CN111900256B - 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 - Google Patents

一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111900256B
CN111900256B CN202010789320.5A CN202010789320A CN111900256B CN 111900256 B CN111900256 B CN 111900256B CN 202010789320 A CN202010789320 A CN 202010789320A CN 111900256 B CN111900256 B CN 111900256B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
functional
emitting
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010789320.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111900256A (zh
Inventor
张振琦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010789320.5A priority Critical patent/CN111900256B/zh
Publication of CN111900256A publication Critical patent/CN111900256A/zh
Priority to US17/195,714 priority patent/US11765922B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111900256B publication Critical patent/CN111900256B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术无法实现对载流子功能层进行高精度图案化的问题。所述显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧相对设置的第一电极层和第二电极层，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层，以及位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层；所述发光层具有多个出光波段不同的发光部；所述载流子功能层具有与所述发光部对应的载流子功能部，所述载流子功能部具有分子链，所述分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成。

Description

一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。
背景技术
量子点的图形化方案主要有打印、转印、光刻等等。目前最成熟的方案是打印，可以直接用有机发光显示面板打印设备。优势是可以单独对每个像素内的材料和膜厚进行调整，但是最大的缺点是无法用于高分辨率的产品。目前最高分辨率的打印产品，分辨率约为250ppi，完全无法满足手机这类高分辨率产品的需求。
光刻是解决高分辨率的一个重要手段。目前有很多基于光刻法的量子点发光层图形化方案，但是对应的其它载流子功能层如何实现图形化是一个问题，即，现有技术无法实现对载流子功能层进行高精度图案化。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术无法实现对载流子功能层进行高精度图案化的问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧相对设置的第一电极层和第二电极层，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层，以及位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层；
所述发光层具有多个出光波段不同的发光部；所述载流子功能层具有与所述发光部对应的载流子功能部，所述载流子功能部具有分子链，所述分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成。
在一种可能的实施方式中，所述载流子功能部包括纳米粒子主体以及与所述纳米粒子主体连接的配体，所述配体具有所述功能基团。
在一种可能的实施方式中，所述载流子功能部包括纳米粒子主体以及添加剂，所述添加剂具有所述功能基团。
在一种可能的实施方式中，所述载流子功能部还包括第一产物，所述第一产物为光引发剂或光催化剂促进所述功能基团交联反应的产物。
在一种可能的实施方式中，所述光引发剂为偶氮二异丁腈或光致生酸剂。
在一种可能的实施方式中，所述功能基团为以下之一或组合：
碳碳双键；
环氧。
