CN113903873B - 量子点发光面板、显示装置和制作方法 - Google Patents

量子点发光面板、显示装置和制作方法 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种量子点发光面板、显示装置和制作方法，所述量子点发光面板包括：衬底基板；阴极层，所述阴极层位于所述衬底基板的一侧；电子传输层，所述电子传输层位于所述阴极层的背离所述衬底基板的一侧；量子点发光层，所述量子点发光层位于所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧，具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部；感光高分子膜层，所述感光高分子膜层位于所述量子点发光层与所述电子传输层之间，具有与各所述发光部一一对应的感光部，所述感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；阳极层，所述阳极层位于所述量子点发光层的背离所述感光高分子膜层的一侧。

Description

量子点发光面板、显示装置和制作方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及量子点发光面板、显示装置和制作方法。
背景技术
半导体量子点是一种重要的荧光纳米材料。将量子点作为发光层材料，应用于平板照明和光电显示领域，越来越受到学术界和工业界的关注。截止目前，在器件性能方面，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)的外量子发光效率(External Quantum Efficiency，EQE)已经达到了20％以上。当前，发光层量子点的图形化工艺是决定全彩、高分辨QLED器件的关键步骤。目前已有转印，喷墨打印，以及光刻等方式实现量子点的图形化工艺。
在实际工业大生产角度，通常采用光刻方式实现电子材料(量子点)的图形化。光刻需要借助于光刻胶。光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶。但是光刻胶工艺在形成不同颜色的图案化量子点时，存在会损坏量子点膜层的问题，影响量子点发光面板的发光效率。
发明内容
本公开提供一种量子点发光面板，其中，包括：
衬底基板；
阴极层，所述阴极层位于所述衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层位于所述阴极层的背离所述衬底基板的一侧；
量子点发光层，所述量子点发光层位于所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧，具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部；
感光高分子膜层，所述感光高分子膜层位于所述量子点发光层与所述电子传输层之间，具有与各所述发光部一一对应的感光部，所述感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；
阳极层，所述阳极层位于所述量子点发光层的背离所述感光高分子膜层的一侧。
在一种可能的实施方式中，所述感光高分子膜层的电子迁移率低于所述电子传输层的电子迁移率。
在一种可能的实施方式中，各所述感光部之间均具有阻挡部。
在一种可能的实施方式中，所述电子传输层和所述感光高分子膜层通过共价键连接。
在一种可能的实施方式中，所述电子传输层具有羟基，所述感光高分子膜层具有氨基，所述电子传输层和所述感光高分子膜层通过所述羟基和所述氨基形成所述共价键。
在一种可能的实施方式中，所述电子传输层为金属氧化物。
在一种可能的实施方式中，所述金属氧化物的材料为氧化锌，氧化镁锌，或氧化铝锌。
在一种可能的实施方式中，所述感光部还具有以下共价键之一或组合：
C-C键；
C-O键；
酯键；
硫酯键；
其中，所述C-C键，所述C-O键，所述酯键以及所述硫酯键在所述预设光照射时发生共价键断裂。
在一种可能的实施方式中，所述感光部的材料为：
Figure GDA0003911769950000031
其中，m为结构单元的个数，1<m<100。
在一种可能的实施方式中，X官能团为以下之一：
Figure GDA0003911769950000032
在一种可能的实施方式中，所述感光部的材料为：
