CN113193133B - 一种发光器件及其制备方法、显示面板 - Google Patents

一种发光器件及其制备方法、显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113193133B
CN113193133B CN202110462495.XA CN202110462495A CN113193133B CN 113193133 B CN113193133 B CN 113193133B CN 202110462495 A CN202110462495 A CN 202110462495A CN 113193133 B CN113193133 B CN 113193133B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
layer
hydrophilic
electron transport
dot layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110462495.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113193133A (zh
Inventor
梅文海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110462495.XA priority Critical patent/CN113193133B/zh
Publication of CN113193133A publication Critical patent/CN113193133A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113193133B publication Critical patent/CN113193133B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

本发明提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该发光器件能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。一种发光器件包括依次层叠设置的电子传输层和量子点层；其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性。本发明适用于发光器件的制备。

Description

一种发光器件及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板。
背景技术
与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器相比，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)显示器具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。随着量子点技术的深入发展，QLED显示器的研究日益成熟，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平。采用量子点制备高分辨率的QLED或者QD-LCD产品已经成为一项重要的议题。但是目前量子点的图案化工艺中，极易在显影过程后形成残留，从而造成全彩量子点显示中的混色问题，降低显示品质。
发明内容
本发明的实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示面板，该发光器件能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种发光器件，包括：依次层叠设置的电子传输层和量子点层；
其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性。
可选的，所述可光解亲水配体的结构通式为：
其中，X为第一配位单元，A为可光解单元，Q为第一亲水单元，m和n均为正整数、且均小于或者等于6。
可选的，X包括氨基、巯基、羧基中的任一种，A包括偶氮基或者过氧基，Q包括羟基、羧基、醛基中的任一种。
可选的，所述可光解亲水配体包括：
中的任一种。
可选的，所述第一亲水配体的结构通式为：
或者，/>
其中，B为第二配位单元，C1为第二亲水单元，C2为第三亲水单元，Y包括-CH或者n1和m1均为正整数，n1小于或者等于6，m1小于或者等于3，且n1与m1之和小于或者等于5；n2为正整数，且n2小于或者等于6。
可选的，B包括氨基、巯基、磷氧基中的任一种，C1和C2均包括羟基、羧基、氨基中的任一种。
可选的，所述第一亲水配体包括：
中的任一种。
可选的，所述多孔状纳米结构包括多孔状纳米棒。
可选的，所述多孔状纳米结构的材料包括无机氧化物。
可选的，所述发光器件还包括第一电极，以及依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和第二电极；
其中，所述第一电极设置在所述电子传输层远离所述量子点层的一侧，所述空穴传输层设置在所述量子点层和所述空穴注入层之间。
另一方面，提供了一种显示面板，包括：上述的发光器件。
再一方面，提供了一种发光器件的制备方法，包括：