在一种可能的实施方式中，出光波段不同的所述发光部对应的所述载流子功能部的厚度不同。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极层位于所述衬底基板与所述发光层之间，所述第二电极层位于所述发光层的背离所述衬底基板的一侧。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极层为阳极层，所述载流子功能层为空穴注入层和/或空穴传输层；所述第二电极层为阴极层，所述载流子功能层为电子注入层和/或电子传输层。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极层为阴极，所述载流子功能层为电子注入层和/或电子传输层；所述第二电极层为阳极，所述载流子功能层为空穴注入层和/或空穴传输层。
在一种可能的实施方式中，所述发光部包括第一类发光部和第二类发光部；所述第一类发光部所在区域中，第一载流子为多数载流子，所述第二类发光部所在区域中，所述第一载流子为少数载流子；所述第一载流子与所述第一电极层注入的载流子的电荷正负性相同；
所述第一电极层与所述发光层之间具有所述载流子功能层；与所述第一类发光部对应的所述载流子功能部的厚度，大于与所述第二类发光部对应的所述载流子功能部的厚度。
在一种可能的实施方式中，所述阳极为透明阳极；所述阴极为反射阴极；或者，所述阳极为反射阳极层；所述阴极为透明电极。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。
本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述的显示面板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成相对设置的第一电极层和第二电极层，以及形成位于所述第一电极层和所述第二电极层之间具有多个发光部的发光层，以及形成位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层，所述发光层具有多个出光波段不同的发光部；
其中，所述形成位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层，包括：
在所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者，形成包括功能基团的发光功能薄膜；
对含有所述功能基团的所述发光功能薄膜在图案化的掩膜板的遮挡下进行光照，以使被光照射的所述发光功能薄膜中的所述功能基团发生相互交联；
在溶液中进行清洗，以使未被光照的所述发光功能薄膜在所述溶液中被溶解去除。
在一种可能的实施方式中，所述对含有所述功能基团的所述发光功能薄膜在图案化的掩膜板的遮挡下进行光照，包括：
采用灰度曝光工艺，以在与不同出光波段的所述发光部所对应的区域形成不同厚度的所述载流子功能部。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，载流子功能层包括与发光部对应的载流子功能部，载流子功能部具有光照后的功能基团，进而在制作显示面板的载流子功能层时，可以先形成具有功能基团的发光功能薄膜，通过图案化的掩膜板对发光功能薄膜进行照射，光照后的发光功能薄膜可以通过功能基团发生相互交联，在后续通过溶液清洗时，可以保留，不易被去除，而对于没有被光照的发光功能薄膜，在通过溶液进行清洗时，可以溶解于溶液，进而被去除，实现通过光刻方式对发光功能薄膜进行图案化，该种光刻载流子功能层的方式可以与光刻发光层方式进行统一，有利于显示面板多个膜层的统一制作，而且，相比于喷墨打印方式进行图案化，光刻方式图案化，可以实现显示面板的高分辨率制作，此外，采用光刻方式获得的具有多个载流子功能部的载流子功能层，可以使不同的发光部对应的载流子功能部的厚度不同，有利于实现对不同的出光波段的区域进行载流子平衡调节(例如，显示面板中包括出射红光的区域，出射绿光的区域，出射蓝光的区域，不同出光区域处的发光层所采用的材料不同，进而导致所需的载流子注入数量不同，而不同区域的载流子功能部可以实现对载流子的注入数量进行调控)，实现显示面板的高出光效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的仅在第一电极层与发光层之间设置有载流子功能层的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的仅在第二电极层与发光层之间设置有载流子功能层的显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的在第一电极层与发光层之间、第二电极层与发光层之间均设置有载流子功能层的显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种正置型底发射显示面板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种正置型顶发射显示面板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种倒置型底发射显示面板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种倒置型顶发射显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1、图2和图3所示，本发明实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧相对设置的第一电极层21和第二电极层22，位于第一电极层21和第二电极层22之间的发光层4，以及位于第一电极层21与发光层4之间、第二电极层22与发光层4之间中至少一者的载流子功能层3，例如，如图1所示，可以仅是在第一电极层21与发光层4之间设置载流子功能层3，又例如，如图2所示，可以仅是在第二电极层22与发光层4之间设置载流子功能层3，又例如，如图3所示，也可以既在第一电极层21与发光层4之间，也在第二电极层22与发光层4之间设置载流子功能层3；在第二电极层22与发光层4之间设置载流子功能层3；
