JP2019192838A

JP2019192838A - 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法

Info

Publication number: JP2019192838A
Application number: JP2018085741A
Authority: JP
Inventors: 正之窪田; Masayuki Kubota; 健一年代; Kenichi Nendai
Original assignee: Joled Inc
Current assignee: Joled Inc
Priority date: 2018-04-26
Filing date: 2018-04-26
Publication date: 2019-10-31

Abstract

【課題】透光性金属酸化物層パターンの侵食を抑止し光取り出し効率を向上する。【解決手段】基板上１００ｘの赤色副画素の領域に、第１画素電極１１９、第１ホール注入下部層１２０Ａ１Ｒ、第１ホール注入層１２０Ａ２Ｒ、赤色有機発光層１２３Ｒと、基板上の緑色副画素の領域に、第２画素電極１１９、第２ホール注入下部層１２０Ａ１Ｇ、第２ホール注入層１２０Ａ２Ｇ、緑色有機発光層１２３Ｇと、基板上の青色副画素の領域に、第３画素電極１１９、第３ホール注入下部層１２０Ａ１Ｂ、第３ホール注入層１２０Ａ２Ｂ、青色有機発光層１２３Ｂと、上方に対向電極１２５とを備え、第１ホール注入下部層上に周囲と上面とを第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターン１２８Ｒと、第２ホール注入下部層上に周囲と上面とを第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターン１２８Ｇとを備えた。【選択図】図２

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、及び有機ＥＬ素子の製造方法に関し、特に、有機ＥＬ素子の反射電極からホール注入層までの積層構造に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。

トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板上に光反射性材料からなる画素電極（反射電極）、有機層（発光層を含む）、及び光透光性材料からなる対向電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、反射電極にて反射されて対向電極から出射される反射光と、発光層から直接出射される直接光とが重畳されて外部に出射されることにより高い光取り出し効率を実現することができる。このとき、ＲＧＢ各色に発光する副画素ごとに陽極−陰極間の距離を異ならせて波長に対応した光路長を設けた光共振器構造が採ることにより、副画素ごとに光取り出し効率を向上して、出射光の色純度を向上し出射輝度を高める技術が提案されている。例えば、特許文献１では、反射電極上に透光性金属酸化物からなる透明電極を設け、赤色副画素及び緑色副画素における透明電極の厚みを等価とし、青色副画素における透明電極の厚みを赤色副画素及び緑色副画素よりも薄く構成した有機ＥＬ素子が開示されている。

特開２０１０−２５１１５６号公報

ところが、特許文献１に記載される有機ＥＬ素子構造では、反射電極上に設けた透光性金属酸化物層の光透過性が低く、光取り出し効率が十分でないという課題があった。
また、有機ＥＬ素子の製造工程において、反射電極をエッチングによりパターニングする際に上層に位置する透光性金属酸化物層パターン（透明電極）がサイドエッチングされることによる積層構造の欠陥が生じる場合がある。そのため、反射電極を透光性金属酸化物層パターンより前に別にパターンニングする必要があり、生産効率の改善が図れないとう課題があった。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、青色副画素の領域における光取り出し効率を改善するとともに、製造時の透光性金属酸化物層パターンのサイドエッチングによる侵食を抑止して生産効率を改善できる有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬパネルは、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極、第１ホール注入下部層、第１ホール注入層、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極、第２ホール注入下部層、第２ホール注入層、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極、第３ホール注入下部層、第３ホール注入層、青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に対向電極とを備え、さらに、前記第１ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターンと、前記第２ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターンとを備えたことを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、青色副画素の領域における光取り出し効率を改善するとともに、光共振器構造により高い光取り出し効率を維持しつつ、製造時の透光性金属酸化物層パターンのサイドエッチングによる侵食を抑止して生産効率を改善する有機ＥＬ表示パネルを実現できる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。図１におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図３における画素電極、ホール注入層形成工程（ステップＳ３）の詳細を示すフローチャートである。（ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。実施例に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＲＧＢ副画素における分光反射率の測定結果である。有機ＥＬ表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する模式図である。実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの製造工程における画素電極、ホール注入層形成工程の詳細を示すフローチャートである。変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂを図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極、第１ホール注入下部層、第１ホール注入層、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極、第２ホール注入下部層、第２ホール注入層、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極、第３ホール注入下部層、第３ホール注入層、青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に対向電極とを備え、さらに、前記第１ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターンと、前記第２ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターンとを備えたことを特徴とする。

係る構成により、青色副画素の領域における光取り出し効率を改善するとともに、光共振器構造により高い光取り出し効率を維持しつつ、製造時の透光性金属酸化物層パターンのサイドエッチングによる侵食を抑止して生産効率を改善することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１ホール注入下部層、前記第２ホール注入下部層、前記第３ホール注入下部層は、同じ材料から構成され、当該材料は、ホール注入性のある遷移金属酸化物を主成分として含む構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入層及び前記第３ホール注入層は、同じ材料から構成され、当該材料は、ホール注入性のある遷移金属酸化物を主成分として含む構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１ホール注入下部層と前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入下部層と前記第２ホール注入層、前記第３ホール注入下部層と及び前記第３ホール注入層とは、同じ材料から構成される構成としてもよい。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記遷移金属はタングステンである構成としてもよい。
係る構成により、第１ホール注入下部層と第１ホール注入層、第２ホール注入下部層と第２ホール注入層、第３ホール注入下部層と及び第２ホール注入層をホール注入性のある遷移金属酸化物から構成することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１透光性金属酸化物層パターンの外周は、前記第１ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周よりも平面視において内方に位置し、前記第２透光性金属酸化物層パターンの外周は、前記第２ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周よりも平面視において内方に位置する構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周は、前記第１画素電極の外周と、前記第２ホール注入下部層及び前記第２ホール注入層の外周は、前記第２画素電極の外周と、前記第３ホール注入下部層及び前記第３ホール注入層の外周は、前記第３画素電極の外周と、それぞれ平面視において同じ位置にある構成としてもよい。

係る構成により、基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域内には、ホール注入下部層上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層に覆われた透光性金属酸化物層パターンを備えた構成を実現できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１透光性金属酸化物層パターン及び前記第２透光性金属酸化物層は、ＩＴＯ又はＩＺＯを主成分として含む構成としてもよい。