形成电子传输层；其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；
在所述电子传输层之上形成量子点层，其中，所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性。
可选的，所述形成电子传输层包括：
形成无机氧化物前体溶液；
向所述无机氧化物前体溶液加入第一亲水配体材料，得到无机氧化物溶液；
旋涂所述无机氧化物溶液，形成所述电子传输层。
可选的，所述在所述电子传输层之上形成量子点层包括：
在所述电子传输层上旋涂量子点溶液，形成待图案化的量子点层；其中，所述待图案化的量子点层包括保留区和去除区；
采用掩膜板对所述待图案化的量子点层进行曝光；其中，所述掩膜板包括透光区和遮光区，所述透光区与所述去除区对应，所述遮光区与所述保留区对应；
对曝光后的所述待图案化的量子点层进行显影，得到图案化的量子点层。
本发明的实施例提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板，该发光器件包括依次层叠设置的电子传输层和量子点层；其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性。
由于电子传输层具有多孔状纳米结构，使得第一亲水配体与纳米结构有非常大的接触面积，从而使得电子传输层具有高度亲水性。另外，量子点层包括可光解亲水配体，则在量子点层的图案化过程中，可以采用曝光工艺曝光待去除的量子点；在曝光过程中，可光解亲水配体发生分解形成疏水末端，从而使得待去除的量子点具有很强的疏水性；这样，在后续显影工艺中，具有很强疏水性的量子点和具有很强亲水性的电子传输层存在很大的排斥作用，从而使得待去除的量子点极易被完全去除，进而能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种可光解亲水配体的光解原理示意图；
图3为本发明实施例提供的一种发光器件的制备流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
在本发明的实施例中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种发光器件，参考图1所示，该发光器件包括依次层叠设置的电子传输层11和量子点层12。
其中，电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；量子点层包括量子点、以及与量子点配位结合的可光解亲水配体，可光解亲水配体被配置为使得量子点层经过光照后具有疏水性。
上述多孔状纳米结构是指纳米结构之间形成有孔洞。上述纳米结构的具体形状不做限定，示例的，该纳米结构可以包括纳米棒或者球形纳米粒子。相比球形纳米粒子，纳米棒形成的多孔状结构，能够进一步增大与量子点层的接触面积，提高量子点层的成膜质量；另外，还能进一步增大第一亲水配体与多孔状纳米棒的接触面积，进一步提高电子传输层的亲水性。
上述多孔状纳米结构的材料不做限定，考虑到提高电子传输层的传输效率，多采用无机金属氧化物制作。示例的，无机金属氧化物可以包括氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化镁锌(ZnMgO)中的任一种。
上述第一亲水配体的材料和结构均不做限定，示例的，该第一亲水配体可以包括羟基(-OH)、羧基(-COOH)、氨基(-NH2)等亲水基团。
上述量子点层包括可光解亲水配体，从而具有亲水性；在经过光照后，可光解亲水配体发生分解形成疏水末端，从而使得经过光照后的量子点层具有疏水性。利用这一特性，可以避免量子点图案化后的残留问题。具体的，在量子点层的图案化过程中，可以采用曝光工艺曝光待去除的量子点；在曝光过程中，可光解亲水配体发生分解形成疏水末端，从而使得待去除的量子点具有很强的疏水性；在后续显影工艺中，具有很强疏水性的量子点和具有很强亲水性的电子传输层存在很大的排斥作用，从而使得待去除的量子点极易被完全去除。
上述量子点层还包括量子点，量子点与可光解亲水配体配位结合。量子点的结构不做限定，示例的，量子点可以包括核壳结构或者钙钛矿纳米晶结构。具体的，核壳结构包括内核层和包围内核层的包覆层，内核层的材料为硒化镉(CdSe)或者硫化镉(CdS)，包覆层的材料为硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、硒化锌(ZnSe)中的任一种。多采用硒化镉形成内核层、硫化锌形成包覆层的核壳结构形成量子点。为了实现彩色化显示，参考图1所示，上述量子点层12可以包括红色量子点层R、绿色量子点层G和蓝色量子点层B。
本发明的实施例提供了一种发光器件，由于电子传输层具有多孔状纳米结构，使得第一亲水配体与纳米结构有非常大的接触面积，从而使得电子传输层具有高度亲水性。另外，量子点层包括可光解亲水配体，则在量子点层的图案化过程中，可以采用曝光工艺曝光待去除的量子点；在曝光过程中，可光解亲水配体发生分解形成疏水末端，从而使得待去除的量子点具有很强的疏水性；这样，在后续显影工艺中，具有很强疏水性的量子点和具有很强亲水性的电子传输层存在很大的排斥作用，从而使得待去除的量子点极易被完全去除，进而能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。
可选的，为了降低实现难度，可光解亲水配体的结构通式为：
其中，X为第一配位单元，A为可光解单元，Q为第一亲水单元，m和n均为正整数、且均小于或者等于6。
