WO2022113179A1 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2022113179A1
WO2022113179A1 PCT/JP2020/043704 JP2020043704W WO2022113179A1 WO 2022113179 A1 WO2022113179 A1 WO 2022113179A1 JP 2020043704 W JP2020043704 W JP 2020043704W WO 2022113179 A1 WO2022113179 A1 WO 2022113179A1
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charge transport
material layer
photosensitive resin
light emitting
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PCT/JP2020/043704
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惇 佐久間
康 浅岡
真 北川
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シャープ株式会社
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Definitions

  • This disclosure relates to a manufacturing method of a display device.
  • Display devices such as organic light emitting diode (OLED) display devices and quantum dot light emitting diode (QLED) display devices often include light emitting elements of a plurality of colors.
  • the light emitting device of each color includes a charge transport layer and a light emitting layer.
  • the suitable material, shape, etc. of the charge transport layer change depending on the color of the light emitting device provided with the charge transport layer.
  • the suitable material, shape, and the like of the light emitting layer also change depending on the color of the light emitting element provided with the light emitting layer. Therefore, in the display device, it is desired to make the charge transport layer and the light emitting layer provided in the light emitting element of one color independent from the charge transport layer and the light emitting layer provided in the light emitting element of another color.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing an organic EL display device.
  • a light emitting layer is formed, a transport layer is formed on the light emitting layer, a peeling layer is formed on the transport layer, and the light emitting layer is photosensitive on the peeling layer.
  • a sex resin layer is formed. Further, the photosensitive resin layer is exposed and developed, and the light emitting layer, the transport layer, and the peeling layer accumulated in the region not covered with the photosensitive resin layer are removed.
  • a light emitting layer is formed, a transport layer is formed on the light emitting layer, a peeling layer is formed on the transport layer, and a photosensitive resin layer is formed on the peeling layer. It is formed. Further, the photosensitive resin layer is exposed and developed, and the light emitting layer, the transport layer, and the peeling layer accumulated in the region not covered with the photosensitive resin layer are removed.
  • the manufacturing method of the organic EL display device disclosed in Patent Document 1 has a long manufacturing process.
  • the manufacturing process can be shortened, and the charge transport layer and the light emitting layer provided in the light emitting element emitting one color of light are provided in the charge transport layer and the light emitting layer provided in the light emitting element of another color. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device that can be made independent of.
  • a method of manufacturing a display device is a step of preparing a substrate including an electrode and another electrode at a distance from the electrode in a plan view, and b) after the step a). After the step of forming the photosensitive resin material layer on the substrate and c) the step b), a charge transport material layer and a light emitting material layer are formed on the substrate, and the charge transport material layer and the electrode are used. A photomask is used after the step of forming the entire area where the light-emitting material layer and the electrode overlap with the photosensitive resin material layer, and d) the step c).
  • the photosensitive resin material layer is exposed and developed to lift off the non-lift-off portions of the photosensitive resin material layer, the charge transport material layer and the light emitting material layer formed on at least a part of the electrodes.
  • the photosensitive resin is formed by lifting off the lift-off portions of the photosensitive resin material layer, the charge transport material layer, and the light emitting material layer, which are formed on at least a part of the other electrodes.
  • the present invention comprises a step of patterning the material layer, the charge transport material layer, and the light emitting material layer into a photosensitive resin layer, a charge transport layer, and a light emitting layer, respectively.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the display device 1 of the first embodiment.
  • the display device 1 is an organic light emitting diode (OLED) display device, a quantum dot light emitting diode (QLED) display device, or the like. In the following, it is assumed that the display device 1 is a QLED display device.
  • OLED organic light emitting diode
  • QLED quantum dot light emitting diode
  • the display device 1 includes a plurality of pixels P.
  • the plurality of pixels P are arranged in a matrix.
  • a plurality of pixels P may be arranged in a non-matrix manner.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing each pixel P provided in the display device 1 of the first embodiment.
  • each pixel P includes a first light emitting element B, a second light emitting element G, and a third light emitting element R.
  • Each light emitting element of the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R constitutes a sub-pixel.
  • the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R emit light of the first color, the second color, and the third color, respectively.
  • the first color, the second color and the third color are different from each other.
  • the first color, the second color, and the third color are blue, green, and red, respectively.
  • the first color, the second color, and the third color may be colors other than blue, green, and red, respectively.
  • each pixel P includes a first bank BG, a second bank GR, and a third bank RB.
  • the first bank BG partitions the first light emitting element B and the second light emitting element G.
  • the second bank GR partitions the second light emitting element G and the third light emitting element R.
  • the third bank RB partitions the third light emitting element R and the first light emitting element B.
  • each pixel P includes a substrate 11, a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, a first photosensitive resin layer 13B, and a second photosensitive resin layer 13G.
  • the substrate 11 includes a switching element (not shown), wiring, and an interlayer insulating film (not shown).
  • the switching element is, for example, a thin film transistor.
  • the first pixel electrode 12B, the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B are arranged in the first light emitting element B.
  • the second pixel electrode 12G, the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper second charge transport layer 17G are arranged in the second light emitting element G.
  • the third pixel electrode 12R, the third photosensitive resin layer 13R, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R are arranged in the third light emitting element R.
  • the common electrode 19 is arranged so as to straddle the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R.
  • the second charge transport layer 17G, the upper third charge transport layer 17R, and the common electrode 19 are arranged on the interlayer insulating film provided on the substrate 11.
  • the switching element and wiring provided on the substrate 11 are arranged under the interlayer insulating film.
  • Charge transport layer 14B, lower second charge transport layer 14G, lower third charge transport layer 14R, first light emitting layer 15B, second light emitting layer 15G, third light emitting layer 15R, upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, the upper third charge transport layer 17R, and the common electrode 19 are separated from the switching element and the wiring, and are electrically insulated from the switching element and the wiring.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R are electrically connected to the switching element via a connecting conductor arranged inside the contact hole formed in the interlayer insulating film.
  • the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R are arranged on the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R, respectively.
  • the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R are the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive layer. Each is arranged on the sex resin layer 13R.
  • the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R are above the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R. Are placed in each.
  • the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R are arranged on the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R, respectively. Will be done.
  • the common electrode 19 is arranged so as to straddle the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R are separated from each other in a plan view.
  • the display device 1 may include a charge injection layer between the first pixel electrode 12B and the lower first charge transport layer 14B, and the second pixel electrode 12G and the lower second charge transport layer 14G may be provided. A charge injection layer may be provided between them, or a charge injection layer may be provided between the third pixel electrode 12R and the lower third charge transport layer 14R.
  • the display device 1 may include a charge injection layer between the common electrode 19 and the upper first charge transport layer 17B, and may provide a charge injection layer between the common electrode 19 and the upper second charge transport layer 17G. It may be provided, or a charge injection layer may be provided between the common electrode 19 and the upper third charge transport layer 17R.
  • the display device 1 is a painting element in which the functional layer is painted separately for each color. Therefore, the first functional layer 41B including the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B, the lower second charge transport layer 14G, and the second light emitting layer 15G. And the second functional layer 41G including the upper second charge transport layer 17G, and the third functional layer 41R including the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R and the upper third charge transport layer 17R. , Independent of each other.
  • the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R are display devices for making the first functional layer 41B, the second functional layer 41G, and the third functional layer 41R independent of each other. It is left in 1. A part of the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R may be omitted.
  • the layers provided in the first functional layer 41B, the second functional layer 41G and the third functional layer 41R are the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G and the third photosensitive resin layer 13R by the lift-off process. Are formed at the same time as they are formed. Further, the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R are independent of each other. As a result, the layer provided in the first functional layer 41B, the layer provided in the second functional layer 41G, and the layer provided in the third functional layer 41R can be formed independently of each other.
  • the light emitting element of the light emitting element, the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R are the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower second charge transport layer 14G.
  • the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R are contacted with each other via the three charge transport layer 14R.
  • the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R transport the first charge.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R are the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R.
  • the first charge can be injected into the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R, respectively.
  • the common electrode 19 has a first light emitting layer 15B, a second light emitting layer 15G, and a third light emitting layer via the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R. Contact each of the 15Rs.
  • the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R transport the second charge.
  • the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the second light emitting layer 15B pass from the common electrode 19 via the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R.
  • a second charge can be injected into each of the three light emitting layers 15R.
  • the first charge is transmitted from the first pixel electrode 12B to the first light emitting layer 15B via the lower first charge transport layer 14B. Infused. Further, the second charge is injected from the common electrode 19 into the first light emitting layer 15B via the upper first charge transport layer 17B. As a result, the first charge and the second charge are recombined in the first light emitting layer 15B, and the first light emitting layer 15B emits light of the first color.
  • the first charge is transferred from the second pixel electrode 12G to the second light emitting layer 15G via the lower second charge transport layer 14G. Infused. Further, the second charge is injected from the common electrode 19 into the second light emitting layer 15G via the upper second charge transport layer 17G. As a result, the first charge and the second charge are recombined in the second light emitting layer 15G, and the second light emitting layer 15G emits light of the second color.
  • the first charge is transferred to the third light emitting layer 15R from the third pixel electrode 12R via the lower third charge transport layer 14R. Infused. Further, the second charge is injected from the common electrode 19 into the third light emitting layer 15R via the upper third charge transport layer 17R. As a result, the first charge and the second charge are recombined in the third light emitting layer 15R, and the third light emitting layer 15R emits light of the third color.
  • the display device 1 has an invert structure or a conventional structure.
  • the first charge is an electron.
  • the second charge is a hole.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G and the third pixel electrode 12R are cathodes.
  • the common electrode 19 is an anode.
  • the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R are electron transport layers.
  • the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R are hole transport layers.
  • the first charge is a hole.
  • the second charge is an electron.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, and the third pixel electrode 12R are anodes.
  • the common electrode 19 is a cathode.
  • the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R are hole transport layers.
  • the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R are electron transport layers.
  • the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, the third pixel electrode 12R and the common electrode 19 are made of a conductive material.
  • the conductive material includes, for example, at least one selected from the group consisting of metals and transparent conductive oxides.
  • the metal comprises, for example, at least one selected from the group consisting of Al, Cu, Au and Ag.
  • the transparent conductive oxide is composed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO) and boron zinc oxide (BZO). Includes at least one selected.
  • Each of the electrodes of the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, the third pixel electrode 12R, and the common electrode 19 may be one layer composed of one kind of conductive material, or two kinds different from each other. It may be a laminate of two or more layers made of the above conductive materials. The two or more layers may include both a layer made of metal and a layer made of transparent conductive oxide.
  • the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R are made of a cured product of the photosensitive resin.
  • the electron transport layer is composed of an electron transport material.
  • the electron transporting material includes, for example, at least one selected from the group consisting of zinc oxide, titanium oxide and strontium oxide.
  • the zinc oxide is, for example, ZnO.
  • the titanium oxide is, for example, TiO 2 .
  • the strontium oxide titanium is, for example, SrTIO 3 .
  • the electron transporting material may be an electron transporting material composed of one kind of substance, or may be an electron transporting material consisting of a mixture of two or more kinds of substances.
  • the hole transport layer is composed of a hole transport material.
  • the hole-transporting material includes, for example, at least one selected from the group consisting of a hole-transporting inorganic material and a hole-transporting organic material.