发光层4具有多个出光波段不同的发光部40(例如，包括出射第一光波段的第一发光部41，出射第二光波段的第二发光部42，出射第三光波段的第三发光部43，第一光波段的波长范围大于第二光波段的波长范围，第二光波段的波长范围大于第三光波段的范围，例如，第一光波段为红光波段，波长范围为622nm-760nm，第二光波段为绿光波段，波长范围为492nm-577nm，第三光波段为蓝光波段，波长范围为435nm-450nm)；载流子功能层3具有与发光部40对应的载流子功能部30(例如载流子功能层3(31)包括与第一发光部41对应的第一载流子功能部311，与第二发光部42对应的第二载流子功能部312，与第三发光部43对应的第三载流子功能部313，其中，第一载流子功能部311在衬底基板1的正投影与第一发光部41在衬底基板的正投影重叠，第二载流子功能部312在衬底基板1的正投影与第二发光部42在衬底基板的正投影重叠，第三载流子功能部313在衬底基板1的正投影与第三发光部43在衬底基板的正投影重叠，不同载流子功能部30之间相互间隔，具有间隙)，载流子功能部30具有分子链，分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成，例如，两个烯烃单体(含有的功能基团为碳碳双键)，光照后变成环丁基(四个碳组成的环)，又例如，单体为巯基和烯烃，光照后得到硫醚，本身是两个功能基团，反应之后变成了一个整体基团，即认为是交联了。
本发明实施例中，载流子功能层包括与发光部对应的载流子功能部，载流子功能部具有分子链，分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成，进而在制作显示面板的载流子功能层时，可以先形成具有功能基团的发光功能薄膜，通过图案化的掩膜板对发光功能薄膜进行照射，光照后的发光功能薄膜可以通过功能基团发生相互交联，在后续通过溶液清洗时，可以保留，不易被去除，而对于没有被光照的发光功能薄膜，在通过溶液进行清洗时，可以溶解于溶液，进而被去除，实现通过光刻方式对发光功能薄膜进行图案化，该种光刻载流子功能层的方式可以与光刻发光层方式进行统一，有利于显示面板多个膜层的统一制作，而且，相比于喷墨打印方式进行图案化，光刻方式图案化，可以实现显示面板的高分辨率制作，此外，采用光刻方式获得的具有多个载流子功能部的载流子功能层，可以使不同的发光部对应的载流子功能部的厚度不同，有利于实现对不同的出光波段的区域进行载流子平衡调节(例如，显示面板中包括出射红光的区域，出射绿光的区域，出射蓝光的区域，不同出光区域处的发光层所采用的材料不同，进而导致所需的载流子注入数量不同，而不同区域的载流子功能部的厚度不同可以实现对载流子的注入数量进行调控)，实现显示面板的高出光效率。
在具体实施时，显示面板还包括位于相邻发光部40之间的挡墙9。
在具体实施时，载流子功能部30包括纳米粒子主体以及与纳米粒子主体连接的配体，配体具有功能基团。本发明实施例中，载流子功能部30包括纳米粒子主体以及与纳米粒子主体连接的配体，配体具有功能基团，可以在光照后通过纳米粒子的直接交联形成薄膜。
在具体实施时，载流子功能部30包括纳米粒子主体以及添加剂，添加剂具有功能基团。本发明实施例中，载流子功能部30包括纳米粒子主体以及添加剂，添加剂具有功能基团，即，功能基团可以是单独作为添加剂添加到体系中，含有可功能基团的分子交联后形成网络状的大分子固定纳米材料。
在具体实施时，载流子功能部30还包括第一产物，第一产物为光引发剂或光催化剂促进功能基团交联反应的产物，即，为了促进光照时使功能基团发生交联，可以在制作载流子功能部30时，加入光引发剂或光催化剂，对于最终形成的显示面板，载流子功能部30可以包括光引发剂或光催化剂反应后产生的第一产物。具体的，例如，光引发剂具体可以为偶氮二异丁腈(azodiisobutyronitrile；azobisisobutyronitrile，AIBN)，在光照时，可以发生如下反应：
则，第一产物可以为C(CH3)2(CN)·，当然，若AIBN未完全反应，第一产物还可以包括AIBN本身，即，C(CH3)2(CN)N＝NC(CH3)2(CN)。又例如，光催化剂为光致生酸剂(Photo Acid Generator，PAG)，PAG具体为如下结构式：
其中的-CCl3部分，光照后，其中一个CCl3会脱掉一个Cl变成CHCl2，也有可能会继续脱掉Cl变成CH2Cl2，也有可能两个CCl3都脱掉一部分Cl，第一产物具体可以为以下之一或组合：
又例如，PAG具体为如下结构式：
其中的-CCl3部分，光照后，其中一个CCl3会脱掉一个Cl变成CHCl2，也有可能会继续脱掉Cl变成CH2Cl2，也有可能两个CCl3都脱掉一部分Cl，第一产物具体可以为以下之一或组合：
又例如，PAG具体为如下结构式：
其中的-CCl3部分，光照后，其中一个CCl3会脱掉一个Cl变成CHCl2，也有可能会继续脱掉Cl变成CH2Cl2，也有可能两个CCl3都脱掉一部分Cl，第一产物具体可以为以下之一或组合：
当然，若反应不完全，第一产物还可以包括PAG本身。
在具体实施时，功能基团为以下之一或组合：
碳碳双键；
环氧。
