹脂層と同じ材質の樹脂層から成ることが好ましい。この場合、発光素子3の製造に用いる樹脂材料と同じ樹脂材料を用いて柱状スペーサ9を形成することができる。その結果、発光装置の製造コストを削減することができる。また、発光素子3の製造工程において柱状スペーサ9を一緒に形成することもできる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されるので、その点においても製造の手間及びコストを削減することができる。またこの場合、柱状スペーサ9は、その厚みが発光素子3を構成する樹脂層と同じ厚みであってもよい。
さらに本発明の発光装置は、柱状スペーサ9は、第1の樹脂層91は、発光素子3を構成する層間樹脂層と同じ材質の樹脂層であり、第2の樹脂層92は、発光素子3を構成する被覆樹脂層と同じ材質の樹脂層であることが好ましい。この場合、発光素子3の製造工程において柱状スペーサ9を一緒に形成することができる。その結果、発光装置の製造工程が簡略化されるので、製造の手間及びコストを削減することができる。またこの場合、第1の樹脂層91は、その厚みが発光素子3を構成する層間樹脂層と同じ厚みであってもよく、第2の樹脂層92は、その厚みが発光素子3を構成する被覆樹脂層と同じ厚みであってもよい。なお、発光素子3を構成する層間樹脂層及び被覆樹脂層については、以下の発光素子3の詳細な構成において説明する。
本発明の発光装置の発光素子が有機発光層を有する有機EL素子である場合の、発光素子及びその周辺部の詳細な構成を図6、図7に示す。図6は、発光装置の3つの発光素子及びその周辺部の平面図である。図7は、発光素子及び周辺部の断面図であり、図6のC
1−C2線における断面図である。これらの図に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板51上に形成されたTFT62と、そのTFT62上にアクリル樹脂等から成る第1の絶縁層57を挟んで積層された有機発光体部71と、その有機発光体部71とTFT62のドレイン電極56bとを導電接続するコンタクトホール72と、を含
む発光部を有しており、有機発光体部71は、TFT62の側からコンタクトホール72に電気的に接続された第1の電極層58、有機発光層60、第2の電極層61が積層されており、第1の絶縁層57及び第1の電極層58上に有機発光層60を囲むようにアクリル樹脂等から成る第2の絶縁層59が形成されている構成である。そして、第1の絶縁層57が上記の層間樹脂層に相当し、第2の絶縁層59が上記の被覆樹脂層に相当する。
また、図6、図7において、70は第1の電極層58及び第2の電極層61によって有機発光層60に直接的に電界が印加されて発光する発光領域としての発光素子である。また、第1の電極層58が陽極であってインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide :ITO)等の透明電極から成り、第2の電極層61が陰極であってAl,Al−Li合金,Mg−Ag合金(Agを5〜10重量%程度含む),Mg−Cu合金(Cuを5〜10重量%程度含む)等の仕事関数(約4.0V以下)が低く遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層60で発光した光は基板51側から出射される。即ち、発光方向(図7の白抜き矢印で示す方向)が下方(底部方向)であるボトムエミッション型の発光装置となる。一方、第1の電極層58が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第2の電極層61が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向が上方(頂部方向)であるトップエミッション型の発光装置となる。
TFT62は、基板51側から、ゲート電極52、ゲート絶縁膜53、チャネル部としてのポリシリコン膜54及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域54aから成る半導体膜、窒化シリコン(SiNx),酸化シリコン(SiO2)等から成る絶縁膜55、ソース電極56a及びドレイン電極56bが、順次積層された
構成を有している。なお、図6において、56aLはソース電極56aにソース信号(電源電流
)を伝達するソース信号線(電源線)であり、52Lはゲート電極52にゲート信号を伝達
するゲート信号線である。各ゲート信号線52Lに入力するゲート信号の電圧を制御するこ
とにより、各有機発光層60の発光強度を制御することができる。このようにソース信号線56aLは電源線として機能する。
第1の電極層58または第2の電極層61に用いられる透明電極は、インジウム錫酸化物(ITO)、インイジウム亜鉛酸化物(IZO)、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、リン,ボロンを含むシリコン(Si)等の導電性材料であって透光性を有する材料から成る。また第1の絶縁層57及び第2の絶縁層59は、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体(PFA樹脂)、ポリシロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。ポリシロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合によって骨格構造が形成されたものである。ポリシロキサンは、その酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基、例えばアルキル基、芳香族炭化水素基を有するもの、また酸素の置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を有するものであってもよい。ポリシラザンは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される材料である。絶縁層として上記の有機材料から成るものを用いると、表面の平坦性を高めることができ、平坦化層とすることが容易である。
TFT62は、基板51側から、ゲート電極52、ゲート絶縁膜53、チャネル部としてのポリシリコン膜54及びポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域54aから成る半導体膜、窒化シリコン(SiNx),酸化シリコン(S
iO2)等から成る絶縁膜55、ソース電極56a及びドレイン電極56bが、順次積層された
構成を有している。TFT62を構成する半導体は低温ポリシリコン(Low-Temperature
Poly Silicon:LTPS)、アモルファスシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物
