JP7421284B2 - 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 - Google Patents

表示パネル、および、表示パネルの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、電界発光現象や量子ドット効果を利用した自発光素子を用いた表示パネル、および、その製造方法に関する。
近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ素子、量子ドット効果を利用したＱＬＥＤなどの自発光素子を利用した表示装置が普及しつつある。
自発光素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層を含む機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、ウェットプロセスでは、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。さらに、ウェットプロセスでは、発光色ごとに膜厚が異なる場合においても、インクの塗布量を変更することで対処が可能であるため、プロセス数を増加させずに種々の設計が可能となる。
国際公開第２０１２／１７５００号
自発光素子では、光取り出し効率向上のため、陽極と発光中心間の光路長、陰極と発光中心間の光路長を制御することで光共振器を形成する設計が行われる（例えば、特許文献１参照）。一方で、光共振器に必要な光路長は発光色の波長に依存し、波長が大きいほど長くなる。上述したように、蒸着法では素子ごとに機能層膜厚を変更するためにはシャドウマスクが必要であるところ、ウェットプロセスではインクの塗布量の変更により対処が可能であるため、ウェットプロセスにより形成される機能層の膜厚を制御することが製造工程の単純化、コスト削減のためには好ましい。しかしながら、単位面積当たりのインクの量の下限量はインクの粘度や塗布装置の制約によって定まり、上限量は隔壁からの溢れ抑止の観点から定まるため、ウェットプロセスにおいて同一のインクの塗布量を変更して機能層の膜厚を制御する場合、膜厚を設定できる範囲に制約が生じる。一方で、溶質と溶媒が一致しても濃度の異なるインクは製造工程の管理上は別種のインクとして扱う必要があるため、膜厚の異なる同一成分の機能層を形成するためのコストが最小化できない。
本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、同一成分で膜厚の異なる機能層をウェットプロセスで形成する表示パネルにおいて、同一のインクで容易に膜厚制御を行うことのできる表示パネル、および、その製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る表示パネルは、複数の画素領域が行列状に設けられた表示パネルであって、基板と、前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ列方向に延伸する隔壁と、１つの画素領域内であって、画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配される第１機能層と、前記第１機能層上方に形成される第１発光層と、前記１つの画素領域に対して行方向に隣接する他の１つの画素領域内であって前記画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層とを備え、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さいことを特徴とする。
ここで、画素領域とは、１つの自発光素子と当該自発光素子に必要な要素とが占有する領域を指し、自発光領域のみならず自発光領域の周囲の非自発光領域を含む。すなわち、１つの表示領域内に存在する複数の自発光素子において、２つの自発光領域の間に生じる非自発光領域は、いずれかの自発光領域に係る画素領域に含まれる。
上記態様の表示パネルによれば、第１間隙に形成される第１機能層の膜厚を第２間隙に形成される第２機能層の膜厚に対し、同一のインクを用いても容易に大きくすることが可能であるため、好適な膜厚制御がなされた表示パネルを実現できる。
実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。 実施の形態に係る表示パネルの各副画素における回路構成を示す模式図である。 実施の形態に係る表示パネルの模式平面図である。 図３におけるＡ０部の拡大平面図である。 列バンクと行バンク、開口調整層を形成した段階における基板の一部分の斜視図である。 （ａ）は図４におけるＡ２－Ａ２の模式断面図、（ｂ）は図４におけるＡＧ－ＡＧの模式断面図、（ｃ）は図４におけるＡＲ－ＡＲの模式断面図である。 （ａ）は実施例に係る正孔輸送層の材料インク塗布直後の模式断面図、（ｂ）は実施例および比較例に係る正孔輸送層の模式断面図、（ｃ）は比較例に係る正孔輸送層の材料インク塗布直後の模式断面図である。 （ａ）は正孔輸送層が形成される有効面積とインクの塗布エリアである開口面積との関係を示す平面模式図であり、（ｂ）は光共振器の概要を示す模式断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造過程を示すフローチャートである。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、画素電極材料層がパターニングされて画素電極が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、画素電極および層間絶縁層上に列バンク材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、列バンクが形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、列バンクの開口部内に正孔注入層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、壁の開口部内に正孔注入層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、列バンクの開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、列バンクの開口部内に発光層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、列バンクの開口部内に発光層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、列バンク上及び発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、対向電極上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、画素電極および層間絶縁層上に行バンク材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、行バンク材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、行バンクおよび開口調整層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、行バンク材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｅ）は、行バンクが形成された状態を示す部分断面図である。 実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、行バンクの開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、行バンクの開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、実施の形態に係る表示パネルにおける開口調整層の形状を示す平面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、実施の形態に係る表示パネルにおける開口調整層の形状を示す平面模式図である。 （ａ）～（ｅ）は、実施の形態に係る表示パネルにおける開口調整層の形状を示す平面模式図である。
≪本開示の一態様に至った経緯≫
発光素子の光取り出し効率を向上するための手段として、光共振器構造が知られている。具体的には、図８（ｂ）の模式断面図に示すように、発光中心から直接的に放出される経路Ｃ1を経由する光と、発光中心から光反射性電極で反射されて放出される経路Ｃ2を経由する光や発光中心から光透過性電極、光反射性電極の順に反射されて放出される経路Ｃ3を経由する光が互いに強め合うように光路長を調整した構造である。このとき、経路Ｃ2と経路Ｃ1との光路長差はＬ1の光路長（屈折率を経路長で積分した値）に依存し、経路Ｃ3と経路Ｃ1との光路長差はＬ3の光路長（＝Ｌ1の光路長＋Ｌ2の光路長）に依存する。このとき、光が強め合う条件は光路長差と波長との関係に依存し、放出される光の波長が長いほどＬ1の光路長、Ｌ2の光路長それぞれを長くする必要がある。一方で、発光層より対向電極側に存在する機能層、例えば、対向電極が陰極であれば電子輸送層や電子注入層等は、共通膜として形成が可能で一般に蒸着等により形成されるため、発光色ごとの膜厚制御のためにはシャドウマスクが必要となり、工程数の増加や材料の利用効率の低下が発生する。一方で、発光層より画素電極側に存在する機能層、例えば、画素電極が陽極であれば正孔輸送層や正孔注入層等は、素子ごとに形成されるため、発光色ごとの膜厚制御に適している。
正孔輸送層や正孔注入層等の機能層は、塗布方式で形成することができ、具体的には、材料を溶解したインクを隔壁間隙に塗布する。以下、このように塗布方式で形成された機能層を、塗布膜とも呼ぶ。塗布膜の膜厚はインクの濃度や単位面積当たりのインクの滴下量によって調整が可能である。しかしながら、正孔輸送層や正孔注入層等の機能層は発光色ごとに成分を変える必要がない場合も多く、この場合はインクの管理や塗布装置の効率化の観点から、同一のインクを用いることが好ましい。一方で、インクの濃度が一定である場合、塗布膜の膜厚は単位面積当たりのインクの滴下量のみによって調整する必要があり、形成される塗布膜の下面を基準としたとき、塗布膜の膜厚とインクの液面の高さとが比例する。したがって、発光色間で機能層の膜厚が大きく変化する場合、形成される塗布膜の下面を基準としたときのインクの液面の高さも比例して大きく変化する。したがって、機能層の膜厚が大きい発光色においてはインクの液面の高さが高すぎてインクあふれの危険が生じる一方、機能層の膜厚が小さい発光色においてはインクの液面の高さが低すぎる、インクの滴下位置の間隔が広すぎるなど、膜厚の均一性が失われる危険が生じることがある。この問題を解決する方法としては、例えば、機能層の膜厚が大きい発光色に隣接する隔壁を高くすることが考えられる。しかしながら、すべての隔壁を高くすると膜厚ムラの原因となりやすく、隔壁の一部のみの高さを変化させるとプロセス数が増加する。また、この問題を解決する他の方法としては、例えば、発光色ごとにインク濃度を変更することが考えられるが、濃度が異なるインクは溶媒、溶質が同一であっても塗布装置では種類の異なるインクとして扱う必要があるため、塗布装置のコストやインクの管理コストの増加に直結する。