在具体实施时，出光波段不同的发光部40对应的载流子功能部30的厚度不同。例如，结合图1、图2所示，与第一发光部41对应的第一载流子功能部311的厚度大于与第二发光部42对应的第二载流子功能部312的厚度，与第二发光部42对应的第二载流子功能部312的厚度大于与第三发光部43对应的第三载流子功能部313的厚度。本发明实施例中，出光波段不同的发光部40对应的载流子功能部30的厚度不同，有利于实现对不同的出光波段的区域进行载流子平衡调节，实现显示面板的高出光效率。
在具体实施时，发光部40包括第一类发光部和第二类发光部；第一类发光部所在区域中，第一载流子为多数载流子，第二类发光部所在区域中，第一载流子为少数载流子；第一载流子与第一电极层21注入的载流子的电荷正负性相同；第一电极层21与发光层4之间具有载流子功能层3；与第一类发光部对应的载流子功能部30的厚度，大于与第二类发光部对应的载流子功能部30的厚度。例如，可以将出射红光的第一发光部41作为第一类发光部，将出射绿光的第二发光部42作为第二类发光部，第一电极层21具体为阴极，第一载流子具体为电子，对于出射红光的第一类发光部41所在的发光器件中，电子为多数载流子，对于出射绿光的第二发光部42所在的发光器件中，电子为少数载流子，为了最佳的载流子平衡，对于红色器件(第一发光部41所在区域)需要加厚载流子功能部30，降低电子的注入，而对于蓝色器件(第二发光部42所在区域)来说应该减薄载流子功能部30，增加电子注入。在具体实施时，可以根据预先调试出射不同光色的发光器件的载流子的数量情况确定第一类发光部和第二类发光部，例如，对于出射红光的发光器件，在每一膜层材料均确定的情况下，通过测试该发光器件的发光效率，并调整例如电子传输层的厚度，若加厚了电子传输层的厚度，则说明阻挡电子可以提高发光效率，反推出调整电子传输层厚度之前的发光器件中，电子较多，电子是多数载流子，需要减少，类似的，若确定出射绿光的发光器件中，电子是少数载流子，则可以使红色发光器件对应的电子传输层的厚度大于绿色发光器件的电子传输层的厚度，以实现不同出光波段区域的载流子平衡调控。
在具体实施时，结合图1、图2和图3所示，第一电极层21位于衬底基板1与发光层4之间，第二电极层22位于发光层4的背离衬底基板1的一侧。第一电极层21可以包括多个相互间隔的第一电极20。第二电极层22具体可以为一整层的结构。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示面板，可以为正置结构，具体的，可以是正置结构中的底发射结构，也可以是正置结构中的顶发射结构；也可以为倒置结构，具体的，可以是倒置结构中的底发射结构，也可以是倒置结构中的顶发射结构，以下进行具体举例说明。
例如，显示面板为正置结构，且为底发射结构，第一电极层21可以为阳极，阳极为透明阳极，载流子功能层3可以为空穴注入层和/或空穴传输层；第二电极层22为阴极层，阴极为反射阴极，载流子功能层3可以为电子传输层。具体的，例如，参见图4所示，显示面板可以包括依次位于衬底基板1一侧的第一电极层21(透明阳极，具体材料可以为氧化铟锡)、载流子功能层3(空穴传输层，具体材料可以为具有功能基团的NiO纳米粒子)、发光层4、载流子功能层3(电子传输层，具体材料可以为ZnO)、第二电极层22(具体材料可以为Al)。具体制作步骤可以为：1)、对含ITO透明电极(阳极)的玻璃衬底的清洗(用去离子水和乙醇清洗并且超声处理20分钟，然后用氮气枪迅速地吹干，再臭氧处理10分钟，以清洁ITO表面，并提升ITO电极的功函数)；2)、空穴传输层(HT层)的制作：将具有交联能力的NiO纳米粒子涂布在基板表面，利用灰度曝光，得到R/G/B像素内部不同厚度的HT层；3)、发光层(QD)的制作：利用光刻法分别制备R/G/B三个像素的量子点层；4)、电子传输层的制作：利用喷涂等手段，制备非图形化的ZnO层；5)、阴极的制作：蒸镀阴极电极铝，得到量子点电致发光器件，器件中HT、QD层厚度可单独控制，ZnO可以为统一厚度。
例如，显示面板为正置结构，且为顶发射结构，第一电极层21可以为反射阳极，载流子功能层3可以为空穴注入层和/或空穴传输层；第二电极层22为阴极层，阴极为透明电极，载流子功能层3可以为电子传输层。具体的，参见图5所示，显示面板可以包括依次位于衬底基板1一侧的第一电极层21(反射阳极，具体材料可以为ITO/Ag/ITO)、载流子功能层3(空穴传输层HT，具体材料可以为具有功能基团的NiO纳米粒子)、发光层4、载流子功能层3(电子传输层，具体材料可以为ZnO)、第二电极层22(半透阴极，具体材料可以为Mg:Ag/ITO，一方面作为阴极提供电子，一方面具有一定透过率，是光线从器件中发射出来的电极)。对于红色发光器件(也即第一发光部41所在区域)，G-QLED:ITO(100nm)/Ag(100nm)/ITO(100nm)/NiO(60nm)/QD(25nm)/ZnO(75nm)/Mg:Ag(30nm)/ITO(200nm)；对于绿色发光器件(也即第二发光部42所在区域)，G-QLED:ITO(100nm)/Ag(100nm)/ITO(100nm)/NiO(40nm)/QD(20nm)/ZnO(65nm)/Mg:Ag(30nm)/ITO(200nm)；对于蓝色发光器件(也即第三发光部43所在区域)，R-QLED:ITO(100nm)/Ag(100nm)/ITO(100nm)/NiO(35nm)/QD(20nm)/ZnO(40nm)/Mg:Ag(30nm)/ITO(200nm)；具体制作步骤可以为：1)、含ITO/Ag/ITO阳极的玻璃衬底的清洗(用去离子水和乙醇清洗并且超声处理20分钟，然后用氮气枪迅速地吹干，再臭