WO2020202274A1 - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2020202274A1
WO2020202274A1 PCT/JP2019/014079 JP2019014079W WO2020202274A1 WO 2020202274 A1 WO2020202274 A1 WO 2020202274A1 JP 2019014079 W JP2019014079 W JP 2019014079W WO 2020202274 A1 WO2020202274 A1 WO 2020202274A1
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layer
display device
metal body
forming step
sealing
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PCT/JP2019/014079
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French (fr)
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純平 高橋
剛 平瀬
越智　貴志
翔太 野見山
亨 妹尾
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シャープ株式会社
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    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • a self-luminous organic EL display device that uses an organic EL (electroluminescence) element (light emitting element) is attracting attention.
  • organic EL electroluminescence
  • a plurality of organic EL elements are arranged in a matrix, and a display area for displaying information is a plurality of organic EL elements.
  • each organic EL element of the organic EL display device has an anode, a cathode, and a functional layer having an organic EL layer (light emitting layer) made of an organic material while being sandwiched between the anode and the cathode. It is provided.
  • the organic EL display device is provided with a sealing structure in which the organic EL element is covered with a sealing layer in order to suppress deterioration of the organic EL element due to infiltration of moisture, oxygen, or the like.
  • a sealing inorganic insulating film made of an inorganic material and a sealing organic insulating film made of an organic material are alternately laminated. are doing.
  • an inorganic substance such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ), or silicon nitride (SiCN) is used by a CVD method so as to cover the organic EL element.
  • a first sealing inorganic insulating film made of a material is formed.
  • a sealing organic insulating film made of an organic material such as a polyimide resin is formed by an inkjet method so as to cover the first sealing inorganic insulating film.
  • a second sealing inorganic insulating film made of the above-mentioned inorganic material was formed by a CVD method so as to cover the sealing organic insulating film, and a sealing layer (TFE layer) was provided.
  • the sealing performance of the sealing layer may be deteriorated due to particles (foreign substances), and the life of the light emitting element is shortened, so that the display device is reliable. It sometimes caused the problem of impaired sex.
  • the particles generated when the CVD method is performed are on the light emitting element in the display region or on the sealing organic insulating film. Sometimes it adhered to the bank that defines the edge. As a result, defects due to particles may occur in the first sealing inorganic insulating film.
  • a defect may occur in the second sealing inorganic insulating film at the adhered portion, and moisture, oxygen, etc. may enter the sealing organic insulating film through the defect.
  • the defect reaches the defect generated in the first sealing inorganic insulating film, the light emitting element in the vicinity of the defect may be damaged and the life may be shortened.
  • the display device includes a base substrate, a thin film transistor layer provided on the base substrate, a plurality of light emitting elements provided on the thin film transistor layer, and the plurality of light emitting elements. It is defined by a sealing layer provided so as to cover the element and in which a first sealing inorganic insulating film, a sealing organic insulating film, and a second sealing inorganic insulating film are laminated in this order, and the plurality of light emitting elements.
  • a display device including a display area and a frame area surrounding the display area, and each of the plurality of light emitting elements is provided with a first electrode, a functional layer, and a second electrode in this order, and the frame.
  • a frame-shaped bank defining the edge of the sealing organic insulating film is provided in the region, a convex portion is provided in the frame region so as to surround the bank, and the convex portion electrically floats. It includes a metal body in a state and a resin layer superimposed on the metal body.
  • the method for manufacturing the display device includes a thin film transistor layer forming step of forming a thin film transistor layer on a base substrate, a light emitting element forming step of forming a plurality of light emitting elements on the thin film transistor layer, and the plurality of light emitting elements.
  • the sealing layer includes a sealing layer forming step of forming a first sealing inorganic insulating film, a sealing organic insulating film, and a sealing layer having a second sealing inorganic insulating film so as to cover the element.
  • the convex portion is provided so as to surround the bank in the frame region, and the convex portion includes a metal body that is electrically in a float state and a resin layer that is superimposed on the metal body. Therefore, the particles can be attracted to the metal body by the electrostatic force due to the electric charge in the metal body, and the attracted particles can be captured by the resin layer. As a result, it is possible to provide a highly reliable display device capable of preventing deterioration of the sealing performance of the sealing layer due to particles, and a method for manufacturing the display device.
  • FIG. 1A is a plan view showing a main configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a region surrounded by Ib in FIG. 1A. It is a top view which shows the structure of the main part in.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic internal configuration of a display area in the organic EL display device shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main configuration of a display area in the organic EL display device shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the thin film transistor layer shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer shown in FIG. FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main configuration of the organic EL display device shown in FIG. 1A, and is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing method of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part configuration of a modification 1 of the organic EL display device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to the VI-VI line cross-sectional view of FIG. 1 (a).
  • FIG. 9 is a flowchart showing a method of manufacturing the organic EL display device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a main part configuration of a modification 2 of the organic EL display device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to the VI-VI line cross-sectional view of FIG. 1 (a).
  • FIG. 11 is a flowchart showing a method of manufacturing the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 12 (a) is an enlarged cross-sectional view showing a convex portion in the modified example 3 of the organic EL display device according to the first embodiment
  • FIG. 12 (b) is an enlarged cross-sectional view showing the organic EL according to the first embodiment. It is an enlarged cross-sectional view which shows the convex part in the modification 4 of the display device.
  • FIG. 12 (a) is an enlarged cross-sectional view showing a convex portion in the modified example 3 of the organic EL display device according to the first embodiment
  • FIG. 12 (b) is an enlarged cross-sectional view showing the organic EL according to the first embodiment
  • FIG. 13A is a plan view showing a main configuration of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 13B is a region surrounded by IIb of FIG. 13A.
  • FIG. 14A is a plan view showing a main configuration of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 14B is a region surrounded by IIIb of FIG. 14A.
  • FIG. 15 (a) is a plan view showing a configuration example of a main part of a method for manufacturing an organic EL display device according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 15 (b) is a plan view showing a fourth embodiment. It is a top view which shows the modification of the manufacturing method of the organic EL display device.
  • FIG. 1A is a plan view showing a main configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a region surrounded by Ib in FIG. 1A. It is a top view which shows the structure of the main part in.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic internal configuration of a display area in the organic EL display device shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a main configuration of a display area in the organic EL display device shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the thin film transistor layer shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main configuration of the organic EL display device shown in FIG. 1A, and is a sectional view taken along line VI-VI of FIG. 1A.
  • the organic EL display device 50a includes, for example, a rectangular display area D for displaying information and a frame area F provided around the display area D. There is. Further, in the frame area F, a terminal portion E is provided at the end of the frame area F, and wiring (not shown) provided in a plurality of light emitting elements described later that define the display area D is provided in the terminal portion. It is connected to E. Further, for example, a flexible printed circuit board (not shown) is connected to the terminal portion E, and a signal, a power supply voltage, and the like are supplied to the pixels via the flexible printed circuit board.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix. Specifically, in the display area D, a sub-pixel P having a red light emitting region Lr for displaying red, a sub pixel P having a green light emitting region Lg for displaying green, and a blue display. Sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for performing the above are provided so as to be adjacent to each other.
  • one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb.
  • the organic EL display device 50a serves as a light emitting element provided on the base substrate 10, the thin film transistor (TFT) layer 20a provided on the base substrate 10, and the thin film transistor layer 20a.
  • the organic EL element 30a of the above is provided.
  • the base substrate 10 is, for example, a plastic substrate made of polyimide resin.
  • the thin film transistor layer 20a includes a base coat film 11, semiconductor layers 14a and 14b, a gate insulating film 13, a first metal layer, a first interlayer insulating film 15, a second metal layer, and a second interlayer. It includes an insulating film 17, a third metal layer, and a flattening film 19.
  • the first metal layer includes a gate wire 12 extending in the row direction, gate electrodes 12a and 12b, and a lower conductive layer.
  • the second metal layer includes a power line (not shown) extending in the row direction and an upper conductive layer.
  • the third metal layer includes a source line Sa extending in the row direction, a power supply line Sb extending in the row direction, source electrodes 18a and 18c, and drain electrodes 18b and 18d.
  • the gate line 12 and the source line Sa are examples, and may be provided in another layer.
  • the thin film transistor layer 20a includes a base coat film 11 provided on the base substrate 10, a plurality of first thin film transistors 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second thin film transistors. It includes 9b, a plurality of capacitors 9c, each first thin film transistor 9a, each second thin film transistor 9b, and a flattening film 19 provided on each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 12 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
  • the thin film transistor layer 20a as shown in FIGS.
  • each subpixel P is provided with a first thin film transistor 9a, a second thin film transistor 9b, and a capacitor 9c, respectively.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first thin film transistor 9a is connected to the corresponding gate line 12 and the source line Sa in each sub-pixel P. Further, as shown in FIG. 3, the first thin film transistor 9a includes a gate electrode 12a, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14a, a first interlayer insulating film 15, and a second interlayer insulating film 17 provided in this order on the base coat film 11. , And a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
  • the gate electrode 12a is provided in an island shape on the base coat film 11. Further, as shown in FIG. 3, the gate insulating film 13 is provided so as to cover the gate electrode 12a. Further, as shown in FIG. 3, the semiconductor layer 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the gate electrode 12a, and has a channel region overlapping the gate electrode 12a and a source region arranged with the channel region interposed therebetween. And a drain region.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the channel region of the semiconductor layer 14a.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are the sources of the semiconductor layer 14a via the contact holes formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected to the region and the drain region, respectively.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are made of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. ..
  • the second thin film transistor 9b is connected to the corresponding first thin film transistor 9a and the power supply line Sb in each sub-pixel P.
  • the first thin film transistor 9b includes a gate electrode 12b, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14b, a first interlayer insulating film 15, and a second interlayer insulating film 17 provided in this order on the base coat film 11. , And a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the gate electrode 12b is provided in an island shape on the base coat film 11. Further, as shown in FIG. 3, the gate insulating film 13 is provided so as to cover the gate electrode 12b. Further, as shown in FIG. 3, the semiconductor layer 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the gate electrode 12b, and has a channel region overlapping the gate electrode 12b and a source region arranged with the channel region interposed therebetween. And a drain region.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the channel region of the semiconductor layer 14b.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are the sources of the semiconductor layer 14b via the contact holes formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected to the region and the drain region, respectively.