発明者は、発光色ごとに異なる膜厚を有する同一材料の塗布膜を含む表示パネルにおいて、同一のインクで形成可能である表示パネルの構造について検討し、本開示に至ったものである。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る表示パネルは、複数の画素領域が行列状に設けられた表示パネルであって、基板と、前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ列方向に延伸する隔壁と、１つの画素領域内であって、画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配される第１機能層と、前記第１機能層上方に形成される第１発光層と、前記１つの画素領域に対して行方向に隣接する他の１つの画素領域内であって前記画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層とを備え、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さいことを特徴とする。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、複数の画素領域が行列状に設けられた表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに画素電極を形成し、行方向に隣接する前記画素電極の間に列方向に延伸する隔壁を形成し、１つの画素領域内であって、画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に第１機能層を形成し、前記第１機能層上方に第１発光層を形成し、前記１つの画素領域に対して行方向に隣接する他の１つの画素領域内であって前記画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に、前記第１機能層と同一の材料を用いて前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層を形成し、前記第２機能層の上方に、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層を形成し、前記第１機能層の形成と前記第２機能層の形成において、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合を、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さくすることを特徴とする。
上記態様のＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法によれば、隔壁によって行方向に区画されるいわゆるラインバンク方式の表示パネルにおいて、第１間隙に形成される第１機能層の膜厚を第２間隙に形成される第２機能層の膜厚に対し、同一のインクを用いても容易に大きくすることが可能であるため、好適な膜厚制御がなされた表示パネルを実現できる。
また、上記態様に係るＥＬ表示パネル、または、上記態様の製造方法において、以下のようにしてもよい。
列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸する画素間規制層と、前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層とをさらに備え、前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さい、としてもよい。
また、前記画素電極を形成してから前記隔壁を形成する前に、列方向に隣接する前記画素電極の間に行方向に延伸する画素間規制層を形成し、前記画素電極を形成してから前記隔壁を形成する前に、前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層を形成し、前記第１機能層の形成において前記第１機能層を前記開口調整層の上方に形成しないことにより、当該画素領域の面積に対する前記第１機能層の面積を小さくする、としてもよい。
これにより、第１機能層が存在する画素領域では開口調整層の面積だけ第１機能層が形成される面積が小さくなる一方で、第１機能層の形成プロセスでは第１機能層の材料を含むインクを開口調整層の上方に塗布できるため、第１機能層が存在する画素領域における第１機能層の材料を含むインクの液面を高くすることなく容易に第１機能層の膜厚を大きくすることができる。
また、列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸する画素間規制層と、前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素間規制層から前記画素電極上方に延伸して設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さより低い開口調整層とをさらに備え、前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さい、とすることができる。
また、前記画素電極を形成してから前記隔壁を形成する前に、列方向に隣接する前記画素電極の間に行方向に延伸する画素間規制層を形成し、前記画素電極を形成してから前記隔壁を形成する前に、前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素間規制層から前記画素電極上方に延伸するように、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さより低い開口調整層を形成し、前記第１機能層の形成において前記第１機能層を前記開口調整層の上方に形成しないことにより、当該画素領域の面積に対する前記第１機能層の面積を小さくする、とすることができる。
これにより、第１機能層が存在する画素領域では開口調整層の面積だけ第１機能層が形成される面積が小さくなる一方で、第１機能層の形成プロセスでは第１機能層の材料を含むインクを開口調整層の上方に塗布できるため、第１機能層が存在する画素領域における第１機能層の材料を含むインクの液面を高くすることなく容易に第１機能層の膜厚を大きくすることができる。
また、前記開口調整層と前記画素間規制層とは同一の材料からなる、とすることができる。
また、前記開口調整層の形成と前記画素間規制層の形成は同一の材料を用いて行われる、とすることができる。
これにより、開口調整層と画素間規制層を同時に形成できるため、製造プロセスを簡略化することができる。
また、列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸する画素間規制層をさらに備え、前記画素間規制層は、前記第１機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅が、前記第２機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅より大きく、前記第１機能層が前記画素間規制層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さい、とすることができる。
また、前記画素電極を形成してから前記隔壁を形成する前に、列方向に隣接する前記画素電極の間に行方向に延伸する画素間規制層を形成し、画素間規制層の形成において、前記第１機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅を、前記第２機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅より大きくし、前記第１機能層を前記画素間規制層の上方に形成しないことにより、当該画素領域の面積に対する前記第１機能層の面積を小さくする、とすることができる。
これにより、第１機能層が存在する画素領域では第２機能層が存在する画素領域より開口調整層の占める割合が大きいため、開口調整層上方に第１機能層を形成しないことにより、第１機能層の面積が画素領域の面積の占める割合を、第２機能層の面積が画素領域の面積の占める割合より容易に小さくすることができる。
また、前記画素電極は陽極であり、前記第１機能層は正孔注入機能、正孔輸送機能のうち少なくとも１以上を備える、とすることができる。
これにより、自発光素子の効率を向上させることができる。
また、前記第１機能層と前記第２機能層は塗布膜である、とすることができる。
また、前記第１機能層の形成と、前記第２機能層の形成は、同一のインクを塗布し乾燥することにより行われる、とすることができる。
これにより、同一の塗布プロセスにより同一成分で膜厚の異なる第１機能層と第２機能層とを容易に形成することができる。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、千鳥状に並んだ複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルであって、基板と、前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、隣接する前記画素領域列の間に設けられる隔壁と、１つの画素領域内において前記画素電極上方に配される第１機能層と、前記第１機能層上方に形成される第１発光層と、前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内において前記画素電極上方に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層とを備え、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さい。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、千鳥状に並んだ複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板上における複数の画素領域のそれぞれに画素電極を形成し、隣接する前記画素領域列の間に隔壁を形成し、１つの画素領域内において前記画素電極上方に第１機能層を形成し、前記第１機能層上方に第１発光層を形成し、前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内における前記画素電極上方に、前記第１機能層と同一の材料を用いて前記第１発光層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層を形成し、前記第２機能層の上方に、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層を形成し、前記第１機能層の形成と前記第２機能層の形成において、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合を、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さくする。
これにより、画素領域が千鳥状に並ぶ表示パネルおよびその製造方法においても、本開示の一態様に係る表示パネルおよびその製造方法と同じ効果を奏する。
また、本開示の一態様に係る表示パネルは、複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルであって、基板と、前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、それぞれの画素領域を囲繞する隔壁と、１つの画素領域内において、平面視したときに重複しないよう配された画素間規制層と第１機能層と、前記第１機能層上方に形成される第１発光層と、前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層と、を備え、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さい。
