WO2024009728A1 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

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WO2024009728A1
WO2024009728A1 PCT/JP2023/022366 JP2023022366W WO2024009728A1 WO 2024009728 A1 WO2024009728 A1 WO 2024009728A1 JP 2023022366 W JP2023022366 W JP 2023022366W WO 2024009728 A1 WO2024009728 A1 WO 2024009728A1
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WO
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layer
display device
electrode
light emitting
main surface
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PCT/JP2023/022366
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健太 平賀
祐貴 境
邦彦 引地
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Definitions

  • the present disclosure relates to display devices and electronic devices.
  • an organic EL (electroluminescence) display device that uses a silicon (Si) substrate or the like as a base, a drive circuit, an organic EL layer, a color filter, etc. are formed on the Si wafer with a diameter of 200 mm or 300 mm. . Then, after bonding a glass substrate for protecting the surface to the Si wafer, the wafer is cut into panels of a predetermined size (singulation step). During the singulation process, a Si substrate or a film formed on a substrate is cut, but chipping may occur from the interface of the film or the film itself. This chipping affects the drive circuit and becomes a factor in reducing yield.
  • a structure in which wiring layers are stacked vertically (hereinafter appropriately referred to as a guard ring) is provided on the outer periphery of the panel.
  • the area where the guard ring is provided is also referred to as a guard ring area.
  • Patent Document 1 listed below describes a semiconductor wafer in which a slit structure is provided on the upper surface of a guard ring region.
  • An organic EL display device generally has a structure in which an organic EL layer, an electrode layer for causing the organic EL layer to emit light, a color filter, etc. are stacked.
  • an organic EL display device When the slit structure described in Patent Document 1 is applied to such an organic EL display device, there is a possibility that the film thickness of each layer may vary.
  • One of the objects of the present disclosure is to provide a display device such as an organic EL display device and an electronic device that can effectively suppress the progress of chipping inside.
  • This disclosure provides, for example, a driving substrate having a pixel region in which a plurality of pixels are formed, and a peripheral region between the pixel region and an outer edge; A first interface portion is provided on the first main surface side of the drive substrate in the peripheral region, and a second interface portion is provided on the second main surface side of the drive substrate in the peripheral region,
  • the pixel includes a first electrode, a second electrode disposed opposite to the first electrode, and an organic layer provided between the first electrode and the second electrode and including a light emitting layer. It is a display device.
  • FIG. 2 is a diagram referred to when explaining issues to be considered in the present disclosure.
  • FIG. 2 is a diagram referred to when explaining issues to be considered in the present disclosure.
  • a to C are diagrams referred to when explaining issues to be considered in the present disclosure.
  • a to C are diagrams referred to when explaining issues to be considered in the present disclosure.
  • 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of a display area according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a configuration example of an organic EL layer according to an embodiment of the present disclosure.
  • 8 is a sectional view showing a cross section taken along cutting line AA-AA in FIG. 7.
  • FIG. FIG. 2 is a diagram referred to when explaining the operation of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a diagram referred to when explaining the operation of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a diagram referred to when an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure is explained.
  • FIG. 3 is a diagram referred to when an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure is explained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a configuration example of an organic EL layer according to an embodiment of the present disclosure.
  • 8 is a sectional view showing a cross section taken along cutting line AA-AA in FIG. 7.
  • FIG. 3 is a diagram referred to when an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure is explained.
  • FIG. 3 is a diagram referred to when an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure is explained.
  • A is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of a resonator structure.
  • B is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of the resonator structure.
  • A is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of the resonator structure.
  • B is a schematic cross-sectional view for explaining a fourth example of the resonator structure.
  • A is a schematic cross-sectional view for explaining a fifth example of the resonator structure.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light emitting section, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN'' passing through the center of the wavelength selection section.
  • a and B are conceptual diagrams for explaining the relationship between the normal line LN passing through the center of the light emitting section, the normal line LN' passing through the center of the lens member, and the normal line LN'' passing through the center of the wavelength selection section, respectively. It is.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the relationship between a normal line LN passing through the center of the light emitting section, a normal line LN' passing through the center of the lens member, and a normal line LN'' passing through the center of the wavelength selection section.
  • A is a front view showing an example of the external appearance of a digital still camera.
  • B is a rear view showing an example of the external appearance of the digital still camera.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of a head-mounted display.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of a television device.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of a see-through head-mounted display.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of a smartphone.
  • A is a diagram showing an example of the inside of the vehicle from the rear to the front of the vehicle.
  • B is a diagram showing an example of the interior of the vehicle from diagonally rearward to diagonally forward. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification. It is a figure for explaining a modification.
  • a and B are diagrams for explaining modified examples.
  • a display device which is an organic EL display device having a general configuration, has a configuration in which an interlayer insulating layer and the like are formed on a substrate such as a silicon substrate (not shown).
  • chipping cracks and chipping (hereinafter simply referred to as chipping) may occur inside the display device 1.
  • moisture will infiltrate into the inside of the display device 1 from the end portions of the display device 1 after the singulation. If moisture enters the inside of the display device 1, it may cause corrosion of internal wiring, etc., and there is a possibility that the reliability of the display device 1 will decrease.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a partial cross section of the display device 1 after being separated into pieces.
  • the left side is the scribe line side
  • the right side is the panel center side of the display device 1.
  • the display device 1 has an interlayer insulating layer 2, and the interlayer insulating layer 2 is provided with three guard rings (guard rings 3A, 3B, 3C) from the scribe line side toward the center of the panel. There is. When there is no need to distinguish between individual guard rings, they are collectively referred to as guard ring 3 as appropriate.
  • FIG. 1 further schematically shows chipping 4 that has progressed (propagated) within the display device 1.
  • chipping 4 that has progressed (propagated) within the display device 1.
  • FIG. 1 that is, the configuration in which only a plurality of guard rings are provided, there is no guard ring in the area above the interlayer insulating layer 2. Therefore, as shown in FIG. 1, there is a possibility that the chipping 4 may progress toward the center of the panel via the upper side of the interlayer insulating layer 2.
  • a technique for providing slits on the upper surface of the interlayer insulating layer 2 can be considered.
  • slits 5A and 5B are formed on the upper surface of the interlayer insulating layer 2.
  • FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 3C are diagrams schematically showing a part of the configuration in the manufacturing process of the display device 1.
  • the interlayer insulating layer 2 is provided with a guard ring 3 and a slit 5A. Note that in this example, only the slit 5A is illustrated, but as described above, the slit 5B may also be provided. Further, a cathode contact 6 and an anode electrode 7 are formed so as to be exposed above the interlayer insulating layer 2 .
  • an organic EL layer 8 is formed on the anode electrode 7, as shown in FIG. 3B.
  • a cathode electrode 6A is formed on the organic EL layer 8 so as to sandwich the organic EL layer 8 therebetween and to face the anode electrode 7.
  • the cathode electrode 9A is connected to the cathode contact 6 described above.
  • a protective layer 9 for protecting the organic EL layer 8 is formed on the cathode electrode 6A.
  • a color filter 10 is formed on the protective layer 9, as shown in FIG. 3C.
  • five color filters color filters 10A, 10B, . . . , 10E
  • the present invention is not limited to this. Note that when there is no need to distinguish between individual color filters, they are collectively referred to as color filters 10 as appropriate.
  • the material for the color filter 10 for example, a solution-based material is used.
  • the color filter 10 is formed, for example, by a spin coating method so that the film thickness is constant.
  • some of the solution-based material may flow into the slits 5A or accumulate near the boundaries of the slits 5A, resulting in uneven coating and fluctuations in film thickness. Put it away.
  • FIG. 3C shows a state in which the film thickness of color filter 10B among the five color filters 10 has become smaller. In this way, if the slits 5A are provided before the organic EL layer 8 is formed, the film thicknesses between the color filters 10 will differ, resulting in adverse effects such as deterioration of the quality of the display device 1.
  • the slits 5A after forming the organic EL layer 8.
  • an organic EL layer 8, a cathode electrode 6A, and a protective layer 9 are formed.
  • a color filter 10 is formed on the upper surface of the protective layer 9, as shown in FIG. 4B.
  • slits 5A are formed in the upper portions of the protective layer 9 and the interlayer insulating layer 2. In this way, according to the manufacturing method in which the slits 5A are provided after the organic EL layer 8 is formed, the slits 5A are not formed when the color filter 10 is formed, so the above-described variation in film thickness does not occur.
  • the atmosphere may reach a high temperature of 100 degrees or more.
  • the temperature reaches such a high temperature, there is a possibility that the material constituting the organic EL layer 8 may be damaged.
  • the conventional guard ring structure that has been applied to semiconductor wafers and the like to organic EL display devices, it is necessary to take a viewpoint to avoid the above-mentioned problems in integration.
  • the display device 1000 includes a drive substrate 11.
  • the drive substrate 11 has a display area 110A, which is an example of a pixel area, on one main surface thereof, and a peripheral area 110B provided near the periphery between the display area 110A and the outer edge of the drive substrate 11.
  • the peripheral region 110B means a region near the outer edge of the drive substrate 11.
  • the outer edge of the drive board 11 matches the scribe line SC when the drive board 11 is cut into pieces, but it does not exactly match the scribe line SC, but is in the vicinity thereof. Good too.
  • a plurality of pixels are provided in the display area 110A. Specifically, as shown in FIG. 6, within the display area 110A, a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a prescribed arrangement pattern such as a matrix.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B will be collectively referred to as sub-pixels 100 without any particular distinction.
  • a combination of adjacent sub-pixels 100R, 100G, and 100B constitutes one pixel.
  • FIG. 6 an example is shown in which a combination of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the row direction (horizontal direction) constitutes one pixel. It is not limited to this.
  • the signal line drive circuit 111 supplies a signal voltage of a video signal according to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected sub-pixel 100 via the signal line 111A.
  • the scanning line drive circuit 112 is composed of a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) start pulses in synchronization with input clock pulses.
  • the scanning line drive circuit 112 scans each sub-pixel 100 in units of rows when writing a video signal to each sub-pixel 100, and sequentially supplies a scanning signal to each scanning line 112A.
  • the display device 1000 may be a microdisplay.
  • the display device 1000 may be included in a VR (Virtual Reality) device, an MR (Mixed Reality) device, an AR (Augmented Reality) device, an electronic view finder (EVF), a small projector, or the like.
  • VR Virtual Reality
  • MR Magnetic Reality
  • AR Augmented Reality
  • EMF electronic view finder
  • a guard ring and a slit structure are provided outside the peripheral region 110B, more specifically, outside the signal line drive circuit 111 and the scanning line drive circuit 112 (on the scribe line SC side).
  • three guard rings (a first guard ring GR1, a second guard ring GR2, and a third guard ring GR3) are provided from the center of the drive board 11 toward the outside.
  • second slit structures (a first slit structure SL1 and a second slit structure SL2) are formed from the center of the drive substrate 11 toward the outside.
  • the first slit structure SL1 is formed between the first guard ring GR1 and the second guard ring GR2.
  • the second slit structure SL2 is formed between the second guard ring GR2 and the third guard ring GR3.
  • Each guard ring and each slit structure are continuously formed to form a frame shape when the drive board 11 is viewed from above.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a part of the display area 110A
  • FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a configuration example of an organic EL layer (organic EL layer 14) to be described later
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a part of the display area 110A. 8 is a sectional view showing a cross section taken along cutting line AA-AA in FIG. 7.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a cross section taken along cutting line AA-AA in FIG. 7.
  • the display device 1000 includes a drive substrate 11, a first electrode layer 12, an interpixel insulating layer 13, an organic EL layer 14, a second electrode layer 15, a protective layer 16, and a color It includes a filter 17, a filled resin layer 18, and a counter substrate 19.
  • the display device 1000 is a top emission type display device.
  • the opposing substrate 19 side of the display device 1000 is the top side, and the drive substrate 11 side of the display device 1000 is the bottom side.
  • the surface (side) that is the top side of the display device 1000 is referred to as a first main surface (first main surface side), and the surface that is the bottom side of the display device 1000. (side) is appropriately referred to as a second main surface (second main surface side).
  • the display device 1000 includes a plurality of light emitting elements 20.
  • the plurality of light emitting elements 20 are composed of a first electrode layer 12, an organic EL layer 14 which is an example of an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode layer 15.
  • the light emitting element 20 is, for example, a white light emitting element such as a white OLED or a white Micro-OLED (MOLED).
  • a coloring method in the display device 1000 a method using a white light emitting element and a color filter 17 is used.
  • the drive board 11 is a so-called backplane, and drives the plurality of light emitting elements 20.
  • the drive board 11 has, for example, a base material 11A and a drive circuit layer 11B laminated on the base material 11A.
  • the drive circuit layer 11B may be formed by being laminated on the base material 11A, or a portion thereof may be formed directly on the base material 11A by a semiconductor process.
  • the base material 11A may be a semiconductor substrate such as a silicon substrate, or may be an insulating substrate such as a glass substrate, quartz, or resin that has low moisture and oxygen permeability.
  • the semiconductor substrate includes, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, single crystal silicon, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, or quartz glass.
  • specific examples of the resin substrate include at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyether sulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc. .
  • the base material 11A has, for example, a thin plate shape.
  • the base material 11A may have flexibility.
  • the drive circuit layer 11B includes, for example, a drive circuit such as a transistor (not shown) electrically connected to the first electrode layer 12, a wiring layer 31, and an interlayer insulating layer 32 disposed between the wiring layer 31. include.
  • the first electrode layer 12 is connected to the transistor via the wiring layer 31 using a known connection structure.
  • the drive circuit formed in the drive circuit layer 11B is, for example, an active matrix type pixel drive circuit.
  • the wiring layer 31 may be a single wiring layer, or may have a structure in which a plurality of wiring layers are connected via a via layer.
  • a conductive metal such as copper (Cu), aluminum (Al), or a combination thereof is used.
  • interlayer insulating layer 32 examples include interlayer insulating layers made of inorganic materials such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiN), and silicon oxynitride (SiON), and organic materials such as polyimide and polyacrylic.
  • the interlayer insulating layer 32 may include a flat layer (a layer called a flattening layer) located on the top side and serving as a base when forming the first electrode layer 12.
  • the upper surface side of the drive circuit layer 11B corresponds to the first main surface side of the drive board 11
  • the bottom surface of the base material 11A corresponds to the second main surface side of the drive board 11.
  • the first electrode layer 12 is provided on the first main surface of the drive substrate 11, that is, on the interlayer insulating layer 32.