Figure GDA0003911769950000033
其中，n为结构单元的个数，1<n<100。
在一种可能的实施方式中，所述发光部的厚度为30nm～60nm。
在一种可能的实施方式中，所述量子点发光层与所述阳极层之间还具有空穴传输层；所述空穴传输层与所述阳极层之间还具有空穴注入层。
本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的所述量子点发光面板。
本公开实施例还提供一种量子点发光面板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成阴极层；
在所述阴极层的背离所述衬底基板的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层与所述电子传输层之间形成感光高分子膜层，其中，所述量子点发光层具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部，所述感光高分子膜层具有与各所述发光部一一对应的感光部，所述感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；
在所述量子点发光层的背离所述感光高分子膜层的一侧形成阳极层。
在一种可能的实施方式中，在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层与所述电子传输层之间形成感光高分子膜层，包括：
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
在所述感光高分子薄膜的背离所述电子传输层的一侧形成第一量子点发光薄膜；
通过第一掩膜板对第一区域遮挡，采用预设光进行照射，以使未被所述第一掩膜板遮挡的所述感光高分子薄膜的分子链断裂；
通过溶液清洗，去除分子链断裂的所述感光高分子薄膜及上方的所述第一量子点发光薄膜，形成第一发光部；
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
在所述感光高分子薄膜的背离所述电子传输层的一侧形成第二量子点发光薄膜；
通过第二掩膜板对第二区域遮挡，采用所述预设光进行照射，以使未被所述第二掩膜板以及所述第一发光部遮挡的所述感光高分子薄膜的分子链断裂，其中，所述第二区域与所述第一区域互不交叠；
通过溶液清洗，去除分子链断裂的所述感光高分子薄膜及上方的所述第二量子点发光薄膜，形成第二发光部；
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
在所述感光高分子薄膜的背离所述电子传输层的一侧形成第三量子点发光薄膜；
通过第三掩膜板对第三区域遮挡，采用所述预设光进行照射，以使未被所述第三掩膜板、所述第一发光部和所述第二发光部遮挡的所述感光高分子薄膜的分子链断裂，其中，所述第三区域与所述第一区域、所述第二区域互不交叠；
通过溶液清洗，去除分子链断裂的所述感光高分子薄膜及上方的所述第三量子点发光薄膜，形成第三发光部。
在一种可能的实施方式中，所述在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜，包括：
将聚醚酰亚胺基化合物或聚对苯撑苯并二噁唑溶于乙醇，并旋涂于所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧；
加热以挥发溶剂。
在一种可能的实施方式中，所述采用预设光进行照射，包括：并采用紫外光进行照射。
在一种可能的实施方式中，所述通过溶液清洗，包括：通过无水乙醇进行冲洗。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种量子点发光面板的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种量子点发光面板的结构示意图；
图3为图2在位置A处的放大示意图；
图4为本公开实施例提供的一种量子点发光面板的制作流程示意图；
图5为本公开实施例形成图案化的红色量子点膜时的流程示意图；
图6为本公开实施例形成图案化的绿色量子点膜时的流程示意图；
图7为本公开实施例形成图案化的蓝色量子点膜时的流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
采用光刻胶方式实现电子材料(量子点)的图形化时，会存在以下问题：