氧处理10分钟，以清洁ITO表面，并提升ITO电极的功函数)；2)、空穴传输层(HT层)的制作：将具有交联能力的NiO纳米粒子涂布在基板表面，利用灰度曝光，得到R/G/B像素内部不同厚度的HT层，其中R像素厚度为60nm，G像素厚度为40nm，B像素厚度为35nm；3)、发光层的制作：利用光刻法分别制备R/G/B三个像素的量子点层；其中R像素厚度为25nm，G像素厚度为20nm，B像素厚度为20nm；4)、电子传输层(ET层)的制作：将具有交联能力的ZnO纳米粒子涂布在基板表面，利用灰度曝光，得到R/G/B像素内部不同厚度的ET层，其中R像素厚度为75nm，G像素厚度为65nm，B像素厚度为40nm；5)、阴极的制作：利用蒸镀的方法制备Mg:Ag30nm，再用sputter溅射200nm的ITO得到半透阴极。其中一方面Mg:Ag作为阴极相比ITO具有和ZnO更匹配的功函，另一方面溅射ITO时粒子可能会损坏ZnO层，因此Mg:Ag还作为缓冲层对ZnO起到保护作用。需要说明的是，对于底发射器件，只需要考虑载流子的平衡，基本不需要考虑光学的影响，因此，即使不是满足载流子平衡的最佳膜厚，对器件的性能损失也有限。而对于顶发射器件来说，除了载流子平衡，还需要控制光学微腔效应，因此，如果膜厚不合适，一方面载流子不平衡影响效率，另一方面微腔效应也会影响效率，因此顶发射器件中需要更为精确的调节各层的厚度。
又例如，显示面板为倒置结构，且为底发射结构，第一电极层21为透明阴极，载流子功能层3为电子注入层和/或电子传输层；第二电极层22为阳极，阳极为反射阳极，载流子功能层3为空穴注入层和/或空穴传输层。具体的，参见图6所示，显示面板可以包括依次位于衬底基板1一侧的第一电极层21(透明阴极，具体材料可以为ITO)、载流子功能层3(电子传输层ET，具体材料可以为具有功能基团的ZnO纳米粒子)、发光层4、载流子功能层3(空穴传输层，具体材料可以为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，NPB)、载流子功能层3(空穴注入层，具体材料可以为HAT-CN)、第二电极层22(反射阳极，具体材料可以为Al)；对于红色发光器件(也即第一发光部41所在区)，RQD:ITO(100nm)/ZnO(50nm)/RQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)对于绿色发光器件(也即第二发光部42所在区域)GQD:ITO(100nm)/ZnO(35nm)/GQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)；对于蓝色发光器件(也即第三发光部43所在区域)BQD:ITO(100nm)/ZnO(20nm)/BQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)；具体制作步骤可以为：1)、含ITO透明电极(阴极)的玻璃衬底的清洗：用去离子水和乙醇清洗并且超声处理20分钟，然后用氮气枪迅速地吹干，再臭氧处理10分钟，以清洁ITO表面，并提升ITO电极的功函数；2)、电子传输层(ET)的制作：将具有交联能力的ZnO纳米粒子涂布在基板表面，利用灰度曝光，得到R/G/B像素内部不同厚度的ET层，其中R像素厚度为50nm，G像素厚度为35nm，B像素厚度为20nm；3)、发光层的制作：利用光刻法分别制备R/G/B三个像素的量子点层；厚度均为20nm；4)、空穴传输层的制作：利用open mask进行HT、HI等材料的蒸镀，得到非图形化的25nm NPB和20nm HAT-CN；5)、阴极的制作：蒸镀100nm的铝作为阴极，得到实施例的量子点电致发光器件。
又例如，显示面板为倒置结构，且为顶发射结构，第一电极层21为反射阴极，载流子功能层3为电子注入层和/或电子传输层；第二电极层22为透明阳极，载流子功能层3为空穴注入层和/或空穴传输层。具体的，参见图7所示，显示面板可以包括依次位于衬底基板1一侧的第一电极层21(反射阴极，具体材料可以为ITO/Ag/ITO)、载流子功能层3(电子传输层ET，具体材料可以为具有功能基团的ZnO纳米粒子)、发光层4、载流子功能层3(空穴传输层，具体材料可以为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，NPB)、载流子功能层3(空穴注入层，具体材料可以为HAT-CN)、第二电极层22(半透明阳极，具体材料可以为Mg:Ag/ITO)；对于红色发光器件(也即第一发光部41所在区)，RQD:ITO(100nm)/ZnO(50nm)/RQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)；对于绿色发光器件(也即第二发光部42所在区域)GQD:ITO(100nm)/ZnO(35nm)/GQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)；对于蓝色发光器件(也即第三发光部43所在区域)BQD:ITO(100nm)/ZnO(20nm)/BQD(20nm)/NPB(25nm)/HAT-CN(20nm)/Al(100nm)；具体制作步骤可以为：1)、含ITO/Ag/ITO反射阴极的玻璃衬底的清洗：用去离子水和乙醇清洗并且超声处理20分钟，然后用氮气枪迅速地吹干，再臭氧处理10分钟，以清洁ITO表面，并提升ITO电极的功函数；2)、电子传输层(ET)的制作：将具有交联能力的ZnO纳米粒子涂布在基板表面，利用灰度曝光，得到R/G/B像素内部不同厚度的ET层，其中R像素厚度为50nm，G像素厚度为35nm，B像素厚度为20nm；3)、发光层的制作：利用光刻法分别制备R/G/B三个像素的量子点层；厚度均为20nm；4)、空穴传输层的制作：利用open mask进行HT、HI等材料的蒸镀，得到非图形化的25nm NPB和20nm HAT-CN；5)、阳极的制作：利用蒸镀的方法制备Mg:Ag 30nm，再用sputter溅射200nm的ITO得到半透阴极。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。