量子点层中，量子点(QD)与上述可光解亲水配体的结构通式为：
从上述结构式可以得出，量子点通过第一配位单元X与可光解亲水配体配位结合。上述第一配位单元、可光解单元、第一亲水单元的具体结构均不作限定。为了保证量子点层在未经光照时具有亲水性、经光照后具有疏水性，上述可光解亲水配体中包括的烃链长度不宜过长，即m、n的数值不宜过大，可以选择m、n均小于或者等于6。
包括上述可光解亲水配体的量子点层在经过光照后，可光解亲水配体中的可光解单元A自身发生断裂，接着与左边的烃链发生断裂，最终形成具有烷烃末端的疏水结构，从而使得经过光照后的量子点层具有疏水性。
可选的，为了降低实现成本，X包括氨基(-NH2)、巯基(-SH)、羧基(-COOH)中的任一种，A包括偶氮基(-N＝N-)或者过氧基(-O-O-)，Q包括羟基(-OH)、羧基(-COOH)、醛基(-CHO)中的任一种。
可选的，可光解亲水配体包括：
中的任一种。
可光解亲水配体的结构通式中，令m＝n＝1，X选择巯基，A选择过氧基，Q选择羟基，则可以得到结构式为的可光解亲水配体；令m＝n＝1，X选择氨基，A选择偶氮基，Q选择醛基，则可以得到结构式为/>的可光解亲水配体；令m＝n＝1，X选择羧基，A选择偶氮基，Q选择羟基，则可以得到结构式为的可光解亲水配体。上述三种可光解亲水配体结构简单，易于制作。
下面以结构式为的可光解亲水配体为例，具体说明其光解过程。
参考图2所示，如图a1所示的量子点具有亲水性；在经过紫外线(UV)照射后，参考图a2所示，可光解单元的过氧键断裂；接着，参考图a3所示，氧与烃链发生断裂，最终形成如图a4所示的结构。图a4中，量子点配体末端为甲基(-CH3)，从而使得量子点具有疏水性。
可选的，为了进一步提高电子传输层的亲水性，第一亲水配体的结构通式为：
或者，/>
其中，B为第二配位单元，C1为第二亲水单元，C2为第三亲水单元，Y包括-CH或者n1和m1均为正整数，n1小于或者等于6，m1小于或者等于3，且n1与m1之和小于或者等于5；n2为正整数，且n2小于或者等于6。
上述第一亲水配体可以采用超支化亲水有机物形成，具体材料可以根据实际要求选择。上述第二配位单元B、第二亲水单元C1、第三亲水单元C2的具体结构均不作限定。
示例的，若第一亲水配体的结构通式为：令n1＝1，m1＝2，B选择氨基，C1和C2均选择羟基，则可以得到如下结构：/>该结构具有两个超支化结构；令n1＝1，m1＝3，B选择氨基，C1和C2均选择羟基，则可以得到如下结构：/>该结构具有三个超支化结构。当然，n1和m1取其它数值、B、C1和C2选择其它基团时，还能得到其它结构，这里不再一一列举。
示例的，若第一亲水配体的结构通式为：令n2＝1，B选择氨基，C1和C2均选择羟基，则可以得到如下结构：/>该结构具有一个超支化结构；令n2＝1，B选择巯基，C1和C2均选择羟基，则可以得到如下结构：该结构具有一个超支化结构。当然，n2取其它数值、B、C1和C2选择其它基团时，还能得到其它结构，这里不再一一列举。
上述两种结构通式均包括至少一个超支化结构使得第一亲水配体具有非常多的亲水基团，亲水基团越多则亲水性越强，从而进一步提升电子传输层的亲水性；而电子传输层的亲水性越强，在后续量子点层的图案化过程中，电子传输层与待去除的量子点层之间的排斥性越大，从而越有利于完全清除待去除的量子点层，进而避免量子点图案化后的残留问题。
进一步可选的，B包括氨基、巯基、磷氧基中的任一种，C1和C2均包括羟基、羧基、氨基中的任一种。
可选的，为了简化结构，易于制备，第一亲水配体包括：
中的任一种。
可选的，多孔状纳米结构包括多孔状纳米棒。
纳米棒的形状细长，相比球形纳米粒子，形成的孔洞尺寸更大，从而能够进一步增大电子传输层和量子点层的接触面积，进一步提高量子点层的成膜质量；同时，还能进一步增大第一亲水配体与多孔状纳米棒的接触面积，进一步提高电子传输层的亲水性。而电子传输层的亲水性越强，在后续量子点层的图案化过程中，电子传输层与待去除的量子点层之间的排斥性越大，从而越有利于完全清除待去除的量子点层，进而避免量子点图案化后的残留问题。
可选的，多孔状纳米结构的材料包括无机氧化物。
上述无机氧化物的材料不做限定，考虑到尽可能地提高传输效率，以提高发光效率，该无机氧化物可以包括无机金属氧化物，示例的，无机金属氧化物可以包括氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化镁锌(ZnMgO)中的任一种。相关工艺中，多采用氧化锌。
可选的，为了提高发光效率并实现发光，参考图1所示，发光器件还包括第一电极10，以及依次层叠设置的空穴传输层13、空穴注入层14和第二电极15。
其中，第一电极10设置在电子传输层11远离量子点层12的一侧，空穴传输层13设置在量子点层12和空穴注入层14之间。
上述第一电极可作为阴极，其材料可以是透明的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、FTO(掺杂氟的SnO2)、导电聚合物等，或者，也可以是不透明的铝(Al)、银(Ag)等金属。
上述第二电极可作为阳极，其材料可以是铝(Al)、银(Ag)等金属，或者是金属氧化物，例如：IZO(氧化铟锌)。其中，若阳极的材料为IZO，则可以采用磁控溅射工艺制作。
上述空穴传输层和空穴注入层的材料不做限定，具体可以根据实际要求确定。
