CN105552241B - 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种可交联的量子点(QD)及其制备方法、一种利用该可交联的量子点(QD)制备的阵列基板及该阵列基板的制备方法。所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2，或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。

Description

可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
技术领域
本申请涉及一种可交联的量子点(QD)及其制备方法、一种利用该可交联的量子点(QD)制备的阵列基板及该阵列基板的制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(LCD)的下一代显示，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨率的AMOLED产品很难同LCD竞争，这是因为通常采用掩模蒸发的方法制备有机发光显示的有机层结构，但是掩模蒸发方法存在着对位困难，良品率低，无法实现更小面积发光，无法精确控制蒸发区域的缺陷，从而无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求；而采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发法制备的有机发光层的分辨率极其有限。因而高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高的严重问题。
量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。
随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。现有技术中，为了提升OLED分辨率，需要使OLED蒸镀掩模板进一步减小Mask工艺线宽的要求，需要更高精度的打印喷头等，这在规模化生产工艺中往往较难满足。因此，一直需要一种大规模制备量子点发光二极管的方法，其能够实现高分辨率，提升工艺良率，提升量子点材料的使用率。
发明内容
本申请涉及一种可交联量子点及其制备方法，进而本申请涉及使用该可交联量子点制备的阵列基板以及通过图案化工艺如光刻工艺制备阵列基板的方法。
本发明的实施例提供一种可交联量子点，其中所述可交联量子点的表面具有可发生反应(例如交联反应，具体地为click反应)从而形成交联网络的基团对R1和R2，或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。
在一些实施方式中，所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种；与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种。
在一些实施方式中，所述R3为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种，所述交联剂为选自C4-C20二烯烃(例如1,7-辛二烯、异戊二烯、1,3-丁二烯)或C4-C20二炔烃(例如1,9-辛二炔)中的至少一种。
在一些实施方式中，所述可交联量子点包括红色光量子点，绿色光量子点和蓝色光量子点中的至少一种。
在一些实施方式中，其中所述可交联量子点是对紫外光敏感的。
在另外一类实施方式中，其中所述可交联量子点是对单色光敏感的。这里的术语“对单色光敏感的”是指所述可交联量子点在受到该单色光照射时会发生交联反应，而当收到其他波长的光线照射时不会发生交联反应。
例如，所述可交联量子点是绿色光量子点，其对I线敏感。这种绿色光量子点可以通过使绿色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的特-丁氧基羰基保护的-C-甲基杯芳烃[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯。
例如，所述可交联量子点是蓝色光量子点，其对G线敏感。这种蓝色光量子点可以通过使蓝色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的G线型线性酚醛树脂和重氮萘醌。
例如，所述可交联量子点是红色光量子点，其对H线敏感。这种红色光量子点可以通过使红色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的H线型线性酚醛树脂和重氮萘醌。
本申请的实施例还提供一种制备可交联量子点的方法，包括如下步骤：
步骤1：使量子点原料与吡啶(作为溶剂)接触从而得到表面上带有吡啶(作为配体)的量子点；
步骤2：使所述表面上带有吡啶的量子点与交联配体原料接触，从而获得所述可交联量子点，其中所述交联配体原料包括选自以下的至少一种：带有R1和R2的配体，带有R3的配体。
本申请的实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板和设于所述衬底基板上的多个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述基板上的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中所述量子点发光层包括通过使前述可交联量子点交联形成的交联网络。
在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，第二电极为阳极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的宽度为10至30微米，长度为50-100微米。所述阵列基板的分辨率可以达到300-800ppi。
在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的面积为500-3000平方微米。
本发明的实施例还提供一种显示面板或显示装置，其包含前述的任一种阵列基板。
本发明的实施例还提供一种制备所述阵列基板的方法，包括：
步骤A：在衬底基板上形成含有上述可交联量子点的层，并将其图案化(例如使用光刻工艺)得到对应于多个发光亚像素的量子点发光层，
其中所述量子点发光层包含通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
其中所述可交联量子点是对单色光敏感的或者是对紫外线敏感的。
在所述方法的一些实施方式中，所述光刻工艺如下进行：对所述含有所述可交联量子点的层，采用掩模板(例如与发光亚像素具有相反图案的掩模板)进行曝光(所述曝光采用的是所述可交联量子点所敏感的光进行的，从而使得所述可交联量子点发生交联反应从而形成交联网络)，然后进行显影，以进行图案化，从而形成所述发光亚像素的图案。
在一些实施方式中，每种发光亚像素的图案通过单独涂覆量子点和单独曝光显影的工艺形成。
在一些实施方式中，多种发光亚像素的图案通过一次涂覆多种颜色光量子点，多次曝光，和一次显影而形成。
本发明的技术方案不仅实现了通过光刻法制备QD-LED阵列基板和显示面板或显示装置，而且获得能够达到300-800ppi的分辨率的阵列基板。该阵列基板的制备方法，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率，从而为大规模的AM-QD-LED的产业化铺平了道路。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1是一种可交联量子点发生交联反应的示意图。
图2是一种可交联量子点发生交联反应的示意图。
图3-1至3-11是红、绿、蓝三层量子点分别独立光刻制备成亚像素图案的工艺流程图；
图4-1至4-7是红、绿、蓝三层量子点一起涂布分别光刻制备成亚像素图案的工艺流程图。
