JP2019125501A - 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ラインバンク方式を採用しつつ、対向電極におけるパネル中央部における電圧降下を抑えて、輝度のバラツキを防止する。【解決手段】基板１１上にＸ方向とＹ方向とに間隙をおいて配された複数の画素電極１３と、Ｘ方向に隣接する画素電極１３の間をＹ方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁１４と、隣接する隔壁１４に仕切られてＹ方向に延在する画素電極列上に配された有機発光層１６と、有機発光層１６上方に共通に配された対向電極１７と、対向電極１７の上方に保護層１８を介して形成された補助電極２２とを備え、補助電極２２は保護層１８の上方に形成された画素上補助電極１９と、隔壁１４の上方に位置してＹ方向に延伸するバンク上補助電極２０とを含み、バンク上補助電極２０と対向電極１７、および画素上補助電極１９とバンク上補助電極２０は、それぞれＹ方向において連続もしくは所定の間隔をおいて電気的に接続される。【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関し、特に、対向電極の電圧降下を抑制して画質の劣化を防ぐ技術に関する。
近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発光）素子の発光を利用した有機ＥＬ表示パネルの開発が盛んに行われている。有機ＥＬ表示パネルでは、支持材である基板の上面に沿った方向に複数の有機ＥＬ素子が配列されており、各有機ＥＬ素子の発光により画像を表示する。
例えば、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示パネルにおいては、各有機ＥＬ素子は、基板の上方に、画素ごとの画素電極（下部電極）と、有機発光材料を含む有機発光層と、複数の有機ＥＬ素子に共通の対向電極（上部電極）と、をこの順に備え、画素電極及び対向電極から供給された正孔及び電子が有機発光層で再結合することにより有機発光材料が発光する。
いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルにおいては、対向電極を光透過性材料で構成する必要があるが、通常用いられる光透過性電極であるＩＴＯ（酸化インジウム錫）などの酸化膜や金属薄膜は、比較的電気抵抗（シート抵抗）が高い。
複数の画素に共通して設けられた対向電極には、その外周部分から電圧が印加されるため、対向電極自身の電気抵抗により、対向電極の画面中央に位置する部分で電圧降下が生じる。そして、対向電極の外周部分から各画素までの距離は画素毎に異なるため、画素毎に画素電極と対向電極との間に印加される電圧にばらつきが生じることとなり、有機ＥＬ表示パネルの輝度むらの原因となる。
そこで、例えば、特許文献１においては、対向電極の上方に保護層を介して補助電極を配し、この補助電極と対向電極を電気的に接続することにより、対向電極の中央部における電圧降下をできるだけ抑制しようとしている。
図１３（ａ）は、上記特許文献１に係る有機ＥＬ表示パネルの積層構造を示す概略断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）を斜め上方から見たときの斜視図である。
図１３（ａ）に示すように有機ＥＬ表示パネルは、絶縁性の基材５１１と、各有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴ駆動回路が形成されたＴＦＴ層５１２とを含む基板５１と、基板５１上に形成された層間絶縁層５２と、画素５０ごとに形成された第１電極（画素電極）５３と、隣接する画素を仕切るための隔壁（バンク）６０と、真空蒸着法により形成された発光層を含む有機機能層５４と、有機機能層５４上に配された第２電極（対向電極）５５と、第２電極５５上に形成された絶縁性の第１保護層５６、第２保護層５７と、金属からなる第３電極（補助電極）５８とを備える。
隔壁６０は、各画素５０を囲むように格子状に形成されており（いわゆる、ピクセルバンク方式）、第３電極５８も、図１３（ｂ）に示すように隔壁６０の上方において、格子状に形成されている。
この従来例においては、金属で形成され導電性の高い第３電極５８が、第１、第２保護層５６、５７に設けられたコンタクト部５９を介して第２電極５５と電気的に接続されているため、第２電極の、画面中央部における電圧降下が抑制され、画質の劣化が抑えられるとしている。
また、特許文献１には、上記格子状の第３電極５８に代えて、図１４の概略断面図に示すように、各画素５０を共通して覆う透光性の導電薄膜６１を形成し、第１、第２保護層５６、５７に設けられたコンタクト部５９を介して第２電極５５と電気的に接続する構成が開示されており、これにより第２電極の有機ＥＬ表示パネルの画面中央部における電圧降下を抑制して、画質の劣化が抑えられるとしている。
特開２００６−２６１０５８号公報
ところが、近年では、製造コストの低減化のため、湿式法により有機発光層を形成する方法が盛んに進められている。この際における有機発光層の膜厚の均一化を図るため、隔壁を格子状ではなく、一方向のみに列状に形成する、いわゆるラインバンク方式が採用される場合が多く、この場合には、図１３（ｂ）のピクセルバンク方式のように第３電極５８（以下、「バスバー」という。）を格子状に形成することが難しい。その上、高精細化のためバンクの幅が狭くなってきており、それに応じてバスバーの幅も小さくせざるを得ず、その断面積が小さくなって、バスバーの延びる方向における単位長さ当りの抵抗値が高くなる。
また、最近では有機ＥＬ表示パネルの大型化がさらに進み、表示パネルの周辺部と中央部との距離が長くなる一方であり、そのため上記従来の構成では、表示パネル中央部での電圧降下を十分に抑制できなくなりつつあり、改善の要請が強い。
本開示の目的は、上記事情に鑑みてなされたものであって、湿式法によるラインバンク方式を採用しつつ、有機ＥＬ表示パネルが大型化、高精細化した場合でも、複数の画素電極に対向して配置される対向電極のパネル中央部における電圧降下を抑制して、輝度むらのない良質な画像を表示できる有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて配された複数の画素電極と、前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁と、隣接する前記隔壁に仕切られて第２方向に延在する画素電極列の上方に配された帯状の有機発光層と、複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通に配された対向電極と、前記対向電極の上方に配された保護層と、前記保護層の上方に形成された補助電極と、を備え、前記補助電極は、前記保護層の上方に形成された第１補助電極部と、前記隔壁の上方に位置して前記第２方向に延伸する第２補助電極部と、を含み、前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記第２補助電極部と前記対向電極、および前記第１補助電極部と前記第２補助電極部は、それぞれ前記第２方向において連続して電気的に接続されるか、もしくは前記第２方向に沿って配された複数の箇所において電気的に接続されることを特徴とする。
また、本開示の別の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁を形成する工程と、隣接する前記隔壁に仕切られて前記第２方向に延在する画素電極列の上方に帯状の有機発光層を形成する工程と、複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通な対向電極を形成する工程と、前記対向電極の上方に保護層を形成する工程と、前記保護層の上方に補助電極を形成する工程と、を含み、前記補助電極を形成する工程は、前記保護層の上方に第１補助電極部を成膜する工程と、前記保護層と第１補助電極部の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿ってコンタクト用開口部を形成する工程と、前記第１補助電極部上の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿って延在する第２補助電極部を形成する工程と、を含み、前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記コンタクト用開口部を介して前記対向電極に電気的に接続されると共に、前記第１補助電極部は、前記第２補助電極部との積層部分において前記第２補助電極部と電気的に接続されることを特徴とする。
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、湿式法によるラインバンク方式を採用しつつ、有機ＥＬ表示パネルの画面が大型化、高精細化しても、画素電極に対向して複数の画素に共通して配置される抵抗電極の電圧降下を抑制して輝度むらのない良質な画像を表示できる有機ＥＬ表示パネルを提供できる。
有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。 （ａ）は、図２のＡ−Ａ線に沿った模式断面図であり、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０において、隔壁１４、画素規制層１５を形成した後、有機発光層１６を形成する前の状態を示す模式斜視図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図５の続きの有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。 隔壁１４と画素規制層１５を形成する際に使用されるフォトマスクの形状を示す図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図６の続きの有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図８の続きの有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図９の続きの有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０において画素上補助電極１９とバンク上補助電極２０を形成した中間状態を示す模式斜視図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程を示すフローチャートである。 （ａ）は、従来の補助電極を有する有機ＥＬ表示パネルの模式断面図であり、（ｂ）は、（ａ）を斜め上方から見たときの模式斜視図である。 従来の補助電極を有する有機ＥＬ表示パネルの別の例を示す模式断面図である。
＜本発明の一態様に至った経緯＞
有機ＥＬ表示パネルにおける有機発光層は、従来は真空蒸着などの乾式法（ドライプロセス）により成膜される場合が多かったが、塗布技術、特にインクジェット方式の技術の進歩に伴い、近年では、湿式法（ウエットプロセス）で有機発光層を形成する技術が普及しつつある。
湿式法は、有機発光材料が有機溶媒に溶解した溶液（以下、「ポリマーインク」とする。）をインクジェット装置等により必要箇所に塗布した後、乾燥させて有機発光層を形成するものであり、大型の有機ＥＬ表示パネルであってもその設備費が抑制できると共に材料利用率が高いなどコスト面で優れているからである。
ところで、ポリマーインクを塗布する方法として、各画素の四方を隔壁（バンク）で囲って、その内部にポリマーインクを滴下して塗布する方法（ピクセルバンク方式）と、ライン状に配列された各画素を、その列毎にバンクで仕切って、ポリマーインクを帯状に塗布する方法（ラインンバンク方式）とがある。
画素毎にポリマーインクを印刷するピクセルバンク方式よりも、ライン状に並ぶ複数の画素の列（画素列）に対して一気にポリマーインクを印刷するラインバンク方式の方が、簡便かつ迅速にポリマーインクを印刷することができる。
また、各画素に形成された有機発光層の膜厚均一性の観点からもラインバンク方式の方が優れている。バンクの端部でポリマーインクが表面張力により引っぱられる傾向があり、有機発光層の膜厚均一性が悪化しやすい。そのため、画素の四方をバンクで囲まれているピクセルバンク方式よりも、画素の側方しかバンクで囲まれていないラインバンク方式の方が、画素間のポリマーインクの流動性が確保できるため、膜厚均一性が高い有機発光層を形成することができるからである。
さらに、インクジェット法で有機発光層を形成する場合、インクジェットヘッドのノズル間の吐出量のばらつきが懸念される。ノズル間の吐出量のばらつきは、有機発光層の膜厚ばらつきに直結する。ピクセル状とライン状のバンクに吐出する場合、ライン状のバンクに吐出する方が、ピクセル状のバンクに吐出するよりも多くのノズルから吐出することになる。このため、ノズル間の吐出体積ばらつきの影響を小さくする効果がある。
これらのことにより、湿式法による有機発光層の形成においてはラインバンク方式の方が優れている。
本願の発明者（以下、「本発明者」とする。）は、湿式法のラインバンク方式で形成された有機発光層を備える有機ＥＬ表示パネルの画面の大型化、高精細化の検討を進める中で、上記特許文献１に開示されている構造によっても対向電極の画面中央部における電圧降下を避けられず、輝度のばらつきが生じて画質が十分改善できないことを見出した。
すなわち、ラインバンク方式の採用により、バンク上方のバスバーを図１３（ｂ）の第３電極５８のように格子状に形成することができない。また、高精細化を図るために、バンク幅を狭くして画素間の間隔をより小さくする必要があり、そのため従来技術の図１３（ａ）に示したバンク上方にバスバーを形成する場合に、当該バスバーの幅もバンク幅に合わせて小さくせざるを得ない。
これにより、バスバーの横断面積が小さくなって、その延伸方向（ラインンバンクの延びる方向）における単位長さ当りの抵抗値が大きくなる。これに加えて、さらに表示画面の大型化の要請が重なると、電圧を印加する画面周縁部から、画面中央までの距離も長くなり、画面中央部分における抵抗電極の電圧降下を十分に抑止できない。
また、図１４に示すように第３電極として画素上に透明導電膜を設ける場合であっても、もともと透明導電膜は電気抵抗が大きい上、表示画面の大型化のため画面周縁部から画面中央部までの距離が長くなり、対向電極の中央部における電圧降下が避けられない。
以上のことから、本発明者は、有機ＥＬ表示パネルの大型化、高精細化をにらみ、湿式法で形成される有機発光層の厚みにバラツキが生じにくいラインバンク方式の構成でありながら、対向電極における画面中央部における電圧降下が抑制された有機ＥＬ表示パネルの実現を検討した結果、本開示の一態様に至ったものである。
＜本開示の一態様の概要＞
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて配された複数の画素電極と、前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁と、隣接する前記隔壁に仕切られて第２方向に延在する画素電極列の上方に配された帯状の有機発光層と、複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通に配された対向電極と、前記対向電極の上方に配された保護層と、前記保護層の上方に形成された補助電極と、を備え、前記補助電極は、前記保護層の上方に形成された第１補助電極部と、前記隔壁の上方に位置して前記第２方向に延伸する第２補助電極部と、を含み、前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記第２補助電極部と前記対向電極、および前記第１補助電極部と前記第２補助電極部は、それぞれ前記第２方向において連続して電気的に接続されるか、もしくは前記第２方向に沿って配された複数の箇所において電気的に接続される。
係る態様のように、隔壁が第２方向のみに延伸するラインバンク方式を採用しながらも、補助電極が、保護層の上方に形成された第１補助電極部と、隔壁の上方に位置して第２方向に延在する第２補助電極部とからなり、隔壁上方にある第２補助電極部は、透明である必要がないため金属などの良導電性を有する材料で形成することができ、第２補助電極部と第１補助電極部を第２方向に沿って電気的に接続することにより、補助電極の延伸方向における単位長さ当りの電気抵抗を、従来技術を採用した場合よりも低減することができ、有機ＥＬ表示パネルの画面中央部における対向電極の電圧降下をより小さくして輝度のバラツキを抑制できる。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記保護層と第１補助電極部には、前記隔壁の上方の位置において第２方向に沿ってコンタクト用開口部が設けられており、前記第２補助電極部は、前記コンタクト用開口部を介して、前記対向電極に電気的に接続されている。
ここで、「第２方向に沿ってコンタクト用開口部が設けられており」とは、特定の層（保護層と第１補助電極部）を介して配された上下の層を電気的に接続するために、当該特定の層に第２方向に沿った溝状の開口部を設ける場合と、複数のコンタクトホールが、所定の間隔をおいて第２方向に列設されている場合とを含むものとする。
このように補助電極が、第２方向に沿って設けられたコンタクト用開口部を介して対向電極と電気的に接続されているため、対向電極の画面中央部における電圧降下が抑制される。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記保護層のコンタクト用開口部内に、前記第２補助電極部の層が形成されていない。
保護層のコンタクト用開口部内の側面に第１補助電極部の層が形成されていない分だけ、第２補助電極部の断面積や、コンタクト用開口部の底部における第２補助電極部と対向電極との接触面積を大きくすることが可能となり、これにより補助電極の第２方向における単位長さ当りの電気抵抗を多少なりとも低減できるという効果も得られる。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、第２補助電極部は、金属からなる。
第２補助電極部を金属で形成することにより良好な導電性を得ることができる。
ここで、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において対向電極、保護層、第１補助電極部が、それぞれ透光性を有することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルとして適している。
また、第１補助電極部は、ＩＴＯもしくはＩＺＯからなるとしてもよい。
ＩＴＯもしくはＩＺＯは、透光性でありながら導電性を有するので、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの画素電極上方に形成する第１補助電極部として適している。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記保護層が、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣの何れかからなるとしてもよい。
これらの材料は、透光性を有すると共に封止性に優れているため、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルにおける保護層として適している。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、上記態様において、前記第２方向に隣接する前記画素電極の間に、電気絶縁性の画素規制層を備え、前記画素規制層の膜厚は、前記画素電極の膜厚よりも厚く、かつ、前記基板の一方の主面から前記有機発光層の上面までの厚さよりも小さい。
上記画素規制層により、第２方向に隣接する画素電極同士の電気絶縁性を向上することができる。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁を形成する工程と、隣接する前記隔壁に仕切られて前記第２方向に延在する画素電極列の上方に帯状の有機発光層を形成する工程と、複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通な対向電極を形成する工程と、前記対向電極の上方に保護層を形成する工程と、前記保護層の上方に補助電極を形成する工程と、を含み、前記補助電極を形成する工程は、前記保護層の上方に第１補助電極部を成膜する工程と、前記保護層と第１補助電極部の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿ってコンタクト用開口部を形成する工程と、前記第１補助電極部上の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿って延在する第２補助電極部を形成する工程と、を含み、前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記コンタクト用開口部を介して前記対向電極に電気的に接続されると共に、前記第１補助電極部は、前記第２補助電極部との積層部分において前記第２補助電極部と電気的に接続される。
係る態様による有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、隔壁が第２方向のみに延伸するラインバンク方式を採用しながらも、補助電極が、保護層の上方に形成された第１補助電極部と、隔壁の上方に位置して第１方向に延在する第２補助電極部とからなり、隔壁上方にある第２補助電極部は、発光効率に関係がないため良導電性を有する金属で形成することができると共に、第２補助電極部と第１補助電極部が第２方向に沿って電気的に接続されることにより、補助電極の延伸方向における単位長さ当りの電気抵抗を、従来技術を採用した場合よりも低減することができ、対向電極の画面中央部における対向電極の電圧降下をより低減して輝度のバラツキが抑制された有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様における前記コンタクト用開口部を形成する工程が、第１補助電極部上に、リソグラフィ法によりコンタクト用開口部の形成予定位置がパターニングされた第１マスクを形成し、前記第１マスクを介して第１エッチング処理を施して、第１補助電極部に第１コンタクト用開口部分を形成し、前記第１コンタクト用開口部分が形成された第１補助電極部を第２マスクとして、前記保護層に第２エッチング処理を施して、第２コンタクト用開口部分を形成し、前記第１コンタクト用開口部分と前記第２コンタクト用開口部分が合わさって前記コンタクト用開口部が形成される。
係る態様によれば、前記保護層に第２エッチング処理を施して、第２コンタクト用開口部分を形成する際に、上層の第１補助電極部を、マスクとして使用できるので、別途第２エッチング処理用のマスクを形成する必要がなく製造工程の簡易化およびコストダウンが図れる。
また、本開示の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１補助電極部が、前記保護層の材料よりも第２エッチング処理に対する耐性が強い材料からなる。
係る態様のように前記第１補助電極部が、前記保護層の材料よりも第２エッチング処理に対する耐性が強い材料で形成することにより、より確実に第１補助電極部を第２エッチング処理時のマスクとして用いることができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第１補助電極部は、ＩＴＯもしくはＩＺＯからなると共に、前記保護層は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣの何れかからなり、前記第２エッチング処理は、反応性イオンエッチング処理である。
このように第１補助電極部をＩＴＯもしくはＩＺＯからなると共に、保護層が、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣの何れかからなり、前記第２エッチング処理を反応性イオンエッチング処理とすることにより、第１補助電極部は透光性および導電性を有して、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルに適すると共に、上記第２エッチング処理に対して、保護層よりも耐性を強くすることができる。
また、本発明の別態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記第２方向に沿って電気絶縁性の隔壁を形成する工程と同時もしくは当該工程と前後して、前記第２方向に隣接する前記画素電極の間に電気絶縁性の画素規制層を形成する工程をさらに含み、前記画素規制層の膜厚は、前記画素電極の膜厚よりも厚く、かつ、前記基板の一方の主面から前記有機発光層の上面までの厚みよりも小さい。
係る態様のように画素規制層を形成することにより、第２方向に隣接する画素電極同士の電気絶縁性を向上した有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
なお、上記各開示の態様において「上」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、有機ＥＬ表示パネルの積層構造における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。具体的には、有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板の主面に垂直な方向であって、基板から積層物側に向かう側を上方向とする。また、例えば「基板上」と表現した場合は、基板に直接接する領域のみを指すのではなく、積層物を介した基板の上方の領域も含めるものとする。また、例えば「基板の上方」と表現した場合、基板と間隔を空けた上方領域のみを指すのではなく、基板上の領域も含めるものとする。
≪実施の形態≫
以下では、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルについて、図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
図１は、有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ（電子看板、商業施設用大型スクリーン）などに用いられる表示装置である。
有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに電気的に接続された駆動制御部２００とを備える。
有機ＥＬ表示パネル１０は、本実施の形態では、上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。有機ＥＬ表示パネル１０では、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子（不図示）が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、有機ＥＬ表示パネル１０は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
駆動制御部２００は、有機ＥＬ表示パネル１０に接続された駆動回路２１０と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路２２０とを有する。駆動回路２１０は、各有機ＥＬ素子に電力を供給する電源回路、各有機ＥＬ素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。
制御回路２２０は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路２１０の動作を制御する。
なお、図１では、一例として、駆動回路２１０が有機ＥＬ表示パネル１０の周囲に４つ配置されているが、駆動制御部２００の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路２１０の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０上面の長辺に沿った方向をＸ方向、有機ＥＬ表示パネル１０上面の短辺に沿った方向をＹ方向とする。
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
（Ａ）平面構成
図２は、有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬ表示パネル１０では、一例として、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが行列状に配列されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、Ｘ方向に交互に並び、Ｘ方向に並ぶ一組の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、一つの画素Ｐを構成している。画素Ｐでは、階調制御された副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
また、Ｙ方向においては、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列ＣＲ、副画素列ＣＧ、副画素列ＣＢが構成されている。これにより、有機ＥＬ表示パネル１０全体として画素Ｐが、Ｘ方向及びＹ方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Ｐの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。
副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する有機ＥＬ素子２（図３（ａ））が配置されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光色は、有機ＥＬ素子の発光色そのものでも良いし、有機ＥＬ素子の発光色をカラーフィルタによって補正したものであってもよい。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、ラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを１列ごとに仕切る隔壁（バンク）１４がＸ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、有機発光層１６を共有している。ただし、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する画素規制層１５がＹ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、独立して発光することができるようになっている。
なお、図２では、隔壁１４及び画素規制層１５は点線で表されているが、これは、画素規制層１５及び隔壁１４が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されているからである。
（Ｂ）有機ＥＬ素子の断面構成
図３（ａ）は、図２のＡ−Ａ線に沿った模式断面図であり、図３（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）では、紙面上方向をＺ方向としている。
各色の有機ＥＬ素子２は、ほぼ同様の構成を有する。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子２は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極（下部電極）１３、隔壁１４、画素規制層１５、有機発光層１６、対向電極（上部電極）１７、および、保護層１８、電圧降下防止補助電極２２、封止層２１を備える。電圧降下防止補助電極２２は、画素上補助電極（第１補助電極部）１９とバンク上補助電極（第２補助電極部）２０を含んでいる。
なお、基板１１、層間絶縁層１２、対向電極１７、および、封止層２１は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１０が備える複数の有機ＥＬ素子２に共通して形成されている。
以下、各部について詳説する。
（１）基板
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとにＴＦＴ素子を含む駆動回路が形成されている。
基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、または、これらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
なお、基材１１１に上記の樹脂材料を用いる場合は、樹脂材料の層上に、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの水分透過度の低い層が積層された多層構造であることが好ましい。
ＴＦＴ層１１２は、有機ＥＬ素子への電力供給を制御する電子回路が配置された層である。ＴＦＴ層１１２では、半導体の層、導電体の層、電気絶縁体の層などが積層され、ＴＦＴ素子、コンデンサ素子、配線などの電子回路素子が構成される。また、ＴＦＴ層の最上部には、例えば、窒化シリコンや酸化アルミニウムなどの電気絶縁性及び低水分透過度を有する材料からなり、ＴＦＴ層の電子回路素子全体を覆うパッシベーション層が配置される場合がある。
（２）層間絶縁層
層間絶縁層１２は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなり、基板１１のＴＦＴ層１１２上に配置された層であり、ＴＦＴ層１１２の電子回路素子と有機ＥＬ素子を電気的に絶縁する役割を有する。また、層間絶縁層１２は、ＴＦＴ層１１２による凹凸を埋める役割も有し、層間絶縁層１２の上面は、基材１１１の上面に沿って平坦化されている。
層間絶縁層１２に用いられる樹脂材料の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。
また、図３（ａ）、（ｂ）には図示されていないが、層間絶縁層１２には、各副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
（３）画素電極
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、上記コンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２における対応するＴＦＴ素子と電気的に接続されている。
本実施の形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した構造としてもよい。
（４）隔壁
隔壁１４は、基板１１の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１３を、Ｘ方向（第１方向）において列毎に仕切るものであって、図２の平面図および図４の一部斜視図に示すように、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。
この隔壁１４には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）が用いられる。隔壁１４は、有機発光層１６を塗布法で形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。
なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。また、隔壁１４は、上記電気絶縁性材料と他の材料との混合層であってもよいし、上記に例示した材料の層を複数積層した多層構造であってもよい。
隔壁１４は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁１４の表面は撥液性を有することが好ましく、例えば、隔壁１４に撥液性を有する材料を用いるか、隔壁１４に撥液性を付与する表面処理を行うことが好ましい。
画素電極１３が形成されていない部分において、隔壁１４の底面が層間絶縁層１２の上面と接している。
（５）画素規制層
有機ＥＬ表示パネル１０は、図２及び図３（ｂ）に示すように、画素電極１３同士のＹ方向における間隙において、Ｘ方向に延伸する画素規制層１５を備える。
画素規制層１５は、電気絶縁性材料からなり、図３（ｂ）に示すように、各副画素列においてＹ方向に隣接する画素電極１３の端部を覆い、当該Ｙ方向に隣接する画素電極１３同士を仕切っている。
画素規制層１５の膜厚は、画素電極１３の膜厚よりも若干大きいが、基板１１の主面から画素電極１３上における有機発光層１６の上面までの厚みよりも小さくなるように設定されている（図３（ｂ））。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける有機発光層１６は、画素規制層１５によっては仕切られず、有機発光層１６を形成する際のポリマーインクの流動が妨げられない。そのため、各副画素列における有機発光層１６の厚みを均一に揃えることが容易である。
画素規制層１５は、上記構造により、Ｙ方向に隣接する画素電極１３の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける有機発光層１６の段切れ抑制、画素電極１３と対向電極１７との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
画素規制層１５に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、上記隔壁１４の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上層となる有機発光層１６を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素規制層１５の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。
なお、図４は、上記隔壁１４と画素規制層１５の高さの関係を示すため、隔壁１４、画素規制層１５形成後の副画素列ＣＧ、ＣＢの一部分を斜め上方から見たときの示す模式図である。同図に示すように高い隔壁１４がＹ方向に延びてラインバンクを形成し、隣接する隔壁１４間において低い画素規制層１５が画素電極１３を区切るようにしてＸ方向に延在している。
（６）有機発光層
図３（ａ）に戻り、有機発光層１６は、有機発光材料を含み、画素電極１３及び対向電極１７から供給された正孔及び電子の再結合による発光（電界発光現象）が行われる層である。
各有機発光層１６は、湿式法によって隔壁１４に仕切られた領域に帯状に形成され、図３（ｂ）に示すように、画素電極１３の上方において、Ｙ方向に沿って延伸する形状である。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢ内の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（図２）は、有機発光層１６を共有することになる。
ただし、有機発光層１６は、画素電極１３の上方にある部分毎、すなわち副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとの独立発光が可能となっている。なお、有機発光層１６は、発光効率や駆動電圧などの最適化の観点から、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢごとに異なる膜厚となっていてもよい。
有機発光層の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
また、有機発光層１６は、有機発光材料と他の材料との混合層であってもよい。なお、有機ＥＬ表示パネル１０では３色塗り分け方式を採用しており、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、有機発光層１６が、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する有機発光材料を含む。
（７）対向電極
対向電極１７は、透光性の導電性材料からなり、有機発光層１６と隔壁１４の上方を覆うように共通に形成されており、陰極として機能する。
この対向電極１７の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料を用いてもよいし、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属を用いてもよい。後者の場合、対向電極１７は透光性を有する必要があるため、膜厚は約２０ｎｍ以下の薄膜として形成される。
（８）保護層
保護層１８は、透光性の無機絶縁材料からなり、対向電極１７上に形成される。特に、当該保護層１８より上層を成膜する際に、下層への水分の浸入を阻止して有機発光層１６を保護する機能を有する。この保護層１８の材料として、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）などの透光性を有する無機材料を用いることができる。
（９）電圧降下防止補助電極
電圧降下防止補助電極２２は、保護層１８上に形成され、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢ上方に位置する画素上補助電極１９と、隔壁１４上方に位置するバンク上補助電極２０とを含む。
画素上補助電極１９は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜からなる。また、バンク上補助電極２０は、対向電極１７よりも電気抵抗が低い材料からなる。このようなバンク上補助電極２０の材料としては、ＡｌやＣｕ、Ａｇ、あるいはそれらから選択された一以上の金属を主成分として含む合金が望ましい。
バンク上補助電極２０のＸ方向の幅は、有機発光層１６からの発光を妨げないように隔壁１４の上部におけるＸ方向の幅Ｇ（図４参照）とほぼ同じか、それよりもやや狭くなっている。
画素上補助電極１９とバンク上補助電極２０は、隔壁１４の上方において一部重なっており、この部分で電気的に接続している。
また、保護層１８と画素上補助電極１９の隔壁１４の頂面と対向する部分には、Y方向に延びる溝状のコンタクト用開口部２０ａが形成されて対向電極１７が一部露出しており、この部分でバンク上補助電極２０と対向電極１７が接触して電気的に接続される。
これによってＹ方向において、対向電極１７と画素上補助電極１９・バンク上補助電極２０が電気的に接続される。
高精細化により隔壁１４のＸ方向の幅が狭くなったとしても、電圧降下防止補助電極２２を画素上補助電極１９とバンク上補助電極２０で構成しているため、そのＹ方向における単位長さ当りの抵抗値を小さくすることができ、電圧降下防止補助電極２２とコンタクト用開口部２０ａで接続された対向電極１７のＸ方向における電圧降下も可及的に少なくすることができる。これによって、対向電極１７の電圧降下に起因する輝度むらの発生などの弊害を除去することが可能となる。
（１０）封止層
封止層２１は、上記の各部材が配置された基板１１の上面全体を覆う層であり、各部材を、物理的な衝撃や外気中の水分や酸素などから保護する役割を有する。
封止層２１には、水分透過度の低く、トップエミッション型である有機ＥＬ表示パネル１０では、高い光透過性を有する材料が用いられる。このような材料の具体例としては、保護層１８と同様、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮなどの無機材料が挙げられる。
（１１）その他
図３（ａ）、（ｂ）には示されてないが、封止層２１の上方に、さらにガラス材料などからなる封止板を配置してもよい。このとき、封止層２１と封止板との間に、例えば、紫外線硬化性樹脂材料などを充填すれば、封止層２１と封止板との密着性が向上する。
また、封止板の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する位置に、カラーフィルタを配置し、発光色を補正してもよい。また、封止板の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士の間に対応する位置や、封止板の周縁領域にブラックマトリクスを配置し、外光の反射抑制、コントラスト向上などを図ってもよい。
３．有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
以下に、本開示の一態様である有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図面を用いて説明する。図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｄ）、図９（ａ）〜（ｄ）、及び図１０（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示すフローチャートである。
（１）基板準備工程
まず、図５（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を準備する（図１２のステップＳ１）。
ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
具体的には、例えば、基材１１１上に半導体材料の層、導電体材料の層又は電気絶縁体材料の層を形成する。これらの層の形成方法には、各層の材料に応じて、例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相成長法などの乾式法や、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、ディスペンス法、ダイコート法、スリットコート法などの湿式法を用いることができる。
この際、必要に応じてパターニングを行い各層を所定の形状にする。パターニング法としては、例えば、層を形成する際、不要な箇所を覆うメタルマスクやプリントマスクを配置し、必要な箇所にのみ必要な層を形成する方法を用いることができる。
また、パターニング法は、ドライエッチング法やウエットエッチング法などと組み合わせ、フォトリソグラフィ法などで、一旦材料層をベタ膜で形成した後に、不要な箇所のみを除去する方法であってもよい。
また、必要に応じて、形成した層にプラズマ注入、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
上記のように各層の形成を繰り返し、所定の電子回路を構成するように積層構造を形成することによりＴＦＴ層１１２を形成することができる。さらに、必要に応じて、ＴＦＴ層１１２上を覆うようにパッシベーション層を形成してもよい。パッシベーション層の形成には、材料に応じて、上記に例示した乾式法や湿式法などを用いることができる。
また、ＴＦＴ層におけるＴＦＴ素子と画素電極１３とを電気的に接続するため、パッシベーション層の所定の位置に開口（コンタクトホール）を形成する場合は、上記に例示したパターニング法などを用いることができる。
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁性の樹脂材料を用いて、基板１１の上方に層間絶縁層１２を形成する。
具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１１の上面に沿って、ＴＦＴ層１１２による基板１１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、層間絶縁層１２の上面は、基材１１１の上面に沿って平坦化した形状となる。
層間絶縁層１２における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
（２）画素電極形成工程
次に、層間絶縁層１２上に画素電極１３を形成する（図１２のステップＳ２）。
具体的には、まず、図５（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３００を形成する。画素電極材料層１３００は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成する。その後、図５（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３００をエッチングによりパターニングして、副画素ごとに区画された複数の画素電極１３を形成する。
（３）隔壁・画素規制層形成工程
次に、隔壁１４および画素規制層１５を形成する（図１２のステップＳ３）。本実施の形態では、以下のようにしてハーフトーンマスクを用いて、隔壁１４と画素規制層１５を同時に形成するようにしている。
（３−１）樹脂材料塗布
まず、図６（ａ）に示すように、画素電極１３が形成された層間絶縁層１２上に、樹脂材料を隔壁１４の膜厚だけ塗布して隔壁材料層１４００を形成する。具体的な塗布方法として、例えばダイコート法やスリットコート法、スピンコート法などの湿式法を用いることができる。
塗布後には、例えば、真空乾燥及び６０℃〜１２０℃程度の低温加熱乾燥（プリベーク）などを行って不要な溶媒を除去するとともに、隔壁材料層１４００を層間絶縁層１２に定着させることが好ましい。
なお、この際、隔壁材料層１４００は、層間絶縁層１２に用いた樹脂材料と同じであることが好ましい。これにより、層間絶縁層１２の形成における材料、設備、技術などを流用でき製造効率の向上が期待できるからである。
（３−２）露光
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭを介して隔壁材料層１４００を露光する。具体的には、露光機などを用いて、隔壁材料層１４００の上方にフォトマスクＰＭを配置し、フォトマスクＰＭの上方から隔壁材料層１４００に対して光Ｌ０を照射する。
光Ｌ０には、通常ｇｈｉ混合線（４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ）もしくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線のいずれかの単光線を用いるが、他にエキシマレーザ、ＥＵＶ、Ｘ線などを用いてもよい。用いる光Ｌ０の種類および露光量は、隔壁材料層１４００の種類に応じて適宜設定される。
例えば、隔壁材料層１４００がポジ型の感光性を有する場合は、隔壁材料層１４００を残す箇所を遮光し、除去する部分を露光する。
本例の場合、画素規制層１５は、隔壁１４よりも膜厚が小さいので、画素規制層１５の部分は、隔壁材料層１４００を半露光する必要がある。
そのため、この露光工程で使用されるフォトマスクＰＭは、図７の平面図に示すように、隔壁１４に対応する位置に配され光を完全に遮断する遮光部ＳＨと、画素規制層１５に対応する位置に配された半透明部ＴＲ１と、それ以外の画素電極１３の露出部分に対応する位置に配された透光部ＴＲ２とを有する。半透明部ＴＲ１の透光度は、所定時間露光したときに、画素電極１３上の隔壁材料層１４００が全露光され、画素規制層１５は、その高さ分だけ露光されないで残るように決定される。
上記フォトマスクＰＭを用いて隔壁材料層１４００を露光すれば、隔壁１４部分は露光されず、画素規制層１５は半露光され、それ以外の画素電極１３の部分は完全露光されることになる。
（３−３）現像工程
次に、図６（ｃ）に示すように、現像を行い、隔壁材料層１４００の露光領域を除去することにより、隔壁１４と、これよりも膜厚の小さな画素規制層１５を形成することができる。具体的な現像方法としては、例えば、基板１１全体を、隔壁材料層１４００の露光により感光した部分を溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板１１を洗浄すればよい。
これにより、層間絶縁層１２上に、Ｙ方向に延伸する形状の隔壁１４およびＸ方向に延伸する画素規制層１５を形成することができる。層間絶縁層１２との密着性向上などのため、現像後の隔壁１４、画素規制層１５を焼成してもよい。具体的には、ホットプレート、熱風乾燥炉、赤外線ランプなどで加熱すればよい。焼成温度及び焼成時間は隔壁材料層１４００に応じて適宜設定され、例えば、１５０〜２５０℃、３０〜１２０分とすることができる。
なお、画素規制層１５は、図６（ｃ）において断面を示す位置には形成されず、画素規制層１５の表面が見えているため、ハッチングを付していない。
上記のように、隔壁１４と画素規制層１５とを単一の層で構成することにより、隔壁１４と画素規制層１５を同時に形成でき製造効率を向上させることができる。
（４）有機発光層成膜工程
次に、湿式法を用いて、隔壁１４に仕切られた画素電極１３の上方に、有機発光層１６を形成する（図１２のステップＳ４）。
この際、図３（ｂ）に示すように有機発光層１６を、画素電極列の上方においてＹ方向に沿って延伸する形状に形成する。
具体的には、まず図８（ａ）に示すように、例えばインクジェット法により、発光色が異なる有機発光材料を含むポリマーインクを、隔壁１４で挟まれた領域に塗布する。この際、ポリマーインクを画素規制層１５の上方においても連続するように塗布する。これにより、Ｙ方向に沿ってポリマーインクが流動可能となり、ポリマーインクの塗布むらを低減して、同一の副画素列における有機発光層１６の膜厚を均一化することが可能となる。
そして、ポリマーインク塗布後の基板１１を真空チャンバーなどの真空環境に置きながら加熱することにより、ポリマーインク中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、有機発光層１６を形成できる。
（５）対向電極形成工程
次に、図８（ｂ）に示すように、有機発光層１６上および隔壁１４上に、対向電極１７を形成する（図１２のステップＳ５）。対向電極１７は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
（６）保護層形成工程
次に、図８（ｃ）に示すように、対向電極１７上に、保護層１８を形成する（図１２のステップＳ６）。保護層１８は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの透光性を有する無機材料を、プラズマＣＶＤ法などにより成膜することにより形成される。
（７）画素上補助電極形成工程
次に、保護層１８上に画素上補助電極１９を形成する（図１２のステップＳ７）。
画素上補助電極１９は、ＩＴＯやＩＺＯなど透明導電材料を用いて、真空蒸着法などにより保護層１８上に成膜することにより形成される（図８（ｄ））。
そして、次のような手順によりコンタクト用開口部２０ａ（図３（ａ）参照）を形成する。
（ア）フォトリソグラフィ法により、コンタクト用開口部２０ａの形成予定位置に対応する部分が開口するようにパターニングされたレジストマスク３１を、画素上補助電極１９の上に形成する（図９（ａ））。
（イ）透明導電膜用のエッチング液（例えば、フッ化水素酸）を使用してウエットエッチングを実行し、画素上補助電極１９に第１コンタクト用開口部１９１を形成する（図９（ｂ））。
（ウ）レジストマスク３１をウエットプロセスにより除去し、リンス液で洗浄する（図９（ｃ））。
（エ）第１コンタクト用開口部１９１の形成された画素上補助電極１９をマスクとしてドライエッチング（反応性イオンエッチング：反応ガスは、ＳＦ6（６フッ化硫黄）とＯ2を使用）を実行し、保護層１８に第２コンタクト用開口部１８１を形成する（図９（ｄ））。
画素上補助電極１９の材料のＩＴＯやＩＺＯは、保護層１８の材料である上記無機材料よりも反応性イオンエッチングに対する耐性が強いため、このようにマスクとして使用できる。これにより、第２コンタクト用開口部１８１のエッチングのため、別途マスクを形成する必要がないため製造工程が簡易になり、コストの低減に資する。
上記第１コンタクト用開口部１９１と第２コンタクト用開口部１８１とが合わさってコンタクト用開口部２０ａが形成される。
（８）バンク上補助電極形成工程
次に、バンク上補助電極２０を形成する（図１２のステップＳ８）。
バンク上補助電極２０は、次の手順で形成される。
（ア）上記画素上補助電極１９と隔壁１４の頂部を覆うようにして、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により、金属層２０００を成膜する（図１０（ａ））。
（イ）金属層２０００上に、リソグラフィ法を用いて、バンク上補助電極２０の形成予定位置をマスクするようにパターニングされたレジストマスク３２を形成する（図１０（ｂ））。
（ウ）ウエットエッチングもしくはドライエッチングにより金属層２０００のレジストマスク３２以外の部分を除去した後、レジストマスク３２をウエットプロセスにより除去し（レジスト剥離）、リンス液で洗浄する。
これによりバンク上補助電極２０が形成される（図１０（ｃ））。
図１１は、画素上補助電極１９、バンク上補助電極２０形成直後の有機ＥＬ表示パネル中間品の一部を示す外観斜視図である。
なお、コンタクト用開口部２０ａは、本実施の形態ではＹ方向に延伸する溝状に形成しているが、コンタクト用開口部は、これに限らず、複数のコンタクトホールをＹ方向において所定の間隔（隣接するコンタクトホール間で、電圧降下防止補助電極２２に実質的に画質に影響を与えるような電圧降下が生じないような間隔。一例として、一つの画素電極１３のＹ方向の長さ毎の位置）をおいて形成するようにしても構わない。
（９）封止層形成工程
次に、図１０（ｄ）に示すように、画素上補助電極１９、バンク上補助電極２０が形成された基板１１全体を覆うようにして封止層２１を形成する（図１２のステップＳ９）。
封止層２１は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。
上記（１）〜（９）までの工程により、図３（ａ）、（ｂ）に示す断面構成を有する有機ＥＬ表示パネル１０を製造することができる。
なお、上記の製造方法は、あくまで例示であり、適宜変更可能である。
４．効果
（１）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０によれば、電圧降下防止補助電極２２が、保護層１８の上方に形成された画素上補助電極１９（第１補助電極部）と、隔壁の上方に位置してＹ方向に延在するバンク上補助電極２０（第２補助電極部）とからなるため、隔壁上方にあるバンク上補助電極２０は、発光効率に関係がないため良導電性を有する金属で形成することができ、この画素上補助電極１９とバンク上補助電極２０がＹ方向に沿って電気的に接続されることにより、電圧降下防止補助電極２２のＹ方向における単位長さ当りの電気抵抗を、従来技術の場合よりも低減することができる。
これにより、湿式法で有機発光層を効率的に形成するためにラインバンク方式を採用しつつ、有機ＥＬ表示パネルの画面が大型化、高精細化しても、画素電極に対向して複数の画素に共通して配置される抵抗電極の画面中央部における電圧降下を効果的に抑制して輝度むらのない良質な画像を表示できる。
（２）また、保護層１８のコンタクト用開口部１８１内の側面に画素上補助電極１９の層が形成されていないので、その部分におけるバンク上補助電極２０の膜厚を大きくでき、これによりバンク上補助電極２０のＹ方向における単位長さ当りの電気抵抗を多少なりとも低減できるという効果が得られる。
（３）ＩＴＯもしくはＩＺＯは、透光性でありながら導電性を有するので、これを画素上補助電極１９として使用することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルにおける発光効率を妨げることはない。
（４）実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、隔壁がＹ方向のみに延伸するラインバンク方式を採用しながらも、対向電極の画面中央部における電圧降下をより低減して輝度のバラツキが抑制された有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
（５）また、保護層１８にエッチング処理を施して、コンタクト用開口部１８１を形成する際に、その上層にある画素上補助電極１９をエッチングマスクとして使用しているので、別途エッチング処理用のマスクを形成する必要がなく、製造工程の簡易化およびコストの低減化が図れる。
この際、画素上補助電極１９が、保護層１８の材料よりもエッチング処理に対する耐性が強い材料で形成することにより、画素上補助電極１９をエッチング処理時のマスクとして効果的に用いることができる。
≪変形例≫
以上、本発明の一態様として、有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法の実施の形態について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。
（１）隔壁１４と画素規制層１５の形成工程の変形例
上記実施の形態では、高さの異なる隔壁１４と画素規制層１５をハーフトーンマスクを用いることにより一つの工程で同時に形成したが、隔壁１４と画素規制層１５を別工程で形成するようにしても構わない。
例えば、まず、Ｙ方向における画素電極列を仕切るための画素規制層１５を形成する。
具体的な画素規制層１５の形成方法としては、例えば、ダイコート法などにより、画素電極１３を形成した基板１１の上面に、樹脂材料を塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Ｙ方向に隣接する画素電極１３の間に画素規制層１５を形成すべく樹脂材料をパターニングした後、焼成することにより、画素規制層１５を形成することができる。
次に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を、例えば、ダイコート法などを用いて一様に塗布し、隔壁材料層１４００を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により隔壁材料層１４００にパターニングした後、焼成して隔壁１４を形成する。
上記フォトリソグラフィ法を用いたパターニングは、基本的に実施の形態で説明したのと同様であり、本変形例では、画素規制層１５形成用と隔壁１４形成用の２種類のフォトマスクを用いて、別工程で形成している点が異なる。
なお、この変形例では、画素規制層１５を形成してから隔壁１４を形成しているが、逆に、隔壁１４を形成してから画素規制層１５を形成するようにしてもよい。
（２）有機ＥＬ素子の積層構造の変形例
上記実施の形態では、有機ＥＬ素子の積層構成として画素電極１３と対向電極１７との間に有機発光層１６を介在させる基本的な構成を示したが、この積層構成は、あくまでも一例であって、発光効率を向上させるため、さらに次のような機能層を備えるようにしてもよい。
（２−１）画素電極１３と有機発光層１６との間に正孔注入層および／または正孔輸送層を設けても構わない。
正孔注入層は、画素電極１３から有機発光層１６への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられ、例えば、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる。
正孔輸送層は、正孔注入層上、もしくは画素電極に直接積層され、画素電極からの正孔を有機発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いて湿式法により形成される。
もっとも、正孔輸送層は、乾式法で形成されていてもよい。
（２−２）また、有機発光層１６と対向電極１７との間に、電子輸送層および／または電子注入層を設けるようにしてもよい。
電子輸送層は、有機発光層１６上に形成され、対向電極１７からの電子を有機発光層１６へ輸送する機能を有する。電子輸送層は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
電子輸送性が高い有機材料として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
上記電子輸送層上に、電子注入層を形成してもよい。電子注入層は、対向電極１７から供給される電子を有機発光層１６側へと注入する機能を有し、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成される。
（３）有機ＥＬ表示パネル１０では、副画素１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｃの発光色が異なったが、これに限られず、それらの発光色が同じであってもよい。具体的には、例えば、色変調方式やカラーフィルタ方式の有機ＥＬ表示パネルのように、副画素１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｃの有機発光層の発光色が白色であってもよい。
（４）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、図２に示すように、画素規制層１５の延伸方向が有機ＥＬ表示パネル１０の長軸Ｘ方向（第１方向）、隔壁１４の延伸方向が有機ＥＬ表示パネル１０の短軸Ｙ方向（第２方向）であったが、画素規制層１５と隔壁１４の延伸方向は、逆であってもよい。また、画素絶縁層及び隔壁の延伸方向は、有機ＥＬ表示パネル１０の形状とは無関係な方向であってもよい。
さらに、第１方向と第２方向は、交差する関係にあればよく、必ずしも９０°の角度で交わってなくてもよい。この場合、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの配列方向は、隔壁１４の延伸方向と平行にすればよい。
また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、適宜変更可能である。
また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１３を長方形平板状の部材としたが、これに限られない。
（５）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、赤色、緑色、青色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば、赤色、緑色、青色及び黄色の４色であってもよい。また、一つの画素Ｐにおいて、副画素は１色あたり１個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Ｐにおける副画素の配列は、図２に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。
（６）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１３を陽極、対向電極１７を陰極としたが、これに限られず、画素電極１３を陰極、対向電極１７を陽極とする逆構造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを設ける場合には、その積層順も陰極と陽極の位置によって適宜修正される。
（７）また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、アクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。
≪補足≫
以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイなど様々な電子機器に用いられる表示パネルとして広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
２ 有機ＥＬ素子
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４ 隔壁
１５ 画素規制層
１６ 有機発光層
１７ 対向電極
１８ 保護層
１９ 画素上補助電極（第１補助電極部）
２０ バンク上補助電極（第２補助電極部）
２０ａ コンタクト用開口部
２１ 封止層
２２ 電圧降下防止補助電極
３１、３２ レジストマスク
１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ 副画素
１１１ 基材
１１２ ＴＦＴ層
１４００ 隔壁材料層
１８１ 第２コンタクト用開口部
１９１ 第１コンタクト用開口部
２００ 駆動制御部
２１０ 駆動回路
２２０ 制御回路
１３００ 画素電極材料層
１４００ 隔壁材料層
２０００ 金属層
ＰＭ フォトマスク
ＳＨ 遮光部
ＴＲ１ 半透明部
ＴＲ２ 透光部

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて配された複数の画素電極と、
    前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁と、
    隣接する前記隔壁に仕切られて第２方向に延在する画素電極列の上方に配された帯状の有機発光層と、
    複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通に配された対向電極と、
    前記対向電極の上方に配された保護層と、
    前記保護層の上方に形成された補助電極と、
    を備え、
    前記補助電極は、
    前記保護層の上方に形成された第１補助電極部と、
    前記隔壁の上方に位置して前記第２方向に延伸する第２補助電極部と、
    を含み、
    前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記第２補助電極部と前記対向電極、および前記第１補助電極部と前記第２補助電極部は、それぞれ前記第２方向において連続して電気的に接続されるか、もしくは前記第２方向に沿って配された複数の箇所において電気的に接続される
    有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記保護層と第１補助電極部には、前記隔壁の上方の位置において第２方向に沿ってコンタクト用開口部が設けられており、前記第２補助電極部は、前記コンタクト用開口部を介して、前記対向電極に電気的に接続されている
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 前記保護層のコンタクト用開口部内には、前記第２補助電極部の層が形成されていない
    請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記第２補助電極部は、金属からなる
    請求項１から３までの何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 前記対向電極、前記保護層、前記第１補助電極部は、それぞれ透光性を有する
    請求項１から４までの何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 前記第１補助電極部は、ＩＴＯもしくはＩＺＯからなる
    請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 前記保護層は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣの何れかからなる
    請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記第２方向に隣接する前記画素電極の間に、電気絶縁性の画素規制層を備え、
    前記画素規制層の膜厚は、前記画素電極の膜厚よりも厚く、かつ、前記基板の一方の主面から前記有機発光層の上面までの厚さよりも小さい
    請求項１から７までのいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 基板を準備する工程と、
    前記基板の一方の主面上に、第１方向および前記第１方向と交差する第２方向とに間隙をおいて複数の画素電極を形成する工程と、
    前記基板の主面上における前記第１方向に隣接する前記画素電極の間を、前記第２方向に沿って延伸する電気絶縁性の隔壁を形成する工程と、
    隣接する前記隔壁に仕切られて前記第２方向に延在する画素電極列の上方に帯状の有機発光層を形成する工程と、
    複数の前記帯状の有機発光層の上方に共通な対向電極を形成する工程と、
    前記対向電極の上方に保護層を形成する工程と、
    前記保護層の上方に補助電極を形成する工程と、
    を含み、
    前記補助電極を形成する工程は、
    前記保護層の上方に第１補助電極部を成膜する工程と、
    前記保護層と第１補助電極部の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿ってコンタクト用開口部を形成する工程と、
    前記第１補助電極部上の、前記隔壁の上方に位置する部分に前記第２方向に沿って延在する第２補助電極部を形成する工程と、
    を含み、
    前記第２補助電極部は、前記第１補助電極部よりも導電性が高く、前記コンタクト用開口部を介して前記対向電極に電気的に接続されると共に、前記第１補助電極部は、前記第２補助電極部との積層部分において前記第２補助電極部と電気的に接続される
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  10. 前記コンタクト用開口部を形成する工程は、
    第１補助電極部上に、リソグラフィ法によりコンタクト用開口部の形成予定位置がパターニングされた第１マスクを形成し、
    前記第１マスクを介して第１エッチング処理を施して、第１補助電極部に第１コンタクト用開口部分を形成し、
    前記第１コンタクト用開口部分が形成された第１補助電極部を第２マスクとして、前記保護層に第２エッチング処理を施して、第２コンタクト用開口部分を形成し、
    前記第１コンタクト用開口部分と前記第２コンタクト用開口部分が合わさって前記コンタクト用開口部が形成される
    請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  11. 前記第１補助電極部は、前記保護層の材料よりも第２エッチング処理に対する耐性が強い材料からなる
    請求項１０に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  12. 前記第１補助電極部は、ＩＴＯもしくはＩＺＯからなると共に、前記保護層は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＣの何れかからなり、前記第２エッチング処理は、反応性イオンエッチング処理である
    請求項１１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  13. 前記第２方向に沿って電気絶縁性の隔壁を形成する工程と同時もしくは当該工程と前後して、前記第２方向に隣接する前記画素電極の間に電気絶縁性の画素規制層を形成する工程をさらに含み、
    前記画素規制層の膜厚は、前記画素電極の膜厚よりも厚く、かつ、前記基板の一方の主面から前記有機発光層の上面までの厚みよりも小さい
    請求項９から１２までのいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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