需要说明的是，为了提高电子注入效率，发光器件还可以包括电子注入层，电子注入层设置在第一电极和电子传输层之间。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述的发光器件。该显示面板可以是QLED显示面板，还可以是包括该QLED显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；具有无串色、分辨率高、显示性能好的优点。
本发明实施例又提供了一种上述发光器件的制备方法，包括：
S01、形成电子传输层；其中，电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体。
上述电子传输层的制备方法不做限定，示例的，可以采用水热法制备。水热法是指将一定形式的前驱物放置在高压釜水溶液中，在高温、高压条件下进行水热反应，再经分离、洗涤、干燥等处理的制粉方法。
S02、在电子传输层之上形成量子点层，其中，量子点层包括量子点、以及与量子点配位结合的可光解亲水配体，可光解亲水配体被配置为使得量子点层经过光照后具有疏水性。
上述在电子传输层之上形成量子点层的制备方法不做限定，示例的，可以采用旋涂法在电子传输层之上形成量子点层。
通过执行步骤S01和步骤S02，可以形成电子传输层和量子点层，该制备方法简单易实现。
可选的，S01、形成电子传输层包括：
S101、形成无机氧化物前体溶液。
上述形成无机氧化物的方法不做限定，具体可以根据无机氧化物的材料确定。
示例的，若无机氧化物包括氧化锌，则形成氧化锌前体溶液的方法包括：室温下，将氯化锌(ZnCl2)溶于去离子水中，配制成100ml浓度为0.2mol/l的水溶液；在缓慢搅拌的同时，逐滴加入一定量的浓氨水，调节混合液的PH＝9.5；搅拌一定时间混合均匀后，倒入容积为130ml的不锈钢水热釜中，旋紧密封后在170度恒温120min；反应结束后自然冷却至室温，收集水热釜底部的白色沉淀；将白色沉淀溶解在50ml乙醇中，得到氧化锌前体溶液。需要说明的是，氧化锌前体具有多孔状纳米棒结构。
示例的，若无机氧化物包括二氧化钛，则形成二氧化钛前体溶液的方法包括：室温下，将四氯化钛(TiCl4)溶于去离子水中，配制成100ml浓度为0.2mol/l的水溶液；在缓慢搅拌的同时，逐滴加入一定量的浓氨水，调节混合液的PH＝9.5；搅拌一定时间混合均匀后，倒入容积为130ml的不锈钢水热釜中，旋紧密封后在170度恒温120min；反应结束后自然冷却至室温，收集水热釜底部的白色沉淀；将白色沉淀溶解在50ml乙醇中，得到二氧化钛前体溶液。需要说明的是，二氧化钛前体具有多孔状纳米棒结构。
示例的，若无机氧化物包括氧化镁锌，则形成氧化镁锌前体溶液的方法包括：室温下，将氯化锌(ZnCl2)和氯化镁(MgCl2)按照摩尔比8：2溶于去离子水中，配制成100ml浓度为0.2mol/l的混合水溶液；在缓慢搅拌的同时，逐滴加入一定量的浓氨水，调节混合液的PH＝9.5；搅拌一定时间混合均匀后，倒入容积为130ml的不锈钢水热釜中，旋紧密封后在170度恒温120min；反应结束后自然冷却至室温，收集水热釜底部的白色沉淀；将白色沉淀溶解在50ml乙醇中，得到氧化镁锌前体溶液。需要说明的是，氧化镁锌前体具有多孔状纳米棒结构。
S102、向无机氧化物前体溶液加入第一亲水配体材料，得到无机氧化物溶液。
上述无机氧化物前体和第一亲水配体材料形成的无机氧化物，包括多孔状纳米结构、以及与多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体，具有高度亲水性。
示例的，若无机氧化物前体溶液为上述氧化锌前体溶液，则步骤S102具体包括：向氧化锌前体溶液中，加入0.04mol的第一亲水配体搅拌半小时后，用无水乙醇和去离子水反复清洗和离心分离；然后，在真空下60度烘干，即可得到具有超强亲水性且表面多孔的氧化锌纳米棒材料，将其溶于乙醇中形成30mg/ml的氧化锌溶液。
示例的，若无机氧化物前体溶液为上述二氧化钛前体溶液，则步骤S102具体包括：向二氧化钛前体溶液中，加入0.04mol的第一亲水配体搅拌半小时后，用无水乙醇和去离子水反复清洗和离心分离；然后，在真空下60度烘干，即可得到具有超强亲水性且表面多孔的二氧化钛纳米棒材料，将其溶于乙醇中形成30mg/ml的二氧化钛溶液。
示例的，若无机氧化物前体溶液为上述氧化镁锌前体溶液，则步骤S102具体包括：向氧化镁锌前体溶液中，加入0.04mol的第一亲水配体搅拌半小时后，用无水乙醇和去离子水反复清洗和离心分离；然后，在真空下60度烘干，即可得到具有超强亲水性且表面多孔的氧化镁锌纳米棒材料，将其溶于乙醇中形成30mg/ml的氧化镁锌溶液。
S103、旋涂无机氧化物溶液，形成电子传输层。
示例的，可以在沉积有第一电极的基板上，以2500rpm的转速旋涂无机氧化物溶液，并在120度下退火5分钟，形成电子传输层。
第一电极的材料可以是氧化铟锌(ITO)，无机氧化物溶液可以是上述的氧化锌溶液、二氧化钛溶液、氧化镁锌溶液中的任一种。
可选的，S02、在电子传输层之上形成量子点层包括：
S201、在电子传输层上旋涂量子点溶液，形成待图案化的量子点层；其中，待图案化的量子点层包括保留区和去除区。
示例的，可以在电子传输层上以3000rpm旋涂量子点溶液。若电子传输层采用上述氧化锌溶液制备，则可采用包括可光解亲水配体的量子点溶液；若电子传输层采用上述二氧化钛溶液制备，则可采用包括/>可光解亲水配体的量子点溶液；若电子传输层采用上述氧化镁锌溶液制备，则可采用包括可光解亲水配体的量子点溶液。量子点层包括的量子点可以采用硒化镉形成内核层、硫化锌形成包覆层的核壳结构，当然，也可以采用其它结构，这里仅以此为例进行说明。