  • the hole-transporting inorganic material comprises, for example, at least one selected from the group consisting of metal oxides, nitrides and carbides.
  • the metal contains at least one selected from the group consisting of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, Sr and Mo.
  • the hole-transporting organic materials are 4,4', 4'-tris (9-carbazoyl) triphenylamine (TCTA), 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino.
  • NPB zinc phthalocyanine
  • ZnPC zinc phthalocyanine
  • CBP 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl
  • HTCN 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl
  • HTCN 3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-Hexaazatriphenylene
  • PVK Poly (N-vinylcarbazole) (PVK)
  • PVK Poly (2,7- (2,7- ( 9,9-di-n-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-second butylphenyl) imino) -1,4-phenylene
  • TPD TPD
  • the first light emitting layer 15B is made of a blue light emitting material.
  • the second light emitting layer 15G is made of a green light emitting material.
  • the third light emitting layer 15R is made of a red light emitting material.
  • Each light emitting material of blue light emitting material, green light emitting material and red light emitting material contains quantum dots.
  • the quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle diameter of 100 nm or less.
  • the semiconductor fine particles include, for example, at least one selected from the group consisting of II-VI group compounds, III-V group compounds and IV group compounds.
  • the II-VI group compounds include, for example, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgS and HgS. Includes at least one selected from the group consisting of.
  • Group III-V compounds include, for example, at least one selected from the group consisting of GaAs, GaP, InN, InAs, InP and InSb.
  • Group IV compounds include, for example, at least one selected from the group consisting of Si and Ge.
  • the semiconductor fine particles may be semiconductor fine particles made of the crystal, or a semiconductor having a core / shell structure, a core made of the crystal, and a shell material having a wide bandgap, and having a shell overcoating the core. It may be fine particles.
  • the first bank BG, the second bank GR and the third bank RB are made of an insulator.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a flow of manufacturing of the display device 1 of the first embodiment.
  • steps S11 to S15 are executed.
  • a substrate 42 including a substrate 11, a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, a first bank BG, a second bank GR, and a third bank RB is prepared.
  • the first inter-electrode layer 43B arranged between the first pixel electrode 12B and the common electrode 19 is formed.
  • the first electrode-to-electrode layer 43B includes a first photosensitive resin layer 13B, a lower first charge transport layer 14B, a first light emitting layer 15B, and an upper first charge transport layer 17B.
  • a second inter-electrode layer 43G arranged between the second pixel electrode 12G and the common electrode 19 is formed.
  • the second electrode-to-electrode layer 43G includes a second photosensitive resin layer 13G, a lower second charge transport layer 14G, a second light emitting layer 15G, and an upper second charge transport layer 17G.
  • the third electrode inter-electrode layer 43R arranged between the third pixel electrode 12R and the common electrode 19 is formed.
  • the third electrode-to-electrode layer 43R includes a third photosensitive resin layer 13R, a lower third charge transport layer 14R, a third light emitting layer 15R, and an upper third charge transport layer 17R.
  • step S15 after step S14 the common electrode 19 is formed.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a flow of formation of each inter-electrode layer provided in the display device 1 of the first embodiment.
  • steps S101 to S105 are executed when the inter-electrode layers of the first inter-electrode layer 43B, the second inter-electrode layer 43G, and the third inter-electrode layer 43R are formed. ..
  • steps S101, S102, S103 and S104 a photosensitive resin material layer, a lower charge transport material layer, a light emitting material layer and an upper charge transport material layer are formed on the substrate 42, respectively.
  • step S105 the non-lift-off portion of the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper charge transport material layer is left without being lifted off, and the photosensitive resin material layer is on the lower side. The lift-off portion of the charge transport material layer, the light emitting material layer and the upper charge transport material layer is lifted off.
  • the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper charge transport material layer become the photosensitive resin layer, the lower charge transport layer, the light emitting layer, and the upper charge transport layer. It is patterned.
  • the step S102 is a step after the step S101.
  • the step S103 is a step after the step S102.
  • the step S104 is a step after the step S103.
  • the step S105 is a step after the step S104.
  • both the lower charge transport material layer and the upper charge transport material layer are charge transport material layers formed after the photosensitive resin material layer is formed in step S101.
  • FIG 5 and 6 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the first electrode-to-electrode layer 43B provided in the display device 1 of the first embodiment is formed.
  • Steps S101 to S105 are executed with the charge transport material layer 27B as the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper charge transport material layer, respectively.
  • the photosensitive resin layer, the lower charge transport layer, the light emitting layer, and the upper charge transport layer the first photosensitive resin layer 13B shown in FIG. 6, the lower first charge transport layer 14B, and the first The 1 light emitting layer 15B and the upper first charge transport layer 17B are formed, respectively.
  • Each of the lower first charge transport material layer 24B, the first light emitting material layer 25B, and the upper first charge transport material layer 27B uses the first pixel electrode 12B as an electrode, and the second pixel electrode 12G and the third pixel electrode. With 12R as another electrode, the entire region where each layer and the electrode overlap is formed so as to overlap with the first photosensitive resin material layer 23B. As a result, from the lower first charge transport material layer 24B, the first light emitting material layer 25B, and the upper first charge transport material layer 27B, the lower side overlapping the first pixel electrode 12B and the first photosensitive resin layer 13B. The first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B can be obtained, respectively.
  • Each layer of the lower first charge transport material layer 24B, the first light emitting material layer 25B, and the upper first charge transport material layer 27B has a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, and a first layer. It is formed over one bank BG, a second bank GR, and a third bank RB. Therefore, each layer does not have to be patterned.
  • the non-lift-off portion 27BP of 27B is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B.
  • the portion 27BQ is a portion formed on at least a part of the second pixel electrode 12G and the third pixel electrode 12R.
  • the first photosensitive resin material layer 23B is exposed and developed using a photomask.
  • the lift-off portion 23BQ is exposed, the non-lift-off portion 23BP is not exposed, and the exposed lift-off portion 23BQ is removed by development.
  • the first photosensitive resin material layer 23B contains a negative photosensitive resin, the non-lift-off portion 23BP is exposed, the lift-off portion 23BQ is not exposed, and the unexposed lift-off portion 23BQ is removed by development.
  • FIG 7 and 8 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the second electrode-to-electrode layer 43G provided in the display device 1 of the first embodiment is formed.
  • Steps S101 to S105 are executed with the two charge transport material layers 27G as the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper charge transport material layer, respectively.
  • the second photosensitive resin layer 13G shown in FIG. 8 the lower second charge transport layer 14G, and the second The two light emitting layers 15G and the upper second charge transport layer 17G are formed, respectively.
  • Each of the lower second charge transport material layer 24G, the second light emitting material layer 25G, and the upper second charge transport material layer 27G uses the second pixel electrode 12G as an electrode, and the first pixel electrode 12B and the third pixel electrode. With 12R as another electrode, the entire region where each layer and the electrode overlap is formed so as to overlap with the second photosensitive resin material layer 23G. As a result, the lower second charge transport material layer 24G, the second light emitting material layer 25G, and the upper second charge transport material layer 27G overlap with the second pixel electrode 12G and the second photosensitive resin layer 13G. A second charge transport layer 14G, a second light emitting layer 15G, and an upper second charge transport layer 17G can be obtained, respectively.
  • Each layer of the lower second charge transport material layer 24G, the second light emitting material layer 25G, and the upper second charge transport material layer 27G has a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, and a first layer. It is formed over one bank BG, a second bank GR, and a third bank RB. Therefore, each layer does not have to be patterned.
  • the non-lift-off portion 27GP of 27G is a portion formed on at least a part of the second pixel electrode 12G.
  • the portion 27GQ is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B and the third pixel electrode 12R.
  • the second photosensitive resin material layer 23G is exposed and developed using a photomask.
  • the second photosensitive resin material layer 23G contains a positive photosensitive resin
  • the lift-off portion 23GQ is exposed, the non-lift-off portion 23GP is not exposed, and the exposed lift-off portion 23GQ is removed by development.
  • the second photosensitive resin material layer 23G contains a negative photosensitive resin
  • the non-lift-off portion 23GP is exposed, the lift-off portion 23GQ is not exposed, and the unexposed lift-off portion 23GQ is removed by development.
  • 9 and 10 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the third electrode layer 43R provided in the display device 1 of the first embodiment is formed.
  • Steps S101 to S105 are executed with the three charge transport material layers 27R as the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper charge transport material layer, respectively.
  • the third photosensitive resin layer 13R shown in FIG. The 3 light emitting layer 15R and the upper third charge transport layer 17R are formed, respectively.
  • Each of the lower third charge transport material layer 24R, the third light emitting material layer 25R, and the upper third charge transport material layer 27R uses the third pixel electrode 12R as an electrode, and the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode. With 12G as another electrode, the entire region where each layer and the electrode overlap is formed so as to overlap with the third photosensitive resin material layer 23R. As a result, the lower third charge transport material layer 24R, the third light emitting material layer 25R, and the upper third charge transport material layer 27R overlap with the third pixel electrode 12R and the third photosensitive resin layer 13R. A third charge transport layer 14R, a third light emitting layer 15R, and an upper third charge transport layer 17R can be obtained, respectively.
  • Each layer of the lower third charge transport material layer 24R, the third light emitting material layer 25R, and the upper third charge transport material layer 27R has a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, and a third layer. It is formed over one bank BG, a second bank GR, and a third bank RB. Therefore, each layer does not have to be patterned.
  • the non-lift-off portion 27RP of the 27R is a portion formed on at least a part of the third pixel electrode 12R.
  • the portion 27RQ is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G.
  • the third photosensitive resin material layer 23R is exposed and developed using a photomask.
  • the third photosensitive resin material layer 23R contains a positive photosensitive resin
  • the lift-off portion 23RQ is exposed, the non-lift-off portion 23RP is not exposed, and the exposed lift-off portion 23RQ is removed by development.
  • the third photosensitive resin material layer 23R contains a negative type photosensitive resin
  • the non-lift-off portion 23RP is exposed, the lift-off portion 23RQ is not exposed, and the unexposed lift-off portion 23RQ is removed by development.
  • the photomasks used when the first inter-electrode layer 43B, the second inter-electrode layer 43G, and the third inter-electrode layer 43R are formed may be different photomasks from each other, or may be the same photomask. May be good. If the photomasks used when the first electrode layer 43B, the second electrode layer 43G, and the third electrode layer 43R are formed are the same photomasks, the same photomasks are used in different positions. To.
  • these layers are patterned by an inkjet method when they are formed, it is difficult to achieve high resolution.
  • these layers are patterned by lift-off after they are formed, it is easy to achieve high resolution.
  • Lower first charge transport material layer 24B, first light emitting material layer 25B, upper first charge transport material layer 27B, lower second charge transport material layer 24G, second light emitting material layer 25G, upper second The charge transport material layer 27G, the lower third charge transport material layer 24R, the third light emitting material layer 25R, and the upper third charge transport material layer 27R are patterned by lift-off after these layers are formed. This eliminates the need for etching and ashing, and simplifies the manufacturing process of the display device 1.
  • the lower first charge transport material layer 24B, the first light emitting material layer 25B, and the upper first charge transport material layer 27B are simultaneously patterned by lift-off, and the lower second charge transport material layer 24G, the second light emitting material.
