WO2024117219A1

WO2024117219A1 - 発光装置および電子機器

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Publication number: WO2024117219A1
Application number: PCT/JP2023/042892
Authority: WO
Inventors: 利章白岩; 直也笠原; 大輔濱下; 昌也小倉; 忠之木村; 洋輔藤井; 正治小林; 航平福島; 克尚釘宮; 朋和大地; 雅貴杉安
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2022-11-30
Filing date: 2023-11-30
Publication date: 2024-06-06

Abstract

有機物含有層と第１電極の間における剥がれの発生を抑制することができる発光装置を提供する。　発光装置は、第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、各発光素子上に設けられ、隣接する発光素子の間で分離された保護層と、各有機物含有層の側面、各第２電極の側面および各保護層の側面を覆う側面保護層とを備える。保護層の側面は、第２電極の側面の内側に位置している。

Description

発光装置および電子機器

　本開示は、発光装置および電子機器に関する。

　２次元配置された複数の発光素子を備え、当該発光素子が、第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを順に備える発光装置は、近年広く知られている。この種の表示装置として、隣接する発光素子の間において有機物含有層が分断された構造を有するものが提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００４－１２７６３７号公報

　しかしながら、隣接する発光素子の間において有機物含有層が分断された表示装置では、有機物含有層と第２電極の間で剥がれが発生することがある。このような剥がれが発生すると、発光素子の駆動電圧が高電圧化する虞がある。

　本開示の目的は、有機物含有層と第１電極の間における剥がれの発生を抑制することができる発光装置および電子機器を提供することにある。

　上述の課題を解決するために、本開示に係る第１の発光装置は、
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各発光素子上に設けられ、隣接する発光素子の間で分離された保護層と、
　各有機物含有層の側面、各第２電極の側面および各保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　保護層の側面は、第２電極の側面の内側に位置している。

　本開示に係る第２の発光装置は、
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各発光素子の側面に設けられた側面保護層と
　を備え、
　有機物含有層は、第２電極側の面に平坦部と傾斜部とを有し、傾斜部は、有機物含有層の側面に隣接して設けられ、
　第２電極は、平坦部と傾斜部に追随しており、傾斜部における第２電極の厚みは、平坦部における第２電極の厚みに比べて厚い。

　本開示に係る電子機器は、上記第１の発光装置または上記第２の発光装置を備える。

第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示領域の一部を拡大して表す平面図である。図２のIII－III線に沿った断面図である。発光素子の一部を拡大して表す断面図である。第１の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して表す平面図である。図６のＶII－ＶII線に沿った断面図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第２の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。参考例に係る表示装置の断面図である。発光素子を拡大して表す断面図である。第３の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して表す平面図である。図１３のＸIＶ－ＸIＶ線に沿った断面図である。発光素子を拡大して表す断面図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第３の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。発光素子を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第４の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第４の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第４の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第４の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。発光素子の一部を拡大して表す断面図である。第５の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。図２２Ｂの一部を拡大して表す製造工程図である。第５の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。第５の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。図３１Ａの一部を拡大して表す断面図である。第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。発光素子の一部を拡大して表す断面図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。図３４Ｆの一部を拡大して表す製造工程図である。第６の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。図３６Ａの一部を拡大して表す製造工程図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の製造工程図である。第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。隣接する発光素子間の領域を拡大して表す断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第６の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第８の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して表す平面図である。図４４の一部を拡大して表す平面図である。図４４のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図４４のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図４８Ａは、第８の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための平面図である。図４８Ｂは、図４８ＡのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図４８Ｃは、図４８ＡのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図４９Ａは、第８の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための平面図である。図４９Ｂは、図４９ＡのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図４９Ｃは、図４９ＡのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図５０Ａは、第８の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための平面図である。図５０Ｂは、図５０ＡのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図５０Ｃは、図５０ＡのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図５１Ａは、第８の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための平面図である。図５１Ｂは、図５１ＡのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図５１Ｃは、図５１ＡのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図５２Ａは、第８の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための平面図である。図５２Ｂは、図５２ＡのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図５２Ｃは、図５２ＡのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。第９の実施形態に係る表示装置の断面図である。変形例に係る表示装置の断面図である。発光素子を拡大して表す断面図である。図５６Ａ、図５６Ｂ、図５６Ｃはそれぞれ、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。図５７は、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。図５８Ａ、図５８Ｂはそれぞれ、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。図５９は、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。図６０Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。図６０Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。図６１Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。図６１Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。図６２Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。図６２Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。図６３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である図６４Ａは、デジタルスチルカメラの正面図である。図６４Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。図６５は、ヘッドマウントディスプレイの斜視図である。図６６は、テレビジョン装置の斜視図である。図６７は、シースルーヘッドマウントディスプレイの斜視図である。図６８は、スマートフォンの斜視図である。図６９Ａは、乗物の後方から前方にかけての乗物の内部の様子を示す図である。図６９Ｂは、乗物の斜め後方から斜め前方にかけての乗物の内部の様子を示す図である。第１０の実施形態に係る表示装置の表示領域の一部を拡大して表す平面図である。図７１のＬＸＸＩ－ＬＸＸＩ線に沿った断面図である。発光素子の一部を拡大して表す断面図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態に係る表示装置の製造工程図である。第１０の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。第１０の実施形態の変形例に係る表示装置の拡大断面図である。

　本開示の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　第１の実施形態（表示装置の例）
　２　第２の実施形態（表示装置の例）
　３　第３の実施形態（表示装置の例）
　４　第４の実施形態（表示装置の例）
　５　第５の実施形態（表示装置の例）
　６　第６の実施形態（表示装置の例）
　７　第７の実施形態（表示装置の例）
　８　第８の実施形態（表示装置の例）
　９　第９の実施形態（表示装置の例）
　１０　　第１０の実施形態（表示装置の例）
　１１　変形例
　１２　発光部、レンズ部材、波長選択部のそれぞれの中心を通る法線の関係
　１３　共振器構造の例
　１４　応用例（電子機器の例）

＜１　第１の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図１は、第１の実施形態に係る表示装置１０１の平面図である。表示装置１０１は、表示領域ＲＥ１と、表示領域ＲＥ１の周辺に設けられた周辺領域ＲＥ２とを有する。

　図２は、表示領域ＲＥ１の一部を拡大して表す平面図である。複数の副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂが、表示領域ＲＥ１内に規定の配置パターンで２次元配置されている。規定の配置パターンは、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、正方配列、モザイク配列またはこれら以外の配列であってもよい。パッド部１０１ａおよび映像表示用のドライバ（図示せず）等が、周辺領域ＲＥ２に設けられている。図示しないフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）が、パッド部１０１ａに接続されてもよい。

　副画素１０Ｒは、赤色光（第１光）を発光することができる。副画素１０Ｇは、緑色光（第２光）を発光することができる。副画素１０Ｂは、青色光（第３光）を発光することができる。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂを特に区別せず総称する場合には、副画素１０ということがある。１画素（１ピクセル）は、例えば、表示面の面内方向に隣接する複数の副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにより構成されてもよい。但し、１画素の構成は、この例に限定されるものではない。

　副画素１０の形状は特に限定されるものではないが、例示するならば、平面視において長方形状等の四角形状または六角形状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。本明細書において、長方形状には、正方形状も含まれるものとする。副画素１０のサイズの上限値は、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、さらにより好ましくは５μｍ以下、４μｍ以下または３．５μｍ以下である。副画素１０のサイズの下限値は、例えば１μｍ以上である。

　表示装置１０１は、発光装置の一例である。表示装置１０１は、トップエミッション方式のＯＬＥＤ表示装置であってもよい。表示装置１０１は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０１は、ＶＲ（Virtual Reality）装置、ＭＲ（Mixed Reality）装置、ＡＲ（Augmented Reality）装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に備えられてもよい。

　図３は、図２のIII－III線に沿った断面図である。表示装置１０１は、駆動基板１１と、複数の発光素子（第１発光素子）１２Ｒと、複数の発光素子（第２発光素子）１２Ｇと、複数の発光素子（第３発光素子）１２Ｂと、複数の保護層１３と、複数の側面保護層１４と、複数のサイドウォール１５Ｒと、複数のサイドウォール１５Ｇと、複数のサイドウォール１５Ｂと、保護層１６と、共通電極１７を備える。

　本明細書において、表示装置１０１を構成する各層の両面のうち、表示装置１０１のトップ側（表示面側）となる面を第１面といい、表示装置１０１のボトム側（表示面とは反対側）となる面を第２面ということがある。本明細書において、平面視とは、第１面に対して垂直な方向から対象物が見られたときの平面視を意味する。本明細書において、断面視とは、発光素子１２の幾何中心を通り、かつ、第１面の垂線に平行な面で表示装置１０１を切断することにより得られる切断面から、対象物が見られたときの断面視を意味する。本明細書において、第１面の周縁部とは、第１面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいい、第２面の周縁部とは、第２面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。

　以下の説明において、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを特に区別せず総称する場合には、発光素子１２ということがある。また、サイドウォール１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを特に区別せず総称する場合には、サイドウォール１５ということがある。

（駆動基板１１）
　駆動基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを駆動する。駆動基板１１は、例えば、基板１１１と、絶縁層１１２とを順に備える。

　複数の駆動回路および複数の配線（いずれも図示せず）等が、基板１１１の第１面に設けられていてもよい。基板１１１は、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されてもよい。具体的には、基板１１１は、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

　絶縁層１１２は、基板１１１の第１面に設けられ、複数の駆動回路および複数の配線等を覆い、駆動基板１１の第１面を平坦化してもよい。絶縁層１１２は、基板１１１の第１面に設けられた複数の駆動回路および複数の配線等と、複数の発光素子１２の間を絶縁してもよい。

　絶縁層１１２は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ）
　発光素子１２Ｒの発光光の色、発光素子１２Ｇの発光光の色および発光素子１２Ｂの発光光の色は異なっている。発光素子１２Ｒは、駆動回路等の制御に基づき、赤色光を発光することができる。発光素子１２Ｇは、駆動回路等の制御に基づき、緑色光を発光することができる。発光素子１２Ｂは、駆動回路等の制御に基づき、青色光を発光することができる。発光素子１２は、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)素子である。

　発光素子１２Ｒは、副画素１０Ｒに含まれる。発光素子１２Ｇは、副画素１０Ｇに含まれる。発光素子１２Ｂは、副画素１０Ｂに含まれる。複数の発光素子１２は、規定の配置パターンで駆動基板１１の第１面上に２次元配置されている。規定の配置パターンは、複数の副画素１０の規定の配置パターンとして説明したとおりである。

　発光素子１２Ｒは、第１電極１２１と、ＯＬＥＤ層１２２Ｒと、第２電極１２３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。発光素子１２Ｇは、第１電極１２１と、ＯＬＥＤ層１２２Ｇと、第２電極１２３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。発光素子１２Ｂは、第１電極１２１と、ＯＬＥＤ層１２２Ｂと、第２電極１２３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。

（ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂ）
　ＯＬＥＤ層１２２Ｒは、赤色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層１２２Ｇは、緑色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層１２２Ｂは、青色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂは、特許請求の範囲における有機物含有層の一例である。

　ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂはそれぞれ、第１電極１２１と第２電極１２３の間に設けられている。ＯＬＥＤ層１２２Ｒは、赤色光を発光することができる有機発光層（以下「赤色の有機発光層」という。）を含む。ＯＬＥＤ層１２２Ｒは、緑色光を発光することができる有機発光層（以下「緑色の有機発光層」という。）を含む。ＯＬＥＤ層１２２Ｂは、青色光を発光することができる有機発光層（以下「青色の有機発光層」という。）を含む。また、以下の説明において、ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂを特に区別せず総称する場合には、単にＯＬＥＤ層１２２ということがある。赤色の有機発光層、緑色の有機発光層および青色の有機発光層を特に区別せず総称する場合には、単に有機発光層ということがある。

　ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂは、有機発光層を含む積層体により構成されてもよく、その場合、積層体のうちの一部の層（例えば電子注入層）が無機層であってもよい。ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂが積層体である場合、ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂは、第２電極１２３と接する面側に有機物含有層（例えば電子輸送層または電子注入層）を備えてもよい。この場合、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の密着性が特に低下する傾向があるため、側面保護層１４が設けられることが特に有効である。

　ＯＬＥＤ層１２２Ｒは、例えば、第１電極１２１から第２電極１２３に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、赤色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順に備える。ＯＬＥＤ層１２２Ｇは、例えば、第１電極１２１から第２電極１２３に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、緑色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順に備える。ＯＬＥＤ層１２２Ｇは、例えば、第１電極１２１から第２電極１２３に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、青色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順に備える。

　赤色の有機発光層は、第１電極１２１から注入された正孔と第２電極１２３から注入された電子との再結合により、赤色光を発光することができる。緑色の有機発光層は、上記の赤色有機発光層と同様の現象により、緑色光を発光することができる。青色の有機発光層は、上記の赤色有機発光層と同様の現象により、青色光を発光することができる。

　正孔注入層は、各色の有機発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制することができる。正孔輸送層は、各色の有機発光層への正孔輸送効率を高めることができる。電子注入層は、各色の有機発光層への電子注入効率を高めることができる。電子輸送層は、各色の有機発光層への電子輸送効率を高めることができる。

（第１電極１２１）
　第１電極１２１は、ＯＬＥＤ層１２２の第２面側に設けられている。第１電極１２１は、表示領域ＲＥ１内において複数の発光素子１２で別々に設けられている。すなわち、第１電極１２１は、表示領域ＲＥ１内において、面内方向に隣接する発光素子１２の間で分断されている。本明細書においては、面内方向とは、特に断りがない限り、駆動基板１１の第１面の面内方向を表す。第１電極１２１のサイズは、平面視において、ＯＬＥＤ層１２２および第２電極１２３のサイズよりも大きく、第１電極１２１の側面がＯＬＥＤ層１２２および第２電極１２３の側面の外側に位置している。すなわち、第１電極１２１の第１面の周縁部が、ＯＬＥＤ層１２２および第２電極１２３に覆われずに露出している。第１電極１２１は、アノードである。第１電極１２１と第２電極１２３の間に電圧が加えられると、第１電極１２１からＯＬＥＤ層１２２にホールが注入される。

　第１電極１２１は、例えば、金属層により構成されてもよいし、金属層と透明導電性酸化物層により構成されてもよい。第１電極１２１が金属層と透明導電性酸化物層により構成されている場合には、高い仕事関数を有する層をＯＬＥＤ層１２２に隣接させる観点からすると、透明導電性酸化物層がＯＬＥＤ層１２２側に設けられることが好ましい。

　金属層は、ＯＬＥＤ層１２２で発光された光を反射する反射層としての機能も有している。金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。

　下地層（図示せず）が、金属層の第２面側に隣接して設けられていてもよい。下地層は、金属層の成膜時に、金属層の結晶配向性を向上させるためのものである。下地層は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。下地層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。

　透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）またはフッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的にＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂへのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０１の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。

（第２電極１２３）
　第２電極１２３は、ＯＬＥＤ層１２２の第１面側に設けられている。第２電極１２３は、表示領域ＲＥ１内において複数の発光素子１２で別々に設けられている。すなわち、第２電極１２３は、表示領域ＲＥ１内において、面内方向に隣接する発光素子１２の間で分断されている。第２電極１２３は、平面視において、ＯＬＥＤ層１２２と略同一のサイズを有している。第２電極１２３の側面とＯＬＥＤ層１２２の側面とは略面一になっている。

　第２電極１２３は、カソードである。第１電極１２１と第２電極１２３の間に電圧が加えられると、第２電極１２３からＯＬＥＤ層１２２に電子が注入される。第２電極１２３は、ＯＬＥＤ層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。第２電極１２３は、可視光に対して透明性を有する透明電極であることが好ましい。本明細書において、可視光とは、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍの波長域の光をいう。

　第２電極１２３は、できるだけ透光性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。第２電極１２３は、例えば、金属層および透明導電性酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２電極１２３は、金属層もしくは透明導電性酸化物層の単層膜、または金属層と透明導電性酸化物層の積層膜により構成されている。第２電極１２３が積層膜により構成されている場合、金属層がＯＬＥＤ層１２２側に設けられてもよいし、透明導電性酸化物層がＯＬＥＤ層１２２側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層をＯＬＥＤ層１２２に隣接させる観点からすると、金属層がＯＬＥＤ層１２２側に設けられていることが好ましい。

　第２電極１２３のエッチングレートは、保護層１３のエッチングレートに比べて小さいことが好ましい。この場合、保護層１３および第２電極１２３をエッチングにより加工する工程において、保護層１３がサイドエッチングされやすくなる。すなわち、保護層１３の側面と第２電極１２３の側面の間にステップ１２３Ｓが形成されやすくなる。第２電極１２３は、難エッチング材料であってもよい。

　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。当該透明導電性酸化物としては、上記の第１電極１２１の透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。

（保護層１３）
　図４は、発光素子１２Ｒの一部を拡大して表す断面図である。保護層１３は、第２電極１２３の第１面上に設けられている。保護層１３は、第２電極１２３と共に、隣接する発光素子１２の間で分離されている。保護層１３の側面は、面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置していることが好ましい。ここで、保護層１３の側面が面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置するとは、保護層１３の第２面の周縁が、面内方向において第２電極１２３の第１面の周縁の内側に位置していることを表す。

　より具体的には、ステップ１２３Ｓが、保護層１３の側面と第２電極１２３の側面の間に設けられていることが好ましい。当該ステップ１２３Ｓは、第２電極１２３の第１面の周縁部が保護層１３に覆われずに露出した露出部により構成されている。当該露出部は、保護層１３の第２面の周縁全体を囲む閉ループ状を有していてもよいし、保護層１３の第２面の周縁を部分的に囲む、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。

　上記のように、ステップ１２３Ｓが保護層１３の側面と第２電極１２３の側面の間に設けられていることで、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２の加工工程において、当該ステップ１２３Ｓ上に堆積物を堆積させることができる。したがって、ステップ１２３Ｓが保護層１３の側面と第２電極１２３の側面の間に設けられていない場合に比べて、すなわち保護層１３の側面と第２電極１２３の側面が面一になっている場合に比べて、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２の加工工程においてステップ１２３Ｓの近傍の堆積物の堆積量を増加させることができる。すなわち、ステップ１２３Ｓの近傍の側面保護層１４の厚さを増加させることができる。よって、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の間の剥がれを抑制することができる。ここで、ステップ１２３Ｓの近傍には、第２電極１２３の側面とＯＬＥＤ層１２２の側面の境界を含むものとする。

　ステップ１２３Ｓの幅Ｗは、ステップ１２３Ｓの近傍の堆積物の堆積量を増加させる観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上または１００ｎｍ以上である。

　ステップ１２３Ｓの幅Ｗは、発光素子１２の発光領域の面積の低下を抑制する観点から、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１６０ｎｍ以下、１４０ｎｍ以下または１２０ｎｍ以下である。

　ステップ１２３Ｓの幅Ｗは以下のようにして求められる。まず、クライオＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により表示装置１０１の断面（表示装置１０１の厚さ方向に平行な断面）を切り出し、薄片を作製する。続いて、作製した薄片をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により観察し、断面ＴＥＭ像を取得する。次に、取得した断面ＴＥＭ像中において、ステップ１２３Ｓの幅Ｗを測定する。

　保護層１３の側壁は、第２電極１２３の第１面に対して垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。保護層１３の側壁が傾斜している場合、保護層１３の側壁は、順テーパ状を有していてもよいし、逆テーパ状を有していてもよい。ここで、順テーパとは、保護層１３の第１面側（上面側）が保護層１３の第２面側（下面側）に比べて狭くなっている形状を表し、逆テーパ―とは、保護層１３の保護層１３の第１面側（上面側）が第２面側（下面側）に比べて広くなっている形状を表す。

　保護層１３は、発光素子１２の第１面を保護することができる。例えば、保護層１３は、外部環境から表示装置１０１内部への水分浸入を抑制し、複数の発光素子１２の劣化を抑制することができる。また、第２電極１２３が金属層により構成されている場合には、保護層１３は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。保護層１３は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。保護層１３は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。

　保護層１３は、例えば、吸湿性が低い無機材料または高分子樹脂を含む。保護層１３は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。保護層１３の厚さを厚くする場合には、多層構造とすることが好ましい。保護層１３における内部応力を緩和するためである。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂および紫外線硬化性樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、具体的には例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂およびパリレン系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（側面保護層１４）
　側面保護層１４は、少なくとも、ＯＬＥＤ層１２２の側面と第２電極１２３の側面の境界を覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の界面に対する、保護層１３の膜ストレスの影響を抑制することができる。側面保護層１４は、ＯＬＥＤ層１２２の側面から保護層１３の側面までの範囲を覆っていてもよい。より具体的には、側面保護層１４は、ＯＬＥＤ層１２２の側面と、第２電極１２３の側面と、ステップ１２３Ｓ（第２電極１２３の第２面の周縁部）と、保護層１３の側面とを覆っていてもよい。側面保護層１４は、保護層１３の側面の全体を覆っていてもよいし、保護層１３の側面のうち、保護層１３の第２面の周縁から規定の高さまでの範囲を覆っていてもよい。側面保護層１４は、平面視において、閉ループ状を有していてもよいし、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。

　側面保護層１４は、発光素子１２の側面を保護することができる。例えば、側面保護層１４は、外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制し、発光素子１２の劣化を抑制することができてもよい。側面保護層１４は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。側面保護層１４は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。側面保護層１４は、絶縁性を有していることが好ましい。

　側面保護層１４は、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２をエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよいし、保護層１３、第２電極１２３、ＯＬＥＤ層１２２および第１電極１２１をエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよい。側面保護層１４は、保護層１３の構成材料と、第２電極１２３の構成材料およびＯＬＥＤ層１２２の構成材料とを含んでもよいし、保護層１３の構成材料と、第２電極１２３の構成材料、ＯＬＥＤ層１２２の構成材料および第１電極１２１の構成材料とを含んでもよい。

　側面保護層１４に含まれる保護層１３の構成材料は、保護層１３の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層１４に含まれる第２電極１２３の構成材料は、第２電極１２３の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層１４に含まれるＯＬＥＤ層１２２の構成材料は、ＯＬＥＤ層１２２の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層１４に含まれる第１電極１２１の構成材料は、第１電極１２１の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。

（サイドウォール１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）
　サイドウォール１５Ｒは、側面保護層１４が設けられた発光素子１２Ｒおよび保護層１３の側面を覆う。サイドウォール１５Ｒは、絶縁性を有していることが好ましい。サイドウォール１５Ｒは、第１サイドウォール１５１により構成されていてもよい。第１サイドウォール１５１は、第１電極１２１の第１面の周縁部上に設けられ、側面保護層１４を覆う。

　サイドウォール１５Ｇは、側面保護層１４が設けられた発光素子１２Ｇおよび保護層１３の側面を覆う。サイドウォール１５Ｇは、絶縁性を有していることが好ましい。サイドウォール１５Ｇは、第１サイドウォール１５１と第２サイドウォール１５２により構成されていてもよい。第２サイドウォール１５２は、駆動基板１１の第１面上に設けられ、第１電極１２１の側面および第１サイドウォール１５１の側面を覆う。

　サイドウォール１５Ｂは、側面保護層１４が設けられた発光素子１２Ｂおよび保護層１３の側面を覆う。サイドウォール１５Ｂは、絶縁性を有していることが好ましい。サイドウォール１５Ｇは、第１サイドウォール１５１と第２サイドウォール１５２と第３サイドウォール１５３により構成されていてもよい。第３サイドウォール１５３は、駆動基板１１の第１面上に設けられ、第２サイドウォール１５２の側面を覆う。

　第１サイドウォール１５１、第２サイドウォール１５２および第３サイドウォール１５３は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有していてもよい。第１サイドウォール１５１、第２サイドウォール１５２および第３サイドウォール１５３は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。

　第１サイドウォール１５１、第２サイドウォール１５２および第３サイドウォール１５３は、例えば、吸湿性が低い無機材料を含む。当該無機材料としては、上記の保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。第１サイドウォール１５１、第２サイドウォール１５２および第３サイドウォール１５３それぞれの材料は同一であってもよいし、異なっていてもよい。

（保護層１６）
　保護層１６は、サイドウォール１５がそれぞれ設けられた複数の発光素子１２を覆うように、駆動基板１１の第１面上に設けられている。保護層１６は、複数の発光素子１２等を保護することができる。例えば、保護層１６は、外部環境から発光装置１０１内部への水分浸入を抑制し、複数の発光素子１２等の劣化を抑制することができる。保護層１６は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。保護層１６は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。

　保護層１６は、複数のコンタクト孔１６１を有している。各コンタクト孔１６１は、保護層１６の第１面から発光素子１２の第２面まで延設されている。コンタクト孔１６１は、平面視において発光素子１２の発光領域内に設けられていてもよいし、平面視において発光素子１２の発光領域外に設けられていてもよい。図２、図３では、コンタクト孔１６１が平面視において発光素子１２の発光領域内に設けられている例が示されている。

　保護層１６は、例えば、吸湿性が低い無機材料または高分子樹脂を含む。保護層１６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。保護層１６の厚さを厚くする場合には、多層構造とすることが好ましい。保護層１６における内部応力を緩和するためである。無機材料としては、上記の保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。高分子樹脂としては、上記の保護層１３と同様の高分子樹脂を例示することができる。

（共通電極１７）
　共通電極１７は、保護層１６の第１面上に設けられている。共通電極１７は、表示領域ＲＥ１内において面内方向に隣接する発光素子１２間で繋がり、表示領域ＲＥ１内に設けられた複数の発光素子１２で共通の電極である。共通電極１７は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。共通電極１７は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。共通電極１７は、表示領域ＲＥ１から周辺領域ＲＥ２まで延設されている。共通電極１７の周縁部は、コンタクト電極（図示せず）に接続されている。コンタクト電極は、駆動基板１１の第１面の周縁部に設けられている。コンタクト電極は、共通電極１７と駆動基板１１の配線を接続する補助電極である。

　共通電極１７は、副画素１０毎に分離された各第２電極１２３に接続されている。具体的には、共通電極１７は、複数のコンタクト部１７１を有し、複数のコンタクト部１７１がそれぞれ、保護層１６のコンタクト孔１６１内に設けられている。これにより、複数のコンタクト部１７１の先端がそれぞれ、副画素１０毎に分離された第２電極１２３の第１面に接続されている。但し、コンタクト部１７１と第２電極１２３の接続形態はこの例に限定されるものではなく、例えばコンタクト部１７１が第２電極１２３の側面に接続されていてもよい。図２、図３では、１つのコンタクト部１７１が１つの副画素１０に対して設けられている例に示されているが、２つ以上のコンタクト部１７１が１つの副画素１０に対して設けられていてもよい。

［表示装置の製造方法］
　以下、図５Ａから図５Ｅを参照して、第１の実施形態に係る表示装置１０１の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、金属層（例えば厚さ２００ｎｍ程度のアルミニウム層）を駆動基板１１の第１面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて金属層をパターニングする。これにより、複数の第１電極１２１が駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えば蒸着法を用いて、正孔注入層、正孔輸送層、青色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層を複数の第１電極１２１の第１面および駆動基板１１の第１面上にこの順序で積層することにより、ＯＬＥＤ層１２２Ｂを形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、第２電極（例えば厚さ６０ｎｍ程度のＩＺＯ層）１２３をＯＬＥＤ層１２２Ｂの第１面上に形成する。

　次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、図５Ａに示されるように、保護層（例えば厚さ１μｍ程度の窒化シリコン層）１３を第２電極１２３の第１面上に形成する。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、図５Ｂに示されるように、複数の副画素１０Ｂ以外の部分の保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂを除去し、駆動基板１１の第１面上に複数の発光素子１２Ｂを形成する。当該ドライエッチングの際に、側面保護層１４がＯＬＥＤ層１２２Ｂの側面から保護層１３の側面に亘って形成される。

　具体的には、以下のようにして複数の発光素子１２Ｂおよび側面保護層１４を形成する。レジストを保護層１３の第１面上に塗布し、硬化することにより、レジスト層８１を形成した後、当該レジスト層８１を露光、現像する。これにより、島状のレジスト層８１が、複数の副画素１０Ｂに対応する位置に残存する。

　レジスト層８１をマスクとして、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂを順次ドライエッチングにより加工し、複数の副画素１０Ｂ以外の部分の保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂを除去する。保護層１３のドライエッチングの際に、保護層１３がサイドエッチングされ、レジスト層８１の周縁部の下側に位置する保護層１３が除去され、サイドエッチング部１３１が形成される。これより、保護層１３の側面を面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置させることができる。すなわち、保護層１３の側面を第２電極１２３の側面の間にステップ１２３Ｓを形成することができる。

　保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂのエッチングの際に、イオンにより弾き飛ばされた保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂの構成材料が、サイドエッチング部１３１に堆積すると共に、第２電極１２３の側面およびＯＬＥＤ１２２Ｂの側面に堆積し、側面保護層１４が形成される。庇状にせり出したレジスト層８１が、ステップ１２３Ｓ上を覆っているため、サイドエッチング部１３１に堆積された堆積物に対するイオンの入射が抑制される。これにより、ステップ１２３Ｓ上に堆積される堆積物およびステップ１２３Ｓの近傍の堆積物を増加させることができる。ここで、ステップ１２３Ｓの近傍には、第２電極１２３の側面とＯＬＥＤ層１２２Ｂの側面の境界を含むものとする。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、絶縁層（例えば厚さ１００ｎｍ程度の窒化シリコン層）を形成した後、例えばドライエッチングを用いて絶縁層をエッチバックすることにより、図５Ｃに示されるように、複数のサイドウォール１５Ｂを形成する。

　次に、上記の発光素子１２Ｂおよびサイドウォール１５Ｂの形成工程と同様の手順で、図５Ｄに示されるように、複数の発光素子１２Ｒ、複数の発光素子１２Ｇ、複数のサイドウォール１５Ｒおよび複数のサイドウォール１５Ｇを駆動基板１１の第１面上に形成する。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図５Ｅに示されるように、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを覆うように保護層（例えば窒化シリコン層）１６を形成する。次に、必要に応じて、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて、保護層１６の第１面を研磨し、平坦化してもよい。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、保護層１６および保護層１３を加工し、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ上にそれぞれコンタクト孔１６１を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、共通電極１７（例えばＩＺＯ層）を保護層１６の第１面およびコンタクト孔１６１内に形成する。以上により、表示装置１０１が得られる。

［作用効果］
　第１の実施形態に係る表示装置１０１では、側面保護層１４が、少なくとも、ＯＬＥＤ層１２２の側面と第２電極１２３の側面の境界を覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の界面に対する、保護層１３の膜ストレスの影響を抑制することができる。したがって、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の間の剥がれを抑制することができる。よって、発光素子１２の駆動電圧の高電圧化を抑制することができる。

　側面保護層１４がＯＬＥＤ層１２２の側面、第２電極１２３の側面および保護層１３の側面を覆っている場合、保護層１３の側面は、面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置し、保護層１３の側面と第２電極１２３の側面の間にステップ１２３Ｓが形成されていることが好ましい。これにより、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２をエッチングにより加工する際に、当該ステップ１２３Ｓ上に堆積物を堆積させることができる。このため、上記ステップ１２３Ｓが存在しない場合に比べて、ステップ１２３Ｓの近傍の堆積物の堆積量を増加させることができるので、ステップ１２３Ｓの近傍の側面保護層１４の厚さを増加させることができる。したがって、ＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３の間の剥がれを抑制することができる。よって、表示装置１０１の駆動電圧の高電圧化をさらに抑制することができる。

＜２　第２の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図６は、第２の実施形態に係る表示装置１０２の表示領域ＲＥ１の一部を拡大して表す平面図である。図７は、図６のＶII－ＶII線に沿った断面図である。表示装置１０２は、保護層１８をさらに備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０１とは異なっている。

　保護層１８は、保護層１３の第１面上に設けられている。積層構造を有する保護層が、保護層１３と保護層１８とにより構成されている。第２の実施形態において、保護層１３は、特許請求の範囲における第１保護層の一例であり、保護層１８は、特許請求の範囲における第２保護層の一例である。

　保護層１８の側面は、面内方向において保護層１３の側面の外側に位置していてもよい。すなわち、保護層１８の周縁部が、保護層１３の側面に対して鍔状に突出していてもよい。鍔状の突出部は、平面視において閉ループ状を有していてもよい。

　保護層１８は、保護層１３と共に発光素子１２の第１面を保護することができる。例えば、保護層１８は、外部環境から複数の発光素子１２内部への水分浸入を抑制することができる。保護層１８は、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから発せられる各光に対して透光性を有している。保護層１８は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。保護層１８は、表示装置１０２の製造工程においてハードマスクとして使用可能に構成されていてもよい。

　保護層１８は、単分子層を含むことが好ましい。保護層１８は、単分子層の堆積物により構成されていてもよい。より具体的には、保護層１８は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）層であってもよい。保護層１８が単分子層を含むことで、保護層１８による水分浸入の抑制効果を向上させることができる。

　保護層１８のエッチングレートは、保護層１３のエッチングレートに比べて小さいことが好ましい。この場合、保護層１８をハードマスクとして保護層１３をエッチングにより加工する工程において、保護層１３がサイドエッチングされやすくなる。保護層１８は、難エッチング材料であってもよい。

　保護層１８は、例えば、吸湿性が低い無機材料を含む。無機材料は、例えば、金属酸化物を含む。無機材料は、より具体的には例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）または酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）を含む。

［表示装置の製造方法］
（第１の例）
　以下、図５Ａ、図８Ａから図８Ｆを参照して、第２の実施形態に係る表示装置１０２の製造方法の第１の例について説明する。

　まず、第１電極１２１の形成工程から保護層１３の形成工程までの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０１の製造方法と同様に実施する（図５Ａ参照）。第２の実施形態においては、保護層１３は、例えば、厚さ２００ｎｍ程度のＳｉＮ層であってもよい。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図８Ａに示されるように、保護層１３の第１面上に保護層（厚さ６０ｎｍ程度の酸化アルミニウム層）１８を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、保護層１８を加工する。これにより、図８Ｂに示されるように、島状を有する複数の保護層１８が、複数の副画素１０Ｂに対応する位置に残存する。次に、例えばアッシングにより、複数の保護層１８の第１面上のレジスト層（図示せず）を除去する。

　次に、複数の保護層１８をハードマスクとして、複数の副画素１０Ｂ以外の部分の保護層１３、ＯＬＥＤ層１２２Ｂおよび第２電極１２３をドライエッチングにより除去する。これにより、図８Ｃに示されるように、駆動基板１１の第１面上に複数の発光素子１２Ｂが形成される。当該ドライエッチングの際に、側面保護層１４がＯＬＥＤ層１２２Ｂの側面から保護層１３の側面に亘って形成される。

　保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂのエッチングの際に、イオンにより弾き飛ばされた保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂの構成材料が、サイドエッチング部１３１に堆積すると共に、第２電極１２３の側面およびＯＬＥＤ層１２２Ｂの側面に堆積し、側面保護層１４が形成される。庇状にせり出した保護層（ハードマスク）１８が、ステップ１２３Ｓ上を覆っているため、サイドエッチング部１３１に堆積された堆積物に対するイオンの入射が抑制される。これにより、ステップ１２３Ｓ上に堆積される堆積物およびステップ１２３Ｓの近傍の堆積物を増加させることができる。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、保護層（例えば厚さ１００ｎｍ程度の窒化シリコン層）を形成した後、例えばドライエッチングを用いて保護層をエッチバックすることにより、図８Ｄに示されるように、第１サイドウォール１５１を形成する。

　次に、上記の発光素子１２Ｂおよびサイドウォール１５Ｂの形成工程と同様の手順で、図８Ｅに示されるように、複数の発光素子１２Ｒ、複数の発光素子１２Ｇ、複数のサイドウォール１５Ｒおよび複数のサイドウォール１５Ｇを駆動基板１１の第１面上に形成する。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図８Ｆに示されるように、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを覆うように保護層（例えば窒化シリコン層）１６を形成する。次に、必要に応じて、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により保護層１６の第１面を研磨し、平坦化してもよい。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、保護層１６、保護層１８および保護層１３を加工し、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ上にそれぞれコンタクト孔１６１を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、共通電極１７（例えばＩＺＯ層）を保護層１６の第１面およびコンタクト孔１６１内に形成する。以上により、表示装置１０２が得られる。

（第２の例）
　以下、図８Ａ、図９Ａから図９Ｄを参照して、第２の実施形態に係る表示装置１０２の製造方法の第２の例について説明する。

　まず、第１電極１２１の形成工程から保護層１８の形成工程までの工程を上記第１の例と同様に実施する（図８Ａ参照）。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図９Ａに示されるように、保護層１８の第１面上にハードマスク（例えば厚さ８００ｎｍ程度の窒化シリコン層）７２を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、ハードマスク８２の第１面上にレジスト層８３を形成した後、例えばドライエッチングを用いて、レジスト層８３越しにハードマスク８２を加工する。これにより、図９Ｂに示されるように、島状を有する複数のハードマスク８２が、複数の副画素１０Ｂに対応する位置に残存する。次に、例えばアッシングにより、図９Ｃに示されるように、複数のハードマスク８２上のレジスト層８３を除去する。

　次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層１８、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂを複数のハードマスク８２越しに加工する。これにより、図９Ｄに示されるように、複数の副画素１０Ｂ以外の部分の保護層１８、保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂが除去され、複数の発光素子１２Ｂが駆動基板１１の第１面上に形成される。当該ドライエッチングの際に、側面保護層１４がＯＬＥＤ層１２２Ｂの側面から保護層１３の側面に亘って形成される。保護層１３、第２電極１２３およびＯＬＥＤ層１２２Ｂのエッチングの際に、堆積物により側面保護層１４が形成されるメカニズムは、上記第１の例にて説明したとおりである。

　次に、上記第１の例と同様にして、サイドウォール１５Ｂを形成する。次に、上記の発光素子１２Ｂおよびサイドウォール１５Ｂの形成工程と同様の手順で、複数の発光素子１２Ｒ、複数の発光素子１２Ｇ、複数のサイドウォール１５Ｒおよび複数のサイドウォール１５Ｇを駆動基板１１の第１面上に形成する。次に、保護層１６の形成工程から共通電極１７の形成工程までの工程を上記第１の例と同様に実施する。以上により、表示装置１０２が得られる。

（第３の例）
　以下、図９Ａから図９Ｃ、図１０を参照して、第２の実施形態に係る表示装置１０２の製造方法の第３の例について説明する。

　まず、第１電極１２１の形成工程からレジスト層８３の除去の工程までを上記第２の例と同様に実施する（図９Ａから図９Ｃ参照）。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層１８をハードマスク８２越しに加工した後、ハードマスク８２および加工後の保護層１８からなる積層体をハードマスクとして、保護層１３、第２電極およびＯＬＥＤ層１２２Ｂを加工する。この加工の際に、図１０に示されるように、ハードマスク８２が除去され、保護層１８の第１面が露出される。

［作用効果］
　第２の実施形態に係る表示装置１０２では、第１の実施形態に係る表示装置１０１と同様の作用効果を得ることができる。

＜３　第３の実施形態＞
［概要］
　ＯＬＥＤ層が、隣接する発光素子の間で繋がり、複数の発光素子の間で共通の層であると、ＯＬＥＤ層を介しての発光素子間のキャリアリークの発生が懸念される。このような発光素子間のキャリアリークの発生は、発光素子が微細化された高精細のＯＬＤ表示装置において特に懸念される。発光素子間のリーク対策として、ＯＬＥＤ層を発光素子ごとに分離する技術が検討されている。

　図１１は、ＯＬＥＤ層７１２Ｗが発光素子７１１Ｗごとに分離された参考例の表示装置７０１の断面図である。図１２は、発光素子７１１Ｗを拡大して表す断面図である。発光素子７１１Ｗは、第１電極１２１とＯＬＥＤ層７１２Ｗと第２電極１２３とを駆動基板１１の第１面に順に備える。第１電極１２１、ＯＬＥＤ層７１２Ｗおよび第２電極１２３は、複数の発光素子７１１Ｗで別々に設けられている。すなわち、第１電極１２１、ＯＬＥＤ層７１２Ｗおよび第２電極１２３はそれぞれ、面内方向に隣接する発光素子７１１Ｗの間で分断されている。第１電極１２１の第１面の周縁部と第１電極１２１の側面とは、絶縁層７１３により覆われている。絶縁層７１３は、発光素子７１Ｗの信頼性の改善のために設けられる。

　上記構成を有する表示装置７０１では、第２電極１２３とＯＬＥＤ層７１２Ｗとの周縁部間に剥がれ７１４が発生することがある。このような剥がれ７１４が発生すると、発光素子７１Ｗの駆動電圧が高電圧化する。

　上記剥がれ７１４は、例えば、表示装置７０１の製造工程において以下のようにして発生する。すなわち、保護層１６の形成工程後、保護層１６の成膜装置から取り出され、次工程の装置に搬送される。保護層１６の形成工程における保護層１６の成膜温度Ｔ１と、当該保護層１６の形成工程後に駆動基板１１が成膜装置から取り出された際の環境温度（例えば室温）Ｔ２との間には、温度差ΔＴ（＝Ｔ２－Ｔ１）がある。ＩＺＯ層等の第２電極１２３とＯＬＥＤ層１２２の密着性が悪いため、上記温度差ΔＴにより保護層１６に膜応力が生じると、第２電極１２３とＯＬＥＤ層１２２との周縁部間に剥がれ７１４が発生する。このため、第２電極１２３とＯＬＥＤ層１２２との周縁部間の剥がれ７１４の発生を抑制するための技術が望まれる。

　第３の実施形態では、このような第２電極１２３とＯＬＥＤ層７１２Ｗとの周縁部間の剥がれ発生を抑制することができる表示装置について説明する。なお、第１の実施形態に係る表示装置１０１および第２の実施形態に係る表示装置１０２においても、上記の剥がれ発生を抑制することができる。

［表示装置の構成］
　図１３は、第３の実施形態に係る表示装置１０３の表示領域ＲＥ１の一部を拡大して表す平面図である。図１４は、図１３のＸIＶ－ＸIＶ線に沿った断面図である。表示装置１０３は、駆動基板１１と、複数の発光素子１９Ｗと、第１絶縁層２１１と、第２絶縁層２１２と、保護層２０と、側面保護層２２と、保護層１６と、共通電極１７と、保護層２３と、カラーフィルタ２４とを備える。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　第３の実施形態では、表示装置１０３が第１絶縁層２１１および第２絶縁層２１２を備える例について説明するが、表示装置１０３が第１絶縁層２１１および第２絶縁層２１２のうちの少なくとも一方のみを備えていてもよい。

（発光素子１９Ｗ）
　図１５は、発光素子１９Ｗを拡大して表す断面図である。発光素子１９Ｗは、白色光を発光することができる。発光素子１９Ｗは、白色ＯＬＥＤ素子であり、駆動回路等の制御に基づき、白色光を発光することができる。発光素子１９Ｗは、第１電極１９１と、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと、第２電極１９３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面、第２電極１９３の側面および保護層２０の側面は、略面一になっている。

（ＯＬＥＤ層１９２Ｗ）
　ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、表示領域ＲＥ１内において複数の発光素子１９Ｗで別々に設けられている。すなわち、ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、表示領域ＲＥ１内において、面内方向に隣接する発光素子１９Ｗの間で分断されている。ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、平面視において、第１電極１２１と略同一のサイズを有していてもよいし、第１電極１２１に比べて小さいサイズ、または第１電極１２１に比べて大きいサイズを有していてもよい。

　ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、白色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、単層の発光ユニットを備えるＯＬＥＤ層であってもよいし、２層の発光ユニットを備えるＯＬＥＤ層（タンデム構造）であってもよいし、これら以外の構造のＯＬＥＤ層であってもよい。単層の発光ユニットを備えるＯＬＥＤ層は、例えば、第１電極１２１から第２電極１９３に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、赤色の有機発光層、発光分離層、青色の有機発光層、緑色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。２層の発光ユニットを備えるＯＬＥＤ層は、例えば、第１電極１２１から第２電極１９３に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、青色の有機発光層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、黄色の有機発光層、電子輸送層と、電子注入層がこの順序で積層された構成を有していてもよい。

　発光分離層は、各発光層へのキャリアの注入を調整するための層であり、発光分離層を介して各発光層に電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。電荷発生層は、当該電荷発生層を挟むように設けられた２つの発光層に電子と正孔をそれぞれ供給することができる。黄色の有機発光層は、電界をかけることにより、電荷発生層から注入された正孔と第２電極１９３または電荷発生層から注入された電子との再結合が起こり、黄色光を発光することができる。発光分離層、電荷発生層および黄色の有機発光層以外の層は、第１の実施形態において説明したとおりである。

（第１電極１９１）
　第１電極１９１は、第１の実施形態における第１電極２１と同様である。

（第２電極１９３）
　第２電極１９３は、平面視において、第１電極１９１と略同一のサイズを有している。第２電極１９３は、これ以外の点においては、第１実施形態における第２電極１２３と同様であってもよい。

（保護層２０）
　保護層２０は、平面視において、第２電極１９３と略同一のサイズを有し、保護層２０の側面と第２電極１９３の側面は、略面一になっている。保護層２０は、これ以外の点においては、第１実施形態における保護層１３と同様であってもよい。

（第１絶縁層２１１）
　第１絶縁層２１１は、駆動基板１１の第１面のうち、離隔された第１電極１９１の間の部分に設けられている。第１絶縁層２１１は、隣接する第１電極１９１の間を絶縁する。第１絶縁層２１１は、複数の開口２１１ａを有する。複数の開口２１１ａはそれぞれ、各発光素子１９Ｗに対応して設けられている。複数の第１電極１９１はそれぞれ、各開口２１１ａ内に設けられている。複数の開口２１１ａはそれぞれ、各第１電極１９１の第１面（ＯＬＥＤ層１９２Ｗ側の面）上に設けられていてもよい。この場合、第１電極１９１とＯＬＥＤ層１９２Ｗは、開口２１１ａを介して接触する。

　第１絶縁層２１１は、高い耐湿性を有していることが好ましい。第１絶縁層２１１は、例えば、金属酸化物を含む。当該金属酸化物は、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_ｘ）、酸化タンタル（ＴａＯ_ｘ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（第２絶縁層２１２）
　第２絶縁層２１２は、第１電極１９１の第１面の周縁部上に設けられている。第２絶縁層２１２が、第１電極１９１の第１面の周縁部上と第１絶縁層２１１の第１面の開口周縁部上との両方に設けられていてもよい。本明細書において、第１面の開口周縁とは、第１面において開口２１１ａの周縁から外側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。

　第２絶縁層２１２は、高い耐湿性を有していることが好ましい。第２絶縁層２１２は、例えば、金属酸化物および金属窒化物を含む。当該金属酸化物は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。当該金属窒化物は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）を含む。

（側面保護層２２）
　側面保護層２２は、サイドウォール状の絶縁層である。側面保護層２２は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面から保護層２０の側面までの範囲を覆っている。より具体的には、側面保護層２２は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面、第２電極１９３の側面および保護層２０の側面を覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の界面に対する、保護層２０の膜ストレスの影響を抑制することができる。側面保護層２２は、保護層２０の側面の全体を覆っていてもよいし、保護層２０の側面のうち、保護層２０の第２面の周縁から規定の高さまでの範囲を覆っていてもよい。側面保護層２２は、平面視において、閉ループ状を有していてもよいし、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。

　側面保護層２２は、発光素子１９Ｗの側面を保護することができる。例えば、側面保護層２２は、外部環境から複数の発光素子１９Ｗ内部への水分浸入を抑制し、発光素子１９Ｗの劣化を抑制することができてもよい。側面保護層２２は、発光素子１９Ｗから発せられる白色光に対して透光性を有している。側面保護層２２は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。

　側面保護層２２は、多層構造を有している。側面保護層２２は、第１側面保護層２２１と第２側面保護層２２２とを備える。

　第１側面保護層２２１は、発光素子１９Ｗの側面上に設けられている。第１側面保護層２２１は、第２絶縁層２１２をドライエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよい。第１側面保護層２２１は、第２絶縁層２１２と同一の材料を含んでもよい。より具体的には、第１側面保護層２２１は、第２絶縁層２１２の構成材料の一部を含んでもよいし、第２絶縁層２１２の構成材料の全部を含んでもよい。

　第１側面保護層２２１の屈折率は、保護層２０の屈折率に比べて低いことが好ましい。第１側面保護層２２１の屈折率が保護層２０の屈折率に比べて低いことで、発光素子１９Ｗから斜め方向に出射された光を保護層２０と第１側面保護層２２１の界面にて反射させることができる。したがって、隣接する副画素１０間の混色を抑制することができる。また、表示装置１０３の正面輝度を向上させることができる。本明細書において、屈折率は、波長５８９．３ｎｍの光（ナトリウムのＤ線）に対する屈折率を表す。

　第２側面保護層２２２は、第１側面保護層２２１上に設けられている。第２側面保護層２２２は、第１絶縁層２１１をドライエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよい。第２側面保護層２２２は、第１絶縁層２１１と同一の材料を含んでもよい。より具体的には、第２側面保護層２２２は、第１絶縁層２１１の構成材料の一部を含んでもよいし、第１絶縁層２１１の構成材料の全部を含んでもよい。

（保護層２３）
　保護層２３は、共通電極１７の第１面上に設けられている。保護層２３は、共通電極１７の第１面の凹凸を埋め、平坦な第１面を共通電極１７の上方に形成することができる。保護層２３は、共通電極１７および複数の発光素子１９Ｗ等を保護することができる。例えば、保護層２３は、外部環境から表示装置１０３内部への水分浸入を抑制し、共通電極１７および複数の発光素子１９Ｗ等の劣化を抑制することができてもよい。保護層２３は、発光素子１９Ｗから発せられる白色光に対して透光性を有している。保護層２３は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。保護層２３に含まれる材料としては、第１の実施形態における保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。

（カラーフィルタ２４）
　カラーフィルタ２４は、複数の発光素子１９Ｗの上方に設けられている。より具体的には、カラーフィルタ２４は、保護層２３の第１面上に設けられている。カラーフィルタ２４は、例えば、複数の赤色フィルタ部２４ＦＲと、複数の緑色フィルタ部２４ＦＧと、複数の青色フィルタ部２４ＦＢとを備える。なお、以下の説明において、赤色フィルタ部２４ＦＲ、緑色フィルタ部２４ＦＧ、青色フィルタ部２４ＦＢを特に区別せず総称する場合には、フィルタ部２４Ｆということがある。

　複数のフィルタ部２４Ｆは、面内方向に２次元配置されている。各フィルタ部２４Ｆは、発光素子１９Ｗの上方に設けられている。赤色フィルタ部２４ＦＲと発光素子１９Ｗとにより副画素１０Ｒが構成され、緑色フィルタ部２４ＦＧと発光素子１９Ｗとにより副画素１０Ｇが構成され、青色フィルタ部２４ＦＢと発光素子１９Ｗとにより副画素１０Ｂが構成されている。

　赤色フィルタ部２４ＦＲは、発光素子１９Ｗから出射された白色光のうち赤色光を透過するのに対して、赤色光以外の光を吸収する。緑色フィルタ部２４ＦＧは、発光素子１９Ｗから出射された白色光のうち緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を吸収する。青色フィルタ部２４ＦＢは、発光素子１９Ｗから出射された白色光のうち青色光を透過するのに対して、青色光以外の光を吸収する。

　赤色フィルタ部２４ＦＲは、例えば、赤色のカラーレジストを含む。緑色フィルタ部２４ＦＧは、例えば、緑色のカラーレジストを含む。青色フィルタ部２４ＦＢは、例えば、青色のカラーレジストを含む。

［表示装置の製造方法］
　以下、図１６Ａから図１６Ｈを参照して、第３の実施形態に係る表示装置１０３の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、駆動基板１１の第１面上に金属層を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、金属層をパターニングする。これにより、図１６Ａに示されるように、複数の第１電極１９１が駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、複数の第１電極１９１を覆うように、第１絶縁層（例えば厚さ３００ｎｍ程度の酸化ジルコニウム層）２１１を駆動基板１１の第１面に形成する。次に、例えばＣＭＰを用いて、第１絶縁層２１１を研磨し、各第１電極１９１の第１面を露出させる。これにより、図１６Ｂに示されるように、第１絶縁層２１１が、駆動基板１１の第１面のうち、離隔された第１電極１９１の間の部分に残る。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、第２絶縁層２１２（例えば厚さ３０ｎｍ程度の酸窒化シリコン層）を複数の第１電極１９１の第１面上および第１絶縁層の第１面上に形成する。次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図１６Ｃに示されるように、複数の開口７４ａを有するレジスト層８４を第２絶縁層２１２の第１面上に形成する。この際、複数の開口７４ａはそれぞれ、各第１電極１９１の上方に形成される。

　次に、例えばＣＦ_４ガス等によるドライエッチングを用いて、レジスト層８４越しに第２絶縁層２１２を加工する。これにより、複数の開口２１２ａが第２絶縁層２１２に形成される。次に、例えばアッシングにより、図１６Ｄに示されるように、第２絶縁層２１２の第１面上のレジスト層８４を除去する。次に、例えば蒸着法を用いて、ＯＬＥＤ層１９２Ｗを複数の第１電極１９１の第１面および第２絶縁層２１２の第１面上に形成した後、例えばスパッタ法により、第２電極（例えば厚さ１００ｎｍ程度のＩＺＯ層）１９３をＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面上に形成する。次に、例えばＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法を用いて、保護層（例えば厚さ５００ｎｍ程度の窒化シリコン層）２０を第２電極１９３の第１面上に形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図１６Ｅに示されるように、島状のレジスト層８５を各副画素１０Ｂに対応する位置に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層２０、第２電極１９３およびＯＬＥＤ層１９２Ｗをレジスト層８５越しに順に加工する。これにより、図１６Ｆに示されるように、複数の発光素子１９Ｗが駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えばＡｒプラズマを用いて、第１絶縁層２１１および第２絶縁層２１２を順次スパッタエッチングする。これにより、図１６Ｇに示されるように、第２側面保護層２２２および第１側面保護層２２１が、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面、第２電極１９３の側面および保護層１３の側面に順次堆積させる。スパッタエッチングは、駆動基板１１の第１面が露出するまで行われてもよいし、駆動基板１１の第１面が露出する前に停止されてもよい。

　保護層２０、第２電極１９３およびＯＬＥＤ層１９２Ｗの加工と、第１絶縁層２１１および第２絶縁層２１２の加工とは、同一のエッチング装置を用いて連続で行われることが好ましい。これにより、大気暴露せずに、保護層２０の側面、第２電極１９３の側面およびＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面に第１側面保護層２２１および第２側面保護層２２２を順に形成することができる。したがって、大気暴露によるＯＬＥＤ層１９２Ｗ等の劣化を抑制することができる。よって、表示装置１０３の信頼性を向上させることができる。

　次に、例えばＰＣＶＤ法を用いて、図１６Ｈに示すように、側面保護層２２が設けられた複数の発光素子１９Ｗを覆うように保護層１６を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィ及びドライエッチングを用いて、保護層１６および保護層２０を加工し、各発光素子１９Ｗ上にコンタクト孔１６１を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、共通電極１７を保護層１６の第１面およびコンタクト孔１６１内に形成する。次に、例えばＰＣＶＤ法を用いて、共通電極１７の第１面上に保護層２３を形成する。

　次に、保護層２３の第１面上に緑色フィルタ部形成用の着色組成物を塗布し、フォトマスクを介して紫外線を照射しパターン露光した後、現像することにより、複数の緑色フィルタ部２４ＦＧを形成する。次に、保護層２３の第１面上に赤色フィルタ部形成用の着色組成物を塗布し、フォトマスクを介して紫外線を照射しパターン露光した後、現像することにより、複数の赤色フィルタ部２４ＦＲを形成する。次に、保護層２３の第１面上に青色フィルタ部形成用の着色組成物を塗布し、フォトマスクを介して紫外線を照射しパターン露光した後、現像することにより、複数の青色フィルタ部２４ＦＢを形成する。これにより、保護層２３の第１面上にカラーフィルタ２４が形成される。
以上により、表示装置１０３が得られる。

［作用効果］
　第３の実施形態に係る表示装置１０３では、側面保護層２２がＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面、第２電極１９３および保護層２０の側面を覆い、これらの側面を固定している。これにより、保護層１６の形成工程における保護層１６の成膜温度Ｔ１と、当該保護層１６の形成工程後に駆動基板１１が成膜装置から取り出された際の環境温度（例えば室温）Ｔ２との間に温度差ΔＴ（＝Ｔ２－Ｔ１）がある場合でも、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の周縁部間における剥がれの発生を抑制することができる。したがって、発光素子１９Ｗの駆動電圧の高電圧化を抑制することができる。

＜４　第４の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図１７は、第４の実施形態に係る表示装置１０４の断面図である。表示装置１０４は、駆動基板１１と、複数の発光素子２５Ｒと、複数の発光素子２５Ｇと、複数の発光素子２５Ｂと、絶縁層２６と、複数の保護層２７と、複数の側面保護層２８と、保護層１６と、共通電極１７とを備える。なお、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（発光素子２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ）
　図１８は、発光素子２５Ｒを拡大して表す断面図である。発光素子２５Ｒは、第１電極２５１と、ＯＬＥＤ層２５２Ｒと、第２電極２５３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。発光素子２５Ｇは、第１電極２５１と、ＯＬＥＤ層２５２Ｇと、第２電極２５３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。発光素子２５Ｂは、第１電極２５１と、ＯＬＥＤ層２５２Ｂと、第２電極２５３とを順に駆動基板１１の第１面上に備える。以下の説明において、発光素子２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを特に区別せず総称する場合には、単に発光素子２５ということがある。また、ＯＬＥＤ層２５２Ｒ、２５２Ｇ、２５２Ｂを特に区別せず総称する場合には、単にＯＬＥＤ層２５２ということがある。

　ＯＬＥＤ層２５２および第２電極２５３のサイズは、平面視において第１電極２５１のサイズよりも大きく、ＯＬＥＤ層２５２および第２電極２５３が、第１電極２５１を覆っている。第１電極２５１、ＯＬＥＤ層２５２および第２電極２５３は、上記以外の点においては、第１の実施形態における第１電極１２１、ＯＬＥＤ層１２２および第２電極１２３と同様である。

（絶縁層２６）
　絶縁層２６は、駆動基板１１の第１面のうち、離隔された第１電極２５１の間の部分に設けられている。絶縁層２６は、隣接する第１電極２５１の間を絶縁する。絶縁層２６は、複数の開口２６ａを有する。複数の開口２６ａはそれぞれ、発光素子１２Ｗに対応して設けられている。より具体的には、複数の開口２６ａはそれぞれ、第１電極２５１の第１面（ＯＬＥＤ層２５２側の面）上に設けられている。開口２６ａを介して、第１電極２５１とＯＬＥＤ層２５２とが接触する。

　絶縁層２６は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

（保護層２７）
　保護層２７は、平面視においてＯＬＥＤ層２５２および第２電極２５３と略同一のサイズを有し、ＯＬＥＤ層２５２の側面、第２電極２５３の側面および保護層２７の側面は略面一になっている。保護層２７は、これ以外の点においては、第１の実施形態における保護層１３と同様であってもよい。

（側面保護層２８）
　側面保護層２８は、少なくともＯＬＥＤ層２５２の側面と第２電極２５３の側面の境界を覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層２５２と第２電極２５３の界面に対する、保護層２７の膜ストレスの影響を抑制することができる。側面保護層２８は、ＯＬＥＤ層２５２の側面から保護層２７の側面までの範囲を覆っていてもよい。より具体的には、側面保護層２８は、ＯＬＥＤ層２５２の側面、第２電極２５３の側面および保護層２７の側面を覆っていてもよい。側面保護層２８は、保護層２７の側面の全体を覆っていてもよいし、保護層２７の側面のうち、保護層２７の第２面の周縁から規定の高さまでの範囲を覆っていてもよい。側面保護層２８は、平面視において、閉ループ状を有していてもよいし、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。

　側面保護層２８は、単分子層を含むことが好ましい。側面保護層２８が単分子層を含むことで、側面保護層２８のバリア性を向上させることができる。単分子層は密着性が高いため、単分子層は、ＯＬＥＤ層２５２と第２電極２５３の界面に対する、保護層２７の膜ストレスの影響を抑制する効果が高い。したがって、単分子層は、ＯＬＥＤ層２５２と第２電極２５３の間の剥がれ抑制効果が高い。よって、単分子層は、発光素子２５の駆動電圧の高電圧化の抑制効果が高い。側面保護層２８は、単分子層の堆積物により構成されていてもよい。側面保護層２８は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）層であってもよい。

　側面保護層２８は、例えば、金属酸化物を含む。金属酸化物は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）または酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）を含む。

［表示装置の製造方法］
　以下、図１９Ａから図１９Ｅを参照して、第３の実施形態に係る表示装置１０３の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、駆動基板１１の第１面上に金属層を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、金属層をパターニングする。これにより、複数の第１電極２５１が駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、複数の第１電極２５１を覆うように駆動基板１１の第１面上に絶縁層２６を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、絶縁層２６に複数の開口２６ａを形成する。これにより、各第１電極２５１の第１面が開口２６ａを介して露出する。

　次に、例えば蒸着法を用いて、正孔注入層、正孔輸送層、青色の有機発光層、電子輸送層、電子注入層を複数の第１電極２５１の第１面上および絶縁層２６の第１面上に順次積層することにより、ＯＬＥＤ層２５２Ｂを形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、第２電極２５３をＯＬＥＤ層２５２Ｂの第１面上に形成する。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、保護層２７を第２電極２５３の第１面上に形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図１９Ａに示されるように、島状のレジスト層８６を各副画素１０Ｂに対応する位置に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層２７、第２電極２５３およびＯＬＥＤ層２５２Ｂをレジスト層８６越しに順に加工する。これにより、図１９Ｂに示されるように、複数の発光素子２５Ｂが駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、上記の発光素子２５Ｂの形成工程と同様の手順で、図１９Ｃに示されるように、複数の発光素子２５Ｒおよび複数の発光素子２５Ｇを駆動基板１１の第１面上に形成する。

　次に、例えばＡＬＤを用いて、図１９Ｄに示されるように、複数の発光素子２５Ｒ、複数の発光素子２５Ｇおよび複数の発光素子２５Ｂを覆うように、駆動基板１１の第１面上に保護層２８１を形成する。次に、例えばエッチバック（ドライエッチング）を用いて、図１９Ｅに示されるように、保護層２７の第１面上および駆動基板１１の第１面上の保護層２８１を除去し、ＯＬＥＤ層２５２の側面、第２電極２５３の側面および保護層２７の側面の保護層２８１を残す。これにより、複数の発光素子２５Ｒ、複数の発光素子２５Ｇおよび複数の発光素子２５Ｂの側面にそれぞれ側面保護層２８が形成される。

　次に、保護層１６の形成工程から共通電極１７の形成工程までの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０１の製造方法と同様に実施する。以上により、表示装置１０４が得られる。

［作用効果］
　第４の実施形態に係る表示装置１０４では、側面保護層２８は、少なくとも、ＯＬＥＤ層２５２の側面と第２電極２５３の側面の境界を覆っている。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０１と同様の作用効果を得ることができる。

＜５　第５の実施形態＞
　図２０は、第５の実施形態に係る表示装置１０５の断面図である。表示装置１０５は、駆動基板１１と、複数の発光素子３１Ｒと、複数の発光素子３１Ｇと、複数の発光素子３１Ｂと、複数の金属層３２と、複数の保護層３３と、複数の側面保護層３４と、保護層１６と、共通電極１７とを備える。なお、第５の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（発光素子３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂ）
　図２１は、発光素子３１Ｂの一部を拡大して表す断面図である。発光素子３１Ｒは、第１電極３１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｒと、第２電極３１３と、絶縁層３１４とを備える。発光素子３１Ｇは、第１電極３１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｇと、第２電極３１３と、絶縁層３１４とを備える。発光素子３１Ｂは、第１電極３１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｂと、第２電極３１３と、絶縁層３１４とを備える。以下の説明において、発光素子３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂを特に区別せず総称する場合には、単に発光素子３１ということがある。また、ＯＬＥＤ層３１２Ｒ、３１２Ｇ、３１２Ｂを特に区別せず総称する場合には、単にＯＬＥＤ層３１２ということがある。

　第１電極３１１、ＯＬＥＤ層３１２および第２電極３１３のサイズは、平面視において略同一であり、第１電極３１１、ＯＬＥＤ層３１２および第２電極３１３の側面が、略面一になっていてもよい。第１電極３１１、ＯＬＥＤ層３１２および第２電極３１３は、上記以外の点においては、第１の実施形態における第１電極１２１、ＯＬＥＤ層１２２および第２電極１２３と同様である。

　絶縁層３１４は、第１電極３１１の第１面の周縁部に設けられている。絶縁層３１４の第１面および内側側面は、ＯＬＥＤ層３１２により覆われている。絶縁層３１４は、平面視において、閉ループ状を有していることが好ましい。

　絶縁層３１４は、例えば、金属酸化物および金属窒化物を含む。当該金属酸化物は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。当該金属窒化物は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）を含む。

（金属層３２）
　金属層３２は、絶縁層１１２の第１面と発光素子３１の第２面の間に設けられている。金属層３２のサイズは、平面視において第１電極３１１のサイズと略同一であり、金属層３２の側面および第１電極３１１の側面が、略面一になっていてもよい。

　金属層は、ＯＬＥＤ層３１２から出射された光を反射する反射層としての機能を有していてもよい。金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。

（側面保護層３４）
　側面保護層３４は、金属層３２の側面、発光素子３１の側面および保護層３３の側面を覆っている。より具体的には、側面保護層３４は、金属層３２の側面、第１電極３１１の側面、ＯＬＥＤ層３１２の側面、第２電極３１３の側面および保護層３３の側面を覆っている。

　第５の実施形態では、側面保護層３４は、金属層３２の側面、第１電極３１１の側面、ＯＬＥＤ層３１２の側面、第２電極３１３の側面および保護層３３の側面を覆っている例について説明するが、側面保護層３４が、第１電極３１１、ＯＬＥＤ層３１２の側面、第２電極３１３の側面および保護層３３の側面を覆っていてもよいし、ＯＬＥＤ層３１２の側面、第２電極３１３の側面および保護層３３の側面を覆っていてもよい。

　側面保護層３４は、発光素子３１の側面を保護することができる。例えば、側面保護層３４は、ＯＬＥＤ層３１２と第２電極３１３の界面に対する、保護層３３の膜ストレスの影響を抑制することができる。側面保護層３４は、外部環境から発光素子３１内部への水分浸入を抑制し、発光素子３１の劣化を抑制することができてもよい。側面保護層３４は、発光素子３１から出射された光を反射することができる。側面保護層３４は、発光素子３１から出射された光を反射することができる少なくとも一層の反射層を含むことが好ましい。

　側面保護層３４は、保護層３３、第２電極３１３、ＯＬＥＤ層３１２、絶縁層３１４、第１電極３１１、金属層３２を順にドライエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよい。側面保護層３４は、保護層３３の構成材料の一部または全部と、第２電極３１３の構成材料の一部または全部と、絶縁層３１４の構成材料の一部または全部と、第１電極３１１の構成材料の一部または全部と、金属層３２の構成材料の一部または全部とを含んでもよい。

　側面保護層３４は、第１側面保護層３４１と、第２側面保護層３４２と、第３側面保護層３４３と、第４側面保護層３４４と、第５側面保護層３４５とを順に備えていてもよい。

（第１側面保護層３４１）
　第１側面保護層３４１は、第２電極３１３の側面および保護層３３の側面を覆っていてもよい。第１側面保護層３４１の底部は、第２電極３１３の側面に接続されていてもよい。第１側面保護層３４１は、導電性を有していてもよい。第１側面保護層３４１は、発光素子３１から出射された光を反射することができる反射層であってもよいし、発光素子３１から出射された光を透過することができる光透過層であってもよい。第１側面保護層３４１は、第２電極３１３をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第１側面保護層３４１は、第２電極３１３の構成材料の一部を含んでもよいし、第２電極３１３の構成材料の全部を含んでもよい。

（第２側面保護層３４２）
　第２側面保護層３４２は、絶縁層３１４の側面、ＯＬＥＤ層３１２の側面および第１側面保護層３４１の主面を覆っていてもよい。第２側面保護層３４２の底部は、絶縁層３１４の側面に接続されていてもよい。第２側面保護層３４２は、絶縁性を有していてもよい。第２側面保護層３４２は、第１側面保護層３４１と第３側面保護層３４３の間を絶縁することができてもよい。第２側面保護層３４２は、発光素子３１から出射された光を透過することができてもよい。第２側面保護層３４２は、絶縁層３１４をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第２側面保護層３４２は、絶縁層３１４の構成材料の一部を含んでもよいし、絶縁層３１４の構成材料の全部を含んでもよい。第２側面保護層３４２は、ＯＬＥＤ層３１２の構成材料の一部をさらに含んでもよい。

（第３側面保護層３４３）
　第３側面保護層３４３は、第１電極３１１の側面および第２側面保護層３４２の主面を覆っていてもよい。第３側面保護層３４３の底部は、第１電極３１１の側面に接続されていてもよい。第３側面保護層３４３は、導電性を有していてもよい。第３側面保護層３４３は、表示装置１０５の光取り出し効率の向上の観点から、発光素子３１から斜め方向に出射された光を反射することができる反射層であることが好ましい。第３側面保護層３４３は、第１電極３１１をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第３側面保護層３４３は、第１電極３１１の構成材料の一部を含んでもよいし、第１電極３１１の構成材料の全部を含んでもよい。

（第４側面保護層３４４）
　第４側面保護層３４４は、金属層３２の側面および第３側面保護層３４３の主面を覆っていてもよい。第４側面保護層３４４の底部は、金属層３２の側面に接続されていてもよい。第４側面保護層３４４は、導電性を有していてもよい。第４側面保護層３４４は、表示装置１０５の光取り出し効率の向上の観点から、発光素子３１から斜め方向に出射された光を反射することができる反射層であることが好ましい。表示装置１０５の光取り出し効率の向上の観点からすると、第３側面保護層３４３および第４側面保護層３４４の両方が、発光素子３１から斜め方向に出射された光を反射することができる反射層であることが特に好ましい。第４側面保護層３４４は、金属層３２をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第４側面保護層３４４は、金属層３２の構成材料の一部を含んでもよいし、金属層３２の構成材料の全部を含んでもよい。

（第５側面保護層３４５）
　第５側面保護層３４５は、第４側面保護層３４４の主面を覆っていてもよい。第５側面保護層３４５は、絶縁性を有していてもよい。第５側面保護層３４５は、絶縁層１１２をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第５側面保護層３４５は、絶縁層１１２の構成材料の一部を含んでもよいし、絶縁層１１２の構成材料の全部を含んでもよい。

（保護層３３）
　保護層３３は、平面視において第２電極３１３と同一のサイズを有し、保護層３３の側面および第２電極３１３の側面は略面一になっていてもよい。保護層３３は、これ以外の点においては、第１の実施形態における保護層１３と同様であってもよい。

［表示装置の製造方法］
　以下、図２２Ａから図２２Ｄを参照して、第５の実施形態に係る表示装置１０５の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法、蒸着法およびＣＶＤ法等を用いて、図２２Ａに示されるように、金属層３２、第１電極３１１、絶縁層３１４、ＯＬＥＤ層３１２Ｂ、第２電極３１３、保護層３３を駆動基板１１の第１面上に順次積層する。但し、絶縁層３１４の形成工程とＯＬＥＤ層３１２Ｂの形成工程の間において、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、絶縁層３１４をパターニングすることにより、複数の開口３１４aがそれぞれ複数の副画素１０Ｂに対応する位置に形成される。第５の実施形態に係る表示装置１０５の製造方法においては、絶縁層１１２、金属層３２、第１電極３１１、絶縁層３１４および第２電極３１３は、発光素子３１の側面に堆積物を生成するための堆積物生成層としての機能を有する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図２２Ｂおよび図２２Ｃに示されるように、島状のレジスト層８７を各副画素１０Ｂに対応する位置に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層３３、第２電極３１３、ＯＬＥＤ層３１２Ｂ、絶縁層３１４、第１電極３１１、金属層３２および絶縁層１１２をレジスト層８５越しに順に加工し、保護層３３の側面、発光素子３１Ｂの側面および金属層３２の側面に堆積物を堆積させる。これにより、図２２Ｄに示されるように、複数の発光素子３１Ｂがそれぞれ金属層３２を間に挟むようにして駆動基板１１の第１面上に形成される。また、第１側面保護層３４１、第２側面保護層３４２、第３側面保護層３４３、第４側面保護層３４４、第５側面保護層３４５が、金属層３２の側面、発光素子３１Ｂの側面および保護層３３の側面に順に形成される。

　次に、上記の発光素子３１Ｂの形成工程と同様の手順で、複数の発光素子３１Ｒおよび複数の発光素子３１Ｇをそれぞれ金属層３２を間に挟むようにして駆動基板１１の第１面上に形成する。

　次に、保護層１６の形成工程から共通電極１７の形成工程までの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０１の製造方法と同様に実施する。以上により、表示装置１０５が得られる。

［作用効果］
　第５の実施形態に係る表示装置１０５では、側面保護層３４は、発光素子３１の側面および保護層３３の側面を覆い、かつ、発光素子３１から斜め方向に出射された光を反射することができる。したがって、ＯＬＥＤ層３１２と第２電極１２３の間の剥がれを抑制することができ、かつ、表示装置１０５の光取り出し効率を向上させることができる。

　絶縁性を有する第２側面保護層３４２が、第１側面保護層３４１と第３側面保護層３４３の間に設けられているので、第１側面保護層３４１および第３側面保護層３４３の接触による第１電極３１１と第２電極３１３の間のキャリアリークを抑制することができる。

［変形例］
（変形例１）
　第５の実施形態では、表示装置１０５が、絶縁層１１２と発光素子３１の間に金属層３２を備え、第３側面保護層３４３と第５側面保護層３４５の間に第４側面保護層３４４を備える例（図２１参照）について説明した。しかしながら、表示装置１０５の構成はこの例に限定されるものではなく、例えば、図２３に示されるように、表示装置１０５が、金属層３２と第４側面保護層３４４とを備えていなくてもよい。

　上記構成を有する表示装置１０５は、図２４に示されるように、第１電極３１１、絶縁層３１４、ＯＬＥＤ層３１２、第２電極３１３、保護層３３を駆動基板１１の第１面上に順次積層すること以外は、第５の実施形態に係る表示装置１０５の製造方法と同様にして製造される。

（変形例２）
　第５の実施形態では、表示装置１０５が、絶縁層１１２と発光素子３１の間に金属層３２を備える例（図２１参照）について説明した。しかしながら、表示装置１０５の構成はこの例に限定されるものではなく、例えば、図２５に示されるように、表示装置１０５が、金属層３２を備えていなくてもよい。

　上記構成を有する表示装置１０５は、金属層３２の形成工程と第１電極３１１の形成工程の間において、図２６に示されるように、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、金属層３２に複数の開口３２ａを形成すること以外は、第５の実施形態に係る表示装置１０５の製造方法と同様に製造される。開口３２ａは、金属層３２のうち、各発光素子３１に対応する位置に形成される。

（変形例３）
　第５の実施形態では、金属層３２が、発光素子３１の下全体に設けられている例（図２１参照）について説明したが、図２７に示されるように、金属層３２が発光素子３１の下に開口３２ａを有していてもよい。

　上記金属層３２を有する表示装置１０５は、図２８に示されるように、金属層３２の開口３２ａの周縁を、発光素子３１の形成領域の周縁より内側の位置させること以外は変形例３に係る表示装置１０５の製造方法と同様にして製造される。

（変形例４）
　第５の実施形態では、発光素子３１が、１層の絶縁層３１４を備える例（図２１参照）について説明したが、発光素子３１の構成はこれに限定されるものではない。例えば、図２９に示されるように、発光素子３１が、２層の絶縁層３１４、３１５を備えてもよい。この場合、側面保護層３４は、第６側面保護層３４６をさらに備えていてもよい。

　絶縁層３１５は絶縁層３１４上に設けられ、絶縁層３１４と絶縁層３１５は、積層体を構成している。積層体は、第１電極３１１の第１面の周縁部に設けられていてもよい。積層体の第１面および内側側面は、ＯＬＥＤ層３１２により覆われていてもよい。積層体は、平面視において、閉ループ状を有していることが好ましい。

　絶縁層３１５の材料としては、絶縁層３１４と同様の材料を例示することができる。絶縁層３１４と絶縁層３１５の材料は、異なっていてもよいし、同一であってもよい。ここで、絶縁層３１４と絶縁層３１５の材料が異なるとは、絶縁層３１４と絶縁層３１５を構成する材料の成分が異なること、および、絶縁層３１４と絶縁層３１５を構成する材料の成分は同じではあるが、各成分の含有量が異なること、のいずれを表していてもよい。

　第６側面保護層３４６は、第１側面保護層３４１と第２側面保護層３４２の間に設けられている。第６側面保護層３４６の底部は、絶縁層３１５の側面に接続されていてもよい。第６側面保護層３４６は、絶縁性を有していてもよい。第６側面保護層３４６は、発光素子３１から出射された光を透過することができてもよい。第６側面保護層３４６は、絶縁層３１５をドライエッチング等することにより堆積される堆積物を含んでもよい。第６側面保護層３４６は、絶縁層３１５の構成材料の一部を含んでもよいし、絶縁層３１５の構成材料の全部を含んでもよい。第６側面保護層３４６は、ＯＬＥＤ層３１２の構成材料の一部をさらに含んでもよい。

　上記構成を有する表示装置１０５は、例えばスパッタリング法、蒸着法およびＣＶＤ法等を用いて、図３０に示されるように、金属層３２、第１電極３１１、絶縁層３１４、絶縁層３１５、ＯＬＥＤ層３１２、第２電極３１３、保護層３３を駆動基板１１の第１面上に順次積層すること以外は第５の実施形態に係る表示装置１０５の製造方法と同様に製造される。但し、絶縁層３１５の形成工程とＯＬＥＤ層３１２の形成工程の間において、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、絶縁層３１４および絶縁層３１５をパターニングすることにより、複数の開口３１４a、３１５ａがそれぞれ複数の副画素１０に対応する位置に形成される。

　変形例４においては、発光素子３１が、２層の絶縁層３１４、３１５により構成された積層体を備える例について説明したが、発光素子３１が、３層以上の絶縁層により構成された積層体を備えていてもよい。

（変形例５）
　第５の実施形態では、保護層１６が、隣接する発光素子３１の間の領域において平坦な面を有している例（図２１参照）について説明したが、保護層１６の構成はこれに限定されるものではない。例えば、図３１Ａに示されるように、保護層１６が、隣接する発光素子３１の間の領域に凹部１６２を有していてもよい。この場合、共通電極１７は、凹部１６２に倣うように設けられていてもよい。保護層１６ａが、凹部１６２を埋めるように、共通電極１７の第１面上に設けられていてもよい。

　上記構成を有する表示装置１０５では、図３１Ｂに示されるように、発光素子３１から広角（斜め方向）に出射された光３１Ｌａを保護層１６と共通電極１７の間の界面で反射させることができる。また、発光素子３１から、より広角に出射された光３１Ｌｂを側面保護層３４により反射させることができる。したがって、表示装置１０５の光取り出し効率を向上させることができる。

（変形例６）
　変形例５においては、共通電極１７が保護層１６と保護層１６ａの間に設けられている例について説明したが、共通電極１７が保護層１６と保護層１６ａの間に設けられていなくてもよい。この場合、共通電極１７とは異なる構成を有する共通電極が、表示装置１０５に設けられていてもよい。

　保護層１６ａの屈折率は、保護層１６の屈折率に比べて低い。保護層１６の屈折率は、例えば、１．４を超え１．８以下である。保護層１６ａの屈折率は、例えば、１．４以下である。

　上記構成を有する表示装置１０５では、保護層１６ａの屈折率が保護層１６の屈折率に比べて低いため、発光素子３１から広角（斜め方向）に出射された光３１Ｌａを保護層１６と保護層１６ａの間の界面で反射させることができる。また、発光素子３１から、より広角に出射された光３１Ｌｂを側面保護層３４により反射させることができる。したがって、表示装置１０５の光取り出し効率を向上させることができる。
　なお、側面保護層３４が設けられていない場合には、発光素子３１から、より広角に出射された光３１Ｌｃ（図３１Ｂ参照）は、保護層１６と保護層１６ａの界面にて反射されず、隣接する副画素１０等に入射する虞がある。

＜６　第６の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図３２は、第６の実施形態に係る表示装置１０６の断面図である。表示装置１０６は、駆動基板１１と、複数の発光素子３６Ｗと、複数の絶縁層３７と、複数の保護層３３と、複数の側面保護層３８と、保護層１６と、共通電極１７と、保護層２３と、カラーフィルタ２４とを備える。なお、第６の実施形態において、第１の実施形態または第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（発光素子３６Ｗ）
　図３３は、発光素子３６Ｗを拡大して表す断面図である。発光素子３６Ｗは、白色光を発光することができる。発光素子３６Ｗは、白色ＯＬＥＤ素子であり、駆動回路等の制御に基づき、白色光を発光することができる。発光素子３６Ｗは、第１電極３６１と、ＯＬＥＤ層３６２Ｗと、第２電極３６３と、絶縁層３６４とを備える。

　第５の実施形態においては、発光素子３１が金属層３２の第１面上に設けられている例について説明したが、第６の実施形態においては、発光素子３６Ｗが駆動基板の第１面上に設けられている。

　第１電極３６１のサイズは、平面視においてＯＬＥＤ層３６２Ｗおよび第２電極３６３のサイズに比べて小さい。第１電極３６１の側面は、面内方向においてＯＬＥＤ層３６２Ｗの側面および第２電極３６３の側面の内側に位置している。第１電極３６１、ＯＬＥＤ層３６２Ｗおよび第２電極３６３は、上記以外の点においては、第３の実施形態における第１電極１９１、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３と同様であってもよい。

　絶縁層３６４は、絶縁層３７の第１面上に設けられている。絶縁層３６４は、平面視において閉ループ状を有していてもよい。絶縁層３６４は、絶縁層３６４の外側の側面がＯＬＥＤ層３６２Ｗの側面から露出するように、ＯＬＥＤ層３６２Ｗにより覆われている。絶縁層３６４の材料としては、第４の実施形態における絶縁層２６と同様の無機材料を例示することができる。

（絶縁層３７）
　各絶縁層３７は、駆動基板１１の第１面のうち、第１電極３６１の側面と側面保護層３８の内側面の間の部分に設けられている。絶縁層３７は、第１電極３６１と側面保護層３８との間を絶縁する。絶縁層３７は、平面視において閉ループ状を有していてもよい。絶縁層３７の材料としては、第４の実施形態における絶縁層２６と同様の無機材料を例示することができる。

（側面保護層３８）
　側面保護層３８は、第１側面保護層３４１と、第２側面保護層３４２と、第４側面保護層３４４と、第５側面保護層３４５とを順に備える。第４側面保護層３４４の底部は、絶縁層３７の側面に接していてもよい。第４側面保護層３４４は、表示装置１０６の製造工程において、面内方向隣接する第１電極３６１の間に設けられた金属層３２（図３４Ｇ、図３４Ｈ参照）をドライエッチングすることにより堆積される堆積物を含んでもよい。側面保護層３８は、上記以外の点においては、第５の実施形態における側面保護層３４と同様であってもよい。

［表示装置の製造方法］
　以下、図３４Ａから図３４Ｈを参照して、第６の実施形態に係る表示装置１０６の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、金属層を駆動基板１１の第１面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、金属層をパターニングする。これにより、複数の第１電極３１１が駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えばスパッタリング法を用いて、図３４Ａに示されるように、複数の第１電極３１１を覆うように、金属層３２を駆動基板１１の第１面上に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて金属層３２をエッチバックすることにより、もしくは、例えばＣＭＰにより金属層３２の第１面を研磨することにより、図３４Ｂに示されるように、複数の第１電極３１１の第１面を露出させる。

　次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、金属層３２をパターニングすることにより、図３４Ｃに示されるように、平面視において各第１電極３６１を囲む閉ループ状の開口３２ａを形成する。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図３４Ｄに示されるように、開口３２ａを埋めるように、複数の第１電極３６１の第１面上および金属層３２の第１面上に絶縁層３７を形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて絶縁層３７をエッチバックすることにより、もしくは、例えばＣＭＰにより絶縁層３７の第１面を研磨することにより、図３４Ｅに示されるように、複数の第１電極３１１および金属層３２の第１面を露出させる。

　次に、例えばスパッタリング法を用いて、複数の第１電極３６１の第１面、金属層３２の第１面および複数の絶縁層３７の第１面上に絶縁層３６４を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて絶縁層３６４をパターニングすることにより、図３４Ｆに示されるように、複数の開口３６４aをそれぞれ複数の副画素１０に対応する位置に形成する。次に、例えば蒸着法を用いて、図３４Ｆに示されるように、複数の開口３６４ａを埋めるように、ＯＬＥＤ層３６２Ｗを絶縁層３７の第１面上および第１電極３１１の第１面上に形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、図３４Ｆに示されるように、ＯＬＥＤ層３６２Ｗの第１面上に第２電極３６３を形成する。次に、例えば蒸着法またはＣＶＤ法を用いて、図３４Ｆに示されるように、第２電極３６３の第１面上に保護層３３を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図３４Ｆ、図３４Ｇに示されるように、島状のレジスト層８７を各副画素１０に対応する位置に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層３３、第２電極３６３、ＯＬＥＤ層３６２Ｗ、絶縁層３６４、金属層３２、絶縁層１１２をレジスト層８５越しに順に加工し、保護層３３の側面、第２電極３６３の側面、ＯＬＥＤ層３６２Ｗの側面、絶縁層３６４の側面および絶縁層３７の側面に堆積物を堆積させる。これにより、図３４Ｈに示されるように、複数の発光素子３６Ｗが駆動基板１１の第１面上に形成される。また、第１側面保護層３４１、第２側面保護層３４２、第４側面保護層３４４、第５側面保護層３４５が、発光素子３６Ｗの側面に順に形成される。

　次に、保護層１６の形成工程からカラーフィルタ２４の形成工程までの工程を第３の実施形態に係る表示装置１０３の製造方法と同様に実施する。以上により、表示装置１０６が得られる。

［作用効果］
　第６の実施形態に係る表示装置１０６では、側面保護層３８は、発光素子３６Ｗの側面および保護層３３の側面を覆い、かつ、発光素子３６Ｗから斜め方向に出射された光を反射することができる。したがって、第６の実施形態に係る表示装置１０６では、第５の実施形態に係る表示装置１０５と同様の作用効果を得ることができる。

［変形例］
　第６の実施形態では、発光素子３６Ｗが絶縁層３６４を備える例（図３３参照）について説明したが、図３５に示されるように、発光素子３６Ｗが絶縁層３６４を備えていなくてもよい。この場合、第２側面保護層３４２の底部は、絶縁層３７の側面に接続されていてもよい。

　上記構成を有する表示装置１０６は、例えば以下のようにして製造されてもよい。図３６Ａ、図３６Ｂに示されるように、駆動基板１１の第１面のうち、隣接する発光素子３６Ｗの間の領域に金属層３２と絶縁層３９とを順に形成する。この際、金属層３２および絶縁層３９は、絶縁層３９の高さが第１電極３６１の高さと略同一となるように形成されてもよい。絶縁層３９は、例えば酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）を含んでもよい。次に、図３６Ａ、図３６Ｂに示されるように、ＯＬＥＤ層３６２Ｗ、第２電極３６３、保護層３３を複数の第１電極３１１の第１面、絶縁層３９の第１面および複数の絶縁層３７の第１面上に順次積層した後、島状のレジスト層８７を各副画素１０に対応する位置に形成する。次に、例えばドライエッチングを用いて、保護層３３、第２電極３６３、ＯＬＥＤ層３６２Ｗ、絶縁層３９、金属層３２をレジスト層８７越しに順に加工し、保護層３３の側面、第２電極３６３の側面、ＯＬＥＤ層３６２Ｗの側面および絶縁層３７の側面に堆積物を堆積させる。これにより、図３６Ｃに示されるように、複数の発光素子３６Ｗが駆動基板１１の第１面上に形成される。また、第１側面保護層３４１、第２側面保護層３４２、第４側面保護層３４４、第５側面保護層３４５が、発光素子３６Ｗの側面に順に形成される。

　上記の製造方法の例では、絶縁層３７および絶縁層３９が、隣接する第１電極３６１の間に形成される例について説明したが、絶縁層３７および絶縁層３９が一層の絶縁層により構成されていてもよい。

＜７　第７の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図３７は、第７の実施形態に係る表示装置１０７の断面図である。表示装置１０７は、駆動基板１１と、複数の発光素子４１Ｒと、複数の発光素子４１Ｇと、複数の発光素子４１Ｂと、複数の保護層４２と、保護層４３とを備える。なお、第７の実施形態において、第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（発光素子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ）
　発光素子４１Ｒは、第１電極４１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｒと、第２電極３１３とを順に備える。発光素子４１Ｇは、第１電極４１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｇと、第２電極３１３とを順に備える。発光素子３１Ｂは、第１電極４１１と、ＯＬＥＤ層３１２Ｂと、第２電極３１３とを順に備える。以下の説明において、発光素子４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂを特に区別せず総称する場合には、単に発光素子４１ということがある。

　図３８は、隣接する発光素子４１間の領域を拡大して表す断面図である。第１電極４１１は、表示領域ＲＥ１内において、隣接する発光素子４１間で繋がり、表示領域ＲＥ１内において複数の発光素子４１に共有されている。第２電極４１３は、アノードである。第１電極４１１は、各ＯＬＥＤ層３１２の周辺領域に少なくとも１つのステップ４１１ａを有している。図３８では、第１電極４１１が、各ＯＬＥＤ層３１２の周辺領域に２つのステップ４１１ａを有する例が示されている。第１電極４１１が各ＯＬＥＤ層３１２の周辺領域に少なくとも１つのステップ４１１ａを有することで、第１電極４１１と保護層４３の密着性を向上させることができる。第１電極４１１と保護層４３の密着性の向上の観点からすると、ステップ４１１ａの数は２以上であることが好ましい。ステップ４１１ａは、第１電極４１１の厚みを変えることにより形成されていてもよい。

　ステップ４１１ａは、発光素子４１の幾何中心から離れるに従って下降している。ステップ４１１ａは、平面視において、発光素子１２を囲む閉ループ状を有していてもよい。凹部４１１ｂが、隣接する発光素子１２のステップ４１１ａにより構成されていてもよい。

　ステップ４１１ａは、第１面４１１ｃと第２面４１１ｄとを備える。第１面４１１ｃは、第１電極４１１の厚さ方向に対して略垂直な面である。第２面４１１ｄは、第１面４１１ｃの外周から下方に延設されている。ここで、下方とは、第１電極４１１の厚さ方向のうち、第１電極４１１の第１面４１１ｃから第２面４１１ｄに向かう方向を表す。第２面４１１ｄは、第１面４１１ｃと略垂直であってもよいし、第１面４１１ｃに対して傾斜していてもよい。ＯＬＥＤ層３１２の第２面と、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃとが、同一の高さに位置していてもよい。すなわち、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓと、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓに最も近いステップ４１１ａの第２面４１１ｄとが、面内方向にずれた位置に設けられていてもよい。

　第１電極４１１は、上記以外の点においては、第５の実施形態における第１電極３１１と同様であってもよい。

（保護層４２）
　保護層４２は、コンタクト孔１６１を有していないこと以外は、第５の実施形態における保護層３３と同様であってもよい。なお、第２電極３１３は、図示しない接続部材を介して駆動基板１１の配線等に接続されていてもよい。

（保護層４３）
　保護層４３は、複数のコンタクト孔１６１を有していないこと以外は、第５の実施形態における保護層１６と同様であってもよい。保護層４３は、隣接する発光素子４１の間を埋めるように、複数の保護層４２および複数の発光素子４１を覆うように設けられている。

［作用効果］
　第７の実施形態では、第１電極４１１は、ＯＬＥＤ層３１２の周辺領域に少なくとも１つのステップ４１１ａを有している。これにより、第１電極４１１と保護層４３の接触面積を増やすことができるので、第１電極４１１と保護層４３の密着性を向上させることができる。したがって、ＯＬＥＤ層３１２Ｒと第２電極３１３の間の剥がれを抑制することができる。

［変形例］
（変形例１）
　第７の実施形態では、ＯＬＥＤ層３１２の第２面と、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃとが、同一の高さに位置している例（図３８参照）について説明した。しかしながら、ＯＬＥＤ層３１２の第２面と、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃの位置関係はこの例に限定されるものではない。例えば、図３９に示されるように、ＯＬＥＤ層３１２の第２面（すなわち第１電極４１１とＯＬＥＤ層３１２の界面）の高さが、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃの高さに比べて高くてもよい。すなわち、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓと、凹部４１１ｂの側面とが略面一に繋がっていてもよい。この場合、第１電極４１１と保護層４３の密着性をさらに向上させることができる。

（変形例２）
　第７の実施形態では、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１にのみ設けられている例について説明したが、図４０に示されるように、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１と絶縁層１１２にわたって設けられていてもよい。この場合、開口４１１ｅが、隣接する発光素子４１間に形成されてもよい。開口４１１ｅは、発光素子４１の周縁全体を囲む閉ループ状を有していてもよいし、保護層１３の第２面の周縁を部分的に囲む、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。

（変形例３）
　第７の実施形態では、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１の第１面に設けられている例について説明したが、ステップ４１１ａが設けられる位置は第１電極４１１に限定されるものではない。例えば、図４１に示されるように、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１の第１面に設けられる代わりに、少なくとも１つのステップ４１１ａがＯＬＥＤ層３１２の側面に設けられていてもよい。あるいは、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１の第１面に設けられると共に、少なくとも１つのステップ４１１ａがＯＬＥＤ層３１２の側面に設けられていてもよい。

（変形例４）
　第７の実施形態では、第１電極４１１の厚みを変えることにより、ステップ４１１ａが第１電極４１１の第１面に形成されている例について説明したが、ステップ４１１ａの構成はこの例に限定されるものではない。例えば、図４２に示されるように、絶縁層１１２の第１面が、各発光素子４１の周辺領域に少なくとも１つのステップ１１２ａを有し、第１電極４１１が上記ステップ１１２ａに倣うように設けられることで、少なくとも１つのステップ４１１ａが第１電極４１１の第１面に設けられていてもよい。絶縁層１１２は、複数の発光素子４１の下に設けられた下地層の一例である。

　上記構成の場合、図４２に示されるように、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓと、凹部４１１ｂの側面とが面一に繋がってなくてもいし、図４３に示されるように、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓと、凹部４１１ｂの側面とが面一に繋がっていてもよい。第１電極４１１と保護層４３の密着性の向上の観点からすると、ＯＬＥＤ層３１２の側面３１２Ｓと、凹部４１１ｂの側面とが面一に繋がっていることが好ましい。

　より具体的には、図４２に示されるように、ＯＬＥＤ層３１２の第２面（すなわち第１電極４１１とＯＬＥＤ層３１２の界面）の高さが、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃと同一の高さであってもよい。あるいは、図４３に示されるように、ＯＬＥＤ層３１２の第２面（すなわち第１電極４１１とＯＬＥＤ層３１２の界面）の高さが、ＯＬＥＤ層３１２の第２面に最も近いステップ４１１ａの第１面４１１ｃの高さに比べて高くてもよい。

＜８　第８の実施形態＞
［概要］
　本発明者等は、表示装置の製造方法として、以下に示す製造方法を検討している。まず、駆動基板の第１面上に複数の第１電極を形成した後、複数の第１電極を覆うように、ＯＬＥＤ層、第２電極および保護層を順に積層し、積層体を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、積層体を分離することにより、複数の発光素子を駆動基板の第１面に形成する。

　上記のように、発光素子毎にＯＬＥＤ層を分離した構造を採用することにより、画素間のキャリアリークを抑制し、発光効率を向上させることができる。しかしながら、上記のように１回の加工で積層体を分離した場合、積層体を構成する各層が全て分離されるため、膜応力でＯＬＥＤ層と第２電極の間に剥がれが発生する虞がある。剥がれたが発生した場合には、発光素子の駆動電圧が高電圧化することがある。これは、第３の実施形態における概要等で述べたとおりである。

　第８の実施形態では、積層体を分離加工する際に、積層体が完全に分離されないように複数回に分けて分割加工を行うことで、膜応力によるＯＬＥＤ層と第２電極の間の剥がれ発生を抑制することができる。

［表示装置の構成］
　図４４は、第８の実施形態に係る表示装置１０８の表示領域ＲＥ１の一部を拡大して表す平面図である。図４５は、図４４の一部を拡大して表す平面図である。図４６は、図４４のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図４７は、図４４のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。表示装置１０８は、駆動基板４４と、複数の発光素子１９Ｗと、複数の保護層（第１保護層）２０と、保護層（第２保護層）４５と、保護層（第３保護層）４６と、保護層（第４保護層）１６と、共通電極１７と、保護層（第５保護層）２３と、カラーフィルタ２４とを備える。なお、第８の実施形態において、第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　本明細書において、表示装置１０８の表示面において直交する２方向のうち一方の方向を第１方向、他方の方向を第２方向という。表示装置１０８の表示面において、第１方向と第２方向の間の方向を第３方向という。第１方向、第２方向はそれぞれ、表示装置１０８の表示面の水平方向、垂直方向であってもよい。

　本明細書において、第１方向における第１電極１９１間の領域、すなわち第１方向における発光素子１９Ｗ間の領域を第１領域１９ＲＥ１という。第２方向における第１電極１９１間の領域、すなわち第２方向における発光素子１９Ｗ間の領域を第２領域１９ＲＥ２という。第３方向における第１電極１９１間の領域、すなわち第１方向における発光素子１９Ｗ間の領域を第３領域１９ＲＥ３という。第１領域１９ＲＥ１は、第２方向に延設された長尺状を有している。第２領域１９ＲＥ２は、第１方向に延設された長尺状を有している。

　複数の発光素子１９Ｗは、第１方向および第２方向に並べられている。複数の発光素子１９Ｗが、ストライプ配列等で２次元配置されていてもよい。第１領域１９ＲＥ１と第３領域１９ＲＥ３が、第２方向に交互に設けられている。第２領域１９ＲＥ２と第３領域１９ＲＥ３が、第１方向に交互に設けられている。

　溝１９ａ１は、第１領域１９ＲＥ１に設けられている。すなわち、溝１９ａ１は、第１方向に隣接する発光素子１９Ｗの間に設けられている。溝１９ａ１は、第２方向に延設されている。溝１９ａ２は、第２領域１９ＲＥ２に設けられている。すなわち、溝１９ａ２は、第２方向に隣接する発光素子１９Ｗの間に設けられている。溝１９ａ２は、第２方向に延設されている。溝１９ａ１と溝１９ａ２は、第３領域１９ＲＥ３において交差している。

　第１方向に隣接する発光素子１９Ｗの間は、溝１９ａ１により２種以上の分離幅で分離されている。より具体的には例えば、第１方向に隣接する発光素子１９Ｗの間は、少なくとも第１分離幅Ｗ_１１と第２分離幅Ｗ_１２で分離されている。第２分離幅Ｗ_１２は、第１領域１９ＲＥ１の両端部における分離幅であり、第１分離幅Ｗ_１１は、上記第１領域１９ＲＥ１の両端部の間における分離幅であってもよい。溝１９ａ１の幅Ｗ_１２が、溝１９ａ１の幅Ｗ_１１に比べて広くてもよいし、溝１９ａ１の幅Ｗ_１１に比べて狭くてもよい。図４４および図４５では、前者の例が示されている。発光素子１９Ｗ上に設けられた保護層２０も、発光素子１９Ｗと同様に溝１９ａ１により２種以上の分離幅で分離されている。

　第２方向に隣接する発光素子１９Ｗの間は、溝１９ａ２により２種以上の分離幅で分離されている。より具体的には例えば、第２方向に隣接する発光素子１９Ｗの間は、少なくとも第３分離幅Ｗ_２１と第４分離幅Ｗ_２２で分離されている。第３分離幅Ｗ_２１は、第２領域１９ＲＥ２の両端部における分離幅であり、第４分離幅Ｗ_２２は、上記第２領域１９ＲＥ２の両端部の間における分離幅であってもよい。溝１９ａ２の幅Ｗ_２２が、溝１９ａ２の幅Ｗ_２１に比べて広くてもよいし、溝１９ａ１の幅Ｗ_２１に比べて狭くてもよい。図４４および図４５では、前者の例が示されている。発光素子１９Ｗ上に設けられた保護層２０も、発光素子１９Ｗと同様に溝１９ａ２により２種以上の分離幅で分離されている。

（駆動基板４４）
　駆動基板４４は、当該駆動基板４４の第１面の第３領域１９ＲＥ３に複数の段差４４Ｓｔを有している。駆動基板４４は、基板４４１と絶縁層４４２とを備える。下地層としての絶縁層４４２は、複数の発光素子１９Ｗの下に設けられている。絶縁層４４２は、複数の発光素子１９Ｗが設けられている第１面に上記の複数の段差４４Ｓｔを有している。該複数の段差４４Ｓｔは、第１領域１９ＲＥ１の両端部、および第２領域１９ＲＥ２の両端部に設けられていてもよい。段差４４Ｓｔは、２回のエッチング加工が重複して行われることにより形成されてもよい。駆動基板４４、基板４４１および絶縁層４４２は、上記以外の点においては、第１の実施形態における駆動基板１１、基板１１１および絶縁層１１２と同様であってもよい。

（保護層４５）
　保護層４５は、複数の保護層２０の第１面上に設けられている。各保護層２０上における保護層４５は、規定方向で繋がっている。より具体的には、各保護層２０上における保護層４５は、第１方向と第２方向の間の第３方向における発光素子１９Ｗ間で繋がっている。一方、各保護層２０上における保護層４５は、第１方向における発光素子１９Ｗ間で分離され、かつ、第２方向における発光素子１９Ｗ間で分離されている。保護層４５は、溝１９ａ１と溝１９ａ２の各交差部に倣うように設けられ、各発光素子１９Ｗの側面の一部を覆うと共に、各保護層２０の側面の一部を覆っている。

　保護層４５は、第１の実施形態における保護層１３と同様の特性を有していてもよい。保護層４５に含まれる材料としては、第１の実施形態における保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。

（保護層４６）
　保護層４６は、保護層４５が設けられた複数の発光素子１９Ｗを覆っている。保護層４６は、溝１９ａ１および溝１９ａ２に倣うように設けられている。保護層４６は、第１方向における発光素子１９Ｗ間、第２方向における発光素子１９Ｗ間、および第３方向における発光素子１９Ｗ間で繋がっている。

　保護層４６は、第１の実施形態における保護層１３と同様の特性を有していてもよい。保護層４６に含まれる材料としては、第１の実施形態における保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。

　保護層４５と保護層４６の材料は、異なっていてもよいし、同一であってもよい。ここで、保護層４５と保護層４６の材料が異なるとは、保護層４５と保護層４６を構成する材料の成分が異なること、および、保護層４５と保護層４６を構成する材料の成分は同じではあるが、各成分の含有量が異なること、のいずれを表していてもよい。第８の実施形態では、保護層４５と保護層４６が備えられている例について説明するが、保護層４５と保護層４６が一体となり一つの層を構成していてもよい。

（保護層４８）
　保護層４８が、保護層２０、保護層４５および保護層４６により構成されていてもよい。第１方向における発光素子１９Ｗ間に位置する保護層４８の厚み、および第２方向における発光素子１９Ｗ間に位置する保護層４８の厚みは、第３方向における発光素子１９Ｗ間における保護層４８の厚みとは異なっていてもよい。

　第１方向における発光素子１９Ｗ間に位置する保護層４８の層数、および第２方向における発光素子１９Ｗ間に位置する保護層４８の層数は、第３方向における発光素子１９Ｗ間における保護層４８の層数と異なっていてもよい。第８の実施形態では、保護層２０と保護層４５と保護層４６が備えられている例について説明するが、保護層２０と保護層４５と保護層４６が一体となり一つの層を構成していてもよい。

［表示装置の製造方法］
　以下、図４８Ａから図５２Ｃを参照して、第８の実施形態に係る表示装置１０８の製造方法の一例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、金属層を駆動基板４４の第１面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて金属層をパターニングする。これにより、複数の第１電極３１１が駆動基板４４の第１面上に形成される。次に、例えばスパッタリング法、蒸着法およびＣＶＤ法等を用いて、図４８Ａ、図４８Ｂおよび図４８Ｃに示されるように、複数の第１電極１９１を覆うように、ＯＬＥＤ層１９２Ｗ、第２電極１９３、保護層２０を複数の第１電極１９１の第１面上に順次積層する。以下、ＯＬＥＤ層１９２Ｗ、第２電極１９３および保護層２０からなる積層体を積層体４７という。

　次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、図４９Ａ、図４９Ｂおよび図４９Ｃに示されるように、積層体４７の各第３領域１９ＲＥ３を駆動基板４４の第１面が露出するまで加工する。これにより、凹部１９ａ３が、積層体４７の各第３領域１９ＲＥ３に形成される。図４９Ａにおいてグレーの色が付けられた領域は、本工程において駆動基板４４の第１面が露出された領域を表している。以下では、本工程における積層体４７の加工を積層体４７の第１加工という。次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図５０Ａ、図５０Ｂおよび図５０Ｃに示されるように、複数の凹部１９ａ３に倣うように、保護層２０の第１面上および複数の凹部１９ａ３内に保護層４５を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、図５１Ａ、図５１Ｂおよび図５１Ｃに示されるように、保護層４５が形成された積層体４７の第１領域１９ＲＥ１および第２領域１９ＲＥ２を駆動基板４４の第１面が露出するまで加工する。これにより、溝１９ａ１が積層体４７の第１領域１９ＲＥ１に形成され、溝１９ａ２が積層体４７の第２領域１９ＲＥ２に形成される。したがって、積層体４７が副画素１０ごとに分離され、複数の発光素子１９Ｗが駆動基板４４の第１面上に形成される。以下では、本工程における積層体４７の加工を積層体４７の第２加工という。図５１Ａにおいてグレーの色が付けられた領域は、本工程において駆動基板４４の第１面が露出された領域を表している。

　積層体４７の第２加工の工程において、積層体４７の第１面上に形成されている保護層４５は、第１領域１９ＲＥ１および第２領域１９ＲＥ２では分離されるのに対して、第３領域１９ＲＥ３では繋がった状態で保持される。また、駆動基板４４の第１面の第３領域１９ＲＥ３には、積層体４７の第１加工と積層体４７の第２加工とで２回加工される部分が存在する。この部分には、図５１Ｂに示されるように、段差４４Ｓｔが形成される。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、図５２Ａ、図５２Ｂおよび図５２Ｃに示されるように、溝１９ａ１および溝１９ａ２に倣うように、保護層４５の第１面上、溝１９ａ１内および溝１９ａ２内に保護層４６を形成する。

　次に、保護層１６の形成工程からカラーフィルタ２４の形成工程までの工程を第３の実施形態に係る表示装置１０３の製造方法と同様に実施する。以上により、表示装置１０８が得られる。

［作用効果］
　第８の実施形態に係る表示装置１０８では、保護層４５が、複数の保護層２０の第１面上に設けられ、各保護層２０上における保護層４５は、第１方向と第２方向の間の第３方向における発光素子１９Ｗ間で繋がっている。これにより、保護層４５は、溝１９ａ１と溝１９ａ２の各交差部において、各発光素子１９Ｗの側面を部分的に覆っている。したがって、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の周縁部間における剥がれの発生を抑制することができる。したがって、発光素子１９Ｗの駆動電圧の高電圧化を抑制することができる。また、発光効率を向上させることができる。

　保護層４６は、溝１９ａ１および溝１９ａ２に倣うように、保護層４５が設けられた複数の発光素子１９Ｗを覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の周縁部間における剥がれの発生をさらに抑制することができる。

　第８の実施形態に係る表示装置１０８では、上記のように、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３等の周縁部間における剥がれの発生を抑制できるため、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３等の膜種の選択肢を広げることができる。

　第８の実施形態に係る表示装置１０８の製造方法では、積層体４７を分離加工する際に、積層体４７が完全に分離されないように複数回に分けて分割加工を行うことで、膜応力によるＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれ発生を抑制することができる。
　また、各発光素子１９Ｗの側面および各保護層２０の側面を覆う保護層４５を形成することで、最終的に発光素子１９Ｗが分離されたときの膜剥がれの発生を抑制することができる。

　第８の実施形態に係る表示装置１０８の製造方法では、積層体４７の第１加工の工程において、積層体４７の第３領域１９ＲＥ３を加工し、凹部１９ａ３を形成する。この際、積層体４７は、第３領域１９ＲＥ３では分離されるが、第１領域１９ＲＥ１および第２領域１９ＲＥ２では繋がっているため、積層体４７が完全に分離されることがない。したがって、積層体４７の第１加工の工程において、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の界面に対する、保護層２０の膜応力の影響を抑制することができる。よって、積層体４７の第１加工の工程において、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間に剥がれが発生し難い。積層体４７の第１加工の工程後に、保護層４５を積層体４７の第１面上および凹部１９ａ３の側面等を保護層４５により覆う。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれ対策を行うことができる。

　保護層４５の形成後、積層体４７の第２加工の工程において、第１領域１９ＲＥ１および第２領域１９ＲＥ２の間を加工することにより、溝１９ａ１および溝１９ａ２を形成する。この際、保護層４５は、積層体４７と共に、第１領域１９ＲＥ１および第２領域１９ＲＥ２では分離されるが、第３領域１９ＲＥ３では繋がっているため、保護層４５が形成された積層体４７は、完全に分離されることがない。また、第３領域１９ＲＥ３の凹部１９ａ３の側面は、保護層４５により覆われている。したがって、積層体４７の第２加工の工程においても、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の界面に対する、保護層２０の膜応力の影響を抑制することができる。よって、積層体４７の第２加工の工程においても、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間に剥がれが発生し難い。

　積層体４７の第２加工の工程後に、積層体４７の第１面上および溝１９ａ１、１９ａ２の側面上等を保護層４６により覆う。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれ対策を行うことができる。

＜９　第９の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図５３は、第９の実施形態に係る表示装置１０９の断面図である。表示装置１０９は、平坦化層５４とレンズアレイ５５とをさらに備える点において、第３の実施形態に係る表示装置１０３（図１４参照）とは異なっている。表示装置１０９は、必要に応じて、保護層５６とカバー層５７とをさらに備えてもよい。

（平坦化層５４）
　平坦化層５４は、カラーフィルタ２４を覆い、カラーフィルタ２４の第１面の上方に平坦な面を形成する。平坦化層５４は、例えば、無機材料または高分子樹脂を含む。無機材料としては、第１の実施形態における保護層１３と同様の無機材料を例示することができる。高分子樹脂としては、第１の実施形態における保護層１３と同様の高分子樹脂を例示することができる。

（レンズアレイ５５）
　レンズアレイ５５は、平坦化層５４の第１面上に設けられている。レンズアレイ５５は、複数のレンズ５５１を含む。レンズ５５１は、発光素子１９Ｗから上方に出射された光を正面方向に集光することができる。複数のレンズ５５１は、いわゆるオンチップマイクロレンズ（On Chip Microlens：ＯＣＬ）であり、規定の配置パターンで平坦化層５４の第１面上に２次元配置されている。

　１つのレンズ５５１が、１つの発光素子１９Ｗの上方に設けられていてもよいし、２つ以上のレンズ５５１が、１つの発光素子１９Ｗの上方に設けられていてもよい。図５３では、１つのレンズ５５１が１つの発光素子１９Ｗの上方に設けられる例が示されている。レンズ５５１は、発光素子１９Ｗから入射した光を出射する面側に曲面を有していてもよい。当該曲面は、発光素子１９Ｗから遠ざかる方向に突出した凸状の湾曲面であってもよいし、発光素子１９Ｗに近づく方向に窪んだ凹状の湾曲面であってもよい。湾曲面としては、例えば、略放物面状、略半球面状および略半楕円面状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

　レンズ５５１は、例えば、可視光に対して透明な無機材料または高分子樹脂を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む。高分子樹脂は、例えば、紫外線硬化樹脂を含む。

（保護層５６）
　保護層５６は、レンズアレイ５５を覆う。保護層５６の屈折率は、レンズアレイ５５の屈折率とは異なっている。保護層５６の屈折率は、レンズアレイ５５の屈折率よりも高くてもよいし、低くてもよい。レンズ５５１が出射面側に凸状の湾曲面を有する場合には、正面輝度の向上の観点から、保護層５６の屈折率は、レンズアレイ５５の屈折率よりも低いことが好ましい。レンズ５５１が出射面側に凹状の湾曲面を有する場合には、正面輝度の向上の観点から、保護層５６の屈折率は、レンズアレイ５５の屈折率よりも高いことが好ましい。

（カバー層５７）
　カバー層５７は、保護層５６の第１面上に設けられている。カバー層５７は、駆動基板１１上の第１面に設けられた複数の発光素子１２Ｗ等の各部材を封止する。カバー層５７は、発光素子１９Ｗから発せられる光に対して透光性を有している。カバー層５７は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。カバー層５７は、例えば、ガラス基板である。

［作用効果］
　第９の実施形態では、レンズアレイ５５が複数の発光素子１９Ｗの上方に設けられている。これにより、発光素子１９Ｗから上方に出射された光をレンズアレイ５５により正面方向に集光することができる。したがって、表示装置１０９の正面輝度を向上させることができる。

［変形例］
　第９の実施形態では、第３の実施形態に係る表示装置１０３に平坦化層５４とレンズアレイ５５とがさらに備えられる例について説明したが、第１、第２、および第４～第８の実施形態に係る表示装置１０１、１０２、１０４～１０８に平坦化層５４とレンズアレイ５５とがさらに備えられてもよい。後述の第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａに平坦化層５４とレンズアレイ５５とがさらに備えられてもよい。

　上記構成が採用される場合、保護層５６とカバー層５７とがさらに備えられてもよい。上記構成が採用される場合、第１、第２、および第４～第８の実施形態に係る表示装置１０１、１０２、１０４～１０８のうち、カラーフィルタ２４が備えられていない表示装置に対して、カラーフィルタ２４がさらに備えられてもよい。

＜１０　第１０の実施形態＞
［表示装置の構成］
　図７０は、第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａの表示領域ＲＥ１の一部を拡大して表す平面図である。図７１は、図７０のＬＸＸＩ－ＬＸＸＩ線に沿った断面図である。図７２は、発光素子１９Ｗの一部を拡大して表す断面図である。表示装置１０９Ａは、駆動基板１１と、複数の発光素子１９Ｗと、絶縁層９１と、側面保護層９２と、保護層１６と、共通電極１７と、保護層２３と、カラーフィルタ２４とを備える。なお、第１０の実施形態において、第３の実施形態と同一または対応する箇所には同一の符号を付す。

（絶縁層９１）
　絶縁層９１は、第１電極１９１の第１面の周縁部、第１電極１９１の側面（端面）および第１電極１９１の周辺部を覆っている。絶縁層９１は、表示領域ＲＥ１内において複数の発光素子１２で別々に設けられている。すなわち、絶縁層９１は、表示領域ＲＥ１内において、面内方向に隣接する発光素子１９Ｗの間で分断されている。絶縁層９１は、複数の開口９１ａを有する。複数の開口９１ａはそれぞれ、発光素子１９Ｗに対応して設けられている。より具体的には、複数の開口９１ａはそれぞれ、第１電極１９１の第１面（ＯＬＥＤ層１９２Ｗ側の面）上に設けられている。開口９１ａを介して、第１電極１９１とＯＬＥＤ層１９２Ｗとが接触する。

（発光素子１９Ｗ）
　発光素子１９Ｗ、より具体的には第２電極１９３は、図７２に示されるように、平坦部１９３ａと凸部１９３ｂとを第１面に有している。凸部１９３ｂは、平坦部１９３ａに対して突出している。凸部１９３ｂは、平坦部１９３ａの外周に沿って設けられ、平面視において平坦部１９３ａを囲む閉ループ状を有している。凸部１９３ｂは、発光素子１９Ｗの第１面の周縁に沿って傾斜部１９３ｃを有している。傾斜部１９３ｃは、発光素子１９Ｗの側面に隣接して設けられている。傾斜部１９３ｃは、発光素子１９Ｗの第１面の周縁の内側から外側に向かって下降している。

　発光素子１９Ｗは、側面の上端部（側面のうち第１面側（上面側）の端部）が一様に張り出した庇状の張出部１９４を有している。より具体的には、発光素子１９Ｗは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面に凹部１９５を有し、当該凹部１９５は、サイドエッチング部であり、発光素子１９Ｗの側面の全周に沿って設けられている。発光素子１９Ｗが張出部１９４を有することにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３がエッチングにより分断される工程において、エッチングにより凹部１９５に堆積した堆積物が、張出部１９４の陰になるため、堆積物に対するイオンの入射が抑制され、堆積物がエッチングされ難くなる。したがって、側面保護層９２の厚さを増加させることができるため、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれを抑制することができる。

　傾斜部１９３ｃにおける第２電極１９３の厚みｔ_２は、平坦部１９３ａにおける第２電極１９３の厚みｔ_１に比べて厚い。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３がエッチングにより分断される工程において、第２電極１９３の周縁部の後退が抑制され、発光素子１９Ｗの側面がサイドエッチングされやすくなるため、発光素子１９Ｗの側面に張出部１９４が形成さらやすくなる。ここで、第２電極１９３の厚みｔ_１、ｔ_２はいずれも、平坦部１９３ａに対して垂直な方向における厚みを表す。

　ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、平坦部１９２ａと凸部１９２ｂとを第１面に有している。平坦部１９２ａは、第１電極１９１の上方に設けられ、かつ、平面視において凸部１９２ｂにより囲まれている。平坦部１９２ａは、第１電極１９１の第１面と平行である。平坦部１９２ａは、絶縁層９１の開口９１ａから露出した第１電極１９１の第１面に対応して形成されている。

　凸部１９２ｂは、平坦部１９２ａに対して突出している。凸部１９２ｂは、平坦部１９３ａの外周に沿って設けられ、平面視において平坦部１９２ａを囲む閉ループ状を有している。凸部１９２ｂは、絶縁層９１の開口９１ａの側面により形成される段差、および、第１電極１９１の側面により形成される段差に対応して形成されている。凸部１９２ｂが、上記両段差に追随して形成されていてもよい。

　凸部１９２ｂは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の周縁に沿って傾斜部１９２ｃを有している。傾斜部１９２ｃは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面に隣接して設けられている。傾斜部１９２ｃは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の周縁の内側から外側に向かう方向に下降している。傾斜部１９２ｃの断面形状は、例えば、凸の湾曲線状または略直線状であってもよいが、これらの形状に限定されるものではない。ここで、傾斜部１９２ｃの断面形状とは、発光素子１９Ｗの中心軸を含むように表示装置１０９Ａを切断して得られる傾斜部１９２ｃの断面形状を表す。傾斜部１９２ｃは、第１電極１９１の側面により形成される段差に対応して形成されている。傾斜部１９２ｃが、上記段差に追随して形成されていてもよい。

　第２電極１９３は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の形状、すなわちＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面における平坦部１９２ａおよび凸部１９２ｂに追随している。これにより、平坦部１９３ａおよび凸部１９３ｂが、第２電極１９３の第１面（すなわち発光素子１９Ｗの第１面）に形成されている。第２電極１９３の平坦部１９３ａおよび凸部１９３ｂは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの平坦部１９２ａおよび凸部１９２ｂに追従して形成されるため、平坦部１９３ａおよび凸部１９３ｂの形状および位置関係等は、平坦部１９２ａおよび凸部１９２ｂの形状および位置関係等と同様である。したがって、平坦部１９３ａおよび凸部１９３ｂの形状および位置関係等の説明を省略する。

　第２電極１９３は、難エッチング材料により構成されていることが好ましい。具体的には、第２電極１９３のエッチングレート（エッチング速度）は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗのエッチングレートに比べて低いことが好ましい。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３がエッチングにより分断される工程において、ＯＬＥＤ層１９２Ｗがサイドエッチングされやすくなるため、発光素子１９Ｗの側面に張出部１９４が形成さらやすくなる。

（側面保護層９２）
　側面保護層９２は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面と第２電極１９３の側面の境界を少なくとも覆っている。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の界面に対する、保護層１３の膜ストレスの影響を抑制することができる。より具体的には、側面保護層９２は、第２電極１９３の側面、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの側面および絶縁層９１の側面を覆っている。第１０の実施形態では、側面保護層９２が絶縁層９１の側面を覆う例について説明するが、絶縁層９１の側面を覆っていなくてもよい。

　側面保護層９２は、平面視において、閉ループ状を有していてもよいし、部分的に分断されたループ状を有していてもよい。側面保護層９２の下端（駆動基板１１側の一端）は、第１電極１９１の第２面に比べて低く、かつ、絶縁層９１の第１面上に位置している。但し、側面保護層９２の下端の位置はこの例に限定されるものではない。例えば、側面保護層９２の下端は、第１電極１９１の第２面と略同一の高さであり、かつ、絶縁層９１の第１面上に位置していてもよいし、第１電極１９１の第２面に比べて高く、かつ、絶縁層９１の第１面上に位置していてもよい。

　側面保護層９２の上端（駆動基板１１側とは反対側の他端）は、発光素子１９Ｗの第１面の周縁と略同一の位置、または発光素子１９Ｗの第１面の周縁よりも低い位置に設けられている。

　側面保護層９２は、発光素子１９Ｗの側面を保護することができる。例えば、側面保護層９２は、外部環境から発光素子１９Ｗ内部への水分浸入を抑制し、発光素子１９Ｗの劣化を抑制することができてもよい。側面保護層９２は、発光素子１９Ｗから発せられる白色光に対して透光性を有している。側面保護層９２は、可視光に対して透明性を有することが好ましい。側面保護層９２は、絶縁性を有していることが好ましい。

　側面保護層９２は、例えば、第２電極１９３、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび絶縁層９１をエッチングすることにより、発光素子１９Ｗの側面に堆積される堆積物を含む。側面保護層９２は、より具体的には例えば、第２電極１９３の構成材料、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの構成材料および絶縁層９１の構成材料を含む。

　側面保護層９２の堆積物および構成材料は上記の例に限定されるものではない。例えば、側面保護層９２は、第２電極１９３、ＯＬＥＤ層１９２Ｗ、絶縁層９１および絶縁層１１２をエッチングすることにより、発光素子１９Ｗの側面に堆積される堆積物を含んでもよい。側面保護層９２は、より具体的には例えば、第２電極１９３の構成材料、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの構成材料、絶縁層９１の構成材料および絶縁層１１２の構成材料を含んでもよい。

　側面保護層９２の下端が絶縁層９１の第１面上に設けられている場合、側面保護層９２は、例えば、第２電極１９３およびＯＬＥＤ層１９２Ｗをエッチングすることにより、発光素子１９Ｗの側面に堆積される堆積物を含んでもよい。側面保護層９２は、より具体的には例えば、第２電極１９３の構成材料およびＯＬＥＤ層１９２Ｗの構成材料を含んでもよい。

　側面保護層９２に含まれる第２電極１９３の構成材料は、第２電極１９３の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層９２に含まれるＯＬＥＤ層１９２Ｗの構成材料は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層９２に含まれる絶縁層９１の構成材料は、絶縁層９１の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。側面保護層９２に含まれる絶縁層１１２の構成材料は、絶縁層１１２の構成材料の一部であってもよいし、全部であってもよい。

［表示装置の製造方法］
（第１の例）
　以下、図７３Ａから図７３Ｅを参照して、第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａの製造方法の第１の例について説明する。

　まず、例えばスパッタリング法を用いて、金属層（例えば厚さ２００ｎｍ程度のアルミニウム層）を駆動基板１１の第１面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて金属層をパターニングする。これにより、複数の第１電極１９１が駆動基板１１の第１面上に形成される。

　次に、例えばＣＶＤ法を用いて、複数の第１電極１９１を覆うように駆動基板１１の第１面上に絶縁層９１（例えば厚さ２００ｎｍ程度の酸化シリコン層）を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、絶縁層９１に複数の開口９１ａを形成する。これにより、各第１電極１９１の第１面が開口９１ａを介して露出する。

　次に、例えば蒸着法を用いて、ＯＬＥＤ層１９２Ｗを複数の第１電極１９１の第１面および絶縁層９１の第１面上に形成する。この際、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の平坦部１９２ａが、絶縁層９１の開口９１ａにより露出した第１電極１９１の第１面に対応して形成され、かつ、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の凸部１９２ｂが、絶縁層９１の開口９１ａの側面により形成される段差、および、第１電極１９１の側面により形成される段差に対応して形成される。

　次に、例えばスパッタ法により、第２電極１９３（例えば厚さ６０ｎｍ程度のＩＺＯ層）をＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面上に形成する。この際に、第２電極１９３は、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面の形状、すなわちＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面における平坦部１９２ａおよび凸部１９２ｂに追随するように形成される。これにより、平坦部１９３ａおよび凸部１９３ｂが、第２電極１９３の第１面に形成される。また、傾斜部１９３ｃにおける第２電極１９３の厚みｔ_２が、平坦部１９３ａにおける第２電極１９３の厚みｔ_１に比べて厚くなる。

　次に、例えばＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法を用いて、第１保護層１６３（例えば厚さ１μｍ程度の窒化シリコン層）を第２電極１９３の第１面上に形成する。次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、図７３Ａに示されるように、マスクとして島状のレジスト層９３を各副画素１０に対応する位置に形成する。この際、島状のレジスト層９３のエッジが、図７３Ｂに示されるように、傾斜部１９３ｃの上方に位置するように、島状のレジスト層９３の形成位置が調整される。

　次に、例えばドライエッチングを用いて、第１保護層１６３、第２電極１９３、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび絶縁層９１をレジスト層９３越しに順に加工する。これにより、図７３Ｃに示されるように、複数の発光素子１９Ｗが駆動基板１１の第１面上に形成される。エッチングの際に、図７３Ｄに示されるように、発光素子１９Ｗの側面がサイドエッチングされ、発光素子１９Ｗの側面に凹部（サイドエッチング部）１９５が形成されると共に、イオンにより弾き飛ばされた第２電極１９３、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび絶縁層９１の構成材料が、凹部１９５を埋めるように発光素子１９Ｗの側面に堆積される。

　上記凹部１９５の形成により、発光素子１９Ｗの側面の上端部に庇状の張出部１９４が形成されるため、発光素子１９Ｗの側面に堆積した堆積物が張出部１９４の陰になり、堆積物に対するイオンの入射が抑制され、堆積物がエッチングされ難くなる。したがって、側面保護層９２の厚さを増加させることができるため、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれを抑制することができる。

　上記のように、島状のレジスト層９３のエッジが傾斜部１９３ｃの上方に位置するように、島状のレジスト層９３の形成位置が調整されているため（図７３Ｂ参照）、傾斜部１９３ｃにおいて第２電極１９３をエッチングにより分断することができる。傾斜部１９３ｃにおける第２電極１９３の厚みｔ_２は、平坦部１９３ａにおける第２電極１９３の厚みｔ_１に比べて厚くなっているため（図７３Ｄ参照）、第２電極１９３の周縁部の後退が抑制され、発光素子１９Ｗの側面がサイドエッチングされやすくなる。したがって、発光素子１９Ｗの側面に凹部１９５が形成されやすくなる。すなわち、発光素子１９Ｗの側面の上端部に庇状の張出部１９４が一様に形成されやすくなる。

　次に、例えばアッシングを用いて、マスクとしてのレジスト層９３を第１保護層１６３の第１面上から除去する。次に、例えばＰＣＶＤ法を用いて、図７３Ｅに示されるように、第１保護層１６３が設けられた各発光素子１９Ｗを覆うように第２保護層１６４（例えば窒化シリコン層）を形成する。これにより、複数の発光素子１９Ｗが、第１保護層１６３と第２保護層１６４からなる保護層１６により覆われる。その後、必要に応じて、例えばＣＭＰを用いて、保護層１６の第１面を研磨し、平坦化してもよい。

　次に、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、保護層１６を加工し、各発光素子１９Ｗ上にコンタクト孔１６１を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法を用いて、共通電極１７（例えばＩＺＯ層）を保護層１６の第１面およびコンタクト孔１６１内に形成する。次に、例えばＰＣＶＤ法を用いて、共通電極１７の第１面上に保護層２３を形成する。

　次に、例えばフォトリソグラフィを用いて、複数の緑色フィルタ部２４ＦＧ、複数の赤色フィルタ部２４ＦＲおよび複数の青色フィルタ部２４ＦＢを保護層２３の第１面上に形成する。これにより、保護層２３の第１面上にカラーフィルタ２４が形成される。以上により、表示装置１０９Ａが得られる。

（第２の例）
　以下、図７４Ａおよび図７４Ｂを参照して、第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａの製造方法の第２の例について説明する。

　まず、第１電極１９１の形成工程からレジスト層９３の形成工程までの工程を、第３の実施形態に係る表示装置１０９Ａの製造方法の第１の例と同様に実施する。

　次に、例えばドライエッチングを用いて、第１保護層１６３をレジスト層９３越しに加工した後、例えばアッシングを用いて、マスクとしてのレジスト層９３を第１保護層１６３の第１面上から除去する。これにより、図７４Ａに示されるように、島状の第１保護層１６３が各副画素１０に対応する位置に形成される。エッチングにより島状の第１保護層１６３のエッジが傾斜部１９３ｃ上に形成されるように、島状のレジスト層９３の形成位置が調整される。

　次に、例えばドライエッチングを用いて、島状の第１保護層１６３をマスクとして第２電極１９３、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび絶縁層９１を順に加工する。これにより、図７４Ｂに示されるように、複数の発光素子１９Ｗが駆動基板１１の第１面上に形成される。次に、第２保護層１６４の形成工程からカラーフィルタ２４の形成工程までの工程を、第３の実施形態に係る表示装置１０９Ａの製造方法の第１の例と同様に実施する。以上により、表示装置１０９Ａが得られる。

［作用効果］
　第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａでは、ＯＬＥＤ層１９２Ｗは、第２電極１９３側の第１面の周縁部に傾斜部１９２ｃを有し、傾斜部１９２ｃにおける第２電極１９３の厚みｔ_２は、平坦部１９２ａにおける第２電極１９３の厚みｔ_１に比べて厚い。これにより、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３がエッチングにより分断される工程において、第２電極１９３の周縁部の後退が抑制され、発光素子１９Ｗの側面がサイドエッチングされやすくなるため、発光素子１９Ｗの側面に張出部１９４が形成されやすくなる。発光素子１９Ｗの側面に張出部１９４が形成されると、ＯＬＥＤ層１９２Ｗおよび第２電極１９３がエッチングにより分断される工程において、エッチングにより発光素子１９Ｗの側面に堆積した堆積物が張出部１９４の陰になり、堆積物に対するイオンの入射が抑制され、堆積物がエッチングされ難くなる。したがって、側面保護層９２の厚さを増加させることができるため、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれを抑制することができる。よって、発光素子１９Ｗの駆動電圧の高電圧化を抑制することができる。

　第１０の実施形態に係る表示装置１０９Ａの製造方法の第１の例および第２の例では、第２電極１９３は、平坦部１９３ａまたは平坦部１９３ｄの位置（図７３Ｂ参照）で分断されるのではなく、傾斜部１９３ｃの位置で分断される。傾斜部１９３ｃにおける第２電極１９３の厚みｔ_２は、平坦部１９３ａおよび平坦部１９３ｄにおける第２電極１９３の厚みｔ_１に比べて厚い。このため、第２電極１９３が傾斜部１９３ｃの位置で分断された場合には、第２電極１９３が平坦部１９３ａまたは平坦部１９３ｄの位置で分断された場合に比べて、第２電極１９３の周縁部の後退が抑制され、発光素子１９Ｗの側面がサイドエッチングされやすくなる。すなわち、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの面内方向への後退が、第２電極１９３よりも大きくなり、サイドエッチング量が増加する。その結果、発光素子１９Ｗの側面の上端部に庇状の張出部１９４が形成されやすくなる。このように張出部１９４が形成されやすくなると、発光素子１９Ｗの側面に側面保護層９２が厚く形成されやすくなり、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の界面に対する保護層１３の膜ストレスの影響を抑制することができる。したがって、ＯＬＥＤ層１９２Ｗと第２電極１９３の間の剥がれを抑制することができる。よって、発光素子１９Ｗの駆動電圧の高電圧化を抑制することができる。

［変形例］
（変形例１）
　第１０の実施形態では、表示装置１０９Ａが、第１電極１９１の第１面の周縁部、第１電極１９１の側面および第１電極１９１の周辺部を覆う絶縁層９１を備える例について説明した（図７２参照）。しかしながら、絶縁層９１は必須の構成要件ではなく、表示装置１０９Ａが、図７５に示されるように、絶縁層９１を備えていなくてもよい。この場合、ＯＬＥＤ層１９２Ｗが平坦部１９２ａと傾斜部１９２ｃとを第１面に有し、第２電極１９３がこれらの平坦部１９２ａと傾斜部１９２ｃにそれぞれ追随する平坦部１９３ａと傾斜部１９３ｃとを第１面に有していてもよい。但し、ＯＬＥＤ層１９２Ｗの第１面および第２電極１９３の第１面の形状はこの例に限定されるものではなく、第１０の実施形態のように、ＯＬＥＤ層１９２Ｗが平坦部１９２ａと凸部１９２ｂとを第１面に有し、第２電極１９３がこれらの平坦部１９２ａと凸部１９２ｂにそれぞれ追随する平坦部１９３ａと凸部１９３ｂとを第１面に有していてもよい。

（変形例２）
　第１０の実施形態では、側面保護層９２の上端が、発光素子１９Ｗの第１面の周縁と略同一の位置、または発光素子１９Ｗの第１面の周縁よりも低い位置に設けられている例について説明した。しかしながら、側面保護層９２の上端の位置は、この例に限定されるものではなく、例えば、図７６に示されるように、発光素子１９Ｗの第１面の周縁よりも高い位置に設けられていてもよい。この場合、側面保護層９２の上端部分が、発光素子１９Ｗの第１面上に設けられた第１保護層１６３の側面の下端部分を覆っていてもよい。

（変形例３）
　第１０の実施形態では、表示装置１０９Ａが、白色光を発光することができる複数の発光素子１９Ｗとカラーフィルタ２４とを備え、これらの組み合わせによりカラー画像を表示することができる例について説明したが、表示装置１０９Ａのカラー化の方式はこれに限定されるものではない。例えば、表示装置１０９Ａが、複数の発光素子１９Ｗに代えて、赤色光を発光することができる複数の発光素子と、緑色光を発光することができる複数の発光素子と、青色光を発光することができる複数の発光素子を備えてもよい。この場合、カラーフィルタ２４は備えられていてもよいし、備えられていなくてもよい。

　各色の光を発光することができる上記発光素子は、例えば、（１）所定色の光（赤色光、緑色光または青色光）を発光することができる発光層を含む発光素子、（２）白色光を発光することができる発光層を含み、当該発光層で発光された白色光に含まれる所定波長の光（赤色光、緑色光または青色光）を共振器構造により共振させ強調することができる発光素子、または（３）所定色の光（赤色光、緑色光または青色光）を発光することができる発光層を含み、当該発光層で発光された所定色の光に含まれる所定波長の光を共振器構造により共振させ強調することができる発光素子である。

＜１０　変形例＞
（変形例１）
　第３から第９の実施形態、および第１０の実施形態においては、第２電極の側面と第２電極上に設けられた保護層の側面とが略面一になっている例について説明したが、第２電極の側面と第２電極上に設けられた保護層の側面の位置関係はこの例に限定されるものではない。例えば、第３から第９の実施形態にて、第２電極上に設けられた保護層の側面が、第１または第２の実施形態におけるように、面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置していてもよい。この場合、ＯＬＥＤ層と第２電極の間の剥がれ抑制効果をさらに向上させることができる。

（変形例２）
　第３の実施形態においては、第１電極２５１上にＯＬＥＤ層２５２、第２電極２５３および保護層２７からなる積層体が設けられている例（図１８参照）について説明した。当該積層体は、図５４、図５５に示されるように、溝２５ａにより面内方向に２つの領域に分割されていてもよい。溝２５ａは、平面視において閉ループ状を有している。第２電極１２３の第１面うち、溝２５ａの内側に位置する部分が、共通電極１７のコンタクト部１７１に接続される。すなわち、溝２５ａの内側に位置する部分が発光部分となり、溝２５ａの外側に位置する部分が非発光部分となる。

　変形例２においては、側面保護層２８は、発光素子２５の側面に代えて、溝２５ａの側面に設けられていてもよいし、発光素子２５の側面と溝２５ａの側面の両方に設けられていてもよい。側面保護層２８は、図５４、図５５に示されるように、溝２５ａの内側側面と外側側面の両方に設けられていてもよいし、溝２５ａの内側側面にのみ設けられていてもよい。ここで、溝２５ａの内側側面とは、溝２５ａを構成する１組の側面のうち、発光素子２５の側面から遠い方の側面を表し、溝２５ａの外側側面とは、溝２５ａを構成する１組の側面のうち、発光素子２５の側面に近い方の側面を表す。

　上記の例では、第３の実施形態における積層体に対して溝２５ａを設ける例について説明したが、第１、第２、第４から第９の実施形態における積層体に対して溝を設けてもよい。この場合、溝の側面に側面保護層が設けられてもよい。第１、第２の実施形態における積層体に対して溝が設けられる場合、溝の内側側面が、第１、第２の実施形態における積層体の側面と同様の構成を有していてもよい。すなわち、溝の内側側面において、保護層１３の側面が、面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置していてもよい。

（変形例３）
　第７の実施形態において、表示装置１０７が複数の側面保護層を備え、各側面保護層が発光素子４１Ｇの側面を覆っていてもよい。当該側面保護層は、第１から第６、第８の実施形態における側面保護層のいずれであってもよい。この場合、ＯＬＥＤ層３１２Ｒと第２電極３１３の間の剥がれ抑制効果をさらに向上させることができる。

（変形例４）
　第１の実施形態では、保護層１３の側面が面内方向において第２電極１２３の側面の内側に位置する例について説明したが、保護層１３の側面と第２電極１２３の側面が略面一になっていてもよい。

（変形例５）
　第１から第９の実施形態、および第１０の実施形態では、第１電極がアノードであり、第２電極がカソードである例について説明したが、第１電極がカソードであり、第２電極がアノードであってもよい。

（その他の変形例）
　以上、本開示の第１から第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の第１から第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

　例えば、上記の第１から第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

　上記の第１から第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上記の第１から第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　本開示は以下の構成（１－１）から（１－２０）を採用することもできる。なお、以下の構成（１－１）から（１－２０）は、第１から第８の実施形態に対応する構成である。
（１）
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間で分離された保護層と、
　各前記有機物含有層の側面、各前記第２電極の側面および各前記保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　前記保護層の側面は、前記第２電極の側面の内側に位置している、
　発光装置。
（２）
　前記保護層は、窒化シリコンを含む、
　（１）に記載の発光装置。
（３）
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層のエッチングレートは、前記第１保護層のエッチングレートに比べて小さい、
　（１）に記載の発光装置。
（４）
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層は、単分子層を含む、
　（１）に記載の発光装置。
（５）
　前記保護層は、窒化シリコンを含む第１保護層と、酸化アルミニウムを含む第２保護層とを順に有する、
　（１）に記載の発光装置。
（６）
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層の側面は、前記第１保護層の側面の外側に位置している、
　（１）に記載の発光装置。
（７）
　前記側面保護層は、第１側面保護層と、第２側面保護層とを有する、
　（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光装置。
（８）
　前記第２側面保護層が、酸化ジルコニウム、酸化タンタルおよび酸化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む、
　（７）に記載の発光装置。
（９）
　前記第１側面保護層の屈折率が、前記保護層の屈折率に比べて低い、
　（７）または（８）に記載の発光装置。
（１０）
　隣接する前記第１電極の間に設けられた第１絶縁層と、
　前記第１電極の前記有機物含有層側の面の周縁部に設けられた第２絶縁層と
　をさらに備える、
　（７）から（９）のいずれか１項に記載の発光装置。
（１１）
　前記第１側面保護層は、前記第２絶縁層と同一材料を含み、
　前記第２側面保護層は、前記第１絶縁層と同一材料を含む、
　（１０）に記載の発光装置。
（１２）
　前記側面保護層は、単分子層を含む、
　（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光装置。
（１３）
　前記側面保護層は、前記発光素子から出射された光を反射することができる、
　（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光装置。
（１４）
　前記側面保護層は、
　導電性を有する第１側面保護層と、絶縁性を有する第２側面保護層と、導電性を有する第３側面保護層とを順に有する、
　（１３）に記載の発光装置。
（１５）
　隣接する前記発光素子の間を埋める第３保護層をさらに備え、
　少なくとも１つの第１ステップが、各前記発光素子の周辺に設けられている、
　（１）から（１４）のいずれか１項に記載の発光装置。
（１６）
　各前記第１ステップは、前記第１電極に設けられている、
　（１５）に記載の発光装置。
（１７）
　前記発光素子の下に設けられた下地層をさらに備え、
　前記下地層は、少なくとも１つの第２ステップを各前記発光素子の周辺に有し、
　前記第１電極は、前記各第２ステップに倣うように設けられている、
　（１６）に記載の発光装置。
（１８）
　積層体が、前記発光素子と前記保護層により構成され、
　隣接する前記積層体の間は、２種以上の分離幅で分離され、
　前記保護層は、第１保護層と、前記第１保護層上に設けられた第２保護層とを含み、
　前記第１保護層は、隣接する前記積層体の間において分離され、
　前記第２保護層は、隣接する前記積層体の間において規定方向で繋がっている、
　（１）に記載の発光装置。
（１９）
　複数の前記積層体を覆う第３保護層をさらに備え、
　溝が、隣接する前記積層体の間に設けられ、
　前記第２保護層および前記第３保護層は、前記溝に倣うように設けられている、
　（１８）に記載の発光装置。
（２０）
　請求項１に記載の発光装置を備える電子機器。

　本開示は以下の構成（３－１）から（３－７）を採用することもできる。なお、以下の構成（３－１）から（３－７）は、第３の実施形態に対応する構成である。
（３－１）
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを備え、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間で分離された保護層と、
　各前記有機物含有層の側面、各前記第２電極の側面および各前記保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　前記側面保護層は、第１側面保護層と、第２側面保護層とを備える、
　発光装置。
（３－２）
　前記第２電極は、透明導電性酸化物を含む、
　（３－１）に記載の発光装置。
（３－３）前記第２側面保護層が、酸化ジルコニウム、酸化タンタルおよび酸化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む、
　（３－１）から（３－２）のいずれか１項に記載の発光装置。
（３－４）
　前記第１側面保護層の屈折率が、前記保護層の屈折率に比べて低い、
　（３－１）から（３－３）のいずれか１項に記載の発光装置。
（３－５）
　隣接する前記第１電極の間に設けられた第１絶縁層と、
　前記第１電極の前記有機物含有層側の面の周縁部に設けられた第２絶縁層と
　をさらに備える、
　（３－１）から（３－４）のいずれか１項に記載の発光装置。
（３－６）
　前記第１側面保護層は、前記第２絶縁層の構成材料の一部または全部を含み、
　前記第２側面保護層は、前記第１絶縁層の構成材料の一部または全部を含み、
　（３－５）に記載の発光装置。
（３－７）
　駆動基板上に２次元配置された複数の第１電極を形成する工程と、
　隣接する前記第１電極の間の領域に第１絶縁層および第２絶縁層を積層する工程と、
　前記第１電極上および前記第２絶縁層上に、有機発光層を含む有機物含有層、第２電極、保護層を積層する工程と、
　隣接する前記第１電極の間の領域の前記保護層、前記第２電極および前記有機物含有層を除去する工程と、
　隣接する前記第１電極の間の領域の前記第２絶縁層および前記第１絶縁層を順次スパッタエッチングすることにより、前記有機物含有層の側面、前記第２電極の側面および前記保護層の側面に第１側面保護層、第２側面保護層を順次形成する工程と
　を備える発光装置の製造方法。

　本開示は以下の構成（４－１）および（４－２）を採用することもできる。なお、以下の構成（４－１）および（４－２）は、第４の実施形態に対応する構成である。
（４－１）
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを備え、２次元配置された複数の発光素子と、
　複数の前記発光素子上に設けられ、前記発光素子の間で分離された保護層と、
　各前記発光素子の前記有機物含有層の側面、前記第２電極の側面および前記保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　前記側面保護層は、単分子層を含む、
　発光装置。
（４－２）
　前記単分子層は、ＡＬＤ層を含む、
　（４－１）に記載の発光装置。

　本開示は以下の構成（５－１）から（５－６）を採用することもできる。なお、以下の構成（５－１）から（５－６）は、第５、第６の実施形態に対応する構成である。
（５－１）
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを備え、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間で分離された保護層と、
　各前記有機物含有層の側面、各前記第２電極の側面および各前記保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　前記側面保護層は、前記発光素子から出射された光を反射することができる、
　発光装置。
（５－２）
　前記側面保護層は、少なくとも一層の反射層を含む、
　（５－１）に記載の発光装置。
（５－３）
　各前記発光素子は、絶縁層をさらに備え、
　前記絶縁層は、前記第１電極の前記有機物含有層側の面の周縁部に設けられている、
　（５－１）に記載の発光装置。
（５－４）
　前記側面保護層は、
　導電性を有する第１側面保護層と、絶縁性を有する第２側面保護層と、導電性を有する第３側面保護層とを順に備え、
　前記第１側面保護層は、前記第２電極に接続され、
　前記第３側面保護層は、前記第１電極に接続されている、
　（５－１）または（５－３）に記載の発光装置。
（５－５）
　前記各発光素子の下に設けられた金属層をさらに備える、
　（５－１）または（５－３）に記載の発光装置。
（５－６）
　前記側面保護層は、導電性を有する前記第１側面保護層と、絶縁性を有する第２側面保護層と、前記発光素子から出射された光を反射することができる第３側面保護層と、前記発光素子から出射された光を反射することができる第４側面保護層とを順に備える、
　（５－１）または（５－５）に記載の発光装置。
（５－７）
　金属層、第１電極、絶縁層、有機発光層を含む有機物含有層、第２電極、保護層を駆動基板上に順に形成する工程と、
　前記保護層、前記第２電極、前記有機物含有層、前記絶縁層、前記第１電極、前記金属層を順にエッチングすることにより、前記第１電極の側面、前記有機物含有層の側面、前記第２電極の側面および前記保護層の側面に堆積物を堆積する工程と
　を備える、
　発光装置の製造方法。

　本開示は以下の構成（７－１）から（７－７）を採用することもできる。なお、以下の構成（７－１）から（７－７）は、第７の実施形態に対応する構成である。
（７－１）
　２次元配置された複数の発光素子と、
　隣接する前記発光素子の間を埋める保護層と
　を備え、
　少なくとも１つの第１ステップが、各前記発光素子の周辺に設けられている、
　発光装置。
（７－２）
　前記発光素子は、第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを順に備える、
　（７－１）に記載の発光装置。
（７－３）
　各前記第１ステップは、前記第１電極に設けられている、
　（７－２）に記載の発光装置。
（７－４）
　前記第１電極は、隣接する前記発光素子の間で繋がっている、
　（７－２）または（７－３）に記載の発光装置。
（７－５）
　各前記第１ステップは、前記有機物含有層に設けられている、
　（７－２）に記載の発光装置。
（７－６）
　前記発光素子の下に設けられた下地層をさらに備え、
　各前記第１ステップは、前記第１電極と前記下地層に設けられている、
　（７－２）に記載の発光装置。
（７－７）
　前記発光素子の下に設けられた下地層をさらに備え、
　前記下地層は、少なくとも１つの第２ステップを各前記発光素子の周辺に有し、
　前記第１電極は、前記各第２ステップに倣うように設けられている、
　（７－２）に記載の発光装置。

　本開示は以下の構成（８－１）から（８－１３）を採用することもできる。なお、以下の構成（８－１）から（８－１３）は、第８の実施形態に対応する構成である。
（８－１）
　２次元配置された複数の積層体を備え、
　前記積層体は、
　発光素子と、
　前記発光素子上に設けられた保護層と
　を含み、
　前記発光素子は、第１電極とＯＬＥＤ層と第２電極とを含み、
　隣接する前記積層体の間は、２種以上の分離幅で分離されている、
　発光装置。
（８－２）
　前記保護層は、第１保護層と、前記第１保護層上に設けられた第２保護層とを含み、
　前記第１保護層は、隣接する前記積層体間において分離され、
　前記第２保護層は、隣接する前記積層体間において規定方向で繋がっている、
　（８－１）に記載の発光装置。
（８－３）
　前記積層体は、第１保護層と、前記第１保護層上に設けられた第２保護層とを含み、
　複数の前記積層体は、第１方向および第２方向に並べられ、
　前記第２保護層は、前記第１方向における前記積層体間で分離され、かつ、前記第２方向における前記積層体間で分離され、
　前記第２保護層は、前記第１方向と前記第２方向の間の第３方向における前記積層体間で繋がっている、
　（８－１）に記載の発光装置。
（８－４）
　前記第１方向に隣接する前記積層体間は、少なくとも第１分離幅と第２分離幅で分離され、
　前記第２分離幅は、前記第１方向に隣接する前記積層体間の領域の両端部における分離幅であり、
　前記第１分離幅は、前記両端部の間における分離幅であり、
　前記第２方向に隣接する前記積層体間は、少なくとも第３分離幅と第４分離幅で分離され、
　前記第４分離幅は、前記第２方向に隣接する前記積層体間の領域の両端部における分離幅であり、
　前記第３分離幅は、前記両端部の間における分離幅である、
　（８－２）または（８－３）に記載の発光装置。
（８－５）
　前記第２保護層は、前記積層体の側面の一部を覆っている、
　（８－２）から（８－４）のいずれか１項に記載の発光装置。
（８－６）
　溝が、隣接する前記積層体の間に設けられ、
　前記第２保護層は、前記溝に倣うように設けられている、
　（８－２）から（８－５）のいずれか１項に記載の発光装置。
（８－７）
　複数の前記積層体を覆う第３保護層をさらに備え、
　前記第３保護層は、前記溝に倣うように設けられている、
　（８－６）に記載の発光装置。
（８－８）
　前記第３保護層は、前記第１方向における前記積層体間、前記第２方向における前記積層体間、および第３方向における前記積層体間で繋がっている、
　（８－７）に記載の発光装置。
（８－９）
　前記第２保護層と前記第３保護層の材料が異なっている、
　（８－７）または（８－８）に記載の発光装置。
（８－１０）
　複数の前記積層体は、第１方向および第２方向に並べられ、
　前記第１方向における前記積層体間に位置する保護層の厚み、および前記第２方向における前記積層体間に位置する保護層の厚みは、前記第１方向と前記第２方向の間の第３方向における前記積層体間における前記保護層の厚みと異なっている、
　（８－１）に記載の発光装置。
（８－１１）
　複数の前記積層体は、第１方向および第２方向に並べられ、
　前記第１方向における前記積層体間に位置する保護層の層数、および前記第２方向における前記積層体間に位置する保護層の層数は、前記第１方向と前記第２方向の間の第３方向における前記積層体間における前記保護層の層数と異なっている、
　（８－１）に記載の発光装置。
（８－１２）
　前記複数の積層体の下に設けられた下地層をさらに備え、
　複数の前記積層体は、第１方向および第２方向に並べられ、
　前記下地層は、複数の前記積層体が設けられている面に段差を有し、該段差は、隣接する前記積層体間の領域の両端部に設けられている、
　（８－１）に記載の発光装置。
（８－１３）
　第１方向および第２方向に２次元配置された複数の第１電極を形成する工程と、
　前記第１電極を覆うように、ＯＬＥＤ層、第２電極および第１保護層を順に形成することにより積層体を形成する工程と、
　前記積層体の複数の第３領域を加工することにより、複数の凹部を前記積層体に形成する工程と、
　複数の凹部が形成された前記積層体を覆う第２保護層を形成する工程と、
　前記積層体の複数の第１領域および複数の第２領域を加工することにより、前記積層体を分割する工程と
　を備え、
　前記第１領域は、前記第１方向における前記第１電極間の領域であり、
　前記第２領域は、前記第２方向における前記第１電極間の領域であり、
　前記第３領域は、前記第１方向と前記第２方向の間の第３方向における前記第１電極間の領域である、
　発光装置の製造方法。

　本開示は以下の構成（９－１）から（９－４）を採用することもできる。なお、以下の構成（９－１）から（９－４）は、第１０の実施形態に対応する構成である。
（９－１）
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子の側面に設けられた側面保護層と
　を備え、
　前記有機物含有層は、前記第２電極側の面に平坦部と傾斜部とを有し、前記傾斜部は、前記有機物含有層の側面に隣接して設けられ、
　前記第２電極は、前記平坦部と前記傾斜部に追随しており、前記傾斜部における前記第２電極の厚みは、前記平坦部における前記第２電極の厚みに比べて厚い、
　発光装置。
（９－２）
　前記発光素子は、該発光素子の側面の上端部に張出部を有している、
　（９－１）に記載の発光装置。
（９－３）
　前記側面保護層は、前記有機物含有層および前記第２電極の境界を覆っている、
　（９－１）または（９－２）に記載の発光装置。
（９－４）
　前記複数の発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間にて分断された保護層をさらに備え、
　前記側面保護層は、各前記発光素子の側面と共に、前記保護層の側面も覆っている、
　（９－１）から（９－３）のいずれか１項に記載の発光装置。
（９－５）
　２次元配置された複数の第１電極を形成する工程と、
　前記複数の第１電極のエッジにそれぞれ対応する複数の第１傾斜部を表面に有する、有機発光層を含む有機物含有層を形成する工程と、
　前記有機物含有層の表面形状に追随するように、第２電極を前記有機物含有層上に形成することにより、前記複数の第１傾斜部にそれぞれ対応する複数の第２傾斜部を前記第２電極の表面に形成する工程と、
　前記各第２傾斜部の位置において前記第２電極および前記有機物含有層を分断する工程と
　を備える発光装置の製造方法。

＜１０　発光部、レンズ部材、波長選択部のそれぞれの中心を通る法線の関係＞
　以下、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明する。ここで、発光部は、例えば、第９の実施形態における発光素子１８Ｗである。レンズ部材は、例えば、第９の実施形態におけるレンズアレイ５５のレンズ５５１である。波長選択部は、例えば、第９の実施形態におけるフィルタ部２４Ｆである。ここでは、第９の実施形態に係る表示装置１０９に対して以下の構成が適用された例について説明するが、第９の実施形態の変形例に係る表示装置１０１、１０２、１０４～１０８、１０９Ａに対して以下の構成が適用されてもよい。

　なお、発光部が出射する光に対応して、波長選択部の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光部の波長選択部の間に光吸収部（例えば、ブラックマトリクス部）が設けられている場合、発光部が出射する光に対応して、光吸収部の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部の大きさを、発光部の中心を通る法線と波長選択部の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ_０に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部の平面形状は、レンズ部材の平面形状と同じであってもよいし、相似であってもよいし、異なっていてもよい。

　以下、図５６Ａ、図５６Ｂ、図５６Ｃ、図５７を参照して、発光部５１と、波長選択部５２、レンズ部材５３が、この順序で配置されている場合の各部の中心を通る法線の関係について説明する。

　図５６Ａに示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していてもよい。すなわち、Ｄ_０＝０、ｄ_０＝０であってもよい。但し、Ｄ_０は、発光部５１の中心を通る法線ＬＮとレンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）を表し、ｄ_０は、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”との間の距離（オフセット量）を表す。

　図５６Ｂに示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”とは、一致しているが、発光部５１の中心を通る法線ＬＮおよび波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していない構成としてもよい。すなわち、Ｄ_０＞０、ｄ_０＝０であってもよい。

　図５６Ｃに示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”およびレンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ_０＞０、ｄ_０＞０、Ｄ_０＝ｄ_０であってもよい。

　図５７に示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とがいずれも、一致していない構成としてもよい。すなわち、Ｄ_０＞０、ｄ_０＞０、Ｄ_０≠ｄ_０であってもよい。ここで、発光部５１の中心とレンズ部材５３の中心（図５７において黒丸で示される位置）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部５２の中心（図５７において黒四角で示される位置）が位置することが好ましい。具体的には、発光部５１の中心と波長選択部５２の中心との間の、厚さ方向（図５７中、垂直方向）における距離をＬＬ_１、波長選択部５２の中心とレンズ部材５３の中心との間の、厚さ方向における距離をＬＬ_２としたとき、
　　Ｄ_０＞ｄ_０＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　ｄ_０：Ｄ_０＝ＬＬ_１：（ＬＬ_１＋ＬＬ_２）
を満足することが好ましい。
　ここで、厚さ方向とは、発光部５１、波長選択部５２、レンズ部材５３の厚さ方向を表す。

　以下、図５８Ａ、図５８Ｂ、図５９を参照して、発光部５１と、レンズ部材５３、波長選択部５２が、この順序で配置されている場合の各部の中心を通る法線の関係について説明する。

　図５８Ａに示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ_０＞０、ｄ_０＝０であってもよい。

　図５８Ｂに示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”およびレンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ_０＞０、ｄ_０＞０、Ｄ_０＝ｄ_０であってもよい。

　図５９に示されるように、発光部５１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部５２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材５３の中心を通る法線ＬＮ’とがいずれも、一致していない構成としてもよい。ここで、発光部５１の中心と波長選択部５２の中心（図５９において黒四角で示される位置）とを結ぶ直線ＬＬ上に、レンズ部材５３の中心（図５９において黒丸で示される位置）が位置することが好ましい。具体的には、発光部５１の中心とレンズ部材５３の中心との間の、厚さ方向（図５９中、垂直方向）における距離をＬＬ_２、レンズ部材５３の中心と波長選択部５２の中心との間の、厚さ方向における距離をＬＬ_１としたとき、
　　ｄ_０＞Ｄ_０＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　Ｄ_０：ｄ_０＝ＬＬ_２：（ＬＬ_１＋ＬＬ_２）
を満足することが好ましい。
　ここで、厚さ方向とは、発光部５１、波長選択部５２、レンズ部材５３の厚さ方向を表す。

＜１１　共振器構造の例＞
　上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図面を参照しながら、共振器構造について説明する。また、以下の説明において、各層の第１面を上面ということがある。

（共振器構造：第１例）
　図６０Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた発光素子を特に区別せず総称する場合には、発光素子１２ということがある。副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた発光素子を区別する場合には、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂということがある。ＯＬＥＤ層１２２のうち副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応する部分を、ＯＬＥＤ層１２２_Ｒ、ＯＬＥＤ層１２２_Ｇ、ＯＬＥＤ層１２２_Ｂということがある。発光素子は、第１から第９の実施形態および第１０の実施形態における発光素子のいずれであってもよい。

　第１例において、第１電極１２１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第２電極１２３においても同様である。

　発光素子１２の第１電極１２１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２電極１２３との間にＯＬＥＤ層１２２が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた光学調整層７２を、光学調整層７２_Ｒ、７２_Ｇ、７２_Ｂということがある。

　反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２_Ｒ、７２_Ｇ、７２_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　図６０Ａに示す例では、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２電極１２３の上面の位置は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて相違する。

　反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。

　光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）等の無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂等といった有機樹脂材料を用いて構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光素子１２の種類に応じて積層数が異なっても良い。

　第１電極１２１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）等の透明導電材料を用いて形成することができる。

　第２電極１２３は、半透過反射膜として機能する必要がある。第２電極１２３は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金等を用いて形成することができる。

（共振器構造：第２例）
　図６０Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。

　第２例においても、第１電極１２１や第２電極１２３は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。

　そして、第２例においても、発光素子１２の第１電極１２１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極１２３との間にＯＬＥＤ層１２２が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。

　図６０Ａに示す第１例においては、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２電極１２３の上面の位置は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて相違していた。

　これに対し、図６０Ｂに示す第２例において、第２電極１２３の上面は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂで揃うように配置されている。第２電極１２３の上面を揃えるために、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂにおいて反射板７１の上面は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、下地層（絶縁層）７３の上面）は、発光素子１２の種類に応じた階段形状となる。

　反射板７１、光学調整層７２、第１電極１２１および第２電極１２３を構成する材料等については、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第３例）
　図６１Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた反射板７１を、反射板７１_Ｒ、７１_Ｇ、７１_Ｂということがある。

　第３例においても、第１電極１２１や第２電極１２３は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。

　そして、第３例においても、発光素子１２の第１電極１２１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極１２３との間に、ＯＬＥＤ層１２２が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極１２３の上面の位置は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂで揃うように配置されている。

　図６０Ｂに示す第２例にあっては、第２電極１２３の上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光素子１２の種類に応じた階段形状であった。

　これに対し、図６１Ａに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１_Ｒ、７１_Ｇ、７１_Ｂの下面が揃うように膜厚が設定されている。

（共振器構造：第４例）
　図６１Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた第１電極１２１を、第１電極１２１_Ｒ、１２１_Ｇ、１２１_Ｂということがある。

　図６０Ａに示す第１例において、各発光素子１２の第１電極１２１や第２電極１２３は、共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１電極１２１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。

　これに対し、図６１Ｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１電極１２１の膜厚を、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて異なるように設定した。

　反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第１電極１２１の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極１２１_Ｒ、１２１_Ｇ、１２１_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

（共振器構造：第５例）
　図６２Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。

　図６０Ａに示す第１例において、第１電極１２１や第２電極１２３は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１電極１２１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。

　これに対し、図６２Ａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて異なるように設定した。以下の説明において、副画素１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂにそれぞれに対応して設けられた酸化膜７４を、酸化膜７４_Ｒ、７４_Ｇ、７４_Ｂということがある。

　酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４_Ｒ、７４_Ｇ、７４_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２電極１２３との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。

　発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。

　先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。

　そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１_Ｒ、７１_Ｇ、７１_Ｂのそれぞれに発光素子１２の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。

　反射板７１、第１電極１２１および第２電極１２３を構成する材料等については、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第６例）
　図６２Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。

　第６例において、発光素子１２は、第１電極１２１とＯＬＥＤ層１２２と第２電極１２３とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極１２１は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１電極（兼反射板）１２１は、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇ、１２_Ｂの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極（兼反射板）１２１による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　第１電極（兼反射板）１２１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光素子１２_Ｒの第１電極（兼反射板）１２１_Ｒを銅（Ｃｕ）で形成し、発光素子１２_Ｇの第１電極（兼反射板）１２１_Ｇと発光素子１２_Ｂの第１電極（兼反射板）１２１_Ｂとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。

　第２電極１２３を構成する材料等については、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第７例）
　図６３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。

　第７例は、基本的には、発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇについては第６例を適用し、発光素子１２_Ｂについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

　発光素子１２_Ｒ、１２_Ｇに用いられる第１電極（兼反射板）１２１_Ｒ、１２１_Ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。

　発光素子１２_Ｂに用いられる、反射板７１_Ｂ、光学調整層７２_Ｂおよび第１電極１２１_Ｂを構成する材料等については、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

＜１２　応用例＞
（電子機器）
　上記の第１～第９の実施形態、第１０の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０１～１０９、１０９Ａ（以下「表示装置１０１等」という。）は、各種の電子機器に備えられてもよい。表示装置１０１等は、特にヘッドマウント型ディスプレイ等のアイウェアデバイス、またはビデオカメラもしくは一眼レフカメラの電子ビューファインダ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。

（具体例１）
　図６４Ａ、図６４Ｂは、デジタルスチルカメラ６１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ６１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）６１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）６１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部６１３を有している。

　カメラ本体部６１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ６１４が設けられている。モニタ６１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）６１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ６１５を覗くことによって、撮影レンズユニット６１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ６１５は、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。

（具体例２）
　図６５は、ヘッドマウントディスプレイ６２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ６２０は、アイウェアデバイスの一例である。ヘッドマウントディスプレイ６２０は、例えば、眼鏡形の表示部６２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部６２２を有している。表示部６２１は、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。

（具体例３）
　図６６は、テレビジョン装置６３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置６３０は、例えば、フロントパネル６３２およびフィルターガラス６３３を含む映像表示画面部６３１を有しており、この映像表示画面部６３１は、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。

（具体例４）
　図６７は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６４０の外観の一例を示す。シースルーヘッドマウントディスプレイ６４０は、アイウェアデバイスの一例である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６４０は、本体部６４１と、アーム６４２と、鏡筒６４３とを備える。

　本体部６４１は、アーム６４２および眼鏡６５０と接続される。具体的には、本体部６４１の長辺方向の端部はアーム６４２と結合され、本体部６４１の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６５０と連結される。なお、本体部６４１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

　本体部６４１は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６４０の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６４２は、本体部６４１と鏡筒６４３とを接続させ、鏡筒６４３を支える。具体的には、アーム６４２は、本体部６４１の端部および鏡筒６４３の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６４３を固定する。また、アーム６４２は、本体部６４１から鏡筒６４３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

　鏡筒６４３は、本体部６４１からアーム６４２を経由して提供される画像光を、接眼レンズ６５１を通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６４０を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６４０において、本体部６４１の表示部は、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。

（具体例５）
　図６８は、スマートフォン６６０の外観の一例を示す。スマートフォン６６０は、各種情報を表示する表示部６６１、およびユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部６６２等を備える。表示部６６１は、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。

（具体例６）
　上記の表示装置１０１等は、乗物に備えられるか各種のディスプレイに備えられてもよい。

　図６９Ａおよび図６９Ｂは、各種のディスプレイが備えられた乗物５００の内部の構成の一例を示す図である。具体的には、図６９Ａは、乗物５００の後方から前方にかけての乗物５００の内部の様子の一例を示す図、図６９Ｂは、乗物５００の斜め後方から斜め前方にかけての乗物５００の内部の様子の一例を示す図である。

　乗物５００は、センターディスプレイ５０１と、コンソールディスプレイ５０２と、ヘッドアップディスプレイ５０３と、デジタルリアミラー５０４と、ステアリングホイールディスプレイ５０５と、リアエンタテイメントディスプレイ５０６とを備える。これらのディスプレイの少なくとも１つが、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備える。例えば、これらのディスプレイのすべてが、上記の表示装置１０１等のうちいずれかを備えてもよい。

　センターディスプレイ５０１は、運転席５０８および助手席５０９に対向するダッシュボードの部分に配置されている。図６９Ａおよび図６９Ｂでは、運転席５０８側から助手席５０９側まで延びる横長形状のセンターディスプレイ５０１の例を示すが、センターディスプレイ５０１の画面サイズや配置場所は任意である。センターディスプレイ５０１には、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。具体的な一例として、センターディスプレイ５０１には、イメージセンサで撮影した撮影画像、ＴｏＦセンサで計測された乗物５００の前方や側方の障害物までの距離画像、赤外線センサで検出された乗客の体温等を表示可能である。センターディスプレイ５０１は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、およびエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。

　安全関連情報は、居眠り検知、よそ見検知、同乗している子供のいたずら検知、シートベルト装着有無、乗員の置き去り検知等の情報であり、例えばセンターディスプレイ５０１の裏面側に重ねて配置されたセンサにて検知される情報である。操作関連情報は、センサを用いて乗員の操作に関するジェスチャを検知する。検知されるジェスチャは、乗物５００内の種々の設備の操作を含んでいてもよい。例えば、空調設備、ナビゲーション装置、ＡＶ装置、照明装置等の操作を検知する。ライフログは、乗員全員のライフログを含む。例えば、ライフログは、乗車中の各乗員の行動記録を含む。ライフログを取得および保存することで、事故時に乗員がどのような状態であったかを確認できる。健康関連情報は、温度センサ等のセンサを用いて乗員の体温を検知し、検知した体温に基づいて乗員の健康状態を推測する。あるいは、イメージセンサを用いて乗員の顔を撮像し、撮像した顔の表情から乗員の健康状態を推測してもよい。さらに、乗員に対して自動音声で会話を行って、乗員の回答内容に基づいて乗員の健康状態を推測してもよい。認証／識別関連情報は、センサを用いて顔認証を行うキーレスエントリ機能や、顔識別でシート高さや位置の自動調整機能等を含む。エンタテイメント関連情報は、センサを用いて乗員によるＡＶ装置の操作情報を検出する機能や、センサで乗員の顔を認識して、乗員に適したコンテンツをＡＶ装置にて提供する機能等を含む。

　コンソールディスプレイ５０２は、例えば、ライフログ情報の表示に用いることができる。コンソールディスプレイ５０２は、運転席５０８と助手席５０９の間のセンターコンソール５１０のシフトレバー５１１の近くに配置されている。コンソールディスプレイ５０２にも、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。また、コンソールディスプレイ５０２には、イメージセンサで撮像された車両周辺の画像を表示してもよいし、車両周辺の障害物までの距離画像を表示してもよい。

　ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の前方のフロントガラス５１２の奥に仮想的に表示される。ヘッドアップディスプレイ５０３は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、およびエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の正面に仮想的に配置されることが多いため、乗物５００の速度や燃料（バッテリ）残量等の乗物５００の操作に直接関連する情報を表示するのに適している。

　デジタルリアミラー５０４は、乗物５００の後方を表示できるだけでなく、後部座席の乗員の様子も表示できるため、デジタルリアミラー５０４の裏面側に重ねてセンサを配置することで、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。

　ステアリングホイールディスプレイ５０５は、乗物５００のハンドル５１３の中心付近に配置されている。ステアリングホイールディスプレイ５０５は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、およびエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、ステアリングホイールディスプレイ５０５は、運転者の手の近くにあるため、運転者の体温等のライフログ情報を表示したり、ＡＶ装置や空調設備等の操作に関する情報等を表示するのに適している。

　リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、運転席５０８や助手席５０９の背面側に取り付けられており、後部座席の乗員が視聴するためのものである。リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、およびエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、後部座席の乗員の目の前にあるため、後部座席の乗員に関連する情報が表示される。例えば、ＡＶ装置や空調設備の操作に関する情報を表示したり、後部座席の乗員の体温等を温度センサで計測した結果を表示してもよい。

　表示装置１０１等の裏面側に重ねてセンサを配置し、周囲に存在する物体までの距離を計測することができる構成としてもよい。光学的な距離計測の手法には、大きく分けて、受動型と能動型がある。受動型は、センサから物体に光を投光せずに、物体からの光を受光して距離計測を行うものである。受動型には、レンズ焦点法、ステレオ法、および単眼視法等がある。能動型は、物体に光を投光して、物体からの反射光をセンサで受光して距離計測を行うものである。能動型には、光レーダ方式、アクティブステレオ方式、照度差ステレオ法、モアレトポグラフィ法、干渉法等がある。上記の表示装置１０１等は、これらのどの方式の距離計測にも適用可能である。上記の表示装置１０１等の裏面側に重ねて配置されるセンサを用いることで、上述した受動型又は能動型の距離計測を行うことができる。

　１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ・・・副画素、１１・・・駆動基板、１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｒ、１２Ｗ・・・発光素子、１３・・・保護層、１４・・・側面保護層、１５Ｂ、１５Ｇ、１５Ｒ・・・サイドウォール、１６・・・保護層、１６ａ・・・保護層、１７・・・共通電極、１８・・・保護層、１８Ｗ・・・発光素子、１９ＲＥ１・・・第１領域、１９ＲＥ２・・・第２領域、１９ＲＥ３・・・第３領域、１９Ｗ・・・発光素子、１９ａ１、１９ａ２・・・溝、１９ａ３・・・凹部、２０・・・保護層、２０Ｒ・・・発光素子、２１・・・第１電極、２２・・・側面保護層、２３・・・保護層、２４・・・カラーフィルタ、２４ＦＢ・・・青色フィルタ部、２４ＦＧ・・・緑色フィルタ部、２４ＦＲ・・・赤色フィルタ部、２５Ｂ、２５Ｇ、２５Ｒ・・・発光素子、２５ａ・・・溝、２６・・・絶縁層、２６ａ・・・開口、２７・・・保護層、２８・・・側面保護層、３１Ｂ、３１Ｇ、３１Ｒ・・・発光素子、３１Ｌａ、３１Ｌｂ、３１Ｌｃ・・・光、３２・・・金属層、３２ａ・・・開口、３３・・・保護層、３４・・・側面保護層、３６Ｗ・・・発光素子、３７・・・絶縁層、３８・・・側面保護層、３９・・・絶縁層、４１Ｂ、４１Ｇ、４１Ｒ・・・発光素子、４２、４３・・・保護層、４４・・・駆動基板、４４Ｓｔ・・・段差、４５、４６・・・保護層、４７・・・積層体、４８・・・保護層、５１・・・発光部、５２・・・波長選択部、５３・・・レンズ部材、５４・・・平坦化層、５５・・・レンズアレイ、５６・・・保護層、５７・・・カバー層、７１・・・反射板、７１Ｂ、７１Ｇ、７１Ｒ、７１Ｗ・・・反射板、７２Ｂ、７２Ｇ、７２Ｒ・・・光学調整層、７４Ｂ、７４Ｇ、７４Ｒ・・・酸化膜、７４ａ・・・開口、８１・・・レジスト層、８２・・・ハードマスク、８３、８４、８５、８６、８７・・・レジスト層、９１・・・保護層、９２・・・側面保護層、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１０９Ａ・・・表示装置、１０１ａ・・・パッド部、１１１・・・基板、１１２・・・絶縁層、１１２ａ・・・ステップ、１２１Ｂ、１２１Ｇ、１２１Ｒ・・・第１電極、１２２Ｂ、１２２Ｇ、１２２Ｒ・・・ＯＬＥＤ層、１２３・・・第２電極、１２３Ｓ・・・ステップ、１３１・・・サイドエッチング部、１５１・・・第１サイドウォール、１５２・・・第２サイドウォール、１５３・・・第３サイドウォール、１６１・・・コンタクト孔、１６２・・・凹部、１６３・・・第１保護層、１６４・・・第２保護層、１７１・・・コンタクト部、１９１・・・第１電極、１９２Ｗ・・・ＯＬＥＤ層、１９３・・・第２電極、１９２ａ、１９３ａ・・・平坦部、１９２ｂ、１９３ｂ・・・凸部、１９２ｃ、１９３ｃ・・・傾斜部、１９４・・・張出部、１９５・・・凹部、２１１・・・第１絶縁層、２１１ａ・・・開口、２１２・・・第２絶縁層、２１２ａ・・・開口、２２１・・・第１側面保護層、２２２・・・第２側面保護層、２５１・・・第１電極、２５２Ｂ、２５２Ｇ、２５２Ｒ・・・ＯＬＥＤ層、２５３・・・第２電極、２８１・・・保護層、３１１・・・第１電極、３１２Ｂ、３１２Ｇ、３１２Ｒ・・・ＯＬＥＤ層、３１２Ｓ・・・側面、３１３・・・第２電極、３１４・・・絶縁層、３１４a・・・開口、３１５・・・絶縁層、３１５ａ・・・開口、３４１・・・第１側面保護層、３４２・・・第２側面保護層、３４３・・・第３側面保護層、３４４・・・第４側面保護層、３４５・・・第５側面保護層、３４６・・・第６側面保護層、３６１・・・第１電極、３６２Ｗ・・・ＯＬＥＤ層、３６３・・・第２電極、３６４・・・絶縁層、３６４ａ・・・開口、４１１・・・第１電極、４１１ａ・・・ステップ、４１１ｂ・・・凹部、４１１ｃ・・・第１面、４１１ｄ・・・第２面、４１１ｅ・・・開口、４１３・・・第２電極、４４１・・・基板、４４２・・・絶縁層、５００・・・乗物、５０１・・・センターディスプレイ、５０２・・・コンソールディスプレイ、５０３・・・ヘッドアップディスプレイ、５０４・・・デジタルリアミラー、５０５・・・ステアリングホイールディスプレイ、５０６・・・リアエンタテイメントディスプレイ、５０８・・・運転席、５０９・・・助手席、５１０・・・センターコンソール、５１１・・・シフトレバー、５１２・・・フロントガラス、５１３・・・ハンドル、５５１・・・レンズ、６１０・・・デジタルスチルカメラ、６１１・・・カメラ本体部、６１２・・・撮影レンズユニット、６１３・・・グリップ部、６１４・・・モニタ、６１５・・・電子ビューファインダ、６２０・・・ヘッドマウントディスプレイ、６２１・・・表示部、６２２・・・耳掛け部、６３０・・・テレビジョン装置、６３１・・・映像表示画面部、６３２・・・フロントパネル、６３３・・・フィルターガラス、６４０・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６４１・・・本体部、６４２・・・アーム、６４３・・・鏡筒、６５０・・・眼鏡、６５１・・・接眼レンズ、６６０・・・スマートフォン、６６１・・・表示部、６６２・・・操作部、７０１・・・表示装置、７１１Ｗ・・・発光素子、７１２Ｗ・・・ＯＬＥＤ層、７１３・・・絶縁層、ＲＥ１・・・表示領域、ＲＥ２・・・周辺領域

Claims

　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間で分離された保護層と、
　各前記有機物含有層の側面、各前記第２電極の側面および各前記保護層の側面を覆う側面保護層と
　を備え、
　前記保護層の側面は、前記第２電極の側面の内側に位置している、
　発光装置。
　前記保護層は、窒化シリコンを含む、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層のエッチングレートは、前記第１保護層のエッチングレートに比べて小さい、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層は、単分子層を含む、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記保護層は、窒化シリコンを含む第１保護層と、酸化アルミニウムを含む第２保護層とを順に有する、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記保護層は、第１保護層と第２保護層とを順に有し、
　前記第２保護層の側面は、前記第１保護層の側面の外側に位置している、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側面保護層は、第１側面保護層と、第２側面保護層とを有する、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記第２側面保護層が、酸化ジルコニウム、酸化タンタルおよび酸化アルミニウムからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む、
　請求項７に記載の発光装置。
　前記第１側面保護層の屈折率が、前記保護層の屈折率に比べて低い、
　請求項７に記載の発光装置。
　隣接する前記第１電極の間に設けられた第１絶縁層と、
　前記第１電極の前記有機物含有層側の面の周縁部に設けられた第２絶縁層と
　をさらに備える、
　請求項７に記載の発光装置。
　前記第１側面保護層は、前記第２絶縁層と同一材料を含み、
　前記第２側面保護層は、前記第１絶縁層と同一材料を含む、
　請求項１０に記載の発光装置。
　前記側面保護層は、単分子層を含む、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側面保護層は、前記発光素子から出射された光を反射することができる、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側面保護層は、
　導電性を有する第１側面保護層と、絶縁性を有する第２側面保護層と、導電性を有する第３側面保護層とを順に有する、
　請求項１３に記載の発光装置。
　隣接する前記発光素子の間を埋める第３保護層をさらに備え、
　少なくとも１つの第１ステップが、各前記発光素子の周辺に設けられている、
　請求項１に記載の発光装置。
　各前記第１ステップは、前記第１電極に設けられている、
　請求項１５に記載の発光装置。
　前記発光素子の下に設けられた下地層をさらに備え、
　前記下地層は、少なくとも１つの第２ステップを各前記発光素子の周辺に有し、
　前記第１電極は、前記各第２ステップに倣うように設けられている、
　請求項１６に記載の発光装置。
　積層体が、前記発光素子と前記保護層により構成され、
　隣接する前記積層体の間は、２種以上の分離幅で分離され、
　前記保護層は、第１保護層と、前記第１保護層上に設けられた第２保護層とを含み、
　前記第１保護層は、隣接する前記積層体の間において分離され、
　前記第２保護層は、隣接する前記積層体の間において規定方向で繋がっている、
　請求項１に記載の発光装置。
　複数の前記積層体を覆う第３保護層をさらに備え、
　溝が、隣接する前記積層体の間に設けられ、
　前記第２保護層および前記第３保護層は、前記溝に倣うように設けられている、
　請求項１８に記載の発光装置。
　第１電極と、有機発光層を含む有機物含有層と、第２電極とを有し、２次元配置された複数の発光素子と、
　各前記発光素子の側面に設けられた側面保護層と
　を備え、
　前記有機物含有層は、前記第２電極側の面に平坦部と傾斜部とを有し、前記傾斜部は、前記有機物含有層の側面に隣接して設けられ、
　前記第２電極は、前記平坦部と前記傾斜部に追随しており、前記傾斜部における前記第２電極の厚みは、前記平坦部における前記第２電極の厚みに比べて厚い、
　発光装置。
　前記発光素子は、該発光素子の側面の上端部に張出部を有している、
　請求項２０に記載の発光装置。
　前記側面保護層は、前記有機物含有層および前記第２電極の境界を覆っている、
　請求項２０に記載の発光装置。
　前記複数の発光素子上に設けられ、隣接する前記発光素子の間にて分断された保護層をさらに備え、
　前記側面保護層は、各前記発光素子の側面と共に、前記保護層の側面も覆っている、
　請求項２０に記載の発光装置。
　請求項１に記載の発光装置を備える電子機器。