係る構成により、ホール注入下部層とホール注入層との間に透光性に優れた光学調整層を設けることができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記赤色副画素の領域内の前記第１ホール注入層と前記赤色有機発光層との間に、有機物からなる第１ホール注入上部層と、前記緑色副画素の領域内の前記第２ホール注入層と前記緑色有機発光層との間に、前記有機物からなる第２ホール注入上部層と、前記青色副画素の領域内の前記第３ホール注入層と前記青色有機発光層との間に、前記有機物からなる第３ホール注入上部層とを備えた構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記有機物は、ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物を含む構成としてもよい。

係る構成により、ＲＧＢ各色副画素ごとに陽極−陰極間の距離を異ならせて波長に対応した光路長を設けた光共振器構造を容易に形成することができ、副画素ごとに光取り出し効率を向上して、出射光の色純度を向上し出射輝度を高めることができる。
また、別の態様では、上記の何れかの有機ＥＬ表示パネルと駆動回路とを備えた有機ＥＬ表示装置としてもよい。

係る構成により、上記有機ＥＬ表示パネルによる表示装置を提供できる。
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板上の金属層を形成し、前記金属層上に第１の金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層上に透光性金属酸化物からなる連続膜を形成し、前記連続膜に第１のパターンニングをして前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに透光性金属酸化物層パターンを形成し、前記第１の金属酸化物層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターン上に第２の金属酸化物層を形成し、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層に第２のパターンニングをして、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに前記基板側から順に、画素電極、ホール注入下部層、ホール注入層を形成し、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおけるホール注入層上方に、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を、当該順に形成し、前記基板、及び前記青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層上方に対向電極を形成し、前記第２のパターニングでは、前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおいて、前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に存在する、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層を残すようにパターンニングして、前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成することを特徴とする。

係る構成により、青色副画素の領域における光取り出し効率を改善するとともに、光共振器構造により高い光取り出し効率を維持しつつ、製造時の透光性金属酸化物層パターンのサイドエッチングによる侵食を抑止して生産効率を改善する有機ＥＬ表示パネルを提供ことができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第２のパターニングでは、前記基板の平面視において、前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記透光性金属酸化物層パターンは、前記ホール注入下部層上にあり、周囲と上面とを前記ホール注入層に覆われている構成としてもよい。

係る構成により、基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域内には、ホール注入下部層上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層に覆われた透光性金属酸化物層パターンを備えた有機ＥＬ表示パネルを提供することができる。
本開示の別の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極、第１ホール注入下部層、第１ホール注入層、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極、第２ホール注入下部層、第２ホール注入層、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極、第３ホール注入下部層、第３ホール注入層、青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に対向電極とを備え、さらに、前記第１ホール注入下部層上に周囲を前記第１ホール注入層に覆われた第１の中間金属層パターンと、前記第１の中間金属層パターン上に周囲と上面とを前記第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターンと、前記第２ホール注入下部層上に周囲を前記第２ホール注入層に覆われた第２の中間金属層パターンと、前記第２の中間金属層パターン上に周囲と上面とを前記第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターンとを備えたことを特徴とする。

係る構成により、これより、緑色副画素及び赤色副画素において、中間金属層パターン下方のホール注入下部層における光の吸収の影響を排除して光取り出し効率を向上し、出射光の色純度を向上し出射輝度を高めることができる。
本開示の別の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板上の金属層を形成し、前記金属層上に第１の金属酸化物層を形成し、前記第１の金属酸化物層上に中間金属層を形成し、前記中間金属層上に透光性金属酸化物からなる連続膜を形成し、前記中間金属層及び前記連続膜に第１のパターンニングをして前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに、中間金属層パターン及び透光性金属酸化物層パターンを当該順に形成し、前記第１の金属酸化物層及び前記透光性金属酸化物層パターン上に第２の金属酸化物層を形成し、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層に第２のパターンニングをして、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに前記基板側から順に、画素電極、ホール注入下部層、ホール注入層を形成し、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおけるホール注入層上方に、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を、当該順に形成し、前記基板、及び前記青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層上方に対向電極を形成し、前記第２のパターニングでは、前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおいて、前記中間金属層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に存在する、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層を残すようにパターンニングして、前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成することを特徴とする。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第２のパターニングでは、前記基板の平面視において、前記中間金属層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する構成としてもよい。
係る構成により、緑色副画素及び赤色副画素において、光取り出し効率をさらに向上し、出射光の色純度を向上し出射輝度を高めた有機ＥＬ表示パネルを提供できる。

以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０、有機ＥＬ素子１００、及び有機ＥＬ表示装置１について、図面を用い説明する。
≪実施の形態≫
１．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。図１は、表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。

表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数、例えば、後述する行列方向にそれぞれ４０００個×２０００個の有機ＥＬ素子１００がマトリックス状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ｅから構成されている。本明細書では、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとを総称して「バンク１２２」とする。区画領域１０ｅでは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されている。

表示パネル１０の区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図１に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

また、図１に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。

表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲに対応する間隙を赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する間隙を緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する間隙を青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は「間隙５２２ｚ」）とする。

また、図１に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配され、非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
２有機ＥＬ素子１００の構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図２を用いて説明する。図２は、図１における表示パネル１０をＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
２．１基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ回路は、有機ＥＬ素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。本実施の形態では、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。配線は、ＴＦＴのソースＳ₁と対応する画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

２．２有機ＥＬ素子部
（１）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するとともに、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
（２）画素電極１１９
基板１００ｘにおける領域１０ｅの上面に位置する平坦化層１１８上には、図２に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。

画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。表示パネル１０はトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。画素電極１１９は、膜厚が５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下（ここでは一例として２００ｎｍ）の金属を主成分として含む金属層である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁ に接続される配線とが接続される。

（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９及上には、図２に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、前記基板側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａ１と、少なくともホール注入下部層１２０Ａ１上に積層されたホール注入下部層１２０Ａ１と同じ材料からなるホール注入層１２０Ａ２とを含む。

ホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２は、酸化タングステン（組成式ＷＯｘにおいて、ｘは概ね２＜ｘ＜３の範囲における実数）を含んでなる。また、ホール注入下部層１２０Ａ１及びホール注入層１２０Ａ２は、膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上２０ｎｍ以下（ここでは一例として１５ｎｍ）のホール注入性のある遷移金属酸化物を主成分として含む金属酸化物層として構成される。