  • the first electrode layer 12 is an anode.
  • the first electrode layer 12 also functions as a reflective layer, and is preferably made of a material with as high a reflectance as possible and a large work function in order to increase luminous efficiency.
  • the first electrode layer 12 has a plurality of electrodes 12A.
  • the plurality of electrodes 12A are electrically isolated between adjacent light emitting elements 20.
  • the plurality of electrodes 12A share the organic EL layer 14.
  • the plurality of electrodes 12A are two-dimensionally arranged in a prescribed arrangement pattern such as a matrix.
  • the electrode 12A is composed of at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the electrode 12A is composed of a single layer of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the electrode 12A is composed of a laminated film, the metal oxide layer may be provided on the organic EL layer 14 side, or the metal layer may be provided on the organic EL layer 14 side, but From the viewpoint of placing a layer having a function adjacent to the organic EL layer 14, it is preferable that the metal oxide layer is provided on the organic EL layer 14 side.
  • the metal layer examples include chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), and aluminum (Al). , magnesium (Mg), iron (Fe), tungsten (W), and silver (Ag).
  • the metal layer may contain the at least one metal element described above as a constituent element of an alloy. Specific examples of alloys include aluminum alloys and silver alloys. Specific examples of aluminum alloys include AlNd and AlCu.
  • the metal oxide layer includes, for example, transparent conductive oxide (TCO).
  • Transparent conductive oxides include, for example, transparent conductive oxides containing indium (hereinafter referred to as “indium-based transparent conductive oxides”) and transparent conductive oxides containing tin (hereinafter referred to as “tin-based transparent conductive oxides”). ) and transparent conductive oxides containing zinc (hereinafter referred to as “zinc-based transparent conductive oxides").
  • Indium-based transparent conductive oxides include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and fluorine-doped indium oxide (IFO).
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium tin oxide
  • the tin-based transparent conductive oxide includes, for example, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO), or fluorine-doped tin oxide (FTO).
  • Zinc-based transparent conductive oxides include, for example, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), boron-doped zinc oxide, or gallium-doped zinc oxide (GZO).
  • the second electrode layer 15 is provided facing the first electrode layer 12.
  • the second electrode layer 15 is provided as a common electrode for all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the second electrode layer 15 is a cathode.
  • the second electrode layer 15 is a transparent electrode that is transparent to the light generated in the organic EL layer 14 .
  • the transparent electrode also includes a semi-transparent reflective layer. It is preferable for the second electrode layer 15 to be made of a material that has as high a transparency as possible and has a small work function in order to increase luminous efficiency.
  • the second electrode layer 15 is composed of, for example, at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the second electrode layer 15 is composed of a single layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the second electrode layer 15 is composed of a laminated film, a metal layer may be provided on the organic EL layer 14 side, or a metal oxide layer may be provided on the organic EL layer 14 side, but From the viewpoint of arranging a layer having a work function adjacent to the organic EL layer 14, it is preferable that the metal layer is provided on the organic EL layer 14 side.
  • the metal layer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), calcium (Ca), and sodium (Na).
  • the metal layer may contain the at least one metal element described above as a constituent element of an alloy. Specific examples of the alloy include MgAg alloy, MgAl alloy, and AlLi alloy.
  • the metal oxide layer includes a transparent conductive oxide. Examples of the transparent conductive oxide include the same materials as the transparent conductive oxide of the electrode 12A described above.
  • the organic EL layer 14 is provided between the first electrode layer 12 and the second electrode layer 15.
  • the organic EL layer 14 is provided continuously across all the sub-pixels 100 (i.e., the plurality of electrodes 12A) in the display area 110A, and is provided as a layer common to all the sub-pixels 100 in the display area 110A. There is.
  • the organic EL layer 14 is configured to be able to emit white light, for example. Of course, the organic EL layer 14 may emit light of other colors.
  • the organic EL layer 14 includes, for example, a hole transport layer 14A, a red light emitting layer 14B, a light emitting separation layer 14C, and a blue light emitting layer 14D from the first electrode layer 12 toward the second electrode layer 15. , a green light emitting layer 14E, an electron transport layer 14F, and an electron injection layer 14G are stacked in this order.
  • the hole transport layer 14A is adjacent to the first electrode layer 12 and the interpixel insulating layer 13.
  • the hole transport layer 14A is for increasing hole transport efficiency to each light emitting layer 14B, 14D, and 14E.
  • the hole transport layer 14A contains, for example, ⁇ -NPD (N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine). .
  • the electron transport layer 14F is for increasing the electron transport efficiency to each light emitting layer 14B, 14D, and 14E.
  • the electron transport layer 14F includes at least one selected from the group consisting of, for example, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3 (aluminumquinolinol complex), and Bphen (basophenanthroline). Contains one type.
  • the electron injection layer 14G is for increasing electron injection from the cathode.
  • the electron injection layer 14G includes, for example, a single alkali metal or alkaline earth metal or a compound containing them, specifically, for example, lithium (Li) or lithium fluoride (LiF).
  • the emission separation layer 14C is a layer for adjusting the injection of carriers into each of the emission layers 14B, 14D, and 14E, and electrons and holes are injected into each of the emission layers 14B, 14D, and 14E via the emission separation layer 14C. By doing so, the light emission balance of each color is adjusted.
  • the light emitting separation layer 14C contains, for example, a 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl derivative.
  • red light emitting layer 14B By applying an electric field to each of the red light emitting layer 14B, the blue light emitting layer 14D, and the green light emitting layer 14E, holes injected from the electrode 12A and electrons injected from the second electrode layer 15 are recombined, and red light is emitted. , blue, and green.
  • the red light-emitting layer 14B includes, for example, a red light-emitting material.
  • the red light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the red light-emitting layer 14B is made of, for example, 4,4-bis(2,2-diphenylvinine)biphenyl (DPVBi), 2,6-bis[(4'-methoxydiphenylamino)styryl]-1, Contains a mixture of 5-dicyanonaphthalene (BSN).
  • the blue light-emitting layer 14D includes, for example, a blue light-emitting material.
  • the blue light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the blue light emitting layer 14D includes, for example, a mixture of DPVBi and 4,4'-bis[2- ⁇ 4-(N,N-diphenylamino)phenyl ⁇ vinyl]biphenyl (DPAVBi).
  • the green light-emitting layer 14E includes, for example, a green light-emitting material.
  • the green light-emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the green light emitting layer 14E includes, for example, a mixture of DPVBi and coumarin 6.
  • the light-emitting layer may contain a light-emitting material having a complementary color relationship, such as a blue light-emitting material and a yellow light-emitting material.
  • the interpixel insulating layer 13 is provided on the first main surface of the drive substrate 11 and between adjacent electrodes 12A.
  • the inter-pixel insulating layer 13 insulates between each separated electrode 12A.
  • the inter-pixel insulating layer 13 has a plurality of openings 13A.
  • a plurality of apertures 13A are provided corresponding to each sub-pixel 100, respectively. More specifically, the plurality of openings 13A are each provided on the first main surface (the surface facing the second electrode layer 15) of each separated electrode 12A.
  • the electrode 12A and the organic EL layer 14 are in contact with each other through the opening 13A.
  • the inter-pixel insulating layer 13 may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate of these.
  • the organic insulating layer includes, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide resin, acrylic resin, novolak resin, and the like.
  • the inorganic insulating layer includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), and the like.
  • the protective layer 16 is provided so as to be stacked on the first main surface of the second electrode layer 15 and covers the plurality of light emitting elements 20 .
  • the protective layer 16 isolates the light emitting element 20 from the outside air and prevents moisture from entering the light emitting element 20 from the external environment.
  • the protective layer 16 may have a function of suppressing oxidation of this metal layer.
  • the protective layer 16 includes, for example, an inorganic material or a polymer resin with low hygroscopicity.
  • the protective layer 16 may have a single layer structure or a multilayer structure. When increasing the thickness of the protective layer 16, it is preferable to have a multilayer structure. This is to relieve internal stress in the protective layer 16.
  • the inorganic material includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), titanium oxide (TiOx), aluminum oxide (AlOx), and the like.
  • the polymer resin includes, for example, at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and the like.
  • Color filter 17 is provided on the first main surface of protective layer 16.
  • the color filter 17 is, for example, an on-chip color filter (OCCF).
  • the color filter 17 includes, for example, a red filter 17R, a green filter 17G, and a blue filter 17B.
  • the red filter 17R, the green filter 17G, and the blue filter 17B are each provided facing the light emitting element 20.
  • the red filter 17R and the light-emitting element 20 constitute a sub-pixel 100R
  • the green filter 17G and the light-emitting element 20 constitute a sub-pixel 100G
  • the blue filter 17B and the light-emitting element 20 constitute a sub-pixel 100B.
  • each light emitting element 20 in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B passes through the red filter 17R, green filter 17G, and blue filter 17B, respectively, so that red light, green light, and blue light are generated.
  • a light shielding layer 17BM may be provided between each color filter 17R, 17G, and 17B, that is, in a region between sub-pixels 100.
  • the color filter 17 is not limited to an on-chip color filter, and may be provided on the second main surface (the surface facing the organic EL layer 14) of the counter substrate 19.
  • Filled resin layer 18 is provided between color filter 17 and counter substrate 19.
  • the filled resin layer 18 has a function as an adhesive layer for bonding the color filter 17 and the counter substrate 19 together.
  • the filled resin layer 18 includes, for example, at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet curable resins, and the like.
  • the counter substrate 19 is provided facing the drive substrate 11 . More specifically, the counter substrate 19 is provided such that the second surface of the counter substrate 19 and the first main surface of the drive substrate 11 face each other.
  • the counter substrate 19 and the filled resin layer 18 seal the light emitting element 20, the color filter 17, and the like.
  • the counter substrate 19 includes a material such as glass that is transparent to each color light emitted from the color filter 17.
  • a sealant 25 is provided near the outer edge of the peripheral region 110B between the counter substrate 19 and the side of the drive substrate 11 that faces the counter substrate 19.
  • the sealant 25 bonds together the peripheral edge of the opposing surface of the opposing substrate 19 and the peripheral edge of the opposing surface of the drive substrate 11 (more specifically, the protective layer 16 laminated on the peripheral edge).
  • thermosetting resin can be used as the sealant 25 for example.
  • the above-described color filter 17 and filled resin layer 18 are arranged in the gap SP formed by the thickness of the sealant 25. Note that the sealant 25 may have the same configuration as the filled resin layer 18.
  • a cathode contact 15A is provided on the first main surface of the drive circuit layer 11B in the peripheral region 110B.
  • a second electrode layer 15 is connected to the cathode contact 15A.
  • the cathode contact 15A is connected to a drive circuit (not shown) via a wiring layer 33 provided in the drive circuit layer 11B.
  • a first slit structure SL1 and a second slit structure SL2 are provided on the first main surface side of the drive substrate 11 in the peripheral region 110B. More specifically, the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are provided outside the cathode contact 15A (on the scribe line SC side) and below the sealant 25. The first slit structure SL1 is provided on the inside, and the second slit structure SL2 is provided on the outside of the first slit structure SL1. In this embodiment, the first recess is configured by the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2.
  • the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are provided so as to include at least the interlayer insulating layer 32.
  • the inter-pixel insulating layer 13 is formed on the first main surface of the inter-layer insulating layer 32
  • the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are, for example, the inter-pixel insulating layer 13 and
  • the interlayer insulating layer 32 is formed to a predetermined depth. Note that the depths of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 may be the same or different.
  • a protective layer 16 is filled in the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2.
  • the interface portion 41A is formed by the first slit structure SL1.
  • the term "interface” means a boundary between different layers.
  • the materials constituting each of the different layers may be the same kind of material or different kinds of materials, and one layer may be an air layer. Examples of each layer include a single-layer inorganic film, a laminated inorganic film, a single-layer organic film, a laminated organic film, a single-layer metal layer, a laminated metal layer, a combination thereof, and the like.
  • the interface portion 41A is the boundary between the material forming the interlayer insulating layer 32 and the material forming the protective layer 16, that is, different materials.
  • the interface portion 41B is formed by the second slit structure SL2.
  • the first interface section is configured by the interface section 41A and the interface section 41B.
  • the first guard ring GR1 is provided, for example, in a region between the first slit structure SL1 and the wiring layer 33 in the interlayer insulating layer 32.
  • the second guard ring GR2 is provided, for example, below the region between the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 in the interlayer insulating layer 32.
  • the third guard ring GR3 is provided, for example, below the region of the interlayer insulating layer 32 between the second slit structure SL2 and the scribe line SC.
  • the first guard ring GR1, the second guard ring GR2, and the third guard ring GR3 are not intended to be used as wiring, but are dummy wiring for preventing moisture or the like from entering the display device 1000.
  • a wiring structure is configured by the first guard ring GR1, the second guard ring GR2, and the third guard ring GR3.
  • the first guard ring GR1 has, for example, two wiring layers, and these wiring layers are connected by a via layer or the like.
  • the second guard ring GR2 has, for example, one wiring layer and a via layer provided for the wiring layer.
  • the third guard ring GR3 has one wiring layer and a via layer provided for the wiring layer. Note that the number of wiring layers that each guard ring has can be set to any number greater than or equal to one. Copper, aluminum, etc. are used for the wiring layer and the via layer. Further, the end portion of the via layer on the second main surface side may extend to the interlayer insulating layer 32 or may extend to the base material 11A side.
  • An interface portion 42A is formed by the first guard ring GR1. Specifically, the interface portion 42A is formed by the material forming the first guard ring GR1 and the material forming the interlayer insulating layer 32, that is, the boundary between different materials. Further, an interface portion 42B is formed by the second guard ring GR2. Specifically, the interface portion 42B is formed by the boundary between the material forming the second guard ring GR2 and the material forming the interlayer insulating layer 32, that is, different materials. Further, an interface portion 42C is formed by the third guard ring GR3. Specifically, the interface portion 42C is formed by the material forming the third guard ring GR3 and the material forming the interlayer insulating layer 32, that is, the boundary between different materials. In this embodiment, a second interface section is configured by the interface section 42A, the interface section 42B, and the interface section 42C.
  • chipping (chipping 45) is prevented from progressing inside the display device 1000.
  • chipping 45 progresses on the upper part of the interlayer insulating layer 32 where the first guard ring GR1, the second guard ring GR2, and the third guard ring GR3 are not formed. Even in this case, the progress of the chipping 45 is suppressed by the first slit structure SL1 or the second slit structure SL2.