また、本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板上における複数の画素領域のそれぞれに画素電極を形成し、それぞれの画素領域を囲繞する隔壁を形成し、１つの画素領域内において、平面視したときに重複しないよう画素間規制層と第１機能層とを形成し、前記第１機能層上方に第１発光層を形成し、前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内に、前記第１機能層と同一の材料を用いて前記第１発光層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層を形成し、前記第２機能層の上方に、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層を形成し、前記第１機能層の形成と前記第２機能層の形成において、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合を、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さくする。
これにより、隔壁によって画素領域ごとに区画される、いわゆるピクセルバンク方式の
表示パネルおよびその製造方法においても、本開示の一態様に係る表示パネルおよびその製造方法と同じ効果を奏する。
≪実施の形態１≫
１．表示装置の構成
以下、本開示に係る自発光表示パネルとして有機ＥＬ表示パネルを用いた表示装置（以下、単に「表示装置」と称する）の実施の形態について説明する。
（１）表示装置１の回路構成
図１は、表示装置１の回路構成を示すブロック図である。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２００とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状（行列状）に配列され構成されている。
駆動制御回路部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と制御回路２５０とにより構成されている。
（２）表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2 は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2 のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1 は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（対向電極：カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。
そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
なお、各有機ＥＬ素子の駆動回路は、上記のものに限られず、他の構成でも構わない。
（３）表示パネル１０の全体構成
（３－１）表示パネル１０の概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
図３は、表示パネル１０の模式平面図である。表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１１（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、Ｙ方向、厚み方向とする。
図３に示すように、表示パネル１０は、基板１１上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク１４Ｙ（隔壁）と行バンク１４Ｘ（画素間規制層）とが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク１４Ｙの列方向の端部に相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材（不図示）が形成されている。区画領域１０ａにおいて、列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘによって区画される各領域のうち、外周部を含む非表示領域１０ｑは表示に寄与せず、非表示領域１０ｑの内側に設けられる表示領域１０ｐに有機ＥＬ素子１００が形成される。なお、非表示領域１０ｑには有機ＥＬ素子は形成されなくてもよいが、非表示領域１０ｑに有機ＥＬ素子が形成されるとしてもよい。
（３－２）有機ＥＬ素子１００の概要
図４は、図３におけるＡ０部の拡大平面図である。
表示パネル１０の表示領域１０ｐには、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素（画素領域）１００ｅが行列状に隙間なく配されている。各単位画素１００ｅには、赤色に発光する自発光素子１００Ｒ、緑色に発光する自発光素子１００Ｇ、青色に発光する自発光素子１００Ｂの３種類の自発光素子が副画素１００ｓｅとして含まれる。すなわち、行方向に並んだ自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成する。自発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれ、赤色に発光する自己発光領域１００ａＲ、緑色に発光する自己発光領域１００ａＧ、青色に発光する自己発光領域１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「自己発光領域１００ａ」と略称する）と、非自己発光領域１００ｂとを含む。
表示パネル１０には、複数の画素電極１３が基板１１上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。３つの画素電極１３とその周辺まで領域が単位画素（画素領域）１００ｅに含まれ、画素単位１００ｅと画素単位１００ｅの境界は、列方向（Ｙ方向）に隣接する画素電極１３の間隙をＹ方向に二分する直線、および、行方向（Ｘ方向）に隣接する自発光素子１００Ｂ、１００Ｒの画素電極１３の間隙をＸ方向に二分する直線となる。
画素電極１３とこれに隣接する画素電極１３とは、互いに絶縁されている。隣接する画素電極１３間には、絶縁層形式のライン状に延伸する絶縁層が設けられている。
１つの画素電極１３と、これに行方向に隣接する画素電極１３との間に位置する基板１１上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク１４Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク１４Ｙの行方向外縁により規定される。
一方、１つの画素電極１３と、これに列方向に隣接する画素電極１３との間に位置する基板１１上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１４Ｘが複数行並設されている。行バンク１４Ｘが形成される領域は、画素電極１３上方の発光層１７において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１４Ｘの列方向外縁により規定される。なお、赤色発光素子１００Ｒについては、画素電極１３Ｒ上に行バンク１４Ｘに加えて開口調整層１４ＩＲが設けられており、画素電極１３Ｒ上方の発光層１７Ｒにおいて、開口調整層１４ＩＲ上方の領域についても非自己発光領域１００ｂとなる。
なお、ここでは、画素電極１３は全副画素に対して同一の形状であり、画素電極１３の一部が行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙ、開口調整層１４Ｉによって被覆される構成であるとした。しかしながら、行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙ、開口調整層１４Ｉによって被覆される個所は電極として機能しない部分であるから、行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙ、または、開口調整層１４Ｉによって被覆されるべき部分については画素電極１３を形成しない、としてもよい。
隣り合う列バンク１４Ｙ間を間隙１４ａと定義したとき、間隙１４ａには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙１４ａＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙１４ａＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙１４ａＢ（以後、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢを区別しない場合は、「間隙１４ａ」と称する）が存在し、表示パネル１０は、列バンク１４Ｙと間隙１４ａとが交互に多数並んだ構成を採る。
表示パネル１０では、複数の画素領域１００ｅが、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが交互に繰り返されるように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢに沿って列方向に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１３とＴＦＴのソースＳ1 とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）があり、画素電極１３に対して電気接続するための画素電極１３上のコンタクト領域が設けられている。
１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク１４Ｙと行方向に設けられた行バンク１４Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは、列方向において行バンク１４Ｘと、この行バンク１４Ｘに隣接する行バンク１４Ｘの間に位置している。
図５は、列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘの形成状態を説明するため、上記表示パネル１０の一部の斜視図である。同図に示すように、行バンク１４Ｘの高さが列バンク１４Ｙの高さよりも十分低い構造となっている（ラインバンク方式）。なお、開口調整層１４ＩＲの高さは行バンク１４Ｘの高さと同一、または、行バンク１４Ｘの高さより低い。なお、開口調整層１４ＩＲの上面は、少なくとも一部について自己発光領域１００ａに近づく方向に傾斜している領域が存在してもよい。例えば、開口調整層１４ＩＲの上面は、画素電極１３の表面と平行であってもよいし、一部または全部が、自己発光領域１００ａに近づくほど低くなるよう傾斜していてもよい。
上記構成により、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに吐出されたインクは、その液面が行バンク１４Ｘおよび開口調整層１４ＩＲよりも高くなり、インクが列方向（Ｙ方向）に流動するため、インクの液面が平坦化され膜厚の列方向における変動が少なくなる。
（３－３）表示パネル１０の各部構成
以下、表示パネル１０の各部構成について説明する。図６（ａ）は、図４のＡ２－Ａ２断面に相当する断面模式図である。図６（ｂ）は、図４のＡＧ－ＡＧ断面に相当する断面模式図である。図６（ｃ）は、図４のＡＲ－ＡＲ断面に相当する断面模式図である。
＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
＜画素電極＞
画素電極１３は層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、光反射性の陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