S202、采用掩膜板对待图案化的量子点层进行曝光；其中，掩膜板包括透光区和遮光区，透光区与去除区对应，遮光区与保留区对应。
上述掩膜板的透光区与去除区对应，遮光区与保留区对应，则射向待图案化的量子点层的去除区的光线可以通过掩膜板的透光区，从而对位于去除区的量子点层进行曝光，使得该区域的量子点层的可光解亲水配体发生光解，进而改变该区域的量子点层的表面特性，使其具有疏水性。而射向待图案化的量子点层的保留区的光线被掩膜板的遮光区阻挡，无法通过，则位于保留区的量子点层未被曝光，保持原有的亲水性。
S203、对曝光后的待图案化的量子点层进行显影，得到图案化的量子点层。
示例的，可以采用甲苯进行显影，以清除位于去除区的量子点层。为了得到更好地成膜效果，在显影完成后，还可以采用120度加热10分钟。
由于去除区的量子点层具有很强的疏水性，而电子传输层具有很强的亲水性；那么，在显影过程中，具有很强疏水性的量子点和具有很强亲水性的电子传输层存在很大的排斥作用，从而使得去除区的量子点极易被完全去除，进而能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。
下面以量子点层包括红色量子点层R、绿色量子点层G和蓝色量子点层B为例，说明发光器件的制备方法。该方法包括：
S11、参考图3中a图所示，先形成第一电极10。
S12、参考图3中b图所示，在第一电极10上形成电子传输层11。
这里电子传输层的具体形成方法可以参考前述说明，这里不再赘述。
S13、参考图3中c图所示，在电子传输层11上形成红色量子点薄膜121，该红色量子点薄膜121包括去除区和保留区。
S14、采用图3中c图所示的掩膜板100对红色量子点薄膜121进行紫外(UV)曝光，得到如图3中d图所示的经光照后的红色量子点薄膜221。其中，经光照后的红色量子点薄膜221中，位于去除区的红色量子点的可光解亲水配体发生光解，进而使得去除区的量子点层具有疏水性；位于保留区的红色量子点的可光解亲水配体未发生光解，保留区的红色量子点层具有亲水性。
S15、经显影后，得到如图3中e图所示的图案化后的红色量子点层R。
S16、参考图3中f图所示，在电子传输层11和红色量子点层R上形成绿色量子点薄膜122，该绿色量子点薄膜122包括去除区和保留区。
S17、采用图3中f图所示的掩膜板101对绿色量子点薄膜122进行紫外(UV)曝光，得到如图3中g图所示的经光照后的绿色量子点薄膜222。其中，经光照后的绿色量子点薄膜222中，位于去除区的绿色量子点的可光解亲水配体发生光解，进而使得去除区的量子点层具有疏水性；位于保留区的绿色量子点的可光解亲水配体未发生光解，保留区的绿色量子点层具有亲水性。
在采用图3中f图所示的掩膜板101对绿色量子点薄膜122进行紫外(UV)曝光时，为了避免曝光已形成的红色量子点层R，需要控制曝光强度和曝光时间，示例的，曝光强度范围可以是10-100mw/cm2，曝光时间范围可以是1-10s。
S18、经显影后，得到如图3中h图所示的图案化后的绿色量子点层G。
S19、参考图3中i图所示，在电子传输层11、蓝色量子点层R和绿色量子点层G上形成蓝色量子点薄膜123，该蓝色量子点薄膜123包括去除区和保留区。
S20、采用图3中i图所示的掩膜板102对蓝色量子点薄膜123进行紫外(UV)曝光，得到如图3中j图所示的经光照后的蓝色量子点薄膜223。其中，经光照后的蓝色量子点薄膜223中，位于去除区的蓝色量子点的可光解亲水配体发生光解，进而使得去除区的量子点层具有疏水性；位于保留区的蓝色量子点的可光解亲水配体未发生光解，保留区的蓝色量子点层具有亲水性。
在采用图3中i图所示的掩膜板102对蓝色量子点薄膜123进行紫外(UV)曝光时，为了避免曝光已形成的红色量子点层R和绿色量子点层G，需要控制曝光强度和曝光时间，示例的，曝光强度范围可以是10-100mw/cm2，曝光时间范围可以是1-10s。
S21、经显影后，得到如图3中k图所示的图案化后的蓝色量子点层B。
S22、在量子点层12上，依次形成如图3中l图所示的空穴传输层13、空穴注入层14和第二电极15。
示例的，可以采用蒸镀法制备空穴传输层、空穴注入层和第二电极；第二电极的材料可以是金属银。
经过上述方法制备的发光器件能够避免量子点图案化后的残留问题，从而提高产品质量和显示品质。该制备方法简单容易实现，可操作性强。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
形成电子传输层；其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；
在所述电子传输层之上形成量子点层，其中，所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性；
所述在所述电子传输层之上形成量子点层包括：
在所述电子传输层上旋涂量子点溶液，形成待图案化的量子点层；其中，所述待图案化的量子点层包括保留区和去除区；
采用掩膜板对所述待图案化的量子点层进行曝光；其中，所述掩膜板包括透光区和遮光区，所述透光区与所述去除区对应，所述遮光区与所述保留区对应；对位于去除区的量子点层进行曝光，在曝光过程中，在去除区的量子点层的可光解亲水配体发生光解形成疏水末端，使得待去除的量子点具有疏水性；
对曝光后的所述待图案化的量子点层进行显影，得到图案化的量子点层；在显影中，具有疏水性的量子点和具有亲水性的电子传输层排斥；
