CN118019390A - 全彩qled器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括：基板；像素隔离单元bank，像素隔离单元bank在基板上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，光刻胶保护层设置于全彩QD阵列的上方；透明电极，透明电极设置于光刻胶保护层的上方，其中QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在像素隔离单元bank内。本发明通过在像素隔离单元bank内的全彩QD阵列上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对全彩QD阵列进行保护，实现了高像素密度的全彩QLED器件，并减少了电子的注入，有利于达到电子空穴注入平衡，提高了全彩QLED器件性能。
Description
技术领域
本公开涉及光电技术领域，具体涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)是一种新型的电致发光器件，利用电荷注入激活量子点发光，其具有广色域，亮度高，溶液加工低成本等特点，可满足显示的应用需求。
而现有技术中，实现全彩QLED器件的方法有如转印、喷墨打印、量子点光刻等方法。在喷墨打印方案中，可以使用先制备像素隔离单元bank后打印墨水的方式，制作图案化显示器件，如公告号为CN 106876566 B的中国发明专利，公开了先制备得到功能性高导热像素隔离bank，在像素区域内沉积光学层，随后制备电极层，完成QLED器件的技术方案，但此方案仅能制备得到单色QLED器件，不能满足全彩QLED显示的需求。
而且，喷墨打印方案难以大批量做到20微米以下的像素单元，存在效率低、咖啡环等问题，难以应用于制备高像素密度显示器件。
发明内容
本发明创新地提出了一种全彩QLED器件及其制备方法，在喷墨打印方案的基础上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对全彩QD阵列中不同颜色的量子点发光层进行保护，实现了高效地制备高像素密度的全彩QLED器件，而且量子点无需进行配体交换、QD之间没有有机聚合物阻挡，不影响QD的光电性能和稳定性，兼容传统QLED的制备方法，方法简单。
根据本发明的第一方面，提供了一种全彩QLED器件，其包括：基板；像素隔离单元bank，所述像素隔离单元bank在所述基板上阵列分布；全彩QD阵列，所述全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于所述像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，所述光刻胶保护层设置于所述全彩QD阵列的上方；透明电极，所述透明电极设置于所述光刻胶保护层的上方，其中，所述全彩QD阵列中的QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在所述像素隔离单元bank内。
在一些可选的实施方式中，所述QD功能单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同。
在一些可选的实施方式中，还包括：电子传输层，所述电子传输层设置于所述光刻胶保护层与所述透明电极之间，或者所述电子传输层设置于所述光刻胶保护层与所述全彩QD阵列之间。
在一些可选的实施方式中，所述QD功能单元由下至上依次包括电子传输层、量子点发光层，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同；所述器件还包括：空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述光刻胶保护层的上方；空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述空穴传输层与所述透明电极之间。
在一些可选的实施方式中，其中，所述像素隔离单元bank的尺寸为0.1微米至2000微米。
在一些可选的实施方式中，其中，所述光刻胶保护层的材料为含有空穴半导体材料的光刻胶。
根据本发明的第二方面，提供了一种全彩QLED器件制备方法，其包括：在基板的上方制备阵列分布的多个像素隔离单元bank；在所述多个像素隔离单元bank内，重复利用光刻清洗的方式，依次制备不同颜色的功能层；在不同颜色的功能层的上方制备透明电极，其中，任一次利用所述光刻清洗的方式，制备功能层的过程包括：在所述像素隔离单元bank内沉积当前颜色的功能层，并涂抹光刻胶；利用设置有图案化缝隙的当前遮光板，对功能层进行遮挡并曝光，以在未遮挡区域的功能层上方生成光刻胶保护层；对功能层进行清洗，并重新在清洗后的像素隔离单元bank内沉积下一颜色的功能层。