(Indium Gallium Zinc Oxide:IGZO)等の酸化物半導体などから成っていてもよい。図7に示すTFT62はゲート電極52がチャネル部の下方にあるボトムゲート型のTFTであるが、ゲート電極52がチャネル部の上方にあるトップゲート型のTFTであってもよく、ゲート電極52がチャネル部の下方及び上方の双方にあるダブルゲート型のTFTであってもよい。トップゲート型のTFT、ダブルゲート型のTFTは、一般に遮光性を有する金属等から成るゲート電極52がチャネル部の上方にあるので、チャネル部に光が入り込むことをより抑えることができ好適である。
有機発光層60は、バックライトが不要な自発光型の有機電界発光性を有するものである。例えば有機発光層60は数100nm程度の厚みを有する積層構造体であり、陰極側から電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極を積層したものである。電極層間の各層の厚みは数nm〜数100nm程度である。電極層を含む厚みは1μm程度である。有機発光層60の発光層の発光材料としては、低分子蛍光色素材料、蛍光性の高分子材料、金属錯体材料等が採用し得る。
発光層に正孔を注入しやすくするためには発光層のイオン化エネルギーが6.0eV以下であることがよく、発光層に電子を注入しやすくするためには発光層の電子親和力が2.5eV以上であることがよい。発光層の発光材料としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体(BeBq)、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体(Eu(DBM)3(Phen))、ジトルイルビニルビフェニル(DTVBi)などがある。高分子材料としては、蛍光性のポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリアルキルチオフェン等のπ共役高分子があり、これらの高分子材料は置換基の導入によってキャリア輸送性を制御することができる。電子輸送層の材料としては、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体等が採用し得る。正孔輸送層の材料としては、1,1-ビス(4-ジ-p-アミノフェニル)シクロヘキサン、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体等が採用し得る。正孔輸送層に正孔を注入する正孔注入層の材料としては、銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、芳香族ジアミン等が採用し得る。
第1の電極層58、有機発光層60、第2の電極層61は、蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法等によって形成され得る。例えば、第1の電極層58はスパッタリング法等によって形成でき、有機発光層60は真空蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等によって形成でき、第2の電極層61は電子ビーム(Electron Beam:EB)蒸着法、スパッタリング法等によって形成できる。
なお、本発明の発光装置は、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良が施されていてもよい。例えば、上記実施の形態においては、柱状スペーサ9が第1の樹脂層91と第2の樹脂層92の2層から成る場合について説明したが、3層以上の樹脂層から成っていてもよい。
本発明の発光装置は、図1(a)に示すように長板状の発光素子基板1の長手方向に複数の発光素子3を列状に並ぶように形成することによって有機LEDプリンタ(OLEDP)ヘッドとして構成し得る。また、発光素子基板1が矩形状等の形状であり、複数の発光素子3を2次元的(平面的に)並ぶように形成することによって有機EL表示装置として構成し得る。さらに本発明の発光装置及び発光装置を用いた有機EL表示装置は、各種
の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム(カーナビゲーションシステム)、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。
1 発光素子基板
1s シール部位
2 駆動回路ブロック
3 発光素子
4 駆動素子
5 FPC
6 封止基板
7 配線
8 シール部
9、9a〜9g 柱状スペーサ
9a1、9b1 第1の面
9a2、9b2 第2の面
9a3、9b3 第3の面
9a4、9b4 第4の面
10 金属層
11 無機絶縁層
91、91a〜91g 第1の樹脂層
92、92a〜92g 第2の樹脂層

Claims (9)

  1. 発光素子基板と、前記発光素子基板上に配置された発光素子を囲むように形成されているシール部と、前記発光素子基板上のシール部位に配置されているとともに前記発光素子に電気的に接続されている配線と、前記シール部位に点在している複数の柱状スペーサと、前記シール部によって取り付けられた封止基板と、を有する発光装置であって、
    前記柱状スペーサは、前記発光素子基板側から第1の樹脂層及び第2の樹脂層の少なくとも2層が重なって成るとともに、前記第1の樹脂層における前記発光素子基板側の第1の面と、前記第1の樹脂層における前記第2の樹脂層側の第2の面と、前記第2の樹脂層における前記第1の樹脂層側の第3の面と、前記第2の樹脂層における前記封止基板側の第4の面と、を有しており、前記第1の面が前記第4の面よりも大きい構成であり、
    前記柱状スペーサと前記配線は重なって成り、前記柱状スペーサの前記第1の面における前記配線の幅方向の長さが前記配線の幅よりも長い発光装置。
  2. 前記柱状スペーサは、前記第2の面が前記第3の面よりも大きい請求項に記載の発光装置。
  3. 前記柱状スペーサは、複数の前記配線にまたがっている請求項に記載の発光装置。
  4. 前記柱状スペーサは、前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層との間、および/または前記第2の樹脂層の上に、増厚部材が配されている請求項1乃至請求項のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記増厚部材は、金属層および/または無機絶縁層である請求項記載の発光装置。
  6. 前記シール部は、前記柱状スペーサよりも吸水性が低い材料から成る請求項1乃至請求項のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記柱状スペーサは、前記シール部の幅方向において、前記発光素子側の前記柱状スペーサが外側の前記柱状スペーサよりも密に配されている請求項1乃至請求項のいずれかに記載の発光装置。
  8. 前記柱状スペーサは、前記発光素子を構成する樹脂層と同じ材質の樹脂層から成る請求項1乃至請求項のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記柱状スペーサは、前記第1の樹脂層が、前記発光素子を構成する層間樹脂層と同じ材質の樹脂層であり、前記第2の樹脂層が、前記発光素子を構成する被覆樹脂層と同じ材質の樹脂層である請求項に記載の発光装置。
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