图5为根据本发明的实施例的阵列基板的平面结构示意图。
附图标记：
101-衬底基板；102-第一电极；103-第一量子点层；1031-绿色发光亚像素的图案；104-第一掩模板；105-第一单色光；107-第二量子点层；1071-蓝色发光亚像素的图案；108-第二单色光；109-第三量子点层；1091-红色发光亚像素的图案；110-第三单色光；112-第二电极；113-绝缘材料；114-第二掩模板；115-第三掩模板；125-紫外光；203-第四量子点层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本申请中，当描述可交联量子点时，所用的术语“对第一单色光敏感”是指第一单色光能够使该可交联量子点交联。类似地，术语“对第二单色光敏感”是指第二单色光能够使该可交联量子点交联。类似地，术语“对第三单色光敏感”是指第三单色光能够使该可交联量子点交联。术语“单色光”在本申请中是指具有极窄波长范围(例如波长跨度不超过20nm或者不超过10nm的波长范围)内的波长的光，例如具有单一波长的光。一般而言，单色光可以在紫外光和可见光的范围内选择。
术语“对紫外线敏感”是指该交联量子点的表面基团能够在紫外线的激发下发生交联反应如click反应。
本发明的实施例一方面提供一种可交联量子点，其中所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2，或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。
对于具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2的可交联量子点，图1示出了这种量子点的交联反应原理示意图。在图1中，式I表示具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2的可交联量子点，通过使用光照射(hv)，该可交联的量子点之间形成交联网络IA。
对于具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3的可交联量子点，图2示出了这种量子点的交联反应原理示意图。在图2中，式II表示具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3的可交联量子点，R4—R4是交联剂，通过使用光照射(hv)，该可交联的量子点通过与该交联剂反应形成交联网络IIA。
在一些实施方式中，所述可交联量子点的量子点材料为选自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS中的至少一种。
在一些实施方式中，所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种；与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种。
在一些实施方式中，所述R3为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种，所述交联剂为选自C4-C20二烯烃(例如1,7-辛二烯、异戊二烯、1,3-丁二烯)或C4-C20二炔烃(例如1,9-辛二炔)中的至少一种。
在一些实施方式中，所述可交联量子点包括红色光量子点，绿色光量子点和蓝色光量子点中的至少一种。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是光敏性的，例如是对紫外线敏感的。所述可交联量子点通过特定的光照之后，会发生交联反应，因此，它可以是光敏性的。然而，该可交联量子点也可以是热敏性的，也即，当受热达到一定的温度(例如60℃或100℃)时发生交联反应。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是对单色光敏感的。在所述可交联量子点是对单色光敏感的情况下，该可交联量子点仅在该单色光的照射下会发生交联反应，这使得该可交联量子点的交联反应易于控制，在使用更长波长的光或者更短波长的光照射时，不会发生不期望的交联反应。
通过配置该可交联量子点的表面官能团的类型，可以使得发不同颜色光的可交联量子点对不同的单色光敏感。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是绿色光量子点，其对I线敏感。这种绿色光量子点可以通过使绿色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的特-丁氧基羰基保护的-C-甲基杯芳烃[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是蓝色光量子点，其对G线敏感。这种蓝色光量子点可以通过使蓝色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的G线型线性酚醛树脂和重氮萘醌。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是红色光量子点，其对H线敏感。这种红色光量子点可以通过使红色量子点原料的表面带有以下配体来实现：带羧基的H线型线性酚醛树脂和重氮萘醌。
本发明的实施例也相应地提供一种制备可交联量子点的方法，包括如下步骤：
步骤1：使量子点原料与吡啶(作为溶剂)接触从而得到表面上带有吡啶(作为配体)的量子点；
步骤2：使所述表面上带有吡啶的量子点与交联配体原料接触，从而获得所述可交联量子点，其中所述交联配体原料包括选自以下的至少一种：带有R1和R2的配体，带有R3的配体。
在一些实施方式中，所述步骤1如下进行：
使量子点原料与吡啶(作为溶剂)以大于1:1的重量比在常温常压下在搅拌下接触5分钟至10小时，然后用离心分离方法分离出表面上带有吡啶的量子点。
在一些实施方式中，所述量子点原料带有选自以下的至少一种配体：三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸。
在一些实施方式中，所述量子点原料包括以下的至少一种：红色光量子点原料，绿色光量子点原料，和蓝色光量子点原料。
在本申请中术语“红色量子点(原料)”和“红色光量子点(原料)”是具有相同含义的术语，都是指受激后能够发出红色光的量子点(原料)。
在本申请中术语“绿色量子点(原料)”和“绿色光量子点(原料)”是具有相同含义的术语，都是指受激后能够发出绿色光的量子点(原料)。
在本申请中术语“蓝色量子点(原料)”和“蓝色光量子点(原料)”是具有相同含义的术语，都是指受激后能够发出蓝色光的量子点(原料)。
本申请中的术语“量子点发光层”是指含有量子点的发光层。
在一些实施方式中，所述带有R1和R2的配体包括带羧基的特-丁氧基羰基保护的-C-甲基杯芳烃[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯，从而使得得到的可交联量子点对I线敏感。
在一些实施方式中，所述带有R1和R2的配体包括带羧基的G线型线性酚醛树脂和重氮萘醌，从而使得得到的可交联量子点对G线敏感。
在一些实施方式中，所述带有R1和R2的配体包括带羧基的H线型线性酚醛树脂和重氮萘醌，从而使得得到的可交联量子点对H线敏感。
在一些实施方式中，所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种；与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种，从而使得得到的可交联量子点对紫外线敏感。
本发明的实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板和设于所述衬底基板上的多个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述基板上的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中所述量子点发光层包括通过使以上所述的可交联量子点交联形成的交联网络。