负性光刻胶成本较低，但是显影液通常采用对二甲苯，含苯类有机溶剂有毒，并不利于环保。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率，并且显影液为碱性水溶液，有利于环保，但是，碱液会破坏发光层量子点。因此，发展更加亲和的显影工艺或更环保的图案化工艺，制备高分辨、全彩QLED已经成为量子点显示工艺研究的重点和难点。
有鉴于此，参见图1，本公开实施例提供一种量子点发光面板，其中，包括：
衬底基板1，衬底基板1具体可以为玻璃衬底基板；
阴极层2，阴极层2位于衬底基板的1一侧，具体的，阴极层2的材料具体可以为铟锡氧化物半导体透明导电膜(Indium tin oxide，ITO)，也可以为掺杂氟的SnO2导电玻璃((SnO2:F，FTO)，也可以为氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)，具体的，阴极层2可以包括多个相互间隔的阴极20；
电子传输层3，电子传输层3位于阴极层2的背离衬底基板1的一侧；具体的，电子传输层3可以包括多个相互间隔的电子传输部30；
量子点发光层5，量子点发光层5位于电子传输层3的背离阴极层2的一侧，具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部50；例如，具体可以包括出射红光的第一发光部51，出射绿光的第二发光部52，出射蓝光的第三发光部53，第一发光部51的出光波长范围可以为630nm～760nm，第二发光部52的出光范围为491nm～560nm、第三发光部53出射的光的波长范围为450nm～490nm；具体的，一个第一发光部51、一个第二发光部52、一个第三发光部53依次排列，可以组成一个像素，多个像素呈阵列分布；
感光高分子膜层4，感光高分子膜层4位于量子点发光层5与电子传输层3之间，具有与各发光部50一一对应的感光部41，感光高分子膜层4被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；具体的，感光高分子膜层4具体可以为由特定的结构单元通过共价键多次重复连接而形成的相对分子质量在20000～50000的高分子化合物，且该种感光高分子膜层在受预设光(如紫外光)照射时可以发生分子链断裂的高分子化合物；另外，感光部41与发光部50一一对应，可以理解为每一感光部41在衬底基板1上的正投影与一发光部50在衬底基板1的正投影重叠，更为具体的，二者可以为中心重合，面积相等的重合关系，当然，考虑到实际的工艺误差，要求感光部41与发光部50完全重合难度较大，二者具体可以为大致重合；
阳极层6，阳极层6位于量子点发光层5的背离感光高分子膜层4的一侧。
本公开实施例提供的量子点发光面板，通过在电子传输层3的背离衬底基板1的一侧引入一层对紫外线敏感的感光高分子薄膜4，再引入量子点发光层5，之后，采用掩膜版遮挡，并进行预设光(如紫外光)照射，有预设光照射的地方，感光高分子膜层4的分子链发生断裂，可以通过第一溶液(如乙醇溶剂)冲洗去除，未被预设光照射的地方，感光高分子膜层4保留下来，通过重复以上步骤，就可以实现多种出光范围不同的发光部50的图形化，进而可以实现全彩，高分辨率的量子点面板的制作，且形成全彩化量子点显示面板的过程中，不需要使用对量子点膜层有损害的显影液，进而可以避免实现全彩化面板的制作过程中，量子点发光层5受损，影响量子点发光面板的发光效率的问题。
在具体实施时，感光高分子膜层4的电子迁移率低于电子传输层3的电子迁移率，进而可以使感光高分子膜层4在可以实现对量子点发光层5进行图案化的同时，还可以起到电子阻挡层的作用，可以有效解决电子传输层(如氧化锌)注入速率过大的问题，调控载流子注入平衡，提升器件发光效率。
在具体实施时，参见图2所示，各感光部41之间均具有阻挡部7。本公开实施例中，量子点发光面板还可以具有像素定义层，像素定义层包括多个阻挡部7，该阻挡部7位于相邻感光部41之间，也位于相邻发光部50之间，可以将不同出光颜色的膜层限定在不同的区域内，形成一独立的结构。
在具体实施时，结合图2所示，量子点发光层5与阳极层6之间还具有空穴传输层81；空穴传输层81与阳极层6之间还具有空穴注入层82。空穴传输层81的材料具体可以为有机材料，空穴注入层82的材料具体可以为有机材料。具体的，空穴传输层81，空穴注入层82，以及阳极层6可以为一整层结构，以简化工艺步骤。