  • the first thin film transistor 9a and the second thin film transistor 9b may be top gate type thin film transistors.
  • the capacitor 9c is connected to the corresponding first thin film transistor 9a and the power supply line Sb in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c is a gate insulating film provided in order so as to cover the lower conductive layer 12c which is the same layer as the gate electrode 12a and is formed of the same material and the lower conductive layer 12c.
  • the 13 and the first interlayer insulating film 15 and the upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 12c are provided.
  • the upper conductive layer 16 is also called a capacitive wiring.
  • the flattening film 19 is made of a colorless and transparent organic resin material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an epoxy resin.
  • the organic EL element 30a includes a plurality of first electrodes 21, edge covers 22, a plurality of organic EL layers 23, and a second electrode 24, which are sequentially provided on the flattening film 19. ..
  • the plurality of first electrodes 21 are provided in a matrix on the flattening film 19 so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
  • the first electrode 21 is an anode of the organic EL element 30a, and as shown in FIG. 3, is connected to the drain electrode 18d of each second thin film transistor 9b via a contact hole Ca formed in the flattening film 19. Has been done.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the power supply line Sb via the second thin film transistor 9b as a driving transistor of the organic EL element 30a (see FIG. 4).
  • the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the first electrode 21 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold. (Au), Titanium (Ti), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Ytterbium (Yb), Lithium Fluoride (LiF), Platinum (Pt), Palladium (Pd), Molybdenum (Mo) , Iridium (Ir), tin (Sn) and other metal materials. Further, the material constituting the first electrode 21 may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ).
  • the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 22 is provided in a grid pattern so as to cover the peripheral edge of each first electrode 21. That is, as illustrated in FIG. 3, the edge cover 22 has an opening 22k that exposes the first electrode 21, and also covers the edge of the first electrode 22.
  • the material constituting the edge cover 22 include organic resin materials such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolak resin.
  • each organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer, which are sequentially provided on the first electrode 21. It has 5.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23. Have.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 30 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a functional layer is provided between the first electrode 21 and the second electrode 24.
  • This functional layer includes the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5.
  • the functional layer may have, for example, a three-layer laminated structure of a hole injection layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • the second electrode 24 is the cathode of the organic EL element 30a, and is provided so as to cover each organic EL layer 23 and the edge cover 22 as shown in FIG. Further, the second electrode 24 is provided in common to the plurality of organic EL elements 30a, and constitutes a low power supply voltage electrode (ELVSS). Further, the second electrode 24 is connected to a low power supply voltage source (not shown) via the terminal portion E. Further, the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold.
  • Au Calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), asstatin (At) / oxidized asstatin (AtO 2). ), Lithium (Li) / Aluminum (Al), Lithium (Li) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), Lithium Fluoride (LiF) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), etc. You may.
  • the second electrode 24 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And so on.
  • the sealing layer 28 is provided so as to cover a plurality of organic EL elements (light emitting elements) 30a in the organic EL display device 50a. Further, as shown in FIG. 3, the sealing layer 28 is provided on the first sealing inorganic insulating film 25 provided so as to cover the second electrode 24 and the first sealing inorganic insulating film 25. It includes a sealing organic insulating film 26 and a second sealing inorganic insulating film 27 provided so as to cover the sealing organic insulating film 26, and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen, and the like. There is.
  • the first sealing inorganic insulating film 25 is provided on a plurality of organic EL elements 30a. Further, the second sealing inorganic insulating film 27 is provided above the sealing organic insulating film 26, and is formed so as to seal the sealing organic insulating film 26 together with the first sealing inorganic insulating film 25. There is. Further, the first sealed inorganic insulating film 25 and the second sealed inorganic insulating film 27 are formed by, for example, a CVD (Chemical vapor Deposition) method using CMM (Common Metal Mask), and are, for example, oxidized.
  • CVD Chemical vapor Deposition
  • CMM Common Metal Mask
  • Inorganic materials such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)), silicon nitride (SiCN), such as silicon (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), trisilicon tetroxide (Si 3 N 4 ). It is composed of.
  • the sealing organic insulating film 26 is made of an organic material that can be applied by an inkjet method, such as acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, and polyamide resin. Further, as illustrated in FIG. 3, the film thickness of the sealing organic insulating film 26 is thicker than the film thickness of the first sealing inorganic insulating film 25 and the film thickness of the second sealing inorganic insulating film 27. It is configured. Specifically, the first sealing inorganic insulating film 25 and the second sealing inorganic insulating film 27 are each formed, for example, with a film thickness of 1 ⁇ m. On the other hand, the sealing organic insulating film 26 is formed, for example, with a film thickness of 10 ⁇ m.
  • the organic EL display device 50a has a frame-shaped first bank 45 surrounding the display area D and a frame-shaped second bank 45 surrounding the first bank 45 in the frame area F.
  • a bank 46 is provided, and the first bank 45 and the second bank 46 regulate the wet spread of the sealing organic insulating film 26 applied by an inkjet method or the like.
  • the edge 26e (FIG. 6) of the sealing organic insulating film 26 is defined by a bank.
  • the bank also includes a first bank 45 and a second bank 46. In this way, by providing the first bank 45 and the second bank 46 as banks, the wet spread of the sealing organic insulating film 26 can be more reliably regulated.
  • the first bank 45 is formed of, for example, the same layer as the flattening film 19 and made of the same material. Further, as illustrated in FIG. 6, the first bank 45 is configured to overlap with the edge 26e of the sealing organic insulating film 26. Further, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 1A, the second electrode 24 is provided so as to cover the display area D in a plan view and between the first bank 45 and the display area D. Has been done.
  • the second bank 46 is, for example, the same layer as the flattening film 19, the lower bank 46a formed of the same material, and the same layer as the edge cover 22 (FIG. 3). Moreover, it is formed of the same material and includes an upper layer bank 46b laminated on the lower layer bank 46a.
  • the edge 25e of the first sealing inorganic insulating film 25 and the edge 27e of the second sealing inorganic insulating film 27 are formed in the frame region F ( In FIG. 1A), it is located outside the edge 26e of the sealing organic insulating film 26. Further, as shown in FIG. 6, since the edge 27e of the second sealing inorganic insulating film 27 is located outside the edge 25e of the first sealing inorganic insulating film 25, the sealing layer 28 (FIG. 6). In 3), the second sealing inorganic insulating film 27 of the outermost layer covers the plurality of organic EL elements 30a, and the sealing performance for each organic EL element 30a can be reliably improved.
  • the organic EL display device 50a has a frame-shaped convex portion 70 so as to surround the first bank 45 and the second bank 46 in the frame area F. Is provided. Further, as illustrated in FIG. 1B, the convex portion 70 is configured to be larger than the metal body 70a in a plan view with the frame-shaped metal body 70a, and is superimposed on the metal body 70a. Includes a frame-shaped resin layer 70b. Further, the height H0 of the convex portion 70 is higher than the height H1 of the first bank 45 and the same height as the height H2 of the second bank 46, preferably the height, as illustrated in FIG. It is set to a height of H2 or higher.
  • the metal body 70a is electrically configured to be in a float state, and an electric charge is present (localized) inside the metal body 70a, and particles can be attracted (sucked) by the electrostatic force of the electric charge.
  • the metal body 70a is, for example, the same layer as the source line Sa included in the thin film transistor layer 20a, and is made of the same material. That is, the metal body 70a is the same layer as the metal layer (source line Sa) that abuts on the flattening film 19 among the metal layers contained in the thin film transistor layer 20a, and is made of the same material. Contact the part.
  • the float state referred to here means that the metal body 70a does not contribute to the display and is not directly and electrically connected to the signal line for display.
  • the metal body 70a may be connected to the frame region F or a guard ring (not shown) provided on the mother substrate described later. By being connected to the guard ring in this way, it can be used as a countermeasure against electrostatic discharge in the organic EL display device 50a.
  • the resin layer 70b is made of, for example, a resin material, and particles attracted by the metal body 70a are attached to the surface of the resin layer 70b to capture the particles.
  • the resin layer 70b has, for example, a flattening film portion 70b1 provided so as to cover the metal body 70a, and an edge overlapping the metal body 70a and the flattening film portion 70b1. Includes a cover portion 70b2.
  • the flattening film portion 70b1 is, for example, the same layer as the flattening film 19 and is formed of the same material
  • the edge cover portion 70b2 is, for example, the same layer as the edge cover 22 (FIG. 3) and is made of the same material. Is formed by.
  • the convex portion 70 is provided so as to be covered by the flattening film portion 70b1 in a state where the metal body 70a is in contact with the flattening film portion 70b1, particles attracted by the metal body 70a can be more attracted. It can be easily captured. Further, in the convex portion 70, by providing the flattening film portion 70b1 and the edge cover portion 70b2 on the resin layer 70b, the surface area of the convex portion 70 is increased to facilitate the adhesion of particles, and the electricity of the convex portion 70 is increased. The capacitance can be increased to further increase the electrostatic force of the metal body 70a, and the force for attracting particles can be further improved.
  • the height H0 of the convex portion 70 is not limited to the above description, and may be lower than the height H1 of the first bank 45, for example. However, as described above, the particles can be more easily captured when the height H0 of the convex portion 70 is equal to or higher than the height H1 of the first bank 45 and the height H2 of the second bank 46. It is preferable in that.
  • the second electrode 24 is the first electrode 21. It is electrically connected to the electrode conductive portion A1 which is in the same layer as the above and is made of the same material.
  • the electrode conductive portion A1 is the same layer as the wiring layer of the thin film transistor layer 20a (FIG. 3), for example, the source wire Sa, and is formed of the same material as the wiring conductive portion S1. It is electrically connected in the frame area F.
  • the wiring conduction portion S1 is electrically connected to the above-mentioned low power supply voltage source via the routing wiring and the terminal portion E (not shown), and the low power supply voltage source and the second electrode 24 are electrically connected to each other.