図２に示すように、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられたホール注入下部層１２０Ａ１を、それぞれ１２０Ａ１Ｂ、１２０Ａ１Ｇ及び１２０Ａ１Ｒとしたとき、１２０Ａ１Ｂ、１２０Ａ１Ｇ及び１２０Ａ１Ｒの膜厚は等価に構成されている。同様に、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられたホール注層１２０Ａ２を、それぞれ１２０Ａ２Ｂ、１２０Ａ２Ｇ及び１２０Ａ２Ｒとしたとき、１２０Ａ２Ｂ、１２０Ａ２Ｇ及び１２０Ａ２Ｒの膜厚は等価に構成されている。青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられたホール注入下部層１２０Ａ１とホール注層１２０Ａ２との膜厚は等価であってもよく、異なる態様であってもよい。

ホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２は、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。膜厚は２ｎｍ以上あると、均一な成膜を行いやすく、また、以下に示す画素電極１１９とホール注入層１２０との間のショットキーオーミック接続を形成しやすいので好ましい。ショットキーオーミック接続は酸化タングステンの膜厚が２ｎｍ以上で安定して形成されるため、これ以上の膜厚でホール注入層１２０を形成すれば、ショットキーオーミック接続を利用して、画素電極１１９からホール注入層１２０への安定したホール注入効率を期待できる。「ショットキーオーミック接続」とは、画素電極１１９のフェルミレベルと、前述したホール注入層１２０のフェルミ面近傍の占有準位で最も低い結合エネルギーとの差が所定値以下に収まっている接続を言う。

ホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２の膜密度は５．８ｇ／ｃｍ³以上６．０ｇ／ｃｍ³以下の範囲となるように設定されている。特定の成膜条件で成膜されていることにより、膜中にタングステン原子に対して酸素原子が部分的に結合してなる酸素欠陥構造を有し、電子状態において、価電子帯の上端、すなわち価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも、１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギー領域内に占有準位が存在している。この占有準位がホール注入層１２０の最高占有準位であり、その結合エネルギー範囲はホール注入層１２０のフェルミレベル（フェルミ面）に最も近い。

（４）透光性金属酸化物層パターン１２８
緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層１２０Ａ２に覆われた透光性金属酸化物層パターン１２８が設けられている。透光性金属酸化物層パターン１２８は、膜厚が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下（ここでは一例として１５ｎｍ）の透光性の金属酸化物を主成分として含む金属酸化物層である。

本実施の形態では、緑色副画素１００ｓｅＧに設けられた透光性金属酸化物層パターン１２８Ｇと、赤色副画素１００ｓｅＲに設けられた透光性金属酸化物層パターン１２８Ｒとの厚みは等価である。透光性金属酸化物層パターン１２８は、赤色副画素及び緑色副画素と、青色副画素との間で、陽極−陰極間の距離を異ならせて、赤色副画素及び緑色副画素と、青色副画素との間で光路長が異なる光共振器構造を採るために設けられた光学調整層である。

緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に透光性金属酸化物層パターン１２８を設けることにより、投入電力当りの輝度が低いために相対的に寿命が短い青色副画素において、青色光の波長に適した陽極−陰極間の光路長を確保するとともに、相対的に寿命が長い赤及び緑色副画素において、赤色光と緑色光の平均的な波長に対応した陽極−陰極間の光路長を採ることができる。これにより、青色副画素の寿命を補い発光素子全体として寿命の向上を図ることができる。

また、上述のとおり、透光性金属酸化物層パターン１２８は、ホール注入下部層１２０Ａ１とホール注入層１２０Ａ２との間にあり、ＸＹＺ方向の全周囲をホール注入下部層１２０Ａ１とホール注入層１２０Ａ２とに覆われている。これにより、製造工程において、画素電極１１９をエッチングによりパターニングする際に上層に位置する透光性金属酸化物層パターン１２８がサイドエッチングされることによる積層構造の欠陥が生じることを抑止でき、画素電極１１９の同時パターンニングを可能として生産効率を改善できる。

（５）バンク１２２
図２に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。

列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。また、列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして行方向に設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

（６）ホール輸送層１２１
図２に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。

本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
（７）発光層１２３
図２に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。

各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて対向電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成され、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。

発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分が自己発光領域１００ａとなり、行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は非自己発光領域となる。

（８）電子輸送層１２４
図２に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。

（９）対向電極１２５
図２に示すように、電子輸送層１２４上に、対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５Ａは、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。対向電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。

対向電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする対向電極１２５Ａと、対向電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる対向電極１２５Ｂとを含む（以後において、対向電極１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「対向電極１２５」と表記する）。
（１０）封止層１２６
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有することが必要である。

２．３発光素子部の構成材料
発光素子部の各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。

基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極１１９
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有する。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０^-8（１０ｎΩｍ）と小さく、画素電極１１９の材料として好適である。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。

金属層としては、アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入下部層１２０Ａ１及びホール注入層１２０Ａ１は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などのホール注入性のある金属酸化物を主成分として含む層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

また、ホール注入下部層１２０Ａ１及びホール注入層１２０Ａ１は、同じ材料から構成される構成としてもよく、また、異なる材料から構成されてもよい。
（４）透光性金属酸化物層パターン
透光性金属酸化物層パターン１２８は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。

（５）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（６）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。

（７）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（８）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
（９）対向電極１２５
対向電極１２５Ａは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。

対向電極１２５Ｂは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
（１０）封止層１２６
封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成される。例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

２．４ＣＦ基板の各部構成
（１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。

（２）カラーフィルタ層１３２
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

（３）遮光層１３３
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。

（４）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

３表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図３〜１１を用いて説明する。図３は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図５〜１１における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。

（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図３におけるステップＳ１、図５（ａ））。
（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図３：ステップＳ２、図５（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘ１の上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、平坦化層１１８の上面は平坦化した形状となる。

平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が平坦化層１１８上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。

（３）、画素電極１１９、ホール注入下部層１２０Ａ１、透光性金属酸化物層パターン１２８、ホール注入層１２０Ａ２の形成
次に、画素電極１１９、ホール注入下部層１２０Ａ１、透光性金属酸化物層パターン１２８、ホール注入層１２０Ａ２の形成を行う（図３：ステップＳ３）。図４は、図３における画素電極、ホール注入層形成工程（ステップＳ３）の詳細を示すフローチャートである。