在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，第二电极为阳极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
在一些实施方式中，所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2，所述交联网络通过使所述可交联量子点发生交联而形成。
在一些实施方式中，所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3，所述交联网络通过使所述可交联量子点和所述交联剂发生交联反应而形成。
在一些实施方式中，R3为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种，所述交联剂为选自C4-C20二烯烃(例如1,7-辛二烯、异戊二烯、1,3-丁二烯)或C4-C20二炔烃(例如1,9-辛二炔)中的至少一种。
在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的宽度为10至30微米，长度为50-100微米。
在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的面积为500-3000平方微米。
本发明的实施例还提供一种显示面板或显示装置，包含以上所述的阵列基板。
本发明的实施例还提供一种制备阵列基板或者显示面板或显示装置的方法，包括：
步骤A：在衬底基板上形成含有可交联量子点的层，并使用光刻工艺制备对应于多个发光亚像素的量子点发光层，
其中所述量子点发光层包含通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
图3-3至3-5示出了光刻工艺段关键步骤的示意图，其中具体的光刻工艺步骤为：对含有可交联量子点的层(在图3-3和3-4中所示为第一量子点层103，其中所述可交联量子点例如为对第一单色光敏感的绿色可交联量子点)加与发光亚像素具有相反图案的掩模板104，对发不同颜色光的所述可交联量子点分别采用相应的敏感的光(例如，第一单色光)进行曝光，然后显影，形成所述发光亚像素的图案(例如绿色发光亚像素的图案1031)。
在一些实施方式中，所述方法还包括：
在基板上形成对应于多个发光亚像素的第一电极层；形成第二电极层。本申请中的术语“应于多个发光亚像素的第一电极层”是指第一电极层具有多个部分，其中每个部分单独对应于发光亚像素中的一个。类似的表述具有类似的含义。
在一些实施方式中，所述可交联量子点是对单色光敏感的，所述光刻工艺如下进行：对所述含有所述可交联量子点的层加与发光亚像素具有相反图案的掩模板，采用所述可交联量子点敏感的光进行曝光，然后进行显影，形成所述发光亚像素的图案。
在一些实施方式中，所述可交联量子点包括对第一单色光敏感的绿色光量子点，步骤A包括：对所述含有所述可交联量子点的层加与绿色发光亚像素具有相反图案的第一掩模板，采用第一单色光进行曝光。这里的曝光使得在绿色发光亚像素区域中的对第一单色光敏感的绿色光量子点发生交联反应形成交联网络。
在一些实施方式中，所述可交联量子点包括对第二单色光敏感的蓝色光量子点，步骤A包括：对所述含有所述可交联量子点的层加与蓝色发光亚像素具有相反图案的第二掩模板，采用第二单色光进行曝光。这里的曝光使得在蓝色发光亚像素区域中的对第二单色光敏感的蓝色光量子点发生交联反应形成交联网络。
在一些实施方式中，所述可交联量子点包括对第三单色光敏感的红色光量子点，步骤A包括：对所述含有所述可交联量子点的层加与红色发光亚像素具有相反图案的第三掩模板，采用第三单色光进行曝光。这里的曝光使得在红色发光亚像素区域中的对第三单色光敏感的红色光量子点发生交联反应形成交联网络。
在一些实施方式中，所述第一单色光、第二单色光和第三单色光互不相同。所述第一单色光、第二单色光和第三单色光互不相同使得在进行一种可交联量子点的交联时，不会不期望地使另一种可交联量子点发生交联。因此，可以一次涂覆两种或者更多种颜色的可交联量子点，而通过多次曝光，和一次显影，相应地形成两种或更多种颜色的发光亚像素的图案。
在一种实施方式中，所述第一单色光是I线，第二单色光是G线，第三单色光是H线。在本申请中，I线是指波长为365nm±10nm(例如365nm)的光，G线是指波长为436nm±10nm(例如436nm)的光，H线是指波长为405nm±10nm(例如405nm)的光。
本发明的实施例提供另一种制备阵列基板或者显示面板或者显示装置的方法，包括以下步骤中的至少一个：
在衬底基板上形成含有可交联量子点的第一量子点层，其中所述可交联量子点是对第一单色光敏感的绿色光量子点，通过加与绿色发光亚像素具有相反图案的第一掩模板，采用第一单色光进行曝光，然后进行显影，形成绿色发光亚像素的图案；
在衬底基板上形成含有可交联量子点的第二量子点层，其中所述可交联量子点是对第二单色光敏感的蓝色光量子点，通过加与蓝色发光亚像素具有相反图案的第二掩模板，采用第二单色光进行曝光，然后进行显影，形成蓝色发光亚像素的图案；和
在衬底基板上形成含有可交联量子点的第三量子点层，其中所述可交联量子点是对第三单色光敏感的红色光量子点，通过加与红色发光亚像素具有相反图案的第三掩模板，采用第三单色光进行曝光，然后进行显影，形成红色发光亚像素的图案。在这个方法中，所述第一单色光、第二单色光和第三单色光可以相同(例如都为紫外线)也可以不同。
本发明的实施例提供一种制备阵列基板或者显示面板或者显示装置的方法，其包括：
在基板上形成对应于多个发光亚像素的第一电极层，
形成含有可交联量子点的层，并使用光刻方法制备对应于多个发光亚像素的量子点发光层，和
形成第二电极层，
其中所述量子点发光层包括通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，第二电极为阳极，所述发光亚像素每个还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述发光亚像素还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
实施例
本申请的实施例中使用以下原料，这些原料都是常规的，可以通过常规的方法制备或者可以从市场上购得。
表1：原材料来源及性质
实施例1
本实施例涉及制备各种颜色的可交联量子点的方法。
使用绿色量子点原料制备可交联的绿色量子点：
将绿色量子点原料(其商品名为绿色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，将从而将该量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有双官能团的交联配体原料(巯基乙酸和1-环己烯-1-乙酸，购自阿拉丁试剂网)反应，使吡啶被置换成为带有双官能团的配体，从而获得双官能团可交联的绿色量子点。所述双官能可交联的绿色量子点在紫外光的引发下能够发生“click”反应形成交联网络。
类似地，使用蓝色量子点原料制备可交联的蓝色量子点：
将蓝色量子点原料(其商品名为蓝色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司公司。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有双官能团的交联配体原料(巯基乙酸以及1-环己烯-1-乙酸，购自阿拉丁试剂网)反应，使吡啶被置换成为带有双官能团的配体，从而获得双官能团可交联的蓝色量子点。所述双官能可交联的蓝色量子点在紫外光的引发下能够发生“click”反应形成交联网络。
类似地，使用红色量子点原料制备可交联的红色量子点：