  • the organic EL display device 50a described above turns on the first thin film transistor 9a by inputting a gate signal to the first thin film transistor 9a via the gate line 12 in each subpixel P, and turns on the first thin film transistor 9a and sets the first thin film transistor 9a through the source line Sa.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the gate electrode 12b of the two thin film transistors 9b and the capacitor 9c, and the current from the specified power supply line Sb is supplied to the organic EL layer 23 based on the gate voltage of the second thin film transistor 9b.
  • the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display information.
  • the organic EL display device 50a even if the first thin film transistor 9a is turned off, the gate voltage of the second thin film transistor 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer is used until the gate signal of the next frame is input. The light emission by 3 is maintained.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing method of the organic EL display device shown in FIG.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a includes a thin film transistor F layer forming step S1, an organic EL element forming step S2, a sealing layer forming step S3, a flexible step S4, and a dividing step S5. And the mounting step S6.
  • a multi-chamfering method using a mother substrate (see FIG. 14 described later) is adopted for manufacturing the organic EL display device 50a, and each of the above steps is carried out using the mother substrate.
  • the mother substrate is a substrate to be the base substrate 10, and as will be described in detail later, a plurality of panel constituent regions constituting the display panel included in the organic EL display device 50a are included.
  • the thin film transistor layer forming step S1 includes a base coat film forming step S11, a gate electrode forming step S12, a gate insulating film forming step S13, a semiconductor layer forming step S14, an interlayer insulating film forming step S15, and a source / drain electrode forming step S16. And the flattening film forming step S17.
  • the base coat film forming step S11 on the surface of the mother substrate, for example, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy; x> y), silicon nitride (SiNxOy; An inorganic insulating film such as x> y) is formed to form the base coat film 11.
  • a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially formed on the mother substrate on which the base coat film 11 is formed by, for example, a sputtering method to form a laminated conductive film, and then the laminated conductive film is formed.
  • the laminated conductive film is patterned by photolithography to form gate electrodes 12a and 12b.
  • the gate wire 12 and various routing wires are also formed.
  • a gate insulating film 13 is formed by forming an inorganic insulating film such as silicon (SiNxOy; x> y) in a single layer or in a laminated manner.
  • a semiconductor film is formed on the mother substrate on which the gate insulating film 13 is formed, for example, by a CVD method, and the semiconductor film is subjected to crystallization treatment or low resistance as necessary.
  • the semiconductor film is patterned by photolithography (resist coating, prebaking treatment, exposure treatment, development treatment, post-baking treatment, etching treatment and resist peeling treatment) to form semiconductor layers 14a and 14b. ..
  • silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy; x> are placed on the mother substrate on which the semiconductor layers 14a and 14b are formed, for example, by a CVD method.
  • an inorganic insulating film such as silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) is formed to form the first interlayer insulating film 15.
  • the second interlayer insulating film 17 is formed by forming an inorganic insulating film such as
  • the interlayer insulating film forming step S15 includes an upper conductive layer forming step of forming the upper conductive layer 16 provided between the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • a titanium film, an aluminum film, and a titanium film are sequentially formed on the mother substrate on which the second interlayer insulating film 17 is formed by, for example, a sputtering method to form a laminated conductive film.
  • the laminated conductive film is patterned by photolithography to form the source electrode 18a and the drain electrode 18b.
  • the source wire Sa and the like are also formed from the laminated electric film forming the source electrode 18a and the drain electrode 18b.
  • the metal body forming step for forming the metal body 70a included in the convex portion forming step for forming the convex portion 70 is performed at the same time. That is, by patterning the laminated electric film forming the source electrode 18a and the drain electrode 18b, the metal body 70a is formed in the same layer as the source wire Sa and made of the same material.
  • a photosensitive resin material such as a polyimide resin is applied onto the mother substrate on which the source electrode 18a and the drain electrode 18b are formed by a known coating method such as a spin coating method or an inkjet method. Is applied. Then, the coating film of the photosensitive resin material is subjected to prebaking treatment, exposure treatment, developing treatment and post-baking treatment, and the coating film is patterned to form the flattening film 19. At this time, the lower bank 46a of the first bank 45 and the second bank 46 is also formed from the coating film forming the flattening film 19.
  • the flattening film portion forming step for forming the flattening film portion 70b1 of the resin layer 70b, which is included in the convex portion forming step for forming the convex portion 70 is simultaneously performed. That is, by patterning the coating film, the flattening film portion 71b1 is formed in the same layer as the flattening film 19 and made of the same material.
  • the thin film transistor layer 20a is formed.
  • the organic EL element forming step S2 includes a first electrode forming step S21, an edge cover forming step S22, an organic EL layer forming step S23, and a second electrode forming step S24.
  • the organic EL element forming step S2 is an example of a light emitting element forming step.
  • an indium tin oxide (ITO) film, a silver alloy film, and an indium tin oxide (ITO) film are sequentially formed on the mother substrate on which the thin film transistor layer 20a is formed, for example, by a sputtering method.
  • a film is formed to form a laminated conductive film.
  • the laminated conductive film is patterned by photolithography to form the first electrode 21.
  • a photosensitive resin material such as a polyimide resin is applied onto the mother substrate on which the first electrode 21 is formed by a known coating method such as a spin coating method. Then, the coating film of the photosensitive resin material is subjected to prebaking treatment, exposure treatment, developing treatment and post-baking treatment, and the coating film is patterned to form the edge cover 22. At this time, the upper bank 46b of the second bank 46 is also formed from the coating film forming the edge cover 22.
  • the edge cover portion forming step for forming the edge cover portion 70b2 of the resin layer 70b, which is included in the convex portion forming step for forming the convex portion 70 is performed at the same time. That is, by patterning the coating film, the edge cover portion 71b2 is formed in the same layer as the edge cover 22 and made of the same material.
  • the hole injection layer 1 and the hole transport are carried out on the mother substrate on which the edge cover 22 is formed by using a known FMM (Fine Metal Mask), for example, by a vacuum deposition method.
  • the layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are formed in this order to form the organic EL layer 23 on each first electrode 21.
  • a silver alloy film is formed on the mother substrate on which the organic EL layer 23 is formed by using a CMM that can be patterned for each display panel, for example, by a vacuum vapor deposition method.
  • the second electrode 24 is formed in common with the plurality of organic EL elements 30a.
  • a plurality of organic EL elements (light emitting elements) 30a are formed on the thin film transistor layer 20a.
  • the sealing layer forming step S3 first, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy) are used on the mother substrate on which the organic EL element 30a is formed, for example, by a CVD method.
  • the first sealing inorganic insulating film 25 is formed by forming an inorganic insulating film such as x> y) or silicon nitride (SiNxOy; x> y) in a single layer or in a laminated manner.
  • an organic material such as an acrylic resin is applied to the mother substrate on which the first sealing inorganic insulating film 25 is formed, for example, by an inkjet method to form the sealing organic insulating film 26.
  • an organic material such as an acrylic resin is applied to the mother substrate on which the first sealing inorganic insulating film 25 is formed, for example, by an inkjet method to form the sealing organic insulating film 26.
  • the outward spread of the applied organic material in the frame region F is blocked by the first bank 45, and the sealing organic insulating film 26 is formed inside the first bank 45.
  • a second sealing inorganic insulating film 27 is formed by forming an inorganic insulating film such as silicon nitride oxide (SiNxOy; x> y) in a single layer or in a laminated manner.
  • the sealing layer 28 in which the first sealing inorganic insulating film 25, the sealing organic insulating film 26, and the second sealing inorganic insulating film 27 are laminated is organic. It is formed so as to cover the EL element 30a.
  • each of the first sealing inorganic insulating film 25 and the second sealing inorganic insulating film 27 formed by the CVD method is a ground electrode (not shown) in which the mother substrate performs the CVD method. It is performed in contact with.
  • an electric field (electrostatic force) due to the electric charge in the metal body 70a can be reliably formed between the metal body 70a and the ground electrode. The particles can be reliably attracted to the metal body 70a.
  • a protective sheet (not shown) is attached to the surface of the mother substrate on which the sealing layer 28 is formed, and then the lower surface of the mother substrate is irradiated with laser light from the glass substrate side.
  • the glass substrate is peeled off from the lower surface of the mother substrate, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the mother substrate from which the glass substrate has been peeled off.
  • the mother substrate from which the glass substrate has been peeled off is divided into display panel units by irradiation with laser light.
  • the dividing line DL when dividing the mother substrate is a boundary between each panel constituent area and its outer region, and is a portion corresponding to the outer edge of each panel constituent area (see FIG. 14 described later). ..
  • the FPC is connected to the terminal portion E to the display panel obtained by dividing the mother board.
  • the organic EL display device 50a can be manufactured.
  • the convex portion 70 is provided so as to surround the first bank 45 and the second bank 46 in the frame area F.
  • the convex portion 70 includes a metal body 70a that is electrically in a float state and a resin layer 70b that overlaps the metal body 70a.
  • the particles can be attracted to the metal body 70a by the electrostatic force due to the electric charge in the metal body 70a, and the attracted particles can be captured by the resin layer 70b.
  • the present embodiment provides a highly reliable organic EL display device (display device) 50a capable of preventing deterioration of the sealing performance of the sealing layer 28 due to particles, and a method for manufacturing the same. Can be done.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part configuration of a modification 1 of the organic EL display device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to the VI-VI line cross-sectional view of FIG. 1 (a).
  • FIG. 9 is a flowchart showing a method of manufacturing the organic EL display device shown in FIG.
  • the difference between the present embodiment and the first embodiment is that instead of the metal body 70a of the convex portion 70, the metal body 70c of the convex portion 70 is in the same layer as the gate wire 12 and is made of the same material. It is a point that provided.
  • the elements common to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • the convex portion 70 has a metal body 70c formed so as to be covered with the gate insulating film 13 on the base coat film 11.
  • the metal body 70c is formed in a frame shape so as to surround the second bank 46. Further, as described above, the metal body 70c is the same layer as the gate wire 12 and is made of the same material, and is below the resin layer 70b (on the base substrate 10 side) so as to overlap the resin layer 70b. It is provided in.
  • the metal body forming step for forming the metal body 70c included in the convex portion forming step for forming the convex portion 70 is simultaneously performed. .. That is, by patterning the laminated electric film forming the gate electrode 12a and the gate 12b, the metal body 70c is formed in the same layer as the gate wire 12 and made of the same material. Further, in the present embodiment, unlike the first embodiment, the source / drain electrode forming step S36 does not include the metal body forming step.
  • the convex portion is the same layer as any one of the plurality of metal layers and is made of the same material.
  • Metal bodies can be constructed. As described above, by forming the metal body of the convex portion in the same layer as any one metal layer contained in the thin film transistor layer 20a and using the same material, the organic EL display device is thinned and the manufacturing process is simplified. It is preferable in that it can be easily converted.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a main part configuration of a modification 2 of the organic EL display device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view corresponding to the VI-VI line cross-sectional view of FIG. 1 (a).
  • FIG. 11 is a flowchart showing a method of manufacturing the organic EL display device shown in FIG.
  • the difference between the present embodiment and the first embodiment is that instead of the metal body 70a of the convex portion 70, the metal body of the convex portion 70 is in the same layer as the first electrode 21 and is made of the same material. It is a point where 70d is provided.
  • the elements common to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • the convex portion 70 has a metal body 70d formed so as to cover the flattening film portion 70b1.
  • the metal body 70d is formed in a frame shape so as to surround the second bank 46. Further, as described above, the metal body 70d is the same layer as the first electrode 21 and is made of the same material, and is provided between the flattening film portion 70b1 and the edge cover portion 70b2 of the resin layer 70b. ing.
  • the metal body forming step for forming the metal body 70d included in the convex portion forming step for forming the convex portion 70 is performed at the same time. Be told. That is, by patterning the laminated electric film forming the first electrode 21, the metal body 70d is formed in the same layer as the first electrode 21 and made of the same material. Further, in the present embodiment, unlike the first embodiment, the source / drain electrode forming step S46 does not include the metal body forming step.
  • the convex portion 70 can be formed by forming the first sealing inorganic insulating film 25 so as to cover the metal body 70d without providing the edge cover portion 70b2.
  • FIG. 12 (a) is an enlarged cross-sectional view showing a convex portion in the modified example 3 of the organic EL display device according to the first embodiment
  • FIG. 12 (b) is an enlarged cross-sectional view showing the organic EL according to the first embodiment. It is an enlarged cross-sectional view which shows the convex part in the modification 4 of the display device.
  • the difference between the present embodiment and the second modification is that the metal body 70d of the convex portion 70 is in contact with the first sealing inorganic insulating film 25 with respect to the first sealing inorganic insulating film 25. It is an exposed point.
  • the elements common to the above modification 2 are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • the metal body 70d of the convex portion 70 is different from that of the second modification, and is not covered with the edge cover portion 70b2, and is the first sealed inorganic material. It is exposed to the insulating film 25 and is in contact with the first sealing inorganic insulating film 25.
  • the edge cover portion 70b2 is not provided, and the metal body 70d of the convex portion 70 has an upper surface thereof. The entire surface is covered with the first sealing inorganic insulating film 25 and is in contact with the first sealing inorganic insulating film 25.
  • FIG. 13A is a plan view showing a main configuration of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 13B is a region surrounded by IIb of FIG. 13A. It is a top view which shows the structure of the main part in.
  • the convex portion 80 is provided instead of the frame-shaped convex portion 70.
  • the elements common to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • a convex portion 80 is provided in the frame region F so as to surround the second bank 46. Further, as illustrated in FIG. 13B, the convex portion 80 includes a plurality of island-shaped metal bodies 80a and a plurality of island-shaped resin layers 80b. Each of the plurality of metal bodies 80a is electrically in a float state, similarly to the metal bodies of the above-described embodiments. Further, the plurality of resin layers 80b are superimposed on the metal body 80a, similarly to the resin layers of the above-described embodiments.
  • FIG. 14A is a plan view showing a main configuration of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 14B is a region surrounded by IIIb of FIG. 14A. It is a top view which shows the structure of the main part in.
  • the convex portion 90 is provided instead of the frame-shaped convex portion 70.
  • the elements common to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • a convex portion 90 is provided in the frame region F so as to surround the second bank 46.
  • the convex portion 90 includes a frame-shaped metal body 90a and a plurality of island-shaped resin layers 90b.
  • the metal body 90a is electrically in a float state like the metal body of each of the above-described embodiments.
  • the plurality of resin layers 90b are superimposed on the metal body 90a as in the case of the resin layers of the above-described embodiments.
  • FIG. 15 (a) is a plan view showing a configuration example of a main part of a method for manufacturing an organic EL display device according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 15 (b) is a plan view showing a fourth embodiment. It is a top view which shows the modification of the manufacturing method of the organic EL display device.
  • the convex portion 110 is provided instead of the frame-shaped convex portion 70.
  • the elements common to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.
  • each panel constituent region PR includes a portion constituting the display region D and a portion constituting the frame region F including the terminal portion E.
  • Such a mother substrate 60 is used in manufacturing an organic EL display device in a state of being formed on a glass substrate.
  • the dividing step S5 for dividing the mother substrate 60 into the display panel units is performed.
  • this dividing step S5 as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 15A, division is performed along the dividing line DL. Further, the convex portion having the metal body and the resin layer is provided along the dividing line DL.
  • the rectangular convex portion 110 is between the two vertical division lines DL in the figure and the two horizontal division lines DL in the figure. Is formed between.