  • Method for manufacturing display device An example of a method for manufacturing a display device 1000 according to an embodiment of the present disclosure will be described.
  • a drive circuit layer including a wiring layer 31, an interlayer insulating layer 32, a wiring layer 33, a first guard ring GR1, a second guard ring GR2, and a third guard ring GR3 is placed on the first main surface of the base material 11A. 11B is formed.
  • a metal layer and a metal oxide layer are sequentially formed on the first main surface of the drive substrate 11 by, for example, a sputtering method, and then a metal layer is formed by, for example, a photolithography technique and an etching technique. and patterning the metal oxide layer.
  • the first electrode layer 12 and cathode contact 15A having a plurality of electrodes 12A are formed.
  • the inter-pixel insulating layer 13 is formed on the first main surface of the drive substrate 11 so as to cover the plurality of electrodes 12A, for example, by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • openings 13A are formed in portions of the interpixel insulating layer 13 located on the first main surface of each electrode 12A. An opening is similarly formed for the cathode contact 15A.
  • opening patterns PT1 and PT2 are formed by, for example, photolithography.
  • a first slit structure SL1 is formed at a location corresponding to the opening pattern PT1
  • a second slit structure SL2 is formed at a location corresponding to the opening pattern PT2, for example, by dry etching technology.
  • the organic EL layer 14 is formed on the first main surfaces of the plurality of electrodes 12A and the first main surface of the inter-pixel insulating layer 13, for example, by a vapor deposition method.
  • the second electrode layer 15 is formed on the first main surface of the organic EL layer 14 by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. As a result, a plurality of light emitting elements 20 are formed on the first main surface of the drive substrate 11.
  • a protective layer 16 is formed on the first main surface of the second electrode layer 15 by, for example, a CVD method or a vapor deposition method.
  • the protective layer 16 is filled in the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2.
  • a color filter 17 is formed on the first main surface of the protective layer 16 by, for example, photolithography. Note that in order to flatten the level difference in the protective layer 16 or the level difference due to the difference in film thickness of the color filter 17 itself, a flattening layer may be formed above, below, or both above and below the color filter 17.
  • the color filter 17 is covered with a filling resin layer 18 using, for example, an ODF (One Drop Fill) method.
  • the driving substrate 11 and the counter substrate 19 are bonded together by disposing the sealant 25 and curing the sealant 25 by applying heat to the sealant 25 or by irradiating it with ultraviolet rays. Thereby, the display device 1000 is sealed.
  • the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are formed before the organic EL layer 14 is formed.
  • the organic EL layer 14 is not damaged during the formation of the organic EL layer 14.
  • the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are filled with the protective layer 16, no step is formed. Therefore, it is possible to prevent negative effects such as quality deterioration of the display device 1 due to differences in film thickness between the color filters 17 due to the step difference.
  • a pixel used in the display device according to the present disclosure described above can be configured to include a resonator structure that resonates light generated by a light emitting element.
  • the resonator structure will be explained with reference to the drawings.
  • FIG. 17A is a schematic cross-sectional view for explaining a first example of the resonator structure.
  • the light emitting elements 20 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as light emitting elements 20R , 20G , and 20B .
  • portions of the organic EL layer 14 corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively, are sometimes referred to as organic EL layers 14R , 14G , and 14B .
  • the first electrode layer 12 is formed to have a common thickness in each light emitting element 20. The same applies to the second electrode layer 15.
  • a reflective plate 71 is arranged below the first electrode layer 12 of the light emitting element 20 with an optical adjustment layer 72 sandwiched therebetween.
  • a resonator structure is formed between the reflecting plate 71 and the second electrode layer 15 to resonate the light generated by the organic EL layer 14 .
  • the optical adjustment layers 72 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as optical adjustment layers 72R , 72G , and 72B .
  • the reflective plate 71 is formed with a common thickness in each light emitting element 20.
  • the thickness of the optical adjustment layer 72 varies depending on the color that the pixel should display. By having the optical adjustment layers 72R , 72G , and 72B having different thicknesses, it is possible to set an optical distance that produces optimal resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the upper surfaces of the reflecting plates 71 in the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B are arranged so as to be aligned.
  • the thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color to be displayed by the pixel, so the position of the upper surface of the second electrode layer 15 is different from that of the light emitting elements 20R , 20G , 20B. It varies depending on the type.
  • the reflective plate 71 can be formed using, for example, metals such as aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), or alloys containing these as main components.
  • the optical adjustment layer 72 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), or silicon oxynitride (SiO x N y ), or an organic resin such as acrylic resin or polyimide resin. It can be constructed using materials.
  • the optical adjustment layer 72 may be a single layer or may be a laminated film of a plurality of these materials. Further, the number of laminated layers may differ depending on the type of light emitting element 20.
  • the first electrode layer 12 can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the second electrode layer 15 needs to function as a semi-transparent reflective film.
  • the second electrode layer 15 is formed using magnesium (Mg), silver (Ag), a magnesium silver alloy (MgAg) containing these as main components, or an alloy containing an alkali metal or alkaline earth metal. can do.
  • FIG. 17B is a schematic cross-sectional view for explaining a second example of the resonator structure.
  • the first electrode layer 12 and the second electrode layer 15 are formed with a common thickness in each light emitting element 20.
  • the reflective plate 71 is arranged under the first electrode layer 12 of the light emitting element 20 with the optical adjustment layer 72 sandwiched therebetween.
  • a resonator structure is formed between the reflecting plate 71 and the second electrode layer 15 to resonate the light generated by the organic EL layer 14 .
  • the reflecting plate 71 is formed to have a common thickness in each light emitting element 20, and the thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color to be displayed by the pixel.
  • the upper surfaces of the reflective plates 71 in the light emitting elements 20 R , 20 G , 20 B are arranged so as to be aligned, and the upper surfaces of the second electrode layers 15 are located in the same position as in the light emitting elements 20 R , 20 B. G and 20 differed depending on the type of B.
  • the upper surfaces of the second electrode layer 15 are arranged so that the upper surfaces of the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B are aligned.
  • the upper surfaces of the reflecting plates 71 in the light emitting elements 20R , 20G , 20B are arranged differently depending on the type of the light emitting elements 20R , 20G , 20B . ing. Therefore, the lower surface of the reflecting plate 71 (in other words, the surface of the base 73 indicated by reference numeral 73 in the figure) has a stepped shape depending on the type of the light emitting element 20.
  • the materials constituting the reflecting plate 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode layer 12, and the second electrode layer 15 are the same as those described in the first example, so their description will be omitted.
  • FIG. 18A is a schematic cross-sectional view for explaining a third example of the resonator structure.
  • the reflection plates 71 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as reflection plates 71R , 71G , and 71B .
  • the first electrode layer 12 and the second electrode layer 15 are formed with a common thickness in each light emitting element 20.
  • the reflective plate 71 is arranged under the first electrode layer 12 of the light emitting element 20 with the optical adjustment layer 72 sandwiched therebetween.
  • a resonator structure that resonates light generated by the organic EL layer 14 is formed between the reflective plate 71 and the second electrode layer 15 .
  • the thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color that the pixel should display.
  • the positions of the upper surfaces of the second electrode layer 15 are arranged to be aligned with the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B.
  • the lower surface of the reflecting plate 71 had a stepped shape depending on the type of light emitting element 20.
  • the film thickness of the reflection plate 71 is set to be different depending on the types of the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B. More specifically, the film thickness is set so that the lower surfaces of the reflecting plates 71 R , 71 G , and 71 B are aligned.
  • the materials constituting the reflecting plate 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode layer 12, and the second electrode layer 15 are the same as those described in the first example, so their description will be omitted.
  • FIG. 18B is a schematic cross-sectional view for explaining a fourth example of the resonator structure.
  • the first electrode layers 12 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as first electrode layers 12R , 12G , and 12B .
  • the first electrode layer 12 and second electrode layer 15 of each light emitting element 20 are formed to have a common thickness.
  • a reflective plate 71 is disposed below the first electrode layer 12 of the light emitting element 20 with the optical adjustment layer 72 sandwiched therebetween.
  • the optical adjustment layer 72 is omitted, and the film thickness of the first electrode layer 12 is set to be different depending on the types of the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B. did.
  • the reflective plate 71 is formed with a common thickness in each light emitting element 20.
  • the thickness of the first electrode layer 12 varies depending on the color that the pixel should display. By having the first electrode layers 12R , 12G , and 12B having different thicknesses, it is possible to set an optical distance that produces optimal resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the materials constituting the reflective plate 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode layer 12, and the second electrode layer 15 are the same as those described in the first example, so their description will be omitted.
  • FIG. 19A is a schematic cross-sectional view for explaining a fifth example of the resonator structure.
  • the first electrode layer 12 and the second electrode layer 15 are formed to have a common thickness in each light emitting element 20.
  • a reflective plate 71 is disposed below the first electrode layer 12 of the light emitting element 20 with the optical adjustment layer 72 sandwiched therebetween.
  • the optical adjustment layer 72 is omitted, and an oxide film 74 is formed on the surface of the reflection plate 71 instead.
  • the thickness of the oxide film 74 was set to be different depending on the type of the light emitting elements 20R , 20G , and 20B .
  • the oxide films 74 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as oxide films 74R , 74G , and 74B .
  • the thickness of the oxide film 74 varies depending on the color that the pixel should display. By having the oxide films 74 R , 74 G , and 74 B having different thicknesses, it is possible to set an optical distance that produces optimum resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the oxide film 74 is a film obtained by oxidizing the surface of the reflecting plate 71, and is made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, or the like.
  • the oxide film 74 functions as an insulating film for adjusting the optical path length (optical distance) between the reflecting plate 71 and the second electrode layer 15.
  • the oxide film 74 which has a different thickness depending on the type of the light emitting elements 20R , 20G , and 20B , can be formed, for example, as follows.
  • a container is filled with an electrolytic solution, and the substrate on which the reflective plate 71 is formed is immersed in the electrolytic solution. Further, electrodes are arranged to face the reflecting plate 71.
  • a positive voltage is applied to the reflective plate 71 using the electrode as a reference, and the reflective plate 71 is anodized.
  • the thickness of the oxide film formed by anodic oxidation is proportional to the voltage value applied to the electrode. Therefore, anodic oxidation is performed while applying a voltage depending on the type of light emitting element 20 to each of the reflecting plates 71 R , 71 G , and 71 B. Thereby, oxide films 74 having different thicknesses can be formed all at once.
  • the materials constituting the reflective plate 71, the first electrode layer 12, and the second electrode layer 15 are the same as those described in the first example, so their description will be omitted.
  • FIG. 19B is a schematic cross-sectional view for explaining a sixth example of the resonator structure.
  • the light emitting element 20 is configured by laminating a first electrode layer 12, an organic EL layer 14, and a second electrode layer 15.
  • the first electrode layer 12 is formed to serve both as an electrode and a reflector.
  • the first electrode layer (also serving as a reflection plate) 12 is made of a material having optical constants selected depending on the type of the light emitting elements 20 R , 20 G , and 20 B. By varying the phase shift caused by the first electrode layer (also serving as a reflection plate) 12, it is possible to set an optical distance that produces optimum resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the first electrode layer (also serving as a reflection plate) 12 can be made of a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu), or an alloy containing these as main components.
  • the first electrode layer (cum-reflector) 12R of the light-emitting element 20R is formed of copper (Cu)
  • the first electrode layer (cum-reflector) 12G of the light-emitting element 20G and the first electrode layer (cum-reflector) 12G of the light-emitting element 20B are made of copper (Cu).
  • the first electrode layer (also serving as a reflection plate) 12B may be formed of aluminum.
  • the materials constituting the second electrode layer 15 are the same as those explained in the first example, so the explanation will be omitted.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view for explaining a seventh example of the resonator structure.
  • the seventh example basically has a configuration in which the sixth example is applied to the light emitting elements 20 R and 20 G , and the first example is applied to the light emitting element 20 B. Also in this configuration, it is possible to set an optical distance that produces optimum resonance for the wavelength of light corresponding to the color to be displayed.
  • the first electrode layers (cum-reflection plates) 12 R and 12 G used in the light emitting elements 20 R and 20 G are made of a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), etc. , and an alloy containing these as main components.
  • the materials constituting the reflective plate 71 B , the optical adjustment layer 72 B , and the first electrode layer 12 B used in the light emitting element 20 B are the same as those explained in the first example, so the explanation will be omitted. .
  • the display device 1000 described above may include a lens array (not shown) between the protective layer 16 and the color filter 17.
  • the display device 1000 may further include a flattening layer (not shown) between the color filter 17 and the lens array.
  • the lens array includes multiple lenses.
  • the lens may be an on-chip microlens (OCL).
  • OCL on-chip microlens
  • the plurality of lenses are two-dimensionally arranged on the first main surface of the color filter 17 or the flattening layer in a prescribed arrangement pattern.
  • One sub-pixel includes one or two lenses.
  • the lens focuses the light emitted upward in the front direction.
  • the lens has, for example, a convex curved surface that projects in the front direction.
  • the convex curved surface is, for example, dome-shaped.
  • the dome shape includes shapes such as a substantially parabolic shape, a substantially hemispherical shape, and a substantially semiellipsoidal shape.
  • the lens includes, for example, an inorganic material or a polymer resin that is transparent to visible light.
  • Inorganic materials include, for example, silicon oxide (SiO x ).
  • the polymer resin includes, for example, an ultraviolet curing resin.
  • the light emitting unit 81 is, for example, the light emitting element 20 described above.
  • the lens member 83 described below is, for example, a lens of the lens array described above.
  • the wavelength selection unit 82 described below is, for example, , color filter 17.
  • the size of the wavelength selection section may be changed as appropriate depending on the light emitted by the light emitting section, or a light absorption section (for example, a black matrix section) may be provided between the wavelength selection sections of adjacent light emitting sections. is provided, the size of the light absorbing section may be changed as appropriate depending on the light emitted by the light emitting section. Further, the size of the wavelength selection section may be changed as appropriate depending on the distance (offset amount) d 0 between the normal line passing through the center of the light emitting section and the normal line passing through the center of the wavelength selection section.
  • the planar shape of the wavelength selection section may be the same as, similar to, or different from the planar shape of the lens member.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 coincide.
  • D 0 0
  • d 0 0.
  • D 0 is the normal line LN passing through the center of the light emitting part 81 and the normal line LN' passing through the center of the lens member 83.