なお、画素電極１３は、光透過性の陽極として機能してもよい。このとき、画素電極１３は、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム－銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム－アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム－アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金が挙げられる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。この場合も、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。さらに、本構成の場合は、基板１１のうち少なくとも画素電極１３の下側に位置する部分が透光性を備える必要がある。
なお、上述の通り、画素電極１３は、列バンク１４Ｙ、開口調整層１４Ｉ、行バンク１４Ｘに被覆される領域の一部または全部に相当する場所が形成されない、としてもよい。但し、画素電極として機能するために、画素電極として機能する部分と、ＴＦＴとが電気的に接続されている必要がある。
＜列バンク１４Ｙ＞
列バンク１４Ｙは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において列バンク１４Ｙで被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、列バンク１４Ｙは、サブピクセルごとに設けられた間隙１４ａを有する。
列バンク１４Ｙは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、列バンク１４Ｙの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
列バンク１４Ｙは、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクが隣接するサブピクセルのインクと接触しないようにするための構造物として機能する。列バンク１４Ｙは、頂部とそれに続く側壁部の上部が撥液部分であり、側壁部のうち撥液部分を除く部分が親液部分である。列バンク１４Ｙは、絶縁性の樹脂材料からなる母材に、フッ素系化合物やシリコーン系化合物などの撥液性の界面活性剤が添加されてなる。絶縁性の樹脂材料である母材としては、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、母材はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。
列バンク１４Ｙは、それぞれ四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。
＜行バンク１４Ｘ＞
行バンク１４Ｘは、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。行バンク１４Ｘの延伸する方向は、列バンク１４Ｙが延伸する方向と直交している。行バンク１４Ｘのそれぞれは、複数の間隙１４ａにわたって形成されており、間隙１４ａ内において、隣接する画素電極１３を区画している。
本実施の形態において、行バンク１４Ｘは、画素電極１３が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分では、行バンク１４Ｘの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
行バンク１４Ｘは、Ｙ方向に隣接する画素電極１３間を電気的に絶縁するとともに、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向（Ｙ方向）への流動を制御するためのものである。行バンク１４Ｘの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。また、層間絶縁層１２からの行バンク１４Ｘの高さは、層間絶縁層１２からの列バンク１４Ｙの高さよりも低い。行バンク１４Ｘは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。
＜開口調整層１４Ｉ＞
開口調整層１４Ｉは、行バンク１４Ｘと列バンク１４Ｙによって規定される画素１００の開口面積を削減するための絶縁層であり、画素電極１３上に形成されている。
本実施の形態において、開口調整層１４Ｉは、赤色発光素子１００Ｒにおける画素電極１３Ｒ上に行バンク１４Ｘと連続して形成されている。したがって、赤色発光素子１００Ｒにおいては、行バンク１４Ｘと列バンク１４Ｙによって規定される画素１００Ｒの開口面積に対し、自己発光領域１００ａの有効面積の割合が小さくなる。
開口調整層１４Ｉは、画素電極１３の一部を発光層１７と電気的に絶縁するとともに、正孔輸送層１６を塗布法で形成する際、乾燥後の正孔輸送層１６の面積を自己発光領域１００ａの有効面積に限定するためのものである。開口調整層１４Ｉの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、上面は略平坦である。また、層間絶縁層１２からの開口調整層１４Ｉの高さは、層間絶縁層１２からの乾燥後の正孔輸送層１６上面の高さ以上である。また、層間絶縁層１２からの開口調整層１４Ｉの高さは、層間絶縁層１２からの行バンク１４Ｘの高さと同等か行バンク１４Ｘよりも低い。なお、開口調整層１４Ｉの上面は少なくとも一部について自己発光領域１００ａに近づく方向に傾斜している領域が存在してもよい。例えば、開口調整層１４ＩＲの上面は、画素電極１３の表面と平行であってもよいし、一部または全部が、自己発光領域１００ａに近づくほど低くなっていてもよい。
開口調整層１４Ｉは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。
＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。正孔注入層１５が導電性ポリマー材料で形成される場合、正孔注入層１５は塗布法などのウェットプロセスにより塗布膜として形成することができる。
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。正孔注入層１５が遷移金属の酸化物で形成される場合、正孔注入層１５は真空蒸着法、スパッタリングなどで形成することができる。
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物上に導電性ポリマー材料を積層した積層構造であってもよい。この場合は、遷移金属の酸化物を真空蒸着法、スパッタリングなどで形成し、エッチングなどで成形した後、導電性ポリマー材料を塗布法で成膜することにより正孔注入層１５を形成することができ、導電性ポリマー材料で形成された部分が塗布膜となる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。
上述したように、発光素子１００の共振器構造における発光色ごとの設計は、主として正孔輸送層１６の膜厚および発光層１７の膜厚の調整により行われる。したがって、正孔輸送層１６の膜厚は発光素子１００の発光色ごとに異なる。具体的には、画素電極と対向電極との間の光路長および画素電極と発光中心との間の光路長は発光色の波長に依存して長くなるため、発光色の波長が長いほど正孔輸送層１６の膜厚が大きくなり、発光色の波長が短いほど正孔輸送層１６の膜厚が小さくなる。したがって、青色発光素子１００Ｂの正孔輸送層１６Ｂの膜厚が最も小さく、緑色発光素子１００Ｇの正孔輸送層１６Ｇの膜厚は正孔輸送層１６Ｂの膜厚より大きく、赤色発光素子１００Ｒの正孔輸送層１６Ｒの膜厚が最も大きい。
また、本実施の形態では赤色発光素子１００Ｒに開口調整層１４ＩＲが設けられているため、正孔輸送層１６Ｒは開口調整層１４ＩＲの上を除く自己発光領域１００ａにのみ形成される。なお、開口調整層１４ＩＲの上に正孔輸送層１６Ｒと同一成分の膜が形成されてもよいが、当該膜には電流が流れないため、正孔輸送層１６Ｒとしては機能しない。同様に、行バンク１４Ｘの上に正孔輸送層１６と同一成分の膜が形成されてもよいが、当該膜には電流が流れないため、正孔輸送層１６としては機能しない。
＜発光層＞
発光層１７は、間隙１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。
発光素子１００が有機ＥＬ素子である場合、発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。なお、発光素子１００は量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ；Quantum-dot Light Emitting Diode）であってもよく、発光層１７の材料として量子ドット効果を有する材料を使用することができる。
また、本実施の形態では赤色発光素子１００Ｒに開口調整層１４ＩＲが設けられているため、開口調整層１４ＩＲの上を除く自己発光領域１００ａ内に存在する部分、すなわち、正孔輸送層１６Ｒ上に形成された部分のみが赤色発光層１７Ｒとして機能する。なお、開口調整層１４ＩＲの上方に赤色発光層１７Ｒと同一成分の膜が形成されてもよいが、当該膜には電流が流れないため、赤色発光層１７Ｒとしては機能しない。同様に、行バンク１４Ｘの上に発光層１７と同一成分の膜が形成されてもよいが、当該膜には電流が流れないため、発光層１７としては機能しない。
＜電子輸送層＞
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および列バンク１４Ｙ上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
電子輸送層１８の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料を蒸着法により複数の画素に共通して製膜することでなされる。なお、電子輸送層１８の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子輸送層１８は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。
＜電子注入層＞
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。
電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類から選択されることが好ましく、ＢａまたはＬｉがより好ましい。本実施の形態では、Ｂａが選択される。また、電子注入層１９における金属材料のドープ量は５～４０ｗｔ％が好ましい。本実施の形態では、２０ｗｔ％である。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
なお、電子注入層１９は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のフッ化物層を発光層１７側に有していてもよい。
電子注入層１９の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料と、金属材料とを共蒸着法により複数の画素に共通して製膜することでなされる。なお、電子注入層１９の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子注入層１９は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。
＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。
本実施の形態では、対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム－銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム－アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム－アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金が挙げられる。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。