其中，所述可光解亲水配体的结构通式为：
其中，X为第一配位单元，A为可光解单元，Q为第一亲水单元，m和n均为正整数、且均小于或者等于6。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成电子传输层包括：
形成无机氧化物前体溶液；
向所述无机氧化物前体溶液加入第一亲水配体材料，得到无机氧化物溶液；
旋涂所述无机氧化物溶液，形成所述电子传输层。
3.一种如权利要求1-2任一项所述的方法制备而成的发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的电子传输层和量子点层；
其中，所述电子传输层包括多孔状纳米结构、以及与所述多孔状纳米结构配位结合的第一亲水配体；所述量子点层包括量子点、以及与所述量子点配位结合的可光解亲水配体，所述可光解亲水配体被配置为使得所述量子点层经过光照后具有疏水性。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，X包括氨基、巯基、羧基中的任一种，A包括偶氮基或者过氧基，Q包括羟基、羧基、醛基中的任一种。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述可光解亲水配体包括：
中的任一种。
6.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一亲水配体的结构通式为：
或者，/>
其中，B为第二配位单元，C1为第二亲水单元，C2为第三亲水单元，Y包括-CH或者n1和m1均为正整数，n1小于或者等于6，m1小于或者等于3，且n1与m1之和小于或者等于5；n2为正整数，且n2小于或者等于6。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，B包括氨基、巯基、磷氧基中的任一种，C1和C2均包括羟基、羧基、氨基中的任一种。
8.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一亲水配体包括：
中的任一种。
9.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述多孔状纳米结构包括多孔状纳米棒。
10.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述多孔状纳米结构的材料包括无机氧化物。
11.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第一电极，以及依次层叠设置的空穴传输层、空穴注入层和第二电极；
其中，所述第一电极设置在所述电子传输层远离所述量子点层的一侧，所述空穴传输层设置在所述量子点层和所述空穴注入层之间。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求3-11任一项所述的发光器件。
CN202110462495.XA 2021-04-27 2021-04-27 一种发光器件及其制备方法、显示面板 Active CN113193133B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110462495.XA CN113193133B (zh) 2021-04-27 2021-04-27 一种发光器件及其制备方法、显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110462495.XA CN113193133B (zh) 2021-04-27 2021-04-27 一种发光器件及其制备方法、显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113193133A CN113193133A (zh) 2021-07-30
CN113193133B true CN113193133B (zh) 2023-07-28

Family

ID=76979728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110462495.XA Active CN113193133B (zh) 2021-04-27 2021-04-27 一种发光器件及其制备方法、显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113193133B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113690378B (zh) * 2021-08-25 2024-04-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点发光器件及其制备方法、显示面板
CN113871544B (zh) * 2021-09-24 2024-04-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点器件及其制备方法、显示面板