在一些可选的实施方式中，其中，制备所述功能层的过程至少包括：依次在所述像素隔离单元bank内沉积生成空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，其中，所述功能层的颜色由所述量子点发光层的颜色确定。
在一些可选的实施方式中，还包括：在所述量子点发光层的上方沉积生成电子传输层。
在一些可选的实施方式中，还包括：在所述光刻胶保护层与所述透明电极之间沉积生成电子传输层。
在一些可选的实施方式中，其中，制备所述功能层的过程至少包括：依次在所述像素隔离单元bank内沉积生成电子传输层、量子点发光层，其中，所述功能层的颜色由所述量子点发光层的颜色确定。
在一些可选的实施方式中，还包括：在所述光刻胶保护层的上方依次沉积生成空穴传输层、空穴注入层。
在一些可选的实施方式中，其中，涂抹所述光刻胶的方式为旋涂或喷涂，所述光刻胶为含有空穴半导体材料的光刻胶。
在一些可选的实施方式中，还包括：清洗制备有所述像素隔离单元bank的基板的表面。
在一些可选的实施方式中，其中，任两次对所述功能层进行遮挡的遮光板中的图案化缝隙不同。
在一些可选的实施方式中，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个像素隔离单元bank内的功能层的颜色种类不同
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例至少具有如下优点或有益效果：本发明在全彩QLED器件及其制备方面创新地将多次光刻辅助的方式与喷墨打印方案相结合，在每次完成量子点发光层后制备光刻胶保护层，对量子点发光层进行保护，以便清洗掉未保护部分，为沉积另一种颜色的量子点发光层做准备，实现了高效地制备高像素密度的全彩QLED器件，而且量子点无需进行配体交换、QD之间没有有机聚合物阻挡，不影响QD的光电性能和稳定性，兼容传统QLED的制备方法，方法简单。
附图说明
附图用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例共同用于解释本发明，而不构成对本公开的限制。应当注意，为清楚起见，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。
图1是根据本发明一实施例的全彩QLED器件的示意图。
图2是根据本发明一实施例的全彩QLED器件的部分截面示意图。
图3是根据本发明一实施例的全彩QLED器件制备方法的流程图。
图4是根据本发明一实施例的UV照射处理过程的示意图。
图5是根据本发明一实施例的清洗处理后的产品示意图。
图6是根据本发明一实施例的重新沉积第二功能层的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本发明实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本发明可以不必用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。
本发明创新地提出了一种全彩QLED器件。图1是根据本发明一实施例的全彩QLED器件的示意图。图2是根据本发明一实施例的全彩QLED器件的部分截面示意图。如图1和图2所示，该全彩QLED器件可以包括：基板31；像素隔离单元bank26，多个像素隔离单元bank26在基板31上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元25设置于像素隔离单元bank26内；光刻胶保护层24，光刻胶保护层24设置于全彩QD阵列的上方；透明电极28，透明电极28设置于光刻胶保护层24的上方，其中，全彩QD阵列中各个QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式，顺序填充在像素隔离单元bank之间。
本发明实施例中，基板31作为驱动电路基板，为该全彩QLED器件的阳极电极，相应的，透明电极28则为该全彩QLED器件的阴极电极。
本发明实施例中，可以通过lift-off方法制备像素隔离单元bank26，所使用的光刻聚合物类型可以包括：聚丙烯酸类、聚酰亚胺类、硫醇-烯类等光固化胶水聚合物。
需要说明的是，QLED器件结构包括正置QLED结构和倒置QLED结构两种，其中，正置QLED结构由下至上依次为：空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)、量子点(Quantum Dot，QD)发光层、电子传输层(ElectronTransport Layer，ETL)、透明电极；倒置QLED结构由下至上依次为：电子传输层(ETL)、量子点(QD)发光层、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、透明电极。而QLED器件的发光颜色主要由量子点发光层决定，因此，可以以量子点发光层为界，来确定光刻胶保护层24为位置。结合逐次光刻清洗的方式，利用具有不同种类颜色的量子点发光层，作为不同颜色的发光区域，组成阵列排布的QD功能单元，顺序填充在像素隔离单元bank之间(每次光刻清洗完成一个颜色发光层的填充，不同颜色发光层或发光区域按一定规律间隔排布)。