  • d0 represents the distance (offset amount) between the normal line LN passing through the center of the light emitting section 81 and the normal line LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82. .
  • the normal line LN passing through the center of the light emitting section 81 and the normal line LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82 are the same, but the normal line passing through the center of the light emitting section 81
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 coincide.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 are all In other words, D 0 >0, d 0 >0, and D 0 ⁇ d 0 may be configured.
  • the center of the light emitting section 81 and the center of the lens member 83 in FIG. 22 It is preferable that the center of the wavelength selection section 82 (the position indicated by a black square in FIG. 22) be located on the straight line LL connecting the center of the light emitting section 81 and the wavelength The distance in the thickness direction (vertical direction in FIG.
  • the thickness direction refers to the thickness direction of the light emitting section 81, the wavelength selection section 82, and the lens member 83.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 coincide.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 coincide.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting section 81, the normal LN'' passing through the center of the wavelength selection section 82, and the normal LN' passing through the center of the lens member 83 are all
  • the center of the lens member 83 (the position indicated by the black square in FIG. 24) is preferably located.
  • the distance between the center of the light emitting part 81 and the center of the lens member 83 in the thickness direction is preferably located.
  • the thickness direction refers to the thickness direction of the light emitting section 81, the wavelength selection section 82, and the lens member 83.
  • the display device 1000 may be included in various electronic devices.
  • the display device 1000 is particularly suitable for devices that require high resolution and are used close to the eyes, such as electronic viewfinders of video cameras or single-lens reflex cameras, or head-mounted displays.
  • 25A and 25B show an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is a single-lens reflex type with interchangeable lenses, and has an interchangeable photographic lens unit (interchangeable lens) 312 approximately in the center of the front of a camera body 311, and on the left side of the front. It has a grip part 313 for the photographer to hold.
  • interchangeable photographic lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back surface of the camera body 311.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided at the top of the monitor 314 . By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the light image of the subject guided from the photographic lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 includes the display device 1000 described above.
  • FIG. 26 shows an example of the appearance of the head mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 on both sides of a glasses-shaped display section 321 to be worn on the user's head.
  • the display unit 321 includes the display device 1000 described above.
  • FIG. 27 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • This television device 330 has a video display screen section 331 including, for example, a front panel 332 and a filter glass 333, and this video display screen section 331 includes the display device 1000 described above.
  • FIG. 28 shows an example of the appearance of the see-through head-mounted display 340.
  • the see-through head-mounted display 340 includes a main body 341, an arm 342, and a lens barrel 343.
  • the main body part 341 is connected to the arm 342 and the glasses 350. Specifically, an end of the main body 341 in the long side direction is coupled to the arm 342, and one side of the main body 341 is coupled to the glasses 350 via a connecting member. Note that the main body portion 341 may be directly attached to the human head.
  • the main body section 341 incorporates a control board for controlling the operation of the see-through head-mounted display 340 and a display section.
  • the arm 342 connects the main body portion 341 and the lens barrel 343 and supports the lens barrel 343. Specifically, the arm 342 is coupled to an end of the main body 341 and an end of the lens barrel 343, respectively, and fixes the lens barrel 343. Further, the arm 342 has a built-in signal line for communicating data related to an image provided from the main body 341 to the lens barrel 343.
  • the lens barrel 343 projects image light provided from the main body 341 via the arm 342 through the eyepiece 351 toward the eyes of the user wearing the see-through head-mounted display 340.
  • the display section of the main body section 341 includes the display device 1000 described above.
  • FIG. 29 shows an example of the appearance of the smartphone 360.
  • the smartphone 360 includes a display section 361 that displays various information, and an operation section 362 that includes buttons and the like that accept operation inputs from the user.
  • the display unit 361 includes the display device 1000 described above.
  • the display device 101 and the like described above may be provided in a vehicle or in various types of displays.
  • FIGS. 30A and 30B are diagrams showing an example of the internal configuration of a vehicle 500 equipped with various displays. Specifically, FIG. 30A is a diagram showing an example of the interior of the vehicle 500 from the rear to the front of the vehicle 500, and FIG. 30B is a diagram showing an example of the interior of the vehicle 500 from the diagonal rear to the diagonal front of the vehicle 500. It is a figure showing an example.
  • the vehicle 500 includes a center display 501, a console display 502, a head-up display 503, a digital rear mirror 504, a steering wheel display 505, and a rear entertainment display 506. At least one of these displays includes the display device 1000 described above. For example, all of these displays may include the display device 1000 described above.
  • the center display 501 is arranged on the part of the dashboard facing the driver's seat 508 and the passenger seat 509.
  • 30A and 30B show an example of a horizontally long center display 501 extending from the driver's seat 508 side to the passenger seat 509 side, but the screen size and placement location of the center display 501 are arbitrary.
  • Center display 501 can display information detected by various sensors. As a specific example, the center display 501 displays images taken by an image sensor, distance images to obstacles in front and sides of the vehicle 500 measured by a ToF sensor, and passenger body temperature detected by an infrared sensor. etc. can be displayed.
  • Center display 501 can be used, for example, to display at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information.
  • Safety-related information includes information such as detection of falling asleep, detection of looking away, detection of mischief by children in the same vehicle, presence or absence of seatbelts, and detection of leaving passengers behind. This information is detected by The operation-related information uses sensors to detect gestures related to operations by the occupant.
  • the sensed gestures may include manipulation of various equipment within vehicle 500. For example, the operation of air conditioning equipment, navigation equipment, AV equipment, lighting equipment, etc. is detected.
  • the life log includes life logs of all crew members. For example, a life log includes a record of the actions of each occupant during the ride. By acquiring and saving life logs, it is possible to check the condition of the occupants at the time of the accident.
  • the body temperature of the occupant is detected using a sensor such as a temperature sensor, and the health condition of the occupant is estimated based on the detected body temperature.
  • a sensor such as a temperature sensor
  • an image sensor may be used to capture an image of the occupant's face, and the occupant's health condition may be estimated from the captured facial expression.
  • Authentication/identification related information includes a keyless entry function that performs facial recognition using a sensor, and a function that automatically adjusts seat height and position using facial recognition.
  • the entertainment-related information includes a function that uses a sensor to detect operation information of an AV device by a passenger, a function that recognizes the passenger's face using a sensor, and provides the AV device with content suitable for the passenger.
  • the console display 502 can be used, for example, to display life log information.
  • Console display 502 is arranged near shift lever 511 on center console 510 between driver's seat 508 and passenger seat 509.
  • the console display 502 can also display information detected by various sensors. Further, the console display 502 may display an image around the vehicle captured by an image sensor, or may display a distance image to an obstacle around the vehicle.
  • the head-up display 503 is virtually displayed behind the windshield 512 in front of the driver's seat 508.
  • Head-up display 503 can be used, for example, to display at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information. Since the head-up display 503 is often virtually placed in front of the driver's seat 508, it is difficult to display information directly related to the operation of the vehicle 500, such as the speed of the vehicle 500 and the remaining amount of fuel (battery). Are suitable.
  • the digital rear mirror 504 can display not only the rear of the vehicle 500 but also the state of the occupants in the rear seats. Therefore, by arranging a sensor on the back side of the digital rear mirror 504, it can be used for displaying life log information, for example. be able to.
  • the steering wheel display 505 is placed near the center of the steering wheel 513 of the vehicle 500.
  • Steering wheel display 505 can be used, for example, to display at least one of safety-related information, operation-related information, life log, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information.
  • life log information such as the driver's body temperature, and information regarding the operation of AV equipment, air conditioning equipment, etc. There is.
  • the rear entertainment display 506 is attached to the back side of the driver's seat 508 and passenger seat 509, and is for viewing by passengers in the rear seats.
  • Rear entertainment display 506 can be used, for example, to display at least one of safety-related information, operation-related information, lifelog, health-related information, authentication/identification-related information, and entertainment-related information.
  • information relevant to the rear seat occupant is displayed. For example, information regarding the operation of the AV device or air conditioning equipment may be displayed, or the results of measuring the body temperature of the passenger in the rear seat using a temperature sensor may be displayed.
  • a configuration may also be adopted in which a sensor is placed on the back side of the display device 1000 so that the distance to objects existing in the surroundings can be measured.
  • optical distance measurement methods There are two main types of optical distance measurement methods: passive and active.
  • a passive type sensor measures distance by receiving light from an object without emitting light from the sensor to the object.
  • Passive methods include the lens focusing method, stereo method, and monocular viewing method.
  • the active type measures distance by projecting light onto an object and receiving the reflected light from the object with a sensor.
  • Active types include an optical radar method, an active stereo method, a photometric stereo method, a moiré topography method, and an interferometry method.
  • the display device 101 and the like described above can be applied to any of these methods of distance measurement.
  • FIG. 31 is a diagram showing an example of a cross-sectional configuration of a display device (display device 1000A) according to this modification.
  • This modification differs from the embodiment in that the protective layer 16 is filled so that gaps are formed between the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2.
  • a void 91A is formed in the protective layer 16 filled in the first slit structure SL1
  • a void 91B is formed in the protective layer 16 filled in the second slit structure SL2.
  • the void portion 91A and the void portion 91B can be formed by appropriately adjusting the film-forming conditions of the protective layer 16, the aspect ratio of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 in cross-sectional view, and the like.
  • the progress of chipping can be effectively suppressed.
  • the progress of chipping 92 can be suppressed by the void portion 91B.
  • the void portion 91A may extend to the outside of the first slit structure SL1. The same applies to the cavity 91B.
  • FIG. 33 is a diagram showing an example of a cross-sectional configuration of a display device (display device 1000B) according to this modification.
  • the shapes of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are different from those of the embodiment.
  • the shapes of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 are reversely tapered.
  • the reverse tapered shape means that the width of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 (horizontal length in FIG. 33) gradually becomes wider toward the inside of the interlayer insulating layer 32 (toward the second main surface side). It means the shape. Since the widths of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 can be increased, the progress of chipping can be effectively suppressed.
  • FIG. 34 is a diagram showing an example of a cross-sectional configuration of a display device (display device 1000C) according to this modification.
  • This modification is a combination of the above-described modifications 1 and 2.
  • the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 have an inverted tapered shape.
  • a void 91A is formed in the protective layer 16 filled in the first slit structure SL1
  • a void 91B is formed in the protective layer 16 filled in the second slit structure SL2.
  • the progress of chipping can be effectively suppressed, similar to Modifications 1 and 2.
  • the first main surface side (the upper side in FIG. 34) of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 is smaller in width than the second main surface side (the lower side in FIG. 34).
  • the tips of the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2 on the first main surface side are easily closed, and the gap 91A is formed in the first slit structure SL1, and the second slit structure SL2 is easily closed. It is possible to easily form the void portions 91B inside the structure SL2.
  • FIG. 35 is a diagram showing an example of a cross-sectional configuration of a display device (display device 1000D) according to this modification.
  • the display device 1000D differs from the display device 1000 according to one embodiment in that it does not have the first slit structure SL1 and the second slit structure SL2.
  • the display device 1000D also includes a recess 93 formed on the first main surface side of the interlayer insulating layer 32.
  • the recess 93 is formed by the recess formed on the first main surface of the interlayer insulating layer 32 and the interpixel insulating layer 13 stacked on the recess.
  • the recess 93 has a tapered shape, that is, a shape that becomes wider toward the first main surface side of the interlayer insulating layer 32 .
  • the boundary 93A between the recess 93 and the protective layer 16 constitutes a first interface portion according to this modification.
  • this modification as schematically shown in FIG. 36, the progress of the chipping 93B can be suppressed by the boundary 93A.
  • the recess 93 since the recess 93 has a tapered shape, it is possible to prevent the color filter 17 from being accumulated near the step, causing uneven coating, and changing the film thickness.
  • the interpixel insulating layer 13 may be omitted; in this case, the first interface portion is formed by the boundary between the recess formed on the first main surface of the interlayer insulating layer 32 and the protective layer 16 laminated in the recess. configured. Further, a void may be formed between the recess 93 and the protective layer 16, or the protective layer 16 may be laminated in the recess 93, and the structure in contact with the first main surface of the protective layer 16 serves as the void. You can. Such a configuration can also suppress the progress of chipping.
  • the first slit structure SL1, the second slit structure SL2, the first guard ring GR1, the second guard ring GR2, and the third guard ring GR3 are cut near the corners when viewed from above. It may also be made to form a frame shape.
  • the first slit structure SL1, the second slit structure SL2, the first guard ring GR1, the second guard ring GR2, and the third guard ring GR3 are not linear when viewed from above. , it may be in a zigzag shape with unevenness inside and outside the peripheral region 110B. Thereby, as shown in FIG. 38B, stress concentration portions 95 can be formed at locations where the zigzag-shaped peaks overlap.
  • the stress concentration portion 95 is a location where chipping is likely to progress. By increasing the number of wiring layers in the guard ring in the stress concentration portion 95, for example, the progress of chipping can be effectively suppressed.
  • the slit structure and the guard ring are not continuous as shown in FIG. 7, but may be partially divided.
  • the shapes of the individual slit structures may be different.
  • the guard ring may be a structure that is not intended to prevent moisture from entering.
  • the structure related to the guard ring may be a slit structure instead of a wiring structure.
  • there may be one slit structure and one guard ring it is preferable to provide a plurality of them from the viewpoint of suppressing the progress of chipping.
  • the present disclosure is also applicable to display devices using LED (Light Emitting Diode) elements. Further, the application example described above can also be applied to a display device according to a modified example.
  • a driving substrate having a pixel region in which a plurality of pixels are formed, and a peripheral region between the pixel region and an outer edge;
  • a first interface portion is provided on the first main surface side of the drive substrate in the peripheral region, and a second interface portion is provided on the second main surface side of the drive substrate in the peripheral region,
  • the pixel includes a first electrode, a second electrode disposed opposite to the first electrode, and an organic layer provided between the first electrode and the second electrode and including a light emitting layer.
  • the drive board includes a base material and a drive circuit layer laminated on the base material and including an interlayer insulating layer, The first interface part and the second interface part are provided at least in the interlayer insulating layer, The display device according to (1).
  • the first interface portion is configured by a first recess provided on the first main surface side of the interlayer insulating layer.
  • the display device according to (2). (4) comprising a protective layer laminated on the second electrode, the first recess is filled with the protective layer;
  • the first recess is filled with the protective layer so as to form a void;
  • the first recess has a shape that becomes wider toward the inside of the interlayer insulating layer.
  • the display device according to (5). (7) a protective layer laminated on the second electrode; a first recess provided on the first main surface side of the interlayer insulating layer; The first interface portion is configured by a boundary between the protective layer and the first recessed portion, The display device according to (2). (8) The first recess has a shape that becomes wider toward the first main surface. The display device according to (7). (9) The second interface portion is configured by the wiring structure provided in the interlayer insulating layer. The display device according to any one of (1) to (8). (10) having a plurality of each of the first interface part and the second interface part, The display device according to any one of (1) to (9).
  • the first interface portion has an interface of the same type of material or different types of materials, The display device according to any one of (1) to (10).
  • the second interface part has an interface of the same type of material or different types of materials, The display device according to any one of (1) to (11).
  • the first interface part and the second interface part are formed in a frame shape.
  • the first interface part and the second interface part are uneven inside and outside the peripheral area, The display device according to any one of (1) to (12).
  • the peripheral area is an area near the scribe line, The display device according to any one of (1) to (14).

Abstract

例えば、チッピングの内部への進行を効果的に抑制する。　複数の画素が形成された画素領域と、画素領域と外縁部との間の周辺領域と、を有する駆動基板を有し、周辺領域における駆動基板の第１主面側に第１界面部が設けられ、周辺領域における駆動基板の第２主面側に第２界面部が設けられており、画素は、第１電極と、第１電極に対して対向して配置される第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、を有する、表示装置である。

Description

表示装置及び電子機器
　本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
　シリコン（Ｓｉ）基板等をベースとして用いる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスでは、２００ｍｍ径又は３００ｍｍ径等のＳｉウエハの状態で、ウエハ上に駆動回路や有機ＥＬ層、カラーフィルタ等が形成される。そして、表面を保護するガラス基板をＳｉウエハに貼り合わせた後に、所定サイズのパネルに切り分ける（個片化工程）。個片化工程の際に、Ｓｉ基板や基板上に形成された膜を切断するが、膜の界面や膜自身からチッピングが発生することがある。このチッピングが駆動回路に影響を及ぼして歩留まり低下の要因となっている。
　上述したチッピングに対する対策として、配線層を縦に積み上げた構造物（以下、ガードリングと適宜、称する）をパネル外周に設けることが行われている。ガードリングが設けられる領域は、ガードリング領域とも称される。例えば、下記特許文献１には、ガードリング領域の上面にスリット構造を設けた半導体ウエハが記載されている。
特開２０１６－２６３８７号公報
　有機ＥＬ表示デバイスは、有機ＥＬ層や有機ＥＬ層を発光させるための電極層、カラーフィルタ等が積層された構成を有することが一般的である。係る有機ＥＬ表示デバイスに対して、特許文献１に記載されたスリット構造を適用すると、各層の膜厚の変動等が生じる虞があった。
　本開示は、チッピングの内部への進行を効果的に抑制できる有機ＥＬ表示デバイス等の表示装置及び電子機器を提供することを目的の一つとする。
　本開示は、例えば、
　複数の画素が形成された画素領域と、画素領域と外縁部との間の周辺領域と、を有する駆動基板を有し、
　周辺領域における駆動基板の第１主面側に第１界面部が設けられ、周辺領域における駆動基板の第２主面側に第２界面部が設けられており、
　画素は、第１電極と、第１電極に対して対向して配置される第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、を有する、
　表示装置である。
本開示で考慮すべき問題についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示で考慮すべき問題についての説明がなされる際に参照される図である。 ＡからＣは、本開示で考慮すべき問題についての説明がなされる際に参照される図である。 ＡからＣは、本開示で考慮すべき問題についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 本開示の一実施形態に係る表示領域の一部の箇所の断面図である。 本開示の一実施形態に係る有機ＥＬ層の構成例を説明するための断面図である。 図７における切断線ＡＡ－ＡＡで切断した箇所の断面を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の作用についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の作用についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法例についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法例についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法例についての説明がなされる際に参照される図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法例についての説明がなされる際に参照される図である。 Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 Ａ、Ｂはそれぞれ、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を示す斜視図である。 テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 シースルーヘッドマウントディスプレイの外観の一例を示す斜視図である。 スマートフォンの外観の一例を示す斜視図である。 Ａは、乗物の後方から前方にかけての乗物の内部の様子の一例を示す図である。Ｂは、乗物の斜め後方から斜め前方にかけての乗物の内部の様子の一例を示す図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 Ａ及びＢは、変形例を説明するための図である。
　以下、本開示の実施形態等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
＜本開示で考慮すべき問題＞
＜一実施形態＞
＜応用例＞
＜変形例＞
　以下に説明する実施形態等は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容がこれらの実施形態等に限定されるものではない。なお、以下の説明において、実質的に同一の機能構成を有するものについては同一の符号を付し、重複説明を適宜省略する。また、図示が煩雑になることを防止するために、一部の構成のみに参照符号を付す場合や、図示を簡略化したり、拡大／縮小する場合もある。また、説明の便宜上、左右上下等の方向を規定するが、本開示の内容が係る方向に限定されるものではない。
＜本開示で考慮すべき問題＞
　始めに、本開示の理解を容易とするために、本開示で考慮すべき問題について説明する。一般的な構成を有する有機ＥＬ表示デバイスである表示装置（表示装置１）は、シリコン基板（不図示）等の基板上に層間絶縁層等が形成された構成を有する。基板をダイシングするときに、表示装置１の内部にクラックやチッピング（以下、これらを単にチッピングと総称する。）が発生することがある。また、個片化後に、表示装置１の端部から表示装置１の内部に水分が浸入することが想定される。表示装置１の内部に水分が浸入すると、内部の配線の腐食等を招来し、表示装置１の信頼性が低下する虞がある。
　図１は、個片化後の表示装置１の一部の断面を示した断面図である。図１において、図面に向かって左側がスクライブライン側であり、右側が表示装置１のパネル中央側である。表示装置１は、層間絶縁層２を有しており、層間絶縁層２には、スクライブライン側からパネル中央側に向かって３個のガードリング（ガードリング３Ａ、３Ｂ、３Ｃ）が設けられている。個々のガードリングを区別する必要がない場合は、ガードリング３と適宜、総称する。
　図１では更に、表示装置１内を進行（伝搬）したチッピング４が模式的に示されている。図１に示す構成、すなわち、複数のガードリングだけを設けた構成では、層間絶縁層２の上側のエリアにはガードリングがない。このため、図１に示すように、チッピング４が層間絶縁層２の上側を経由してパネル中央側に向かって進行してしまう虞がある。
　係る不都合を回避するために、層間絶縁層２の上側の面にスリットを設ける技術が考えられる。例えば、図２に示すように、層間絶縁層２の上側の面にスリット５Ａ、５Ｂを形成する。これにより、チッピング４が層間絶縁層２の上側を進行した場合であっても、スリット５Ａ若しくはスリット５Ｂによりチッピング４の進行を抑制できる。
　一方で、単純にスリットを設ける構造は、表示装置１を構成する各層を一体化する工程で不都合を生じさせる虞がある。この点について説明する。図３Ａ、図３Ｂ、及び、図３Ｃは、表示装置１の製造工程における一部の構成を簡略化して示した図である。
　図３Ａに示すように、層間絶縁層２には、ガードリング３及びスリット５Ａが設けられる。なお、本例では、スリット５Ａのみが図示されているが、上述したように、スリット５Ｂが設けられていてもよい。また、層間絶縁層２の上側に露出するようにカソードコンタクト６及びアノード電極７が形成される。
　続く工程で、図３Ｂに示すように、アノード電極７上に有機ＥＬ層８が形成される。そして、有機ＥＬ層８上に、有機ＥＬ層８を挟むように、且つ、アノード電極７と対向するようにカソード電極６Ａが形成される。カソード電極９Ａは、上述したカソードコンタクト６に接続される。そして、カソード電極６Ａの上に有機ＥＬ層８を保護するための保護層９が形成される。
　続く工程で、図３Ｃに示すように、保護層９の上にカラーフィルタ１０が形成される。図３Ｃでは、５個のカラーフィルタ（カラーフィルタ１０Ａ、１０Ｂ・・・１０Ｅ）が示されているが、これに限定されるものではない。なお、個々のカラーフィルタを区別する必要がない場合は、カラーフィルタ１０と適宜、総称する。
　カラーフィルタ１０の材料としては、例えば、溶液系の材料が用いられる。また、カラーフィルタ１０は、例えば、スピンコート法によって膜厚が一定となるように形成される。スピンコート法によってカラーフィルタ１０を形成する際に、溶液系の材料の一部がスリット５Ａに流れ込んでしまったり、スリット５Ａの境界付近で貯留することで塗布ムラが生じ、膜厚が変動してしまう。図３Ｃでは、５個のカラーフィルタ１０のうち、カラーフィルタ１０Ｂの膜厚が小さくなってしまった状態が示されている。このように、有機ＥＬ層８の成膜前にスリット５Ａを設けると、各カラーフィルタ１０間の膜厚が相違してしまい表示装置１の品質劣化等の悪影響を招く。
　そこで、有機ＥＬ層８の成膜後にスリット５Ａを形成することが考えられる。例えば、図４Ａに示すように、有機ＥＬ層８、カソード電極６Ａ、及び、保護層９が形成される。続く工程で、図４Ｂに示すように、保護層９の上面にカラーフィルタ１０が形成される。続く工程で図４Ｃに示すように、保護層９及び層間絶縁層２の上部に対してスリット５Ａが形成される。このように、有機ＥＬ層８の成膜後にスリット５Ａを設ける製造方法によれば、カラーフィルタ１０の形成時にはスリット５Ａは形成されていないため、上述した膜厚の変動は生じない。
　しかしながら、スリット５Ａの形成工程において、雰囲気が１００度以上の高温になる場合がある。このような高温になると、有機ＥＬ層８を構成する材料にダメージを与える虞がある。このように、半導体ウエハ等に適用されていた従来のガードリング構造を有機ＥＬ表示デバイスに適用するうえでは、上述したインテグレーションにおける不都合が生じないようにする観点が必要である。以上の点を踏まえつつ、本開示について、一実施形態を参照しながら詳細に説明する。
＜一実施形態＞
［表示装置の構成例］
　図５、図６、及び、図７は、本開示の一実施形態に係る表示装置（表示装置１０００）の全体構成の一例を示す概略図である。図５に示すように、表示装置１０００は、駆動基板１１を有している。駆動基板１１は、その一主面に、画素領域の一例である表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａと駆動基板１１の外縁部との間の周縁付近に設けられた周辺領域１１０Ｂとを有している。周辺領域１１０Ｂは、駆動基板１１の外縁部に近い領域を意味する。ここで、駆動基板１１の外縁部は、本実施形態では駆動基板１１を個片化した際のスクライブラインＳＣと一致しているが、スクライブラインＳＣと厳密に一致せずにその近傍であってもよい。
　表示領域１１０Ａには複数の画素が設けられている。具体的には、図６に示すように、表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
　サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別せず総称する場合には、サブ画素１００という。隣接するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図６では、行方向（水平方向）に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されているが、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの配列はこれに限定されるものではない。
　周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１及び走査線駆動回路１１２が設けられている。周辺領域１１０Ｂにはこれらの駆動回路と接続するためのパッドが設けられてもよい。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０００は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０００は、ＶＲ（Virtual Reality）装置、ＭＲ（Mixed Reality）装置、ＡＲ（Augmented Reality）装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）又は小型プロジェクタ等に備えられてもよい。
　図７に示すように、周辺領域１１０Ｂの外側、より具体的には、信号線駆動回路１１１及び走査線駆動回路１１２よりも外側（スクライブラインＳＣ側）には、ガードリング及びスリット構造が設けられている。例えば、駆動基板１１の中央から外側に向かって、３個のガードリング（第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３）が設けられている。また、駆動基板１１の中央から外側に向かって、第２個のスリット構造（第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２）が形成されている。第１スリット構造ＳＬ１は、第１ガードリングＧＲ１と第２ガードリングＧＲ２との間に形成されている。また、第２スリット構造ＳＬ２は、第２ガードリングＧＲ２と第３ガードリングＧＲ３との間に形成されている。各ガードリング及び各スリット構造は、駆動基板１１を上面視した場合に、枠状を成すように連続的に形成されている。
　次に、図８、図９及び図１０を参照しつつ、一実施形態に係る表示装置１０００の構成例について詳細に説明する。図８は表示領域１１０Ａの一部の箇所の断面図であり、図９は後述する有機ＥＬ層（有機ＥＬ層１４）の構成例を説明するための断面図であり、図１０は周辺領域１１０Ｂを図７における切断線ＡＡ－ＡＡで切断した場合の断面を示す断面図である。
　図８に示すように、表示装置１０００は、駆動基板１１と、第１電極層１２と、画素間絶縁層１３と、有機ＥＬ層１４と、第２電極層１５と、保護層１６と、カラーフィルタ１７と、充填樹脂層１８と、対向基板１９とを備える。
　表示装置１０００は、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０００の対向基板１９側がトップ側となり、表示装置１０００の駆動基板１１側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０００を構成する各層において、表示装置１０００のトップ側となる面（側）を第１主面（第１主面側）といい、表示装置１０００のボトム側となる面（側）を第２主面（第２主面側）と適宜、称する。
　表示装置１０００は、複数の発光素子２０を備えている。複数の発光素子２０は、第１電極層１２と、発光層を含む有機層の一例である有機ＥＬ層１４と、第２電極層１５とにより構成されている。発光素子２０は、例えば、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）等の白色発光素子である。表示装置１０００におけるカラー化の方式としては、白色発光素子とカラーフィルタ１７とを用いる方式が用いられる。
（駆動基板）
　駆動基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子２０を駆動する。駆動基板１１は、例えば、基材１１Ａと、基材１１Ａ上に積層される駆動回路層１１Ｂを有する。駆動回路層１１Ｂは基材１１Ａ上に積層されて形成されていてもよいし、半導体プロセスによってその一部が基材１１Ａに直接形成されていてもよい。
　基材１１Ａは、シリコン基板等の半導体基板であってもよいし、水分及び酸素の透過性が低いガラス基板や石英、樹脂などの絶縁体基板であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。具体例として、ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。また、樹脂基板の具体例としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート及びポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基材１１Ａは、例えば、薄板状の形状を有する。基材１１Ａが可撓性を有していてもよい。
　駆動回路層１１Ｂは、例えば、第１電極層１２と電気的に接続されるトランジスタ（不図示）等の駆動回路と、配線層３１と、配線層３１の間に配置される層間絶縁層３２を含む。第１電極層１２は、公知の接続構造によって、配線層３１を介してトランジスタに接続されている。駆動回路層１１Ｂに形成される駆動回路は、例えば、アクティブマトリクス型の画素駆動回路である。
　配線層３１は、一つの配線層でもよいし、複数の配線層がビア層を介して接続された構成であってもよい。配線層３１としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、若しくはこれらを組み合わせ等の導電性の金属が適用される。
　層間絶縁層３２としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機物、ポリイミド、ポリアクリル等の有機物で構成される層間絶縁層が挙げられる。層間絶縁層３２は、トップ側に位置し、第１電極層１２を形成する際に下地となる平坦な層（平坦化層と称される層）を含んでいてもよい。本例では、駆動回路層１１Ｂの上面側が駆動基板１１の第１主面側に対応しており、基材１１Ａの底面が駆動基板１１の第２主面側に対応している。
（第１電極層）
　第１電極層１２は、駆動基板１１の第１主面、すなわち、層間絶縁層３２上に設けられている。第１電極層１２は、アノードである。第１電極層１２と第２電極層１５の間に電圧が加えられると、第１電極層１２から有機ＥＬ層１４に正孔が注入される。第１電極層１２は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。第１電極層１２は、複数の電極１２Ａを有する。複数の電極１２Ａは、隣接する発光素子２０間で電気的に分離されている。複数の電極１２Ａは、有機ＥＬ層１４を共有している。複数の電極１２Ａは、マトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
　電極１２Ａは、金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、電極１２Ａは、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。電極１２Ａが積層膜により構成されている場合、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられていてもよいし、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層を有機ＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。
　金属酸化物層は、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）及び亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的に有機ＥＬ層１４への正孔注入障壁が特に低いため、表示装置１０００の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。
（第２電極層）
　第２電極層１５は、第１電極層１２と対向して設けられている。第２電極層１５は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の電極として設けられている。第２電極層１５は、カソードである。第１電極層１２と第２電極層１５の間に電圧が加えられると、第２電極層１５から有機ＥＬ層１４に電子が注入される。第２電極層１５は、有機ＥＬ層１４で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２電極層１５は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
　第２電極層１５は、例えば、金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２電極層１５は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第２電極層１５が積層膜により構成されている場合、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられてもよいし、金属酸化物層が有機ＥＬ層１４側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機ＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属層が有機ＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）及びナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上述の電極１２Ａの透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
（ＥＬ層）
　有機ＥＬ層１４は、第１電極層１２と第２電極層１５の間に設けられている。有機ＥＬ層１４は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００（すなわち複数の電極１２Ａ）に亘って連続して設けられ、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の層として設けられている。有機ＥＬ層１４は、例えば、白色光を発光可能に構成されている。もちろん、有機ＥＬ層１４が他の色の光を発光するようにしてもよい。
　図９に示すように、有機ＥＬ層１４は、例えば、第１電極層１２から第２電極層１５に向かって、正孔輸送層１４Ａ、赤色発光層１４Ｂ、発光分離層１４Ｃ、青色発光層１４Ｄ、緑色発光層１４Ｅ、電子輸送層１４Ｆ、電子注入層１４Ｇがこの順序で積層された構成を有する。
　正孔輸送層１４Ａは、第１電極層１２及び画素間絶縁層１３に隣接している。正孔輸送層１４Ａは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１４Ａは、例えば、α－ＮＰＤ（N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl〕-4,4'-diamine）を含む。
　電子輸送層１４Ｆは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｆは、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３（アルミキノリノール錯体）及びＢｐｈｅｎ（バソフェナントロリン）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　電子注入層１４Ｇは、カソードからの電子注入を高めるためのものである。電子注入層１４Ｇは、例えば、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の単体またはそれらを含む化合物、具体的には例えばリチウム（Ｌｉ）またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）等を含む。
　発光分離層１４Ｃは、各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅへのキャリアの注入を調整するための層であり、発光分離層１４Ｃを介して各発光層１４Ｂ、１４Ｄ、１４Ｅに電子や正孔が注入されることにより各色の発光バランスが調整される。発光分離層１４Ｃは、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル誘導体等を含む。
　赤色発光層１４Ｂ、青色発光層１４Ｄ、緑色発光層１４Ｅはそれぞれ、電界をかけることにより、電極１２Ａから注入された正孔と第２電極層１５から注入された電子との再結合が起こり、赤色、青色、緑色を発生するものである。
　赤色発光層１４Ｂは、例えば、赤色発光材料を含む。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層１４Ｂは、具体的には例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものを含む。
　青色発光層１４Ｄは、例えば、青色発光材料を含む。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層１４Ｄは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものを含む。
　緑色発光層１４Ｅは、例えば、緑色発光材料を含む。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層１４Ｅは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものを含む。なお、発光層は、青色発光材料と黄色発光材料等の補色の関係を有する発光材料を含有してもよい。
（画素間絶縁層）
　画素間絶縁層１３は、駆動基板１１の第１主面上、かつ、隣接する電極１２Ａの間に設けられている。画素間絶縁層１３は、分離された各電極１２Ａの間を絶縁する。画素間絶縁層１３は、複数の開口１３Ａを有する。複数の開口１３Ａはそれぞれ、各サブ画素１００に対応して設けられている。より具体的には、複数の開口１３Ａはそれぞれ、分離された各電極１２Ａの第１主面（第２電極層１５との対向面）上に設けられている。開口１３Ａを介して、電極１２Ａと有機ＥＬ層１４とが接触する。
　画素間絶縁層１３は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂及びノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（保護層）
　保護層１６は、第２電極層１５の第１主面上に積層するように設けられ、複数の発光素子２０を覆う。保護層１６は、発光素子２０を外気と遮断し、外部環境から発光素子２０内部への水分浸入を抑制する。また、第２電極層１５が金属層により構成されている場合には、保護層１６は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１６は、例えば、吸湿性が低い無機材料または高分子樹脂を含む。保護層１６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。保護層１６の厚さを厚くする場合には、多層構造とすることが好ましい。保護層１６における内部応力を緩和するためである。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）及び酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、例えば、熱硬化型樹脂及び紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１７は、保護層１６の第１主面上に設けられている。カラーフィルタ１７は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１７は、例えば、赤色フィルタ１７Ｒと緑色フィルタ１７Ｇと青色フィルタ１７Ｂとを備える。赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ、青色フィルタ１７Ｂはそれぞれ、発光素子２０に対向して設けられている。赤色フィルタ１７Ｒと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｒが構成され、緑色フィルタ１７Ｇと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｇが構成され、青色フィルタ１７Ｂと発光素子２０とによりサブ画素１００Ｂが構成されている。
　サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ内の各発光素子２０から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ１７Ｒ、緑色フィルタ１７Ｇ及び青色フィルタ１７Ｂを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色フィルタ１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ間、すなわちサブ画素１００間の領域には、遮光層１７ＢＭが設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１７は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板１９の第２主面（有機ＥＬ層１４との対向面）に設けられたものであってもよい。
（充填樹脂層）
　充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９の間に設けられている。充填樹脂層１８は、カラーフィルタ１７と対向基板１９とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１８は、例えば、熱硬化型樹脂及び紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（対向基板）
　対向基板１９は、駆動基板１１に対向して設けられている。より具体的には、対向基板１９は、対向基板１９の第２の面と駆動基板１１の第１主面とが対向するように設けられている。対向基板１９及び充填樹脂層１８は、発光素子２０及びカラーフィルタ１７等を封止する。対向基板１９は、カラーフィルタ１７から出射される各色光に対して透明なガラス等の材料を含む。
　図１０に示すように、周辺領域１１０Ｂの外縁付近において、対向基板１９と対向基板１９に対する駆動基板１１対向面側との間に、シール剤２５が設けられている。シール剤２５は、対向基板１９の対向面の周縁部と、駆動基板１１の対向面の周縁部（より具体的には、当該周縁部に積層する保護層１６）との間を貼り合わせる。シール剤２５としては、例えば、熱硬化型樹脂を適用することができる。シール剤２５の厚みによって形成される間隙ＳＰに、上述したカラーフィルタ１７や充填樹脂層１８が配置される。なお、シール剤２５は充填樹脂層１８と同一の構成であってもよい。
　また、図１０に示すように、周辺領域１１０Ｂにおける駆動回路層１１Ｂの第１主面上には、カソードコンタクト１５Ａが設けられている。カソードコンタクト１５Ａに対して第２電極層１５が接続されている。カソードコンタクト１５Ａは、駆動回路層１１Ｂに設けられた配線層３３を介して駆動回路（不図示）に接続されている。
　周辺領域１１０Ｂにおける駆動基板１１の第１主面側には、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２が設けられている。より具体的には、カソードコンタクト１５Ａよりも外側（スクライブラインＳＣ側）であり、シール剤２５の下方に第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２が設けられている。第１スリット構造ＳＬ１は内側に設けられ、第２スリット構造ＳＬ２は第１スリット構造ＳＬ１よりも外側に設けられている。本実施形態では、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２により第１凹部が構成される。
　第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２は、少なくとも層間絶縁層３２を含むように設けられている。本実施形態では、層間絶縁層３２の第１主面に画素間絶縁層１３が成膜されていることから、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２は、例えば、画素間絶縁層１３及び層間絶縁層３２の所定の深さまで形成されている。なお、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２のそれぞれの深さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
　第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２には、保護層１６が充填されている。本実施形態では、第１スリット構造ＳＬ１により界面部４１Ａが形成されている。ここで、界面部とは異なる層の境界を意味する。異なる層のそれぞれを構成する材料は、同種材料でもよいし異種材料であってもよく、また、一方の層は空気層であってもよい。それぞれの層としては、単層の無機膜、積層された無機膜、単層の有機膜、積層された有機膜、単層の金属層、積層された金属層、これらの組み合わせ等が挙げられる。本実施形態では、層間絶縁層３２を構成する材料と保護層１６を構成する材料、すなわち、異種材料の境界が界面部４１Ａとなっている。同様にして、本実施形態では、第２スリット構造ＳＬ２により界面部４１Ｂが形成されている。本実施形態では、界面部４１Ａ及び界面部４１Ｂにより第１界面部が構成される。
　第１ガードリングＧＲ１は、例えば、層間絶縁層３２における第１スリット構造ＳＬ１と配線層３３との間の領域に設けられている。第２ガードリングＧＲ２は、例えば、層間絶縁層３２における、第１スリット構造ＳＬ１と第２スリット構造ＳＬ２との間の領域の下側に設けられている。第３ガードリングＧＲ３は、例えば、層間絶縁層３２における、第２スリット構造ＳＬ２とスクライブラインＳＣとの間の領域の下側に設けられている。第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３は、配線として使用する目的ではなく表示装置１０００内への水分等の浸入を防止するためのダミー配線である。本実施形態では、第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３により配線構造体が構成される。
　第１ガードリングＧＲ１は、例えば、２層の配線層を有し、これらの配線層がビア層等によって一続きとされた構成を有している。第２ガードリングＧＲ２は、例えば、１層の配線層と当該配線層に対して設けられたビア層を有する。第３ガードリングＧＲ３は、１層の配線層と当該配線層に対して設けられたビア層を有する。なお、各ガードリングが有する配線層の層数は１以上の任意の数に設定することができる。配線層やビア層には、銅やアルミニウム等が用いられる。また、ビア層の第２主面側端部は、層間絶縁層３２まで延在してもよいし、基材１１Ａ側まで延在していてもよい。
　第１ガードリングＧＲ１によって界面部４２Ａが形成される。具体的には、第１ガードリングＧＲ１を構成する材料と層間絶縁層３２を構成する材料、すなわち、異種材料の境界によって界面部４２Ａが形成される。また、第２ガードリングＧＲ２によって界面部４２Ｂが形成される。具体的には、第２ガードリングＧＲ２を構成する材料と層間絶縁層３２を構成する材料、すなわち、異種材料の境界によって界面部４２Ｂが形成される。また、第３ガードリングＧＲ３によって界面部４２Ｃが形成される。具体的には、第３ガードリングＧＲ３を構成する材料と層間絶縁層３２を構成する材料、すなわち、異種材料の境界によって界面部４２Ｃが形成される。本実施形態では、界面部４２Ａ、界面部４２Ｂ、及び、界面部４２Ｃにより第２界面部が構成される。
［作用］
　本実施形態に係る表示装置１０００によれば、チッピング（チッピング４５）が表示装置１０００内部に進行してしまうことが防止される。図１１及び図１２に模式的に示すように、第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３が形成されていない層間絶縁層３２の上部をチッピング４５が進行した場合であっても、第１スリット構造ＳＬ１又は第２スリット構造ＳＬ２によりチッピング４５の進行が抑制される。
［表示装置の製造方法］
　本開示の一実施形態に係る表示装置１０００の製造方法の一例について説明する。
　まず、基材１１Ａの第１主面上に、配線層３１、層間絶縁層３２、配線層３３、第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３を含む駆動回路層１１Ｂが形成される。
　次に、図１３に示すように、例えばスパッタリング法により、金属層、金属酸化物層を駆動基板１１の第１主面上に順次形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて金属層及び金属酸化物層をパターニングする。これにより、複数の電極１２Ａを有する第１電極層１２及びカソードコンタクト１５Ａが形成される。次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、複数の電極１２Ａを覆うように駆動基板１１の第１主面上に画素間絶縁層１３を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により、画素間絶縁層１３のうち、各電極１２Ａの第１主面上に位置する部分に開口１３Ａをそれぞれ形成する。カソードコンタクト１５Ａに対しても同様にして開口を形成する。
　次に、図１４に示すように、レジスト膜５１を成膜後、例えばフォトリソグラフィ技術により開口パターンＰＴ１、ＰＴ２を形成する。次に、図１５に示すように、例えばドライエッチング技術により、開口パターンＰＴ１に対応する箇所に第１スリット構造ＳＬ１を形成し、開口パターンＰＴ２に対応する箇所に第２スリット構造ＳＬ２を形成する。
　次に、レジスト膜５１を除去したのち、例えば蒸着法により、複数の電極１２Ａの第１主面及び画素間絶縁層１３の第１主面上に有機ＥＬ層１４を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２電極層１５を有機ＥＬ層１４の第１の主面上に形成する。これにより、駆動基板１１の第１主面上に複数の発光素子２０が形成される。
　次に、図１６に示すように、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１６を第２電極層１５の第１主面上に形成する。保護層１６は、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２内に充填される。次に、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１６の第１主面上にカラーフィルタ１７を形成する。なお、保護層１６の段差やカラーフィルタ１７自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１７の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いて、充填樹脂層１８によりカラーフィルタ１７を覆う。そして、シール剤２５を配置し、シール剤２５に熱を加えるか、又は、紫外線を照射することでシール剤２５を硬化させることにより、駆動基板１１と対向基板１９とを貼り合せる。これにより、表示装置１０００が封止される。
　上述した本実施形態に係る製造方法によれば、有機ＥＬ層１４の成膜前に第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２が形成されるため、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の形成時に有機ＥＬ層１４にダメージを与えてしまうことがない。また、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２に保護層１６が充填されるため段差が生じない。このため、当該段差に起因して各カラーフィルタ１７間の膜厚が相違してしまい表示装置１の品質劣化等の悪影響を招くことを防止できる。
［実施形態に適用される共振器構造の例］
　上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
（共振器構造：第１例）
　図１７Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた発光素子２０を、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂということがある。また、有機ＥＬ層１４のうちサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応する部分を、有機ＥＬ層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂということがある。
　第１例において、第１電極層１２は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。第２電極層１５においても同様である。
　発光素子２０の第１電極層１２の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２電極層１５との間に有機ＥＬ層１４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた光学調整層７２を、光学調整層７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂということがある。
　反射板７１は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２Ｒ、７２Ｇ、７２Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　図に示す例では、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２電極層１５の上面の位置は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて相違する。
　反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
　光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光素子２０の種類に応じて積層数が異なっても良い。
　第１電極層１２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
　第２電極層１５は、半透過反射膜として機能する必要がある。第２電極層１５は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。
（共振器構造：第２例）
　図１７Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。
　第２例においても、第１電極層１２や第２電極層１５は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第２例においても、発光素子２０の第１電極層１２の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極層１５との間に有機ＥＬ層１４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。
　図１７Ａに示す第１例においては、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２電極層１５の上面の位置は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて相違していた。
　これに対し、図１７Ｂに示す第２例において、第２電極層１５の上面は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂで揃うように配置されている。第２電極層１５の上面を揃えるために、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂにおいて反射板７１の上面は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、発光素子２０の種類に応じた階段形状となる。
　反射板７１、光学調整層７２、第１電極層１２及び第２電極層１５を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第３例）
　図１８Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた反射板７１を、反射板７１Ｒ、７１Ｇ、７１Ｂということがある。
　第３例においても、第１電極層１２や第２電極層１５は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第３例においても、発光素子２０の第１電極層１２の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極層１５との間に、有機ＥＬ層１４が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極層１５の上面の位置は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂで揃うように配置されている。
　図１７Ｂに示す第２例にあっては、第２電極層１５の上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光素子２０の種類に応じた階段形状であった。
　これに対し、図１８Ａに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１Ｒ、７１Ｇ、７１Ｂの下面が揃うように膜厚が設定されている。
　反射板７１、光学調整層７２、第１電極層１２及び第２電極層１５を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第４例）
　図１８Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた第１電極層１２を、第１電極層１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂということがある。
　図１７Ａに示す第１例において、各発光素子２０の第１電極層１２や第２電極層１５は、共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子２０の第１電極層１２の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
　これに対し、図１８Ｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１電極層１２の膜厚を、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて異なるように設定した。
　反射板７１は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。第１電極層１２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極層１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　反射板７１、光学調整層７２、第１電極層１２及び第２電極層１５を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第５例）
　図１９Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。
　図１７Ａに示す第１例において、第１電極層１２や第２電極層１５は各発光素子２０において共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子２０の第１電極層１２の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
　これに対し、図１９Ａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて異なるように設定した。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた酸化膜７４を、酸化膜７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂということがある。
　酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２電極層１５との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。
　発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。
　先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。
　そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１Ｒ、７１Ｇ、７１Ｂのそれぞれに発光素子２０の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。
　反射板７１、第１電極層１２及び第２電極層１５を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第６例）
　図１９Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。
　第６例において、発光素子２０は、第１電極層１２と有機ＥＬ層１４と第２電極層１５とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極層１２は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１電極層（兼反射板）１２は、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極層（兼反射板）１２による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　第１電極層（兼反射板）１２は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光素子２０Ｒの第１電極層（兼反射板）１２Ｒを銅（Ｃｕ）で形成し、発光素子２０Ｇの第１電極層（兼反射板）１２Ｇと発光素子２０Ｂの第１電極層（兼反射板）１２Ｂとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。
　第２電極層１５を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第７例）
　図２０は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。
　第７例は、基本的には、発光素子２０Ｒ、２０Ｇについては第６例を適用し、発光素子２０Ｂについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　発光素子２０Ｒ、２０Ｇに用いられる第１電極層（兼反射板）１２Ｒ、１２Ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。
　発光素子２０Ｂに用いられる、反射板７１Ｂ、光学調整層７２Ｂ及び第１電極層１２Ｂを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
［発光部、レンズ部材、波長選択部のそれぞれの中心を通る法線の関係］
　上述した表示装置１０００は、保護層１６とカラーフィルタ１７との間に、レンズアレイ（不図示）を有していてもよい。表示装置１０００は、カラーフィルタ１７とレンズアレイとの間に平坦化層（不図示）をさらに備えていてもよい。
　レンズアレイは、複数のレンズを含む。レンズは、オンチップマイクロレンズ（On Chip Microlens：ＯＣＬ）であってもよい。複数のレンズは、規定の配置パターンでカラーフィルタ１７または平坦化層の第１主面上に２次元配置されている。１つのサブ画素が、１つ又は２つのレンズを含む。レンズは、上方に出射された光を正面方向に集光する。レンズは、例えば、正面方向に突出した凸状湾曲面を有している。凸状湾曲面は、例えば、ドーム状である。ここで、ドーム状は、略放物面状、略半球状及び略半楕円球等の形状を含むものとする。
　レンズは、例えば、可視光に対して透明な無機材料または高分子樹脂を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含む。高分子樹脂は、例えば、紫外線硬化樹脂を含む。
　以下、発光部の中心を通る法線ＬＮと、レンズ部材の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明する。ここで、以下に説明する発光部８１は、例えば、上述した発光素子２０である。また、以下に説明するレンズ部材８３は、例えば、上述したレンズアレイのレンズである。また、以下に説明する波長選択部８２は、例えば、カラーフィルタ１７である。
　なお、発光部が出射する光に対応して、波長選択部の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光部の波長選択部の間に光吸収部（例えば、ブラックマトリクス部）が設けられている場合、発光部が出射する光に対応して、光吸収部の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部の大きさを、発光部の中心を通る法線と波長選択部の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ０に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部の平面形状は、レンズ部材の平面形状と同じであってもよいし、相似であってもよいし、異なっていてもよい。
　以下、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２１Ｃ、図２２を参照して、発光部８１と、波長選択部８２、レンズ部材８３が、この順序で配置されている場合の各部の中心を通る法線の関係について説明する。
　図２１Ａに示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していてもよい。すなわち、Ｄ０＝０、ｄ０＝０であってもよい。但し、Ｄ０は、発光部８１の中心を通る法線ＬＮとレンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）を表し、ｄ０は、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”との間の距離（オフセット量）を表す。
　図２１Ｂに示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”とは、一致しているが、発光部８１の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致していない構成としてもよい。すなわち、Ｄ０＞０、ｄ０＝０であってもよい。
　図２１Ｃに示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ０＞０、ｄ０＞０、Ｄ０＝ｄ０であってもよい。
　図２２に示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とがいずれも、一致していない構成としてもよい。すなわち、Ｄ０＞０、ｄ０＞０、Ｄ０≠ｄ０であってもよい。ここで、発光部８１の中心とレンズ部材８３の中心（図２２において黒丸で示される位置）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部８２の中心（図２２において黒四角で示される位置）が位置することが好ましい。具体的には、発光部８１の中心と波長選択部８２の中心との間の、厚さ方向（図２２中、垂直方向）における距離をＬＬ１、波長選択部８２の中心とレンズ部材８３の中心との間の、厚さ方向における距離をＬＬ２としたとき、
　　Ｄ０＞ｄ０＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　ｄ０：Ｄ０＝ＬＬ１：（ＬＬ１＋ＬＬ２）
を満足することが好ましい。
　ここで、厚さ方向とは、発光部８１、波長選択部８２、レンズ部材８３の厚さ方向を表す。
　以下、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４を参照して、発光部８１と、レンズ部材８３、波長選択部８２が、この順序で配置されている場合の各部の中心を通る法線の関係について説明する。
　図２３Ａに示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ０＞０、ｄ０＝０であってもよい。
　図２３Ｂに示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”及びレンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致しておらず、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とは、一致している構成としてもよい。すなわち、Ｄ０＞０、ｄ０＞０、Ｄ０＝ｄ０であってもよい。
　図２４に示されるように、発光部８１の中心を通る法線ＬＮと、波長選択部８２の中心を通る法線ＬＮ”と、レンズ部材８３の中心を通る法線ＬＮ’とがいずれも、一致していない構成としてもよい。ここで、発光部８１の中心と波長選択部８２の中心（図２４において黒四角で示される位置）とを結ぶ直線ＬＬ上に、レンズ部材８３の中心（図２４において黒丸で示される位置）が位置することが好ましい。具体的には、発光部８１の中心とレンズ部材８３の中心との間の、厚さ方向（図２４中、垂直方向）における距離をＬＬ２、レンズ部材８３の中心と波長選択部８２の中心との間の、厚さ方向における距離をＬＬ１としたとき、
　　ｄ０＞Ｄ０＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
　　Ｄ０：ｄ０＝ＬＬ２：（ＬＬ１＋ＬＬ２）
を満足することが好ましい。
　ここで、厚さ方向とは、発光部８１、波長選択部８２、レンズ部材８３の厚さ方向を表す。
＜応用例＞
（電子機器）
　上記の一実施形態に係る表示装置１０００は、各種の電子機器に備えられてもよい。表示装置１０００は、特にビデオカメラまたは一眼レフカメラの電子ビューファインダ、もしくはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。
（具体例１）
　図２５Ａ、図２５Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５は、上記の表示装置１０００を備える。
（具体例２）
　図２６は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１は、上記の表示装置１０００を備える。
（具体例３）
　図２７は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２及びフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上記の表示装置１０００を備える。
（具体例４）
　図２８は、シースルーヘッドマウントディスプレイ３４０の外観の一例を示す。シースルーヘッドマウントディスプレイ３４０は、本体部３４１と、アーム３４２と、鏡筒３４３とを備える。
　本体部３４１は、アーム３４２及び眼鏡３５０と接続される。具体的には、本体部３４１の長辺方向の端部はアーム３４２と結合され、本体部３４１の側面の一側は接続部材を介して眼鏡３５０と連結される。なお、本体部３４１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部３４１は、シースルーヘッドマウントディスプレイ３４０の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム３４２は、本体部３４１と鏡筒３４３とを接続させ、鏡筒３４３を支える。具体的には、アーム３４２は、本体部３４１の端部及び鏡筒３４３の端部とそれぞれ結合され、鏡筒３４３を固定する。また、アーム３４２は、本体部３４１から鏡筒３４３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
　鏡筒３４３は、本体部３４１からアーム３４２を経由して提供される画像光を、接眼レンズ３５１を通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ３４０を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ３４０において、本体部３４１の表示部は、上記の表示装置１０００を備える。
（具体例５）
　図２９は、スマートフォン３６０の外観の一例を示す。スマートフォン３６０は、各種情報を表示する表示部３６１、及びユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部３６２等を備える。表示部３６１は、上記の表示装置１０００を備える。
（具体例６）
　上記の表示装置１０１等は、乗物に備えられるか各種のディスプレイに備えられてもよい。
　図３０Ａ及び図３０Ｂは、各種のディスプレイが備えられた乗物５００の内部の構成の一例を示す図である。具体的には、図３０Ａは、乗物５００の後方から前方にかけての乗物５００の内部の様子の一例を示す図、図３０Ｂは、乗物５００の斜め後方から斜め前方にかけての乗物５００の内部の様子の一例を示す図である。
　乗物５００は、センターディスプレイ５０１と、コンソールディスプレイ５０２と、ヘッドアップディスプレイ５０３と、デジタルリアミラー５０４と、ステアリングホイールディスプレイ５０５と、リアエンタテイメントディスプレイ５０６とを備える。これらのディスプレイの少なくとも１つが、上記の表示装置１０００を備える。例えば、これらのディスプレイのすべてが、上記の表示装置１０００を備えてもよい。
　センターディスプレイ５０１は、運転席５０８及び助手席５０９に対向するダッシュボードの部分に配置されている。図３０Ａ及び図３０Ｂでは、運転席５０８側から助手席５０９側まで延びる横長形状のセンターディスプレイ５０１の例を示すが、センターディスプレイ５０１の画面サイズや配置場所は任意である。センターディスプレイ５０１には、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。具体的な一例として、センターディスプレイ５０１には、イメージセンサで撮影した撮影画像、ＴｏＦセンサで計測された乗物５００の前方や側方の障害物までの距離画像、赤外線センサで検出された乗客の体温などを表示可能である。センターディスプレイ５０１は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。
　安全関連情報は、居眠り検知、よそ見検知、同乗している子供のいたずら検知、シートベルト装着有無、乗員の置き去り検知などの情報であり、例えばセンターディスプレイ５０１の裏面側に重ねて配置されたセンサにて検知される情報である。操作関連情報は、センサを用いて乗員の操作に関するジェスチャを検知する。検知されるジェスチャは、乗物５００内の種々の設備の操作を含んでいてもよい。例えば、空調設備、ナビゲーション装置、ＡＶ装置、照明装置等の操作を検知する。ライフログは、乗員全員のライフログを含む。例えば、ライフログは、乗車中の各乗員の行動記録を含む。ライフログを取得及び保存することで、事故時に乗員がどのような状態であったかを確認できる。健康関連情報は、温度センサなどのセンサを用いて乗員の体温を検知し、検知した体温に基づいて乗員の健康状態を推測する。あるいは、イメージセンサを用いて乗員の顔を撮像し、撮像した顔の表情から乗員の健康状態を推測してもよい。さらに、乗員に対して自動音声で会話を行って、乗員の回答内容に基づいて乗員の健康状態を推測してもよい。認証／識別関連情報は、センサを用いて顔認証を行うキーレスエントリ機能や、顔識別でシート高さや位置の自動調整機能などを含む。エンタテイメント関連情報は、センサを用いて乗員によるＡＶ装置の操作情報を検出する機能や、センサで乗員の顔を認識して、乗員に適したコンテンツをＡＶ装置にて提供する機能などを含む。
　コンソールディスプレイ５０２は、例えば、ライフログ情報の表示に用いることができる。コンソールディスプレイ５０２は、運転席５０８と助手席５０９の間のセンターコンソール５１０のシフトレバー５１１の近くに配置されている。コンソールディスプレイ５０２にも、種々のセンサで検知された情報を表示可能である。また、コンソールディスプレイ５０２には、イメージセンサで撮像された車両周辺の画像を表示してもよいし、車両周辺の障害物までの距離画像を表示してもよい。
　ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の前方のフロントガラス５１２の奥に仮想的に表示される。ヘッドアップディスプレイ５０３は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。ヘッドアップディスプレイ５０３は、運転席５０８の正面に仮想的に配置されることが多いため、乗物５００の速度や燃料（バッテリ）残量などの乗物５００の操作に直接関連する情報を表示するのに適している。
　デジタルリアミラー５０４は、乗物５００の後方を表示できるだけでなく、後部座席の乗員の様子も表示できるため、デジタルリアミラー５０４の裏面側に重ねてセンサを配置することで、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。
　ステアリングホイールディスプレイ５０５は、乗物５００のハンドル５１３の中心付近に配置されている。ステアリングホイールディスプレイ５０５は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、ステアリングホイールディスプレイ５０５は、運転者の手の近くにあるため、運転者の体温等のライフログ情報を表示したり、ＡＶ装置や空調設備等の操作に関する情報などを表示するのに適している。
　リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、運転席５０８や助手席５０９の背面側に取り付けられており、後部座席の乗員が視聴するためのものである。リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、リアエンタテイメントディスプレイ５０６は、後部座席の乗員の目の前にあるため、後部座席の乗員に関連する情報が表示される。例えば、ＡＶ装置や空調設備の操作に関する情報を表示したり、後部座席の乗員の体温等を温度センサで計測した結果を表示してもよい。
　表示装置１０００の裏面側に重ねてセンサを配置し、周囲に存在する物体までの距離を計測することができる構成としてもよい。光学的な距離計測の手法には、大きく分けて、受動型と能動型がある。受動型は、センサから物体に光を投光せずに、物体からの光を受光して距離計測を行うものである。受動型には、レンズ焦点法、ステレオ法、及び単眼視法などがある。能動型は、物体に光を投光して、物体からの反射光をセンサで受光して距離計測を行うものである。能動型には、光レーダ方式、アクティブステレオ方式、照度差ステレオ法、モアレトポグラフィ法、干渉法などがある。上記の表示装置１０１等は、これらのどの方式の距離計測にも適用可能である。上記の表示装置１０００の裏面側に重ねて配置されるセンサを用いることで、上述した受動型又は能動型の距離計測を行うことができる。
＜変形例＞
　以上、本開示の一実施形態について具体的に説明したが、本開示の内容は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。以下、複数の変形例について説明する。
［変形例１］
　図３１は、本変形例に係る表示装置（表示装置１０００Ａ）の断面構成例を示す図である。本変形例は、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２に対して空隙が形成されるように保護層１６が充填されている点が一実施形態と異なる。
　例えば、図３１に示すように、第１スリット構造ＳＬ１に充填された保護層１６に空隙部９１Ａが形成され、第２スリット構造ＳＬ２に充填された保護層１６に空隙部９１Ｂが形成されている。空隙部９１Ａ及び空隙部９１Ｂは、保護層１６の成膜条件や第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の断面視におけるアスペクト比等を適宜、調整することで形成可能である。
　空隙部９１Ａ及び空隙部９１Ｂを設けることにより、チッピングの進行を効果的に抑制できる。図３２に模式的に示すように、チッピング９２が層間絶縁層３２の上部を表示装置１０００Ａ内部に進行し、さらに例えば第２スリット構造ＳＬ２内部の保護層１６を進行してしまった場合であっても、空隙部９１Ｂによりチッピング９２の進行を抑制することができる。また、チッピング９２が第１スリット構造ＳＬ１内部の保護層１６を進行してしまった場合であっても、空隙部９１Ａによりチッピング９２の進行を抑制することができる。なお、空隙部９１Ａは第１スリット構造ＳＬ１よりも外側まで延在していてもよい。空隙部９１Ｂについても同様である。
［変形例２］
　図３３は、本変形例に係る表示装置（表示装置１０００Ｂ）の断面構成例を示す図である。本変形例では、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の形状が一実施形態と異なっている。本変形例では、図３３に示すように、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の形状が逆テーパー状となっている。逆テーパー状とは、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の幅（図３３における水平方向の長さ）が、層間絶縁層３２の内部（第２主面側）に向かって徐々に幅広となる形状を意味する。第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の幅を大きくできるので、チッピングの進行を効果的に抑制することができる。
［変形例３］
　図３４は、本変形例に係る表示装置（表示装置１０００Ｃ）の断面構成例を示す図である。本変形例は、上述した変形例１及び変形例２を組み合わせた変形例である。図３４に示すように、本変形例では、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２が、逆テーパー状の形状を有している。さらに、第１スリット構造ＳＬ１に充填された保護層１６に空隙部９１Ａが形成され、第２スリット構造ＳＬ２に充填された保護層１６に空隙部９１Ｂが形成されている。
　本変形例に係る構成によっても、変形例１及び変形例２と同様に、チッピングの進行を効果的に抑制することができる。また、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の第１主面側（図３４における上側）が第２主面側（図３４における下側）よりも幅が小さくなっている。これにより、保護層１６の成膜時において、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２の第１主面側先端が塞がりやすくなり、第１スリット構造ＳＬ１内に空隙部９１Ａを、第２スリット構造ＳＬ２内部に空隙部９１Ｂをそれぞれ形成し易くできる。
［変形例４］
　図３５は、本変形例に係る表示装置（表示装置１０００Ｄ）の断面構成例を示す図である。表示装置１０００Ｄは、一実施形態に係る表示装置１０００と異なり、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２を有していない。また、表示装置１０００Ｄは、層間絶縁層３２の第１主面側に形成された凹部９３を含む。本変形例では、層間絶縁層３２の第１主面に形成された凹部及び当該凹部に積層される画素間絶縁層１３により凹部９３が構成される。凹部９３は、テーパー状、すなわち、層間絶縁層３２の第１主面側に向かって幅広となる形状を有する。
　凹部９３と保護層１６との境界９３Ａにより本変形例に係る第１界面部が構成される。本変形例によれば、図３６に模式的に示すように、チッピング９３Ｂの進行を境界９３Ａによって抑制できる。また、凹部９３がテーパー形状を有することで、カラーフィルタ１７が段差付近で貯留し塗布ムラが生じ、膜厚が変動してしまうことを防止できる。
　なお、画素間絶縁層１３はなくてもよく、この場合、層間絶縁層３２の第１主面に形成された凹部と、当該凹部に積層された保護層１６との境界により第１界面部が構成される。また、凹部９３と保護層１６との間に空隙部が形成されてもよいし、凹部９３に保護層１６が積層され、当該保護層１６の第１主面と接する構成が空隙部となっていてもよい。係る構成によっても、チッピングの進行を抑制できる。
［変形例５］
　図３７に示すように、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２、第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３は、平面視した場合に、コーナー付近がカットされた枠状を成すようにしてもよい。
［変形例６］
　図３８Ａに示すように、第１スリット構造ＳＬ１及び第２スリット構造ＳＬ２、第１ガードリングＧＲ１、第２ガードリングＧＲ２、及び、第３ガードリングＧＲ３は、平面視した場合に、直線状ではなく、周辺領域１１０Ｂの内外に凹凸となるジグザグ状であってもよい。これにより、図３８Ｂに示すように、ジグザク状の山部が重なる箇所に応力集中部９５を形成することができる。応力集中部９５は、チッピングが進行し易い箇所である。応力集中部９５におけるガードリングの例えば配線層を多くすることにより、チッピングの進行を効果的に抑制することができる。
［その他の変形例］
　上述した一実施形態において、周辺領域に画素間絶縁層がなくてもよい。また、スリット構造やガードリングは図７に示したように一続きではなく、一部が分断されていてもよい。また、スリット構造が複数設けられる場合に、個々のスリット構造の形状が異なっていてもよい。また、ガードリングは、水分の浸入防止を目的としない構造体であってもよい。ガードリングに係る構成は、配線構造体でなくスリット構造であってもよい。スリット構造やガードリングはそれぞれ１個であってもよいが、チッピングの進行を抑制する観点からは複数設けられる構成が好ましい。また、本開示はＬＥＤ(Light Emitting Diode)素子を用いた表示装置に対しても適用可能である。また、上述した応用例は、変形例に係る表示装置にも適用できる。
　一実施形態及び変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料及び数値等を用いてもよい。また、一実施形態及び変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域と外縁部との間の周辺領域と、を有する駆動基板を有し、
　前記周辺領域における前記駆動基板の第１主面側に第１界面部が設けられ、前記周辺領域における前記駆動基板の第２主面側に第２界面部が設けられており、
　前記画素は、第１電極と、前記第１電極に対して対向して配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、を有する、
　表示装置。
（２）
　前記駆動基板は、基材と、前記基材に積層され、層間絶縁層を含む駆動回路層と、を有し、
　前記第１界面部及び前記第２界面部は、少なくとも前記層間絶縁層に設けられている、
　（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記層間絶縁層の前記第１主面側に設けられた第１凹部により、前記第１界面部が構成される、
　（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記第２電極に対して積層される保護層を有し、
　前記第１凹部に前記保護層が充填されている、
　（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記第１凹部に、空隙が形成されるようにして前記保護層が充填されている、
　（４）に記載の表示装置。
（６）
　前記第１凹部が、前記層間絶縁層の内部に向かって幅広となる形状を有する、
　（５）に記載の表示装置。
（７）
　前記第２電極に対して積層される保護層と、
　前記層間絶縁層の前記第１主面側に設けられた第１凹部と、を有し、
　前記保護層と前記第１凹部との境界により前記第１界面部が構成される、
　（２）に記載の表示装置。
（８）
　前記第１凹部が、前記第１主面側に向かって幅広となる形状を有する、
　（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記層間絶縁層に設けられた配線構造体により、前記第２界面部が構成される、
　（１）から（８）までの何れかに記載の表示装置。
（１０）
　前記第１界面部及び前記第２界面部のそれぞれを複数有する、
　（１）から（９）までの何れかに記載の表示装置。
（１１）
　前記第１界面部は、同種材料又は異種材料の界面を有する、
　（１）から（１０）までの何れかに記載の表示装置。
（１２）
　前記第２界面部は、同種材料又は異種材料の界面を有する、
　（１）から（１１）までの何れかに記載の表示装置。
（１３）
　前記周辺領域において、前記第１界面部及び前記第２界面部は、枠状に形成されている、
　（１）から（１２）までの何れかに記載の表示装置。
（１４）
　前記周辺領域において、前記第１界面部及び前記第２界面部は、前記周辺領域の内外に凹凸となる、
　（１）から（１２）までの何れかに記載の表示装置。
（１５）
　前記周辺領域は、スクライブライン近傍の領域である、
　（１）から（１４）までの何れかに記載の表示装置。
（１６）
　（１）から（１５）までの何れかに記載の表示装置を有する電子機器。
１１・・・駆動基板
１１Ａ・・・基材
１１Ｂ・・・駆動回路層
１２・・・第１電極層
１４・・・有機ＥＬ層
１５・・・第２電極層
１６・・・保護層
３２・・・層間絶縁層
４１Ａ、４１Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ・・・界面部
９１Ａ、９１Ｂ・・・空隙部
１１０Ａ・・・表示領域
１１０Ｂ・・・周辺領域
１０００・・・表示装置
ＳＬ１・・・第１スリット構造
ＳＬ２・・・第２スリット構造
ＳＣ・・・スクライブライン
ＧＲ１・・・第１ガードリング
ＧＲ２・・・第２ガードリング
ＧＲ３・・・第３ガードリング

Claims (16)

  1. 　複数の画素が形成された画素領域と、前記画素領域と外縁部との間の周辺領域と、を有する駆動基板を有し、
    　前記周辺領域における前記駆動基板の第１主面側に第１界面部が設けられ、前記周辺領域における前記駆動基板の第２主面側に第２界面部が設けられており、
    　前記画素は、第１電極と、前記第１電極に対して対向して配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、を有する、
    　表示装置。
  2. 　前記駆動基板は、基材と、前記基材に積層され、層間絶縁層を含む駆動回路層と、を有し、
    　前記第１界面部及び前記第２界面部は、少なくとも前記層間絶縁層に設けられている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記層間絶縁層の前記第１主面側に設けられた第１凹部により、前記第１界面部が構成される、
    　請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記第２電極に対して積層される保護層を有し、
    　前記第１凹部に前記保護層が充填されている、
    　請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記第１凹部に、空隙が形成されるようにして前記保護層が充填されている、
    　請求項４に記載の表示装置。
  6. 　前記第１凹部が、前記層間絶縁層の内部に向かって幅広となる形状を有する、
    　請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記第２電極に対して積層される保護層と、
    　前記層間絶縁層の前記第１主面側に設けられた第１凹部と、を有し、
    　前記保護層と前記第１凹部との境界により前記第１界面部が構成される、
    　請求項２に記載の表示装置。
  8. 　前記第１凹部が、前記第１主面側に向かって幅広となる形状を有する、
    　請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記層間絶縁層に設けられた配線構造体により、前記第２界面部が構成される、
    　請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記第１界面部及び前記第２界面部のそれぞれを複数有する、
    　請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記第１界面部は、同種材料又は異種材料の界面を有する、
    　請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記第２界面部は、同種材料又は異種材料の界面を有する、
    　請求項１に記載の表示装置。
  13. 　前記周辺領域において、前記第１界面部及び前記第２界面部は、枠状に形成されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  14. 　前記周辺領域において、前記第１界面部及び前記第２界面部は、前記周辺領域の内外に凹凸となる、
    　請求項１に記載の表示装置。
  15. 　前記周辺領域は、スクライブライン近傍の領域である、
    　請求項１に記載の表示装置。
  16. 　請求項１に記載の表示装置を有する電子機器。
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