先ず、形成した平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図４：ステップＳ３１、図５（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。金属膜１１９ｘは、平坦化層１１８のコンタクト孔の側面で段切れしないように、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により形成することが好ましい。また、ステップカバレッジの優れた成膜方法によっても画素電極層３１１９の膜厚が過度に薄いと、段切れが発生する可能性があるため、膜厚は、７０ｎｍ以上で形成することが好ましい。

次に、金属膜１１９ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下でホール注入下部層１２０Ａ１を形成するためのホール注入下部層１２０Ａ１用の金属膜１２０Ａ１ｘ’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に製膜する（図４：ステップＳ３２、図５（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
次に、金属膜１２０Ａ１ｘ’を所定条件で焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入下部層１２０Ａ１ｘを成膜して占有準位を形成する構成としている（図４：ステップＳ３２、図５（ｅ））。

次に、ホール注入下部層１２０Ａ１ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下で透光性金属酸化物層パターン１２８を形成するための金属酸化物膜１２８ｘを気相成長法によりホール注入下部層１２０Ａ１ｘの表面に製膜する（図４：ステップＳ３４、図６（ａ））。本例では、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）をスパッタリング法により製膜する。

その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲ１を塗布したのち、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域以外の部分に所定の開口部が施されたフォトマスクを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、フォトレジスト層ＦＲ１を現像によってパターニングする（図６（ｂ））。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ１を介して、金属酸化物膜１２８ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い（図６（ｃ））、フォトレジスト層ＦＲ１を除去して、基板１００ｘ上の緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域に透光性金属酸化物層パターン１２８を形成する（図４：ステップＳ３５、図６（ｄ））。

次に、表面に製膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下でホール注入層１２０Ａ２を形成するためのホール注入層１２０Ａ２用の金属膜１２０Ａ２ｘ’を気相成長法によりホール注入下部層１２０Ａ１ｘ及び透光性金属酸化物層パターン１２８の表面に製膜する（図４：ステップＳ３６、図６（ｅ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。

次に、金属膜１２０Ａ２ｘ’を所定条件で焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０Ａ２ｘを成膜して占有準位を形成する構成としている（図４：ステップＳ３６、図７（ａ））。
ここで、ホール注入層１２０Ａ１、Ａ２の成膜では、各製膜工程の後に焼成工程を行い、製膜工程と焼成工程とを複数回繰り返す構成としている。これにより、膜密度を高め、溶解耐性を付与する。すなわち、ホール注入層１２０Ａ１及びＡ２を、酸化タングステン成膜後に所定条件の焼成工程（加熱温度２００℃以上２３０℃以内、加熱時間１５分以上９０分以内の条件で大気焼成する工程）で焼き締めを図り、膜密度を、５．８ｇ／ｃｍ³以上６．０ｇ／ｃｍ³以下の範囲まで増加させる。このように膜密度を増大させることで、製造時のバンク形成工程で用いるエッチング液や洗浄液に対する溶解耐性を付与し膜減りを抑制している。上記焼成条件に基づけば、焼成工程を経ても膜中の酸素欠陥構造は維持されるため、占有準位は温存され、ホール注入特性が低下することはない。このようにして良好なホール注入特性と溶解耐性の両立を高度に両立させる工程を使用したが、タングステン膜を２ｎｍ程度の膜厚でスパッタ成膜し、その後、加熱温度２００℃以上２３０℃以内大気焼成するという酸化タングステン膜の形成工程を複数回実施し、所望の膜厚の酸化タングステン膜のプロセスを適用しても構わない。

その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲ２を塗布したのち、フォトレジスト層ＦＲ１よりも狭い開口部が形成されるような所定の開口部が施されたフォトマスクを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、フォトレジスト層ＦＲ２を現像によってパターニングする（図７（ｂ））。このとき、フォトマスクの開口の大きさに基づき、フォトレジスト層ＦＲ２にはフォトレジスト層ＦＲ１よりも狭い開口部が形成される。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ２を介して、ホール注入層１２０Ａ２ｘにドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａ２を形成する（図４：ステップＳ３７、図７（ｃ））。
このとき、上述のとおり、フォトレジスト層ＦＲ２にはフォトレジスト層ＦＲ１よりも狭い開口部が形成されているので、ホール注入層１２０Ａ２のパターン幅は、透光性金属酸化物層パターン１２８のパターン幅よりも広く形成される。その結果、基板１００ｘ上の緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層１２０Ａ２に覆われた透光性金属酸化物層パターン１２８が形成される。

続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ２及びホール注入層１２０Ａ２を介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行う（図４：ステップＳ３８、図７（ｄ））。
ホール注入層１２０Ａ２の形成において、ドライエッチング処理を行う理由は、例えば、酸化タングステン膜からなる金属膜１２０Ａ２ｘと、例えば、アルミ系合金からなる金属膜１１９ｘとはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるためである。そのため、酸化タングステンからなるホール注入層１２０Ａ２ｘのパターニングにはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金からなる金属膜１１９ｘのパターニングにはウェットエッチングを使用する構成とした。

最後に、フォトレジスト層ＦＲ２を剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する（図８（ａ））。
（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図３：ステップＳ４、図８（ｂ））。

先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。

具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。

次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。
ここで、ホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２は、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。

（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する。
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図３：ステップＳ５、図８（ｃ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図８（ａ））。具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う（図３：ステップＳ６、図８（ｄ））。

また、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。

基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

なお、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図３：ステップＳ７、図９（ａ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを成膜する。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。

（７）対向電極１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５を形成する（図３：ステップＳ８、図９（ｂ））。対向電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする対向電極１２５Ａと、対向電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる対向電極１２５Ｂとを含む。

このうち、先ず、対向電極１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。本例では、対向電極１２５Ａを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。
次に、対向電極１２５Ｂは、対向電極１２５Ａ上にスパッタリング法などにより形成する。本例では、対向電極１２５Ｂはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。

（８）封止層１２６の形成
保護層１２８を被覆するように、封止層１２６を形成する（図３：ステップＳ９、図９（ｃ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。

透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１０（ａ））。
塗布した遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１０（ｂ））。

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図１０（ｃ））。
次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図１０（ｆ））。
この工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図１０（ｇ））。以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。

（１０）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合わせた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ））。

４．効果
実施の形態に係る表示パネル１０について効果について説明する。
４．１反射率測定
実施の形態に係る表示パネル１０について分光反射率測定を行った。以下、その結果について説明する。反射率試験は、基板１００ｘ上の赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧとされるべき領域に、画素電極１１９（アルミニウム合金、２００ｎｍ）、ホール注入下部層１２０Ａ１（酸化タングステン：１５ｎｍ）、透光性金属酸化物層（ＩＺＯ：１５ｎｍ）、ホール注入層（酸化タングステン：１０ｎｍ）を積層し、青色副画素１００ｓｅＢとされるべき領域に、画素電極１１９（アルミニウム合金、２００ｎｍ）、ホール注入下部層１２０Ａ１（酸化タングステン：１５ｎｍ）、ホール注入層（酸化タングステン：１０ｎｍ）を積層したサンプルを用いて、ホール注入層上方から画素電極１１９における分光反射率を測定することにより行った。

図１２は、実施例に係る表示パネル１０のＲＧＢ副画素における分光反射率の測定結果である。図１２に示すように、表示パネル１０では、青色副画素では、赤色副画素、緑色副画素に比べて、可視光範囲全域において反射率が向上する。特に、青色光波長領域（４００〜５００ｎｍ）において、青色副画素の反射率は色副画素、緑色副画素に比べて、約３５ポイント反射率が向上する。

従来の表示パネルでは、青色副画素では、赤色副画素、緑色副画素に比べて、特に、青色光波長領域（４００〜５００ｎｍ）において光取り出し効率が低かったが、表示パネル１０では、上記反射率の向上に伴い青色副画素における光取り出し効率を改善することができる。
４．２光共振器構造の実現
有機ＥＬ表示パネルでは、光取り出し効率を調整するため、共振器構造が採用されている。

図１３は、本実施形態にかかる表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。当図では１つの副画素１００ｓｅに相当する素子部分について説明する。
この有機ＥＬ素子１００の副画素１００ｓｅの光共振器構造において、発光層１２３からはホール輸送層１２１との界面近傍から光が出射されて各層を透過していく。この各層界面において光の一部が反射されることによって光の干渉が生じる。

（１）発光層１２３から出射され対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第１光路Ｃ₁と、発光層１２３から、画素電極１１９側に進行した光の一部が、画素電極１１９で反射された後、発光層１２３および対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第２光路Ｃ₂とが形成される。そして、この直接光と反射光との干渉が生じる。図１３に示す光学膜厚Ｌ₁は、第１光路Ｃ₁と第２光路Ｃ₂との光学距離の差に対応している。この光学膜厚Ｌ₁は、発光層１２３と画素電極１１９との間に挟まれたホール注入層１２０Ａ１、Ａ２、透光性金属酸化物層パターン１２８、ホール輸送層１２１の合計の光学距離である。

（２）発光層１２３から対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５で反射されて、さらに画素電極１１９で反射された後、発光素子の外部に出射される第３光路Ｃ₃も形成される。そして、この第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉が生じる。第２光路Ｃ₂と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は図１３に示す光学膜厚Ｌ₂に対応する。この光学膜厚Ｌ₂は、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。

（３）第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉も生じる。第１光路Ｃ₁と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は、図１３に示す光学膜厚Ｌ₃に対応する。光学膜厚Ｌ₃は、上記光学膜厚Ｌ₁と光学膜厚Ｌ₂の和である（Ｌ₃＝Ｌ₁＋Ｌ₂）。光学膜厚Ｌ₃は、画素電極１１９と対向電極１２５との間に挟まれたホール注入層１２０Ａ１、Ａ２、透光性金属酸化物層パターン１２８、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。

上記のうち、（１）に示した第１光路Ｃ₁を経由する直接光と第２光路Ｃ₂を経由する反射光との干渉が最も出射光に対し支配的である。そのため、先ず、光学膜厚Ｌ₁の調整のために決定したホール注入層１２０Ａ１、Ａ２、透光性金属酸化物層パターン１２８、の膜厚を決定し、その結果を踏まえて、光学膜厚Ｌ₂と光学膜厚Ｌ₃の両方の調整のために発光層１２３膜厚を調整することができる。

第１光路Ｃ₁と第２光路Ｃ₂との光学距離の差に対応する光学膜厚Ｌ₁の調整において、各色の発光波長の違いにより、光学的な最適電極間距離は赤色副画素が最も長く、青色副画素が最も短い構成となる。仮に、ホール輸送層１２１の膜厚を、適宜設定して光取り出し効率を調整した場合、所定の電流密度を得るために必要とされる駆動電圧が、膜厚が厚くなるにつれて増加する。表示パネル１０では、ホール注入層１２０Ａ１及びＡ２は、スパッタリング法により、青色副画素、赤色副画素、緑色副画素に対して同時に成膜されるために、各色副画素における膜厚は等価となる。そのため、表示パネル１０では、光学膜厚Ｌ₁の調整は、青色副画素、赤色副画素、緑色副画素における、透光性金属酸化物層パターン１２８の膜厚を適宜設定することにより行う。

具体的には、表示パネル１０では、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、透光性金属酸化物層パターン１２８が設けられており、その厚みは等価である。緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に同じ厚みの透光性金属酸化物層パターン１２８を設けることにより、赤色光と緑色光の平均的な波長に対応した陽極−陰極間の光路長を採ることができる。これにより、青色副画素に比べて相対的に寿命が長い赤及び緑色副画素の両方において、必要な副画素の寿命を確報することができる。なお、緑色副画素１００ｓｅＧと赤色副画素１００ｓｅＲ内に異なる厚みの透光性金属酸化物層パターン１２８を設けることにより、赤色光と緑色光のそれぞれの波長に応した陽極−陰極間の光路長を、緑色副画素と赤色副画素それぞれにおいて設定する構成としてもよい。

一方、青色副画素では、投入電力当りの輝度が低いために相対的に寿命が短い。そのため、表示パネル１０では、青色光の波長に適した陽極−陰極間の光路長を確保する。係る構成により、青色副画素では、共振器構造において、ホール注入層１２０のうち上部層１２０Ｂの膜厚を光学膜厚Ｌ₁が光取り出し効率が極大値を示す光学膜厚に調整され光取り出し効率が向上する。そして、光取り出し効率の向上により、青色副画素への印加電圧を低減し青色副画素への負荷を低減し寿命の向上を図ることができる。