陰極は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
なお、画素電極１３および画素電極１３下の層間絶縁層１２、基板１１が透光性を有する場合は、対向電極２０は光反射性の電極であるとしてもよい。この場合、対向電極２０の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、ＡＬ合金、Ｍｏ、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＭｏＷ、ＮｉＣｒを用いることができる。
＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。
＜その他＞
区画領域１０ａのうち非表示領域１０ｑについては、有機ＥＬ素子１００が形成されてもよく、有機ＥＬ素子１００を構成する一部の要素のみが形成されてもよいし、有機ＥＬ素子１００が形成されなくてもよい。非表示領域１０ｑの各領域について発光層１７、正孔輸送層１６等の塗布膜を形成してダミー画素としてもよく、ダミー画素に塗布膜を形成することにより、塗布膜の形成時（乾燥時）に溶媒の蒸気圧を均一化し表示領域１０ｐにおける塗布膜の膜厚ムラを抑止することができる。
なお、非表示領域１０ｑについて開口調整層１４Ｉを設けてもよい。このようにすることにより、表示領域１０ｐと非表示領域１０ｑとで開口調整層１４Ｉおよび列バンク１４Ｙのパターンマスク形状を変える必要がなく、形成が容易となる。同様に、非表示領域１０ｑについて画素電極１３を設けてもよい。
なお、非表示領域１０ｑについて、ＴＦＴは設けてもよいし、設けなくてもよい。
２． 実施の形態に係る開口調整層の効果
以下、模式図を用いて、実施の形態に係る開口調整層の効果について説明する。図８（ａ）は開口面積と有効面積との関係を示す模式平面図である。図７（ａ）および（ｂ）は実施例に係る正孔輸送層１６の塗布直後および乾燥後の状態を示す断面模式図、図７（ｃ）は比較例に係る正孔輸送層１６の塗布直後の状態を示す断面模式図である。
図８（ａ）は発光素子１００ごとの開口面積と有効面積との関係を示す平面模式図である。発光素子１００の外縁は列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘによって規定されるため、開口面積Ｓａは行方向に隣接する２つの列バンク１４Ｙと、列方向に隣接する２つの行バンク１４Ｘにより規定される。正孔輸送層１６を形成するための材料は列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘによって規定される発光素子１００の外縁の内側に塗布されるため、正孔注入層１５の上面を基準とした列バンク１４Ｙの高さをｈとした場合、１つの発光素子に対して、ｈ×Ｓａを超えない程度のインクを塗布することができる。
これに対し、電気的に画素電極１３と接続される正孔輸送層１６が形成される領域は、発光色ごとに異なる。開口調整層１４Ｉを有さない緑色発光素子１００Ｇ、青色発光素子１００Ｂでは、乾燥後の正孔輸送層１６は列バンク１４Ｙと行バンク１４Ｘによって規定される発光素子１００の外縁の内側に形成される。すなわち、乾燥後の正孔輸送層１６の面積である有効面積Ｓｖは、開口面積Ｓａと一致する。これに対し、開口調整層１４Ｉを有する赤色発光素子１００Ｒでは、開口調整層１４Ｉ上には乾燥後の正孔輸送層１６が形成されない。したがって、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒの面積である有効面積Ｓｖ（Ｒ）は開口調整層１４Ｉの面積だけ、開口面積Ｓａ（Ｒ）より小さくなる。
ここで、図７（ｂ）に示すように、赤色発光素子１００Ｒの正孔輸送層１６Ｒ、緑色発光素子１００Ｇの正孔輸送層１６Ｇ、青色発光素子１００Ｂの正孔輸送層１６Ｂのそれぞれの膜厚をＴR、ＴG、ＴBとしたとき、ＴR＞ＴG＞ＴBに設計した場合を想定する。開口調整層１４Ｉを設けない比較例では、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒの面積である有効面積Ｓｖ（Ｒ）は開口面積Ｓａ（Ｒ）と一致する。したがって、乾燥後の正孔輸送層１６の体積は乾燥後の正孔輸送層１６の膜厚Ｔと有効面積Ｓｖとの積Ｓａ（Ｒ）×ＴR、Ｓａ（Ｇ）×ＴG、Ｓａ（Ｂ）×ＴBで示される。一方で、赤色発光素子１００Ｒの正孔輸送層１６Ｒ、緑色発光素子１００Ｇの正孔輸送層１６Ｇ、青色発光素子１００Ｂの正孔輸送層１６Ｂを形成するためのインクの必要高さをそれぞれｈR’、ｈG、ｈBとしたとき、インクの体積はそれぞれＳａ（Ｒ）×ｈR’、Ｓａ（Ｇ）×ｈG、Ｓａ（Ｂ）×ｈBで示される。ここで、正孔輸送層１６Ｒ、Ｇ、Ｂを同一のインクを用いて形成する場合、インクの体積と正孔輸送層１６の体積は比例関係となるから、ｈR’：ｈG：ｈB＝ＴR：ＴG：ＴBの関係が成立する。したがって、比ＴR／ＴBが大きい場合、正孔輸送層１６Ｂのインク量が過少とならないように制御するとｈR’が過大となってインクあふれが発生し、正孔輸送層１６Ｒのインクが溢れないように制御するとｈBが過少となってインクが十分に濡れ広がらない、正孔輸送層１６Ｒのインクと同じインクジェットヘッドで吐出できない、などの課題が発生する場合がある。
これに対し、開口調整層１４Ｉを設ける実施例では上述したように有効面積Ｓｖ（Ｒ）は開口面積Ｓａ（Ｒ）より小さい。したがって、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒの体積はＳｖ（Ｒ）×ＴRで示される一方で、赤色発光素子１００Ｒの正孔輸送層１６Ｒを形成するためのインクの必要高さをｈRとしたとき、インクの体積はそれぞれＳａ（Ｒ）×ｈRで示される。したがって、正孔輸送層１６Ｒ、Ｇ、Ｂを同一のインクを用いて形成する場合、ｈR：ｈG：ｈB＝ＴR×｛Ｓｖ（Ｒ）／Ｓａ（Ｒ）｝：ＴG：ＴBの関係が成立する。したがって、ｈRはｈB×｛ＴR／ＴB｝×｛Ｓｖ（Ｒ）／Ｓａ（Ｒ）｝でよく、ｈR’＝ｈB×｛ＴR／ＴB｝より小さくなる。したがって、比ＴR／ＴBが大きい場合でも、比ｈR／ｈBを小さくすることができ、正孔輸送層１６Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの膜厚が大きく異なっても同一のインクを用いて同一の塗布装置で形成することができる。
なお、開口調整層１４ＩＲが上記効果を発揮するためには、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒが開口調整層１４ＩＲ上に略形成されていない必要がある。したがって、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒが開口調整層１４ＩＲ上に形成されないために、開口調整層１４ＩＲの上面の高さは、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒの高さ以上であることが好ましい。なお、開口調整層１４ＩＲの上面の少なくとも一部について自己発光領域１００ａに近づく方向に傾斜している領域が存在すれば、乾燥中のインクが自己発光領域１００ａに流れ込みやすくなるためより好ましく、開口調整層１４ＩＲの上面の全体が乾燥後の正孔輸送層１６Ｒの高さ以上であることが好ましい。なお、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒが開口調整層１４ＩＲ上に略形成されていないとは、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒとほぼ同じ膜厚で同成分の層が形成されていないことを指し、乾燥後の正孔輸送層１６Ｒと同成分の層が開口調整層１４ＩＲ上に存在しないことを指すものではない。なお、上述したように開口調整層１４ＩＲは絶縁層であるため、開口調整層１４ＩＲ上には層があっても電流が流れないため発光素子の一部としては機能しない。
なお、ここでは赤色発光素子１００Ｒ、緑色発光素子１００Ｇ、青色発光素子１００Ｒにおいて同一のインクで成膜される正孔輸送層１６Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの膜厚が異なるとした。しかしながら、複数の素子間で膜厚が異なり同一のインクで成膜される機能層であれば正孔輸送層に限られず、正孔注入層、電子ブロック層など他の機能層に対しても同様の構成により同様の効果を得ることができる。このとき、開口調整層１４Ｉの上面の高さは、少なくとも乾燥後の当該機能層の上面より高いことを要する。また、発光層の形成においては発光色ごとに異なるインクを用いるが、例えば、溶媒に対する溶質の溶解度、乾燥条件、インク粘度等の制約により特定の色の発光層が他の色の発光層に対し使用するインクの濃度が低くインクあふれが懸念されるような場合において、同様の構成により同様の効果を得ることができる。このとき、開口調整層１４Ｉの上面の高さは、少なくとも乾燥後の当該発光層の上面より高いことを要する。
＜小括＞
以上説明したように、実施の形態に係る開口調整層は、行方向に隣接する発光素子間において塗布法で形成される機能層の膜厚が異なる場合に、インクをあふれ出させない設計として好適である。したがって、例えば、同一のインクを用いて機能層の膜厚を容易に変えることができ、単純な製造プロセスにより発光素子の特性向上を図ることができる。または、例えば、行方向に隣接する発光素子間において塗布法で機能層を形成するためのインク量が大きく異なる場合に、インクをあふれ出させない設計として好適である。したがって、例えば、行バンクの高さを変えることなく単純な製造プロセスにより発光素子の特性向上を図ることができる。
なお、実施の形態に係る開口調整層によれば、機能層の膜厚が大きく開口調整層が設けられる発光素子については、自己発光領域１００ａの割合が減少し非自己発光領域１００ｂの割合が増加するため、開口率が低下する。しかしながら、上述したように光共振器構造を用いる場合には、発光色の波長が長い発光素子、例えば、赤色発光素子の正孔輸送層の膜厚が大きく、発光色の波長が短い発光素子、例えば、青色発光素子の正孔輸送層の膜厚が小さい。さらに、一般的に発光層の発光効率は発光色の波長が長いほど高い。したがって、赤色発光素子では発光層の効率が高いことに加えて共振器構造により光取り出し効率が向上するため、開口調整層により開口率が低下しても赤色発光素子の効率は青色発光素子の効率と比べて十分に高く、表示パネル全体の発光効率や寿命に対する悪影響は無視することができる。
３．有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
次に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図面を用い説明する。
図９は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示すフローチャートである。図１０から図１３は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図４のＡ２－Ａ２断面に相当する。図１４（ａ）～（ｃ）および図１５（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図４のＡＲ－ＡＲ断面に相当する。図１４（ｄ）～（ｅ）および図１５（ｃ）、（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図４のＡＧ－ＡＧ断面に相当する。
（１）基板１１の作成
まず、基材１１１を準備し（ステップＳ１０）、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１（ＴＦＴ基板）を作成する（ステップＳ１１、図１０（ａ））。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布し、露光、現像することにより形成される（図１０（ｂ））。
なお、図１０（ｂ）には図示していないが、露光時にコンタクトホールを開設し、その後、コンタクトホール内に接続電極を形成する。
（３）画素電極１３の形成
次に、図１０（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
そして、図１０（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（ステップＳ３０）。
（４）行バンク１４Ｘおよび開口調整層１４Ｉの形成
次に、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、行バンク１４Ｘおよび開口調整層１４Ｉの材料である行バンク用樹脂を塗布し、行バンク材料層１４０ｘを形成する（図１４（ａ））。行バンク用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。行バンク材料層１４０ｘは、例えば、フェノール樹脂など副壁用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
次に、フォトマスクを用いて行バンク１４Ｘおよび開口調整層１４Ｉをパターン露光する（図１４（ｂ）、図１４（ｄ））。このとき、フォトマスクの開口１４ａＲ上の部分３０１Ｇにおいて、行バンク１４Ｘに対応する箇所が遮光部３０２Ｓであり、開口調整層１４ＩＲに対応する箇所がハーフトーン部３０２Ｈであり、それ以外の領域が光透過部３０２Ａである。一方、フォトマスクの開口１４ａＧ上の部分３０１Ｇにおいては、開口調整層１４Ｉに対応するハーフトーン部３０２Ｈがなく、行バンク１４Ｘに対応する箇所が遮光部３０２Ｓであり、それ以外の領域が光透過部３０２Ａである。なお、ここでは図示していないが、フォトマスクの開口１４ａＢ上の部分３０１はフォトマスクの開口１４ａＧ上の部分３０１Ｇと同じ構造である。
続けて、現像によって露光部分を取り除き焼成する。これにより、図１４（ｃ）に示すように、開口１４ａＲには、行バンク１４Ｘと、高さが行バンク１４Ｘの高さ以下である開口調整層１４ＩＲが形成される。一方、図１４（ｄ）に示すように、開口１４ａＧ、開口１４ａＢには、行バンク１４Ｘのみが形成される。
なお、開口調整層１４Ｉに対応するハーフトーン部３０２Ｈにおいて、少なくともその一部に、光透過部３０２Ａに近づくと光透過度が高く、遮光部３０２Ｓに近づくと光透過度が低くなるグラデーションを設けてもよい。本構成により、開口調整層１４ＩＲの上面は少なくともその一部が開口１４ａＲに近づく方向に傾斜しているため、機能層を形成するためのインクが自己発光領域１００ａ内に流れやすくなる。
また、ここでは行バンク１４Ｘと開口調整層１４Ｉとを同じ材料を用いて一度に形成したが、それぞれを個別の成膜処理により形成してもよい。
（５）列バンク１４Ｙの形成
次に、図１１（ａ）に示すように、画素電極１３、層間絶縁層１２、行バンク１４Ｘ、および、開口調整層１４Ｉ上に、列バンク１４Ｙの材料である列バンク用樹脂を塗布し、列バンク材料層１４０を形成する（ステップＳ５０）。列バンク用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂に、撥液性を有する界面活性剤であるフッ素化合物が添加されて用いられる。
次に、フォトマスクを用いて列バンク材料層１４０をパターン露光する。続けて、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、図１１（ｂ）に示すように、列バンク１４Ｙを形成する。
（６）正孔注入層の成膜
次に、図１１（ｃ）に示すように、列バンク１４Ｙが規定する間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、塗布装置のノズル４０１０から吐出して間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の画素電極１３上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、図１１（ｄ）に示すように正孔注入層１５を形成する（ステップＳ６０）。
（７）正孔輸送層の成膜
次に、図１２（ａ）および図１５（ａ）、（ｃ）に示すように、列バンク１４Ｙが規定する間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、塗布装置のノズル４０２０から吐出して間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の正孔輸送層１６上に塗布する。特に、図１５（ａ）、（ｃ）に示すように、塗布されたインクは行バンク１４Ｘ上に存在し、図１５（ａ）に示すように、塗布されたインクは開口調整層１４ＩＲ上にも存在する。そして、焼成（乾燥）を行って、図１２（ｂ）および図１５（ｂ）、（ｄ）に示すように正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ７０）。特に、図１５（ｄ）に示すように、正孔輸送層１６Ｇ／Ｂは行バンク１４Ｘ上を除く画素電極１３Ｇ／Ｂ上方上に形成され、図１５（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６Ｒは行バンク１４Ｘ上と開口調整層１４ＩＲを除く画素電極１３Ｒ上方に形成される。なお、上述したように、正孔輸送層１６は行バンク１４Ｘ上および／または開口調整層１４ＩＲ上に形成される同一成分の膜と繋がっていてもよいが、この膜は正孔輸送層１６としては機能せず、存在していてもよいし存在しなくてもよい。
（８）発光層の成膜
次に、図１２（ｃ）に示すように、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの構成材料を含むインクをそれぞれ、塗布装置のノズル４０３０Ｒ／４０３０Ｇ／４０３０Ｂから吐出して、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢそれぞれの正孔輸送層１６上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、図１２（ｄ）に示すように発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを形成する（ステップＳ８０）。
（９）電子輸送層の成膜
次に、図１３（ａ）に示すように、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ上および列バンク１４Ｙ上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ９０）。
（１０）電子注入層の成膜
次に、図１３（ｂ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子注入層１９を形成する（ステップＳ１００）。
（１１）対向電極の成膜
次に、図１３（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（ステップＳ１１０）。
（１２）封止層の成膜
最後に、図１３（ｄ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（ステップＳ１２０）。
以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。上記方法によれば、正孔輸送層１６Ｒと１６Ｇ、１６Ｂとの膜厚差が大きい場合においても同一のインクを用いた場合に開口１４ａＧ、１４ａＢのインクの液面を過度に低くしなくても開口１４ａＲのインクの液面が高くなり過ぎないように塗布が可能である。したがって、正孔輸送層１６Ｒと１６Ｇ、１６Ｂとの膜厚差が大きい場合でも同一のインクを用いて同一の塗布装置で形成が可能であり、効率的に表示パネルを形成することができる。
≪変形例１≫
実施の形態に係る表示パネル１０では、図４、図５等に示すように、開口調整層１４Ｉは行バンク１４ＸからＹ方向（正の方向）に突出する構成であるとした。しかしながら、平面視した場合の開口調整層１４Ｉの平面形状は上述の場合に限られず、以下に説明するような形状であってもよい。
図１６（ａ）は、変形例１の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１６（ａ）に示すように、開口調整層１４Ｉは、行バンク１４ＸからＹ方向（正の方向）とＹ方向（負の方向）の双方に伸び、２つの開口調整層１４Ｉに挟まれた領域が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１６（ｂ）は、変形例１の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１６（ｂ）に示すように、開口調整層１４Ｉは、列バンク１４Ｙの下部からＸ方向（正の方向）とＸ方向（負の方向）の双方に伸び、２つの開口調整層１４Ｉに挟まれた領域が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１６（ｃ）は、変形例１の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１６（ｃ）に示すように、開口調整層１４Ｉは、行バンク１４Ｘと列バンク１４Ｙによって規定される範囲の外縁から内側に伸びる額縁上に形成され、開口調整層１４Ｉの内側の開口部分が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１６（ｄ）は、変形例１の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１６（ｄ）に示すように、開口調整層１４Ｉは、行バンク１４Ｘと列バンク１４Ｙによって規定される範囲の４つの角から内側に伸びるように形成され、行バンク１４Ｘ、列バンク１４Ｙ、開口調整層１４Ｉによって規定される八角形の部分が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
なお、開口調整層１４Ｉの平面形状は上述のものに限られず、行バンク１４Ｘと列バンク１４Ｙによって規定される範囲の一部を覆うことで正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａの面積を狭めるものであれば任意の形状であってよい。
また、上述したように、開口調整層１４Ｉの下に当たる場所について画素電極１３は形成される必要はなく、例えば、図１６（ｂ）に示される例において、画素電極１３Ｒは開口調整層１４Ｉの分だけ画素電極１３Ｇ／ＢよりＸ方向の長さが短い、としてもよいし、図１６（ａ）に示される例において、画素電極１３Ｒは、コンタクトホールと電気的に接続されている限りにおいて開口調整層１４Ｉの下にあたる部分の一部が存在しない、としてもよい。
ここで、開口調整層１４Ｉと行バンク１４Ｘとの高さが同一であり、かつ、開口調整層１４Ｉと行バンク１４Ｘとが接している場合には、開口調整層１４Ｉと行バンク１４Ｘとの見かけ上の区別が困難となる。特に、実施の形態や図１６（ａ）のように、開口調整層１４Ｉが行方向（Ｘ方向）に延伸する形状である場合には、行バンク１４Ｘと開口調整層１４Ｉとの合成物が見かけ上の行バンクとなる。このような場合においては、開口調整層１４Ｉと行バンク１４Ｘとの合成物である見かけ上の行バンクの列方向（Ｙ方向）の幅が、行バンク１４Ｘ単体の合成部分の列方向の幅より大きいことをもって、開口調整層１４Ｉが存在しているということができる。つまり、開口１４ａＲにおいては、見かけ上の行バンク１４ＸＲの幅が、開口調整層１４Ｉの幅だけ、開口１４ａＧおよび開口１４ａＢの行バンクの幅より大きい。言い換えると、開口１４ａＲにおける行バンク１４ＸＲの列方向の幅が、開口１４ａＧおよび開口１４ａＢの行バンク１４Ｘの列方向の幅より大きい場合には、開口１４ａＲの画素電極１３Ｒ上に開口調整層１４Ｉが形成されており、開口調整層１４Ｉの列方向の幅は、開口１４ａＲにおける行バンク１４ＸＲの列方向の幅と、開口１４ａＧおよび開口１４ａＢの行バンク１４Ｘの列方向の幅の差と等しい、ということができる。
≪変形例２≫
実施の形態に係る表示パネル１０では、長方形の発光素子１００が行列状に配される構成であるとした。しかしながら、発光素子１００の平面形状および配置はこれに限られず、
以下に説明するような形状であってもよい。
図１７（ａ）は、変形例２の１つに係る発光素子の形状および配置である。図１７（ａ）に示すように、発光素子は正六角形であり、隙間なく並ぶ。同色の発光素子が列方向に並び、発光素子列と発光素子列との間は列バンクに相当する折れ線上の隔壁１４Ｙによって区画される。また、列方向に並ぶ２つの同色の発光素子間は、行バンクに相当する画素間規制層１４Ｘによって区画される。このとき、開口調整層１４ＩＲは、隔壁１４Ｙと画素間規制層１４Ｘとによって区画された正六角形の外周に沿って外枠上に形成され、開口調整層１４Ｉの内側の開口部分が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１７（ｂ）は、変形例２の他の一つに係る開口調整層の形状である。図１７（ｂ）に示すように、発光素子の形状および配置は、図１７（ａ）と同じである。このとき、開口調整層１４ＩＲは、２つの隔壁１４Ｙに沿った三角形であり、画素間規制層１４Ｘと開口調整層１４ＩＲとによって規定される長方形の部分が自己発光領域１００ａである。
なお、発光素子の形状および配置、開口調整層１４Ｉの平面形状は上述のものに限られず、任意の形状であってよい。
≪変形例３≫
実施の形態に係る表示パネル１０では、発光色の異なる発光素子１００間を列バンク１４Ｙで区画し、Ｙ製造プロセスにおいて方向（列方向）に隣接する発光色が同一の発光素子１００で機能層の材料インクの流動を許容する、いわゆるラインバンク方式であるとした。しかしながら、隔壁の構造は上述の場合に限られず、例えば、発光素子１００を個別に隔壁で区画する、いわゆるピクセルバンク形式であってもよい。
図１８（ａ）は、変形例３の１つに係る隔壁及び開口調整層１４Ｉの形状である。図１８（ａ）に示すように、隔壁１４Ｐは格子状の隔壁であり、隔壁１４Ｐによって区画されたそれぞれの開口に発光素子１００が形成される。開口調整層１４Ｉは実施の形態と同様にＹ方向（図面内下側）の一部に設けられ、隔壁１４Ｐと開口調整層１４Ｉによって区画された領域が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１８（ｂ）は、変形例３の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１８（ｂ）に示すように、隔壁１４Ｐの形状は図１８（ａ）と同様に格子状の隔壁である。開口調整層１４Ｉは図１６（ｂ）と同様にＸ方向（図面内横方向）の両側に設けられ、隔壁１４Ｐと開口調整層１４Ｉによって区画された領域が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１８（ｃ）は、変形例３の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１８（ｃ）に示すように、隔壁１４Ｐの形状は図１８（ａ）と同様に格子状の隔壁である。開口調整層１４Ｉは図１６（ｃ）と同様に、隔壁１４Ｐによって区画された領域の外縁に額縁状に設けられ、開口調整層１４Ｉの内側の開口部分が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１８（ｄ）は、変形例３の他の１つに係る隔壁及び開口調整層１４Ｉの形状である。図１８（ｄ）に示すように、隔壁１４Ｐの形状はいわゆるハニカム構造であり、図１７（ａ）および（ｂ）における画素間規制層１４Ｘと隔壁１４Ｙをいずれも隔壁１４Ｐとした形状である。開口調整層１４Ｉは図１７（ａ）と同様にＸ方向（図面内横方向）の両側に設けられ、隔壁１４Ｐと開口調整層１４Ｉによって区画された領域が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
図１８（ｅ）は、変形例３の他の１つに係る開口調整層１４Ｉの形状である。図１８（ｃ）に示すように、隔壁１４Ｐの形状は図１８（ｄ）と同様にハニカム構造の隔壁である。開口調整層１４Ｉは図１７（ｂ）と同様に、隔壁１４Ｐによって区画された領域の外縁に設けられ、開口調整層１４Ｉの内側の開口部分が正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａである。
なお、隔壁の形状は上述のものに限られず、発光素子ごとに区画するものであれば任意の形状であってよい。また、開口調整層１４Ｉの平面形状も上述のものに限られず、隔壁によって区画された範囲の一部を覆うことで正孔輸送層１６Ｒの形成される自己発光領域１００ａの面積を狭めるものであれば任意の形状であってよい。
≪実施の形態に係るその他の変形例≫
（１）上記各実施の形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光層を設けた表示パネルにおいて、正孔輸送層の膜厚がＲ、Ｇ、Ｂの順に薄くなる場合について説明した。しかしながら、正孔輸送層の膜厚の順は上記に限られず任意であってよく、正孔輸送層の膜厚が最も大きい発光素子に開口調整層１４Ｉが設けられていればよい。
なお、上述したように、正孔輸送層でなく他の機能層の膜厚が発光色ごとに異なる場合においても、同様に開口調整層１４Ｉが設けられてよい。
さらに、開口調整層１４Ｉが設けられる発光色は１種類に限られず、２種類以上の発光色に対して開口調整層１４Ｉが設けられてもよい。
（２）上記実施の形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光層を設けた有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、発光層の種類は２種類であってもよいし、４種類以上であってもよい。ここで、発光層の種類とは発光層や機能層の膜厚のバリエーションを指すものであり、同一の発光色であっても発光層や機能層の膜厚が異なる場合は、種類が異なる発光層と考えてよい。また、発光層の配置についても、ＲＧＢＲＧＢ…の配置に限られず、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢ…の配置であってもよいし、画素と画素との間に補助電極層やその他の非自己発光領域を設けてもよい。
（３）上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子１００において正孔注入層１５、正孔輸送層１６は全て塗布法により形成されるとしたが、少なくとも１つが塗布法で形成されればよく、それ以外の層は他の方法、例えば、蒸着法、スパッタリング法などにより形成されるとしてもよい。
また、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。
（４）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。
（５）以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本発明は、機能層を塗布法で形成する有機ＥＬ表示パネルにおいて、機能層の膜厚制御を容易に行うことにより、発光特性の優れた有機ＥＬ表示パネルを製造するのに有用である。
１ 表示装置（有機ＥＬ表示装置）
１０ 表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）
１００ｅ 画素単位（画素領域）
１４Ｙ 列バンク（隔壁）
１４Ｐ 隔壁
１４ａ 間隙
１４Ｘ 行バンク（画素間規制層）
１４Ｉ 開口調整層
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層

Claims (18)

  1. 複数の画素領域が行列状に設けられた表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、
    行方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ列方向に延伸する隔壁と、
    列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸し、前記基板を基準とした上面の高さが前記隔壁よりも低い画素間規制層と、
    １つの画素領域内であって、画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配される第１機能層と、
    前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層と、
    前記第１機能層上方に形成され、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する別の画素領域に向かって延伸する第１発光層と、
    前記１つの画素領域に対して行方向に隣接する他の１つの画素領域内であって前記画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、
    前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層と
    を備え、
    前記第１機能層は、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する前記別の画素領域に向かって延伸し、
    前記第２機能層は、前記画素間規制層を乗り越えるように前記他の１つの画素領域から列方向に隣接する画素領域に向かって延伸し、
    平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さく、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さく、
    前記開口調整層は絶縁層であり、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないとは、列方向に延伸されている前記第１機能層のうち、前記開口調整層の上方に位置する部分には、対応する前記画素電極から前記絶縁層である前記開口調整層を介して電流が流れないために、前記第１機能層の当該部分が機能しないという意味であり、
    前記開口調整層は、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の外周から、画素領域の内側に向けて延伸して設けられている
    ことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記開口調整層は、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の内側に、額縁状に設けられている
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の形状は、四角形又は六角形である
    ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
  4. 前記開口調整層は、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の隅部から、画素領域の内側に向けて延伸して設けられている
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記開口調整層と前記画素間規制層とは同一の材料からなる
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  6. 前記画素間規制層は、前記第１機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅が、前記第２機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅より大きい
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  7. 前記画素電極は陽極であり、
    前記第１機能層は正孔注入機能、正孔輸送機能のうち少なくとも１以上を備える
    ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示パネル。
  8. 前記第１機能層と前記第２機能層は塗布膜である
    ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の表示パネル。
  9. 千鳥状に並んだ複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに配される複数の画素電極と、
    隣接する前記画素領域列の間に設けられる隔壁と、
    列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸し、前記基板を基準とした上面の高さが前記隔壁よりも低い画素間規制層と、
    １つの画素領域内において前記画素電極上方に配される第１機能層と、
    前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層と、
    前記第１機能層上方に形成され、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する別の画素領域に向かって延伸する第１発光層と、
    前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内において前記画素電極上方に配され、前記第１機能層と同一の材料からなり前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層と、
    前記第２機能層の上方に配され、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層と、
    を備え、
    前記第１機能層は、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する前記別の画素領域に向かって延伸し、
    前記第２機能層は、前記画素間規制層を乗り越えるように前記異なる画素領域列の前記画素領域から列方向に隣接する画素領域に向かって延伸し、
    平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合は、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さく、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さく、
    前記開口調整層は絶縁層であり、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないとは、列方向に延伸されている前記第１機能層のうち、前記開口調整層の上方に位置する部分には、対応する前記画素電極から前記絶縁層である前記開口調整層を介して電流が流れないために、前記第１機能層の当該部分が機能しないという意味であり、
    前記開口調整層は、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の外周から、画素領域の内側に向けて延伸して設けられている
    ことを特徴とする表示パネル。
  10. 複数の画素領域が行列状に設けられた表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備し、
    前記基板上において複数の画素領域のそれぞれに画素電極を形成し、
    行方向に隣接する前記画素電極の間に列方向に延伸する隔壁を形成し、
    列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸し、前記基板を基準とした上面の高さが前記隔壁よりも低い画素間規制層を形成し、
    １つの画素領域内であって、画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に第１機能層を形成し、
    前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層を形成し、
    前記第１機能層上方に、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する別の画素領域に向かって延伸する第１発光層を形成し、
    前記１つの画素領域に対して行方向に隣接する他の１つの画素領域内であって前記画素電極の上方かつ行方向に隣接する２つの隔壁の間に、前記第１機能層と同一の材料を用いて前記第１機能層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層を形成し、
    前記第２機能層の上方に、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層を形成し、
    前記第１機能層は、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する前記別の画素領域に向かって延伸して形成され、
    前記第２機能層は、前記画素間規制層を乗り越えるように前記他の１つの画素領域から列方向に隣接する画素領域に向かって延伸して形成され、
    前記第１機能層の形成と前記第２機能層の形成において、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合を、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さくし、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さく、
    前記開口調整層は絶縁層であり、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないとは、列方向に延伸されている前記第１機能層のうち、前記開口調整層の上方に位置する部分には、対応する前記画素電極から前記絶縁層である前記開口調整層を介して電流が流れないために、前記第１機能層の当該部分が機能しないという意味であり、
    前記開口調整層を、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の外周から、画素領域の内側に向けて延伸して形成する
    ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
  11. 前記開口調整層を、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の内側に、額縁状に形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
  12. 前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の形状は、四角形又は六角形である
    ことを特徴とする請求項１１に記載の表示パネルの製造方法。
  13. 前記開口調整層を、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の隅部から、画素領域の内側に向けて延伸して形成する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
  14. 前記開口調整層の形成と前記画素間規制層の形成は同一の材料を用いて行われる
    ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
  15. 画素間規制層の形成において、前記第１機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅を、前記第２機能層が存在する画素領域と当該画素領域に列方向に隣接する画素領域とにまたがる部分における列方向の幅より大きくする
    ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
  16. 前記画素電極は陽極であり、
    前記第１機能層は正孔注入機能、正孔輸送機能のうち少なくとも１以上を備える
    ことを特徴とする請求項１０から１５のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
  17. 前記第１機能層の形成と、前記第２機能層の形成は、同一のインクを塗布し乾燥することにより行われる
    ことを特徴とする請求項１０から１６のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。
  18. 千鳥状に並んだ複数の画素領域列が複数列に亘って設けられた表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備し、
    前記基板上における複数の画素領域のそれぞれに画素電極を形成し、
    隣接する前記画素領域列の間に隔壁を形成し、
    列方向に隣接する前記画素電極の間に設けられ行方向に延伸し、前記基板を基準とした上面の高さが前記隔壁よりも低い画素間規制層を形成し、
    １つの画素領域内において前記画素電極上方に第１機能層を形成し、
    前記第１機能層が存在する画素領域において前記画素電極上に設けられ、前記基板を基準とした上面の高さが前記画素間規制層の高さ以下である開口調整層を形成し、
    前記第１機能層上方に、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する別の画素領域に向かって延伸する第１発光層を形成し、
    前記１つの前記画素領域とは異なる画素領域列の画素領域内における前記画素電極上方に、前記第１機能層と同一の材料を用いて前記第１発光層の膜厚よりも膜厚が小さい第２機能層を形成し、
    前記第２機能層の上方に、発光色の波長が前記第１発光層の発光色の波長より短い第２発光層を形成し、
    前記第１機能層は、前記画素間規制層および前記開口調整層を乗り越えるように列方向に前記１つの画素領域に隣接する前記別の画素領域に向かって延伸して形成され、
    前記第２機能層は、前記画素間規制層を乗り越えるように前記異なる画素領域列の前記画素領域から列方向に隣接する画素領域に向かって延伸して形成され、
    前記第１機能層の形成と前記第２機能層の形成において、平面視したときに、前記第１機能層の面積が、前記第１機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合を、前記第２機能層の面積が、前記第２機能層が存在する画素領域の面積に対して占める割合より小さくし、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないことにより、当該画素領域の面積に対して前記第１機能層の面積が小さく、
    前記開口調整層は絶縁層であり、
    前記第１機能層が前記開口調整層の上方に存在しないとは、列方向に延伸されている前記第１機能層のうち、前記開口調整層の上方に位置する部分には、対応する前記画素電極から前記絶縁層である前記開口調整層を介して電流が流れないために、前記第１機能層の当該部分が機能しないという意味であり、
    前記開口調整層を、前記隔壁及び前記画素間規制層により規定される範囲の外周から、画素領域の内側に向けて延伸して形成する
    ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
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