将红色量子点原料(其商品名为红色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司公司。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有双官能团的交联配体原料(巯基乙酸以及1-环己烯-1-乙酸，购自阿拉丁试剂网)反应，使吡啶被置换成为带有双官能团的配体，从而获得双官能团可交联的红色量子点。所述双官能可交联的红色量子点在紫外光的引发下能够发生“click”反应形成交联网络。
本实施例中的量子点没有限制，可以是能够发生各种颜色的光的量子点，可以选自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS，等量子点。
双官能团R1/R2的配对可以是能够使用紫外光引发“click”反应的官能团对，例如巯基/烯基、巯基/二烯基、巯基/炔基、巯基/二炔基、烯基/烯基、烯基/二烯基；也可以R1/R2都采用异戊二烯等双官能不饱和基团(例如二烯基/二烯基)，使之在光引发下产生交联反应。
实施例2
本实施例披露制备各种颜色的单官能可交联量子点的方法。该方法与实施例1类似，所不同的是：
将量子点原料(例如实施例1中使用的量子点原料，如绿色量子点原料、蓝色量子点原料和红色量子点原料)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心等方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有单官能团的交联配体原料(巯基乙酸，购自阿拉丁试剂网公司)反应，使吡啶被置换成为带有单官能团的配体，从而获得单官能团可交联的量子点。所述单官能可交联量子点在使用时与交联剂(1，7-辛二烯或者1，9-辛二炔)混合一起使用。
本实施例中的量子点没有限制，可以是能够发生各种颜色的光的量子点，可以选自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS，等量子点。
在本实施例中，该官能团R3为巯基；相应的交联剂可以为1,7-辛二烯或者1,9-辛二炔。R3也可以采用烯基或异戊二烯基等不饱和基团，此时，交联剂也可以是带有异戊二烯基团的化合物，或者其它双官能配体或者多官能化合物。
实施例3
本实施例涉及制备对I线敏感的绿色可交联量子点的方法。
将绿色量子点原料(其商品名为绿色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司。该绿色量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该绿色量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心等方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有两种官能团的交联配体原料(其可以是带羧基的特-丁氧基羰基保护的-C-甲基杯芳烃[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯)反应，使吡啶被置换成为带有两种官能团的配体，从而获得对I线敏感的带有两种官能团的可交联的量子点。
实施例4
本实施例涉及制备对G线敏感的蓝色可交联量子点的方法。
将蓝色量子点原料(其商品名为蓝色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该蓝色量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心等方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的量子点与带有两种官能团的交联配体原料(其可以是带羧基的G线型线性酚醛树脂和重氮萘醌)反应，使吡啶被置换成为带有两种官能团的配体，从而获得对G线敏感的带有两种官能团的可交联的量子点。
实施例5
本实施例涉及制备对H线敏感的红色可交联量子点的方法。
将红色量子点原料(其商品名为红色量子点，购自广东普家福光电科技有限公司。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体)与吡啶以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该红量子点原料的配体置换成为吡啶；然后通过离心等方法将带有吡啶的量子点分离。然后，将带有吡啶的红色量子点与带有两种官能团的交联配体原料(其可以是带羧基的H线型线性酚醛树脂和重氮萘醌)反应，使吡啶被置换成为带有两种官能团的配体，从而获得对H线敏感的带有两种官能团可交联的量子点。
实施例6
本实施例首先提供一种阵列基板，如图3-11所示，其包括衬底基板(101)和设于所述衬底基板(101)上的多个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述衬底基板上的第一电极(102)、量子点发光层(1031,1071,1091)和第二电极(112)，其中所述量子点发光层包括通过实施例1-2中获得的至少一种可交联量子点交联形成的交联网络。在本申请中，术语交联网络是指通过使可交联量子点交联形成的以量子点无机核为中心的交联网络。
本实施例还提供一种制备阵列基板的方法，包括：
在衬底基板上形成含有实施例1至实施例2中任一项的可交联量子点的层，并使用光刻工艺制备对应于多个发光亚像素的量子点发光层，其中所述量子点发光层包含通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
例如，还包括在基板上形成对应于多个发光亚像素的开关元件和第一电极层，及形成第二电极层。
在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
例如，其中可交联的量子点是对紫外线敏感的。
例如，如图3-1至3-11所示，是红色可交联量子点、绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点分别独立光刻制备成亚像素图案的工艺流程图。
图3-1为衬底基板101。图3-2为在衬底基板101上形成第一电极102的示意图。在本申请中形成第一电极102的方法没有特别限制。可以先在基板上沉积一层金属层，然后采用光刻工艺将该金属层形成为对应于每一个像素的第一电极102。需要说明的是，通常在形成第一电极之前，还需要在衬底基板上形成开关元件，例如薄膜晶体管(TFT)。
图3-3至3-5为制备绿色发光亚像素图案的过程图，其中可交联量子点为对紫外线125敏感的绿色光量子点，先将该绿色光量子点(其任选地可以与光刻胶例如负性光刻胶一起涂布)涂布形成第一量子点层103(图3-3)，对含有绿色可交联量子点的层即第一量子点层103加与绿色发光亚像素具有相反图案的第一掩模板104，采用紫外光125进行曝光(图3-4)，然后显影，即形成绿色发光亚像素图案1031(图3-5)。
图3-6至3-8所示为制备蓝色发光亚像素图案的过程图，先将该蓝色光量子点(其任选地可以与光刻胶例如负性光刻胶一起涂布)涂布形成第二量子点层107(图3-6)，对含有蓝色可交联量子点的层即第二量子点层107加与蓝色发光亚像素具有相反图案的第二掩模板114，采用紫外色光125进行曝光(图3-7)，然后显影，即形成蓝色发光亚像素图案1071(图3-8)。
图3-9至3-10为制备红色发光亚像素图案的过程图，先将该红色光量子点(其任选地可以与光刻胶例如负性光刻胶一起涂布)涂布形成第三量子点层109，对含有红色可交联量子点的层即第三量子点层109加与红色发光亚像素具有相反图案的第三掩模板115，采用紫外光110进行曝光(图3-9)，然后显影，即形成红色发光亚像素图案1091(图3-10)。图3-10是图5所示的阵列基板沿线A-A的剖面结构示意图。
图3-11为在未填充部分中形成绝缘材料103和在发光亚像素图案上形成阴极112的示意图。
在本实施例中，使用紫外光进行曝光使量子点发生交联反应。
需要说明的是，阵列基板上可以仅绿色发光亚像素图案1031、蓝色发光亚像素图案1071和红色发光亚像素图案1091中的一种或两种由可交联量子点形成。此时，该阵列基板的制备方法可以仅包含以上所述的制备绿色发光亚像素图案1031、蓝色发光亚像素图案1071和红色发光亚像素图案1091中的一种或两种的工艺。应该理解，根据制备的阵列基板的构成不同或者根据需要，可以省略其中的一些步骤或者增加一些其它步骤。
下面介绍本申请的一个具体示例：
一种显示面板，其包括：衬底、TFT阵列基板、空穴共同层、红绿蓝三色量子点亚像素、电子共同层、阴极、封装材料以及上偏光片。
该显示面板的制备方法如下。
透明衬底采用标准方法清洗，然后依次进行以下步骤：沉积200nm厚的栅极金属Mo，并图形化；沉积150nm厚的栅极介质SiO2；沉积40nm厚的有源层IGZO，并图形化；沉积200nm厚的源漏极金属Mo，并图形化；沉积300nm厚的钝化层SiO2，并图形化；沉积40nm厚的像素电极ITO，并图形化；最后旋涂丙烯酸类材料并光刻、固化出像素界定层，约1.5微米厚，形成TFT背板部分；
制备QD-LED部分前，采用等离子体处理TFT的背板表面；然后采用旋涂工艺制备空穴注入层和空穴传输层，如分别旋涂PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate))和TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)](9,9-二辛基芴)-(4,4’-N-异丁基苯-二苯胺)共聚物)等；其整体厚度为50-100nm；然后涂布绿色光敏性量子点材料，加第一道掩模板，采用紫外线进行曝光，而后显影、定影形成绿光亚像素；再涂布蓝色光敏性量子点材料，加第二道掩模板，采用紫外线进行曝光，而后显影、定影形成蓝光亚像素；最后涂布红色光敏性量子点材料，加第三道掩模板，采用紫外线进行曝光，而后显影、定影形成红光亚像素；最后旋涂或蒸镀第二共同层：电子传输层和电子注入层，如ZnO纳米颗粒或LiF等；然后蒸镀阴极金属薄层，阴极可采用LiF:Al层等，约为500-1000nm厚，蒸镀结束之后进行封装并切割，完成整个AM-QD-LED显示面板。
该AM-QD-LED显示面板的出光方式为底出光，可制备的亚像素最小尺寸在10-30微米，约300-800ppi。
采用光刻工艺制备QD-LED亚像素的工艺方法，利用可交联的或者光敏性的量子点材料通过光刻工艺直接形成红色发光亚像素、绿色发光亚像素、蓝色发光亚像素，避开了OLED显示器中遇到的提升分辨率的技术难度(如需要OLED蒸镀掩模板进一步减小掩模工艺线宽的要求，需要更高精度的打印喷头等)，能够有效实现高分辨率的AM-QD-LED产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率，从而为大规模的AM-QD-LED的产业化铺平了道路。
实施例7
本实施例首先提供一种阵列基板，如图3-11所示，其包括衬底基板(101)和设于所述衬底基板(101)上的多个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述衬底基板上的第一电极(102)、量子点发光层(1031,1071,1091)和第二电极(112)，其中所述量子点发光层包括通过实施例3-5中获得的至少一种可交联量子点交联形成的交联网络。在本申请中，术语交联网络是指通过使可交联量子点交联形成的以量子点无机核为中心的交联网络。
本实施例提供另一种制备阵列基板的方法，在该方法中，如图4-1至图4-7所示，红色可交联量子点、绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点一起涂布，分别进行曝光，然后显影制备成对应于三种颜色的发光亚像素图案。该方法具体描述如下。
图4-1是衬底基板101。图4-2是在衬底基板101上形成第一电极102的示意图。在本申请中形成第一电极102的方法没有特别限制。可以先在基板上沉积一层金属层，然后采用光刻工艺将该金属层形成为对应于每一个像素的第一电极102。需要说明的是，通常在形成第一电极之前，还需要在衬底基板上形成开关元件，例如薄膜晶体管(TFT)。
图4-3是涂布红色可交联量子点、绿色可交联量子点和蓝色可交联量子点的示意图，其中所述绿色可交联量子点对第一单色光(其具体为I线)敏感，所述蓝色可交联量子点对第二单色光(其具体为G线)敏感，所述红色可交联量子点对第三单色光(其具体为H线)敏感。首先将红色可交联量子点、绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点及任选的光刻胶(例如负性光刻胶)混合后涂布于衬底基板101上形成第四量子点层203。
图4-4为对图4-7中绿色发光亚像素图案1031区域中的绿色可交联量子点采用第一单色光105进行曝光的示意图。具体而言，对含有绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点、红色可交联量子点的层即第四量子点层203加与绿色发光亚像素具有相反图案的第四掩模板104，采用第一单色光105进行曝光。这里曝光的结果是仅使绿色发光亚像素图案1031区域中的绿色可交联量子点发生交联。
图4-5为对图4-7中蓝色发光亚像素图案1071区域中蓝色可交联量子点采用第二单色光106进行曝光的示意图。具体而言，对含有绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点、红色可交联量子点的层即第四量子点层203加与蓝色发光亚像素具有相反图案的第二掩模板114，采用第二单色光106进行曝光。这里曝光的结果是仅使蓝色发光亚像素图案1031区域中的蓝色可交联量子点交联。
图4-6为对图4-7中红色发光亚像素图案1091区域中红色可交联量子点采用第三单色光110进行曝光的示意图。具体而言，对含有绿色可交联量子点、蓝色可交联量子点、红色可交联量子点的层即第四量子点层203加与红色发光亚像素具有相反图案的第六掩模板115，采用第三单色光110进行曝光。这里曝光的结果是仅使红色发光亚像素图案1031区域中的红色可交联量子点交联。
图4-7为对曝光后的第四量子点层203进行显影，形成绿色发光亚像素图案1031、蓝色发光亚像素图案1071、红色发光亚像素图案1091。显影的过程可以是对第四量子点层203进行冲洗，冲刷掉未交联的量子点从而露出各种颜色的亚像素图案。
然后在未填充部分填充绝缘材料113，和在发光亚像素图案上形成阴极112，从而形成图3-11的阵列基板。
在本实施例中，第一单色光105、第二单色光108和第三单色光110是相互不同的单色光。
需要说明的是，阵列基板上可以仅绿色发光亚像素图案1031、蓝色发光亚像素图案1071和红色发光亚像素图案1091中的一种或两种由可交联量子点形成。此时，该阵列基板的制备方法中可以仅形成红色可交联量子点、绿色可交联量子点、和蓝色可交联量子点中的两种及任选的光刻胶的混合物，并且相应地分别采用两种相应的单色光进行曝光，从而通过一次涂覆和两次曝光制备两种发光亚像素图案。在这种情况下，两种颜色发光亚像素图案之外的其它颜色发光亚像素图案可以通过实施例5中的方法制备，也可以通过本领域已知的其它方法制备。应该理解，根据制备的阵列基板的构成不同或者根据需要，可以省略其中的一些步骤或者增加一些其它步骤。
在一些示例中，所述发光亚像素每个还包括形成于衬底基板上的薄膜晶体管，所述第一电极设置于所述薄膜晶体管上方，并且与所述薄膜晶体管的漏极电连接。在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。
在一些示例中，所述发光亚像素每个还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和空穴传输层可为厚度相同或不同的有机层。
在一些示例中，所述发光亚像素还包括设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子传输层。
下面介绍本申请的一个具体示例。
