JP2020140940A - 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および、その製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】機能層とのうち少なくとも１層が塗布法で形成される有機ＥＬ表示パネルであって、製造工程が簡略であり、かつ、好適な膜厚制御がなされた有機ＥＬ表示パネル、および、その製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、層間絶縁層と、複数の画素電極と、複数の隔壁と、第１間隙に配される第１発光層と、第２間隙に配される第２発光層と、対向電極とを備え、第１発光層の膜厚は、第２発光層の膜厚より厚く、第１間隙と第２間隙との間に存在する隔壁において、基板を基準としたとき、第１間隙側にある第１隔壁部分の下面の高さは、第２間隙側にある第２隔壁部分の下面の高さより高く、かつ、第１隔壁部分の上面の高さは、第２隔壁部分の上面の高さより高く、第１間隙内の画素電極の上面の高さと、第２間隙内の画素電極の上面の高さは等しい。【選択図】図１

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、及び、それを用いた有機ＥＬ表示装置に関する。

近年、表示装置に有機ＥＬ素子を利用したものが普及しつつある。
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層を含む機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等のウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、インクジェット法では、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。

一方、機能層を形成するための発光材料や機能性材料を溶解したインクを塗り分け印刷するためにはバンクと呼ばれるサブピクセルごとに形成した隔壁が必要となる。機能性材料を含むインクが隔壁を乗り越えることによる混合、特に、発光材料を含むインクの場合、発色の異なるインクの混合による混色が発生すると、パネル不良の原因となるため、隔壁頂部表面には撥液性が付与されている。

特開２０１８−１４７５９９号公報

一方で、機能層の膜厚は発光波長や構成材料等に依存して適正な範囲があり、特に発光色が異なると適正な膜厚が異なる。したがって、パネル内のバンクの高さを一様とした場合には、機能層の膜厚に対して機能層上面とバンクとの接点であるピンニング位置が必ずしも適正な高さとならず、機能層の膜厚ムラが生じる原因となる。そこで、例えば、特許文献１に開示されているように、膜厚調整層を設けてピンニング位置を調整する方法がある。しかしながら、この方法では、製造工程において膜厚調整層を形成する工程が増加し、また、画素電極の高さが画素ごとに異なるため製造工程が単純でない。

本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、機能層とのうち少なくとも１層が塗布法で形成される有機ＥＬ表示パネルであって、製造工程が簡略であり、かつ、好適な膜厚制御がなされた有機ＥＬ表示パネル、および、その製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配される層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に行列状に配される複数の画素電極と、前記層間絶縁層上に配され、行方向における前記画素電極の間隙上に列方向に延伸する複数の隔壁と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙において、前記画素電極の上方に配される第１発光層と、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙において、前記画素電極の上方に配される第２発光層と、前記第１発光層の上方および前記第２発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第１発光層の膜厚は、前記第２発光層の膜厚より厚く、前記第１間隙と前記第２間隙との間に存在する隔壁において、前記基板を基準としたとき、前記第１間隙側にある第１隔壁部分の下面の高さは、前記第２間隙側にある第２隔壁部分の下面の高さより高く、かつ、前記第１隔壁部分の上面の高さは、前記第２隔壁部分の上面の高さより高く、前記第１間隙内の前記画素電極の上面の高さと、前記第２間隙内の前記画素電極の上面の高さは等しいことを特徴とする。

上記態様の有機ＥＬ表示パネルによれば、第１発光層、第２発光層のいずれも、膜厚に応じたピンニング位置を有する構成となるため、好適な膜厚制御がなされた有機ＥＬ表示パネルを実現できる。また、画素電極の高さが均一であるため、画素電極の製造工程を単純化することができる。

実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の構成を模式的に示す平面図である。 実施の形態および比較例のそれぞれにおいて発光層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、層間絶縁材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、層間絶縁層上に画素電極材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、画素電極材料層がパターニングされて画素電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、画素電極及び層間絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、隔壁材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、隔壁の開口部内に正孔注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁の開口部内に発光層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、隔壁上及び発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、対向電極上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を示すフローチャートである。 （ａ）〜（ｃ）は、隔壁の高さを０．５５μｍにした場合における各色の発光層の膜形状の測定結果を示すグラフである。（ｄ）〜（ｆ）は、隔壁の高さを０．７μｍにした場合における各色の発光層の膜形状の測定結果を示すグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、ピニング位置から下地までの距離と、最終的に形成される発光層の膜形状との相関関係を模式的に示す図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、画素電極材料層がパターニングされて画素電極が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、画素電極および層間絶縁層上に嵩上げ材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、嵩上げ材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、嵩上げ層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、画素電極、嵩上げ層、および層間絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、隔壁材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造過程を示すフローチャートである。 実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。

≪本開示の一態様に至った経緯≫
塗布方式で機能層を形成する場合、材料を溶解したインクを、隔壁間隙に塗布する。以下、このように塗布方式で形成された機能層を、塗布膜とも呼ぶ。上述したように、隔壁の頂部や側壁部の上部は、インクの乗り越えを防ぐために撥液性が付与されているため、側壁部のうち撥液部分には塗布されたインクが付着しない。一方で、側壁部において撥液性が付与されていない親液部分に付着したインクは乾燥後も下がることなく残るため、塗布膜と、側壁部との接点が、撥液部分と親液部分の界面に固定される（ピンニングされる）こととなる。より具体的には、図１１に示すように、塗布されたインク１７０１が乾燥して体積が減ったインク１７０２となり、塗布膜１７０３として乾燥するときにおいて、隔壁１４との接触箇所（ピンニング位置）は変化しない。なお、撥液部分と親液部分の界面の高さは、隔壁の材料や製造方法が同一であれば、一般的に、隔壁の高さに依存する。

一方で、機能層の膜厚は、機能層の発光機能、キャリアの注入機能、輸送機能、ブロック機能などといった機能の発揮、光透過性、光共振器構造を実現するための厚みなどといった各種の要件により定まる。そのため、発光層の発光色が異なる有機ＥＬ素子については最適な膜厚も異なることが多い。他方、上述したようにピンニング位置の高さと発光層や機能層の上面の高さとの間に段差があると発光層や機能層の膜厚にむらが発生する。したがって、発光色ごとにピンニング位置を変える必要が生じる。例えば、図３（ａ）の模式断面図に示すように、同一の材料を用いて同一の高さの隔壁８１４を形成すると、ピンニングの位置が同一となるため、発光層の膜厚にむらが発生する。具体的には、発光層９１７ａの膜厚に対してピンニングの位置が高いため、発光層９１７ａの上面が凹面状となる、発光層９１７ｂの膜厚に対してピンニングの位置が低いため、発光層９１７ｂの上面が凸面状となる、といった事態が発生する。すなわち、発光層９１７ａでは、図１１（ａ）に示すようにピンニング位置が高すぎる状態、発光層９１７ｂでは、図１１（ｃ）に示すようにピンニング位置が低すぎる状態となる。

この問題を解決する方法としては、例えば、隔壁の高さの制御を行い、図１１（ｂ）に示すようなピンニング位置が最適となる状態とすることが考えられる。しかしながら、隔壁の高さを隔壁ごとに変化させた場合は、図３（ｂ）の模式断面図に示すように、隔壁間隙を区画する２つの隔壁の高さが異なることとなる。具体的には、発光層９２７ａでは隔壁８２４ｂより隔壁８２４ａの方が高いため、発光層９２７ａでは隔壁８２４ａとのピンニング位置が隔壁８２４ｂとのピンニング位置より高くなる。したがって、発光層９２７ａでは、隔壁８２４ａ側の膜厚が厚くなり、膜厚ムラが発生する。同様に、発光層９２７ｂにおいても、隔壁８２４ａ側の膜厚が厚くなり、膜厚ムラが発生する。この膜厚ムラは隔壁間隙に隣接する２つの隔壁の高さが異なることが原因である。すなわち、隔壁の高さの制御は隔壁単位ではなく、面する隔壁間隙ごとに行う必要がある。

発明者は、隔壁の親液部分と撥液部分の一体形成を行いつつ、ピンニング位置および隔壁の高さを適切に設計できた有機ＥＬ表示パネルについて検討し、本開示に至ったものである。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に配される層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に行列状に配される複数の画素電極と、前記層間絶縁層上に配され、行方向における前記画素電極の間隙上に列方向に延伸する複数の隔壁と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙において、前記画素電極の上方に配される第１発光層と、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙において、前記画素電極の上方に配される第２発光層と、前記第１発光層の上方および前記第２発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第１発光層の膜厚は、前記第２発光層の膜厚より厚く、前記第１間隙と前記第２間隙との間に存在する隔壁において、前記基板を基準としたとき、前記第１間隙側にある第１隔壁部分の下面の高さは、前記第２間隙側にある第２隔壁部分の下面の高さより高く、かつ、前記第１隔壁部分の上面の高さは、前記第２隔壁部分の上面の高さより高く、前記第１間隙内の前記画素電極の上面の高さと、前記第２間隙内の前記画素電極の上面の高さは等しいことを特徴とする。

また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層上に、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁層上に、行方向に前記画素電極を区画するように、列方向に沿って隔壁を複数形成する工程と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に、発光材料を含むインクを塗布して、前記第１発光層の膜厚より薄い膜厚を有する第２発光層を形成する工程と、前記第１発光層および前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含み、前記隔壁を複数形成する前に、前記第１間隙に行方向に隣接し列方向に延伸する嵩上げ部位を形成し、前記隔壁を複数形成する工程において、前記第１間隙に隣接する第１隔壁部分の上面の高さを、前記第２間隙に隣接する第２隔壁部分の上面の高さより高く形成することを特徴とする。

上記態様の有機ＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法によれば、第１発光層、第２発光層のいずれも、膜厚に応じたピンニング位置を有する構成となるため、好適な膜厚制御がなされた有機ＥＬ表示パネルを実現できる。また、画素電極の高さが均一であるため、画素電極の製造工程を単純化することができる。
また、上記態様に係る有機ＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法において、以下のようにしてもよい。

前記層間絶縁層の上面は、前記第１隔壁部分の下面と接する部分に上方に突出した嵩上げ突起を有する、としてもよい。
また、前記嵩上げ部位は、前記層間絶縁層を形成する工程において、層間絶縁層の上面に突起を形成することで形成される、としてもよい。
これにより、嵩上げ突起により第１隔壁部分の上面の高さを第２隔壁部分の上面の高さより高く形成できるため、隔壁の形成工程を単純化することができる。

また、前記基板と前記第１隔壁部分との間に、嵩上げ層をさらに備える、としてもよい。
また、前記嵩上げ部位は、前記層間絶縁層上に、前記第１間隙に行方向に隣接し列方向に延伸する嵩上げ層を形成する工程によって形成される、としてもよい。
これによっても、嵩上げ層により第１隔壁部分の上面の高さを第２隔壁部分の上面の高さより高く形成できるため、隔壁の形成工程を単純化することができる。

また、前記嵩上げ層は、前記画素電極を列方向に区画する第２隔壁と一体成型されている、としてもよい。
また、前記隔壁を形成する前に、前記層間絶縁層上に、列方向に前記画素電極を区画するように、行方向に沿って第２隔壁を複数形成する工程を含み、前記嵩上げ部位は、前記第２隔壁を形成する工程において、前記第２隔壁と同時に形成される、としてもよい。

これにより、第２隔壁と嵩上げ層とを単一の工程で形成することができ、有機ＥＬ表示パネルの製造工程の数を減らし単純化することができる。
また、前記第１隔壁部分の上面と下面との高さの差と、前記第２隔壁部分の上面と下面との高さの差とは略同一である、としてもよい。
これにより、隔壁を単一の形成工程で形成できるため、有機ＥＬ表示パネルの製造工程の数を減らし単純化することができる。

また、前記第２隔壁部分の下面の高さは、前記画素電極の下面の高さより高い、としてもよい。
これにより、隔壁の高さ及びピンニング位置の制御の自由度を向上させることができる。
また、前記層間絶縁層の上面は、前記第２隔壁部分の下面と接する部分に上方に突出した高さ調整突起を有する、としてもよい。

ここで、高さ調整突起とは嵩上げ突起と同じ機能を有しており、嵩上げ突起が第１隔壁部分の下面と接する部分に設けられるのに対し、高さ調整突起は第２隔壁部分の下面と接する部分に設けられることが異なっている。これにより、高さ調整突起により第２隔壁部分の上面の高さの調整を行うことができる。また、層間絶縁層の上面に嵩上げ突起を有する場合には、嵩上げ突起と高さ調整突起を１つの工程で同時に形成できるため、工程回数を削減することができる。

また、前記基板と前記第２隔壁部分との間に、高さ調整層をさらに備える、としてもよい。
ここで、高さ調整層とは嵩上げ層と同じ機能を有しており、嵩上げ突起が第１隔壁部分の下面を嵩上げするのに対し、高さ調整層は第２隔壁部分の下面を嵩上げすることが異なっている。これにより、高さ調整層により第２隔壁部分の上面の高さの調整を行うことができる。また、嵩上げ層を有する場合には、嵩上げ層と高さ調整層を１つの工程で同時に形成できるため、工程回数を削減することができる。

また、前記高さ調整層は、前記画素電極を列方向に区画する第２隔壁と一体成型されている、としてもよい。
これにより、第２隔壁と高さ調整層とを単一の工程で形成することができ、有機ＥＬ表示パネルの製造工程の数を減らし単純化することができる。さらに、嵩上げ層を有する場合には、第２隔壁、嵩上げ層、高さ調整層を単一の工程で形成することができ、有機ＥＬ表示パネルの製造工程の数をさらに減らすことができる。

また、前記第１発光層と前記第２発光層とは、いずれも塗布膜である、としてもよい。
これにより、発光層の膜厚をより適切に制御することができる。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記何れかの一態様に係る有機ＥＬ表示パネルを備える。
≪実施の形態１≫
１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成
本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルについて説明する。

図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。
有機ＥＬ表示パネル１００において、各有機ＥＬ素子１は、前方（図１における紙面上方）に光を出射するいわゆるトップエミッション型である。

有機ＥＬ素子１（Ｒ）と、有機ＥＬ素子１（Ｇ）と、有機ＥＬ素子１（Ｂ）は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子１として説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４１、１４２、１４３、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１を備える。なお、基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０、および、封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１００が備える複数の有機ＥＬ素子１に共通して形成されている。

図２は、有機ＥＬ表示パネル１００の模式平面図である。図２に示すように、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、所謂ラインバンク構造を採用している。すなわち、有機ＥＬ表示パネル１００は、各々がＹ方向に長尺で、Ｘ方向に互いに間隔をあけて配置された複数の隔壁１４１、１４２、１４３と、各々がＸ方向に長尺で、Ｙ方向に互いに間隔をあけて配置された複数の副壁１４ｂとを備える。なお、図１は、図２のＡ−Ａ断面図に相当する。

隣接する一対の隔壁１４１、１４２、１４３と、隣接する一対の副壁１４ｂとで規定される領域に、有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）のいずれかが形成され、そのそれぞれがサブピクセルとなる。各サブピクセルのＹ方向の長さは、例えば、３００μｍである。
以下、有機ＥＬ表示パネル１００の各部構成について説明する。

＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。

＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。

また、層間絶縁層１２の上面には、嵩上げ突起１２Ｒ、１２Ｇが形成されている。嵩上げ突起１２ＲはＹ方向に延伸し、後述する開口部１４ａＲのそれぞれに対して行方向（Ｘ方向）に隣接するように形成される。嵩上げ突起１２ＧはＹ方向に延伸し、後述する開口部１４ａＧのそれぞれに対して行方向（Ｘ方向）に隣接するように形成される。詳細は後述する。なお、嵩上げ突起１２Ｒは本発明の嵩上げ突起に、嵩上げ突起１２Ｇは本発明の高さ調整突起に相当する。嵩上げ突起と高さ調整突起とは、上に形成される隔壁の隔壁部分が第１隔壁部分か第２隔壁部分のいずれに該当するかの違いしかないため、以下の説明では区別せずいずれも嵩上げ突起と呼ぶ。

＜画素電極＞
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。

光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。

画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
＜隔壁＞
隔壁１４１、１４２、１４３は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁１４１、１４２、１４３で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４１、１４２、１４３は、サブピクセルごとに設けられた開口部１４ａを有する。以下、区別する必要がある場合は、有機ＥＬ素子１（Ｒ）の開口部を開口部１４ａＲ、有機ＥＬ素子１（Ｇ）の開口部を開口部１４ａＧ、有機ＥＬ素子１（Ｂ）の開口部を開口部１４ａＢ、と表記する。

隔壁１４１は、開口部１４ａＲに面する隔壁部分１４Ｒと、開口部１４ａＧに面する隔壁部分１４Ｇとからなる。同様に、隔壁１４２は、開口部１４ａＧに面する隔壁部分１４Ｇと、開口部１４ａＢに面する隔壁部分１４Ｂからなる。同様に、隔壁１４３は、開口部１４ａＢに面する隔壁部分１４Ｂと、開口部１４ａＲに面する隔壁部分１４Ｒとからなる。隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。なお、隔壁部分１４Ｒは、少なくとも開口部１４ａＲに面する側の一部において、嵩上げ突起１２Ｒ上に存在する。同様に、隔壁部分１４Ｇは、少なくとも開口部１４ａＧに面する側の一部において、嵩上げ突起１２Ｇ上に存在する。なお、隔壁部分１４Ｒは、その全体が嵩上げ突起１２Ｒ上に存在してもよく、同様に隔壁部分１４Ｇは、その全体が嵩上げ突起１２Ｇ上に存在してもよい。

隔壁１４１、１４２、１４３は、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクが隣接するサブピクセルのインクと接触しないようにするための構造物として機能する。隔壁１４１、１４２、１４３は、頂部とそれに続く側壁部の上部が撥液部分であり、側壁部のうち撥液部分を除く部分が親液部分である。隔壁１４１、１４２、１４３は、絶縁性の樹脂材料からなる母材に、フッ素系化合物やシリコーン系化合物などの撥液性の界面活性剤が添加されてなる。絶縁性の樹脂材料である母材としては、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、母材はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂのそれぞれは、それぞれ四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４ＢのＸ方向の幅および厚さ（基板１１を基準としたときの、頂部と底面との高さの差）は同一であってもよい。
＜副壁＞
副壁１４ｂは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。副壁１４ｂの延伸する方向は、隔壁１４１、１４２、１４３が延伸する方向と直交している。副壁１４ｂのそれぞれは、複数の開口部１４ａにわたって形成されており、開口部１４ａ内において、隣接する画素電極１３を区画している。

本実施の形態において、副壁１４ｂは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、副壁１４ｂの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
副壁１４ｂは、Ｙ方向に隣接する画素電極１３間を電気的に絶縁するとともに、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向（Ｙ方向）への流動を制御するためのものである。副壁１４ｂの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。また、層間絶縁層１２からの副壁１４ｂの高さは、層間絶縁層１２からの隔壁１４１、１４２、１４３の高さよりも低い。副壁１４ｂは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。

なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。

また、正孔輸送層１６はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンゼン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層１６は、真空蒸着法により形成される。なお、正孔輸送層１６の材料および製造方法は上述のものに限られず、正孔輸送機能を有する任意の材料を用いてよく、正孔輸送層１６の製造に用いることのできる任意の製造方法で形成されてよい。

＜発光層＞
発光層１７は、開口部１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁１４１、１４２、１４３上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

＜電子注入層＞
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されることが好ましく、ＢａまたはＬｉがより好ましい。本実施の形態では、Ｂａが選択される。また、電子注入層１９における金属材料のドープ量は５〜４０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

なお、電子注入層１９は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のフッ化物層を発光層１７側に有していてもよい。
＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。

対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。

陰極は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１００がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。
＜その他＞
なお図１には示されないが、封止層２１の上に、封止樹脂を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９、対向電極２０を水分および空気などから保護できる。

＜実施の形態に係る隔壁の効果＞
以下、模式図を用いて、実施の形態に係る隔壁１４１、１４２と、他の構造を有する隔壁との差異について説明する。図３は、実施例および比較例における発光層材料の塗布過程を示す模式断面図である。なお、図中の左右方向はＸ方向、上下方向はＺ方向に対応する。

図３（ａ）は、全ての隔壁８１４について高さを同じくした場合の模式断面図である。全ての隔壁８１４について同一の材料を用い、同一の工程で形成すると、このような隔壁の構成となる。このとき、発光層の膜厚に係らずピンニングの位置が同一となる。したがって、発光層９１７ａの膜厚に対してピンニングの位置が高いと、図３（ａ）の発光層９１７ａのように、上面が凹面状となり、膜厚が隔壁に近づくほど厚くなる。一方で、発光層９１７ａの膜厚に対してピンニングの位置が低いと、図３（ａ）の発光層９１７ｂのように、上面が凸面状となり、膜厚が隔壁に近づくほど薄くなる。したがって、発光層の膜厚を均一にするためには、ピンニングの位置と発光層の膜厚が一致している必要があり、発光色に合わせて膜厚を調整することができない。

図３（ｂ）は、隔壁８２４ａ、８２４ｂの高さを変えた場合の模式断面図である。このとき、隔壁８２４ａ上のピンニング位置と、隔壁８２４ｂ上のピンニング位置とで高さが異なる。したがって、隔壁８２４ａの高さが隔壁８２４ｂの高さより高いと、隔壁８２４ａ上のピンニング位置が隔壁８２４ｂ上のピンニング位置より高くなる。したがって、発光層９２７ａでは、隔壁８２４ａ側のピンニング位置が高くなる結果、隔壁８２４ａに近づくほど膜厚が厚くなる現象が生じ、膜厚ムラが生じる。同様に、発光層９２７ｂでも、隔壁８２４ａ側のピンニング位置が高くなる結果、隔壁８２４ａに近づくほど膜厚が厚くなる現象が生じ、膜厚ムラが生じる。つまり、隔壁ごとに高さを変える方法では、発光色に合わせて膜厚を調整することができない。

これに対し、実施の形態１に係る隔壁では、図３（ｃ）の模式断面図に示すように、隔壁１４ｐ、１４ｑにおいて、発光層１７ａが形成される開口部に面する隔壁部分１４ａと、発光層１７ｂが形成される開口部に面する隔壁部分１４ｂとで頂部の高さが異なる。したがって、発光層１７ａが形成される開口部については、開口部に面する２つの隔壁部分１４ａの高さが同一であるため膜厚ムラが生じず、同様に、発光層１７ｂが形成される開口部については、開口部に面する２つの隔壁部分１４ｂの高さが同一であるため膜厚ムラが生じない。さらに、実施の形態１に係る隔壁では、隔壁部分１４ａは、層間絶縁層１２に形成された嵩上げ突起１２ａ上に形成されている。したがって、嵩上げ突起１２ａの高さを調整することにより、隔壁部分１４ａと隔壁部分１４ｂとでＺ方向の厚みを変えずとも、隔壁部分１４ａの頂部の高さと隔壁部分１４ｂの頂部の高さとを任意に設計することができる。具体的には、隔壁部分１４ａおよび隔壁部分１４ｂの厚みを発光層１７ｂに対して最適化した上で、隔壁部分１４ａの頂部の高さが発光層１７ａに対して最適となるように、嵩上げ突起１２ａの高さを最適化すればよい。これにより、嵩上げ突起１２ａを形成しておけば、例えばフォトリソグラフィにより、隔壁部分１４ａと隔壁部分１４ｂとを一括で形成することができるため、隔壁１４ｐ、１４ｑを少ない工程により形成することができる。

なお、隔壁部分１４ａと隔壁部分１４ｂとの高さを変える方法としては、（ａ）ハーフトーンマスクを用いて、隔壁部分１４ａと隔壁部分１４ｂとを同時に形成する方法、および、（ｂ）隔壁部分１４ａと隔壁部分１４ｂとを別々の工程により製造する方法、があり得る。しかしながら、（ａ）の方法の場合、隔壁部分１４ｂの上面の撥液性が十分に確保できない課題が発生しうる。隔壁は上面の撥液性を確保するため、材料にフッ素系化合物やシリコン系化合物などの撥液性の界面活性剤を添加して界面活性剤を隔壁上部に偏在させるなどの対処がとられている。したがって、ハーフトーンマスクを用いて高さの異なる隔壁部分を同時に形成した場合、低い側の隔壁部分（隔壁部分１４ｂ）については、撥液性が付与された上部が現像で除去され、隔壁部分の上面の撥液性の確保が十分とならない場合があり得る。また、（ｂ）の方法の場合は、フォトリソグラフィによるパターニングの回数が隔壁部分の種類の数だけ行う必要があるため、工程数が増える課題がある。

以上説明したように、実施の形態に係る隔壁は、発光層および／または機能層を塗布法で形成時、インクをあふれ出させない構造物として好適である上、膜厚を均一化して有機ＥＬ素子の特性向上においても好適である。
２．有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法
次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図面を用い説明する。

図４から図８は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図９は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。
なお、実施の形態１では、発光層の膜厚は、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の順に膜厚が小さくなるものとする。

（１）基板１１の作成
まず、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜した基板１１（ＴＦＴ基板）を準備する（ステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する。

まず、図４（ａ）に示すように、層間絶縁材料層１２０を塗布する（ステップＳ２１）。層間絶縁材料層１２０は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、フォトマスク２０１を用いて層間絶縁材料層１２０をパターン露光する（ステップＳ２２）。この時使用するフォトマスク２０１は、嵩上げ突起１２Ｒに対応する箇所が遮光部２０１Ｓであり、嵩上げ突起１２Ｇに対応する箇所がハーフトーン部２０１Ｈ２であり、それ以外の領域がハーフトーン部２０１Ｈ１である。なお、ハーフトーン部Ｈ２０１Ｈ１は、ハーフトーン部２０１Ｈ２より光の透過率が高い。

続けて、図４（ｃ）に示すように、現像によって露光部分を取り除き焼成する（ステップＳ２３）。上述したように、ハーフトーン部Ｈ２０１Ｈ１は、ハーフトーン部２０１Ｈ２より光の透過率が高いため、層間絶縁層１２の上面は、遮光部２０１Ｓに対応する箇所が最も高くなり、次にハーフトーン部２０１Ｈ２に対応する箇所が高くなり、ハーフトーン部Ｈ２０１Ｈ１に対応する箇所が最も低くなる。すなわち、ハーフトーン部Ｈ２０１Ｈ１に対応する箇所を基準とすると、ハーフトーン部２０１Ｈ２に対応する箇所が上方に突出した嵩上げ突起１２Ｇとなり、遮光部２０１Ｓに対応する箇所が上方により高く突出した嵩上げ突起１２Ｒとなる。これにより、嵩上げ突起１２Ｒと嵩上げ突起１２Ｇとを有する層間絶縁層１２が形成される。

なお、図４（ｂ）および図４（ｃ）には図示していないが、ステップＳ２２、Ｓ２３におけるフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによりコンタクトホールも同時に開設し、その後、コンタクトホール内に接続電極を形成する。
（３）画素電極１３の形成
次に、図５（ａ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（ステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。

そして、図５（ｂ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３２）。
（４）副壁１４ｂの作成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、副壁１４ｂの材料である副壁用樹脂を塗布し、副壁材料層を形成する（ステップＳ４０）。副壁用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。副壁材料層は、例えば、フェノール樹脂などの副壁用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、副壁材料層にパターン露光と現像、焼成を行うことで副壁１４ｂを形成する。

（４）隔壁１４１、１４２、１４３の作成
次に、図５（ｃ）に示すように、画素電極１３、層間絶縁層１２、および副壁１４ｂ上に、隔壁１４１、１４２、１４３の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する（ステップＳ５０）。隔壁用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂に、撥液性を有する界面活性剤であるフッ素化合物が添加されて用いられる。具体的には、例えば、隔壁用樹脂であるフェノール樹脂とフッ素化合物とを溶媒（例えば、ＰＧＭＥＡや乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３、層間絶縁層１２、および副壁１４ｂ上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。

次に、図５（ｄ）に示すように、フォトマスク２２１を用いて隔壁材料層１４０をパターン露光する。続けて、図６（ａ）に示すように、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、隔壁１４１、１４２、１４３を形成する。本工程では隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを個別に形成せず一度に形成しているが、隔壁１４１の開口部１４ａＲ側の隔壁部分１４Ｒと、隔壁１４３の開口部１４ａＲ側の隔壁部分１４Ｒとは、それぞれ、嵩上げ突起１２Ｒ上に形成されるため、嵩上げ突起１２Ｒの高さだけ、隔壁頂部が高くなる。また、同様に、隔壁１４１の開口部１４ａＧ側の隔壁部分１４Ｇと、隔壁１４２の開口部１４ａＧ側の隔壁部分１４Ｇとは、それぞれ、嵩上げ突起１２Ｇ上に形成されるため、嵩上げ突起１２Ｇの高さだけ、隔壁頂部が高くなる。したがって、隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを一度に形成しても、それらの上面の高さを変えることができる。また、隔壁部分の上面を現像により除去していないため、撥液性が低下することもない。

さらに、開口部１４ａＲは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｒによって区画され、開口部１４ａＧは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｇによって区画され、開口部１４ａＢは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｂによって区画される。したがって、のちに形成される発光層１７の膜厚ムラを抑止することができる。
（５）正孔注入層の成膜
次に、図６（ｂ）に示すように、隔壁１４１、１４２、１４３および副壁１４ｂが規定する開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズルから吐出して開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。

（６）正孔輸送層の成膜
次に、図６（ｃ）に示すように、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０２のノズルから吐出して開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。

（７）発光層の成膜
次に、図７（ａ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０３、４０４、４０５それぞれのノズルから吐出して、開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢそれぞれの正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを形成する（ステップＳ８０）。

（８）電子輸送層の成膜
次に、図７（ｂ）に示すように、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ上および隔壁１４１、１４２、１４３上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。

（９）電子注入層の成膜
次に、図７（ｃ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。
（１０）対向電極の成膜
次に、図８（ａ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。

（１１）封止層の成膜
最後に、図８（ｂ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。
以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。

なお、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
３．各発光層の膜形状
図１０は、上記有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、画素電極１３を基準としたときに、隔壁１４１〜１４３の上面の高さを０．５５μｍまたは０．７μｍで形成した場合における各ＲＧＢの有機ＥＬ素子の発光層１７の上面及び下面の高さを測定した結果を示すグラフである。

図１０（ａ）〜（ｃ）は、隔壁の上面の高さを０．５５μｍとしたときの発光層１７の下面３０１、３１１、３２１と、上面３０２、３１２、３２２とを示すグラフである。また、図１０（ｄ）〜（ｆ）は、隔壁の上面の高さを０．７μｍとしたときの発光層１７の下面３３１、３４１、３５１と、上面３３２、３４２、３５２とを示すグラフである。
隔壁の上面の高さを０．５５μｍと揃えた場合、図１０（ｂ）、（ｃ）に示すように、膜厚が４０ｎｍや６０ｎｍの発光層では膜厚が均一な範囲が広くなる一方で、図１０（ａ）に示すように、膜厚が１８０ｎｍの発光層では上面３０２の中央部が盛り上がるため、周辺部に対して中央部の膜厚が厚くなり、膜厚ムラが発生する。しかしながら、隔壁の上面の高さを０．７μｍと揃えた場合、図１０（ｄ）に示すように、膜厚が１８０ｎｍの発光層では膜厚が均一な範囲が広くなる一方で、図１０（ｅ）に示すように、膜厚が６０ｎｍの発光層では上面３４２の中央部が窪むため、周辺部に対して中央部の膜厚が薄くなり、膜厚ムラが発生する。

したがって、例えば、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の膜厚をそれぞれ１８０ｎｍ、６０ｎｍ、４０ｎｍとしたとき、隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの上面と下面との高さの差を０．５５μｍとし、開口部１４ａＲに隣接する嵩上げ突起１２Ｒの高さを０．１５μｍと設計すればよい。このような設計により、赤色発光層については図１０（ｄ）の形状にする一方で、緑色発光層、青色発光層については図１０（ｂ）、図１０（ｃ）の形状とすることが可能となる。

４．有機ＥＬ表示装置の全体構成
図１７は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１７に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と、制御回路２５０とから構成されている。

なお、実際の有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。
≪実施の形態２≫
１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００では、層間絶縁層１２に嵩上げ突起１２Ｒ、１２Ｇを設けて隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇの上面を隔壁部分１４Ｂの上面より高くする場合について説明した。これに対し、実施の形態２では、他の方法により隔壁部分１４Ｒ、１４Ｇの上面を隔壁部分１４Ｂの上面より高くする場合について説明する。

以下、本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルについて説明する。図１２は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１００ｘの部分断面図である。以下、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００と共通の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２ｘは、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２ｘは、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２ｘには、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。

実施の形態１に係る層間絶縁層１２とは異なり、実施の形態２に係る層間絶縁層１２ｘは、その上面が平坦である。
＜嵩上げ層＞
開口部１４ａＲ内の画素電極１３のＸ方向両端に沿って、画素電極１３上および層間絶縁層１２ｘ上に、Ｙ方向に延伸する嵩上げ層２４Ｒが２つ形成される。同様に、開口部１４ａＧ内の画素電極１３のＸ方向両端に沿って、画素電極１３上および層間絶縁層１２ｘ上に、Ｙ方向に延伸する嵩上げ層２４Ｇが２つ形成される。嵩上げ層２４Ｒは、その一部が嵩上げ層２４Ｒ上に形成される隔壁１４１、１４３の隔壁部分１４Ｒの上面の高さが、開口部１４ａＲに形成される機能層の膜厚に対して適した高さとなるように形成される。同様に、嵩上げ層２４Ｇは、その一部が嵩上げ層２４Ｇ上に形成される隔壁１４１、１４２の隔壁部分１４Ｇの上面の高さが、開口部１４ａＧに形成される機能層の膜厚に対して適した高さとなるように形成される。嵩上げ層２４Ｒ、嵩上げ層２４Ｇのそれぞれの機能は実施の形態１に係る嵩上げ突起１２Ｒ、１２Ｇと同じである。

なお、嵩上げ層２４Ｒは本発明の嵩上げ層に、嵩上げ層２４Ｇは本発明の高さ調整層に相当する。嵩上げ層と高さ調整層とは、上に形成される隔壁の隔壁部分が第１隔壁部分か第２隔壁部分のいずれに該当するかの違いしかないため、以下の説明では区別せずいずれも嵩上げ層と呼ぶ。
嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよい。

なお、嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇのそれぞれは、副壁１４ｂと同様の材料で形成されていてもよい。
＜実施の形態に係る隔壁の効果＞
上記構成においても、隔壁１４１および１４３において、開口部１４ａＲに隣接する隔壁部分１４Ｒでは、隔壁部分１４Ｒが嵩上げ層２４Ｒ上に形成される。したがって、開口部１４ａＲに形成される機能層では、開口部に面する２つの隔壁部分１４Ｒの上面の高さが同一であるため膜厚ムラが生じない。さらに、嵩上げ層２４Ｒの高さを調整することにより、隔壁部分１４Ｇおよび１４ＧのＺ方向の厚みにかかわらず、隔壁部分１４Ｒの上面の高さを任意に設計することができる。同様に、開口部１４ａＧ、開口部１４ａＢにおいても、膜厚ムラを抑止し、かつ、嵩上げ層２４Ｇの高さを調整することにより、隔壁部分１４Ｇの上面の高さおよび隔壁部分１４Ｂの上面の高さを任意に設計することができる。

以上説明したように、実施の形態に係る隔壁は、発光層および／または機能層を塗布法で形成時、インクをあふれ出させない構造物として好適である上、膜厚を均一化して有機ＥＬ素子の特性向上においても好適である。
２．有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造方法
次に、有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造方法について、図面を用い説明する。

図１３から図１５は、有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図１６は、有機ＥＬ表示パネル１００ｘの製造方法を示すフローチャートである。なお、実施の形態１と同様の工程については同一のステップ番号を付し、模式断面図および詳細な説明を省略する。
（１）基板１１の作成
まず、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜した基板１１（ＴＦＴ基板）を準備する（ステップＳ１０、図１３（ａ））。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。

次に、基板１１上に層間絶縁層１２ｘを形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布し、露光、現像することにより形成される（図１３（ｂ））。
なお、図１３（ｂ）には図示していないが、露光時にコンタクトホールを開設し、その後、コンタクトホール内に接続電極を形成する。

（３）画素電極１３の形成
次に、図１３（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２ｘ上に画素電極材料層１３０を形成する（ステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
そして、図１３（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３２）。

（４）副壁１４ｂの作成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、副壁１４ｂの材料である副壁用樹脂を塗布し、副壁材料層を形成する（ステップＳ４０）。副壁用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。副壁材料層は、例えば、フェノール樹脂など副壁用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２ｘ上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、副壁材料層にパターン露光と現像、焼成を行うことで副壁１４ｂを形成する。

（５）嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇの作成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２ｘ上に、嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇの材料である嵩上げ層用樹脂を塗布し、嵩上げ材料層２４０１を形成する（ステップＳ１５１、図１４（ａ））。嵩上げ層用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。嵩上げ材料層２４０１は、例えば、フェノール樹脂など嵩上げ層用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２ｘ上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。

次に、図１４（ｂ）に示すように、フォトマスク２３０１を用いて嵩上げ材料層２４０１をパターン露光する（ステップＳ１５２）。このとき使用するフォトマスク２３０１は、嵩上げ層２４Ｒに対応する箇所が遮光部２３０１Ｓであり、嵩上げ突起１２Ｇに対応する箇所がハーフトーン部２３０１Ｈであり、それ以外の領域が光透過部である。
続けて、図１４（ｃ）に示すように、現像によって露光部分を取り除き焼成する（ステップＳ１５３）。これにより、高さの高い嵩上げ層２４Ｒと、嵩上げ層２４Ｒより高さの低い嵩上げ層２４Ｇが形成される。

なお、ここでは副壁１４ｂと嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇとを別途形成したが、単一の樹脂材料と単一のフォトマスクとを用いて、副壁１４ｂと嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇとを１回のフォトリソグラフィにより形成してもよい。
（６）隔壁１４１、１４２、１４３の作成
次に、図１５（ａ）に示すように、画素電極１３、層間絶縁層１２ｘ、副壁１４ｂ、および、嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇ上に、隔壁１４１、１４２、１４３の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する（ステップＳ５０）。隔壁用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂に、撥液性を有する界面活性剤であるフッ素化合物が添加されて用いられる。

次に、図１５（ｂ）に示すように、フォトマスク２３２を用いて隔壁材料層１４０をパターン露光する。続けて、図１５（ｃ）に示すように、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、隔壁１４１、１４２、１４３を形成する。このとき、隔壁１４１の開口部１４ａＲ側の隔壁部分１４Ｒと、隔壁１４３の開口部１４ａＲ側の隔壁部分１４Ｒとは、それぞれ、嵩上げ層２４Ｒ上に形成されるため、嵩上げ層２４Ｒの高さだけ、隔壁頂部が高くなる。また、同様に、隔壁１４１の開口部１４ａＧ側の隔壁部分１４Ｇと、隔壁１４２の開口部１４ａＧ側の隔壁部分１４Ｇとは、それぞれ、嵩上げ層２４Ｇ上に形成されるため、嵩上げ層２４Ｇの高さだけ、隔壁頂部が高くなる。したがって、開口部１４ａＲは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｒによって区画され、開口部１４ａＧは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｇによって区画され、開口部１４ａＢは同じ高さの２つの隔壁部分１４Ｂによって区画される。

（７）正孔注入層の成膜
次に、隔壁１４１、１４２、１４３および副壁１４ｂが規定する開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッドのノズルから吐出して開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。

（８）正孔輸送層の成膜
次に、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッドのノズルから吐出して開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。
（９）発光層の成膜
次に、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッドのノズルから吐出して、開口部１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢそれぞれの正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを形成する（ステップＳ８０）。

（１０）電子輸送層の成膜
次に、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ上および隔壁１４１、１４２、１４３上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。
（１１）電子注入層の成膜
次に、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。

（１２）対向電極の成膜
次に、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。
（１３）封止層の成膜
最後に、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。

以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００ｘが完成する。上記方法によれば、層間絶縁層１２ｘ上に嵩上げ突起１２Ｒ、１２Ｇを形成しなくてよいため工程を単純化することができる。また、特に、嵩上げ層２４Ｒ、２４Ｇと副壁１４ｂとを１度に形成する場合においては、工程数を削減することが可能となり、より効率的に有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。

≪変形例≫
（１）上記各実施の形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光層を設けた有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光層の膜厚がＲ、Ｇ、Ｂの順に薄くなる場合について説明した。しかしながら、発光層の膜厚の順は上記に限られず任意であってよく、（ｉ）隔壁の上面と下面との高さの差が、最も薄い膜厚を有する発光層に対して適正な値であり、（ｉｉ）他の２種類の発光層に対し、隔壁の上面の高さが適正な値となるように、嵩上げ突起、または、嵩上げ層が設けられている、の構成であればよい。すなわち、発光層の膜厚がＲ、Ｂ、Ｇの順に薄くなる場合には、青色発光層が形成される開口の両隣に嵩上げ突起又は嵩上げ層を設け、赤色発光層が形成される開口の両端に、さらに高い嵩上げ突起又は嵩上げ層を設ければよい。

また、実施の形態では、膜厚が最も薄い発光層（Ｂ）の両隣には嵩上げ突起も嵩上げ層も形成しないとしたが、全ての開口に隣接するように嵩上げ突起または嵩上げ層を設けるとしてもよい。また、１つの有機ＥＬ表示パネル内に、嵩上げ突起と嵩上げ層の両方を備えてももちろんよい。
（２）上記実施の形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光層を設けた有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、発光層の種類は２種類であってもよいし、４種類以上であってもよい。ここで、発光層の種類とは発光層や機能層の膜厚のバリエーションを指すものであり、同一の発光色であっても発光層や機能層の膜厚が異なる場合は、種類が異なる発光層と考えてよい。また、発光層の配置についても、ＲＧＢＲＧＢ…の配置に限られず、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢ…の配置であってもよいし、画素と画素との間に補助電極層やその他の非発光領域を設けてもよい。

（３）上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子１において正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７は全て塗布法により形成されるとしたが、少なくとも１つが塗布法で形成されればよく、それ以外の層は他の方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などにより形成されるとしてもよい。なお、正孔注入層１５が蒸着法またはスパッタリング法により形成される場合には、正孔注入層１５の形成は隔壁１４１〜１４３や嵩上げ層２４の形成前に行われてもよい。

また、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。
（４）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。

（５）以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

本発明は、発光層、機能層のうち少なくとも１つを塗布法で形成する有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光層、機能層の膜厚を均一化することにより、発光特性の優れた有機ＥＬ表示パネルを製造するのに有用である。

１ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１２Ｒ、１２Ｇ 嵩上げ突起
１３ 画素電極
１４ｂ 副壁
１４１、１４２、１４３ 隔壁
１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ 隔壁部分
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層
１００ 有機ＥＬ表示パネル
１０００ 有機ＥＬ表示装置

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配される層間絶縁層と、
   前記層間絶縁層上に行列状に配される複数の画素電極と、
   前記層間絶縁層上に配され、行方向における前記画素電極の間隙上に列方向に延伸する複数の隔壁と、
   行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙において、前記画素電極の上方に配される第１発光層と、
   前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙において、前記画素電極の上方に配される第２発光層と、
   前記第１発光層の上方および前記第２発光層の上方に配される対向電極と
   を備え、
   前記第１発光層の膜厚は、前記第２発光層の膜厚より厚く、
   前記第１間隙と前記第２間隙との間に存在する隔壁において、前記基板を基準としたとき、前記第１間隙側にある第１隔壁部分の下面の高さは、前記第２間隙側にある第２隔壁部分の下面の高さより高く、かつ、前記第１隔壁部分の上面の高さは、前記第２隔壁部分の上面の高さより高く、前記第１間隙内の前記画素電極の上面の高さと、前記第２間隙内の前記画素電極の上面の高さは等しい
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記層間絶縁層の上面は、前記第１隔壁部分の下面と接する部分に上方に突出した嵩上げ突起を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. 前記基板と前記第１隔壁部分との間に、嵩上げ層をさらに備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 前記嵩上げ層は、前記画素電極を列方向に区画する第２隔壁と一体成型されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
5. 前記第１隔壁部分の上面と下面との高さの差と、前記第２隔壁部分の上面と下面との高さの差とは略同一である
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
6. 前記第２隔壁部分の下面の高さは、前記画素電極の下面の高さより高い
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
7. 前記層間絶縁層の上面は、前記第２隔壁部分の下面と接する部分に上方に突出した高さ調整突起を有する
   ことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
8. 前記基板と前記第２隔壁部分との間に、高さ調整層をさらに備える
   ことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
9. 前記高さ調整層は、前記画素電極を列方向に区画する第２隔壁と一体成型されている
   ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
10. 前記第１発光層と前記第２発光層とは、いずれも塗布膜である
    ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを備える有機ＥＬ表示装置。
12. 基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、
    前記層間絶縁層上に、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
    前記層間絶縁層上に、行方向に前記画素電極を区画するように、列方向に沿って隔壁を複数形成する工程と、
    行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、
    前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に、発光材料を含むインクを塗布して、前記第１発光層の膜厚より薄い膜厚を有する第２発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層および前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と
    を含み、
    前記隔壁を複数形成する前に、前記第１間隙に行方向に隣接し列方向に延伸する嵩上げ部位を形成し、
    前記隔壁を複数形成する工程において、
    前記第１間隙に隣接する第１隔壁部分の上面の高さを、前記第２間隙に隣接する第２隔壁部分の上面の高さより高く形成する
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
13. 前記嵩上げ部位は、前記層間絶縁層を形成する工程において、層間絶縁層の上面に突起を形成することで形成される
    ことを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
14. 前記嵩上げ部位は、前記層間絶縁層上に、前記第１間隙に行方向に隣接し列方向に延伸する嵩上げ層を形成する工程によって形成される
    ことを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
15. 前記隔壁を形成する前に、前記層間絶縁層上に、列方向に前記画素電極を区画するように、行方向に沿って第２隔壁を複数形成する工程を含み、
    前記嵩上げ部位は、前記第２隔壁を形成する工程において、前記第２隔壁と同時に形成される
    ことを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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