WO2023176718A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬ膜を設けた表示装置において、リーク電流を抑制する。　表示装置は、第１電極および第２電極と、有機ＥＬ膜とを具備する。この表示装置において、第１電極および第２電極の極性が異なる。また、表示装置において有機ＥＬ膜は、所定平面に垂直な方向から見て所定数の副画素と所定数の副画素の間の画素間領域のうち隣接する副画素同士を互いに接続する部分である接続部とに形成され、所定平面に平行な方向から見て第１電極および第２電極の間に形成される。

Description

表示装置

　本技術は、表示装置に関する。詳しくは、発光素子を用いる表示装置に関する。

　従来より、表示装置などにおいて、バックライトの削減や画質向上のために、有機ＥＬ（Electro Luminescence）が用いられている。例えば、副画素ごとに第１電極を配置し、その上部に有機ＥＬ膜および第２電極を積層し、表示領域内の全ての副画素と表示領域外とにおいて有機ＥＬ膜および第２電極が繋がった構造の表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１４－２３２５６８号公報

　上述の従来技術では、表示領域内外で有機ＥＬ膜を繋げることにより、パターニング工程での有機ＥＬ膜の割れや剥がれの防止を図っている。しかしながら、上述の従来技術では、有機ＥＬ膜を介したリーク電流を抑制することが困難である。

　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、有機ＥＬ膜を設けた表示装置において、リーク電流を抑制することを目的とする。

　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、極性の異なる第１電極および第２電極と、所定平面に垂直な方向から見て所定数の副画素と上記所定数の副画素の間の画素間領域のうち隣接する副画素同士を互いに接続する部分である接続部とに形成され、上記所定平面に平行な方向から見て第１電極および第２電極の間に形成された有機ＥＬ膜とを具備する表示装置である。これにより、リーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部は、上記画素間領域の一部であってもよい。これにより、リーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記第１電極は、上記垂直な方向から見て上記副画素ごとに当該副画素を囲む所定領域内に形成され、上記第２電極は、上記垂直な方向から見て上記所定数の副画素と上記接続部とに形成されてもよい。これにより、副画素が個別に駆動されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素が配列された画素アレイ部を覆う保護膜をさらに具備し、上記保護膜のうち上記所定数の副画素を覆う所定部分の膜厚は、上記所定部分に該当しない部分の膜厚よりも大きくてもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部は、上記画素間領域のうち矩形領域に該当しない部分に形成されてもよい。これにより、リーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、上記第２電極の幅は、上記画素アレイ部の中央部からの距離に応じた値であってもよい。これにより、シェーディングが抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部の一端は、上記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素の一方に接続され、上記接続部の他端は、上記一対の副画素の他方に接続され、上記一端の幅は、上記他端と異なってもよい。これにより、主光線制御が行われるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、上記幅は、上記画素アレイ部の中心からの距離に応じた値であってもよい。これにより、主光線制御が行われるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部は、矩形の第１および第２の接続部を含み、上記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素は、上記第１および第２の接続部により接続されてもよい。これにより、接続不良が防止されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部の辺は、弧を描いてもよい。これにより、接続不良が防止されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部の中央の幅は、上記接続部の両端の幅よりも広くてもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記接続部の中央部には、上記有機ＥＬ膜が形成されない開口領域が設けられてもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記有機ＥＬ膜は、上記垂直な方向から見て上記所定数の副画素と上記接続部と上記画素間領域のうち上記接続部同士を接続するブリッジ領域とに形成されてもよい。これにより、カソード電極の抵抗の増大が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記副画素の形状は、上記垂直な方向から見てコア部と複数の凸部とを複合した図形であってもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記垂直な方向から見て上記有機ＥＬ膜の形状は、所定数の屈曲部を有する形状であってもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定平面に平行な方向から見て上記副画素の側壁には、凹凸が形成されてもよい。これにより、光取り出し効率が向上するという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素は、デルタ配列されてもよい。これにより、デルタ配列の表示装置においてリーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素は、正方配列されてもよい。これにより、正方配列の表示装置においてリーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記所定数の副画素は、ストライプ配列されてもよい。これにより、ストライプ配列の表示装置においてリーク電流が抑制されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記垂直な方向から見て上記有機ＥＬ膜は、所定数の上記副画素を囲むフレームと所定数の上記副画素と上記接続部とに形成され、上記垂直な方向から見て上記有機ＥＬ膜には複数の開口部が形成され、上記複数の開口部は、上記フレームに少なくとも１つの辺が接する第１の開口部と上記第１の開口部に該当しない第２の開口部とを含み、上記第１の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度は、上記第２の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度を超えなくてもよい。これにより、フレームおよびフレーム周辺画素の劣化が抑制されるという作用をもたらす。

本技術の第１の実施の形態における表示装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施の形態における画素アレイ部の平面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における画素アレイ部の平面図と、接続部を含む線分で切断した際の断面図との一例である。 比較例における画素アレイ部の平面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるフォトリソグラフィまでの製造工程を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における保護膜の成膜までの製造工程を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における斜め方向に配列した副画素同士を接続したデルタ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向に配列した副画素同士を接続したデルタ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における垂直方向に配列した副画素同士を接続したデルタ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向、垂直方向および斜め方向に配列した副画素同士を接続したデルタ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続したデルタ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における斜め方向に配列した副画素同士を接続した正方配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における垂直方向に配列した副画素同士を接続した正方配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向に配列した副画素同士を接続した正方配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続した正方配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向、垂直方向および斜め方向に配列した副画素同士を接続した正方配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における垂直方向に配列した副画素同士を接続したストライプ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向に配列した副画素同士を接続したストライプ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における垂直方向に配列した副画素同士を接続し、水平方向に配列した接続部同士を接続したストライプ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続したストライプ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続し、水平方向に配列した接続部同士を接続したストライプ配列の画素アレイ部の一例である。 本技術の第１の実施の形態における矩形部分以外に接続部を形成した画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における、デルタ配列の画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における、デルタ配列で中央部からの距離に応じて幅を変えた画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における、正方配列の画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における、正方配列で中央部からの距離に応じて幅を変えた画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における、接続部をＴ字状にした画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態の変形例における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態の変形例における画素アレイ部の平面図の別の例である。 本技術の第５の実施の形態における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態の第１の変形例における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態の第１の変形例における接続部を含む線分で切断した際の画素アレイ部の断面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態の第２の変形例における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態の第２の変形例における画素アレイ部の断面図の一例である。 本技術の第６の実施の形態における画素アレイ部の平面図の一例である。 本技術の第６の実施の形態における画素アレイ部の断面図の一例である。 本技術の第６の実施の形態における接続部を含む線分で切断した際の断面図の一例である。 本技術の第６の実施の形態における表示装置の製造工程を説明するための図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が４つの副画素の形状の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が５つの副画素の形状の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が６つの副画素の形状の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が８つの副画素の形状の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が４つ、または５つの副画素をストライプ配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が６つ、または８つの副画素をストライプ配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が４つ、または５つの副画素をデルタ配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が６つ、または８つの副画素をデルタ配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が４つ、または５つの副画素を正方配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における凸部が６つ、または８つの副画素を正方配列した画素アレイ部の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における有機ＥＬ膜の平面図と画素アレイ部の断面図とを示す図である。 本技術の第７の実施の形態におけるフォトリソグラフィまでの製造工程を説明するための図である。 本技術の第７の実施の形態における低屈折率膜の成膜までの製造工程を説明するための図である。 本技術の第７の実施の形態における有機ＥＬ膜の平面図の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における有機ＥＬ膜の平面図の別の例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における副画素をストライプ配列した画素アレイ部の平面図の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における副画素をデルタ配列した画素アレイ部の平面図の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における副画素を正方配列した画素アレイ部の平面図の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における副画素を正方配列した画素アレイ部の平面図の別の例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態における製造工程を説明するための図である。 本技術の第８の実施の形態における副画素の配列方法の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態におけるカソードコンタクト電極を配置した際の副画素の配列方法の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態の第１の変形例における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態の第１の変形例における低屈折率膜の形成までの製造工程を説明するための図である。 本技術の第８の実施の形態の第１の変形例におけるテクスチャ膜の形成までの製造工程を説明するための図である。 本技術の第８の実施の形態の第２の変形例における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態の第２の変形例における製造工程を説明するための図である。 本技術の第８の実施の形態の第２の変形例における凹凸の位置を変更した画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態の第３の変形例における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第８の実施の形態の第４の変形例における画素アレイ部の断面図の一例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における有機ＥＬ膜のレイアウトの一例を示す平面図である。 本技術の第１の実施の形態における開口部の斜視図の一例である。 本技術の第９の実施の形態における有機ＥＬ膜のレイアウトの一例を示す平面図である。 本技術の第９の実施の形態の第１の変形例における有機ＥＬ膜のレイアウトの一例を示す平面図である。 本技術の第９の実施の形態の第２の変形例における有機ＥＬ膜のレイアウトの一例を示す平面図である。 本技術の第９の実施の形態の第３の変形例における有機ＥＬ膜のレイアウトの一例を示す平面図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"との関係を説明するための概念図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"との関係を説明するための概念図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"との関係を説明するための概念図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"との関係を説明するための概念図である。 共振器構造の第１例、第２例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第３例、第４例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第５例、第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図および背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。 本開示の実施形態に係る表示ユニットが適用され得る電子機器の一例を示す外観図である。 乗物の後方から前方にかけての乗物の内部の様子を示す図、および、乗物の斜め後方から斜め前方にかけての乗物の内部の様子を示す図である。

　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残した例）
　２．第２の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、カソード電極の幅を調整した例）
　３．第３の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、接続部の幅を調整した例）
　４．第４の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、接続部を増加した例）
　５．第５の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、接続部の中央の幅を広くした例）
　６．第６の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、副画素の形状を変更した例）
　７．第７の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、副画素内で有機ＥＬ膜を屈曲させた例）
　８．第８の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、副画素の側壁に凹凸を形成した例）
　９．第９の実施の形態（接続部に有機ＥＬ膜を残し、有機ＥＬ膜の開口部の角度を大きくした例）

　＜１．第１の実施の形態＞
　［表示装置の構成例］
　図１は、本技術の第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示すブロック図である。この表示装置１００は、制御回路１１１、Ｈドライバ１１２、Ｖドライバ１１３および画素アレイ部１２０を備える。表示装置１００として、スマートフォンやパーソナルコンピュータなどの電子装置と一体化したディスプレイや、電子装置と分離したモニタ装置などが想定される。

　画素アレイ部１２０内には、複数の画素２００が配列される。画素２００のそれぞれは、互いに異なる色の光を発する複数の副画素を含む。例えば、画素２００ごとに、Ｒ、ＧおよびＢの光を発する副画素２０１、２０２および２０３が配置される。副画素２０１、２０２および２０３のそれぞれの形状は６角形であり、これらの３つは、例えば、三角形に配列される。すなわち、副画素はデルタ配列される。なお、副画素の形状や配列は、６角形やデルタ配列に限定されない。

　制御回路１１１は、画像データに基づいてＨドライバ１１２およびＶドライバ１１３のそれぞれの駆動タイミングを制御するものである。Ｈドライバ１１２は、副画素を列単位で駆動するものである。Ｖドライバ１１３は、副画素を行単位で駆動するものである。

　［画素アレイ部の構成例］
　図２は、本技術の第１の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図および断面図の一例である。同図におけるａは、画素アレイ部１２０の平面図の一例であり、同図におけるｂは、画素アレイ部１２０の断面図の一例である。

　副画素２０１などの複数の副画素は、所定の平面上に配列される。以下、その平面に垂直な軸を「Ｚ軸」とし、その平面に平行な所定の軸を「Ｘ軸」とする。Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸を「Ｙ軸」とする。また、Ｘ軸方向は、「水平方向」と呼ぶこともできる。Ｙ軸方向は、「垂直方向」と呼ぶこともできる。

　前述したように副画素のそれぞれは、例えば、６角形である。同図におけるａの一点鎖線で囲まれた領域は、副画素２０１を示す。また、複数の副画素は、一定の間隔を空けて配列されている。副画素の間の領域を以下、「画素間領域」と称する。同図におけるａにおいて、斜線部分と白色の部分とからなる領域が画素間領域に該当する。

　同図におけるｂは、同図におけるａの座標（Ｘ３、Ｙ４）から（Ｘ８、Ｙ４）までの線分で切断した際の画素アレイ部１２０の断面図を示す。画素アレイ部１２０は、基板２４０と、保護膜２１１および２１２と、カソード電極２２１と、有機ＥＬ膜２２２と、複数のアノード電極２２３と、絶縁膜２３０とを備える。

　基板２４０の基板平面において、副画素ごとにアノード電極２２３が形成される。以下、基板２４０からアノード電極２２３への方向を「上」の方向とする。アノード電極２２３のそれぞれは、それらの間に形成された絶縁膜２３０により互いに分離（言い換えれば、絶縁）される。斜線部分は、アノード電極２２３に該当し、白色部分は、絶縁膜２３０に該当する。

　アノード電極２２３の上部に有機ＥＬ膜２２２が形成され、その上部にカソード電極２２１が形成される。また、カソード電極２２１の上部に保護膜２１２が形成され、保護膜２１２の上部と、画素間の上部とに、それらを覆う保護膜２１１が形成される。保護膜２１１および２１２は、後述する製造工程上、別々に形成されるものの、一体化しており、これらをまとめて保護膜２１０として扱うことができる。

　保護膜２１２が副画素上に形成されているため、保護膜２１０のうち、副画素を覆う部分の膜厚は、それ以外の部分の膜厚よりも大きくなる。言い換えれば、保護膜２１０は、副画素の部分で盛り上がっている。また、保護膜２１０の上部および側面には、低屈折率膜（不図示）が充填される。このため、副画素が発した光が、その盛り上がった部分の側面（言い換えれば、保護膜の表面）で上方に反射する。同図におけるａの太い矢印は、副画素の発した光の光路を示す。

　また、同図におけるａにおいては、有機ＥＬ膜２２２の平面形状を明示するために、保護膜２１１および２１２とカソード電極２２１とが省略されている。同図におけるａの灰色部分は、有機ＥＬ膜２２２を示す。同図におけるａに例示するように、有機ＥＬ膜２２２は、複数の副画素のそれぞれと、画素間領域のうち、隣接する副画素同士を接続する部分とに形成される。画素間領域のうち、有機ＥＬ膜２２２が形成された部分を以下、「接続部」と称する。同図におけるａの座標（Ｘ２、Ｙ１）、（Ｘ６、Ｙ１）、（Ｘ２、Ｙ３）および（Ｘ６、Ｙ３）で囲まれた点線の矩形部分が接続部に該当する。

　また、アノード電極２２３は、Ｚ軸方向から見て副画素を囲む所定領域に形成される。同図におけるａの斜線部分の外周（座標Ｘ５など）は、アノード電極２２３の外周に該当する。また、カソード電極２２１の平面形状は、有機ＥＬ膜２２２と同様である。また、絶縁膜２３０の端部は、アノード電極２２３の端部まで達し、その電極の厚みの分だけ盛り上がる。座標Ｘ４などを通る一点鎖線の６角形は、絶縁膜２３０の盛り上がった部分の外周を示す。以降の図においては、この一点鎖線を省略する。

　なお、アノード電極２２３は、特許請求の範囲に記載の第１電極の一例であり、カソード電極２２１は、特許請求の範囲に記載の第２電極の一例である。

　図３は、本技術の第１の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図と、接続部を含む線分で切断した際の断面図との一例である。同図におけるａは、画素アレイ部１２０の平面図の一例である。同図におけるｂは、同図におけるａの座標（Ｘ１、Ｙ２）から（Ｘ７、Ｙ２）までの線分で切断した際の断面図を示す。この線分は、副画素間の接続部を含むものとする。同図におけるｂに例示するように、接続部にも有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１が形成され、隣接する副画素同士は、有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１により接続されている。

　図２および図３に例示したように、有機ＥＬ膜２２２は、Ｚ軸方向から見て複数の副画素のそれぞれと、それらの間の画素間領域のうち隣接する副画素同士を互いに接続する部分（すなわち、接続部）とに形成される。また、Ｙ軸方向やＸ軸方向から見て有機ＥＬ膜２２２は、カソード電極２２１とアノード電極２２３との間に形成される。なお、カソード電極２２１とアノード電極２２３は、特許請求の範囲に記載の第１電極および第２電極の一例である。

　また、アノード電極２２３は、Ｚ軸方向から見て、副画素ごとに、副画素を囲む所定領域に形成される。カソード電極２２１は、有機ＥＬ膜２２２と同様に、Ｚ軸方向から見て複数の副画素のそれぞれと接続部とに形成される。また、保護膜２１０（保護膜２１１および２１２）のうち副画素を覆う部分の膜厚は、それ以外の部分の膜厚よりも大きい。

　ここで、画素間領域の全体に有機ＥＬ膜２２２を形成し、副画素の部分で保護膜が盛り上がっていない構造の表示装置１００を比較例として想定する。

　図４は、比較例における画素アレイ部１２０の平面図および断面図の一例である。同図におけるａは、画素アレイ部１２０の平面図の一例であり、同図におけるｂは、同図におけるａの座標（Ｘ１、Ｙ１）から（Ｘ２、Ｙ１）までの線分で切断した際の断面図の一例である。

　同図に例示するように、有機ＥＬ膜２２２は、副画素のそれぞれと、それらの間の画素間領域の全体とに形成される。カソード電極２２１についても同様である。また、保護膜２１１の膜厚は、副画素の上部と、画素間領域の上部とで殆ど変わらないものとする。

　比較例では、副画素同士が、有機ＥＬ膜２２２により接続されているため、その有機ＥＬ膜２２２を介して流れるリーク電流が大きくなりやすい。同図における点線の矢印は、リーク電流を示す。

　これに対して、図２および図３に例示したように画素間領域の一部（接続部）に有機ＥＬ膜２２２を形成する構造では、その領域の全体に有機ＥＬ膜２２２を形成する比較例よりもリーク電流を小さくすることができる。なお、画素間領域の全体に有機ＥＬ膜２２２を形成しない構成では、副画素上の有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１が孤立し、副画素のそれぞれに給電することができなくなる。これを防ぐために、図２では、接続部に有機ＥＬ膜２２２を残している。

　また、比較例では、保護膜２１１が副画素上で盛り上がっていないため、副画素の発した光が保護膜の表面で下方向に反射することがある。同図における太線の矢印は、保護膜の表面で反射する光の光路を示す。

　これに対して、図２に例示したように、保護膜が副画素上で盛り上がった構造では、その盛り上がった部分の側面（保護膜の表面）で光を上方向に反射させることができる。これにより、比較例よりも光の取り出し効率を向上させることができる。

　［表示装置の製造方法］
　図５は、本技術の第１の実施の形態におけるフォトリソグラフィまでの製造工程を説明するための図である。同図におけるａは、アノード電極２２３および絶縁膜２３０を形成した画素アレイ部１２０の断面図を示す。同図におけるｂは、有機ＥＬ膜２２２、カソード電極２２１および保護膜２１２を形成した画素アレイ部１２０の断面図を示す。同図におけるｃは、フォトリソグラフィを行う際の画素アレイ部１２０の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、製造システムは、基板２４０上において、副画素ごとにアノード電極２２３を形成し、それらの間に絶縁膜２３０を形成する。そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１を形成し、カソード電極２２１の上部に保護膜２１２を形成する。続いて、製造システムは、副画素のそれぞれの上部にフォトレジスト２５０を配置し、フォトリソグラフィを行う。

　図６は、本技術の第１の実施の形態における保護膜２１１の成膜までの製造工程を説明するための図である。同図におけるａは、フォトリソグラフィ後の画素アレイ部１２０の断面図を示す。同図におけるｂは、保護膜２１１を成膜した画素アレイ部１２０の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、フォトリソグラフィにより、副画素の上部を残して、それ以外の部分の保護膜２１２が除去される。そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、保護膜２１１を形成する。この結果、図２に例示した構造の画素アレイ部１２０が得られる。

　図２では、有機ＥＬ膜２２２により、斜め方向と水平方向（Ｘ軸方向）とに配列した副画素同士を接続していたが、この構成に限定されない。

　例えば、図７に例示するように、水平方向の接続部を削減し、斜め方向に配列した副画素同士のみを接続することができる。

　あるいは、図８に例示するように、斜め方向の接続部を削減し、水平方向に配列した副画素同士のみを接続することもできる。

　あるいは、図９に例示するように、水平方向、斜め方向の接続部を削減し、垂直方向（Ｙ軸方向）に接続部を設けて垂直方向に配列した副画素同士を接続することもできる。

　あるいは、図１０に例示するように、垂直方向の接続部を追加し、水平方向、垂直方向および斜め方向に配列した副画素同士を接続することもできる。

　あるいは、図１１に例示するように、斜め方向の接続部を削減し、水平方向に接続部を追加して水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続することもできる。

　また、図２と図７乃至１１とでは、副画素をデルタ配列していたが、この構成に限定されない。図１２乃至図１６に例示するように、副画素の形状を正方形にし、正方配列することもできる。

　その際、図１２に例示するように、斜め方向に接続部を設けて、斜め方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　あるいは、図１３に例示するように、垂直方向に接続部を設けて、垂直方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　あるいは、図１４に例示するように、水平方向に接続部を設けて、水平方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　あるいは、図１５に例示するように、水平方向および垂直方向に接続部を設けて、水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　あるいは、図１６に例示するように、水平方向、垂直方向および斜め方向に接続部を設けて、水平方向、垂直方向および斜め方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　また、図１７乃至図２１に例示するように、副画素の形状を長方形にし、ストライプ配列することもできる。

　その際、図１７に例示するように、垂直方向に接続部を設けて、垂直方向に配列した副画素同士を接続することができる。

　あるいは、図１８に例示するように、水平方向に接続部を設けて、水平方向に配列した副画素同士を接続することもできる。

　あるいは、図１９に例示するように、垂直方向に配列した副画素同士を接続し、さらに水平方向に配列した接続部同士を接続することもできる。

　あるいは、図２０に例示するように、水平方向および垂直方向に接続部を設けて、水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続することもできる。

　あるいは、図２１に例示するように、水平方向および垂直方向に配列した副画素同士を接続し、水平方向に配列した接続部同士を接続することもできる。

　なお、上述した例では、画素間領域のうち矩形部分を接続部としていたが、この構成に限定されない。図２２に例示するように、隣接する副画素の間の画素間領域のうち矩形部分以外を接続部とし、有機ＥＬ膜２２２を形成することもできる。同図において、太い点線で囲まれたＹ字型の部分は、接続部に該当する。この場合、矩形部分には、アノード電極２２３の一部と、絶縁膜２３０の一部とが配置される。

　このように、本技術の第１の実施の形態によれば、副画素のそれぞれと、画素間領域のうち接続部とに有機ＥＬ膜２２２を形成したため、画素間領域の全体に有機ＥＬ膜２２２を形成する場合よりもリーク電流を小さくすることができる。

　また、保護膜２１０のうち副画素を覆う部分の膜厚を、それ以外の部分の膜厚よりも大きくしたため、光取り出し効率を向上させることができる。

　＜２．第２の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、画素アレイ部１２０内の接続部のそれぞれのカソード電極２２１の幅を一定としていたが、この構成では、シェーディングの抑制が困難である。この第２の実施の形態における表示装置１００は、カソード電極２２１の幅を中央部からの距離に応じて変更した点において第１の実施の形態と異なる。

　図２３は、本技術の第２の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第２の実施の形態の画素アレイ部１２０は、副画素間の接続部のカソード電極２２１の幅が、中央部に近いほど小さい点において第１の実施の形態と異なる。

　ここで、カソード電極２２１を通して電流が流れると、そのカソード電極２２１の抵抗により電位降下（言い換えれば、ＩＲドロップ）が発生し、画素のそれぞれにおけるアノード－カソード間の電位差が低下する。カソード電極２２１に電位を供給するカソードコンタクト電極（不図示）は、画素アレイ部１２０の周囲に配置されている。このため、その周囲から遠いほど、言い換えれば、画素アレイ部１２０の中央に近いほど、電位差が小さくなり、有機ＥＬ膜２２２に流れる電流が減少して輝度が低下する。この結果、輝度が不均一となり、シェーディングが生じるおそれがある。

　中央部に近いほどカソード電極２２１の幅を小さくすることにより、図２に例示した側壁反射の面積が中央に近いほど増大して光取り出し効率が向上する。このため、中央部の輝度の低下（すなわち、シェーディング）を抑制することができる。

　このように、本技術の第２の実施の形態によれば、接続部のカソード電極２２１の幅を、中央部からの距離に応じた値にしたため、シェーディングを抑制することができる。

　＜３．第３の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、有機ＥＬ膜２２２の接続部の幅を一定としていたが、この構成では、主光線制御を行う際にレンズの位置をずらして主光線の向きを変える必要がある。この第３の実施の形態における表示装置１００は、接続部の一端の幅を他端と異なる値にして主光線制御を実現した点において第１の実施の形態と異なる。

　図２４は、本技術の第３の実施の形態における、デルタ配列の画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第３の実施の形態において、有機ＥＬ膜２２２の接続部の一端の幅は、他端と異なる。例えば、接続部の両端のうち、画素アレイ部１２０の中央部から遠い方の一端の幅は、他端よりも広いものとする。また、一端から他端までにおいて幅が徐々に変化する。

　例えば、画素アレイ部１２０の中央部のＸ座標をＸ３とする。その座標Ｘ３よりも左側においては、座標Ｘ１などの左端の幅が、座標Ｘ２などの右端よりも広くなる。座標Ｘ３よりも右側においては、座標Ｘ４などの左端の幅が、座標Ｘ５などの右端よりも狭くなる。同様に、中央部よりも上側では、接続部の上端の幅が下端よりも広くなる。中央部よりも下側では、接続部の上端の幅が下端よりも狭くなる。このように、接続部ごとに、中央部から遠い方の一端の幅を他端よりも広くすることにより、レンズの位置をずらさなくても、主光線を中央に向けることができる。この主光線制御により、表示装置１００の中央部に光を集めることができる。なお、同図においては、中央部の上側および下側における接続部は省略されている。

　なお、図２５に例示するように、中央部からの距離に応じて接続部の幅を変えることが好ましい。例えば、中央部から遠いほど、接続部の幅を広くすればよい。中央部のＸ座標をＸ５とする。その座標Ｘ５よりも左側においては、ある接続部の座標Ｘ１の左端の幅が、座標Ｘ２の右端よりも広くなる。その接続部より中央部に近い接続部の座標Ｘ３の左端の幅は、座標Ｘ４の右端よりも広くなり、座標Ｘ３およびＸ４の幅は、座標Ｘ１およびＸ２の幅よりも狭くなる。

　座標Ｘ５よりも右側においては、ある接続部の座標Ｘ６の左端の幅が、座標Ｘ７の右端よりも狭くなる。その接続部より中央部から遠い接続部の座標Ｘ８の左端の幅は、座標Ｘ９の右端よりも狭くなり、座標Ｘ８およびＸ９の幅は、座標Ｘ６およびＸ７の幅より広くなる。

　同様に、中央部よりも上側では、画素アレイ部１２０の上端に近いほど、接続部の幅が広くなる。中央部よりも下側では、画素アレイ部１２０の下端に近いほど、接続部の幅が広くなる。

　また、図２６に例示するように正方配列において接続部の一端の幅を、他端と異なる値にすることもできる。

　図２７に例示するように、正方配列において中央部からの距離に応じて接続部の幅を変えることもできる。

　また、一端から他端にかけて幅を徐々に変化させているが、この構成に限定されない。例えば、図２８に例示するように、接続部をＴ字形状にすることもできる。

　このように、本技術の第３の実施の形態によれば、接続部の一端の幅を他端と異なる値にしたため、レンズの位置をずらさずに、主光線制御を行うことができる。

　＜４．第４の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、隣接する副画素同士を接続部により接続していたが、接続部が細すぎると、接続部が途切れて接続不良により副画素が黒点化してしまうおそれがある。この第４の実施の形態における表示装置１００は、接続不良を防止した点において第１の実施の形態と異なる。

　図２９は、本技術の第４の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第４の実施の形態の画素アレイ部１２０は、隣接する一対の副画素に着目した場合、それらが２つの接続部により接続される点において第１の実施の形態と異なる。同図において太い点線で囲まれた部分は、接続部に該当する。

　なお、隣接する一対の副画素を３つ以上の副画素により接続することもできる。接続部を２つ以上に増やすことにより、１つの接続部で接続不良が生じても、残りの接続部により副画素間の接続を維持することができる。これにより、接続不良を防止することができる。

　なお、一対の副画素の間の２つの接続部は、特許請求の範囲に記載の第１および第２の接続部の一例である。

　このように、本技術の第４の実施の形態によれば、隣接する一対の副画素を２つの接続部により接続したため、接続不良を防止することができる。

　［変形例］
　上述の第４の実施の形態では、接続部を２つ以上に増やしていたが、この構成でも接続不良を十分に防止することができないことがある。この第４の実施の形態の変形例における表示装置１００は、接続部の辺が弧を描く点において第４の実施の形態と異なる。

　図３０は、本技術の第４の実施の形態の変形例における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第４の実施の形態の変形例の画素アレイ部１２０は、隣接する一対の副画素の間の接続部が１つであり、かつ、その接続部の辺が弧を描いている点において第４の実施の形態と異なる。接続部の辺は、例えば、扇の円弧状となる。同図における太い点線で囲まれた領域は、接続部に該当する。接続部の辺を弧状に形成することにより、副画素間の断線不良を軽減することができる。

　なお、図３１に例示するように、６角形の副画素の頂点付近にＹ字状の接続部を配置し、その辺を弧状にすることもできる。同図における太い点線で囲まれた領域は、接続部に該当する。

　また、第４の実施の形態の変形例において、図２９に例示したように一対の副画素の間の接続部を２つ以上にすることもできる。

　このように、本技術の第４の実施の形態の変形例によれば、接続部の辺を弧状にしたため、接続不良を防止することができる。

　＜５．第５の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、接続部を矩形にしていたが、この構成では、光取り出し効率をさらに向上させることが困難である。この第５の実施の形態における表示装置１００は、接続部の中央の幅を広くして光取り出し効率を向上させた点において第１の実施の形態と異なる。

　図３２は、本技術の第５の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第５の実施の形態の画素アレイ部１２０は、接続部の中央の幅が、その両端の幅よりも広い点において第１の実施の形態と異なる。例えば、６角形の副画素２０１および２０２がＸ軸方向に配列され、副画素２０１の右端のＸ座標をＸ１とし、その右側の副画素２０２の左端のＸ座標をＸ３とし、その中間のＸ座標をＸ２とする。これらの副画素を接続する接続部の左端および右端のＸ座標がＸ１およびＸ３に該当し、中央のＸ座標がＸ２に該当する。座標Ｘ１およびＸ３の接続部のＹ軸方向の長さ（すなわち、幅）をＹ１およびＹ３とし、座標Ｘ２の接続部の幅をＹ２とすると、Ｙ２は、Ｙ１およびＹ３のそれぞれよりも大きい。

　中央の幅を広くすることにより、保護膜２１１と低屈折率膜との界面で反射する領域を増やすことができ、光取り出し効率が向上する。また、接続部の中央の幅を広くすることにより、接続部の抵抗を下げることができ、電圧上昇を抑制できる。

　このように、本技術の第５の実施の形態によれば、接続部の中央の幅を広くしたため、光取り出し効率を向上させることができる。

　［第１の変形例］
　上述の第５の実施の形態では、接続部の中央の幅を広くしていたが、この構成では、光取り出し効率をさらに向上させることが困難である。この第５の実施の形態の第１の変形例における表示装置１００は、接続部の中央部を開口した点において第５の実施の形態と異なる。

　図３３は、本技術の第５の実施の形態の第１の変形例における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。第５の実施の形態の第１の変形例における画素アレイ部１２０接続部の中央部の一部が開口しており、その開口領域に有機ＥＬ膜２２２が形成されない点において第５の実施の形態と異なる。同図における、座標Ｘ２からＸ３までの太線の矩形は、開口領域を示す。

　図３４は、図３３の座標（Ｘ１、Ｙ２）から（Ｘ４、Ｙ２）までの線分で切断した際の断面図を示す。接続部の中央付近の有機ＥＬ膜２２２をなくすことにより、保護膜２１１と、その上部の封止樹脂との界面で、副画素からの光を反射させることができる。これにより、光取り出し効率がさらに向上する。図３４における矢印は、界面で反射した光の軌跡を示す。

　このように、本技術の第５の実施の形態の第１の変形例によれば、接続部の中央部を開口したため、光取り出し効率をさらに向上させることができる。

　［第２の変形例］
　上述の第５の実施の形態では、接続部の中央の幅を広くしていたが、接続部同士を接続することもできる。この第５の実施の形態の第２の変形例における表示装置１００は、隣接する接続部同士を接続した点において第５の実施の形態と異なる。

　図３５は、本技術の第５の実施の形態の第２の変形例における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。この第５の実施の形態の第２の変形例において、接続部の中央部から副画素の辺に沿って伸びた領域にも有機ＥＬ膜２２２が形成され、隣接する副画素同士が接続される。この副画素同士を接続する領域を以下、「ブリッジ部」と称する。同時における太い点線で囲まれたＹ字型の領域は、ブリッジ部を示す。有機ＥＬ膜２２２は、６角形の副画素と、副画素同士を接続する接続部と、接続部同士を接続するブリッジ部とに形成される。

　図３６は、図３５の座標（Ｘ１、Ｙ２）から（Ｘ２、Ｙ２）までの線分で切断した際の断面図を示す。

　接続部の幅を狭くするほど、その上部のカソード電極２２１の抵抗が増大してしまうが、図３５および図３６に例示したように、接続部同士をブリッジ部で接続することにより、増大した分だけカソード電極２２１の抵抗を低下させることができる。これにより、接続部の幅を狭くした際のカソード電極２２１の抵抗の増大を抑制することができる。

　このように、本技術の第５の実施の形態の第２の変形例によれば、接続部同士を接続するブリッジ部にも有機ＥＬ膜２２２を形成したため、カソード電極２２１の抵抗の増大を抑制することができる。

　＜６．第６の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、Ｚ軸方向から見て６角形の副画素を配列していたが、この副画素の形状では、光取り出し効率をさらに改善することが困難である。この第６の実施の形態における表示装置１００は、Ｚ軸方向から見て副画素の側壁に凹凸を持たせて光取り出し効率を改善した点において第１の実施の形態と異なる。

　図３７は、本技術の第６の実施の形態における画素アレイ部１２０の平面図の一例である。同図におけるａは、オンチップレンズ２６１およびカラーフィルタ２６２を省略してＺ軸方向から見た平面図の一例であり、同図におけるｂは、３つの副画素についてＺ軸方向から見た平面図の一例である。

　同図におけるａに例示するように、Ｚ軸方向から見て、副画素２０１などの副画素のそれぞれについて、側壁に凹凸が設けられている。副画素のうち側面から突出した部分を以下、「凸部」と称し、凸部以外の部分を「コア部」と称する。Ｚ軸方向から見た副画素の平面形状は、コア部と、複数の凸部とを複合した図形と表現することができる。ここで、副画素の形状は、より具体的には、接続部を除いた有機ＥＬ膜２２２、カソード電極２２１および保護膜２１１のそれぞれの形状に該当する。また、隣接する副画素は、斜め方向の接続部により互いに接続されている。

　同図におけるａの太い点線で囲まれた部分は、コア部に該当する。例えば、副画素は、コア部を矩形とし、そのコア部の４辺のそれぞれに矩形の凸部を隣接させた形状（言い換えれば、十字形状）である。

　また、同図におけるｂに例示するように、副画素２０１乃至２０３のそれぞれには、オンチップレンズ２６１およびカラーフィルタ２６２が設けられる。円形の線は、オンチップレンズ２６１の外周を示し、矩形の太枠は、カラーフィルタ２６２の外周を示す。同図におけるｂでは、接続部は省略されている。

　図３８は、本技術の第６の実施の形態における画素アレイ部１２０の断面図の一例である。同図は、図３７におけるｂの、コア部を含む水平方向の線分Ｘａ－Ｘｂで切断した際の断面図の一例である。また、図３８における太い点線は、図３７におけるｂの、コア部および凸部のうち凸部のみを含む線分Ｘｃ－Ｘｄで切断した際の凸部の断面形状を示す。また、矢印は、有機ＥＬ膜２２２が発光した光の光路を示す。側壁に凹凸を設けることにより、凸部がライトガイドとして機能し、光取り出し効率を向上させることができる。

　また、斜め方向に副画素を接続した場合、水平方向の線分Ｘａ－Ｘｂで切断した断面は、接続部を含まない。この断面において隣接する副画素は、絶縁膜２３０により互いに分離される。また、カラーフィルタ２６２の下部には、低屈折率膜２７０が形成される。

　図３９は、本技術の第６の実施の形態における接続部を含む線分で切断した際の断面図の一例である。同図は、図３７におけるａの、斜め方向の線分Ｘｅ－Ｘｆで切断した際の断面図の一例である。斜め方向に副画素を接続した場合、斜め方向の線分Ｘｅ－Ｘｆで切断した断面は、接続部を含む。この接続部により、隣接する副画素は、互いに接続される。

　図４０は、本技術の第６の実施の形態における表示装置１００の製造工程を説明するための図である。同図におけるａは、フォトリソグラフィ前の断面図を示し、同図におけるｂは、フォトリソグラフィ後の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、製造システムは、有機ＥＬ膜２２２やカソード電極２２１を形成した後に、それらの上部に保護膜２１１を形成し、その上部にフォトレジスト２５０を配置する。Ｚ軸方向から見たフォトレジスト２５０の形状は、接続部と、凹凸のある副画素とをくり抜いた形状である。そして、製造システムは、フォトリソグラフィを行う。これにより、同図におけるｂに例示するように、凹凸のある形状に保護膜２１１が加工される。同図におけるｂは、図３７の線分Ｘａ－Ｘｂで切断した断面を示す。

　図４１は、本技術の第６の実施の形態における凸部が４つの副画素の形状の一例を示す図である。コア部を矩形とした場合、凸部を４つまで設けることができる。この場合、同図におけるａに例示するように、凸部を三角形とすることもできる。また、同図におけるｂに例示するように、凸部を矩形とし、コア部の頂点に隣接して凸部を配置することもできる。なお、図３７に例示したように、凸部を矩形とし、コア部の４辺に隣接して配置することもできる。

　また、図４１におけるｃに例示するように、凸部を半円とすることもできる。同図におけるｄに例示するように、凸部を楔方とすることもできる。

　図４２は、本技術の第６の実施の形態における凸部が５つの副画素の形状の一例を示す図である。コア部を５角形とした場合、凸部を５つまで設けることができる。この場合、同図におけるａに例示するように、凸部を三角形とすることもできる。また、同図におけるｂに例示するように、凸部を矩形とすることもできる。

　図４３は、本技術の第６の実施の形態における凸部が６つの副画素の形状の一例を示す図である。コア部を６角形とした場合、凸部を６つまで設けることができる。この場合、同図におけるａに例示するように、凸部を三角形とすることもできる。また、同図におけるｂに例示するように、凸部を矩形とすることもできる。同図におけるｃに例示するように、凸部を６角形とすることもできる。

　図４４は、本技術の第６の実施の形態における凸部が８つの副画素の形状の一例を示す図である。コア部を８角形とした場合、凸部を８つまで設けることができる。この場合、同図におけるａに例示するように、凸部を三角形とすることもできる。また、同図におけるｂに例示するように、凸部を矩形とすることもできる。

　理論的には、凸部の数を９以上にすることもできるが、凸部の数を増やすほど、リソグラフィの解像限界を超える恐れが高くなり、円形に近くなるほど、凸部のライトガイドとしての機能が低下する。このため、実用性の高い、凸部が４から８までのケースについて例示した。

　接続部は、斜め方向のみに配置しているが、前述したように、垂直方向、水平方向にも配置することもできる。

　また、図４５および図４６に例示するように、副画素をストライプ配列することができる。これらの図では、接続部を省略している。

　ストライプ配列において、図４５におけるａに例示するように、凸部を４つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を５つにすることができる。

　もしくは、図４６におけるａに例示するように、凸部を６つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を８つにすることができる。

　また、図４７および図４８に例示するように、副画素をデルタ配列することができる。これらの図では、接続部を省略している。

　デルタ配列において、図４７におけるａに例示するように、凸部を４つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を５つにすることができる。

　もしくは、図４８におけるａに例示するように、凸部を６つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を８つにすることができる。

　また、図４９および図５０に例示するように、副画素を正方配列することができる。これらの図では、接続部を省略している。

　デルタ配列において、図４９におけるａに例示するように、凸部を４つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を５つにすることができる。

　もしくは、図５０におけるａに例示するように、凸部を６つにすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように、凸部を８つにすることができる。

　なお、第６の実施の形態に、第２から第５の実施の形態のそれぞれを適用することができる。

　このように、本技術の第６の実施の形態によれば、Ｚ軸方向から見て副画素の形状を、コア部と複数の凸部とを複合した図形としたため、光取り出し効率を向上させることができる。

　＜７．第７の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、Ｚ軸方向から見て副画素内の有機ＥＬ膜２２２の形状を６角形としていたが、この形状では、光取り出し効率をさらに改善することが困難である。この第７の実施の形態における表示装置１００は、有機ＥＬ膜２２２に屈曲部を持たせて光取り出し効率を改善した点において第１の実施の形態と異なる。

　図５１は、本技術の第７の実施の形態における有機ＥＬ膜２２２の平面図と画素アレイ部１２０の断面図とを示す図である。同図におけるａは、Ｚ軸方向から見た有機ＥＬ膜２２２の平面図を示す。同図におけるｂは、同図におけるａの線分Ｘａ－Ｘｂで切断した際の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、第７の実施の形態において、Ｚ軸方向から見て有機ＥＬ膜２２２は、所定数の屈曲部を有する形状である。同図におけるａの荒い点線は副画素の外周を示し、細かい矩形の点線は接続部の外周を示す。円形の点線は、屈曲部を示す。例えば、副画素内の有機ＥＬ膜２２２は、４つの屈曲部のそれぞれで直角に屈曲したＳ字状の形状である。

　また、同図におけるｂに例示するように、有機ＥＬ膜２２２の下層のアノード電極２２３の上面は、屈曲部を有する形状に加工されていない。一方、有機ＥＬ膜２２２に積層されたカソード電極２２１および保護膜２１１の、Ｚ軸方向から見た形状は、有機ＥＬ膜２２２と同一であるものとする。

　図５２は、本技術の第７の実施の形態におけるフォトリソグラフィまでの製造工程を説明するための図である。同図におけるａは、保護膜２１１を形成した際の画素アレイ部１２０の断面図を示す。同図におけるｂは、フォトリソグラフィを行う際の画素アレイ部１２０の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、副画素ごとに、カソード電極２２１の上部を覆う保護膜２１１が形成される。この時点では、有機ＥＬ膜２２２は、屈曲部を有するＳ字状などのパターンに加工されていない。

　そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、副画素のそれぞれの上部にフォトレジスト２５０を配置し、フォトリソグラフィを行う。このフォトレジスト２５０は、Ｚ軸方向から見て、Ｓ字状などのパターンをくり抜いた形状である。

　図５３は、本技術の第７の実施の形態における低屈折率膜２７０の成膜までの製造工程を説明するための図である。同図におけるａは、フォトリソグラフィ後の画素アレイ部１２０の断面図を示す。同図におけるｂは、低屈折率膜２７０を成膜した画素アレイ部１２０の断面図を示す。

　同図におけるａに例示するように、フォトリソグラフィにより、保護膜２１１、カソード電極２２１および有機ＥＬ膜２２２は、Ｚ軸方向から見て、屈曲部を有する形状に加工される。そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、低屈折率膜２７０を埋め込み、加工端面を被覆する。有機ＥＬ膜２２２の加工端面を低屈折率膜２７０で埋め込み覆うことにより、反射界面が形成される。側壁の反射面積を増やすことで、光取り出し効率を向上させることができる。

　ここで、低屈折率膜２７０の材料として、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）などの透明な材料が用いられる。低屈折率膜２７０は、ポーラスな（膜密度が低い）膜としてもよく、例えば、ＳｉＯ_ｘをポーラスな膜とすることで、屈折率が１．４以下のより一層低屈折率な膜を得ることができる。

　また、低屈折率膜２７０は、端面の保護膜２１１内に低屈折率部として形成されていても良く、空隙やエアギャップも含まれる。

　低屈折率膜２７０による屈折率差界面が形成されることで、有機ＥＬ膜２２２から発光した光が側壁反射され、光取り出し効率を向上させることができる。副画素内において屈曲した画素形状の端面が形成されることで、副画素の周辺部だけでなく、副画素内部においても側壁反射面積が増える。これにより、光取り出し効率を更に高めることができる。

　図５４は、本技術の第７の実施の形態における有機ＥＬ膜２２２の平面図の一例を示す図である。Ｚ軸方向から見た有機ＥＬ膜２２２の形状は、所定数の屈曲部を有するものであれば、前述のＳ字状に限定されない。

　例えば、同図におけるａに例示するように、複数の平行線の間に、それらに垂直な方向に横線を引いた形状（いわゆる、阿弥陀籤状）であってもよい。また、同図におけるｂに例示するように、有機ＥＬ膜２２２の一部の幅が、それ以外の部分の幅と異なる形状であってもよい。例えば、Ｙ軸方向において、座標Ｙ１からＹ２の部分の幅は、座標Ｙ２からＹ３の部分よりも広くなるように形成されている。また、同図におけるｃに例示するように、有機ＥＬ膜２２２は、複数の切れ込みが形成された形状（いわゆる、くし形）であってもよい。同図におけるｃは、隣接する副画素２０１および２０２の形状である。

　また、図５５におけるａに例示するように、有機ＥＬ膜２２２は、渦巻き状であってもよい。また、同図におけるｂに例示するように、Ｕ字形状であってもよい。また、９０度回転や、反転配置を行うこともできる。色ごとに、副画素の向きを変えることもできる。また、画素アレイ部１２０の外周部に向かうにつれて、配置角度を変えることもできる。

　なお、アノード電極２２３は、屈曲部を有するパターンに加工されていなかったが、この構成に限定されない。

　図５６に例示するように、保護膜２１１、カソード電極２２１および有機ＥＬ膜２２２とともに、それらと同形状（Ｓ字状など）にアノード電極２２３を加工することもできる。

　また、図５７に例示するように、屈曲部を有する形状の副画素を、ストライプ配列することができる。

　あるいは、図５８に例示するように、副画素をデルタ配列することもできる。

　もしくは、図５９や図６０に例示するように、正方配列することもできる。正方配列する場合、図５９に例示するように、２行×２列を配置した画素内で、２つのＢの副画素を隣接して配置することもできる。図６０に例示するように、２つのＢの副画素を斜め方向に配列することもできる。

　なお、第７の実施の形態に、第２から第５の実施の形態のそれぞれを適用することができる。

　このように、本技術の第７の実施の形態によれば、副画素内の有機ＥＬ膜２２２が、所定数の屈曲部を有する形状であるため、光取り出し効率を向上させることができる。

　＜８．第８の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見て副画素の側壁に凹凸を形成していなかったが、この構成では、混色の防止効果や光取り出し効率をさらに向上させることが困難である。この第８の実施の形態における表示装置１００は、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見て副画素の側壁に凹凸を形成して、混色を防止し、光取り出し効率を向上させた点において第１の実施の形態と異なる。

　図６１は、本技術の第８の実施の形態における画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す図である。同図におけるａは、接続部を含まない切断面で切断した際の画素アレイ部１２０の断面図の一例である。同図におけるｂは、接続部を含む切断面で切断した際の画素アレイ部１２０の断面図の一例である。

　同図におけるａに例示するように、Ｒ(Red)、Ｇ(Green)およびＢ(Blue)のそれぞれの副画素において、アノード電極２２３に、有機ＥＬ膜２２２、カソード電極２２１および保護膜２１２が積層される。また、有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１のそれぞれの側面と保護膜２１２の側面および上部とを覆うように保護膜２１１が形成される。また、副画素のそれぞれの間には、低屈折率膜２７０が埋め込まれ、その上部にカラーフィルタ２６２およびオンチップレンズ２６１が形成される。

　また、同図におけるａに例示するように、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見て保護膜２１１の側壁、言い換えれば、副画素の側壁には、凹凸が形成される。この凹凸の形成により、凹凸の無い場合と比較して、副画素のそれぞれの側壁反射が増強され、封止性を維持したまま、直上のカラーフィルタ２６２への入射光量が増加する。その結果、混色を防止するとともに、光取り出し効率を向上させることができる。凹凸のうち凸部の断面形状は、例えば、矩形である。

　図６２は、本技術の第８の実施の形態における製造工程を説明するための図である。同図におけるａに例示するように、製造システムは、基板２４０上に、アノード電極２２３、有機ＥＬ膜２２２、カソード電極２２１および保護膜２１２を副画素ごとに形成し、保護膜２１１により埋め込みを行う。保護膜２１１の屈折率は、副画素上の保護膜２１２の屈折率より低い値、あるいは、同等の値である。

　そして、同図におけるｂに例示するように、製造システムは、再度のドライエッチングにより保護膜２１１の側壁に凹凸を形成し、同図におけるｃに例示するように、低屈折率膜２７０により埋め込む。

　図６３は、本技術の第８の実施の形態における副画素の配列方法の一例を示す図である。例えば、同図におけるａおよびｂに例示するように、副画素は正方配列される。正方配列する場合、同図におけるａに例示するように、Ｒ、ＧおよびＢの副画素を配列してもよいし、同図におけるｂに例示するように、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷ（White）の副画素を配列してもよい。

　また、同図におけるｃおよびｄに例示するように、副画素をデルタ配列することもできる。デルタ配列する場合、同図におけるｃに例示するように、Ｒ、ＧおよびＢの副画素を配列してもよいし、同図におけるｄに例示するように、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの副画素を配列してもよい。

　あるいは、同図におけるｅおよびｆに例示するように、副画素をストライプ配列することもできる。ストライプ配列する場合、同図におけるｅに例示するように、Ｒ、ＧおよびＢの副画素を配列してもよいし、同図におけるｆに例示するように、Ｒ、Ｇ、ＢおよびＷの副画素を配列してもよい。

　また、図６４に例示するように、隣接する画素間にカソードコンタクト電極２２４を配置することもできる。

　なお、第８の実施の形態に、第２から第７の実施の形態のそれぞれを適用することができる。

　このように、本技術の第８の実施の形態によれば、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見て副画素の側壁に凹凸を形成したため、混色を防止し、光取り出し効率を向上させることができる。

　［第１の変形例］
　上述の第８の実施の形態では、副画素のそれぞれの保護膜２１１の側壁に凹凸を形成していたが、保護膜２１１以外に凹凸を形成することもできる。この第８の実施の形態の第１の変形例における表示装置１００は、テクスチャ膜を追加し、そのテクスチャ膜に凹凸を形成した点において第８の実施の形態と異なる。

　図６５は、本技術の第８の実施の形態の第１の変形例における画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す図である。この第８の実施の形態の第１の変形例の副画素のそれぞれの保護膜２１１の上面および側面は、テクスチャ膜２１５により覆われる。保護膜２１１の代わりに、テクスチャ膜２１５に凹凸が形成される。テクスチャ膜２１５として、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が用いられる。

　図６６は、本技術の第８の実施の形態の第１の変形例における製造工程を説明するための図である。同図におけるａに例示するように、第８の実施の形態の第１の変形例では、保護膜２１１による埋め込みが行われない。同図におけるｂに例示するように、製造システムは、保護膜２１１の上面および側面に、凹凸のあるテクスチャ膜２１５を形成する。そして、同図におけるｃに例示するように、製造システムは、副画素の間を低屈折率膜２７０により埋め込む。

　なお、図６７に例示するように、副画素の間に、テクスチャ膜２１５により囲まれたエアギャップを形成することもできる。

　このように、本技術の第８の実施の形態の第１の変形例によれば、テクスチャ膜２１５に凹凸を形成したため、その側壁で光を反射させて混色を防止し、光取り出し効率を向上させることができる。

　［第２の変形例］
　上述の第８の実施の形態では、副画素の側壁全体に凹凸を形成していたが、側壁の一部にのみ凹凸を形成することもできる。この第８の実施の形態の第２の変形例における表示装置１００は、側壁の上部や下部に凹凸を形成した点において第８の実施の形態と異なる。

　図６８は、本技術の第８の実施の形態の第２の変形例における画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す図である。この第８の実施の形態の第２の変形例の画素アレイ部１２０は、保護膜２１０の側壁の上部にのみ凹凸が形成される点において第８の実施の形態と異なる。

　図６９は、本技術の第８の実施の形態の第２の変形例における製造工程を説明するための図である。同図におけるａに例示するように、製造システムは、有機ＥＬ膜２２２を形成し、その上部にカソード電極２２１の層を形成する。この段階では、有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１は、副画素ごとに分離されていないものとする。

　カソード電極２２１の上部に、エッチングした際にエッチングレートの異なる複数の層を積層することにより、保護膜２１２を形成する。例えば、エッチングレートが高くなる層２１２－１と、エッチングレートが低くなる層２１２－２とが交互に積層される。

　同図におけるｂに例示するように、製造システムは、ドライエッチングにより、保護膜２１２を副画素ごとに分離し、同図におけるｃに例示するように、ウェットエッチングにより、エッチングレート差を利用して保護膜２１１の側壁に凹凸を形成する。

　そして、同図におけるｄに例示するように、製造システムは、ドライエッチングにより保護膜２１１、有機ＥＬ膜２２２およびカソード電極２２１を副画素ごとに分離し、分離した部分のそれぞれの上部および側面にさらに保護膜２１２を形成する。これにより、保護膜２１１および２１２からなる保護膜２１０の側壁の上部にのみ凹凸が形成される。

　なお、図７０に例示するように、側壁の下部にのみ凹凸を形成することもできる。

　このように、本技術の第８の実施の形態の第２の変形例によれば、側壁の上部や下部にのみ凹凸を形成したため、側壁反射の反射面積を調整することができる。

　［第３の変形例］
　上述の第８の実施の形態では、側壁の凹凸の凸部の断面形状を矩形にしていたが、凸部の断面形状は矩形に限定されない。この第８の実施の形態の第３の変形例における表示装置１００は、凹凸の断面形状を変更した点において第８の実施の形態と異なる。

　図７１は、本技術の第８の実施の形態の第３の変形例における画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す図である。同図におけるａは、凸部の断面形状を三角形にした画素アレイ部の断面図の一例を示す。同図におけるｂは、凹部の断面形状を半円にした画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す。

　同図におけるａに例示するように、凸部の断面形状を三角形にすることができる。あるいは、同図におけるｂに例示するように凹部の断面形状を半円にすることもできる。凹凸の断面形状を変更することにより、側面反射の反射率を変更し、光取り出し効率を調整することができる。

　上述の三角形なども含め、側壁の凹凸の断面形状として、任意の形状を選択することができる。例えば、凹凸は、凸部の頂点を複数含む多角形で構成され、凸部の断面形状は、三角形、四角形、多角形および円形のうち、少なくとも１つを含み、一部に曲線を含んでもよい。シミュレーションによれば、凹凸形状を導入することで、どの視野角においても発光強度が向上する。発光強度は、凹部の深さや幅に依存して増加し、例えば、その深さが２００ナノメートル（ｎｍ）で、幅が１２０ナノメートル（ｎｍ）の場合に、凹凸の無い場合の１．２１倍になる。

　このように、本技術の第８の実施の形態の第３の変形例によれば、凹凸の断面形状を変更したため、光取り出し効率を調整することができる。

　［第４の変形例］
　上述の第８の実施の形態では、副画素の間に低屈折率膜２７０を埋め込んでいたが、埋め込まずに空隙を設けることもできる。この第８の実施の形態の第４の変形例は、副画素の間に空隙を設ける点において第８の実施の形態と異なる。

　図７２は、本技術の第８の実施の形態の第４の変形例における画素アレイ部１２０の断面図の一例を示す図である。この第８の実施の形態の第４の変形例において、副画素の間には、保護膜２１１で囲まれた空隙が設けられる。保護膜２１１の上部には、低屈折率膜２７０が積層される。空隙により、側面反射の反射率を変更し、光取り出し効率を調整することができる。

　このように、本技術の第８の実施の形態の第３の変形例によれば、副画素の間に空隙を設けたため、光取り出し効率を調整することができる。

　＜９．第９の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、Ｚ軸方向から見て副画素と、副画素間の接続部とに有機ＥＬ膜２２２を形成していた。しかし、このレイアウトにおいて、有機ＥＬ膜２２２の形成されない箇所を開口部として、その開口部の辺のなす角度が小さいと、側壁の保護膜２１１のカバレッジが悪化して水分の侵入パスが生じるおそれがある。この第９の実施の形態における表示装置１００は、開口部の辺のなす角度が大きくなるようなレイアウトで有機ＥＬ膜２２２を形成した点において第１の実施の形態と異なる。

　図７３は、本技術の第１の実施の形態における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトの一例を示す平面図である。第９の実施の形態と比較するため、同図におけるａに、Ｚ軸方向から見た際の第１の実施の形態における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトを示す。

　同図におけるａに例示するように、有機ＥＬ膜２２２は、所定数の副画素と、それらの副画素の間の接続部と、それらの副画素を囲む枠状のフレーム２２２－１とに形成される。円形の領域は、副画素を示し、円形同士を接続する矩形部分が接続部を示す。点線は、フレーム２２２－１の境界を示す。フレーム２２２－１の境界は直線であり、その境界により一部の副画素が切断される。

　副画素の間の画素間領域は、接続部にのみ有機ＥＬ膜２２２が残されるため、有機ＥＬ膜２２２には、複数の開口部が形成される。これらの開口部は、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１と、フレーム２２２－１に接する辺の無い開口部２８２とに分けられる。

　同図におけるｂは、開口部２８１の拡大図を示す。同図におけるｂの太線は、開口部２８１の境界を示す。この境界は、直線状の辺と、円弧とを含む。これらのうち２辺のなす角度は、例えば、１２０°または３０°である。

　同図におけるｃは、開口部２８２の拡大図を示す。同図におけるｃの太線は、開口部２８２の境界を示す。この境界も直線状の辺と円弧とを含む。これらのうち２辺のなす角度は、例えば、６０°または１２０°である。

　図７４は、本技術の第１の実施の形態における開口部の斜視図の一例である。同図におけるａは、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１の２辺のなす角度のうち最も小さい角度を示し、その角度は３０°である。

　同図におけるｂは、フレーム２２２－１に接する辺の無い開口部２８２の２辺のなす角度のうち最も小さい角度を示し、その角度は６０°である。

　上述したように、開口部２８１の２辺のなす角度の最小値は、開口部２８２と比較して小さい。このように角度が小さいと、有機ＥＬ膜２２２の側壁の保護膜２１１（窒化シリコンなど）のカバレッジが悪化し、その保護膜２２１の薄い箇所が生じる。この箇所は、水分の侵入パスになりやすい。水分が侵入すると、有機ＥＬ膜２２２にダメージが形成され、劣化するおそれがある。

　図７５は、本技術の第９の実施の形態における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトの一例を示す平面図である。同図に例示するように、第９の実施の形態では、第１の実施の形態で開口部２８１であった個所にも有機ＥＬ膜２２２を形成している。これにより、点線に示すフレーム２２２－１の境界は、のこぎり刃状となる。この形状のフレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１－１の形状は、フレーム２２２－１に接する辺の無い開口部２８２と同じ形状となる。なお、開口部２８１－１は、特許請求の範囲に記載の第１の開口部の一例であり、開口部２８２は、特許請求の範囲に記載の第２の開口部の一例である。

　開口部２８２－１および開口部２８２の形状が同一であるため、開口部２８２－１の２辺のなす角度の最小値は、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等になる。これにより、第１の実施の形態と比較して、フレーム２２２－１の近傍の保護膜２１１の膜厚を、フレーム２２２－１から離れた副画素側面と同等にすることができ、フレーム２２２―１の劣化を回避することができる。特に、画素の高密度化を進展させる際、開口部のアスペクト比が一層高くなり、保護膜２１１のカバレッジが悪化するため、同図に例示したレイアウトによる劣化回避が重要になる。

　なお、後述するように、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部の２辺のなす角度の最小値を、フレーム２２２－１に接する辺の無い開口部の２辺のなす角度の最小値よりも大きくすることもできる。また、第９の実施の形態に、第２から第８の実施の形態のそれぞれを適用することができる。

　このように、本技術の第９の実施の形態によれば、開口部２８１－１の２辺のなす角度の最小値を、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等にしたため、フレーム２２２－１の劣化を抑制することができる。

　［第１の変形例］
　上述の第９の実施の形態では、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１－１の形状を、そうでない開口部２８２と同一にしていたが、このレイアウトに限定されない。この第９の実施の形態の第１の変形例における表示装置１００は、レイアウトを変更した点において第９の実施の形態と異なる。

　図７６は、本技術の第９の実施の形態の第１の変形例における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトの一例を示す平面図である。同図におけるａに例示するように、第９の実施の形態の第１の変形例において、フレーム２２２－１の境界は、のこぎり波状の辺と、直線状の辺とを含む。前者に接する開口部２８１－１は、開口部２８２と同じ形状である。一方、後者に接する開口部２８１－２は、開口部２８２と形状が異なり、三角形に近い形状となる。

　同図におけるｂは、開口部２８１－２の拡大図を示す。この開口部２８１－２の２辺のなす角度の最小値は、６０°である。

　同図におけるａおよびｂに例示したように、開口部２８２と形状の異なる２８１－２についても、２辺のなす角度の最小値は、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等である。このため、フレーム２２２－１の劣化を抑制することができる。

　このように、本技術の第９の実施の形態の第１の変形例によれば、形状の異なる開口部２８１－２についても２辺のなす角度の最小値を、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等にしたため、フレーム２２２－１の劣化を抑制することができる。

　［第２の変形例］
　上述の第９の実施の形態では、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１－１の形状を、そうでない開口部２８２と同一にしていたが、このレイアウトに限定されない。この第９の実施の形態の第２の変形例における表示装置１００は、レイアウトを変更した点において第９の実施の形態と異なる。

　図７７は、本技術の第９の実施の形態の第２の変形例における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトの一例を示す平面図である。同図におけるａに例示するように、第９の実施の形態の第２の変形例において、副画素に該当する円形の部分は、フレーム２２２－１の近傍の領域に配置されず、フレーム２２２－１から十分に離れた位置に配置される。このレイアウトにより、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１－３、２８１－４、２８１－５の面積は、開口部２８２よりも大きくなる。

　同図におけるｂは、開口部２８１－５の拡大図を示す。同図におけるｂに例示するように、開口部２８１－５の２辺のなす角度の最小値は、６０°であり、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等である。他の開口部２８１－３および２８１－４についても同様である。これにより、フレーム２２２－１の劣化を抑制することができる。

　このように、本技術の第９の実施の形態の第２の変形例によれば、比較的面積の大きな開口部２８１－３等の２辺のなす角度の最小値を、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同等にしたため、フレーム２２２－１の劣化を抑制することができる。

　［第３の変形例］
　上述の第９の実施の形態では、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部２８１－１の形状を、そうでない開口部２８２と同一にしていたが、このレイアウトに限定されない。この第９の実施の形態の第３の変形例における表示装置１００は、レイアウトを変更した点において第９の実施の形態と異なる。