以上のとおり、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内にのみ透光性金属酸化物層パターン１２８を設けることにより、青色副画素の寿命を補い発光素子全体として光取り出し効率を向上するとともに、寿命の向上を図ることができる。
４．３生産効率の向上
表示パネル１０の製造工程では、上記したように、ホール注入下部層１２０Ａ１ｘの表面に、例えば、ＩＺＯからなる金属酸化物膜１２８ｘを気相成長法によりホール注入下部層１２０Ａ１ｘの表面に製膜し（図４：ステップＳ３４）、フォトレジスト層ＦＲ１を介して、金属酸化物膜１２８ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域に透光性金属酸化物層パターン１２８を形成する（図４：ステップＳ３５）。

その後、ホール注入層１２０Ａ２用の、例えば、酸化タングステンからなる金属膜１２０Ａ２ｘ’を気相成長法により製膜し（図４：ステップＳ３６）、フォトレジスト層ＦＲ２を介して、ホール注入層１２０Ａ２ｘにアルゴンガス等でのドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａ２を形成する（図４：ステップＳ３７）。

さらに、引き続き、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ２及びホール注入層１２０Ａ２を介して、アルミ合金からなる金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い（図４：ステップＳ３８）、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する。
酸化タングステンからなるホール注入層１２０Ａ２ｘのパターニングにはドライエッチングを使用し、アルミ合金からなる金属膜１１９ｘのパターニングにはウェットエッチングを使用する理由は、酸化タングステン膜と、アルミ系合金からなる金属膜とはウェットエッチングレートに大きな差があり一括処理することが困難であるためである。

例えば、国際公開ＷＯ２００９／１２５５１９に開示されるような従来の表示パネルでは、画素電極上方にＩＴＯを含む機能層を設けた積層膜のパターニングを行う場合には、金属膜１１９ｘに対するウエットエッチング処理において、上層に位置する透光性金属酸化物層パターン１２８がサイドエッチングされることにより層内方向に侵食されて積層構造の欠陥が生じる場合があった。透光性金属酸化物層パターン１２８が浸食された場合には、下層のホール注入下部層１２０Ａ１と上層であるホール注入層１２０Ａ２との間に空洞が生じ、ホール注入層１２０Ａ２に欠損が入る可能性があった。

これに対し、表示パネル１０の製造工程では、上述のとおり、露光に用いるフォトマスクの開口の大きさの違いによりフォトレジスト層ＦＲ２にはフォトレジスト層ＦＲ１よりも狭い開口部が形成されているので、ホール注入層１２０Ａ２のパターン幅は、透光性金属酸化物層パターン１２８のパターン幅よりも広く形成される。その結果、基板１００ｘ上の緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層１２０Ａ２に覆われた透光性金属酸化物層パターン１２８が設けられる。言い換えると、この透光性金属酸化物層パターン１２８は、ホール注入下部層１２０Ａ１とホール注入層１２０Ａ２との間にあり、ＸＹＺ方向の全周囲をホール注入下部層１２０Ａ１とホール注入層１２０Ａ２とに覆われる。

これにより、画素電極１１９を形成するための金属膜１１９ｘに対するウエットエッチングする際に、上層に位置する透光性金属酸化物層パターン１２８がエンチャントに直接触れることを防止し、透光性金属酸化物層パターン１２８がサイドエッチングされることを抑止することができる。その結果、積層構造の欠陥が生じることを抑止して画素電極１１９の同時パターンニングを可能とし生産効率を改善できる。

５．有機ＥＬ表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る表示パネル１０を用いた有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１４を用い説明する。
図１４に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。

表示パネル１０は、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図１５を用い説明する。

図１５は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図１５に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂ のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合わせて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
６．まとめ
以上のとおり、本開示の実施の形態に係る表示パネル１０は、基板上１００ｘの赤色副画素の領域に、第１画素電極１１９、第１ホール注入下部層１２０Ａ１Ｒ、第１ホール注入層１２０Ａ２Ｒ、赤色有機発光層１２３Ｒと、基板上の緑色副画素の領域に、第２画素電極１１９、第２ホール注入下部層１２０Ａ１Ｇ、第２ホール注入層１２０Ａ２Ｇ、緑色有機発光層１２３Ｇと、基板上の青色副画素の領域に、第３画素電極１１９、第３ホール注入下部層１２０Ａ１Ｂ、第３ホール注入層１２０Ａ２Ｂ、青色有機発光層１２３Ｂと、上方に対向電極１２５とを備え、第１ホール注入下部層上に周囲と上面とを第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターン１２８Ｒと、第２ホール注入下部層上に周囲と上面とを第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターン１２８Ｇとを備えたことを特徴とする。

係る構成により、青色副画素の領域における光取り出し効率を改善するとともに、光共振器構造により高い光取り出し効率を維持しつつ、製造時の透光性金属酸化物層パターンのサイドエッチングによる侵食を抑止して生産効率を改善することができる。
具体的には、従来の表示パネルでは、青色副画素では、赤色副画素、緑色副画素に比べて、特に、青色光波長領域（４００〜５００ｎｍ）において光取り出し効率が低かったが、表示パネル１０では、上記反射率の向上に伴い青色副画素における光取り出し効率を改善することができる。

また、緑色副画素及び赤色副画素内にのみ透光性金属酸化物層パターンを設けることにより、青色副画素に比べて相対的に寿命が長い赤及び緑色副画素の両方において必要な副画素の寿命を確報するとともに、投入電力当りの輝度が低いために相対的に寿命が短い青色副画素に対し青色光の波長に適した陽極−陰極間の光路長を確保して青色副画素の光取り出し効率を向上する。これにより、青色副画素の寿命を補い発光素子全体として光取り出し効率を向上するとともに、寿命の向上を図ることができる。

また、緑色副画素及び赤色副画素内にのみ透光性金属酸化物層パターンを設けた素子構造を製造するために透光性金属酸化物層パターンと画素電極とのパターニングを行う工程において、画素電極を形成するための金属膜に対するウエットエッチングする際に、上層に位置する透光性金属酸化物層パターンがエンチャントに直接触れることを防止し、透光性金属酸化物層パターンがサイドエッチングされることを抑止することができる。その結果、積層構造の欠陥が生じることを抑止して画素電極の同時パターンニングを可能とし生産効率を改善できる。

７．変形例
実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００、表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機ＥＬ素子１００、表示パネル１０の変形例を説明する。
（１）変形例１
次に、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａについて説明する。図１６は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａを図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。実施の形態に係る表示パネル１０では、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層１２０Ａ２に覆われた透光性金属酸化物層パターン１２８が設けられた構成とした。変形例２に係る表示パネル１０Ａでは、図１６に示すように、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内には、ホール注入下部層１２０Ａ１上に、基板平面視における周囲（Ｘ−Ｙ方向）と上方（Ｚ方向）とをホール注入層１２０Ａ２に覆われた透光性金属酸化物層パターン１２８の直下に中間金属層パターン１２８Ａを備えた構成とした点で実施の形態と相違する。中間金属層パターン１２８Ａは、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀や銀を含む合金、アルミニウムやアルミニウム合金等を用いることができる。中間金属層パターン１２８Ａの厚みは、光反射性を確保するために１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

中間金属層パターン１２８Ａの製造方法には、材料をスパッタリング法により製膜したのち、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法を用いることができる。図１７は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの製造工程における画素電極、ホール注入層形成工程の詳細を示すフローチャートである。図１７のフローチャートは、実施の形態における画素電極、ホール注入層形成工程（図４のフローチャート）と比較して、ステップＳ３３Ａ、Ｓ３５Ａが相違するので、ステップＳ３３Ａ、Ｓ３５Ａについて説明する。

先ず、ステップＳ３３Ａでは、ステップＳ３２において酸化タングステン膜からなるホール注入下部層１２０Ａ１用の金属膜を形成した後に、真空雰囲気下で中間金属層パターン１２８Ａを形成するための中間金属層を気相成長法によりホール注入下部層１２０Ａ１ｘの表面に製膜する。ステップＳ３５Ａでは、ステップＳ３４にて形成された金属酸化物膜１２８用の金属酸化物膜とともに、ウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、基板１００ｘ上の緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲとなるべき領域に中間金属層パターン１２８Ａと透光性金属酸化物層パターン１２８との積層体を形成する。

その他の工程は図４のフローチャートに示す各工程と同じであるので説明を省略する。
以上の構成からなる変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲにおいては、中間金属層パターン１２８Ａと対向電極１２５との間の距離を異ならせて波長に対応した光路長を設けた光共振器構造が採ることができ、中間金属層パターン１２８Ａ下方のホール注入下部層１２０Ａ１における光の吸収の影響を排除できる。これより、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲにおいて、光取り出し効率を向上して、出射光の色純度を向上し出射輝度を高めることができる。
（２）変形例２
次に、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂについて説明する。図１８は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂを図１におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。実施の形態に係る表示パネル１０では、ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に金属酸化物からなるホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２が形成された構成とした。変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、図１８に示すように、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ２の上それぞれに積層された有機物からなるホール注入上部層１２０Ｂとを含み、ホール注入上部層１２０Ｂはホール注入層１２０Ａ２に接触している。変形例２では、ホール注入上部層１２０Ｂは間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内に沿って列方向に延伸するように線状に設けられている。しかしながら、ホール注入上部層１２０Ｂは間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。ホール注入上部層１２０Ｂの材料には、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。

また、青色副画素１００ｓｅＢ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び赤色副画素１００ｓｅＲ内に設けられたホール注入上部層１２０Ｂを、それぞれ１２０ＢＢ、１２０ＢＧ及び１２０ＢＲとしたとき、１２０ＢＲの厚みは、１２０ＢＢの厚み及び１２０ＢＧの厚みよりも大きく構成してもよい。ＲＧＢ各色副画素ごとに陽極−陰極間の距離を異ならせて波長に対応した光路長を設けた光共振器構造が採ることができる。これより、副画素ごとに光取り出し効率を向上して、出射光の色純度を向上し出射輝度を高めることができる。

ホール注入上部層１２０Ｂの製造方法は、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。ホール注入上部層１２０Ｂをインクジェット法等の塗布方式を用いて形成することにより、塗布方式は、ノズルから吐出するインクの量を変化させることにより同一の基板に対して成膜する場合でも成膜箇所によって膜厚の制御が比較的容易に行うことができる。

（３）変形例３
本実施の形態係る表示パネル１０では、ホール注入層１２０Ａの形成において、図４のステップＳ３２において、タングステンからなる金属膜１２０Ａ１ｘ’を成膜した後、所定条件で焼成することにより酸化タングステン膜からなるホール注入下部層１２０Ａ１ｘを形成し、タングステンからなる金属膜１２０Ａ２ｘ’ を成膜した後、所定条件で焼成することにより酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０Ａ２ｘを形成する構成とした。しかしながら、金属膜１２０Ａ１ｘ’を成膜した後、さらに、金属膜１２０Ａ２ｘ’ を成膜し、その後に行バンク１２２に対する焼成工程において、金属膜１２０Ａ１ｘ’と金属膜１２０Ａ２ｘ’とを所定条件で同時に焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入下部層１２０Ａ１とホール注入層１２０Ａ２を形成する構成としてもよい。

（４）変形例４
本実施の形態係る表示パネル１０では、ホール注入層１２０Ａの形成はタングステンをスパッタリングにより製膜した後、焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して上述の占有準位を形成する構成としている。

しかしながら、反応性スパッタ法により酸化タングステンからなる膜を成膜する構成としてもよい。成膜ムラの発生が抑制されるからである。具体的には、ターゲットを金属タングステンにして反応性スパッタ法を実施する。スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをチャンバー内に導入する。この状態で高電圧によりアルゴンをイオン化し、ターゲットに衝突させる。このとき、スパッタリング現象により放出された金属タングステンが酸素ガスと反応して酸化タングステンとなり成膜される。なお、このときの成膜条件は、いわゆる低レート条件に設定することが好ましい。

（５）その他の変形例
実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４Ａ，１２４Ｂが存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間にホール注入下部層１２０Ａ１、ホール注入層１２０Ａ２、発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