  • the layer 25G and the upper second charge transport material layer 27G are simultaneously patterned by lift-off, and the lower third charge transport material layer 24R, the third light emitting material layer 25R and the upper third charge transport material layer 27R are lift-off. Is patterned at the same time. This makes it possible to simplify the manufacturing process of the display device 1.
  • the display device 1 is a painting element in which the functional layer is painted separately for each color.
  • the first functional layer 41B, the second functional layer 41G, and the third functional layer 41R are independent of each other.
  • the number of layers of the first functional layer 41B, the second functional layer 41G, the third functional layer 41R, and the like can be made different from each other, and the first functional layer 41B, the second functional layer 41G, and the third functional layer 41R can be made different from each other.
  • the number of layers and the like can be set to be suitable for the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R, respectively, and the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element can be set.
  • the light emission characteristics of R can be improved.
  • the luminous efficiency of the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R can be improved.
  • the lower first charge transport layer 14B, the lower second charge transport layer 14G, and the lower third charge transport layer 14R are independent of each other. Further, the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R are independent of each other. Further, the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R are independent of each other. As a result, the material, layer thickness, etc. of the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B can be made suitable for the first light emitting element B. 1 The light emitting characteristics of the light emitting element B can be improved.
  • the luminous efficiency of the first light emitting element B can be improved.
  • the material, layer thickness, etc. of the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper second charge transport layer 17G can be made suitable for the second light emitting element G, and the second light emitting element G can be used.
  • the light emitting characteristics of the light emitting element G can be improved.
  • the luminous efficiency of the second light emitting element G can be improved.
  • the material, layer thickness, etc. of the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R can be made suitable for the third light emitting element R, and the third light emitting element R can be used.
  • the light emitting characteristics of the light emitting element R can be improved.
  • the luminous efficiency of the third light emitting element R can be improved.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 2 of the second embodiment.
  • each pixel P has a substrate 11, a first pixel electrode 12B, a second pixel electrode 12G, a third pixel electrode 12R, and a first photosensitive resin layer 13B, as in the first embodiment.
  • each pixel P further includes another first photosensitive resin layer 16B, another second photosensitive resin layer 16G, and another third photosensitive resin layer 16R.
  • the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other third photosensitive resin layer 16R are attached to the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R, respectively. Be placed.
  • the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other third photosensitive resin layer 16R are arranged on the substrate 11.
  • the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other third photosensitive resin layer 16R are on the first light emitting layer 15B, the second light emitting layer 15G, and the third light emitting layer 15R. It is arranged under the upper first charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R, respectively.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a flow of formation of each electrode-to-electrode layer provided in the display device 2 of the second embodiment.
  • the steps are the same as in the first embodiment. S101 to S105 are executed. Further, when the inter-electrode layer is formed, the step S106 is further executed.
  • step S106 after the steps S101, S102 and S103 and before the steps S104 and S105, another photosensitive resin material layer is formed on the substrate 42.
  • step S105 when the lift-off portion is lifted off, the lift-off portion of the other photosensitive resin material layer is lifted off, leaving the non-lift-off portion of the other photosensitive resin material layer without being lifted off. As a result, the photosensitive resin material layer is patterned into the photosensitive resin layer.
  • both the lower charge transport material layer and the upper charge transport material layer are charge transport material layers formed after the photosensitive resin material layer is formed in step S101.
  • FIG. 13 and 14 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the first electrode-to-electrode layer 43B provided in the display device 2 of the second embodiment is formed.
  • steps S101 to S106 are executed with the other first photosensitive resin material layer 26B shown in FIG. 13 as another photosensitive resin material layer.
  • another first photosensitive resin layer 16B shown in FIG. 14 can be obtained as another photosensitive resin layer.
  • the other first photosensitive resin material layer 26B is the same as the other first photosensitive resin material layer 26B, with the first pixel electrode 12B as an electrode and the second pixel electrode 12G and the third pixel electrode 12R as other electrodes. The entire region where the electrodes overlap is formed so as to overlap the first photosensitive resin material layer 23B. As a result, another first photosensitive resin layer 16B that overlaps with the first pixel electrode 12B and the first photosensitive resin layer 13B can be obtained from the other first photosensitive resin material layer 26B.
  • the other first photosensitive resin material layer 26B is formed over the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, the third pixel electrode 12R, the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB. Will be done. Therefore, the other first photosensitive resin material layer 26B may not be patterned.
  • the non-lift-off portion 26BP of the other first photosensitive resin material layer 26B is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B.
  • the lift-off portion 26BQ of the other first photosensitive resin material layer 26B is a portion formed on at least a part of the second pixel electrode 12G and the third pixel electrode 12R.
  • 15 and 16 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the second electrode-to-electrode layer 43G provided in the display device 2 of the second embodiment is formed.
  • steps S101 to S106 are executed with the other second photosensitive resin material layer 26G shown in FIG. 15 as another photosensitive resin material layer.
  • another second photosensitive resin layer 16G shown in FIG. 16 can be obtained as another photosensitive resin layer.
  • the other second photosensitive resin material layer 26G has the second pixel electrode 12G as an electrode, the first pixel electrode 12B and the third pixel electrode 12R as other electrodes, and the other second photosensitive resin material layer 26G.
  • the entire region where the electrodes overlap is formed so as to overlap the second photosensitive resin material layer 23G.
  • another second photosensitive resin layer 16G that overlaps with the second pixel electrode 12G and the second photosensitive resin layer 13G can be obtained from the other second photosensitive resin material layer 26G.
  • the other second photosensitive resin material layer 26G is formed over the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, the third pixel electrode 12R, the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB. Will be done. Therefore, the other second photosensitive resin material layer 26G does not have to be patterned.
  • the non-lift-off portion 26GP of the other second photosensitive resin material layer 26G is a portion formed on at least a part of the second pixel electrode 12G.
  • the lift-off portion 26GQ of the other second photosensitive resin material layer 26G is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B and the third pixel electrode 12R.
  • 17 and 18 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the third electrode layer 43R provided in the display device 2 of the second embodiment is formed.
  • steps S101 to S106 are executed with the other third photosensitive resin material layer 26R shown in FIG. 17 as another photosensitive resin material layer.
  • another third photosensitive resin layer 16R shown in FIG. 18 can be obtained as another photosensitive resin layer.
  • the other third photosensitive resin material layer 26R has the third pixel electrode 12R as an electrode, the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G as other electrodes, and the other third photosensitive resin material layer 26R.
  • the entire region where the electrodes overlap is formed so as to overlap the third photosensitive resin material layer 23R.
  • another third photosensitive resin layer 16R that overlaps with the first pixel electrode 12B and the third photosensitive resin layer 13R can be obtained from the other third photosensitive resin material layer 26R.
  • the other third photosensitive resin material layer 26R is formed over the first pixel electrode 12B, the second pixel electrode 12G, the third pixel electrode 12R, the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB. Will be done. Therefore, the other third photosensitive resin material layer 26R may not be patterned.
  • the non-lift-off portion 26RP of the other third photosensitive resin material layer 26R is a portion formed on at least a part of the third pixel electrode 12R.
  • the lift-off portion 26RQ of the other third photosensitive resin material layer 26R is a portion formed on at least a part of the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 2M of the first modification of the second embodiment.
  • the first photosensitive resin layer 13B, the second photosensitive resin layer 13G, and the third photosensitive resin layer 13R are on the lower side.
  • the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other third photosensitive resin layer 16R are formed on the upper first charge transport layer 17B and the upper second charge transport layer 17G. And on the upper third charge transport layer 17R, respectively, and below the common electrode 19.
  • FIG. 20 is a flowchart showing a flow of formation of layers between electrodes provided in the display device 2M of the first modification of the second embodiment.
  • the lower charge transport material layer is formed in the step S102 after the step S11 and before the step S101. Further, in the step S104 after the step S103 and before the step S106, the upper charge transport material layer is formed.
  • the upper charge transport material layer is a charge transport material layer formed after the photosensitive resin material layer is formed in step S101. Further, the lower charge transport material layer is another charge transport material layer formed before the photosensitive resin material layer is formed in step S101.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 2N of the second modification of the second embodiment.
  • the display device 2N has an upper first charge transport layer 18B, an upper second charge transport layer 18G, and an upper third charge transport layer.
  • a layer 18R is further provided.
  • the upper first charge transport layer 18B, the upper second charge transport layer 18G, and the upper third charge transport layer 18R are the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other.
  • Each is arranged on the third photosensitive resin layer 16R and is arranged under the common electrode 19.
  • FIG. 22 is a flowchart showing a flow of formation of each electrode-to-electrode layer provided in the display device 2N of the second modification of the second embodiment.
  • the upper charge transport material layer is further formed in the step S107 after the step S106 and before the step S105.
  • step S105 when the lift-off portion is lifted off, the non-lift-off portion of the upper charge transport material layer formed in step S107 is left without being lifted off, and the lift-off portion of the upper charge transport material layer is lifted off. Will be done.
  • the second embodiment, the first modification of the second embodiment, and the second modification of the second embodiment have the same effect as that of the first embodiment.
  • the lower first charge transport layer 14B and the first light emitting layer 15B formed under the other first photosensitive resin layer 16B are combined with the other first photosensitive resin layer 16B. Can be protected by. Further, the lower second charge transport layer 14G and the second light emitting layer 15G formed under the other second photosensitive resin layer 16G can be protected by the other second photosensitive resin layer 16G. Further, the lower third charge transport layer 14R and the third light emitting layer 15R formed under the other third photosensitive resin layer 16R can be protected by the other third photosensitive resin layer 16R.
  • the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the lower second charge transport layer 14G, and the second light emitting layer are used. It is possible to prevent the 15G, the lower third charge transport layer 14R and the third light emitting layer 15R from being damaged.
  • the lower first charge transport layer 14B formed under the first photosensitive resin layer 13B is protected by the first photosensitive resin layer 13B. be able to. Further, the lower second charge transport layer 14G formed under the second photosensitive resin layer 13G can be protected by the second photosensitive resin layer 13G. Further, the lower third charge transport layer 14R formed under the third photosensitive resin layer 13R can be protected by the third photosensitive resin layer 13R. Further, the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B formed under the other first photosensitive resin layer 16B are combined with the other first photosensitive resin layer. It can be protected by 16B.
  • the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper second charge transport layer 17G formed under the other second photosensitive resin layer 16G are combined with the other second photosensitive resin layer. It can be protected by 16G.
  • the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R formed under the other third photosensitive resin layer 16R are combined with the other third photosensitive resin layer. It can be protected by 16R.
  • the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the upper first charge transport layer 17B, and the lower The second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, the upper second charge transport layer 17G, the lower third charge transport layer 14R, the third light transport layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R are damaged. Can be suppressed.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 3 of the third embodiment.
  • the other first photosensitive resin layer 16B, the other second photosensitive resin layer 16G, and the other third photosensitive resin layer 16R are on the upper side. It is arranged on the 1 charge transport layer 17B, the upper second charge transport layer 17G, and the upper third charge transport layer 17R, respectively, and is arranged under the common electrode 19.
  • FIG. 24 is a flowchart showing a flow of formation of each electrode-to-electrode layer provided in the display device 3 of the third embodiment.