　図７８は、本技術の第９の実施の形態の第３の変形例における有機ＥＬ膜２２２のレイアウトの一例を示す平面図である。この第９の実施の形態の第３の変形例において、フレーム２２２－１の境界が線状であり、副画素に該当する円形の部分は、フレーム２２２－１から十分に離れた位置に配置される。このレイアウトにおいて、フレーム２２２－１に少なくとも１つの辺が接する開口部は、開口部２８１－６、２８１－７、２８１－８の３パターンとなる。

　開口部２８１－６および２８１－８のそれぞれにおいて、２辺のなす角度の最小値は６０°であり、開口部２８２の２辺のなす角度の最小値と同一である。一方、フレーム２２２－１のコーナーに隣接する開口部２８１－７の２辺のなす角度の最小値は、９０°であり、開口部２８２の２辺のなす角度よりも大きい。これにより、特にフレーム２２２－１のコーナーの近傍において、劣化が抑制される。

　このように、本技術の第９の実施の形態の第２の変形例によれば、コーナーに隣接する開口部２８１－７の２辺のなす角度の最小値を、開口部２８２の２辺のなす角度より大きくしたため、そのコーナー近傍の劣化を抑制することができる。

　［発光部、レンズ部材、波長選択部のそれぞれの中心を通る法線の関係］
　以下、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"との関係を説明する。ここで、副画素内の有機ＥＬ膜２２２などが、発光部に該当する。

　尚、発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光素子の波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、発光部の中心を通る法線とカラーフィルタ層ＣＦの中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ₀に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の平面形状は、レンズ部材の平面形状と同じであってもよいし、相似であってもよいし、異なっていてもよい。

　上述の各実施形態に示した例では、概念図を図７９におけるａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致している。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＝０である。

　また、上述の各実施形態では、概念図を図７９におけるｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"とは、一致しているが、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致していない構成とすることもできる。即ち、Ｄ₀≠ｄ₀＝０である。

　更には、上述の各実施形態では、概念図を図７９におけるｃに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致している構成とすることもできる。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＞０である。

　概念図を図８０に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致しておらず、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"とは一致していない形態とすることもできる。ここで、発光部の中心とレンズ部材の中心（図８０において黒丸で示す）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心（図３１において黒四角で示す）が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心までの距離をＬＬ₁、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材の中心までの距離をＬＬ₂としたとき、
　　Ｄ₀＞ｄ₀＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　ｄ₀：Ｄ₀＝ＬＬ₁：（ＬＬ₁＋ＬＬ₂）
を満足することが好ましい。

　上述の各実施の形態では、概念図を図８１におけるａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致している構成とすることもできる。この場合、Ｄ₀＝ｄ₀＝０である。上述の各実施の形態は、概念図を図８１におけるｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"と、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致している構成とすることもできる。この場合、Ｄ₀＝ｄ₀＞０である。

　概念図を図８２に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"及びレンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'とは、一致しておらず、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ'は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ"とは一致していない形態とすることもできる。ここで、発光部の中心とレンズ部材の中心とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心（図８２において黒四角で示す）までの距離をＬＬ₁、厚さ方向の波長選択部の中心からレンズ部材の中心（図８２において黒丸で示す）までの距離をＬＬ₂としたとき、
　　ｄ₀＞Ｄ₀＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　Ｄ₀：ｄ₀＝ＬＬ₂：（ＬＬ₁＋ＬＬ₂）
を満足することが好ましい。

　［各実施形態に適用される共振器構造の例］
　上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。

（共振器構造：第１例）
　図８３は、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。

　第１例において、第１電極３１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。第２電極６１においても同様である。

　発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。

　反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　図に示す例では、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて相違する。

　反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。

　光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光部５０の種類に応じて積層数が異なっても良い。

　第１電極３１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
第２電極６１は、半透過反射膜として機能する必要がある。第２電極６１は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。

（共振器構造：第２例）
　図８３におけるｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。
第２例においても、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。

　そして、第２例においても、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。

　図８３におけるａに示す第１例においては、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて相違していた。

　これに対し、図８３におけるｂに示す第２例において、第２電極６１の上面は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂで揃うように配置されている。第２電極６１の上面を揃えるために、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおいて反射板７１の上面は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、発光部５０の種類に応じた階段形状となる。

　反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第３例）
　図８４におけるａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。

　第３例においても、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。

　そして、第３例においても、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極６１との間に、有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは揃うように配置されている。

　図８３におけるｂに示す第２例にあっては、第２電極６１の上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光部５０の種類に応じた階段形状であった。

　これに対し、図８３におけるaに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１Ｒ，７１Ｇ，７１Ｂの下面が揃うように膜厚が設定されている。

　反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第４例）
　図８４におけるｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。

　図８３におけるａに示す第１例において、各発光部５０の第１電極３１や第２電極６１は、共通の膜厚で形成されている。そして、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。

　これに対し、図８４におけるｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１電極３１の膜厚を、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて異なるように設定した。

　反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。第１電極３１の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第５例）
　図８５におけるａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。

　図８３におけるａに示す第１例において、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。そして、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。

　これに対し、図８５におけるａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて異なるように設定した。

　酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２電極６１との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。

　発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。

　先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。

　そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１Ｒ，７１Ｇ，７１Ｂのそれぞれに発光部５０の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。

　反射板７１、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第６例）
　図８５におけるｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。

　第６例において、発光部５０は、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極３１は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１電極（兼反射板）３１は、発光部５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極（兼反射板）３１による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　第１電極（兼反射板）３１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光部５０Ｒの第１電極（兼反射板）３１Ｒを銅（Ｃｕ）で形成し、発光部５０Ｇの第１電極（兼反射板）３１Ｇと発光部５０Ｂの第１電極（兼反射板）３１Ｂとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。

　第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第７例）
　図８６は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。

　第７例は、基本的には、発光部５０Ｒ，５０Ｇについては第６例を適用し、発光部５０Ｂについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
発光部５０Ｒ，５０Ｇに用いられる第１電極（兼反射板）３１Ｒ，３１Ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。

　発光部５０Ｂに用いられる、反射板７１Ｂ、光学調整層７２Ｂおよび第１電極３１Ｂを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

　［電子機器］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものを含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
（具体例１）
　図８７におけるａ、ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の一実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置１００を用いることができる。
（具体例２）
　図８８は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の一実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置１００を用いることができる。
（具体例３）
　図８９は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有し、この映像表示画面部３３１は、上述の一実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置１００により構成されている。
（具体例４）

　図９０は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ４００は、本体部４０１、アーム４０２および鏡筒４０３で構成される。

　本体部４０１は、アーム４０２および眼鏡４１０と接続される。具体的には、本体部４０１の長辺方向の端部はアーム４０２と結合され、本体部４０１の側面の一側は接続部材を介して眼鏡４１０と連結される。なお、本体部４０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

　本体部４０１は、シースルーヘッドマウントディスプレイ４００の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム４０２は、本体部４０１と鏡筒４０３とを接続させ、鏡筒４０３を支える。具体的には、アーム４０２は、本体部４０１の端部および鏡筒４０３の端部とそれぞれ結合され、鏡筒４０３を固定する。また、アーム４０２は、本体部４０１から鏡筒４０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

　鏡筒４０３は、本体部４０１からアーム４０２を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ４００を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ４００において、本体部４０１の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

　例えば、本実施形態に係る表示装置１００は、スマートフォン等の電子機器が備える表示部に適用することができる。具体的には、図９１に示すように、スマートフォン６００は、各種情報を表示する表示部６０２や、ユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部等を有する。上記表示部６０２は、本実施形態に係る表示装置１００であることができる。

　（本開示による表示装置１００及び電子機器の適用例）
　（第１適用例）
　本開示による表示装置１００及び電子機器は、種々の用途に用いることができる。図９２におけるａ及びｂは本開示による表示装置１００を備えた電子機器の第１適用例である乗物の内部の構成を示す図である。図９２におけるａは乗物の後方から前方にかけての乗物の内部の様子を示す図、図９２におけるｂは乗物の斜め後方から斜め前方にかけての乗物の内部の様子を示す図である。

　図９２におけるａ及びｂの乗物は、センターディスプレイ５０１と、コンソールディスプレイ５０２と、ヘッドアップディスプレイ５０３と、デジタルリアミラー５０４と、ステアリングホイールディスプレイ５０５と、リアエンタテイメントディスプレイ５０６とを有する。

　センターディスプレイ５０１は、ダッシュボード上の運転席５０８及び助手席５０９に対向する場所に配置されている。図９２では、運転席５０８側から助手席５０９側まで延びる横長形状のセンターディスプレイ５０１の例を示すが、センターディスプレイ５０１の画面サイズや配置場所は任意である。センターディスプレイ５０１には、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。具体的な一例として、センターディスプレイ５０１には、イメージセンサで撮影した撮影画像、ＴｏＦセンサで計測された乗物前方や側方の障害物までの距離画像、赤外線センサで検出された乗客の体温などを表示可能である。センターディスプレイ５０１は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。

　安全関連情報は、居眠り検知、よそ見検知、同乗している子供のいたずら検知、シートベルト装着有無、乗員の置き去り検知などの情報であり、例えばセンターディスプレイ５０１の裏面側に重ねて配置されたセンサにて検知される情報である。操作関連情報は、センサを用いて乗員の操作に関するジェスチャを検知する。検知されるジェスチャは、乗物５００内の種々の設備の操作を含んでいてもよい。例えば、空調設備、ナビゲーション装置、ＡＶ装置、照明装置等の操作を検知する。ライフログは、乗員全員のライフログを含む。例えば、ライフログは、乗車中の各乗員の行動記録を含む。ライフログを取得及び保存することで、事故時に乗員がどのような状態であったかを確認できる。健康関連情報は、温度センサなどのセンサを用いて乗員の体温を検知し、検知した体温に基づいて乗員の健康状態を推測する。あるいは、イメージセンサを用いて乗員の顔を撮像し、撮像した顔の表情から乗員の健康状態を推測してもよい。さらに、乗員に対して自動音声で会話を行って、乗員の回答内容に基づいて乗員の健康状態を推測してもよい。認証／識別関連情報は、センサを用いて顔認証を行うキーレスエントリ機能や、顔識別でシート高さや位置の自動調整機能などを含む。エンタテイメント関連情報は、センサを用いて乗員によるＡＶ装置の操作情報を検出する機能や、センサで乗員の顔を認識して、乗員に適したコンテンツをＡＶ装置にて提供する機能などを含む。

　コンソールディスプレイ５０２は、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。コンソールディスプレイ５０２は、運転席５０８と助手席５０９の間のセンターコンソール５１０のシフトレバー５１１の近くに配置されている。コンソールディスプレイ５０２にも、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。また、コンソールディスプレイ５０２には、イメージセンサで撮像された車両周辺の画像を表示してもよいし、車両周辺の障害物までの距離画像を表示してもよい。

　ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の前方のフロントガラス５１２の奥に仮想的に表示される。ヘッドアップディスプレイ５０３は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の正面に仮想的に配置されることが多いため、乗物５００の速度や燃料（バッテリ）残量などの乗物５００の操作に直接関連する情報を表示するのに適している。

　デジタルリアミラー５０４は、乗物の後方を表示できるだけでなく、後部座席の乗員の様子も表示できるため、デジタルリアミラー５０４の裏面側に重ねてセンサを配置することで、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。

　ステアリングホイールディスプレイ５０５は、乗物のハンドル５１３の中心付近に配置されている。ステアリングホイールディスプレイ５０５は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、ステアリングホイールディスプレイ５０５は、運転者の手の近くにあるため、運転者の体温等のライフログ情報を表示したり、ＡＶ装置や空調設備等の操作に関する情報などを表示するのに適している。

　リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、運転席５０８や助手席５０９の背面側に取り付けられており、後部座席の乗員が視聴するためのものである。リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、後部座席の乗員の目の前にあるため、後部座席の乗員に関連する情報が表示される。例えば、ＡＶ装置や空調設備の操作に関する情報を表示したり、後部座席の乗員の体温等を温度センサで計測した結果を表示してもよい。

　上述したように、表示装置１００の裏面側に重ねてセンサを配置することで、周囲に存在する物体までの距離を計測することができる。光学的な距離計測の手法には、大きく分けて、受動型と能動型がある。受動型は、センサから物体に光を投光せずに、物体からの光を受光して距離計測を行うものである。受動型には、レンズ焦点法、ステレオ法、及び単眼視法などがある。能動型は、物体に光を投光して、物体からの反射光をセンサで受光して距離計測を行うものである。能動型には、光レーダ方式、アクティブステレオ方式、照度差ステレオ法、モアレトポグラフィ法、干渉法などがある。本開示による表示装置１００は、これらのどの方式の距離計測にも適用可能である。本開示による表示装置１００の裏面側に重ねて配置されるセンサを用いることで、上述した受動型又は能動型の距離計測を行うことができる。

　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。

　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）極性の異なる第１電極および第２電極と、
　所定平面に垂直な方向から見て所定数の副画素と前記所定数の副画素の間の画素間領域のうち隣接する副画素同士を互いに接続する部分である接続部とに形成され、前記所定平面に平行な方向から見て第１電極および第２電極の間に形成された有機ＥＬ膜と
を具備する表示装置。
（２）前記接続部は、前記画素間領域の一部である
前記（１）記載の表示装置。
（３）前記第１電極は、前記垂直な方向から見て前記副画素ごとに当該副画素を囲む所定領域内に形成され、
　前記第２電極は、前記垂直な方向から見て前記所定数の副画素と前記接続部とに形成される
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記所定数の副画素が配列された画素アレイ部を覆う保護膜をさらに具備し、
　前記保護膜のうち前記所定数の副画素を覆う所定部分の膜厚は、前記所定部分に該当しない部分の膜厚よりも大きい
前記（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）前記接続部は、前記画素間領域のうち矩形領域に該当しない部分に形成される
前記（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）前記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、
　前記第２電極の幅は、前記画素アレイ部の中央部からの距離に応じた値である
前記（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記接続部の一端は、前記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素の一方に接続され、
　前記接続部の他端は、前記一対の副画素の他方に接続され、
　前記一端の幅は、前記他端と異なる
前記（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、
　前記幅は、前記画素アレイ部の中心からの距離に応じた値である
前記（７）記載の表示装置。
（９）前記接続部は、矩形の第１および第２の接続部を含み、
　前記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素は、前記第１および第２の接続部により接続される
前記（１）記載の表示装置。
（１０）前記接続部の辺は、弧を描く
前記（１）記載の表示装置。
（１１）前記接続部の中央の幅は、前記接続部の両端の幅よりも広い
前記（１）記載の表示装置。
（１２）前記接続部の中央部には、前記有機ＥＬ膜が形成されない開口領域が設けられる
前記（１１）記載の表示装置。
（１３）前記有機ＥＬ膜は、前記垂直な方向から見て前記所定数の副画素と前記接続部と前記画素間領域のうち前記接続部同士を接続するブリッジ領域とに形成される
前記（１）記載の表示装置。
（１４）前記副画素の形状は、前記垂直な方向から見てコア部と複数の凸部とを複合した図形である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜の形状は、所定数の屈曲部を有する形状である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）前記所定平面に平行な方向から見て前記副画素の側壁には、凹凸が形成される
前記（１）から（１５）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）前記所定数の副画素は、デルタ配列される
前記（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）前記所定数の副画素は、正方配列される
前記（１）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）前記所定数の副画素は、ストライプ配列される
前記（１）から（１８）のいずれかに記載の表示装置。
（２０）前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜は、所定数の前記副画素を囲むフレームと所定数の前記副画素と前記接続部とに形成され、
　前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜には複数の開口部が形成され、
　前記複数の開口部は、前記フレームに少なくとも１つの辺が接する第１の開口部と前記第１の開口部に該当しない第２の開口部とを含み、
　前記第１の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度は、前記第２の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度を超えない
前記（１）から（１９）のいずれかに表示装置。

　３１　第１電極
　４０　有機層
　５０　発光部
　６１　第２電極
　７１　反射板
　７２　光学調整層
　７３　下地
　７４　酸化膜
　１００　表示装置
　１１１　制御回路
　１１２　Ｈドライバ
　１１３　Ｖドライバ
　１２０　画素アレイ部
　２００　画素
　２０１～２０３　副画素
　２１０、２１１、２１２　保護膜
　２１５　テクスチャ膜
　２２１　カソード電極
　２２２　有機ＥＬ膜
　２２２－１　フレーム
　２２３　アノード電極
　２２４　カソードコンタクト電極
　２３０　絶縁膜
　２４０　基板
　２５０　フォトレジスト
　２６１　オンチップレンズ
　２６２　カラーフィルタ
　２７０　低屈折率膜
　２８１、２８１－１、２８１－２、２８１－３、２８１－４、２８１－５、２８１－６、２８１－７、２８１－８、２８２　開口部
　３１０　デジタルスチルカメラ
　３１１　カメラ本体部
　３１２　撮影レンズユニット
　３１３　グリップ部
　３１４　モニタ
　３１５　電子ビューファインダ
　３２０　ヘッドマウントディスプレイ
　３２１　表示部
　３２２　耳掛け部
　３３０　テレビジョン装置
　３３１　映像表示画面部
　３３２　フロントパネル
　３３３　フィルターガラス
　４００　シースルーヘッドマウントディスプレイ
　４０１　本体部
　４０２　アーム
　４０３　鏡筒
　４１０　眼鏡
　５０１　センターディスプレイ
　５０２　コンソールディスプレイ
　５０３　ヘッドアップディスプレイ
　５０４　デジタルリアミラー
　５０５　ステアリングホイールディスプレイ
　５０６　リアエンタテイメントディスプレイ
　５０８　運転席
　５０９　助手席
　５１０　センターコンソール
　５１１　シフトレバー
　５１２　フロントガラス
　５１３　ハンドル
　６００　スマートフォン
　６０２　表示部

Claims (20)

1. 　極性の異なる第１電極および第２電極と、
   　所定平面に垂直な方向から見て所定数の副画素と前記所定数の副画素の間の画素間領域のうち隣接する副画素同士を互いに接続する部分である接続部とに形成され、前記所定平面に平行な方向から見て第１電極および第２電極の間に形成された有機ＥＬ膜と
   を具備する表示装置。
2. 　前記接続部は、前記画素間領域の一部である
   請求項１記載の表示装置。
3. 　前記第１電極は、前記垂直な方向から見て前記副画素ごとに当該副画素を囲む所定領域内に形成され、
   　前記第２電極は、前記垂直な方向から見て前記所定数の副画素と前記接続部とに形成される
   請求項１記載の表示装置。
4. 　前記所定数の副画素が配列された画素アレイ部を覆う保護膜をさらに具備し、
   　前記保護膜のうち前記所定数の副画素を覆う所定部分の膜厚は、前記所定部分に該当しない部分の膜厚よりも大きい
   請求項１記載の表示装置。
5. 　前記接続部は、前記画素間領域のうち矩形領域に該当しない部分に形成される
   請求項１記載の表示装置。
6. 　前記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、
   　前記第２電極の幅は、前記画素アレイ部の中央部からの距離に応じた値である
   請求項１記載の表示装置。
7. 　前記接続部の一端は、前記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素の一方に接続され、
   　前記接続部の他端は、前記一対の副画素の他方に接続され、
   　前記一端の幅は、前記他端と異なる
   請求項１記載の表示装置。
8. 　前記所定数の副画素は、画素アレイ部内に配列され、
   　前記幅は、前記画素アレイ部の中心からの距離に応じた値である
   請求項７記載の表示装置。
9. 　前記接続部は、矩形の第１および第２の接続部を含み、
   　前記所定数の副画素のうち隣接する一対の副画素は、前記第１および第２の接続部により接続される
   請求項１記載の表示装置。
10. 　前記接続部の辺は、弧を描く
    請求項１記載の表示装置。
11. 　前記接続部の中央の幅は、前記接続部の両端の幅よりも広い
    請求項１記載の表示装置。
12. 　前記接続部の中央部には、前記有機ＥＬ膜が形成されない開口領域が設けられる
    請求項１１記載の表示装置。
13. 　前記有機ＥＬ膜は、前記垂直な方向から見て前記所定数の副画素と前記接続部と前記画素間領域のうち前記接続部同士を接続するブリッジ領域とに形成される
    請求項１記載の表示装置。
14. 　前記副画素の形状は、前記垂直な方向から見てコア部と複数の凸部とを複合した図形である
    請求項１記載の表示装置。
15. 　前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜の形状は、所定数の屈曲部を有する形状である
    請求項１記載の表示装置。
16. 　前記所定平面に平行な方向から見て前記副画素の側壁には、凹凸が形成される
    請求項１記載の表示装置。
17. 　前記所定数の副画素は、デルタ配列される
    請求項１記載の表示装置。
18. 　前記所定数の副画素は、正方配列される
    請求項１記載の表示装置。
19. 　前記所定数の副画素は、ストライプ配列される
    請求項１記載の表示装置。
20. 　前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜は、所定数の前記副画素を囲むフレームと所定数の前記副画素と前記接続部とに形成され、
    　前記垂直な方向から見て前記有機ＥＬ膜には複数の開口部が形成され、
    　前記複数の開口部は、前記フレームに少なくとも１つの辺が接する第１の開口部と前記第１の開口部に該当しない第２の開口部とを含み、
    　前記第１の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度は、前記第２の開口部の２辺のなす角度のうち最も小さい角度を超えない
    請求項１記載の表示装置。

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