US20240215426A1 (en) * 2021-12-01 2024-06-27 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Method of fabricating quantum dots layer, substrate, and display apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111384269B (zh) * 2018-12-29 2021-08-03 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN110098341B (zh) * 2019-05-16 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点电致发光二极管、显示面板和制作方法
CN110590549A (zh) * 2019-09-30 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 配体、量子点及量子点层的图案化方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113193133A (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113193133B (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示面板
TWI484210B (zh) 具有高折射率回填層及保護層之光擷取膜
CN109980097B (zh) 一种薄膜的制备方法与qled器件
JP2009087782A (ja) エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN112151689B (zh) 一种量子点发光器件、其制备方法及显示装置
CN110085757A (zh) 量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置
CN110265564B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法和显示屏
KR20160119204A (ko) 면심입방정계(fcc)를 갖고, 실리카(sio2) 구체로 이루어진 발광 mdmo-ppv 폴리머가 침윤된 콜로이드 결정으로 구성되는 박막을 제조하는 방법
WO2021254436A1 (zh) 发光薄膜及其制备方法、发光器件、显示基板
CN110289362A (zh) 量子点显示基板及其制作方法、显示装置
CN113690378B (zh) 量子点发光器件及其制备方法、显示面板
US20240224573A1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same, light-emitting substrate and method of manufacturing the same, and light-emitting apparatus
Jiang et al. AgNWs/AZO composite electrode for transparent inverted ZnCdSeS/ZnS quantum dot light-emitting diodes
Li et al. Boosting electroluminescence performance of all solution processed InP based quantum dot light emitting diodes using bilayered inorganic hole injection layers
CN110364559A (zh) Qled显示屏及制备方法
WO2021111556A1 (ja) 発光デバイス
Zhang et al. Layer-by-layer assembly of multicolored semiconductor quantum dots towards efficient blue, green, red and full color optical films
KR101389987B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
WO2022062718A1 (zh) 量子点发光器件及其制备方法、显示装置
TW201929605A (zh) 發光元件、以及照明裝置
Lee et al. Enhanced light extraction from organic light-emitting diodes using a quasi-periodic nano-structure
KR102510012B1 (ko) 고종횡비 격벽패턴을 이용하여 광추출 효율을 향상시킨 발광형 표시장치의 제조방법
CN113903873B (zh) 量子点发光面板、显示装置和制作方法
Chae et al. Enhancing efficiency in inverted quantum dot light-emitting diodes through arginine-modified ZnO nanoparticle electron injection layer
CN110970534A (zh) 一种氧化镍薄膜及其制备方法、量子点发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant