CN110364559A - Qled显示屏及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种QLED显示屏及制备方法。所述QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在基板上的TFT阵列、以及覆盖TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，TFT阵列包括漏极，钝化层/平坦层在漏极上设置有坑位，坑位露出部分或全部漏极；像素界定层在坑位上方对应设置有子像素，且子像素的开口大于坑位的开口；QLED设置在子像素中，QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且阳极的聚合物材料填充坑位使得阳极与漏极相连。
Description
技术领域
本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种QLED显示屏及制备方法。
背景技术
量子点(quantum dot，简称QD)是一种由Ⅱ﹣Ⅵ族、Ⅲ﹣Ⅴ或Ⅳ﹣Ⅵ族元素组成的纳米颗粒，其受激发后可以发光。量子点的发光波长与量子点粒子的尺寸相关，因此可以通过控制量子点的尺寸，产生各种理想波长的可见光。此外，量子点发光材料具有光色纯度高、发光量子效率高、使用寿命长等优点，是一种很有前景的电致发光材料。基于量子点电致发光的显示屏(QLED)与有机电致发光显示屏(OLED)类似，都是采用类似三明治的叠层结构，通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。其中，QLED发光层使用量子点代替了OLED中的有机发光材料，克服了有机发光材料对水氧敏感、稳定性差等缺点。
目前，QLED的制备主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现，金属电极则是通过真空蒸镀制备。真空蒸镀工艺由于设备投资和维护费用高昂，材料浪费严重，因此成本居高不下，此外，由于受镀舱尺寸的限制，难以实现大尺寸QLED显示屏的制备。
近年来，印刷电子行业发展迅速。印刷技术被认为是实现QLED低成本和大面积生产的有效途径。印刷技术在OLED的制备中得到了广泛研究，其中中国专利(CN101916831A)公开了一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法。通过在电子注入层上增加一层阴极缓冲层，然后通过溶液加工方法(旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉和喷涂)在缓冲层上制备顶电极，最后在一定温度下退火烧结，得到顶电极。但是，该方法中，由于底电极依然采用了物理气相沉积的ITO，因此并没有实现真正意义上的全印刷工艺。
目前，OLED以及QLED显示屏，其子像素内的底电极都是采用导电金属氧化物ITO，ITO作为像素电极，薄膜晶体管(TFT)阵列制作完成后，首先需要一次光刻工艺，在漏极上端挖孔，刻蚀掉部分钝化层，露出漏极，然后用物理气相沉积工艺制备ITO，随后还需要一次光刻工艺将ITO图案化，最后再制作像素Bank层，因此工艺相对较为繁琐复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种QLED，旨在解决现有QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高以及受镀舱尺寸的限制，难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。
本发明的另一目的在于提供一种QLED显示屏，旨在解决现有QLED显示屏采用导电金属氧化物ITO作为底电极导致操作工艺繁琐复杂的问题，同时解决了现有QLED显示屏中QLED的阳极不能采用溶液加工方法制备导致制备所述QLED的设备要求高、材料浪费、成本高，以及受镀舱尺寸的限制、难以制备大尺寸QLED显示屏的问题。
本发明的另一目的在于提供QLED以及QLED显示屏的制备方法。
本发明是这样实现的，一种QLED，包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆。
相应的，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：
分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液：聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；
沉积所述聚合物溶液形成阳极；
在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极。
以及，一种QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；所述钝化层/平坦层在所述漏极上设置有坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；
所述像素界定层在所述坑位上方对应设置有子像素，且所述子像素的开口大于所述坑位的开口；
所述QLED设置在所述子像素中，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连。
相应的，一种QLED显示屏的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT背板，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；
在所述TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层，其中，所述Bank材料为正性光刻胶；采用第一掩膜板对所述Bank层进行第一次曝光、显影处理，使所述Bank层形成第一曝光区域；刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层，使所述钝化层/平坦层在所述漏极上形成坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；采用第二掩膜板对所述Bank层进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素的像素界定层，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层形成第二曝光区域，且第二次曝光区域包括所述第一次曝光区域；