现以正置QLED结构为例进行说明，在基板31上制备像素隔离单元bank26后，可以进行UV照射和plasma处理清洗表面，制备成阵列分布的多个像素隔离单元bank26，因此，可以在像素隔离单元bank26内的基板上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层，以在每一个像素隔离单元bank26形成一个QD功能单元25，组成全彩QD阵列。
需要说明的是，全彩QD阵列中空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层的制备方法可以是化学法或物理法，其中物理法包括但不限于喷涂法、旋涂法、滚涂法、打印法、印刷法、喷墨法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法；化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。
之后，在本次沉积的量子点发光层上，通过旋涂或喷涂半导体聚合物光刻胶的方式涂抹光刻胶，并利用具有缝隙的遮光板进行遮挡、曝光，以使未遮挡区域的光刻胶固化，形成光刻胶保护层24，在清洗时对其下方的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层进行保护，形成一类QD功能单元25(一种颜色)；而被遮挡部分的光刻胶则仍为液体，可以通过清洗的方式，连同其下方的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层一同去除。
所以，在清洗后的基板上重新沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(不同种类颜色)，再次进行涂抹光刻胶、遮挡、曝光、清洗，则可以形成另一类QD功能单元25(另一种颜色)。因此，可以通过多次重复上述过程，制备多种颜色的QD功能单元25形成全彩QD阵列。
同时，可以通过调整每一次遮光板的缝隙形状、位置，对基板31不同位置进行遮挡，制备不同图案的全彩QD阵列，具体过程不再赘述。
例如，以红、绿、蓝三种颜色为基础、以每三列为一个循环，制备全彩QLED器件，如图1所示，首先在整张基板31上沉积空穴注入层、空穴传输层、红色的量子点发光层，利用第1列、第4列、第7列、…为缝隙的遮光板进行遮挡，待曝光清洗后，则可以在相应位置处形成红色QD功能单元32；然后，重新沉积空穴注入层、空穴传输层以及绿色的量子点发光层，并利用第2列、第5列、第8列、…为缝隙的遮光板进行遮挡，待曝光清洗后，则可以在相应位置处形成绿色QD功能单元33；重复上述过程，则可以在第3列、第6列、第9列、…形成蓝色QD功能单元34，以组成全彩QD阵列。
随后再沉积电子传输层27、透明电极28，则可完成全彩QLED器件的制备。
本发明在喷墨打印方案的基础上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对不同次沉积的QD功能单元进行保护，分批次制备不同颜色的QD功能单元，形成全彩QD阵列，进而得到全彩QLED器件，实现了高效地制备高像素密度的全彩QLED器件，而且量子点无需进行配体交换、QD之间没有有机聚合物阻挡，不影响QD的光电性能和稳定性。
本发明实施例中，对于正置QLED结构而言，QD功能单元25由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，其中，沿基板31长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元25中的量子点发光层的颜色种类不同，各颜色的量子点发光层并排设置，QD功能单元25的颜色种类至少包括三种，为三原色：红色、绿色以及蓝色，也可以根据实际需要设置为其他颜色。
本发明实施例中，该器件还包括电子传输层27，电子传输层27设置于光刻胶保护层24与透明电极28之间，或者电子传输层27设置于光刻胶保护层24与全彩QD阵列之间。
本发明实施例中，对于倒置QLED结构而言，QD功能单元由下至上依次包括电子传输层、量子点发光层，其中，沿基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同，各颜色的量子点发光层并排设置；该器件还包括：空穴传输层，空穴传输层设置于光刻胶保护层的上方；空穴注入层，空穴注入层设置于空穴传输层与透明电极之间。
需要说明的是，倒置QLED结构的全彩QLED器件的制备过程与正置QLED结构的制备过程相似，不再赘述。