一种显示面板，其包括：衬底、TFT阵列基板、空穴共同层、红绿蓝三色量子点亚像素、电子共同层、阴极、封装材料以及上偏光片。
该显示面板的制备方法如下。
透明衬底采用标准方法清洗，然后依次沉积200nm厚的栅极金属Mo，并图形化；沉积150nm厚的栅极介质SiO2；沉积40nm厚的有源层LTPS，并图形化；沉积200nm厚的源漏极金属Mo，并图形化；沉积300nm厚的钝化层SiO2，并图形化；沉积40nm厚的像素电极ITO，并图形化；最后旋涂丙烯酸类材料并光刻、固化出像素界定层，约1.5微米厚，形成TFT背板部分。
制备QD-LED部分前，采用等离子体处理TFT的背板表面；进而采用蒸镀、旋涂或溅射工艺制备电子注入层和电子传输层，如分别蒸镀LiF：Al，旋涂或溅射ZnO层等；其整体厚度为50-100nm；然后涂布包含绿色光敏性量子点材料、蓝色光敏性量子点材料和红色光敏性量子点材料的混合物，加第一道掩模板，采用I线对整体曝光，形成对绿光亚像素区域的曝光；加第二道掩模板，采用G线对整体曝光，形成对蓝光亚像素区域的曝光；最后加第三道掩模板，采用H线对整体曝光，形成对红光亚像素区域的曝光；然后整体进行显影、定影从而形成绿光亚像素的图案、蓝光亚像素的图案和红光亚像素的图案；最后旋涂或蒸镀第二共同层：空穴传输层和空穴注入层，如TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)](9,9-二辛基芴)-(4,4’-N-异丁基苯-二苯胺)共聚物)等，PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate))等；之后蒸镀阳极金属薄层，阳极可采用Al，Ag或Al/ITO层等，约为30-100nm，蒸镀结束之后进行Dam&Fritz封装并切割，完成整个AM-QD-LED面板；
该AM-QD-LED器件采用了倒置结构，其出光方式为顶出光，可制备的亚像素最小面积在10-30微米，约300-800ppi。
本实施例的方法将多种发不同光的光量子点一次涂布在基板上，通过多次曝光，一次显影形成多种颜色的发光亚像素。这种方法除了具有实施例5中所述的优点之外，还能够进一步简化工艺，提高生产效率。
需要说明的是，在本实施例中，第一单色光105、第二单色光108和第三单色光110互不相同，它们分别只对绿色光量子点、蓝色光量子点、红色光量子点起交联作用。
例如，其中第一单色光105是I线(波长为365nm的光)，第二单色光108是G线(波长为436nm的光)，第三单色光110是H线(波长为405nm的光)。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (34)

1.一种可交联量子点，其中所述可交联量子点的表面具有基团对R1和R2，所述基团对R1和R2可发生反应从而形成交联网络，或者所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3；其中所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种；与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种；所述R3为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种，所述交联剂为选自C4-C20二烯烃或C4-C20二炔烃中的至少一种。
2.权利要求1的可交联量子点，其中，所述可交联量子点的量子点材料为选自CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS中的至少一种。
3.权利要求1或2的可交联量子点，其中所述可交联量子点包括红色光量子点，绿色光量子点和蓝色光量子点中的至少一种。
4.权利要求1或2的可交联量子点，其中所述可交联量子点是对紫外光敏感的。
5.权利要求1或2的可交联量子点，其中所述可交联量子点是对单色光敏感的。
6.权利要求5的可交联量子点，其中所述可交联量子点包括对I线敏感的绿色光量子点，对G线敏感的蓝色光量子点，和对H线敏感的红色光量子点中的至少一种。
7.一种制备权利要求1-6中任一项的可交联量子点的方法，包括如下步骤：
步骤1：使量子点原料与吡啶接触从而得到表面上带有吡啶的量子点；
步骤2：使所述表面上带有吡啶的量子点与交联配体原料接触，从而获得所述可交联量子点，其中所述交联配体原料包括选自以下的至少一种：带有R1和R2的配体，带有R3的配体。
8.权利要求7的方法，其中，在所述步骤1中，使量子点原料与吡啶以大于1:1的重量比在常温常压下在搅拌下接触5分钟至10小时，然后用离心分离方法分离出表面上带有吡啶的量子点。
9.权利要求7或8的方法，其中所述量子点原料带有选自以下的至少一种配体：三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸。
10.权利要求7或8的方法，其中所述量子点原料包括以下的至少一种：红色光量子点原料，绿色光量子点原料，和蓝色光量子点原料。
11.权利要求7或8的方法，其中所述带有R1和R2的配体包括带羧基的特-丁氧基羰基保护的-C-甲基杯芳烃[4]和二苯基碘翁9,10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯，从而使得得到的可交联量子点对I线敏感。
12.权利要求7或8的方法，其中所述带有R1和R2的配体包括带羧基的G线型线性酚醛树脂和重氮萘醌，从而使得得到的可交联量子点对G线敏感。
13.权利要求7或8的方法，其中所述带有R1和R2的配体包括带羧基的H线型线性酚醛树脂和重氮萘醌，从而使得得到的可交联量子点对H线敏感。
14.权利要求7或8的方法，其中所述R1为选自巯基、烯基、二烯基中的至少一种；与R1对应的R2为选自烯基、二烯基、炔基、二炔基中的至少一种，从而使得得到的可交联量子点对紫外线敏感。
15.一种阵列基板，包括衬底基板和设于所述衬底基板上的多个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述基板上的第一电极、量子点发光层和第二电极，其中所述量子点发光层包括通过使权利要求1-6中任一项的可交联量子点交联形成的交联网络。
16.权利要求15的阵列基板，其中所述可交联量子点的表面具有可发生反应从而形成交联网络的基团对R1和R2，所述交联网络通过使所述可交联量子点发生交联而形成。
17.权利要求15或16的阵列基板，其中所述可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3，所述交联网络通过使所述可交联量子点和所述交联剂发生交联反应而形成。
18.权利要求17的阵列基板，其中R3为选自巯基、烯基和二烯基中的至少一种，所述交联剂为选自C4-C20二烯烃或C4-C20二炔烃中的至少一种。
19.权利要求15或16的阵列基板，每个所述发光亚像素的宽度为10至30微米，长度为50-100微米。
20.权利要求15或16的阵列基板，其中每个所述发光亚像素的面积为500-3000平方微米。
21.一种显示装置，包含权利要求15-20中任一项的阵列基板。
22.一种制备阵列基板的方法，包括：
在衬底基板上形成含有权利要求1-6中任一项的可交联量子点的层，并将其图案化得到对应于多个发光亚像素的量子点发光层，
其中所述量子点发光层包含通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
23.权利要求22的方法，还包括：
在所述衬底基板上形成对应于多个发光亚像素的第一电极层，和形成第二电极层。
24.权利要求22的方法，其中，
对所述含有所述可交联量子点的层采用掩模版进行曝光，然后进行显影，以进行图案化，从而形成所述发光亚像素的图案。
25.权利要求22至24中任一项的方法，
其中，所述可交联量子点包括对第一单色光敏感的绿色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用所述第一单色光进行曝光。
26.权利要求22至24中任一项的方法，其中，所述可交联量子点包括对第二单色光敏感的蓝色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用所述第二单色光进行曝光。
27.权利要求22至24中任一项的方法，
其中，所述可交联量子点包括对第三单色光敏感的红色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用第三单色光进行曝光。
28.权利要求25的方法，其中，所述可交联量子点包括对第二单色光敏感的蓝色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用所述第二单色光进行曝光。
29.权利要求26的方法，
其中，所述可交联量子点包括对第三单色光敏感的红色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用第三单色光进行曝光。
30.权利要求25的方法，
其中，所述可交联量子点包括对第三单色光敏感的红色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用第三单色光进行曝光。
31.权利要求28的方法，
其中，所述可交联量子点包括对第三单色光敏感的红色光量子点，则对所述含有所述可交联量子点的层采用第三单色光进行曝光。
32.权利要求22至24中任一项的方法，包括以下步骤中的至少两个：
在衬底基板上形成含有权利要求1至6中任一项的可交联量子点的层，其中所述可交联量子点是对第一单色光敏感的绿色光量子点，通过加与绿色发光亚像素具有相反图案的第一掩模板，采用第一单色光进行曝光，然后进行显影，形成绿色发光亚像素的图案；
在衬底基板上形成含有权利要求1至6中任一项的可交联量子点的层，其中所述可交联量子点是对第二单色光敏感的蓝色光量子点，通过加与蓝色发光亚像素具有相反图案的第二掩模板，采用第二单色光进行曝光，然后进行显影，形成蓝色发光亚像素的图案；和
在衬底基板上形成含有权利要求1至6中任一项的可交联量子点的层，其中所述可交联量子点是对第三单色光敏感的红色光量子点，通过加与红色发光亚像素具有相反图案的第三掩模板，采用第三单色光进行曝光，然后进行显影，形成红色发光亚像素的图案。
33.权利要求31的方法，其中所述第一单色光、第二单色光和第三单色光互不相同。
34.权利要求31的方法，其中所述第一单色光是I线，第二单色光是G线，第三单色光是H线。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10147749B2 (en) * 2015-04-13 2018-12-04 Carestream Health, Inc. Reduction of TFT instability in digital x-ray detectors
CN105552241B (zh) 2016-01-13 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
CN106129261B (zh) * 2016-07-04 2019-09-17 Tcl集团股份有限公司 一种量子点彩膜及其制备方法
CN106784345B (zh) * 2016-12-08 2019-03-12 瑞声科技（南京）有限公司 量子点结构及制造方法、量子点发光二极管及制造方法
CN106597813B (zh) * 2016-12-22 2018-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光层图案化的方法、量子点彩膜及显示装置
CN107799672B (zh) * 2017-10-30 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 量子点层图案化的方法、量子点发光器件及其制作方法
CN109935724B (zh) * 2017-12-15 2020-07-14 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光层及其制备方法和应用
CN108172603A (zh) * 2018-01-03 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管基板及其制备方法、显示面板
US10720591B2 (en) 2018-03-27 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Crosslinked emissive layer containing quantum dots for light-emitting device and method for making same
US10581007B2 (en) 2018-03-27 2020-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Crosslinked emissive layer containing quantum dots for light-emitting device and method for making same
WO2019211257A1 (en) 2018-05-03 2019-11-07 Merck Patent Gmbh Crosslinked ligands
CN108919547B (zh) * 2018-07-10 2020-08-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 彩膜基板的制作方法
US12035584B2 (en) * 2018-09-07 2024-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
WO2020059143A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法
CN109378395B (zh) * 2018-10-18 2021-08-06 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置
KR102696329B1 (ko) * 2018-10-30 2024-08-19 엘지디스플레이 주식회사 양자점 필름, 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 표시장치
CN110137387B (zh) * 2019-05-16 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置
CN110164947B (zh) * 2019-06-12 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
US10826011B1 (en) 2019-07-23 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha QLED fabricated by patterning with phase separated emissive layer
US11024820B2 (en) 2019-08-08 2021-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Photo-patterned emissive layer containing passivated quantum dots, arrangement of light-emitting devices including same, and method of making same
CN110980634B (zh) * 2019-11-29 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子图形化的方法、显示屏、显示装置
CN113224245A (zh) * 2020-06-15 2021-08-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法和显示面板
CN113903873B (zh) * 2020-06-22 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光面板、显示装置和制作方法
US11309506B2 (en) 2020-06-24 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with crosslinked emissive layer including quantum dots with ligands bonded thereto
US11309507B2 (en) 2020-06-24 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Control of the position of quantum dots in emissive layer of quantum dot light emitting diode
WO2022036652A1 (zh) * 2020-08-20 2022-02-24 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管器件、显示面板、显示装置和制作方法
US20230354648A1 (en) * 2020-09-17 2023-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
CN112234154B (zh) * 2020-10-14 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点层图案化的方法及相关应用
CN112271269B (zh) * 2020-10-23 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN114497410B (zh) * 2020-10-27 2024-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种图案化量子点膜、量子点发光器件及制作方法
CN112410019A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用
US20230389406A1 (en) * 2020-12-15 2023-11-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dot film layer, quantum dot light-emitting device, and fabrication method
CN112599692A (zh) * 2021-01-06 2021-04-02 福州大学 基于光刻工艺的纳米级像素化量子点发光器件及其制备方法
US20220344417A1 (en) 2021-04-23 2022-10-27 Applied Materials, Inc. Conductive oxide overhang structures for oled devices
US11626534B2 (en) 2021-06-08 2023-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha UV patternable matrix containing blue light emitting quantum dots
CN114854418A (zh) * 2022-03-28 2022-08-05 北京京东方技术开发有限公司 量子点混合物、图案化的方法、量子点膜及发光器件
CN118742938A (zh) * 2022-09-01 2024-10-01 京东方科技集团股份有限公司 量子点材料、发光器件及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6251303B1 (en) * 1998-09-18 2001-06-26 Massachusetts Institute Of Technology Water-soluble fluorescent nanocrystals
JPWO2006103908A1 (ja) * 2005-03-28 2008-09-04 出光興産株式会社 半導体ナノクリスタル用有機配位子
US8941293B2 (en) * 2006-05-11 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices comprising quantum dots
KR20080069085A (ko) * 2007-01-22 2008-07-25 삼성전자주식회사 탠덤 구조의 나노점 발광 다이오드 및 그 제조 방법
CN101053811A (zh) * 2007-03-08 2007-10-17 上海交通大学 兼具表面官能团和可控功能性的复合微球的制备方法
WO2010056240A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Hcf Partners, L.P. Cross-linked quantum dots and methods for producing and using the same
KR101699540B1 (ko) * 2009-07-08 2017-01-25 삼성전자주식회사 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법
EP2588448B1 (en) * 2010-07-01 2017-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite
CN103226260B (zh) * 2013-04-09 2015-12-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示屏、显示装置及量子点层图形化的方法
CN103346154B (zh) * 2013-05-27 2016-03-23 北京京东方光电科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法、显示器件
KR101555016B1 (ko) * 2014-01-02 2015-09-22 강원대학교산학협력단 클릭화학 반응에 의해 형성된 나노 응집체, 그 제조방법, 및 그 나노 응집체를 포함하는 항암용 및/또는 암진단용 약학 조성물
CN107636112A (zh) * 2015-05-28 2018-01-26 富士胶片株式会社 含有量子点的组合物、波长转换部件、背光单元及液晶显示装置
CN105062462A (zh) * 2015-07-13 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 发光复合物、发光材料、显示用基板及制备方法、显示装置
CN105070849B (zh) * 2015-07-14 2018-09-18 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN105552241B (zh) * 2016-01-13 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法

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