本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的显示面板的制作方法，参见图8所示，包括：
步骤S100、提供一衬底基板；
步骤S200、在衬底基板的一侧形成相对设置的第一电极层和第二电极层，以及形成位于第一电极层和第二电极层之间具有多个发光部的发光层，以及形成位于第一电极层与发光层之间、第二电极层与发光层之间中至少一者的载流子功能层，发光层具有多个出光波段不同的发光部；
其中，形成位于第一电极层与发光层之间、第二电极层与发光层之间中至少一者的载流子功能层，包括：
步骤S201、在第一电极层与发光层之间、第二电极层与发光层之间中至少一者，形成包括功能基团的发光功能薄膜；
步骤S202、对含有功能基团的发光功能薄膜在图案化的掩膜板的遮挡下进行光照，以使被光照射的发光功能薄膜中的功能基团发生相互交联；具体的，可以采用灰度曝光工艺，以在与不同出光波段的发光部所对应的区域形成不同厚度的载流子功能部；
步骤S203、在溶液中进行清洗，以使未被光照的发光功能薄膜在溶液中被溶解去除。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，载流子功能层包括与发光部对应的载流子功能部，载流子功能部具有光照后的功能基团，进而在制作显示面板的载流子功能层时，可以先形成具有功能基团的发光功能薄膜，通过图案化的掩膜板对发光功能薄膜进行照射，光照后的发光功能薄膜可以通过功能基团发生相互交联，在后续通过溶液清洗时，可以保留，不易被去除，而对于没有被光照的发光功能薄膜，在通过溶液进行清洗时，可以溶解于溶液，进而被去除，实现通过光刻方式对发光功能薄膜进行图案化，该种光刻载流子功能层的方式可以与光刻发光层方式进行统一，有利于显示面板多个膜层的统一制作，而且，相比于喷墨打印方式进行图案化，光刻方式图案化，可以实现显示面板的高分辨率制作，此外，采用光刻方式获得的具有多个载流子功能部的载流子功能层，可以使不同的发光部对应的载流子功能部的厚度不同，有利于实现对不同的出光波段的区域进行载流子平衡调节(例如，显示面板中包括出射红光的区域，出射绿光的区域，出射蓝光的区域，不同出光区域处的发光层所采用的材料不同，进而导致所需的载流子注入数量不同，而不同区域的载流子功能部可以实现对载流子的注入数量进行调控)，实现显示面板的高出光效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧相对设置的第一电极层和第二电极层，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层，以及位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层；
所述发光层具有多个出光波段不同的发光部；所述载流子功能层具有与所述发光部对应的载流子功能部，所述载流子功能部具有分子链，所述分子链由含有功能基团的单体经光照发生交联形成，其中，所述功能基团被配置为在制作所述载流子功能部时，被光照射后时发生相互交联，保留在所述显示面板，未被照射的区域被去除，以使所述载流子功能层实现光刻图案化；
所述载流子功能层通过以下步骤形成：
在所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者，形成包括功能基团的发光功能薄膜；
采用灰度曝光工艺，以在与不同出光波段的所述发光部所对应的区域形成不同厚度的所述载流子功能部，以使被光照射的所述发光功能薄膜中的所述功能基团发生相互交联；
在溶液中进行清洗，以使未被光照的所述发光功能薄膜在所述溶液中被溶解去除。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述载流子功能部包括纳米粒子主体以及与所述纳米粒子主体连接的配体，所述配体具有所述功能基团。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述载流子功能部包括纳米粒子主体以及添加剂，所述添加剂具有所述功能基团。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述载流子功能部还包括第一产物，所述第一产物为光引发剂或光催化剂促进所述功能基团交联反应的产物。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述光引发剂为偶氮二异丁腈或光致生酸剂。
6.如权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述功能基团为以下之一或组合：
碳碳双键；
环氧。