  • step S106 in the step S106 after the steps S101, S102, S103 and S104 and before the step S105, another photosensitive resin material layer is formed on the substrate 42.
  • step S105 when the lift-off portion is lifted off, the lift-off portion of the other photosensitive resin material layer is lifted off, leaving the non-lift-off portion of the other photosensitive resin material layer without being lifted off. As a result, the other photosensitive resin material is patterned on the other photosensitive resin layer.
  • the third embodiment has the same effect as that of the second embodiment.
  • the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, and the upper first charge transport layer 17B formed under the other first photosensitive resin layer 16B are provided. It can be protected by another first photosensitive resin layer 16B. Further, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper second charge transport layer 17G formed under the other second photosensitive resin layer 16G are combined with the other second photosensitive resin layer. It can be protected by 16G. Further, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R formed under the other third photosensitive resin layer 16R are combined with the other third photosensitive resin layer. It can be protected by 16R.
  • the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the upper first charge transport layer 17B, and the lower second charge transport layer 17B Suppresses damage to the charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, the upper second charge transport layer 17G, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge transport layer 17R. can do.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 4 of the fourth embodiment.
  • each pixel P does not include the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB.
  • the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, and the first light emitting layer are placed between the electrodes of the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G.
  • the edges of the upper first charge transport layer 17B and the other first photosensitive resin layer 16B are the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper side. It overlaps the edges of the second charge transport layer 17G and the other second photosensitive resin layer 16G.
  • the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper second charge are placed between the electrodes of the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G.
  • the edges of the upper first charge transport layer 17B and the other first photosensitive resin layer 16B are the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, and the upper side. It overlaps the edges of the second charge transport layer 17G
  • the edges of the transport layer 17G and the other second photosensitive resin layer 16G are the third photosensitive resin layer 13R, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, the upper third charge transport layer 17R, and the like. It overlaps with the edge of the other third photosensitive resin layer 16R. Further, above the electrodes between the third pixel electrode 12R and the first pixel electrode 12B, the third photosensitive resin layer 13R, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, and the upper third charge.
  • the edges of the transport layer 17R and the other second photosensitive resin layer 16G are the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the upper first charge transport layer 17B and the like. It overlaps the edge of the other first photosensitive resin layer 16B.
  • step S105 the photosensitive resin material layer, the lower charge transport material layer, the light emitting material layer, and the upper side formed on the end portion of the electrode when the lift-off portion is lifted off.
  • the upper end portion of the charge transport material layer and the other photosensitive resin material layer is left unlifted.
  • the first electrode-to-electrode layer 43B the first photosensitive resin material layer 23B, the first charge transport material layer 24B, and the first are formed on the end portion of the first pixel electrode 12B.
  • the upper end portion of the light emitting material layer 25B, the upper first charge transport material layer 27B, and the other first photosensitive resin material layer 26B is left without being lifted off.
  • the second electrode-to-electrode layer 43G when the second electrode-to-electrode layer 43G is formed, the second photosensitive resin material layer 23G, the second charge transport material layer 24G, and the second are formed on the end portion of the second pixel electrode 12G. The upper end portions of the light emitting material layer 25G, the second charge transport material layer 27G and the other second photosensitive resin material layer 26G are left without being lifted off.
  • the third electrode-to-electrode layer 43R is formed, the third photosensitive resin material layer 23R, the third charge transport material layer 24R, and the third are formed on the end portion of the third pixel electrode 12R. The upper end portions of the light emitting material layer 25R, the third charge transport material layer 27R, and the other third photosensitive resin material layer 26R are left without being lifted off.
  • the fourth embodiment has the same effect as that of the third embodiment.
  • the first bank BG, the second bank GR and the third bank RB are not provided, the first bank BG, the second bank GR and the third bank RB are provided. Edge leaks can be suppressed in the same way as in the case of.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 5 of the fifth embodiment.
  • the first photosensitive resin layer 13B on the first bank BG, the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the upper first charge transport layer 17B, and the like.
  • the edges of the first photosensitive resin layer 16B are the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, the upper second charge transport layer 17G, and other second photosensitive layers. It overlaps the edge of the resin layer 16G.
  • the second bank GR on the second bank GR, the second photosensitive resin layer 13G, the lower second charge transport layer 14G, the second light emitting layer 15G, the upper second charge transport layer 17G, and the other second photosensitive resin.
  • the edge of the layer 16G is the edge of the third photosensitive resin layer 13R, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, the upper third charge transport layer 17R, and the other third photosensitive resin layer 16R. Overlap on. Further, on the third bank RB, the third photosensitive resin layer 13R, the lower third charge transport layer 14R, the third light emitting layer 15R, the upper third charge transport layer 17R, and the other second photosensitive resin. The edges of the layer 16G are the edges of the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, the first light emitting layer 15B, the upper first charge transport layer 17B, and the other first photosensitive resin layer 16B. Overlap on.
  • the fifth embodiment has the same effect as that of the third embodiment.
  • leakage passing over the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB can be suppressed, and the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the first light emitting element G can be suppressed.
  • the luminous efficiency of the light emitting element R can be improved.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view schematically illustrating each pixel P provided in the display device 6 of the sixth embodiment.
  • the first pixel electrode 12B, the first photosensitive resin layer 13B, the lower first charge transport layer 14B, and the first are on the first bank BG.
  • the edges of the layer 15G, the upper second charge transport layer 17G, and the other second photosensitive resin layer 16G are not arranged.
  • a second pixel electrode 12G, a second photosensitive resin layer 13G, a lower second charge transport layer 14G, a second light emitting layer 15G, an upper second charge transport layer 17G, and the like are not arranged.
  • 2nd photosensitive resin layer 16G 3rd pixel electrode 12R, 3rd photosensitive resin layer 13R, lower 3rd charge transport layer 14R, 3rd light emitting layer 15R, upper 3rd charge transport layer 17R and others.
  • the edge of the third photosensitive resin layer 16R is not arranged.
  • the edge of the first photosensitive resin layer 16B is not arranged.
  • FIG. 28 is a flowchart showing a flow of formation of each electrode-to-electrode layer provided in the display device 6 of the sixth embodiment.
  • 29 to 32 are cross-sectional views schematically showing an intermediate product obtained when the second electrode-to-electrode layer 43G provided in the display device 6 of the sixth embodiment is formed.
  • steps S101 to S106 are executed as in the third embodiment. Further, when the second electrode-to-electrode layer 43G is formed, steps S108 and S109 are further executed.
  • step S105 when the lift-off portion 23GQ, the lift-off portion 24GQ, the lift-off portion 25GQ, the lift-off portion 27GQ, and the lift-off portion 26GQ are lifted off, the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G shown in FIG.
  • 25GX, the upper portion 27X between the electrodes of the second charge transport material layer 27G and the upper portion 26GX between the electrodes of the other second photosensitive resin layer 26G are lifted off.
  • the intermediate product shown in FIG. 30 is obtained.
  • step S108 after step S105, the photosensitive bank material layer 51 is formed on the substrate 11 as shown in FIG. 31.
  • the photosensitive bank material layer 51 penetrates into the portion where the upper portion between the electrodes 23GX, the upper portion between the electrodes 24GX, the upper portion between the electrodes 25GX, the upper portion 27X between the electrodes, and the upper portion 26GX between the electrodes were present.
  • step S109 after step S108, as shown in FIG. 32, the photosensitive bank material layer 51 is exposed and developed onto the space between the electrodes of the first pixel electrode 12B and the second pixel electrode 12G.
  • the first bank BG is formed.
  • the second bank GR and the third bank RB are also formed in the same manner as the first bank BG.
  • the sixth embodiment has the same effect as that of the third embodiment.
  • the transport layer 14G and the lower third charge transport layer 14R are largely separated from each other and do not overlap, and are separated from each other by the first bank BG, the second bank GR, and the third bank RB. As a result, leakage between the first light emitting element B, the second light emitting element G, and the third light emitting element R can be suppressed.
  • the present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and is substantially the same as the configuration shown in the above-described embodiment, a configuration having the same action and effect, or a configuration capable of achieving the same purpose. May be replaced with.