在具体实施时，电子传输层3和感光高分子膜层4通过共价键连接。本公开实施例中，电子传输层3和感光高分子膜层4通过共价键连接，可以增强电子传输层3和感光高分子膜层4的结合力，避免在后续清洗过程中，分子链没有断裂的感光高分子膜层4被清洗掉。
具体的，电子传输层3具有羟基，感光高分子膜层4具有氨基，电子传输层3和感光高分子膜层4通过羟基和氨基形成共价键，该共价键具体可以为氢键。
在具体实施时，电子传输层为金属氧化物。具体的，金属氧化物的材料可以为氧化锌，氧化镁锌，或氧化铝锌。本公开实施例中，金属氧化物作为电子传输层，可以具有较优的电子传输性能，但金属氧化物的表面易于形成氧空穴位点，会对量子点发光层产生淬灭，而感光高分子膜层具有氨基，除可以与金属氧化物表面的羟基形成氢键，具有较佳的结合性能外，感光高分子膜层的氨基还可以对金属氧化物表面的氧空穴位点进行消除，进而可以降低金属氧化物对量子点发光层的淬灭作用，进而可以提升量子点发光面板的性能。具体的，参见图3所示，电子传输层3为氧化锌，氧化锌表面的羟基官能团(-OH)可以和感光高分子化合物上面的季氨基官能团形成氢键，可以使电子传输层3与感光高分子膜层4的结合更为紧密，有利于感光高分子膜层4的附着，其中，图3为图2在A处的放大示意图。
在具体实施时，感光部41感光部还具有以下共价键之一或组合：
C-C键；
C-O键；
酯键；
硫酯键；
其中，C-C键，C-O键，酯键以及硫酯键在预设光照射时发生共价键断裂。具体的，感光部41的材料可以为聚醚酰亚胺基化合物，或聚对苯撑苯并二噁唑。本公开实施例中，预设光(如紫外光)的能量(365nm，相当于3.39ev)可与聚醚酰亚胺基化合物中存在的C-C，C-O，或，聚醚酯亚胺基化合物中存在的酯键以及硫酯键等共价键能量相当，当这些共价键吸收特定波长的紫外辐照后将发生共价键断裂，形成大量具有强化学活性的带电高分子自由基，自由基通过重组而产生分子链断裂。断裂的感光高分子膜层在醇类溶剂的冲洗并被去除。
在具体实施时，感光部41具体可以为聚醚酰亚胺基化合物，聚醚酰亚胺基化合物的材料具体可以为：
Figure GDA0003911769950000101
其中，m为结构单元的个数，1<m<100。具体的，X官能团为以下之一：
Figure GDA0003911769950000102
在具体实施时，感光部41具体也可以为聚对苯撑苯并二噁唑化合物，聚对苯撑苯并二噁唑化合物的材料具体可以为：
Figure GDA0003911769950000103
其中，n为结构单元的个数，1<n<100。
在一种可能的实施方式中，发光部的厚度为30nm～60nm，在满足较佳的发光性能的情形下，可以在对不同颜色的量子点进行图案化过程中，可以起到遮挡紫外光的作用，具体的，例如，先制作图案化的红色量子点薄膜，再制作图案化的绿色量子点薄膜，再形成蓝色量子点薄膜时，对于图案化绿色量子点薄膜时，尽管已形成的红色量子点膜下方的感光部会被再次照射，但由于该位置在该阶段的膜层厚度较厚(红色发光部的厚度为30nm～60nm)，到达红色量子点膜下方的感光部的紫外光能量较弱，因此，无法使红色量子点膜下方的感光部的分子链断裂，即使用无水乙醇清洗时，红色量子点膜下方的感光部也不会被去除，其上方的红色量子点膜也不会被去除；同理，在形成图案化的蓝色量子点膜时，绿色量子点膜较厚也不会被去除。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的量子点发光面板。
基于同一发明构思，参见图4所示，本公开实施例还提供一种量子点发光面板的制作方法，其中，包括：
步骤S100、提供一衬底基板；
步骤S200、在衬底基板的一侧形成阴极层；
步骤S300、在阴极层的背离衬底基板的一侧形成电子传输层；
步骤S400、在电子传输层的背离阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在量子点发光层与电子传输层之间形成感光高分子膜层，其中，量子点发光层具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部，感光高分子膜层具有与各发光部一一对应的感光部，感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；
步骤S500、在量子点发光层的背离感光高分子膜层的一侧形成阳极层；
其中，步骤S400、在电子传输层的背离阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在量子点发光层与电子传输层之间形成感光高分子膜层，包括：
S411、在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；感光高分子薄膜具体可以为聚醚酰亚胺基化合物，具体的，可以将聚醚酰亚胺基化合物溶于乙醇，并旋涂于电子传输层的背离阴极层的一侧；加热以挥发溶剂，进而实现在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
S412、在感光高分子薄膜的背离电子传输层的一侧形成第一量子点发光薄膜；第一量子点发光薄膜，例如，可以为出射红光的红色量子点发光薄膜；
S413、通过第一掩膜板对第一区域遮挡，采用预设光进行照射，以使未被第一掩膜板遮挡的感光高分子薄膜的分子链断裂；采用预设光进行照射，具体可以为采用紫外光进行照射；
S414、通过溶液清洗，去除分子链断裂的感光高分子薄膜及上方的第一量子点发光薄膜，形成第一发光部；通过溶液清洗，具体可以为通过无水乙醇进行冲洗；
S415、在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；感光高分子薄膜具体可以为聚醚酰亚胺基化合物，具体的，可以将聚醚酰亚胺基化合物溶于乙醇，并旋涂于电子传输层的背离阴极层的一侧；加热以挥发溶剂，进而实现在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
S416、在感光高分子薄膜的背离电子传输层的一侧形成第二量子点发光薄膜；第二量子点发光薄膜，例如，可以为出射绿光的绿色量子点发光薄膜；
S417、通过第二掩膜板对第二区域遮挡，采用预设光进行照射，以使未被第二掩膜板以及第一发光部遮挡的感光高分子薄膜的分子链断裂，其中，第二区域与第一区域互不交叠；采用预设光进行照射，具体可以为采用紫外光进行照射；
S418、通过溶液清洗，去除分子链断裂的感光高分子薄膜及上方的第二量子点发光薄膜，形成第二发光部；通过溶液清洗，具体可以为通过无水乙醇进行冲洗；
S419、在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；感光高分子薄膜具体可以为聚醚酰亚胺基化合物，具体的，可以将聚醚酰亚胺基化合物溶于乙醇，并旋涂于电子传输层的背离阴极层的一侧；加热以挥发溶剂，进而实现在电子传输层的背离阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
S420、在感光高分子薄膜的背离电子传输层的一侧形成第三量子点发光薄膜；第三量子点发光薄膜，例如，可以为出射蓝光的蓝色量子点发光薄膜；
S421、通过第三掩膜板对第三区域遮挡，采用预设光进行照射，以使未被第三掩膜板、第一发光部和第二发光部遮挡的感光高分子薄膜的分子链断裂，其中，第三区域与第一区域、第二区域互不交叠；采用预设光进行照射，具体可以为采用紫外光进行照射；
S422、通过溶液清洗，去除分子链断裂的感光高分子薄膜及上方的第三量子点发光薄膜，形成第三发光部；通过溶液清洗，具体可以为通过无水乙醇进行冲洗。
在具体实施时，电子传输层的材料可以为氧化锌纳米粒子或氧化锌。
对于电子传输层的材料为氧化锌纳米粒子时，对于步骤S300、在阴极层的背离衬底基板的一侧形成电子传输层，包括：
步骤S301、形成包括氧化锌纳米粒子的旋涂液；
步骤S302、将旋涂液旋涂于阴极层的背离衬底基板的一侧。
对于电子传输层的材料为氧化锌时，对于步骤S300、在阴极层的背离衬底基板的一侧形成电子传输层，包括：
步骤S303、将醋酸锌或者硝酸锌等溶于乙醇胺和正丁醇的混合溶液中，形成含锌前驱体液；
步骤S304、将含锌前驱体液滴加到阴极层的背离衬底基板的一侧，进行旋涂；
步骤S305、加热以挥发溶剂。
以下结合图5-图7所示，对本公开实施例提供的量子点发光面板的制作方法进行进一步详细说明如下：
步骤一、红色像素区引入红色量子点(第一发光部51)；
(1)、清洗；将导电玻璃(形成有阴极层2的衬底基板1，阴极层2的材料具体可以为ITO或FTO)分别采用水，异丙醇，超声清洗，并紫外UV处理5min-10min。
(2)、引入电子传输层3；电子传输层3可以是氧化锌基纳米粒子薄膜或氧化锌薄膜；
(a)、制备氧化锌纳米粒子薄膜；例如，旋涂氧化锌纳米粒子，之后并在80℃-120℃加热成膜。电子传输层3材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，如Mg，In，Al，Ga掺杂氧化镁纳米粒子等，匀胶机转速设置为500rpm-2500rpm，以调整膜层的厚度；
(b)、制备氧化锌薄膜；将2g醋酸锌(或者硝酸锌等)溶于10mL乙醇胺和正丁醇的混合溶液中，将上述导电玻璃置于匀胶机，将90μL-120μL锌的前驱体溶液滴加到导电玻璃上，旋涂。将上述导电玻璃置于250度-300度的热台上，加热并发溶剂，在上述导电玻璃上引入聚醚酰亚胺膜层；
(3)、引入富含氨基的感光高分子膜层4；将0.5g聚醚酰亚胺基化合物溶于5mL乙醇，并滴加到上述导电玻璃，旋涂，之后将上述导电玻璃置于250度-300度的热台上，加热并发溶剂，最终在ITO玻璃上引入氧化锌膜层。此步中的感光高分子膜层4还可以选择聚对苯撑苯并二噁唑等对紫外线感光的高分子；
(4)、旋涂红色量子点；将红色量子点的低沸点溶液(氯仿、甲苯、正己烷、正辛烷、或正庚烷等)旋涂到上述基底上，并在80℃-120℃干燥成膜；
(5)、掩膜版曝光；将掩膜版和导电玻璃进行对位调整，采用掩膜版遮挡导电玻璃上的红色像素区，采用紫外线曝光除红色像素区以外的区域；
(6)、冲洗并固化成膜；采用无水乙醇冲洗上述基板，曝光区内的断裂的高分子被冲走，红色目标区的感光高分子薄膜和红色量子点薄膜则保留下来。将上述导电玻璃置于150℃-200℃的热台上，加热溶剂并固化成膜；
步骤二、绿色像素区引入绿色量子点(第二发光部52)；
(7)、再次引入富含氨基的感光高分子薄膜4；将90μL-120μL聚醚酰亚胺的乙醇溶液，并滴加到上述导电玻璃，旋涂，之后将上述导电玻璃置于250度-300度的热台上，加热并发溶剂，在上述导电玻璃上引入聚醚酰亚胺膜层；
(8)、旋涂绿色量子点；将绿色量子点的低沸点溶液(氯仿、甲苯、正己烷、正辛烷、或正庚烷等)旋涂到上述基底上，并在80℃-120℃干燥成膜；
(9)、掩膜版曝光；将曝光机和导电玻璃进行对位调整，对导电玻璃上除绿色像素区以外的区域，进行掩膜版曝光。
(10)、冲洗并固化成膜；采用无水乙醇冲洗上述基板，曝光区内断裂的高分子被冲走，绿色目标区内的感光高分子薄膜和绿色量子点薄膜则保留下来。将上述导电玻璃置于150-200℃的热台上，加热溶剂并固化成膜；
步骤三、蓝色像素区引入蓝色量子点(第三发光部53)；
(11)、再次引入富含氨基的感光高分子薄膜；将90μL-120μL聚醚酰亚胺的乙醇溶液，并滴加到上述导电玻璃，旋涂，之后将上述导电玻璃置于250-300度的热台上，加热并发溶剂，在上述导电玻璃上引入聚醚酰亚胺膜层。
(12)、旋涂绿色量子点；将蓝色量子点的低沸点溶液(氯仿、甲苯、正己烷、正辛烷、或正庚烷等)旋涂到上述基底上，并在80℃-120℃干燥成膜。
(13)、掩膜版曝光；将曝光机和导电玻璃进行对位调整，对导电玻璃上除蓝色像素区以外的区域，进行掩膜版曝光；
(14)、冲洗并固化成膜；采用无水乙醇冲洗上述基板，曝光区内断裂的高分子被冲走，蓝色目标区内的感光高分子和蓝色量子点则保留下来。将上述导电玻璃置150℃-200℃的热台上，加热溶剂并固化成膜；
步骤四、引入空穴传输层；在上述导电玻璃上，通过旋涂或蒸镀等方式空穴传输层。有机物质做空穴传输层可以选择TFB(聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺))，或PVK(聚乙烯咔唑)，或者其它商业化的空穴传输化合物等。例如，TFB旋涂成膜条件为：130-150℃惰性气体中成膜。膜层厚度可以根据匀胶机转速调控；
步骤五、引入空穴注入层；在上述导电玻璃上，通过旋涂或蒸镀等方式空穴注入层。有机物质做空穴注入层可以选择PEDOT:PSS 4083(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它商业化的适用于空穴注入层的化合物。例如，PEDOT的旋涂成膜温度为空气130-150℃等。膜层厚度可以根据匀胶机转速调控；
步骤六、引入阳极；最后引入阳极材料，例如蒸镀铝膜，银膜或溅射铟锌氧化物(IZO)膜制备QLED器件；
步骤七、封装；加盖封装盖板，采用紫外固化胶对器件进行封装，制备量子点发光二极管。
需要说明的是：红色、绿色、蓝色量子点的图形化顺序，可以根据实际需要，任意更换。另外，可以理解的是，对于图案化绿色量子点薄膜时，尽管已形成的红色量子点膜下方的感光部会被再次照射，但由于该位置在该阶段的膜层厚度较厚，到达红色量子点膜下方的感光部的紫外光能量较弱，因此，无法使红色量子点膜下方的感光部的分子链断裂，即使用无水乙醇清洗时，红色量子点膜下方的感光部也不会被去除，其上方的红色量子点膜也不会被去除；同理，在形成图案化的蓝色量子点膜时，绿色量子点膜也不会被去除。
本公开实施例提供的量子点发光面板具有结构特征1：该量子点发光面板具有平面层状多膜层叠加结构(结合图2所示)，各功能层从下到上分别为：衬底基板1、阴极层2、电子传输层3(氧化锌)、感光高分子薄膜层4、量子点发光层5、空穴传输层81、空穴注入层82、阳极6；各个膜层的鉴别方法：这样的结构可以通过制备量子点发光面板的截面切片，借助高分辨透射电子显微镜以及截面扫描电子显微镜(cross-sectional，SEM)进行结构确定和组成分析；
该量子点发光面板具有典型结构特征2：在电子传输层3(氧化锌层)和量子点发光层5之间存在特定的感光高分子膜层4(聚醚酰亚胺基化合物，或者聚对苯撑苯并二噁唑)，以聚醚酰亚胺基化合物为例，氧化锌表面的羟基官能团(-OH)和聚醚酰亚胺基化合物分子结构上的氨基官能团形成特定的氢键结构，如图3所示；感光高分子膜层4的厚度可以为：0.5nm-3nm之间；鉴别方法：这样的结构特征可以通过傅里叶红外光谱(FTIR)以及二次离子质谱(SIMS)确定进行结构确定和分析，例如，器件中的聚醚酰亚胺基化合物可以用傅里叶红外光谱(FTIR)表征，特征峰如下：1724cm-1和1778cm-1处的双峰为酰亚胺环中的羰基吸收峰；1362cm-1，1237cm-1和1275cm-1处的吸收带归属于芳醚C-O-C的伸缩振动峰；1446cm-1～1630cm-1处的峰为苯环骨架的伸缩振动峰。
该QLED器件结构具有典型结构特征3：器件中量子点发光层5中的量子点尺寸大小在3nm-20nm之间；本公开实施例可以适用于多种量子点，具体包括：油溶性的CdTe、CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、CuInSe、PbS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSeS、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CuInS/ZnS、(Zn)CuInS/ZnS、(Mn)CuInS/ZnS、AgInS/ZnS、(Zn)AgInS/ZnS、CuInSe/ZnS、CuInSeS/ZnS、PbS/ZnS等量子点；量子点发光层5鉴别方法：(1)量子点的晶体结构特征，可以通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X-射线衍射仪(XRD)进行判断；(2)量子点的元素组成特征，可以采用能谱仪(EDS)进行判断；(3)量子点的表面配体特征，表面配体的官能团可以采用傅立叶红外光谱(FTIR)，紫外可见吸收光谱(UV-Vis)以及核磁共振光谱(HNMR)进行定性和定量分析；(4)量子点的光谱学特征，例如荧光发射窄，吸收光谱宽等特征，可以用紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)确定。
本发明实施例有益效果如下：本公开实施例提供的量子点发光面板，通过在电子传输层的背离衬底基板的一侧引入一层对紫外线敏感的感光高分子薄膜，再引入量子点发光层。之后，采用掩膜版遮挡，并进行预设光(如紫外光)照射，有预设光照射的地方，感光高分子膜层的分子链发生断裂，可以通过第一溶液(如乙醇溶剂)冲洗去除，未被预设光照射的地方，感光高分子膜层保留下来，通过重复以上步骤，就可以实现多种出光范围不同的发光部的图形化，进而可以实现全彩，高分辨率的量子点面板的制作，且形成全彩化量子点显示面板的过程中，不需要使用对量子点膜层有损害的显影液，进而可以避免实现全彩化面板的制作过程中，量子点膜层受损，影响量子点发光面板的发光效率的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种量子点发光面板，其中，包括：
衬底基板；
阴极层，所述阴极层位于所述衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层位于所述阴极层的背离所述衬底基板的一侧；
量子点发光层，所述量子点发光层位于所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧，具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部；
感光高分子膜层，所述感光高分子膜层位于所述量子点发光层与所述电子传输层之间，具有与各所述发光部一一对应的感光部，所述感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；所述感光高分子膜层为聚醚酰亚胺基化合物，或者聚对苯撑苯并二噁唑；
阳极层，所述阳极层位于所述量子点发光层的背离所述感光高分子膜层的一侧。
2.如权利要求1所述的量子点发光面板，其中，所述感光高分子膜层的电子迁移率低于所述电子传输层的电子迁移率。
3.如权利要求1或2所述的量子点发光面板，其中，各所述感光部之间均具有阻挡部。
4.如权利要求1所述的量子点发光面板，其中，所述电子传输层和所述感光高分子膜层通过共价键连接。
5.如权利要求4所述的量子点发光面板，其中，所述电子传输层具有羟基，所述感光高分子膜层具有氨基，所述电子传输层和所述感光高分子膜层通过所述羟基和所述氨基形成所述共价键。
6.如权利要求5所述的量子点发光面板，其中，所述电子传输层为金属氧化物。
7.如权利要求6所述的量子点发光面板，其中，所述金属氧化物的材料为氧化锌，氧化镁锌，或氧化铝锌。
8.如权利要求7所述的量子点发光面板，其中，所述感光部还具有以下共价键之一或组合：
C-C键；
C-O键；
酯键；
硫酯键；
其中，所述C-C键，所述C-O键，所述酯键以及所述硫酯键在所述预设光照射时发生共价键断裂。
9.如权利要求8所述的量子点发光面板，其中，所述感光部的材料为：
Figure FDA0003862919700000021
其中，m为结构单元的个数，1<m<100。
10.如权利要求9所述的量子点发光面板，其中，X官能团为以下之一：
Figure FDA0003862919700000022
11.如权利要求8所述的量子点发光面板，其中，所述感光部的材料为：
Figure FDA0003862919700000023
其中，n为结构单元的个数，1<n<100。
12.如权利要求1所述的量子点发光面板，其中，所述发光部的厚度为30nm～60nm。
13.如权利要求1所述的量子点发光面板，其中，所述量子点发光层与所述阳极层之间还具有空穴传输层；所述空穴传输层与所述阳极层之间还具有空穴注入层。
14.一种显示装置，其中，包括如权利要求1-13任一项所述的量子点发光面板。
15.一种量子点发光面板的制作方法，其中，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成阴极层；
在所述阴极层的背离所述衬底基板的一侧形成电子传输层；
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层与所述电子传输层之间形成感光高分子膜层，其中，所述量子点发光层具有至少两种出光波长范围互不相同的发光部，所述感光高分子膜层具有与各所述发光部一一对应的感光部，所述感光高分子膜层被配置为受预设光照射时发生分子链断裂；所述感光高分子膜层为聚醚酰亚胺基化合物，或者聚对苯撑苯并二噁唑；
在所述量子点发光层的背离所述感光高分子膜层的一侧形成阳极层。
16.如权利要求15所述的制作方法，其中，在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层与所述电子传输层之间形成感光高分子膜层，包括：
在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜；
在所述感光高分子薄膜的背离所述电子传输层的一侧形成第一量子点发光薄膜；
通过第一掩膜板对第一区域遮挡，采用预设光进行照射，以使未被所述第一掩膜板遮挡的所述感光高分子薄膜的分子链断裂；
通过溶液清洗，去除分子链断裂的所述感光高分子薄膜及上方的所述第一量子点发光薄膜，形成第一发光部。
17.如权利要求16所述的制作方法，其中，所述在所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧形成感光高分子薄膜，包括：
将聚醚酰亚胺基化合物或聚对苯撑苯并二噁唑溶于乙醇，并旋涂于所述电子传输层的背离所述阴极层的一侧；
加热以挥发溶剂。
18.如权利要求17所述的制作方法，其中，所述采用预设光进行照射，包括：并采用紫外光进行照射。
19.如权利要求18所述的制作方法，其中，所述通过溶液清洗，包括：通过无水乙醇进行冲洗。
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