  • the configuration may be such that the rectangular convex portion 120 is provided.
  • the positional relationship and shape between the dividing line DL and the convex portion are not limited to those described above, and are not limited as long as the convex portion is provided along the dividing line DL.
  • the dividing line DL and the convex portion do not overlap with each other in that particle scattering during division can be avoided.
  • the number of dividing lines can be easily reduced. It is preferable in that the display panel can be manufactured.
  • an organic EL display device having a resin layer including a flattening film portion and an edge cover portion has been exemplified, but the present invention is not limited to this, and for example, a flattening film.
  • the resin layer of the convex portion may be formed by only one of the portion and the edge cover portion.
  • an organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is illustrated, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • an organic EL display device including an element substrate having an electrode of the thin film transistor connected to the first electrode as a drain electrode is illustrated, but the present invention illustrates the thin film transistor connected to the first electrode. It can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate called an electrode as a source electrode.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by an electric current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emission diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emission diode
  • the present invention is useful for a highly reliable display device capable of preventing deterioration of the sealing performance of the sealing layer due to particles, and a method for manufacturing the display device.

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Abstract

有機ＥＬ表示装置（５０ａ）の額縁領域（Ｆ）には、封止有機絶縁膜（２６）のエッジ（２６ｅ）を規定する枠状の第１バンク（４５）が設けられている。また、額縁領域（Ｆ）には、第１バンク（４５）を囲むように凸部（７０）が設けられている。この凸部（７０）は、電気的にフロート状態である金属体（７０ａ）と、当該金属体（７０ａ）に重畳する樹脂層（７０ｂ）と、を含んでいる。

Description

表示装置、及び表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関するものである。
　液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子（発光素子）を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置には、例えば、下記特許文献１に記載されているように、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されており、情報を表示する表示領域が複数の有機ＥＬ素子により規定されている。また、有機ＥＬ表示装置の各有機ＥＬ素子には、陽極と、陰極と、これらの陽極と陰極との間に挟まれるとともに、有機材料からなる有機ＥＬ層（発光層）を有する機能層とが設けられている。また、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の浸入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、封止層によって有機ＥＬ素子を覆う封止構造が設けられている。
特開２０１６－５４１４４号公報
　ところで、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置では、その上記封止構造として、一般的に、無機材料からなる封止無機絶縁膜と、有機材料からなる封止有機絶縁膜とを交互に積層している。具体的には、従来の有機ＥＬ表示装置では、例えば、有機ＥＬ素子を覆うように、ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、又は炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料からなる第１封止無機絶縁膜を成膜する。次に、第１封止無機絶縁膜を覆うように、インクジェット方式により、ポリイミド樹脂等の有機材料からなる封止有機絶縁膜を成膜する。続いて、封止有機絶縁膜を覆うように、ＣＶＤ法により、上記無機材料からなる第２封止無機絶縁膜を成膜して、封止層（ＴＦＥ層）を設けていた。
　ところが、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置では、パーティクル（異物）に起因して封止層の封止性能が低下することがあり、発光素子の寿命低下が発生して、表示装置の信頼性が損なわれるという問題を生じることがあった。具体的にいえば、第１封止無機絶縁膜はＣＶＤ法によって成膜されていたので、当該ＣＶＤ法を行った際に生じる上記パーティクルが表示領域内の発光素子上や封止有機絶縁膜のエッジを規定するバンク上に付着することがあった。この結果、第１封止無機絶縁膜にパーティクルによる欠陥が生じることがあった。更に、バンク上にパーティクルが付着した場合には、当該付着した箇所において、第２封止無機絶縁膜に欠陥が生じることがあり、当該欠陥を介して水分や酸素等が封止有機絶縁膜内に浸入し、更に第１封止無機絶縁膜に生じた欠陥に達すると、その欠陥近傍の発光素子にダメージを与えて寿命低下が生じることがあった。
　上記の課題に鑑み、本発明は、パーティクルに起因する封止層の封止性能の低下を防ぐことができる信頼性に優れた表示装置、及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子を覆うように設けられ、第１封止無機絶縁膜、封止有機絶縁膜、及び第２封止無機絶縁膜がこの順に積層された封止層と、前記複数の発光素子により規定された表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、を備え、前記複数の各発光素子には、第１電極、機能層、及び第２電極がこの順に設けられた表示装置であって、前記額縁領域には、前記封止有機絶縁膜のエッジを規定する枠状のバンクが設けられ、前記額縁領域には、前記バンクを囲むように凸部が設けられ、前記凸部は、電気的にフロート状態である金属体と、当該金属体に重畳する樹脂層と、を含むものである。
　また、本発明に係る表示装置の製造方法は、ベース基板上に薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、前記薄膜トランジスタ層上に複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記複数の発光素子を覆うように、第１封止無機絶縁膜、封止有機絶縁膜、及び第２封止無機絶縁膜を有する封止層を形成する封止層形成工程と、を含み、前記封止層形成工程よりも前に、前記複数の発光素子により規定された表示領域を囲む額縁領域に枠状のバンクを形成し、前記封止層形成工程において、前記封止有機絶縁膜を形成する有機樹脂材料の前記額縁領域の外側への広がりを前記バンクにより阻止する表示装置の製造方法であって、前記封止層形成工程よりも前に、前記額縁領域において、前記バンクを囲むように、電気的にフロート状態である金属体と、当該金属体に重畳する樹脂層と、を含む凸部を形成するものである。
　凸部が額縁領域においてバンクを囲むように設けられており、当該凸部は電気的にフロート状態である金属体と、当該金属体に重畳する樹脂層と、を含んでいる。このため、金属体内の電荷による静電力によってパーティクルを当該金属体に引き付けるとともに、引き付けられたパーティクルを樹脂層で捕捉することができる。この結果、パーティクルに起因する封止層の封止性能の低下を防ぐことができる信頼性に優れた表示装置、及び表示装置の製造方法を提供することができる。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。 図２は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置での表示領域の概略内部構成を説明する図である。 図３は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置での表示領域の要部構成を示す断面図である。 図４は、図３に示した薄膜トランジスタ層を示す等価回路図である。 図５は、図３に示した有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す断面図であり、図１のVI－VI線断面図である。 図７は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図８は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例１の要部構成を示す断面図であり、図１（ａ）のVI－VI線断面図に相当する断面図である。 図９は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例２の要部構成を示す断面図であり、図１（ａ）のVI－VI線断面図に相当する断面図である。 図１１は、図１０に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１２（ａ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例３での凸部を示す拡大断面図であり、図１２（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例４での凸部を示す拡大断面図である。 図１３（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＩＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。 図１４（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＩＩＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。 図１５（ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の要部構成例を示す平面図であり、図１５（ｂ）は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の変形例を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
　《第１の実施形態》
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。図２は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置での表示領域の概略内部構成を説明する図である。図３は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置での表示領域の要部構成を示す断面図である。図４は、図３に示した薄膜トランジスタ層を示す等価回路図である。図５は、図３に示した有機ＥＬ層を示す断面図である。図６は、図１（ａ）に示した有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す断面図であり、図１（ａ）のVI－VI線断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１（ａ）に示すように、例えば、矩形状に設けられた情報表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。また、額縁領域Ｆには、端子部Ｅが当該額縁領域Ｆの端部に設けられており、表示領域Ｄを規定する後述の複数の発光素子に設けられた配線（図示せず）が端子部Ｅに接続されている。また、この端子部Ｅには、例えば、図略のフレキシブルプリント回路基板が接続されており、当該フレキシブルプリント回路基板を介して信号及び電源電圧等が画素に供給されるようになっている。
　また、表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。具体的にいえば、表示領域Ｄには、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。ここで、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）層２０ａと、薄膜トランジスタ層２０ａ上に設けられた発光素子としての有機ＥＬ素子３０ａとを備えている。
　ベース基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂製のプラスチック基板である。
　図２及び図３に示すように、薄膜トランジスタ層２０ａは、ベースコート膜１１、半導体層１４ａ及び１４ｂ、ゲート絶縁膜１３、第１金属層、第１層間絶縁膜１５、第２金属層、第２層間絶縁膜１７、第３金属層、及び平坦化膜１９を含む。上記第１金属層は、行方向に延伸するゲート線１２、ゲート電極１２ａ及び１２ｂ、及び下部導電層を含む。上記第２金属層は、行方向に延伸する電源線（図示せず）、及び上部導電層を含む。上記第３金属層は、列方向に延伸するソース線Ｓａ、列方向に延伸する電源線Ｓｂ、ソース電極１８ａ及び１８ｃ、及びドレイン電極１８ｂ及び１８ｄを含む。上記のゲート線１２やソース線Ｓａは一例であり、他の層に設けられていてもよい。
　具体的には、薄膜トランジスタ層２０ａは、図３に示すように、ベース基板１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１薄膜トランジスタ９ａ、複数の第２薄膜トランジスタ９ｂ、及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１薄膜トランジスタ９ａ、各第２薄膜トランジスタ９ｂ、及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、薄膜トランジスタ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１２が設けられている。また、薄膜トランジスタ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線Ｓａが設けられている。また、薄膜トランジスタ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、各ソース線Ｓａと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線Ｓｂが設けられている。また、各電源線Ｓｂは、図４に示すように、高電源電圧線（ＥＬＶＤＤ）を構成する内部配線であり、後述の有機ＥＬ層の陽極と図略の高電源電圧源との間を導通している。また、薄膜トランジスタ層２０ａでは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１薄膜トランジスタ９ａ、第２薄膜トランジスタ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１薄膜トランジスタ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１２及びソース線Ｓａに接続されている。また、第１薄膜トランジスタ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられたゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。
　ここで、ゲート電極１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられている。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、ゲート電極１２ａを覆うように設けられている。また、半導体層１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上にゲート電極１２ａと重なるように設けられ、ゲート電極１２ａと重なるチャネル領域と、そのチャネル領域を挟んで配置されたソース領域及びドレイン領域とを有している。
　また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、半導体層１４ａのチャネル領域を覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１４ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
　また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２薄膜トランジスタ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１薄膜トランジスタ９ａ及び電源線Ｓｂに接続されている。また、第１薄膜トランジスタ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられたゲート電極１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。
　ここで、ゲート電極１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられている。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、ゲート電極１２ｂを覆うように設けられている。また、半導体層１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上にゲート電極１２ｂと重なるように設けられ、ゲート電極１２ｂと重なるチャネル領域と、そのチャネル領域を挟んで配置されたソース領域及びドレイン領域とを有している。
　また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、半導体層１４ｂのチャネル領域を覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１４ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
　なお、本実施形態では、ボトムゲート型の第１薄膜トランジスタ９ａ及び第２薄膜トランジスタ９ｂを例示したが、第１薄膜トランジスタ９ａ及び第２薄膜トランジスタ９ｂは、トップゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１薄膜トランジスタ９ａ及び電源線Ｓｂに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１２ａと同層で、かつ同一材料により形成された下部導電層１２ｃと、下部導電層１２ｃを覆うように順に設けられたゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１２ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、容量配線とも呼ばれている。
　平坦化膜１９は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子３０ａは、図３に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３、及び第２電極２４を備えている。
　複数の第１電極２１は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９上にマトリクス状に設けられている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ素子３０ａの陽極であり、図３に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＣａを介して、各第２薄膜トランジスタ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ素子３０ａの駆動用トランジスタとしての第２薄膜トランジスタ９ｂを介して電源線Ｓｂと電気的に接続されている（図４参照）。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。
　具体的にいえば、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２は、図３に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。つまり、エッジカバー２２は、図３に例示するように、第１電極２１を露出する開口部２２ｋを有するとともに、第１電極２２のエッジを覆うようになっている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機樹脂材料が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図３に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。また、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されるとともに、正孔及び電子が再結合する領域である。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。
　また、第１電極２１と第２電極２４との間には、機能層が設けられている。この機能層は、上記正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、及び電子注入層５を含む。なお、この説明以外に、機能層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　第２電極２４は、有機ＥＬ素子３０ａの陰極であり、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように設けられている。また、この第２電極２４は、複数の有機ＥＬ素子３０ａに共通して設けられており、低電源電圧電極（ＥＬＶＳＳ）を構成している。また、第２電極２４は、端子部Ｅを介して低電源電圧源（図示せず）に接続されている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。
　具体的にいえば、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。
　また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。
　なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止層２８は、有機ＥＬ表示装置５０ａにおいて、複数の有機ＥＬ素子（発光素子）３０ａを覆うように設けられている。また、この封止層２８は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１封止無機絶縁膜２５と、第１封止無機絶縁膜２５上に設けられた封止有機絶縁膜２６と、封止有機絶縁膜２６を覆うように設けられた第２封止無機絶縁膜２７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。
　第１封止無機絶縁膜２５は、複数の有機ＥＬ素子３０ａ上に設けられている。また、第２封止無機絶縁膜２７は、封止有機絶縁膜２６よりも上側に設けられ、第１封止無機絶縁膜２５とともに、封止有機絶縁膜２６を封止するように形成されている。更に、第１封止無機絶縁膜２５及び第２封止無機絶縁膜２７は、例えば、ＣＭＭ（Common Metal Mask）を用いたＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法により、成膜されており、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。
　封止有機絶縁膜２６は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等のインクジェット方式で塗布可能な有機材料により構成されている。さらに、封止有機絶縁膜２６の膜厚は、図３に例示するように、第１封止無機絶縁膜２５の膜厚及び第２封止無機絶縁膜２７の膜厚よりも厚い膜厚に構成されている。具体的にいえば、第１封止無機絶縁膜２５及び第２封止無機絶縁膜２７は、例えば、各々、１μｍの膜厚で形成されている。一方、封止有機絶縁膜２６は、例えば、１０μｍの膜厚で形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１（ａ）に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲む枠状の第１バンク４５と、当該第１バンク４５を囲む枠状の第２バンク４６とを備えており、これらの第１バンク４５及び第２バンク４６により、インクジェット方式等で塗布された封止有機絶縁膜２６の濡れ広がりを規制している。なお、封止有機絶縁膜２６のエッジ２６ｅ（図６）は、バンクにより規定されている。また、このバンクは、第１バンク４５及び第２バンク４６を含む。このように、バンクとして、第１バンク４５及び第２バンク４６を設けることにより、封止有機絶縁膜２６の濡れ広がりをより確実に規制することができる。
　第１バンク４５は、例えば、平坦化膜１９と同層で、かつ同一材料によって形成されている。また、この第１バンク４５は、図６に例示するように、封止有機絶縁膜２６のエッジ２６ｅと重なるように構成されている。また、第２電極２４が、図１（ａ）に二点鎖線にて示すように、平面視において、表示領域Ｄを覆うように、かつ、第１バンク４５と表示領域Ｄとの間に設けられている。
　また、第２バンク４６は、図６に示すように、例えば、平坦化膜１９と同層で、かつ同一材料によって形成された下層バンク４６ａと、エッジカバー２２（図３）と同層で、かつ同一材料によって形成されるとともに、下層バンク４６ａに積層された上層バンク４６ｂとを備えている。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図６に例示するように、第１封止無機絶縁膜２５のエッジ２５ｅと第２封止無機絶縁膜２７のエッジ２７ｅが、額縁領域Ｆ（図１（ａ））において、封止有機絶縁膜２６のエッジ２６ｅの外側に位置している。更に、同図６に示すように、第２封止無機絶縁膜２７のエッジ２７ｅが、第１封止無機絶縁膜２５のエッジ２５ｅよりも外側に位置しているので、封止層２８（図３）において、最外層の第２封止無機絶縁膜２７が複数の有機ＥＬ素子３０ａを覆うこととなり、各有機ＥＬ素子３０ａに対する封止性能を確実に向上させることができる。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、額縁領域Ｆにおいて、第１バンク４５及び第２バンク４６を囲むように、枠状の凸部７０が設けられている。また、この凸部７０は、図１（ｂ）に例示するように、枠状の金属体７０ａと、平面視で、当該金属体７０ａよりも大きく構成されるとともに、当該金属体７０ａに重畳する枠状の樹脂層７０ｂを含む。また、この凸部７０の高さＨ０は、図６に例示するように、第１バンク４５の高さＨ１よりも高く、また第２バンク４６の高さＨ２と同じ高さ、好ましくは高さＨ２以上の高さに設定されている。
　金属体７０ａは、電気的にフロート状態に構成されており、その内部に電荷が存在（局在）しており、その電荷の静電力によってパーティクルを引き付ける（吸引する）ことができるようになっている。また、金属体７０ａは、図６に示すように、例えば、薄膜トランジスタ層２０ａに含まれたソース線Ｓａと同層で、かつ同一材料により構成されている。つまり、金属体７０ａは、薄膜トランジスタ層２０ａに含まれた金属層のうち、平坦化膜１９に当接する金属層（ソース線Ｓａ）と同層で、かつ同一材料により構成され、後述の平坦化膜部と当接する。また、ここで言うフロート状態とは、金属体７０ａが表示に寄与せず、表示するための信号線と直接、電気的に接続しないことを指す。なお、金属体７０ａは、額縁領域Ｆ又は後述のマザー基板に設けられたガードリング（図示せず）に接続されていてもよい。このようにガードリングに接続されることで、有機ＥＬ表示装置５０ａでの静電放電の対策にも使用可能となる。
　樹脂層７０ｂは、例えば、樹脂材料により構成されており、その表面に、金属体７０ａによって引き付けられたパーティクルを付着することにより、当該パーティクルを捕捉するようになっている。
　具体的にいえば、樹脂層７０ｂは、例えば、図６に示すように、金属体７０ａを覆うように設けられた平坦化膜部７０ｂ１と、金属体７０ａ及び平坦化膜部７０ｂ１に重畳するエッジカバー部７０ｂ２とを含む。平坦化膜部７０ｂ１は、例えば、平坦化膜１９と同層で、かつ同一材料によって形成されており、エッジカバー部７０ｂ２は、例えば、エッジカバー２２（図３）と同層で、かつ同一材料によって形成されている。
　また、凸部７０では、金属体７０ａが平坦化膜部７０ｂ１に当接した状態で、当該平坦化膜部７０ｂ１によって覆われるように設けられているので、金属体７０ａによって引き付けられたパーティクルをより容易に捕捉することができる。また、凸部７０では、樹脂層７０ｂに平坦化膜部７０ｂ１とエッジカバー部７０ｂ２とを設けることにより、当該凸部７０の表面積を増やしてパーティクルを付着させ易くするとともに、当該凸部７０の電気容量を増加させて金属体７０ａの静電力をより増やすことができ、パーティクルを引き付ける力をより向上させることが可能となる。
　なお、凸部７０の高さＨ０は、上述の説明に限定されるものではなく、例えば、第１バンク４５の高さＨ１よりも低くてもよい。但し、上記のように、凸部７０の高さＨ０が、第１バンク４５の高さＨ１及び第２バンク４６の高さＨ２以上である場合の方が、パーティクルを容易に捕捉することができる点で好ましい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図６に示すように、平坦化膜１９に設けられたスリットからなるトレンチＴが設けられており、このトレンチＴにおいて、第２電極２４は、第１電極２１と同層で、かつ同一材料により形成された電極導通部Ａ１に電気的に接続されている。また、この電極導通部Ａ１は、同図６に示すように、薄膜トランジスタ層２０ａ（図３）の配線層、例えば、ソース線Ｓａと同層で、かつ同一材料により形成された配線導通部Ｓ１と額縁領域Ｆにおいて電気的に接続されている。また、この配線導通部Ｓ１は、図略の引き回し配線及び端子部Ｅを介して上述の低電源電圧源に電気的に接続されて、当該低電源電圧源と第２電極２４とは互いに導通される。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１２を介して第１薄膜トランジスタ９ａにゲート信号を入力することにより、第１薄膜トランジスタ９ａをオン状態にし、ソース線Ｓａを介して第２薄膜トランジスタ９ｂのゲート電極１２ｂ、及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２薄膜トランジスタ９ｂのゲート電圧に基づいて、規定された電源線Ｓｂからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、情報表示を行うように構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１薄膜トランジスタ９ａがオフ状態になっても、第２薄膜トランジスタ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、図７も参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について具体的に説明する。図７は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
　有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、図７に示すように、薄膜トランジスタＦ層形成工程Ｓ１と、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ２と、封止層形成工程Ｓ３と、フレキシブル化工程Ｓ４と、分断工程Ｓ５と、実装工程Ｓ６とを含む。
　この有機ＥＬ表示装置５０ａの製造には、マザー基板（後掲の図１４参照）を用いた多面取りの方法が採用され、当該マザー基板を用いて上述の各工程が実施される。また、マザー基板は、ベース基板１０となる基板であって、後に詳述するように、有機ＥＬ表示装置５０ａに含まれた表示パネルを構成するパネル構成領域を複数内在している。
　薄膜トランジスタ層形成工程Ｓ１は、ベースコート膜形成工程Ｓ１１と、ゲート電極形成工程Ｓ１２と、ゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３と、半導体層形成工程Ｓ１４と、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５と、ソースドレイン電極形成工程Ｓ１６と、平坦化膜形成工程Ｓ１７とを含む。
　ベースコート膜形成工程Ｓ１１では、上記マザー基板の表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、ベースコート膜１１を形成する。
　次に、ゲート電極形成工程Ｓ１２では、ベースコート膜１１が形成されたマザー基板上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート電極１２ａ及び１２ｂを形成する。このとき、ゲート電極１２ａ及び１２ｂを形成する積層導電膜からは、ゲート線１２や各種の引き回し配線なども併せて形成する。
　続いて、ゲート絶縁膜形成工程Ｓ１３では、ゲート電極１２ａ及び１２ｂが形成されたマザー基板上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、ゲート絶縁膜１３を形成する。
　次に、半導体層形成工程Ｓ１４では、ゲート絶縁膜１３が形成されたマザー基板上に、例えばＣＶＤ法により半導体膜を成膜し、その半導体膜に対し、必要に応じて結晶化処理や低抵抗化処理を施した後に、当該半導体膜をフォトリソグラフィ（レジスト塗布、プリベーク処理、露光処理、現像処理、ポストベーク処理、エッチング処理およびレジスト剥離処理）によりパターニングして、半導体層１４ａ及び１４ｂを形成する。
　続いて、層間絶縁膜形成工程Ｓ１５では、半導体層１４ａ及び１４ｂが形成されたマザー基板上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、第１層間絶縁膜１５を形成する。続いて、第１層間絶縁膜１５上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を成膜して、第２層間絶縁膜１７を形成する。尚、この層間絶縁膜形成工程Ｓ１５は、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１７との間に設けられる上部導電層１６を形成する上部導電層形成工程を含む。
　次に、ソースドレイン電極形成工程Ｓ１６では、第２層間絶縁膜１７が形成されたマザー基板上に、例えばスパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜して、積層導電膜を形成した後に、その積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを形成する。このとき、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを形成する積層電電膜からは、ソース線Ｓａなども併せて形成する。
　更に、このソースドレイン電極形成工程Ｓ１６では、凸部７０を形成する凸部形成工程に含まれた、金属体７０ａを形成する金属体形成工程が同時に行われる。すなわち、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを形成する積層電電膜をパターニングすることにより、金属体７０ａが、ソース線Ｓａと同層で、かつ同一材料により形成される。
　続いて、平坦化膜形成工程Ｓ１７では、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂが形成されたマザー基板上に、例えばスピンコート法やインクジェット法などの公知の塗布法により、ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料を塗布する。そして、この感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク処理、露光処理、現像処理およびポストベーク処理を行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、平坦化膜１９を形成する。このとき、平坦化膜１９を形成する塗布膜からは、第１バンク４５、第２バンク４６の下層バンク４６ａを併せて形成する。
　更に、この平坦化膜形成工程Ｓ１７では、凸部７０を形成する凸部形成工程に含まれた、樹脂層７０ｂの平坦化膜部７０ｂ１を形成する平坦化膜部形成工程が同時に行われる。すなわち、上記塗布膜をパターニングすることにより、平坦化膜部７１ｂ１が、平坦化膜１９と同層で、かつ同一材料により形成される。
　以上のように、薄膜トランジスタ層形成工程Ｓ１では、薄膜トランジスタ層２０ａが形成される。
　有機ＥＬ素子形成工程Ｓ２は、第１電極形成工程Ｓ２１と、エッジカバー形成工程Ｓ２２と、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３と、第２電極形成工程Ｓ２４とを含む。なお、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ２は、発光素子形成工程の一例である。
　第１電極形成工程Ｓ２１では、薄膜トランジスタ層２０ａが形成されたマザー基板上に、例えば、スパッタリング法により、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、銀合金膜およびインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を順に成膜して積層導電膜を形成する。そして、この積層導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、第１電極２１を形成する。
　次に、エッジカバー形成工程Ｓ２２では、第１電極２１が形成されたマザー基板上に、例えばスピンコート法などの公知の塗布法により、ポリイミド樹脂などの感光性樹脂材料を塗布する。そして、この感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク処理、露光処理、現像処理およびポストベーク処理を行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー２２を形成する。このとき、エッジカバー２２を形成する塗布膜からは、第２バンク４６の上層バンク４６ｂを併せて形成する。
　更に、このエッジカバー形成工程Ｓ２２では、凸部７０を形成する凸部形成工程に含まれた、樹脂層７０ｂのエッジカバー部７０ｂ２を形成するエッジカバー部形成工程が同時に行われる。すなわち、上記塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー部７１ｂ２が、エッジカバー２２と同層で、かつ同一材料により形成される。
　続いて、有機ＥＬ層形成工程Ｓ２３では、エッジカバー２２が形成されたマザー基板上に、公知のＦＭＭ（Fine Metal Mask）を用いて、例えば真空蒸着法により、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、及び電子注入層５を順に成膜して、個々の第１電極２１上に有機ＥＬ層２３を形成する。
　次に、第２電極形成工程Ｓ２４では、有機ＥＬ層２３が形成されたマザー基板上に、表示パネル単位でパターニング可能なＣＭＭを用いて、例えば真空蒸着法により銀合金膜を成膜することにより、複数の有機ＥＬ素子３０ａに共通して、第２電極２４を形成する。
　以上のように、有機ＥＬ素子形成工程Ｓ２では、薄膜トランジスタ層２０ａ上に複数の有機ＥＬ素子（発光素子）３０ａが形成される。
　封止層形成工程Ｓ３では、まず、有機ＥＬ素子３０ａが形成されたマザー基板上に、ＣＭＭを用いて、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第１封止無機絶縁膜２５を形成する。
　続いて、第１封止無機絶縁膜２５が形成されたマザー基板上に、例えば、インクジェット法によりアクリル樹脂などの有機材料を塗布して、封止有機絶縁膜２６を形成する。このとき、塗布された有機材料の額縁領域Ｆの外側への広がりは第１バンク４５により堰き止められて、第１バンク４５の内側に封止有機絶縁膜２６が形成される。
　そして、封止有機絶縁膜２６が形成されたマザー基板上に、ＣＭＭを用いて、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）などの無機絶縁膜を単層でまたは積層するように成膜して、第２封止無機絶縁膜２７を形成する。
　以上のように、封止層形成工程Ｓ３では、第１封止無機絶縁膜２５、封止有機絶縁膜２６、及び第２封止無機絶縁膜２７が積層された封止層２８が複数の有機ＥＬ素子３０ａを覆うように形成される。
　また、封止層形成工程Ｓ３では、ＣＶＤ法による第１封止無機絶縁膜２５及び第２封止無機絶縁膜２７の各成膜は、マザー基板がＣＶＤ法を行う接地電極（図示せず）に当接した状態で行われる。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法では、金属体７０ａと上記接地電極との間で、金属体７０ａ内の電荷による電界（静電力）を確実に形成することができ、パーティクルを当該金属体７０ａに確実に引き付けることが可能となる。
　フレキシブル化工程Ｓ４では、封止層２８が形成されたマザー基板の表面に保護シート（図示せず）を貼り付けた後に、そのマザー基板の下面にガラス基板側からレーザー光を照射することにより、マザー基板の下面からガラス基板を剥離し、さらに、ガラス基板を剥離したマザー基板の下面に保護シート（図示せず）を貼り付ける。
　分断工程Ｓ５では、ガラス基板を剥離したマザー基板を、レーザー光の照射により表示パネル単位に分断する。このとき、マザー基板を分断する際の分断ラインＤＬは、個々のパネル構成領域とその外側領域との境界であり、各パネル構成領域の外縁に相当する箇所である（後掲の図１４参照）。このようにマザー基板を分断することにより、複数の上記表示パネルを得る。
　実装工程Ｓ６では、マザー基板を分断して得た表示パネルに対し、端子部ＥへのＦＰＣの接続などを行う。
　以上のように、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上のように構成された本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、額縁領域Ｆにおいて、第１バンク４５及び第２バンク４６を囲むように凸部７０が設けられている。この凸部７０は、電気的にフロート状態である金属体７０ａと、当該金属体７０ａに重畳する樹脂層７０ｂと、を含んでいる。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、金属体７０ａ内の電荷による静電力によってパーティクルを当該金属体７０ａに引き付けるとともに、引き付けられたパーティクルを樹脂層７０ｂで捕捉することができる。この結果、本実施形態では、パーティクルに起因する封止層２８の封止性能の低下を防ぐことができる信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置（表示装置）５０ａ、及びその製造方法を提供することができる。
　《第１の実施形態の変形例１》
　図８は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例１の要部構成を示す断面図であり、図１（ａ）のVI－VI線断面図に相当する断面図である。図９は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との相違点は、凸部７０の金属体７０ａに代えて、ゲート線１２と同層で、かつ同一材料により、凸部７０の金属体７０ｃを設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、図８に示すように、凸部７０は、ベースコート膜１１上でゲート絶縁膜１３に覆われるように形成された金属体７０ｃを有する。この金属体７０ｃは、金属体７０ａと同様に、第２バンク４６を囲むように、枠状に形成されている。また、金属体７０ｃは、上述したように、ゲート線１２と同層で、かつ同一材料により構成されており、樹脂層７０ｂと重畳するように、当該樹脂層７０ｂの下方（ベース基板１０側）に設けられている。
　また、本実施形態では、図９に示すように、ゲート電極形成工程Ｓ３２において、凸部７０を形成する凸部形成工程に含まれた、金属体７０ｃを形成する金属体形成工程が同時に行われる。すなわち、ゲート電極１２ａ及びド１２ｂを形成する積層電電膜をパターニングすることにより、金属体７０ｃが、ゲート線１２と同層で、かつ同一材料により形成される。更に、本実施形態では、第１の実施形態と異なり、ソースドレイン電極形成工程Ｓ３６には、上記金属体形成工程は含まれない。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　なお、上記の説明以外に、互いに異なる層に形成された複数の金属層を含む薄膜トランジスタ層２０ａにおいて、当該複数の金属層のいずれか１つの金属層と同層で、かつ同一材料により、凸部の金属体を構成することができる。このように、薄膜トランジスタ層２０ａに含まれたいずれか１つの金属層と同層で、かつ同一材料により、凸部の金属体を構成することにより、有機ＥＬ表示装置の薄膜化及び製造工程の簡略化を容易に図ることができる点で好ましい。
　《第１の実施形態の変形例２》
　図１０は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例２の要部構成を示す断面図であり、図１（ａ）のVI－VI線断面図に相当する断面図である。図１１は、図１０に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との相違点は、凸部７０の金属体７０ａに代えて、第１電極２１と同層で、かつ同一材料により、凸部７０の金属体７０ｄを設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１０に示すように、凸部７０は、平坦化膜部７０ｂ１を覆うように形成された金属体７０ｄを有する。この金属体７０ｄは、金属体７０ａと同様に、第２バンク４６を囲むように、枠状に形成されている。また、金属体７０ｄは、上述したように、第１電極２１と同層で、かつ同一材料により構成されており、樹脂層７０ｂの平坦化膜部７０ｂ１とエッジカバー部７０ｂ２との間に設けられている。
　また、本実施形態では、図１１に示すように、第１電極形成工程Ｓ５１において、凸部７０を形成する凸部形成工程に含まれた、金属体７０ｄを形成する金属体形成工程が同時に行われる。すなわち、第１電極２１を形成する積層電電膜をパターニングすることにより、金属体７０ｄが、第１電極２１と同層で、かつ同一材料により形成される。更に、本実施形態では、第１の実施形態と異なり、ソースドレイン電極形成工程Ｓ４６には、上記金属体形成工程は含まれない。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　なお、上記の説明以外に、例えば、エッジカバー部７０ｂ２を設けることなく、金属体７０ｄを覆うように第１封止無機絶縁膜２５を成膜することにより凸部７０を構成することできる。但し、上記のように、金属体７０ｄを覆うようにエッジカバー部７０ｂ２を設ける場合の方が、当該金属体７０ｄの角部での上記電界の集中を抑制することができる点で好ましい。
　《第１の実施形態の他の変形例》
　図１２（ａ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例３での凸部を示す拡大断面図であり、図１２（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例４での凸部を示す拡大断面図である。
　図において、本実施形態と上記変形例２との相違点は、凸部７０の金属体７０ｄを第１封止無機絶縁膜２５と接するように、当該第１封止無機絶縁膜２５に対して露出した点である。なお、上記変形例２と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態では、例えば、図１２（ａ）に示すように、凸部７０の金属体７０ｄは、変形例２のものとは異なり、エッジカバー部７０ｂ２で覆われることなく、第１封止無機絶縁膜２５に対して露出されて、当該第１封止無機絶縁膜２５と接している。
　また、本実施形態では、例えば、図１２（ｂ）に示すように、変形例２のものとは異なり、エッジカバー部７０ｂ２を設けておらず、凸部７０の金属体７０ｄでは、その上面の全面が第１封止無機絶縁膜２５に覆われて、当該第１封止無機絶縁膜２５と接している。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《第２の実施形態》
　図１３（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＩＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、枠状の凸部７０に代えて、凸部８０を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄでは、図１３（ａ）に示すように、第２バンク４６を囲むように、凸部８０が額縁領域Ｆに設けられている。また、この凸部８０は、図１３（ｂ）に例示するように、複数の島状の金属体８０ａと、複数の島状の樹脂層８０ｂと、を含んでいる。複数の各金属体８０ａは、上記の各実施形態の金属体と同様に、電気的にフロート状態である。また、複数の各樹脂層８０ｂは、上記の各実施形態の樹脂層と同様に、金属体８０ａに重畳している。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《第３の実施形態》
　図１４（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の要部構成を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＩＩＩｂで囲んだ領域での要部構成を示す平面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、枠状の凸部７０に代えて、凸部９０を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｅでは、図１４（ａ）に示すように、第２バンク４６を囲むように、凸部９０が額縁領域Ｆに設けられている。また、この凸部９０は、図１４（ｂ）に例示するように、枠状の金属体９０ａと、複数の島状の樹脂層９０ｂと、を含んでいる。金属体９０ａは、上記の各実施形態の金属体と同様に、電気的にフロート状態である。また、複数の各樹脂層９０ｂは、上記の各実施形態の樹脂層と同様に、金属体９０ａに重畳している。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《第４の実施形態》
図１５（ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の要部構成例を示す平面図であり、図１５（ｂ）は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の変形例を示す平面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、枠状の凸部７０に代えて、凸部１１０を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態では、図１５（ａ）に示すように、上記マザー基板６０において、複数、例えば９個の上記表示パネルが同時に形成されるようになっている。つまり、本実施形態では、マザー基板６０上には、９個のパネル構成領域ＰＲが設けられており、各パネル構成領域ＰＲでは、薄膜トランジスタ層２０ａ、有機ＥＬ素子３０ａ、及び封止層２８が順次形成される。また、各パネル構成領域ＰＲには、表示領域Ｄを構成する部分や端子部Ｅを含む額縁領域Ｆを構成する部分を含む。このようなマザー基板６０は、ガラス基板上に形成された状態で有機ＥＬ表示装置の製造に用いられる。
　また、本実施形態では、上述したように、封止層形成工程Ｓ３の後に、マザー基板６０を上記表示パネル単位に分断する分断工程Ｓ５が行われる。この分断工程Ｓ５では、図１５（ａ）に二点鎖線にて示すように、上記分断ラインＤＬに沿って分断が行われる。また、上記金属体及び樹脂層を有する凸部は、分断ラインＤＬに沿って設けられている。
　具体的には、本実施形態では、図１５（ａ）に示すように、矩形状の凸部１１０が図の縦方向の２つの分断ラインＤＬの間及び図の横方向の２つの分断ラインＤＬの間に形成されている。なお、この説明以外に、例えば、図１５（ｂ）に示すように、縦方向の分断ラインＤＬと図の横方向の分断ラインＤＬとの交差部において、これらの分断ラインＤＬと重畳しないように、矩形状の凸部１２０を設ける構成でもよい。また、分断ラインＤＬと上記凸部との位置関係や形状等は、上述のものに限定されるものではなく、凸部が分断ラインＤＬに沿って設けられているものであれば何等限定されない。但し、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に例示したように、分断ラインＤＬと凸部とが互いに重畳しない場合の方が、分断時のパーティクル飛散を避けることができる点で好ましい。また、図１５（ｂ）に例示した場合では、図１５（ａ）に例示した場合に比べて、例えば、四隅にコーナーＲを有する表示パネルを製造する場合に分断ライン数を削減して容易に当該表示パネルを製造することができる点で好ましい。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　尚、上記各実施形態では、平坦化膜部とエッジカバー部とを含んだ樹脂層を有する有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、平坦化膜部及びエッジカバー部のいずれか一方のみにより凸部の樹脂層を構成してもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続された薄膜トランジスタの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続された薄膜トランジスタの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　本発明は、パーティクルに起因する封止層の封止性能の低下を防ぐことができる信頼性に優れた表示装置、及び表示装置の製造方法に有用である。
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｅ　　　　端子部
Ｓａ　　　ソース線
１０　　　ベース基板
１２　　　ゲート線
２０ａ　　薄膜トランジスタ層
２１　　　第１電極（陽極）
２２　　　エッジカバー
２２ｋ　　開口部
２３　　　有機ＥＬ層（機能層）
２４　　　第２電極（陰極）
２５　　　第１封止無機絶縁膜
２６　　　封止有機絶縁膜
２６ｅ　　エッジ
２７　　　第２封止無機絶縁膜
２８　　　封止層
３０ａ　　有機ＥＬ素子（発光素子）
６０　　　マザー基板
７０、８０、９０，１１０、１２０　　凸部
７０ａ、７０ｃ、７０ｄ、８０ａ．９０ａ　　金属体
７０ｂ、８０ｂ、９０ｂ　　樹脂層
７０ｂ１　　平坦化膜部
７０ｂ２　　エッジカバー部
５０ａ～５０ｅ　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）

Claims (21)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
    　前記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子を覆うように設けられ、第１封止無機絶縁膜、封止有機絶縁膜、及び第２封止無機絶縁膜がこの順に積層された封止層と、
    　前記複数の発光素子により規定された表示領域と、
    　前記表示領域を囲む額縁領域と、を備え、
    　前記複数の各発光素子には、第１電極、機能層、及び第２電極がこの順に設けられた表示装置であって、
    　前記額縁領域には、前記封止有機絶縁膜のエッジを規定する枠状のバンクが設けられ、
    　前記額縁領域には、前記バンクを囲むように凸部が設けられ、
    　前記凸部は、電気的にフロート状態である金属体と、当該金属体に重畳する樹脂層と、を含む、表示装置。
  2. 　前記凸部は、枠状の前記金属体と、枠状の前記樹脂層と、を含む請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記凸部は、複数の島状の前記金属体と、複数の島状の前記樹脂層と、を含む請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記凸部は、枠状の前記金属体と、複数の島状の前記樹脂層と、を含む請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記凸部の高さは、前記バンクの高さ以上である請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
  6. 　前記第１電極を露出する開口部を有するとともに、当該第１電極のエッジを覆うエッジカバーを、更に備え、
    　前記薄膜トランジスタ層は、互いに異なる層に形成された複数の金属層と、当該複数の金属層及び前記第１電極との間に設けられた平坦化膜と、を含む請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
  7. 　前記金属体は、前記複数の金属層のいずれか１つの金属層と同層で、かつ同一材料により構成され、
    　前記樹脂層は、前記平坦化膜と同層で、かつ同一材料により構成される平坦化膜部を含む請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記金属体は、前記複数の金属層のうち、前記平坦化膜に当接する金属層と同層で、かつ同一材料により構成されるとともに、前記平坦化膜部に当接する請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記樹脂層は、前記エッジカバーと同層で、かつ同一材料により構成されるとともに、前記平坦化膜部に当接するエッジカバー部を含む請求項７又は請求項８に記載の表示装置。
  10. 　前記樹脂層は、前記平坦化膜と同層で、かつ同一材料により構成される平坦化膜部を含み、
    　前記金属体は、前記第１電極と同層で、かつ同一材料により構成されるとともに、前記平坦化膜部を覆う請求項６に記載の表示装置。
  11. 　前記樹脂層は、前記エッジカバーと同層で、かつ同一材料により構成されるとともに、前記金属体を覆うエッジカバー部を含む請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記金属体が、前記第１封止無機絶縁膜と接する請求項１０に記載の表示装置。
  13. 　前記バンクは、前記表示領域側に設けられた第１バンクと、当該第１バンクを囲む第２バンクとを含む請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 　ベース基板上に薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
    　前記薄膜トランジスタ層上に複数の発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　前記複数の発光素子を覆うように、第１封止無機絶縁膜、封止有機絶縁膜、及び第２封止無機絶縁膜を有する封止層を形成する封止層形成工程と、を含み、
    　前記封止層形成工程よりも前に、前記複数の発光素子により規定された表示領域を囲む額縁領域に枠状のバンクを形成し、
    　前記封止層形成工程において、前記封止有機絶縁膜を形成する有機樹脂材料の前記額縁領域の外側への広がりを前記バンクにより阻止する表示装置の製造方法であって、
    　前記封止層形成工程よりも前に、前記額縁領域において、前記バンクを囲むように、電気的にフロート状態である金属体と、当該金属体に重畳する樹脂層と、を含む凸部を形成する、表示装置の製造方法。
  15. 　前記薄膜トランジスタ層形成工程は、
    前記薄膜トランジスタ層に含まれた複数の金属層のいずれか１つの金属層と同層で、かつ同一材料により、前記金属体を形成する金属体形成工程と、
    　前記薄膜トランジスタ層に含まれた平坦化膜と同層で、かつ同一材料により、前記樹脂層に含まれた平坦化膜部を形成する平坦化膜部形成工程と、を含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  16. 　前記金属体形成工程は、前記複数の金属層のうち、前記平坦化膜に当接する金属層と同層で、かつ同一材料により、前記金属体を形成し、
    　前記平坦化膜部成工程は、前記金属体に当接して前記平坦化膜部を形成する請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
  17. 　前記発光素子形成工程は、前記第１電極のエッジを覆うエッジカバーと同層で、かつ同一材料により、前記平坦化膜部と当接して、前記樹脂層に含まれたエッジカバー部を形成するエッジカバー部形成工程を含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  18. 　前記薄膜トランジスタ層形成工程は、前記薄膜トランジスタ層に含まれた平坦化膜と同層で、かつ同一材料により、前記樹脂層に含まれた平坦化膜部を形成する平坦化膜部形成工程を含み、
    　前記発光素子形成工程は、前記平坦化膜部を覆うように、前記第１電極と同層で、かつ同一材料により、前記金属体を形成する金属体形成工程を含む請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  19. 　前記発光素子形成工程は、前記第１電極のエッジを覆うエッジカバーと同層で、かつ同一材料により、前記金属体を覆うように、前記樹脂層に含まれたエッジカバー部を形成するエッジカバー部形成工程を含む請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
  20. 　表示パネルを構成するパネル構成領域が複数内在するマザー基板を用い、
    　前記マザー基板の前記各パネル構成領域に前記薄膜トランジスタ層、前記発光素子、及び前記封止層を形成し、
    　前記封止層形成工程の後に、前記マザー基板を前記表示パネル単位に分断する分断工程をさらに含み、
    　前記凸部を、前記分断工程で前記マザー基板の前記表示パネル単位に分断する分断ラインに沿って形成する請求項１２～請求項１７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  21. 　前記凸部と前記分断ラインとは、互いに重畳しないように形成される請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
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