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Abstract

表示装置の製造方法は、ａ）電極と他の電極とを備える基板を準備する工程と、ｂ）前記基板の上に感光性樹脂材料層を形成する工程と、ｃ）前記基板の上に電荷輸送材料層及び発光材料層を形成する工程と、ｄ）前記電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、前記他の電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層のリフトオフ部分をリフトオフすることにより、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層を感光性樹脂層、電荷輸送層及び発光層にそれぞれパターニングする工程と、を備える。

Description

表示装置の製造方法
　本開示は、表示装置の製造方法に関する。
　有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示装置等の表示装置は、多くの場合は、複数の色の発光素子を備える。各色の発光素子は、電荷輸送層及び発光層を備える。
　電荷輸送層の好適な材料、形状等は、電荷輸送層を備える発光素子の色に応じて変化する。発光層の好適な材料、形状等も、発光層を備える発光素子の色に応じて変化する。このため、表示装置においては、一の色の発光素子に備えられる電荷輸送層及び発光層を他の色の発光素子に備えられる電荷輸送層及び発光層から独立させることが望まれる。
　特許文献１は、有機ＥＬ表示装置の製造方法を開示する。当該製造方法においては、発光色が青色である発光素子について、発光層が形成され、発光層の上に輸送層が形成され、輸送層の上に剥離層が形成され、剥離層の上に感光性樹脂層が形成される。また、感光性樹脂層の露光及び現像が行われ、感光性樹脂層に被覆されていない領域に堆積している発光層、輸送層及び剥離層が除去される。また、発光色が赤色である発光素子について、発光層が形成され、発光層の上に輸送層が形成され、輸送層の上に剥離層が形成され、剥離層の上に感光性樹脂層が形成される。また、感光性樹脂層の露光及び現像が行われ、感光性樹脂層に被覆されていない領域に堆積している発光層、輸送層及び剥離層が除去される。
特開２０１４－１２０２１８号公報
　特許文献１に開示される有機ＥＬ表示装置の製造方法は、長い製造プロセスを有する。
　本開示は、この問題に鑑みてなされた。本開示は、製造プロセスを短くすることができ、一の色の光を発する発光素子に備えられる電荷輸送層及び発光層を他の色の光を発する発光素子に備えられる電荷輸送層及び発光層から独立させることができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一形態の表示装置の製造方法は、ａ）電極と、平面視において前記電極から距離を置いた他の電極と、を備える基板を準備する工程と、ｂ）前記工程ａ）の後に、前記基板の上に感光性樹脂材料層を形成する工程と、ｃ）前記工程ｂ）の後に、前記基板の上に電荷輸送材料層及び発光材料層を、前記電荷輸送材料層と前記電極とが重なる領域の全域及び前記発光材料層と前記電極とが重なる領域の全域が前記感光性樹脂材料層と重なるように形成する工程と、ｄ）前記工程ｃ）の後に、フォトマスクを使用して前記感光性樹脂材料層を露光及び現像して、前記電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、前記他の電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層のリフトオフ部分をリフトオフすることにより、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層を感光性樹脂層、電荷輸送層及び発光層にそれぞれパターニングする工程と、を備える。
第１実施形態の表示装置を模式的に図示する平面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造の流れを示すフローチャートである。 第１実施形態の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第１実施形態の表示装置に備えられる第１電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる第１電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる第３電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第１実施形態の表示装置に備えられる第３電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第２実施形態の表示装置に備えられる第１電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる第１電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる第３電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の表示装置に備えられる第３電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の第１変形例の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の第１変形例の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第２実施形態の第２変形例の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第２実施形態の第２変形例の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第３実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第３実施形態の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第４実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第５実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第６実施形態の表示装置に備えられる各画素を模式的に図示する断面図である。 第６実施形態の表示装置に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。 第６実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第６実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第６実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。 第６実施形態の表示装置に備えられる第２電極間層が形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　１　第１実施形態
　１．１　表示装置の平面構造
　図１は、第１実施形態の表示装置１を模式的に図示する平面図である。
　表示装置１は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示装置等である。以下では、表示装置１がＱＬＥＤ表示装置であるとする。
　図１に図示されるように、表示装置１は、複数の画素Ｐを備える。
　複数の画素Ｐは、マトリクス状に配列される。複数の画素Ｐが非マトリクス状に配列されてもよい。
　１．２　画素の断面構造
　図２は、第１実施形態の表示装置１に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図２に図示されるように、各画素Ｐは、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒを備える。
　第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒの各発光素子は、サブ画素を構成する。
　第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒは、第１色、第２色及び第３色の光をそれぞれ発する。第１色、第２色及び第３色は、互いに異なる。第１実施形態においては、第１色、第２色及び第３色は、それぞれ、青色、緑色及び赤色である。第１色、第２色及び第３色が、それぞれ、青色、緑色及び赤色以外の色であってもよい。
　図２に図示されるように、各画素Ｐは、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢを備える。
　第１バンクＢＧは、第１発光素子Ｂと第２発光素子Ｇとを区画する。第２バンクＧＲは、第２発光素子Ｇと第３発光素子Ｒとを区画する。第３バンクＲＢは、第３発光素子Ｒと第１発光素子Ｂとを区画する。
　図２に図示されるように、各画素Ｐは、基板１１、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ、第３発光層１５Ｒ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び共通電極１９を備える。
　基板１１は、図示されないスイッチング素子、配線及び層間絶縁膜を備える。スイッチング素子は、例えば、薄膜トランジスタである。
　第１画素電極１２Ｂ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂは、第１発光素子Ｂに配置される。第２画素電極１２Ｇ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇは、第２発光素子Ｇに配置される。第３画素電極１２Ｒ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、第３発光素子Ｒに配置される。共通電極１９は、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒに跨って配置される。
　第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ、第３発光層１５Ｒ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び共通電極１９は、基板１１に備えられる層間絶縁膜の上に配置される。基板１１に備えられるスイッチング素子及び配線は、当該層間絶縁膜の下に配置される。これにより、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ、第３発光層１５Ｒ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び共通電極１９は、当該スイッチング素子及び当該配線から離され、当該スイッチング素子及び当該配線から電気的に絶縁される。第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒは、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの内部に配置される接続導体を介して当該スイッチング素子に電気的に接続される。
　第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒは、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒの上にそれぞれ配置される。下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒは、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒの上にそれぞれ配置される。第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒは、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒの上にそれぞれ配置される。上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒの上にそれぞれ配置される。共通電極１９は、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒの上に跨って配置される。
　第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒは、平面視において互いに距離を置いている。
　表示装置１が、第１画素電極１２Ｂと下側の第１電荷輸送層１４Ｂとの間に電荷注入層を備えてもよく、第２画素電極１２Ｇと下側の第２電荷輸送層１４Ｇとの間に電荷注入層を備えてもよく、第３画素電極１２Ｒと下側の第３電荷輸送層１４Ｒとの間に電荷注入層を備えてもよい。表示装置１が、共通電極１９と上側の第１電荷輸送層１７Ｂとの間に電荷注入層を備えてもよく、共通電極１９と上側の第２電荷輸送層１７Ｇとの間に電荷注入層を備えてもよく、共通電極１９と上側の第３電荷輸送層１７Ｒとの間に電荷注入層を備えてもよい。
　表示装置１は、機能層が色ごとに塗り分けされた塗り分け素子である。このため、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂを備える第１機能層４１Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇを備える第２機能層４１Ｇ、並びに下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを備える第３機能層４１Ｒは、互いに独立している。第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒは、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒを互いに独立させるために表示装置１に残されている。第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒの一部が省略されてもよい。
　第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒに備えられる層は、リフトオフプロセスにより、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒが形成されるのと同時にそれぞれ形成される。また、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒは、互いに独立している。これらにより、第１機能層４１Ｂに備えられる層、第２機能層４１Ｇに備えられる層及び第３機能層４１Ｒに備えられる層は、互いに独立して形成することができる。
　１．３　発光素子の発光
　第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒは、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒを介して第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒにそれぞれ接触する。下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒは、第１電荷を輸送する。これらにより、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒから下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒを経由して第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒに第１電荷をそれぞれ注入することができる。
　共通電極１９は、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを介して第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒにそれぞれ接触する。上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、第２電荷を輸送する。これらにより、共通電極１９から上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを経由して第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒに第２電荷をそれぞれ注入することができる。
　第１画素電極１２Ｂと共通電極１９との間に電位差が与えられた場合は、第１画素電極１２Ｂから下側の第１電荷輸送層１４Ｂを経由して第１発光層１５Ｂに第１電荷が注入される。また、共通電極１９から上側の第１電荷輸送層１７Ｂを経由して第１発光層１５Ｂに第２電荷が注入される。その結果、第１発光層１５Ｂにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合し、第１発光層１５Ｂが第１色の光を発する。
　第２画素電極１２Ｇと共通電極１９との間に電位差が与えられた場合は、第２画素電極１２Ｇから下側の第２電荷輸送層１４Ｇを経由して第２発光層１５Ｇに第１電荷が注入される。また、共通電極１９から上側の第２電荷輸送層１７Ｇを経由して第２発光層１５Ｇに第２電荷が注入される。その結果、第２発光層１５Ｇにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合し、第２発光層１５Ｇが第２色の光を発する。
　第３画素電極１２Ｒと共通電極１９との間に電位差が与えられた場合は、第３画素電極１２Ｒから下側の第３電荷輸送層１４Ｒを経由して第３発光層１５Ｒに第１電荷が注入される。また、共通電極１９から上側の第３電荷輸送層１７Ｒを経由して第３発光層１５Ｒに第２電荷が注入される。その結果、第３発光層１５Ｒにおいて第１電荷及び第２電荷が再結合し、第３発光層１５Ｒが第３色の光を発する。
　１．４　インバート構造及びコンベンショナル構造
　表示装置１は、インバート構造又はコンベンショナル構造を有する。
　表示装置１がインバート構造を有する場合は、第１電荷は、電子である。また、第２電荷は、正孔である。また、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒは、陰極である。また、共通電極１９は、陽極である。また、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒは、電子輸送層である。また、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、正孔輸送層である。
　表示装置１がコンベンショナル構造を有する場合は、第１電荷は、正孔である。また、第２電荷は、電子である。また、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒは、陽極である。また、共通電極１９は、陰極である。また、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒは、正孔輸送層である。また、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、電子輸送層である。
　１．５　各層を構成する材料
　第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ及び共通電極１９は、導電性材料により構成される。導電性材料は、例えば、金属及び透明導電性酸化物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。金属は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも１種を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）及びホウ素亜鉛酸化物（ＢＺＯ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む。第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ及び共通電極１９の各電極は、１種の導電性材料により構成されるひとつの層であってもよいし、互いに異なる２種以上の導電性材料からなるふたつ以上の層の積層体であってもよい。ふたつ以上の層が、金属からなる層及び透明導電性酸化物からなる層の両方を含んでもよい。
　第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒは、感光性樹脂の硬化物からなる。
　電子輸送層は、電子輸送性材料により構成される。電子輸送性材料は、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ストロンチウムチタンからなる群より選択される少なくとも１種を含む。酸化亜鉛は、例えば、ＺｎＯである。酸化チタンは、例えば、ＴｉＯ２である。酸化ストロンチウムチタンは、例えば、ＳｒＴｉＯ３である。電子輸送性材料は、１種の物質からなる電子輸送性材料であってもよいし、２種以上の物質の混合物からなる電子輸送性材料であってもよい。
　正孔輸送層は、正孔輸送性材料により構成される。正孔輸送性材料は、例えば、正孔輸送性無機材料及び正孔輸送性有機材料からなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性無機材料は、例えば、金属の酸化物、窒化物及び炭化物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。金属は、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒ及びＭｏからなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性有機材料は、４,４´，４´´－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４´－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４´－ビス（カルバゾル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン）－（１，４－フェニレン－（（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（３,４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホン酸)（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）からなる群より選択される少なくとも１種を含む。正孔輸送性材料は、１種の物質からなる正孔輸送性材料であってもよいし、２種以上の物質の混合物からなる正孔輸送性材料であってもよい。
　第１発光層１５Ｂは、青色発光材料により構成される。第２発光層１５Ｇは、緑色発光材料により構成される。第３発光層１５Ｒは、赤色発光材料により構成される。青色発光材料、緑色発光材料及び赤色発光材料の各発光材料は、量子ドットを含む。当該量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子径を有する半導体微粒子である。当該半導体微粒子は、例えば、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物及びＩＶ族化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＩ－ＶＩ族化合物は、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅからなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＳｂからなる群より選択される少なくとも１種を含む。ＩＶ族化合物は、例えば、Ｓｉ及びＧｅからなる群より選択される少なくとも１種を含む。当該半導体微粒子は、当該結晶からなる半導体微粒子であってもよいし、コア／シェル構造を有し当該結晶からなるコア及び広いバンドギャップを有するシェル材料からなり当該コアをオーバーコートするシェルを備える半導体微粒子であってもよい。
　第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢは、絶縁体からなる。
　１．６　表示装置の製造
　図３は、第１実施形態の表示装置１の製造の流れを示すフローチャートである。
　図３に示されるように、表示装置１が製造される際には、工程Ｓ１１からＳ１５までが実行される。
　工程Ｓ１１においては、基板１１、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢを備える基板４２が準備される。
　工程Ｓ１１の後の工程Ｓ１２においては、第１画素電極１２Ｂと共通電極１９との間に配置される第１電極間層４３Ｂが形成される。第１電極間層４３Ｂは、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂを備える。
　工程Ｓ１２の後の工程Ｓ１３においては、第２画素電極１２Ｇと共通電極１９との間に配置される第２電極間層４３Ｇが形成される。第２電極間層４３Ｇは、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇを備える。
　工程Ｓ１３の後の工程Ｓ１４においては、第３画素電極１２Ｒと共通電極１９との間に配置される第３電極間層４３Ｒが形成される。第３電極間層４３Ｒは、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを備える。
　工程Ｓ１４の後の工程Ｓ１５においては、共通電極１９が形成される。
　１．７　電極間層の形成
　図４は、第１実施形態の表示装置１に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。
　図４に示されるように、第１電極間層４３Ｂ、第２電極間層４３Ｇ及び第３電極間層４３Ｒの各電極間層が形成される際には、工程Ｓ１０１からＳ１０５までが実行される。
　工程Ｓ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１０３及びＳ１０４においては、基板４２の上に感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層がそれぞれ形成される。工程Ｓ１０５においては、感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層のリフトオフ部分がリフトオフされる。これにより、感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層が、感光性樹脂層、下側の電荷輸送層、発光層及び上側の電荷輸送層にパターニングされる。
　第１実施形態においては、工程Ｓ１０２は、工程Ｓ１０１の後の工程である。また、工程Ｓ１０３は、工程Ｓ１０２の後の工程である。また、工程Ｓ１０４は、工程Ｓ１０３の後の工程である。また、工程Ｓ１０５は、工程Ｓ１０４の後の工程である。また、第１実施形態においては、下側の電荷輸送材料層及び上側の電荷輸送材料層の両方が、工程Ｓ１０１において感光性樹脂材料層が形成された後に形成される電荷輸送材料層である。
　図５及び図６は、第１実施形態の表示装置１に備えられる第１電極間層４３Ｂが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第１電極間層４３Ｂが形成される際には、図５に図示される第１感光性樹脂材料層２３Ｂ、下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂをそれぞれ感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０５までが実行される。これにより、感光性樹脂層、下側の電荷輸送層、発光層及び上側の電荷輸送層として、図６に図示される第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂがそれぞれ形成される。
　下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂの各層は、第１画素電極１２Ｂを電極とし、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒを他の電極として、各層と当該電極とが重なる領域の全域が第１感光性樹脂材料層２３Ｂと重なるように形成される。これにより、下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂから、第１画素電極１２Ｂ及び第１感光性樹脂層１３Ｂと重なる下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂをそれぞれ得ることができる。
　下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂの各層は、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、各層は、パターニングされていなくてもよい。
　第１感光性樹脂材料層２３Ｂの非リフトオフ部分２３ＢＰ、下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂの非リフトオフ部分２４ＢＰ、第１発光材料層２５Ｂの非リフトオフ部分２５ＢＰ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂの非リフトオフ部分２７ＢＰは、第１画素電極１２Ｂの少なくとも一部の上に形成された部分である。第１感光性樹脂材料層２３Ｂのリフトオフ部分２３ＢＱ、下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂのリフトオフ部分２４ＢＱ、第１発光材料層２５Ｂのリフトオフ部分２５ＢＱ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂのリフトオフ部分２７ＢＱは、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　リフトオフ部分２３ＢＱ、リフトオフ部分２４ＢＱ、リフトオフ部分２５ＢＱ及びリフトオフ部分２７ＢＱがリフトオフされる際には、フォトマスクを使用して第１感光性樹脂材料層２３Ｂが露光及び現像される。第１感光性樹脂材料層２３Ｂがポジ型の感光性樹脂を含む場合は、リフトオフ部分２３ＢＱが露光させられ、非リフトオフ部分２３ＢＰが露光されず、露光されたリフトオフ部分２３ＢＱが現像により除去される。第１感光性樹脂材料層２３Ｂがネガ型の感光性樹脂を含む場合は、非リフトオフ部分２３ＢＰが露光され、リフトオフ部分２３ＢＱが露光されず、露光されないリフトオフ部分２３ＢＱが現像により除去される。
　図７及び図８は、第１実施形態の表示装置１に備えられる第２電極間層４３Ｇが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第２電極間層４３Ｇが形成される際には、図７に図示される第２感光性樹脂材料層２３Ｇ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇをそれぞれ感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０５までが実行される。これにより、感光性樹脂層、下側の電荷輸送層、発光層及び上側の電荷輸送層として、図８に図示される第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇがそれぞれ形成される。
　下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇの各層は、第２画素電極１２Ｇを電極とし、第１画素電極１２Ｂ及び第３画素電極１２Ｒを他の電極として、各層と当該電極とが重なる領域の全域が第２感光性樹脂材料層２３Ｇと重なるように形成される。これにより、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇから、第２画素電極１２Ｇ及び第２感光性樹脂層１３Ｇと重なる下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇをそれぞれ得ることができる。
　下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇの各層は、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、各層は、パターニングされていなくてもよい。
　第２感光性樹脂材料層２３Ｇの非リフトオフ部分２３ＧＰ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇの非リフトオフ部分２４ＧＰ、第２発光材料層２５Ｇの非リフトオフ部分２５ＧＰ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇの非リフトオフ部分２７ＧＰは、第２画素電極１２Ｇの少なくとも一部の上に形成された部分である。第２感光性樹脂材料層２３Ｇのリフトオフ部分２３ＧＱ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇのリフトオフ部分２４ＧＱ、第２発光材料層２５Ｇのリフトオフ部分２５ＧＱ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇのリフトオフ部分２７ＧＱは、第１画素電極１２Ｂ及び第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　リフトオフ部分２３ＧＱ、リフトオフ部分２４ＧＱ、リフトオフ部分２５ＧＱ及びリフトオフ部分２７ＧＱがリフトオフされる際には、フォトマスクを使用して第２感光性樹脂材料層２３Ｇが露光及び現像される。第２感光性樹脂材料層２３Ｇがポジ型の感光性樹脂を含む場合は、リフトオフ部分２３ＧＱが露光され、非リフトオフ部分２３ＧＰが露光されず、露光されたリフトオフ部分２３ＧＱが現像により除去される。第２感光性樹脂材料層２３Ｇがネガ型の感光性樹脂を含む場合は、非リフトオフ部分２３ＧＰが露光され、リフトオフ部分２３ＧＱが露光されず、露光されないリフトオフ部分２３ＧＱが現像により除去される。
　図９及び図１０は、第１実施形態の表示装置１に備えられる第３電極間層４３Ｒが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第３電極間層４３Ｒが形成される際には、図９に図示される第３感光性樹脂材料層２３Ｒ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒをそれぞれ感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層及び上側の電荷輸送材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０５までが実行される。これにより、感光性樹脂層、下側の電荷輸送層、発光層及び上側の電荷輸送層として、図１０に図示される第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒがそれぞれ形成される。
　下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒの各層は、第３画素電極１２Ｒを電極とし、第１画素電極１２Ｂ及び第２画素電極１２Ｇを他の電極として、各層と当該電極とが重なる領域の全域が第３感光性樹脂材料層２３Ｒと重なるように形成される。これにより、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒから、第３画素電極１２Ｒ及び第３感光性樹脂層１３Ｒと重なる下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒをそれぞれ得ることができる。
　下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒの各層は、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、各層は、パターニングされていなくてもよい。
　第３感光性樹脂材料層２３Ｒの非リフトオフ部分２３ＲＰ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒの非リフトオフ部分２４ＲＰ、第３発光材料層２５Ｒの非リフトオフ部分２５ＲＰ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒの非リフトオフ部分２７ＲＰは、第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。第３感光性樹脂材料層２３Ｒのリフトオフ部分２３ＲＱ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒのリフトオフ部分２４ＲＱ、第３発光材料層２５Ｒのリフトオフ部分２５ＲＱ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒのリフトオフ部分２７ＲＱは、第１画素電極１２Ｂ及び第２画素電極１２Ｇの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　リフトオフ部分２３ＲＱ、リフトオフ部分２４ＲＱ、リフトオフ部分２５ＲＱ及びリフトオフ部分２７ＲＱがリフトオフされる際には、フォトマスクを使用して第３感光性樹脂材料層２３Ｒが露光及び現像される。第３感光性樹脂材料層２３Ｒがポジ型の感光性樹脂を含む場合は、リフトオフ部分２３ＲＱが露光され、非リフトオフ部分２３ＲＰが露光されず、露光されたリフトオフ部分２３ＲＱが現像により除去される。第３感光性樹脂材料層２３Ｒがネガ型の感光性樹脂を含む場合は、非リフトオフ部分２３ＲＰが露光されリフトオフ部分２３ＲＱが露光されず、露光されないリフトオフ部分２３ＲＱが現像により除去される。
　第１電極間層４３Ｂ、第２電極間層４３Ｇ及び第３電極間層４３Ｒが形成される際に使用されるフォトマスクは、互いに異なるフォトマスクであってもよいし、同じフォトマスクであってもよい。第１電極間層４３Ｂ、第２電極間層４３Ｇ及び第３電極間層４３Ｒが形成される際に使用されるフォトマスクが同じフォトマスクである場合は、同じフォトマスクが位置を変えて使用される。
　１．８　第１実施形態の効果
　第１感光性樹脂材料層２３Ｂ、下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ、上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂ、第２感光性樹脂材料層２３Ｇ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ、上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇ、第３感光性樹脂材料層２３Ｒ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒは、これらの層が形成される際にはパターニングされておらず、これらの層が形成された後にリフトオフによりパターニングされる。このため、これらの層は、溶液プロセスにより形成することができる。
　蒸着等の真空プロセスによりこれらの層が形成された場合は、これらの層を形成するのに要するコストが高くなる。これに対して、溶液プロセスによりこれらの層が形成された場合は、これらの層を形成するのに要するコストが低くなる。また、これらの層を形成するプロセスを短くすることができる。
　これらの層が形成される際にインクジェット方式によりこれらの層がパターニングされた場合は、高い解像度を実現することが困難である。これに対して、これらの層が形成された後にリフトオフによりこれらの層がパターニングされた場合は、高い解像度を実現することが容易である。
　下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ、上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ、上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒは、これらの層が形成された後にリフトオフによりパターニングされる。これにより、エッチング及びアッシングを行うことが不要になり、表示装置１の製造工程を簡略化することができる。
　下側の第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ及び上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂは、リフトオフにより同時にパターニングされ、下側の第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ及び上側の第２電荷輸送材料層２７Ｇは、リフトオフにより同時にパターニングされ、下側の第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ及び上側の第３電荷輸送材料層２７Ｒは、リフトオフにより同時にパターニングされる。これにより、表示装置１の製造工程を簡略化することができる。
　表示装置１は、機能層が色ごとに塗り分けされた塗分け素子である。
　このため、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒは、互いに独立している。これにより、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒの層数等を互いに異ならせることができ、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒの層数等を、それぞれ、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒに好適なものとすることができ、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒの発光特性を向上することができる。例えば、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒの発光効率を向上することができる。また、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒが互いに干渉することを抑制することができる。例えば、第１機能層４１Ｂ、第２機能層４１Ｇ及び第３機能層４１Ｒの間でリーク、混色、散乱等が生じることを抑制することができる。
　また、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒは、互いに独立している。また、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒは、互いに独立している。また、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒは、互いに独立している。これらにより、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂの材料、層厚等を第１発光素子Ｂに好適なものとすることができ、第１発光素子Ｂの発光特性を向上することができる。例えば、第１発光素子Ｂの発光効率を向上することができる。また、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇの材料、層厚等を第２発光素子Ｇに好適なものとすることができ、第２発光素子Ｇの発光特性を向上することができる。例えば、第２発光素子Ｇの発光効率を向上することができる。また、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒの材料、層厚等を第３発光素子Ｒに好適なものとすることができ、第３発光素子Ｒの発光特性を向上することができる。例えば、第３発光素子Ｒの発光効率を向上することができる。
　例えば国際公開第２０２０／０４９７４２号には、量子ドット及び感光性材料の混合物からなる層を全面に形成し、形成した層に対してパターニング露光及び現像を行うことより、発光層をパターニングする手法（ＱＤｐｒ方式）が開示されている。しかし、ＱＤｐｒ方式により量子ドット層以外の層をパターニングすることはできない。
　２　第２実施形態
　以下では、第２実施形態が第１実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第１実施形態において採用される構成と同様の構成が第２実施形態においても採用される。
　図１１は、第２実施形態の表示装置２に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図１１に図示されるように、各画素Ｐは、第１実施形態と同じく、基板１１、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ、第３発光層１５Ｒ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び共通電極１９を備える。また、各画素Ｐは、他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒをさらに備える。
　他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒは、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒにそれぞれ配置される。
　他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒは、基板１１の上に配置される。
　他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒは、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒの上にそれぞれ配置され、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒの下にそれぞれ配置される。
　図１２は、第２実施形態の表示装置２に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。
　図１２に図示されるように、第１電極間層４３Ｂ、第２電極間層４３Ｇ及び第３電極間層４３Ｒの各電極間層が形成される際には、第１実施形態と同じく、工程Ｓ１０１からＳ１０５までが実行される。また、各電極間層が形成される際には、工程Ｓ１０６がさらに実行される。
　工程Ｓ１０１，Ｓ１０２及びＳ１０３の後であって工程Ｓ１０４及びＳ１０５の前の工程Ｓ１０６においては、基板４２の上に他の感光性樹脂材料層が形成される。工程Ｓ１０５においては、リフトオフ部分がリフトオフされる際に、他の感光性樹脂材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、他の感光性樹脂材料層のリフトオフ部分がリフトオフされる。これにより、感光性樹脂材料層が、感光性樹脂層にパターニングされる。
　第２実施形態においても、下側の電荷輸送材料層及び上側の電荷輸送材料層の両方が、工程Ｓ１０１において感光性樹脂材料層が形成された後に形成される電荷輸送材料層である。
　図１３及び図１４は、第２実施形態の表示装置２に備えられる第１電極間層４３Ｂが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第１電極間層４３Ｂが形成される際には、図１３に図示される他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂを他の感光性樹脂材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０６までが実行される。これにより、他の感光性樹脂層として図１４に図示される他の第１感光性樹脂層１６Ｂが得られる。
　他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂは、第１画素電極１２Ｂを電極とし、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒを他の電極として、他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂと当該電極とが重なる領域の全域が第１感光性樹脂材料層２３Ｂと重なるように形成される。これにより、他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂから、第１画素電極１２Ｂ及び第１感光性樹脂層１３Ｂと重なる他の第１感光性樹脂層１６Ｂを得ることができる。
　他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂは、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂは、パターニングされていなくてもよい。
　他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂの非リフトオフ部分２６ＢＰは、第１画素電極１２Ｂの少なくとも一部の上に形成された部分である。他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂのリフトオフ部分２６ＢＱは、第２画素電極１２Ｇ及び第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　図１５及び図１６は、第２実施形態の表示装置２に備えられる第２電極間層４３Ｇが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第２電極間層４３Ｇが形成される際には、図１５に図示される他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇを他の感光性樹脂材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０６までが実行される。これにより、他の感光性樹脂層として図１６に図示される他の第２感光性樹脂層１６Ｇが得られる。
　他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇは、第２画素電極１２Ｇを電極とし、第１画素電極１２Ｂ及び第３画素電極１２Ｒを他の電極として、他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇと当該電極とが重なる領域の全域が第２感光性樹脂材料層２３Ｇと重なるように形成される。これにより、他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇから、第２画素電極１２Ｇ及び第２感光性樹脂層１３Ｇと重なる他の第２感光性樹脂層１６Ｇを得ることができる。
　他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇは、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇは、パターニングされていなくてもよい。
　他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇの非リフトオフ部分２６ＧＰは、第２画素電極１２Ｇの少なくとも一部の上に形成された部分である。他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇのリフトオフ部分２６ＧＱは、第１画素電極１２Ｂ及び第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　図１７及び図１８は、第２実施形態の表示装置２に備えられる第３電極間層４３Ｒが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　第３電極間層４３Ｒが形成される際には、図１７に図示される他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒを他の感光性樹脂材料層として工程Ｓ１０１からＳ１０６までが実行される。これにより、他の感光性樹脂層として図１８に図示される他の第３感光性樹脂層１６Ｒが得られる。
　他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒは、第３画素電極１２Ｒを電極とし、第１画素電極１２Ｂ及び第２画素電極１２Ｇを他の電極として、他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒと当該電極とが重なる領域の全域が第３感光性樹脂材料層２３Ｒと重なるように形成される。これにより、他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒから、第１画素電極１２Ｂ及び第３感光性樹脂層１３Ｒと重なる他の第３感光性樹脂層１６Ｒを得ることができる。
　他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒは、第１画素電極１２Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上に跨って形成される。このため、他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒは、パターニングされていなくてもよい。
　他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒの非リフトオフ部分２６ＲＰは、第３画素電極１２Ｒの少なくとも一部の上に形成された部分である。他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒのリフトオフ部分２６ＲＱは、第１画素電極１２Ｂ及び第２画素電極１２Ｇの少なくとも一部の上に形成された部分である。
　図１９は、第２実施形態の第１変形例の表示装置２Ｍに備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図１９に図示されるように、第２実施形態の第１変形例においては、第１感光性樹脂層１３Ｂ、第２感光性樹脂層１３Ｇ及び第３感光性樹脂層１３Ｒが、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒの上にそれぞれ配置され、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒの下にそれぞれ配置される。また、他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒが、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒの上にそれぞれ配置され、共通電極１９の下に配置される。
　図２０は、第２実施形態の第１変形例の表示装置２Ｍに備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。
　図２０に示されるように、第２実施形態の第１変形例においては、工程Ｓ１１の後であって工程Ｓ１０１の前の工程Ｓ１０２において、下側の電荷輸送材料層が形成される。また、工程Ｓ１０３の後であって工程Ｓ１０６の前の工程Ｓ１０４において、上側の電荷輸送材料層が形成される。
　第２実施形態の第１変形例においては、上側の電荷輸送材料層が、工程Ｓ１０１において感光性樹脂材料層が形成された後に形成される電荷輸送材料層である。また、下側の電荷輸送材料層が、工程Ｓ１０１において感光性樹脂材料層が形成される前に形成される他の電荷輸送材料層である。
　図２１は、第２実施形態の第２変形例の表示装置２Ｎに備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図２１に図示されるように、第２実施形態の第２変形例においては、表示装置２Ｎが、上側の第１電荷輸送層１８Ｂ、上側の第２電荷輸送層１８Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１８Ｒをさらに備える。上側の第１電荷輸送層１８Ｂ、上側の第２電荷輸送層１８Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１８Ｒは、他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒの上にそれぞれ配置され、共通電極１９の下に配置される。
　図２２は、第２実施形態の第２変形例の表示装置２Ｎに備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。
　図２２に示されるように、第２実施形態の第２変形例においては、工程Ｓ１０６の後であって工程Ｓ１０５の前の工程Ｓ１０７において、上側の電荷輸送材料層がさらに形成される。
　工程Ｓ１０５においては、リフトオフ部分がリフトオフされる際に、工程Ｓ１０７において形成された上側の電荷輸送材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、当該上側の電荷輸送材料層のリフトオフ部分がリフトオフされる。
　第２実施形態、第２実施形態の第１変形例及び第２実施形態の第２変形例は、第１実施形態の効果と同様の効果を有する。