7.如权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，出光波段不同的所述发光部对应的所述载流子功能部的厚度不同。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层位于所述衬底基板与所述发光层之间，所述第二电极层位于所述发光层的背离所述衬底基板的一侧。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层为阳极层，所述载流子功能层为空穴注入层和/或空穴传输层；所述第二电极层为阴极层，所述载流子功能层为电子注入层和/或电子传输层。
10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层为阴极，所述载流子功能层为电子注入层和/或电子传输层；所述第二电极层为阳极，所述载流子功能层为空穴注入层和/或空穴传输层。
11.如权利要求9或10所述的显示面板，其特征在于，所述发光部包括第一类发光部和第二类发光部；所述第一类发光部所在区域中，第一载流子为多数载流子，所述第二类发光部所在区域中，所述第一载流子为少数载流子；所述第一载流子与所述第一电极层注入的载流子的电荷正负性相同；
所述第一电极层与所述发光层之间具有所述载流子功能层；与所述第一类发光部对应的所述载流子功能部的厚度，大于与所述第二类发光部对应的所述载流子功能部的厚度。
12.如权利要求9或10所述的显示面板，其特征在于，所述阳极为透明阳极；所述阴极为反射阴极；或者，所述阳极为反射阳极层；所述阴极为透明电极。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的显示面板。
14.一种如权利要求1-12任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成相对设置的第一电极层和第二电极层，以及形成位于所述第一电极层和所述第二电极层之间具有多个发光部的发光层，以及形成位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层，所述发光层具有多个出光波段不同的发光部；
其中，所述形成位于所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者的载流子功能层，包括：
在所述第一电极层与所述发光层之间、所述第二电极层与所述发光层之间中至少一者，形成包括功能基团的发光功能薄膜；
采用灰度曝光工艺，以在与不同出光波段的所述发光部所对应的区域形成不同厚度的所述载流子功能部，以使被光照射的所述发光功能薄膜中的所述功能基团发生相互交联；
在溶液中进行清洗，以使未被光照的所述发光功能薄膜在所述溶液中被溶解去除。
CN202010789320.5A 2020-08-07 2020-08-07 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 Active CN111900256B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010789320.5A CN111900256B (zh) 2020-08-07 2020-08-07 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
US17/195,714 US11765922B2 (en) 2020-08-07 2021-03-09 Display panel, display device and fabricating method of display panel comprising carrier functional layer having molecular chanins formed by cross-linking under light irradiation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010789320.5A CN111900256B (zh) 2020-08-07 2020-08-07 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111900256A CN111900256A (zh) 2020-11-06
CN111900256B true CN111900256B (zh) 2024-02-27

Family

ID=73246160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010789320.5A Active CN111900256B (zh) 2020-08-07 2020-08-07 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11765922B2 (zh)
CN (1) CN111900256B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220158107A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Structure and method for patterned quantum dots light emitting diodes (qleds)