実施の形態に係る表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１有機ＥＬ表示装置
１０有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ区画領域（表示用領域）
１００有機ＥＬ素子
１００ｅ単位画素
１００ｓｅ副画素
１００ａ自己発光領域
１００ｂ非自己発光領域
１００ｘ基板（ＴＦＴ基板）
１１８平坦化層
１１９画素電極（反射電極）
１２０、１２０Ａ１、１２０Ａ２、１２０Ｂホール注入層
１２１ホール輸送層
１２２バンク
１２２Ｘ行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ）間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ対向電極
１２６封止層
１２７接合層
１２８透光性金属酸化物層パターン
１２８Ａ中間金属層パターン
１３０上部基板
１３１カラーフィルタ基板
１３２カラーフィルタ層
１３３遮光層

Claims

青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極、第１ホール注入下部層、第１ホール注入層、赤色有機発光層と、
前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極、第２ホール注入下部層、第２ホール注入層、緑色有機発光層と、
前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極、第３ホール注入下部層、第３ホール注入層、青色有機発光層と、
前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に対向電極とを備え、
さらに、前記第１ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターンと、
前記第２ホール注入下部層上に周囲と上面とを前記第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターンとを備えた
有機ＥＬ表示パネル。
前記第１ホール注入下部層、前記第２ホール注入下部層、前記第３ホール注入下部層は、同じ材料から構成され、当該材料は、ホール注入性のある遷移金属酸化物を主成分として含む
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入層及び前記第３ホール注入層は、同じ材料から構成され、当該材料は、ホール注入性のある遷移金属酸化物を主成分として含む
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１ホール注入下部層と前記第１ホール注入層、前記第２ホール注入下部層と前記第２ホール注入層、前記第３ホール注入下部層と及び前記第３ホール注入層とは、同じ材料から構成される
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１透光性金属酸化物層パターンの外周は、前記第１ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周よりも平面視において内方に位置し、
前記第２透光性金属酸化物層パターンの外周は、前記第２ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周よりも平面視において内方に位置する
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１透光性金属酸化物層パターン及び前記第２透光性金属酸化物層は、ＩＴＯ又はＩＺＯを主成分として含む
請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記遷移金属はタングステンである
請求項２、３、４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記第１ホール注入下部層及び前記第１ホール注入層の外周は、前記第１画素電極の外周と、
前記第２ホール注入下部層及び前記第２ホール注入層の外周は、前記第２画素電極の外周と、
前記第３ホール注入下部層及び前記第３ホール注入層の外周は、前記第３画素電極の外周と、それぞれ平面視において同じ位置にある
請求項１から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
さらに、前記赤色副画素の領域内の前記第１ホール注入層と前記赤色有機発光層との間に、有機物からなる第１ホール注入上部層と、
前記緑色副画素の領域内の前記第２ホール注入層と前記緑色有機発光層との間に、前記有機物からなる第２ホール注入上部層と、
前記青色副画素の領域内の前記第３ホール注入層と前記青色有機発光層との間に、前記有機物からなる第３ホール注入上部層とを備えた
請求項１から８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
前記有機物は、ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物を含む
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルと駆動回路とを備えた
有機ＥＬ表示装置。
青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備し、
前記基板上の金属層を形成し、
前記金属層上に第１の金属酸化物層を形成し、
前記金属酸化物層上に透光性金属酸化物からなる連続膜を形成し、
前記連続膜に第１のパターンニングをして前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに透光性金属酸化物層パターンを形成し、
前記第１の金属酸化物層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターン上に第２の金属酸化物層を形成し、
前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層に第２のパターンニングをして、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに前記基板側から順に、画素電極、ホール注入下部層、ホール注入層を形成し、
前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおけるホール注入層上方に、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を、当該順に形成し、
前記基板、及び前記青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層上方に対向電極を形成し、
前記第２のパターニングでは、前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおいて、前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に存在する、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層を残すようにパターンニングして、前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する
有機ＥＬパネルの製造方法。
前記第２のパターニングでは、前記基板の平面視において、前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する
請求項１２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
前記透光性金属酸化物層パターンは、前記ホール注入下部層上にあり、周囲と上面とを前記ホール注入層に覆われている
請求項１２又は１３に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板上の前記赤色副画素の領域に、前記基板側から順に、第１画素電極、第１ホール注入下部層、第１ホール注入層、赤色有機発光層と、
前記基板上の前記緑色副画素の領域に、前記基板側から順に、第２画素電極、第２ホール注入下部層、第２ホール注入層、緑色有機発光層と、
前記基板上の前記青色副画素の領域に、前記基板側から順に、第３画素電極、第３ホール注入下部層、第３ホール注入層、青色有機発光層と、
前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層及び前記青色有機発光層の上方に対向電極とを備え、
さらに、前記第１ホール注入下部層上に周囲を前記第１ホール注入層に覆われた第１の中間金属層パターンと、前記第１の中間金属層パターン上に周囲と上面とを前記第１ホール注入層に覆われた第１透光性金属酸化物層パターンと、
前記第２ホール注入下部層上に周囲を前記第２ホール注入層に覆われた第２の中間金属層パターンと、前記第２の中間金属層パターン上に周囲と上面とを前記第２ホール注入層に覆われた第２透光性金属酸化物層パターンとを備えた
有機ＥＬ表示パネル。
青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備し、
前記基板上の金属層を形成し、
前記金属層上に第１の金属酸化物層を形成し、
前記第１の金属酸化物層上に中間金属層を形成し、
前記中間金属層上に透光性金属酸化物からなる連続膜を形成し、
前記中間金属層及び前記連続膜に第１のパターンニングをして前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに、中間金属層パターン及び透光性金属酸化物層パターンを当該順に形成し、
前記第１の金属酸化物層及び前記透光性金属酸化物層パターン上に第２の金属酸化物層を形成し、
前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層に第２のパターンニングをして、前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれに前記基板側から順に、画素電極、ホール注入下部層、ホール注入層を形成し、
前記基板上の青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおけるホール注入層上方に、青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層を、当該順に形成し、
前記基板、及び前記青色発光層、緑色発光層及び赤色発光層上方に対向電極を形成し、
前記第２のパターニングでは、前記基板上の緑色副画素及び赤色副画素となるべき領域それぞれにおいて、前記中間金属層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に存在する、前記金属層、前記第１の金属酸化物層、前記第２の金属酸化物層を残すようにパターンニングして、前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する
有機ＥＬパネルの製造方法。
前記第２のパターニングでは、前記基板の平面視において、前記中間金属層パターン及び前記透光性金属酸化物層パターンを含む領域に前記画素電極、前記ホール注入下部層、前記ホール注入層を形成する
請求項１６に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。