按照上述QLED的制备方法，在所述子像素内制备QLED，且所述阳极的材料填充所述漏极的坑位使得所述阳极和所述漏极相连。
本发明提供的QLED，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，避免了导电金属氧化物ITO电极的使用，使得所述QLED可通过溶液加工方法实现全印刷型QLED，从而降低了所述QLED的制造成本，可以实现大面积QLED显示屏的制备。
本发明提供的QLED的制备方法，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，可分别实现所述阳极和阴极的印刷沉积，结合其他各功能层可采用溶液加工的特点，从而实现了QLED真正意义上的全印刷工艺制备，从而有效避免QLED显示屏制备过程中真空蒸镀制程的使用，简化了QLED的制作工艺、降低制作成本。
本发明提供的QLED显示屏，一方面，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，实现了QLED真正意义上的全印刷工艺制备，简化了QLED显示屏的制作工艺、降低制作成本；另一方面，所述QLED显示屏以Bank材料为光刻掩膜，对所述TFT阵列漏极上的所述钝化层/平坦层进行刻蚀得到坑位，进而对所述坑位上的所述Bank层直接定义得到适合全印刷工艺制备的显示屏子像素，使得所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连，大大简化了QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
本发明提供的QLED显示屏的制备方法，以Bank材料为光刻掩膜，在覆盖了所述钝化层/平坦层的TFT阵列上，通过两次显影和一次刻蚀工艺，直接定义出了适合全印刷工艺制备的显示屏子像素坑，大大简化了QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
附图说明
图1是本发明实施例提供的包括阳极、量子点发光层和阴极的QLED结构示意图；
图2是本发明实施例提供的包括空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的QLED结构示意图；
图3是本发明实施例提供的QLED显示屏结构示意图；
图4是本发明实施例提供的在TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的采用第一掩膜板对Bank层进行第一次曝光、显影处理后的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的刻蚀第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层后的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的采用第二掩膜板对Bank层进行第二次曝光、显影处理后的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的所述子像素内制备QLED的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图1-2，本发明实施例提供了一种QLED1，包括依次层叠设置的阳极11、量子点发光层14和阴极16，如图1所示，其中，所述阳极11的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极16的材料为微米或纳米级导电材料胶浆。
为了提高电荷传输功能，作为优选实施例，QLED1还包括空穴注入层12、空穴传输层13、电子注入层(图中未标出)、电子传输层15中的至少一层。所述各层的设置方式均为本领域常规方式。
作为一个具体优选实施例，所述QLED1包括依次层叠设置的阳极11、量子点发光层14和阴极16，还包括空穴注入层12、空穴传输层13和电子传输层15，所述空穴注入层12和所述空穴传输层13依次层叠在所述阳极11上，所述电子传输层15层叠设置在所述量子点发光层14和所述阴极16之间，如图2所示。
本发明实施例中，所述阳极11的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述聚合物可以配置成溶液，并采用溶液加工的方法制备获得所述阳极11。作为具体实施例，所述聚合物包括但不限于高电导率的PEDOT材料。
本发明实施例中，所述空穴注入层12的材料可采用本领域常规空穴注入材料，优选为金属氧化物，具体包括但不限于MoO3、WO3、V2O5。所述空穴传输层13的材料可采用本领域常规空穴传输材料。作为优选实施例，所述空穴传输层13的材料为Poly-TPD、TFB、PVK、CBP、TCTA中的至少一种。所述量子点发光层14的材料不受限制。作为优选实施例，所述量子点发光层14的材料可以为Ⅱ﹣Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等；也可以是Ⅲ﹣Ⅴ或Ⅳ﹣Ⅵ族化合物半导体及其核壳结构，如GaAs、InP、PbS/ZnS或PbSe/ZnS等。所述电子传输层15的材料可选用本领域内常规的电子传输材料，更优选为同时具有电子注入和传输功能的电子传输材料。作为具体实施例，所述电子传输层15的材料为ZnO、TiO2、AlZnO、ZnSnO、InSnO中的一种。
本发明实施例中，所述阴极16的材料采用微米或纳米级导电材料胶浆，从而使得所述阴极16可以通过溶液加工的方法制备获得。所述导电材料包括但不限于铝、金、银、铜、锌中的至少一种。
本发明实施例提供的QLED，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极的材料，避免了导电金属氧化物ITO电极的使用，使得所述QLED可通过溶液加工方法实现全印刷型QLED，从而降低了所述QLED的制造成本，可以实现大面积QLED显示屏的制备。
本发明实施例所述QLED可以通过下述方法制备获得。
相应地，本发明实施例提供了一种QLED的制备方法，包括以下步骤：
S01.分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液：聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；
S02.沉积所述聚合物溶液形成阳极；
S03.在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层；
S04.在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极。
具体的，本发明实施例上述步骤S01中，提供的所述聚合物溶液、所述量子点溶液和所述微米或纳米级导电材料胶浆使得所述阳极、量子点发光层和阴极均可采用溶液加工方法制备获得。其中，所述聚合物、量子点和纳米级导电材料的选用如上述所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
上述步骤S02中，所述聚合物溶液可以沉积在衬底上制备获得所述阳极。本发明实施例采用溶液加工方法沉积所述聚合物溶液，优选采用印刷方法，具体包括但不限于丝网印刷、喷墨打印中的一种。
为了去除所述阳极中的溶剂的同时形成致密的聚合物层，作为优选实施例，所述步骤S02还包括对沉积后形成的所述阳极进行热处理，所述热处理的温度为100-250℃。
上述步骤S03，在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层的方式不受限制，可采用常规的溶液加工方式实现。
作为优选实施例，所述QLED可增设功能层用于提高电荷传输性能，有鉴于此，所述QLED的制备方法还包括采用溶液加工方式沉积空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。所述空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的设置符合常规的QLED结构设置，所述空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的沉积方法，只需满足溶液加工方法实现即可，具体方式不受限制。进一步的，在沉积完所述空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层后分别进行热处理，去除各层中的溶剂。对于所述空穴注入层，还可以通过所述热处理将采用金属前驱体制备的氧化物退火转化为金属氧化物。
作为进一步优选实施例，所述QLED的制备方法包括采用溶液加工方式在所述阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层，并在所述量子点发光层上沉积电子传输层。
上述步骤S04中，在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极的方式包括所有适于溶液加工制备涂层的方式，具体可为旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉或喷墨中的一种。
作为优选实施例，在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极后，还包括对所述阴极依次进行热处理和退火处理，其中，所述热处理的温度为50-80℃，所述退火处理的温度为100-160℃。其中，所述热处理可有效去除所述阴极中残余溶剂；所述退火处理可以使得所述导电材料的微米或纳米颗粒充分融合形成导电薄膜。本发明实施例中，去除所述阴极中残余溶剂，可在真空条件下实现。
本发明实施例提供的QLED的制备方法，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，可分别实现所述阳极和阴极的印刷沉积，结合其他各功能层可采用溶液加工的特点，从而实现了QLED真正意义上的全印刷工艺制备，从而有效避免QLED显示屏制备过程中真空蒸镀制程的使用，简化了QLED的制作工艺、降低制作成本。
结合图3，本发明实施例还提供了一种QLED显示屏，包括TFT背板2、像素界定层3和QLED1，所述TFT背板2包括基板21、设置在所述基板21上的TFT阵列22，以及覆盖所述TFT阵列22的钝化层/平坦层23，其中，所述TFT阵列22包括漏极221；所述钝化层/平坦层23在所述漏极221上设置有坑位231，所述坑位231露出部分或全部所述漏极221；
所述像素界定层3在所述坑位231上方对应设置有子像素31，且使得所述坑位231的开口小于所述子像素31的开口；
所述QLED1设置在所述子像素31中，所述QLED1包括依次层叠设置的阳极11、量子点发光层14和阴极16，其中，所述阳极11的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极16的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极11的聚合物材料填充所述坑位231使得所述阳极11与所述漏极221相连。
为了提高电荷传输功能，作为优选实施例，所述QLED1还包括空穴注入层12、空穴传输层13、电子注入层(图中未标出)、电子传输层15中的至少一层。所述各层的设置方式均为本领域常规方式。作为一个具体优选实施例，所述QLED1包括依次层叠设置的阳极11、量子点发光层14和阴极16，还包括空穴注入层12、空穴传输层13和电子传输层15，所述空穴注入层12和所述空穴传输层13依次层叠在所述阳极11上，所述电子传输层15层叠设置在所述量子点发光层14和所述阴极16之间，如图3所示。
本发明实施例中，所述TFT阵列22的结构为本领域常规结构，例如包括漏极221、源极(图中未标记)和栅极(图中未标记)等。
本发明实施例中，在所述钝化层/平坦层23设置有坑位231，所述坑位231露出部分或全部所述漏极221，以便后续沉积的QLED的阳极材料与所述漏极221相连形成通路；进而在所述像素界定层3直接定义子像素31，所述坑位231和所述子像素31形成子像素坑，由此得到适合所述QLED1全印刷制备工艺的结构。其中，所述坑位231的设置仅用于连接所述漏极221和所述QLED1中的所述阳极11，因此，所述坑位231的开口大小只需满足上述条件即可。由于所述QLED1设置在所述子像素31，因此，所述子像素31的开口需满足所述QLED1的设置要求。本发明实施例所述坑位231的开口小于所述子像素31的开口。进一步的，本发明实施例所述坑位231优选露出部分所述漏极221，所述坑位231更优选露出所述漏极221远离源极的一端。
本发明实施例提供的QLED显示屏，一方面，分别采用可溶液加工的电导率＞0.1S的聚合物和微米或纳米级导电材料胶浆作为阳极和阴极材料，实现了QLED真正意义上的全印刷工艺制备，简化了QLED显示屏的制作工艺、降低制作成本；另一方面，所述QLED显示屏以Bank材料为光刻掩膜，对所述TFT阵列漏极上的所述钝化层/平坦层进行刻蚀得到坑位，进而对所述坑位上的所述Bank层直接定义得到适合全印刷工艺制备的显示屏子像素，使得所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连，大大简化了QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
本发明实施例所述QLED显示屏可以通过下述方法制备获得。
相应的，结合图3-8，本发明实施例提供了一种QLED显示屏的制备方法，包括以下步骤：
Q01.提供一TFT背板2，所述TFT背板2包括基板21、设置在所述基板21上的TFT阵列22，以及覆盖所述TFT阵列22的钝化层/平坦层23，其中，所述TFT阵列22包括漏极221；
Q02.在所述TFT背板2上沉积Bank材料形成Bank层3’，其中，所述Bank材料为正性光刻胶；采用第一掩膜板4对所述Bank层3’进行第一次曝光、显影处理，使所述Bank层31形成第一曝光区域；刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层23，使所述钝化层/平坦层23在所述漏极221上形成坑位231，所述坑位231露出部分或全部所述漏极221；采用第二掩膜板5对所述Bank层3’进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素31的像素界定层3，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层3’形成第二曝光区域，且第二次曝光区域包括所述第一次曝光区域；
Q03.按照上述QLED的制备方法，在所述子像素31内制备QLED1，且所述阳极11的材料填充所述漏极221的坑位231使得所述阳极11和所述漏极221相连。
具体的，上述步骤Q01中，所述TFT阵列22的结构为本领域常规结构，例如包括漏极221、源极(图中未标记)和栅极(图中未标记)等。
上述步骤Q02中，在所述TFT背板2上沉积Bank材料形成Bank层3’，如图4所示。所述沉积方式不受限制，可采用本领域常规的Bank材料沉积方式，具体可采用直接涂覆的方式实现沉积。本发明实施例中，所述Bank材料为正性光刻胶，由此使得所述Bank层3’不仅能经过一次显影后作为掩膜结构、实现所述钝化层/平坦层23的刻蚀；还可以进一步经过第二次显影获得所述子像素31。为了使得制备所述QLED时，各层材料溶液不溢出所述子像素31，作为优选实施例，所述Bank层3’的厚度为1-5μm。
采用所述第一掩膜板4对所述Bank层3’进行第一次曝光、显影处理，且所述Bank层31在所述漏极221上方形成第一曝光区域。进一步地，所述Bank层31优选在所述漏极221远离所述源极一端的上方形成第一曝光区域。所述第一次曝光、显影处理后，所述第一曝光区域内的Bank材料发生光解反应，去掉所述第一曝光区域内的Bank材料，由此获得的层结构可作为刻蚀所述钝化层/平坦层23的掩膜，如图5所示。
刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层23，使所述钝化层/平坦层23在所述漏极221上形成坑位231，所述坑位231露出部分或全部所述漏极221，如图6所示。进一步地，所述坑位231优选露出所述漏极221远离所述源极一端。
采用第二掩膜板5对所述Bank层3’进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素31的像素界定层3，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层3’形成第二曝光区域，且第二次曝光区域包括所述第一次曝光区域(即形成的所述子像素31的开口大于所述坑位231的开口)，如图7所示。
上述步骤Q03中，在所述子像素31内制备QLED1，如图8所示。所述聚合物直接沉积在所述子像素31并填充所述坑位231，使得在所述子像素内形成与所述TFT阵列22中的所述漏极221相连的阳极11。本发明实施例中，所述阳极的厚度为100-200nm。本发明实施例在所述像素界定层3上设置整层的阴极16。
本发明实施例中，所述QLED1中各层结构的沉积均采用溶剂加工的方式实现沉积，所述溶液加工方式包括但不限于旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉或喷墨。具体的，作为优选实施例，所述阳极11采用丝网印刷或喷墨印刷方式沉积；所述量子点发光层采用丝网印刷或喷墨印刷方式沉积。
本发明实施例所述QLED1的各层结构的材料、各层结构的设置如上文所述，此处不再赘述。
在所述子像素31内制备QLED1的QLED显示屏结构如图3所示。
本发明实施例提供的QLED显示屏的制备方法，以Bank材料为光刻掩膜，在覆盖了所述钝化层/平坦层的TFT阵列上，通过两次显影和一次刻蚀工艺，直接定义出了适合全印刷工艺制备的显示屏子像素坑，大大简化了QLED显示屏的制作工艺以及制作成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列、以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极，其特征在于，所述钝化层/平坦层在所述漏极上设置有坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；
所述像素界定层在所述坑位上方对应设置有子像素，且所述子像素的开口大于所述坑位的开口；
所述QLED设置在所述子像素中，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连。
2.如权利要求1所述的QLED显示屏，其特征在于，所述聚合物为PEDOT。
3.如权利要求1或2所述的QLED显示屏，其特征在于，所述阴极的材料选自铝微米或纳米级导电材料胶浆、金微米或纳米级导电材料胶浆、银微米或纳米级导电材料胶浆、铜微米或纳米级导电材料胶浆、锌微米或纳米级导电材料胶浆中的至少一种。
4.一种QLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一TFT背板，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列，以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极；
在所述TFT背板上沉积Bank材料形成Bank层，其中，所述Bank材料为正性光刻胶；采用第一掩膜板对所述Bank层进行第一次曝光、显影处理，使所述Bank层形成第一曝光区域；刻蚀所述第一曝光区域下的所述钝化层/平坦层，使所述钝化层/平坦层在所述漏极上形成坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；采用第二掩膜板对所述Bank层进行第二次曝光、显影处理，得到形成有子像素的像素界定层，所述第二次曝光、显影处理使所述Bank层形成第二曝光区域，且第二次曝光区域包括所述第一次曝光区域；
在所述子像素内制备QLED，且所述阳极的材料填充所述漏极的坑位使得所述阳极和所述漏极相连，其中，所述QLED的制备方法，包括以下步骤：
分别提供所述阳极、量子点发光层和阴极的材料溶液：聚合物溶液、量子点溶液和微米或纳米级导电材料胶浆；且所述聚合物溶液中的的聚合物的电导率＞0.1S；
沉积所述聚合物溶液形成阳极；
在所述阳极上沉积所述量子点溶液形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极。
5.如权利要求4所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述聚合物为PEDOT。
6.如权利要求4所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述阴极的材料选自铝微米或纳米级导电材料胶浆、金微米或纳米级导电材料胶浆、银微米或纳米级导电材料胶浆、铜微米或纳米级导电材料胶浆、锌微米或纳米级导电材料胶浆中的至少一种。
7.如权利要求4至6任一项所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，沉积所述聚合物溶液形成阳极后，还包括对所述阳极进行热处理，所述热处理的温度为100-250℃。
8.如权利要求4至6任一项所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上沉积所述微米或纳米级导电材料胶浆形成阴极后，还包括对所述阴极依次进行热处理和退火处理，其中，所述热处理的温度为50-80℃，所述退火处理的温度为100-160℃。
9.如权利要求4至6任一项所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，本所述坑位露出部分所述漏极。
10.如权利要求9所述的QLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述坑位露出所述漏极远离源极的一端。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101810055A (zh) * | 2007-09-28 | 2010-08-18 | 大日本印刷株式会社 | 发光元件 |
| CN101916831A (zh) * | 2010-06-30 | 2010-12-15 | 华南理工大学 | 一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法 |
| CN102150301A (zh) * | 2008-09-08 | 2011-08-10 | 恩福塞尔有限公司 | 阳极和制造阳极的方法 |
| CN102956676A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件 |
| CN103700685A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100754396B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자점 발광소자 및 그 제조방법 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101810055A (zh) * | 2007-09-28 | 2010-08-18 | 大日本印刷株式会社 | 发光元件 |
| CN102150301A (zh) * | 2008-09-08 | 2011-08-10 | 恩福塞尔有限公司 | 阳极和制造阳极的方法 |
| CN101916831A (zh) * | 2010-06-30 | 2010-12-15 | 华南理工大学 | 一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法 |
| CN102956676A (zh) * | 2012-11-02 | 2013-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件 |
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