本发明实施例中，由于可以通过lift-off方法制备像素隔离单元bank26，因此，可以根据实际需要，对像素隔离单元bank26的尺寸进行调整，像素隔离单元bank26的尺寸为0.1微米至2000微米，再结合喷涂光刻胶制备的光刻胶保护层24，将未受保护区域进行清洗，重新沉积不同颜色的QD功能单元，因此，可以利用喷墨打印方案实现大批量制备20微米以下的QD功能单元(像素单元)。
本发明实施例中，其中，光刻胶保护层24的材料为含有空穴半导体材料的光刻胶，如TFB、poly TPD、PEDOT:PSS、聚苯胺，聚吡咯等。
本发明还提出了一种全彩QLED器件制备方法。图3是根据本发明一实施例的全彩QLED器件制备方法的流程图。如图3所示，该全彩QLED器件制备方法可以包括：
S301：在基板的上方制备阵列分布的多个像素隔离单元bank；例如，可以通过lift-off方法制备像素隔离单元，所使用的光刻聚合物类型可以包括：聚丙烯酸类、聚酰亚胺类、硫醇-烯类等光固化胶水聚合物。
S302：在多个像素隔离单元bank内，重复利用光刻清洗的方式，依次制备不同颜色的功能层；其中，任一次利用光刻清洗的方式，制备功能层的过程包括：在像素隔离单元bank内沉积当前颜色的功能层，并涂抹光刻胶；利用设置有图案化缝隙的当前遮光板，对功能层进行遮挡并曝光，以在未遮挡区域的功能层上方生成光刻胶保护层；对功能层进行清洗，并重新在清洗后的像素隔离单元bank内沉积下一颜色的功能层。
S303：在不同颜色的功能层的上方制备透明电极。
需要说明的是，QLED器件结构包括正置QLED结构和倒置QLED结构两种，其中，正置QLED结构由下至上依次为：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、量子点发光层(QD层)、电子传输层(ETL)、透明电极；倒置QLED结构由下至上依次为：电子传输层(ETL)、量子点发光层(QD层)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、透明电极。而QLED器件的发光颜色主要由量子点发光层决定，因此，可以以量子点发光层为界，来确定光刻胶保护层24为位置。
现以正置QLED结构为例进行说明，在基板上制备阵列分布的多个像素隔离单元bank后，可以采用喷墨打印的方式，在像素隔离单元bank内的基板上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(一种颜色)，作为当前功能层。并在当前功能层的上方整体的涂抹光刻胶。
之后，如图4所示，利用具有图案化缝隙的遮光板进行遮挡并曝光，以使未遮挡区域的光刻胶固化，形成光刻胶保护层，在清洗时对其下方的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(当前功能层)进行保护，即未遮挡区域的像素隔离单元bank内能够形成一种颜色的功能层；而被遮挡部分的光刻胶则仍为液体，可以通过清洗的方式，连同其下方的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层一同去除，如图5所示。
然后，在清洗后的像素隔离单元bank内重新沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层(另一种颜色)，作为下一个功能层，重复上述过程，再次进行涂抹光刻胶、遮挡、曝光、清洗，则可以形成另一种颜色的功能层65，如图6所示。因此，可以通过多次重复上述过程，制备不同颜色的功能层。
最后，在功能层的上方制备电子传输层、透明电极，即可完成正置QLED结构的全彩QLED器件制备。
需要说明的是，对任两种颜色的功能层进行遮挡时，所使用的遮光板中的图案化缝隙不同，即可以通过调整每一次遮光板的缝隙形状、位置，对基板不同位置进行遮挡，制备不同图案的全彩QD阵列，具体过程不再赘述。
本发明实施例中，沿基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个像素隔离单元bank内的功能层的颜色种类不同。
本发明实施例中，对于正置QLED结构而言，制备功能层的过程至少包括：依次在像素隔离单元bank内沉积生成空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，其中，功能层的颜色由量子点发光层的颜色确定，量子点发光层的颜色种类至少包括三种，为三原色：红色、绿色以及蓝色，也可以根据实际需要设置为其他颜色。
本发明实施例中，该方法还包括：在量子点发光层的上方沉积生成电子传输层。
本发明实施例中，该方法还包括：在光刻胶保护层与透明电极之间沉积生成电子传输层，即待沉积生成量子点发光层后，喷涂光刻胶，再结合遮挡、曝光、清洗等方式，制备各类功能层，待完成全部功能层制备后，再依次沉积电子传输层、透明电极。此时，无需多次沉积电子传输层，有助于节省材料。
本发明实施例中，对于倒置QLED结构而言，制备功能层的过程至少包括：依次在像素隔离单元bank内沉积生成电子传输层、量子点发光层，其中，功能层的颜色由量子点发光层的颜色确定，具体制备过程与正置QLED结构相似，不再赘述。
本发明实施例中，量子点发光层的材料可以为II-VIA族化合物、IV-VIA族化合物、III-VA族化合物的至少一种，包括CdTe、CdS、CdSe、CdSeS、ZnSe、InP、PbS、CuInS、ZnSe、ZnCdSe、CdZnSeS等量子点以及包覆一层或多层核壳结构的衍生结构，如钙钛矿量子点材料、有机无机钙钛矿量子、全无机钙钛矿量子点中的至少一种。
本发明实施例中，对于倒置QLED结构而言，相应的制备方法还包括：在光刻胶保护层的上方依次沉积生成空穴传输层、空穴注入层。
其中，空穴注入层材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、酞菁铜(CuPc)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)(PFFSA)的聚噻吩并噻吩(PTT)、MoO3、V2O5、WO3或ReO3等中的一种或多种。
空穴传输层材料包括(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)等中的一种或多种。
透明电极根据量子点的出光类型可以为反射电极(底发射型)或透明电极(顶发射型)，反射电极的材料为Al或Ag等高导电金属薄膜，透明电极的材料为ITO、IZO等导电金属氧化物或石墨烯、导电聚合物等高导有机导电材料。
本发明实施例中，其中，涂抹光刻胶的方式为旋涂或喷涂，光刻胶为含有空穴半导体材料的光刻胶。
本发明实施例中，还包括：清洗制备有像素隔离单元bank的基板的表面，其中。
本发明实施例中，其中，像素隔离单元bank的尺寸为0.1微米至2000微米。
实施例1：
现以制备正置图案化全彩QLED器件为例进行说明，本发明实施例中的制备方法包括：
步骤1、清洗基板，将基板依次放入去离子水、乙醇、丙酮、乙醇中进行超声处理，每次超声的时间为10min。
步骤2、涂抹光刻胶并进行曝光显影，制备长宽分别为15*10微米的像素隔离单元bank，作为像素单元。
步骤3、制备QD功能层。在制备过程中，整面喷涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，并在130℃/20min烘干，其厚度约40nm；之后整面喷涂TFB作为空穴传输层，并在130℃/20min烘干，其厚度约30nm；最后整面沉积红光CdSe量子点，厚度30nm。
步骤4、将含有PEDOT:PSS聚合物的光刻胶进行喷涂，使用特定图案的遮光板遮挡，并进行曝光，只固化特定(未遮挡)的位置，显影制备得到图案化像素单元。
步骤5、进行清洗，重复以上步骤3～4，完成三色(红、绿、蓝)全彩QD功能层的制备。
步骤6、整面喷涂ZnO溶液，并在100℃下烘烤10min，其厚度50nm，作为电子传输层；蒸镀ITO阴极层，形成透明电极，厚度50nm。
完成图案化、全彩QLED器件的制作。
实施例2：
现以制备正置图案化全彩QLED器件为例进行说明，本发明实施例中的制备方法包括：
步骤1、清洗基板，将基板依次放入去离子水、乙醇、丙酮、乙醇中进行超声处理，每次超声的时间为10min。
步骤2、涂抹光刻胶并进行曝光显影，制备长宽分别为20*50微米或者100*500微米的像素隔离单元bank，作为像素单元。
步骤3、制备QD功能层。在制备过程中，整面喷涂PEDOT:PSS作为空穴注入层，并在130℃/20min烘干，其厚度约40nm；之后整面喷涂TFB作为空穴传输层，并在130℃/20min烘干，其厚度约30nm；然后整面沉积红光CdSe量子点，厚度30nm；最后整面喷涂ZnO溶液，并在100℃下烘烤10min，其厚度50nm，作为电子传输层。
步骤4、将含有PEDOT:PSS聚合物的光刻胶进行喷涂，使用特定图案的遮光板遮挡，并进行曝光，只固化特定(未遮挡)的位置，显影制备得到图案化像素单元。
步骤5、进行清洗，重复以上步骤3～4，完成三色(红、绿、蓝)全彩QD功能层的制备。
步骤6、蒸镀ITO阴极层，形成透明电极，厚度50nm。
完成图案化、全彩QLED器件的制作。
本发明在全彩QLED器件及其制备方面创新地重复利用光刻清洗的方式，分多次在制备有像素隔离单元bank的基板上，利用指定位置进行光刻胶曝光所形成的光刻胶保护层，对喷墨打印形成的功能层进行保护，并对未保护区域进行清洗，重新喷墨打印另一种颜色的功能层，并再次涂抹光刻胶，如此反复，实现了高效地制备高像素密度的全彩QLED器件，而且量子点无需进行配体交换、QD之间没有有机聚合物阻挡，不影响QD的光电性能和稳定性，兼容传统QLED的喷墨打印制备方法，方法简单。
应该理解的是，本发明所公开的实施例不限于这里所公开的特定处理步骤或材料，而应当延伸到相关领域的普通技术人员所理解的这些特征的等同替代。还应当理解的是，在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不意味着限制。
说明书中提到的“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，说明书通篇各个地方出现的短语“实施例”并不一定均指同一个实施例。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (16)
1.一种全彩QLED器件，包括：
基板；
像素隔离单元bank，所述像素隔离单元bank在所述基板上阵列分布；
全彩QD阵列，所述全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于所述像素隔离单元bank内；
光刻胶保护层，所述光刻胶保护层设置于所述全彩QD阵列的上方；
透明电极，所述透明电极设置于所述光刻胶保护层的上方，
其中，所述全彩QD阵列中的QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在所述像素隔离单元bank内。
2.根据权利要求1所述的器件，所述QD功能单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，
其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，还包括：
电子传输层，所述电子传输层设置于所述光刻胶保护层与所述透明电极之间，或者
所述电子传输层设置于所述光刻胶保护层与所述全彩QD阵列之间。
4.根据权利要求1所述的器件，所述QD功能单元由下至上依次包括电子传输层、量子点发光层，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同；
所述器件还包括：
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述光刻胶保护层的上方；
空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述空穴传输层与所述透明电极之间。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述像素隔离单元bank的尺寸为0.1微米至2000微米。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光刻胶保护层的材料为含有空穴半导体材料的光刻胶。
7.一种全彩QLED器件制备方法，包括：
在基板的上方制备阵列分布的多个像素隔离单元bank；
在所述多个像素隔离单元bank内，重复利用光刻清洗的方式，依次制备不同颜色的功能层；
在不同颜色的功能层的上方制备透明电极，
其中，任一次利用所述光刻清洗的方式，制备功能层的过程包括：
在所述像素隔离单元bank内沉积当前颜色的功能层，并涂抹光刻胶；
利用设置有图案化缝隙的当前遮光板，对功能层进行遮挡并曝光，以在未遮挡区域的功能层上方生成光刻胶保护层；
对功能层进行清洗，并重新在清洗后的像素隔离单元bank内沉积下一颜色的功能层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，制备所述功能层的过程至少包括：
依次在所述像素隔离单元bank内沉积生成空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，其中，所述功能层的颜色由所述量子点发光层的颜色确定。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述量子点发光层的上方沉积生成电子传输层。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述光刻胶保护层与所述透明电极之间沉积生成电子传输层。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，制备所述功能层的过程至少包括：
依次在所述像素隔离单元bank内沉积生成电子传输层、量子点发光层，其中，所述功能层的颜色由所述量子点发光层的颜色确定。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在所述光刻胶保护层的上方依次沉积生成空穴传输层、空穴注入层。
13.根据权利要求7所述的方法，其中，涂抹所述光刻胶的方式为旋涂或喷涂，所述光刻胶为含有空穴半导体材料的光刻胶。
14.根据权利要求7所述的方法，还包括：
清洗制备有所述像素隔离单元bank的基板的表面。
15.根据权利要求7所述的方法，其中，任两次对所述功能层进行遮挡的遮光板中的图案化缝隙不同。
16.根据权利要求7所述的方法，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个像素隔离单元bank内的功能层的颜色种类不同。
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