　加えて、第２実施形態においては、他の第１感光性樹脂層１６Ｂの下に形成された下側の第１電荷輸送層１４Ｂ及び第１発光層１５Ｂを他の第１感光性樹脂層１６Ｂにより保護することができる。また、他の第２感光性樹脂層１６Ｇの下に形成された下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び第２発光層１５Ｇを他の第２感光性樹脂層１６Ｇにより保護することができる。また、他の第３感光性樹脂層１６Ｒの下に形成された下側の第３電荷輸送層１４Ｒ及び第３発光層１５Ｒを他の第３感光性樹脂層１６Ｒにより保護することができる。これにより、表示装置２が製造される間、特に現像が行われる間に、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ及び第３発光層１５Ｒが損傷することを抑制することができる。
　第２実施形態の第１変形例及び第２変形例においては、第１感光性樹脂層１３Ｂの下に形成された下側の第１電荷輸送層１４Ｂを第１感光性樹脂層１３Ｂにより保護することができる。また、第２感光性樹脂層１３Ｇの下に形成された下側の第２電荷輸送層１４Ｇを第２感光性樹脂層１３Ｇにより保護することができる。また、第３感光性樹脂層１３Ｒの下に形成された下側の第３電荷輸送層１４Ｒを第３感光性樹脂層１３Ｒにより保護することができる。また、他の第１感光性樹脂層１６Ｂの下に形成された下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂを他の第１感光性樹脂層１６Ｂにより保護することができる。また、他の第２感光性樹脂層１６Ｇの下に形成された下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇを他の第２感光性樹脂層１６Ｇにより保護することができる。また、他の第３感光性樹脂層１６Ｒの下に形成された下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを他の第３感光性樹脂層１６Ｒにより保護することができる。これにより、表示装置２Ｍ及び表示装置２Ｎが製造される間、特に現像が行われる間に、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒが損傷することを抑制することができる。
　３　第３実施形態
　以下では、第３実施形態が第２実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第２実施形態において採用される構成と同様の構成が第３実施形態においても採用される。
　図２３は、第３実施形態の表示装置３に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図２３に図示されるように、第３実施形態においては、他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒは、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒの上にそれぞれ配置され、共通電極１９の下に配置される。
　図２４は、第３実施形態の表示装置３に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。
　図２４に図示されるように、第１電極間層４３Ｂ、第２電極間層４３Ｇ及び第３電極間層４３Ｒの各電極間層が形成される際には、第２実施形態と同じく、工程Ｓ１０１からＳ１０６までが実行される。
　第３実施形態においては、工程Ｓ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１０３及びＳ１０４の後であって工程Ｓ１０５の前の工程Ｓ１０６において、基板４２の上に他の感光性樹脂材料層が形成される。
　また、工程Ｓ１０５において、リフトオフ部分がリフトオフされる際に、他の感光性樹脂材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、他の感光性樹脂材料層のリフトオフ部分がリフトオフされる。これにより、他の感光性樹脂材料が他の感光性樹脂層にパターニングされる。
　第３実施形態は、第２実施形態の効果と同様の効果を有する。
　加えて、第３実施形態においては、他の第１感光性樹脂層１６Ｂの下に形成された下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ及び上側の第１電荷輸送層１７Ｂを他の第１感光性樹脂層１６Ｂにより保護することができる。また、他の第２感光性樹脂層１６Ｇの下に形成された下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ及び上側の第２電荷輸送層１７Ｇを他の第２感光性樹脂層１６Ｇにより保護することができる。また、他の第３感光性樹脂層１６Ｒの下に形成された下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒを他の第３感光性樹脂層１６Ｒにより保護することができる。これにより、表示装置３が製造される間、特に現像が行われる間に、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ及び上側の第３電荷輸送層１７Ｒが損傷することを抑制することができる。
　４　第４実施形態
　以下では、第４実施形態が第３実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第３実施形態において採用される構成と同様の構成が第４実施形態においても採用される。
　図２５は、第４実施形態の表示装置４に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　第４実施形態においては、各画素Ｐは、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢを備えない。
　また、第４実施形態においては、第１画素電極１２Ｂと第２画素電極１２Ｇとの電極間の上において、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ及び他の第１感光性樹脂層１６Ｂのエッジが、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジに重なる。また、第２画素電極１２Ｇと第３画素電極１２Ｒとの電極間の上において、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジが、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒのエッジに重なる。また、第３画素電極１２Ｒと第１画素電極１２Ｂとの電極間の上において、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジが、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ及び他の第１感光性樹脂層１６Ｂのエッジに重なる。
　第４実施形態においては、工程Ｓ１０５において、リフトオフ部分がリフトオフされる際に、電極の端部の上に形成された、感光性樹脂材料層、下側の電荷輸送材料層、発光材料層、上側の電荷輸送材料層及び他の感光性樹脂材料層の端部上部分がリフトオフされずに残される。例えば、第１電極間層４３Ｂが形成される際には、第１画素電極１２Ｂの端部の上に形成された、第１感光性樹脂材料層２３Ｂ、第１電荷輸送材料層２４Ｂ、第１発光材料層２５Ｂ、上側の第１電荷輸送材料層２７Ｂ及び他の第１感光性樹脂材料層２６Ｂの端部上部分がリフトオフされずに残される。また、第２電極間層４３Ｇが形成される際には、第２画素電極１２Ｇの端部の上に形成された、第２感光性樹脂材料層２３Ｇ、第２電荷輸送材料層２４Ｇ、第２発光材料層２５Ｇ、第２電荷輸送材料層２７Ｇ及び他の第２感光性樹脂材料層２６Ｇの端部上部分がリフトオフされずに残される。また、第３電極間層４３Ｒが形成される際には、第３画素電極１２Ｒの端部の上に形成された、第３感光性樹脂材料層２３Ｒ、第３電荷輸送材料層２４Ｒ、第３発光材料層２５Ｒ、第３電荷輸送材料層２７Ｒ及び他の第３感光性樹脂材料層２６Ｒの端部上部分がリフトオフされずに残される。
　第４実施形態は、第３実施形態の効果と同様の効果を有する。
　加えて、第４実施形態においては、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢが設けられないにもかかわらず、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢが設けられた場合と同様に、エッジリークを抑制することができる。
　５　第５実施形態
　以下では、第５実施形態が第３実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第３実施形態において採用される構成と同様の構成が第５実施形態においても採用される。
　図２６は、第５実施形態の表示装置５に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　第５実施形態においては、第１バンクＢＧの上において、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ及び他の第１感光性樹脂層１６Ｂのエッジが、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジに重なる。また、第２バンクＧＲの上において、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジが、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒのエッジに重なる。また、第３バンクＲＢの上において、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジが、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ及び他の第１感光性樹脂層１６Ｂのエッジに重なる。
　第５実施形態は、第３実施形態の効果と同様の効果を有する。
　加えて、第５実施形態においては、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢの上を経由するリークを抑制することができ、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒの発光効率を向上することができる。
　６　第６実施形態
　以下では、第６実施形態が第３実施形態と相違する点が説明される。説明されない点については、第３実施形態において採用される構成と同様の構成が第６実施形態においても採用される。
　図２７は、第６実施形態の表示装置６に備えられる各画素Ｐを模式的に図示する断面図である。
　図２７に図示されるように、第６実施形態においては、第１バンクＢＧの上に、第１画素電極１２Ｂ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ、他の第１感光性樹脂層１６Ｂ、第２画素電極１２Ｇ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ及び他の第２感光性樹脂層１６Ｇのエッジが配置されていない。また、第２バンクＧＲの上に、第２画素電極１２Ｇ、第２感光性樹脂層１３Ｇ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ、第２発光層１５Ｇ、上側の第２電荷輸送層１７Ｇ、他の第２感光性樹脂層１６Ｇ、第３画素電極１２Ｒ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ及び他の第３感光性樹脂層１６Ｒのエッジが配置されていない。また、第３バンクＲＢの上に、第３画素電極１２Ｒ、第３感光性樹脂層１３Ｒ、下側の第３電荷輸送層１４Ｒ、第３発光層１５Ｒ、上側の第３電荷輸送層１７Ｒ、他の第３感光性樹脂層１６Ｒ、第１画素電極１２Ｂ、第１感光性樹脂層１３Ｂ、下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、第１発光層１５Ｂ、上側の第１電荷輸送層１７Ｂ及び他の第１感光性樹脂層１６Ｂのエッジが配置されていない。
　図２８は、第６実施形態の表示装置６に備えられる各電極間層の形成の流れを示すフローチャートである。図２９から図３２までは、第６実施形態の表示装置６に備えられる第２電極間層４３Ｇが形成される際に得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
　図２８に示されるように、第２電極間層４３Ｇが形成される際には、第３実施形態と同じく、工程Ｓ１０１からＳ１０６までが実行される。また、第２電極間層４３Ｇが形成される際には、工程Ｓ１０８及びＳ１０９がさらに実行される。
　工程Ｓ１０５においては、リフトオフ部分２３ＧＱ、リフトオフ部分２４ＧＱ、リフトオフ部分２５ＧＱ、リフトオフ部分２７ＧＱ及びリフトオフ部分２６ＧＱがリフトオフされる際に、図２９に図示される、第１画素電極１２Ｂと第２画素電極１２Ｇとの電極間の上に形成された、第２感光性樹脂材料層２３Ｇの電極間上部分２３ＧＸ、第２電荷輸送材料層２４Ｇの電極間上部分２４ＧＸ、第２発光材料層２５Ｇの電極間上部分２５ＧＸ、第２電荷輸送材料層２７Ｇの電極間上部分２７Ｘ及び他の第２感光性樹脂層２６Ｇの電極間上部分２６ＧＸがリフトオフされる。これにより、図３０に図示される中間品が得られる。
　工程Ｓ１０５の後の工程Ｓ１０８においては、図３１に図示されるように、基板１１の上に感光性バンク材料層５１が形成される。感光性バンク材料層５１は、電極間上部分２３ＧＸ、電極間上部分２４ＧＸ、電極間上部分２５ＧＸ、電極間上部分２７Ｘ及び電極間上部分２６ＧＸがあった部分に侵入する。
　工程Ｓ１０８の後の工程Ｓ１０９においては、図３２に図示されるように、感光性バンク材料層５１が露光及び現像されて、第１画素電極１２Ｂと第２画素電極１２Ｇとの電極間の上に第１バンクＢＧが形成される。
　第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢも第１バンクＢＧと同様に形成される。
　第６実施形態は、第３実施形態の効果と同様の効果を有する。
　加えて、第６実施形態においては、第１発光層１５Ｂ、第２発光層１５Ｇ及び第３発光層１５Ｒの下にそれぞれ配置される下側の第１電荷輸送層１４Ｂ、下側の第２電荷輸送層１４Ｇ及び下側の第３電荷輸送層１４Ｒが互いに大きく分離されて重ならず、第１バンクＢＧ、第２バンクＧＲ及び第３バンクＲＢにより互いに隔てられる。これにより、第１発光素子Ｂ、第２発光素子Ｇ及び第３発光素子Ｒの間のリークを抑制することができる。
　本開示は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

 

Claims (8)

  1. 　ａ）電極と、平面視において前記電極から距離を置いた他の電極と、を備える基板を準備する工程と、
    　ｂ）前記工程ａ）の後に、前記基板の上に感光性樹脂材料層を形成する工程と、
    　ｃ）前記工程ｂ）の後に、前記基板の上に電荷輸送材料層及び発光材料層を、前記電荷輸送材料層と前記電極とが重なる領域の全域及び前記発光材料層と前記電極とが重なる領域の全域が前記感光性樹脂材料層と重なるように形成する工程と、
    　ｄ）前記工程ｃ）の後に、フォトマスクを使用して前記感光性樹脂材料層を露光及び現像して、前記電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層の非リフトオフ部分をリフトオフせずに残して、前記他の電極の少なくとも一部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層のリフトオフ部分をリフトオフすることにより、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層を感光性樹脂層、電荷輸送層及び発光層にそれぞれパターニングする工程と、
    を備える表示装置の製造方法。
  2. 　前記工程ｄ）は、前記電極の端部の上に形成された、前記感光性樹脂材料層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層の端部上部分をリフトオフせずに残す
    請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　ｅ）第１電極を前記電極とし、第１感光性樹脂材料層を前記感光性樹脂材料層とし、第１電荷輸送材料層を前記電荷輸送材料層とし、第１発光材料層を前記発光材料層として、前記工程ｂ）から前記工程ｄ）までを実行して、前記感光性樹脂層、前記電荷輸送層及び前記発光層として第１感光性樹脂層、第１電荷輸送層及び第１色の光を発する第１発光層をそれぞれ得る工程と、
    　ｆ）前記工程ｅ）の後に、第２電極を前記電極とし、第２感光性樹脂材料層を前記感光性樹脂材料層とし、第２電荷輸送材料層を前記電荷輸送材料層とし、第２発光材料層を前記発光材料層として、前記工程ｂ）から前記工程ｄ）までを実行して、前記感光性樹脂層、前記電荷輸送層及び前記発光層として第２感光性樹脂層、第２電荷輸送層及び前記第１色と異なる第２色の光を発する第２発光層をそれぞれ得る工程と、
    を備える請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　ｇ）前記工程ｆ）の後に、第３電極を前記電極とし、第３感光性樹脂材料層を前記感光性樹脂材料層とし、第３電荷輸送材料層を前記電荷輸送材料層とし、第３発光材料層を前記発光材料層として、前記工程ｂ）から前記工程ｄ）までを実行して、前記感光性樹脂層、前記電荷輸送層及び前記発光層として第３感光性樹脂層、第３電荷輸送層並びに前記第１色及び前記第２色と異なる第３色の光を発する第３発光層をそれぞれ得る工程
    を備える請求項３に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　前記工程ｆ）は、前記工程ｄ）を実行する際に、前記電極と前記他の電極との電極間の上に形成された、前記感光性樹脂層、前記電荷輸送材料層及び前記発光材料層の電極間上部分をリフトオフし、
    　ｈ）前記工程ｆ）の後に、前記基板の上に感光性バンク材料層を形成する工程と、
    　ｉ）前記工程ｈ）の後に、前記感光性バンク材料層を露光及び現像して、前記電極間の上にバンクを形成する工程と、
    を備える請求項３又は４に記載の表示装置の製造方法。
  6. 　ｊ）前記工程ａ）の後であって前記工程ｂ）の前に、他の電荷輸送材料層を形成する工程
    を備える請求項１から５までのいずれかに記載の表示装置の製造方法。
  7. 　ｋ）前記工程ｃ）の後であって前記工程ｄ）の前に、前記基板の上に他の感光性樹脂材料層を形成する工程
    をさらに備える請求項１から６までのいずれかに記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記工程ｃ）は、
    　ｃ－１）前記発光材料層を形成する工程と、
    　ｃ－２）前記工程ｃ－１）の後に前記電荷輸送材料層を形成する工程と、
    を備える
    請求項７に記載の表示装置の製造方法。

     
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