CN114220927A (zh) * 2021-12-09 2022-03-22 北京维信诺科技有限公司 有机发光器件及其制备方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449715A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN107603340A (zh) * 2017-10-12 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化锌墨水及其制备方法、电子传输膜层和显示装置
CN108137496A (zh) * 2015-10-16 2018-06-08 洛马克斯有限公司 可交联的电荷传输材料
CN108539029A (zh) * 2018-03-29 2018-09-14 昆山国显光电有限公司 显示基板及显示基板制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101464270B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
US10720591B2 (en) * 2018-03-27 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Crosslinked emissive layer containing quantum dots for light-emitting device and method for making same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108137496A (zh) * 2015-10-16 2018-06-08 洛马克斯有限公司 可交联的电荷传输材料
CN106449715A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN107603340A (zh) * 2017-10-12 2018-01-19 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化锌墨水及其制备方法、电子传输膜层和显示装置
CN108539029A (zh) * 2018-03-29 2018-09-14 昆山国显光电有限公司 显示基板及显示基板制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220045295A1 (en) 2022-02-10
CN111900256A (zh) 2020-11-06
US11765922B2 (en) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5677437B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP5708482B2 (ja) 有機電界発光装置，及び有機電界発光装置の製造方法
JP6080438B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法
US6573650B2 (en) Electroluminescent device and process for producing the same
TWI575791B (zh) 有機發光顯示裝置
US20220165952A1 (en) Nanoparticle, method for patterning nanoparticle layer and light emitting device
CN106601922B (zh) 一种量子点显示面板及其制作方法
JP5677434B2 (ja) 有機ｅｌ素子
CN104377311B (zh) 疏水围堰
JP6560494B2 (ja) 有機ｅｌ照明パネル用基板、有機ｅｌ照明パネル用基板の製造方法、有機ｅｌ照明パネルおよび有機ｅｌ照明装置
CN111900256B (zh) 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
JP5677436B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP4617019B2 (ja) 光触媒含有層を有するｅｌ素子とその製造方法
CN107732029B (zh) 一种oled显示面板及其制作方法
KR20050002270A (ko) 유기 ｅｌ 소자
JPWO2012017486A1 (ja) 発光素子の製造方法
WO2021258885A1 (zh) 量子点发光面板、显示装置和制作方法
WO2022219697A1 (ja) 発光素子の製造方法、発光素子
US20230113550A1 (en) Display device and display device production method
US20230120913A1 (en) Display device and display device production method
CN118019390A (zh) 全彩qled器件及其制备方法
KR100545103B1 (ko) 유기 전계 발광 소자와, 이를 제조하기 위한 방법
CN115843192A (zh) 量子点发光器件及其制备方法、显示装置
CN110911579A (zh) 有机发光二极管显示面板及其制备方法
CN115440763A (zh) 显示器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant